特開 2024-115801 ウェーハの分割方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024115801

(43)【公開日】2024-08-27

(54)【発明の名称】ウェーハの分割方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20240820BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 S

H01L21/78 Q

H01L21/78 M

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023021644

(22)【出願日】2023-02-15

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110001014

【氏名又は名称】弁理士法人東京アルパ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】若原 匡俊

【テーマコード（参考）】

5F063

【Ｆターム（参考）】

5F063AA41

5F063BA20

5F063CA02

5F063CA08

5F063DD42

5F063DD46

5F063DF06

5F063DF20

(57)【要約】

【課題】保護部材と保持面との間に隙間が形成されることを抑制する。
【解決手段】ワークセット１１０におけるリングフレーム１１１の開口１１２が、開口１１２内にウェーハ１００を配置した際に、ウェーハ１００の外周の外側に、リング状の細溝状の隙間が形成されるように構成されている。このため、この隙間から露出する保護部材１１３の部分が、非常に狭くなっている。すなわち、保護部材１１３の略全ての部分が、ウェーハ１００あるいはリングフレーム１１１によって覆われている。したがって、保持面からウェーハ１００に伝達される静電吸着力、および、リングフレーム１１１の自重によって、保護部材１１３の略全ての部分を、保持面に対して押し付けることができる。このため、保護部材１１３の変形を良好に抑制することが可能となるので、保持面と保護部材１１３との間に空間が形成されにくくなる。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面におけるストリートによって区画された領域にデバイスが形成されたウェーハを、その表面または裏面を保護する保護部材を介して、減圧室内の静電チャックテーブルの保持面によって静電吸着し、該ストリートに沿ったプラズマダイシングによってウェーハをチップに分割する、ウェーハの分割方法であって、
ウェーハを配置した際にウェーハの外周の外側にリング状の細溝状の隙間が形成されるような開口を有するリングフレームと、ウェーハとに、シート状の該保護部材を貼着することによって、該リングフレームと該ウェーハと該保護部材とが一体化されたワークセットを形成するワークセット形成工程と、
該ウェーハにおける該ストリートに対応した分割すべき領域を露出させ、該分割すべき領域以外をマスクするマスク形成工程と、
該静電チャックテーブルの該保持面に静電吸着力を発生させ、該リングフレームの自重で該保護部材を該保持面に押し付けつつ、該保護部材を介して該保持面によって該ウェーハを静電吸着するウェーハ吸着工程と、
該分割すべき領域に対するプラズマダイシングによって、該ウェーハを個々のチップに分割する分割工程と、を備える、
ウェーハの分割方法。

【請求項2】

該ウェーハの表面にバンプが配置されており、
該保護部材は、該ウェーハの表面に貼着され、
該ウェーハの裏面側からプラズマダイシングを実施する、
請求項１記載のウェーハの分割方法。

【請求項3】

該ウェーハは、反りを有しており、
該ワークセットを形成する該保護部材は、該静電チャックテーブルの該保持面に該保護部材を介して静電吸着された該ウェーハが平坦になるような強度を備える大きな厚みを有する、
請求項１記載のウェーハの分割方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ウェーハの分割方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１および２に開示のように、プラズマダイシングによって、ウェーハのストリートに沿ってウェーハを分割してチップを形成する技術がある。ウェーハは、リングフレームに貼着されたテープによって支持されている。分割されたチップは、このテープによって、飛散しないように支持される。

【0003】

例えば、表面にバンプが形成されているウェーハの場合、バンプにより、ウェーハの表面に凹凸が形成されている。この凹凸に対応させるために、厚い糊層を有する厚いテープが使用される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２２－０５４５３７号公報

【特許文献2】特開２０２２－０４９４３８号公報

【特許文献3】特開２０２０－０２４９７６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

プラズマダイシングによってストリートに沿ってウェーハを分割するときには、デバイスを破損させないように、ウェーハの裏面からプラズマダイシングを実施することがある。

【0006】

プラズマダイシングでは、静電吸着によって、チャックテーブルにウェーハを保持させている。そのため、厚いテープが介在すると、チャックテーブルの上面とウェーハの下面との距離が遠くなり、静電吸着力が小さくなる。

【0007】

また、厚い糊層を有する厚いテープを使用することに代えて、特許文献３に開示のように、厚い糊層の代わりにシートとウェーハとの間に樹脂層を形成することがある。このような樹脂層を用いる場合においても、チャックテーブルの上面とウェーハの下面との距離が遠くなり、静電吸着力が小さくなる。

【0008】

このように静電吸着力が小さくなると、保持面とウェーハの下面との間に空間（隙間）が形成されることがあり、プラズマダイシング時にウェーハが分割されにくくなることがある。

【0009】

したがって、本発明の目的は、保護部材を介してウェーハを静電吸着して、プラズマダイシングによってウェーハを分割するウェーハの分割加工に関し、ウェーハを保護する保護部材とチャックテーブルの上面との間に空間が形成されにくくすることにある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明のウェーハの分割方法（本分割方法）は、表面におけるストリートによって区画された領域にデバイスが形成されたウェーハを、その表面または裏面を保護する保護部材を介して、減圧室内の静電チャックテーブルの保持面によって静電吸着し、該ストリートに沿ったプラズマダイシングによってウェーハをチップに分割する、ウェーハの分割方法であって、ウェーハを配置した際にウェーハの外周の外側にリング状の細溝状の隙間が形成されるような開口を有するリングフレームと、ウェーハとに、シート状の該保護部材を貼着することによって、該リングフレームと該ウェーハと該保護部材とが一体化されたワークセットを形成するワークセット形成工程と、該ウェーハにおける該ストリートに対応した分割すべき領域を露出させ、該分割すべき領域以外をマスクするマスク形成工程と、該静電チャックテーブルの該保持面に静電吸着力を発生させ、該リングフレームの自重で該保護部材を該保持面に押し付けつつ、該保護部材を介して該保持面によって該ウェーハを静電吸着するウェーハ吸着工程と、該分割すべき領域に対するプラズマダイシングによって、該ウェーハを個々のチップに分割する分割工程と、を備える。

【0011】

また、本分割方法では、該ウェーハの表面にバンプが配置されていてもよく、該保護部材は、該ウェーハの表面に貼着されていてもよく、該ウェーハの裏面側からプラズマダイシングを実施してもよい。

【0012】

また、本分割方法では、該ウェーハは、反りを有していてもよく、該ワークセットを形成する該保護部材は、該静電チャックテーブルの該保持面に該保護部材を介して静電吸着された該ウェーハが平坦になるような強度を備える大きな厚みを有していてもよい。

【発明の効果】

【0013】

本分割方法では、ワークセットにおけるリングフレームの開口が、開口内にウェーハを配置した際に、ウェーハの外周の外側に、リング状の細溝状の隙間が形成されるように構成されている。このため、この隙間から露出する保護部材の部分が、非常に狭くなっている。すなわち、保護部材の略全ての部分が、ウェーハあるいはリングフレームによって覆われている。

【0014】

したがって、ウェーハ吸着工程において、静電チャックテーブルの保持面によって、ワークセットのウェーハを保護部材を介して静電吸着する際、保持面からウェーハに伝達される静電吸着力、および、リングフレームの自重によって、保護部材１１３の略全ての部分を、保持面に対して押し付けることができる。このため、保護部材の変形を良好に抑制することが可能となるので、保持面と保護部材との間に空間が形成されにくくなる。したがって、保持面によって、保護部材を介してウェーハを良好に保持することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】ウェーハを示す斜視図である。

【図2】図２（ａ）はワークセットを示す斜視図であり、図２（ｂ）はワークセットを示す上面図である。

【図3】ワークセット形成工程を示す説明図である。

【図4】ワークセット形成工程を示す説明図である。

【図5】研削工程を示す説明図である。

【図6】研削工程を示す説明図である。

【図7】マスク形成工程における樹脂層形成工程を示す説明図である。

【図8】マスク形成工程における樹脂層除去工程を示す説明図である。

【図9】ウェーハ吸着工程を示す説明図である。

【図10】分割工程を示す説明図である。

【図11】分割工程を示す説明図である。

【図12】マスク除去工程を示す説明図である。

【図13】マスク除去工程を示す説明図である。

【図14】マウント工程を示す説明図である。

【図15】マウント工程を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

図１に示すように、本実施形態にかかるウェーハの分割方法の分割対象物であるウェーハ１００は、円板状の半導体ウェーハである。ウェーハ１００の一方の面である表面１０１には、格子状のストリート１０２が形成されている。ストリート１０２によって区画された領域には、複数のデバイス１０３が形成されている。また、表面１０１には、図３に示すようなバンプ１０５が形成されている。

【0017】

本実施形態では、このウェーハ１００を、それぞれ１つのデバイス１０３を含む複数のチップに分割する。このために、本実施形態にかかるウェーハの分割方法は、ウェーハ１００に対して、ワークセット形成工程、研削工程、マスク形成工程、ウェーハ吸着工程、分割工程、マスク除去工程、およびマウント工程を含んでいる。

【0018】

（１）ワークセット形成工程
この工程では、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すようなワークセット１１０を作成する。このワークセット１１０は、ウェーハ１００、環状のリングフレーム１１１およびシート状（テープ状）の保護部材１１３を含んでいる。

【0019】

リングフレーム１１１は、ウェーハ１００を収容可能な開口１１２を有している。特に、本実施形態では、リングフレーム１１１は、ウェーハ１００を配置した際に、ウェーハ１００の外周の外側に、リング状の細溝状の隙間（リング状の小さな幅の隙間）が形成されるような開口１１２を有している。

【0020】

図２（ｂ）に、本実施形態にかかるリングフレーム１１１およびウェーハ１００のサイズの一例を示す。この例では、リングフレーム１１１は、ステンレス製であり、１．５ｍｍの厚さ、４００ｍｍの最大外径Ｄ、および、３０２ｍｍの内径ｄを有している。すなわち、リングフレーム１１１の開口１１２は、３０２ｍｍの直径ｄを有している。また、ウェーハ１００は、３００ｍｍの外径φを有している。したがって、この例では、リングフレーム１１１の開口１１２内にウェーハ１００を配置した際に、ウェーハ１００の外周の外側に、約１ｍｍの幅のリング状の細溝状の隙間Ｓが形成される。なお、従来、ＳＥＭＩ規格（Ｇ７４－０６９９）に準拠しているリングフレームを用いた際の、この隙間の幅は、たとえば２５ｍｍ程度である。

【0021】

そして、ワークセット形成工程では、このようなリングフレーム１１１と、ウェーハ１００とに、シート状の保護部材１１３を貼着することによって、リングフレーム１１１とウェーハ１００と保護部材１１３とが一体化されたワークセット１１０が形成される。

【0022】

具体的には、まず、図３に示すように、ウェーハ１００の表面１０１に、たとえばウェーハ１００と略同径のフィルム１１５を貼着する。このフィルム１１５は、糊層を有していないフィルム（糊なしフィルム）であり、表面１０１に熱融着される。これにより、ウェーハ１００のバンプ１０５が、フィルム１１５に食い込み、フィルム１１５におけるバンプ１０５に対応する部分に、バンプ１０５の形状に応じた凹凸が形成される。

【0023】

次に、ウェーハ１００を、ワークセット形成装置（保護部材形成装置）１０におけるウェーハ保持部１１の保持面１２によって吸引保持する。

【0024】

また、リングフレーム１１１の下面に、開口１１２を塞ぐように保護部材１１３を貼着することにより、リングフレーム１１１と保護部材１１３とを一体化する。そして、一体化されたリングフレーム１１１および保護部材１１３を、ワークセット形成装置１０のステージ１７の保持面１８によって吸引保持する。この際、保護部材１１３におけるリングフレーム１１１の開口１１２の中心と、ステージ１７の保持面１８の中心とが略一致するように、リングフレーム１１１の位置を調整する。
これにより、ウェーハ保持部１１に保持されているウェーハ１００の中心と、リングフレーム１１１における開口１１２の中心とが一致する。また、保持面１８上に開口１１２内の保護部材１１３が載置されて、保持面１８によって保護部材１１３が吸引保持される。

【0025】

次に、吸引保持されている保護部材１１３に向けて、所定量の液状樹脂１９が滴下される。液状樹脂１９としては、たとえば、紫外線硬化樹脂が使用される。

【0026】

次いで、ワークセット形成装置１０の昇降機構１５によって、ウェーハ１００を保持しているウェーハ保持部１１を下降させる。これにより、ウェーハ１００の表面１０１に貼着されたフィルム１１５が、液状樹脂１９に接触する。その結果、液状樹脂１９は、ウェーハ１００に貼着されたフィルム１１５によって下方に押圧され、図４に示すように、ウェーハ１００の径方向に、所定の厚みを有するように押し拡げられる。

【0027】

その後、所定の厚みを有するように拡張された液状樹脂１９に向けて、ステージ１７内に設けられた紫外線照射部１６から紫外光を照射する。その結果、液状樹脂１９が硬化して、たとえばウェーハ１００と略同径の液状樹脂１９からなる樹脂層１１６が、ウェーハ１００の表面１０１側のフィルム１１５上に形成されて、ウェーハ１００と保護部材１１３とを接着する。これにより、リングフレーム１１１とウェーハ１００と保護部材１１３とが一体化されたワークセット１１０が形成される。

【0028】

（２）研削工程
研削工程では、ワークセット１１０におけるウェーハ１００の裏面１０４を研削する。
この工程では、図５に示すように、ワークセット１１０を、ウェーハ１００の裏面１０４が上向きとなるように、研削装置２０のチャックテーブル２１によって保持する。これにより、ワークセット１１０のウェーハ１００が、保護部材１１３を介して、チャックテーブル２１の保持面２２によって吸引保持される。

【0029】

また、研削装置２０は、チャックテーブル２１の上方に、ウェーハ１００の裏面１０４を研削するための研削機構２３を有している。研削機構２３は、保持面２２に垂直な方向に延びるスピンドル２４、スピンドル２４の先端に取り付けられたマウント２５、および、マウント２５に保持された研削砥石２６１を有する研削ホイール２６を備えている。

【0030】

研削工程では、スピンドル２４が、図示しないモータによって、たとえば矢印３０１に示すように回転駆動されることにより、スピンドル２４の下端に取り付けられたマウント２５および研削ホイール２６が回転される。また、ワークセット１１０を保持しているチャックテーブル２１が、回転機構２８によって、たとえば矢印３０２に示すように回転される。

【0031】

その後、昇降機構２７により、研削機構２３が、保持面２２に保持されているワークセット１１０のウェーハ１００に向かって下降される。これにより、回転する研削ホイール２６の研削砥石２６１が、回転するウェーハ１００の裏面１０４に接触し、この裏面１０４を研削する。これにより、図６に示すように、ウェーハ１００が、所定の厚みを有するように研削される。

【0032】

（３）マスク形成工程
マスク形成工程では、ウェーハ１００におけるストリート１０２に対応した分割すべき領域（ウェーハ１００におけるストリート１０２に沿った領域）を露出させ、この分割すべき領域以外をマスクする。

【0033】

（３－１）保護膜形成工程
マスク形成工程では、まず、研削されたウェーハ１００の裏面１０４に保護膜を形成する保護膜形成工程が実施される。この工程では、まず、図７に示すように、ワークセット１１０を、ウェーハ１００の裏面１０４が上向きとなるように、保護膜形成装置３０のチャックテーブル３１によって保持する。これにより、ワークセット１１０のウェーハ１００が、保護部材１１３を介して、チャックテーブル３１の保持面３２によって吸引保持される。

【0034】

また、保護膜形成装置３０は、チャックテーブル３１の上方に、ノズル３３を有している。ノズル３３は、液状樹脂供給源３４に連結されており、液状樹脂供給源３４から水溶性液状樹脂Ｊをウェーハ１００の裏面１０４に供給するように構成されている。

【0035】

保護膜形成工程では、まず、ワークセット１１０を保持しているチャックテーブル３１が、回転機構３５によって、たとえば矢印３０３に示すように回転される。その後、ノズル３３から、ウェーハ１００の裏面１０４の略中央に、水溶性液状樹脂Ｊが供給される。水溶性液状樹脂Ｊは、チャックテーブル３１とともに回転するウェーハ１００の裏面１０４上で遠心力により引き伸ばされる。その後、引き延ばされた水溶性液状樹脂Ｊを自然乾燥によって硬化させる硬化処理が行われる。なお、水溶性液状樹脂Ｊを、加熱によって硬化させてもよい。これにより、図８に示すように、ウェーハ１００の裏面１０４に、裏面１０４を覆う所定の厚みを有する、樹脂からなる保護膜１２０が形成される。

【0036】

（３－２）保護膜除去工程
次に、保護膜除去工程が実施される。保護膜除去工程では、保護膜１２０におけるウェーハ１００のストリート１０２（図１参照）に対応する部分を除去して、ストリート１０２に対応した分割すべき領域を露出させる。

【0037】

保護膜除去工程では、まず、図８に示すように、ワークセット１１０を、ウェーハ１００の裏面１０４が上向きとなるように、レーザー加工装置４０のチャックテーブル４１によって保持する。これにより、ワークセット１１０のウェーハ１００が、保護部材１１３を介して、チャックテーブル４１の保持面４２によって吸引保持される。

【0038】

また、レーザー加工装置４０は、チャックテーブル４１の上方に、レーザー発振器４５を備えている。レーザー発振器４５は、保護膜１２０に対して吸収性を有する波長のレーザー光線Ｌを下方に向かって照射するように構成されている。
保護膜除去工程では、このレーザー発振器４５からのレーザー光線Ｌを保護膜１２０に照射しながら、チャックテーブル４１を水平方向に移動させることにより、保護膜１２０におけるストリート１０２に対応する部分（ストリート１０２の直上の部分）を、レーザー光線Ｌにより昇華もしくは蒸発させる。これにより、保護膜１２０におけるストリート１０２に対応する部分が除去されて、図９に示すように、ストリート１０２に沿って加工溝１２２が形成されウェーハ１００の裏面１０４のストリート１０２を露出させる。
なお、レーザー光線Ｌは、保護膜１２０に対して透過性を有し、ウェーハ１００に対して吸収性を有する波長であってもよい。その際、ウェーハ１００の裏面１０４にレーザー光線Ｌを集光させ、ウェーハ１００の裏面１０４を加熱し昇華もしくは蒸発させた熱で保護膜１２０を除去することによって、加工溝１２２を形成する。

【0039】

その結果、ウェーハ１００の裏面１０４上に、マスク１２５が形成される。このマスク１２５は、保護膜１２０および加工溝１２２を含み、ウェーハ１００におけるストリート１０２に対応した分割すべき領域を露出させ、この分割すべき領域以外をマスクするものである。

【0040】

（４）ウェーハ吸着工程
ウェーハ吸着工程では、図９に示すように、プラズマダイシング装置５０における静電チャックテーブル５１の保持面５２に、ウェーハ１００を吸着させる。

【0041】

この静電チャックテーブル５１は、減圧室５３内の密閉空間に設けられている。ウェーハ吸着工程では、まず、静電チャックテーブル５１の保持面５２に、ウェーハ１００の裏面１０４上のマスク１２５が上向きとなるように、ワークセット１１０を載置する。

【0042】

静電チャックテーブル５１における保持面５２の下方には、直流電源５６に連結された静電吸着用の電極５５が設けられている。この電極５５に直流電圧を印加することによって、静電チャックテーブル５１の保持面５２に、静電吸着力が発生する。これにより、保持面５２に載置されたウェーハ１００が、保護部材１１３を介して、保持面５２によって吸着保持される。

【0043】

また、図９に示すように、静電チャックテーブル５１の保持面５２の外周側には、保護部材１１３を介して、ワークセット１１０のリングフレーム１１１が載置されている。このため、保護部材１１３は、リングフレーム１１１の自重によって、保持面５２に押し付けられる。

【0044】

このように、ウェーハ吸着工程では、静電チャックテーブル５１の保持面５２に静電吸着力を発生させ、リングフレーム１１１の自重で保護部材１１３を保持面５２に押し付けつつ、保護部材１１３を介して、保持面５２によってウェーハ１００を静電吸着する。

【0045】

（５）分割工程
分割工程では、ウェーハ１００におけるストリート１０２に対応した分割すべき領域に対するプラズマダイシング（プラズマエッチングによる分割）によって、ウェーハ１００を個々のチップに分割する。

【0046】

具体的には、まず、プラズマダイシング装置５０の減圧室５３内を減圧する。次に、冷却ユニット（図示せず）によって、静電チャックテーブル５１の冷却を開始する。さらに、ガス供給機構およびプラズマ発生機構（ともに図示せず）によってプラズマ状態のガスであるプラズマガス５７を生成し、減圧室５３内に供給する。

【0047】

これにより、ウェーハ１００におけるマスク１２５の保護膜１２０によって覆われていない領域（加工溝１２２に対応する領域）が、プラズマガス５７中の反応性の高い粒子に晒される。これにより、この領域がエッチングされて分割され、図１０および図１１に示すように、加工溝１２２の下方に、ウェーハ１００を分割する分割溝１３１が形成される。ここで、上述したように、加工溝１２２は、ウェーハ１００におけるストリート１０２（図１参照）に対応する分割すべき領域に形成されている。このため、ウェーハ１００のストリート１０２に沿って分割溝１３１が形成されて、ウェーハ１００が、それぞれ１つのデバイス１０３（図１参照）を含む複数のチップ１３０に分割される。

【0048】

（６）マスク除去工程
マスク除去工程は、分割工程の後に、ウェーハ１００からマスク１２５を除去する工程である。
この工程では、図１２に示すように、ワークセット１１０を、ウェーハ１００の裏面１０４上のマスク１２５が上向きとなるように、洗浄装置６０のチャックテーブル６１によって保持する。これにより、ワークセット１１０のウェーハ１００が、保護部材１１３を介して、チャックテーブル６１の保持面６２によって吸引保持される。

【0049】

次に、ウェーハ１００を保持したチャックテーブル６１を、回転機構６３によって、たとえば矢印３０４に示すように回転させる。さらに、洗浄装置６０のノズル６４により、たとえば純水からなる洗浄水Ｗを、ウェーハ１００の裏面１０４の中央付近に供給する。供給された洗浄水Ｗは、回転するチャックテーブル６１の遠心力により、ウェーハ１００の裏面１０４の全面にいきわたる。この洗浄水Ｗは、ウェーハ１００の裏面１０４上のマスク１２５（保護膜１２０）を溶解する。これにより、図１３に示すように、ウェーハ１００の裏面１０４上から、マスク１２５が除去される。

【0050】

（７）マウント工程
マウント工程は、チップ１３０に分割されたウェーハ１００をワークセット１１０から取り外して、別のワークセットを形成する工程である。

【0051】

具体的には、まず、図１４に示すように、リングフレーム１１１とは別の開口１４２を有するリングフレーム１４１と、ダイシングテープ１４３とを用意する。そして、リングフレーム１４１の下面に、開口１４２を塞ぐようにダイシングテープ１４３を貼着することにより、リングフレーム１４１とダイシングテープ１４３とを一体化する。

【0052】

次に、一体化されたリングフレーム１４１およびダイシングテープ１４３と、ウェーハ１００を含むワークセット１１０とを、対向配置して互いに接触させる。このようにして、図１５に示すように、ウェーハ１００を、表裏を逆にした状態で、リングフレーム１４１の開口１４２内のダイシングテープ１４３の上面に載せ替える。その後、これらを引き離すことにより、リングフレーム１４１、ダイシングテープ１４３およびチップ１３０に分割されたウェーハ１００からなる他のワークセット１４０が得られる。なお、フィルム１１５および樹脂層１１６は、ウェーハ１００から外れて保護部材１１３上に残される。
このワークセット１４０では、各チップ１３０のバンプ１０５を露出させることができる。

【0053】

以上のように、本実施形態にかかるウェーハの分割方法は、ワークセット１１０におけるウェーハ１００を、その表面１０１を保護する保護部材１１３を介して、減圧室５３内の静電チャックテーブル５１の保持面５２によって静電吸着し、ストリート１０２に沿ったプラズマダイシングによってウェーハ１００をチップに分割する方法である。

【0054】

そして、特に、本実施形態では、図２（ｂ）に示すように、ワークセット１１０におけるリングフレーム１１１の開口１１２が、開口１１２内にウェーハ１００を配置した際に、ウェーハ１００の外周の外側にリング状の細溝状の隙間Ｓが形成されるように構成されている。このため、この隙間Ｓ（ウェーハ１００の外周縁とリングフレーム１１１の内周縁との間）から露出する保護部材１１３の部分が、非常に狭くなっている。すなわち、保護部材１１３の略全ての部分が、ウェーハ１００あるいはリングフレーム１１１によって覆われている。

【0055】

したがって、図９に示すように、ウェーハ吸着工程において、プラズマダイシング装置５０の静電チャックテーブル５１の保持面５２によって、ワークセット１１０のウェーハ１００を保護部材１１３を介して静電吸着する際、静電チャックテーブル５１の保持面５２からウェーハ１００に伝達される静電吸着力、および、リングフレーム１１１の自重によって、保護部材１１３の略全ての部分を、保持面５２に対して押し付けることができる。このため、保護部材１１３の変形（たとえば、弛んだり延びたりすること）を良好に抑制することが可能となるので、保持面５２と保護部材１１３との間に空間（隙間）が形成されにくくなる。したがって、保持面５２によって、保護部材１１３を介してウェーハ１００を良好に保持することができる。

【0056】

また、本実施形態では、ウェーハ１００の表面１０１にバンプ１０５が配置されている。そして、ワークセット１１０では、ウェーハ１００の表面１０１を保護するために保護部材１１３が表面１０１に貼着されており、ウェーハ１００の裏面１０４側からプラズマダイシングが実施されている。これにより、本実施形態では、プラズマダイシングの際、バンプ１０５およびデバイス１０３が形成されている表面１０１を、良好に保護することができる。

【0057】

また、本実施形態では、ウェーハ１００の表面１０１に、糊層を有していないフィルム１１５が貼着されている。これにより、表面１０１を、さらに良好に保護することができる。また、フィルム１１５が糊層を有していないため、ウェーハ１００の表面１０１からフィルム１１５を容易に剥がすことができる。

【0058】

なお、保護部材１１３は、ウェーハ１００の裏面１０４を保護するために用いられてもよい。この場合、ウェーハ１００は、裏面１０４を保護する保護部材１１３を介して、減圧室５３内の静電チャックテーブル５１の保持面５２に静電吸着される。そして、ウェーハ１００の表面１０１側からプラズマダイシングが実施される。

【0059】

また、本実施形態において図２（ｂ）に示した例では、リングフレーム１１１は、開口１１２内にウェーハ１００を配置した際に、ウェーハ１００の外周の外側に、約１ｍｍの幅のリング状の隙間Ｓが形成されるような開口１１２を有している。
これに関し、リングフレーム１１１の開口１１２は、開口１１２内にウェーハ１００を配置した際に、ウェーハ１００の外周の外側に、リング状の細溝状の隙間Ｓが形成されるように構成されていればよい。なお、ウェーハ１００の外周の外側に形成されるリング状の細溝状の隙間Ｓの幅は、ウェーハ１００が直径３００ｍｍの場合には、たとえば、０．３ｍｍ～１０ｍｍの範囲であるとよい。また、この隙間Ｓの幅は、ウェーハ１００が直径２００ｍｍの場合でも、たとえば０．３ｍｍ～１０ｍｍの範囲であるとよい。また、隙間Ｓの幅は、０．３ｍｍ～１ｍｍであることがさらに好ましい。

【0060】

ウェーハ１００の外側のリング状の細溝状の隙間Ｓの幅がこれらの範囲にある場合、保護部材１１３の大部分をウェーハ１００あるいはリングフレーム１１１によって覆うことができる。このため、保護部材１１３の変形を良好に抑制することができる。したがって、保持面５２と保護部材１１３との間の空間の発生を抑制することができるので、保持面５２によって、ウェーハ１００を良好に保持することができる。

【0061】

また、本実施形態にかかるウェーハの分割方法は、ウェーハ１００をワークセット１１０から取り外して、別のワークセット１４０を形成するマウント工程を含んでいる。これに関し、ウェーハ１００の表面１０１に配置されているバンプ１０５を上向きにする必要のない場合には、マウント工程は省略されてもよい。

【0062】

また、ウェーハ吸着工程において、リングフレーム１１１は、その自重によって保護部材１１３を静電チャックテーブル５１の保持面５２に押し付けている。したがって、リングフレーム１１１は、保護部材１１３と保持面５２との間に空間が形成されにくくなるような、所定の重さを有していることが好ましい。

【0063】

また、ウェーハ１００が反りを有している場合（ウェーハ１００が反っている場合）もある。この場合、ワークセット１１０を形成する保護部材１１３は、プラズマダイシング装置５０における静電チャックテーブル５１の保持面５２に保護部材１１３を介して静電吸着されたウェーハ１００が平坦になるような強度を備える大きな厚みを有していることが好ましい。

【0064】

シート状の保護部材１１３がこのような強度を備えるほどの大きな厚みを有している場合、保護部材１１３がより変形しにくくなるため、保持面５２と保護部材１１３との間の空間が、より形成されにくくなる。したがって、保護部材１１３を介して保持面５２にウェーハ１００が静電吸着された際、ウェーハ１００を保持面５２によって堅固に保持することができる。このため、保持面５２に静電吸着されたウェーハ１００の反りを抑えることができるので、保持面５２によって、ウェーハ１００を平坦な状態で保持することができる。

【0065】

また、ワークセット１１０における保護部材１１３は、テープ基材と、テープ基材に積層された糊層を有するように構成されていてもよい。この場合、フィルム１１５および樹脂層１１６を用いることなく、ウェーハ１００と保護部材１１３とを接着することができる。

【符号の説明】

【0066】

１０：ワークセット形成装置、１１：ウェーハ保持部、１２：保持面、
１５：昇降機構、１６：紫外線照射部、１７：ステージ、１８：保持面、
１９：液状樹脂、２０：研削装置、２１：チャックテーブル、２２：保持面、
２３：研削機構、２４：スピンドル、２５：マウント、２６：研削ホイール、
２７：昇降機構、２８：回転機構、３０：保護膜形成装置、３１：チャックテーブル、
３２：保持面、３３：ノズル、３４：液状樹脂供給源、３５：回転機構、
４０：レーザー加工装置、４１：チャックテーブル、４２：保持面、
４５：レーザー発振器、５０：プラズマダイシング装置、５１：静電チャックテーブル、５２：保持面、５３：減圧室、５５：電極、５６：直流電源、５７：プラズマガス、
６０：洗浄装置、６１：チャックテーブル、６２：保持面、６３：回転機構、
６４：ノズル、１００：ウェーハ、１０１：表面、１０２：ストリート、
１０３：デバイス、１０４：裏面、１０５：バンプ、１１０：ワークセット、
１１１：リングフレーム、１１２：開口、１１３：保護部材、１１５：フィルム、
１１６：樹脂層、１２０：保護膜、１２２：加工溝、１２５：マスク、１３０：チップ、
１３１：分割溝、１４０：ワークセット、１４１：リングフレーム、１４２：開口、
１４３：ダイシングテープ、Ｄ：リングフレームの最大外径、Ｊ：水溶性液状樹脂、
Ｓ：隙間、Ｌ：レーザー光線、Ｗ：洗浄水、
ｄ：リングフレームの内径、φ：ウェーハの外径

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】