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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024114491
(43)【公開日】2024-08-23
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/677 20060101AFI20240816BHJP
H01L 21/68 20060101ALI20240816BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 A
H01L21/68 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023020293
(22)【出願日】2023-02-13
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】畑中 貴之
【テーマコード（参考）】
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F131AA02
5F131BA03
5F131BA04
5F131BA19
5F131BB03
5F131BB23
5F131DA22
5F131DA32
5F131DA34
5F131DA42
5F131DB02
5F131DB22
5F131DB43
5F131DB52
5F131DB57
5F131DB72
5F131DB82
5F131EA03
5F131HA09
5F131HA12
5F131HA13
5F131KA34
5F131KA52
5F131KA72
5F131KB07
5F131KB54
(57)【要約】
【課題】真空部における基板の搬送を正確に行う。
【解決手段】真空搬送モジュールと、前記真空搬送モジュール内に配置され、エンドエフェクタを有する搬送ロボットと、前記エンドエフェクタ上に配置される２つの静電容量センサと、前記真空搬送モジュールに接続されるロードロックモジュールと、前記真空搬送モジュールに接続される基板処理モジュールと、前記基板処理モジュール内に配置される基板支持部と、制御部と、を備え、前記制御部は、基板を受け取る工程と、基板のノッチの位置と基準ノッチ位置との間の差分を決定する工程と、回転位置を調整しながら基板を前記基板処理モジュール内の前記基板支持部上に載置する工程と、を行うように構成される、基板処理装置。
【選択図】図１
【解決手段】真空搬送モジュールと、前記真空搬送モジュール内に配置され、エンドエフェクタを有する搬送ロボットと、前記エンドエフェクタ上に配置される２つの静電容量センサと、前記真空搬送モジュールに接続されるロードロックモジュールと、前記真空搬送モジュールに接続される基板処理モジュールと、前記基板処理モジュール内に配置される基板支持部と、制御部と、を備え、前記制御部は、基板を受け取る工程と、基板のノッチの位置と基準ノッチ位置との間の差分を決定する工程と、回転位置を調整しながら基板を前記基板処理モジュール内の前記基板支持部上に載置する工程と、を行うように構成される、基板処理装置。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
真空搬送モジュールと、
前記真空搬送モジュール内に配置され、エンドエフェクタを有する搬送ロボットと、
前記エンドエフェクタ上に配置される２つの静電容量センサと、
前記真空搬送モジュールに接続されるロードロックモジュールと、
前記真空搬送モジュールに接続される基板処理モジュールと、
前記基板処理モジュール内に配置される基板支持部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（ａ）前記ロードロックモジュールにおいて前記エンドエフェクタで基板を受け取る工程と、
（ｂ）前記２つの静電容量センサからの出力に基づいて、前記エンドエフェクタ上の基板のノッチの位置と基準ノッチ位置との間の差分を決定する工程と、
（ｃ）決定した前記差分に基づいて、前記エンドエフェクタ上の基板のノッチの位置が前記基準ノッチ位置に対応するように前記エンドエフェクタ上の基板の回転位置を調整しながら、前記エンドエフェクタ上の基板を前記基板処理モジュール内の前記基板支持部上に載置する工程と、
を行うように構成される、基板処理装置。
前記真空搬送モジュール内に配置され、エンドエフェクタを有する搬送ロボットと、
前記エンドエフェクタ上に配置される２つの静電容量センサと、
前記真空搬送モジュールに接続されるロードロックモジュールと、
前記真空搬送モジュールに接続される基板処理モジュールと、
前記基板処理モジュール内に配置される基板支持部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（ａ）前記ロードロックモジュールにおいて前記エンドエフェクタで基板を受け取る工程と、
（ｂ）前記２つの静電容量センサからの出力に基づいて、前記エンドエフェクタ上の基板のノッチの位置と基準ノッチ位置との間の差分を決定する工程と、
（ｃ）決定した前記差分に基づいて、前記エンドエフェクタ上の基板のノッチの位置が前記基準ノッチ位置に対応するように前記エンドエフェクタ上の基板の回転位置を調整しながら、前記エンドエフェクタ上の基板を前記基板処理モジュール内の前記基板支持部上に載置する工程と、
を行うように構成される、基板処理装置。
【請求項2】
前記２つの静電容量センサが、前記エンドエフェクタ上の前記基準ノッチ位置を囲むように前記エンドエフェクタ上に配置される、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記２つの静電容量センサは、第１の静電容量センサ及び第２の静電容量センサを含み、
前記第１の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の左側に配置され、前記基準ノッチ位置の左辺に沿って延在する左側電極辺を有する第１のシグナル電極を有し、
前記第２の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の右側に配置され、前記基準ノッチ位置の右辺に沿って延在する右側電極辺を有する第２のシグナル電極を有する、請求項２に記載の基板処理装置。
前記第１の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の左側に配置され、前記基準ノッチ位置の左辺に沿って延在する左側電極辺を有する第１のシグナル電極を有し、
前記第２の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の右側に配置され、前記基準ノッチ位置の右辺に沿って延在する右側電極辺を有する第２のシグナル電極を有する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記左側電極辺及び右側電極辺が平面視でＶ字形状を形成するように配置される、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第１の静電容量センサは、第１のガード電極及び第１のグランド電極を有し、
前記第１のガード電極は、前記第１のシグナル電極を囲み、
前記第１のグランド電極は、前記第１のガード電極を囲み、
前記第２の静電容量センサは、第２のガード電極及び第２のグランド電極を有し、
前記第２のガード電極は、前記第２のシグナル電極を囲み、
前記第２のグランド電極は、前記第２のガード電極を囲む、請求項３に記載の基板処理装置。
前記第１のガード電極は、前記第１のシグナル電極を囲み、
前記第１のグランド電極は、前記第１のガード電極を囲み、
前記第２の静電容量センサは、第２のガード電極及び第２のグランド電極を有し、
前記第２のガード電極は、前記第２のシグナル電極を囲み、
前記第２のグランド電極は、前記第２のガード電極を囲む、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記第１の静電容量センサは、第１のガード電極及び第１のグランド電極を有し、
前記第１のガード電極は、前記第１のシグナル電極の、前記左側電極辺を除く辺の周囲を囲み、
前記第１のグランド電極は、前記第１のガード電極を囲み、
前記第２の静電容量センサは、第２のガード電極及び第２のグランド電極を有し、
前記第２のガード電極は、前記第２のシグナル電極の、前記右側電極辺を除く辺の周囲を囲み、
前記第２のグランド電極は、前記第２のガード電極を囲む、請求項３に記載の基板処理装置。
前記第１のガード電極は、前記第１のシグナル電極の、前記左側電極辺を除く辺の周囲を囲み、
前記第１のグランド電極は、前記第１のガード電極を囲み、
前記第２の静電容量センサは、第２のガード電極及び第２のグランド電極を有し、
前記第２のガード電極は、前記第２のシグナル電極の、前記右側電極辺を除く辺の周囲を囲み、
前記第２のグランド電極は、前記第２のガード電極を囲む、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記第１のシグナル電極及び前記第２のシグナル電極は、平面視で平行四辺形の形状を有する、請求項３～６の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記第１のシグナル電極及び前記第２のシグナル電極は、平面視で台形の形状を有する、請求項３～６の何れか一項に記載の基板処理装置。
【請求項9】
第１の真空搬送モジュールと、
前記第１の真空搬送モジュール内に配置され、第１のエンドエフェクタを有する第１の搬送ロボットと、
前記第１のエンドエフェクタ上に配置される２つの静電容量センサと、
前記第１の真空搬送モジュールに接続されるロードロックモジュールと、
第２の真空搬送モジュールと、
前記第２の真空搬送モジュール内に配置され、第２のエンドエフェクタを有する第２の搬送ロボットと、
前記第１の真空搬送モジュールと前記第２の真空搬送モジュールとの間に配置されるパスモジュールと、
前記パスモジュール内に配置される基板支持部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（ａ）前記ロードロックモジュールにおいて前記第１のエンドエフェクタで基板を受け取る工程と、
（ｂ）前記２つの静電容量センサからの出力に基づいて、前記第１のエンドエフェクタ上の基板のノッチの位置と基準ノッチ位置との間の差分を決定する工程と、
（ｃ）決定した前記差分に基づいて、前記第１のエンドエフェクタ上の基板のノッチの位置が前記基準ノッチ位置に対応するように前記第１のエンドエフェクタ上の基板の回転位置を調整しながら、前記第１のエンドエフェクタ上の基板を前記パスモジュール内の前記基板支持部上に載置する工程と、
（ｄ）前記パスモジュール内の前記基板支持部上の基板を前記第２のエンドエフェクタで受け取る工程と、
を行うように構成される、基板処理装置。
前記第１の真空搬送モジュール内に配置され、第１のエンドエフェクタを有する第１の搬送ロボットと、
前記第１のエンドエフェクタ上に配置される２つの静電容量センサと、
前記第１の真空搬送モジュールに接続されるロードロックモジュールと、
第２の真空搬送モジュールと、
前記第２の真空搬送モジュール内に配置され、第２のエンドエフェクタを有する第２の搬送ロボットと、
前記第１の真空搬送モジュールと前記第２の真空搬送モジュールとの間に配置されるパスモジュールと、
前記パスモジュール内に配置される基板支持部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（ａ）前記ロードロックモジュールにおいて前記第１のエンドエフェクタで基板を受け取る工程と、
（ｂ）前記２つの静電容量センサからの出力に基づいて、前記第１のエンドエフェクタ上の基板のノッチの位置と基準ノッチ位置との間の差分を決定する工程と、
（ｃ）決定した前記差分に基づいて、前記第１のエンドエフェクタ上の基板のノッチの位置が前記基準ノッチ位置に対応するように前記第１のエンドエフェクタ上の基板の回転位置を調整しながら、前記第１のエンドエフェクタ上の基板を前記パスモジュール内の前記基板支持部上に載置する工程と、
（ｄ）前記パスモジュール内の前記基板支持部上の基板を前記第２のエンドエフェクタで受け取る工程と、
を行うように構成される、基板処理装置。
【請求項10】
前記２つの静電容量センサが、前記第１のエンドエフェクタ上の前記基準ノッチ位置を囲むように前記第１のエンドエフェクタ上に配置される、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記２つの静電容量センサは、第１の静電容量センサ及び第２の静電容量センサを含み、
前記第１の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の左側に配置され、前記基準ノッチ位置の左辺に沿って延在する左側電極辺を有する第１のシグナル電極を有し、
前記第２の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の右側に配置され、前記基準ノッチ位置の右辺に沿って延在する右側電極辺を有する第２のシグナル電極を有する、請求項１０に記載の基板処理装置。
前記第１の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の左側に配置され、前記基準ノッチ位置の左辺に沿って延在する左側電極辺を有する第１のシグナル電極を有し、
前記第２の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の右側に配置され、前記基準ノッチ位置の右辺に沿って延在する右側電極辺を有する第２のシグナル電極を有する、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記左側電極辺及び右側電極辺が平面視でＶ字形状を形成するように配置される、請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記第１の静電容量センサは、第１のガード電極及び第１のグランド電極を有し、
前記第１のガード電極は、前記第１のシグナル電極を囲み、
前記第１のグランド電極は、前記第１のガード電極を囲み、
前記第２の静電容量センサは、第２のガード電極及び第２のグランド電極を有し、
前記第２のガード電極は、前記第２のシグナル電極を囲み、
前記第２のグランド電極は、前記第２のガード電極を囲む、請求項１２に記載の基板処理装置。
前記第１のガード電極は、前記第１のシグナル電極を囲み、
前記第１のグランド電極は、前記第１のガード電極を囲み、
前記第２の静電容量センサは、第２のガード電極及び第２のグランド電極を有し、
前記第２のガード電極は、前記第２のシグナル電極を囲み、
前記第２のグランド電極は、前記第２のガード電極を囲む、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
第１の真空搬送モジュールと、
前記第１の真空搬送モジュール内に配置され、第１のエンドエフェクタを有する第１の搬送ロボットと、
前記第１のエンドエフェクタ上に配置される２つの静電容量センサと、
前記第１の真空搬送モジュールに接続されるロードロックモジュールと、
第２の真空搬送モジュールと、
前記第２の真空搬送モジュール内に配置され、第２のエンドエフェクタを有する第２の搬送ロボットと、
前記第１の真空搬送モジュールと前記第２の真空搬送モジュールとの間に配置されるパスモジュールと、
前記パスモジュール内に配置される基板支持部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（ａ）前記ロードロックモジュールにおいて前記第１のエンドエフェクタで基板を受け取る工程と、
（ｂ）前記２つの静電容量センサからの出力に基づいて、前記第１のエンドエフェクタ上の基板のノッチの位置と基準ノッチ位置との間の差分を決定する工程と、
（ｃ）前記第１のエンドエフェクタ上の基板を前記パスモジュール内の前記基板支持部上に載置する工程と、
（ｄ）決定した前記差分に基づいて、前記基板支持部上の基板のノッチの位置が前記基準ノッチ位置に対応するように前記基板支持部上の基板を回転させる工程と、
（ｅ）前記パスモジュール内の前記基板支持部上の基板を前記第２のエンドエフェクタで受け取る工程と、
を行うように構成される、基板処理装置。
前記第１の真空搬送モジュール内に配置され、第１のエンドエフェクタを有する第１の搬送ロボットと、
前記第１のエンドエフェクタ上に配置される２つの静電容量センサと、
前記第１の真空搬送モジュールに接続されるロードロックモジュールと、
第２の真空搬送モジュールと、
前記第２の真空搬送モジュール内に配置され、第２のエンドエフェクタを有する第２の搬送ロボットと、
前記第１の真空搬送モジュールと前記第２の真空搬送モジュールとの間に配置されるパスモジュールと、
前記パスモジュール内に配置される基板支持部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
（ａ）前記ロードロックモジュールにおいて前記第１のエンドエフェクタで基板を受け取る工程と、
（ｂ）前記２つの静電容量センサからの出力に基づいて、前記第１のエンドエフェクタ上の基板のノッチの位置と基準ノッチ位置との間の差分を決定する工程と、
（ｃ）前記第１のエンドエフェクタ上の基板を前記パスモジュール内の前記基板支持部上に載置する工程と、
（ｄ）決定した前記差分に基づいて、前記基板支持部上の基板のノッチの位置が前記基準ノッチ位置に対応するように前記基板支持部上の基板を回転させる工程と、
（ｅ）前記パスモジュール内の前記基板支持部上の基板を前記第２のエンドエフェクタで受け取る工程と、
を行うように構成される、基板処理装置。
【請求項15】
前記２つの静電容量センサが、前記第１のエンドエフェクタ上の前記基準ノッチ位置を囲むように前記第１のエンドエフェクタ上に配置される、請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記２つの静電容量センサは、第１の静電容量センサ及び第２の静電容量センサを含み、
前記第１の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の左側に配置され、前記基準ノッチ位置の左辺に沿って延在する左側電極辺を有する第１のシグナル電極を有し、
前記第２の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の右側に配置され、前記基準ノッチ位置の右辺に沿って延在する右側電極辺を有する第２のシグナル電極を有する、請求項１５に記載の基板処理装置。
前記第１の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の左側に配置され、前記基準ノッチ位置の左辺に沿って延在する左側電極辺を有する第１のシグナル電極を有し、
前記第２の静電容量センサは、前記基準ノッチ位置の右側に配置され、前記基準ノッチ位置の右辺に沿って延在する右側電極辺を有する第２のシグナル電極を有する、請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記左側電極辺及び右側電極辺が平面視でＶ字形状を形成するように配置される、請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記第１の静電容量センサは、第１のガード電極及び第１のグランド電極を有し、
前記第１のガード電極は、前記第１のシグナル電極を囲み、
前記第１のグランド電極は、前記第１のガード電極を囲み、
前記第２の静電容量センサは、第２のガード電極及び第２のグランド電極を有し、
前記第２のガード電極は、前記第２のシグナル電極を囲み、
前記第２のグランド電極は、前記第２のガード電極を囲む、請求項１７に記載の基板処理装置。
前記第１のガード電極は、前記第１のシグナル電極を囲み、
前記第１のグランド電極は、前記第１のガード電極を囲み、
前記第２の静電容量センサは、第２のガード電極及び第２のグランド電極を有し、
前記第２のガード電極は、前記第２のシグナル電極を囲み、
前記第２のグランド電極は、前記第２のガード電極を囲む、請求項１７に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、基板を処理する基板処理装置や処理方法が開示されている。装置構成の一例として、基板をエンドエフェクタ上に載置して搬送する搬送ロボットにおいて、基板に設けられたノッチの位置又は配向を感知するセンサを設け、センサからの信号に基づき基板の位置合わせを行うことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許出願公開第２０１５／１４７１４８Ａ１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、真空部における基板の搬送を正確に行う。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、真空搬送モジュールと、前記真空搬送モジュール内に配置され、エンドエフェクタを有する搬送ロボットと、前記エンドエフェクタ上に配置される２つの静電容量センサと、前記真空搬送モジュールに接続されるロードロックモジュールと、前記真空搬送モジュールに接続される基板処理モジュールと、前記基板処理モジュール内に配置される基板支持部と、制御部と、を備え、前記制御部は、（ａ）前記ロードロックモジュールにおいて前記エンドエフェクタで基板を受け取る工程と、（ｂ）前記２つの静電容量センサからの出力に基づいて、前記エンドエフェクタ上の基板のノッチの位置と基準ノッチ位置との間の差分を決定する工程と、（ｃ）決定した差分に基づいて、前記エンドエフェクタ上の基板のノッチの位置が前記基準ノッチ位置に対応するように前記エンドエフェクタ上の基板の回転位置を調整しながら、前記エンドエフェクタ上の基板を前記基板処理モジュール内の前記基板支持部上に載置する工程と、を行うように構成される、基板処理装置を提供する。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、真空部における基板の搬送を正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す平面図である。
【図2】実施形態にかかる搬送アームの構成例を示す平面図である。
【図3】実施形態にかかる電極の構成例を示す平面図である。
【図4】実施形態にかかる基板のノッチの配置の一例を示す平面図である。
【図5】実施形態にかかる基板のノッチの配置の一例を示す平面図である。
【図6】実施形態にかかる静電容量センサのシステム構成を示す説明図である。
【図7】実施形態にかかる高周波発振器及びＣ／Ｖ変換回路を含む回路構成の一例を示す説明図である。
【図8】実施形態にかかるノッチ及び電極の配置の一例を示す模式図である。
【図9】実施形態にかかる基板のノッチの配置の一例を示す模式図である。
【図10】実施形態にかかる基板のノッチの配置の一例を示す模式図である。
【図11】実施形態にかかる基板のノッチの配置の一例を示す模式図である。
【図12】回転角度と静電容量との関係の一例を示すグラフである。
【図13】実施形態にかかる基板処理方法の構成例を示すフローチャートである。
【図14】実施形態にかかる基板処理方法の構成例を示すフローチャートである。
【図15】静電容量の値が閾値を超えた場合の一例を示す説明図である。
【図16】実施形態にかかるゼロ点調整の方法の構成例を示すフローチャートである。
【図17】実施形態にかかるシグナル電極の形状の他の構成例を示す平面図である。
【図18】実施形態にかかる第３の電極の構成例を示す平面図である
【図19】実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す平面図である。
【図20】実施形態にかかる基板処理方法の構成例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0008】
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ（以下、「基板」という。）を収納した基板処理モジュールを真空（減圧）状態にし、当該基板に対して様々な処理工程が行われている。これら処理工程は、例えば共通の搬送モジュールの周りに基板処理モジュールを複数配置した基板処理装置を用いて行われる。
【0009】
基板処理装置は、大気雰囲気下で基板に所望の処理を施す大気モジュールを備えた大気部と、真空（減圧）雰囲気下で基板を処理する真空（減圧）モジュールを備えた減圧部（真空部）と、を備えている。大気部と真空部（減圧部）は、内部を大気雰囲気と真空（減圧）雰囲気とに切り替え可能に構成されたロードロックモジュールを介して一体に接続される。
【0010】
また基板処理装置は、特許文献１に開示されているように、真空部に設けられたトランスファモジュールにおいてロードロックモジュールと各基板処理モジュールとの間で基板を搬送する真空搬送ロボットを備えている。真空搬送ロボットは、搬送中に基板を載置するエンドエフェクタを備える。
【0011】
従来の基板処理装置では、基板は大気部に設けられたオリエンタモジュールでノッチ配向が調整された後、大気部搬送ロボットによってロードロックモジュールに搬送される。その後基板は、真空搬送ロボットによってロードロックモジュールから基板処理モジュール内の基板支持部に搬送される。
【0012】
特許文献１に開示のエンドエフェクタ上に設けたセンサによると、中心位置及びノッチ配向のズレを感知して搬送ロボットの動作補正を行うことが開示されている。
【0013】
本開示にかかる技術は、回転ズレを検出して回転角度を決定する。また、かかる回転ズレ量に基づき搬送ロボットの動作補正を行い、基板の搬送を正確に行うことを可能にする。
【0014】
以下、本実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0015】
＜基板処理装置の構成＞
まず、基板処理装置の構成例について説明する。図１は、一実施形態にかかる基板処理装置１の構成の概略を示す平面図である。一実施形態において、基板処理装置１は、基板Ｗにエッチング処理、成膜処理又は拡散処理等のプラズマ処理を行うためのプラズマ処理モジュールを備える。プラズマ処理モジュールは、基板処理モジュールの一例である。以下、基板処理装置１が複数の基板処理モジュールを備える場合について説明する。但し、本開示の基板処理装置１のモジュール構成はこれに限られず、基板処理の目的に応じて任意に選択され得る。
まず、基板処理装置の構成例について説明する。図１は、一実施形態にかかる基板処理装置１の構成の概略を示す平面図である。一実施形態において、基板処理装置１は、基板Ｗにエッチング処理、成膜処理又は拡散処理等のプラズマ処理を行うためのプラズマ処理モジュールを備える。プラズマ処理モジュールは、基板処理モジュールの一例である。以下、基板処理装置１が複数の基板処理モジュールを備える場合について説明する。但し、本開示の基板処理装置１のモジュール構成はこれに限られず、基板処理の目的に応じて任意に選択され得る。
【0016】
図１に示すように、基板処理装置１は、大気部１０と減圧部１１がロードロックモジュール２０を介して一体に接続された構成を有している。大気部１０は、大気雰囲気下において基板Ｗに所望の処理を行う大気モジュールを備える。減圧部１１は、減圧雰囲気下において基板Ｗに所望の処理を行う減圧モジュールを備える。
【0017】
ロードロックモジュール２０は、後述のローダモジュール３０及び後述の真空搬送モジュール５０の幅方向（Ｘ軸方向）に沿って複数、本実施形態においては例えば２つの基板搬送室２１ａ、２１ｂを有している。
【0018】
基板搬送室２１ａ、２１ｂ（以下、これらを併せて単に「基板搬送室２１」という場合がある。）は、基板搬送口２２、２３を介して、大気部１０の後述するローダモジュール３０の内部空間と、減圧部１１の後述する真空搬送モジュール５０の内部空間を連通するように設けられている。なお、基板搬送口２２、２３は、それぞれゲートバルブ２４、２５により開閉自在に構成されている。基板搬送室２１には、ローダモジュール３０と真空搬送モジュール５０との間で搬送される基板Ｗを一時的に保持するストッカ（図示せず）が設けられている。
【0019】
基板搬送室２１は、基板Ｗを一時的に保持するように構成されている。また、基板搬送室２１は、内部を大気雰囲気と減圧雰囲気（真空状態）とに切り替えられるように構成されている。すなわちロードロックモジュール２０は、大気雰囲気の大気部１０と、減圧雰囲気の減圧部１１との間で、適切に基板Ｗの受渡しができるように構成されている。
【0020】
大気部１０は、後述する大気部搬送ロボット４０を備えたローダモジュール３０と、複数の基板Ｗを保管可能なフープ３１を載置するロードポート３２とを有している。ローダモジュール３０には、基板Ｗのノッチ位置（水平方向の向き）を調節するオリエンタモジュール３３が設けられる。オリエンタモジュール３３は、一例として、内部に搬入された基板Ｗのノッチを検知し、所望のノッチ位置となるように基板Ｗを回転させてノッチ位置の調節を行う。
【0021】
また上記の他、複数の基板Ｗを格納する格納モジュール（図示せず）などが隣接して設けられていてもよい。
【0022】
ローダモジュール３０は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気雰囲気に維持されている。ローダモジュール３０の正面（図１中のＹ軸負方向側の長辺）を構成する一側面には、複数、例えば５つのロードポート３２が並べて配置されている。ローダモジュール３０の背面（図１中のＹ軸正方向側の長辺）を構成する他側面には、ロードロックモジュール２０の基板搬送室２１ａ、２１ｂが並べて配置されている。
【0023】
ローダモジュール３０の内部には、基板Ｗを搬送する大気部搬送ロボット４０が設けられている。大気部搬送ロボット４０は、基板Ｗを保持して移動する搬送アーム４１と、搬送アーム４１を回転可能に支持する回転台４２と、回転台４２を搭載した回転載置台４３とを有している。また、ローダモジュール３０の内部には、ローダモジュール３０の長手方向（図１中のＸ軸方向）に延伸するガイドレール４４が設けられている。回転載置台４３はガイドレール４４上に設けられ、大気部搬送ロボット４０はガイドレール４４に沿って移動可能に構成されている。大気部搬送ロボット４０は、オリエンタモジュール３３でノッチ配向が基準ノッチ位置となるように調整された基板Ｗを受け取り、ローダモジュール３０の内部空間を経由してロードロックモジュール２０に引き渡す。
【0024】
減圧部１１は、真空環境下で基板Ｗを搬送するように構成される真空搬送モジュール５０と、真空搬送モジュール５０から搬送された基板Ｗに所望の処理を施す基板処理モジュール７０とを有している。真空搬送モジュール５０及び基板処理モジュール７０の内部は、それぞれ減圧（真空）雰囲気に維持可能に構成される。本実施形態においては、１つの真空搬送モジュール５０に対して、複数、例えば６つの基板処理モジュール７０が接続されている。なお、基板処理モジュール７０の数や配置は本実施形態に限定されず、任意に設定することができる。
【0025】
真空搬送モジュール５０は、ロードロックモジュール２０に接続されている。一実施形態において、真空搬送モジュール５０は、真空搬送空間５０ｓ及び開口部を有する。開口部は、真空搬送空間５０ｓと連通しており、各モジュールとの接続部を構成している。真空搬送モジュール５０においては、真空搬送空間５０ｓを経由して各モジュールの間で基板Ｗが搬送される。一例として、ロードロックモジュール２０の基板搬送室２１ａに搬入された基板Ｗは、真空搬送空間５０ｓを経由して一の基板処理モジュール７０に搬送される。基板Ｗは当該基板処理モジュール７０で所望の処理が施される。その後、基板Ｗは真空搬送空間５０ｓを経由してロードロックモジュール２０の基板搬送室２１ｂに搬送され、大気部１０に搬送される。
【0026】
真空搬送空間５０ｓには、基板Ｗを搬送するように構成される真空搬送ロボット８０が設けられている。一実施形態において、真空搬送ロボット８０は、基板Ｗを保持する後述するエンドエフェクタ１０２と、エンドエフェクタ１０２を移動させる搬送アーム８１と、搬送アーム８１を回転可能に支持する回転台８２と、回転台８２を搭載した回転載置台８３とを有している。一実施形態において、回転載置台８３は真空搬送モジュール５０の中央部分に固定されている。一実施形態で、真空搬送ロボット８０は、真空搬送空間５０ｓとロードロックモジュール２０との間でゲートバルブ２４、２５を介して基板を搬送するように構成される。また一実施形態で、真空搬送空間５０ｓと基板処理モジュール７０の基板処理空間との間でゲートバルブ７１を介して基板を搬送するように構成される。
【0027】
基板処理モジュール７０は、真空搬送モジュール５０の側壁面に形成された基板搬送口５１を介して真空搬送モジュール５０と連通しており、基板搬送口５１はゲートバルブ７１を用いて開閉自在に構成されている。基板処理モジュール７０としては、基板処理の目的に応じた処理を行うモジュールを任意に選択することができる。
【0028】
以上の基板処理装置１は、図１に示すように制御部９０を含む。制御部９０は、本開示において述べられる基板Ｗの搬送や処理などの種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部９０は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部９０の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部９０は、処理部、記憶部及び通信インターフェースを含んでもよい。制御部９０は、例えばコンピュータにより実現される。処理部は、記憶部からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部に格納され、処理部によって記憶部から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータに読み取り可能な種々の記憶媒体Ｈであってもよく、通信インターフェースに接続されている通信回線であってもよい。処理部は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェースは、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介して基板処理装置１、２００との間で通信してもよい。
【0029】
＜エンドエフェクタ＞
次に、図２を用いて真空搬送ロボット８０におけるエンドエフェクタ１０２の詳細な構成について説明する。図２は本実施形態にかかるエンドエフェクタ１０２の構成の概略を模式的に示す平面図である。
次に、図２を用いて真空搬送ロボット８０におけるエンドエフェクタ１０２の詳細な構成について説明する。図２は本実施形態にかかるエンドエフェクタ１０２の構成の概略を模式的に示す平面図である。
【0030】
図２で、搬送アーム８１はアーム筐体１００を備え、搬送アーム８１の先端におけるアーム筐体１００にはエンドエフェクタ１０２が接続される。フォークは、エンドエフェクタ１０２の一例である。エンドエフェクタ１０２には所望の基板固定手段（図示せず）によって基板Ｗを固定して載置する基板載置部１０３が設けられる。図２において基板載置部１０３に載置された基板Ｗの一例を点線の円で示す。基板載置部には、基板Ｗを載置した際に基板ＷのノッチＮＣが配置される基準ノッチ位置１０４が規定されている。
【0031】
真空搬送ロボット８０は基板搬送室２１のストッカに一時的に保持された基板Ｗを受け取る際に、基準ノッチ位置１０４に基板ＷのノッチＮＣが配置されるように動作が制御される。かかる制御の詳細については後述する。
【0032】
真空搬送ロボット８０は、ノッチ位置検知部を備える。ノッチ位置検知部は、２つの静電容量センサ１１１ａ，１１１ｂと、センサ基板１１２と、各電極の何れかとセンサ基板１１２との間に設けられた同軸ケーブル１１３と、を備える。
【0033】
第１の静電容量センサ１１１ａと第２の静電容量センサ１１１ｂはそれぞれ、基準ノッチ位置１０４に隣接し、かつ、基準ノッチ位置１０４を挟んで対称（図２の例では、基準ノッチ位置１０４を通るＸ軸に平行な線に対して線対称）となるように設けられている。なお、以下の説明において、共通の構成を説明する際、２つの静電容量センサを区別せずに単に静電容量センサ１１１と称する場合がある。また静電容量センサ１１１に含まれる各構成要素について、それぞれに含まれる構成要素で共通の構成を説明する際にも同様である。
【0034】
図３は、図２に示す静電容量センサ１１１の構成例の詳細を模式的に示す平面図である。図３で、第１の静電容量センサ１１１ａは第１のシグナル電極１２０ａ、第１のガード電極１２１ａ及び第１のグランド電極１２２ａを備える。また、第２の静電容量センサ１１１ｂは第２のシグナル電極１２０ｂ、第２のガード電極１２１ｂ及び第２のグランド電極１２２ｂを備える。第１のシグナル電極１２０ａ並びに第２のシグナル電極１２０ｂ、第１のガード電極１２１ａ並びに第２のガード電極１２１ｂ、及び、第１のグランド電極１２２ａ並びに第２のグランド電極１２２ｂは、それぞれが基準ノッチ位置１０４の中心（一例として図３で基準ノッチ位置１０４を示す三角形における重心の位置）を通るＸ軸に平行な線に対して線対称となるように設けられている。
【0035】
また図３で、ガード電極１２１は、シグナル電極１２０の基準ノッチ位置１０４に対向する辺を除く３辺の外側を平面視において囲っている。また、グランド電極１２２は、ガード電極１２１の外側を平面視において囲っている。以下、第１のシグナル電極１２０ａの基準ノッチ位置１０４に対向する辺を左側電極辺１２３と称し、第２のシグナル電極１２０ｂの基準ノッチ位置１０４に対向する辺を右側電極辺１２４と称する。第１のシグナル電極１２０ａの左側電極辺１２３は基準ノッチ位置１０４の左辺に沿って延在し、第２のシグナル電極１２０ｂの右側電極辺１２４は基準ノッチ位置１０４の右辺に沿って延在する。
【0036】
シグナル電極１２０はガード電極１２１及びグランド電極１２２によって、静電容量センサ１１１の周方向外方に対して電気的に遮蔽されている。したがって、かかるノッチ位置検知部によれば、シグナル電極１２０と基板Ｗとが対向する方向（例えば、図３中のＺ軸正方向）に高い指向性をもって静電容量を測定することが可能となる。
【0037】
【0038】
図４は、基板ＷのノッチＮＣが基準ノッチ位置１０４に整合するように配置されている場合の配置の一例を示す平面図である。図４中の太線は、ノッチＮＣを含む基板Ｗの周縁部ＰＮを示す。なお見やすさのため、ガード電極１２１及びグランド電極１２２は点線で示してある。基板ＷのノッチＮＣを除く部分は、シグナル電極１２０の上面を完全に覆っている。一方で、基準ノッチ位置１０４におけるノッチＮＣが配向する部分には、シグナル電極１２０が設けられていない。さらに、ノッチＮＣを構成する基板Ｗの周縁部ＰＮの直線部分は、第１のシグナル電極１２０ａの左側電極辺１２３、第２のシグナル電極１２０ｂの右側電極辺１２４にそれぞれ接する。
【0039】
図５は、基板ＷのノッチＮＣが基準ノッチ位置１０４からずれて配置されている場合の配置の一例を示す平面図である。シグナル電極１２０の大きさ、形状及び配置は、基板ＷのノッチＮＣが基準ノッチ位置１０４からずれて配置されている時にノッチＮＣを完全に覆うことができ、かつ、ノッチＮＣが基準ノッチ位置にあるときにノッチＮＣと重ならないような大きさ、形状及び配置に設けられる。
【0040】
図６は、真空搬送ロボット８０におけるノッチ位置検知部のシステム構成を示す説明図である。上述したように、静電容量センサ１１１は同軸ケーブル１１３によってセンサ基板１１２に接続されている。センサ基板１１２は、高周波発振器１４０と、Ｃ／Ｖ変換回路１４１と、Ａ／Ｄ変換器１４２と、演算部１４３と、通信部１４４と、を備える。
【0041】
図６で、同軸ケーブル１１３は、配線１３０～１３２を備える。配線１３０の一端は、シグナル電極１２０に接続されている。配線１３０の他端は、センサ基板１１２に設けられた後述するＣ／Ｖ変換回路１４１の入力端に接続されている。配線１３１の一端は、ガード電極１２１に接続されている。配線１３１の他端は、センサ基板１１２に設けられた後述するＣ／Ｖ変換回路１４１の入力端に接続されている。配線１３２の一端は、グランド電極１２２に接続されている。配線１３２の他端はセンサ基板１１２のグランドＧＣに接続されたグランド電位線ＧＬに接続されている。なお、配線１３２の他端は、グランド電位線ＧＬにスイッチ（図示せず）を介して接続されていてもよい。
【0042】
高周波発振器１４０は、バッテリーや外部電源等の電源（図示せず）に接続されており、当該電源からの電力を受けて高周波信号を発生するよう構成されている。なお、当該電源は演算部１４３及び通信部１４４にも接続されている。高周波発振器１４０は、複数の出力線１５０を有している。高周波発振器１４０は、発生した高周波信号を複数の出力線１５０を介して、配線１３０及び配線１３１に供給するように構成される。したがって、高周波発振器１４０は、ノッチ位置検知部のシグナル電極１２０及びガード電極１２１に電気的に接続されており、当該高周波発振器１４０からの高周波信号は、シグナル電極１２０及びガード電極１２１に与えられるように構成される。
【0043】
Ｃ／Ｖ変換回路１４１は、基板Ｗとシグナル電極１２０との間の静電容量値を電圧値に変換する。具体的な回路構成については、後述する。
【0044】
Ａ／Ｄ変換器１４２の入力には、Ｃ／Ｖ変換回路１４１の出力が接続している。また、Ａ／Ｄ変換器１４２は、演算部１４３に接続している。Ａ／Ｄ変換器１４２は、演算部１４３からの制御信号によって制御され、Ｃ／Ｖ変換回路１４１の出力信号（電圧信号）を、デジタル値に変換し、検出値として演算部１４３に出力する。
【0045】
演算部１４３は、シグナル電極１２０及びガード電極１２１に対する高周波発振器１４０からの高周波信号の供給を制御する。具体的には後述するが、出力線１５０上に設けた可変抵抗器１６０又は可変コンデンサ１６１を制御し、高周波信号の振幅及び位相を調整する。また、演算部１４３は、上述した電源からの各構成要素に対する電力供給等を制御する。
【0046】
さらに、演算部１４３は、Ａ／Ｄ変換器１４２から入力された検出値に基づいて、第１の静電容量センサ１１１ａ及び第２の静電容量センサ１１１ｂの測定値を取得する。一実施形態では、第１の静電容量センサ１１１ａ又は第２の静電容量センサ１１１ｂの何れかからの出力について、Ａ／Ｄ変換器１４２から出力された検出値をＸとした場合、演算部１４３では、測定値が（ａ・Ｘ＋ｂ）に比例した値となるように、検出値に基づいて測定値を取得している。ここで、ａ及びｂは回路状態等によって変化する定数である。演算部１４３は、例えば、測定値が（ａ・Ｘ＋ｂ）に比例した値となるような所定の演算式（関数）情報を備え、当該関数に基づいて測定値を取得してもよい。
【0047】
演算部１４３における測定値の取得は、詳細については後述するが、第１の静電容量センサ１１１ａ及び第２の静電容量センサ１１１ｂのそれぞれについて行われる。一実施形態では、第１の静電容量センサ１１１ａ及び第２の静電容量センサ１１１ｂからそれぞれの電極における静電容量値を取得し、各静電容量値を比較する。当該比較により値の差の絶対値が閾値を超えた場合に回転ズレが生じたものと判定して、判定信号を通信部１４４に出力する。また、一実施形態では、静電容量値に基づき回転角度を算出し、算出した回転角度信号を通信部１４４に出力する。演算部１４３における測定値と基板Ｗの回転ズレとの関係、及び、上記の回転ズレの判定又は角度算出の方法については、後述する。また、演算部１４３は取得した静電容量値、判定結果及び回転角度値等を記憶しておく記憶部（図示せず）を備えていてもよい。
【0048】
通信部１４４は、演算部１４３から出力された判定信号又は回転角度信号を外部、一例として、制御部９０に送信する。
【0049】
図７は、一実施形態における高周波発振器１４０及びＣ／Ｖ変換回路１４１を含む回路構成の詳細を示す説明図である。図７で、一実施形態において、高周波発振器１４０から第１の出力線１５０ａが配線１３１に接続されている。また、第２の出力線１５０ｂ及び第３の出力線１５０ｃが配線１３０に接続されている。第１の出力線１５０ａは所望の抵抗を備えてもよい。
【0050】
第２の出力線１５０ｂは可変抵抗器１６０を備え、第３の出力線１５０ｃは可変コンデンサ１６１を備える。可変抵抗器１６０及び可変コンデンサ１６１は、抵抗及び静電容量を演算部１４３によって制御可能な公知のものを用いることができる。
【0051】
配線１３０は演算増幅器１６２の反転入力端子（－）に接続され、配線１３１は非反転入力端子（＋）に接続される。また、演算増幅器１６２の出力端子と反転入力端子（－）との間に帰還抵抗１６３が接続され、演算増幅器１６２に負帰還がかかっている。
【0052】
上記の他、ノッチ位置検知部のシステム構成としては、特開２０２２－６８５８２号公報に開示されるシステム構成を参照し又は変更して適用することができる。また、高周波発振器１４０及びＣ／Ｖ変換回路１４１を含む回路構成としては、特許第３３０２３７７号公報に開示される回路構成を参照し又は変更して適用することができる。
【0053】
＜静電容量値の算出方法＞
上記構成を備える基板処理装置１によれば、第１の静電容量センサ１１１ａ及び第２の静電容量センサ１１１ｂからそれぞれの静電容量値を算出することができる。以下、それぞれの電極における静電容量値の取得の具体的な方法について、図を用いて説明する。
上記構成を備える基板処理装置１によれば、第１の静電容量センサ１１１ａ及び第２の静電容量センサ１１１ｂからそれぞれの静電容量値を算出することができる。以下、それぞれの電極における静電容量値の取得の具体的な方法について、図を用いて説明する。
【0054】
図８は、基板ＷのノッチＮＣ及び第１のシグナル電極１２０ａ並びに第２のシグナル電極１２０ｂの平面図を模式的に示した説明図である。説明の便宜のため、図８の例では、ノッチＮＣは模式的に面積１（斜辺長さ２）の直角二等辺三角形とみなす。また、ガード電極１２１及びグランド電極１２２については図示を省略する。以下、ノッチＮＣを模式的に示す二等辺三角形を単にノッチＮＣと称し、また、二等辺三角形の斜辺を、ノッチ外周部ＮＰと称する。また、第１のシグナル電極１２０ａ及び第２のシグナル電極１２０ｂのそれぞれは対角が１３５°及び４５°で、長辺長さが２以上及び短辺長さが√（２）以上である面積Ｓ０の平行四辺形とみなす。また、第１のシグナル電極１２０ａ及び第２のシグナル電極１２０ｂのそれぞれは、図８のように基準ノッチ位置１０４を挟むように配置されている。
【0055】
図９～図１１は、ノッチＮＣが第１のシグナル電極１２０ａの側に移動している場合の回転ズレの一例を示す説明図である。以下各図において、電極と対向しないノッチＮＣの面積をＳ１、電極と対向するノッチＮＣの面積をＳ２とする。また、回転ズレによりノッチＮＣが移動したときのノッチＮＣ外周部の移動距離をｔとする。また、基板Ｗと第１のシグナル電極１２０ａ又は第２のシグナル電極１２０ｂとの距離はｄとする。
【0056】
図９で、第１のシグナル電極１２０ａ及び第２のシグナル電極１２０ｂは、ノッチＮＣが重なっておらず全面において基板Ｗが重なっている状態であり、ｔ＝０の時である。この時、Ｓ１＝１、Ｓ２＝０である。
【0057】
図１０で、基板Ｗの回転ズレによりノッチＮＣが第１のシグナル電極１２０ａの側に移動している状態であり、ノッチＮＣ外周部の移動距離ｔが０＜ｔ＜２の範囲である。このとき、ノッチＮＣの面積は１であるので、電極と対向するノッチＮＣの面積Ｓ２は以下の式（１）で表される。
Ｓ２＝１－Ｓ１＝１－（１－ｔ＋１／４ｔ２）＝ｔ－１／４ｔ２・・・ （１）
Ｓ２＝１－Ｓ１＝１－（１－ｔ＋１／４ｔ２）＝ｔ－１／４ｔ２・・・ （１）
【0058】
図１１で、基板Ｗの回転ズレによりノッチＮＣが第１のシグナル電極１２０ａに完全に重なっている状態であり、ｔ≧２の時である。この時、Ｓ１＝０、Ｓ２＝１である。
【0059】
ここで、図９において、基板Ｗと、第１のシグナル電極１２０ａ又は第２のシグナル電極１２０ｂとの間の静電容量をＣ０とすると、Ｃ０は以下の式（２）で表される。ただし、ε０は真空の誘電率である。
Ｃ０＝ε０×（Ｓ０／ｄ）・・・ （２）
Ｃ０＝ε０×（Ｓ０／ｄ）・・・ （２）
【0060】
ノッチＮＣが第１のシグナル電極１２０ａの側に移動している図９～図１１の状態では、第２のシグナル電極１２０ｂ上には全面において基板Ｗが重なっている状態である。このため、基板Ｗと第２のシグナル電極１２０ｂとの間の静電容量Ｃ２についてＣ２＝Ｃ０が成り立つ。
【0061】
長さｔが０＜ｔ＜２の範囲である図１０の状態において、基板Ｗと第１のシグナル電極１２０ａとの間の静電容量Ｃ１は以下の式（３）で表される。
Ｃ１＝Ｃ０－ε０×（Ｓ２／ｄ）
これに式（１）を代入して整理し、
Ｃ１＝Ｃ０－ε０／ｄ×（ｔ－１／４ｔ２）・・・ （３）
Ｃ１＝Ｃ０－ε０×（Ｓ２／ｄ）
これに式（１）を代入して整理し、
Ｃ１＝Ｃ０－ε０／ｄ×（ｔ－１／４ｔ２）・・・ （３）
【0062】
図１２は、上記式（３）に基づいて導かれる回転ズレにおける回転角度θと、基板Ｗと第１のシグナル電極１２０ａとの間の静電容量Ｃ１との関係を示すグラフである。なお、ノッチＮＣ外周部の移動距離がｔ＝０のとき回転角度はθ＝０であり、ｔ＞０の範囲ではｔの値及び基板Ｗの直径から回転角度を求めることができる。例えば、ｔ＝２の時の回転角度をθ＝θ１とし、基板Ｗの直径を３００としたとき、θ１≒０．７６°と近似的に求められる。
【0063】
図１２で、静電容量Ｃ１は回転角度θが０≦θ≦θ１の範囲で、式（３）の関係に従いながら概ね一様に減少する。なお図１２で、θ＞θ１では、ノッチＮＣが第１のシグナル電極１２０ａに完全に重なった後、電極と対向するノッチＮＣの面積Ｓ２が変化しないため、静電容量Ｃ１は変化しない。
【0064】
なお上記において基板Ｗが第１のシグナル電極１２０ａの側に回転している場合を説明したが、基板Ｗが第２に電極１２０ｂの側に回転している場合でも、第１のシグナル電極１２０ａ及び第２のシグナル電極１２０ｂの対称性（線対称）の観点から同様である。
【0065】
＜第１の基板処理方法＞
上記静電容量値の算出方法によれば、式（３）に基づいて回転ズレにより減少した静電容量Ｃ１と、変化しない静電容量Ｃ２とを比較することにより、値の差の絶対値が閾値を超えた場合に回転ズレが生じたものと判定することができる。以下、図１３を用いて回転ズレの判定に伴って行うことができる、第１の基板処理方法ＭＴ１について説明する。図１３は、第１の基板処理方法ＭＴ１の構成の概略を示すフローチャートである。
上記静電容量値の算出方法によれば、式（３）に基づいて回転ズレにより減少した静電容量Ｃ１と、変化しない静電容量Ｃ２とを比較することにより、値の差の絶対値が閾値を超えた場合に回転ズレが生じたものと判定することができる。以下、図１３を用いて回転ズレの判定に伴って行うことができる、第１の基板処理方法ＭＴ１について説明する。図１３は、第１の基板処理方法ＭＴ１の構成の概略を示すフローチャートである。
【0066】
工程ＳＴ１で、真空搬送ロボット８０により、ロードロックモジュール２０から基板Ｗをエンドエフェクタで受け取る。
【0067】
工程ＳＴ２で、ノッチ位置検知部により、静電容量Ｃ１及び静電容量Ｃ２を取得する。
【0068】
工程ＳＴ３で、演算部１４３により上記工程ＳＴ２で取得した静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ２との差の絶対値（｜Ｃ１－Ｃ２｜）を算出し、あらかじめ定められた閾値とが比較される。
【0069】
工程ＳＴ３で上記差の絶対値が閾値よりも大きいとき、回転ズレが生じていると判定され、工程ＳＴ４に進む。工程ＳＴ４で、演算部１４３から出力された判定信号を通信部１４４から制御部９０に送信する。
【0070】
工程ＳＴ５で、上記工程ＳＴ４において回転ズレが生じている判定信号を受けた制御部９０は、基板処理装置１を制御して基板Ｗをオリエンタモジュール３３に搬送し、基板Ｗのノッチ配向を再度調整する。その後、再度基板Ｗをロードロックモジュール２０に搬送し、工程ＳＴ１以降の工程を再度実行してもよい。その他の場合は、終了する。
【0071】
工程ＳＴ３で上記差の絶対値が閾値以下であるとき、工程ＳＴ６に進む。工程ＳＴ６では、回転ズレが生じておらず基板Ｗのノッチ配向が正常であると判定して、基板Ｗを基板処理モジュール７０に搬送する。基板処理モジュール７０で所望の処理を実行し、その後、終了する。
【0072】
＜第２の基板処理方法＞
上記静電容量値の算出方法によれば、式（３）に基づいて静電容量Ｃ１から回転角度θを算出することができる。以下、図１４を用いて回転角度の算出に伴って行うことができる、第２の基板処理方法ＭＴ２について説明する。図１４は、第２の基板処理方法ＭＴ２の構成の概略を示すフローチャートである。
上記静電容量値の算出方法によれば、式（３）に基づいて静電容量Ｃ１から回転角度θを算出することができる。以下、図１４を用いて回転角度の算出に伴って行うことができる、第２の基板処理方法ＭＴ２について説明する。図１４は、第２の基板処理方法ＭＴ２の構成の概略を示すフローチャートである。
【0073】
工程ＳＴ１１で、真空搬送ロボット８０の第１の動作により、ロードロックモジュール２０から基板Ｗをエンドエフェクタで受け取る。第１の動作は、あらかじめ定められた真空搬送ロボット８０の制御動作であって、制御部９０に記憶され、又は実行される。
【0074】
工程ＳＴ１２で、ノッチ位置検知部により、静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ２を取得する。
【0075】
工程ＳＴ１３で、演算部１４３により上記工程ＳＴ２で取得した静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ２から回転方向を決定し、回転角度θを算出する。なお、静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ２とを比較し、静電容量Ｃ１が小さい場合は基板Ｗの回転方向は第１のシグナル電極１２０ａの側であり、静電容量Ｃ２が小さい場合は基板Ｗの回転方向は第２のシグナル電極１２０ｂの側であると決定することができる。回転方向の決定後、静電容量Ｃ１又は静電容量Ｃ２から上記式（３）に基づいて回転角度θを算出する。演算部１４３は回転角度θの値の情報を含む回転角度信号を通信部１４４に出力し、制御部９０に出力する。
【0076】
工程ＳＴ１４で、演算部１４３は回転角度θの値の情報を含む回転角度信号を通信部１４４に出力し、通信部１４４は回転角度信号を制御部９０に送信する。
【0077】
工程ＳＴ１５で、制御部９０は回転角度信号に基づき、あらかじめ定められた第２の動作を補正して第３の動作を決定する。
【0078】
工程ＳＴ１５において、第２の動作は、第１の動作に続けて制御部９０によって制御される真空搬送ロボット８０の動作であって、回転ズレが生じておらず基板Ｗのノッチ配向が正常である場合にロードロックモジュール２０から基板処理モジュール７０に基板Ｗを搬送する動作である。
【0079】
工程ＳＴ１５において、第３の動作は、補正を行わず第２の動作により基板Ｗを基板処理モジュール７０に搬送したとしたならば基板処理モジュール７０内の基板支持部において生じるであろう基板Ｗの回転ズレを、生じないように搬送する動作である。第２の動作を第３の動作に補正する場合、補正後における基板ＷのノッチＮＣ位置が、補正前における基準ノッチ位置１０４に対応する位置となるように補正する。当該補正は、一例として、第２の動作におけるエンドエフェクタ１０２の水平方向の回動角度を、上記回転ズレにおける回転角度θに基づいて変更する補正である。
【0080】
工程ＳＴ１６で、第２の動作を補正して決定した第３の動作により、基板処理モジュール７０に基板Ｗを搬送し基板支持部に載置する。
【0081】
一実施形態において、制御部９０は、以下の工程（ａ）～（ｃ）を行うように構成される。
（ａ）ロードロックモジュール２０においてエンドエフェクタ１０２で基板Ｗを受け取る工程
（ｂ）２つの静電容量センサ１１１ａ，１１１ｂからの出力に基づいて、エンドエフェクタ１０２上の基板ＷのノッチＮＣの位置と基準ノッチ位置１０４との間の差分を決定する工程
（ｃ）決定した差分に基づいて、エンドエフェクタ１０２上の基板ＷのノッチＮＣの位置が基準ノッチ位置１０４に対応する（一致する）ようにエンドエフェクタ１０２上の基板Ｗの回転位置を調整しながら、エンドエフェクタ１０２上の基板Ｗを基板処理モジュール７０内の基板支持部上に載置する工程
（ａ）ロードロックモジュール２０においてエンドエフェクタ１０２で基板Ｗを受け取る工程
（ｂ）２つの静電容量センサ１１１ａ，１１１ｂからの出力に基づいて、エンドエフェクタ１０２上の基板ＷのノッチＮＣの位置と基準ノッチ位置１０４との間の差分を決定する工程
（ｃ）決定した差分に基づいて、エンドエフェクタ１０２上の基板ＷのノッチＮＣの位置が基準ノッチ位置１０４に対応する（一致する）ようにエンドエフェクタ１０２上の基板Ｗの回転位置を調整しながら、エンドエフェクタ１０２上の基板Ｗを基板処理モジュール７０内の基板支持部上に載置する工程
【0082】
なお、エンドエフェクタ１０２上の基板ＷのノッチＮＣの位置と基準ノッチ位置１０４との間の差分は、上記の回転角度θ（即ち、基板ＷのノッチＮＣの、基準ノッチ位置１０４からの移動量）に基づいて決定される。
【0083】
上記の構成を有する第２の実施形態にかかる基板処理方法ＭＴ２によれば、真空搬送ロボット８０で基板Ｗを受け取った後であっても基板Ｗの回転角度θを算出することができる。また、真空搬送ロボット８０の動作を補正することによって、基板処理モジュール７０の基板支持部において基板Ｗのノッチ配向が正常となるように、基板Ｗを搬送することができる。
【0084】
＜静電容量センサのゼロ点補正＞
以下、上記構成を有するノッチ位置検知部のゼロ点補正について図１５を用いて説明する。ノッチ位置検知部は、検出対象がないか、又は検出対象が実際には変化しない状態でも、検知する静電容量値が変化する場合がある。このため、定期的にゼロ点調整をすることが好ましい。ゼロ点調整は、例えば図１５に示すように、第１の静電容量センサ１１１ａ又は第２の静電容量センサ１１１ｂにおける静電容量Ｃ１又はＣ２の値が閾値ＴＨを超えた時刻Ｔ１において実行する。なお、ゼロ点調整は、エンドエフェクタ１０２上において基板Ｗが載置されていない状態において実施する。
以下、上記構成を有するノッチ位置検知部のゼロ点補正について図１５を用いて説明する。ノッチ位置検知部は、検出対象がないか、又は検出対象が実際には変化しない状態でも、検知する静電容量値が変化する場合がある。このため、定期的にゼロ点調整をすることが好ましい。ゼロ点調整は、例えば図１５に示すように、第１の静電容量センサ１１１ａ又は第２の静電容量センサ１１１ｂにおける静電容量Ｃ１又はＣ２の値が閾値ＴＨを超えた時刻Ｔ１において実行する。なお、ゼロ点調整は、エンドエフェクタ１０２上において基板Ｗが載置されていない状態において実施する。
【0085】
図１６は、ノッチ位置検知部のゼロ点調整の方法ＭＴ３の構成の概略を示すフローチャートである。
【0086】
工程ＳＴ２１で、エンドエフェクタ１０２上において基板Ｗが載置されていないことを確認する。載置されている場合は、基板Ｗの搬出後、再度実行する。載置されていない場合は、工程ＳＴ２２に進む。
【0087】
工程ＳＴ２２で、第１の静電容量センサ１１１ａにおける静電容量Ｃ１若しくは第２の静電容量センサ１１１ｂにおける静電容量Ｃ２との何れかと、あらかじめ定められた閾値とを比較する。比較の結果、静電容量Ｃ１若しくは静電容量Ｃ２の何れも閾値を超えていなかった場合は、終了する。終了後、所望の期間経過後に再度ゼロ点調整を実行することとしてもよい。比較の結果、静電容量Ｃ１若しくは静電容量Ｃ２の何れかが閾値を超えていた場合は、工程ＳＴ２３に進む。
【0088】
工程ＳＴ２３で、エンドエフェクタ１０２上における基板の載置を禁止し、ゼロ点調整を実行する。
【0089】
工程ＳＴ２４で、エンドエフェクタ１０２上における基板の載置を許可し、その後、終了する。
【0090】
一実施形態で、ゼロ点調整は、図７に示すＣ／Ｖ変換回路１４１における、可変抵抗器１６０及び可変コンデンサ１６１を制御することで、シグナル電極１２０とガード電極１２１それぞれにおける高周波信号の位相及び振幅を同期させることを含む。上述したように、シグナル電極１２０とガード電極１２１に対しては高周波発振器１４０によって高周波信号が供給されている。この際、シグナル電極１２０とガード電極１２１それぞれにおける高周波信号の位相及び振幅がずれていると、演算増幅器１６２の出力端子側における出力電圧が時間変動する。可変抵抗器１６０及び可変コンデンサ１６１を制御することで、シグナル電極１２０とガード電極１２１それぞれにおける高周波信号の位相及び振幅を同期させることで、演算増幅器１６２の出力端子側における出力電圧を安定化させることができる。
【0091】
上記実施形態ではシグナル電極１２０の形状が平行四辺形である例について説明したが、本開示にかかるシグナル電極１２０の形状はこれに限定されない。図１７は、シグナル電極１２０の他の形状の一例を模式的に示す平面図である。
【0092】
図１７で、第１のシグナル電極１２０ａ及び第２のシグナル電極１２０ｂのそれぞれは台形であり、基準ノッチ位置１０４を挟んで線対称となるように設けられる。このように、基準ノッチ位置１０４に対向する辺の反対側の辺に接する角は、所望の角度を有するように変更しても、上記基板処理方法ＭＴ１、ＭＴ２等を実行することができる。
【0093】
また、上記実施形態ではノッチ位置検知部として２つの静電容量センサ１１１を備える例について説明したが、静電容量センサ１１１の個数はこれに限定されない。図１８は、ノッチ位置検知部が第１の静電容量センサ１１１ａ及び第２の静電容量センサ１１１ｂに加えて更に備える、第３の静電容量センサ１１１ｃの構成を模式的に示す平面図である。
【0094】
図１８で、第３の静電容量センサ１１１ｃは、第３のシグナル電極１２０ｃと、第３のシグナル電極１２０ｃを囲う第３のガード電極１２１ｃと、第３のガード電極１２１ｃを更に囲う第３のグランド電極１２２ｃを含む。また、他の静電容量センサ１１１と同様に、第３の同軸ケーブル１１３ｃに含まれる各配線によってセンサ基板１１２に接続されている。第１の静電容量センサ１１１ａ及び第２の静電容量センサ１１１ｂと異なり、第３のシグナル電極１２０ｃの全周が第３のガード電極１２１ｃに囲まれており、かかる第３の静電容量センサ１１１ｃによれば、第３のシグナル電極１２０ｃと基板Ｗとが対向する方向（例えば、図１８中のＺ軸正方向）にさらに高い指向性をもって静電容量を測定することが可能となる。
【0095】
第３の静電容量センサ１１１ｃは、第３のシグナル電極１２０ｃの面積が、第１のシグナル電極１２０ａ及び第２のシグナル電極１２０ｂのそれぞれの面積と同じとなるように設ける。また、エンドエフェクタ１０２上に基板Ｗを載置した際に常に基板Ｗと対向する位置に設けられる。
【0096】
かかる第３の静電容量センサ１１１ｃを含むノッチ位置検知部によれば、静電容量を算出する際に、第１のシグナル電極１２０ａ又は第２のシグナル電極１２０ｂの全面が基板Ｗに覆われている時の静電容量Ｃ０として、第３の静電容量センサ１１１ｃにおいて算出される静電容量を用いることができる。第３の静電容量センサ１１１ｃの静電容量を基準の静電容量Ｃ０として用いることで、静電容量Ｃ１及びＣ２をより正確に算出することができる。
【0097】
以下、図１９を用いて、一実施形態にかかる基板処理装置２００について説明する。基板処理装置２００は、第１の真空搬送モジュール５０ａと第２の真空搬送モジュール５０ｂを備え、これらがパスモジュール２０１により接続された構成を有する。なお、第１の真空搬送モジュール５０ａ及び第２の真空搬送モジュール５０ｂのそれぞれは、パスモジュール２０１を除いて、上述した図１の例における基板処理装置１の真空搬送モジュール５０と同様の構成を有する。すなわち、第１の真空搬送モジュール５０ａ及び第２の真空搬送モジュール５０ｂの何れにおいても、上記静電容量の算出や、上記基板処理方法ＭＴ１、ＭＴ２等を実施可能な構成を有する。一実施形態において、基板処理装置２００又はパスモジュール２０１は、特開２０２２－１０４０５６に記載された基板処理装置２００又はパスモジュールと略同一の構成を有する。また、パスモジュール２０１は、内部において回転機構を含む基板支持部２０２ａ、２０２ｂ（以下、単に基板支持部２０２という場合もある）を備える。基板支持部２０２ａ、２０２ｂに載置された基板Ｗは、回転機構によって回転し、ノッチ配向を調整するように制御することができる。
【0098】
上記構成を備える基板処理装置２００によれば、以下の基板処理方法ＭＴ４を実行可能である。図２０は、基板処理方法ＭＴ４の構成の概略を示すフローチャートである。
【0099】
工程ＳＴ３１で、第１の真空搬送ロボット８０ａにより、ロードロックモジュール２０から基板Ｗを第１の搬送アーム８１ａの第１のエンドエフェクタ１０２ａで受け取る。
【0100】
工程ＳＴ３２で、第１の搬送エンドエフェクタ１０２ａにおけるノッ位置検知部により、静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ２を取得する。
【0101】
工程ＳＴ３３で、演算部１４３により上記工程ＳＴ３２で取得した静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ２から回転方向を決定し、回転角度θを算出する。なお、静電容量Ｃ１と静電容量Ｃ２とを比較し、静電容量Ｃ１が小さい場合は基板Ｗの回転方向は第１のシグナル電極１２０ａの側であり、静電容量Ｃ２が小さい場合は基板Ｗの回転方向は第２のシグナル電極１２０ｂの側であると決定することができる。回転方向の決定後、静電容量Ｃ１又は静電容量Ｃ２から上記式（３）に基づいて回転角度θを算出する。演算部１４３は回転角度θの値の情報を含む回転角度信号を通信部１４４に出力し、制御部９０に出力する。
【0102】
工程ＳＴ３４で、演算部１４３は回転角度θの値の情報を含む回転角度信号を通信部１４４に出力し、通信部１４４は回転角度信号を制御部９０に送信する。
【0103】
工程ＳＴ３５で、制御部９０は第１の真空搬送ロボット８０ａを制御して、基板Ｗをパスモジュール２０１の基板支持部２０２ａに搬送する。
【0104】
工程ＳＴ３６で、制御部９０は回転角度信号に基づき、基板支持部２０２ａの回転機構を制御して、基板ＷのノッチＮＣの位置が基準ノッチ位置１０４に対応する位置となるように回転させる。その後、終了する。
【0105】
上記基板処理方法の終了後は、第１の真空搬送ロボット８０ａで再度基板Ｗを受け取り、第１の真空搬送モジュール５０ａに接続された基板処理モジュール７０に基板を搬送し、所望の処理を行ってもよい。また、第２の真空搬送ロボット８０ｂで再度基板Ｗを受け取り、第２の真空搬送モジュール５０ｂに接続された基板処理モジュール７０に基板を搬送し、所望の処理を行ってもよい。
【0106】
一実施形態において、制御部９０は、以下の工程（ａ）～（ｅ）を行うように構成される。
（ａ）ロードロックモジュール２０において第１のエンドエフェクタ１０２ａで基板Ｗを受け取る工程
（ｂ）２つの静電容量センサ１１１ａ，１１１ｂからの出力に基づいて、第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板ＷのノッチＮＣの位置と基準ノッチ位置１０４との間の差分を決定する工程
（ｃ）第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板Ｗをパスモジュール２０１内の基板支持部２０２上に載置する工程
（ｄ）決定した差分に基づいて、パスモジュール２０１内の基板支持部２０２上の基板ＷのノッチＮＣの位置が基準ノッチ位置１０４に対応する（一致する）ようにパスモジュール２０１内の基板支持部２０２上の基板Ｗを回転させる工程
（ｅ）パスモジュール２０１内の基板支持部２０２上の基板Ｗを第２のエンドエフェクタ１０２ｂで受け取る工程
（ａ）ロードロックモジュール２０において第１のエンドエフェクタ１０２ａで基板Ｗを受け取る工程
（ｂ）２つの静電容量センサ１１１ａ，１１１ｂからの出力に基づいて、第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板ＷのノッチＮＣの位置と基準ノッチ位置１０４との間の差分を決定する工程
（ｃ）第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板Ｗをパスモジュール２０１内の基板支持部２０２上に載置する工程
（ｄ）決定した差分に基づいて、パスモジュール２０１内の基板支持部２０２上の基板ＷのノッチＮＣの位置が基準ノッチ位置１０４に対応する（一致する）ようにパスモジュール２０１内の基板支持部２０２上の基板Ｗを回転させる工程
（ｅ）パスモジュール２０１内の基板支持部２０２上の基板Ｗを第２のエンドエフェクタ１０２ｂで受け取る工程
【0107】
なお、パスモジュール２０１内の基板支持部２０２上の基板Ｗの回転は、パスモジュール２０１内の基板支持部２０２に備えられる回転機構により行われる。
【0108】
上記の構成を有する基板処理方法ＭＴ４によれば、真空搬送ロボット８０で基板Ｗを受け取った後であっても基板Ｗの回転角度θを算出することができる。また、算出した回転角度θに基づいて、パスモジュール内に設けられた基板支持部により、基板Ｗのノッチ配向が正常となるように、基板Ｗを回転することができる。
【0109】
一実施形態において、制御部９０は、以下の工程（ａ）～（ｄ）を行うように構成される。
（ａ）ロードロックモジュール２０において第１のエンドエフェクタ１０２ａで基板Ｗを受け取る工程
（ｂ）２つの静電容量センサ１１１ａ，１１１ｂからの出力に基づいて、第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板ＷのノッチＮＣの位置と基準ノッチ位置１０４との間の差分を決定する工程
（ｃ）決定した差分に基づいて、第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板ＷのノッチＮＣの位置が基準ノッチ位置１０４に対応するように第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板Ｗの回転位置を調整しながら、第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板Ｗをパスモジュール２０１内の基板支持部２０２上に載置する工程
（ｄ）パスモジュール２０１内の基板支持部２０２上の基板Ｗを第２のエンドエフェクタ１０２ｂで受け取る工程
（ａ）ロードロックモジュール２０において第１のエンドエフェクタ１０２ａで基板Ｗを受け取る工程
（ｂ）２つの静電容量センサ１１１ａ，１１１ｂからの出力に基づいて、第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板ＷのノッチＮＣの位置と基準ノッチ位置１０４との間の差分を決定する工程
（ｃ）決定した差分に基づいて、第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板ＷのノッチＮＣの位置が基準ノッチ位置１０４に対応するように第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板Ｗの回転位置を調整しながら、第１のエンドエフェクタ１０２ａ上の基板Ｗをパスモジュール２０１内の基板支持部２０２上に載置する工程
（ｄ）パスモジュール２０１内の基板支持部２０２上の基板Ｗを第２のエンドエフェクタ１０２ｂで受け取る工程
【0110】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。
【0111】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
【符号の説明】
【0112】
１ 基板処理装置
２０ ロードロックモジュール
５０ 真空搬送モジュール
７０ 基板処理モジュール
８０ 真空搬送ロボット
８１ 搬送アーム
９０ 制御部
１０２ エンドエフェクタ
１０４ 基準ノッチ位置
１１１ 静電容量センサ
１１２ センサ基板
Ｗ 基板
ＮＣ ノッチ
２０ ロードロックモジュール
５０ 真空搬送モジュール
７０ 基板処理モジュール
８０ 真空搬送ロボット
８１ 搬送アーム
９０ 制御部
１０２ エンドエフェクタ
１０４ 基準ノッチ位置
１１１ 静電容量センサ
１１２ センサ基板
Ｗ 基板
ＮＣ ノッチ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】