特開 2024-111761 半導体製造装置および半導体装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024111761

(43)【公開日】2024-08-19

(54)【発明の名称】半導体製造装置および半導体装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/52 20060101AFI20240809BHJP

【ＦＩ】

H01L21/52 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023016459

(22)【出願日】2023-02-06

(71)【出願人】

【識別番号】515085901

【氏名又は名称】ファスフォードテクノロジ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】内藤 大輔

(72)【発明者】

【氏名】保坂 浩二

【テーマコード（参考）】

5F047

【Ｆターム（参考）】

5F047AA17

5F047BB11

5F047BB16

5F047CA00

5F047FA22

5F047FA72

5F047FA77

5F047FA83

5F047FA90

(57)【要約】

【課題】塗布されたペーストの形状変化を低減させることが可能な技術を提供することにある。
【解決手段】半導体製造装置は、ＵＶ硬化型のペーストが格納されるシリンジと前記シリンジの先端に設けられるノズルとを有するプリフォームヘッドと、第一のＵＶ照射ユニットと、前記ノズルから前記ペーストを半導体装置の部材の上に塗布した後、前記部材の上にダイをボンドする前に、前記塗布されたペーストに前記第一のＵＶ照射ユニットによってＵＶ照射するよう構成される制御部と、を備える。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＵＶ硬化型のペーストが格納されるシリンジと、前記シリンジの先端に設けられるノズルと、を有するプリフォームヘッドと、
第一のＵＶ照射ユニットと、
前記ノズルから前記ペーストを半導体装置の部材の上に塗布した後、前記部材の上にダイをボンドする前に、前記塗布されたペーストに前記第一のＵＶ照射ユニットによってＵＶ照射するよう構成される制御部と、
を備える半導体製造装置。

【請求項2】

請求項１の半導体製造装置において、
前記部材は基板に格子状に配置されて実装されている複数の半導体チップであり、
前記制御部は、前記複数の半導体チップのうちの一つの半導体チップにペーストを塗布した後、前記一つの半導体チップの次の半導体チップにペーストを塗布する前に、前記第一のＵＶ照射ユニットによって前記一つの半導体チップに塗布された前記ペーストにＵＶ照射するよう構成される半導体製造装置。

【請求項3】

請求項１の半導体製造装置において、
前記部材は基板に格子状に配置されて実装されている複数の半導体チップであり、
前記制御部は、前記基板の一列に実装されている前記複数の半導体チップにペーストを塗布した後、前記第一のＵＶ照射ユニットによって前記基板の一列に実装されている前記複数の半導体チップに塗布された前記ペーストにＵＶ照射するよう構成される半導体製造装置。

【請求項4】

請求項１の半導体製造装置において、
前記第一のＵＶ照射ユニットは、前記プリフォームヘッドに設けられる半導体製造装置。

【請求項5】

請求項１の半導体製造装置において、
前記第一のＵＶ照射ユニットは、ＵＶ光を照射する照明装置である半導体製造装置。

【請求項6】

請求項１の半導体製造装置において、
前記第一のＵＶ照射ユニットは、ＵＶの入った可視光を照射する照明装置である半導体製造装置。

【請求項7】

請求項６の半導体製造装置において、
さらに、カメラを備え、
前記制御部は、前記照明装置から前記ＵＶの入った可視光を前記ペーストに照射すると共に前記カメラによって前記ペーストを撮影する半導体製造装置。

【請求項8】

請求項１の半導体製造装置において、さらに、
ボンドヘッドと、
第二のＵＶ照射ユニットと、
を備え、
前記制御部は、前記ボンドヘッドによって前記部材にダイをボンドした後、前記ダイがボンドされた部材を搬出部に搬出する前に、前記第二のＵＶ照射ユニットによって前記部材に塗布された前記ペーストにＵＶ照射するよう構成される半導体製造装置。

【請求項9】

請求項８の半導体製造装置において、
前記第二のＵＶ照射ユニットは、ＵＶの入った可視光を照射する照明装置である半導体製造装置。

【請求項10】

請求項９の半導体製造装置において、
さらに、カメラを備え、
前記制御部は、前記照明装置から前記ＵＶの入った可視光を前記ペーストおよび前記ダイに照射すると共に前記カメラによって前記ダイを撮影する半導体製造装置。

【請求項11】

ＵＶ硬化型のペーストが格納されるシリンジと、前記シリンジの先端に設けられるノズルと、を有するプリフォームヘッドと、第一のＵＶ照射ユニットと、を備える半導体製造装置に基板を搬入する工程と、
前記ノズルから前記ペーストを前記基板または前記基板に実装された半導体チップの上に塗布した後、前記基板または前記半導体チップの上にダイをボンドする前に、前記塗布されたペーストに前記第一のＵＶ照射ユニットによってＵＶ照射する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は半導体製造装置に関し、例えば、樹脂ペーストを接合材料とするダイボンダに適用可能である。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハから分割されたダイがピックアップされ、ペーストが塗布された部材にピックアップされたダイがボンドされることがある。ここで、ペーストは液体状の接着剤であり、例えば、樹脂ペーストである。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２２－１５００４５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

塗布されたペーストの形状が変化することがある。

【0005】

本開示の課題は、塗布されたペーストの形状変化を低減させることが可能な技術を提供することにある。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。すなわち、半導体製造装置は、ＵＶ硬化型のペーストが格納されるシリンジと前記シリンジの先端に設けられるノズルとを有するプリフォームヘッドと、第一のＵＶ照射ユニットと、前記ノズルから前記ペーストを半導体装置の部材の上に塗布した後、前記部材の上にダイをボンドする前に、前記塗布されたペーストに前記第一のＵＶ照射ユニットによってＵＶ照射するよう構成される制御部と、を備える。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、塗布されたペーストの形状変化を低減させることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は実施形態におけるダイボンダの概略を示す上面図である。

【図2】図２は図１に示すダイ供給部の概略を示す断面図である。

【図3】図３は図１に示すプリフォーム部の概略を示す側面図である。

【図4】図４は図１に示すダイ供給部およびボンディング部の概略を示す側面図である。

【図5】図５は図１に示すダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図6】図６は実施形態における基板の構成例を示す上面図である。

【図7】図７はプリフォーム部の構成を示す側面図である。

【図8】図８はペーストが半導体チップの上に塗布された状態を示す上面図である。

【図9】図９はボンディング部の光学系を示す正面図である。

【図10】図１０は第一変形例におけるＵＶ照射ユニットを示す正面図である。

【図11】図１１は第二変形例におけるプリフォーム部の光学系を示す正面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

【0010】

半導体製造装置の一実施形態であるダイボンダの構成について図１から図４を用いて説明する。図１は実施形態におけるダイボンダの概略を示す上面図である。図２は図１に示すダイ供給部の概略を示す断面図である。図３は図１に示すプリフォーム部の概略を示す側面図である。図４は図１に示すダイ供給部およびボンディング部の概略を示す側面図である。

【0011】

図１に示すように、ダイボンダ１は、大別して、ダイ供給部１０と、プリフォーム部９０と、ボンディング部４０と、搬送部５０と、基板供給部６０と、基板搬出部７０と、制御部（制御装置）８０と、を有する。Ｙ２－Ｙ１方向がダイボンダ１の前後方向であり、Ｘ２－Ｘ１方向が左右方向であり、Ｚ１－Ｚ２方向が上下方向である。ダイ供給部１０がダイボンダ１の前側に配置され、ボンディング部４０が後側に配置される。

【0012】

図２に示すように、ダイ供給部１０は、ウエハＷを保持するウエハ保持台１２と、ウエハＷからダイＤを突き上げる突上げユニット１３と、ウエハ認識カメラ２４と、を有する。ウエハＷはダイシングテープＤＴ上に接着（貼付）されており、ウエハＷは複数のダイＤに分割されている。ダイシングテープＤＴはウエハリングＷＲに保持されている。ウエハＷは、例えば、ガラスウエハや半導体ウエハであり、ダイＤはガラスチップや半導体チップである。半導体チップは、例えば、ロジックチップやメモリチップ、イメージセンサチップ等である。

【0013】

ウエハ保持台１２は、ウエハリングＷＲを保持するエキスパンドリング１５と、ウエハリングＷＲに保持され複数のダイＤが接着されたダイシングテープＤＴを水平に位置決めする支持リング１７と、を有する。突上げユニット１３は支持リング１７の内側に配置される。制御部８０は、ウエハ保持台１２を図示しないウエハテーブルによってＸ１－Ｘ２方向およびＹ１－Ｙ２方向に移動し、ダイＤを突上げユニット１３の位置（ピックアップ位置）に動かす。

【0014】

ウエハ保持台１２は、ダイＤの突き上げ時に、ウエハリングＷＲを保持しているエキスパンドリング１５を下降させる。その結果、ウエハリングＷＲに保持されているダイシングテープＤＴが引き伸ばされダイＤの間隔が広がり、突上げユニット１３によりダイＤの下方よりダイＤを突き上げ、ダイＤのピックアップ性を向上させている。

【0015】

図３に示すように、プリフォーム部９０は、シリンジ９１と、シリンジ９１をＸ１－Ｘ２方向、Ｙ１－Ｙ２方向およびＺ１－Ｚ２方向に動かす駆動部（不図示）と、シリンジ９１の塗布位置等を認識するプリフォームカメラ９４と、を有する。プリフォーム部９０は搬送部５０によって搬送されてくる基板Ｓまたはその基板Ｓに実装された半導体チップＨＴにシリンジ９１でペーストを塗布する。シリンジ９１は内部にペーストが封入されており、空気圧によりペーストがノズル９２の先端から基板Ｓまたは基板Ｓに実装された半導体チップＨＴに押し出されて塗布されるように構成されている。ここで、基板Ｓおよび基板Ｓに実装された半導体チップＨＴを半導体装置の部材ともいう。半導体チップＨＴは、例えば、ロジックチップやメモリチップ、イメージセンサチップ等である。基板Ｓは、配線基板やリードフレーム等である。

【0016】

図４に示すように、ボンディング部４０は、ボンドヘッド４１と、Ｙ駆動部（不図示）と、基板認識カメラ４４と、を有する。ボンドヘッド４１はダイＤを先端に吸着保持するコレット４２を備える。Ｙ駆動部はボンドヘッド４１をＹ１－Ｙ２方向に移動させる。基板認識カメラ４４は基板Ｓの位置認識マーク（不図示）を撮像し、ボンド位置を認識する。ボンディング部４０は、ダイ供給部１０からダイＤをピックアップし、搬送されてくる基板Ｓまたはその基板Ｓに実装された半導体チップＨＴの上にボンドする。この際、ボンドヘッド４１は、ウエハ認識カメラ２４の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、ウエハＷからダイＤをピックアップする。そして、ボンドヘッド４１は、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板Ｓまたは基板Ｓに実装された半導体チップＨＴの上にダイＤをボンディングする。

【0017】

図１に示すように、搬送部５０は、基板Ｓが移動する搬送路としての搬送レーン５２を有する。このような構成によって、基板Ｓは、基板供給部６０から搬送レーン５２に沿って、塗布位置まで移動し、塗布後、ボンド位置まで移動し、ボンド後、基板搬出部７０まで移動して、基板搬出部７０に基板Ｓを渡す。

【0018】

制御部８０は、ダイボンダ１の上述した各部の動作を監視し制御するプログラム（ソフトウェア）を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置（ＣＰＵ）と、を備える。

【0019】

次に、実施形態におけるダイボンダを用いた半導体装置の製造方法について図５を用いて説明する。図５は図１に示すダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。ここでは、半導体チップＨＴが実装された基板Ｓにガラスチップで構成されるダイＤをボンドする例について説明する。以下の説明において、ダイボンダ１を構成する各部の動作は制御部８０により制御される。

【0020】

（ウエハ搬入工程：工程Ｓ１）
ウエハリングＷＲがダイボンダ１に供給される。供給されたウエハリングＷＲがダイ供給部１０に搬入される。ここで、ウエハリングＷＲにはウエハＷから分割されたダイＤが貼付されたダイシングテープＤＴが保持されている。

【0021】

（基板搬入工程：工程Ｓ２）
半導体チップＨＴが実装された基板Ｓがダイボンダ１の基板供給部６０に搬入される。搬入後、搬送部５０により基板Ｓがプリフォームステージ９６に搬送される。

【0022】

（プリフォーム工程：工程Ｓ３）
プリフォームカメラ９４により塗布前の基板Ｓに実装された半導体チップＨＴの表面の画像を取得してペーストＰＡを塗布すべき面を確認する。塗布すべき面に問題なければ、プリフォームステージ９６により支持された基板Ｓのペーストが塗布される位置が確認されて位置決めされる。位置決めはボンディング部４０と同様にパターンマッチングなどで行われる。

【0023】

基板Ｓに実装された半導体チップＨＴにシリンジ９１の先端のノズル９２からペーストＰＡが枠状（環状）に塗布される。ペーストＰＡは、例えば、紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤である。塗布後、プリフォームカメラ９４により塗布されたペーストＰＡが撮影される。撮影によって取得された画像に基づいてペーストＰＡが正確に塗布されているかどうかが確認されて、塗布されたペーストＰＡの検査（外観検査）が行われる。塗布に問題なければ、搬送部５０により基板Ｓがボンドステージ４６に搬送される。

【0024】

（ボンド工程：工程Ｓ４）
（ダイの位置決め）
工程Ｓ１後、所望するダイＤをウエハＷからピックアップできるようにウエハ保持台１２が動かされるウエハテーブルピッチ動作が行われる。ウエハ認識カメラ２４によりダイＤが撮影され、撮影により取得され画像データに基づいてダイＤの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダ１のダイ位置基準点からのウエハ保持台１２上のダイＤのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、ウエハ保持台１２の所定の位置を装置の初期設定として保持している。画像データが画像処理されることによって、ダイＤの表面検査が行われる。

【0025】

（基板の位置決め）
工程Ｓ３後、ボンドステージ４６上に載置された基板Ｓが基板認識カメラ４４により撮影され、画像データが取得される。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダ１の基板位置基準点からの基板Ｓのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出される。なお、基板位置基準点は、予め、ボンディング部４０の所定の位置を装置の初期設定として保持している。

【0026】

（ピックアップ＆ボンド）
ボンドヘッド４１をピックアップ対象のダイＤの直上まで平行移動および下降し、算出されたダイＤのずれ量からボンドヘッド４１の吸着位置が補正されてダイＤがコレット４２により真空吸着される。ウエハＷからダイＤを吸着したボンドヘッド４１によりボンドステージ４６上の基板Ｓに実装された半導体チップＨＴの所定箇所にダイＤがボンドされる。基板認識カメラ４４により半導体チップＨＴにボンドされたダイＤが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイＤが所望の位置にボンドされたかどうか等の検査を行う。

【0027】

（基板搬出工程：工程Ｓ５）
ダイＤがボンドされた基板Ｓが基板搬出部７０に搬送される。基板搬出部７０でダイＤがボンドされた基板Ｓを取り出す。ダイボンダ１から基板Ｓを搬出する。

【0028】

ペーストの塗布およびダイのボンドについて図６を用いて説明する。図６は実施形態における基板の構成例を示す上面図である。

【0029】

図６に示すように、基板Ｓには、最終的に一つのパッケージとなる、複数の製品エリア（以下、アタッチメント領域Ｐという。）が格子状に形成されている。また、各アタッチメント領域Ｐには半導体チップＨＴが実装されている。なお、以下では、アタッチメント領域Ｐは一列に四個、八列に配置される例について説明する。

【0030】

プリフォームステージ９６において、基板ＳのＸ１側およびＹ１側の一列目一行目（ＣＮ＝１、ＲＮ＝１）のアタッチメント領域ＰからＹ２方向に順次ペーストがシリンジ９１により半導体チップＨＴに塗布される。そして、Ｘ１側およびＹ２側の一列目四行目（ＣＮ＝１、ＲＮ＝４）のアタッチメント領域Ｐの半導体チップＨＴへのペーストの塗布後、基板Ｓを動かしＸ１側から二列目に表面検査および位置決めを行う。その後、Ｘ１側から二列目の最上の位置（一行目）（ＣＮ＝２、ＲＮ＝１）からＹ２方向に順次ペーストが塗布される。その後、同様に、三列目、四列目、・・・、八列目と塗布される。

【0031】

その後、ボンドステージ４６において、基板ＳのＸ１側およびＹ１側の一列目一行目（ＣＮ＝１、ＲＮ＝１）のアタッチメント領域ＰからＹ２方向に順次ダイＤがボンドヘッド４１により半導体チップＨＴにボンドされる。そして、Ｘ１側およびＹ２側の一列目四行目（ＣＮ＝１、ＲＮ＝４）のアタッチメント領域Ｐの半導体チップＨＴへのダイＤのボンド後、基板Ｓを動かしＸ１側から二列目の位置決めを行う。その後、Ｘ１側から二列目の最上の位置（一行目）（ＣＮ＝２、ＲＮ＝１）からＹ２方向に順次ダイＤがボンドされる。その後、同様に、三列目、四列目、・・・、八列目とダイＤがボンドされる。

【0032】

ＵＶ硬化型のペーストを塗布する場合、ダイＤのボンド後にＵＶ照射器を用いてペーストにＵＶ照射してペーストを硬化させる必要がある。例えば、プリフォームステージ９６において基板Ｓの全てのアタッチメント領域Ｐ（半導体チップＨＴ）にペーストが塗布された後、基板Ｓはボンドステージ４６に搬送されて、全てのアタッチメント領域Ｐ（半導体チップＨＴ）にダイＤがボンドされる。その後、ダイボンダ１から搬出されてＵＶ照射が行われる。

【0033】

基板Ｓの最初列（ＣＮ＝１）と最終列（ＣＮ＝８）でボンド後ＵＶ照射までの時間が大きく異なり、ダイＤの自重によりペーストの形状が変化することによる製品の品質悪化が懸念される。

【0034】

また、ダイＤのボンド後、ＵＶ照射がされる前に基板搬出部７０に基板Ｓの搬送が行われるため、搬送時の衝撃によって、ペーストＰＡとボンドされたダイＤがズレを起こす可能性がある。この搬送時の衝撃は搬送速度を遅くすることで回避することは可能であるが、生産性が低下する。

【0035】

そこで、本実施形態では、塗布後搬送前（ボンド前）およびボンド後搬送前の少なくとも一方においてＵＶ照射を行う。これについて図７から図９を用いて説明する。図７はプリフォーム部の構成を示す側面図である。図８はペーストが半導体チップの上に塗布された状態を示す上面図である。図９はボンディング部の光学系を示す正面図である。

【0036】

図７に示すように、プリフォーム部９０は、シリンジ９１、ノズル９２、ノズルホルダ９３、プリフォームステージ９６およびＵＶ照射ユニット（第一のＵＶ照射ユニット）９７を備える。シリンジ９１にはペーストが収容される。シリンジ９１の下部にノズル９２が設けられている。ノズル９２およびＵＶ照射ユニット９７はノズルホルダ９３に保持される。ＵＶ照射ユニット９７はノズル９２に対してＹ１側に配置される。ノズルホルダ９３は駆動部によってＸ１－Ｘ２方向、Ｙ１－Ｙ２方向およびＺ１－Ｚ２方向に動かされる。シリンジ９１、ノズル９２およびノズルホルダ９３によってプリフォームヘッドが構成される。ＵＶ照射ユニット９７がプリフォームヘッドに含まれてもよい。このような構成により、プリフォームステージ９６上においてペーストにＵＶ照射が可能である。これにより、ボンド前にペーストにＵＶ照射が可能になる。

【0037】

ＵＶ照射ユニット９７はＵＶスポット照明またはＵＶファイバーレーザを備える。図８に示すように、ＵＶ照射ユニット９７は平面視において環状のペーストＰＡの四隅をピンポイントでＵＶ照射する。ＵＶ照射ユニット９７は基板の１列または１タブ（一つのアタッチメント領域Ｐ）分にペーストが塗布された時点（タイミング）でＵＶ照射する。これにより、ペーストＰＡが仮硬化されて半導体チップＨＴに仮止めされ、ペースト垂れが防止される。

【0038】

図９に示すように、ボンディング部４０の光学系は、基板認識カメラ４４と、同軸照明装置４５および斜光照明装置４８の少なくとも一方と、を備える。同軸照明装置４５はダイＤおよびその周辺（ペーストＰＡ）に照明光を照射することが可能である。斜光照明装置４８は、二方向のバー斜光照明装置であり、ダイＤの二辺周辺のペーストＰＡに照明光を照射することが可能である。同軸照明装置４５および斜光照明装置４８の照明光は、可視光線および紫外線を含む。すなわち、同軸照明装置４５および斜光照明装置４８はＵＶ照射ユニット（第二のＵＶ照射ユニット）でもある。このような構成により、ボンドステージ４６上においてペーストにＵＶ照射が可能である。これにより、ボンド後搬送前にペーストにＵＶ照射が可能になる。同軸照明装置４５および斜光照明装置４８は照明のシャッタースピード等によって照射時間が変更可能である。これにより、ペーストの硬化タイミングが異なる製品においても対応が可能となる。

【0039】

ボンド工程において、ダイＤが半導体チップＨＴに塗布されたペーストＰＡの上に載置される。ダイＤが正しい位置にボンドされたかどうかを確認する外観検査において、基板認識カメラ４４がダイＤを撮影する際、同軸照明装置４５および斜光照明装置４８がダイＤを照明する。この照明において、ＵＶが照射され、ペーストＰＡが仮硬化されてダイＤが仮止めされる。これにより、ボンド後の搬送によるダＤのずれが防止されるので、搬送速度を早くすることが可能となる。

【0040】

なお、外観検査は基板の１列または１タブ（１パッケージエリア）分にダイＤがボンドされた時点（タイミング）で行われる。すなわち、同軸照明装置４５および斜光照明装置４８は基板の１列または１タブ（１パッケージエリア）分にダイＤがボンドされた時点（タイミング）でＵＶ照射する。

【0041】

本実施形態によれば、下記の一つまたは複数の効果を奏する。

【0042】

（ａ）ペースト塗布直後にＵＶ照射を実施し仮止めするので、経時変化（例えば、ペースト垂れ）が低減可能である。これにより、塗布精度の向上が可能になる。

【0043】

（ｂ）ダイをボンドした後にＵＶ照射を実施し仮硬化するので、搬送した際にダイずれを起こりにくくすることが可能である。これにより、ボンド精度の向上が可能になる。

【0044】

（ｃ）ＵＶ照射によってペーストの表面が硬化されることにより、ペーストを空気に晒す時間が短縮され、ペーストの変性が生じ難く接着力を保持出来る。

【0045】

（ｄ）基板１枚分の中で製品品質を向上（安定）させることが可能である。

【0046】

（ｅ）基板を搬送する速度の向上が可能である。

【0047】

（ｆ）基板の搬送速度の向上が可能であるため製品の生産性を向上させることが可能になる。

【0048】

＜変形例＞
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。

【0049】

（第一変形例）
実施形態では、ＵＶ照射ユニットを塗布装置に搭載する例を説明したが、ＵＶの入った可視光を照射する照明装置を使用してもよい。図１０は第一変形例におけるＵＶ照射ユニットを示す正面図である。

【0050】

プリフォーム部９０は、斜光照明装置９８を備える。斜光照明装置９８は、二方向のバー斜光照明装置であり、ペーストＰＡの二辺周辺にＵＶ光を照射する。すなわち、斜光照明装置９８はＵＶ照射ユニット（第一のＵＶ照射ユニット）である。斜光照明装置９８は照明のシャッタースピード等によって照射時間が変更可能である。これにより、ペーストの硬化タイミングが異なる製品においても対応が可能となる。

【0051】

（第二変形例）
実施形態では、ボンディング部４０の光学系が有する照明装置を用いてＵＶ照射する例を説明したが、プリフォーム部９０の光学系が有する照明装置を用いてＵＶ照射するしてもよい。図１１は第二変形例におけるプリフォーム部の光学系を示す正面図である。

【0052】

プリフォーム部９０の光学系は、プリフォームカメラ９４と、同軸照明装置９５および斜光照明装置９８の少なくとも一方と、を備える。同軸照明装置９５はペーストＰＡに照明光を照射することが可能である。斜光照明装置９８は、二方向のバー斜光照明装置であり、ペーストＰＡの二辺周辺に照明光を照射することが可能である。同軸照明装置９５および斜光照明装置９８はＵＶの入った可視光を照射する。すなわち、同軸照明装置９５および斜光照明装置９８はＵＶ照射ユニット（第一のＵＶ照射ユニット）でもある。同軸照明装置９５および斜光照明装置９８は照明のシャッタースピード等によって照射時間が変更可能である。これにより、ペーストの硬化タイミングが異なる製品においても対応が可能となる。

【0053】

プリフォーム工程において、半導体チップＨＴにペーストＰＡが塗布される。ペーストＰＡが正しい位置に正しい形状で塗布されたかどうかを確認する外観検査において、プリフォームカメラ９４がペーストＰＡを撮影する際、同軸照明装置９５および斜光照明装置９８がペーストＰＡを照明する。この照明において、ＵＶが照射され、ペーストＰＡが仮止めされる。これにより、経時変化（例えば、ペースト垂れ）が低減可能であるので、塗布精度の向上が可能になる。

【0054】

なお、外観検査は基板の１列または１タブ（１パッケージエリア）分にダイＤがボンドされた時点（タイミング）で行われる。すなわち、同軸照明装置９５および斜光照明装置９８は基板の１列または１タブ（１パッケージエリア）分にダイＤがボンドされた時点（タイミング）でＵＶ照射する。

【0055】

以上、本開示者らによってなされた開示を実施形態に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

【0056】

例えば、実施形態では、半導体チップＨＴの上にペーストＰＡを環状に塗布する例を説明したが、半導体チップＨＴの上にペーストＰＡを環状以外（例えば、Ｘ字状やＺ字状）に塗布してもよい。

【0057】

また、実施形態では、半導体チップＨＴの上にペーストＰＡを塗布する例を説明したが、半導体チップＨＴの上に半導体ウエハから分割された半導体チップ（ダイ）を積層するようにしてもよい。

【0058】

また、実施形態では、半導体チップＨＴの上にペーストＰＡを塗布する例を説明したが、基板Ｓの上にペーストＰＡを塗布してもよい。この場合、基板Ｓの上に半導体チップがボンドされる。

【0059】

また、実施形態では、ボンドヘッド４１でダイ供給部１０からピックアップしたダイＤを基板Ｓに実装された半導体チップＨＴにボンドする例を説明した。ダイ供給部１０とボンディング部４０との間に中間ステージ部を設け、ピックアップヘッドでダイ供給部１０からピックアップしたダイＤを中間ステージに載置し、ボンドヘッド４１で中間ステージから再度ダイＤをピックアップし、基板Ｓに実装された半導体チップＨＴにボンドするようにしてもよい。

【符号の説明】

【0060】

１・・・ダイボンダ（半導体製造装置）
８０・・・制御部
９１・・・シリンジ
９２・・・ノズル
９７・・・ＵＶ照射ユニット（第一のＵＶ照射ユニット）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】