特開 2024-119612 プラズマ処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024119612

(43)【公開日】2024-09-03

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20240827BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240827BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 L

H01L21/302 101H

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023026638

(22)【出願日】2023-02-22

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】齊藤 均

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 和男

(72)【発明者】

【氏名】中川 太一

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 芳彦

【テーマコード（参考）】

2G084

5F004

【Ｆターム（参考）】

2G084AA02

2G084AA03

2G084AA05

2G084BB01

2G084BB27

2G084BB30

2G084CC13

2G084CC33

2G084DD03

2G084DD13

2G084DD38

2G084DD55

2G084DD62

2G084DD63

2G084DD65

2G084DD66

2G084FF13

2G084FF39

5F004AA15

5F004BA20

5F004BB13

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB25

5F004BB26

5F004BB29

5F004BC08

5F004CA06

5F004DB03

5F004DB08

5F004DB26

5F004DB31

(57)【要約】

【課題】カバー部材に副生成物が堆積することを抑制するプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器の内部にプラズマを生成し基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記処理容器の上部に配置された金属窓と、前記金属窓の上部に前記金属窓と離間して配置された誘導結合アンテナと、を備え、前記金属窓は、複数の部分窓と、複数の前記部分窓の間及び複数の前記部分窓と前記処理容器の壁部との間に配置され、複数の前記部分窓を互いに電気的に絶縁し、若しくは複数の前記部分窓と前記処理容器の壁部とを電気的に絶縁する絶縁部材と、前記絶縁部材の下部を前記処理容器の内部に露出しないように覆うカバー部材と、前記カバー部材の内部、若しくは表面に設けられた導電体層と、を有し、前記導電体層は、前記カバー部材が環状部を形成する部分において、前記導電体層が電気的に閉回路を形成しないよう、前記導電体層が不連続となる不連続部を有する、プラズマ処理装置。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理容器の内部にプラズマを生成し基板を処理するプラズマ処理装置であって、
前記処理容器の上部に配置された金属窓と、
前記金属窓の上部に前記金属窓と離間して配置された誘導結合アンテナと、を備え、
前記金属窓は、
複数の部分窓と、
複数の前記部分窓の間及び複数の前記部分窓と前記処理容器の壁部との間に配置され、複数の前記部分窓を互いに電気的に絶縁し、若しくは複数の前記部分窓と前記処理容器の壁部とを電気的に絶縁する絶縁部材と、
前記絶縁部材の下部を前記処理容器の内部に露出しないように覆うカバー部材と、
前記カバー部材の内部、若しくは表面に設けられた導電体層と、を有し、
前記導電体層は、
前記カバー部材が環状部を形成する部分において、前記導電体層が電気的に閉回路を形成しないよう、前記導電体層が不連続となる不連続部を有する、
プラズマ処理装置。

【請求項2】

前記導電体層は、前記部分窓に電気的に接続される電気接続部を有する、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記導電体層は、複数の部分導電体層に分割され、
複数の前記部分導電体層のそれぞれは、複数の前記部分窓のいずれかに直接的に、若しくは他の部分導電体層を介して間接的に接続される、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

複数の前記部分導電体層のうち、異なる電位及び／又は異なる位相を有する前記部分窓に接続された部分導電体層は、互いに直接的若しくは間接的に接続されない、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記金属窓は矩形形状であり、
前記金属窓のそれぞれの辺部は、複数の前記部分窓のいずれかと共有され、
前記導電体層の前記不連続部は、前記辺部において設けられる、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。

【請求項6】

プラズマ処理装置が備える処理容器の内部にプラズマを生成し基板を処理する基板処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
前記処理容器と、
前記処理容器の上部に配置された金属窓と、
前記金属窓の上部に前記金属窓と離間して配置された誘導結合アンテナと、を備え、
前記誘導結合アンテナに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記処理容器に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、に接続され、
前記金属窓は、
複数の部分窓と、
複数の前記部分窓の間及び複数の前記部分窓と前記処理容器の壁部との間に配置され、複数の前記部分窓を互いに電気的に絶縁し、若しくは複数の前記部分窓と前記処理容器の壁部とを電気的に絶縁する絶縁部材と、
前記絶縁部材の下部を前記処理容器の内部に露出しないように覆うカバー部材と、
前記カバー部材の内部、若しくは表面に設けられた導電体層と、を有し、
前記導電体層は、
前記カバー部材が環状部を形成する部分において、前記導電体層が電気的に閉回路を形成しないよう、前記導電体層が不連続となる不連続部を有し、
前記高周波電源から前記誘導結合アンテナに前記高周波電力を供給して、前記処理ガス供給部から前記処理容器に供給された前記処理ガスから前記プラズマを生成し、前記処理容器の内部において前記基板を処理する、
基板処理方法。

【請求項7】

前記導電体層は、前記部分窓に電気的に接続される電気接続部を有し、
前記導電体層は、複数の部分導電体層に分割され、
複数の前記部分導電体層のうち、前記高周波電力が供給され異なる電位及び／又は異なる位相を有する前記部分窓に接続された部分導電体層は、互いに直接的若しくは間接的に接続されない、
請求項６に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、プラズマ処理装置及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、処理容器と、複数の導電性の部分窓からなる金属窓と、処理容器と部分窓との間、及び隣り合う部分窓同士の間に設けられた樹脂製の絶縁部材と、絶縁部材の処理空間側の面を覆うセラミックス製の絶縁部材カバーと、を備えるプラズマ処理装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１７－２７７７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

一の側面では、本開示は、カバー部材に副生成物が堆積することを抑制するプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

上記課題を解決するために、一の態様によれば、処理容器の内部にプラズマを生成し基板を処理するプラズマ処理装置であって、前記処理容器の上部に配置された金属窓と、前記金属窓の上部に前記金属窓と離間して配置された誘導結合アンテナと、を備え、前記金属窓は、複数の部分窓と、複数の前記部分窓の間及び複数の前記部分窓と前記処理容器の壁部との間に配置され、複数の前記部分窓を互いに電気的に絶縁し、若しくは複数の前記部分窓と前記処理容器の壁部とを電気的に絶縁する絶縁部材と、前記絶縁部材の下部を前記処理容器の内部に露出しないように覆うカバー部材と、前記カバー部材の内部、若しくは表面に設けられた導電体層と、を有し、前記導電体層は、前記カバー部材が環状部を形成する部分において、前記導電体層が電気的に閉回路を形成しないよう、前記導電体層が不連続となる不連続部を有する、プラズマ処理装置が提供される。

【発明の効果】

【0006】

一の側面によれば、カバー部材に副生成物が堆積することを抑制するプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面模式図。

【図2】実施形態に係るインピーダンス調整回路の一例を示す図。

【図3】カバー部材が取り外された状態における金属窓を平面視した図の一例。

【図4】カバー部材が配置された状態における金属窓を平面視した図の一例。

【図5】第１実施形態に係るカバー部材における導電体層の配置を示した図の一例。

【図6】第２実施形態に係るカバー部材における導電体層の配置を示した図の一例。

【図7】第３実施形態に係るカバー部材が配置された状態における金属窓を平面視した図の一例。

【図8】部分窓と導電体層とのコンタクト構造を説明する断面図の一例。

【図9】部分窓と導電体層とのコンタクト構造を説明する断面図の他の一例。

【図10】部分窓と導電体層とのコンタクト構造を説明する断面図の更に他の一例。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0009】

［プラズマ処理装置］
実施形態に係るプラズマ処理装置について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面模式図である。図２は、実施形態に係るインピーダンス調整回路１８の一例を示す図である。

【0010】

実施形態に係るプラズマ処理装置は、例えばＦＰＤ（Flat Panel Display）用ガラス基板上に薄膜トランジスターを形成する際のメタル膜、ＩＴＯ膜、酸化膜等のエッチングや、レジスト膜のアッシング処理に用いられる。ここで、ＦＰＤとしては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が例示される。なお、実施形態に係るプラズマ処理装置は、これに限られるものではなく、成膜装置などであってもよい。

【0011】

プラズマ処理装置は、導電性材料、例えば、内壁面が陽極酸化処理（アルマイト処理）されたアルミニウムからなる角筒形状の気密な処理容器１を有する。この処理容器１は、接地線１ａにより接地されている。処理容器１は、金属窓２により、上部のアンテナ室３と、下部の処理室４と、に区画されている。金属窓２は、本例では処理室４の天井壁を構成する。金属窓２は、複数の部分窓５と、絶縁部材６と、導電体層８を有するカバー部材７と、を有する。

【0012】

処理容器１は、開口を有する金属枠１１を含む。処理室４の側壁４ａの上面側とアンテナ室３の側壁３ａの下面側との間には、アルミニウムなどの金属からなる矩形状の枠体である金属枠１１が設けられている。側壁４ａと金属枠１１との間には、処理室４を気密に保つためのシール部材（図示せず）が設けられている。

【0013】

金属窓２は、矩形形状に形成され、処理容器１の側壁に設けられた金属枠１１に支持されている。または、金属窓２は、アンテナ室３の天井から吊り下げられてもよい。換言すれば、処理容器１は、後述するステージＳＴと対向する上部に開口（金属枠１１の開口）が形成されている。金属窓２は、処理容器１の開口を塞ぎ、処理室４を形成する。

【0014】

複数の部分窓５は、例えば、非磁性体で導電性の金属で構成される。非磁性体で導電性の金属の例は、アルミニウム、又はアルミニウムを含む合金である。

【0015】

絶縁部材６は、複数の部分窓５の間及び複数の部分窓５と処理容器１の壁部（金属枠１１）との間に配置され、複数の部分窓５を互いに電気的に絶縁し、若しくは複数の部分窓５と処理容器１の壁部（金属枠１１）とを電気的に絶縁する。絶縁部材６は、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）などの誘電率の小さい絶縁体で形成される。

【0016】

カバー部材７は、絶縁部材６の下部を処理室４の内部に露出しないように覆う部材である。カバー部材７は、例えばセラミックスで形成される。

【0017】

また、カバー部材７は、導電体層８を有する。導電体層８は、セラミックで形成されるカバー部材本体の内部、若しくは表面に形成される構成であってもよい。

【0018】

また、カバー部材７は、セラミックで形成されるカバー部材本体（図８等で後述するカバー部材本体７０２１参照）と、カバー部材本体の処理室４側の表面に形成される導電体層８（図８等で後述する部分導電体層８０２参照）と、カバー部材本体の処理室４側でカバー部材本体及び導電体層８を覆う保護膜（図８等で後述する保護膜７０２２参照）と、を備える構成であってもよい。保護膜は、例えばセラミックス溶射等により形成され、カバー部材本体及び導電体層８をプラズマから保護する。

【0019】

また、カバー部材７は、セラミックで形成されるカバー部材本体（図８等で後述するカバー部材本体７０２１参照）と、カバー部材本体のアンテナ室３側の表面に形成される導電体層８と、カバー部材本体のアンテナ室３側でカバー部材本体及び導電体層８を覆う絶縁膜と、カバー部材本体の処理室４側でカバー部材本体を覆う保護膜と、を備える構成であってもよい。絶縁膜は、導電体層８と部分窓５とを電気的に絶縁する。保護膜は、例えばセラミックス溶射等により形成され、カバー部材本体及び導電体層８をプラズマから保護する。また、導電体層８は、カバー部材本体の表面ではなく、カバー部材本体の内部に埋設して形成されるようにしてもよい。

【0020】

なお、導電体層８と部分窓５とは、電気接続部８０（後述する図６参照）によって電気的に接続される構成であってもよい。

【0021】

絶縁部材６により複数に分割された金属窓２の部分窓５には複数の分岐配管に分岐するガス流路（不図示）が接続されてそれぞれの部分窓５にガスを供給する。それぞれの部分窓５は、内部にガス空間を有していて（不図示）、処理室４に面した面に複数のガス吐出口（不図示）を有し、複数のガス吐出孔から処理室４内にガスを供給する。ガス流路は、部分窓５と反対側においてガス供給管２０ａに接続され、ガス流路とガス供給管２０ａは連通する。ガス供給管２０ａは、処理容器１の天井からその外側へ貫通し、処理ガス供給源及びバルブシステム等を含む処理ガス供給部２０に接続されている。したがって、プラズマ処理においては、処理ガス供給部２０から供給された処理ガスがガス供給管２０ａを介して処理室４内へ吐出される。

【0022】

アンテナ室３内には金属窓２の上に、金属窓２に面するように高周波（ＲＦ）アンテナ１３（誘導結合アンテナ）が配設されている。この高周波アンテナ１３は絶縁部材からなるスペーサ１７により金属窓２から離間している。高周波アンテナ１３は、渦巻状のアンテナを構成しており、金属窓２は、渦巻状のアンテナの下部で、例えば図３に示す例において４つの部分窓５に分割されている。高周波アンテナ１３は、アンテナ室３において、絶縁部材のスペーサ１７を介して金属窓２の上部に配置され、処理室４に誘導結合プラズマを生成する誘導結合アンテナの一例である。なお、後述の通り、図３は下から見た図であるため実際には高周波アンテナ１３は部分窓５の向こう側にあり見えないが、高周波アンテナ１３の位置を分かりやすくするため敢えて実線にて描いたものである。

【0023】

プラズマ処理中、第一の高周波電源１５からは、誘導電界形成用の、例えば、周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電力が整合器１４及び給電部材１６を介して高周波アンテナ１３へ供給される。高周波アンテナ１３は、それぞれ給電部材１６に接続される給電部４１，４２を有する。これら各給電部４１，４２からアンテナ線が周方向に延びて、環状の高周波アンテナ１３が構成される。各アンテナ線の終端には図示しないコンデンサが接続され、各アンテナ線はコンデンサを介して高周波アンテナ１３の側壁３ａに接続され、接地される。このように高周波電力が供給された高周波アンテナ１３により、金属窓２を介して処理室４内に誘導電界が形成され、この誘導電界により処理室４内に供給された処理ガスがプラズマ化される。金属窓２を構成する部分窓５のそれぞれに高周波アンテナ１３によって誘起された電流が、部分窓５のアンテナ室３側の面と処理室４側の面とを周回する循環電流を形成する。この循環電流によって、処理室４内に誘導電界が形成される。

【0024】

処理室４内の下方には、金属窓２を挟んで高周波アンテナ１３と対向するように、被処理基板Ｇ、例えば、ガラス基板を載置するためのステージＳＴが設けられている。ステージＳＴは、下部電極２３及び絶縁体枠２４を有する。下部電極２３は、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムで構成されている。下部電極２３に載置された被処理基板Ｇは、図示しない静電チャックにより吸着保持される。

【0025】

下部電極２３は絶縁体枠２４内に収納され、さらに、処理室４の底面に支持される。また、処理室４の側壁４ａには、被処理基板Ｇを搬入出するための搬入出口２７ａおよびそれを開閉するゲートバルブ２７が設けられている。

【0026】

下部電極２３には、中空の支柱２５内に設けられた給電線２５ａにより、整合器２８を介して第二の高周波電源２９が接続されている。第二の高周波電源２９は、プラズマ処理中に、バイアス電圧用の高周波電力、例えば、周波数が３．２ＭＨｚの高周波電力を下部電極２３に供給する。下部電極２３は、載置面に被処理基板Ｇを載置し、このバイアス電圧用の高周波電力により被処理基板Ｇ上にバイアス電圧を生成し、処理室４内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的に被処理基板Ｇに引き込まれる。

【0027】

さらに、下部電極２３内には、被処理基板Ｇの温度を制御するため、セラミックヒータ等の加熱手段や冷媒流路等からなる温度制御機構と、温度センサーとが設けられている（いずれも図示せず）。これらの機構や部材に対する配管や配線は、いずれも中空の支柱２５を通して処理容器１外に導出される。

【0028】

ステージＳＴと処理室４の側壁４ａとの間には、バッフル板３２が連続的或いは断続的に環状にステージＳＴを囲んで設けられ、処理室４から排気空間にガスを通す。処理室４の底部には、排気管３１を介して真空ポンプ等を含む排気装置３０が接続される。排気装置３０により、バッフル板３２下の排気空間が排気され、プラズマ処理中、処理室４内が所定の真空雰囲気（例えば１．３３Ｐａ）に設定、維持される。

【0029】

下部電極２３に載置された被処理基板Ｇの裏面側には微細な冷却空間（図示せず）が形成されており、一定の圧力の熱伝達用ガスとしてＨｅガスを供給するためのＨｅガス流路４５が設けられている。Ｈｅガス流路４５には、Ｈｅガスライン４６が接続され、圧力制御バルブ４７を介してＨｅ源に接続される。

【0030】

プラズマ処理装置の各構成部は、コンピュータからなる制御部５０に接続されて制御される構成となっている。また、制御部５０には、工程管理者がプラズマ処理装置を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、プラズマ処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース５１が接続されている。さらに、制御部５０には、記憶部５２が接続されている。記憶部５２には、プラズマ処理装置で実行される各種処理を制御部５０の制御にて実現するための制御プログラム、処理条件に応じてプラズマ処理装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格納されている。レシピはハードディスクや半導体メモリーに記憶されていてもよいし、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性の記憶媒体に収容された状態で記憶部５２の所定位置にセットするようになっていてもよい。さらに、他方の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース５１からの指示等にて任意のレシピを記憶部５２から呼び出して制御部５０に実行させることで、制御部５０の制御下で、プラズマ処理装置での所望の処理が行われる。

【0031】

このように、プラズマ処理装置は、第一の高周波電源１５から高周波アンテナ１３に高周波電力を供給して、処理ガス供給部２０から処理容器１の処理室４内に供給された処理ガスからプラズマを生成する。また、プラズマ処理装置は、第二の高周波電源２９から下部電極２３に高周波電力を供給することにより、処理室４内のステージＳＴに載置された被処理基板Ｇ上にバイアス電圧を生成し、処理室４内に生成されたプラズマ中のイオンが効果的に被処理基板Ｇに引き込まれることで被処理基板Ｇに基板処理（プラズマ処理）を施す。

【0032】

［インピーダンス調整回路］
金属窓２には、インピーダンス調整回路１８が接続されている。インピーダンス調整回路１８について、図２を参照しながら説明する。図２は、金属窓２が有する複数（図３に示す例において４つ）の部分窓５のうちの１つの部分窓５の断面と、部分窓５が接続されたインピーダンス調整回路１８とを主に示し、図１のプラズマ処理装置のその他の構成は簡略化している。

【0033】

インピーダンス調整回路１８は部分窓５毎に一対一に設けられている。金属窓２の角部と辺部とで堆積の状態が異なるような場合に、部分窓５ごとにインピーダンス調整回路１８を個別に調整して均等にクリーニングすることができる。

【0034】

図１及び図２の例では、インピーダンス調整回路１８が１つの部分窓５に対して１つずつ設けられている。つまり、本例では、複数（図３に示す例において４つ）のインピーダンス調整回路１８が複数（図３に示す例において４つ）の部分窓５に対して一対一に接続されている。インピーダンス調整回路１８は、容量素子６０及び抵抗素子６１を有するＲ＋Ｃ並列回路である。本例では、部分窓５毎に１つの容量素子６０と、この容量素子６０と並列に１つの抵抗素子６１とが接続される。容量素子６０は、一端において部分窓５と接続され、他端において接地に接続される。抵抗素子６１は、容量素子６０と並列に一端において部分窓５と接続され、他端において接地に接続される。

【0035】

容量素子６０は、可変容量素子である。ただし、容量素子６０は、固定容量素子であってもよい。容量素子６０を可変容量素子とすることで、バイアス電圧用の高周波電力の供給におけるアノード電極である金属窓２のインピーダンス（以下、アノードインピーダンスともいう。）を可変に調整でき、より精度よくインピーダンス調整を行うことができる。

【0036】

係る構成により、バイアス電圧用の高周波電力の供給において、下部電極２３をカソード電極、金属窓２を下部電極２３に対向する対向電極であるアノード電極とし、インピーダンス調整回路１８は、アノードインピーダンスを調整する。これにより、金属窓２において容量素子６０の容量によりプラズマとの間に所望の電位差を発生させて、プラズマのスパッタによって金属窓２に付着した副生成物の堆積物を除去するクリーニングが可能になる。

【0037】

次に、金属窓２の構成について、図３から図５を用いて説明する。図３は、カバー部材７が取り外された状態における金属窓２を平面視した図の一例である。図４は、カバー部材７が配置された状態における金属窓２を平面視した図の一例である。図５は、第１実施形態に係るカバー部材７における導電体層８の配置を示した図の一例である。

【0038】

なお、図３から図５は、金属窓２を下方からみた図であり、金属窓２を下方からみた場合、高周波アンテナ１３は金属窓２の反対側にあるため見えない。しかしながら、高周波アンテナ１３と金属窓２との位置関係を分かりやすくするため、図３から図５において、便宜上、金属窓２の反対側で高周波アンテナ１３が配置される位置を実線にて図示している。また、図５において、導電体層８にはドットのハッチングを付して明示している。

【0039】

図３に示すように、金属窓２は、複数の部分窓５と、絶縁部材６と、を有する。図３に示す例において、金属窓２は、４つの部分窓５を有する。言い換えれば、金属窓２は部分窓５により４分割されている。絶縁部材６は、複数の部分窓５の間及び複数の部分窓５と金属枠１１との間に配置される。これにより、複数の部分窓５及び金属枠１１は、互いに電気的に絶縁されている。なお、部分窓５による金属窓２の分割は４分割に限られず、１６分割、２０分割、２４分割など、他の分割であってもよい。

【0040】

図３に示す例において、絶縁部材６は、絶縁部材部分６ａ～６ｉで形成されている。

【0041】

絶縁部材部分６ａは、金属窓２の中央で左右方向に延びるように形成される。絶縁部材部分６ｂは、絶縁部材部分６ａの右端から右上方向に延びるように形成される。絶縁部材部分６ｃは、絶縁部材部分６ａの右端から右下方向に延びるように形成される。絶縁部材部分６ｄは、絶縁部材部分６ａの左端から左下方向に延びるように形成される。絶縁部材部分６ｅは、絶縁部材部分６ａの左端から左上方向に延びるように形成される。即ち、絶縁部材部分６ａ、絶縁部材部分６ｂ及び絶縁部材部分６ｃは、Ｙ字形状に接続される。また、絶縁部材部分６ａ、絶縁部材部分６ｄ及び絶縁部材部分６ｅは、Ｙ字形状に接続される。

【0042】

絶縁部材部分６ｆから絶縁部材部分６ｉは、矩形の枠形状に形成される。絶縁部材部分６ｆは、絶縁部材部分６ｂの右上端から絶縁部材部分６ｃの右下端に延びるように形成される。絶縁部材部分６ｇは、絶縁部材部分６ｃの右下端から絶縁部材部分６ｄの左下端に延びるように形成される。絶縁部材部分６ｈは、絶縁部材部分６ｄの左下端から絶縁部材部分６ｅの左上端に延びるように形成される。絶縁部材部分６ｉは、絶縁部材部分６ｅの左上端から絶縁部材部分６ｂの右上端に延びるように形成される。

【0043】

高周波アンテナ１３は、環状もしくは渦巻状に形成されたアンテナ線を有する（図３においては環状のアンテナ線を図示する。）。第一の高周波電源１５は、整合器１４、給電部材１６を介して、給電部４１から高周波アンテナ１３のアンテナ線に誘導電界形成用の高周波電力を供給する。

【0044】

図４に示すように、金属窓２は、更にカバー部材７を有する。カバー部材７は、絶縁部材６を覆うように形成されている。換言すれば、カバー部材７は、個々の部分窓５の外周に沿って配置され、その結果、カバー部材７に環状部が形成されている。図４に示す例において、カバー部材７は、例えば、絶縁部材部分６ａ，６ｂ，６ｉ，６ｅを覆う環状部と、絶縁部材部分６ａ，６ｃ，６ｇ，６ｄを覆う環状部と、絶縁部材部分６ｂ，６ｆ，６ｃを覆う環状部と、絶縁部材部分６ｄ，６ｈ，６ｅを覆う環状部と、を有している。

【0045】

図５に示すように、第１実施形態に係るカバー部材７に形成される導電体層８は、カバー部材７が環状部を形成する部分において、導電体層８が電気的に閉回路を形成しないよう、導電体層８が不連続となる不連続部８ａ～８ｄが設けられている。図５に示す例において、金属窓２は矩形形状を有し、４つの辺部（絶縁部材部分６ｆ～６ｉ）を有する。金属窓２のそれぞれの辺部は、複数の部分窓５と共有される。また、導電体層８の不連続部８ａ～８ｄは、金属窓２の辺部において設けられる。

【0046】

具体的には、絶縁部材部分６ａ，６ｂ，６ｉ，６ｅを覆うカバー部材７の環状部において、絶縁部材部分６ｉ上の導電体層８の辺中央に不連続部８ａが設けられている。同様に、絶縁部材部分６ａ，６ｃ，６ｇ，６ｄを覆う環状部において、絶縁部材部分６ｇ上の導電体層８の辺中央に不連続部８ｂが設けられている。また、絶縁部材部分６ｂ，６ｆ，６ｃを覆う環状部を覆う環状部において、絶縁部材部分６ｆ上の導電体層８の辺中央に不連続部８ｃが設けられている。また、絶縁部材部分６ｄ，６ｈ，６ｅを覆う環状部を覆う環状部において、絶縁部材部分６ｈ上の導電体層８の辺中央に不連続部８ｄが設けられている。

【0047】

また、絶縁部材部分６ａ，６ｂ，６ｃを覆う導電体層８の接続部８ｅは、Ｙ字形状に接続される。絶縁部材部分６ａ，６ｄ，６ｅを覆う導電体層８の接続部８ｆは、Ｙ字形状に接続される。接続部８ｅ，８ｆにおける導電体層８の幅は、他の部分よりも狭く形成されている。具体的には、接続部８ｅ，８ｆにおける導電体層８の幅は、絶縁部材６の幅で形成されている。なお、図５においては、説明のため、カバー部材７は輪郭で示し、カバー部材７の下の導電体層８（ドットのハッチングで示された部分）及び絶縁部材６を明示している。

【0048】

ここで、参考例に係るカバー部材を備えるプラズマ処理装置について説明する。参考例（不図示）に係るカバー部材では、導電体層の形状がカバー部材の形状に一致している。即ち、不連続部が設けられず、導電体層に電気的に閉回路が形成されている。その他の構成は同様であり、重複する説明を省略する。

【0049】

参考例に係るカバー部材を備えるプラズマ処理装置においては、閉回路を有する導電体層によって、高周波アンテナで生成された磁場が阻害される。すなわち、高周波アンテナによって閉回路を周回する電流が誘起され、閉回路を周回する電流によっても磁場が形成されるため、高周波アンテナで生成された磁場を阻害することになる。このため、参考例に係るカバー部材を備えるプラズマ処理装置においては、導電体層を有しないカバー部材を備えるプラズマ処理装置と比較して、処理室に形成される電界が弱くなる。よって、処理室に形成するプラズマの維持が困難になるおそれがある。

【0050】

これに対し、図１から図５に示す第１実施形態に係るカバー部材７を備えるプラズマ処理装置においては、不連続部８ａ～８ｄを設けて導電体層８に電気的に閉回路が形成されないようにすることにより、高周波アンテナ１３で生成された磁場の阻害を少なくすることができる。このため、第１実施形態に係るカバー部材７を備えるプラズマ処理装置においては、参考例に係るカバー部材を備えるプラズマ処理装置と比較して、処理室４に形成される電界が弱くなることを抑制することができる。換言すれば、カバー部材７に導電体層８を設けることによる処理室４に形成される電界の減少を抑制することができる。よって、処理室４に安定してプラズマを生成することができる。

【0051】

また、基板処理（例えばエッチング処理等）において発生した副生成物がカバー部材７の表面等を含む処理室４の内壁に堆積する。そして、堆積した副生成物が処理室４の内壁から剥離するおそれがある。特に、カバー部材７は被処理基板Ｇと対向しており、カバー部材７の表面等から副生成物が剥離すると被処理基板Ｇを汚染することになる。カバー部材７と同様に被処理基板Ｇと対向する部分窓５については、前述の通り、インピーダンス調整回路により部分窓５に副生成物が堆積することが抑制できている。一方、カバー部材７は絶縁部材６を覆うものであるため、部分窓５における電位の寄与を受けることができない。このため、カバー部材７に堆積する副生成物を抑制することが求められている。それゆえ、カバー部材７に導電体層８を設け、電位を発生させて副生成物のカバー部材７の表面への堆積を抑制することを図る。ここで、第１実施形態に係るカバー部材７を備えるプラズマ処理装置においては、参考例に係るカバー部材を備えるプラズマ処理装置と比較して、導電体層８の電位Ｖｐｐ（Voltage peak to peak）を高くすることができる。導電体層８の電位を高くすることにより、プラズマとの間に所望の電位差を発生させて、プラズマのスパッタによってカバー部材７に付着した副生成物の堆積物を除去するクリーニングが可能になる。よってカバー部材７に堆積する副生成物を抑制することができる。

【0052】

次に、金属窓２の他の構成について、図６を用いて説明する。図６は、第２実施形態に係るカバー部材７における導電体層８の配置を示した図の一例である。

【0053】

なお、図６は、金属窓２を下方からみた図である。なお、金属窓２を下方からみた場合、高周波アンテナ１３は反対側にあり見えないが、図６において、高周波アンテナ１３が配置される位置を図示している。また、図６において、導電体層８にはドットのハッチングを付して明示している。

【0054】

図６に示すように、第２実施形態に係るカバー部材７に形成される導電体層８は、カバー部材７が環状部を形成する部分において、導電体層８が電気的に閉回路を形成しないよう、導電体層８が不連続となる不連続部８ａ～８ｄが設けられている。図６に示す例において、絶縁部材部分６ａ，６ｂ，６ｉ，６ｅを覆うカバー部材７の環状部において、絶縁部材部分６ｉ上の導電体層８の辺中央に不連続部８ａが設けられている。同様に、絶縁部材部分６ａ，６ｃ，６ｇ，６ｄを覆う環状部において、絶縁部材部分６ｇ上の導電体層８の辺中央に不連続部８ｂが設けられている。また、絶縁部材部分６ｂ，６ｆ，６ｃを覆う環状部を覆う環状部において、絶縁部材部分６ｆ上の導電体層８の辺中央に不連続部８ｃが設けられている。また、絶縁部材部分６ｄ，６ｈ，６ｅを覆う環状部を覆う環状部において、絶縁部材部分６ｈ上の導電体層８の辺中央に不連続部８ｄが設けられている。

【0055】

また、絶縁部材部分６ａ，６ｂ，６ｃを覆う導電体層８の接続部８ｇは、絶縁部材部分６ａを覆う導電体層８と絶縁部材部分６ｂを覆う導電体層８と電気的に接続し、絶縁部材部分６ｃを覆う導電体層８とは絶縁されている。絶縁部材部分６ａ，６ｄ，６ｅを覆う導電体層８の接続部８ｈは、絶縁部材部分６ａを覆う導電体層８と絶縁部材部分６ｄを覆う導電体層８と電気的に接続し、絶縁部材部分６ｅを覆う導電体層８とは絶縁されている。

【0056】

このような構成により、導電体層８は、互いに絶縁された複数の部分導電体層（図６の例では、３つの部分導電体層が形成されている。

【0057】

また、導電体層８と部分窓５とを電気的に接続する電気接続部８０が設けられている。部分導電体層は、電気接続部８０を介して部分窓５とを電気的に接続する。

【0058】

電気接続部８０は、高周波アンテナ１３によって部分窓５に形成される電位が高い位置と接続される。これにより、電気接続部８０を介して部分窓５と接続される導電体層８の電位Ｖｐｐも高くすることができる。

【0059】

また、絶縁部材部分６ａを覆う導電体層８を含む領域は、２つの電気接続部８０で接続される。２つの電気接続部８０が接続される場合、高周波アンテナ１３によって部分窓５に形成される電位が等しく、かつ、同位相となる位置に接続される。換言すれば、複数の部分導電体層のうち、異なる電位及び／又は異なる位相を有する部分窓５に接続された部分導電体層は、互いに直接的若しくは間接的に接続されない。これにより、絶縁部材部分６ａを覆う導電体層８において、別位相による電位の打ち消しを防止し、電位Ｖｐｐを高くすることができる。

【0060】

以上の様に、図６に示す第２実施形態に係るカバー部材７を備えるプラズマ処理装置においては、不連続部８ａ～８ｄを設けて導電体層８に電気的に閉回路が形成されないようにすることにより、高周波アンテナ１３で生成された磁場の阻害を少なくすることができる。このため、第２実施形態に係るカバー部材７を備えるプラズマ処理装置においては、処理室４に形成される電界が弱くなることを抑制することができる。換言すれば、カバー部材７に導電体層８を設けることによる処理室４に形成される電界の減少を抑制することができる。よって、処理室４に安定してプラズマを生成することができる。

【0061】

また、第２実施形態に係るカバー部材７を備えるプラズマ処理装置においては、電気接続部８０を介して導電体層８と部分窓５とを接続することにより、導電体層８の電位Ｖｐｐを更に高くすることができる。導電体層８の電位を高くすることにより、カバー部材７に堆積する副生成物を抑制することができる。

【0062】

次に、金属窓２の他の構成について、図７を用いて説明する。図７は、第３実施形態に係るカバー部材７が配置された状態における金属窓２を平面視した図の一例である。

【0063】

カバー部材７は、複数の部分カバー部材７０１～７２１と、隙間カバー部材７３１～７４０と、を有する。部分カバー部材７０１～７２１は、部分窓５及び絶縁部材６と当接するように配置される。また、部分カバー部材７０１～７２１は、絶縁部材６を覆うように配置される。隙間カバー部材７３１～７４０は、部分カバー部材７０１～７２１の間の隙間を塞ぐように配置される。

【0064】

導電体層８は、部分導電体層８０１，８０２，８０３，８０４，８０５，８０６，８０８，８１０，８１２，８１４，８１６，８１８，８２０を有する。

【0065】

部分カバー部材７０１～７２１は、セラミックで形成されるカバー部材本体を有する。また、部分カバー部材７０１～７２１は、カバー部材本体の処理室４側の表面に形成される保護膜が形成されている。保護膜は、例えばセラミックス溶射等により形成され、カバー部材本体をプラズマから保護する。

【0066】

部分カバー部材７０１は、内部（カバー部材本体と保護膜との間）に部分導電体層８０１を有し、絶縁部材部分６ａを覆うように配置される。

【0067】

部分カバー部材７０２は、内部に部分導電体層８０２を有し、絶縁部材部分６ｂを覆うように配置される。部分カバー部材７０３は、内部に部分導電体層８０３を有し、絶縁部材部分６ｃを覆うように配置される。部分カバー部材７０４は、内部に部分導電体層８０４を有し、絶縁部材部分６ｄを覆うように配置される。部分カバー部材７０５は、内部に部分導電体層８０５を有し、絶縁部材部分６ｅを覆うように配置される。

【0068】

部分カバー部材７０６～７０８は、絶縁部材部分６ｆを覆うように配置される。また、部分カバー部材７０６は、内部に部分導電体層８０６を有する。部分カバー部材７０８は、内部に部分導電体層８０８を有する。部分カバー部材７０９は、部分カバー部材７０３，７０８，７１０で囲まれる角部に配置される。

【0069】

部分カバー部材７１０～７１２は、絶縁部材部分６ｇを覆うように配置される。また、部分カバー部材７１０は、内部に部分導電体層８１０を有する。部分カバー部材７１２は、内部に部分導電体層８１２を有する。部分カバー部材７１３は、部分カバー部材７０４，７１２，７１３で囲まれる角部に配置される。

【0070】

部分カバー部材７１４～７１６は、絶縁部材部分６ｈを覆うように配置される。また、部分カバー部材７１４は、内部に部分導電体層８１４を有する。部分カバー部材７１６は、内部に部分導電体層８１６を有する。部分カバー部材７１７は、部分カバー部材７０５，７１６，７１７で囲まれる角部に配置される。

【0071】

部分カバー部材７１８～７２０は、絶縁部材部分６ｈを覆うように配置される。また、部分カバー部材７１８は、内部に部分導電体層８１８を有する。部分カバー部材７２０は、内部に部分導電体層８２０を有する。部分カバー部材７２１は、部分カバー部材７０２，７２０，７０６で囲まれる角部に配置される。

【0072】

隙間カバー部材７３１～７４０は、ＳＵＳ等の導電部材で形成される隙間カバー本体を有する。また、隙間カバー部材７３１～７４０は、隙間カバー本体の表面に形成される保護膜が形成されている。保護膜は、例えばセラミックス溶射等により形成され、隙間カバー本体をプラズマから保護する。

【0073】

隙間カバー部材７３１は、部分カバー部材７０１，７０２，７０３の隙間を覆うように配置される。また、隙間カバー部材７３１は、電気接続部８５を介して部分導電体層８０１と隙間カバー部材７３１とを電気的に接続し、電気接続部８５を介して部分導電体層８０２と隙間カバー部材７３１とを電気的に接続する。

【0074】

隙間カバー部材７３２は、部分カバー部材７０１，７０４，７０５の隙間を覆うように配置される。また、隙間カバー部材７３２は、電気接続部８５を介して部分導電体層８０１と隙間カバー部材７３２とを電気的に接続し、電気接続部８５を介して部分導電体層８０４と隙間カバー部材７３２とを電気的に接続する。

【0075】

隙間カバー部材７３３は、部分カバー部材７０２，７０６，７２０，７２１の隙間を覆うように配置される。また、隙間カバー部材７３３は、電気接続部８５を介して部分導電体層８０２と隙間カバー部材７３３とを電気的に接続し、電気接続部８５を介して部分導電体層８０６と隙間カバー部材７３３とを電気的に接続し、電気接続部８５を介して部分導電体層８２０と隙間カバー部材７３３とを電気的に接続する。また、隙間カバー部材７３３は、電気接続部８０を介して部分窓５と電気的に接続する。

【0076】

隙間カバー部材７３４は、部分カバー部材７０６，７０７，７０８の隙間を覆うように配置される。また、隙間カバー部材７３４は、電気接続部８５を介して部分導電体層８０８と隙間カバー部材７３４とを電気的に接続する。

【0077】

隙間カバー部材７３５は、部分カバー部材７０３，７０８，７０９，７１０の隙間を覆うように配置される。また、隙間カバー部材７３５は、電気接続部８５を介して部分導電体層８０３と隙間カバー部材７３５とを電気的に接続し、電気接続部８５を介して部分導電体層８０８と隙間カバー部材７３５とを電気的に接続し、電気接続部８５を介して部分導電体層８１０と隙間カバー部材７３５とを電気的に接続する。また、隙間カバー部材７３５は、電気接続部８０を介して部分窓５と電気的に接続する。

【0078】

隙間カバー部材７３６は、部分カバー部材７１０，７１１，７１２の隙間を覆うように配置される。また、隙間カバー部材７３６は、電気接続部８５を介して部分導電体層８１０と隙間カバー部材７３６とを電気的に接続する。

【0079】

隙間カバー部材７３７は、部分カバー部材７０４，７１２，７１３，７１４の隙間を覆うように配置される。また、隙間カバー部材７３７は、電気接続部８５を介して部分導電体層８０４と隙間カバー部材７３７とを電気的に接続し、電気接続部８５を介して部分導電体層８１２と隙間カバー部材７３７とを電気的に接続し、電気接続部８５を介して部分導電体層８１４と隙間カバー部材７３７とを電気的に接続する。また、隙間カバー部材７３７は、電気接続部８０を介して部分窓５と電気的に接続する。

【0080】

隙間カバー部材７３８は、部分カバー部材７１４，７１５，７１６の隙間を覆うように配置される。また、隙間カバー部材７３８は、電気接続部８５を介して部分導電体層８１６と隙間カバー部材７３８とを電気的に接続する。

【0081】

隙間カバー部材７３９は、部分カバー部材７０５，７１６，７１７，７１８の隙間を覆うように配置される。また、隙間カバー部材７３９は、電気接続部８５を介して部分導電体層８０５と隙間カバー部材７３９とを電気的に接続し、電気接続部８５を介して部分導電体層８１６と隙間カバー部材７３９とを電気的に接続し、電気接続部８５を介して部分導電体層８１８と隙間カバー部材７３９とを電気的に接続する。また、隙間カバー部材７３９は、電気接続部８０を介して部分窓５と電気的に接続する。

【0082】

隙間カバー部材７４０は、部分カバー部材７１８，７１９，７２０の隙間を覆うように配置される。また、隙間カバー部材７４０は、電気接続部８５を介して部分導電体層８１８と隙間カバー部材７４０とを電気的に接続する。

【0083】

このような構成により、部分導電体層８０１，８０２，８０３，８０４，８０５，８０６，８０８，８１０，８１２，８１４，８１６，８１８，８２０のそれぞれは、複数の部分窓５のいずれかに直接的に、若しくは他の部分導電体層を介して間接的に接続される。

【0084】

また、部分カバー部材７０７と部分導電体層８０６とは電気的に接続されておらず不連続部を形成する。部分カバー部材７１１と部分導電体層８１２とは電気的に接続されておらず不連続部を形成する。部分カバー部材７１５と部分導電体層８１４とは電気的に接続されておらず不連続部を形成する。部分カバー部材７１９と部分導電体層８２０とは電気的に接続されておらず不連続部を形成する。不連続部を設けて導電体層８に電気的に閉回路が形成されないようにすることにより、高周波アンテナ１３で生成された磁場の阻害を少なくすることができる。このため、第３実施形態に係るカバー部材７を備えるプラズマ処理装置においては、処理室４に形成される電界が弱くなることを抑制することができる。換言すれば、カバー部材７に導電体層８を設けることによる処理室４に形成される電界の減少を抑制することができる。よって、処理室４に安定してプラズマを生成することができる。

【0085】

また、第３実施形態に係るカバー部材７を備えるプラズマ処理装置においては、電気接続部８０を介して導電体層８と部分窓５とを接続することにより、導電体層８の電位Ｖｐｐを更に高くすることができる。導電体層８の電位を高くすることにより、カバー部材７に堆積する副生成物を抑制することができる。

【0086】

次に、電気接続部８０及び電気接続部８５の構成の一例について図８から図１０を用いて説明する。ここでは、部分カバー部材７０２及び隙間カバー部材７３３を例に説明する。

【0087】

図８は、部分窓５と導電体層８とのコンタクト構造を説明する断面図の一例である。なお、図８（及び後述する図９，１０）では、上下を反転して図示しており、上側の空間が処理室４内の空間となる。

【0088】

部分カバー部材７０２は、セラミックスで形成されるカバー部材本体７０２１と、保護膜７０２２と、を有する。カバー部材本体７０２１の処理室４側の表面に、導電体層８の一部を構成する部分導電体層８０２が形成されている。これにより、部分導電体層８０２は、カバー部材本体７０２１と保護膜７０２２との間に形成されている。また、後述する導電ピン８５１が当接する位置には保護膜７０２２が設けられておらず、部分導電体層８０２が露出する。

【0089】

隙間カバー部材７３３は、ＳＵＳ等の導電部材で形成される隙間カバー本体７３３１と、保護膜７３３２と、を有する。

【0090】

電気接続部８５は、導電ピン８５１と、バネ８５２と、導電性コンタクト部品８５３と、を有する。導電ピン８５１、バネ８５２及び導電性コンタクト部品８５３は、隙間カバー本体７３３１に形成された凹部に配置される。導電ピン８５１はバネ８５２によって付勢され、部分導電体層８０２と当接し、導電ピン８５１と部分導電体層８０２とが電気的に接続される。導電ピン８５１は、バネ８５２及び／又は導電性コンタクト部品８５３を介して、隙間カバー本体７３３１と電気的に接続される。シール部材８５４は、プラズマ耐性を有するＯリング等で形成され、導電ピン８５１、バネ８５２、導電性コンタクト部品８５３及び部分導電体層８０２の露出部分をプラズマから保護する。なお、導電性コンタクトは耐食性の良好なＳＵＳ等で構成される。

【0091】

電気接続部８０は、ボルト８００１と、保護膜８００２と、を有する。ボルト８００１は、導電部材で形成される。ボルト８００１の頭部は、隙間カバー本体７３３１と当接し、電気的に接続される。ボルト８００１の軸部（ねじ部）は、部分窓５に形成されたねじ穴と螺合することにより、隙間カバー部材７３３が部分窓５に固定されるととともに、隙間カバー本体７３３１と部分窓５が電気的に接続される。ボルト８００１の頭部は、保護膜８００２が形成される。

【0092】

なお、電気接続部８５の構成は、図８に示す構成に限られるものではない。

【0093】

図９は、部分窓５と導電体層８とのコンタクト構造を説明する断面図の他の一例である。

【0094】

電気接続部８５は、導電性コンタクト部品８５５を有する。導電性コンタクト部品８５５は、隙間カバー本体７３３１に形成された凹部に配置される。導電性コンタクト部品８５５は、凹部の内壁及び部分導電体層８０２と当接し、部分導電体層８０２と隙間カバー本体７３３１とを電気的に接続する。なお、導電性コンタクト部品は耐食性の良好なＳＵＳ等で構成される。

【0095】

図１０は、部分窓５と導電体層８とのコンタクト構造を説明する断面図の更に他の一例である。

【0096】

電気接続部８５は、隙間カバー本体７３３１から突出する突起部８５６を有する。突起部８５６は、部分導電体層８０２と当接し、部分導電体層８０２と隙間カバー本体７３３１とを電気的に接続する。

【0097】

以上、プラズマ処理装置について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

【符号の説明】

【0098】

１ 処理容器
２ 金属窓
３ アンテナ室
４ 処理室
５ 部分窓
６ 絶縁部材
６ａ～６ｉ 絶縁部材部分
７ カバー部材
８ 導電体層
８ａ～８ｄ 不連続部
８ｅ～８ｈ 接続部
１１ 金属枠
１２ ガス流路
１３ 高周波アンテナ（誘導結合アンテナ）
１５ 第一の高周波電源
１８ インピーダンス調整回路
２０ 処理ガス供給部
５０ 制御部
ＳＴ ステージ
Ｇ 被処理基板
８０ 電気接続部
８５ 電気接続部
７０１～７２１ 部分カバー部材
７３１～７４０ 隙間カバー部材
８０１，８０２，８０３，８０４，８０５，８０６，８０８，８１０，８１２，８１４，８１６，８１８，８２０ 部分導電体層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】