(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024109643
(43)【公開日】2024-08-14
(54)【発明の名称】ランプの検査装置および検査方法
(51)【国際特許分類】
G01B 11/02 20060101AFI20240806BHJP
G01B 11/26 20060101ALI20240806BHJP
G01B 11/08 20060101ALI20240806BHJP
【FI】
G01B11/02 H
G01B11/26 H
G01B11/08 H
【審査請求】有
【請求項の数】39
【出願形態】OL
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024075572
(22)【出願日】2024-05-08
(62)【分割の表示】P 2022555180の分割
【原出願日】2021-03-12
(31)【優先権主張番号】62/989,451
(32)【優先日】2020-03-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
【住所又は居所原語表記】3050 Bowers Avenue Santa Clara CA 95054 U.S.A.
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ラージ, ゴーヴィンダ
(72)【発明者】
【氏名】ネストロフ, ヴィレン ケー.
(57)【要約】 (修正有)
【課題】ランプ寸法を検査するための方法および装置を提供する。
【解決手段】ランプ寸法を検査するための方法は、ランプ200aの実際の測定値を決定することを含む。ランプは、基板処理装置内の基板を加熱するように構成される。幅および高さを有するウィンドウが、生成される。ウィンドウは、ランプの目標測定値に基づいている。この方法は、実際の測定値の画像とウィンドウとの間の差に基づいて偏差を生成することを、さらに含む。偏差は、第1の閾値と比較される。偏差が、第1の閾値の外側にある場合、ランプは不合格になる。
【選択図】
図2A
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ランプを検査するための方法であって、
基板処理装置内の基板を加熱するように構成されているランプの実際の測定値を決定することと、
幅および高さを有するウィンドウであって、前記ランプの目標測定値に基づくウィンドウを生成することと、
前記実際の測定値の画像と前記ウィンドウとの間の差に基づいて偏差を生成することと、
前記偏差を第1の閾値と比較することと、
前記偏差が前記第1の閾値の外側にある場合、前記ランプを不合格にすることと、
を含む方法。
【請求項2】
前記実際の測定値を決定することが、
ランプの第1のピンデータムと第2のピンデータムとの間にデータム中心軸を設定することと、
前記データム中心軸に対して直角をなす線を延ばして、横方向データム軸を規定することであって、前記データム中心軸および前記横方向データム軸が、ウィンドウを形成するために使用される、横方向データム軸を規定することと、
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記実際の測定値を決定することが、
データム中心軸とウィンドウに基づいて、前記ランプ内部のフィラメントの中心との間の第1の偏差角を決定すること、
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項4】
前記ウィンドウを決定することが、
第1のコイル端点、第2のコイル端点、第1のコイル縁点、および第2のコイル縁点を含む複数のコイル点を設定すること、
を含む、請求項3に記載の方法。
【請求項5】
前記実際の測定値を決定することが、
第1のコイル端点、第2のコイル端点、第1のコイル縁点、および第2のコイル縁点を含む複数のコイル点を設定することと、
前記複数のコイル点を用いてウィンドウを設定することと、
前記ウィンドウを用いてコイル中心点を設定することと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項6】
前記実際の測定値を決定することが、
データム中心軸とウィンドウに基づいて、前記ランプ内部のフィラメントの中心との間の第2の偏差角を決定すること、
を含み、前記第2の偏差角が、前記第1の偏差角とは異なる、請求項3に記載の方法。
【請求項7】
前記実際の測定値を決定することが、
第1のコイル端点、第2のコイル端点、第1のコイル縁点、および第2のコイル縁点を含む複数のコイル点を設定することと、
前記複数のコイル点に基づいてフィラメントの外径を決定することと、
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項8】
カメラ、
少なくとも1つのレンズ、および
ランプを適格認定するための方法を実行するように構成されたコントローラ、
を備える画像処理装置であって、前記方法は、
基板処理装置内の基板を加熱するように構成されているランプのフィラメントの実際の測定値を決定することと、
幅および高さを有するウィンドウであって、前記フィラメントの目標測定値に基づくウィンドウを生成することと、
前記実際の測定値の画像と前記ウィンドウとの間の差に基づいて偏差を生成することと、
前記偏差を第1の閾値と比較することと、
前記偏差が前記第1の閾値の外側にある場合、前記ランプを不合格にすることと、
を含む、画像処理装置。
【請求項9】
前記実際の測定値を決定することが、
ランプの第1のピンデータムと第2のピンデータムとの間にデータム中心軸を設定することと、
前記データム中心軸に対して直角をなす線を延ばして、横方向データム軸を規定することであって、前記データム中心軸および前記横方向データム軸が、ウィンドウを形成するために使用される、横方向データム軸を規定することと、
を含む、請求項8に記載の画像処理装置。
【請求項10】
前記実際の測定値を決定することが、
データム中心軸とウィンドウに基づいて、前記ランプ内部のフィラメントの中心との間の第1の偏差角を決定すること、
を含む、請求項8に記載の画像処理装置。
【請求項11】
前記ウィンドウを決定することが、
第1のコイル端点、第2のコイル端点、第1のコイル縁点、および第2のコイル縁点を含む複数のコイル点を設定すること、
を含む、請求項10に記載の画像処理装置。
【請求項12】
前記実際の測定値を決定することが、
第1のコイル端点、第2のコイル端点、第1のコイル縁点、および第2のコイル縁点を含む複数のコイル点を設定することと、
前記複数のコイル点を用いてウィンドウを設定することと、
前記ウィンドウを用いてコイル中心点を設定することと、
をさらに含む、請求項8に記載の画像処理装置。
【請求項13】
前記実際の測定値を決定することが、
データム中心軸とウィンドウに基づいて、前記ランプ内部のフィラメントの中心との間の第2の偏差角を決定すること、
を含み、前記第2の偏差角が、前記第1の偏差角とは異なる、請求項10に記載の画像処理装置。
【請求項14】
前記実際の測定値を決定することが、
第1のコイル端点、第2のコイル端点、第1のコイル縁点、および第2のコイル縁点を含む複数のコイル点を設定することと、
前記複数のコイル点に基づいてフィラメントの外径を決定することと、
を含む、請求項8に記載の画像処理装置。
【請求項15】
プロセッサによって実行されるとランプ検査プロセスを実行させる命令を、記憶するように構成された不揮発性コンピュータ可読媒体であって、前記ランプ検査プロセスが、
基板処理装置内の基板を加熱するように構成されているランプのフィラメントの実際の測定値を決定することと、
幅および高さを有するウィンドウであって、前記フィラメントの目標測定値に基づくウィンドウを生成することと、
前記実際の測定値の画像と前記ウィンドウとの間の差に基づいて偏差を生成することと、
前記偏差を第1の閾値と比較することと、
前記偏差が前記第1の閾値の外側にある場合、前記ランプを不合格にすることと、
を含む、不揮発性コンピュータ可読媒体。
【請求項16】
前記プロセッサが、
ランプの第1のピンデータムと第2のピンデータムとの間にデータム中心軸を設定することと、
前記データム中心軸に対して直角をなす線を延ばして、横方向データム軸を規定することであって、前記データム中心軸および前記横方向データム軸が、ウィンドウを形成するために使用される、横方向データム軸を規定することと、
を行うように、さらに構成されている、請求項15に記載の不揮発性コンピュータ可読媒体。
【請求項17】
前記プロセッサが、
データム中心軸とウィンドウに基づいて、前記ランプ内部のフィラメントの中心との間の第1の偏差角を決定するように、
さらに構成されている、請求項15に記載の不揮発性コンピュータ可読媒体。
【請求項18】
前記プロセッサが、
第1のコイル端点、第2のコイル端点、第1のコイル縁点、および第2のコイル縁点を含む複数のコイル点を設定するように、
さらに構成されている、請求項17に記載の不揮発性コンピュータ可読媒体。
【請求項19】
前記プロセッサが、
第1のコイル端点、第2のコイル端点、第1のコイル縁点、および第2のコイル縁点を含む複数のコイル点を設定することと、
前記複数のコイル点を用いてウィンドウを設定することと、
前記ウィンドウを用いてコイル中心点を設定することと、
を行うように、さらに構成されている、請求項15に記載の不揮発性コンピュータ可読媒体。
【請求項20】
前記プロセッサが、
データム中心軸とウィンドウに基づいて、前記ランプ内部のフィラメントの中心との間の第2の偏差角を決定するするように、
さらに構成されており、前記第2の偏差角が、前記第1の偏差角とは異なる、請求項17に記載の不揮発性コンピュータ可読媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
[0001] 本明細書に開示される実施例は、ランプ寸法を検査するための方法および装置に関する。
【背景技術】
【0002】
[0002] エピタキシャル堆積チャンバなどの基板処理チャンバでは、堆積された材料の品質は、特に、基板の温度の均一性に依存し得る。熱源の制御は、基板全体にわたる温度の熱プロファイルに影響を与える1つの方法である。熱源のサイズ、形状、角度などの寸法は、熱プロファイルの品質に影響を与えるパラメータである。複数の熱源が処理チャンバ内で使用される場合、熱源のサイズ、形状、および角度の制御は、熱プロファイルに直接対応し、したがって、基板上に堆積される材料の品質に直接対応する。
【0003】
[0003] 処理チャンバの日常のメンテナンス中に、個々の熱源を交換することができる。基板全体にわたって一貫した熱プロファイルを維持することは、日常のメンテナンスの手順間において、基板上に堆積された材料のより高い均一性を可能にする。
【0004】
[0004] 新しい熱源または交換用の熱源は、処理チャンバで使用する前に適格認定されている必要がある。所与の熱源の品質を評価することは、外観検査または試験ゲージによって達成され得る。熱源が外観検査に不合格になった場合、または測定値が許容範囲内に収まらない場合は、熱源は廃棄され得る。これらの品質保証技術が使用される場合、バッチ全体を適格認定するために、熱源のバッチのなかの少数のサンプルが検査される。サンプルの結果に応じて、バッチ全体を廃棄するか、または受け入れ可能であると決定することができる。したがって、適格認定されたバッチ内のサンプリングされなかった熱源には、許容範囲外の熱源が含まれている可能性がある。不適合の熱源が受け入れられると、これらの熱源は、処理チャンバに導入されて、基板全体にわたる熱均一性プロファイルに悪影響を与える可能性がある。したがって、材料の堆積が、悪影響を受ける。
【0005】
[0005] ゆえに、処理チャンバで使用される熱源のための改良された品質保証技術が必要とされている。
【発明の概要】
【0006】
[0006] 本明細書に開示される例は、ランプを検査するための方法および装置に関する。この方法は、ランプの実際の測定値を決定することを含む。ランプは、基板処理装置内の基板を加熱するように構成される。幅および高さを有するウィンドウが、生成される。ウィンドウは、ランプの目標測定値に基づいている。この方法は、実際の測定値の画像とウィンドウとの間の差に基づいて偏差を生成することを、さらに含む。偏差は、第1の閾値と比較される。偏差が、第1の閾値の外側にある場合、ランプは不合格になる。
【0007】
[0007] 別の例では、画像処理装置は、カメラを含む。カメラは、少なくとも1つのレンズとコントローラを有する。コントローラは、ランプを適格認定するための方法を実行するように構成される。この方法は、ランプのフィラメントの実際の測定値を決定することを含む。ランプは、基板処理装置内の基板を加熱するように構成される。この方法は、幅および高さを有するウィンドウを生成することを、さらに含む。ウィンドウは、フィラメントの目標測定値に基づいている。この方法は、実際の測定値の画像とウィンドウとの間の差に基づいて偏差を生成することを、さらに含む。偏差は、第1の閾値と比較される。偏差が、第1の閾値の外側にある場合、ランプは不合格になる。
【0008】
[0008] 本明細書の例はまた、命令を記憶するように構成された不揮発性コンピュータ可読媒体を含む。プロセッサによって実行されると、命令は、ランプ検査プロセスを実行させる。このプロセスは、ランプのフィラメントの実際の測定値を決定することを含む。ランプは、基板処理装置内の基板を加熱するように構成される。このプロセスは、幅および高さを有するウィンドウを生成することを、さらに含む。ウィンドウは、フィラメントの目標測定値に基づいている。このプロセスは、実際の測定値の画像とウィンドウとの間の差に基づいて偏差を生成することを含む。偏差は、第1の閾値と比較される。偏差が、第1の閾値の外側にある場合、ランプは不合格になる。
【0009】
[0009] 三次元印刷されたランプフィラメントのランプ寸法を測定し、試験するための方法および装置が、本明細書に開示される。本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、本明細書中の実施例を参照することによって行われ、そのいくつかが、添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、実施例を示すに過ぎず、したがって、本開示の範囲を限定するものと見なされるべきではないことに、留意されたい。したがって、添付の図面は、他の同等に有効な実施例を許容する。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【
図1A】例示的な処理チャンバの概略断面図を示す。
【
図1B】例示的な処理チャンバの概略断面図を示す。
【
図2A】
図1A~
図1Bの処理チャンバ内で熱源として使用することができる例示的なランプの正面図を示す。
【
図2B】
図1A~
図1Bの処理チャンバ内で熱源として使用することができる例示的なランプの正面図を示す。
【
図3B】
図3Aに示されるランプの側面図寸法を測定する方法の説明図である。
【
図5】
図4A~
図4Bに示される中心軸と交わる平面に沿った、例示的なフィラメントの断面図である。
【
図6】
図4A~
図4Bに示される中心軸と交わる平面に沿った、別の例示的なフィラメントの断面図である。
【
図7】
図4A~
図4Bに示される中心軸と交わる平面に沿った、さらに別の例示的なフィラメントの断面図である。
【
図9】
図8のランプ保持構造体を支持することができる例示的な支持構造体の上面図である。
【
図10】ランプを検査するように構成された画像処理デバイスの概略ブロック図である。
【
図11】
図10の画像処理デバイスを利用してランプを検査するための例示的な方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0011】
[0023] 理解を容易にするために、可能な場合、共通の特徴である同一の要素を示すために同一の参照番号が使用されている。1つの実施例の要素および特徴は、さらに説明することなく、他の実施例に有益に組み込まれ得ることが意図されている。
【0012】
[0024] エピタキシは、処理チャンバ内の反応から基板上に材料を堆積させる1つの技法である。処理チャンバは、可変電力によって制御されるヒートランプを使用して、基板を加熱する。ランプは、可視域から近赤外域までの放射を提供することができる。基板は、ランプからの放射を吸収し、したがって、その温度を上昇させ、材料を堆積させるための適合性を高める。ランプは、電流を通すと光と熱を放射する材料で作られたフィラメントを含む。ランプは、フィラメントの寿命を延ばすように設計された気体環境に配置されてもよい。
【0013】
[0025] 本明細書に開示されるランプに使用されるフィラメントコイルのワイヤの断面は、ほぼ菱形(例えば、ダイヤモンド形状)、五角形、または六角形であり得る。ランプのワイヤの断面は、単位平方メートル当たりの放射(W/m2)の増加に寄与する。フィラメントコイルの断面の形状は、フィラメントコイルの表面積を増加させ、ランプの寿命を延ばす。従来のランプと比較して、フィラメントの蒸発した分子は、以下にさらに詳述されるように、フィラメントコイルに再堆積される。加えて、フィラメントコイルの全体的な幾何学的形状または断面は、ランプのバルブの内部表面から反射されてフィラメントコイルに向かって戻る光を減少させる。したがって、処理チャンバ内のランプの交換頻度が少なくなるので、日常のメンテナンスが削減される。日常のメンテナンスの頻度を減らすことにより、処理チャンバのダウンタイムが減少し、処理チャンバ当たりのより多い処理量を達成することができる。
【0014】
[0026] 基板上に堆積される材料の均一性は、基板の表面全体にわたる熱の均一性と相関する。ランプは、熱を放射しているので、ランプの均一性が、基板全体にわたる熱勾配の均一性と相関する。基板上の熱勾配を制御することによって、その結果、基板上に堆積される材料の均一性を制御することができる。
【0015】
[0027] 本明細書では、処理チャンバ内での使用に適したランプフィラメントのランプ寸法を測定および試験するための方法および装置が開示される。この方法は、処理チャンバ内で使用するように構成されたランプの画像を取り込む自動化された外観検査を含む。取り込まれたランプの画像は、さらなる処理のためにコンピュータに送信されるか、または画像処理装置において処理される。コンピュータまたは画像処理装置は、所定の寸法を、画像処理装置によって測定されたランプの実際の寸法と比較する。不適合のランプ、つまり誤差許容閾値を超えたランプは、不合格になる。所定の寸法に適合するランプもまた、適切にフラグ付けされ、すなわち適格認定され、不適合のランプから分離される。
【0016】
[0028] 基板上に堆積される材料の均一性は、基板の表面全体にわたる温度の均一性と相関する。ランプは、基板の表面全体にわたって熱を放射しているので、適格認定されたランプの均一性が、基板全体にわたる熱勾配の均一性と相関する。基板厚さ上の熱勾配を制御することによって、基板上に堆積される材料は、より正確に制約され得る。有利には、基板上の堆積材料の中心から縁部までの均一性は、適格認定されたランプを利用することによって改善される。
【0017】
[0029]
図1Aは、複数の熱源102aを有する処理チャンバ100aの概略断面図である。処理チャンバ100aは、チャンバ本体105を有する。チャンバ本体105は、チャンバ本体105のエンクロージャ109を画定する側壁136、底部106、および蓋部130を含む。上部ドーム128、下部ドーム114、およびライナー163が、エンクロージャ109内に配置されている。ライナー163は、側壁136に取り付けられている。チャンバ本体105の内部空間101が、上部ドーム128、下部ドーム114、およびライナー163によって画定される。内部空間101は、処理空間111およびパージ空間113を含む。
【0018】
[0030] プロセスガス入口174が、処理チャンバ100aの側壁136を通って形成されている。プロセスガス入口174はまた、ライナー163も通って形成され、プロセスガスを処理空間111内に流すための経路を提供する。プロセスガスは、ガス源172から、プロセスガス入口174を通って、処理チャンバ100aの内部空間101内に配置された基板支持体104を横切って流れる。
【0019】
[0031] パージガス入口164が、処理チャンバ100aの側壁136を通って形成されている。パージガス入口164はまた、ライナー163も通って形成され、パージガスをパージ空間113内に流すための経路を提供する。パージガスは、パージガス源162から、パージガス入口164を通って、処理チャンバ100aのパージ空間113内へ流れる。
【0020】
[0032] ガス出口178が、側壁136およびライナー163を通って配置されている。ガス出口178は、処理チャンバ100aの内部空間101においてプロセスガス入口174とほぼ反対側にある。ガス出口178は、内部空間101の処理空間111内のプロセスガスを処理チャンバ100aから排出することを可能にする。内部空間101のパージ空間113内のパージガスもまた、ガス出口178を通って処理チャンバ100aから排出される。処理チャンバ100aの内部空間101からプロセスガスおよびパージガスを排出するために、真空源180が、ガス出口178に連結されている。
【0021】
[0033] 基板支持体104は、処理チャンバ100a内の処理動作中に、基板支持体104の上面110上に配置された基板108を支持するように、構成されている。基板支持体104は、処理中に基板108を回転させて、基板108上に堆積される材料の均一性を改善することができる。上部ドーム128は、基板支持体104の上方に配置され、基板支持体104の上面110およびライナー163とともに、さらに処理空間111を画定する。パージ空間113は、下部ドーム114、基板支持体104の底面(番号なし)、およびライナー163によって、さらに画定される。
【0022】
[0034] 熱シールドアセンブリ160が、基板支持体104を取り囲んでいる。熱シールドアセンブリ160は、基板支持体104と同心のリング状構造体である。熱シールドアセンブリ160は、環状予熱部材167と熱シールド部材168とを含む。環状予熱部材167は、リング状である。
【0023】
[0035] 熱モジュール145が、処理中に処理チャンバ100aに熱を供給する。熱モジュール145は、基板支持体104の上方または下方に、または上方と下方の両方に配置することができる。
図1Aに示す処理チャンバ100aでは、熱モジュール145は、基板支持体104の下方に設けられている。熱モジュール145は、レンズ、光パイプ、または他の反射および屈折要素などの光学要素115を含むことができる。熱モジュール145は、複数の熱源102を含む。熱源102は、下部ドーム114内に配置されている。熱源102は、ランプ、発光ダイオード(LED)、およびレーザのいずれか1つまたは組み合わせであってもよい。反射および屈折要素は、熱源102によって放射されたエネルギーを基板支持体104に向けるような形を個々にしている。熱モジュール145からの熱は、基板支持体104を加熱し、このことは、基板108が基板支持体104と接触している場合、伝導によって熱を基板108に伝達する。場合によっては、例えば、基板108が基板支持体104と接触していない場合、熱は、放射によっても伝達され得る。一例では、熱源102はランプである。熱源102のさらなる議論は、処理チャンバ100a内での処理のために基板108上に熱を放射するように構成されたフィラメントを有するランプに関するものである。
【0024】
[0036]
図1Bは、基板108上に材料を堆積させるように構成された別の処理チャンバ100bの概略断面図である。
図1Bは、処理チャンバ100b内で基板108を加熱するために熱モジュール145内で代替熱源102bを使用するためのコンテクストを提供する。一例では、処理チャンバ100bは、急速熱処理(RTP)チャンバとして構成される。本明細書に示される処理チャンバ100bは、例示の目的のためのものであり、本開示の概念は、基板108を加熱して処理するための放射エネルギーを放出するために、熱源102などの光源を使用する任意の熱処理チャンバに利益を与え得ることを、理解されたい。熱源102bは、基板108の上方の処理空間111に隣接して配置されたランプ管134内に配置されて、示されているが、熱源102bは、代替的に、処理チャンバ100b内で基板108の下方に、または上方および下方に配置されてもよい。複数のランプ管134は、処理チャンバ100bの処理空間111内に配置されている。処理空間111は、一般に、処理チャンバ100bの側壁および本体(図示されているが、番号は付されていない)によって囲まれ、窓138によってランプ管134および熱源102bから分離された空間である。処理空間111は、大気圧より低い圧力に保持されてもよい。
【0025】
[0037] 複数のランプ管134は、熱モジュール145内に配置されている。熱モジュール145は、窓138を覆い、窓138は、熱モジュール145を処理空間111から分離する。基板ハンドリング装置144は、ロータチャネル148内に配置されたロータ146と、ロータ146上に載置されているか、または他の方法でロータ146に連結された支持シリンダ150とを含む。支持シリンダ150は、ケイ素石英でコーティングされていてもよい。ロータ146は、磁気浮揚させることができる。エッジリング152が、支持シリンダ150上に載置されている。エッジリング152は、ケイ素でコーティングされた炭化ケイ素で作ることができる。エッジリング152は、処理中に基板108の少なくとも一部に外接し、それを支持するように構成される。
【0026】
[0038] 熱モジュール145は、ランプ管134と熱源102bを含む。図示のように、1つの熱源102bが、それぞれのランプ管134の一端に配置されている。ランプ管134は、ランプハウジング管154の中に挿入されるように構成されている。あるいは、1つより多い熱源102bが、それぞれのランプハウジング管154の中に収容されてもよい。各ランプハウジング管154は、銀または金のコーティングであってもよい反射性の内面を含むことができる。ランプハウジング管154は、鏡面反射体166で裏打ちすることができる。一例において、熱源102bは、タングステンハロゲンランプなどの放射電球である。
【0027】
[0039] 処理チャンバ100bおよび熱モジュール145の雰囲気は、制御することができる。例えば、
図1に示されるように、熱モジュール145と流体連通している第1のチャネル158を介して、熱モジュール145内の圧力を制御する、例えば、低減するために、第1の真空ポンプ156が設けられている。第2のチャネル176を介して熱モジュール145内の圧力を制御する、例えば、低減するために、第2の真空ポンプ170が設けられている。一実施態様では、鏡面反射体166の変色を防止するために、熱源102bの周囲の雰囲気は、鏡面反射体166上で使用される銀上の硫化物形成材料または硫化物触媒材料の量を実質的に最小限に抑えるように制御される。鏡面反射体166の変色を防止する1つの方法は、雰囲気がH
2Sおよび水分(H
2O)をほぼ含まないことを確実にすることである。例えば、第1のチャネル158からヘリウムを流すことによって、大気が熱源102bの周囲の領域に入るのを実質的に防止することができる。別の例では、熱源102bの周囲の雰囲気からH
2Sおよび水分を除去するために、フィルタおよび/またはゲッタが、第1のチャネル158内に配置され得る。例えば、酸化鉄などの金属酸化物を含む硫化物ゲッタは、大気が熱源102bの周囲の領域に入ることを実質的に防止する。
【0028】
[0040]
図2Aは、
図1Aに示す処理チャンバ100aにおいて熱源102aとして使用できる例示的なランプ200aの正面図である。ランプ200aは、基部204とドーム220を有する。ドーム220は、一端に先端部222を有する。いくつかの例では、ドーム220は、石英で作られている。第1のピン208および第2のピン210が、基部204に接続されている。第1のピン208および第2のピン210の各々は、上側部分212および下側部分216を有する。第1のピン208および第2のピン210は、熱モジュール145(
図1Aに示されている)に取り外し可能に取り付けられるように構成されている。加えて、プログラムは、第1のピン208の中心を通ってy方向350に沿って長手方向に走る第1のピン208の第1のピン線330(
図2Cに示される)を設定する。第2のピン210は、第2のピン210の中心を通ってy方向350に沿って長手方向に走る第2のピン210の第2のピン線332(
図2Cに示される)を有する。
【0029】
[0041] 支持部材224が、ドーム220の底部に取り付けられている。支持部材224は、第1のコネクタ244および第2のコネクタ256を受容するように構成された穴226を有する。穴226は、第1のピン208および第2のピン210をそれぞれ第1のコネクタ244および第2のコネクタ256に電気的に連結する接触電極を有する。
【0030】
[0042] 外径264を有するフィラメント248が、ドーム220内に配置されている。フィラメント248は、コイル状部分252を有する。フィラメント248は、(
図4に示すように)ワイヤ408から形成されている。フィラメント248のワイヤ408(
図4に示される)の一部が、スタブ240の周りに螺旋状に巻かれるか、または巻き付けられていてもよい。スタブ240は、ドーム220の頂部に近接して配置されている。ほぼ同一のスタブ240が、ドーム220の底部に近接して配置されている。接地ワイヤ260が、フィラメント248に電気的に連結され、フィラメント248の垂直方向長さ(すなわち、y方向350)に沿って延在している。
【0031】
[0043] 第1のコネクタ244は、接地ワイヤ260の一部から形成されている。第1のコネクタ244は、接地ワイヤ260を第1のピン208に連結する。第2のコネクタ256は、第2のピン210をフィラメント248に電気的に連結する。したがって、第2のピン210に入った電流は、第2のコネクタ256を通ってフィラメント248へ流れ、接地ワイヤ260および第1のコネクタ244を経由して戻り、第1のピン208から出る。
【0032】
[0044] 動作中、電流がフィラメント248に印加され、フィラメント248に光および熱を放射させる。本開示のいくつかの例では、フィラメントは、タングステンで作られている。タングステンフィラメントは、約3422℃までの温度で赤外線を放射することができる。本開示の範囲から逸脱することなく、他の金属を利用することができることを理解されたい。ドーム220(例えば、石英バルブ)は、フィラメント248の寿命を延ばすように構成されたガスで充填されている。ガスは、ハロゲンガス、例えば、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、アスタチン(At)、およびテネシン(Ts)のいずれか、またはそれらの組み合わせなどの、低レベルの反応性を有し得る。一例では、ドーム220は、1種以上のハロゲンガスで充填されている。ハロゲンサイクルによれば、電流がフィラメント248に印加されると、ドーム220内に蒸気が形成される。蒸気は、蒸発したタングステンの分子を含む。タングステンの分子とのハロゲン化物、すなわちハロゲン化合物が、形成され得る。したがって、ハロゲン化物分子の一部が、フィラメント248上に再堆積する。このようにして、フィラメント248およびランプ200aの寿命が延びる。
【0033】
[0045] プログラムは、上側部分212と下側部分216との交わり部において第1のピン208および第2のピン210を直交的に切断する分割平面274を、設定することができる。分割平面274は、x方向340およびz方向360に延びている。z方向360は、x方向340およびy方向350に直交している。中心線228は、第1のピン線330および第2のピン線332(
図2Cに示す)から等距離である。第1のピン線330は、第1のピン208を通過し、第2のピン線332は、第2のピン210を通過する。中心線228は、y方向350に垂直に延びている。中心線228は、ドーム220および支持部材224の中央、すなわち中心を通ることができる。ランプの第1の長さ272は、先端部222を引いたドーム220の頂部から、第1のピン208および第2のピン210の上側部分212と下側部分216との間を延びている分割平面274まで延びている。分割平面274は、中心線228に対してほぼ直交している。ランプ200aの第2の長さ276は、先端部222を引いたドーム220の頂部から先端部222の頂点まで延びている。したがって、第2の長さ276は、ドーム220の先端部222の寸法である。第1のピン線330および第2のピン線332は、本明細書では、それぞれ第1のピンデータムおよび第2のピンデータムと呼ぶことができる。中心線228は、データム中心軸と呼ぶことができる。
【0034】
[0046] 中心点280が、中心線228と分割平面274との交点によって定義される。第1の偏差点284は、
図2Aに示されるような、ランプ200aの正面図で見たときの、第1のコイルボックス320(すなわち、
図2Cに示される第1のウィンドウ)の幾何学的中心である。第1のコイルボックス320は、フィラメント248の二次元輪郭である。正面図で見たときに、外径264は、第1のコイルボックス320の幅に等しい。フィラメント248のコイル状部分252の長さ304(
図3Aに示す)は、第1のコイルボックス320の長さに等しい。第1の偏差線232が、中心点280および第1の偏差点284を通る。第1の偏差角268が、中心線228と第1の偏差線232との間の角度によって定義される。ランプ200aは、縮尺通りには描かれておらず、本開示の特徴を示すために、中心点280と第1の偏差点284との間の関係は誇張されていることが、理解される。
【0035】
[0047]
図2Bは、
図1Bに示される処理チャンバ100bにおいて使用され得る例示的な熱源102bの正面図である。熱源102bは、基部204と、ドーム220と、ピン部分214とを有する。一例では、ドーム220は、一般的な形状の円筒のドームであってもよく、円筒の一端が、半球形の端部を有することができる。熱源102bはまた、ドーム220の一端に先端部222を有することができる。いくつかの例では、ドーム220は、石英、または他の適切な材料で作られている。
【0036】
[0048] 熱源102bは、ドーム220内に配置されたフィラメント248を含む。フィラメント248は、外径264を有する。フィラメント248は、ワイヤ408(
図4A~
図4Bに示される)から形成されている。フィラメント248は、ドーム220の内部でy方向270に延在するコイル状部分252を含む。別の言い方をすれば、フィラメント248のコイル状部分252は、熱源102bの長軸と整列したy方向270に延在する。コイル状部分252は、ほぼ螺旋状であるが、他の形状を有してもよい。フィラメント248は、接地ワイヤ260に取り付けられている。
【0037】
[0049] ピン部分214は、第1のピン234および第2のピン238を含む。第1のピン234および第2のピン238は、ランプハウジング管154内に配置された電極(図示せず)に連結されるように構成されている。基部204は、フィラメント248および/または接地ワイヤ260を第1のピン234および第2のピン238に連結するために必要な電極、回路、および他の構成要素を含むことができる。
【0038】
[0050] 熱源102bの第1の長さ272が、先端部222の遠位端とピン部分214の底部(ピン234、238を除く)との間に定義される。熱源102bの第1の長さ272は、約120mmから135mmの間である。一例では、第1の長さ272は、約125mmである。第1のピン234と第2のピン238との間の幅246は、約6mmから約8mmの間である。ドーム220は、約11mmから約17mmの間の外径250を有する。フィラメント248のコイル状部分252の外径264は、約3mmから約7mmの間である。他の幾何学的形状が特定の用途のために利用され得ることが企図される。
【0039】
[0051] 動作中、電流がフィラメント248に印加され、フィラメント248に光および熱を放射させる。本開示のいくつかの例では、フィラメントは、タングステンまたは他の適切な導体で作られている。タングステンフィラメントは、約3422℃までの温度で赤外線を放射する。本開示の範囲から逸脱することなく、他の金属を利用することができることを理解されたい。ドーム220(例えば、石英バルブ)は、フィラメント248の寿命を延ばすように構成された少なくとも1種のガスで充填されている。ガスは、1種以上の希ガスなどの、低レベルの反応性を有し得る。他のガスもまた、バルブ内に存在し得る。ガスは、フィラメント248が崩壊する速度を低下させ、したがって、熱源102bの寿命を延ばす。
【0040】
[0052]
図2Cは、
図2Aに示すランプ200aの正面図寸法を測定する方法の説明図である。以下の議論はランプ200aに向けられているが、ここで開示されている方法はランプ200bにも適用可能であることを、理解すべきである。議論したように、フィラメント248が、ランプ200bのドーム220内に配置されている。中心点280が、中心線228と分割平面274との交点によって決定される。例えば、
図2Aに示されるような正面図からフィラメント248のコイル状部分252の縁部を設定することによって、第1の偏差点284を決定することができる。フィラメント248のデジタル表現は、少なくとも、x方向340に延びる2つの水平縁部326と、y方向350に延びる2つの垂直縁部325とを有する。2つの水平縁部326は、y方向350に延びる2つの垂直縁部325と交差するまで、x方向340に延びている。第1の水平縁部326と2つの平行な垂直縁部325との交点は、第1の点316および第2の点317で交差する。第3の点318および第4の点319は、第2の水平縁部326と2つの平行な垂直縁部325との交点である。第1のコイルボックス320が、4つの点316~319を2組の平行な線で接続することによって作成される。コイル中心線328が、中心線228とほぼ平行にy方向350に延びている。第1の偏差点284は、第1の点316から第3の点318まで延びる対角線(図示せず)と、第2の点317から第4の点319まで延びる別の対角線(図示せず)との交点である。したがって、第1の偏差点284は、第1のコイルボックス320の垂直方向および水平方向の中心点である。コイル中心線328は、第1の偏差点284を通る。幅が、x方向340の方向における平行な2点間の距離によって決定される。長さが、y方向350の方向における平行な2点間の距離によって決定される。
【0041】
[0053]
図2Aの側面図で見たフィラメント248の外径264が、第1の点316と第2の点317との間の距離に基づいて決定される。あるいは、外径264は、第3の点318と第4の点319との間の距離に基づいて決定することができる。第1の長さ272(
図2Aに示される)は、中心点280と、ドーム220の頂部に位置する第5の点321との間の距離を決定することによって、測定することができる。第2の長さ276は、第6の点322と第5の点321との間の距離であり、第6の点322は、ドーム220の先端部222を示す。
【0042】
[0054]
図3Aは、
図2Aに示す例示的なランプ200aの側面図である。
図2Aに示されるランプ200aは、
図3Aにおいて90度回転されている。簡単にするために、接地260は、
図3Aに示されていない。この側面図から、フィラメント248のコイル状部分252の長さ304が、決定される。分割平面274が、第1のピン208または第2のピン210(
図2Aに示される)のいずれかの上側部分212と下側部分216との間でz方向360に延びている。フィラメント248の垂直距離308が、分割平面274からコイル状部分252の開始点までの距離を測定することによって決定される。第2の偏差角312が、第1の偏差角268と同様の方法で決定される。具体的には、第2の偏差角312は、中心線228と、中心点280および第2の偏差点314を通る第2の偏差線313との間の角度である。第2の偏差点314は、
図3Aにおけるランプ200aの側面図で見たときの、第2のコイルボックス370(すなわち、
図3Bに示される第2のウィンドウ)の幾何学的中心である。第2のコイルボックス370は、
図3Aの側面図で見たときの、フィラメント248の二次元輪郭である。外径264は、第2のコイルボックス370の幅に等しい。フィラメント248のコイル状部分252の長さ304は、第2のコイルボックス370の長さに等しい。上述したように、中心点280は、中心線228と分割平面274との交点である。第2の偏差点314は、
図3Aに示すランプ200aの位置から見たときのフィラメント248の二次元表現の幾何学的中心である。上述したように、第2の偏差角312は、
図2Aに示す位置からランプ200aを90度回転させたときに測定される。
【0043】
[0055] 第1の曲率半径327および第2の曲率半径329が、ほぼ同じ方法で決定され得る。例えば、第1の曲率半径327は、画像処理装置1000がランプ200aの画像を取り込んだ後に決定されてもよい。第1の曲率半径327は、ドーム220の勾配、傾斜、またはエッジを決定するための画像処理技法を使用することによって計算されてもよい。本開示の範囲から逸脱することなく、本明細書に開示される寸法を決定するために他の画像処理技法が使用され得ることを、理解されたい。
【0044】
[0056] 間隔距離331が、
図3Aに示されるように、ドーム220の底点333から支持部材224の表面上の点まで垂直に測定される。支持部材224の表面は、z方向360に対してほぼ直角をなす。間隔距離331は、第2の曲率半径329に近接して示されている。しかしながら、間隔距離331は、第1の曲率半径327に近接して取得されてもよい。したがって、間隔距離331の大きさは、間隔距離331が第1の曲率半径327に近接して決定されるか、または第2の曲率半径329に近接して決定されるかで、同じ値であってもよい。しかしながら、間隔距離331が、第1の曲率半径327に近接して決定されるか、または第2の曲率半径329に近接して決定されるかに応じて、他の例では、間隔距離331の大きさは、異なる値を有してもよい。
【0045】
[0057]
図3Bは、
図3Aに示すランプ200aまたはランプ200bの側面図寸法を測定する方法の説明図である。上記の議論は、ランプ200aに向けられているが、ここで開示されている方法は、ランプ200bにも適用可能である。議論したように、フィラメント248が、ランプ200a、200bのドーム220内に配置されている。中心点280が、中心線228と分割平面274との交点によって決定される。例えば、
図3Aに示されるような側面図からフィラメント248のコイル状部分252の縁部を設定することによって、第2の偏差点314を決定することができる。フィラメント248は、少なくとも、z方向360に延びる2つの水平縁部356と、y方向350に延びる2つの垂直縁部355とを有する。2つの水平縁部356は、y方向350に延びる2つの垂直縁部355と交差するまで、z方向360に延びている。第1の水平縁部356と2つの平行な垂直縁部355との交点は、第1の点351および第2の点352で交差する。第3の点353および第4の点354は、第2の水平縁部356と2つの平行な垂直縁部355との交点である。第2のコイルボックス370が、4つの点351~354を2組の平行な線で接続することによって作成される。コイル中心線358が、中心線228とほぼ平行にy方向350に延びている。第2の偏差点314は、第1の点351から第3の点353まで延びる対角線(図示せず)と、第2の点352から第4の点354まで延びる別の対角線との交点である。したがって、第2の偏差点314は、第2のコイルボックス370の垂直方向および水平方向の中心点である。コイル中心線358は、第2の偏差点314を通る。
【0046】
[0058]
図4Aは、
図2A~
図2Bおよび
図3Aに示すランプ200aまたはランプ200bで利用されるフィラメント248の一部である。フィラメント248の一部は、ピッチ勾配424を有する。中心軸401に平行に延びる仮想線(図示せず)を考慮すると、ピッチは、仮想線と交差するワイヤ408上の第1の点403から仮想線と交差するワイヤ408上の第2の点405までの中心間距離として定義される。ワイヤ408上の第2の点405は、ワイヤ408の螺旋円周に沿って第1の点403から約360度である。ピッチは、2つの隣接する点、例えば、第1の点403と第2の点405との間の差として定義される。ピッチ勾配430は、第1の点403と第2の点405との間の差、および第2の点405と第3の点407との間の差などの、3つ以上の点の間の差として定義される。第3の点407は、ワイヤ408の円周に沿って、第2の点405から約360度離れており、第1の点403から約720度離れている。追加の点が、ワイヤ408上の隣接する点から約360度離れていることが理解される。
【0047】
[0059] 第1のピッチ414は、第1の点403と第2の点405との間の距離として定義される。第2のピッチ416は、第2の点405と第3の点407との間の距離として定義される。第3のピッチ418は、第3の点407と第4の点409との間の距離として定義される。第4のピッチ420および第5のピッチ422は、隣接する点409~413間の距離として同様に定義される。図示の例では、第1のピッチ414は、第2のピッチ416より短く、第2のピッチ416は、第3のピッチ418より短い。したがって、フィラメント248のピッチ勾配424は、第1の点403から第6の点413へ延びる方向に増加する。したがって、ピッチ勾配424は、各隣接ピッチがピッチ勾配424の方向に増加するように、第1のピッチ414から第5のピッチ422まで増加する。ピッチ勾配424は、線形または非線形であり得る。
【0048】
[0060] 一例では、フィラメント248のピッチ勾配424は、重力方向に増加している。第1の点403は、ドーム220の先端部222よりも基部204に近い。逆に、第6の点413は、基部204よりもドーム220の先端部222に近い。フィラメント248がランプ200b内に配置されているとき、第1のピッチ414は、基部204に隣接し、第2のピッチ416より短く、第2のピッチ416は、第3のピッチ418より短い。第3のピッチ418は、第1のピッチ414よりも先端部222に近い。有利には、ランプ200aまたはランプ200bが熱モジュール145内に設置されているとき、ピッチ勾配424は、フィラメント248がコイル状部分252の完全性を維持することを可能にする。いくつかの例では、コイル状部分252の完全性は、従来のランプ(図示せず)よりも約20パーセント長い間、維持される。
【0049】
[0061] 数千回のプロセス実行後、ワイヤ408の加熱および冷却は、フィラメント248のコイル状部分252を変形させ得る。従来のランプでは、重力は、ワイヤ408の材料が加熱および冷却されるときに、この変形を悪化させ、より大きな変形を生じさせる。温度変化とワイヤの質量に対する重力によって生じる従来のフィラメントのこの繰り返しの変形は、従来のランプの故障につながる。有利には、ピッチ勾配424は、フィラメント248の加熱および冷却によって生じる繰り返し応力によって引き起こされる変形を妨げ、したがって、フィラメント248が完全性を維持することを可能にする。一例では、約20,000~約25,000回のプロセス実行後、第1のピッチ414、第2のピッチ416、および第3のピッチ418は、ほぼ等しくなり得る。別の例では、第1のピッチ414から第5のピッチ422までは、約20,000~約25,000プロセス実行後にほぼ等しくなる。
【0050】
[0062] 先に説明したように、ピッチ勾配424は、重力方向に増加している。したがって、フィラメント248が処理チャンバ100aのランプ200a内に取り付けられている場合、第1の点403は、第2の点405よりもドーム220の先端部222に近い。したがって、第1のピッチ414は、第2のピッチ416または後続のピッチ418~422よりも、基板支持体104または基板108に近い。逆に、フィラメント248が処理チャンバ100bのランプ200b内に取り付けられている場合、第1の点403は、第2の点405よりもドーム220の先端部222からより遠く離れている。したがって、第1のピッチ414は、第2のピッチ416および後続のピッチ418~422よりも、基板108からより遠く離れている。
【0051】
[0063] 一例では、ピッチ414~424のうちの最後のピッチと最初のピッチとの間の比は、約2.0から約2.3の間、例えば、約2.05から約2.25の間である。別の例では、比は、約2.1から約2.15の間である。点403が基部204に最も近く、点413が先端部222に最も近い、さらに別の例では、ピッチ414は、約1.0mmから約1.5mmの間であり、ピッチ422は、約2.0mmから約3.45mmの間である。一例では、ピッチ416は、ピッチ414の長さの約1.125倍である。したがって、ピッチ勾配424は、ゼロ(0)よりも大きい。一例では、ピッチ勾配424は、0.005mm<{(Pn+2-Pn+1)-(Pn+1-Pn)}>0.125mmと定義され、ここで、nは、所与の点であり、n+1は、直ぐ隣の点であり、点nは、基部204により近い。別の例では、ピッチ勾配424は、0.005mm<{(Pn+2-Pn+1)-(Pn+1-Pn)}>0.166mmと定義される。例えば、Pnは、ピッチ414であり得、Pn+1は、ピッチ416であり、Pn+2は、ピッチ418であり、初期点は、点403であり得る。
【0052】
[0064] さらに別の例では、ピッチ勾配424は、所与のピッチPn=P0+(n*s)となるように増分することができ、ここで、nは、所与のピッチの組における所与のピッチの番号であり、P0は、ピッチの配列中の最初のピッチであり、sは、ステップである。ステップ(s)は、約0.005mmから約0.166mmの間、例えば、約0.0156mm、0.020mm、または約0.125mmであり得る。さらに別の例では、ステップ(s)は、初期ピッチP0に等しくすることができる。この例では、P0は、ピッチ414と等しい距離とすることができ、Pnは、ピッチ414~422のうちの任意の1つとすることができる。上述のように、ピッチ勾配424は、重力方向に増加している。有利には、ピッチ勾配424を有するフィラメント248は、従来のフィラメントよりも20パーセント長い動作期間を有することができ、ランプ200aおよびランプ200bの耐用年数を延ばすことができる。
【0053】
[0065]
図4Bは、
図2A~
図2Bおよび
図3Aの例示的なランプ200aまたは200bで利用されるフィラメント248の一部である。フィラメント248の一部分404のみが、ここでは示されている。部分404のいかなる議論も、必ずフィラメント248を含み、フィラメント248のいかなる議論も、部分404に帰することができることを理解されたい。図示されているように、フィラメントの部分404は、中心軸401からほぼ一定の半径方向距離412に位置決めされたワイヤ408で作られている。しかしながら、本明細書の開示から逸脱することなく、一定の半径方向距離412は増加または減少してもよいことが理解される。中心軸401は、ほぼ螺旋状であり、部分404が、フィラメント248の長さ304に延びているとき、フィラメント248のコイル状部分252は、ワイヤ408によって形成される(
図2A、
図2B、および
図3Aに示される)。
図4Bのフィラメント248は、ほぼゼロ(0)のピッチ勾配424を有する。したがって、ピッチ414~422(
図4Bには図示せず)は、ほぼ等しく、したがって、ほぼ勾配はない。
【0054】
[0066]
図5~
図7に描かれたフィラメントは、付加製造または押出成形などの他の適切な技術によって製造することができる。一例では、フィラメントは、三次元印刷技術(すなわち、3D印刷)によって製造される。後述する断面は、フィラメント500~700の粒界間の剪断を低減する。フィラメント500~700の粒界間の剪断を減少させることは、フィラメント500~700の寿命を延ばし、それによって、ランプ200の耐用年数を増加させる。ランプ200aまたはランプ200bの耐用年数を増加させることによって、日常のメンテナンスおよび処理チャンバ100のダウンタイムも減少し、したがって、処理チャンバ100の全体的な処理量を増加させる。本明細書で議論される菱形、六角形、および五角形などの多角形のいくつかの性質の議論は、網羅的ではないことを理解されたい。これらの幾何学的形状の議論は、明示的に表現されていない性質を排除するものではない。
【0055】
[0067]
図5は、
図4Aに示される中心軸401と交わる平面に沿った、例示的なフィラメント500の断面図である。フィラメント500は、中心軸401から半径方向距離412に位置決めされたワイヤ508で作られている。ワイヤ508の断面504は、ほぼダイヤモンド形状または菱形であり、断面504は、4つの辺506を有する。フィラメント500の断面504は、長さが等しい2つの連続する辺506を有する。断面504の向かい側の辺506は、ほぼ平行であり得る。角度512が、2つの連続する辺506の間に形成されている。角度512の向かい側の別の角度は、ほぼ等しい大きさである。角度512は、約90度であってもよい。ただし、角度512は、90度に限定されず、各内角の和が360度であれば、任意の大きさであってよい。
【0056】
[0068]
図6は、
図4Aに示される中心軸401と交わる平面に沿った、別の例示的なフィラメント600の断面図である。フィラメント600は、中心軸401から一定の半径方向距離412に位置決めされたワイヤ608で作られている。ワイヤ608の断面604は、ほぼ六角形であり、断面604は、6つの辺606を有する。角度612が、2つの隣接する辺606の間に形成されている。一例では、角度は120度であるが、角度612は、この角度に限定されない。角度612は、全ての内角の和が720度であるような任意の角度とすることができる。
【0057】
[0069]
図7は、
図4Aに示される中心軸401と交わる平面に沿った、例示的なフィラメント700の断面図である。フィラメント700は、中心軸401から一定の半径方向距離412のワイヤ708で作られている。ワイヤ708の断面704は、ほぼ五角形であり、断面704は、5つの辺706を有する。角度712が、2つの隣接する辺706の間に形成されている。角度は、約108度であってもよい。角度712は、この角度に限定されず、各内角の和が540度であれば、任意の大きさであってよい。
【0058】
[0070]
図8は、
図2A、
図2B、および
図3Aに描かれたランプ200を固定するのに適した例示的なランプ保持構造体800の図面である。ランプ保持構造体800は、支持構造体832と、フレーム804と、基部808とを有する。ランプ200の基部204が、ランプ保持構造体800のフレーム804と基部808との間に保持され得る。フレーム804および基部808は、本明細書に開示される装置および方法に従って、特定の寸法の測定中にランプ200を固定するように構成されている。フレーム804および基部808は、ほぼ等しい寸法であり、基部808の両端に上面820を有する。凹部面816が、基部808の中央に配置されている。傾斜面824が、上面820と凹部面816との間に配置されている。凹部面816は、上面820とほぼ平行である。壁828は、上面820に対してほぼ直角をなす。傾斜面824は、壁828によって上面820に接続されている。上面820に平行な方向に測定される、基部808の幅826は、基部808の高さ822よりも大きい。図示のように、高さ822は、上面820とほぼ直角の方向に、支持構造体832と上面820との間で測定される。
【0059】
[0071] 貫通孔812が、基部808の上面820を貫通して延びており、フレーム804の上面820内の別の貫通孔812と整列している。いくつかの例では、ランプ保持構造体800は、支持構造体832で補強されている。支持構造体832内の貫通孔840は、フレーム804内の貫通孔812、および基部808内の貫通孔812とほぼ整列している。締め具836が、支持構造体832内の貫通孔840を通過している。締め具836は、フレーム804内の貫通孔812および基部808内の貫通孔812を通過している。ランプ保持構造体800の一構成では、締め具836は、フレーム804内の貫通孔812および基部808内の貫通孔812を通過するだけである。締め具836は、フレーム804を基部808に固定するように構成されている。支持構造体832が利用されているとき、締め具836は、フレーム804、基部808、および支持構造体832を互いに固定する。締め具836は、ボルト、ピン、溶接されたロッド、ねじ、または任意の他の適切な接続具であってよい。ランプ保持構造体800は、ランプに対するクランプ力をバランスさせるために、貫通孔812に類似した1つより多い貫通孔と、1つより多い締め具とを有してもよいことが、理解されるべきである。ランプ保持構造体800は、プラスチック、アルミニウムおよび鋼などの金属、石英、または木材のうちのいずれか1つまたはそれらの組み合わせから作製され得る。
【0060】
[0072]
図9は、
図8のランプ保持構造体800を支持するために使用される例示的な支持構造体832の上面図である。支持構造体832は、連結部材908によって接続された第1の脚部904および第2の脚部906を有する。第1の脚部904および第2の脚部906は、互いにほぼ平行である。連結部材908は、第1の脚部904および第2の脚部906に対してほぼ直角である。
【0061】
[0073] 第1の脚部904および第2の脚部906の各々は、幅924よりも長い長さ922を有する。連結部材908は、第1の脚部904と第2の脚部906との間の距離928を広げている。連結部材908は、厚さ930を有する。支持構造体832の全幅926は、第1の脚部904の幅、第2の脚部906の幅924、および第1の脚部904と第2の脚部906との間の距離928に等しい。
【0062】
[0074]
図10は、
図2A~
図2Bおよび
図3Aに示されるランプ200の寸法を測定するために使用される画像処理装置1000の図面である。ランプ保持構造体800は、カメラおよびレンズの視野内にランプを配置するために使用することができる。カメラおよびレンズの視野内にランプを配置することにより、ランプの画像を撮影することができる。コントローラ1016が、カメラおよびレンズによって撮影された画像からランプの実際の測定値を処理する。
【0063】
[0075] 画像処理装置1000は、コントローラ1016に連結されたカメラ1001を含む。コントローラ1016は、互いに連結されたプロセッサ1004、メモリ1008、およびサポート回路1012を含む。コントローラ1016は、カメラ1001に搭載されていてもよく、または代替例では、コントローラ1016は、カメラ1001から画像を受信するリモートデバイス(図示せず)に搭載されていてもよい。カメラ1001は、本明細書に開示されたランプ200の画像を取り込むように構成された少なくとも1つのレンズ1002を有する。
【0064】
[0076] 画像処理装置1000は、その制御を容易にするために、画像処理装置1000の様々な構成要素に連結された、電源、クロック、キャッシュ、入出力(I/O)回路などの入力制御ユニットを含む。任意選択で、画像処理装置1000は、表示ユニット(図示せず)を含むことができる。プロセッサ1004は、プログラマブルロジックコントローラ(PLC)などの、各々が産業環境で使用することができる、任意の形態の汎用マイクロプロセッサ、または汎用中央処理装置(CPU)のうちの1つとすることができる。
【0065】
[0077] メモリ1008は、非一時的であり、ランダムアクセスメモリ(RAM)、リードオンリーメモリ(ROM)、またはローカルもしくはリモートの任意の他の形式のデジタルストレージなどの容易に利用可能なメモリのうちの1つ以上であってもよい。メモリ1008は、プロセッサ1004によって実行されると、画像処理装置1000の動作を促進する命令を格納している。メモリ1008内の命令は、本開示の方法を実施するプログラムなどのプログラム製品の形態である。プログラム製品のプログラムコードは、多数の異なるプログラミング言語のいずれか1つに従うことができる。例示的なコンピュータ可読記憶媒体は、(i)情報が永続的に記憶される書き込み不可の記憶媒体(例えば、CD-ROMドライブによって読み取り可能なCD-ROMディスク、フラッシュメモリ、ROMチップ、または任意のタイプのソリッドステート不揮発性半導体メモリなどの、コンピュータ内の読み出し専用メモリデバイス)、および(ii)変更可能な情報が記憶される書き込み可能な記憶媒体(例えば、ディスケットドライブ内のフロッピーディスク、またはハードディスクドライブ、または任意のタイプのソリッドステートランダムアクセス半導体メモリ)を含むが、これらに限定されない。そのようなコンピュータ可読記憶媒体は、本明細書に記載の方法の機能を指示するコンピュータ可読命令を格納している場合、本開示の実施例である。
【0066】
[0078]一例では、本開示は、コンピュータシステム(図示せず)と共に使用するためのコンピュータ可読記憶媒体(例えば、1008)上に記憶されたプログラム製品として実施することができる。プログラム製品のプログラムは、本明細書に記載の本開示の機能を規定している。プログラム/命令は、レンズ1002によって取得された(
図2~
図3に示されている)ランプ200の画像の縁部(エッジ)を検出するように構成された画像処理アルゴリズムを含む。これらのアルゴリズムは、Cannyエッジ検出、ガウシアンフィルタ、勾配の大きさフィルタ(Gradient magnitude filter)、ハフ変換、ヒステリシス閾値処理、ロバーツ(Roberts)演算子、ソーベル(Sobel)演算子、プレヴィット(Prewitt)演算子、ラプラシアン演算子、一次および二次導関数、ならびに、明示的に上述されていないものを含むこれらの技術のうちの任意の1つまたは組み合わせを使用する他のエッジ検出技術を含むが、これらに限定されない。
【0067】
[0079]
図11は、
図10の画像処理デバイスを利用してランプを検査するための例示的な方法1100のフローチャートである。方法1100は、メモリ1008に記憶されることができる。ブロック1104では、ランプ200の画像が取得される。ランプ200の実際の測定値と理想の測定値との間の偏差が、ブロック1108において決定される。実際の測定値は、上述した画像処理装置1000によって取得することができる。別の例では、画像処理装置1000は、測定装置(図示せず)から実際の測定値を受け取ることができる。理想の測定値は、メモリ1008に記憶されて、コントローラ1016のメモリ1008にインストールされたプログラムによって実際の測定値と比較されることができる。測定値は、以下のパラメータ:フィラメントの外径264、フィラメント248の第1の偏差角268、ランプ200の第1の長さ272、ランプ200の第2の長さ276、フィラメント248の長さ304、フィラメント248の垂直距離308、および第2の偏差角312を含むが、これらに限定されない。上記で開示されたものを含む追加の測定値が確認され得ることが、理解される。
図2Cおよび
図3Bに図示されるように、方法1100は、上記のパラメータを決定するために、ウィンドウ、すなわち、第1のコイルボックス320または第2のコイルボックス370を生成する。方法1100は、
図2Cおよび
図3Bにおける各特徴を実現することを可能にするためのプロセスを含むことが、さらに理解される。ブロック1112において、偏差が閾値を上回っている場合、ランプ200は不合格にされる。言い換えると、上述のパラメータのうちのいずれか1つが、許容閾値を超えていることによって理想の測定値に適合していない場合、ランプ200は、不合格として画像処理装置1000によってフラグ付けまたは識別され得る。パラメータは、ランプ200の測定された(すなわち、決定された)寸法または大きさである。ブロック1116において、ランプ200の偏差が閾値以下である場合、ランプ200は、適合としてフラグ付けされ、適合ランプのリストに含めることができる。ブロック1120において、別のランプ200の画像が取得され、ステップ1124において、方法1100は、ブロック1108に戻る。新しい画像が取得されなくなるか、または方法1100がユーザによって中断されるまで、ブロック1108~1124が繰り返される。不合格にされていない(すなわち、適合している)ランプ200は、不合格にされた(すなわち、適合していない)ランプ200から分離され得る。
【0068】
[0080] 三次元印刷されたランプフィラメントのランプ寸法を測定および試験するための方法および装置が、上記で開示された。上記は、特定の例に向けられているが、その基本的な範囲から逸脱することなく、他の例が考案され得、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
【手続補正書】
【提出日】2024-06-03
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ガスで充填されたバルブと、
前記バルブ内に配置された、複数のコイルを含むフィラメントと、
を備え、
前記複数のコイルは、
第1の点を有する第1のコイル、
第2の点を有する第2のコイル、及び
第3の点を有する第3のコイル、を含み、
前記第1、第2、及び第3の点はピッチ勾配を形成し、
前記ピッチ勾配は、
前記第2の点と前記第1の点の間の第1のピッチ、
前記第3の点と前記第2の点の間の第2のピッチであって、前記第2の点は前記第1の点から360度離れており、前記第3の点は前記第2の点から360度離れている、第2のピッチ、及び
前記第1のピッチの大きさと前記第2のピッチの大きさの差であって、前記第2のピッチは前記第1のピッチより大きい、差
により定義される、ランプ。
【請求項2】
前記複数のコイルは、第4の点を有する第4のコイルをさらに含み、第3のピッチは前記第3の点と前記第4の点の間であり、前記第4の点は前記第3の点から360度離れている、請求項1に記載のランプ。
【請求項3】
前記複数のコイルは、第5の点を有する第5のコイルをさらに備え、第4のピッチは前記第4の点と前記第5の点の間であり、前記第5の点は前記第4の点から360度離れている、請求項2に記載のランプ。
【請求項4】
前記ピッチ勾配は、前記第2のピッチの大きさと前記第3のピッチの大きさの差、及び前記第3のピッチの大きさと前記第4のピッチの大きさの差によりさらに定義され、前記第3のピッチは前記第2のピッチより大きく、前記第4のピッチは前記第3のピッチより大きい、請求項3に記載のランプ。
【請求項5】
前記フィラメントに電気的に連結された電極と、
前記電極に電気的に連結され、且つ前記フィラメントにエネルギーを送るように構成された一対のピンと、
をさらに備える、請求項1に記載のランプ。
【請求項6】
前記ランプは、約120mmと約135mmの間の長さを有する、請求項1に記載のランプ。
【請求項7】
前記ピッチ勾配は、前記第1のピッチ、前記第2のピッチ、及び前記第3のピッチを含む連続ピッチ間で、約2パーセントから約6パーセント増加する、請求項2に記載のランプ。
【請求項8】
前記ピッチ勾配は連続的なピッチで増加し、前記連続的なピッチはPn=P0+(n*s)により定義され、ここで、nは所与のピッチの組における所与のピッチの番号であり、P0は最初のピッチであり、sはステップであり、前記ステップは正の実数である、請求項1に記載のランプ。
【請求項9】
前記フィラメントは多角形形状の断面を有する、請求項1に記載のランプ。
【請求項10】
処理チャンバであって、
前記処理チャンバの内部空間に熱を供給するように構成されたランプを備え、
前記ランプは、
ガスで充填されたバルブと、
前記バルブ内に配置された、複数のコイルを含むフィラメントと、
を備え、
前記複数のコイルは、
第1の点を有する第1のコイル、
第2の点を有する第2のコイル、及び
第3の点を有する第3のコイル、を含み、
前記第1、第2、及び第3の点はピッチ勾配を形成し、
前記ピッチ勾配は、
前記第2の点と前記第1の点の間の第1のピッチ、
前記第3の点と前記第2の点の間の第2のピッチであって、前記第2の点は前記第1の点から360度離れており、前記第3の点は前記第2の点から360度離れている、第2のピッチ、及び
前記第1のピッチの大きさと前記第2のピッチの大きさの差であって、前記第2のピッチは前記第1のピッチより大きい、差
により定義される、処理チャンバ。
【請求項11】
前記複数のコイルは、第4の点を有する第4のコイルをさらに含み、第3のピッチは前記第3の点と前記第4の点の間であり、前記第4の点は前記第3の点から360度離れている、請求項10に記載の処理チャンバ。
【請求項12】
前記複数のコイルは、第5の点を有する第5のコイルをさらに備え、第4のピッチは前記第4の点と前記第5の点の間であり、前記第5の点は前記第4の点から360度離れている、請求項11に記載の処理チャンバ。
【請求項13】
前記ピッチ勾配は、前記第2のピッチの大きさと前記第3のピッチの大きさの差、及び前記第3のピッチの大きさと前記第4のピッチの大きさの差によりさらに定義され、前記第3のピッチは前記第2のピッチより大きく、前記第4のピッチは前記第3のピッチより大きい、請求項12に記載の処理チャンバ。
【請求項14】
前記フィラメントに電気的に連結された電極と、
前記電極に電気的に連結され、且つ前記フィラメントにエネルギーを送るように構成された一対のピンと、
をさらに備える、請求項10に記載の処理チャンバ。
【請求項15】
前記ピッチ勾配は、前記第1のピッチ、前記第2のピッチ、及び前記第3のピッチを含む連続ピッチ間で、約2パーセントから約6パーセント増加する、請求項11に記載の処理チャンバ。
【請求項16】
ランプのためのフィラメントを製造する方法であって、
ガスで充填されたバルブ内に配置するためのフィラメントであって、複数のコイルを含み、多角形形状の断面を有するフィラメントを形成すること
を含む、方法。
【請求項17】
前記断面は、菱形形状、六角形形状、又は五角形形状である、請求項16に記載の方法。
【請求項18】
前記複数のコイルは、
第1の点を有する第1のコイル、
第2の点を有する第2のコイル、及び
第3の点を有する第3のコイル、を含み、
前記第1、第2、及び第3の点はピッチ勾配を形成し、
前記ピッチ勾配は、
前記第2の点と前記第1の点の間の第1のピッチ、
前記第3の点と前記第2の点の間の第2のピッチであって、前記第2の点は前記第1の点から360度離れており、前記第3の点は前記第2の点から360度離れている、第2のピッチ、及び
前記第1のピッチの大きさと前記第2のピッチの大きさの差であって、前記第2のピッチは前記第1のピッチより大きい、差
により定義される、請求項16に記載の方法。
【請求項19】
前記フィラメントを形成することは、付加製造、押出成形、又は三次元印刷のうちの1つ又は複数を含む、請求項16に記載の方法。
【請求項20】
ガスで充填されたバルブと、
前記バルブ内に配置された、複数のコイルを含むフィラメントと、
を備え、
前記複数のコイルは、
第1の点を有する第1のコイル、
第2の点を有する第2のコイル、
第3の点を有する第3のコイル、及び
第4の点を有する第4のコイル、
を含み、
前記第1、第2、第3、及び第4の点はピッチ勾配を形成し、
前記ピッチ勾配は、
前記第2の点と前記第1の点の間の第1のピッチ、
前記第3の点と前記第2の点の間の第2のピッチであって、前記第2のピッチは前記第1のピッチより大きく、前記第2の点は前記第1の点から360度離れており、前記第3の点は前記第2の点から360度離れている、第2のピッチ、
前記第3の点と前記第4の点の間の第3のピッチであって、前記第4の点は前記第3の点から360度離れている、第3のピッチ、及び
前記第2のピッチの大きさと前記第3のピッチの大きさの差であって、前記第3のピッチは前記第2のピッチより大きい、差
により定義される、ランプ。
【請求項21】
前記複数のコイルは、第5の点を有する第5のコイルをさらに含み、第4のピッチは前記第4の点と前記第5の点の間であり、前記第5の点は前記第4の点から360度離れている、請求項20に記載のランプ。
【請求項22】
前記ピッチ勾配は、前記第3のピッチの大きさと前記第4のピッチの大きさの差によりさらに定義され、前記第4のピッチは前記第3のピッチより大きい、請求項21に記載のランプ。
【請求項23】
ガスで充填されたバルブと、
前記バルブ内に配置された、複数のコイルを含むフィラメントと、
を備え、
前記複数のコイルは、
第1の点を有する第1のコイル、
第2の点を有する第2のコイル、及び
第3の点を有する第3のコイル、
を含み、
前記第1、第2、及び第3の点はピッチ勾配を形成し、
前記ピッチ勾配は、
前記第2の点と前記第1の点の間の第1のピッチ、及び
前記第3の点と前記第2の点の間の第2のピッチであって、前記第2のピッチは前記第1のピッチより大きく、前記第2の点は前記第1の点から360度離れており、前記第3の点は前記第2の点から360度離れている、第2のピッチ、
により定義され、
前記ピッチ勾配は、前記第1のピッチと前記第2のピッチを含む連続ピッチ間で、約2パーセントから約6パーセント増加する、ランプ。
【請求項24】
前記複数のコイルは、第4の点を有する第4のコイルをさらに含み、前記第3の点と前記第4の点の間の第3のピッチは、前記第2のピッチより大きく、前記第4の点は前記第3の点から360度離れている、請求項23に記載のランプ。
【請求項25】
前記連続ピッチは前記第3のピッチをさらに含む、請求項24に記載のランプ。
【請求項26】
ガスで充填されたバルブと、
前記バルブ内に配置された、複数のコイルを含むフィラメントと、
を備え、
前記複数のコイルは、
第1の点を有する第1のコイル、
第2の点を有する第2のコイル、及び
第3の点を有する第3のコイル、
を含み、
前記第1、第2、及び第3の点はピッチ勾配を形成し、
前記ピッチ勾配は、
前記第2の点と前記第1の点の間の第1のピッチ、及び
前記第3の点と前記第2の点の間の第2のピッチであって、前記第2のピッチは前記第1のピッチより大きく、前記第2の点は前記第1の点から360度離れており、前記第3の点は前記第2の点から360度離れている、第2のピッチ、
により定義され、
前記ピッチ勾配は連続的なピッチで増加し、前記連続的なピッチはPn=P0+(n*s)により定義され、ここで、nは所与のピッチの組における所与のピッチの番号であり、P0は最初のピッチであり、sはステップであり、前記ステップは正の実数である、
ランプ。
【請求項27】
処理チャンバであって、
前記処理チャンバの内部空間に熱を供給するように構成されたランプを備え、
前記ランプは、
ガスで充填されたバルブと、
前記バルブ内に配置された、複数のコイルを含むフィラメントと、
を備え、
前記複数のコイルは、
第1の点を有する第1のコイル、
第2の点を有する第2のコイル、
第3の点を有する第3のコイル、及び
第4の点を有する第4のコイル、
を含み、
前記第1、第2、第3、及び第4の点はピッチ勾配を形成し、
前記ピッチ勾配は、
前記第2の点と前記第1の点の間の第1のピッチ、
前記第3の点と前記第2の点の間の第2のピッチであって、前記第2のピッチは前記第1のピッチより大きく、前記第2の点は前記第1の点から360度離れており、前記第3の点は前記第2の点から360度離れている、第2のピッチ、
前記第3の点と前記第4の点の間の第3のピッチであって、前記第4の点は前記第3の点から360度離れている、第3のピッチ、及び
前記第2のピッチの大きさと前記第3のピッチの大きさの差であって、前記第3のピッチは前記第2のピッチより大きい、差
により定義される、処理チャンバ。
【請求項28】
前記複数のコイルは、第5の点を有する第5のコイルをさらに含み、第4のピッチは前記第4の点と前記第5の点の間であり、前記第5の点は前記第4の点から360度離れている、請求項27に記載の処理チャンバ。
【請求項29】
前記ピッチ勾配は、前記第3のピッチの大きさと前記第4のピッチの大きさの差によりさらに定義され、前記第4のピッチは前記第3のピッチより大きい、請求項28に記載の処理チャンバ。
【請求項30】
処理チャンバであって、
前記処理チャンバの内部空間に熱を供給するように構成されたランプを備え、
前記ランプは、
ガスで充填されたバルブと、
前記バルブ内に配置された、複数のコイルを含むフィラメントと、
を備え、
前記複数のコイルは、
第1の点を有する第1のコイル、
第2の点を有する第2のコイル、及び
第3の点を有する第3のコイル、
を含み、
前記第1、第2、及び第3の点はピッチ勾配を形成し、
前記ピッチ勾配は、
前記第2の点と前記第1の点の間の第1のピッチ、及び
前記第3の点と前記第2の点の間の第2のピッチであって、前記第2のピッチは前記第1のピッチより大きく、前記第2の点は前記第1の点から360度離れており、前記第3の点は前記第2の点から360度離れている、第2のピッチ、
により定義され、
前記ピッチ勾配は、前記第1のピッチと前記第2のピッチを含む連続ピッチ間で、約2パーセントから約6パーセント増加する、処理チャンバ。
【請求項31】
前記複数のコイルは、第4の点を有する第4のコイルをさらに含み、前記第3の点と前記第4の点の間の第3のピッチは、前記第2のピッチより大きく、前記第4の点は前記第3の点から360度離れている、請求項30に記載の処理チャンバ。
【請求項32】
前記連続ピッチは前記第3のピッチをさらに含む、請求項31に記載の処理チャンバ。
【請求項33】
プロセッサによって実行されるとランプ検査プロセスを実行させる命令を記憶するように構成された非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記ランプ検査プロセスは、
カメラを用いて、前記カメラの視野内に配置されたランプの画像を取り込むことと、
前記画像を用いて、基板処理装置内の基板を加熱するように構成された前記ランプのフィラメントの1つ又は複数の寸法の実際の測定値を決定することであって、幅および高さを有するウィンドウを生成することを含む、実際の測定値を決定することと、
前記実際の測定値と前記1つ又は複数の寸法の目標測定値との間の差に基づいて偏差を生成することと、
前記偏差を第1の閾値と比較することと、
前記偏差が前記第1の閾値の外側にある場合、前記ランプを不合格にすることと、
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項34】
前記ランプは、基部、ドーム、フィラメント、第1のピン、及び第2のピンを含み、前記実際の測定値を決定することは、
前記ランプの第1のピンデータムと第2のピンデータムとの間にデータム中心軸を設定することであって、前記第1のピンデータムは前記第1のピンの中心を通って延び、前記第2のピンデータムは前記第2のピンの中心を通って延びる、データム中心軸を設定することと、
前記第1のピン及び前記第2のピンを垂直に貫通して、前記データム中心軸に直角な線を延ばして、横方向データム軸を規定することと、
をさらに含む、請求項33に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項35】
前記実際の測定値を決定することは、
第1の偏差角を決定することであって、前記第1の偏差角は第1の偏差線と前記データム中心軸の間に定義され、前記第1の偏差線はコイル形状を有するフィラメントの中心を通って且つ前記横方向データム軸が前記データム中心軸と交差する点を通って延びる、第1の偏差角を決定することと、
前記ランプを90度回転することと、
前記ランプの回転に対応する第2の偏差角を決定することであって、前記第2の偏差角は第2の偏差線と前記データム中心軸の間に定義され、前記第2の偏差線は前記フィラメントの中心を通って且つ前記横方向データム軸が前記データム中心軸と交差する点を通って延びる、第2の偏差角を決定することと、
をさらに含む、請求項34に記載の非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項36】
カメラの視野内にランプを配置することであって、前記ランプは、基部、ドーム、フィラメント、第1のピン、及び第2のピンを含む、ランプを配置することと、
前記カメラを用いて前記ランプの画像を取り込むことと、
前記画像を用いて、前記ランプの1つ又は複数の寸法の実際の測定値を決定することであって、前記ランプは、基板処理装置内の基板を加熱するように構成されており、
幅および高さを有するウィンドウを生成することと、
前記ランプの第1のピンデータムと第2のピンデータムの間にデータム中心軸を設定することであって、前記第1のピンデータムは前記第1のピンの中心を通って延び、前記第2のピンデータムは前記第2のピンの中心を通って延びる、データム中心軸を設定することと、
前記第1のピン及び前記第2のピンを垂直に貫通して、前記データム中心軸に直角な線を延ばして、横方向データム軸を規定することと、
を含む、前記ランプの1つ又は複数の寸法の実際の測定値を決定することと、
前記実際の測定値と前記1つ又は複数の寸法の目標測定値との間の差に基づいて偏差を生成することと、
前記偏差を第1の閾値と比較することと、
前記偏差が前記第1の閾値の外側にある場合、前記ランプを不合格にすることと、
を含む、ランプを検査するための方法。
【請求項37】
前記実際の測定値を決定することは、
第1の偏差角を決定することであって、前記第1の偏差角は第1の偏差線と前記データム中心軸の間に定義され、前記第1の偏差線はコイル形状を有するフィラメントの中心を通って且つ前記横方向データム軸が前記データム中心軸と交差する点を通って延びる、第1の偏差角を決定することと、
をさらに含む、請求項36に記載の方法。
【請求項38】
前記ウィンドウを生成することは、第1のコイル端点、第2のコイル端点、第1のコイル縁点、および第2のコイル縁点を含む複数のコイル点を設定することを含む、請求項37に記載の方法。
【請求項39】
前記実際の測定値を決定することは、
前記ランプを90度回転することと、
第2の偏差角を決定することであって、前記第2の偏差角は第2の偏差線と前記データム中心軸の間に定義され、前記第2の偏差線は前記フィラメントの中心を通って且つ前記横方向データム軸が前記データム中心軸と交差する点を通って延びる、第2の偏差角を決定することと、
をさらに含む、請求項37に記載の方法。
【外国語明細書】