特開 2024-115083 プラズマ処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024115083

(43)【公開日】2024-08-26

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20240819BHJP

   H05H 1/46 20060101ALI20240819BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101L

H01L21/302 101B

H05H1/46 A

H05H1/46 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】18

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023020558

(22)【出願日】2023-02-14

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100126480

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤 睦

(74)【代理人】

【識別番号】100140431

【弁理士】

【氏名又は名称】大石 幸雄

(74)【代理人】

【識別番号】100135677

【弁理士】

【氏名又は名称】澤井 光一

(74)【代理人】

【識別番号】100131598

【弁理士】

【氏名又は名称】高村 和宗

(72)【発明者】

【氏名】熊谷 裕貴

(72)【発明者】

【氏名】山邊 周平

(72)【発明者】

【氏名】俵 和真

(72)【発明者】

【氏名】原 祐太

【テーマコード（参考）】

2G084

5F004

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084BB02

2G084BB05

2G084BB07

2G084BB14

2G084BB23

2G084CC02

2G084CC03

2G084CC05

2G084CC06

2G084CC08

2G084CC12

2G084CC13

2G084CC15

2G084CC16

2G084CC17

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD15

2G084DD23

2G084DD24

2G084DD38

2G084DD55

2G084FF04

2G084FF07

2G084FF13

2G084FF15

2G084FF38

2G084FF39

5F004AA16

5F004BA09

5F004BB12

5F004BB23

5F004BB28

5F004BB29

5F004CA06

(57)【要約】      （修正有）

【課題】プラズマ処理装置のチャンバ内において、基板支持部上の基板のエッジ付近におけるプラズマ密度を向上するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１において、チャンバ１０は、プラズマ暴露面２１０ａを有し、ｐ型シリコン材料で形成される内側エッジリング２１０及びｎ型シリコン材料で形成される外側エッジリング２１１を含む基板支持部１１と、ｐ型シリコン材料で形成される上部電極プレート２００と、ｎ型シリコン材料で形成される上部環状プレート２０１と、ｎ型シリコン材料で形成される環状バッフルプレート２０２と、プラズマ暴露面２０３ａを有し、ｎ型シリコン材料で形成され、チャンバ内で環状バッフルプレート２０２のエッジ領域近傍から上方に延在するライナ２０３と、を含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

チャンバと、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
前記チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される内側エッジリングと、
プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される外側エッジリングと、
を含む、前記基板支持部と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極プレートであって、前記上部電極プレートと前記基板支持部との間に前記プラズマが生成され、前記上部電極プレートは、プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される、前記上部電極プレートと、
前記上部電極プレートを囲むように配置される上部環状プレートであって、前記上部環状プレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、前記上部環状プレートと、
前記チャンバ内で前記基板支持部を囲むように配置される環状バッフルプレートであって、前記環状バッフルプレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、前記環状バッフルプレートと、
前記チャンバ内で前記環状バッフルプレートのエッジ領域近傍から上方に延在するライナであって、前記ライナは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、前記ライナと、
を含む、プラズマ処理装置。

【請求項2】

前記外側エッジリングは、前記内側エッジリングから離れている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記外側エッジリングと前記内側エッジリングとの間に配置される絶縁リングを更に含む、請求項２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

前記上部環状プレートは、前記上部電極プレートから離れている、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記上部環状プレートと前記上部電極プレートとの間に配置される絶縁リングを更に含む、請求項４に記載のプラズマ処理装置。

【請求項6】

前記上部環状プレートは、平面視で前記基板支持部上の基板よりも外側に配置されている、請求項１から５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項7】

前記上部環状プレートは、接地電位に接続されている、請求項６に記載のプラズマ処理装置。

【請求項8】

チャンバと、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
前記チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、プラズマ暴露面を有する内側エッジリングと、プラズマ暴露面を有する外側エッジリングと、を含む、前記基板支持部と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極プレートであって、前記上部電極プレートと前記基板支持部との間に前記プラズマが生成され、前記上部電極プレートは、プラズマ暴露面を有する、前記上部電極プレートと、
前記上部電極プレートを囲むように配置され、プラズマ暴露面を有する上部環状プレートと、
前記チャンバ内で前記基板支持部を囲むように配置され、プラズマ暴露面を有する環状バッフルプレートと、
前記チャンバ内で前記環状バッフルプレートのエッジ領域近傍から上方に延在し、プラズマ暴露面を有するライナと、を含み、
前記外側エッジリング、前記上部環状プレート、前記環状バッフルプレート、前記ライナのうち少なくとも１つは、ｎ型シリコン材料で形成されている、プラズマ処理装置。

【請求項9】

前記内側エッジリングは、ｐ型シリコン材料で形成され、
前記上部電極プレートは、ｐ型シリコン材料で形成されている、請求項８に記載のプラズマ処理装置。

【請求項10】

前記外側エッジリングは、ｎ型シリコン材料で形成され、前記内側エッジリングから離れている、請求項９に記載のプラズマ処理装置。

【請求項11】

前記外側エッジリングと前記内側エッジリングとの間に配置される絶縁リングを更に含む、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。

【請求項12】

前記上部環状プレートは、ｎ型シリコン材料で形成され、前記上部電極プレートから離れている、請求項９に記載のプラズマ処理装置。

【請求項13】

前記上部環状プレートと前記上部電極プレートとの間に配置される絶縁リングを更に含む、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項14】

前記上部環状プレートは、平面視で前記基板支持部上の基板よりも外側に配置されている、請求項８から１３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項15】

前記上部環状プレートは、接地電位に接続されている、請求項１４に記載のプラズマ処理装置。

【請求項16】

チャンバと、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
前記チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される内側エッジリングと、
プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される外側エッジリングと、
を含む、前記基板支持部と、
前記チャンバ内で前記基板支持部を囲むように配置される環状バッフルプレートであって、前記環状バッフルプレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、前記環状バッフルプレートと、
前記チャンバ内で前記環状バッフルプレートのエッジ領域近傍から上方に延在するライナであって、前記ライナは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、前記ライナと、
を含む、プラズマ処理装置。

【請求項17】

前記外側エッジリングは、前記内側エッジリングから離れている、請求項１６に記載のプラズマ処理装置。

【請求項18】

前記外側エッジリングと前記内側エッジリングとの間に配置される絶縁リングを更に含む、請求項１７に記載のプラズマ処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

プラズマ処理システムにおいて使用するための交換可能なチャンバ要素に関する技術として、特許文献１に記載された技術がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】米国特許公報第２０１３／０２００４９４号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、プラズマ処理装置のチャンバ内において、基板支持部上の基板のエッジ付近におけるプラズマ密度を向上する技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一つの例示的実施形態におけるプラズマ処理装置は、チャンバと、チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、チャンバ内に配置される基板支持部であって、基板支持部は、プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される内側エッジリングと、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される外側エッジリングと、を含む、基板支持部と、基板支持部の上方に配置される上部電極プレートであって、上部電極プレートと基板支持部との間にプラズマが生成され、上部電極プレートは、プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される、上部電極プレートと、上部電極プレートを囲むように配置される上部環状プレートであって、上部環状プレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、上部環状プレートと、チャンバ内で基板支持部を囲むように配置される環状バッフルプレートであって、環状バッフルプレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、環状バッフルプレートと、チャンバ内で環状バッフルプレートのエッジ領域近傍から上方に延在するライナであって、ライナは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、ライナと、を含む。

【発明の効果】

【0006】

本開示の一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置のチャンバ内において、基板支持部上の基板のエッジ付近におけるプラズマ密度を向上する技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。

【図2】プラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【図3】一実施形態におけるチャンバ内の構造を平面視で示す説明図である。

【図4】一実施形態における基板支持部のエッジ領域の構造を示す説明図である。

【図5】一実施形態における基板支持部のエッジ領域の構成を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本開示の各実施形態について説明する。

【0009】

一つの例示的実施形態において、チャンバと、チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、チャンバ内に配置される基板支持部であって、基板支持部は、プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される内側エッジリングと、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される外側エッジリングと、を含む、基板支持部と、基板支持部の上方に配置される上部電極プレートであって、上部電極プレートと基板支持部との間にプラズマが生成され、上部電極プレートは、プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される、上部電極プレートと、上部電極プレートを囲むように配置される上部環状プレートであって、上部環状プレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、上部環状プレートと、チャンバ内で基板支持部を囲むように配置される環状バッフルプレートであって、環状バッフルプレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、環状バッフルプレートと、チャンバ内で環状バッフルプレートのエッジ領域近傍から上方に延在するライナであって、ライナは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、ライナと、を含む、プラズマ処理装置が提供される。

【0010】

一つの例示的実施形態において、外側エッジリングは、内側エッジリングから離れている。

【0011】

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、外側エッジリングと内側エッジリングとの間に配置される絶縁リングを更に含む。

【0012】

一つの例示的実施形態において、上部環状プレートは、上部電極プレートから離れている。

【0013】

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、上部環状プレートと上部電極プレートとの間に配置される絶縁リングを更に含む。

【0014】

一つの例示的実施形態において、上部環状プレートは、平面視で基板支持部上の基板よりも外側に配置されている。

【0015】

一つの例示的実施形態において、上部環状プレートは、接地電位に接続されている。

【0016】

一つの例示的実施形態において、チャンバと、チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、チャンバ内に配置される基板支持部であって、基板支持部は、プラズマ暴露面を有する内側エッジリングと、プラズマ暴露面を有する外側エッジリングと、を含む、基板支持部と、基板支持部の上方に配置される上部電極プレートであって、上部電極プレートと基板支持部との間にプラズマが生成され、上部電極プレートは、プラズマ暴露面を有する、上部電極プレートと、上部電極プレートを囲むように配置され、プラズマ暴露面を有する上部環状プレートと、チャンバ内で基板支持部を囲むように配置され、プラズマ暴露面を有する環状バッフルプレートと、チャンバ内で環状バッフルプレートのエッジ領域近傍から上方に延在し、プラズマ暴露面を有するライナと、を含み、外側エッジリング、上部環状プレート、環状バッフルプレート、ライナのうち少なくとも１つは、ｎ型シリコン材料で形成されている、プラズマ処理装置が提供される。

【0017】

一つの例示的実施形態において、内側エッジリングは、ｐ型シリコン材料で形成され、上部電極プレートは、ｐ型シリコン材料で形成されている。

【0018】

一つの例示的実施形態において、外側エッジリングは、ｎ型シリコン材料で形成され、内側エッジリングから離れている。

【0019】

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、外側エッジリングと内側エッジリングとの間に配置される絶縁リングを更に含む。

【0020】

一つの例示的実施形態において、上部環状プレートは、ｎ型シリコン材料で形成され、上部電極プレートから離れている。

【0021】

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、上部環状プレートと上部電極プレートとの間に配置される絶縁リングを更に含む。

【0022】

一つの例示的実施形態において、上部環状プレートは、平面視で基板支持部上の基板よりも外側に配置されている。

【0023】

一つの例示的実施形態において、上部環状プレートは、接地電位に接続されている。

【0024】

一つの例示的実施形態において、チャンバと、チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、チャンバ内に配置される基板支持部であって、基板支持部は、プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される内側エッジリングと、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される外側エッジリングと、を含む、基板支持部と、チャンバ内で基板支持部を囲むように配置される環状バッフルプレートであって、環状バッフルプレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、環状バッフルプレートと、チャンバ内で環状バッフルプレートのエッジ領域近傍から上方に延在するライナであって、ライナは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、ライナと、を含む、プラズマ処理装置。

【0025】

一つの例示的実施形態において、外側エッジリングは、内側エッジリングから離れている。

【0026】

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、外側エッジリングと内側エッジリングとの間に配置される絶縁リングを更に含む。

【0027】

以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。

【0028】

＜プラズマ処理装置１の一例＞
図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ（以下、「チャンバ」ともいう。）１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

【0029】

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、 １００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

【0030】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0031】

以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【0032】

容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）１０ｄの少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０とは電気的に絶縁される。

【0033】

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

【0034】

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、ＲＦ又はＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよく、この場合、ＲＦ又はＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号又はＤＣ信号がＲＦ又はＤＣ電極に接続される場合、ＲＦ又はＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材とＲＦ又はＤＣ電極との両方が２つの下部電極として機能してもよい。

【0035】

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、リングアセンブリ１１２は、後述の内側エッジリング２１０及び外側エッジリング２１１を含む。

【0036】

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０ 内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0037】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0038】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

【0039】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0040】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

【0041】

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0042】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

【0043】

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、ＤＣに基づく電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0044】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0045】

＜チャンバ１０の内部構造＞
図２に示すように、プラズマ処理装置１は、チャンバ１０内のプラズマ処理空間１０ｓの周囲に、基板支持部１１と、上部電極プレート２００と、上部環状プレート２０１と、環状バッフルプレート２０２と、ライナ２０３とを有している。

【0046】

図３は、一実施形態におけるチャンバ１０内の構造を平面視で示す図である。一実施形態において、図２及び図３に示すように、基板支持部１１は、本体部１１１の中央領域１１１ａを囲むように配置された内側エッジリング２１０と、外側エッジリング２１１を有している。

【0047】

内側エッジリング２１０は、円環状に形成されてよい。内側エッジリング２１０は、環状領域１１１ｂ上に配置されてよい。一実施形態において、内側エッジリング２１０は、プラズマ処理空間１０ｓに面する上面を有し、当該上面がプラズマ暴露面２１０ａを構成している。一実施形態において、内側エッジリング２１０は、ｐ型シリコン材料で形成されている。ｐ型シリコン材料は、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）及びガリウム（Ｇａ）のような３価の原子を不純物として含む（ドープした）シリコン材料である。一実施形態において、ｐ型シリコン材料は、ホウ素をドープしたシリコン材料である。内側エッジリング２１０は、１又は複数の環状部材から構成されていてよい。

【0048】

外側エッジリング２１１は、内側エッジリング２１０を囲むように配置されてよい。一実施形態において、外側エッジリング２１１は、内側エッジリング２１０よりも径が大きい円環状に形成されている。図４は、一実施形態における基板支持部１１のエッジ領域の構造を示す説明図である。一実施形態において、図２及び図４に示すように、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を囲む環状絶縁部材２３０を有している。外側エッジリング２１１は、環状絶縁部材２３０上に配置されてよい。図４に示すように、外側エッジリング２１１は、内側エッジリング２１０から離れている。つまり、外側エッジリング２１１は、内側エッジリング２１０と接触していない。一実施形態において、外側エッジリング２１１と内側エッジリング２１０との間に隙間２３１が形成されている。外側エッジリング２１１は、内側エッジリング２１０と電気的に絶縁されていてよい。さらに外側エッジリング２１１は、静電チャック１１１１に接しておらず、環状絶縁部材２３０により静電チャック１１１１と絶縁されてよい。

【0049】

一実施形態において、図２及び図４に示すように、外側エッジリング２１１は、プラズマ処理空間１０ｓに面する上面を有し、当該上面がプラズマ暴露面２１１ａを構成している。

【0050】

一実施形態において、外側エッジリング２１１は、ｎ型シリコン材料で形成されている。ｎ型シリコン材料は、リン（Ｐ）及びヒ素（Ａｓ）のような５価の原子を不純物として含むシリコン材料である。一実施形態において、ｎ型シリコン材料は、リンをドープしたシリコン材料である。外側エッジリング２１１は、１又は複数の環状部材から構成されていてよい。

【0051】

図２及び図３に示すように、環状バッフルプレート２０２は、基板支持部１１を囲むように配置されてよい。環状バッフルプレート２０２は、基板支持部１１から側壁１０ａ付近まで水平方向に延在している。一実施形態において、環状バッフルプレート２０２は、円環状の薄い板形状を有している。環状バッフルプレート２０２は、板面を上方に向けた状態で配置されていてよい。

【0052】

一実施形態において、図２及び図４に示すように、本体部１１１は、環状絶縁部材２３０を囲む環状支持部材２４０を有している。環状バッフルプレート２０２の内側端部は、環状支持部材２４０上に支持されてよい。

【0053】

環状バッフルプレート２０２は、複数の通気口２５０を有していてよい。複数の通気口２５０は、環状バッフルプレート２０２の上面から下面まで上下方向に貫通してよい。一実施形態において、図３に示すように、複数の通気口２５０は、環状バッフルプレート２０２の全周にわたり設けられてよい。

【0054】

一実施形態において、図２及び図４に示すように、環状バッフルプレート２０２は、プラズマ処理空間１０ｓに面する上面を有し、当該上面がプラズマ暴露面２０２ａを構成している。一実施形態において、図２に示すように、環状バッフルプレート２０２の下方には、環状バッフルプレート２０２、チャンバ１０の側壁１０ａ及び環状支持部材２４０で囲まれる排気空間１０ｂが形成され、当該排気空間１０ｂは、排気システム４０のガス排出口１０ｅに通じている。

【0055】

一実施形態において、環状バッフルプレート２０２は、ｎ型シリコン材料で形成されている。

【0056】

一実施形態において、図２に示すように、ライナ２０３は、環状バッフルプレート２０２のエッジ領域近傍から上方に延在している。ライナ２０３は、円筒形状を有してよい。ライナ２０３は、基板支持部１１や環状バッフルプレート２０２と同心円状に配置されていてよい。ライナ２０３は、環状バッフルプレート２０２の外側端部上に配置されていてよい。ライナ２０３は、チャンバ１０の側壁１０ａに沿って、チャンバ１０の天部１０ｄまで延設されていてよい。一実施形態において、ライナ２０３は、プラズマ処理空間１０ｓの水平方向の側方に位置し、プラズマ処理空間１０ｓに露出している。一実施形態において、ライナ２０３は、プラズマ処理空間１０ｓに面する内側面を有し、当該内側面がプラズマ暴露面２０３ａを構成している。ライナ２０３は、環状バッフルプレート２０２と一体化されてもよい。ライナ２０３は、環状バッフルプレート２０２と離れていてもよい。

【0057】

一実施形態において、ライナ２０３は、ｎ型シリコン材料で形成されている。

【0058】

一実施形態において、図２に示すように、上部電極プレート２００は、基板支持部１１の上方に配置されている。上部電極プレート２００は、シャワーヘッド１３に含まれてよい。上部電極プレート２００は、略円盤形状を有してよい。上部電極プレート２００は、ＲＦ電源３１及びＤＣ電源３２の少なくとも一つに接続され得る。上部電極プレート２００は、プラズマ生成部１２により生成されるプラズマが基板支持部１１との間に生成されるように配置されていてよい。

【0059】

一実施形態において、上部電極プレート２００は、プラズマ処理空間１０ｓに面する下面を有し、当該下面がプラズマ暴露面２００ａを構成している。一実施形態において、上部電極プレート２００は、ｐ型シリコン材料で形成されている。

【0060】

一実施形態において、上部環状プレート２０１は、上部電極プレート２００を囲むように配置されている。上部環状プレート２０１は、上部電極プレート２００よりも外径が大きい円環状に形成されてよい。上部環状プレート２０１は、平面視で基板支持部１１上の基板Ｗよりも外側に配置されてよい。上部環状プレート２０１は、上部電極プレート２００から離れている。つまり、上部環状プレート２０１は、上部電極プレート２００と接触していない。上部環状プレート２０１と上部電極プレート２００との間には、上部環状絶縁部材２６０が設けられてよい。上部環状絶縁部材２６０は、絶縁リングの一例である。上部環状プレート２０１は、上部環状絶縁部材２６０により上部電極プレート２００と電気的に絶縁されていてよい。さらに上部電極プレート２００は、上部環状絶縁部材２６０によりチャンバ１０の側壁１０ａと電気的に絶縁されてよい。なお、上部環状プレート２０１と上部電極プレート２００との間には、上部環状絶縁部材２６０が設けられず、隙間があってよい。

【0061】

一実施形態において、上部環状プレート２０１は、プラズマ処理空間１０ｓに面する下面を有し、当該下面がプラズマ暴露面２０１ａを構成している。一実施形態において、上部環状プレート２０１は、ｎ型シリコン材料で形成されている。

【0062】

上部環状プレート２０１は、チャンバ１０の側壁１０ａに接触してよい。上部環状プレート２０１は、チャンバ１０を介して接地電位に接続されてよい。

【0063】

＜プラズマ処理方法の一例＞
プラズマ処理装置１で行われるプラズマ処理方法は、プラズマを用いて基板Ｗ上の膜をエッチングするエッチング処理を含む。一実施形態において、プラズマ処理方法は、制御部２により実行される。

【0064】

先ず、基板Ｗが、搬送アームによりチャンバ１０内に搬入され、リフターにより基板支持部１１に載置され、図１に示すように基板支持部１１上に吸着保持される。

【0065】

次に、処理ガスが、ガス供給部２０によりシャワーヘッド１３に供給され、シャワーヘッド１３からプラズマ処理空間１０ｓに供給される。このとき供給される処理ガスは、基板Ｗのエッチング処理のために必要な活性種を生成するガスを含む。

【0066】

１又は複数のＲＦ信号がＲＦ電源３１から上部電極８０及び／又は下部電極に供給される。プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気はガス排出口１０ｅから排気され、プラズマ処理空間１０ｓの内部は減圧されてもよい。これにより、プラズマ処理空間１０ｓにプラズマが生成され、基板Ｗがエッチング処理される。

【0067】

本例示的実施形態によれば、基板支持部の内側エッジリング２１０は、ｐ型シリコン材料で形成され、外側エッジリング２１１は、ｎ型シリコン材料で形成され、上部電極プレート２００は、ｐ型シリコン材料で形成され、上部環状プレート２０１は、ｎ型シリコン材料で形成されている。そして、環状バッフルプレート２０２は、ｎ型シリコン材料で形成され、ライナ２０３は、ｎ型シリコン材料で形成されている。

【0068】

プラズマに曝された際には、ｎ型シリコン材料を含む部材の電子放出量は、ｐ型シリコン材料を含む部材の電子放出量よりも多くなる。このため、プラズマ処理空間１０ｓにプラズマが生成された際には、ｎ型シリコン材料を含む部材の周辺領域では、プラズマ密度が上昇する。この結果、外側エッジリング２１１、上部環状プレート２０１、環状バッフルプレート２０２及びライナ２０３をｎ型シリコン材料で形成することにより、これらの部材周辺のプラズマ密度を上昇させることができる。これにより、基板Ｗに対するプラズマ処理を効果的に行うことができる。一方、プラズマに曝された際のｐ型シリコン材料を含む部材の消耗量は、ｎ型シリコン材料を含む部材の消耗量よりも少なくなる。また、プラズマ発生時における、ｐ型シリコン材料を含む部材における放電発生リスクは、ｎ型シリコン材料を含む部材における放電発生リスクよりも小さくなる。内側エッジリング２１０及び上部電極プレート２００をｐ型シリコン材料で形成することにより、これらの部材の消耗量を低減することができ、放電発生リスクも低減することができる。

【0069】

外側エッジリング２１１、上部環状プレート２０１、環状バッフルプレート２０２及びライナ２０３は、プラズマ処理空間１０ｓにおいて基板支持部１１上にある基板Ｗのエッジ領域周辺に位置する。これらの上部環状プレート２０１、外側エッジリング２１１、環状バッフルプレート２０２及びライナ２０３をｎ型シリコン材料で形成することにより、基板Ｗのエッジ領域におけるプラズマ密度を上昇させ、これにより基板面内におけるプラズマ処理の均一性を向上することができる。また、チャンバ１０内における基板Ｗのエッジ領域周辺の部材には、プラズマを制御する電位を印加することが難しいため、部材をｎ型シリコン材料で形成することでプラズマ密度を向上させることは効果的である。

【0070】

ｎ型シリコン材料で形成された外側エッジリング２１１が、ｐ型シリコン材料で形成された内側エッジリング２１０に接触しないので、外側エッジリング２１１から放出する電子が内側エッジリング２１０に伝わりにくくなる。その結果、内側エッジリング２１０における消耗や放電発生リスクを低減することができる。

【0071】

ｎ型シリコン材料で形成された上部環状プレート２０１が、ｐ型シリコン材料で形成された上部電極プレート２００に接触しないので、上部環状プレート２０１から放出する電子が上部電極プレート２００に伝わりにくくなる。その結果、上部電極プレート２００における消耗や放電発生リスクを低減することができる。上部環状プレート２０１と上部電極プレート２００との間に上部環状絶縁部材２６０が配置されているので、上部環状プレート２０１の放出電子が上部電極プレート２００に伝わることを抑制することができる。

【0072】

図５は、一実施形態における基板支持部１１のエッジ領域の構成を示す説明図である。図５に示すように、外側エッジリング２１１と内側エッジリング２１０との間に絶縁リング３００が配置されてよい。絶縁リング３００は、環状絶縁部材２３０上に配置され、外側エッジリング２１１と内側エッジリング２１０との間の隙間を埋めるものであってもよい。絶縁リング３００は、環状絶縁部材２３０と一体化されていてよい。かかる場合、内側エッジリング２１０が、外側エッジリング２１１の放出電子の影響を受けて摩耗することが抑制される。また、外側エッジリング２１１の放出電子の影響を受けて内側エッジリング２１０で放電発生リスクが高まることを抑制することができる。

【0073】

なお、一実施形態において、外側エッジリング２１１、上部環状プレート２０１、環状バッフルプレート２０２及びライナ２０３が、ｎ型シリコン材料で形成されていたが、これらの部材のうち一つ、或いは複数がｎ型シリコン材料で形成され、残りの部材が、他の材料、例えばｐ型シリコン材料で形成されていてよい。ｎ型シリコン材料で形成される複数の部材の組み合わせは、外側エッジリング２１１、上部環状プレート２０１、環状バッフルプレート２０２及びライナ２０３から選択される全ての組み合わせを含む。

【0074】

以上の例示的実施形態において、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、当業者の通常の創作能力の範囲内で、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。本開示は、例えば、以下の構成を含み得る。

【0075】

（付記１）
チャンバと、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
前記チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される内側エッジリングと、
プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される外側エッジリングと、
を含む、前記基板支持部と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極プレートであって、前記上部電極プレートと前記基板支持部との間に前記プラズマが生成され、前記上部電極プレートは、プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される、前記上部電極プレートと、
前記上部電極プレートを囲むように配置される上部環状プレートであって、前記上部環状プレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、前記上部環状プレートと、
前記チャンバ内で前記基板支持部を囲むように配置される環状バッフルプレートであって、前記環状バッフルプレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、前記環状バッフルプレートと、
前記チャンバ内で前記環状バッフルプレートのエッジ領域近傍から上方に延在するライナであって、前記ライナは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、前記ライナと、
を含む、プラズマ処理装置。

【0076】

（付記２）
前記外側エッジリングは、前記内側エッジリングから離れている、付記１に記載のプラズマ処理装置。

【0077】

（付記３）
前記外側エッジリングと前記内側エッジリングとの間に配置される絶縁リングを更に含む、付記２に記載のプラズマ処理装置。

【0078】

（付記４）
前記上部環状プレートは、前記上部電極プレートから離れている、付記１から３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0079】

（付記５）
前記上部環状プレートと前記上部電極プレートとの間に配置される絶縁リングを更に含む、付記４に記載のプラズマ処理装置。

【0080】

（付記６）
前記上部環状プレートは、平面視で前記基板支持部上の基板よりも外側に配置されている、付記１から５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0081】

（付記７）
前記上部環状プレートは、接地電位に接続されている、付記１から６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0082】

（付記８）
チャンバと、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
前記チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、プラズマ暴露面を有する内側エッジリングと、プラズマ暴露面を有する外側エッジリングと、を含む、前記基板支持部と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極プレートであって、前記上部電極プレートと前記基板支持部との間に前記プラズマが生成され、前記上部電極プレートは、プラズマ暴露面を有する、前記上部電極プレートと、
前記上部電極プレートを囲むように配置され、プラズマ暴露面を有する上部環状プレートと、
前記チャンバ内で前記基板支持部を囲むように配置され、プラズマ暴露面を有する環状バッフルプレートと、
前記チャンバ内で前記環状バッフルプレートのエッジ領域近傍から上方に延在し、プラズマ暴露面を有するライナと、を含み、
前記外側エッジリング、前記上部環状プレート、前記環状バッフルプレート、前記ライナのうち少なくとも１つは、ｎ型シリコン材料で形成されている、プラズマ処理装置。

【0083】

（付記９）
前記内側エッジリングは、ｐ型シリコン材料で形成され、
前記上部電極プレートは、ｐ型シリコン材料で形成されている、付記８に記載のプラズマ処理装置。

【0084】

（付記１０）
前記外側エッジリングは、ｎ型シリコン材料で形成され、前記内側エッジリングから離れている、付記９に記載のプラズマ処理装置。

【0085】

（付記１１）
前記外側エッジリングと前記内側エッジリングとの間に配置される絶縁リングを更に含む、付記１０に記載のプラズマ処理装置。

【0086】

（付記１２）
前記上部環状プレートは、ｎ型シリコン材料で形成され、前記上部電極プレートから離れている、付記９から１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0087】

（付記１３）
前記上部環状プレートと前記上部電極プレートとの間に配置される絶縁リングを更に含む、付記１２に記載のプラズマ処理装置。

【0088】

（付記１４）
前記上部環状プレートは、平面視で前記基板支持部上の基板よりも外側に配置されている、付記８から１３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0089】

（付記１５）
前記上部環状プレートは、接地電位に接続されている、付記８から１４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0090】

（付記１６）
チャンバと、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
前記チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
プラズマ暴露面を有し、ｐ型シリコン材料で形成される内側エッジリングと、
プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される外側エッジリングと、
を含む、前記基板支持部と、
前記チャンバ内で前記基板支持部を囲むように配置される環状バッフルプレートであって、前記環状バッフルプレートは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、前記環状バッフルプレートと、
前記チャンバ内で前記環状バッフルプレートのエッジ領域近傍から上方に延在するライナであって、前記ライナは、プラズマ暴露面を有し、ｎ型シリコン材料で形成される、前記ライナと、
を含む、プラズマ処理装置。

【0091】

（付記１７）
前記外側エッジリングは、前記内側エッジリングから離れている、付記１６に記載のプラズマ処理装置。

【0092】

（付記１８）
前記外側エッジリングと前記内側エッジリングとの間に配置される絶縁リングを更に含む、付記１７に記載のプラズマ処理装置。

【符号の説明】

【0093】

１……プラズマ処理装置、１０……チャンバ、１１……基板支持部、１２……プラズマ生成部、２００……上部電極プレート、２００ａ……プラズマ暴露面、２０１……上部環状プレート、２０１ａ……プラズマ暴露面、２０２……環状バッフルプレート、２０２ａ……プラズマ暴露面、２０３……ライナ、２０３ａ……プラズマ暴露面、２１０……内側エッジリング、２１１……外側エッジリング、Ｗ…基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】