特開 2024-112545 配線基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024112545

(43)【公開日】2024-08-21

(54)【発明の名称】配線基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240814BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023017658

(22)【出願日】2023-02-08

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】滝沢 優哉

(72)【発明者】

【氏名】小林 祐輝

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA15

5E316AA32

5E316AA35

5E316AA43

5E316CC04

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC32

5E316CC58

5E316DD17

5E316DD23

5E316DD24

5E316DD25

5E316EE33

5E316FF03

5E316FF13

5E316FF14

5E316FF15

5E316FF17

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG22

5E316GG27

5E316HH06

5E316HH07

5E316HH33

(57)【要約】

【課題】ビアホール内におけるシード層の未着、及び絶縁層の上面の粗度の増大を抑制した配線基板を提供する。
【解決手段】本配線基板は、第１配線層と、前記第１配線層の上面及び側面を被覆する絶縁層と、前記絶縁層に設けられ、前記第１配線層の上面に達するビアホールと、前記ビアホールを充填し、前記絶縁層の上面に延伸する第２配線層と、前記第１配線層に設けられ、前記第１配線層の上面側から下面側に窪んで前記ビアホールと連通し、平面視で前記ビアホールの内側面の下端よりも外周側に延伸する凹部と、を有し、前記第２配線層は、前記絶縁層の上面に設けられた第１シード層と、前記第１シード層の上面及び内側面、前記ビアホールの内側面、前記凹部内に露出する前記絶縁層の表面、及び前記凹部内に露出する前記第１配線層の表面を連続的に被覆する第２シード層と、前記第２シード層上に設けられた電解めっき層と、を含み、前記第１シード層は、前記第２シード層よりも薄い。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１配線層と、
前記第１配線層の上面及び側面を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層に設けられ、前記第１配線層の上面に達するビアホールと、
前記ビアホールを充填し、前記絶縁層の上面に延伸する第２配線層と、
前記第１配線層に設けられ、前記第１配線層の上面側から下面側に窪んで前記ビアホールと連通し、平面視で前記ビアホールの内側面の下端よりも外周側に延伸する凹部と、を有し、
前記第２配線層は、
前記絶縁層の上面に設けられた第１シード層と、
前記第１シード層の上面及び内側面、前記ビアホールの内側面、前記凹部内に露出する前記絶縁層の表面、及び前記凹部内に露出する前記第１配線層の表面を連続的に被覆する第２シード層と、
前記第２シード層上に設けられた電解めっき層と、を含み、
前記第１シード層は、前記第２シード層よりも薄い、配線基板。

【請求項2】

前記絶縁層の上面の粗度は、前記ビアホールの内側面の粗度よりも小さい、請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記第１シード層は、平面視で前記ビアホールの内側面の上端よりも内周側に突出する突出部を備え、
前記第２シード層は、前記第１シード層の上面及び内側面、前記突出部の下面、前記ビアホールの内側面、前記凹部内に露出する前記絶縁層の表面、及び前記凹部内に露出する前記第１配線層の表面を連続的に被覆する、請求項１に記載の配線基板。

【請求項4】

前記電解めっき層の前記凹部内に位置する部分は、前記第２シード層を介して前記絶縁層の下面と対向する部分を含む、請求項１に記載の配線基板。

【請求項5】

前記凹部は、外周側に行くにしたがって浅くなる形状である、請求項１に記載の配線基板。

【請求項6】

前記ビアホールは、前記絶縁層側に開口されている開口部の最大幅が１０μｍ以下であり、かつ前記ビアホールのアスペクト比が１以上である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。

【請求項7】

第１配線層の上面及び側面を被覆する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上面に、第１シード層をドライプロセスにより形成する工程と、
前記第１シード層及び前記絶縁層を貫通し、前記第１配線層の上面に達するビアホールを形成する工程と、
前記第１配線層に、前記第１配線層の上面側から下面側に窪んで前記ビアホールと連通し、平面視で前記ビアホールの内側面の下端よりも外周側に延伸する凹部を形成する工程と、
前記第１シード層の上面及び内側面、前記ビアホールの内側面、前記凹部内に露出する前記絶縁層の表面、及び前記凹部内に露出する前記第１配線層の表面を連続的に被覆する第２シード層をウェットプロセスにより形成する工程と、
前記第２シード層を給電層として電解めっきを行い、前記第１シード層、前記第２シード層、及び電解めっき層を含み、前記ビアホールを充填して前記絶縁層の上面に延伸する第２配線層を形成する工程と、を含み、
前記第１シード層は、前記第２シード層よりも薄い、配線基板の製造方法。

【請求項8】

前記ビアホールを形成した後、かつ前記凹部を形成する前に、デスミア処理を行い、
前記デスミア処理により、前記ビアホールの内側面の粗度は、前記絶縁層の上面の粗度よりも大きくなる、請求項７に記載の配線基板の製造方法。

【請求項9】

前記デスミア処理により、前記第１シード層に、前記ビアホール内に突出する突出部が形成され、
前記第２シード層は、前記第１シード層の上面及び内側面、前記突出部の下面、前記ビアホールの内側面、前記凹部内に露出する前記絶縁層の表面、及び前記凹部内に露出する前記第１配線層の表面を連続的に被覆する、請求項８に記載の配線基板の製造方法。

【請求項10】

ウェットエッチングにより前記凹部を形成する、請求項８又は９に記載の配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、交互に積層された絶縁層と配線層とを有する配線基板が知られている。このような配線基板では、例えば、絶縁層にビアホールを形成し、ビアホール内及び絶縁層の上面にシード層を形成し、シード層から給電する電解めっきを行うことで、配線層が形成される。ビアホール内及び絶縁層の上面へのシード層の形成は、例えば、イオンプレーティング等のドライプロセスにより行われる（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００５－３３２９２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、ドライプロセスによるシード層は、ビアホール内には形成されにくい。近年では、高速データ通信等に対応した配線基板において、配線の微細化やビアホールの小径化が進みつつあるが、小径のビアほど、ビアホール内にシード層の未着が発生しやすい傾向が顕著である。

【0005】

このような問題をウェットプロセスによるシード層の形成により回避することも考え得るが、ウェットプロセスによりシード層を形成する際には、密着性を向上するため、前処理として絶縁層の上面及びビアホール内を粗化することが一般的である。そして、この粗化による絶縁層の上面の粗度の増大に起因して表皮効果が顕著となり、配線基板の高周波伝送特性が悪化するおそれがある。

【0006】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、ビアホール内におけるシード層の未着、及び絶縁層の上面の粗度の増大を抑制した配線基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本配線基板は、第１配線層と、前記第１配線層の上面及び側面を被覆する絶縁層と、前記絶縁層に設けられ、前記第１配線層の上面に達するビアホールと、前記ビアホールを充填し、前記絶縁層の上面に延伸する第２配線層と、前記第１配線層に設けられ、前記第１配線層の上面側から下面側に窪んで前記ビアホールと連通し、平面視で前記ビアホールの内側面の下端よりも外周側に延伸する凹部と、を有し、前記第２配線層は、前記絶縁層の上面に設けられた第１シード層と、前記第１シード層の上面及び内側面、前記ビアホールの内側面、前記凹部内に露出する前記絶縁層の表面、及び前記凹部内に露出する前記第１配線層の表面を連続的に被覆する第２シード層と、前記第２シード層上に設けられた電解めっき層と、を含み、前記第１シード層は、前記第２シード層よりも薄い。

【発明の効果】

【0008】

開示の技術によれば、ビアホール内におけるシード層の未着、及び絶縁層の上面の粗度の増大を抑制した配線基板を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１実施形態に係る配線基板を例示する断面図である。

【図2】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その１）である。

【図3】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その２）である。

【図4】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その３）である。

【図5】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図（その４）である。

【図6】第１実施形態に係る配線基板の奏する効果の１つについて説明する図である。

【図7】第１実施形態の応用例に係る半導体装置を例示する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0011】

〈第１実施形態〉
［配線基板の構造］
図１は、第１実施形態に係る配線基板を例示する断面図である。図１（ａ）は全体図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ部の拡大図である。

【0012】

図１を参照すると、配線基板５は、コア基板１０と、第１配線構造１と、第２配線構造２と、第３配線構造３と、ソルダーレジスト層４０及び５０と、外部接続端子６０とを有している。第１配線構造１及び第２配線構造２は、コア基板１０の一方の側に配置され、第３配線構造３は、コア基板１０の他方の側に配置されている。なお、ソルダーレジスト層４０及び５０と、外部接続端子６０とは、必要に応じて設けることができる。

【0013】

なお、本実施形態では、便宜上、図１における配線基板５のソルダーレジスト層４０側を上側又は一方の側、ソルダーレジスト層５０側を下側又は他方の側とする。また、各部位のソルダーレジスト層４０側の面を一方の面又は上面、ソルダーレジスト層５０側の面を他方の面又は下面とする。但し、配線基板５は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。また、平面視とは対象物をソルダーレジスト層４０の一方の面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物をソルダーレジスト層４０の一方の面の法線方向から視た形状を指すものとする。

【0014】

コア基板１０としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア基板１０として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を含浸させた基板等を用いてもよい。コア基板１０の厚さは、例えば、８０～１２００μｍ程度とすることができる。なお、各図において、ガラスクロス等の図示は省略されている。

【0015】

コア基板１０には、コア基板１０を貫通する複数の貫通孔１０ｘが形成されている。貫通孔１０ｘの平面形状は、例えば、直径が５０～１００μｍ程度の円形とすることができる。貫通孔１０ｘのピッチは、例えば、１００～１０００μｍ程度とすることができる。貫通孔１０ｘの内側面には、貫通電極２０が形成されており、貫通孔１０ｘの中心部（貫通電極２０の内側）には樹脂部３０が充填されている。貫通電極２０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。樹脂部３０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性の絶縁樹脂を用いることができる。

【0016】

第１配線構造１は、コア基板１０の一方の面１０ａに積層されている。第１配線構造１は、配線層及び絶縁層が積層された配線構造である。なお、第１配線構造１において、配線層及び絶縁層の層数は、本実施形態の例には限定されない。第３配線構造３は、コア基板１０の他方の面１０ｂに積層されている。第３配線構造３は、配線層及び絶縁層が積層された配線構造である。なお、第３配線構造３において、配線層及び絶縁層の層数は、本実施形態の例には限定されない。

【0017】

配線層１１は、コア基板１０の一方の面１０ａに形成されている配線パターンである。配線層３１は、コア基板１０の他方の面１０ｂに形成されている配線パターンである。なお、本願において、配線パターンには、ビア受け用のパッドや外部接続用のパッドも含むものとする。配線層１１は、コア基板１０を貫通する貫通電極２０を介して、配線層３１と電気的に接続されている。配線層１１及び配線層３１は、例えば、銅箔等の金属箔や銅めっき等のめっき層からなる。配線層１１及び配線層３１の厚さは、例えば、１５～３５μｍ程度とすることができる。配線層１１及び配線層３１のライン／スペースは、例えば、１０μｍ／１０μｍ～５０μｍ／５０μｍ程度とすることができる。

【0018】

なお、ライン／スペースにおけるラインとは配線幅を表し、スペースとは隣り合う配線同士の間隔（配線間隔）を表す。例えば、ライン／スペースが１０μｍ／１０μｍ～５０μｍ／５０μｍと記載されていた場合、配線幅が１０μｍ以上５０μｍ以下で、かつ隣り合う配線同士の配線間隔が１０μｍ以上５０μｍ以下であることを表す。必ずしも配線幅と配線間隔とを等しくしなくてもよい。

【0019】

絶縁層１２は、コア基板１０の一方の面１０ａに、配線層１１を被覆するように形成されている。絶縁層３２は、コア基板１０の他方の面１０ｂに、配線層３１を被覆するように形成されている。絶縁層１２及び絶縁層３２は、非感光性樹脂を主成分とする絶縁層である。絶縁層１２及び絶縁層３２は、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等の熱硬化性の非感光性樹脂を主成分とすることができる。絶縁層１２及び絶縁層３２の厚さは、例えば２０～４０μｍ程度とすることができる。絶縁層１２及び絶縁層３２は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有してもよい。

【0020】

配線層１３は、絶縁層１２の一方の側に形成されており、配線層１１と電気的に接続されている。配線層１３は、絶縁層１２を貫通し配線層１１の一方の面を露出するビアホール１２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１２の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１２ｘは、絶縁層１４側に開口されている開口部の径が配線層１１の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。

【0021】

配線層３３は、絶縁層３２の他方の側に形成されており、配線層３１と電気的に接続されている。配線層３３は、絶縁層３２を貫通し配線層３１の他方の面を露出するビアホール３２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３２の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール３２ｘは、絶縁層３４側に開口されている開口部の径が配線層３１の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。

【0022】

ビアホール１２ｘ及び３２ｘの開口部の径は、例えば、５０～６０μｍ程度とすることができる。配線層１３及び配線層３３の材料としては、例えば、銅等を用いることができる。配線層１３及び配線層３３の配線パターンの厚さは、例えば、１５～２５μｍ程度とすることができる。配線層１３及び配線層３３の配線パターンのライン／スペースは、例えば、１０μｍ／１０μｍ～５０μｍ／５０μｍ程度とすることができる。

【0023】

絶縁層１４は、絶縁層１２の一方の面に、配線層１３を被覆するように形成されている。絶縁層３４は、絶縁層３２の他方の面に、配線層３３を被覆するように形成されている。絶縁層１４及び絶縁層３４の材料や厚さは、例えば、絶縁層１２及び絶縁層３２と同様とすることができる。絶縁層１４及び絶縁層３４は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有してもよい。

【0024】

配線層１５は、絶縁層１４の一方の側に形成されており、配線層１３と電気的に接続されている。配線層１５は、絶縁層１４を貫通し配線層１３の一方の面を露出するビアホール１４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層１４の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール１４ｘは、絶縁層２１側に開口されている開口部の径が配線層１３の上面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい逆円錐台状の凹部とすることができる。

【0025】

配線層３５は、絶縁層３４の他方の側に形成されており、配線層３３と電気的に接続されている。配線層３５は、絶縁層３４を貫通し配線層３３の他方の面を露出するビアホール３４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３４の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール３４ｘは、ソルダーレジスト層５０側に開口されている開口部の径が配線層３３の下面によって形成された開口部の底面の径よりも大きい円錐台状の凹部とすることができる。

【0026】

ビアホール１４ｘ及び３４ｘの開口部の径は、例えば、５０～６０μｍ程度とすることができる。配線層１５及び配線層３５の材料、配線層１５及び配線層３５の配線パターンの厚さ、配線層１５及び配線層３５の配線パターンのライン／スペースは、例えば、配線層１３及び配線層３３と同様とすることができる。

【0027】

第２配線構造２は、第１配線構造１上に配置されている。第２配線構造２は、配線層及び絶縁層が積層された配線構造である。なお、第２配線構造２において、配線層及び絶縁層の層数は、本実施形態の例には限定されない。

【0028】

第２配線構造２を構成する配線層の配線幅及び配線間隔は、第１配線構造１を構成する配線層の配線幅及び配線間隔よりも小さい。また、第２配線構造２を構成する配線層の配線幅及び配線間隔は、第３配線構造３を構成する配線層の配線幅及び配線間隔よりも小さい。つまり、第２配線構造２を構成する配線層は、第１配線構造１を構成する配線層及び第３配線構造３を構成する配線層よりも配線密度の高い微細配線層である。

【0029】

絶縁層２１は、絶縁層１４の一方の面に設けられ、配線層１５の上面及び側面を被覆する。絶縁層２１は、非感光性樹脂を主成分とする絶縁層である。絶縁層２１は、例えば、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、フェノール系樹脂、シアネート系樹脂等の熱硬化性の非感光性樹脂を主成分とすることができる。絶縁層２１は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有してもよい。絶縁層２１は、絶縁層１２及び１４よりも薄い絶縁層である。絶縁層２１の厚さは、例えば、１０～２０μｍ程度とすることができる。絶縁層２１には、絶縁層２１を貫通して配線層１５の上面に達するビアホール２１ｘが設けられている。

【0030】

配線層２２は、絶縁層２１の一方の側に形成されており、第１配線構造１の配線層１５と電気的に接続されている。配線層２２は、ビアホール２１ｘを充填し、絶縁層２１の上面に延伸する。ビアホール２１ｘを充填する部分はビア配線、絶縁層２１の上面に延伸する部分は配線パターンである。配線層２２の材料としては、例えば、主に銅等を用いることができる。配線層２２を構成する配線パターンの厚さは、例えば、５～１０μｍ程度とすることができる。配線層２２を構成する配線パターンのライン／スペースは、例えば、３μｍ／３μｍ～８μｍ／８μｍ程度とすることができる。

【0031】

絶縁層２３は、絶縁層２１の一方の面に設けられ、配線層２２の上面及び側面を被覆する。絶縁層２３の材料や厚さは、例えば、絶縁層２１と同様とすることができる。絶縁層２３は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有してもよい。絶縁層２３には、絶縁層２３を貫通して配線層２２の上面に達するビアホール２３ｘが設けられている。

【0032】

配線層２４は、絶縁層２３の一方の側に形成されており、配線層２２と電気的に接続されている。配線層２４は、ビアホール２３ｘを充填し、絶縁層２３の上面に延伸する。ビアホール２３ｘを充填する部分はビア配線、絶縁層２３の上面に延伸する部分は配線パターンである。配線層２４の材料、配線層２４を構成する配線パターンの厚さ、及び配線層２４を構成する配線パターンのライン／スペースは、例えば、配線層２２と同様とすることができる。

【0033】

絶縁層２５は、絶縁層２３の一方の面に設けられ、配線層２４の上面及び側面を被覆する。絶縁層２５の材料や厚さは、例えば、絶縁層２３と同様とすることができる。絶縁層２５は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有してもよい。絶縁層２５には、絶縁層２５を貫通して配線層２４の上面に達するビアホール２５ｘが設けられている。

【0034】

配線層２６は、絶縁層２５の一方の側に形成されており、配線層２４と電気的に接続されている。配線層２６は、ビアホール２５ｘを充填し、絶縁層２５の上面に延伸する。ビアホール２５ｘを充填する部分はビア配線、絶縁層２５の上面に延伸する部分は電極である。

【0035】

配線層２６の材料は、例えば、配線層２２と同様とすることができる。配線層２６を構成する電極の厚さは、例えば、１０～２０μｍ程度とすることができる。配線層２６を構成する電極の平面形状は、例えば、直径が２０～３０μｍ程度の円形とすることができる。配線層２６を構成する電極のピッチは、例えば、４０～５０μｍ程度とすることができる。配線層２６は、半導体チップ等の電子部品と電気的に接続するために使用することができる。

【0036】

金属層２７は、配線層２６を構成する電極の上面及び側面を被覆する。金属層２７は、必要に応じて設けられる。金属層２７は、一層のみから形成されてもよいし、複数層の積層構造であってもよい。金属層２７の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。金属層２７において、Ｎｉ層の厚さは、例えば、１μｍ～１０μｍ程度とすることができる。Ｐｄ層の厚さは、例えば、０．０１μｍ～０．５μｍ程度とすることができる。Ａｕ層の厚さは、例えば、０．０１μｍ～０．５μｍ程度とすることができる。

【0037】

ソルダーレジスト層４０は、第２配線構造２の絶縁層２５の一方の面の外周側に形成されている最外絶縁層である。ソルダーレジスト層４０の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層４０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。ソルダーレジスト層４０は、開口部４０ｘを有し、開口部４０ｘ内には配線層２６の電極が露出している。

【0038】

ソルダーレジスト層５０は、第３配線構造３の絶縁層３４の他方の面に、第３配線構造３の配線層３５を被覆するように形成されている最外絶縁層である。ソルダーレジスト層５０の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂等を主成分とする感光性の絶縁樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層５０は、シリカ（ＳｉＯ_２）等のフィラーを含有しても構わない。

【0039】

ソルダーレジスト層５０は、開口部５０ｘを有し、開口部５０ｘの底部には第３配線構造３の配線層３５の一部が露出している。開口部５０ｘ内に露出する配線層３５には、必要に応じて、はんだボール等の外部接続端子６０が形成される。

【0040】

ここで、主に図１（ｂ）を参照しながら、Ａ部の構造について、さらに詳しく説明する。

【0041】

配線層１５には、配線層１５の上面側から下面側に窪んでビアホール２１ｘと連通し、平面視でビアホール２１ｘの内側面の下端よりも外周側に延伸する凹部１５ｘが設けられている。凹部１５ｘの最深部の深さは、例えば、１μｍ以上５μｍ以下とすることができる。凹部１５ｘにおいて、平面視でビアホール２１ｘの内側面の下端よりも外周側に延伸する部分の長さは、例えば、１μｍ以上２０μｍ以下とすることができる。

【0042】

平面視でビアホール２１ｘの内側面を構成する絶縁層２１の一部又は全部は、凹部１５ｘの外周部と重なる。絶縁層２１は、凹部１５ｘ内には入り込んでいない。凹部１５ｘは、例えば、中心側が最も深く、外周側に行くにしたがって浅くなる形状である。

【0043】

ビアホール２１ｘは、絶縁層２３側に開口されている第１開口部の最大幅が配線層１５の上面に達する部分の第２開口部の最大幅よりも大きい断面視で逆台形状の凹部とすることができる。ビアホール２１ｘの第１開口部の最大幅は、例えば、５μｍ以上１５μｍ以下とすることができる。ビアホール２１ｘの第２開口部の最大幅は、例えば、２μｍ以上１２μｍ以下とすることができる。ビアホール２１ｘの深さは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下とすることができる。ビアホール２１ｘのアスペクト比（ビアホール２１ｘの深さ／第１開口部の最大幅）は、例えば、０．２５以上４以下とすることができる。ここで、最大幅は、平面視で、第１開口部又は第２開口部の外縁の２点間に連続して引くことができる最も長い直線の長さと定義する。ビアホールの最大幅は、平面視で、第１開口部又は第２開口部の形状が円形の場合は直径、楕円形の場合は長径、長方形や正方形の場合は対角線の長さである。

【0044】

絶縁層２１の上面の粗度は、ビアホール２１ｘの内側面の粗度よりも小さい。絶縁層２１の上面の粗度は、Ｒａ３０ｎｍ以下とすることが好ましい。絶縁層２１の上面の粗度は、Ｒａ２０ｎｍ以下とすることがより好ましく、Ｒａ１０ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。ビアホール２１ｘの内側面の粗度は、例えば、Ｒａ１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることができる。

【0045】

配線層２２は、第１シード層２２ａと、第２シード層２２ｂと、電解めっき層２２ｃとを含む。第１シード層２２ａは、絶縁層２１の上面に設けられている。第１シード層２２ａは、絶縁層２１と密着性の良い材料から形成することが好ましい。例えば、絶縁層２１がエポキシ系樹脂である場合は、第１シード層２２ａを構成する材料として、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属や、ＣｕＮｉ、ＣｕＮｉＴｉ等の合金が挙げられる。第１シード層２２ａは、ドライプロセスにより形成することができる。

【0046】

第２シード層２２ｂは、第１シード層２２ａの上面及び内側面、ビアホール２１ｘの内側面、凹部１５ｘ内に露出する絶縁層２１の表面、及び凹部１５ｘ内に露出する配線層１５の表面を連続的に被覆する。第２シード層２２ｂを構成する材料としては、例えば、Ｃｕが挙げられる。第２シード層２２ｂは、ウェットプロセスにより形成することができる。第１シード層２２ａは、第２シード層２２ｂよりも薄い。第１シード層２２ａの厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることができる。第２シード層２２ｂの厚さは、例えば、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。

【0047】

電解めっき層２２ｃは、凹部１５ｘ内、ビアホール２１ｘ内、及び絶縁層２１上において、第２シード層２２ｂ上に設けられている。電解めっき層２２ｃの凹部１５ｘ内に位置する部分は、第２シード層２２ｂを介して絶縁層２１の下面と対向する部分を含んでもよい。電解めっき層２２ｃを構成する材料としては、例えば、Ｃｕが挙げられる。

【0048】

第１シード層２２ａは、平面視でビアホール２１ｘの内側面の上端よりも内周側に突出する突出部を備えていてもよい。図１（ｂ）は、第１シード層２２ａが突出部を備える例であり、破線で示す円の内部に第１シード層２２ａの突出部が存在している。第１シード層２２ａの突出部は、例えば、平面視で環状に設けられる。第１シード層２２ａの突出部において、平面視でビアホール２１ｘの内側面の上端よりも内周側に突出する長さは、例えば、０．５μｍ以上３μｍ以下とすることができる。

【0049】

第１シード層２２ａが突出部を備える場合、第２シード層２２ｂは、第１シード層２２ａの上面及び内側面、第１シード層２２ａの突出部の下面、ビアホール２１ｘの内側面、凹部１５ｘ内に露出する絶縁層２１の表面、及び凹部１５ｘ内に露出する配線層１５の表面を連続的に被覆する。なお、第１シード層２２ａが突出部を備えることにより、配線層２２の抜け防止の効果が得られる。

【0050】

配線層２２には、配線層２２の上面側から下面側に窪んでビアホール２３ｘと連通し、平面視でビアホール２３ｘの内側面の下端よりも外周側に延伸する凹部２２ｘが設けられている。凹部２２ｘの最深部の深さは、例えば、凹部１５ｘの場合と同様とすることができる。凹部２２ｘにおいて、平面視でビアホール２３ｘの内側面の下端よりも外周側に延伸する部分の長さは、例えば、凹部１５ｘの場合と同様とすることができる。

【0051】

平面視でビアホール２３ｘの内側面を構成する絶縁層２３の一部又は全部は、凹部２２ｘの外周部と重なる。絶縁層２３は、凹部２２ｘ内には入り込んでいない。凹部２２ｘは、例えば、中心側が最も深く、外周側に行くにしたがって浅くなる形状である。

【0052】

ビアホール２３ｘは、ビアホール２１ｘと同様の形状の凹部とすることができる。ビアホール２３ｘの第１開口部及び第２開口部の最大幅は、例えば、ビアホール２１ｘの場合と同様とすることができる。ビアホール２３ｘの深さ及びアスペクト比は、例えば、ビアホール２１ｘの場合と同様とすることができる。

【0053】

絶縁層２３の上面の粗度は、ビアホール２３ｘの内側面の粗度よりも小さい。絶縁層２３の上面の粗度は、例えば、絶縁層２１の場合と同様とすることができる。ビアホール２３ｘの内側面の粗度は、例えば、ビアホール２１ｘの場合と同様とすることができる。

【0054】

配線層２４は、第１シード層２４ａと、第２シード層２４ｂと、電解めっき層２４ｃとを含む。第１シード層２４ａは、絶縁層２３の上面に設けられている。第１シード層２４ａは、絶縁層２３と密着性の良い材料から形成することが好ましい。第１シード層２４ａを構成する材料は、例えば、第１シード層２２ａの場合と同様とすることができる。第１シード層２４ａは、ドライプロセスにより形成することができる。

【0055】

第２シード層２４ｂは、第１シード層２４ａの上面及び内側面、ビアホール２３ｘの内側面、凹部２２ｘ内に露出する絶縁層２３の表面、及び凹部２２ｘ内に露出する配線層２２の表面を連続的に被覆する。第２シード層２４ｂを構成する材料は、例えば、第２シード層２２ｂの場合と同様とすることができる。第２シード層２４ｂは、ウェットプロセスにより形成することができる。第１シード層２４ａは、第２シード層２４ｂよりも薄い。第１シード層２４ａの厚さは、例えば、第１シード層２２ａの場合と同様とすることができる。第２シード層２４ｂの厚さは、例えば、第２シード層２２ｂの場合と同様とすることができる。

【0056】

電解めっき層２４ｃは、凹部２２ｘ内、ビアホール２３ｘ内、及び絶縁層２３上において、第２シード層２４ｂ上に設けられている。電解めっき層２４ｃの凹部２２ｘ内に位置する部分は、第２シード層２４ｂを介して絶縁層２３の下面と対向する部分を含んでもよい。電解めっき層２４ｃを構成する材料は、例えば、電解めっき層２２ｃの場合と同様とすることができる。

【0057】

第１シード層２４ａは、平面視でビアホール２３ｘの内側面の上端よりも内周側に突出する突出部を備えていてもよい。第１シード層２４ａの突出部は、例えば、平面視で環状に設けられる。第１シード層２４ａの突出部において、平面視でビアホール２３ｘの内側面の上端よりも内周側に突出する長さは、例えば、第１シード層２２ａの場合と同様とすることができる。

【0058】

第１シード層２４ａが突出部を備える場合、第２シード層２４ｂは、第１シード層２４ａの上面及び内側面、第１シード層２４ａの突出部の下面、ビアホール２３ｘの内側面、凹部２２ｘ内に露出する絶縁層２３の表面、及び凹部２２ｘ内に露出する配線層２２の表面を連続的に被覆する。

【0059】

配線層２４には、配線層２４の上面側から下面側に窪んでビアホール２５ｘと連通し、平面視でビアホール２５ｘの内側面の下端よりも外周側に延伸する凹部２４ｘが設けられている。凹部２４ｘの最深部の深さは、例えば、凹部１５ｘの場合と同様とすることができる。凹部２４ｘにおいて、平面視でビアホール２５ｘの内側面の下端よりも外周側に延伸する部分の長さは、例えば、凹部１５ｘの場合と同様とすることができる。

【0060】

平面視でビアホール２５ｘの内側面を構成する絶縁層２５の一部又は全部は、凹部２４ｘの外周部と重なる。絶縁層２５は、凹部２４ｘ内には入り込んでいない。凹部２４ｘは、例えば、中心側が最も深く、外周側に行くにしたがって浅くなる形状である。

【0061】

ビアホール２５ｘは、ビアホール２１ｘと同様の形状の凹部とすることができる。ビアホール２５ｘの第１開口部及び第２開口部の最大幅は、例えば、ビアホール２１ｘの場合と同様とすることができる。ビアホール２５ｘの深さ及びアスペクト比は、例えば、ビアホール２１ｘの場合と同様とすることができる。

【0062】

絶縁層２５の上面の粗度は、ビアホール２５ｘの内側面の粗度よりも小さい。絶縁層２５の上面の粗度は、例えば、絶縁層２１の場合と同様とすることができる。ビアホール２５ｘの内側面の粗度は、例えば、ビアホール２１ｘの場合と同様とすることができる。

【0063】

配線層２６は、第１シード層２６ａと、第２シード層２６ｂと、電解めっき層２６ｃとを含む。第１シード層２６ａは、絶縁層２５の上面に設けられている。第１シード層２６ａは、絶縁層２５と密着性の良い材料から形成することが好ましい。第１シード層２６ａを構成する材料は、例えば、第１シード層２２ａの場合と同様とすることができる。第１シード層２６ａは、ドライプロセスにより形成することができる。

【0064】

第２シード層２６ｂは、第１シード層２６ａの上面及び内側面、ビアホール２５ｘの内側面、凹部２４ｘ内に露出する絶縁層２５の表面、及び凹部２４ｘ内に露出する配線層２４の表面を連続的に被覆する。第２シード層２６ｂを構成する材料は、例えば、第２シード層２２ｂの場合と同様とすることができる。第２シード層２６ｂは、ウェットプロセスにより形成することができる。第１シード層２６ａは、第２シード層２６ｂよりも薄い。第１シード層２６ａの厚さは、例えば、第１シード層２２ａの場合と同様とすることができる。第２シード層２６ｂの厚さは、例えば、第２シード層２２ｂの場合と同様とすることができる。

【0065】

電解めっき層２６ｃは、凹部２４ｘ内、ビアホール２５ｘ内、及び絶縁層２５上において、第２シード層２６ｂ上に設けられている。電解めっき層２６ｃの凹部２４ｘ内に位置する部分は、第２シード層２６ｂを介して絶縁層２５の下面と対向する部分を含んでもよい。電解めっき層２６ｃを構成する材料は、例えば、電解めっき層２２ｃの場合と同様とすることができる。

【0066】

第１シード層２６ａは、平面視でビアホール２５ｘの内側面の上端よりも内周側に突出する突出部を備えていてもよい。第１シード層２６ａの突出部は、例えば、平面視で環状に設けられる。第１シード層２６ａの突出部において、平面視でビアホール２５ｘの内側面の上端よりも内周側に突出する長さは、例えば、第１シード層２２ａの場合と同様とすることができる。

【0067】

第１シード層２６ａが突出部を備える場合、第２シード層２６ｂは、第１シード層２６ａの上面及び内側面、第１シード層２６ａの突出部の下面、ビアホール２５ｘの内側面、凹部２４ｘ内に露出する絶縁層２５の表面、及び凹部２４ｘ内に露出する配線層２４の表面を連続的に被覆する。

【0068】

［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法について説明する。図２～図５は、第１実施形態に係る配線基板の製造工程を例示する図である。

【0069】

図１に示す配線基板５は、コア基板１０の一方の面１０ａ及び他方の面１０ｂに、例えば周知のビルドアップ法により配線層及び絶縁層を順次積層することにより製造できる。ここでは、領域Ａについて図示しながら、絶縁層１４の積層が終了した配線基板に、配線層１５、絶縁層２１、配線層２２、絶縁層２３、配線層２４、絶縁層２５、配線層２６、及び金属層２７を形成する工程を説明する。

【0070】

まず、図２（ａ）に示す工程では、絶縁層１４にビアホール１４ｘを形成した後、絶縁層１４上に配線層１５を形成する。例えば、ビアホール１４ｘを形成後、絶縁層１４の上面に、配線層１５を形成する予定の領域を露出する開口部を備えたレジスト層を形成する。レジスト層は、例えば、感光性のドライフィルムレジストを絶縁層１４上に貼り付けることで形成できる。開口部は、例えば、感光性のドライフィルムレジストを露光及び現像することにより形成できる。配線層１５は、例えば、周知のセミアディティブ法により、開口部内に露出するビアホール１４ｘ内及び絶縁層１４の上面に形成できる。配線層１５を形成後、レジスト層を除去する。配線層１５の材料や厚さは、前述のとおりである。

【0071】

次に、図２（ｂ）に示す工程では、例えば、絶縁層１４上に配線層１５の上面及び側面を被覆する未硬化の絶縁樹脂フィルムをラミネートし、この絶縁樹脂フィルムを加熱しながら絶縁層１４側に加圧して硬化させ、絶縁層２１を形成する。この際、表皮効果を抑制するため、上面の粗度がＲａ３０ｎｍ以下の低粗度の絶縁樹脂フィルムを選択することが好ましい。Ｒａ２０ｎｍ以下の低粗度の絶縁樹脂フィルムを選択することがより好ましく、Ｒａ１０ｎｍ以下の低粗度の絶縁樹脂フィルムを選択することがさらに好ましい。なお、絶縁樹脂フィルムのラミネートに代えて、液状又はペースト状の絶縁樹脂を塗布後、硬化させて絶縁層２１を形成してもよい。この際、絶縁層２１の上面の粗度が高い場合には、表皮効果を抑制するために化学的機械研磨（ＣＭＰ法：Chemical Mechanical Polishing法）等により平坦化を行い、絶縁層２１の上面の粗度を上記の通りとすることが好ましい。絶縁層２１の材料や厚さは、前述のとおりである。

【0072】

次に、図２（ｃ）に示す工程では、絶縁層２１の上面に、第１シード層２２ａをドライプロセスにより形成する。ドライプロセスとしては、例えば、スパッタ、蒸着、イオンプレーティング等が挙げられる。第１シード層２２ａの材料や厚さは、前述のとおりである。

【0073】

次に、図３（ａ）に示す工程では、第１シード層２２ａ及び絶縁層２１に、第１シード層２２ａ及び絶縁層２１を貫通し、配線層１５の上面に達するビアホール２１ｘを形成する。ビアホール２１ｘは、例えば、ＣＯ_２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。ビアホール２１ｘは、第１シード層２２ａ側に開口されている第１開口部の最大幅が配線層１５の上面に達する部分の第２開口部の最大幅よりも大きい断面視で逆台形状の凹部とすることができる。

【0074】

次に、図３（ｂ）に示す工程では、絶縁層２１にデスミア処理を行う。これにより、ビアホール２１ｘの底部に露出する配線層１５の上面に付着した絶縁層２１の樹脂残渣を除去することできる。デスミア処理の際に、絶縁層２１の内側面が削られて粗化される。第１シード層２２ａに被覆されている絶縁層２１の上面は粗化されないため、デスミア処理により、ビアホール２１ｘの内側面の粗度は、絶縁層２１の上面の粗度よりも大きくなる。ビアホール２１ｘの内側面の粗度は、例えば、Ｒａ１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることができる。また、デスミア処理により、絶縁層２１の内側面が削られ、第１シード層２２ａに、ビアホール２１ｘ内に突出する突出部が形成されてもよい。図３（ｂ）では、破線で示す円の内部に第１シード層２２ａの突出部が形成されている。デスミア処理は、配線層１５がエッチングされないエッチング液を用いて行う。例えば、配線層１５が銅であれば、過マンガン酸ナトリウムや過マンガン酸カリウム等のエッチング液を用いることができる。

【0075】

なお、図３（ｂ）に示す工程の後、デスミア処理で生じた異物を除去する異物洗浄工程を設けてもよい。異物洗浄は、例えば、界面活性剤を用いて行うことができる。界面活性剤を用いることで、異物洗浄とともに、ビアホール内の濡れ性向上の効果も得られる。なお、界面活性剤の一部が、配線層１５の上面に付着する場合がある。

【0076】

次に、図３（ｃ）に示す工程では、配線層１５に凹部１５ｘを形成する。凹部１５ｘは、配線層１５の上面側から下面側に窪んでビアホール２１ｘと連通し、平面視でビアホール２１ｘの内側面の下端よりも外周側に延伸するように形成される。凹部１５ｘは、例えば、配線層１５をエッチングでき、第１シード層２２ａがエッチングされないエッチング液を用いたウェットエッチングにより形成することができる。例えば、配線層１５が銅、第１シード層２２ａがチタンであれば、硫酸と過酸化水素を混合した水溶液、過硫酸ナトリウム水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いることができる。なお、異物洗浄工程で界面活性剤の一部が配線層１５の上面に付着した場合は、凹部１５ｘを形成する際に除去される。

【0077】

次に、図４（ａ）に示す工程では、第２シード層２２ｂをウェットプロセスにより形成する。第２シード層２２ｂを形成する前に、第２シード層２２ｂを形成する部分の表面に、Ｐｄ等の触媒を付与することが好ましい。第２シード層２２ｂは、第１シード層２２ａの上面及び内側面、第１シード層２２ａの突出部の下面、ビアホール２１ｘの内側面、凹部１５ｘ内に露出する絶縁層２１の表面、及び凹部１５ｘ内に露出する配線層１５の表面を連続的に被覆するように形成される。第２シード層２２ｂの材料や厚さは、前述のとおりである。なお、図３（ｂ）の工程で第１シード層２２ａに突出部が形成されていない場合は、第２シード層２２ｂは、第１シード層２２ａの上面及び内側面、ビアホール２１ｘの内側面、凹部１５ｘ内に露出する絶縁層２１の表面、及び凹部１５ｘ内に露出する配線層１５の表面を連続的に被覆するように形成される。なお、デスミア処理により、ビアホール２１ｘの内側面の粗度が増大しているため、ビアホール２１ｘの内側面と第２シード層２２ｂとの間にアンカー効果による良好な密着性が得られる。

【0078】

次に、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示す工程では、配線層２２を形成する。まず、図４（ｂ）に示す工程では、第２シード層２２ｂの上面に、配線層２２を形成する予定の領域を露出する開口部を備えたレジスト層を形成する。レジスト層は、例えば、感光性のドライフィルムレジストを第２シード層２２ｂ上に貼り付けることで形成できる。開口部は、例えば、感光性のドライフィルムレジストを露光及び現像することにより形成できる。そして、第２シード層２２ｂを給電層として銅等の電解めっきを行い、レジスト層の開口部内に電解めっき層２２ｃを形成する。その後、レジスト層を除去する。

【0079】

次に、図４（ｃ）に示す工程では、電解めっき層２２ｃをマスクとしたエッチングを行い、電解めっき層２２ｃから露出する第１シード層２２ａ及び第２シード層２２ｂを除去する。これにより、第１シード層２２ａ、第２シード層２２ｂ、及び電解めっき層２２ｃを含み、ビアホール２１ｘを充填して絶縁層２１の上面に延伸する配線層２２が形成される。第１シード層２２ａ及び第２シード層２２ｂは、別々のエッチング液で除去してもよい。例えば、第２シード層２２ｂが銅であれば、前述のエッチング液を用いることができる。例えば、第１シード層２２ａがＴｉであれば、水酸化カリウムと過酸化水素を混合した水溶液等のエッチング液を用いることができる。なお、第１シード層２２ａは、ドライエッチングで除去してもよい。

【0080】

次に、図５（ａ）に示す工程では、図２（ｂ）～図４（ｃ）と同様の工程を繰り返し、絶縁層２３、第１シード層２４ａ、ビアホール２３ｘ、凹部２２ｘ、第２シード層２４ｂ、及び電解めっき層２４ｃを順次形成し、絶縁層２３上に配線層２４を設ける。

【0081】

次に、図５（ｂ）に示す工程では、図２（ｂ）～図４（ｃ）と同様の工程を繰り返し、絶縁層２５、第１シード層２６ａ、ビアホール２５ｘ、凹部２４ｘ、第２シード層２６ｂ、及び電解めっき層２６ｃを順次形成し、絶縁層２５上に配線層２６を設ける。そして、配線層２６の絶縁層２５の上面から突出する電極の上面及び側面に、無電解めっき法等により、金属層２７を形成する。金属層２７の材料や厚さは、前述のとおりである。

【0082】

このように、配線基板５の製造工程では、絶縁層の上面にドライプロセスにより第１シード層を形成し、その後ビアホールを形成してビアホール内及び第１シード層上にウェットプロセスにより第２シード層を形成する。ウェットプロセスにより第２シード層を形成することで、ビアホール内にシード層の未着が発生するおそれを低減できる。これにより、ビア配線を介しての配線層同士の接続信頼性を向上することができる。特に、ビアホールの第１開口部の最大幅が１０μｍ以下であり、かつビアホールのアスペクト比が１以上である小さくて深いビアホールの場合は、従来のようなドライプロセスではビアホール内にシード層の未着が発生しやすい。そのため、ウェットプロセスでビアホール内にシード層を形成する配線基板５の製造方法は極めて有効である。

【0083】

また、配線基板５の製造工程では、ウェットプロセスによる第２シード層形成の前処理としてデスミア処理等を行った場合でも、その際に絶縁層の上面は第１シード層で被覆されているため、絶縁層の上面が粗化されることはない。そのため、絶縁層の上面の粗度の増大を抑えることが可能となり、表皮効果が抑制されて良好な高周波伝送特性を実現できる。

【0084】

なお、ドライプロセスによる第１シード層の形成に代えて、上面に銅箔が配置された銅箔付き絶縁層を使用することも考えられる。この場合も、ウェットプロセスによる第２シード層形成の前処理としてデスミア処理等を行った場合に、銅箔で被覆された絶縁層の上面が粗化されることはない。しかし、この場合、絶縁層の上面の粗度が銅箔表面の粗度で決まってしまう。一般に銅箔表面の粗度はＲａ２００ｎｍ程度であるため、この方法では表皮効果の抑制は困難である。すなわち、表皮効果の抑制のためには、ドライプロセスによる第１シード層の形成が必要である。

【0085】

また、配線基板５では、応力の集中に伴う配線層と第２シード層との界面での破断を抑制する効果が得られる。これについて、図６を参照しながら説明する。図６において、Ｂは、ビアホール２１ｘの内側面の下端を構成する絶縁層２１を示している。また、Ｃは、配線層１５と第２シード層２２ｂとの界面を示している。ビアホール２１ｘの内側面の下端Ｂは、例えば配線基板５に半導体チップを搭載する際の加熱や冷却に伴ない絶縁層２１が熱収縮する際に、応力が集中する点となる。そのため、仮に凹部１５ｘが形成されていないとすると、下端Ｂと界面Ｃとの距離が近くなり、応力の集中に伴う配線層１５と第２シード層２２ｂとの界面Ｃでの破断が生じやすくなる。しかし、配線基板５では、凹部１５ｘが形成されているため、下端Ｂと界面Ｃとの距離が遠くなる。これにより、応力の集中に伴う配線層１５と第２シード層２２ｂとの界面Ｃでの破断が抑制され、配線層１５と配線層２２との接続信頼性を向上することができる。なお、凹部を有する他の配線層についても、同様の効果を奏する。

【0086】

〈第１実施形態の応用例〉
第１実施形態の応用例では、配線基板に半導体チップを搭載した半導体装置の例を示す。なお、第１実施形態の応用例において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0087】

図７は、第１実施形態の応用例に係る半導体装置を例示する断面図である。図７を参照すると、半導体装置７は、図１に示す配線基板５と、半導体チップ１１０Ａ及び１１０Ｂと、電極ポスト１２０と、はんだ１３０とを有する。

【0088】

半導体チップ１１０Ａ及び１１０Ｂは、例えば、シリコン等からなる薄板化された半導体基板（図示せず）上に半導体集積回路（図示せず）等が形成されたものである。半導体基板（図示せず）には、半導体集積回路（図示せず）と電気的に接続された電極ポスト１２０が形成されている。電極ポスト１２０は、配線基板５と接続される接続端子であり、例えば、銅ポストである。半導体チップ１１０Ａは、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等のプロセッサであってもよい。半導体チップ１１０Ｂは、例えば、ＨＢＭ（High Bandwidth Memory）等のメモリであってもよい。

【0089】

電極ポスト１２０は、はんだ１３０を介して、配線基板５の配線層２６及び金属層２７と電気的に接続されている。はんだ１３０の材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。なお、半導体チップ１１０Ａ及び１１０Ｂと配線基板５の上面との間にアンダーフィル樹脂が充填されてもよい。

【0090】

このように、第１実施形態に係る配線基板５に半導体チップを搭載することにより、半導体装置７を実現できる。前述のように、配線基板５は、配線密度の高い微細配線層や第１開口部の最大幅の小さいビアホールを有する高密度な配線基板であり、かつ表皮効果が抑制されて良好な高周波伝送特性を実現できる。そのため、配線基板５は、例えばプロセッサとメモリとの間などで高速データ通信するためのインターポーザ基板として、好適に用いることができる。

【0091】

以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

【0092】

例えば、本発明は、図１に示した構造と異なる構造の配線基板にも適用可能である。本発明を適用可能な配線基板の一例として、コア基板や第３配線構造を有さず、第１配線構造上に第２配線構造が積層されたコアレスの配線基板が挙げられる。

【符号の説明】

【0093】

１ 第１配線構造
２ 第２配線構造
３ 第３配線構造
５ 配線基板
７ 半導体装置
１０ コア基板
１０ａ 一方の面
１０ｂ 他方の面
１０ｘ 貫通孔
１１，１３，１５，２２，２４，２６，３１，３３，３５ 配線層
１２，１４，２１，２３，２５，３２，３４ 絶縁層
１２ｘ，１４ｘ，２１ｘ，２３ｘ，２５ｘ，３２ｘ，３４ｘ ビアホール
１５ｘ，２２ｘ，２４ｘ 凹部
２０ 貫通電極
２２ａ，２４ａ，２６ａ 第１シード層
２２ｂ，２４ｂ，２６ｂ 第２シード層
２２ｃ，２４ｃ，２６ｃ 電解めっき層
２７ 金属層
３０ 樹脂部
４０，５０ ソルダーレジスト層
４０ｘ，５０ｘ 開口部
６０ 外部接続端子
１１０Ａ，１１０Ｂ 半導体チップ
１２０ 電極ポスト
１３０ はんだ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】