特開 2024-117490 導波路基板及び導波路基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024117490

(43)【公開日】2024-08-29

(54)【発明の名称】導波路基板及び導波路基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240822BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023023619

(22)【出願日】2023-02-17

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】種子田 浩志

(72)【発明者】

【氏名】中林 陽子

(72)【発明者】

【氏名】清水 規良

(72)【発明者】

【氏名】片桐 規貴

(72)【発明者】

【氏名】鷲見 樹

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA32

5E316AA38

5E316AA43

5E316BB12

5E316CC04

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC32

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE31

5E316FF01

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH11

5E316HH33

(57)【要約】

【課題】基板の強度の低下を抑制することができる導波路基板及び導波路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】導波路基板は、複数の第１貫通孔と、複数の第２貫通孔とが形成されたコア基板と、前記第１貫通孔の内壁面と、前記コア基板の両面を覆う第１導電層と、前記第２貫通孔の内壁面と、前記コア基板の両面を覆う第２導電層と、前記第１貫通孔の前記第１導電層の内側の部分を充填する第１充填材と、前記第２貫通孔の前記第２導電層の内側の部分を充填する第２充填材と、前記コア基板の両側に設けられ、平面視で複数の前記第１貫通孔及び複数の前記第２貫通孔と重なり合い、前記第１導電層及び前記第２導電層に電気的に接続された第３導電層と、を有し、平面視で前記第１貫通孔と前記第２導電層とが重なり合う。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の第１貫通孔と、複数の第２貫通孔とが形成されたコア基板と、
前記第１貫通孔の内壁面と、前記コア基板の両面を覆う第１導電層と、
前記第２貫通孔の内壁面と、前記コア基板の両面を覆う第２導電層と、
前記第１貫通孔の前記第１導電層の内側の部分を充填する第１充填材と、
前記第２貫通孔の前記第２導電層の内側の部分を充填する第２充填材と、
前記コア基板の両側に設けられ、平面視で複数の前記第１貫通孔及び複数の前記第２貫通孔と重なり合い、前記第１導電層及び前記第２導電層に電気的に接続された第３導電層と、
を有し、
平面視で前記第１貫通孔と前記第２導電層とが重なり合う導波路基板。

【請求項2】

前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とが列をなして交互に配置されている請求項１に記載の導波路基板。

【請求項3】

前記第１貫通孔と前記第２貫通孔との間で開口サイズが異なる請求項１又は２に記載の導波路基板。

【請求項4】

前記コア基板に複数の第３貫通孔が形成され、
前記第３貫通孔の内壁面と、前記コア基板の両面を覆う第４導電層と、
前記第３貫通孔の前記第４導電層の内側の部分を充填する第３充填材と、
を有し、
前記第３導電層は、平面視で複数の前記第３貫通孔とも重なり合い、前記第３導電層にも接続されており、
前記第４導電層は、平面視で前記第１導電層及び前記第２導電層と重なり合う請求項１又は２に記載の導波路基板。

【請求項5】

前記第３貫通孔は、隣り合う前記第１貫通孔と前記第２貫通孔との間に形成されている請求項４に記載の導波路基板。

【請求項6】

コア基板に複数の第１貫通孔を形成する工程と、
前記第１貫通孔の内壁面と、前記コア基板の両面を覆う第１導電層を形成する工程と、
前記第１貫通孔の前記第１導電層の内側の部分を充填する第１充填材を形成する工程と、
前記第１充填材を形成する工程の後に、前記コア基板に複数の第２貫通孔を形成する工程と、
前記第２貫通孔の内壁面と、前記コア基板の両面を覆う第２導電層を形成する工程と、
前記第２貫通孔の前記第２導電層の内側の部分を充填する第２充填材を形成する工程と、
前記コア基板の両側に、平面視で複数の前記第１貫通孔及び複数の前記第２貫通孔と重なり合い、前記第１導電層及び前記第２導電層に電気的に接続される第３導電層を形成する工程と、
を有する導波路基板の製造方法。

【請求項7】

前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とを列をなして交互に配置する請求項６に記載の導波路基板の製造方法。

【請求項8】

前記第１貫通孔と前記第２貫通孔との間で開口サイズを異ならせる請求項６又は７に記載の導波路基板の製造方法。

【請求項9】

前記第２充填材を形成する工程と前記第３導電層を形成する工程との間に、
前記コア基板に複数の第３貫通孔を形成する工程と、
前記第３貫通孔の内壁面と、前記コア基板の両面を覆う第４導電層を形成する工程と、
前記第３貫通孔の前記第４導電層の内側の部分を充填する第３充填材を形成する工程と、
を有し、
前記第３導電層は、平面視で複数の前記第３貫通孔とも重なり合い、前記第３導電層にも接続される請求項６又は７に記載の導波路基板の製造方法。

【請求項10】

前記第３貫通孔は、隣り合う前記第１貫通孔と前記第２貫通孔との間に形成される請求項９に記載の導波路基板の製造方法。

【請求項11】

平面視で前記第１貫通孔と前記第２導電層とが重なり合う請求項６又は７に記載の導波路基板の製造方法。

【請求項12】

前記第１充填材を形成する工程と前記第２貫通孔を形成する工程との間に、前記第１導電層の前記コア基板の両面を覆う部分を除去する工程を有する請求項６又は７に記載の導波路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、導波路基板及び導波路基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

平行平板ポスト壁導波路を備えた導波路基板が知られている。導波路基板では、基板に複数の貫通孔が狭い間隔で並んで形成され、貫通孔の内壁面に導電層が設けられる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００８－１２４１２４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

従来の導波路基板では、製造過程において基板に複数の貫通孔が形成された時に基板の強度が過度に低くなり、その後のめっき等による導電層の形成等の処理が困難になるおそれがある。

【0005】

本開示は、基板の強度の低下を抑制することができる導波路基板及び導波路基板の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一形態によれば、複数の第１貫通孔と、複数の第２貫通孔とが形成されたコア基板と、前記第１貫通孔の内壁面と、前記コア基板の両面を覆う第１導電層と、前記第２貫通孔の内壁面と、前記コア基板の両面を覆う第２導電層と、前記第１貫通孔の前記第１導電層の内側の部分を充填する第１充填材と、前記第２貫通孔の前記第２導電層の内側の部分を充填する第２充填材と、前記コア基板の両側に設けられ、平面視で複数の前記第１貫通孔及び複数の前記第２貫通孔と重なり合い、前記第１導電層及び前記第２導電層に電気的に接続された第３導電層と、を有し、平面視で前記第１貫通孔と前記第２導電層とが重なり合う導波路基板が提供される。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、基板の強度の低下を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る導波路基板を例示する断面図である。

【図2】第１実施形態に係る導波路基板における貫通孔の配置を例示する模式図である。

【図3】第１実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図（その１）である。

【図4】第１実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図（その２）である。

【図5】第１実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図（その３）である。

【図6】第１実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図（その４）である。

【図7】第２実施形態に係る導波路基板を例示する断面図である。

【図8】第２実施形態に係る導波路基板における貫通孔の配置を例示する模式図である。

【図9】第３実施形態に係る導波路基板を例示する断面図である。

【図10】第３実施形態に係る導波路基板における貫通孔の配置を例示する模式図である。

【図11】第３実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図（その１）である。

【図12】第３実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図（その２）である。

【図13】第４実施形態に係る導波路基板を例示する断面図である。

【図14】第４実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図（その１）である。

【図15】第４実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図（その２）である。

【図16】第４実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図（その３）である。

【図17】第５実施形態に係る導波路基板を例示する断面図である。

【図18】第６実施形態に係る導波路基板における貫通孔の配置を例示する模式図である。

【図19】第７実施形態に係る導波路基板における貫通孔の配置を例示する模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。

【0010】

（第１実施形態）
第１実施形態について説明する。第１実施形態は、電波の送受信に用いられる導波路を備えた導波路基板に関する。電波の周波数は、例えば１００ＧＨｚ～１５０ＧＨｚであるが、これに限定されない。

【0011】

［導波路基板の構造］
まず、導波路基板の構造について説明する。図１は、第１実施形態に係る導波路基板を例示する断面図である。図２は、第１実施形態に係る導波路基板における貫通孔の配置を例示する模式図である。図１は、図２中のI-I線に沿った断面図に相当する。

【0012】

図１に示すように、第１実施形態に係る導波路基板１は、コア配線基板１００と、ビルドアップ層１１０と、ビルドアップ層１２０とを有する。コア配線基板１００は、ビルドアップ層１１０とビルドアップ層１２０との間に位置する。

【0013】

本実施形態では、便宜上、導波路基板１のビルドアップ層１１０側を上側又は一方の側、ビルドアップ層１２０側を下側又は他方の側とする。また、各部位のビルドアップ層１１０側の面を上面又は一方の面、ビルドアップ層１２０側の面を下面又は他方の面とする。但し、導波路基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。また、平面視とは対象物をビルドアップ層１１０の上面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物をビルドアップ層１１０の上面の法線方向から視た形状を指すものとする。

【0014】

＜コア配線基板１００＞
コア配線基板１００について説明する。コア配線基板１００は、平面視で画定された第１領域１０及び第２領域２０を有する。第１領域１０は、平行平板ポスト壁導波路（Parallel Plate Post-Wall Waveguide）を含む。第２領域２０は、主として、ビルドアップ層１１０とビルドアップ層１２０との間の信号経路として用いられる。

【0015】

コア配線基板１００は、コア基板３１と、導電層３２、３３、３４、３５及び３６と、充填材５１、５２及び６１とを有する。

【0016】

コア基板３１は、ガラスエポキシ樹脂や、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の絶縁材料からなる。導電層３２はコア基板３１の両面に形成されている。導電層３２、３３、３４、３５及び３６は、例えば銅等の金属からなる。導電層３２が銅箔であってもよい。導電層３３、３４、３５及び３６が銅めっき層であってもよい。充填材５１、５２及び６１は絶縁材料からなる。充填材５１、５２及び６１の材料には、例えば、シリカ等のフィラーを含有する絶縁樹脂（例えば、エポキシ系樹脂等）を使用できる。

【0017】

＜第１領域１０＞
第１領域１０について説明する。第１領域１０内において、コア基板３１と、両側の導電層３２との積層体に、この積層体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔１１が形成されている。図１及び図２に示すように、複数の貫通孔１１は平面視で第１方向に沿って列をなして配置されている。貫通孔１１の列は、平面視で第１方向に垂直な第２方向に２列設けられている。貫通孔１１の平面形状は、例えば、直径が１００μｍの円形状である。貫通孔１１の平面形状が楕円形状又は矩形状等であってもよい。貫通孔１１は第１貫通孔の一例である。

【0018】

第１領域１０内において、導電層３３は、貫通孔１１の内壁面と、コア基板３１の上側の導電層３２の上面と、コア基板３１の下側の導電層３２の下面とを覆う。導電層３３は、貫通孔１１の内壁面と、コア基板３１の上側の導電層３２の上面と、コア基板３１の下側の導電層３２の下面とに直接接触する。第１領域１０内の導電層３３は第１導電層の一例である。

【0019】

充填材５１は貫通孔１１内で導電層３３の内側に設けられており、貫通孔１１を充填する。充填材５１の上面は導電層３３の上面と面一であり、充填材５１の下面は導電層３３の下面と面一である。充填材５１は第１充填材の一例である。

【0020】

第１領域１０内において、導電層３４はコア基板３１の両側に設けられている。コア基板３１の上側の導電層３４は、導電層３３の上面と、充填材５１の上面とを覆う。コア基板３１の下側の導電層３４は、導電層３３の下面と、充填材５１の下面とを覆う。

【0021】

コア基板３１と、両側の導電層３２と、導電層３３と、両側の導電層３４との積層体に、この積層体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔１２が形成されている。図１及び図２に示すように、貫通孔１２は、第１方向で隣り合う貫通孔１１の間に配置されている。第１方向に交互に並ぶ貫通孔１１及び１２の列が第２方向に２列設けられている。貫通孔１２の平面形状は、例えば、直径が１００μｍの円形状である。貫通孔１２の平面形状が楕円形状又は矩形状等であってもよい。貫通孔１２は第２貫通孔の一例である。

【0022】

第１方向で隣り合う貫通孔１１と複数の貫通孔１２との間の距離は、例えば１５０μｍ以下である。

【0023】

第１領域１０内において、導電層３５は、貫通孔１２の内壁面と、コア基板３１の上側の導電層３４の上面と、コア基板３１の下側の導電層３４の下面とを覆う。導電層３５は、貫通孔１２の内壁面と、コア基板３１の上側の導電層３４の上面と、コア基板３１の下側の導電層３４の下面とに直接接触する。第１領域１０内の導電層３５は第２導電層の一例である。

【0024】

充填材５２は貫通孔１２内で導電層３５の内側に設けられており、貫通孔１２を充填する。充填材５２の上面は導電層３５の上面と面一であり、充填材５２の下面は導電層３５の下面と面一である。充填材５２は第２充填材の一例である。

【0025】

第１領域１０内において、導電層３６はコア基板３１の両側に設けられている。コア基板３１の上側の導電層３６は、導電層３５の上面と、充填材５２の上面とを覆う。コア基板３１の下側の導電層３６は、導電層３５の下面と、充填材５２の下面とを覆う。第１領域１０内の導電層３６は第３導電層の一例である。

【0026】

第１領域１０内において、コア基板３１の上側の導電層３２、３３、３４、３５及び３６の積層体から平板状の導電層１３１Ａが構成され、コア基板３１の下側の導電層３２、３３、３４、３５及び３６の積層体から平板状の導電層１３１Ｂが構成される。導電層１３１Ａ及び１３１Ｂは平面視で互いに重なり合っている。導電層１３１Ａ及び１３１Ｂは、２列の複数の貫通孔１１内の導電層３３及び複数の貫通孔１２内の導電層３５を介して互いに電気的に接続されている。導電層１３１Ａと、導電層１３１Ｂと、一方の複数の貫通孔１１及び１２の列内の導電層３３及び３５と、他方の複数の貫通孔１１及び１２の列内の導電層３３及び３５とから、方形導波管を模した導波路が構成される。導電層１３１Ａ及び１３１Ｂの平面形状は、いずれも、長辺の長さ（第１方向の寸法）Ｌ１が１２０ｍｍ、短辺の長さ（第２方向の寸法）Ｌ２が０．８ｍｍの矩形状である。また、導電層１３１Ａ及び１３１Ｂの最も厚い部分の厚さは、いずれも、０．０１ｍｍ～０．１ｍｍである。導電層１３１Ａ及び１３１Ｂの最も厚い部分の厚さが、いずれも、０．０１５ｍｍ～０．０２５ｍｍであってもよい。

【0027】

＜第２領域２０＞
第２領域２０について説明する。第２領域２０内において、コア基板３１と、両側の導電層３２との積層体に、この積層体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔２１が形成されている。貫通孔２１の平面形状は、直径が２００μｍ～５００μｍの円形状である。

【0028】

第２領域２０内において、導電層３３は、貫通孔２１の内壁面と、コア基板３１の上側の導電層３２の上面と、コア基板３１の下側の導電層３２の下面とを覆う。導電層３３は、貫通孔２１の内壁面と、コア基板３１の上側の導電層３２の上面と、コア基板３１の下側の導電層３２の下面とに直接接触する。

【0029】

充填材６１は貫通孔２１内で導電層３３の内側に設けられており、貫通孔２１を充填する。充填材６１の上面は導電層３３の上面と面一であり、充填材６１の下面は導電層３３の下面と面一である。

【0030】

第２領域２０内において、導電層３４はコア基板３１の両側に設けられている。コア基板３１の上側の導電層３４は、導電層３３の上面と、充填材６１の上面とを覆う。コア基板３１の下側の導電層３４は、導電層３３の下面と、充填材６１の下面とを覆う。

【0031】

第２領域２０内において、導電層３５はコア基板３１の両側に設けられている。コア基板３１の上側の導電層３５は導電層３４の上面を覆う。コア基板３１の下側の導電層３５は導電層３４の下面を覆う。

【0032】

第２領域２０内において、導電層３６はコア基板３１の両側に設けられている。コア基板３１の上側の導電層３６は導電層３５の上面を覆う。コア基板３１の下側の導電層３６は導電層３５の下面を覆う。

【0033】

第２領域２０内において、コア基板３１の上側の導電層３２、３３、３４、３５及び３６の積層体から平板状の導電層１３２Ａが構成され、コア基板３１の下側の導電層３２、３３、３４、３５及び３６の積層体から平板状の導電層１３２Ｂが構成される。第２領域２０内には、複数組の導電層１３２Ａ及び１３２Ｂが設けられている。各組の導電層１３２Ａ及び１３２Ｂは、１つの貫通孔２１内の導電層３３を介して互いに電気的に接続されている。

【0034】

＜ビルドアップ層１１０及び１２０＞
ビルドアップ層１１０及び１２０について説明する。ビルドアップ層１１０は、絶縁層１１１、１１３及び１１５と、配線層１１２、１１４及び１１６とを有する。ビルドアップ層１２０は、絶縁層１２１、１２３及び１２５と、配線層１２２、１２４及び１２６とを有する。

【0035】

コア配線基板１００の上側において、絶縁層１１１がコア配線基板１００の上に形成されている。絶縁層１１１はコア配線基板１００の上面を覆う。絶縁層１１１に、導電層３６の接続部に到達するビアホール１１１ｘが形成されている。絶縁層１１１の上に、ビアホール１１１ｘ内のビア導体を介して導電層３６に接続される配線層１１２が形成されている。絶縁層１１１の上に絶縁層１１３が形成されている。絶縁層１１３に、配線層１１２の接続部に到達するビアホール１１３ｘが形成されている。絶縁層１１３の上に、ビアホール１１３ｘ内のビア導体を介して配線層１１２に接続される配線層１１４が形成されている。絶縁層１１３の上に絶縁層１１５が形成されている。絶縁層１１５に、配線層１１４の接続部に到達するビアホール１１５ｘが形成されている。絶縁層１１５の上に、ビアホール１１５ｘ内のビア導体を介して配線層１１４に接続される配線層１１６が形成されている。例えば、配線層１１６は外部端子として用いられる。絶縁層１１５の上に、配線層１１６の少なくとも一部が露出するソルダレジスト層があってもよい。

【0036】

コア配線基板１００の下側において、絶縁層１２１がコア配線基板１００の下に形成されている。絶縁層１２１はコア配線基板１００の下面を覆う。絶縁層１２１に、導電層３６の接続部に到達するビアホール１２１ｘが形成されている。絶縁層１２１の下に、ビアホール１２１ｘ内のビア導体を介して導電層３６に接続される配線層１２２が形成されている。絶縁層１２１の下に絶縁層１２３が形成されている。絶縁層１２３に、配線層１２２の接続部に到達するビアホール１２３ｘが形成されている。絶縁層１２３の下に、ビアホール１２３ｘ内のビア導体を介して配線層１２２に接続される配線層１２４が形成されている。絶縁層１２３の下に絶縁層１２５が形成されている。絶縁層１２５に、配線層１２４の接続部に到達するビアホール１２５ｘが形成されている。絶縁層１２５の下に、ビアホール１２５ｘ内のビア導体を介して配線層１２４に接続される配線層１２６が形成されている。例えば、配線層１２６は外部端子として用いられる。絶縁層１２５の下に、配線層１２６の少なくとも一部が露出するソルダレジスト層があってもよい。

【0037】

［導波路基板の製造方法］
次に、導波路基板の製造方法について説明する。図３～図６は、第１実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図である。

【0038】

まず、図３（ａ）に示すように、コア基板３１と、両側の導電層３２との積層体を準備する。例えば、コア基板３１と、両側の導電層３２との積層体として、銅張積層板を用いることができる。

【0039】

次いで、図３（ｂ）に示すように、コア基板３１と、両側の導電層３２との積層体に貫通孔１１及び２１を形成する。例えば、貫通孔１１及び２１はドリルやレーザを用いた加工等により形成することができる。

【0040】

その後、導電層３２の表面並びに貫通孔１１及び２１の内壁面のデスミア処理を行い、図３（ｃ）に示すように、導電層３２の表面上及び並びに貫通孔１１及び２１の内壁面上に導電層３３を形成する。導電層３３としては、例えば銅めっき層を形成する。導電層３３の形成に際して、無電解銅めっき膜を形成し、無電解銅めっき膜をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を形成してもよい。

【0041】

続いて、図４（ａ）に示すように、貫通孔１１内に充填材５１を充填し、貫通孔２１内に充填材６１を充填する。例えば、充填材５１及び６１はスクリーン印刷法により充填することができる。充填材５１は貫通孔１１内で導電層３３上に設けられ、充填材６１は貫通孔２１内で導電層３３上に設けられる。次いで、充填材５１及び６１を硬化させ、充填材５１及び６１のうち導電層３３の上面又は下面から突出している部分を除去して、導電層３３の上面と充填材５１及び６１の上面とを面一にし、導電層３３の下面と充填材５１及び６１の下面とを面一にする。充填材５１及び６１がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む場合、加熱処理により充填材５１及び６１を硬化させることができる。例えば、充填材５１及び６１の突出している部分は、バフ研磨又はロール研磨により除去することができる。

【0042】

その後、導電層３３の表面並びに充填材５１及び６１の表面のデスミア処理を行う。そして、図４（ｂ）に示すように、導電層３３の表面上並びに充填材５１及び６１の表面上に導電層３４を形成する。導電層３４としては、例えば銅めっき層を形成する。導電層３４の形成に際して、無電解銅めっき膜を形成し、無電解銅めっき膜をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を形成してもよい。

【0043】

続いて、図４（ｃ）に示すように、コア基板３１と、両側の導電層３２と、導電層３３と、両側の導電層３４との積層体に貫通孔１２を形成する。例えば、貫通孔１２はドリルやレーザを用いた加工等により形成することができる。

【0044】

次いで、導電層３４の表面及び貫通孔１２の内壁面のデスミア処理を行い、図５（ａ）に示すように、導電層３４の表面上及び貫通孔１２の内壁面上に導電層３５を形成する。導電層３５としては、例えば銅めっき層を形成する。導電層３５の形成に際して、無電解銅めっき膜を形成し、無電解銅めっき膜をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を形成してもよい。

【0045】

その後、図５（ｂ）に示すように、貫通孔１２内に充填材５２を充填する。例えば、充填材５２はスクリーン印刷法により充填することができる。充填材５２は貫通孔１２内で導電層３５上に設けられる。続いて、充填材５２を硬化させ、充填材５２のうち導電層３５の上面又は下面から突出している部分を除去して、導電層３５の上面と充填材５２の上面とを面一にし、導電層３５の下面と充填材５２の下面とを面一にする。充填材５２がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む場合、加熱処理により充填材５２を硬化させることができる。例えば、充填材５２の突出している部分は、バフ研磨又はロール研磨により除去することができる。

【0046】

次いで、導電層３５の表面及び充填材５２の表面のデスミア処理を行う。そして、図６（ａ）に示すように、導電層３５の表面上並びに充填材５２の表面上に導電層３６を形成する。導電層３６としては、例えば銅めっき層を形成する。導電層３６の形成に際して、無電解銅めっき膜を形成し、無電解銅めっき膜をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を形成し、その後に、研磨を行う。

【0047】

その後、図６（ｂ）に示すように、導電層３６、３５、３４、３３及び３２を加工する。例えば、導電層３６、３５、３４、３３及び３２の加工は、フォトリソグラフィ及びエッチングにより行うことができる。この結果、導電層１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ及び１３２Ｂが得られる。すなわち、サブトラクティブ法により、導電層３６、３５、３４、３３及び３２から導電層１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ及び１３２Ｂが形成される。

【0048】

このようにして、コア配線基板１００を形成することができる。

【0049】

その後、ビルドアップ層１１０及び１２０を形成することで、第１実施形態に係る導波路基板１を製造することができる。

【0050】

第１実施形態では、貫通孔１１を形成する際には貫通孔１２が形成されておらず、貫通孔１２を形成する際には貫通孔１１内に導電層３３及び充填材５１が設けられている。従って、貫通孔１１と貫通孔１２との間の距離を小さくしても、コア基板３１に高い強度を確保することができる。すなわち、コア基板３１の強度の低下を抑制することができる。従って、貫通孔１１の形成後に導電層３３を安定して形成することができ、貫通孔１２の形成後に導電層３５を安定して形成することができる。

【0051】

（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。第２実施形態は、主として、貫通孔１２のサイズの点で第１実施形態と相違する。図７は、第２実施形態に係る導波路基板を例示する断面図である。図８は、第２実施形態に係る導波路基板における貫通孔の配置を例示する模式図である。図７は、図８中のVII-VII線に沿った断面図に相当する。

【0052】

図７及び図８に示すように、第２実施形態に係る導波路基板２では、貫通孔１２の開口サイズが貫通孔１１の開口サイズよりも大きい。例えば、貫通孔１２の直径が貫通孔１１の直径よりも大きい。貫通孔１２の平面形状は、例えば、直径が１５０μｍの円形状である。貫通孔１２の平面形状が楕円形状又は矩形状等であってもよい。

【0053】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0054】

第２実施形態に係る導波路基板２を製造する際には、貫通孔１２を第１実施形態よりも大きく形成すればよい。

【0055】

第２実施形態によっても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第２実施形態によれば、貫通孔１１と貫通孔１２との間の距離を第１実施形態よりも小さくできる。従って、貫通孔１１と貫通孔１２との間からの電波の漏出をより抑制しやすい。なお、貫通孔１１の開口サイズが貫通孔１２の開口サイズよりも大きくてもよい。

【0056】

（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。第３実施形態は、主として、コア配線基板の構成の点で第２実施形態と相違する。

【0057】

［導波路基板の構造］
まず、導波路基板の構造について説明する。図９は、第３実施形態に係る導波路基板を例示する断面図である。図１０は、第３実施形態に係る導波路基板における貫通孔の配置を例示する模式図である。図９は、図１０中のIX-IX線に沿った断面図に相当する。

【0058】

図７及び図８に示すように、第３実施形態に係る導波路基板３では、コア配線基板１００は、更に、導電層３７及び３８と、充填材５３とを有する。導電層３７及び３８は、例えば銅等の金属からなる。導電層３７及び３８が銅めっき層であってもよい。充填材５３は絶縁材料からなる。充填材５３の材料には、例えば、シリカ等のフィラーを含有する絶縁樹脂（例えば、エポキシ系樹脂等）を使用できる。

【0059】

＜第１領域１０＞
第１領域１０について説明する。第１領域１０内において、コア基板３１と、両側の導電層３２と、導電層３３と、両側の導電層３４と、導電層３５と、両側の導電層３６との積層体に、この積層体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔１３が形成されている。貫通孔１３は、第１方向で隣り合う貫通孔１１と貫通孔１２との間に配置されている。第１方向に交互に並ぶ貫通孔１１、１２及び１３の列が第２方向に２列設けられている。貫通孔１３の平面形状は、例えば、直径が１００μｍの円形状である。貫通孔１３の平面形状が楕円形状又は矩形状等であってもよい。貫通孔１３は第３貫通孔の一例である。

【0060】

第１方向において、貫通孔１３が貫通孔１１又は１２に接していてもよく、貫通孔１１及び１２の両方に接していてもよい。第１方向において、貫通孔１３が貫通孔１１及び１２の両方から離れていてもよい。

【0061】

第１領域１０内において、導電層３７は、貫通孔１３の内壁面と、コア基板３１の上側の導電層３６の上面と、コア基板３１の下側の導電層３６の下面とを覆う。導電層３７は、貫通孔１３の内壁面と、コア基板３１の上側の導電層３６の上面と、コア基板３１の下側の導電層３６の下面とに直接接触する。第１領域１０内の導電層３７は第４導電層の一例である。

【0062】

充填材５３は貫通孔１３内で導電層３７の内側に設けられており、貫通孔１３を充填する。充填材５３の上面は導電層３７の上面と面一であり、充填材５３の下面は導電層３７の下面と面一である。充填材５３は第３充填材の一例である。

【0063】

第１領域１０内において、導電層３８はコア基板３１の両側に設けられている。コア基板３１の上側の導電層３８は、導電層３７の上面と、充填材５３の上面とを覆う。コア基板３１の下側の導電層３８は、導電層３７の下面と、充填材５３の下面とを覆う。

【0064】

第１領域１０内において、コア基板３１の上側の導電層３２、３３、３４、３５、３６、３７及び３８の積層体から平板状の導電層１３１Ａが構成され、コア基板３１の下側の導電層３２、３３、３４、３５、３６、３７及び３８の積層体から平板状の導電層１３１Ｂが構成される。

【0065】

＜第２領域２０＞
第２領域２０について説明する。第２領域２０内において、導電層３７はコア基板３１の両側に設けられている。コア基板３１の上側の導電層３７は導電層３６の上面を覆う。コア基板３１の下側の導電層３７は導電層３６の下面を覆う。

【0066】

第２領域２０内において、導電層３８はコア基板３１の両側に設けられている。コア基板３１の上側の導電層３８は導電層３７の上面を覆う。コア基板３１の下側の導電層３８は導電層３７の下面を覆う。

【0067】

第２領域２０内において、コア基板３１の上側の導電層３２、３３、３４、３５、３６、３７及び３８の積層体から平板状の導電層１３２Ａが構成され、コア基板３１の下側の導電層３２、３３、３４、３５、３６、３７及び３８の積層体から平板状の導電層１３２Ｂが構成される。

【0068】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0069】

［導波路基板の製造方法］
次に、導波路基板の製造方法について説明する。図１１～図１２は、第３実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図である。

【0070】

まず、第２実施形態と同様にして、導電層３６の形成までの処理を行う（図５（ａ）参照）。次いで、図１１（ａ）に示すように、コア基板３１と、両側の導電層３２と、導電層３３と、両側の導電層３４と、導電層３５と、両側の導電層３６との積層体に貫通孔１３を形成する。例えば、貫通孔１３はドリルやレーザを用いた加工等により形成することができる。

【0071】

その後、導電層３６の表面及び貫通孔１３の内壁面のデスミア処理を行い、図１１（ｂ）に示すように、導電層３６の表面上及び貫通孔１３の内壁面上に導電層３７を形成する。導電層３７としては、例えば銅めっき層を形成する。導電層３７の形成に際して、無電解銅めっき膜を形成し、無電解銅めっき膜をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を形成してもよい。

【0072】

続いて、図１２（ａ）に示すように、貫通孔１３内に充填材５３を充填する。例えば、充填材５３はスクリーン印刷法により充填することができる。充填材５３は貫通孔１３内で導電層３７上に設けられる。次いで、充填材５３を硬化させ、充填材５３のうち導電層３７の上面又は下面から突出している部分を除去して、導電層３７の上面と充填材５３の上面とを面一にし、導電層３７の下面と充填材５３の下面とを面一にする。充填材５３がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む場合、加熱処理により充填材５３を硬化させることができる。例えば、充填材５３の突出している部分は、バフ研磨又はロール研磨により除去することができる。

【0073】

その後、導電層３７の表面及び充填材５３の表面のデスミア処理を行う。そして、図１２（ｂ）に示すように、導電層３７の表面上並びに充填材５３の表面上に導電層３８を形成する。導電層３８としては、例えば銅めっき層を形成する。導電層３８の形成に際して、無電解銅めっき膜を形成し、無電解銅めっき膜をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を形成し、その後に、研磨を行う。

【0074】

次いで、導電層３８、３７、３６、３５、３４、３３及び３２を加工する。例えば、導電層３８、３７、３６、３５、３４、３３及び３２の加工は、フォトリソグラフィ及びエッチングにより行うことができる。この結果、導電層１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ及び１３２Ｂが得られる。すなわち、サブトラクティブ法により、導電層３８、３７、３６、３５、３４、３３及び３２から導電層１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ及び１３２Ｂが形成される。

【0075】

このようにして、コア配線基板１００を形成することができる。

【0076】

その後、ビルドアップ層１１０及び１２０を形成することで、第３実施形態に係る導波路基板３を製造することができる。

【0077】

第３実施形態によっても第２実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第３実施形態では、貫通孔１１と貫通孔１２との間に貫通孔１３及び導電層３７が設けられているため、貫通孔１１と貫通孔１２との間からの電波の漏出を更に抑制しやすい。

【0078】

なお、貫通孔１３を貫通孔１１、１２の少なくとも一方から離し、これらの間に１又は２以上の貫通孔を設け、その内壁面に導電層を設けてもよい。つまり、貫通孔の形成とその内壁面への導電層の形成との工程が４組以上あってもよい。

【0079】

（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。第４実施形態は、主として、コア配線基板の構成の点で第１実施形態と相違する。

【0080】

［導波路基板の構造］
まず、導波路基板の構造について説明する。図１３は、第４実施形態に係る導波路基板を例示する断面図である。

【0081】

第４実施形態に係る導波路基板４では、コア配線基板１００は、コア基板３１と、導電層３２、３３、３５及び３６と、充填材５１、５２及び６１とを有する。

【0082】

＜第１領域１０＞
第１領域１０について説明する。第１領域１０内において、コア基板３１と、両側の導電層３２との積層体に、この積層体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔１１が形成されている。図１３に示すように、複数の貫通孔１１は平面視で第１方向に沿って列をなして配置されている。貫通孔１１の列は第２方向に２列設けられている。

【0083】

第１領域１０内において、導電層３３は貫通孔１１の内壁面を覆う。導電層３３は貫通孔１１の内壁面に直接接触する。

【0084】

充填材５１は貫通孔１１内で導電層３３の内側に設けられており、貫通孔１１を充填する。充填材５１の上面は、コア配線基板１００の上側の導電層３２の上面と面一であり、充填材５１の下面は、コア配線基板１００の下側の導電層３２の下面と面一である。

【0085】

コア基板３１と、両側の導電層３２との積層体に、この積層体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔１２が形成されている。図１３に示すように、貫通孔１２は、第１方向で隣り合う貫通孔１１の間に配置されている。第１方向に交互に並ぶ貫通孔１１及び１２の列は第２方向に２列設けられている。

【0086】

第１領域１０内において、導電層３５は貫通孔１２の内壁面を覆う。導電層３５は貫通孔１２の内壁面に直接接触する。

【0087】

充填材５２は貫通孔１２内で導電層３５の内側に設けられており、貫通孔１２を充填する。充填材５２の上面は、コア配線基板１００の上側の導電層３２の上面と面一であり、充填材５２の下面は、コア配線基板１００の下側の導電層３２の下面と面一である。

【0088】

第１領域１０内において、導電層３６はコア基板３１の両側に設けられている。コア基板３１の上側の導電層３６は、導電層３２の上面と、充填材５１の上面と、充填材５２の上面と、導電層３３の上側の端面と、導電層３５の上側の端面とを覆う。コア基板３１の下側の導電層３６は、導電層３２の下面と、充填材５１の下面と、充填材５２の下面と、導電層３３の下側の端面と、導電層３５の下側の端面とを覆う。

【0089】

第１領域１０内において、コア基板３１の上側の導電層３２、３３、３５及び３６の積層体から平板状の導電層１３１Ａが構成され、コア基板３１の下側の導電層３２、３３、３５及び３６の積層体から平板状の導電層１３１Ｂが構成される。導電層１３１Ａ及び１３１Ｂの最も厚い部分の厚さは、いずれも、０．０１ｍｍ～０．１ｍｍである。導電層１３１Ａ及び１３１Ｂの最も厚い部分の厚さが、いずれも、０．０１５ｍｍ～０．０２５ｍｍであってもよい。

【0090】

＜第２領域２０＞
第２領域２０について説明する。第２領域２０内において、コア基板３１と、両側の導電層３２との積層体に、この積層体を厚さ方向に貫通する複数の貫通孔２１が形成されている。

【0091】

第２領域２０内において、導電層３３は貫通孔２１の内壁面を覆う。導電層３３は貫通孔２１の内壁面に直接接触する。

【0092】

充填材６１は貫通孔２１内で導電層３３の内側に設けられており、貫通孔２１を充填する。充填材６１の上面は、コア配線基板１００の上側の導電層３２の上面と面一であり、充填材６１の下面は、コア配線基板１００の下側の導電層３２の下面と面一である。

【0093】

第２領域２０内において、導電層３６はコア基板３１の両側に設けられている。コア基板３１の上側の導電層３６は、導電層３２の上面と、充填材５１の上面と、導電層３３の上側の端面とを覆う。コア基板３１の下側の導電層３６は、導電層３２の下面と、充填材５１の下面と、導電層３３の下側の端面とを覆う。

【0094】

第２領域２０内において、コア基板３１の上側の導電層３２、３３、３５及び３６の積層体から平板状の導電層１３２Ａが構成され、コア基板３１の下側の導電層３２、３３、３５及び３６の積層体から平板状の導電層１３２Ｂが構成される。

【0095】

他の構成は第１実施形態と同様である。

【0096】

［導波路基板の製造方法］
次に、導波路基板の製造方法について説明する。図１４～図１６は、第４実施形態に係る導波路基板の製造方法を例示する断面図である。

【0097】

まず、第１実施形態と同様にして、図１４（ａ）に示すように、充填材５１及び６１の形成までの処理を行う。次いで、図１４（ｂ）に示すように、コア配線基板１００の両側において、導電層３２が露出するまで、導電層３３、充填材５１及び充填材６１の研磨を行う。

【0098】

その後、導電層３２の表面、導電層３３の端面並びに充填材５１及び６１の表面のデスミア処理を行う。そして、図１４（ｃ）に示すように、導電層３２の表面上、導電層３３の端面上並びに充填材５１及び６１の表面上に導電層３４を形成する。

【0099】

続いて、図１５（ａ）に示すように、コア基板３１と、両側の導電層３２と、両側の導電層３４との積層体に貫通孔１２を形成する。

【0100】

次いで、導電層３４の表面及び貫通孔１２の内壁面のデスミア処理を行い、図１５（ｂ）に示すように、導電層３４の表面上及び貫通孔１２の内壁面上に導電層３５を形成する。

【0101】

その後、図１５（ｃ）に示すように、貫通孔１２内に充填材５２を充填する。

【0102】

次いで、図１６（ａ）に示すように、コア配線基板１００の両側において、導電層３２、充填材５１及び充填材６１が露出するまで、導電層３５、導電層３４及び充填材５２の研磨を行う。

【0103】

その後、導電層３２の表面、導電層３３及び３４の端面並びに充填材５１、５２及び６１の表面のデスミア処理を行う。そして、図１６（ｂ）に示すように、導電層３２の表面上、導電層３３及び３４の端面上並びに充填材５１、５２及び６１の表面上に導電層３６を形成する。

【0104】

続いて、図１６（ｃ）に示すように、導電層３６及び３２を加工する。例えば、導電層３６及び３２の加工は、フォトリソグラフィ及びエッチングにより行うことができる。この結果、導電層１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ及び１３２Ｂが得られる。すなわち、サブトラクティブ法により、導電層３６、３５、３３及び３２から導電層１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ及び１３２Ｂが形成される。

【0105】

このようにして、コア配線基板１００を形成することができる。

【0106】

その後、ビルドアップ層１１０及び１２０を形成することで、第４実施形態に係る導波路基板４を製造することができる。

【0107】

第４実施形態によっても第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第４実施形態によれば、導波路基板４の厚さを導波路基板１の基板の厚さよりも小さくすることができる。従って、薄型化に好適である。

【0108】

（第５実施形態）
第５実施形態について説明する。第５実施形態は、主として、コア配線基板の構成の点で第４実施形態と相違する。図１７は、第５実施形態に係る導波路基板を例示する断面図である。

【0109】

図１７に示すように、第５実施形態に係る導波路基板５では、第１実施形態と同様に、第１領域１０内において、導電層３５が、貫通孔１２の内壁面と、コア基板３１の上側の導電層３４の上面と、コア基板３１の下側の導電層３４の下面とを覆う。また、第１領域１０内において、コア基板３１の上側の導電層３６は、導電層３５の上面と、充填材５２の上面とを覆い、コア基板３１の下側の導電層３６は、導電層３５の下面と、充填材５２の下面とを覆う。

【0110】

他の構成は第４実施形態と同様である。

【0111】

第５実施形態に係る導波路基板５を製造する際には、導電層３３の研磨を行いつつ、導電層３４の形成及び導電層３５の研磨を省略すればよい。

【0112】

第５実施形態によっても第４実施形態と同様の効果を得ることができる。

【0113】

（第６実施形態）
第６実施形態について説明する。第６実施形態は、主として、貫通孔１２の配置の点で第２実施形態と相違する。図１８は、第６実施形態に係る導波路基板における貫通孔の配置を例示する模式図である。

【0114】

図１８に示すように、第６実施形態に係る導波路基板では、第２方向に並ぶ２個の貫通孔１２の間の距離が第２方向に並ぶ２個の貫通孔１１の間の距離と等しい。また、第１方向に並んで列を構成する貫通孔１１の他方の列側の側面をつなぐ仮想の面１５に、当該列を構成する貫通孔１２の、他方の列側の側面も位置する。つまり、第１方向に並んで列を構成する貫通孔１１及び１２の他方の列側の側面をつなぐ仮想の面１５が略平面となっている。

【0115】

他の構成は第２実施形態と同様である。

【0116】

第６実施形態によっても第２実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第６実施形態では、仮想の面１５が略平面となっているため、貫通孔１１と貫通孔１２との間で径が相違していても、方形導波管を模した導波路の断面の大きさが一定である。従って、送受信される電波の周波数により優れた安定性が得られる。

【0117】

（第７実施形態）
第７実施形態について説明する。第７実施形態は、主として、貫通孔１２の配置の点で第３実施形態と相違する。図１９は、第７実施形態に係る導波路基板における貫通孔の配置を例示する模式図である。

【0118】

図１９に示すように、第７実施形態に係る導波路基板では、第２方向に並ぶ２個の貫通孔１２の間の距離が第２方向に並ぶ２個の貫通孔１１の間の距離並びに第２方向に並ぶ２個の貫通孔１３の間の距離と等しい。また、第１方向に並んで列を構成する貫通孔１１及び１３の他方の列側の側面をつなぐ仮想の面１５に、当該列を構成する貫通孔１２の、他方の列側の側面も位置する。つまり、第１方向に並んで列を構成する貫通孔１１、１２及び１３の他方の列側の側面をつなぐ仮想の面１５が略平面となっている。

【0119】

他の構成は第３実施形態と同様である。

【0120】

第７実施形態によっても第３実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第７実施形態では、仮想の面１５が略平面となっているため、貫通孔１１及び１３と貫通孔１２との間で径が相違していても、方形導波管を模した導波路の断面の大きさが一定である。従って、送受信される電波の周波数により優れた安定性が得られる。

【0121】

第２実施形態、第３実施形態、第６実施形態及び第７実施形態において、第４実施形態又は第５実施形態のように適宜研磨を行ってもよい。

【0122】

以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、本開示は上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0123】

１、２、３、４、５ 導波路基板
１１、１２、１３、２１ 貫通孔
３１ コア基板
３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ 導電層
５１、５２、５３ 充填材
１００ コア配線基板
１１０、１２０ ビルドアップ層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】