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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024112851
(43)【公開日】2024-08-21
(54)【発明の名称】基板を処理するための方法及び装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240814BHJP
H01L 21/205 20060101ALI20240814BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20240814BHJP
C23C 16/52 20060101ALI20240814BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
H01L21/205
H01L21/31 C
C23C16/52
【審査請求】有
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024076670
(22)【出願日】2024-05-09
(62)【分割の表示】P 2022567538の分割
【原出願日】2021-03-30
(31)【優先権主張番号】16/870,438
(32)【優先日】2020-05-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】シルベイラ， フェルナンド
(72)【発明者】
【氏名】フォベル， リチャード
(72)【発明者】
【氏名】チャン， チュンレイ
(57)【要約】 （修正有）
【課題】プラズマ又はヒータによって加熱され、熱交換器を通る冷却剤流によって冷却されるプロセスチャンバ内の構成要素の温度を制御する方法及び装置を提供する。
【解決手段】温度制御システム１００は、それぞれの冷却プレート１１０を含むチャックアセンブリ（ＥＳＣ）１０４及び／又はプラズマソース１２４、それぞれの冷却プレートと熱交換器１５０との間に接続された比例バイパス弁（ＰＢＶ）１４０、それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定する温度センサ１１２、１１４及び温度センサから測定された温度を受け取り、測定された温度を受け取ったことに応じて、比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン１４６及び第２の冷却剤出力ライン１４８を通る冷却剤の流量を制御する温度コントローラ１３０を含む。
【選択図】図１Ａ
【解決手段】温度制御システム１００は、それぞれの冷却プレート１１０を含むチャックアセンブリ（ＥＳＣ）１０４及び／又はプラズマソース１２４、それぞれの冷却プレートと熱交換器１５０との間に接続された比例バイパス弁（ＰＢＶ）１４０、それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定する温度センサ１１２、１１４及び温度センサから測定された温度を受け取り、測定された温度を受け取ったことに応じて、比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン１４６及び第２の冷却剤出力ライン１４８を通る冷却剤の流量を制御する温度コントローラ１３０を含む。
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
それぞれの冷却プレートを含むチャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方であって、前記それぞれの冷却プレートは、熱交換器の冷却剤供給ラインに結合された入口チャネルと、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続した出口チャネルと、を有する冷却剤チャネルを含む、チャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方、
前記それぞれの冷却プレートと前記熱交換器との間に接続された比例バイパス弁であって、前記冷却剤供給ラインに接続した冷却剤入力ライン、前記それぞれの冷却プレートの前記入口チャネルに接続した第１の冷却剤出力ライン、及び前記冷却剤戻りラインに接続した第２の冷却剤出力ラインを含む比例バイパス弁、
前記それぞれの冷却プレートの前記出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定するように構成された温度センサ、並びに
前記温度センサ測定から測定された温度を受け取り、前記測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御するコントローラを備える、処理チャンバ。
前記それぞれの冷却プレートと前記熱交換器との間に接続された比例バイパス弁であって、前記冷却剤供給ラインに接続した冷却剤入力ライン、前記それぞれの冷却プレートの前記入口チャネルに接続した第１の冷却剤出力ライン、及び前記冷却剤戻りラインに接続した第２の冷却剤出力ラインを含む比例バイパス弁、
前記それぞれの冷却プレートの前記出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定するように構成された温度センサ、並びに
前記温度センサ測定から測定された温度を受け取り、前記測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御するコントローラを備える、処理チャンバ。
【請求項2】
基板が最初に処理されているときに、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項3】
内部に前記比例バイパス弁が収容されるハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）を更に備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項4】
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項5】
前記それぞれの冷却プレートの前記入口チャネルは、第１の入口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは、第２の入口チャネルを更に含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとにそれぞれ接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の前記冷却剤戻りラインに接続している、請求項１から４のいずれか一項に記載の処理チャンバ。
【請求項6】
プラズマ又はヒータによって加熱され、熱交換器を通る冷却剤流によって冷却される処理チャンバ内の構成要素の温度を制御する方法であって、
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
前記チャックアセンブリ又は前記プラズマソースのうちの少なくとも一方のそれぞれの冷却プレートに接続された比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
前記それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを含む、方法。
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
前記チャックアセンブリ又は前記プラズマソースのうちの少なくとも一方のそれぞれの冷却プレートに接続された比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
前記それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを含む、方法。
【請求項7】
前記基板が最初に処理されているときに、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、請求項６に記載の方法。
【請求項8】
前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の前記流量を制御することは、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを部分的に閉じること、又は、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを部分的に開くこと、のうちの少なくとも一方を含む、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項9】
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、請求項６に記載の方法。
【請求項10】
前記それぞれの冷却プレートは、第１の入口チャネル及び第２の入口チャネルを含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、前記第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとに接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続している、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記熱交換器から前記冷却剤を提供することは、前記第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインをそれぞれ介して、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々に前記冷却剤を提供することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
前記出口チャネルは第１の出口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは第２の出口チャネルを備え、前記方法は更に、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の出口チャネルと前記第２の出口チャネルの各々を通る前記冷却剤の温度を測定することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
測定された温度を受け取ったことに応じて、第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン又は第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の少なくとも一方の流量を制御すること、及び、前記第１の比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを更に含む、請求項６、７、又は９から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項14】
指示命令が記憶された非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記指示命令は、プロセッサによって実行されると、プラズマ又はヒータによって加熱され、熱交換器を通る冷却剤流によって冷却される処理チャンバ内の構成要素の温度を制御する方法を実行させ、前記方法は、
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
前記チャックアセンブリ又は前記プラズマソースのうちの少なくとも一方のそれぞれの冷却プレートに接続された比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
前記それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを含む、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
前記チャックアセンブリ又は前記プラズマソースのうちの少なくとも一方のそれぞれの冷却プレートに接続された比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
前記それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを含む、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項15】
前記基板が最初に処理されているときに、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、請求項１４に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項16】
前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の前記流量を制御することは、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを部分的に閉じること、又は、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを部分的に開くこと、のうちの少なくとも一方を含む、請求項１４又は１５に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項17】
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、請求項１４に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項18】
前記それぞれの冷却プレートは、第１の入口チャネル及び第２の入口チャネルを含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、前記第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとに接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続している、請求項１７に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項19】
前記熱交換器から前記冷却剤を提供することは、前記第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインをそれぞれ介して、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々に前記冷却剤を提供することを含む、請求項１８に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項20】
前記出口チャネルは第１の出口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは第２の出口チャネルを備え、前記方法は更に、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の出口チャネルと前記第２の出口チャネルの各々を通る前記冷却剤の温度を測定することを含む、請求項１４、１５、又は１７から１９のいずれか一項に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
[0001] 本開示の実施形態は、広くは、基板を処理するための方法及び装置に関し、特に、基板の処理中に処理チャンバ内の構成要素の温度を制御するための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【0002】
[0002] プラズマエッチング又はプラズマ堆積チャンバのようなプラズマ処理チャンバでは、動作中に、処理チャンバ内に配置された構成要素（例えば、基板、基板支持体、ソースなど）の温度が、プラズマプロセスの有効性又は速度を制御する重要なパラメータである。例えば、基板を支持する基板支持体上に配置されたチャックアセンブリ又はソース（例えば、ターゲット、シャワーヘッドなど）の温度は、温度制御システムを使用して制御することができ、エッチング／堆積速度を制御するために、例えば、構成要素を加熱又は冷却するために、プラズマプロセス中にプロセスレシピの特定の設定点について調整する。
【0003】
[0003] 更に、マイクロエレクトロニクスの特徴がより小さくなり、ダイ及びその結果としての製品をより小さくすることができるようになると、プラズマ処理中に温度制御のより精密さが要求される。例えば、より高出力のプラズマは、比較的大量の熱を生成し、典型的には、より効果的な冷却を必要とする。その結果、温度制御システムは、非常に正確な必要があり、種々のプロセスを支援するために広範囲の温度にわたって動作しなければならない。
【0004】
[0004] 更に、従来の温度制御システムは、チャンバ構成要素に冷却剤を供給するのに適しているが、そのようなシステムは、冷却剤が温度制御システムの熱交換器に戻る前に冷却剤の温度を制御するように構成されておらず、熱交換器への損傷及び／又は熱交換器での冷却剤の冷却時間の増加を招く可能性がある。
【発明の概要】
【0005】
[0005] プラズマ又はヒータによって加熱され、熱交換器を通る冷却剤流によって冷却されるプロセスチャンバ内の構成要素の温度を制御する方法及び装置が、本明細書において提供される。幾つかの実施形態では、処理チャンバが、それぞれの冷却プレートを含むチャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方を含み、それぞれの冷却プレートは、熱交換器の冷却剤供給ラインに結合された入口チャネルと、熱交換器の冷却剤戻りラインに接続した出口チャネルと、を有する冷却剤チャネルを含む。処理チャンバは、それぞれの冷却プレートと熱交換器との間に接続された比例バイパス弁であって、冷却剤供給ラインに接続した冷却剤入力ライン、それぞれの冷却プレートの入口チャネルに接続した第１の冷却剤出力ライン、及び冷却剤戻りラインに接続した第２の冷却剤出力ラインを含む比例バイパス弁、それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定するように構成された温度センサ、並びに、温度センサ測定から測定された温度を受け取り、測定された温度を受け取ったことに応じて、比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る冷却剤の流量を制御するコントローラを更に含む。
【0006】
[0006] 少なくとも幾つかの実施形態によれば、プラズマ又はヒータによって加熱され、熱交換器を通る冷却剤流によって冷却される処理チャンバ内の構成要素の温度を制御する方法が、プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けてプラズマを導くこと、チャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方のそれぞれの冷却プレートに接続された比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定すること、及び、測定された温度を受け取ったことに応じて、比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る冷却剤の流量を制御することを含む。
【0007】
[0007] 少なくとも幾つかの実施形態によれば、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体が、指示命令を記憶している。該指示命令は、プロセッサによって実行されると、プラズマ又はヒータによって加熱され、熱交換器を通る冷却剤流によって冷却される処理チャンバ内の構成要素の温度を制御する方法を実行する。該方法は、プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けてプラズマを導くこと、チャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方のそれぞれの冷却プレートに接続された比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定すること、及び、測定された温度を受け取ったことに応じて、比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る冷却剤の流量を制御することを含む。
【0008】
[0008] 本開示の他の及び更なる実施形態が、以下で説明される。
【0009】
[0009] 上記で簡潔に要約され、以下でより詳細に説明される本開示の実施形態は、添付の図面に示す本開示の例示的な実施形態を参照することにより、理解することができる。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態を許容し得ることから、付随する図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、範囲を限定するものと見なすべきではない。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1A】[0010] 本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、温度制御システムの図である。
【図1B】[0011] 本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、温度制御システムの図である。
【図2】[0012] 本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、温度制御システムの図である。
【図3】[0013] 本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、温度制御システムの図である。
【図4】[0014] 本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、プラズマシステムの概略図である。
【図5】[0015] 本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、基板を処理するための方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0011】
[0016] 理解を容易にするために、図に共通する同一の要素を指し示すために、可能な場合には、同一の参照番号を使用した。図は縮尺どおりではなく、分かりやすくするために簡略化されていることがある。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、その他の実施形態に有益に組み込まれてよい。
【0012】
[0017] 処理チャンバ内の１以上の構成要素の温度を制御するための方法及び装置の実施形態が、本明細書で提供される。より具体的には、該方法が、例えば、プロセス構成要素の出口チャネルを通る冷却剤の測定された温度を受け取ること、及び、測定された温度を受け取ったことに応じて、プロセス構成要素の冷却プレートに接続された比例バイパス弁の第１の冷却剤出力と第２の冷却剤出力とを通る冷却剤の流量を制御することを含む。本明細書で説明される方法及び装置は、プロセス時間を大幅に短縮し、例えばプラズマを再衝突させる必要性を排除することによってアーク放電のリスクを低減させ、スループットを増加させ、改善された熱制御を提供する。
【0013】
[0018] 図１Ａは、本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、温度制御システム１００（制御システム１００）の図である。図１Ａでは、制御システム１００が、静電チャック（ESC）１０４（例えば、チャックアセンブリ）との使用に関して説明される。ESC１０４は、以下でより詳細に説明されるように、１以上の種類の処理チャンバ（例えば、プラズマ１２４処理チャンバ）内で基板１０６を支持する。本開示は、プラズマ処理チャンバの文脈でESCを説明するが、本明細書で説明されるESCは、様々な異なるチャンバ内で、様々な異なるプロセス用に使用されてよい。制御システム１００の特定の一実施態様に応じて、ESCの代わりに異なる基板支持体が使用されてよい。
【0014】
[0019] 制御システム１００は、１以上の比例バイパス弁１４０（PBV１４０）を含む。PBV１４０は、そこを通る冷却剤の流量を連続的に調整するように構成され得る。多入力多出力（MIMO）コントローラ又は任意の他の種類のコントローラなどの温度コントローラ１３０が、PBV１４０の弁を制御し、ESC１０４及び／又はESC１０４によって支持される基板１０６の温度を調節するように構成される。より具体的には、温度コントローラ１３０が、以下でより詳細に説明されるように、ESC１０４及び／又は基板１０６の温度、ならびにESC１０４を通る冷却剤の流量又はランプ速度を制御するためのフィードバックとして、ESC１０４の光学温度センサなどの１以上のセンサ／プローブ１１２、１１４から温度測定値を受け取るように構成される。冷却剤は、ESC１０４の上部プレート１０８及び／又は基板１０６を冷却するのに適した任意の流体であり得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、冷却剤が、非限定的に、水、脱イオン水／エチレングリコール、3MのFluorinert（登録商標）若しくはSolvay Solexis, Inc.のGalden（登録商標）などのフッ素化冷却剤、又は過フッ素化不活性ポリエーテルを含有するものなどの任意の他の好適な流体を含み得る。
【0015】
[0020] 図１Ａを引き続き参照すると、ESC１０４は、シリコンウエハ又は他の種類の基板のような、基板１０６を支持するように構成された上部プレート１０８（例えば、基板支持体）を含む。上部プレート１０８は、冷却プレート１１０上に支持され、冷却プレート１１０の下方に提供され得る１以上の他の支持体（図示せず）は、基板１０６を移動させ、支持し、上部プレート１０８及び／又は基板１０６にガス、電流、及び／又は他の材料を提供するように構成され得る。
【0016】
[0021] 幾つかの基板プロセス、例えば、エッチング、堆積などの最中、熱１２６が、プラズマ１２４から上部プレート１０８及び／若しくは基板１０６に、並びに／又は処理チャンバ内の上部プレート１０８及び／若しくは基板１０６を加熱するのに適した１以上の他の要素及び構成要素、例えば、ヒータ（図示せず）によって印加され得る。熱１２６は、少なくとも部分的に、基板１０６を通して上部プレート１０８に伝導され、冷却プレート１１０に伝導される。上部プレート１０８は、基板１０６の又はその近傍の温度を測定するように構成されたセンサ１１２、１１４を含む。
【0017】
[0022] 冷却プレート１１０は、１以上の入口チャネルを介して冷却剤を受け取り、１以上の出力チャネルを介して冷却剤を放出する１以上の冷却剤チャネルを含む。例示目的で、複数の冷却剤チャネル１２２が、冷却プレート１１０内で図示されている。複数の冷却剤チャネル１２２を設けることにより、冷却プレート１１０の異なる部分の温度を独立して制御することが可能になる。例えば、ESC１０４の周縁部はESC１０４の中央部よりも高温になる傾向があるので、別個の周縁部又は外側流体チャネルが、より多くの冷却剤がESC１０４の周縁部に与えられることを可能にし得る。冷却プレート１１０は、１以上の入口チャネル１１６及び１以上の出力チャネル１１８を含み得る（入口チャネル１１６及び出力チャネル１１８を図示するために、矢印が使用されている）。入口チャネル１１６は、PBVの第１の冷却剤出力ラインに接続し、出力チャネル１１８は、熱交換器の戻りラインに接続する。
【0018】
[0023] 温度コントローラ１３０の１以上の熱交換器は、ESC１０４に冷却剤を提供するように構成されている。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、熱交換器１５０が、それぞれ、ESC１０４に冷却剤を提供し、ESC１０４から冷却剤を受け取るための、冷却剤供給ライン１５２及び冷却剤戻りライン１５４を含む。熱交換器１５０は、戻り冷却剤を受け取り、戻り冷却剤を所定の温度に又は調節された量だけ冷却する。熱交換器１５０は、サーモスタット制御されてよく、又は、熱交換器１５０は、処理チャンバの特定の設計に基づいて、一定量の冷却を与えてもよい。ESC１０４を通して循環される冷却剤の温度は、供給される冷却剤の温度によって、且つ、ESC１０４を通る冷却剤の流量によって制御される。ESC１０４を通る冷却剤は、例えば、動作中に複数の冷却剤チャネル１２２を通って循環する。
【0019】
[0024] PBV１４０は、ESC１０４と熱交換器１５０との間に接続される。PBV１４０は、熱交換器１５０の冷却剤供給ライン１５２に接続される冷却剤入力ライン１４２を含む。冷却剤入力ライン１４２は、弁１４４に接続されている。弁１４４は、ESC１０４の入口チャネル１１６に接続した第１の冷却剤出力ライン１４６（PBV１４０の内側に仮想線で示されている）と、熱交換器１５０の冷却剤戻りライン１５４に接続した第２の冷却剤出力ライン１４８（これもPBV１４０の内側に仮想線で示されている）とに接続されている。弁１４４は、以下でより詳細に説明されるように、PBV１４０を通る冷却剤の流路を制御するために、温度コントローラ１３０によって制御される複数のポート（図示せず、例えば少なくとも２つのポート）を含む。
【0020】
[0025] 温度コントローラ１３０は、上部プレート１０８及び／又は基板１０６の温度を特定するために、センサ１１２、１１４から温度測定値／信号を受け取る。受け取られた温度測定値に基いて、温度コントローラ１３０は、PBV１４０内の弁１４４の複数のポートを開閉して、PBV１４０を通る冷却剤の流路と、ESC１０４の複数の冷却剤チャネル１２２を通る冷却剤の流量とを制御する。より具体的には、受け取られた温度測定値を使用して、温度コントローラ１３０が、弁制御信号、例えば、アナログ電圧信号、デジタルパルス幅変調信号、及び／又はガス圧信号を生成し得、その制御信号をPBV１４０に供給する。更に、温度コントローラ１３０はまた、PBV１４０及びセンサ１１２、１１４から圧力、温度、及び／又は他の信号も受け取り得る。それらを使用して、熱交換器１５０内に配置された１以上の弁、及び／又は熱交換器１５０によって提供される冷却剤の温度を制御することができる。
【0021】
[0026] 図１Ｂは、本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、制御システム１００の図である。例示目的で、熱交換器１５０は、冷却剤供給ライン１５２及び冷却剤戻りライン１５４が熱交換器１５０の上部にある状態で図示されている。
【0022】
[0027] 制御システム１００は、図１Ａに関して前述されたものと実質的に同様に機能する。したがって、図１Ｂに特有の特徴のみが、本明細書で説明される。例えば、制御システム１００はまた、処理チャンバ内の１以上の他の構成要素の温度を制御するように構成することもできる。例えば、図１Ｂで示されているように、温度コントローラ１３０は、処理チャンバ内のソース１６０（例えば、ターゲット、シャワーヘッド、又は他のプロセス構成要素）の温度を制御するように構成することができる。ESC１０４と同様に、処理中、ソース１６０の温度は、例えばプラズマ１２４からの熱１２６によって上昇する傾向がある。したがって、冷却プレート１１０をESC１０４に結合する代わりに、冷却プレート１１０をソース１６０に結合することができる。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、例えばソース１６０がシャワーヘッドであるときに、冷却プレート１１０は、ブロッカプレート１６１及び／又はシャワーヘッドなどのガス分配プレート１６２に結合され得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、冷却プレート１１０が、ブロッカプレート１６１に結合され得る。そのような一実施形態では、センサ１１２、１１４が、ブロッカプレート１６１又はガス分配プレート１６２に結合され得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、センサ１１２、１１４が、ブロッカプレート１６１に結合され得る。処理中、ブロッカプレート１６１及び／又はガス分配プレート１６２の温度は、以下でより詳細に説明されるように、それらに供給される冷却剤を介して制御／監視される。
【0023】
[0028] 図２は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、制御システム２００の図である。制御システム２００は、ESC１０４及び／又はソース１６０のいずれかと共に動作するように構成され得るが、例示目的で、制御システム２００は、ESC１０４との使用に関して説明される。例えば、PBV１４０は、ハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）２６０の中に組み込まれ得る。ハイブリッドwFib２６０の中に組み込まれたPBV１４０を含む制御システム２００は、図１Ａ及び図１Ｂの制御システム１００と実質的に同様に機能する。したがって、本明細書では、図２の制御システム２００に特有の態様のみを説明する。
【0024】
[0029] ハイブリッドwFib２６０は、冷却流体ライン、１以上のモード（例えば、PWMモード）において流量制御のための遮断弁及び／又はパルス弁として作用し得るガス圧弁、ティー、流体分配マニホールドなどのうちの１以上を含み得る。PBV１４０の冷却剤入力ライン１４２が熱交換器１５０の冷却剤供給ライン１５２に直接接続され、PBV１４０の第２の冷却剤出力ライン１４８が熱交換器１５０の冷却剤戻りライン１５４に直接接続される図１Ａ及び図１Ｂとは異なり、冷却剤入力ライン１４２及び第２の冷却剤出力ライン１４８は、ハイブリッドwFib２６０の１以上の構成要素、例えば、ハイブリッドwFib２６０内の冷却剤ラインに接続される。例示目的で、PBV１４０の冷却剤入力ライン１４２は、熱交換器１５０の冷却剤供給ライン１５２に接続されているハイブリッドwFib２６０の冷却剤供給ライン２６２に接続されるように図示されており、PBV１４０の第２の冷却剤出力ライン１４８は、熱交換器１５０の冷却剤戻りライン１５４に接続されているハイブリッドwFib２６０の冷却剤戻りライン２６４に接続されるように図示されている。
【0025】
[0030] 更に、温度コントローラ１３０は、使用中にハイブリッドwFib２６０を制御するために、PBV１４０及びハイブリッドwFib２６０に接続され得る。例えば、温度コントローラ１３０は、ハイブリッドwFib２６０内の１以上の弁を開閉して、そこを通る冷却剤の流路と、ESC１０４の複数の冷却剤チャネル１２２を通る冷却剤の流量と、を制御するように構成されている。
【0026】
[0031] 図３は、少なくとも幾つかの実施形態による、制御システム３００の図である。より具体的には、図３の制御システム３００が、２つの独立した冷却剤流ゾーンを有する２つのゾーン（又は２つのループ）システムを示している。制御システム３００は、ESC１０４及び／又はソース１６０のいずれかと共に動作するように構成され得るが、例示目的で、制御システム３００は、ESC１０４との使用に関して説明される。そのような一実施形態では、１以上のPBV１４０が、前述されたやり方で使用され得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、２つの独立して制御されるPBV（例えば、２つのPBV１４０）を、熱交換器１５０の冷却剤供給ライン１５２及び冷却剤戻りラインに接続することができる。例示目的で、２つのPBV１４０ａ及び１４０ｂが、温度コントローラ１３０に接続されたPBVハウジング３４０内に配置されるように図示されている。代替的に、２つのPBV１４０ａ及び１４０ｂは、図１Ａ及び図１Ｂに関して上述されたたような、PBV内に収容されていない２つの別個のPBVであり得る。
【0027】
[0032] PBV１４０ａ、１４０ｂの各々は、熱交換器１５０に接続されている。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、熱交換器１５０の冷却剤供給ライン１５２が、PBVハウジング３４０内に配置された例えばティー３４２を介して、PBV１４０ａ、１４０ｂの各々に冷却剤を供給する。ティー３４２は、PBV１４０ａ、１４０ｂの各々の冷却剤入力ライン（図示せず）のそれぞれに接続している。代替的に、２つの別個の冷却剤供給ライン１５２が、PBV１４０ａ、１４０ｂの各々の冷却剤供給ラインのそれぞれに冷却剤を供給し得る。同様に、PBV１４０ａ、１４０ｂの各々の第１の冷却剤出力ライン１４６ａ、１４６ｂの各それぞれが、PBVハウジング３４０の第１の冷却剤出力ライン３４６ａ、３４６ｂに接続されている。今度は、それらが、入口チャネル１１６ａ、１１６ｂのそれぞれに接続されている。入口チャネル１１６ａ、１１６ｂは、冷却プレート１１０内の複数の冷却剤チャネル１２２のうちの独立したものに冷却剤を供給する。冷却剤は、冷却剤戻りライン３４８ａ、３４８ｂのそれぞれに接続された出力チャネル１１８ａ、１１８ｂを介して、冷却プレート１１０から戻され得る。冷却剤戻りライン３４８ａ、３４８ｂは、ESC１０４を出た後の任意のポイントで結合されてよい。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、冷却剤戻りライン３４８ａ、３４８ｂが、熱交換器１５０の冷却剤戻りライン１５４に接続したPBVハウジング３４０の冷却剤戻りライン３４６に接続した逆ティー３４４で結合され得る。更に、PBV１４０ａ、１４０ｂの各々は、冷却剤戻りライン３４６に接続したそれぞれの第２の冷却剤戻りライン１４８ａ、１４８ｂを含む。
【0028】
[0033] 少なくとも幾つかの実施形態では、上述されたように、ESC１０４の周縁部がESC１０４の中央部よりも高温になる傾向があるため、入口チャネル１１６ａ、１１６ｂのうちの一方は、複数の冷却剤チャネル１２２の別個の周縁部又は外側流体チャネル（OFC）に接続し得る。一方で、入口チャネル１１６ａ、１１６ｂのうちの他方は、複数の冷却剤チャネル１２２の中央部又は内側流体チャネル（IFC）に接続し得る。
【0029】
[0034] 少なくとも幾つかの実施形態では、ハイブリッドwFib２６０が、PBVハウジング３４０に接続され得るか、又はその内部に配置され得る。そのような一実施形態では、ハイブリッドwFib２６０が、ティー３４２と熱交換器１５０との間に接続され得る。それによって、冷却剤流路が、熱交換器１５０の冷却剤供給ライン１５２から、ハイブリッドwFib２６０へ、次いでティー３４２へ、次いでPBV１４０ａ、１４０ｂの各々に至る。
【0030】
[0035] 図４は、本開示の少なくとも幾つかの実施形態による、プラズマシステム４００（システム４００）の概略図である。システム４００は、基板上で１以上のプラズマプロセスを実行するように構成され得る。例えば、システム４００は、物理的堆積プロセス、化学気相堆積プロセス、原子層堆積プロセス、エッチングプロセスなどを実行するように構成され得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、システム４００が、エッチングプロセスを実行するように構成され得、例えば、装置のエッチングラインのうちの１以上、例えば、アプライドマテリアルズ社から入手可能なCENTRIS（登録商標）、CENTURA（登録商標）、PRODUCER（登録商標）などのプロセスチャンバを含むことができる。他の市販のエッチングチャンバが、本明細書で説明されるESCを同様に利用してよい。
【0031】
[0036] システム４００は、接地され得るチャンバ本体４０５を含む処理チャンバ４０２を含む。処理ガスが、チャンバ本体４０５に接続された（１以上の）ガス源４２９から、質量流量コントローラ４４９を介して、処理チャンバ４０２の内部空間４０３（例えば、処理領域）に供給される。
【0032】
[0037] 処理チャンバ４０２は、高容量減圧ポンプスタック４５５に接続された排気バルブ４５１を介して排気され得る。プラズマ電力が処理チャンバ４０２に印加されると、プラズマが、基板４１０（例えば、基板１０６）の上の内部空間４０３内に生成され得る。
【0033】
[0038] プラズマバイアス電力４２５（例えば、RF電源又はDC電源）が、ESC４４２（例えば、ESC１０４）に結合されて、プラズマを励起する。少なくとも幾つかの実施形態では、プラズマバイアス源４２５はRF電源である。プラズマバイアス電力４２５は、約２MHzから約６０MHz（例えば、１３．５６MHz帯域内であってよい）の周波数でバイアス電力を提供し得る。プラズマバイアス電力４２５は、電力導管４２８を介して、RF整合ネットワーク（図示せず）及び下部電極（図示せず、例えば、チャッキング電極）に結合され得る。更に、少なくとも幾つかの実施形態では、処理チャンバ４０２が、第２のプラズマバイアス電力（図示せず、例えば、RF電源又はDC電源）を含み得る。例えば、第２のプラズマソースが第２のRF電源である場合、第２のRF電源をRF整合ネットワークに接続することもできる。第２のプラズマバイアス電力は、約２MHzから約６０MHz（例えば、２MHz帯域内であってよい）で動作し得る。
【0034】
[0039] プラズマソース電力４３０が、別の整合ネットワーク（図示せず）を介して結合され、高周波ソース電力を提供して、プラズマ４３６を誘導的又は容量的に励起する。プラズマソース電力４３０は、プラズマバイアス電力４２５よりも高い周波数（例えば、１００MHzと１８０MHzとの間など、例えば、１６２MHz帯域内であってよい）を有し得る。少なくとも幾つかの実施形態では、プラズマが、エッチングプロセスを実行するのに適した１種類以上のガスを使用して生成され得る。プラズマは、例えば、ソース４３５（例えば、シャワーヘッド１３８）を介して基板４１０の表面に導かれる。
【0035】
[0040] 基板４１０は、チャンバ本体４０５を通して画定された開口部４１５を通して装填され得る。基板４１０（例えば、半導体ウエハなど）は、半導体処理技術分野で使用される任意のウエハ、基板、又は他の材料であってよい。基板４１０は、ESC４４２の誘電体層（又はパック）４４５の上面上に装填され得る。クランプ電極（図示せず）が、誘電体層４４５内に埋め込まれ、バイアス電力源４７９に結合されて、静電力を提供し、基板４１０を誘電体層４４５にクランプすることができる。
【0036】
[0041] １以上の冷却プレート４４４が、処理チャンバ４０２の１以上の構成要素上に提供され得る。例示目的で、それぞれの冷却プレート４４４ａ、４４４ｂは、ソース４３５及びESC４４２上に設けられるように図示されている。前述されたように、冷却プレート４４４は、１以上の冷却剤チャネル４２２（複数の冷却剤チャネル４２２が、冷却プレート４４４内に図示されている）を含み得る。それらは、１以上の入口チャネル４１６を介して冷却剤を受け取り、１以上の出力チャネル４１８を介して冷却剤を放出する（単一の入口チャネル４１６および出力チャネル４１８を示すために、矢印が使用されている）。少なくとも幾つかの実施形態では、熱交換器１５０の冷却剤供給ライン１５２に接続された入口チャネル４１６が、冷却剤を受け入れるためのPBV１４０の第１の冷却剤出力ライン１４６に接続され、出力チャネル４１８は、熱交換器１５０の冷却剤戻りライン１５４に接続されている。冷却剤戻りライン１５４は、上述されたように、PBV１４０の第２の冷却剤出力ライン１４８に接続されている。
【0037】
[0042] 少なくとも幾つかの実施形態では、図４で示されているように、冷却プレート４４４ａ、４４４ｂの各々を、同じ熱交換器に接続することができる。代替的に、冷却プレート４４４ａ、４４４ｂの各々を、別個の熱交換器に接続することができる。
【0038】
[0043] 処理チャンバ４０２の制御を容易にするために、処理チャンバ４０２はコントローラ４７０を含む。コントローラ４７０は、中央処理装置（CPU）４７２を含む。CPU４７２は、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための、プログラム可能な論路制御装置（PLC）などの産業設定で使用され得る任意の形態を採る汎用コンピュータプロセッサのうちの１つであってよい。メモリ４７３が、CPU４７２に結合され、メモリ４７３は、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であり得、ランダムアクセスメモリ（RAM）、読取り専用メモリ（ROM）、フロッピーディスクドライブ、ハードディスク、又は任意の他の形態を採るデジタルストレージ（ローカル若しくはリモート）などの、容易に利用可能なメモリのうちの１以上であってよい。電源、クロック、キャッシュなどのうちの１以上を含むサポート回路４７４（例えば、I／O回路）が、従来のやり方でプロセッサをサポートするためにCPU４７２に結合されている。荷電種の生成、加熱、及びその他のプロセスは、通常、典型的にはソフトウェアルーチンとしてメモリ４７３に記憶される。更に、ソフトウェアルーチンはまた、CPU４７２によって制御されている処理チャンバ４０２から遠隔に位置する第２のCPU（図示せず）によって記憶及び／又は実行されてもよい。
【0039】
［0044］メモリ４７３は、指示命令を含むコンピュータ可読記憶媒体の形態を採る。該指示命令は、ＣＰＵ４７２によって実行されると、処理チャンバ４０２の動作を促進する。メモリ４７３内の指示命令は、本開示の方法を実装するプログラムなどのプログラム製品の形態を採る。プログラムコードは、幾つかの異なるプログラミング言語のうちの任意の１つに適合してよい。一実施例では、本開示が、コンピュータシステムと共に使用されるコンピュータ可読記憶媒体に記憶されたプログラム製品として実装されてよい。プログラム製品の（１以上）のプログラムは、実施形態（本明細書で説明される方法を含む）の機能を規定する。例示的なコンピュータ可読記憶媒体は、非限定的に、（ｉ）情報が永続的に記憶される書込み不能な記憶媒体（例えば、CD‐ROMドライブ、フラッシュメモリ、ROMチップ、又は任意の種類の固体不揮発性半導体メモリによって読み出し可能なCD‐ROMディスクなどのコンピュータ内の読出し専用メモリデバイス）、及び（ｉｉ）変更可能な情報が記憶される書き込み可能な記憶媒体（例えば、ディスケットドライブ又はハードディスクドライブ内のフロッピーディスク或いは任意の種類の固体ランダムアクセス半導体メモリ）を含む。本明細書で説明される方法の機能を指示するコンピュータ可読指示命令を運ぶときに、そのようなコンピュータ可読記憶媒体が、本開示の実施形態となる。
【0040】
[0045] 更に、コントローラ４７０は、少なくとも図１Ａ～図３の制御システムに関して上述された制御機能を実行するように構成され、温度コントローラ１３０を含み、メモリ４７３内に記憶され得る温度制御アルゴリズム（例えば、温度フィードバック制御）を実行する。温度コントローラ１３０は、１以上の温度センサ（プローブ）４４３（例えば、センサ１１２及び／又は１１４）に結合されている。それらは、ESC４４２の上部プレート４４６の中または上、及びソース４３５の中又は上にあってよい。
【0041】
[0046] 温度コントローラ１３０は、１以上の熱交換器（HTX）／冷却機に結合されている。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、温度コントローラ１３０が、熱交換器１５０に結合されている。ソース４３５及びESC４４２の冷却プレート４４４ａ、４４４ｂ内の１以上の冷却剤チャネルを通る熱流体又は熱伝達流体（例えば、冷却剤）の流量は、上述されたように、１以上のPBV１４０によって制御される。
【0042】
[0047] PBV１４０は、温度コントローラ１３０によって制御されて、冷却プレート４４４ａ、４４４ｂ内の１以上の冷却剤チャネルの各々への冷却剤の流量を独立して制御することができる。また、温度コントローラ１３０は、熱流体を冷却又は加熱するために熱交換器１５０によって使用される温度設定点を制御してもよい。少なくとも幾つかの実施形態では、
【0043】
[0048] 図５は、少なくとも幾つかの実施形態による、基板を処理するための方法５００のフローチャートである。説明目的で、方法５００は、処理チャンバ４０２との使用に関して説明される。
【0044】
[0049] ５０２では、プラズマ（例えば、プラズマ４３６）が、処理チャンバ（例えば、処理チャンバ４０２）内で生成され得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、プラズマが、プラズマソース電力４３０を使用して生成され得、高周波ソース電力を提供して、１以上のガス源（例えば、ガス源４２９）から供給される１種類以上のプロセスガスを誘導点火又は容量点火して、プラズマを生成することができる。
【0045】
[0050] 次に、５０４では、プラズマが、基板（例えば、基板４１０）を支持するように構成されたチャックアセンブリ（例えば、ESC４４２）に向けて導かれ得る。上述されたように、プラズマがチャックアセンブリに向けて導かれるにつれて、プラズマからの熱４３７も、チャックアセンブリ（及び基板）及び／又はソース（例えば、ソース４３５）の上部プレートに印加され／導かれ得る。
【0046】
[0051] したがって、チャックアセンブリ及び／又はソースの上部プレートの温度を制御するために、５０６で、チャックアセンブリ及び／又はソースに接続されたPBVを介して、熱交換器（例えば、熱交換器１５０）からの冷却剤が、チャックアセンブリ及び／又はソースの冷却プレートに提供され得る。例えば、PBVは、前述されたPBV（例えば、PBV１４０）のうちの１以上であり得る。
【0047】
[0052] 基板の処理中、５０８では、冷却プレートの出口チャネルを通る冷却剤の温度が測定され得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、温度コントローラ（例えば、温度コントローラ１３０）が、例えば温度センサ（例えば、温度センサ４４３）を使用して、冷却プレートの出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定し得る。
【0048】
[0053] 次に、５１０では、測定された温度を受け取ったことに応じて、PBVの第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る冷却剤の流量が、連続的に制御され得る。例えば、PBVの第１の冷却剤出力ラインは、チャックアセンブリ及び／又はソースを通して、比較的高い／低い流量の冷却剤を提供するように制御され得る。チャックアセンブリ及び／又はソースを通る冷却剤の流量は、チャックアセンブリ及び／又はソースから冷却剤に伝達され得る熱の量に正比例し、例えば、冷却剤の流量が大きいほど、伝達され得る熱の量は大きい。更に、第２の冷却剤出力ラインは、例えば、冷却剤が熱交換器に戻る前に冷却剤を冷却するために、熱交換器の戻りラインへの比較的高い／低い流量の冷却剤を提供するように制御され得る。
【0049】
[0054] PBVは、PBVの第１の出力ライン及び第２の出力ラインの各々を通る複数の冷却剤流れ機能を可能にする。特に、PBVを通る冷却剤の流れは、PBVの弁（例えば、弁１４４）のポートを通る流れが、PBVの第１の出力ライン及び第２の出力ラインに導かれ得るように制御され得る。より具体的には、PBVを通る冷却剤の流量出力が、常に１００％（例えば、第１の出力ライン及び第２の出力ラインのいずれかを通る約０から約１００％）である。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、第１の出力ラインへのポート上の０から１００％は、第２の出力ラインへのポート上の１００％から０の反対効果を有する。それは、両方のポートが５０／５０の分割を有するポイントまでである。例えば、第１の出力ラインへのポートが約１００％（例えば、完全に開いた構成）にあるときに、第２の出力ラインへのポートは約０（例えば、完全に閉じた構成）にあり得、逆もまた同様である。
【0050】
[0055] 温度コントローラは、基板の処理中に、チャックアセンブリの上部プレート、ソース、及び／又は冷却プレートの（１以上の）出口チャネルを通る冷却剤の温度を連続的に測定／監視する。温度コントローラは、処理チャンバのチャックアセンブリの冷却プレート及び／又はソースの冷却プレート並びに熱交換器の戻りラインに一定の冷却剤の流れを提供する。したがって、チャックアセンブリの上部プレート、ソース、及び／又は冷却プレートの（１以上の）出口チャネルを通る冷却剤の測定される温度が変化（例えば、増加／減少）するときに、PBVは、処理チャンバ及び／又は熱交換器の戻りラインへの冷却剤の流れを増加又は減少させるように制御され得る。
【0051】
[0056] 例えば、処理中に処理チャンバ内のプラズマの結果として、チャックアセンブリ及び／又はソースの上部プレートの温度が上昇（例えば、所定の温度まで）したときに、PBVを使用して、処理チャンバのチャックアセンブリ及び／又はソースへの冷却剤流量が自動的に増加され得る。
【0052】
[0057] 例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、温度コントローラが、PBVを制御して、チャックアセンブリへの冷却剤流量を約５０％から約７５％に自動的に増加させるように構成され得る。そして、熱交換器への冷却剤流量は、５０％から約２５％に低減され得る。チャックアセンブリの上部プレート及び／又は基板の温度が低下した（例えば、所定の温度まで）ときに、温度コントローラは、PBVを制御して、チャックアセンブリへの冷却剤流量を約７５％から約５０％に自動的に戻して減少させるように構成され得る。そして、熱交換器への冷却剤流量は、２５％から約５０％に戻すように増加され得る。チャックアセンブリの上部プレート及び／又は基板におけるより安定した温度を維持することによって、仮に除去できないとしても、プラズマのオン及びオフによって引き起こされる熱スイングの影響を低減させることができ、これは、処理チャンバ性能、基板処理均一性を向上させることができ、所与のレシピに対するより一貫した基板処理結果を提供することができる。
【0053】
[0058] 理解され得るように、温度コントローラはまた、同様のやり方でソースへの冷却剤流量を自動的に増加／減少させるようにPBVを制御するよう構成することもできる。少なくとも幾つかの実施形態では、温度コントローラが、チャックアセンブリ及びソースの各々への冷却剤流量を同時に且つ独立して制御するように構成され得る。
【0054】
[0059] 処理中に上部プレート及び／又はソースを冷却した結果、熱交換器の戻りライン内の冷却剤の温度が上昇（例えば、所定の温度以上）したときに、PBVを使用して、熱交換器の戻りラインへの冷却剤流量が自動的に増加され得る。例えば、少なくとも幾つかの実施形態では、温度コントローラが、チャックアセンブリ（及び／又はソース）への冷却剤流量を約５０％から約２５％に自動的に減少させるようにPBVを制御するよう構成され得る。そして、熱交換器への冷却剤流量は、５０％から約７５％に増加され得る。戻りラインの冷却剤の温度が低下した（例えば、所定の温度まで）ときに、温度コントローラは、PBVを制御して、チャックアセンブリ（及び／又はソース）への冷却剤流量を約２５％から約５０％に自動的に戻して増加させるように構成され得る。そして、熱交換器への冷却剤流量は、約７５％から約５０％に戻すように低減され得る。熱交換器に戻る冷却剤の温度を一定に維持することによって、仮に除去できないとしても、熱交換器における圧力及び流量スパイクの影響を著しく低減させる。
【0055】
[0060] 少なくとも幾つかの実施形態では、コントローラが、１種類の制御システムに従ってチャックアセンブリを制御するように構成され得、別の種類の制御システムに従ってソースを制御するように構成され得る。例えば、コントローラは、図１Ａの制御システム１００に従ってチャックアセンブリを制御し、図２又は図３の制御システムに従ってソースを制御するように構成され得、逆も同様である。
【0056】
[0061] 上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態を考案してもよい。
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【手続補正書】
【提出日】2024-06-04
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
それぞれの冷却プレートを含むチャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方であって、前記それぞれの冷却プレートは、熱交換器の冷却剤供給ラインに結合された入口チャネルと、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続した出口チャネルと、を有する冷却剤チャネルを含む、チャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方、
冷却剤供給ラインと冷却剤戻りラインとを備えたハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）、
前記ハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）内部に収容され、前記それぞれの冷却プレートと前記熱交換器との間に接続された比例バイパス弁であって、前記ハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）の前記冷却剤供給ラインを経由して前記熱交換器の前記冷却剤供給ラインに接続した冷却剤入力ライン、前記それぞれの冷却プレートの前記入口チャネルに接続した第１の冷却剤出力ライン、及び前記ハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）の前記冷却剤戻りラインを経由して前記熱交換器の前記冷却剤戻りラインに接続した第２の冷却剤出力ラインを含む比例バイパス弁、
前記それぞれの冷却プレートの前記出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定するように構成された温度センサ、並びに
前記温度センサから測定された温度を受け取るように構成され、かつ、前記測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の制御可能な複数のポートを通じて、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の個々の流量を制御するように構成されたコントローラを備える、処理チャンバ。
冷却剤供給ラインと冷却剤戻りラインとを備えたハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）、
前記ハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）内部に収容され、前記それぞれの冷却プレートと前記熱交換器との間に接続された比例バイパス弁であって、前記ハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）の前記冷却剤供給ラインを経由して前記熱交換器の前記冷却剤供給ラインに接続した冷却剤入力ライン、前記それぞれの冷却プレートの前記入口チャネルに接続した第１の冷却剤出力ライン、及び前記ハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）の前記冷却剤戻りラインを経由して前記熱交換器の前記冷却剤戻りラインに接続した第２の冷却剤出力ラインを含む比例バイパス弁、
前記それぞれの冷却プレートの前記出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定するように構成された温度センサ、並びに
前記温度センサから測定された温度を受け取るように構成され、かつ、前記測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の制御可能な複数のポートを通じて、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の個々の流量を制御するように構成されたコントローラを備える、処理チャンバ。
【請求項2】
基板の処理の間に、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項3】
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項4】
前記それぞれの冷却プレートの前記入口チャネルは、第１の入口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは、第２の入口チャネルを更に含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、前記第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとにそれぞれ接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の前記冷却剤戻りラインに接続している、請求項３に記載の処理チャンバ。
【請求項5】
処理チャンバ内の構成要素の温度を制御する方法であって、
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の制御可能な複数のポートを通じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の個々の流量を制御することを含む、方法。
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の制御可能な複数のポートを通じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の個々の流量を制御することを含む、方法。
【請求項6】
前記基板の処理の間に、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、請求項５に記載の方法。
【請求項7】
前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の前記流量を制御することは、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを部分的に閉じること、又は、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを部分的に開くこと、のうちの少なくとも一方を含む、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項8】
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、請求項５に記載の方法。
【請求項9】
前記それぞれの冷却プレートは、第１の入口チャネル及び第２の入口チャネルを含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、前記第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとに接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続している、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
前記熱交換器から前記冷却剤を提供することは、前記第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインをそれぞれ介して、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々に前記冷却剤を提供することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記出口チャネルは第１の出口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは第２の出口チャネルを備え、前記方法は更に、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の出口チャネルと前記第２の出口チャネルの各々を通る前記冷却剤の温度を測定することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の少なくとも一方の流量を制御すること、及び、前記第１の比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを更に含む、請求項８から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項13】
指示命令が記憶された非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記指示命令は、プロセッサによって実行されると、処理チャンバ内の構成要素の温度を制御する方法を実行させ、前記方法は、
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の制御可能な複数のポートを通じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の個々の流量を制御することを含む、
非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の制御可能な複数のポートを通じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の個々の流量を制御することを含む、
非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項14】
前記基板の処理の間に、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、請求項１３に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項15】
前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の前記流量を制御することは、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを部分的に閉じること、又は、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを部分的に開くこと、のうちの少なくとも一方を含む、請求項１３又は１４に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項16】
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、請求項１３に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項17】
前記それぞれの冷却プレートは、第１の入口チャネル及び第２の入口チャネルを含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、前記第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとに接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続している、請求項１６に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項18】
前記熱交換器から前記冷却剤を提供することは、前記第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインをそれぞれ介して、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々に前記冷却剤を提供することを含む、請求項１７に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項19】
前記出口チャネルは第１の出口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは第２の出口チャネルを備え、前記方法は更に、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の出口チャネルと前記第２の出口チャネルの各々を通る前記冷却剤の温度を測定することを含む、請求項１３、１４、又は１６から１８のいずれか一項に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0056】
[0061] 上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態を考案してもよい。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
それぞれの冷却プレートを含むチャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方であって、前記それぞれの冷却プレートは、熱交換器の冷却剤供給ラインに結合された入口チャネルと、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続した出口チャネルと、を有する冷却剤チャネルを含む、チャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方、
前記それぞれの冷却プレートと前記熱交換器との間に接続された比例バイパス弁であって、前記冷却剤供給ラインに接続した冷却剤入力ライン、前記それぞれの冷却プレートの前記入口チャネルに接続した第１の冷却剤出力ライン、及び前記冷却剤戻りラインに接続した第２の冷却剤出力ラインを含む比例バイパス弁、
前記それぞれの冷却プレートの前記出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定するように構成された温度センサ、並びに
前記温度センサ測定から測定された温度を受け取り、前記測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御するコントローラを備える、処理チャンバ。
（態様２）
基板が最初に処理されているときに、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、態様１に記載の処理チャンバ。
（態様３）
内部に前記比例バイパス弁が収容されるハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）を更に備える、態様１に記載の処理チャンバ。
（態様４）
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、態様１に記載の処理チャンバ。
（態様５）
前記それぞれの冷却プレートの前記入口チャネルは、第１の入口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは、第２の入口チャネルを更に含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとにそれぞれ接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の前記冷却剤戻りラインに接続している、態様１から４のいずれか一項に記載の処理チャンバ。
（態様６）
プラズマ又はヒータによって加熱され、熱交換器を通る冷却剤流によって冷却される処理チャンバ内の構成要素の温度を制御する方法であって、
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
前記チャックアセンブリ又は前記プラズマソースのうちの少なくとも一方のそれぞれの冷却プレートに接続された比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
前記それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを含む、方法。
（態様７）
前記基板が最初に処理されているときに、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、態様６に記載の方法。
（態様８）
前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の前記流量を制御することは、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを部分的に閉じること、又は、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを部分的に開くこと、のうちの少なくとも一方を含む、態様６又は７に記載の方法。
（態様９）
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、態様６に記載の方法。
（態様１０）
前記それぞれの冷却プレートは、第１の入口チャネル及び第２の入口チャネルを含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、前記第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとに接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続している、態様９に記載の方法。
（態様１１）
前記熱交換器から前記冷却剤を提供することは、前記第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインをそれぞれ介して、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々に前記冷却剤を提供することを含む、態様１０に記載の方法。
（態様１２）
前記出口チャネルは第１の出口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは第２の出口チャネルを備え、前記方法は更に、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の出口チャネルと前記第２の出口チャネルの各々を通る前記冷却剤の温度を測定することを含む、態様１１に記載の方法。
（態様１３）
測定された温度を受け取ったことに応じて、第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン又は第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の少なくとも一方の流量を制御すること、及び、前記第１の比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを更に含む、態様６、７、又は９から１２のいずれか一項に記載の方法。
（態様１４）
指示命令が記憶された非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記指示命令は、プロセッサによって実行されると、プラズマ又はヒータによって加熱され、熱交換器を通る冷却剤流によって冷却される処理チャンバ内の構成要素の温度を制御する方法を実行させ、前記方法は、
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
前記チャックアセンブリ又は前記プラズマソースのうちの少なくとも一方のそれぞれの冷却プレートに接続された比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
前記それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを含む、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様１５）
前記基板が最初に処理されているときに、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、態様１４に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様１６）
前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の前記流量を制御することは、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを部分的に閉じること、又は、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを部分的に開くこと、のうちの少なくとも一方を含む、態様１４又は１５に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様１７）
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、態様１４に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様１８）
前記それぞれの冷却プレートは、第１の入口チャネル及び第２の入口チャネルを含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、前記第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとに接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続している、態様１７に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様１９）
前記熱交換器から前記冷却剤を提供することは、前記第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインをそれぞれ介して、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々に前記冷却剤を提供することを含む、態様１８に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様２０）
前記出口チャネルは第１の出口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは第２の出口チャネルを備え、前記方法は更に、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の出口チャネルと前記第２の出口チャネルの各々を通る前記冷却剤の温度を測定することを含む、態様１４、１５、又は１７から１９のいずれか一項に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
それぞれの冷却プレートを含むチャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方であって、前記それぞれの冷却プレートは、熱交換器の冷却剤供給ラインに結合された入口チャネルと、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続した出口チャネルと、を有する冷却剤チャネルを含む、チャックアセンブリ又はプラズマソースのうちの少なくとも一方、
前記それぞれの冷却プレートと前記熱交換器との間に接続された比例バイパス弁であって、前記冷却剤供給ラインに接続した冷却剤入力ライン、前記それぞれの冷却プレートの前記入口チャネルに接続した第１の冷却剤出力ライン、及び前記冷却剤戻りラインに接続した第２の冷却剤出力ラインを含む比例バイパス弁、
前記それぞれの冷却プレートの前記出口チャネルを通る冷却剤の温度を測定するように構成された温度センサ、並びに
前記温度センサ測定から測定された温度を受け取り、前記測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御するコントローラを備える、処理チャンバ。
（態様２）
基板が最初に処理されているときに、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、態様１に記載の処理チャンバ。
（態様３）
内部に前記比例バイパス弁が収容されるハイブリッド水インターフェースボックス（wFib）を更に備える、態様１に記載の処理チャンバ。
（態様４）
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、態様１に記載の処理チャンバ。
（態様５）
前記それぞれの冷却プレートの前記入口チャネルは、第１の入口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは、第２の入口チャネルを更に含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとにそれぞれ接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の前記冷却剤戻りラインに接続している、態様１から４のいずれか一項に記載の処理チャンバ。
（態様６）
プラズマ又はヒータによって加熱され、熱交換器を通る冷却剤流によって冷却される処理チャンバ内の構成要素の温度を制御する方法であって、
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
前記チャックアセンブリ又は前記プラズマソースのうちの少なくとも一方のそれぞれの冷却プレートに接続された比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
前記それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを含む、方法。
（態様７）
前記基板が最初に処理されているときに、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、態様６に記載の方法。
（態様８）
前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の前記流量を制御することは、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを部分的に閉じること、又は、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを部分的に開くこと、のうちの少なくとも一方を含む、態様６又は７に記載の方法。
（態様９）
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、態様６に記載の方法。
（態様１０）
前記それぞれの冷却プレートは、第１の入口チャネル及び第２の入口チャネルを含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、前記第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとに接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続している、態様９に記載の方法。
（態様１１）
前記熱交換器から前記冷却剤を提供することは、前記第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインをそれぞれ介して、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々に前記冷却剤を提供することを含む、態様１０に記載の方法。
（態様１２）
前記出口チャネルは第１の出口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは第２の出口チャネルを備え、前記方法は更に、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の出口チャネルと前記第２の出口チャネルの各々を通る前記冷却剤の温度を測定することを含む、態様１１に記載の方法。
（態様１３）
測定された温度を受け取ったことに応じて、第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン又は第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の少なくとも一方の流量を制御すること、及び、前記第１の比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを更に含む、態様６、７、又は９から１２のいずれか一項に記載の方法。
（態様１４）
指示命令が記憶された非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、前記指示命令は、プロセッサによって実行されると、プラズマ又はヒータによって加熱され、熱交換器を通る冷却剤流によって冷却される処理チャンバ内の構成要素の温度を制御する方法を実行させ、前記方法は、
プラズマソースを使用して処理チャンバ内にプラズマを生成すること、
基板を支持するように構成されたチャックアセンブリに向けて前記プラズマを導くこと、
前記チャックアセンブリ又は前記プラズマソースのうちの少なくとも一方のそれぞれの冷却プレートに接続された比例バイパス弁を介して、熱交換器から冷却剤を提供すること、
前記それぞれの冷却プレートの出口チャネルを通る前記冷却剤の温度を測定すること、及び
測定された温度を受け取ったことに応じて、前記比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ライン及び第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の流量を制御することを含む、非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様１５）
前記基板が最初に処理されているときに、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインは、完全に開いた構成にあり、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインは、完全に閉じた構成にある、態様１４に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様１６）
前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ライン及び前記第２の冷却剤出力ラインを通る前記冷却剤の前記流量を制御することは、前記比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインを部分的に閉じること、又は、前記比例バイパス弁の前記第２の冷却剤出力ラインを部分的に開くこと、のうちの少なくとも一方を含む、態様１４又は１５に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様１７）
前記比例バイパス弁は、第１の比例バイパス弁であり、前記処理チャンバは、第２の比例バイパス弁を更に備える、態様１４に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様１８）
前記それぞれの冷却プレートは、第１の入口チャネル及び第２の入口チャネルを含み、前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々は、前記第１の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の第１の冷却剤出力ラインとに接続し、前記第１の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ライン又は前記第２の比例バイパス弁の第２の冷却剤出力ラインのうちの少なくとも一方が、前記熱交換器の冷却剤戻りラインに接続している、態様１７に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様１９）
前記熱交換器から前記冷却剤を提供することは、前記第１の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインと前記第２の比例バイパス弁の前記第１の冷却剤出力ラインをそれぞれ介して、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の入口チャネルと前記第２の入口チャネルの各々に前記冷却剤を提供することを含む、態様１８に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
（態様２０）
前記出口チャネルは第１の出口チャネルであり、前記それぞれの冷却プレートは第２の出口チャネルを備え、前記方法は更に、前記それぞれの冷却プレートの前記第１の出口チャネルと前記第２の出口チャネルの各々を通る前記冷却剤の温度を測定することを含む、態様１４、１５、又は１７から１９のいずれか一項に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【外国語明細書】