特開 2024-11372 半導体集積回路装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024011372

(43)【公開日】2024-01-25

(54)【発明の名称】半導体集積回路装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/822 20060101AFI20240118BHJP

   H01L 21/82 20060101ALI20240118BHJP

   H01G 4/33 20060101ALI20240118BHJP

【ＦＩ】

H01L27/04 C

H01L27/04 H

H01L21/82 W

H01G4/33 102

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022113311

(22)【出願日】2022-07-14

(71)【出願人】

【識別番号】000191238

【氏名又は名称】日清紡マイクロデバイス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】関根 慧

【テーマコード（参考）】

5E082

5F038

5F064

【Ｆターム（参考）】

5E082AB03

5E082BC40

5E082CC02

5E082CC13

5E082DD11

5E082EE05

5E082FG03

5F038AC04

5F038AC05

5F038AC07

5F038CA01

5F038CA06

5F038CA16

5F038CD01

5F038CD13

5F064CC23

5F064EE18

5F064EE41

(57)【要約】

【課題】アンテナ効果を抑制しつつ、単位容量と寄生容量の双方で高い比精度を実現することが可能な半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体集積回路装置は、複数のメタル層が絶縁体層を介して積層され、容量素子を有する半導体集積回路装置であって、メタル層の積層方向に垂直な所定の回転軸に対して、ｎ（ｎ：２以上の整数）回回転対称な位置に容量素子への電流流路を含む電流流路を構成する部材が配置されている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のメタル配線層が絶縁体層を介して積層され、容量素子を有する半導体集積回路装置であって、
前記メタル配線層の積層方向に沿った所定の回転軸に対して、ｎ（ｎ：２以上の整数）回回転対称な位置に前記容量素子への電流流路を含む電流流路を構成する部材が配置されている、
半導体集積回路装置。

【請求項2】

前記部材は、ｍ（ｍ：自然数）種類の部材を含み、
ｎ回回転対称な位置にｍ×ｎ個の部材が配置されている、
請求項１記載の半導体集積回路装置。

【請求項3】

前記部材は、メタルブリッジ構造を構成する配線パタンを含む配線パタン、前記メタルブリッジ構造を構成するビアを含むビア、前記配線パタン同士を接続するビア又はコンタクトを含む、
請求項１記載の半導体集積回路装置。

【請求項4】

前記回転軸に対して、ｎ回回転対称な形状を有したメタルシールドを構成する部材及びｎ回回転対象な位置に配置された前記メタルシールドを構成する部材を含む、
請求項１記載の半導体集積回路装置。

【請求項5】

前記メタルブリッジ構造は、前記容量素子の一方の端子及び他方の端子の双方に設けられている、
請求項３記載の半導体集積回路装置。

【請求項6】

前記容量素子は、一対の第１平板電極の間に絶縁体を介して一つの第２平板電極が配置されたＭＩＭ容量素子として構成されている、
請求項１記載の半導体集積回路装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、半導体集積回路装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体集積回路装置において、平行に配置されたメタル配線同士や配線層間に形成される容量は他の半導体集積回路装置に比べて高い比精度が実現できることが知られている。しかしながら、スイッチトキャパシタ回路や容量型のＤ／Ａ変換器など、特に高い比精度が要求される容量を用いる集積回路においては、容量を集積回路上に実現した際のレイアウトに依存して、配線間寄生容量などの予期せぬ寄生容量が影響することで、比精度が劣化してしまう。そのため、実際にレイアウトした容量のみでなく、寄生容量（例えば、配線寄生容量）についても比精度を有するようなレイアウトが要求され、高い比精度の容量を実現するための手法として、単位容量と呼ばれる対称性の高い容量レイアウトを単位構造として、複数の単位容量を規則的かつ対称性が高くなるようにコモンセントロイド配置し、各容量レイアウトをメタル配線で接続するという手法が提案されている。

【0003】

この場合において、単位容量は予期せぬ寄生容量の影響を排除するために、一定電位でバイアスされたメタルシールドによって囲まれていた。

【0004】

また、近年の半導体集積回路プロセスの進化によって、多くのメタル配線層を有するプロセスが実現されたことで、アンテナ効果と呼ばれる問題を解消するレイアウトの実現も課題となっている。ここで、アンテナ効果とは長いメタル配線がＭＩＭ容量電極やＭＯＳＦＥＴのゲートの絶縁薄膜層などに直接接続されることによって、集積回路を製造する際のプラズマエッチングにより、絶縁薄膜が損傷してしまう現象である。

【0005】

このため、アンテナ効果を抑制するための代表的な手法として、メタルブリッジを設ける手法が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特許第５６２３６１８号公報

【特許文献2】米国特許出願公開第２０１４／００４９８７２号明細書

【非特許文献】

【0007】

【非特許文献1】ｐｐ１７４－１７５ ＣＭＯＳ ＶＬＳＩ回路設計（基礎編） ウェスト、ハリス著

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

ところで、半導体集積回路において、容量は一般に周辺長の長いメタル配線の対によって実現される。

【0009】

したがって、並列接続された複数の単位容量の容量比によって高い比精度を実現する場合、複数の容量電極がプラズマエッチングされて製造される際に生じた電荷がＭＩＭ(Metal-Insulator-Metal)構造を有する容量（以下、ＭＩＭ容量という。）の絶縁膜やＭＩＭ容量の電極に接続されたＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜を破壊する恐れがある。そのため、アンテナ効果を抑制した容量レイアウトが望まれる。

【0010】

加えて、単位容量と寄生容量の双方で高い比精度を実現するためには、製造プロセスにおいて、単位容量値の変動に影響するＭＩＭ容量間の絶縁膜の膜厚や誘電率、またメタル層（メタル配線層）の厚さやメタル層間の距離などのプロセスの１次勾配の影響をキャンセルするために、単位容量の高い対称性を崩さないようなメタルブリッジ構造が望まれる。
そこで、本発明は、アンテナ効果を抑制しつつ、単位容量と寄生容量の双方で高い比精度を実現することが可能な半導体集積回路装置を提供することを目的としている。

【課題を解決するための手段】

【0011】

実施形態の半導体集積回路装置は、複数のメタル層が絶縁体層を介して積層され、容量素子を有する半導体集積回路装置であって、メタル層の積層方向に垂直な所定の回転軸に対して、ｎ（ｎ：２以上の整数）回回転対称な位置に容量素子への電流流路を含む電流流路を構成する部材が配置されている。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】図１は、メタルブリッジの説明図である。

【図2】図２は、メタルブリッジの構成例の説明図である。

【図3】図３は、実施形態の半導体集積回路装置の概観斜視図である。

【図4】図４は、第４メタル配線層ＭＬ４の説明図である。

【図5】図５は、第３メタル配線層ＭＬ３の説明図である。

【図6】図６は、第２メタル配線層ＭＬ２の説明図である。

【図7】図７は、第１メタル配線層ＭＬ１の説明図である。

【図8】図８は、図４～図７における実施形態の半導体集積回路装置の断面矢視図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

次に実施形態について、図面を参照して説明する。
［１］実施形態の原理
まず実施形態の詳細な説明に先立ち、実施形態の原理について説明する。
図１は、メタルブリッジの説明図である。
図１（Ａ）に示すように、容量Ｃを構成するメタル薄膜に接続される長いメタル配線ＬＮが存在する場合に上述したアンテナ効果を抑制するための代表的な手法として、図１（Ｂ）に示すように、メタルブリッジ構造ＭＢを設ける手法がある。

【0014】

これは容量Ｃを構成するメタル薄膜に接続される長いメタル配線をビアＶＩＡによって、プロセスで用いる最も上層のメタル配線層（図１の例では、第２メタル配線層）まで引出してから、また元の配線層（図１の例では、第１メタル配線層）まで戻した構造を有するメタルブリッジ構造ＭＢを、損傷の恐れがある絶縁薄膜層の近くに配置し、メタル配線ＬＮをメタル配線ＬＮ１及びメタル配線ＬＮ２に分割することで、アンテナ効果を抑制する手法である。

【0015】

一方、単位容量を基本単位として複数の単位容量を配置することで、本体容量と寄生容量の高い比精度を取っていることを考慮に入れると、メタルブリッジは容量を構成する複数の単位容量それぞれに同一構造、かつ、比精度が要求される用途においては、積層基板中の配線パタンによる寄生容量も同一になるように配線パタンの物理的な配置も考慮した上で設けることが望まれる。

【0016】

図２は、メタルブリッジの構成例の説明図である。
図２においては、容量比を３：２とした場合のメタルブリッジとＭＩＭ容量の接続関係の一例を概念的に示している。
単位容量によるアンテナ効果を抑制するためには、図２（Ａ）に示すように、単位容量の電極両端に対してそれぞれメタルブリッジが存在することが望ましい。

【0017】

これに対し、図２（Ｂ）に示すような、複数の単位容量に対して一つのメタルブリッジのみが存在する条件では、互いに接続された容量電極同士のアンテナ効果によって、ＭＩＭ容量の絶縁薄膜層が損傷する恐れがある。

【0018】

加えて、単位容量と寄生容量の両方で高い比精度を実現するためには、プロセスの１次勾配の影響をキャンセルするために、単位容量の高い対称性を崩さないようなメタルブリッジ構造である必要がある。

【0019】

そこで、以下の実施形態においては、単位容量の電極両端に対してそれぞれメタルブリッジが存在し、かつ、単位容量の高い対称性を崩さないようなメタルブリッジ構造を設けるものとしている。

【0020】

［２］実施形態
図３は、実施形態の半導体集積回路装置１０の概観斜視図である。
図３においては、理解を容易にするため、絶縁材料（絶縁層）及びメタルシールドについては図示を省略している。

【0021】

本体容量１１は、第２メタル配線層ＭＬ２に形成されるトッププレート２１及び第１メタル配線層ＭＬ１と第３メタル配線層ＭＬ３に形成されるボトムプレート２２を備えている。
第４メタル配線層ＭＬ４は、引出メタル配線としてのトッププレート２１の引出配線３１を備えている。
第１メタル配線層ＭＬ１は、引出メタル配線としてのボトムプレート２２の引出配線６１を備えている。

【0022】

また、第４メタル配線層ＭＬ４は、メタルブリッジ用メタル３３を備えており、引出配線６１は、メタルブリッジ構造を介してボトムプレート２２に接続されている。トッププレート２１の引出配線３１は、メタルブリッジ用メタル３３としての役割を兼ねている。

【0023】

図４～図７は、メタル配線層の構成を説明するための図である。
ここで、図４は、第４メタル配線層ＭＬ４の説明図、図５は、第３メタル配線層ＭＬ３の説明図、図６は、第２メタル配線層ＭＬ２の説明図、図７は、第１メタル配線層ＭＬ１の説明図である。各メタル配線層の詳細については、後述する。

【0024】

図８は、図４～図７における実施形態の半導体集積回路装置１０の断面矢視図である。
図８（Ａ）は、図４～図７における実施形態の半導体集積回路装置１０のＡ－Ａ断面矢視図、図５（Ｂ）は、図４～図７における実施形態の半導体集積回路装置１０のＢ－Ｂ断面矢視図である。

【0025】

半導体集積回路装置１０は、容量型半導体集積回路装置を構成しており、図８に示すように、本体容量１１と、引出メタル配線と、ビア又はコンタクトとして構成された接続部１４と、メタルシールド１５（１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ）と、基板１６とを備えている。

【0026】

また、半導体集積回路装置１０は、互いに図示しない絶縁層を介して基板１６側から順に積層された第１メタル配線層ＭＬ１～第４メタル配線層ＭＬ４を備えている。
本体容量１１は、それぞれ平面視長方形状（図４～図７の例では、正方形状）を有する１枚のトッププレート２１及び２枚のボトムプレート２２を備えている。

【0027】

ここでは、理解を容易にするため１枚のトッププレート２１及び２枚のボトムプレート２２の場合について説明しているが、これに限られず、例えば、２枚のトッププレート２１及び１枚のボトムプレート２２の構成や、１枚のトッププレート及び１枚のボトムプレート２２の構成等も適用が可能である。

【0028】

実施形態の半導体集積回路装置１０では、トッププレート２１は、第２メタル配線層ＭＬ２に形成され、一方のボトムプレート２２は、第１メタル配線層ＭＬ１に形成され、他方のボトムプレート２２は、第３メタル配線層ＭＬ３に形成されている。

【0029】

次に、図４に示す第４メタル配線層ＭＬ４の構成を説明する。
第４メタル配線層ＭＬ４は、図４に示すように、引出メタル配線としてのトッププレート２１の引出配線３１、メタルブリッジ用メタル３３及びメタルシールド１５を構成するメタルシールド１５Ａを備えている。

【0030】

トッププレート２１の引出配線３１は、平面視十字形状をしている。また、第３メタル配線層ＭＬ３の配線パタン３５と接続するためのビアとして構成された複数（図４の例では、２×４個）の接続部１４Ｃを備えている。

【0031】

メタルブリッジ用メタル３３は、図４に示すように、それぞれ平面視Ｌ字形状を有し、互いにメタル配線層ＭＬ１～ＭＬ４の積層方向に沿った回転軸ＲＸ（図３参照）に対して４回回転対称に４個配置されている。

【0032】

また、メタルブリッジ用メタル３３には、ビアとして、ボトムプレート２２と接続するための複数（図４の例では、２×４個）の接続部１４Ａ１，１４Ａ２及び第３メタル配線層ＭＬ３のボトムプレート２２の引出配線６１の配線パタン３７と接続するためのビアとして構成された複数（図４の例では１×４個）の接続部１４Ａ３が設けられている。

【0033】

メタルシールド１５を構成しているメタルシールド１５Ａは、図４に示すように、４回回転対称な形状（図４では、平面視Ｌ字形状）を有し、ビアとして構成された複数（図４の例では、８×４個）の接続部１４Ｆを備えている。

【0034】

次に図５に示す第３メタル配線層ＭＬ３の構成を説明する。
第３メタル配線層ＭＬ３は、図５に示すように、ボトムプレート２２、複数の配線パタン３４～３７及びメタルシールド１５を構成するメタルシールド１５Ｂを備えている。

【0035】

ボトムプレート２２は、複数（図５の例では、４個）の配線パタン３４に接続され、ビア１４として構成された複数（図５の例では、２×４個）の接続部１４Ａ１を介して第４メタル配線層ＭＬ４のメタルブリッジ用メタル３３に接続される。

【0036】

複数（図５の例では、４個）の配線パタン３５は、ビアとして構成された複数（図５の例では、２×４個）の接続部１４Ｃを介して第４メタル配線層ＭＬ４のトッププレート２１の引出配線３１及び第２メタル配線層ＭＬ２の配線パタン３８に接続される。
複数（図５の例では、４個）の配線パタン３６は、ビアとして構成された複数（図５の例では、２×４個）の接続部１４Ａ２を介して第４メタル配線層ＭＬ４のメタルブリッジ用メタル３３（図４参照）及び第２メタル配線層ＭＬ２の配線パタン３９（図６参照に接続される。

【0037】

複数（図５の例では、４個）の配線パタン３７は、ビアとして構成された複数（図５の例では、１×４個）の接続部１４Ａ３を介して第４メタル配線層ＭＬ４のメタルブリッジ用メタル３３（図４参照）及び第２メタル配線層ＭＬ２の配線パタン４０（図６参照）に接続される。

【0038】

メタルシールド１５を構成しているメタルシールド１５Ｂは、４回回転対称な形状（図５では、窓枠形状）を有している。
また、メタルシールド１５Ｂは、第４メタル配線層ＭＬ４のメタルシールド１５Ａ（図４参照）及び第２メタル配線層ＭＬ２のメタルシールド１５Ｃ（図６参照）に接続される、ビアとして構成された複数（図５の例では、８×４個）の接続部１４Ｆと、第２メタル配線層ＭＬ２のメタルシールド１５Ｃに接続されるビアとして構成された複数（図５の例では、２×４個）の接続部１４Ｇを備えている。

【0039】

次に図６に示す第２メタル配線層ＭＬ２の構成を説明する。
第２メタル配線層ＭＬ２は、図６に示すように、トッププレート２１、複数の配線パタン３８～４０及びメタルシールド１５を構成するメタルシールド１５Ｃを備えている。

【0040】

トッププレート２１は、複数（図６の例では、４個）の配線パタン３８に接続され、ビアとして構成された複数（図６の例では、２×４個）の接続部１４Ｃを介して第３メタル配線層ＭＬ３の配線パタン３５（図５参照）に接続される。

【0041】

複数（図６の例では、４個）の配線パタン３９は、ビアとして構成された複数（図６の例では、２×４個）の接続部１４Ａ２を介して第３メタル配線層ＭＬ３の配線パタン３６（図５参照）及び第１メタル配線層ＭＬ１の配線パタン５１（図７参照）に接続される。
複数（図６の例では、４個）の配線パタン４０は、ビアとして構成された複数（図６の例では、１×４個）の接続部１４Ａ３を介して第３メタル配線層ＭＬ３の配線パタン３７（図５参照）及び第１メタル配線層ＭＬ１の配線パタン５０（図７参照）に接続される。

【0042】

メタルシールド１５を構成しているメタルシールド１５Ｃは、４回回転対称な形状（図６では、窓枠形状）を有し、第３メタル配線層ＭＬ３のメタルシールド１５Ｂ（図５参照）及び第１メタル配線層ＭＬ１のメタルシールド１５Ｄに接続されるビアとして構成された複数（図６の例では、８×４個）の接続部１４Ｆと、第３メタル配線層ＭＬ３のメタルシールド１５Ｂに接続されるビアとして構成された複数（図６の例では、２×４個）の接続部１４Ｇを備えている。

【0043】

第１メタル配線層ＭＬ１は、図７に示すように、ボトムプレート２２、複数の配線パタン５０、５１及びメタルシールド１５を構成するメタルシールド１５Ｄを備えている。

【0044】

ボトムプレート２２は、複数（図７の例では、４個）の配線パタン５１に接続され、ビアとして構成された複数（図７の例では、２×４個）の接続部１４Ａ２を介して第２メタル配線層ＭＬ２の配線パタン３９（図６参照）に接続される。

【0045】

複数（図７の例では、４個）の配線パタン５０は、ビアとして構成された複数（図７の例では、１×４個）の接続部１４Ａ３を介して第２メタル配線層ＭＬ２の配線パタン４０に接続される。配線パタン５０は、図７に示すように、それぞれ平面視Ｉ字形状を有し、互いにメタル配線層ＭＬ１～ＭＬ４の積層方向に沿った回転軸ＲＸに対して４回転対称に配置された４個が設けられている。
また、配線パタン５０は引出メタル配線としてのボトムプレート２２の引出配線６１に接続される。

【0046】

上述したように、第２メタル配線層ＭＬ２に形成されるトッププレート２１は、第２メタル配線層ＭＬ２の配線パタン３８と、ビアとして構成された接続部１４Ｃを介して第３メタル配線層ＭＬ３の配線パタン３５及び第４メタル配線層ＭＬ４の引出配線３１から電極が引き出される。

【0047】

また、第１メタル配線層ＭＬ１に形成されるボトムプレート２２は、第１メタル配線層ＭＬ１の配線パタン５１と、ビアとして構成された接続部１４Ａ２を介して第２メタル配線層ＭＬ２の配線パタン３９、第３メタル配線層ＭＬ３の配線パタン３６及び第４メタル配線層ＭＬ４のメタルブリッジ用メタル３３に接続される。
そして、第３メタル配線層ＭＬ３に形成されるボトムプレート２２は、第３メタル配線層ＭＬ３の配線パタン３４と、ビアとして構成された接続部１４Ａ１を介して第４メタル配線層ＭＬ４のメタルブリッジ用メタル３３に接続される。
さらに、第４メタル配線層ＭＬ４のメタルブリッジ用メタル３３から、ビアとして構成された接続部１４Ａ３を介して第３メタル配線層ＭＬ３の配線パタン３７、第２メタル配線層ＭＬ２の配線パタン４０及び第１メタル配線層ＭＬ１の配線パタン５０に接続され、第１メタル配線層ＭＬ１の引出配線６１から電極が引き出される。

【0048】

これらの結果、引出配線３１及び引出配線６１より、半導体集積回路装置１０の信号を外部に出力することができるようになっている。

【0049】

また、第１メタル配線層ＭＬ１の複数のメタルシールド１５Ｄは、コンタクトとして構成された接続部１４Ｆにより、基板１６と接続される。
これにより、複数のメタルシールド１５Ａ、メタルシールド１５Ｂ、メタルシールド１５Ｃ及び複数のメタルシールド１５Ｄは、ビアとして構成された接続部１４Ｆ及び接続部１４Ｇを介して電気的に一体となり、電磁シールドとして機能するメタルシールド１５となる。

【0050】

図４～図８に示したように、複数のメタル配線層が絶縁体層を介して積層され、容量素子を有する半導体集積回路装置１０において、メタル配線層ＭＬ１～ＭＬ４の積層方向に沿った所定の回転軸ＲＸに対して、４回回転対称な位置に容量素子への電流流路を含む電流流路を構成する部材として、メタルブリッジ構造を構成する配線パタンを含む配線パタン、メタルブリッジ構造を構成するビアを含むビア１４、配線パタン同士を接続するビア又はコンタクトを基板１６上に配置しているので、配線引き回しなどを考慮することもなく、いずれの電流経路を用いても、実効的な電流流路長を容易に同じにすることができ、比精度の高い単位容量を構成することが可能となる。

【0051】

以上の説明のように、本実施形態によれば、比精度の高い単位容量のレイアウトを実現でき、高い比精度が要求されるスイッチトキャパシタ回路や容量型Ｄ／Ａ変換器を実現可能となる。
さらに、本実施形態によれば、単位容量のシールド構造（メタルシールド）を保ちながらメタルブリッジを配置することで、高い比精度を保ったまま、メタルブリッジ構造を採用できるので、アンテナ効果を抑制できる。

【0052】

したがって、アンテナ効果の影響を考慮に入れてレイアウトを設計する時間が不要となる。そのため、高い比精度を要求される容量のレイアウト難易度を下げ、レイアウト作成時間が短縮できる。
また、スイッチトキャパシタ回路や容量型のＤ／Ａ変換器など、特に高い比精度が要求される容量の応用においても、容量を集積回路上に実現した際のレイアウトに依存して、配線間寄生容量などの予期せぬ寄生容量が影響することで、比精度が低下することなくスイッチトキャパシタ回路や容量型のＤ／Ａ変換器を構成することができる。

【0053】

以上の説明においては、複数のメタル配線層が絶縁体層を介して積層され、容量素子を有する半導体集積回路装置であって、メタル配線層ＭＬ１～ＭＬ４の積層方向に沿った所定の回転軸に対して、４回回転対称な位置に容量素子への電流流路を含む電流流路を構成する部材が配置されている場合について説明した。
同様に、ｎ（ｎ：２以上の整数）回回転対称な位置に容量素子への電流流路を含む電流流路を構成する部材が配置されていれば、寄生容量へ影響を与える容量素子への電流流路の実効長をより確実に等しくすることができ、単位容量と寄生容量の双方で高い比精度を実現することができる。

【0054】

これらの構成によれば、複数のメタル配線層が絶縁体層を介して積層され、容量素子を有する半導体集積回路装置において、当該半導体集積回路装置を平面視した場合に、回転対称な位置にメタルブリッジ構造を配置することが可能である。また、それぞれのメタルブリッジ構造に至る配線とその配線間の絶縁体の構造も回転対称に配置可能である。そのため、仮に容量素子を構成するメタル配線や絶縁体に製造プロセスの１次勾配の影響が生じても、容量素子が有する対称性によって１次勾配の影響がキャンセルされるため、比精度の向上を図ることが可能となる。

【0055】

この場合において、電流流路を構成する部材としては、メタルブリッジ構造を構成する配線パタンを含む配線パタン、メタルブリッジ構造を構成するビアを含むビア、前記配線パタン同士を接続するビア又はコンタクトを含むので、半導体集積回路装置全体で製造プロセスの１次勾配の影響をキャンセルして、単位容量の高い対称性を崩さないようにできる。

【0056】

さらに、メタルブリッジを、容量素子の一方の端子及び他方の端子の双方に設けることにより、半導体集積回路装置を製造する際に、互いに接続された容量電極同士のアンテナ効果によって、ＭＩＭ容量の絶縁薄膜層が損傷されることがなく、容量素子を備えた半導体集積回路装置の信頼性を向上することが可能である。

【0057】

以上の説明においては、配線パタンの線幅については述べなかったが、本体容量１１から引き出される配線パタンの線幅を太くすることにより、製造プロセスに起因する線幅の変動の影響を抑制してより一層、比精度を向上するように構成することも可能である。また、絶縁膜を介して形成される容量を本体容量１１として用いることが可能なため、ＭＩＭ容量以外にも、ＰＩＰ容量やＭＯＳ容量などにも適用可能である。

【0058】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0059】

１０ 半導体集積回路装置
１１ 本体容量
１４ ビア
１４Ａ１、１４Ａ２、１４Ａ３、１４Ｃ 接続部
１４Ｆ、１４Ｇ 接続部
１５、１５Ａ～１５Ｄ メタルシールド
１６ 基板
２１ トッププレート
２２ ボトムプレート
３１、６１ 引出配線
３３ メタルブリッジ用メタル
３４～４０ 配線パタン
５０、５１ 配線パタン
ＭＢ メタルブリッジ構造
ＭＬ１ 第１メタル配線層
ＭＬ２ 第２メタル配線層
ＭＬ３ 第３メタル配線層
ＭＬ４ 第４メタル配線層
ＲＸ 回転軸
ＶＩＡ ビア

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】