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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024010919
(43)【公開日】2024-01-25
(54)【発明の名称】発光装置の製造方法及び発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/56 20100101AFI20240118BHJP
H01L 33/62 20100101ALI20240118BHJP
H01L 33/54 20100101ALI20240118BHJP
H01L 23/29 20060101ALI20240118BHJP
C08L 83/05 20060101ALI20240118BHJP
C08L 83/07 20060101ALI20240118BHJP
【ＦＩ】
H01L33/56
H01L33/62
H01L33/54
H01L23/30 R
H01L23/30 F
C08L83/05
C08L83/07
【審査請求】有
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022112518
(22)【出願日】2022-07-13
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000707
【氏名又は名称】弁理士法人市澤・川田国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】甘利 紘一
(72)【発明者】
【氏名】清水 泰典
(72)【発明者】
【氏名】市川 博史
(72)【発明者】
【氏名】岩田 洋
【テーマコード（参考）】
4J002
4M109
5F142
【Ｆターム（参考）】
4J002CP04X
4J002CP13W
4J002CP14W
4J002DA116
4J002DB006
4J002DD076
4J002FD206
4J002GF00
4J002GP00
4J002GQ00
4J002GQ05
4M109AA01
4M109EA11
4M109EB04
4M109GA01
5F142AA58
5F142BA32
5F142CA11
5F142CA13
5F142CD02
5F142CD16
5F142CD17
5F142CD18
5F142CD44
5F142CD47
5F142CD49
5F142CE06
5F142CE13
5F142CE15
5F142CE16
5F142CE23
5F142CG03
5F142CG04
5F142CG05
5F142CG13
5F142CG23
5F142CG24
5F142CG26
5F142CG32
5F142CG43
5F142DA02
5F142DA14
5F142DA73
5F142DB02
5F142FA12
5F142FA14
5F142FA18
(57)【要約】 （修正有）
【課題】発光素子と配線基板間の接合の信頼性の高い発光装置の製造方法及び発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００Ａの製造方法は、下面に正負の素子電極２２を有する発光素子２０と、配線層１２を有する配線基板１０と、素子電極と配線層とを電気的に接続する導電部材３０とを有し、素子電極、配線層及び導電部材の少なくとも一つがＡｕを含む中間体を準備する工程と、発光素子の下面と配線基板との間に、（成分Ａ）１分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するシロキサン化合物、（成分Ｂ）１分子中の両末端にＳｉＨ基を有し側鎖にＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物、（成分Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒、を含む液状の樹脂組成物４０を配置する工程と、Ａｕを含む部材と接する樹脂組成物中の成分Ｂを酸化させる酸化工程と、酸化工程の後に、Ａｕを含む部材と接しない樹脂組成物を加熱して硬化させる硬化工程と、を含む。
【選択図】図５Ｂ
【解決手段】発光装置１００Ａの製造方法は、下面に正負の素子電極２２を有する発光素子２０と、配線層１２を有する配線基板１０と、素子電極と配線層とを電気的に接続する導電部材３０とを有し、素子電極、配線層及び導電部材の少なくとも一つがＡｕを含む中間体を準備する工程と、発光素子の下面と配線基板との間に、（成分Ａ）１分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するシロキサン化合物、（成分Ｂ）１分子中の両末端にＳｉＨ基を有し側鎖にＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物、（成分Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒、を含む液状の樹脂組成物４０を配置する工程と、Ａｕを含む部材と接する樹脂組成物中の成分Ｂを酸化させる酸化工程と、酸化工程の後に、Ａｕを含む部材と接しない樹脂組成物を加熱して硬化させる硬化工程と、を含む。
【選択図】図５Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下面側に正負の素子電極を有する発光素子と、配線層を有する配線基板と、前記素子電極と前記配線層とを電気的に接続する導電部材とを有し、前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材の少なくとも一つがＡｕを含む中間体を準備する工程と、
前記発光素子の下面と前記配線基板との間に、
（成分Ａ）１分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するシロキサン化合物と、
（成分Ｂ）１分子中の両末端にＳｉＨ基を有し、かつ、側鎖にＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物と、
（成分Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒と、
を含む液状の樹脂組成物を配置する工程と、
前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材のうちＡｕを含む部材と接する前記樹脂組成物中の前記成分Ｂを酸化させる酸化工程と、
前記酸化工程の後に、前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材のうちＡｕを含む部材と接しない前記樹脂組成物を加熱して硬化させる硬化工程と、
を含む、発光装置の製造方法。
前記発光素子の下面と前記配線基板との間に、
（成分Ａ）１分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するシロキサン化合物と、
（成分Ｂ）１分子中の両末端にＳｉＨ基を有し、かつ、側鎖にＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物と、
（成分Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒と、
を含む液状の樹脂組成物を配置する工程と、
前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材のうちＡｕを含む部材と接する前記樹脂組成物中の前記成分Ｂを酸化させる酸化工程と、
前記酸化工程の後に、前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材のうちＡｕを含む部材と接しない前記樹脂組成物を加熱して硬化させる硬化工程と、
を含む、発光装置の製造方法。
【請求項2】
前記樹脂組成物を配置する工程において、前記樹脂組成物を配置する温度は１０℃以上３０℃以下である、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項3】
前記酸化工程は、１０℃以上３０℃以下で所定の時間保持する、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項4】
前記硬化工程の後に、前記第２部分の上面に封止部材を配置する工程を含む、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項5】
基材と配線層とを含む配線基板と、
前記配線基板上に配置され、下面側に正負の素子電極を有する発光素子と、
前記配線層と前記素子電極とを電気的に接続する導電部材と、
前記配線層、前記導電部材及び前記素子電極に接する液状の第１部分と、前記第１部分の周囲に配置される硬化状態の第２部分と、を有する樹脂部材と、
を有する発光装置。
前記配線基板上に配置され、下面側に正負の素子電極を有する発光素子と、
前記配線層と前記素子電極とを電気的に接続する導電部材と、
前記配線層、前記導電部材及び前記素子電極に接する液状の第１部分と、前記第１部分の周囲に配置される硬化状態の第２部分と、を有する樹脂部材と、
を有する発光装置。
【請求項6】
前記配線層、前記導電部材及び前記素子電極のうち少なくとも１つは、Ａｕを含み、請求項５に記載の発光装置。
【請求項7】
前記配線層、前記素子電極及び前記導電部材は、Ａｕを含む、請求項５に記載の発光装置。
【請求項8】
前記第１部分は、ＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物を含み、
前記第２部分は、シルエチレン構造を有するシロキサン化合物を含む、請求項５に記載の発光装置。
前記第２部分は、シルエチレン構造を有するシロキサン化合物を含む、請求項５に記載の発光装置。
【請求項9】
前記第１部分は、１分子中の両末端にＳｉＯＨ基を有し、かつ、側鎖にメチル基又はフェニル基を有するシロキサン化合物を含む、請求項８に記載の発光装置。
【請求項10】
前記発光素子は、前記下面と、前記下面の反対側に位置する上面と、前記下面と前記上面との間に位置する側面と有し、
前記第２部分は、前記発光素子の側面と接する、請求項５に記載の発光装置。
前記第２部分は、前記発光素子の側面と接する、請求項５に記載の発光装置。
【請求項11】
前記第２部分の上端は、前記発光素子の上面と同じ、又は、前記発光素子の上面より低い位置にある、請求項１０に記載の発光装置。
【請求項12】
前記第２部分の上面を覆う封止部材を有する、請求項５に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置の製造方法及び発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
配線基板上に導電部材を介して発光素子が配置された発光装置において、配線基板と発光素子間の接合強度を確保するために、配線基板と発光素子間にアンダーフィルを充填させることが知られている。（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００２－２０３８７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、発光素子と配線基板間の接合の信頼性に改善の余地がある。本開示の一態様は、発光素子と配線基板間の接合の信頼性の高い発光装置の製造方法及び発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一実施形態の発光装置の製造方法は、下面側に正負の素子電極を有する発光素子と、配線層を有する配線基板と、前記素子電極と前記配線層とを電気的に接続する導電部材とを有し、前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材の少なくとも一つがＡｕを含む中間体を準備する工程と、前記発光素子の下面と前記配線基板との間に、（成分Ａ）１分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するシロキサン化合物と、（成分Ｂ）１分子中の両末端にＳｉＨ基を有し、かつ、側鎖にＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物と、（成分Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒と、を含む液状の樹脂組成物を配置する工程と、前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材のうちＡｕを含む部材と接する前記樹脂組成物中の前記成分Ｂを酸化させる酸化工程と、前記酸化工程の後に、前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材のうちＡｕを含む部材と接しない前記樹脂組成物を加熱して硬化させる硬化工程と、を含む。
【0006】
本開示の一実施形態の発光装置は、基材と配線層とを含む配線基板と、前記配線基板上に配置され、下面側に正負の素子電極を有する発光素子と、前記配線層と前記素子電極とを電気的に接続する導電部材と、前記配線層、前記導電部材及び前記素子電極に接する液状の第１部分と、前記第１部分の周囲に配置される硬化状態の第２部分と、を有する樹脂部材と、を有する。
【発明の効果】
【0007】
本開示の一実施形態によれば、発光素子と配線基板間の接合の信頼性の高い発光装置の製造方法及び発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１実施形態に係る発光装置の製造工程の一状態を模式的に示す断面図（その１）である。
【図2】第１実施形態に係る発光装置の製造工程の一状態を模式的に示す断面図（その２）である。
【図3】第１実施形態に係る発光装置の製造工程の一状態を模式的に示す断面図（その３）である。
【図4】第１実施形態に係る発光装置の製造工程の一状態を模式的に示す断面図（その４）である。
【図5A】第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。
【図6A】第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。
【図7】第２実施形態に係る発光装置の別例（その１）を模式的に示す断面図である。
【図8】第２実施形態に係る発光装置の別例（その２）を模式的に示す断面図である。
【図9】第２実施形態に係る発光装置の別例（その３）を模式的に示す断面図である。
【図10】第３実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面に基づいて本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法及び発光装置について詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語を用いる。しかしながら、これらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、これらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一または同等の部分を指す。
【0010】
更に、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための発光装置の製造方法及び発光装置を例示するものであって、本発明を限定するものではない。また、以下に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、例示することを意図したものである。また、図面が示す部材の大きさおよび位置関係等は、説明を明確にするため誇張している場合がある。また、一の実施形態において説明する内容は、他の実施形態や別例にも適用可能である。さらに、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略した模式図を用いたり、断面図として切断面のみを示す端面図を用いたりすることがある。
【0011】
＜第１実施形態＞
［発光装置の製造方法］
以下、図面を参照しながら、第１実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図１～図４は、第１実施形態にかかる発光装置の製造方法の一状態を模式的に示す断面図である。
［発光装置の製造方法］
以下、図面を参照しながら、第１実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図１～図４は、第１実施形態にかかる発光装置の製造方法の一状態を模式的に示す断面図である。
【0012】
（中間体を準備する工程）
図１に示すように、中間体１０００を準備する。中間体１０００は、下面２０ａ側に正負の素子電極２２を有する発光素子２０と、配線層１２を有する配線基板１０と、素子電極２２と配線層１２とを電気的に接続する導電部材３０とを有する。
中間体１０００は、例えば、配線基板１０の配線層１２上に導電部材３０を配置し、その後、発光素子２０をフリップチップ実装することで形成される。このとき、発光素子２０の下面２０ａと配線基板１０との間に、後述する樹脂組成物４０ａを配置可能であり且つ外部と繋がる空間が存在する。但し、これに限らず、中間体１０００は、発光素子２０の正負の素子電極２２のそれぞれに導電部材３０を配置し、その後、導電部材３０を備えた発光素子２０を配線基板１０にフリップチップ実装することで形成してもよい。
中間体１０００は、上述したような方法で形成することで準備してもよいし、購入によって準備してもよい。
中間体１０００は、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０の少なくとも一つがＡｕを含む。本実施形態において、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０がＡｕを含む。素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０に含まれるＡｕは、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のそれぞれにおける後述する樹脂組成物４０ａと接する表面に含まれていればよい。例えば、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０の表面に位置するめっき層にＡｕを含むことができる。
図１に示すように、中間体１０００を準備する。中間体１０００は、下面２０ａ側に正負の素子電極２２を有する発光素子２０と、配線層１２を有する配線基板１０と、素子電極２２と配線層１２とを電気的に接続する導電部材３０とを有する。
中間体１０００は、例えば、配線基板１０の配線層１２上に導電部材３０を配置し、その後、発光素子２０をフリップチップ実装することで形成される。このとき、発光素子２０の下面２０ａと配線基板１０との間に、後述する樹脂組成物４０ａを配置可能であり且つ外部と繋がる空間が存在する。但し、これに限らず、中間体１０００は、発光素子２０の正負の素子電極２２のそれぞれに導電部材３０を配置し、その後、導電部材３０を備えた発光素子２０を配線基板１０にフリップチップ実装することで形成してもよい。
中間体１０００は、上述したような方法で形成することで準備してもよいし、購入によって準備してもよい。
中間体１０００は、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０の少なくとも一つがＡｕを含む。本実施形態において、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０がＡｕを含む。素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０に含まれるＡｕは、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のそれぞれにおける後述する樹脂組成物４０ａと接する表面に含まれていればよい。例えば、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０の表面に位置するめっき層にＡｕを含むことができる。
【0013】
（樹脂組成物を配置する工程）
図２に示すように、発光素子２０の下面２０ａと配線基板１０との間に樹脂組成物４０ａを配置する。図２に示す例では、樹脂組成物４０ａは、発光素子２０の周囲にも配置される。樹脂組成物４０ａは、上面視において、発光素子２０と重なる部分（図２で示す第１部分４１）と、第１部分４１の周囲に位置する部分（図２で示す第２部分４２）とを有するように配置される。
図２に示すように、発光素子２０の下面２０ａと配線基板１０との間に樹脂組成物４０ａを配置する。図２に示す例では、樹脂組成物４０ａは、発光素子２０の周囲にも配置される。樹脂組成物４０ａは、上面視において、発光素子２０と重なる部分（図２で示す第１部分４１）と、第１部分４１の周囲に位置する部分（図２で示す第２部分４２）とを有するように配置される。
【0014】
樹脂組成物４０ａは、液状であり、熱硬化性を有する。樹脂組成物４０ａは、以下の成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃを含む。
（成分Ａ）１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも２個有するシロキサン化合物
（成分Ｂ）１分子中の両末端にＳｉＨ基を有し、かつ、側鎖にＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物
（成分Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒
（成分Ａ）１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも２個有するシロキサン化合物
（成分Ｂ）１分子中の両末端にＳｉＨ基を有し、かつ、側鎖にＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物
（成分Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒
【0015】
成分Ａは、下記一般式（１）で表されるシロキサン化合物である。
【0016】
【化1】
【0017】
成分Ａは、樹脂組成物４０ａの主成分である。成分Ａは、ヒドロシリル化反応可能な官能基であるアルケニル基を有する。成分Ａは、主鎖にシロキサン結合を有し、１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも２個有するシロキサン化合物である。
【0018】
成分Ａの分子構造は、前記式（１）では、直鎖状である。但し、成分Ａの分子構造は、これに限らず、分岐状、環状であり、これらを組み合せた構造でもよい。また、成分Ａの２種以上を併用することができ、例えば、直鎖状の成分Ａと分岐状の成分Ａとを併用することもできる。
アルケニル基としては、１分子中に少なくとも２個あればその結合位置は限定されない。例えば、アルケニル基の結合位置としては、１分子中の末端および側鎖のうちのいずれか一方または両方が挙げられる。
アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基などが挙げられ、特に容易にヒドロシリル化反応することから、ビニル基が好適である。
アルケニル基としては、１分子中に少なくとも２個あればその結合位置は限定されない。例えば、アルケニル基の結合位置としては、１分子中の末端および側鎖のうちのいずれか一方または両方が挙げられる。
アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基などが挙げられ、特に容易にヒドロシリル化反応することから、ビニル基が好適である。
【0019】
成分Ｂは、下記一般式（２）で表されるシロキサン化合物である。
【0020】
【化2】
【0021】
成分Ｂは、架橋剤となる成分である。成分Ｂは、アルケニル基と反応可能な官能基であるＳｉＨ基を有するシロキサン化合物である。具体的には、成分Ｂは、両末端にＳｉＨ基を有し、かつ、側鎖にＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物である。成分Ｂの一例としては、両末端にＳｉＨ基を有し、一部の側鎖にメチル基を有し、残りの側鎖にフェニル基を有するシロキサン化合物が挙げられる。成分Ｂは、前記式（２）に示すように、鎖式化合物である。鎖式化合物としては、直鎖または分岐しているものである。
【0022】
（成分Ｃ）
成分Ｃは、成分Ａと成分Ｂとがヒドロシリル化反応するためのヒドロシリル化反応用触媒である。成分Ｃは、例えば、白金、ロジウム又はパラジウムの白金族金属を含む化合物である。
成分Ｃは、成分Ａと成分Ｂとがヒドロシリル化反応するためのヒドロシリル化反応用触媒である。成分Ｃは、例えば、白金、ロジウム又はパラジウムの白金族金属を含む化合物である。
【0023】
樹脂組成物４０ａを配置する温度は、樹脂組成物４０ａの熱硬化が開始する温度未満である。樹脂組成物４０ａの配置する温度は、室温でもよいし、室温より高く５０℃以下の温度でもよい。ここで、本明細書において室温とは、１０℃以上３０℃以下のいずれかの温度を意味する。室温より高く５０℃以下の温度であれば、樹脂組成物４０ａの熱硬化を抑制しつつ、樹脂組成物４０ａを塗布によって配置する場合に発光素子２０と配線基板１０との間に樹脂組成物４０ａが流れやすくなる。また、室温であれば、樹脂組成物４０ａを配置する際に樹脂組成物４０ａが硬化するのを確実に抑制することができる。
樹脂組成物４０ａを配置する方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、滴下法又はジェットディスペンス法を用いることができる。
樹脂組成物４０ａを配置する方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、滴下法又はジェットディスペンス法を用いることができる。
【0024】
（酸化工程）
次に、図３に示すように、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接する樹脂組成物４０ａ中の成分Ｂを酸化させる。
素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接する樹脂組成物４０ａ中の成分Ｂは、以下の式（３）に示す酸化反応を起こす。
次に、図３に示すように、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接する樹脂組成物４０ａ中の成分Ｂを酸化させる。
素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接する樹脂組成物４０ａ中の成分Ｂは、以下の式（３）に示す酸化反応を起こす。
【0025】
【化3】
【0026】
この酸化反応は、成分Ｂが、大気中及び／又は樹脂組成物４０ａ中に含まれる水分（Ｈ２Ｏ）と反応することによって起こると考えられる。また、この酸化反応は、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０の少なくとも１つの部材に含まれるＡｕが酸化触媒として働くことで酸化反応が促進されるものと考えられる。
【0027】
この酸化反応により、成分Ｂ´が得られる。成分Ｂ´は、ＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物である。前記式（３）に示す例では、成分Ｂ´は、１分子中の両末端にＳｉＯＨ基を有し、かつ、側鎖にメチル基又はフェニル基を有するシロキサン化合物である。したがって、酸化反応後において、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接する樹脂組成物は、成分Ａ、成分Ｂ´及び成分Ｃを含む樹脂組成物４０ｂとなる。
【0028】
本実施形態において、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０はＡｕを含む。素子電極２２同士の距離、配線層１２同士の距離、及び、素子電極２２と配線層１２との距離を短くすることで、第１部分において、素子電極２２、配線層１２、導電部材と接する領域及びその内部で樹脂組成物が酸化反応しやすくなるため、図３の例に示すように、第１部分４１に含まれる成分Ｂを酸化させることができる。図３の例では、第１部分４１は、樹脂組成物４０ｂである。樹脂組成物４０ｂは液状である。
【0029】
一方、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接しない樹脂組成物中の成分Ｂは、酸化されにくい。図３の例では、第２部分４２が素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接しない樹脂組成物であるため、第２部分４２の樹脂組成物中の成分Ｂは、酸化されにくい。したがって、第２部分４２は、成分Ａ、成分Ｂ及び成分Ｃを含む樹脂組成物４０ａである。樹脂組成物４０ａは液状である。
【0030】
酸化工程は、樹脂組成物４０ａの熱硬化が開始する温度未満で所定の時間保持する。「所定の時間」とは、上記酸化反応が完了する（すなわち、成分ＢのＳｉＨ基がＳｉＯＨ基に置き換わる）までの時間を意味する。酸化反応が完了したことを確認するには、後述の硬化工程で、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接する樹脂組成物が硬化していないことを目視で確認することができる。酸化工程において、樹脂組成物４０ａを所定の温度で保持する時間は、例えば、３０分以上である。
樹脂組成物４０ａの成分Ｂを酸化させる温度は、樹脂組成物４０ａを配置する温度と同様に、室温でもよいし、室温より高く５０℃以下の温度でもよい。樹脂組成物４０ａの成分Ｂを酸化させる温度は、樹脂組成物４０ａを配置する時の温度と同じにすることができる。
樹脂組成物４０ａの成分Ｂを酸化させる温度は、所定の時間保持する際に、一定でもよいし、樹脂組成物４０ａの熱硬化が開始しない温度以下の範囲で変動させてもよい。
樹脂組成物４０ａの成分Ｂを酸化させる温度は、樹脂組成物４０ａを配置する温度と同様に、室温でもよいし、室温より高く５０℃以下の温度でもよい。樹脂組成物４０ａの成分Ｂを酸化させる温度は、樹脂組成物４０ａを配置する時の温度と同じにすることができる。
樹脂組成物４０ａの成分Ｂを酸化させる温度は、所定の時間保持する際に、一定でもよいし、樹脂組成物４０ａの熱硬化が開始しない温度以下の範囲で変動させてもよい。
【0031】
（硬化工程）
酸化工程の後に、図４に示すように、樹脂組成物４０ｂ、４０ｃを加熱する。これにより、樹脂組成物４０ｃを硬化させる。樹脂組成物４０ｃは、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接しない樹脂組成物である。
素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接しない樹脂組成物中の成分Ａは、成分Ｂと式（４）のようなヒドロシリル化反応を起こす。この反応において、成分Ｃは触媒として機能する。なお、式（４）では、成分Ａの一例として、末端と側鎖にビニル基を有するものを挙げている。
酸化工程の後に、図４に示すように、樹脂組成物４０ｂ、４０ｃを加熱する。これにより、樹脂組成物４０ｃを硬化させる。樹脂組成物４０ｃは、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接しない樹脂組成物である。
素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接しない樹脂組成物中の成分Ａは、成分Ｂと式（４）のようなヒドロシリル化反応を起こす。この反応において、成分Ｃは触媒として機能する。なお、式（４）では、成分Ａの一例として、末端と側鎖にビニル基を有するものを挙げている。
【0032】
【化4】
【0033】
この反応によって、シルエチレン構造を有するシロキサン化合物（成分Ｄ）が得られる。したがって、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接しない樹脂組成物は、成分Ｄを含む樹脂組成物４０ｃとなる。上述した式（４）で得られる成分Ｄは、末端にＳｉＨ基が存在する。このＳｉＨ基は再度成分Ａとヒドロシリル化反応を起こすことができる。ヒドロシリル化反応が起こることで、樹脂組成物４０ｃは硬化状態となる。
本実施形態では、図４の例に示すように、第２部分４２が樹脂組成物４０ｃである。
本実施形態では、図４の例に示すように、第２部分４２が樹脂組成物４０ｃである。
【0034】
一方、素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０のうちＡｕを含む部材と接する樹脂組成物は、加熱されても、硬化せずに、液状を維持する。これは、酸化反応後の樹脂組成物４０ｂには、ＳｉＨ基を有するシロキサン化合物（成分Ｂ）が含まれていないので、ヒドロシリル化反応が起こらないためであると考えられる。
【0035】
以上により、第１実施形態にかかる発光装置１００Ａを作製することができる。
【0036】
［発光装置］
上記第１実施形態の製造方法により得られた発光装置は、以下の構成を有する。図５Ａは、第１実施形態にかかる発光装置を模式的に示す斜視図である。図５Ｂは、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における断面図である。
上記第１実施形態の製造方法により得られた発光装置は、以下の構成を有する。図５Ａは、第１実施形態にかかる発光装置を模式的に示す斜視図である。図５Ｂは、図５ＡのＶＢ－ＶＢ線における断面図である。
【0037】
第１実施形態にかかる発光装置１００Ａは、基材１１と配線層１２とを含む配線基板１０と、配線基板１０上に配置され、下面２０ａ側に正負の素子電極２２を有する発光素子２０と、配線層１２と素子電極２２とを電気的に接続する導電部材３０と、配線層１２、導電部材３０及び素子電極２２に接する液状の第１部分４１と、第１部分４１の周囲に配置される硬化状態の第２部分４２と、を有する樹脂部材４０と、を有する。
【0038】
発光装置１００Ａであれば、樹脂部材４０の第１部分４１が液状であるため、発光装置１００Ａを例えばはんだリフローによって実装基板に実装する際に、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができる。この結果、発光素子２０が配線基板１０から剥離することを低減することができる。
【0039】
以下、発光装置１００Ａの各構成について説明する。
【0040】
（配線基板１０）
配線基板１０は、発光装置１００Ａを構成する各部材を支持するためのものである。配線基板１０は、図５Ｂに示すように、基材１１の上面に、発光素子２０の素子電極２２と電気的に接続するための配線層１２が配置される。図５の例では、基材１１の下面に、外部の電源と発光装置１００Ａとを電気的に接続するための外部接続電極１３を備える。但し、外部接続電極１３は基材１１の下面に限らず、基材１１の上面に備えることができる。配線基板１０は、配線層１２と、外部接続電極１３とを、電気的に接続する、ビア配線等を備えている。
基材１１の材料としては、発光素子２０からの光や外光が透過しにくい絶縁性材料を用いることが好ましく、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＬＴＣＣ等の無機材料、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド等の樹脂材料が挙げられる。また、絶縁性材料と金属部材との複合材料を用いることもできる。なお、配線基板の基材の材料として樹脂を用いる場合、必要に応じてガラス繊維、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム等の無機フィラーを樹脂に混合してもよい。これにより、機械的強度の向上や熱膨張率の低減、光反射率の向上を図ることができる。なお、基板の厚さは特に限定されず、目的および用途に応じて任意の厚さとすることができる。
配線基板１０は、発光装置１００Ａを構成する各部材を支持するためのものである。配線基板１０は、図５Ｂに示すように、基材１１の上面に、発光素子２０の素子電極２２と電気的に接続するための配線層１２が配置される。図５の例では、基材１１の下面に、外部の電源と発光装置１００Ａとを電気的に接続するための外部接続電極１３を備える。但し、外部接続電極１３は基材１１の下面に限らず、基材１１の上面に備えることができる。配線基板１０は、配線層１２と、外部接続電極１３とを、電気的に接続する、ビア配線等を備えている。
基材１１の材料としては、発光素子２０からの光や外光が透過しにくい絶縁性材料を用いることが好ましく、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＬＴＣＣ等の無機材料、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ポリフタルアミド等の樹脂材料が挙げられる。また、絶縁性材料と金属部材との複合材料を用いることもできる。なお、配線基板の基材の材料として樹脂を用いる場合、必要に応じてガラス繊維、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム等の無機フィラーを樹脂に混合してもよい。これにより、機械的強度の向上や熱膨張率の低減、光反射率の向上を図ることができる。なお、基板の厚さは特に限定されず、目的および用途に応じて任意の厚さとすることができる。
【0041】
配線層１２は、例えば、基材１１側からＣｕ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順に積層された積層体である。各層は、例えば、めっきを用いて形成することができる。 配線層１２は、発光素子２０の下方に配置されている。平面視において、配線層１２は、発光素子２０の外縁より内側に配置されてもよいし、発光素子２０の外縁より外側に延在して配置されてもよい。図５Ｂの例では、平面視において、配線層１２は、発光素子２０の外縁の内側に配置され、発光素子２０の外縁の外側に延在して配置されていない。このため、硬化工程において樹脂部材４０の第１部分４１は液状のままで、第２部分４２は硬化状態となる。
【0042】
（発光素子２０）
発光素子２０は、一例として直方体形状である。発光素子は、配線基板１０側に位置する下面２０ａと、下面２０ａの反対側に位置する上面２０ｂと、下面２０ａと上面２０ｂとの間に位置する４つの側面２０ｃと、を有する。発光素子２０は、半導体構造体２１と、半導体構造体２１と電気的に接続される素子電極２２と、を有する。発光素子２０は、発光素子２０の下面側に正負の素子電極２２を有する。
発光素子２０は、一例として直方体形状である。発光素子は、配線基板１０側に位置する下面２０ａと、下面２０ａの反対側に位置する上面２０ｂと、下面２０ａと上面２０ｂとの間に位置する４つの側面２０ｃと、を有する。発光素子２０は、半導体構造体２１と、半導体構造体２１と電気的に接続される素子電極２２と、を有する。発光素子２０は、発光素子２０の下面側に正負の素子電極２２を有する。
【0043】
半導体構造体２１は、ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、ｎ側半導体層とｐ側半導体層とに挟まれた活性層と、を含む。活性層は、単一量子井戸(ＳＱＷ)構造としてもよいし、複数の井戸層を含む多重量子井戸(ＭＱＷ)構造としてもよい。半導体構造体２１は、窒化物半導体からなる複数の半導体層を含む。窒化物半導体は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）からなる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含む。活性層の発光ピーク波長は、目的に応じて適宜選択することができる。活性層は、例えば可視光または紫外光を発光可能に構成されている。
【0044】
半導体構造体２１は、ｎ側半導体層と、活性層と、ｐ側半導体層と、を含む発光部を複数含んでいてもよい。半導体構造体が複数の発光部を含む場合、それぞれの発光部において、発光ピーク波長が異なる井戸層を含んでいてもよいし、発光ピーク波長が同じ井戸層を含んでいてもよい。なお、発光ピーク波長が同じとは、５ｎｍ以下のばらつきがある場合も含む。複数の発光部の発光ピーク波長の組み合わせは、適宜選択することができる。例えば、半導体構造体が２つの発光部を含む場合、それぞれの発光部が発する光の組み合わせとして、青色光と青色光、緑色光と緑色光、赤色光と赤色光、紫外光と紫外光、青色光と緑色光、青色光と赤色光、または、緑色光と赤色光などの組み合わせが挙げられる。
例えば、半導体構造体２１が３つの発光部を含む場合、それぞれの発光部が発する光の組み合わせとして、青色光、緑色光、及び赤色光とする組み合わせが挙げられる。各発光部は、他の井戸層と発光ピーク波長が異なる井戸層を１以上含んでいてもよい。
例えば、半導体構造体２１が３つの発光部を含む場合、それぞれの発光部が発する光の組み合わせとして、青色光、緑色光、及び赤色光とする組み合わせが挙げられる。各発光部は、他の井戸層と発光ピーク波長が異なる井戸層を１以上含んでいてもよい。
【0045】
素子電極２２は、例えば、半導体構造体２１側からＴｉ層、Ｐｔ層、Ａｕ層の順に積層された積層体である。各層はめっきを用いて形成するができる。
【0046】
発光素子２０の上面視の大きさは、例えば、１ｍｍ×１ｍｍである。素子電極２２、配線層１２及び導電部材３０がＡｕを含む場合、発光素子２０の下面２０ａから上面２０ｂまでの厚みは、例えば、１１０μｍである。
【0047】
（導電部材３０）
導電部材３０は、発光素子２０の素子電極２２と配線基板１０の配線層１２とを電気的に接続させるための部材である。
導電部材３０の材料は、例えば、Ａｕ又はＡｕ合金を用いることができる。導電部材３０の形状は、例えば、球状、半球状、円柱状、角柱状、円錐台状又は角錐台状が挙げられる。Ｓｎ－Ｃｕ、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ、Ａｕ－Ｓｎなどのハンダ材料を用いることができる。
導電部材３０は、発光素子２０の素子電極２２と配線基板１０の配線層１２とを電気的に接続させるための部材である。
導電部材３０の材料は、例えば、Ａｕ又はＡｕ合金を用いることができる。導電部材３０の形状は、例えば、球状、半球状、円柱状、角柱状、円錐台状又は角錐台状が挙げられる。Ｓｎ－Ｃｕ、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ、Ａｕ－Ｓｎなどのハンダ材料を用いることができる。
【0048】
導電部材３０の厚みは、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下が好ましい。第１部分４１の厚みを厚くしすぎないことで、第１部分４１を液状に維持することができる。導電部材３０の厚みは、例えば、８μｍとすることができる。
【0049】
配線層１２、素子電極２２及び導電部材３０のすべてがＡｕを含むのが好ましい。これにより、各部材においてＡｕを含むもの同士で接続可能となるため、配線層１２と導電部材３０間及び素子電極２２と導電部材３０間の接合を良好にすることができる。さらに、配線層１２、素子電極２２及び導電部材３０がＡｕを含むことにより、配線層１２、素子電極２２及び導電部材３０のいずれかがＡｕを含む場合と比べて、Ａｕを含む部材と接する樹脂部材４０の面積が増えるため、加熱後に硬化しない領域すなわち液状の部分を増やすことができる。これにより、樹脂部材４０が熱膨張した際に、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができる。
【0050】
（樹脂部材４０）
樹脂部材４０は、発光素子２０と配線基板１０間の接合強度を高めるための部材である。樹脂部材４０は、配線基板１０上に配置される。樹脂部材４０は、配線層１２、導電部材３０及び素子電極２２に接する液状の第１部分４１と、第１部分４１の周囲に配置される硬化状態の第２部分４２と、を有する。
樹脂部材４０は、発光素子２０と配線基板１０間の接合強度を高めるための部材である。樹脂部材４０は、配線基板１０上に配置される。樹脂部材４０は、配線層１２、導電部材３０及び素子電極２２に接する液状の第１部分４１と、第１部分４１の周囲に配置される硬化状態の第２部分４２と、を有する。
【0051】
第１部分４１は、前述した樹脂組成物４０ｂで構成される。すなわち、第１部分４１は、ＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物を含む。一例としては、第１部分４１は、１分子中の両末端にＳｉＯＨ基を有し、かつ、側鎖にメチル基又はフェニル基を有するシロキサン化合物を含む。
第２部分４２は、前述した樹脂組成物４０ｃで構成される。すなわち、第２部分は、シルエチレン構造を有するシロキサン化合物を含む。
第２部分４２は、前述した樹脂組成物４０ｃで構成される。すなわち、第２部分は、シルエチレン構造を有するシロキサン化合物を含む。
【0052】
図５Ｂに示す例では、第２部分４２の樹脂部材４０は、発光素子２０の４つの側面２０ｃと接する。これにより、第１部分４１の樹脂部材４０が第２部分４２の外側に流れ出るのを抑制することができる。
第２部分４２の樹脂部材４０は、発光素子２０の各側面２０ｃに対して側面２０ｃ全体に接していてもよいし、側面２０ｃの一部に接していてもよい。
第２部分４２の樹脂部材４０は、発光素子２０の各側面２０ｃに対して側面２０ｃ全体に接していてもよいし、側面２０ｃの一部に接していてもよい。
【0053】
樹脂部材４０に、光反射材（例えば、酸化チタン）を含むことができる。これにより、発光素子２０から配線基板１０側に進む光を樹脂部材４０で反射させることができるため、光取り出し効率が高まる。光反射材の含有量は、樹脂部材４０に含まれる樹脂に対して、例えば、３０ｐｈｒ（ｐｅｒ ｈｕｎｄｒｅｄ ｒｅｓｉｎ）以上１００ｐｈｒ以下である。
樹脂部材４０に、光反射材を含む場合、第２部分４２の上端は、発光素子２０の上面２０ｂと同じ、又は、発光素子２０の上面２０ｂより低い位置にあるのが好ましい。これにより、発光素子２０の上面２０ｂから出射される光が第２部分４２で遮断されないため、発光装置１００Ａから出射される光を広配光化させることができる。
樹脂部材４０に、光反射材を含む場合、第２部分４２の上端は、発光素子２０の上面２０ｂと同じ、又は、発光素子２０の上面２０ｂより低い位置にあるのが好ましい。これにより、発光素子２０の上面２０ｂから出射される光が第２部分４２で遮断されないため、発光装置１００Ａから出射される光を広配光化させることができる。
【0054】
樹脂部材４０の第２部分４２の上面は、図５Ｂの例では、発光素子２０から離れるに従って高さが低くなるような傾斜面である。この傾斜面は、断面視において、直線でもよいし、配線基板１０側に窪んだ曲線でもよいし、配線基板１０側と反対側に盛り上がった曲線でもよい。
【0055】
＜第２実施形態＞
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、発光装置は、樹脂部材４０の第２部分４２の上面に透光性の封止部材５０Ａを配置して発光装置１００Ｂとしてもよい。図６Ａは、第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。図６Ｂは、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における断面図である。なお、既に説明した部材は同じ符号を付して説明を適宜省略する。後述する実施形態も同様である。
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、発光装置は、樹脂部材４０の第２部分４２の上面に透光性の封止部材５０Ａを配置して発光装置１００Ｂとしてもよい。図６Ａは、第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。図６Ｂは、図６ＡのＶＩＢ－ＶＩＢ線における断面図である。なお、既に説明した部材は同じ符号を付して説明を適宜省略する。後述する実施形態も同様である。
【0056】
発光装置１００Ｂは、樹脂部材４０の第１部分４１が液状であるため、発光装置１００Ａと同様の効果を得ることができる。
さらに、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができるため、封止部材５０Ａの変形を低減することができる。これにより、発光装置１００Ｂにおいて、所望の配光特性を得ることができる。
さらに、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができるため、封止部材５０Ａの変形を低減することができる。これにより、発光装置１００Ｂにおいて、所望の配光特性を得ることができる。
【0057】
（封止部材５０Ａ）
封止部材５０Ａは、発光素子２０及び樹脂部材４０を外部環境から保護するための部材である。封止部材５０Ａは、図６Ｂに示す例では、発光素子２０と樹脂部材４０の第２部分４２の上面に配置されている。封止部材５０Ａは、半球状に形成されている。封止部材５０Ａの中心軸は、発光素子２０の中心軸に一致するように配置されている。
封止部材５０Ａは、発光素子２０及び樹脂部材４０を外部環境から保護するための部材である。封止部材５０Ａは、図６Ｂに示す例では、発光素子２０と樹脂部材４０の第２部分４２の上面に配置されている。封止部材５０Ａは、半球状に形成されている。封止部材５０Ａの中心軸は、発光素子２０の中心軸に一致するように配置されている。
【0058】
封止部材５０Ａの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂等の耐候性に優れた透光性樹脂、ガラスが挙げられる。封止部材５０Ａの材料は、樹脂部材４０の材料と同じでもよいし、異なってもよい。封止部材５０Ａは、拡散材等のフィラーを含有してもよい。封止部材５０Ａがフィラーを含有することで、配光変化を小さくすることができる。フィラーとしては、例えば、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等が挙げられる。封止部材５０Ａは、蛍光体を含有してもよいし、含有していなくてもよい。蛍光体は公知のものを用いることができる。
【0059】
発光装置１００Ｂの製造方法は、前述した硬化工程の後に、樹脂組成物４０ｃの上面に封止部材５０Ａを配置する工程を含む。樹脂部材４０の第２部分４２が固体状態であることで、封止部材５０が配置される際に、封止部材５０Ａが樹脂部材４０と混ざることを低減することができる。
図６Ｂに示す例では、封止部材５０Ａは、樹脂組成物４０ｃ（第２部分４２）の上面と、発光素子２０の上面２０ｂと、配線基板１０の上面とに配置される。
封止部材５０Ａを配置する方法は、公知の方法が用いられる。例えば、封止部材５０Ａが樹脂の場合は、圧縮成形によって封止部材を形成することができる。圧縮成形後、例えば、オーブンで１５０℃、４時間で加熱することで封止部材５０を硬化させることができる。
図６Ｂに示す例では、封止部材５０Ａは、樹脂組成物４０ｃ（第２部分４２）の上面と、発光素子２０の上面２０ｂと、配線基板１０の上面とに配置される。
封止部材５０Ａを配置する方法は、公知の方法が用いられる。例えば、封止部材５０Ａが樹脂の場合は、圧縮成形によって封止部材を形成することができる。圧縮成形後、例えば、オーブンで１５０℃、４時間で加熱することで封止部材５０を硬化させることができる。
【0060】
＜第２実施形態の別例（その１）＞
図７は、第２実施形態の別例（その１）を模式的に示す断面図である。図７の例で示すように、発光装置は、発光素子２０の上面２０ｂに透光性部材６０を配置させ、透光性部材を覆う封止部材５０Ａを配置させた発光装置１００Ｃとしてもよい。
図７は、第２実施形態の別例（その１）を模式的に示す断面図である。図７の例で示すように、発光装置は、発光素子２０の上面２０ｂに透光性部材６０を配置させ、透光性部材を覆う封止部材５０Ａを配置させた発光装置１００Ｃとしてもよい。
【0061】
発光装置１００Ｃは、樹脂部材４０の第１部分４１が液状であるため、発光装置１００Ａと同様の効果を得ることができる。
さらに、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができるため、封止部材５０Ａの変形を低減することができる。これにより、発光装置１００Ｃにおいて、所望の配光特性を得ることができる。
さらに、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができるため、封止部材５０Ａの変形を低減することができる。これにより、発光装置１００Ｃにおいて、所望の配光特性を得ることができる。
【0062】
透光性部材６０の材料として、例えば、樹脂、ガラス、セラミックスを用いることができる。透光性部材６０は、波長変換材料を含むことができる。波長変換材料は、例えば、蛍光体である。例えば、発光素子２０が青色を発し、透光性部材に含有された蛍光体が発光素子２０からの光を吸収し、黄色を発する場合、発光装置１００Ｃから白色の光が取り出される。
【0063】
透光性部材６０は、発光素子２０の上面２０ｂと対向する下面と、下面と反対側に位置する上面と、下面と上面との間に位置する側面と、を有する。図７に示す例では、透光性部材６０の下面の幅は、発光素子２０の上面２０ｂの幅より大きい。但し、これに限らず、透光性部材６０の下面の幅は、発光素子２０の上面の幅と同じでもよいし、小さくてもよい。
透光性部材６０の断面視形状は、図７に示す例では、矩形である。但し、これに限らず、凸形状でもよい。
透光性部材６０は、発光素子２０に直接接合してもよいし、接着剤を介して接合してもよい。
透光性部材６０の断面視形状は、図７に示す例では、矩形である。但し、これに限らず、凸形状でもよい。
透光性部材６０は、発光素子２０に直接接合してもよいし、接着剤を介して接合してもよい。
【0064】
＜第２実施形態の別例（その２）＞
図８は、第２実施形態の別例（その２）を模式的に示す断面図である。図８の例で示すように、発光装置は、発光素子２０の上面２０ｂに光反射膜７０を配置させた発光装置１００Ｄとしてもよい。
図８は、第２実施形態の別例（その２）を模式的に示す断面図である。図８の例で示すように、発光装置は、発光素子２０の上面２０ｂに光反射膜７０を配置させた発光装置１００Ｄとしてもよい。
【0065】
発光装置１００Ｄは、樹脂部材４０の第１部分４１が液状であるため、発光装置１００Ａと同様の効果を得ることができる。
さらに、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができるため、封止部材５０Ａの変形を低減することができる。これにより、発光装置１００Ｄにおいて、所望の配光特性を得ることができる。
さらに、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができるため、封止部材５０Ａの変形を低減することができる。これにより、発光装置１００Ｄにおいて、所望の配光特性を得ることができる。
【0066】
発光装置１００Ｄであれば、発光素子２０の上面から出射する光が光反射膜７０で反射され、発光素子２０の直上の光量が抑制され、バットウィング配光を得ることができる。
光反射膜７０は、銀、銅等の金属膜、誘電体多層膜（ＤＢＲ）、白色樹脂、又は、これらの組み合わせ等のいずれかを有してもよい。
光反射膜７０は、発光素子２０の発光波長に対して、入射角に対する反射率角度依存性を有していることが好ましい。具体的には、光反射膜７０の反射率は、垂直入射よりも斜め入射の方が低くなるように設定することが好ましい。これにより、発光素子２０直上における輝度の変化が緩やかになり、発光素子２０直上が暗点になる等、極端に暗くなることを低減することができる。
光反射膜７０は、銀、銅等の金属膜、誘電体多層膜（ＤＢＲ）、白色樹脂、又は、これらの組み合わせ等のいずれかを有してもよい。
光反射膜７０は、発光素子２０の発光波長に対して、入射角に対する反射率角度依存性を有していることが好ましい。具体的には、光反射膜７０の反射率は、垂直入射よりも斜め入射の方が低くなるように設定することが好ましい。これにより、発光素子２０直上における輝度の変化が緩やかになり、発光素子２０直上が暗点になる等、極端に暗くなることを低減することができる。
【0067】
＜第２実施形態の別例（その３）＞
図９は、第２実施形態の別例（その３）を模式的に示す断面図である。図９の例で示すように、発光装置は、封止部材の断面視形状をバットウィング配光可能な形状とした封止部材５０Ｂを有する発光装置１００Ｅとしてもよい。
図９は、第２実施形態の別例（その３）を模式的に示す断面図である。図９の例で示すように、発光装置は、封止部材の断面視形状をバットウィング配光可能な形状とした封止部材５０Ｂを有する発光装置１００Ｅとしてもよい。
【0068】
発光装置１００Ｅは、樹脂部材４０の第１部分４１が液状であるため、発光装置１００Ａと同様の効果を得ることができる。
さらに、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができるため、封止部材５０Ｂの変形を低減することができる。これにより、発光装置１００Ｅにおいて、所望の配光特性を得ることができる。
さらに、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができるため、封止部材５０Ｂの変形を低減することができる。これにより、発光装置１００Ｅにおいて、所望の配光特性を得ることができる。
【0069】
封止部材５０Ｂは、発光素子２０の上面中心付近に窪みを有した形状である。封止部材５０Ｂは、例えば、滴下法で形成することができる。
【0070】
＜第３実施形態＞
図１０は、第３実施形態を模式的に示す断面図である。図１０の例で示すように、発光装置は、発光素子２０の上面２０ｂに透光性部材６０を配置し、樹脂部材４０の第２部分４２の上面に光反射性の封止部材５０Ｃを配置させた発光装置１００Ｆとしてもよい。第３実施形態の発光装置の封止部材５０Ｃが光反射性である点が、第２実施形態の発光装置１００Ａ～１００Ｅと異なる。
発光装置１００Ｆは、樹脂部材４０の第１部分４１が液状であるため、発光装置１００Ａと同様の効果を得ることができる。
さらに、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができるため、透光性部材６０が封止部材５０Ｃから離れることを低減することができる。これにより、封止部材５０Ｃが透光性部材６０に接する状態を維持できるため、透光性部材６０（発光領域）と封止部材５０Ｃ（非発光領域）とのコントラストが高い、「見切り」の良好な発光装置１００Ｆを得ることができる。
図１０は、第３実施形態を模式的に示す断面図である。図１０の例で示すように、発光装置は、発光素子２０の上面２０ｂに透光性部材６０を配置し、樹脂部材４０の第２部分４２の上面に光反射性の封止部材５０Ｃを配置させた発光装置１００Ｆとしてもよい。第３実施形態の発光装置の封止部材５０Ｃが光反射性である点が、第２実施形態の発光装置１００Ａ～１００Ｅと異なる。
発光装置１００Ｆは、樹脂部材４０の第１部分４１が液状であるため、発光装置１００Ａと同様の効果を得ることができる。
さらに、樹脂部材４０が熱膨張しても、樹脂部材４０の第１部分４１が発光素子２０を押し上げることを低減することができるため、透光性部材６０が封止部材５０Ｃから離れることを低減することができる。これにより、封止部材５０Ｃが透光性部材６０に接する状態を維持できるため、透光性部材６０（発光領域）と封止部材５０Ｃ（非発光領域）とのコントラストが高い、「見切り」の良好な発光装置１００Ｆを得ることができる。
【0071】
封止部材５０Ｃは、例えば、シリコーン樹脂と光反射材とを含む。封止部材５０Ｃは、図１０の例では、樹脂部材４０の第２部分４２の上面、発光素子２０の側面２０ｃ及び透光性部材６０の側面に配置される。透光性部材６０の上面は、封止部材５０Ｃから露出している。封止部材５０Ｃの上面は、図１０の例では、平坦である。但し、これに限らず、発光装置の中央から外側にむかって高さが低くなるように傾斜してもよい。
【0072】
また、透光性部材６０の上面に、反射防止膜を配置させることができる。反射防止膜として、例えば、ＳｉＯ２を用いることができる。
【0073】
本明細書は、以下の実施形態を含む。
１．下面側に正負の素子電極を有する発光素子と、配線層を有する配線基板と、前記素子電極と前記配線層とを電気的に接続する導電部材とを有し、前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材の少なくとも一つがＡｕを含む中間体を準備する工程と、
前記発光素子の下面と前記配線基板との間に、
（成分Ａ）１分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するシロキサン化合物と、
（成分Ｂ）１分子中の両末端にＳｉＨ基を有し、かつ、側鎖にＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物と、
（成分Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒と、
を含む液状の樹脂組成物を配置する工程と、
前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材のうちＡｕを含む部材と接する前記樹脂組成物中の前記成分Ｂを酸化させる酸化工程と、
前記酸化工程の後に、前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材のうちＡｕを含む部材と接しない前記樹脂組成物を加熱して硬化させる硬化工程と、
を含む、発光装置の製造方法。
２．前記樹脂組成物を配置する工程において、前記樹脂組成物を配置する温度は１０℃以上３０℃以下のいずれかの温度である、上記１に記載の発光装置の製造方法。
３．前記酸化工程は、１０℃以上３０℃以下のいずれかの温度で所定の時間保持する、上記１又は２に記載の発光装置の製造方法。
４．前記硬化工程の後に、前記第２部分の上面に封止部材を配置する工程を含む、、上記１から３のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
５．基材と配線層とを含む配線基板と、
前記配線基板上に配置され、下面側に正負の素子電極を有する発光素子と、
前記配線層と前記素子電極とを電気的に接続する導電部材と、
前記配線層、前記導電部材及び前記素子電極に接する液状の第１部分と、前記第１部分の周囲に配置される硬化状態の第２部分と、を有する樹脂部材と、
を有する発光装置。
６．前記配線層、前記導電部材及び前記素子電極のうち少なくとも１つは、Auを含み、、上記５に記載の発光装置。
７．前記配線層、前記素子電極及び前記導電部材は、Ａｕを含む、、上記５又は６に記載の発光装置。
８．前記第１部分は、ＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物を含み、
前記第２部分は、シルエチレン構造を有するシロキサン化合物を含む、、上記５から７のいずれかに記載の発光装置。
９．前記第１部分は、１分子中の両末端にＳｉＯＨ基を有し、かつ、側鎖にメチル基又はフェニル基を有するシロキサン化合物を含む、、上記８に記載の発光装置。
１０．前記発光素子は、前記下面と、前記下面の反対側に位置する上面と、前記下面と前記上面との間に位置する側面と有し、
前記第２部分は、前記発光素子の側面と接する、請求項５に記載の発光装置。
１１．前記第２部分の上端は、前記発光素子の上面と同じ、又は、前記発光素子の上面より低い位置にある、、上記５から１０のいずれかに記載の発光装置。
１２．前記第２部分の上面を覆う封止部材を有する、上記５から１１のいずれかに記載の発光装置。
１．下面側に正負の素子電極を有する発光素子と、配線層を有する配線基板と、前記素子電極と前記配線層とを電気的に接続する導電部材とを有し、前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材の少なくとも一つがＡｕを含む中間体を準備する工程と、
前記発光素子の下面と前記配線基板との間に、
（成分Ａ）１分子中にアルケニル基を少なくとも２個有するシロキサン化合物と、
（成分Ｂ）１分子中の両末端にＳｉＨ基を有し、かつ、側鎖にＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物と、
（成分Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒と、
を含む液状の樹脂組成物を配置する工程と、
前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材のうちＡｕを含む部材と接する前記樹脂組成物中の前記成分Ｂを酸化させる酸化工程と、
前記酸化工程の後に、前記素子電極、前記配線層及び前記導電部材のうちＡｕを含む部材と接しない前記樹脂組成物を加熱して硬化させる硬化工程と、
を含む、発光装置の製造方法。
２．前記樹脂組成物を配置する工程において、前記樹脂組成物を配置する温度は１０℃以上３０℃以下のいずれかの温度である、上記１に記載の発光装置の製造方法。
３．前記酸化工程は、１０℃以上３０℃以下のいずれかの温度で所定の時間保持する、上記１又は２に記載の発光装置の製造方法。
４．前記硬化工程の後に、前記第２部分の上面に封止部材を配置する工程を含む、、上記１から３のいずれかに記載の発光装置の製造方法。
５．基材と配線層とを含む配線基板と、
前記配線基板上に配置され、下面側に正負の素子電極を有する発光素子と、
前記配線層と前記素子電極とを電気的に接続する導電部材と、
前記配線層、前記導電部材及び前記素子電極に接する液状の第１部分と、前記第１部分の周囲に配置される硬化状態の第２部分と、を有する樹脂部材と、
を有する発光装置。
６．前記配線層、前記導電部材及び前記素子電極のうち少なくとも１つは、Auを含み、、上記５に記載の発光装置。
７．前記配線層、前記素子電極及び前記導電部材は、Ａｕを含む、、上記５又は６に記載の発光装置。
８．前記第１部分は、ＳｉＨ基を有さないシロキサン化合物を含み、
前記第２部分は、シルエチレン構造を有するシロキサン化合物を含む、、上記５から７のいずれかに記載の発光装置。
９．前記第１部分は、１分子中の両末端にＳｉＯＨ基を有し、かつ、側鎖にメチル基又はフェニル基を有するシロキサン化合物を含む、、上記８に記載の発光装置。
１０．前記発光素子は、前記下面と、前記下面の反対側に位置する上面と、前記下面と前記上面との間に位置する側面と有し、
前記第２部分は、前記発光素子の側面と接する、請求項５に記載の発光装置。
１１．前記第２部分の上端は、前記発光素子の上面と同じ、又は、前記発光素子の上面より低い位置にある、、上記５から１０のいずれかに記載の発光装置。
１２．前記第２部分の上面を覆う封止部材を有する、上記５から１１のいずれかに記載の発光装置。
【符号の説明】
【0074】
中間体：１０００
発光装置：１００Ａ～１００Ｆ
基板：１０
基材：１１
配線層：１２
外部接続電極：１３
発光素子：２０
下面：２０ａ
上面：２０ｂ
側面：２０ｃ
半導体構造体：２１
素子電極：２２
導電部材：３０
樹脂部材：４０
第１部分：４１
第２部分：４２
樹脂組成物：４０ａ、４０ｂ、４０ｃ
封止部材：５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ
透光性部材：６０
光反射膜：７０
発光装置：１００Ａ～１００Ｆ
基板：１０
基材：１１
配線層：１２
外部接続電極：１３
発光素子：２０
下面：２０ａ
上面：２０ｂ
側面：２０ｃ
半導体構造体：２１
素子電極：２２
導電部材：３０
樹脂部材：４０
第１部分：４１
第２部分：４２
樹脂組成物：４０ａ、４０ｂ、４０ｃ
封止部材：５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ
透光性部材：６０
光反射膜：７０
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】