特開 2024-111795 基板支持装置の組立方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024111795

(43)【公開日】2024-08-19

(54)【発明の名称】基板支持装置の組立方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240809BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240809BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240809BHJP

   C04B 37/00 20060101ALI20240809BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20240809BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/302 101L

H01L21/302 101G

H01L21/31 B

C04B37/00 Z

C23C16/458

【審査請求】有

【請求項の数】9

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023146183

(22)【出願日】2023-09-08

(31)【優先権主張番号】10-2023-0015781

(32)【優先日】2023-02-06

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】316008145

【氏名又は名称】ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＷＯＮＩＫ ＩＰＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】７５，Ｊｉｎｗｉｓａｎｄａｎ－ｒｏ，Ｊｉｎｗｉ－ｍｙｅｏｎ，Ｐｙｅｏｎｇｔａｅｋ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，１７７０９，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】チョ、キュ テ

【テーマコード（参考）】

4G026

4K030

5F004

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4G026BA16

4G026BB01

4G026BH13

4K030GA02

5F004AA16

5F004BB22

5F004BB28

5F004BB29

5F004BD04

5F045EM09

5F131AA02

5F131BA03

5F131BA19

5F131CA09

5F131CA17

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA03

5F131EB11

5F131EB16

5F131EB17

5F131EB18

5F131EB78

5F131EB79

(57)【要約】      （修正有）

【課題】ロッドの酸化を防止して工程条件の変更をもたらさない基板支持装置の組立方法を提供する。
【解決手段】基板支持装置１３０の組立方法は、基板を支持するための基板支持台１３２内に設置された電極１３３に導電性のロッド１６０を結合するステップと、ロッド上に犠牲層を形成するステップと、ロッドと電極との間の結合部位に、充填材を溶かして浸透させ、ロッドと電極を接合しながら、ロッドと犠牲層との間にも充填材を浸透させ、ロッドと犠牲層との間に充填材で保護層１６４を形成するステップと、ロッドが貫通されるシャフト１３５を基板支持台に結合するステップとを含む。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を支持するための基板支持台内に設置された電極に導電性ロッドを結合するステップと、
前記ロッド上に犠牲層を形成するステップと、
前記ロッドと前記電極との間の結合部位に、充填材を溶かして浸透させ、前記ロッドと前記電極を接合しながら、前記ロッドと前記犠牲層との間にも前記充填材を浸透させ、前記ロッドと前記犠牲層との間に前記充填材で保護層を形成するステップと、
前記ロッドが貫通されるシャフトを前記基板支持台に結合するステップと、を含む、
基板支持装置の組立方法。

【請求項2】

前記保護層を形成するステップの後に、前記犠牲層を除去するステップを含む、請求項１に記載の基板支持装置の組立方法。

【請求項3】

前記犠牲層はセラミック材質を含む、請求項１に記載の基板支持装置の組立方法。

【請求項4】

前記犠牲層はＡｌ_２Ｏ_３層を含む、請求項３に記載の基板支持装置の組立方法。

【請求項5】

前記充填材は、前記保護層が耐酸化性を有するように、酸素と反応しない貴金属（ｎｏｂｌｅ ｍｅｔａｌ）を含む、請求項１に記載の基板支持装置の組立方法。

【請求項6】

前記充填材は、ＡｕまたはＡｕ合金を含む、請求項５に記載の基板支持装置の組立方法。

【請求項7】

前記ロッドは、誘導加熱の発生を抑制するように、常磁性体であるモリブデン（Ｍｏ）材質を含む、請求項１に記載の基板支持装置の組立方法。

【請求項8】

前記保護層を形成するステップで前記充填材を溶かして浸透させる工程は、ブレージング工程を用い、
前記ブレージング工程の温度は、前記充填材の溶融温度よりも高い、請求項１に記載の基板支持装置の組立方法。

【請求項9】

前記電極は、ＲＦ電極または静電電極を含む、請求項１に記載の基板支持装置の組立方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体製造装置に関し、より詳細には、基板支持装置の組立方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子を製造するためには、真空雰囲気の基板処理装置で各種基板処理工程が行われる。例えば、工程チャンバ内に基板をロードし、基板上に薄膜を蒸着するか、または薄膜をエッチングするなどの工程が行われ得る。ここで、基板は工程チャンバ内に設置された基板支持装置によって支持され、その内部には、基板上にＲＦ電流を誘導するか、または基板に静電気力を提供するための電極が設置され得る。

【0003】

このような電極には、電力の伝達のためのロッドが組み立てられ得る。ロッドが電極に結合される際には、接触抵抗を下げるために、高温で充填材を充填して接合する工程が付加され得る。最近、ロッドの誘導加熱による発熱を抑制するために、ロッドの材質を変更する研究が進められている。

【0004】

しかし、使用中にロッドの酸化により、抵抗値が変化するか、またはインピーダンスが変更される問題が発生している。ロッドの酸化を防ぐために、表面コーティングなどが適用され得るが、前述した高温の接合過程でコーティングが部分的に溶けたり、割れたりする現象が生じ、酸化を防ぐことができず工程条件が変更される問題が発生している。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明は、上記のような問題点を含めて種々の問題点を解決するためのものであって、本発明の一つの課題は、ロッドの酸化を防止して工程条件の変更をもたらさない基板支持装置の組立方法を提供しようとする。しかし、このような課題は例示的なものであって、これによって本発明の範囲が限定されるものではない。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するための本発明の一態様に係る基板支持装置の組立方法は、基板を支持するための基板支持台内に設置された電極に導電性ロッドを結合するステップと、前記ロッド上に犠牲層を形成するステップと、前記ロッドと前記電極との間の結合部位に、充填材を溶かして浸透させ、前記ロッドと前記電極を接合しながら、前記ロッドと前記犠牲層との間にも前記充填材を浸透させ、前記ロッドと前記犠牲層との間に前記充填材で保護層を形成するステップと、前記ロッドが貫通されるシャフトを前記基板支持台に結合するステップとを含む。

【0007】

前記基板支持装置の組立方法によれば、前記保護層を形成するステップの後に、前記犠牲層を除去するステップを含むことができる。

【0008】

前記基板支持装置の組立方法によれば、前記犠牲層はセラミック材質を含むことができる。

【0009】

前記基板支持装置の組立方法によれば、前記犠牲層はＡｌ_２Ｏ_３層を含むことができる。

【0010】

前記基板支持装置の組立方法によれば、前記充填材は、前記保護層が耐酸化性を有するように、酸素と反応しない貴金属（ｎｏｂｌｅ ｍｅｔａｌ）を含むことができる。

【0011】

前記基板支持装置の組立方法によれば、前記充填材は、ＡｕまたはＡｕ合金を含むことができる。

【0012】

前記基板支持装置の組立方法によれば、前記ロッドは、誘導加熱の発生を抑制するように、常磁性体であるモリブデン（Ｍｏ）材質を含むことができる。

【0013】

前記基板支持装置の組立方法によれば、前記保護層を形成するステップで前記充填材を溶かして浸透させる工程は、ブレージング工程を用い、前記ブレージング工程の温度は、前記充填材の溶融温度よりも高くすることができる。

【0014】

前記基板支持装置の組立方法によれば、前記電極は、ＲＦ電極または静電電極を含むことができる。

【発明の効果】

【0015】

前記のようになされた本発明の一部の実施例に係る基板支持装置の組立方法によれば、ロッド上に保護層を均一に形成することで、ロッドの酸化を防止して工程条件の変更をもたらさず、工程の信頼性を向上させることができる。もちろん、このような効果によって本発明の範囲が限定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】本発明の一実施例に係る基板支持装置の組立方法を示す概略的な断面図である。

【図2】本発明の一実施例に係る基板支持装置の組立方法を示す概略的な断面図である。

【図3】本発明の一実施例に係る基板支持装置の組立方法を示す概略的な断面図である。

【図4】本発明の一実施例に係る基板支持装置の組立方法を示す概略的な断面図である。

【図5】本発明の一実施例に係る基板支持装置の組立方法を示す概略的な断面図である。

【図6】本発明の一実施例に係る基板支持装置の組立方法を示す概略的な断面図である。

【図7】本発明の他の実施例に係る基板処理装置を示す概略的な断面図である。

【図8】比較例において、ブレージング工程中に保護層が溶け出すことを示す写真である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい様々な実施例を詳細に説明する。

【0018】

本発明の実施例は、当該技術分野における通常の知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものであり、下記の実施例は様々な他の形態に変形可能であり、本発明の範囲が下記の実施例に限定されるものではない。むしろ、これらの実施例は、本開示をさらに充実かつ完全にし、当業者に本発明の思想を完全に伝達するために提供されるものである。また、図面において各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されたものである。

【0019】

図１乃至図６は、本発明の一実施例に係る基板支持装置１３０の組立方法を示す概略的な断面図である。図２乃至図５は、基板支持装置１３０における一部分を拡大した部分拡大図であり得る。

【0020】

図１を参照すると、基板Ｓを支持するための基板支持台１３２が提供され得る。例えば、基板支持台１３２の上面には載置溝１３４が形成され、この載置溝１３４に基板Ｓが載置され得る。基板支持台１３２は、基板Ｓの形状に応じて様々な形状に形成され得、例えば、基板Ｓがウエハ状である場合、基板支持台１３２は円板状に形成されてもよい。

【0021】

基板支持台１３２内には少なくとも１つの導電性電極１３３が設置され得る。例えば、電極１３３は、基板Ｓに静電気力を印加するための静電電極を含むか、または基板支持台１３２にＲＦ電流が流れ得るように機能するＲＦ電極を含むことができる。その他に、基板支持台１３２内には、基板Ｓを加熱するための熱線ヒータ（図示せず）がさらに形成され得る。

【0022】

一部の実施例において、基板支持台１３２は、セラミック材質、例えばＡｌＮ材質を含むことができる。

【0023】

図２を参照すると、基板支持台１３２内に設置された電極１３３にロッド１６０を結合することができる。例えば、電極１３３の結合部位にはねじ溝が形成されており、ロッド１６０の結合部位にはねじ山が形成され、電極１３３とロッド１６０は螺合方式で互いに締結されてもよい。他の例として、電極１３３の結合部位には溝が形成され、ロッド１６０は、この溝に圧入されて電極１３３と結合されてもよい。

【0024】

図３を参照すると、ロッド１６０上に犠牲層１６２を形成することができる。犠牲層１６２は、ロッド１６０を囲むように全体的に形成されるが、ロッド１６０と犠牲層１６２との間には微細な隙間があり得る。したがって、犠牲層１６２は、ロッド１６０と完全に接着されずに、ある程度の隙間を形成する物質及び／又は方法で形成され得る。

【0025】

例えば、犠牲層１６２は、セラミック材質を含むことができ、例えばＡｌ_２Ｏ_３層を含むことができる。セラミック材質の犠牲層１６２は、ロッド１６０の酸化を防止することができ、ロッド１６０上にコーティング方法で容易に形成することができる。例えば、犠牲層１６２は、溶射コーティング、蒸発蒸着などの様々な方式で形成されてもよい。但し、ロッド１６０がモリブデン（Ｍｏ）材質である場合、モリブデン材質のロッド１６０とセラミック材質１６２の犠牲層１６２との熱膨張係数の差が大きいため、犠牲層１６２がロッド１６０上に残留し続けるのは難しく、一定時点後に除去される必要がある。

【0026】

図４を参照すると、ロッド１６０と電極１３３との間の結合部位に、充填材（ｆｉｌｌｅｒ）５０を溶かして浸透させ、ロッド１６０と電極１３３を接合させることができる。このような接合工程は、ロッド１６０と電極１３３との間の機械的結合力を高めるだけでなく、ロッド１６０と電極１３３との間の接合面積を広くして、ロッド１６０と電極１３３との間の電気的な接触抵抗を下げる機能をすることができる。

【0027】

溶融された充填材５０は、毛細管現象によってロッド１６０と電極１３３との接合部位に浸透して凝固し、両者間を接合させることができる。したがって、充填材５０は、溶融状態で毛細管現象が現れるほどに流動性を有する必要があり、電気伝導度が高いことが要求され得る。

【0028】

さらに、ロッド１６０と犠牲層１６２との間にも充填材５０を浸透させ、ロッド１６０と犠牲層１６２との間に充填材５０で保護層１６４を形成することができる。したがって、保護層１６４は、溶融された充填材５０がロッド１６０と犠牲層１６２との間に毛細管現象によって浸透した後、凝固して形成され得る。

【0029】

保護層１６４は、ロッド１６０を保護するためのものであって、例えば、ロッド１６０の酸化を防止するために耐酸化性が要求され得る。これによって、保護層１６４の材質となる充填材５０は、酸素又は窒素と反応しない耐化学性が要求され得る。例えば、充填材５０は、保護層１６４が耐酸化性を有するように、酸素と反応しない貴金属（ｎｏｂｌｅ ｍｅｔａｌ）を含むことができる。

【0030】

一部の実施例において、充填材５０は、ＡｕまたはＡｕ合金を含むことができ、保護層１６４は、ＡｕまたはＡｕ合金層で構成されてもよい。例えば、充填材５０として使用されるＡｕ合金は、濡れ性（ｗｅｔｔａｂｉｌｉｔｙ）の観点で、７０％以上のＡｕにＮｉ成分を含むことができる。電気伝導度、濡れ性、耐酸化性などを全般的に考慮すると、充填材５０は、高純度のＡｕが選択され得、経済性などを考慮すると、Ａｕ合金が考慮されてもよい。

【0031】

一部の実施例において、充填材５０を溶融させてロッド１６０と電極１３３との間に浸透させるか、またはロッド１６０と犠牲層１６２との間に浸透させる工程は、ブレージング（ｂｒａｚｉｎｇ）工程を用いることができる。ブレージング工程の温度は、充填材を溶融させるために、充填材の溶融温度よりも高くすることができる。例えば、充填材５０の溶融温度は、１０００℃以上であり、これによって、ブレージング工程の温度は、１０００℃以上、例えば、約１２００℃であってもよい。一方、ブレージング工程で充填材５０は、フィラー又は溶加材とも呼ぶことができる。

【0032】

一部の実施例において、ロッド１６０は、誘導加熱の発生を抑制するように、常磁性体であるモリブデン（Ｍｏ）材質を含むことができる。例えば、ロッド１６０が強磁性体であるニッケル（Ｎｉ）材質である場合、ロッド１６０がＲＦ電力使用雰囲気で誘導加熱され得る。但し、モリブデン（Ｍｏ）は、３００℃以上の温度で酸化し得、特に６００℃以上の温度で、比抵抗が非常に高いＭｏＯ３酸化物を形成し得る。

【0033】

このようなモリブデン（Ｍｏ）の酸化は、ロッド１６０の抵抗の変化及び／又はインピーダンスの変化をもたらすことがある。保護層１６４は、このようなモリブデン（Ｍｏ）を含むロッド１６０の耐酸化膜として機能することができる。

【0034】

前記のように、充填材５０は、ロッド１６０と電極１３３との間の接合材として使用され、同時に、ロッド１６０と犠牲層１６２との間の保護層１６４として使用され得る。充填材５０が毛細管現象によってロッド１６０と犠牲層１６２との間に均一に浸透することで、保護層１６４はロッド１６０上に均一に形成され得る。

【0035】

もし、犠牲層１６２がロッド１６０上にない場合、ブレージング工程においてロッド１６０上に保護層１６４が均一に形成されにくい。また、図８に示されたように、比較例において、犠牲層１６２なしにロッド１６０上に他の方法で保護層１６４が先に形成された後、ブレージング工程が行われる場合、ブレージング工程の間に保護層１６４が溶け出して不均一になり得る。

【0036】

図５を参照すると、犠牲層１６２が除去され、ロッド１６０上に保護層１６４が残ることができる。例えば、犠牲層１６２は、湿式エッチングなどの様々な方法で除去されてもよい。

【0037】

図６を参照すると、基板支持台１３２にシャフト１３５を結合することができる。例えば、シャフト１３５は、基板支持台１３２の下面に結合され得、ロッド１６０は、シャフト１３５の内部を貫通するように配置され得る。例えば、シャフト１３５の内部には孔が形成され、ロッド１６０は、シャフト１３５のこの孔内に配置され得る。

【0038】

前述にしたがって、基板支持装置１３０が製造または組み立てられ得る。例えば、基板支持装置１３０は、基板Ｓを支持するための基板支持台１３２と、基板支持台１３２に結合されるシャフト１３５とを含むことができる。基板支持台１３２内には電極１３３が配置され、電力を供給するためのロッド１６０がシャフト１３５を貫通して電極１３３に結合され得る。ロッド１６０には電力供給装置などが接続され得る。

【0039】

図７は、本発明の他の実施例に係る基板処理装置１００を示す概略的な断面図である。

【0040】

図７を参照すると、基板処理装置１００は、工程チャンバ１１０、ガス噴射部１２０、及び基板支持装置１３０を含むことができる。

【0041】

工程チャンバ１１０の内部には、基板Ｓの処理のための反応空間１１２が形成され得る。例えば、工程チャンバ１１０は、気密を維持するように構成され、反応空間１１２内の工程ガスを排出し、反応空間１１２内の真空度を調節するように、排気ポート１１４を介して真空ポンプ（図示せず）に連結され得る。

【0042】

ガス噴射部１２０は、工程チャンバ１１０の外部から供給された工程ガスを反応空間１１２に供給するように工程チャンバ１１０に設置され得る。ガス噴射部１２０は、基板支持台１３２上に載置された基板Ｓに工程ガスを噴射するように、工程チャンバ１１０の上部に基板支持台１３２に対向して設置され得る。ガス噴射部１２０は、ガス流入ライン１２６と連結されたガス流入口１２２を介して、外部から工程ガスの供給を受けることができ、基板Ｓ上に工程ガスを噴射するために、基板Ｓに対向する下方に形成された複数の噴射孔を含むことができる。

【0043】

例えば、ガス噴射部１２０は、シャワーヘッド（ｓｈｏｗｅｒ ｈｅａｄ）の形態、ノズル（ｎｏｚｚｌｅ）の形態などの様々な形態を有することができる。ガス噴射部１２０がシャワーヘッドの形態である場合、ガス噴射部１２０は、工程チャンバ１１０の上部を部分的に覆う形態で工程チャンバ１１０に結合され、噴射板１２４を介して反応空間１１２に工程ガスを噴射することができる。例えば、ガス噴射部１２０が工程チャンバ１１０の蓋の形態で蓋部または側壁部に結合されてもよい。

【0044】

基板支持装置１３０は、基板Ｓを支持するために提供され得る。基板支持装置１３０は、図６の説明を参照することができる。

【0045】

プラズマ電源部１４０は、工程チャンバ１１０の内部にプラズマ雰囲気を形成するための電力を供給するようにガス噴射部１２０に接続され得る。例えば、プラズマ電源部１４０は、工程チャンバ１１０に少なくとも１つのＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電力を印加するように、少なくとも１つのＲＦ電源を含むことができる。例えば、プラズマ電源部１４０は、ガス噴射部１２０にＲＦ電力を印加するように接続され得る。この場合、ガス噴射部１２０は、電源供給電極または上部電極と呼ばれることもできる。

【0046】

付加的に、インピーダンスマッチング部１４６は、インピーダンスマッチングのために、プラズマ電源部１４０とガス噴射部１２０との間に配置され得る。プラズマ電源部１４０から供給されたＲＦ電力は、プラズマ電源部１４０と工程チャンバ１１０との間でインピーダンスマッチング部１４６を介して適切にインピーダンスマッチングが行われてこそ、工程チャンバ１１０から反射されて戻ってくることなく工程チャンバ１１０に効果的に伝達され得る。

【0047】

基板支持装置１３０の基板支持台１３２は、その内部に電極１３３を含むことができる。電極１３３は、静電力電源供給部１５０と接続されて基板Ｓに静電気力を印加するのに用いられるか、及び／又はプラズマ電流制御回路部１７０に接続されて基板Ｓ上にＲＦ電流が流れるようにすることができる。

【0048】

例えば、静電力電源供給部１５０は、電極１３３にＤＣ電力を供給するようにＤＣ電源１５２を含むことができる。例えば、ＤＣ電源１５２は、その一端が接地部に接続され、他端が電極１３３に電気的に接続されるように設置されてもよい。

【0049】

付加的に、静電力電源供給部１５０は、電極１３３を通じたＲＦ電流がＤＣ電源１５２に引き込まれることを遮断するために、電極１３３とＤＣ電源１５２との間に配置されたＤＣフィルター１５５を含むことができる。ＤＣフィルター１５５は、ＲＦ電流は遮断しつつ、ＤＣ電流は通過させるように、様々な形態で構成され得る。

【0050】

プラズマ電流制御回路部１７０は、基板Ｓ上に流れるプラズマ電流を制御するために、基板支持台１３２に接続され得る。例えば、プラズマ電流制御回路部１７０は、ガス噴射部１２０と基板支持台１３２との間のプラズマ雰囲気を制御するために、基板支持台１３２内の電極１３３に接続され得る。

【0051】

このようなプラズマ電流制御回路部１７０は、プラズマ電源部１４０と工程チャンバ１１０との間にインピーダンスマッチングが行われた状態を前提として、工程チャンバ１１０の側壁上へのＲＦ電流と、基板支持台１３２又は基板Ｓ上へのＲＦ電流との比を制御して、基板Ｓ上のプラズマ特性を制御するためのものであって、プラズマ電源部１４０と工程チャンバ１１０との間のインピーダンスマッチングのためのインピーダンスマッチング部１４６とは区分され得る。

【0052】

プラズマ電流制御回路部１７０は、内部に電流の制御のための素子１７２を含むことができ、例えば、素子１７２は、ＲＦ電流を通過させるための少なくとも１つのＲＦフィルターと、ＤＣ電流を遮断するための少なくとも１つのＤＣ遮断素子とを含むことができる。ＤＣ遮断素子は、ＲＦフィルターと別途に提供されてもよく、それだけでなく、ＲＦフィルター内の一部の素子を含むこともできる。

【0053】

図７には、電極１３３に静電力電源供給部１５０とプラズマ電流制御回路部１７０が共有で接続された構造を示しているが、一部の実施例において、電極１３３は静電力電源供給部１５０にのみ接続されるか、またはプラズマ電流制御回路部１７０にのみ接続されてもよい。

【0054】

基板処理装置１００は、プラズマ強化化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）装置、または原子層蒸着（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）装置として用いられ得る。

【0055】

前述した基板処理装置１００によれば、基板支持装置１３０内のロッド１６０の酸化を保護層１６４により防止して、基板支持装置１３０の抵抗の変化及びインピーダンスの変化を防止し、工程の信頼性を高めることができる。

【0056】

本発明は、図面に示された実施例を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、これから様々な変形及び均等な他の実施例が可能であるということが理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲の技術的思想によって定められなければならない。

【符号の説明】

【0057】

１００ 基板処理装置
１１０ 工程チャンバ
１２０ ガス噴射部
１３０ 基板支持装置
１３２ 基板支持台
１３３ 電極
１３５ シャフト

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】