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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024111974
(43)【公開日】2024-08-20
(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板搬送方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/677 20060101AFI20240813BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023016755
(22)【出願日】2023-02-07
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】我妻 雄一郎
(72)【発明者】
【氏名】森下 さくら
(72)【発明者】
【氏名】中村 麻由子
(72)【発明者】
【氏名】渡邊 将久
【テーマコード（参考）】
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131BA01
5F131BA19
5F131CA12
5F131DA32
5F131DA33
5F131DA42
5F131DB02
5F131DB52
5F131DB57
5F131DB72
5F131DB76
5F131DB82
5F131DD42
5F131DD82
5F131DD86
5F131HA09
5F131HA12
5F131HA13
5F131JA07
5F131JA08
5F131JA09
5F131JA12
5F131JA33
5F131KA06
5F131KA22
5F131KA55
5F131KA72
(57)【要約】 （修正有）
【課題】真空搬送室内で酸化するのを抑制する。
【解決手段】ウェハ処理装置１は、真空処理室４１１～４１６内の基板Ｗを処理する複数の処理モジュール４０１～４０６、ロードロック室１２ａ、１３ａ及び真空処理室及びロードロック室とゲートバルブＧ５１～Ｇ５６を介して接続される真空搬送室３１を有し、基板搬送機構により、真空処理室及びロードロック室に対し、真空搬送室との間での基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュール３０と、真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口３４１～３４４と、真空搬送室内のガスを排出する排気口３３１～３３４と、給気口に接続されたガス供給機構及び排気口に接続された排気機構を制御し、不活性ガスの流れを形成する制御部と、を備える。制御部は、真空処理室から真空搬送室に搬出された直後の基板の位置が、平面視で不活性ガスの流れの上流になるように、ガス供給機構及び排気機構を制御する。
【選択図】図１
【解決手段】ウェハ処理装置１は、真空処理室４１１～４１６内の基板Ｗを処理する複数の処理モジュール４０１～４０６、ロードロック室１２ａ、１３ａ及び真空処理室及びロードロック室とゲートバルブＧ５１～Ｇ５６を介して接続される真空搬送室３１を有し、基板搬送機構により、真空処理室及びロードロック室に対し、真空搬送室との間での基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュール３０と、真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口３４１～３４４と、真空搬送室内のガスを排出する排気口３３１～３３４と、給気口に接続されたガス供給機構及び排気口に接続された排気機構を制御し、不活性ガスの流れを形成する制御部と、を備える。制御部は、真空処理室から真空搬送室に搬出された直後の基板の位置が、平面視で不活性ガスの流れの上流になるように、ガス供給機構及び排気機構を制御する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
真空処理室を有し、前記真空処理室内の基板に対して真空雰囲気下で処理を行う複数の処理モジュールと、
室内を真空雰囲気の空間と常圧雰囲気の空間との間で切り替えられるように構成されたロードロック室と、
前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室と仕切弁を介して接続される真空搬送室を有し、基板搬送機構により、前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室に対し、前記真空搬送室との間での前記基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュールと、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口と、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内のガスを排出する排気口と、
前記給気口に接続されたガス供給機構及び前記排気口に接続された排気機構を制御し、前記真空搬送室内に前記不活性ガスの流れを形成する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われ前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出された直後の前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流になるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、基板処理装置。
室内を真空雰囲気の空間と常圧雰囲気の空間との間で切り替えられるように構成されたロードロック室と、
前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室と仕切弁を介して接続される真空搬送室を有し、基板搬送機構により、前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室に対し、前記真空搬送室との間での前記基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュールと、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口と、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内のガスを排出する排気口と、
前記給気口に接続されたガス供給機構及び前記排気口に接続された排気機構を制御し、前記真空搬送室内に前記不活性ガスの流れを形成する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われ前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出された直後の前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流になるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、基板処理装置。
【請求項2】
前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が前記真空搬送室内に位置する間、前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流になり続けるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が、前記真空搬送室内を前記基板搬送機構により移動中に、前記不活性ガスの流れが切り替わるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板を前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出する際、前記複数の前記給気口のうち、当該処理モジュールの前記仕切弁から近い給気口が用いられる、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記排気口を複数備える、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板を前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出する際、前記複数の前記排気口のうち、当該処理モジュールの前記仕切弁から遠い排気口が用いられる、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
平面視で前記基板搬送機構を間に挟んで互い対向する前記給気口及び前記排気口を用いて、前記不活性ガスの流れが形成される、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記不活性ガスは、窒素ガスである、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記排気口は、前記真空搬送室における搬送時の前記基板の位置より下側に設けられる、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記給気口は、前記真空搬送室における搬送時の前記基板の位置より上側に設けられる、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項11】
基板処理装置内で基板を搬送する基板搬送方法であって、
前記基板処理装置は、
真空処理室を有し、前記真空処理室内の前記基板に対して真空雰囲気下で処理を行う複数の処理モジュールと、
室内を真空雰囲気と常圧雰囲気との間で切り替えられるように構成されたロードロック室と、
前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室と仕切弁を介して接続される真空搬送室を有し、基板搬送機構により、前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室に対し、前記真空搬送室との間での前記基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュールと、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口と、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内のガスを排出する排気口と、を有し、
当該基板搬送方法は、
前記真空搬送室内に前記不活性ガスの流れを形成した状態で、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板を、前記真空搬送室内で搬送する工程を含み、
前記搬送する工程において、前記処理モジュールにより前記処理が行われ前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出された直後の前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流とされる、基板搬送方法。
前記基板処理装置は、
真空処理室を有し、前記真空処理室内の前記基板に対して真空雰囲気下で処理を行う複数の処理モジュールと、
室内を真空雰囲気と常圧雰囲気との間で切り替えられるように構成されたロードロック室と、
前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室と仕切弁を介して接続される真空搬送室を有し、基板搬送機構により、前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室に対し、前記真空搬送室との間での前記基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュールと、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口と、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内のガスを排出する排気口と、を有し、
当該基板搬送方法は、
前記真空搬送室内に前記不活性ガスの流れを形成した状態で、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板を、前記真空搬送室内で搬送する工程を含み、
前記搬送する工程において、前記処理モジュールにより前記処理が行われ前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出された直後の前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流とされる、基板搬送方法。
【請求項12】
前記搬送する工程において、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が前記真空搬送室内に位置する間、前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流とされ続ける、請求項１１に記載の基板搬送方法。
【請求項13】
前記搬送する工程において、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が、前記真空搬送室内を前記基板搬送機構により移動中に、前記不活性ガスの流れが切り替えられる、請求項１２に記載の基板搬送方法。
【請求項14】
前記基板処理装置は、前記排気口を複数備え、
前記搬送する工程における前記不活性ガスの流れの形成に、平面視で前記基板搬送機構を間に挟んで互いに対向する前記給気口及び前記排気口が用いられる、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の基板搬送方法。
前記搬送する工程における前記不活性ガスの流れの形成に、平面視で前記基板搬送機構を間に挟んで互いに対向する前記給気口及び前記排気口が用いられる、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の基板搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置及び基板搬送方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１に開示の真空処理装置は、真空雰囲気下で基板に対して処理を行う真空処理室を含む処理モジュールと、真空雰囲気と常圧雰囲気との間で雰囲気を切り替えるためのロードロック室と、真空処理室とロードロック室との間に仕切り弁を介して設けられ、基板搬送機構により真空処理室とロードロック室との間で基板が搬送される真空搬送室と、を備える。さらに、上記真空処理装置は、上記処理が行われた処理済みの基板の搬送領域に沿って、当該搬送領域の幅全体に亘って、基板の被処理面側に不活性ガスを供給するように真空搬送室に設けられる不活性ガス供給部と、真空搬送室に設けられた排気口と、をさらに備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－４８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、基板搬送機構により真空雰囲気下で基板を搬送する真空搬送モジュールの真空搬送室に仕切弁を介して処理モジュールの真空処理室が接続された基板処理装置において、真空雰囲気下で処理され真空処理室から搬出された基板が、真空搬送室内で酸化するのを抑制する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、真空処理室を有し、前記真空処理室内の基板に対して真空雰囲気下で処理を行う複数の処理モジュールと、室内を真空雰囲気の空間と常圧雰囲気の空間との間で切り替えられるように構成されたロードロック室と、前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室と仕切弁を介して接続される真空搬送室を有し、基板搬送機構により、前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室に対し、前記真空搬送室との間での前記基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュールと、前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口と、前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内のガスを排出する排気口と、前記給気口に接続されたガス供給機構及び前記排気口に接続された排気機構を制御し、前記真空搬送室内に前記不活性ガスの流れを形成する制御部と、を備え、前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われ前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出された直後の前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流になるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、基板処理装置である。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板搬送機構により真空雰囲気下で基板を搬送する真空搬送モジュールの真空搬送室に仕切弁を介して処理モジュールの真空処理室が接続された基板処理装置において、真空雰囲気下で処理され真空処理室から搬出された基板が、真空搬送室内で酸化するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置の構成の概略を示す平面図である。
【図2】真空搬送モジュールの真空搬送室における給気口と排気口の配設位置の例を示す図である。
【図3】真空搬送モジュールの真空搬送室内の雰囲気を制御する機構の配管系統の概略を説明するための図である。
【図4】本実施形態にかかる真空搬送室内での基板の搬送形態に想到した経緯を説明するための図である。
【図5】処理モジュールで処理が行われた基板の、真空搬送室内での搬送形態の一例を説明するための図である。
【図6】処理モジュールで処理が行われた基板の、真空搬送室内での搬送形態の一例を説明するための図である。
【図7】処理モジュールで処理が行われた基板の、真空搬送室内での搬送形態の一例を説明するための図である。
【図8】処理モジュールで処理が行われた基板の、真空搬送室内での搬送形態の一例を説明するための図である。
【図9】処理モジュールで処理が行われた基板の、真空搬送室内での搬送形態の一例を説明するための図である。
【図10】真空搬送室内に形成される不活性ガスの流れの他の例を説明するための図である。
【図11】給気口及び排気口が設けられる形態の他の例を示す図である。
【図12】排気口が設けられる形態の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」）等の基板に対して、成膜処理やエッチング処理等の処理が基板処理装置により行われる。基板処理装置は、処理モジュール、ロードロックモジュール及び真空搬送モジュールを備える。処理モジュールは、真空処理室を有し、真空処理室内の基板に対し真空雰囲気下で成膜処理等の処理を行う。ロードロックモジュールは、真空雰囲気の空間と常圧雰囲気の空間との間で基板を受け渡すためのものである。真空搬送モジュールは、真空搬送室及びロードロックモジュールと仕切弁すなわちゲートバルブを介して接続される真空搬送室を有し、基板搬送機構により基板を搬送し、処理モジュール及びロードロックモジュールに対し、真空搬送室との間での基板の搬入出を真空雰囲気下で行う。
【0009】
基板処理装置では、処理モジュールで処理された基板は、真空処理室から真空搬送室に搬出された後、ロードロックモジュール及び常圧雰囲気の空間を介して、搬送容器に搬送され格納される。
また、基板処理装置では、真空処理室内で用いられた処理ガスが真空搬送室に入り込むことを抑制するために真空搬送室を真空処理室に対して陽圧にする等の目的で、真空搬送室内に窒素ガス等の不活性ガスが導入されている。
また、基板処理装置では、真空処理室内で用いられた処理ガスが真空搬送室に入り込むことを抑制するために真空搬送室を真空処理室に対して陽圧にする等の目的で、真空搬送室内に窒素ガス等の不活性ガスが導入されている。
【0010】
真空搬送室内は、上述のように、真空雰囲気とされ、不活性ガスが導入されるが、雰囲気中に微量の酸素が含まれる。そのため、真空処理モジュールで処理された後、真空搬送室に搬出された基板（以下、処理後基板という。）が、真空搬送室内の酸素により酸化することがある。特に、真空処理モジュールでの処理時の基板の温度が高い場合、上述の真空搬送室内での処理後基板の酸化は顕著である。その理由の１つとして、真空処理モジュールでの処理時の基板の温度が高い場合、処理後基板の温度も高くなり、真空搬送室内の酸素と処理後基板との反応が生じやすいことが挙げられる。また、真空処理モジュールでの処理時の基板の温度が高い場合、真空処理室と仕切弁との間や真空搬送室と仕切弁との間を封止する樹脂製のＯリング等の封止部材も高温となり、封止部材の酸素透過率が高くなるため、真空搬送室内の酸素濃度が高くなる。これも、真空処理モジュールでの処理時の基板の温度が高い場合に真空搬送室内での処理後基板の酸化が顕著になる理由の１つである。
【0011】
そこで、本開示にかかる技術は、基板搬送機構により真空雰囲気下で基板を搬送する真空搬送モジュールの真空搬送室に仕切弁を介して処理モジュールの真空処理室が接続された基板処理装置において、処理後基板が、真空搬送室内で酸化するのを抑制する。
【0012】
以下、本実施形態にかかる基板処理装置及び基板搬送方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0013】
＜ウェハ処理装置＞
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置１の構成の概略を示す平面図である。図２は、後述の真空搬送モジュールの真空搬送室における給気口と排気口の配設位置の例を示す図である。図３は、後述の真空搬送モジュールの真空搬送室内の雰囲気を制御する機構の配管系統の概略を説明するための図である。
図１は、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置１の構成の概略を示す平面図である。図２は、後述の真空搬送モジュールの真空搬送室における給気口と排気口の配設位置の例を示す図である。図３は、後述の真空搬送モジュールの真空搬送室内の雰囲気を制御する機構の配管系統の概略を説明するための図である。
【0014】
ウェハ処理装置１は、基板としてのウェハＷを複数収容可能な搬送容器としてのキャリアＣが搬出入されるキャリアステーション１０と、真空雰囲気下でウェハＷに対して所定の処理を行う複数の処理モジュールを備えた処理ステーション１１と、を一体に接続した構成を有している。キャリアステーション１０と処理ステーション１１は、例えば、２つのロードロックモジュール１２、１３を介して連結されている。
【0015】
ロードロックモジュール１２、１３は、真空雰囲気の空間と常圧雰囲気の空間との間でウェハＷを受け渡すためのものである。これらロードロックモジュール１２、１３は、室内を常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切り替えられるように構成されたロードロック室１２ａ、１３ａを有する。ロードロックモジュール１２、１３は、後述する常圧搬送モジュール２０と真空搬送モジュール３０を連結するように設けられている。
【0016】
キャリアステーション１０は、常圧搬送モジュール２０とキャリア載置台２１を有している。
【0017】
常圧搬送モジュール２０は、室内が常圧雰囲気とされる常圧搬送室２２を有する。常圧搬送室２２は、ロードロックモジュール１２、１３のロードロック室１２ａ、１３ａとゲートバルブＧ１、Ｇ２を介して接続されている。常圧搬送室２２内には、常圧雰囲気下でロードロック室１２ａ、１３ａとの間でウェハＷを搬送する搬送機構２３が設けられている。
【0018】
搬送機構２３は、例えば、ウェハＷを搬送時に略水平に保持する搬送アーム２３ａと、搬送アーム２３ａを回転可能に支持する回転台２３ｂと、回転台２３ｂを搭載した基台２３ｃとを有している。また、常圧搬送室２２の内部には、常圧搬送室２２の長手方向に延伸するガイドレール２３ｄが設けられている。基台２３ｃはガイドレール２３ｄ上に設けられ、搬送機構２３はガイドレール２３ｄに沿って移動可能に構成されている。
【0019】
キャリア載置台２１は、常圧搬送モジュール２０において、ロードロックモジュール１２、１３の反対側の側面に設けられている。図示の例では、キャリア載置台２１は、複数、例えば５つ設けられており、キャリア載置台２１にはキャリアＣが載置できるようになっている。キャリア載置台２１に載置されたキャリアＣ内のウェハＷは、常圧搬送モジュール２０の搬送機構２３の搬送アーム２３ａにより常圧搬送室２２に対して搬入出される。
【0020】
処理ステーション１１は、真空搬送モジュール３０と処理モジュール４０１～４０６を有している。
【0021】
真空搬送モジュール３０は、室内が減圧雰囲気すなわち真空雰囲気に保たれる真空搬送室３１を有し、該真空搬送室３１は、密閉可能に構成されており、例えば平面視において略多角形状（図の例では四角形状）をなすように形成されている。真空搬送室３１は、ロードロックモジュール１２、１３と接続されている。具体的には、平面視における真空搬送室３１の一辺部は、ロードロックモジュール１２、１３のロードロック室１２ａ、１３ａとゲートバルブＧ３、Ｇ４を介して接続されている。真空搬送室３１内には、本開示にかかる基板搬送装置として、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構３２が設けられている。真空搬送モジュール３０は、ウェハ搬送機構３２により、処理モジュール４０１～４０６の後述の真空処理室４１１～４１６及びロードロック室１２ａ、１３ａに対し、真空搬送室３１との間でのウェハＷの搬入出を行う。
【0022】
ウェハ搬送機構３２は、例えば、ウェハＷを搬送時に略水平に保持する搬送アーム３２ａと、搬送アーム３２ａを回転可能に支持する回転台３２ｂとを有している。
【0023】
真空搬送モジュール３０の真空搬送室３１の外側には、処理モジュール４０１～４０６、ロードロックモジュール１２、１３が、当該真空搬送室３１の周囲を囲むように配置されている。
【0024】
以下では、平面視四角形状の真空搬送室３１の４つの辺部のうち、ロードロックモジュール１２、１３が接続される辺部を第１辺部３１ａとし、それ以外の３つの辺部を、平面視における時計回転方向に沿って第１辺部３１ａに近い方から順に、第２辺部３１ｂ、第３辺部３１ｃ、第４辺部３１ｄとする。
【0025】
第１辺部３１ａに対しては、ロードロックモジュール１２が第２辺部３１ｂ側に配置され、ロードロックモジュール１３が第４辺部３１ｄ側に配置される。
第２辺部３１ｂに対しては、処理モジュール４０１が第１辺部３１ａ側に配置され、処理モジュール４０２が第３辺部３１ｃ側に配置される。
第３辺部３１ｃに対しては、処理モジュール４０３が第２辺部３１ｂ側に配置され、処理モジュール４０４が第４辺部３１ｄ側に配置される。
第４辺部３１ｄに対しては、処理モジュール４０５が第３辺部３１ｃ側に配置され、処理モジュール４０６が第１辺部３１ａ側に配置される。
第２辺部３１ｂに対しては、処理モジュール４０１が第１辺部３１ａ側に配置され、処理モジュール４０２が第３辺部３１ｃ側に配置される。
第３辺部３１ｃに対しては、処理モジュール４０３が第２辺部３１ｂ側に配置され、処理モジュール４０４が第４辺部３１ｄ側に配置される。
第４辺部３１ｄに対しては、処理モジュール４０５が第３辺部３１ｃ側に配置され、処理モジュール４０６が第１辺部３１ａ側に配置される。
【0026】
処理モジュール４０１～４０６はそれぞれ、ウェハＷに対して、例えば成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の所定の処理を真空雰囲気下で行う。具体的には、処理モジュール４０１～４０６はそれぞれ、例えば、高温（例えばウェハＷの温度またはウェハＷが載置されるステージ（図示せず）の温度が４００℃以上）且つ真空雰囲気下で成膜処理を行う。また、処理モジュール４０１～４０６はそれぞれ、真空雰囲気下の室内でウェハＷに対して上記処理が行われる真空処理室４１１～４１６を有する。真空処理室４１１～４１６はそれぞれ、真空搬送モジュール３０の真空搬送室３１と仕切弁としてのゲートバルブＧ５１～Ｇ５６を介して接続されている。
図２に示すように、ゲートバルブＧ５１と真空搬送室３１との間及びゲートバルブＧ５６と真空搬送室３１には、封止部材である樹脂製のＯリング３５が設けられている。図示は省略するが、ゲートバルブＧ５２～Ｇ５５それぞれと真空搬送室３１との間や、ゲートバルブＧ５１～Ｇ５６と処理モジュール４０１～４０６との間にも、同様に、樹脂製のＯリングが設けられる。
図２に示すように、ゲートバルブＧ５１と真空搬送室３１との間及びゲートバルブＧ５６と真空搬送室３１には、封止部材である樹脂製のＯリング３５が設けられている。図示は省略するが、ゲートバルブＧ５２～Ｇ５５それぞれと真空搬送室３１との間や、ゲートバルブＧ５１～Ｇ５６と処理モジュール４０１～４０６との間にも、同様に、樹脂製のＯリングが設けられる。
【0027】
また、図１に示すように、ウェハ処理装置１には、制御部１００が設けられている。制御部１００は、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置１による後述のウェハ処理のための指令を含むプログラムが格納されている。このプログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部１００にインストールされたものであってもよい。上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。
【0028】
さらに、ウェハ処理装置１では、複数（図の例では４つ）の排気口３３１～３３４と複数（図の例では４つ）の給気口３４１～３４４とが真空搬送室３１に設けられている。具体的には、排気口３３１～３３４と給気口３４１～３４４とが、平面視で、真空搬送室３１の外周部に設けられている。
排気口３３１～３３４はそれぞれ、真空搬送室３１内のガスを排出するために用いられる。
また、給気口３４１～３４４はそれぞれ、真空搬送室３１内に不活性ガスを導入するために用いられる。不活性ガスは例えば窒素ガスである。
排気口３３１～３３４はそれぞれ、真空搬送室３１内のガスを排出するために用いられる。
また、給気口３４１～３４４はそれぞれ、真空搬送室３１内に不活性ガスを導入するために用いられる。不活性ガスは例えば窒素ガスである。
【0029】
排気口３３１及び給気口３４１は、平面視で真空搬送室３１における第１辺部３１ａと第２辺部３１ｂが交わる角部に設けられている。
排気口３３２及び給気口３４２は、平面視で真空搬送室３１における第２辺部３１ｂと第３辺部３１ｃが交わる角部に設けられている。
排気口３３３及び給気口３４３は、平面視で真空搬送室３１における第３辺部３１ｃと第４辺部３１ｄが交わる角部に設けられている。
排気口３３４及び給気口３４４は、平面視で真空搬送室３１における第４辺部３１ｄと第１辺部３１ａが交わる角部に設けられている。
排気口３３２及び給気口３４２は、平面視で真空搬送室３１における第２辺部３１ｂと第３辺部３１ｃが交わる角部に設けられている。
排気口３３３及び給気口３４３は、平面視で真空搬送室３１における第３辺部３１ｃと第４辺部３１ｄが交わる角部に設けられている。
排気口３３４及び給気口３４４は、平面視で真空搬送室３１における第４辺部３１ｄと第１辺部３１ａが交わる角部に設けられている。
【0030】
また、図２に示すように、排気口３３１、３３４は、例えば、真空搬送室３１における搬送時のウェハＷの位置より下側に設けられる。具体的には、排気口３３１、３３４は、例えば、真空搬送室３１の底壁に、真空搬送室３１内に開口するように設けられる。排気口３３２、３３３についても排気口３３１、３３４と同様である。
【0031】
一方、給気口３４１、３４４は、例えば、真空搬送室３１における搬送時のウェハＷの位置より上側に設けられる。具体的には、給気口３４１、３４４は、例えば、真空搬送室３１の天壁に、真空搬送室３１内に開口するように設けられる。給気口３４２、３４３についても給気口３４１、３４４と同様である。
【0032】
図３に示すように、排気口３３１～３３４は排気機構５０に接続されている。排気機構５０は、排気枝管５１１～５１４と排気主管５２とを有する。排気枝管５１１～５１４は、排気口３３１～３３４毎に設けられ、その一端が対応する排気口３３１～３３４に接続され、その他端が排気主管５２の一端に接続されている。排気主管５２の他端はターボ分子ポンプ等からなる真空排気装置５３に接続されている。
また、排気枝管５１１～５１４にはそれぞれ、当該排気枝管５１１～５１４を介した（すなわち排気口３３１～３３４を介した）真空搬送室３１からの排気の実行／停止を切り換える開閉弁５４１～５４４が設けられている。排気主管５２には、排気速度を調整する速度調整弁５５が設けられている。
また、排気枝管５１１～５１４にはそれぞれ、当該排気枝管５１１～５１４を介した（すなわち排気口３３１～３３４を介した）真空搬送室３１からの排気の実行／停止を切り換える開閉弁５４１～５４４が設けられている。排気主管５２には、排気速度を調整する速度調整弁５５が設けられている。
【0033】
一方、給気口３４１～３４４はガス供給機構６０に接続されている。ガス供給機構６０は、供給枝管６１１～６１４と供給主管６２とを有する。供給枝管６１１～６１４はそれぞれ、給気口３４１～３４４毎に設けられ、その一端が対応する給気口３４１～３４４に接続され、その他端が供給主管６２の一端に接続されている。供給主管６２の他端は不活性ガスの供給源６３に接続されている。
また、供給枝管６１１～６１４にはそれぞれ、当該供給枝管６１１～６１４を介した（すなわち給気口３４１～３４４を介した）真空搬送室３１内への不活性ガスの供給の実行／停止を切り換える開閉弁６４１～６４４が設けられている。供給主管６２には、ガス供給流量を調整する流量調整機構６５が設けられている。流量調整機構６５として、例えばマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を用いることができる。
また、供給枝管６１１～６１４にはそれぞれ、当該供給枝管６１１～６１４を介した（すなわち給気口３４１～３４４を介した）真空搬送室３１内への不活性ガスの供給の実行／停止を切り換える開閉弁６４１～６４４が設けられている。供給主管６２には、ガス供給流量を調整する流量調整機構６５が設けられている。流量調整機構６５として、例えばマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を用いることができる。
【0034】
排気機構５０及びガス供給機構６０は制御部１００により制御される。
【0035】
＜ウェハ処理＞
次に、以上のように構成されたウェハ処理装置１によるウェハ処理について説明する。なお、以下のウェハ処理は、制御部１００の制御の下、行われる。
次に、以上のように構成されたウェハ処理装置１によるウェハ処理について説明する。なお、以下のウェハ処理は、制御部１００の制御の下、行われる。
【0036】
まず、ウェハＷが、搬送機構２３の搬送アーム２３ａによって、キャリアＣから取り出されると共に、ゲートバルブＧ１が開状態とされる。その後、ウェハＷが、搬送アーム２３ａによって、ロードロックモジュール１２のロードロック室１２ａ内に搬入される。
【0037】
続いて、ゲートバルブＧ１が閉状態とされてロードロック室１２ａが密閉され、真空雰囲気とされる。
【0038】
ロードロック室１２ａ内の圧力が所定の圧力以下となると、ゲートバルブＧ３が開状態とされ、ウェハＷが、ウェハ搬送機構３２の搬送アーム３２ａによって、ロードロック室１２ａ内から受け取られ、ロードロック室１２ａから真空搬送室３１へ搬出される。
【0039】
次に、ゲートバルブＧ３が閉状態とされた後、目的の処理を行う処理モジュールに対するゲートバルブ（ここでは、処理モジュール４０２に対するゲートバルブＧ５２であるものとする。）が開状態とされる。続いて、搬送アーム３２ａによって処理モジュール４０２の真空処理室４１２にウェハＷが搬入される。その後、ゲートバルブＧ５２が閉状態とされ、処理モジュール４０２においてウェハＷに所望の処理が行われる。
【0040】
所望の処理終了後、ウェハＷは、真空処理室４１２内より陽圧（例えば１００～２００Ｐａ）且つ真空の雰囲気となるよう不活性ガスの供給及び排気が行われた真空搬送室３１内を搬送されて、ロードロック室１３ａに搬入される。このときの搬送形態の詳細については、後述する。
【0041】
そして、キャリアＣからロードロック室１２ａへのウェハＷの搬入の時とは逆の手順で、ロードロック室１３ａからキャリアＣへのウェハＷの搬出が行われ、一連のウェハ処理が終了する。
【0042】
＜本実施形態にかかる搬送形態に至った経緯＞
次に、処理モジュール４０１～４０６で処理されたウェハＷの真空搬送室３１内での搬送形態の例について、説明する。まず、この搬送形態に想到した経緯について説明する。
本発明者らは、本実施形態と異なる図４に示すようなウェハ処理装置５００を用いて試験を行った。図４のウェハ処理装置５００が備える真空搬送モジュール５１０の真空搬送室５１１には、本実施形態と異なり、排気口５１２及び給気口５１３が１つずつ設けられた。排気口５１２は、処理モジュール４０１寄りの角部に設けられ、給気口５１３は、排気口５１２の対角の位置となるよう、処理モジュール４０５寄りの角部に設けられた。
次に、処理モジュール４０１～４０６で処理されたウェハＷの真空搬送室３１内での搬送形態の例について、説明する。まず、この搬送形態に想到した経緯について説明する。
本発明者らは、本実施形態と異なる図４に示すようなウェハ処理装置５００を用いて試験を行った。図４のウェハ処理装置５００が備える真空搬送モジュール５１０の真空搬送室５１１には、本実施形態と異なり、排気口５１２及び給気口５１３が１つずつ設けられた。排気口５１２は、処理モジュール４０１寄りの角部に設けられ、給気口５１３は、排気口５１２の対角の位置となるよう、処理モジュール４０５寄りの角部に設けられた。
【0043】
試験では、処理モジュール４０１及び処理モジュール４０２のそれぞれを用いてウェハＷに対し成膜処理を行った。また、試験では、成膜処理後のウェハＷを、真空処理室４１１内及び真空処理室４１２内より陽圧且つ真空の雰囲気となるよう不活性ガスの供給及び排気が行われた真空搬送室５１１とロードロック室１２ａ、１３ａのいずれかとを介して、キャリアＣに戻した。
【0044】
この実験において、処理モジュール４０１で成膜処理されたウェハＷでは、処理モジュール４０２で成膜処理されたウェハＷに比べて、ウェハＷ上の膜の酸素濃度が高く、すなわち、酸化が進んでいた。特に、並列的な処理として給気口５１３に近い処理モジュール４０５等において成膜処理が高温で行われる場合、処理モジュール４０１で成膜処理されたウェハＷでは酸化がより進んでいた。
【0045】
このような結果が得られた理由としては以下が考えられる。
すなわち、成膜処理後のウェハＷが通過する真空搬送室５１１は、真空処理室４１１内及び真空処理室４１２内より陽圧且つ真空の雰囲気となるよう給気口５１３を介した不活性ガスの供給及び排気口５１２を介した排気が行われている。そのため、図４において矢印Ｎで示すように、給気口５１３から排気口５１２に向かう不活性ガスの流れが形成されている。また、真空搬送室５１１内は真空雰囲気とはいえ雰囲気中に酸素が含まれる。この真空搬送室５１１内の酸素は、不活性ガスの流れにより移動し、不活性ガスの流れの下流側に集まる。したがって、真空搬送室５１１内における酸素濃度は、不活性ガスの流れの下流側である処理モジュール４０１に対するゲートバルブＧ５１の付近で高くなっている。その結果、上述のように、処理モジュール４０１で成膜処理されたウェハＷで酸化が進んだものと考えられる。
すなわち、成膜処理後のウェハＷが通過する真空搬送室５１１は、真空処理室４１１内及び真空処理室４１２内より陽圧且つ真空の雰囲気となるよう給気口５１３を介した不活性ガスの供給及び排気口５１２を介した排気が行われている。そのため、図４において矢印Ｎで示すように、給気口５１３から排気口５１２に向かう不活性ガスの流れが形成されている。また、真空搬送室５１１内は真空雰囲気とはいえ雰囲気中に酸素が含まれる。この真空搬送室５１１内の酸素は、不活性ガスの流れにより移動し、不活性ガスの流れの下流側に集まる。したがって、真空搬送室５１１内における酸素濃度は、不活性ガスの流れの下流側である処理モジュール４０１に対するゲートバルブＧ５１の付近で高くなっている。その結果、上述のように、処理モジュール４０１で成膜処理されたウェハＷで酸化が進んだものと考えられる。
【0046】
また、給気口５１３に近い処理モジュール４０５において成膜処理が高温で行われる場合、給気口５１３に近いゲートバルブＧ５５及びこのゲートバルブＧ５５に用いられる樹脂製のＯリングも高温となる。なぜならば、処理モジュール４０５において成膜処理が高温で行われる場合、真空処理室４１５の内壁への反応生成物の付着抑制等のために真空処理室４１５を形成する筐体も高温とされ、この筐体によりゲートバルブＧ５５が加熱されるから、である。また、樹脂製のＯリングは温度が高くなるにしたがって酸素透過率が上昇する。そのため、給気口５１３に近い処理モジュール４０５等において成膜処理が高温で行われる場合、低温で行われる場合に比べて、ゲートバルブＧ５５に用いられる樹脂製のＯリングから真空搬送室５１１内に透過する酸素量が増加する。その結果、真空搬送室５１１内における酸素濃度が、不活性ガスの流れの下流側である処理モジュール４０１に対するゲートバルブＧ５１の付近でさらに高くなる。したがって、並列的な処理として給気口５１３に近い処理モジュール４０５において成膜処理が高温で行われる場合に、処理モジュール４０１で成膜処理されたウェハＷで特に酸化が進んだものと考えられる。
【0047】
このような知見に基づき、本実施形態では、処理モジュール４０１～４０６で処理が行われたウェハＷの真空搬送室３１内での搬送を、以下で例示するように行う。
【0048】
＜搬送形態の例１＞
図５～図８はそれぞれ、処理モジュール４０１、処理モジュール４０２、処理モジュール４０５及び処理モジュール４０６で処理が行われたウェハＷの、真空搬送室３１内での搬送形態の一例を説明するための図である。後述するように、真空搬送室３１内での搬送の際、排気口３３１～３３４のうち一部が排気に用いられ、給気口３４１～３４４についても同様に一部が不活性ガスの供給に用いられる。図５～図８では、排気口３３１～３３４及び給気口３４１～３４４のうち、真空搬送室３１内でのウェハＷの搬送の際に排気やガス供給に用いられているものを白塗りで示し、用いられていないものを黒塗りで示す。また、図５～図８では、ゲートバルブＧ３、Ｇ４、Ｇ５１～Ｇ５６のうち、開状態のものを白塗りで示し、閉状態のものを黒塗りで示す。さらに図５～図８において、白塗り矢印は真空搬送室３１内における不活性ガスの流れを示している。後述の図９及び図１０においても同様である。
図５～図８はそれぞれ、処理モジュール４０１、処理モジュール４０２、処理モジュール４０５及び処理モジュール４０６で処理が行われたウェハＷの、真空搬送室３１内での搬送形態の一例を説明するための図である。後述するように、真空搬送室３１内での搬送の際、排気口３３１～３３４のうち一部が排気に用いられ、給気口３４１～３４４についても同様に一部が不活性ガスの供給に用いられる。図５～図８では、排気口３３１～３３４及び給気口３４１～３４４のうち、真空搬送室３１内でのウェハＷの搬送の際に排気やガス供給に用いられているものを白塗りで示し、用いられていないものを黒塗りで示す。また、図５～図８では、ゲートバルブＧ３、Ｇ４、Ｇ５１～Ｇ５６のうち、開状態のものを白塗りで示し、閉状態のものを黒塗りで示す。さらに図５～図８において、白塗り矢印は真空搬送室３１内における不活性ガスの流れを示している。後述の図９及び図１０においても同様である。
【0049】
＜処理モジュール４０１の場合＞
処理モジュール４０１で処理が行われたウェハＷを真空搬送室３１内で搬送する際は、まず、処理が行われ真空処理室４１１から真空搬送室３１に搬出された直後のウェハＷの位置が、平面視で不活性ガスの流れの上流となるよう、制御部１００により排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。
処理モジュール４０１で処理が行われたウェハＷを真空搬送室３１内で搬送する際は、まず、処理が行われ真空処理室４１１から真空搬送室３１に搬出された直後のウェハＷの位置が、平面視で不活性ガスの流れの上流となるよう、制御部１００により排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。
【0050】
具体的には、例えば、処理モジュール４０１で処理が行われた後、ゲートバルブＧ５１を開状態とする前に、図５に示すように排気口３３３を介した排気及び給気口３４１を介した不活性ガスの供給が行われ真空搬送室３１内が真空処理室４１２内より陽圧且つ真空の雰囲気となるよう、排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。これにより、給気口３４１から排気口３３３に向かう不活性ガスの流れが形成される。すなわち、複数の排気口３３１～３３４のうち、処理モジュール４０１に対するゲートバルブＧ５１から遠く対角に位置する排気口３３３と、複数の給気口３４１～３４４のうち、ゲートバルブＧ５１から最も近い給気口３４１とが用いられて、真空搬送室３１内の不活性ガスの流れが形成される。さらに言い換えると、平面視でウェハ搬送機構３２を間に挟んで（具体的には回転台３２ｂ）を間に挟んで互いに対向する排気口３３３と給気口３４１とが用いられて、真空搬送室３１内の不活性ガスの流れが形成される。
次いで、ゲートバルブＧ５１が開状態とされた後、ウェハＷが、搬送アーム３２ａにより、真空処理室４１１から真空搬送室３１に搬出されると共に、ゲートバルブＧ５１が閉状態とされる。
なお、真空処理室４１１から真空搬送室３１に搬出された直後のウェハＷの位置とは、具体的には、例えば、真空処理室４１１に対するゲートバルブＧ５１にウェハＷが対向する位置である。
次いで、ゲートバルブＧ５１が開状態とされた後、ウェハＷが、搬送アーム３２ａにより、真空処理室４１１から真空搬送室３１に搬出されると共に、ゲートバルブＧ５１が閉状態とされる。
なお、真空処理室４１１から真空搬送室３１に搬出された直後のウェハＷの位置とは、具体的には、例えば、真空処理室４１１に対するゲートバルブＧ５１にウェハＷが対向する位置である。
【0051】
その後、真空搬送室３１内における不活性ガスの流れの向きが維持されたまま、ウェハＷが、真空搬送室３１からロードロック室１３ａに搬入される。
【0052】
具体的には、排気口３３３を介した排気及び給気口３４１を介した不活性ガスの供給が継続された状態で、ウェハＷが、搬送アーム３２ａにより、ゲートバルブＧ４の前まで搬送される。次に、ゲートバルブＧ４が開状態とされ、搬送アーム３２ａによって、真空雰囲気のロードロック室１３ａに搬入される。そして、ゲートバルブＧ４が閉状態とされる。
【0053】
＜処理モジュール４０２、４０５、４０６の場合＞
処理モジュール４０２、４０５、４０６で処理が行われたウェハＷを真空搬送室３１内で搬送する際も、まず、処理が行われ真空処理室４１２、４１５、４１６から真空搬送室３１に搬出された直後のウェハＷの位置が、平面視で不活性ガスの流れの上流となるよう、排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。
処理モジュール４０２、４０５、４０６で処理が行われたウェハＷを真空搬送室３１内で搬送する際も、まず、処理が行われ真空処理室４１２、４１５、４１６から真空搬送室３１に搬出された直後のウェハＷの位置が、平面視で不活性ガスの流れの上流となるよう、排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。
【0054】
具体的には、例えば、処理モジュール４０２で処理が行われた後、ゲートバルブＧ５２を開状態とする前に、図６に示すように排気口３３４を介した排気及び給気口３４２を介した不活性ガスの供給が行われ真空搬送室３１内が真空処理室４１２内より陽圧且つ真空の雰囲気となるよう、排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。これにより、給気口３４２から排気口３３４に向かう不活性ガスの流れが形成される。次いで、ゲートバルブＧ５２が開状態とされた後、ウェハＷが、搬送アーム３２ａにより、真空処理室４１２から真空搬送室３１に搬出されると共に、ゲートバルブＧ５２が閉状態とされる。
【0055】
また、処理モジュール４０５で処理が行われた場合は、その後、具体的には、例えば、ゲートバルブＧ５５を開状態とする前に、図７に示すように排気口３３１を介した排気及び給気口３４３を介した不活性ガスの供給が行われ真空搬送室３１内が真空処理室４１５内より陽圧且つ真空の雰囲気となるよう、排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。これにより、給気口３４３から排気口３３１に向かう不活性ガスの流れが形成される。次いで、ゲートバルブＧ５５が開状態とされた後、ウェハＷが、搬送アーム３２ａにより、真空処理室４１５から真空搬送室３１に搬出されると共に、ゲートバルブＧ５５が閉状態とされる。
【0056】
処理モジュール４０６で処理が行われた場合は、その後、具体的には、例えば、ゲートバルブＧ５６を開状態とする前に、図８に示すように排気口３３２を介した排気及び給気口３４４を介した不活性ガスの供給が行われ真空搬送室３１内が真空処理室４１６内より陽圧且つ真空の雰囲気となるよう、排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。これにより、給気口３４４から排気口３３２に向かう不活性ガスの流れが形成される。次いで、ゲートバルブＧ５６が開状態とされた後、ウェハＷが、搬送アーム３２ａにより、真空処理室４１６から真空搬送室３１に搬出されると共に、ゲートバルブＧ５６が閉状態とされる。
【0057】
処理モジュール４０２、４０５、４０６のいずれで処理が行われた場合も、真空処理室４１２、４１５、４１６から真空搬送室３１へのウェハＷの搬出後は、真空搬送室３１内における不活性ガスの流れの向きが維持されたまま、ウェハＷが、真空搬送室３１からロードロック室１３ａに搬入される。
【0058】
なお、処理モジュール４０３で処理が行われたウェハＷは、例えば、処理モジュール４０２で処理が行われた場合と同様に、真空搬送室３１内を搬送される。また、処理モジュール４０４で処理が行われたウェハＷは、例えば、処理モジュール４０５で処理が行われた場合と同様に、真空搬送室３１内を搬送される。
【0059】
＜搬送形態の例２＞
図９は、処理モジュール４０２で処理が行われたウェハＷの、真空搬送室３１内での搬送形態の他の例を説明するための図である。
図９は、処理モジュール４０２で処理が行われたウェハＷの、真空搬送室３１内での搬送形態の他の例を説明するための図である。
【0060】
処理モジュール４０２で処理が行われたウェハＷを真空搬送室３１内で搬送する際は、処理後のウェハＷが、真空搬送室３１内に位置する間、平面視で不活性ガスの流れの上流になり続けるよう、制御部１００により排気機構５０及びガス供給機構６０が制御されてもよい。具体的には、処理後のウェハＷが、真空搬送室３１内をウェハ搬送機構３２により移動中に、不活性ガスの流れが切り替わり、これにより、処理後のウェハＷが、真空搬送室３１内に位置する間、当該ウェハＷの位置が、平面視で不活性ガスの流れの上流になり続けるよう、排気機構５０及びガス供給機構６０が制御されてもよい。
【0061】
この場合もまず、処理モジュール４０２で処理が行われ真空処理室４１２から真空搬送室３１に搬出された直後のウェハＷの位置が、平面視で不活性ガスの流れの上流となるよう、制御部１００により排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。
具体的には、例えば、前述と同様に、処理モジュール４０２で処理が行われた後、ゲートバルブＧ５２を開状態とする前に、図９（Ａ）に示すように排気口３３４を介した排気及び給気口３４２を介した不活性ガスの供給が行われ真空搬送室３１内が真空処理室４１２内より陽圧且つ真空の雰囲気となるよう、排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。これにより、給気口３４２から排気口３３４に向かう不活性ガスの流れが形成される。
具体的には、例えば、前述と同様に、処理モジュール４０２で処理が行われた後、ゲートバルブＧ５２を開状態とする前に、図９（Ａ）に示すように排気口３３４を介した排気及び給気口３４２を介した不活性ガスの供給が行われ真空搬送室３１内が真空処理室４１２内より陽圧且つ真空の雰囲気となるよう、排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。これにより、給気口３４２から排気口３３４に向かう不活性ガスの流れが形成される。
【0062】
その後、ウェハＷが、真空搬送室３１内を、ロードロック室１２ａに対するゲートバルブＧ３に向けて、搬送アーム３２ａにより移動される。そして、この移動の間、ウェハＷの位置が、平面視で不活性ガスの流れの上流になり続けるよう、移動の途中で、真空搬送室３１内の不活性ガスの流れが切り替えられるように、制御部１００により排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。
【0063】
具体的には、例えば、ウェハＷが、真空搬送室３１における給気口３４２側の領域から給気口３４１側の領域に移動されると、図９（Ｂ）に示すように排気口３３３を介した排気及び給気口３４１を介した不活性ガスの供給に切り替えられよう、排気機構５０及びガス供給機構６０が制御される。これにより、真空搬送室３１内での不活性ガスの流れが、給気口３４１から排気口３３３に向かう流れに切り替えられる。
次いで、真空搬送室３１内における不活性ガスの流れの向きが維持されたまま、ウェハＷが、ロードロック室１２ａの近傍まで移動される。その後、ゲートバルブＧ３が開状態とされ、ウェハＷが、真空搬送室３１からロードロック室１２ａに搬入される。
このようにして、処理モジュール４０２での処理後のウェハＷが、真空搬送室３１内に位置する間、当該処理後のウェハＷの位置を、平面視で不活性ガスの流れの上流側の領域内にし続けることができる。
次いで、真空搬送室３１内における不活性ガスの流れの向きが維持されたまま、ウェハＷが、ロードロック室１２ａの近傍まで移動される。その後、ゲートバルブＧ３が開状態とされ、ウェハＷが、真空搬送室３１からロードロック室１２ａに搬入される。
このようにして、処理モジュール４０２での処理後のウェハＷが、真空搬送室３１内に位置する間、当該処理後のウェハＷの位置を、平面視で不活性ガスの流れの上流側の領域内にし続けることができる。
【0064】
なお、処理モジュール４０１、４０３～４０５での処理後のウェハＷについても、当該処理後のウェハＷが真空搬送室３１内に位置する間、当該処理後のウェハＷの位置を、平面視で不活性ガスの流れの上流側の領域内内にし続けるようにしてもよい。
【0065】
＜本実施形態の主な効果＞
以上のように、本実施形態では、処理モジュール４０１～４０６のいずれかによる処理後のウェハＷを真空搬送室３１内で搬送する際、少なくとも、対応する真空処理室から真空搬送室３１に搬出された直後の、処理後のウェハＷの位置が、平面視で処理ガスの流れの上流側の領域内とされる。上記上流側の領域内は下流側の領域内に比べて、酸素濃度が低い。そのため、少なくとも、温度が高く酸化しやすい上記直後のウェハＷが、高酸素濃度の雰囲気に曝されるのを抑制することができる。したがって、処理モジュールによる処理後のウェハＷが真空搬送室３１で酸化するのを抑制することができる。
また、ゲートバルブＧ５１～Ｇ５６に対して用いられた樹脂製のＯリングでの酸素透過率が高い場合でも、温度が高く酸化しやすい上記直後のウェハＷが、高酸素濃度の雰囲気に曝されるのを抑制することができ、処理後のウェハＷが真空搬送室３１で酸化するのを抑制することができる。具体的には、例えば、処理モジュール４０１での処理と平行して処理モジュール４０５において処理が高温で行われゲートバルブＧ５５に対して用いられた樹脂製のＯリングでの酸素透過率が高い場合でも、処理モジュール４０１による処理後のウェハＷが真空搬送室３１内で酸化するのを抑制することができる。
以上のように、本実施形態では、処理モジュール４０１～４０６のいずれかによる処理後のウェハＷを真空搬送室３１内で搬送する際、少なくとも、対応する真空処理室から真空搬送室３１に搬出された直後の、処理後のウェハＷの位置が、平面視で処理ガスの流れの上流側の領域内とされる。上記上流側の領域内は下流側の領域内に比べて、酸素濃度が低い。そのため、少なくとも、温度が高く酸化しやすい上記直後のウェハＷが、高酸素濃度の雰囲気に曝されるのを抑制することができる。したがって、処理モジュールによる処理後のウェハＷが真空搬送室３１で酸化するのを抑制することができる。
また、ゲートバルブＧ５１～Ｇ５６に対して用いられた樹脂製のＯリングでの酸素透過率が高い場合でも、温度が高く酸化しやすい上記直後のウェハＷが、高酸素濃度の雰囲気に曝されるのを抑制することができ、処理後のウェハＷが真空搬送室３１で酸化するのを抑制することができる。具体的には、例えば、処理モジュール４０１での処理と平行して処理モジュール４０５において処理が高温で行われゲートバルブＧ５５に対して用いられた樹脂製のＯリングでの酸素透過率が高い場合でも、処理モジュール４０１による処理後のウェハＷが真空搬送室３１内で酸化するのを抑制することができる。
【0066】
さらに、本実施形態では、上述のように、処理モジュール４０１～４０６のいずれかによる処理後のウェハＷが、真空搬送室３１内に位置する間、当該処理後のウェハＷの位置を、平面視で不活性ガスの流れの上流側側の領域内にし続けてもよい。すなわち、本実施形態では、処理モジュール４０１～４０６のいずれかによる処理後のウェハＷが、真空搬送室３１内を移動する際に、真空搬送室３１内における相対的に酸素濃度が低く酸化しづらい領域を常に通過するようにしてもよい。この場合、上記処理後のウェハＷが酸化するのをさらに抑制することができる。
【0067】
＜不活性ガスの流れの他の例＞
図１０は、真空搬送室３１内に形成される不活性ガスの流れの他の例を説明するための図である。
図１０は、真空搬送室３１内に形成される不活性ガスの流れの他の例を説明するための図である。
【0068】
以上の例では、処理モジュール４０１からウェハＷが搬出される場合、複数の排気口３３１～３３４のうち、処理モジュール４０１に対するゲートバルブＧ５１から最も遠い排気口３３３が用いられ、真空搬送室３１内の不活性ガスの流れが形成されていた。しかしながら、処理モジュール４０１からウェハＷが搬出される場合、複数の排気口３３１～３３４のうち、真空搬送室３１内の不活性ガスの流れの形成に用いられるものは、ゲートバルブＧ５１から最も近いものでなければ、すなわち遠いものであれば、最も遠い排気口３３３でなくてもよい。具体的には、処理モジュール４０１からウェハＷが搬出される場合、真空搬送室３１内の不活性ガスの流れの形成には、例えば、図１０に示すように、排気口３３４が用いられてもよい。ただし、処理モジュール４０１からウェハＷが搬出される場合、真空搬送室３１内の不活性ガスの流れの形成には、ゲートバルブＧ５１から遠い排気口３３２～３３４のうち、最も遠い排気口３３３が用いられることが好ましい。
処理モジュール４０２～４０６からウェハＷが搬出される場合も同様である。
処理モジュール４０２～４０６からウェハＷが搬出される場合も同様である。
【0069】
なお、図５等の例では、平面視四角形状の真空搬送室３１の対角線に沿って不活性ガスの流れが形成されている。それに対し、図１０では、平面視四角形状の真空搬送室３１の辺部に沿って不活性ガスの流れが形成されており、具体的には、第１辺部３１ａに沿って給気口３４１から排気口３３４に向かう不活性ガスの流れが形成されている。このように、本開示の技術において、真空搬送室３１内における不活性ガスの流れは、平面視四角形状の真空搬送室３１の対角線に沿って形成されてもよいし、同真空搬送室３１の辺部に沿って形成されてもよい。
【0070】
＜給気口及び排気口が設けられる形態の他の例＞
以下では、処理モジュール４０１～４０６を「処理モジュール４０」とまとめて説明し、ゲートバルブＧ５１～Ｇ５６を「ゲートバルブＧ５」とまとめて説明する。
以下では、処理モジュール４０１～４０６を「処理モジュール４０」とまとめて説明し、ゲートバルブＧ５１～Ｇ５６を「ゲートバルブＧ５」とまとめて説明する。
【0071】
図１１は、給気口及び排気口が設けられる形態の他の例を示す図である。
以上の例では、給気口の数が処理モジュール４０の数より少なかった。しかしながら、給気口の数は、処理モジュール４０の数と同数であってもよいし、処理モジュール４０の数を超えてもよい。例えば、給気口の数が、処理モジュール４０の数と同数の場合、給気口は処理モジュール４０毎に設けられる。また、図１１に示すように給気口３４の数が、処理モジュール４０の数を超える場合、例えば、給気口３４は、処理モジュール４０毎に設けられると共に、ロードロックモジュール１２、１３それぞれについて設けられる。図１１の例では、給気口３４は、真空搬送室３１の外周部における、処理モジュール４０のゲートバルブＧ５、ゲートバルブＧ３、Ｇ４のうちの１つと対向する位置に設けられている。
以上の例では、給気口の数が処理モジュール４０の数より少なかった。しかしながら、給気口の数は、処理モジュール４０の数と同数であってもよいし、処理モジュール４０の数を超えてもよい。例えば、給気口の数が、処理モジュール４０の数と同数の場合、給気口は処理モジュール４０毎に設けられる。また、図１１に示すように給気口３４の数が、処理モジュール４０の数を超える場合、例えば、給気口３４は、処理モジュール４０毎に設けられると共に、ロードロックモジュール１２、１３それぞれについて設けられる。図１１の例では、給気口３４は、真空搬送室３１の外周部における、処理モジュール４０のゲートバルブＧ５、ゲートバルブＧ３、Ｇ４のうちの１つと対向する位置に設けられている。
【0072】
また、排気口３３の数は、以上の例では、３以上（具体的には４つ）であったが、２つであってもよい。排気口３３の数が２つの場合、例えば、１つの排気口３３は、真空搬送室３１の外周部におけるロードロックモジュール１２、１３側に設けられ、もう一方の排気口３３は、上記外周部におけるロードロックモジュール１２、１３側とは反対側に設けられる。
【0073】
図１２は、排気口が設けられる形態の他の例を示す図である。
さらに、排気口３３の数は１つであってもよい。この場合、排気口３３は、平面視における真空搬送室３１の中心部に設けられる。また、この場合、ウェハ搬送機構３２の回転台３２ｂが排気口３３に挿通されてもよい。
さらに、排気口３３の数は１つであってもよい。この場合、排気口３３は、平面視における真空搬送室３１の中心部に設けられる。また、この場合、ウェハ搬送機構３２の回転台３２ｂが排気口３３に挿通されてもよい。
【0074】
排気口３３が真空搬送室３１の中心部に設けられる場合、平面視で排気口３３と重なる領域をウェハＷが通過しないように、真空搬送室３１内でのウェハＷの搬送が行われてもよい。
【0075】
＜他の変形例＞
以上の例では、処理モジュール４０１～４０６で処理されたウェハＷが、真空搬送室３１を介してロードロック室１２ａ、１３ａに搬送されているが、真空搬送室３１を介して、別の処理モジュール４０１～４０６に搬送されるようにしてもよい。
以上の例では、処理モジュール４０１～４０６で処理されたウェハＷが、真空搬送室３１を介してロードロック室１２ａ、１３ａに搬送されているが、真空搬送室３１を介して、別の処理モジュール４０１～４０６に搬送されるようにしてもよい。
【0076】
また、以上の例では、ウェハＷに成膜処理等の処理を行う処理モジュールの数は４つであったが、複数であれば、４つ以外であってもよい。
さらに、以上の例では、ウェハ搬送機構３２が真空搬送室３１内を搬送するウェハＷの枚数は１枚であったが、ウェハ搬送機構に複数の搬送アームを設け、同時に複数枚（例えば２枚）のウェハＷをウェハ搬送機構が搬送するようにしてもよい。この場合、複数枚の
ウェハＷについて、真空処理室やロードロック室に対する搬入出を同時に行うようにしてもよい。
さらに、以上の例では、ウェハ搬送機構３２が真空搬送室３１内を搬送するウェハＷの枚数は１枚であったが、ウェハ搬送機構に複数の搬送アームを設け、同時に複数枚（例えば２枚）のウェハＷをウェハ搬送機構が搬送するようにしてもよい。この場合、複数枚の
ウェハＷについて、真空処理室やロードロック室に対する搬入出を同時に行うようにしてもよい。
【0077】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。
【0078】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
【0079】
なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）真空処理室を有し、前記真空処理室内の基板に対して真空雰囲気下で処理を行う複数の処理モジュール
と、
室内を真空雰囲気の空間と常圧雰囲気の空間との間で切り替えられるように構成されたロードロック室と、
前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室と仕切弁を介して接続される真空搬送室を有し、基板搬送機構により、前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室に対し、前記真空搬送室との間での前記基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュールと、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口と、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内のガスを排出する排気口と、
前記給気口に接続されたガス供給機構及び前記排気口に接続された排気機構を制御し、前記真空搬送室内に前記不活性ガスの流れを形成する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われ前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出された直後の前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流になるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、基板処理装置。
（２）前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が前記真空搬送室内に位置する間、前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流になり続けるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が、前記真空搬送室内を前記基板搬送機構により移動中に、前記不活性ガスの流れが切り替わるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、前記（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板を前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出する際、前記複数の前記給気口のうち、当該処理モジュールの前記仕切弁から近い給気口が用いられる、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の記載の基板処理装置。
（５）前記排気口を複数備える、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（６）前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板を前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出する際、前記複数の前記排気口のうち、当該処理モジュールの前記仕切弁から遠い排気口が用いられる、前記（５）に記載の基板処理装置。
（７）平面視で前記基板搬送機構を間に挟んで互い対向する前記給気口及び前記排気口を用いて、前記不活性ガスの流れが形成される、前記（５）または（６）に記載の基板処理装置。
（８）前記不活性ガスは、窒素ガスである、前記（１）～（７）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（９）前記排気口は、前記真空搬送室における搬送時の前記基板の位置より下側に設けられる、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１０）前記給気口は、前記真空搬送室における搬送時の前記基板の位置より上側に設けられる、前記（１）～（９）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１１）基板処理装置内で基板を搬送する基板搬送方法であって、
前記基板処理装置は、
真空処理室を有し、前記真空処理室内の前記基板に対して真空雰囲気下で処理を行う複数の処理モジュールと、
室内を真空雰囲気と常圧雰囲気との間で切り替えられるように構成されたロードロック室と、
前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室と仕切弁を介して接続される真空搬送室を有し、基板搬送機構により、前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室に対し、前記真空搬送室との間での前記基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュールと、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口と、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内のガスを排出する排気口と、を有し、
当該基板搬送方法は、
前記真空搬送室内に前記不活性ガスの流れを形成した状態で、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板を、前記真空搬送室内で搬送する工程を含み、
前記搬送する工程において、前記処理モジュールにより前記処理が行われ前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出された直後の前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流とされる、基板搬送方法。
（１２）前記搬送する工程において、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が前記真空搬送室内に位置する間、前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流とされ続ける、前記（１１）に記載の基板搬送方法。
（１３）前記搬送する工程において、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が、前記真空搬送室内を前記基板搬送機構により移動中に、前記不活性ガスの流れが切り替えられる、前記（１２）に記載の基板搬送方法。
（１４）前記基板処理装置は、前記排気口を複数備え、
前記搬送する工程における前記不活性ガスの流れの形成に、平面視で前記基板搬送機構を間に挟んで互いに対向する前記給気口及び前記排気口が用いられる、前記（１１）～（１３）のいずれか１に記載の基板搬送方法。
（１）真空処理室を有し、前記真空処理室内の基板に対して真空雰囲気下で処理を行う複数の処理モジュール
と、
室内を真空雰囲気の空間と常圧雰囲気の空間との間で切り替えられるように構成されたロードロック室と、
前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室と仕切弁を介して接続される真空搬送室を有し、基板搬送機構により、前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室に対し、前記真空搬送室との間での前記基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュールと、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口と、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内のガスを排出する排気口と、
前記給気口に接続されたガス供給機構及び前記排気口に接続された排気機構を制御し、前記真空搬送室内に前記不活性ガスの流れを形成する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われ前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出された直後の前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流になるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、基板処理装置。
（２）前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が前記真空搬送室内に位置する間、前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流になり続けるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、前記（１）に記載の基板処理装置。
（３）前記制御部は、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が、前記真空搬送室内を前記基板搬送機構により移動中に、前記不活性ガスの流れが切り替わるように、前記ガス供給機構及び前記排気機構を制御する、前記（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板を前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出する際、前記複数の前記給気口のうち、当該処理モジュールの前記仕切弁から近い給気口が用いられる、前記（１）～（３）のいずれか１に記載の記載の基板処理装置。
（５）前記排気口を複数備える、前記（１）～（４）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（６）前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板を前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出する際、前記複数の前記排気口のうち、当該処理モジュールの前記仕切弁から遠い排気口が用いられる、前記（５）に記載の基板処理装置。
（７）平面視で前記基板搬送機構を間に挟んで互い対向する前記給気口及び前記排気口を用いて、前記不活性ガスの流れが形成される、前記（５）または（６）に記載の基板処理装置。
（８）前記不活性ガスは、窒素ガスである、前記（１）～（７）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（９）前記排気口は、前記真空搬送室における搬送時の前記基板の位置より下側に設けられる、前記（１）～（８）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１０）前記給気口は、前記真空搬送室における搬送時の前記基板の位置より上側に設けられる、前記（１）～（９）のいずれか１に記載の基板処理装置。
（１１）基板処理装置内で基板を搬送する基板搬送方法であって、
前記基板処理装置は、
真空処理室を有し、前記真空処理室内の前記基板に対して真空雰囲気下で処理を行う複数の処理モジュールと、
室内を真空雰囲気と常圧雰囲気との間で切り替えられるように構成されたロードロック室と、
前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室と仕切弁を介して接続される真空搬送室を有し、基板搬送機構により、前記真空処理室それぞれ及び前記ロードロック室に対し、前記真空搬送室との間での前記基板の搬入出を真空雰囲気下で行う真空搬送モジュールと、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内に不活性ガスを導入する複数の給気口と、
前記真空搬送室に設けられ、前記真空搬送室内のガスを排出する排気口と、を有し、
当該基板搬送方法は、
前記真空搬送室内に前記不活性ガスの流れを形成した状態で、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板を、前記真空搬送室内で搬送する工程を含み、
前記搬送する工程において、前記処理モジュールにより前記処理が行われ前記真空処理室から前記真空搬送室に搬出された直後の前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流とされる、基板搬送方法。
（１２）前記搬送する工程において、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が前記真空搬送室内に位置する間、前記基板の位置が、平面視で前記不活性ガスの流れの上流とされ続ける、前記（１１）に記載の基板搬送方法。
（１３）前記搬送する工程において、前記処理モジュールにより前記処理が行われた前記基板が、前記真空搬送室内を前記基板搬送機構により移動中に、前記不活性ガスの流れが切り替えられる、前記（１２）に記載の基板搬送方法。
（１４）前記基板処理装置は、前記排気口を複数備え、
前記搬送する工程における前記不活性ガスの流れの形成に、平面視で前記基板搬送機構を間に挟んで互いに対向する前記給気口及び前記排気口が用いられる、前記（１１）～（１３）のいずれか１に記載の基板搬送方法。
【符号の説明】
【0080】
１ ウェハ処理装置
１２ａ、１３ａ ロードロック室
３０ 真空搬送モジュール
３１ 真空搬送室
３２ ウェハ搬送機構
５０ 排気機構
６０ ガス供給機構
１００ 制御部
３３１、３３２、３３３、３３４ 排気口
３４１、３４２、３４３、３４４ 給気口
４０１、４０２、４０３、４０４、４０６、４０６ 処理モジュール
４１１、４１２、４１３、４１４、４１６、４１６ 真空処理室
Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５１、Ｇ５２、Ｇ５３、Ｇ５４、Ｇ５６、Ｇ５６ ゲートバルブ
Ｗ ウェハ
１２ａ、１３ａ ロードロック室
３０ 真空搬送モジュール
３１ 真空搬送室
３２ ウェハ搬送機構
５０ 排気機構
６０ ガス供給機構
１００ 制御部
３３１、３３２、３３３、３３４ 排気口
３４１、３４２、３４３、３４４ 給気口
４０１、４０２、４０３、４０４、４０６、４０６ 処理モジュール
４１１、４１２、４１３、４１４、４１６、４１６ 真空処理室
Ｇ３、Ｇ４、Ｇ５１、Ｇ５２、Ｇ５３、Ｇ５４、Ｇ５６、Ｇ５６ ゲートバルブ
Ｗ ウェハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】