特開 2024-115200 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024115200

(43)【公開日】2024-08-26

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20240819BHJP

   H01L 21/205 20060101ALI20240819BHJP

   H05H 1/46 20060101ALI20240819BHJP

   C23C 16/455 20060101ALI20240819BHJP

   C23C 16/509 20060101ALI20240819BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101B

H01L21/302 101G

H01L21/205

H05H1/46 M

C23C16/455

C23C16/509

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023020762

(22)【出願日】2023-02-14

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100096389

【弁理士】

【氏名又は名称】金本 哲男

(74)【代理人】

【識別番号】100101557

【弁理士】

【氏名又は名称】萩原 康司

(74)【代理人】

【識別番号】100167634

【弁理士】

【氏名又は名称】扇田 尚紀

(74)【代理人】

【識別番号】100187849

【弁理士】

【氏名又は名称】齊藤 隆史

(74)【代理人】

【識別番号】100212059

【弁理士】

【氏名又は名称】三根 卓也

(72)【発明者】

【氏名】李 超

(72)【発明者】

【氏名】広瀬 久

(72)【発明者】

【氏名】小倉 輝

(72)【発明者】

【氏名】辻本 宏

【テーマコード（参考）】

2G084

4K030

5F004

5F045

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA05

2G084BB30

2G084CC03

2G084CC04

2G084CC05

2G084CC08

2G084CC12

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD15

2G084DD23

2G084DD24

2G084DD37

2G084DD38

2G084DD55

2G084FF13

2G084FF15

2G084FF32

2G084HH09

2G084HH35

2G084HH45

4K030EA05

4K030EA06

4K030EA11

4K030FA03

4K030HA12

4K030KA39

4K030KA41

5F004BA09

5F004BB12

5F004BB13

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB25

5F004BB26

5F004BB28

5F004BC03

5F004CA02

5F004CA06

5F004CB00

5F045AA08

5F045EF05

5F045EH05

5F045EH13

5F045EH20

5F045EJ05

5F045GB06

(57)【要約】

【課題】プラズマ処理装置のクーリングプレートの表面形状を適切に予測し、プラズマ処理の安定性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置の制御部は、（ａ）電極プレートからチャンバ内にガスを導入し、圧力計で当該チャンバ内の圧力を測定する工程と、（ｂ）圧力計の測定結果に基づいて、ＡＰＣバルブの開度を調整する工程と、（ｃ）ＡＰＣバルブの開度に基づいて、クーリングプレートの表面形状を予測する工程と、を含む処理を実行するように構成される。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記チャンバ内で前記基板支持部に対向して配置され、ガス導入口が形成された電極プレートと、
前記電極プレートの上方に配置され、当該電極プレートを支持するクーリングプレートと、
前記チャンバ内の圧力を制御するＡＰＣバルブと、
前記チャンバ内の圧力を測定する圧力計と、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、
（ａ）前記電極プレートから前記チャンバ内にガスを導入し、前記圧力計で当該チャンバ内の圧力を測定する工程と、
（ｂ）前記圧力計の測定結果に基づいて、前記ＡＰＣバルブの開度を調整する工程と、
（ｃ）前記ＡＰＣバルブの開度に基づいて、前記クーリングプレートの表面形状を予測する工程と、
を含む処理を実行するように構成される、プラズマ処理装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記（ａ）工程において、前記基板支持部に基板が支持された状態で、第１のレシピでプラズマを生成するように構成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記（ａ）工程において、前記基板支持部に基板が支持されていない状態で、第２のレシピでプラズマを生成するように構成される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

前記制御部は、（ｄ）前記クーリングプレートの表面形状の予測結果に基づいて、当該クーリングプレートの交換時期を予測する工程を実行するように構成される、請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記制御部は、（ｄ）前記ＡＰＣバルブの開度に基づいて、当該クーリングプレートの交換時期を予測する工程を実行するように構成される、請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項6】

前記制御部は、
前記（ｃ）工程において前記ＡＰＣバルブの開度が変動しない場合、前記クーリングプレートの表面形状が変形していないと予測し、
前記（ｃ）工程において前記ＡＰＣバルブの開度が変動する場合、前記クーリングプレートの表面形状が変形していると予測する、請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項7】

前記ＡＰＣバルブは、前記チャンバの下部に配置され、
前記圧力計は、前記チャンバの上部に配置さられる、請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項8】

前記電極プレートは、前記クーリングプレートにクランプで支持される、請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項9】

前記電極プレートはシリコン製である、請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項10】

前記クーリングプレートはアルミニウム製である、請求項１～３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項11】

プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記チャンバ内で前記基板支持部に対向して配置され、ガス導入口が形成された電極プレートと、
前記電極プレートの上方に配置され、当該電極プレートを支持するクーリングプレートと、
前記チャンバ内の圧力を制御するＡＰＣバルブと、
前記チャンバ内の圧力を測定する圧力計と、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
を備え、
前記プラズマ処理方法は、
（ａ）前記電極プレートから前記チャンバ内にガスを導入し、前記圧力計で当該チャンバ内の圧力を測定する工程と、
（ｂ）前記圧力計の測定結果に基づいて、前記ＡＰＣバルブの開度を調整する工程と、
（ｃ）前記ＡＰＣバルブの開度に基づいて、前記クーリングプレートの表面形状を予測する工程と、
（ｄ）基板をプラズマ処理する工程と、
を含む、プラズマ処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、下部電極と上部電極を備えたプラズマ処理装置が開示されている。上部電極は、本体部と上部天板とを備えている。本体部は、下部に上部天板を支持する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００７－２７３５９６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示にかかる技術は、プラズマ処理装置のクーリングプレートの表面形状を適切に予測し、プラズマ処理の安定性を向上させる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様のプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に配置される基板支持部と、前記チャンバ内で前記基板支持部に対向して配置され、ガス導入口が形成された電極プレートと、前記電極プレートの上方に配置され、当該電極プレートを支持するクーリングプレートと、前記チャンバ内の圧力を制御するＡＰＣバルブと、前記チャンバ内の圧力を測定する圧力計と、前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、制御部と、を備え、前記制御部は、（ａ）前記電極プレートから前記チャンバ内にガスを導入し、前記圧力計で当該チャンバ内の圧力を測定する工程と、（ｂ）前記圧力計の測定結果に基づいて、前記ＡＰＣバルブの開度を調整する工程と、（ｃ）前記ＡＰＣバルブの開度に基づいて、前記クーリングプレートの表面形状を予測する工程と、を含む処理を実行するように構成される。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、プラズマ処理装置のクーリングプレートの表面形状を適切に予測し、プラズマ処理の安定性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】プラズマ処理システムの構成例を示す説明図である。

【図2】ＡＰＣバルブの角度（開度）を調整する様子を示す説明図である。

【図3】シャワーヘッドの構成例を示す断面図である。

【図4】クーリングプレートの表面形状が変形した様子を示す説明図である。

【図5】第１のレシピのプロセスにおけるＡＰＣバルブの角度の経時変化と、ソースＲＦ電力の供給タイミングとを示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

半導体デバイスの製造工程では、半導体基板（以下、単に「基板」という。）に対して、エッチング処理、成膜処理、拡散処理などの各種プラズマ処理が行われる。これらプラズマ処理は、例えば容量結合型（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）のプラズマ処理装置を用いて行われる。

【0009】

容量結合型のプラズマ処理装置は、下部電極と上部電極を備える。下部電極はチャンバ内に設けられ、下部電極を備える基板支持部上には基板が載置される。上部電極は、チャンバ天部の少なくとも一部を構成するシャワーヘッドにおいて、電極プレートとして設けられる。そして、シャワーヘッドからチャンバ内に処理ガスが供給され、下部電極又は上部電極に高周波電力が供給されることによって、チャンバ内にプラズマが生成され、当該プラズマにより基板に対してプラズマ処理が施される。

【0010】

上述した特許文献１に開示のプラズマ処理装置は、容量結合型のプラズマ処理装置の一例である。特許文献１に開示のシャワーヘッド（上部電極）は、本体部と上部天板とを備え、本体部は、その下部に上部天板を支持する。本体部は、冷却液が通流する図示しない配管を備えており、クーリングプレートとして機能する。また本体部は、アルミニウムで形成される。上部天板は、電極プレートとして機能し、シリコンで形成される。

【0011】

ここで、プラズマ処理を行う際、チャンバ内に生成されたプラズマによって熱が発生し、この熱が電極プレートを介してクーリングプレートに伝わる。また、クーリングプレートへの入熱は外周部に比べて中央部が大きくなり、中央部の温度が高くなる。このため、中央部の熱膨張が大きく、クーリングプレートの表面（下面）は下方に凸に変形する。特に近年、プラズマ処理で供給される高周波電力が高くなり、高パワー化しており、このようなクーリングプレートの表面形状の変形は大きくなってきている。

【0012】

クーリングプレートの表面形状が変形すると、クーリングプレートと電極プレートの間に隙間が生じ、この隙間から処理ガスが漏れるおそれがある。また、クーリングプレートの表面形状が変形することで、電極プレートが割れるおそれもある。かかる場合、プラズマ処理を安定して行うことができない。

【0013】

そこで、クーリングプレートの表面形状を把握することが必要になるが、従来、この表面形状の把握には、プラズマ処理を停止した状態で、チャンバからクーリングプレートを取り外す必要があった。このため、プラズマ処理装置における生産性が低下していた。

【0014】

本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、プラズマ処理装置のクーリングプレートの表面形状を適切に予測し、プラズマ処理の安定性を向上させる。以下、本実施形態にかかるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

【0015】

＜プラズマ処理システム及びプラズマ処理装置＞
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【0016】

プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。シャワーヘッド１３は、絶縁性遮蔽部材１４を介して、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａに支持される。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、絶縁性遮蔽部材１４、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０には、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力を測定する圧力計１５が設けられる。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

【0017】

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

【0018】

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１及び／又はＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

【0019】

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

【0020】

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0021】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含み、例えば後述する電極プレート２００を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0022】

圧力計１５は、プラズマ処理チャンバ１０内、すなわちプラズマ処理空間１０ｓ内の圧力を測定する。一実施形態において、圧力計１５は、プラズマ処理チャンバ１０の上部（天部）に配置され、例えばシャワーヘッド１３の側方に配置される。また、一実施形態において、圧力計１５には、キャパシタンスマノメータが用いられる。キャパシタンスマノメータには、「２５０ｍＴｏｒｒ（３３．３Ｐａ）ヘッド」、「１Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）ヘッド」及び「１０Ｔｏｒｒ（１３３０Ｐａ）ヘッド」が含まれる。これらの数値は、圧力測定範囲を示し、すなわち測定可能な圧力の上限値を示す。２５０ｍＴｏｒｒ（３３．３Ｐａ）ヘッドと１Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）ヘッドは、プラズマ処理時の圧力測定に使用される。１０Ｔｏｒｒ（１３３０Ｐａ）ヘッドは、キャパシタンスマノメータのセルフチェックやオートチェックに使用される。

【0023】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

【0024】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0025】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

【0026】

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0027】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

【0028】

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ、３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0029】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排気口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、ＡＰＣ（Ａｄａｐｔｉｖｅ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌ）バルブ４１、ターボ分子ポンプ（Ｔｕｒｂｏ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｐｕｍｐ：ＴＭＰ）４２及びドライポンプ４３を含んでいてもよい。ＡＰＣバルブ４１、ターボ分子ポンプ４２及びドライポンプ４３は、ガス排気口１０ｅからこの順で接続される。

【0030】

ＡＰＣバルブ４１は、圧力調整弁の一例であり、ＡＰＣバルブ４１の開度を調整することで、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力を制御する。具体的には、図２に示すようにＡＰＣバルブ４１は、中心軸Ｃを回転軸として回転し、ターボ分子ポンプ４２を開閉自在に構成される。そして、ターボ分子ポンプ４２に対するＡＰＣバルブ４１の角度θを調整することで、ＡＰＣバルブ４１の開度、すなわちガス排気口１０ｅとターボ分子ポンプ４２の接続口の開度を調整する。なお、ＡＰＣバルブ４１の開度（角度）は、後述するように圧力計１５の測定結果に基づいて調整される。

【0031】

ターボ分子ポンプ４２は、プラズマ処理空間１０ｓ内のガス等を高速排気する真空ポンプである。ドライポンプ４３は、プラズマ処理空間１０ｓ内のガス等を排気する真空ポンプである。これらターボ分子ポンプ４２とドライポンプ４３によって、プラズマ処理空間１０ｓ内を減圧し、所望の真空状態に維持する。

【0032】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0033】

＜シャワーヘッド＞
次に、上述したシャワーヘッド１３の構成について説明する。図３は、シャワーヘッド１３の構成例の概略を示す断面図である。

【0034】

シャワーヘッド１３は、電極プレート２００とクーリングプレート２１０を備える。電極プレート２００は、基板支持部１１に対向して配置される。クーリングプレート２１０は、電極プレート２００の上方（上面側）に配置され、クランプ２２０で電極プレート２００を着脱自在に支持する。

【0035】

電極プレート２００は、略円盤状のプレートである。電極プレート２００は、プラズマに暴露され消耗するため、高純度で低発塵性の材料で形成され、一実施形態において例えばシリコンで形成される。電極プレート２００は、上部電極として機能する。

【0036】

電極プレート２００には、当該電極プレート２００を厚み方向、すなわち上下方向に貫通して下面まで延在する複数のガス孔２０１が形成される。複数のガス孔２０１の上端はそれぞれ、後述するクーリングプレート２１０のガス孔２１１に接続され、複数のガス孔２０１はガス拡散室１３ｂに連通する。各ガス孔２０１の下面側の下端は、上述したガス導入口１３ｃとなる。

【0037】

クーリングプレート２１０は、略円盤状のプレートである。クーリングプレート２１０は、金属材料、すなわち導電性材料で形成され、一実施形態において例えばアルミニウムで形成される。また、一実施形態において、クーリングプレート２１０は電気的に接地される。

【0038】

クーリングプレート２１０内には、上述したガス拡散室１３ｂが形成される。クーリングプレート２１０には、ガス拡散室１３ｂから下方向に貫通して下面まで延在する複数のガス孔２１１が形成される。複数のガス孔２１１はそれぞれ、上述した電極プレート２００のガス孔２０１に対応して形成される。

【0039】

クーリングプレート２１０は、冷却機構を備え、電極プレート２００を冷却する。冷却機構は任意であるが、例えば冷却液が通流する図示しない配管を有する。電極プレート２００は、プラズマからの入熱により高温になる。そこで、一実施形態にかかるプラズマ処理装置１では、電極プレート２００とクーリングプレート２１０とを密着させ、電極プレート２００の熱をクーリングプレート２１０に抜熱させることで電極プレート２００の放熱を行い、電極プレート２００を冷却する。

【0040】

クランプ２２０は、電極プレート２００の下面外周部を保持する。クランプ２２０は、ネジ２２１を介して電極プレート２００の外周部をクーリングプレート２１０の表面（下面）２１０ａに押し付けることで、電極プレート２００をクーリングプレート２１０に固定する。

【0041】

＜プラズマ処理方法＞
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置１を用いて行われるプラズマ処理について説明する。

【0042】

先ず、プラズマ処理チャンバ１０の内部に基板Ｗが搬入され、基板支持部１１の静電チャック１１１１上に基板Ｗが載置される。次に、静電チャック１１１１の静電電極１１１１ｂに電圧が印加され、これにより、静電力によって基板Ｗが静電チャック１１１１に吸着保持される。

【0043】

静電チャック１１１１に基板Ｗが吸着保持されると、続けて、排気システム４０によってプラズマ処理空間１０ｓ内が所望の真空度まで減圧される。次に、ガス供給部２０からシャワーヘッド１３を介してプラズマ処理空間１０ｓに処理ガスが導入される。この際、シャワーヘッド１３からの処理ガスは、プラズマ処理空間１０ｓを下方に流れ、ガス排気口１０ｅから排出される。

【0044】

また、第１のＲＦ生成部３１ａからプラズマ生成用のソースＲＦ電力が下部電極に供給され、これにより、処理ガスを励起させて、プラズマを生成する。この際、第２のＲＦ生成部３１ｂからバイアスＲＦ電力が供給されてもよい。そして、プラズマ処理空間１０ｓにおいて、生成されたプラズマの作用によって、基板Ｗにプラズマ処理が施される。

【0045】

＜クーリングプレートの表面形状予測方法＞
プラズマ処理装置１でプラズマ処理を行う前、すなわちプラズマ処理空間１０ｓ内にプラズマが生成される前、クーリングプレートの表面（下面）２１０ａは平坦になっている。

【0046】

次に、プラズマ処理を行うと、プラズマ処理空間１０ｓ内に生成されたプラズマによって熱が発生し、この熱が電極プレート２００を介してクーリングプレート２１０に伝わる。この際、クーリングプレート２１０はアルミニウムで形成されているため、熱変形する。また、クーリングプレート２１０への入熱は外周部に比べて中央部が大きくなり、中央部の温度が高くなる。このため、図４に示すように中央部の熱膨張が大きく、クーリングプレートの表面２１０ａは下方に凸に変形する。特に近年、プラズマ処理で供給される高周波電力が高くなり、高パワー化しており、このようなクーリングプレート２１０の表面２１０ａの形状（以下、単に「表面形状」という場合がある。）の変形は大きくなってきている。

【0047】

クーリングプレート２１０の表面２１０ａの中央部が下方に凸に変形すると、クーリングプレート２１０と電極プレート２００の間の外周部に隙間が生じ、この隙間から側方に処理ガスが漏れるおそれがある（図４中の太線矢印ＧＬ）。漏れた処理ガスは、さらにクーリングプレート２１０とクランプ２２０の間を通って圧力計１５に流れ、プラズマ処理空間１０ｓに導入されない。すなわち、シャワーヘッド１３からプラズマ処理空間１０ｓ内に処理ガスが流れて（図４中の点線矢印ＧＦ）、プラズマに励起されるところ、上述したようにクーリングプレート２１０と電極プレート２００の隙間から漏れる処理ガスはプラズマ生成に寄与しない。このため、プラズマ処理装置１においてプラズマ処理を安定して行うことができない。

【0048】

また、クーリングプレート２１０の表面２１０ａの中央部が下方に凸に変形すると、電極プレート２００の下面中央部が押圧される。そして、電極プレート２００の下面外周部がクランプ２２０で固定されているため、電極プレート２００の中央部が割れるおそれがある（図４中の太線円ＰＣ）。かかる場合、プラズマ処理装置１においてプラズマ処理を安定して行うことができない。

【0049】

そこで、クーリングプレート２１０の表面形状を把握することが必要になるが、従来、この表面形状の把握には、プラズマ処理を停止した状態で、プラズマ処理チャンバ１０からクーリングプレート２１０を取り外す必要があった。このため、プラズマ処理装置１における生産性が低下していた。換言すれば、プラズマ処理を停止することなく、クーリングプレート２１０表面形状を適切に予測することが求められる。

【0050】

以上を鑑みて、本実施形態では、ＡＰＣバルブ４１の開度に基づいて、クーリングプレート２１０の表面形状を予測する。クーリングプレート２１０の表面形状予測は、基板Ｗのプロセス中に行ってもよいし、基板Ｗのプロセス中以外において行ってもよい。

【0051】

［第１の実施形態］
第１の実施形態では、基板Ｗのプロセス中にクーリングプレート２１０の表面形状を予測する。基板Ｗのプロセスは、第１のレシピで行われる。

【0052】

第１のレシピでは、基板支持部１１に基板Ｗが支持された状態で、シャワーヘッド１３からプラズマ処理空間１０ｓに処理ガスが導入されるともに、第１のＲＦ生成部３１ａからソースＲＦ電力が下部電極に供給される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓ内にプラズマが生成され、当該プラズマにより基板Ｗにプラズマ処理が施される。

【0053】

図５は、第１のレシピのプロセスにおけるＡＰＣバルブ４１の角度の経時変化（実線）と、ソースＲＦ電力の供給タイミング（点線）とを示す説明図である。図５の左側縦軸はＡＰＣバルブ４１の角度を示し、右側縦軸はソースＲＦ電力を示し、横軸はプロセス時間を示す。図５に示すように第１のレシピでは、処理ガスの導入と停止を繰り返し行い、プラズマ処理Ｐ１～Ｐ２２とプラズマ処理の停止を繰り返し行う。また、第１のレシピでは、ソースＲＦ電力の供給と停止も繰り返し行う。

【0054】

各プラズマ処理Ｐ１～Ｐ２２では、プラズマ処理空間１０ｓに処理ガスが導入され、ガス排気口１０ｅから排出される。このため、図５に示すように、各プラズマ処理Ｐ１～Ｐ２２ではＡＰＣバルブ４１の角度は大きくなる。一方、プラズマ処理を停止する際には、プラズマ処理空間１０ｓに処理ガスが導入されないため、ＡＰＣバルブ４１の角度は小さくなる。

【0055】

ここで、クーリングプレート２１０の表面２１０ａが平坦で変形しない場合、クーリングプレート２１０と電極プレート２００の間のガス漏れは生じないため、各プラズマ処理Ｐ１～Ｐ２２におけるＡＰＣバルブ４１の角度は略同一になる。

【0056】

しかしながら、図５に示すようにプラズマ処理を繰り返し行うと、ＡＰＣバルブ４１の角度は徐々に大きくなる。すなわち、プラズマ処理Ｐ１～Ｐ１０では、ＡＰＣバルブ４１の角度は徐々に大きくなる。その後、ソースＲＦ電力の供給が停止されるため、プラズマ処理Ｐ１１ではＡＰＣバルブ４１の角度は一旦小さくなるが、プラズマ処理Ｐ１１～Ｐ１６ではＡＰＣバルブ４１の角度は徐々に大きくなる。また、プラズマ処理Ｐ１７～Ｐ２２でも同様に、ＡＰＣバルブ４１の角度は徐々に大きくなる。

【0057】

このようにＡＰＣバルブ４１の角度が大きくなる要因は、クーリングプレート２１０の表面２１０ａの変形である。プラズマ処理では、プラズマ処理空間１０ｓ内のプラズマからクーリングプレート２１０への入熱によって、当該クーリングプレート２１０の温度が徐々に高くなる。そうすると、図４に示したようにクーリングプレート２１０が熱膨張して、表面２１０ａが下方に凸に変形する。クーリングプレート２１０の表面２１０ａが変形すると、クーリングプレート２１０と電極プレート２００の隙間から、処理ガスが漏れ、圧力計１５に流れる。この漏れた処理ガスによって、圧力計１５で測定される圧力が上昇する。そうすると、プラズマ処理空間１０ｓ内を所望の圧力に維持するため、ターボ分子ポンプ４２が真空引きする方向に作動し、ＡＰＣバルブ４１の角度が大きくなる。そして、プラズマ処理を繰り返し行うと、プラズマからクーリングプレート２１０に伝わる熱が蓄積されて、当該クーリングプレート２１０の温度が徐々に高くなる。そうすると、プラズマ処理の回数を重ねる毎に、ＡＰＣバルブ４１の角度は徐々に大きくなる。

【0058】

以上のようにクーリングプレート２１０の表面形状とＡＰＣバルブ４１の角度には相関がある。そこで、この相関関係を予め把握しておき、ＡＰＣバルブ４１の角度に基づいて、クーリングプレート２１０の表面２１０ａの形状を予測する。具体的には、以上の第１のレシピで基板Ｗのプロセス中、下記ステップＳ１～Ｓ３を行って、クーリングプレート２１０の表面形状を予測する。

【0059】

（ステップＳ１）
ステップＳ１では、第１のレシピでのプロセス中に、圧力計１５でプラズマ処理空間１０ｓ内の圧力を測定する。

【0060】

（ステップＳ２）
ステップＳ２では、圧力計１５の測定結果に基づいて、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が所望の圧力に維持されるように、ＡＰＣバルブ４１の角度が自動で調整される。具体的には図２を用いて説明したとおり、ＡＰＣバルブ４１の開度として、ＡＰＣバルブ４１の角度が調整される。

【0061】

（ステップＳ３）
ステップＳ３では、ＡＰＣバルブ４１の角度に基づいて、クーリングプレート２１０の表面形状とＡＰＣバルブ４１の角度との相関関係から、クーリングプレート２１０の表面２１０ａの形状を予測する。

【0062】

ステップＳ２においてＡＰＣバルブ４１の角度が変動しない場合、ステップＳ３ではクーリングプレート２１０の表面形状の変形は無いと予測される。一方、ステップＳ２においてＡＰＣバルブ４１の角度が変動する場合、ステップＳ３ではクーリングプレート２１０の表面形状は変形していると予測される。

【0063】

図５に示した例においては、プラズマ処理毎にＡＰＣバルブ４１の角度が上昇するため、クーリングプレート２１０の表面形状は変形していると予測される。そして、このクーリングプレート２１０の表面形状の変形の程度、すなわち表面２１０ａの下方への変形量は、上述したクーリングプレート２１０の表面形状とＡＰＣバルブ４１の角度との相関関係に基づいて予測される。

【0064】

（ステップＳ４）
ステップＳ４では、ステップＳ３におけるクーリングプレート２１０の表面形状の予測結果に基づいて、当該クーリングプレート２１０の交換時期を予測してもよい。例えば、クーリングプレート２１０の表面２１０ａの変形量が、予め定められた閾値に達した際に、クーリングプレート２１０を交換するようにしてもよい。閾値は、プラズマ処理に要求される仕様に応じて任意に設定される。例えば、クーリングプレート２１０の表面形状の変形によってプラズマ処理が影響を受けない範囲を、表面形状の変形の閾値（許容範囲）としてもよい。

【0065】

また、ステップＳ４では、ステップＳ２で調整されるＡＰＣバルブ４１の角度が、予め定められた閾値に到達した際に、クーリングプレート２１０の交換時期であると予測してもよい。この閾値も、プラズマ処理に要求される仕様に応じて任意に設定される。

【0066】

以上の第１の実施形態によれば、ＡＰＣバルブ４１の開度に基づいてクーリングプレート２１０の表面形状を予測することができる。すなわち、ＡＰＣバルブ４１の開度の変動をモニタリングすることで、クーリングプレート２１０の表面形状の経時的変化を予測することができる。この際、従来のようにプラズマ処理チャンバ１０からクーリングプレート２１０を取り外す必要がないため、プラズマ処理装置１の生産性を向上させることができる。

【0067】

また、クーリングプレート２１０の表面形状を適切に予測できるので、クーリングプレート２１０の交換時期を適切に把握することができる。その結果、クーリングプレート２１０の表面形状の変形によるガス漏れを抑制して、プラズマ処理を安定させることができる。また、クーリングプレート２１０の表面形状の変形による電極プレート２００の割れを防止して、プラズマ処理を安定させることができる。従って、プラズマ処理装置１の生産性を向上させることができる。

【0068】

なお、本実施形態では、ステップＳ４においてクーリングプレート２１０の交換時期を予測したが、この交換時期は、基板Ｗの処理可能な時間とも換言できる。従って、クーリングプレート２１０の表面形状を適切に予測することで、プラズマ処理装置１における基板Ｗの処理可能な時間を予測することができる。

【0069】

［第２の実施形態］
第２の実施形態では、基板Ｗのプロセス中以外においてクーリングプレート２１０の表面形状を予測する。すなわち、第２の実施形態では、基板Ｗのプロセスが行われていないときに、クーリングプレート２１０の表面形状を予測することを目的として、上記第１のレシピとは異なる、専用の第２のレシピでプラズマを生成する。

【0070】

第２のレシピでは、基板支持部１１に基板Ｗが支持されていない状態で、シャワーヘッド１３からプラズマ処理空間１０ｓに処理ガスが導入されるともに、第１のＲＦ生成部３１ａからソースＲＦ電力が下部電極に供給される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓ内にプラズマが生成される。

【0071】

第２の実施形態でも、上述した第１の実施形態と同様にステップＳ１～Ｓ３を行い、ＡＰＣバルブ４１の角度に基づいて、クーリングプレート２１０の表面２１０ａの形状を予測する。また、ステップＳ４を行い、クーリングプレート２１０の交換時期を予測してもよい。

【0072】

以上の第２の実施形態においても、上述した第１の実施形態と同様の効果を享受することができる。すなわち、ＡＰＣバルブ４１の開度に基づいてクーリングプレート２１０の表面形状を予測することができる。その結果、クーリングプレート２１０の表面形状の変形によるガス漏れを抑制し、また電極プレート２００の割れを防止して、プラズマ処理を安定させることができる。また、第２の実施形態を定期的に実施してクーリングプレート２１０の表面形状を予測することで、クーリングプレート２１０の交換時期を適切に予測し、プラズマ処理装置１における基板Ｗの処理可能な時間を予測することもできる。

【0073】

なお、ソースＲＦ電力が高パワーの場合、第１の実施形態又は第２の実施形態のいずれを実施しても、クーリングプレート２１０の表面形状を予測することができる。一方、ソースＲＦ電力が低パワーの場合、クーリングプレート２１０の表面形状が変化しにくいので、第２の実施形態のように第２のレシピ（専用レシピ）で基板Ｗのプロセス中以外でクーリングプレート２１０の表面形状を予測するのが好ましい。

【0074】

また、第１の実施形態と第２の実施形態ではいずれにおいても、プラズマを生成するプロセス中にクーリングプレート２１０の表面形状を予測したが、プラズマの生成は必須ではない。例えば、クーリングプレート２１０の表面形状の変形が大きい場合、プラズマ処理空間１０ｓに処理ガスを導入するだけで、プラズマを生成しなくてもよい。かかる場合、圧力計１５でプラズマ処理空間１０ｓの圧力変動を測定し、ＡＰＣバルブ４１の開度を調整することで、クーリングプレート２１０の表面形状を予測することができる。

【0075】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。

【0076】

また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

【0077】

なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記チャンバ内で前記基板支持部に対向して配置され、ガス導入口が形成された電極プレートと、
前記電極プレートの上方に配置され、当該電極プレートを支持するクーリングプレートと、
前記チャンバ内の圧力を制御するＡＰＣバルブと、
前記チャンバ内の圧力を測定する圧力計と、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、
（ａ）前記電極プレートから前記チャンバ内にガスを導入し、前記圧力計で当該チャンバ内の圧力を測定する工程と、
（ｂ）前記圧力計の測定結果に基づいて、前記ＡＰＣバルブの開度を調整する工程と、
（ｃ）前記ＡＰＣバルブの開度に基づいて、前記クーリングプレートの表面形状を予測する工程と、
を含む処理を実行するように構成される、プラズマ処理装置。
（２）前記制御部は、前記（ａ）工程において、前記基板支持部に基板が支持された状態で、第１のレシピでプラズマを生成するように構成される、前記（１）に記載のプラズマ処理装置。
（３）前記制御部は、前記（ａ）工程において、前記基板支持部に基板が支持されていない状態で、第２のレシピでプラズマを生成するように構成される、前記（１）に記載のプラズマ処理装置。
（４）前記制御部は、（ｄ）前記クーリングプレートの表面形状の予測結果に基づいて、当該クーリングプレートの交換時期を予測する工程を実行するように構成される、前記（１）～（３）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（５）前記制御部は、（ｄ）前記ＡＰＣバルブの開度に基づいて、当該クーリングプレートの交換時期を予測する工程を実行するように構成される、前記（１）～（３）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（６）前記制御部は、
前記（ｃ）工程において前記ＡＰＣバルブの開度が変動しない場合、前記クーリングプレートの表面形状が変形していないと予測し、
前記（ｃ）工程において前記ＡＰＣバルブの開度が変動する場合、前記クーリングプレートの表面形状が変形していると予測する、前記（１）～（５）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（７）前記ＡＰＣバルブは、前記チャンバの下部に配置され、
前記圧力計は、前記チャンバの上部に配置される、前記（１）～（６）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（８）前記電極プレートは、前記クーリングプレートにクランプで支持される、前記（１）～（７）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（９）前記電極プレートはシリコン製である、前記（１）～（８）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（１０）前記クーリングプレートはアルミニウム製である、前記（１）～（９）のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
（１１）プラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記チャンバ内で前記基板支持部に対向して配置され、ガス導入口が形成された電極プレートと、
前記電極プレートの上方に配置され、当該電極プレートを支持するクーリングプレートと、
前記チャンバ内の圧力を制御するＡＰＣバルブと、
前記チャンバ内の圧力を測定する圧力計と、
前記チャンバ内でプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部と、
を備え、
前記プラズマ処理方法は、
（ａ）前記電極プレートから前記チャンバ内にガスを導入し、前記圧力計で当該チャンバ内の圧力を測定する工程と、
（ｂ）前記圧力計の測定結果に基づいて、前記ＡＰＣバルブの開度を調整する工程と、
（ｃ）前記ＡＰＣバルブの開度に基づいて、前記クーリングプレートの表面形状を予測する工程と、
（ｄ）基板をプラズマ処理する工程と、
を含む、プラズマ処理方法。

【符号の説明】

【0078】

１ プラズマ処理装置
２ 制御部
１０ プラズマ処理チャンバ
１１ 基板支持部
１５ 圧力計
３１ ＲＦ電源
４１ ＡＰＣバルブ
２００ 電極プレート
２１０ クーリングプレート
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】