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▶ ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024012041
(43)【公開日】2024-01-25
(54)【発明の名称】基板処理装置及びそれを備える基板処理システム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/31 20060101AFI20240118BHJP
H01L 21/02 20060101ALI20240118BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20240118BHJP
H01L 21/324 20060101ALI20240118BHJP
【ＦＩ】
H01L21/31 E
H01L21/02 Z
H01L21/68 A
H01L21/324 R
H01L21/324 S
H01L21/31 F
H01L21/31 B
【審査請求】有
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022199725
(22)【出願日】2022-12-14
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2024-01-17
(31)【優先権主張番号】10-2022-0078901
(32)【優先日】2022-06-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(71)【出願人】
【識別番号】316008145
【氏名又は名称】ウォニク アイピーエス カンパニー リミテッド
【氏名又は名称原語表記】ＷＯＮＩＫ ＩＰＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】７５，Ｊｉｎｗｉｓａｎｄａｎ－ｒｏ，Ｊｉｎｗｉ－ｍｙｅｏｎ，Ｐｙｅｏｎｇｔａｅｋ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ，１７７０９，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110002262
【氏名又は名称】ＴＲＹ国際弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】キム キジュン
(72)【発明者】
【氏名】イ スンホ
【テーマコード（参考）】
5F045
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F045AA06
5F045AA15
5F045AD01
5F045AE01
5F045BB08
5F045DP19
5F045DQ05
5F045DQ17
5F045EB08
5F045EE17
5F045EK06
5F045EN04
5F131AA02
5F131BA04
5F131BA22
5F131BA24
5F131BB03
5F131CA32
5F131CA39
5F131CA45
(57)【要約】
【課題】大量の基板処理が同時に可能な基板処理装置及びそれを備える基板処理システムを提供する。
【解決手段】複数の基板１に対する基板処理が行われる第１処理モジュール１００と、前記第１処理モジュール１００に隣接して配置され、複数の基板１に対する基板処理が行われる第２処理モジュール２００と、前記第１処理モジュール１００の背面に隣接配置される第１ユーティリティ部３００と、前記第２処理モジュール２００の背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部３００との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部４００と、前記第１ユーティリティ部３００及び前記第２ユーティリティ部４００の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域Ｓ１と下部領域Ｓ２に区分する上部支持部５００と、を含む基板処理装置を開示する。
【選択図】図１
【解決手段】複数の基板１に対する基板処理が行われる第１処理モジュール１００と、前記第１処理モジュール１００に隣接して配置され、複数の基板１に対する基板処理が行われる第２処理モジュール２００と、前記第１処理モジュール１００の背面に隣接配置される第１ユーティリティ部３００と、前記第２処理モジュール２００の背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部３００との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部４００と、前記第１ユーティリティ部３００及び前記第２ユーティリティ部４００の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域Ｓ１と下部領域Ｓ２に区分する上部支持部５００と、を含む基板処理装置を開示する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、 前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、
含むことを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、 前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、
含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
前記第１処理モジュールは、
上側に配置され、前記基板を処理する第１基板処理部と、前記第１基板処理部の下側に配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第１基板ロード部とを含み、
前記第２処理モジュールは、
上側に配置され、前記基板を処理する第２基板処理部と、前記第２基板処理部の下側に前記第１基板ロード部に隣接して配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第２基板ロード部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
上側に配置され、前記基板を処理する第１基板処理部と、前記第１基板処理部の下側に配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第１基板ロード部とを含み、
前記第２処理モジュールは、
上側に配置され、前記基板を処理する第２基板処理部と、前記第２基板処理部の下側に前記第１基板ロード部に隣接して配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第２基板ロード部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記上部支持部は、
前記第１基板処理部及び前記第２基板処理部の下側に対応する高さに配置されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
前記第１基板処理部及び前記第２基板処理部の下側に対応する高さに配置されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記上部支持部は、
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの背面に接して配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの背面に接して配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記上部支持部は、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部に互いに対向する方向に突出して設けられる支持ブラケットと、前記支持ブラケットに支持される上部支持台とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部に互いに対向する方向に突出して設けられる支持ブラケットと、前記支持ブラケットに支持される上部支持台とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記上部支持部は、
前記第１処理モジュールの背面、前記第２処理モジュールの背面、前記第１ユーティリティ部の内側面及び前記第２ユーティリティ部の内側面で囲まれた領域に対応して設けられる支持フレームと、前記支持フレームに支持されて設けられる上部支持台とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１処理モジュールの背面、前記第２処理モジュールの背面、前記第１ユーティリティ部の内側面及び前記第２ユーティリティ部の内側面で囲まれた領域に対応して設けられる支持フレームと、前記支持フレームに支持されて設けられる上部支持台とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記上部支持部は、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられるフレーム部と、前記フレーム部を覆い、着脱自在に設けられるカバー部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられるフレーム部と、前記フレーム部を覆い、着脱自在に設けられるカバー部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記上部支持部は、
上下方向に貫通形成される複数の貫通口を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
上下方向に貫通形成される複数の貫通口を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記第１ユーティリティ部は、
前記第２ユーティリティ部が位置する方向の反対側の外側面が、前記第１処理モジュールの前記第２処理モジュールが位置した方向の反対側の側面と同じ平面上に位置するように配置され、
前記第２ユーティリティ部は、
前記第１ユーティリティ部が位置する方向の反対側の外側面が、前記第２処理モジュールの前記第１処理モジュールが位置した方向の反対側の側面と同じ平面上に位置するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第２ユーティリティ部が位置する方向の反対側の外側面が、前記第１処理モジュールの前記第２処理モジュールが位置した方向の反対側の側面と同じ平面上に位置するように配置され、
前記第２ユーティリティ部は、
前記第１ユーティリティ部が位置する方向の反対側の外側面が、前記第２処理モジュールの前記第１処理モジュールが位置した方向の反対側の側面と同じ平面上に位置するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記第１ユーティリティ部は、
前記第１処理モジュールにガスを供給する第１ガス供給部と、前記第１処理モジュールからガスを排気する第１ガス排気部と、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の上側に配置され、前記第１処理モジュールを制御する第１制御部と、を含み、
前記第２ユーティリティ部は、
前記第２処理モジュールにガスを供給する第２ガス供給部と、前記第２処理モジュールからガスを排気する第２ガス排気部と、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の上側に配置され、前記第２処理モジュールを制御する第２制御部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１処理モジュールにガスを供給する第１ガス供給部と、前記第１処理モジュールからガスを排気する第１ガス排気部と、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の上側に配置され、前記第１処理モジュールを制御する第１制御部と、を含み、
前記第２ユーティリティ部は、
前記第２処理モジュールにガスを供給する第２ガス供給部と、前記第２処理モジュールからガスを排気する第２ガス排気部と、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の上側に配置され、前記第２処理モジュールを制御する第２制御部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記上部支持部は、
一端が、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の少なくとも一つと前記第１制御部との間の境界に対応する高さに配置され、他端が、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の少なくとも一つと前記第２制御部との間の境界に対応する高さに配置されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
一端が、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の少なくとも一つと前記第１制御部との間の境界に対応する高さに配置され、他端が、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の少なくとも一つと前記第２制御部との間の境界に対応する高さに配置されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間のうち、前記メンテナンス空間の下部領域の底面に配置される下部支持部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記上部支持部の内部、下側、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールと前記上部支持部との間の少なくともいずれか一つに設けられる補助ユーティリティ部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記補助ユーティリティ部は、
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールと前記上部支持部との間で、上面が前記上部支持部の上面と同一平面をなすように設けられることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールと前記上部支持部との間で、上面が前記上部支持部の上面と同一平面をなすように設けられることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記補助ユーティリティ部は、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部から前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールにそれぞれ供給されるガスを断続するバルブモジュールを含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部から前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールにそれぞれ供給されるガスを断続するバルブモジュールを含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記バルブモジュールは、
前記第１ユーティリティ部と連結され、開閉を介して前記第１処理モジュールにガスを供給又は遮断する第１バルブモジュールと、前記第２ユーティリティ部と連結され、開閉を介して前記第２処理モジュールにガスを供給又は遮断する第２バルブモジュールとを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
前記第１ユーティリティ部と連結され、開閉を介して前記第１処理モジュールにガスを供給又は遮断する第１バルブモジュールと、前記第２ユーティリティ部と連結され、開閉を介して前記第２処理モジュールにガスを供給又は遮断する第２バルブモジュールとを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記補助ユーティリティ部は、
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールにパージガスを供給するパージガス供給部及び前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの一部を制御する補助制御部の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールにパージガスを供給するパージガス供給部及び前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの一部を制御する補助制御部の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記上部支持部の上側高さで一端が前記第１ユーティリティ部の背面に着脱自在に結合し、他端が前記第２ユーティリティ部の背面に着脱自在に結合して設けられる複数の安全バーをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項19】
基板が搬入され、保管される基板保管モジュールと、
前記基板を処理して、上下に垂直構造を有する請求項１～１８のいずれか１項に記載の基板処理装置と、
前記基板保管モジュールと前記基板処理装置との間で前記基板を搬送する基板搬送モジュールと、
を含むことを特徴とする基板処理システム。
前記基板を処理して、上下に垂直構造を有する請求項１～１８のいずれか１項に記載の基板処理装置と、
前記基板保管モジュールと前記基板処理装置との間で前記基板を搬送する基板搬送モジュールと、
を含むことを特徴とする基板処理システム。
【請求項20】
前記基板搬送モジュールは、
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールのそれぞれ正面に隣接配置され、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールに対して共通に使用されることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理システム。
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールのそれぞれ正面に隣接配置され、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールに対して共通に使用されることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置及びそれを備える基板処理システムに関し、より詳細には、大量の基板処理が同時に可能な基板処理装置及びそれを備える基板処理システムに関するものである。
【背景技術】
【0002】
素子を製造するためには、基板上に必要な薄膜を蒸着する工程や蒸着された薄膜を改質するために熱処理を行う工程が進行し、特に薄膜蒸着工程にはスパッタリング法、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、原子層蒸着法（ＡＬＤ）等が主に使用される。
【0003】
スパッタリング法は、プラズマ状態で生成されたアルゴンイオンをターゲットの表面に衝突させ、ターゲットの表面から離脱したターゲット物質が基板上に薄膜に蒸着する技術であり、接着性に優れた高純度の薄膜を形成できる長所はあるが、高アスペクト比を有する微細パターンを形成するには限界があった。
【0004】
化学気相蒸着法は、様々なガスを反応チャンバに注入し、熱、光又はプラズマなどの高エネルギーによって誘導されたガスを反応ガスと化学反応させることにより、基板上に薄膜を蒸着させる技術であり、化学気相蒸着法は、速かに起きる化学反応を利用するため、原子の熱力学的安定性を制御することは非常に困難であり、薄膜の物理的、化学的及び電気的特性が低下される問題があった。
【0005】
原子層蒸着法は、反応ガスであるソースガスとパージガスを交互に供給して基板上に原子層単位の薄膜を蒸着する技術であり、原子層蒸着法は、工程カバレッジ（Step Coverage）の限界を克服するために表面反応を用いるため、高アスペクト比を有する微細パターン形成に適しており、薄膜の電気的及び物理的特性に優れた長所がある。
【0006】
一方、原子層蒸着法の前記のような長所にも、ソースガスと反応ガスを供給する間にパージガスを交互に供給する工程により基板処理速度が低下し、生産性が低い問題があった。
【0007】
前述した蒸着工程だけでなく、熱処理などの工程においても、個々の基板に対してそれぞれ熱処理を行う工程は、基板の出し入れ時間に応じて基板処理速度が低下して生産性が低い問題点がある。
【0008】
このような問題点を解決するために、チャンバ内に複数の基板をロードし、一括して基板処理を行う縦形バッチ式の処理モジュールを使用する。
【0009】
また、さらに生産性の増進のために、垂直に複数の基板をロードし、同時に基板処理を行う処理モジュールを複数配置して使用する。
【0010】
このようなバッチ式の処理モジュールは、下側に基板をロード及びアンロードするためのロード領域と、上側に垂直に多数配置される基板を処理するための基板処理部が配置されるため、基板処理部及び基板処理部に各種ガスを供給して排気する付帯構成の設置位置が高くなり、メンテナンスのために作業者が狭い空間に梯子を設置して作業しなければならない問題があった。
【0011】
特に、制限された空間に配置される梯子などのメンテナンスのための工具は設置が難しく、設置後も作業空間の確保が難しく、梯子の上で作業が行われるため、作業者の安全が担保できない問題があった。
【0012】
また、従来基板処理装置は、メンテナンス工具の設置により、ロード領域に対応する高さのメンテナンスと処理モジュールに対応する高さのメンテナンスを同時に行うことができず、メンテナンス時間及び空間が増加する問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0013】
本発明の目的は、前記の問題を解決するために、上側処理モジュールに対するメンテナンスを容易、且つ安全に行うことができる基板処理装置及びそれを備える基板処理システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明は、前記のような本発明の目的を達成するために創出されたものであり、本発明は、複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、含む基板処理装置を開示する。
【0015】
前記第１処理モジュールは、上側に配置され、前記基板を処理する第１基板処理部と、前記第１基板処理部の下側に配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第１基板ロード部とを含み、前記第２処理モジュールは、上側に配置され、前記基板を処理する第２基板処理部と、前記第２基板処理部の下側に前記第１基板ロード部に隣接して配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第２基板ロード部とを含む。
【0016】
前記上部支持部は、前記第１基板処理部及び前記第２基板処理部の下側に対応する高さに配置される。
【0017】
前記上部支持部は、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの背面に接して配置される。
【0018】
前記上部支持部は、前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部に互いに対向する方向に突出して設けられる支持ブラケットと、前記支持ブラケットに支持される上部支持台とを含む。
【0019】
前記上部支持部は、前記第１処理モジュールの背面、前記第２処理モジュールの背面、前記第１ユーティリティ部の内側面及び前記第２ユーティリティ部の内側面で囲まれた領域に対応して設けられる支持フレームと、前記支持フレームに支持されて設けられる上部支持台とを含む。
【0020】
前記上部支持部は、前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられるフレーム部と、前記フレーム部を覆い、着脱自在に設けられるカバー部とを含む。
【0021】
前記上部支持部は、上下方向に貫通形成される複数の貫通口を含む。
【0022】
前記第１ユーティリティ部は、前記第２ユーティリティ部が位置する方向の反対側の外側面が、前記第１処理モジュールの前記第２処理モジュールが位置した方向の反対側の側面と同じ平面上に位置するように配置され、前記第２ユーティリティ部は、前記第１ユーティリティ部が位置する方向の反対側の外側面が、前記第２処理モジュールの前記第１処理モジュールが位置した方向の反対側の側面と同じ平面上に位置するように配置される。
【0023】
前記第１ユーティリティ部は、前記第１処理モジュールにガスを供給する第１ガス供給部と、前記第１処理モジュールからガスを排気する第１ガス排気部と、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の上側に配置され、前記第１処理モジュールを制御する第１制御部と、を含み、前記第２ユーティリティ部は、前記第２処理モジュールにガスを供給する第２ガス供給部と、前記第２処理モジュールからガスを排気する第２ガス排気部と、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の上側に配置され、前記第２処理モジュールを制御する第２制御部とを含む。
【0024】
前記上部支持部は、一端が、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の少なくとも一つと前記第１制御部との間の境界に対応する高さに配置され、他端が、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の少なくとも一つと前記第２制御部との間の境界に対応する高さに配置される。
【0025】
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間のうち、前記メンテナンス空間の下部領域の底面に配置される下部支持部をさらに含む。
【0026】
前記上部支持部の内部、下側、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールと前記上部支持部との間の少なくともいずれか一つに設けられる補助ユーティリティ部をさらに含む。
【0027】
前記補助ユーティリティ部は、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールと前記上部支持部との間で、上面が前記上部支持部の上面と同一平面をなすように設けられる。
【0028】
前記補助ユーティリティ部は、前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部から前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールにそれぞれ供給されるガスを断続するバルブモジュールを含む。
【0029】
前記バルブモジュールは、前記第１ユーティリティ部と連結され、開閉を介して前記第１処理モジュールにガスを供給又は遮断する第１バルブモジュールと、前記第２ユーティリティ部と連結され、開閉を介して前記第２処理モジュールにガスを供給又は遮断する第２バルブモジュールとを含む。
【0030】
前記補助ユーティリティ部は、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールにパージガスを供給するパージガス供給部及び前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの一部を制御する補助制御部の少なくとも一つを含む。
【0031】
前記上部支持部の上側高さで一端が前記第１ユーティリティ部の背面に着脱自在に結合し、他端が前記第２ユーティリティ部の背面に着脱自在に結合して設けられる複数の安全バーをさらに含む。
【0032】
また、本発明は、基板が搬入され、保管される基板保管モジュールと、前記基板を処理して、上下に垂直構造を有する基板処理装置と、前記基板保管モジュールと前記基板処理装置との間で前記基板を搬送する基板搬送モジュールとを含む基板処理システムを開示する。
【0033】
前記基板搬送モジュールは、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールのそれぞれ正面に隣接配置され、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールに対して共通に使用される。
【発明の効果】
【0034】
本発明による基板処理装置及びそれを備える基板処理システムは、比較的高い位置に位置する第１基板処理部及び第２基板処理部への接近が容易で安定した作業環境を提供することにより、作業者が安全、且つ精密なメンテナンスを行うことができる利点がある。
【0035】
また、本発明による基板処理装置及びそれを備える基板処理システムは、比較的高い位置に位置する構成に対するメンテナンスに対する作業者の安全を担保し、別途のメンテナンスのための工具設置を省略して既存工具設置のための空間を活用できる利点がある。
【0036】
さらに、本発明による基板処理装置及びそれを備える基板処理システムは、別途のメンテナンスのための工具設置を省略できることにより、上側領域と下側領域に対するメンテナンスを同時に行うことができ、迅速なメンテナンスが可能な利点がある。
【0037】
また、本発明による基板処理装置及びそれを備える基板処理システムは、一部構成を上部支持部に配置することにより、装置の全長を短くし、幅の増加を防止し、フットプリントを低減し、比較的広いメンテナンスのための空間を確保できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【図1】従来基板処理システムの様子を示す側面図である。
【図2】本発明による基板処理システムの様子を示す側面図である。
【図4】本発明による基板処理装置の様子を示す側面図である。
【図8】本発明による基板処理装置の他の実施例による様子を示す裏面図である。
【発明を実施するための形態】
【0039】
以下、本発明による基板処理装置及びそれを備える基板処理システムについて、添付図面を参照して説明する。
【0040】
本発明による基板処理システムは、図２に示すように、基板が搬入され、保管される基板保管モジュール１０と、前記基板を処理して上下に垂直構造を有する基板処理装置３０と、前記基板保管モジュール１０と前記基板処理装置３０との間で前記基板を搬送する基板搬送モジュール２０と、を含む。
【0041】
ここで、本発明による基板処理の対象である基板１は、蒸着、熱処理など基板処理が行われる構成であり、半導体製造用基板、ＬＣＤ製造用基板、ＯＬＥＤ製造用基板、太陽電池製造用基板、透明ガラス基板などのいずれかの基板も適用可能である。
【0042】
特に、本発明による基板処理の対象である基板１は、５０枚以上の複数の基板１を垂直方向に積層して同時に処理することができ、そのために複数の基板１が積層される基板保管部２を介して保管及び移動することができる。
【0043】
前記基板保管モジュール１０は、基板１が搬入され、保管される構成であり、様々な構成が可能である。
【0044】
例えば、前記基板保管モジュール１０は、複数の基板１が基板保管部２にロード及び挿入された状態で基板保管部２を外部から搬入し、臨時保管及び保管することができる。
【0045】
また、前記基板保管モジュール１０は、基板処理が完了した複数の基板がロード及び挿入された基板保管部２を内部から外部に搬出することができる。
【0046】
一方、前記基板保管モジュール１０は、処理対象の基板が保管される複数の基板保管部２を積載して一時的に保管することができ、保管された基板保管部２を後記する基板搬送モジュール２０に伝達して複数の基板を供給することによって工程を進めることができる。
【0047】
前記基板保管モジュール１０は、後記する第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００の前方に配置することができ、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００のそれぞれに対応して設けられてもよく、他の例として、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００に共通に使用され、各処理モジュールに保管された基板１を供給することができる。
【0048】
前記基板搬送モジュール２０は、基板保管モジュール１０と基板処理装置３０との間で基板を搬送する構成であり、様々な構成が可能である。
【0049】
例えば、前記基板搬送モジュール２０は、基板保管モジュール１０と基板処理装置３０との間で基板を搬送するように内部に基板搬送部２１を設けることができる。
【0050】
すなわち、前記基板搬送モジュール２０は、基板保管モジュール１０と基板処理装置３０との間に内部空間を有する別のチャンバが配置され、チャンバ内部に基板搬送部２１が設けられて基板保管モジュール１０から基板が搬送され、基板処理装置３０、すなわち、後記する第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００にそれぞれ基板を搬送することができる。
【0051】
このとき、前記基板搬送モジュール２０は、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００のそれぞれに対応して複数個で設けられてもよく、他の例として、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００に対して共通に使用することができる。
【0052】
より具体的に、前記基板搬送モジュール２０は、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００のそれぞれ正面に隣接して配置され、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００に対して共通に使用することができる。
【0053】
前記基板処理装置３０は、複数の基板１を同時に処理し、上下に垂直構造を有する構成であってもよい。
【0054】
一方、従来の基板処理装置は、図１に示すように、処理モジュール９０と処理モジュール９０の背面に設けられた第１ユーティリティ部３００と、第１ユーティリティ部３００の背面にさらに設けられたユーティリティ８０を含む。
【0055】
すなわち、従来の基板処理装置は、正面側の基板保管モジュール１０から背面側のユーティリティ８０まで長い長さを有して形成され、フットプリントが増加するとういう問題があった。
【0056】
一方、背面側のユーティリティ８０を第１ユーティリティ部３００に含める場合、第１ユーティリティ部３００の高さが高くなり、外部設置空間の制限が伴われるか、第１ユーティリティ部３００が厚くなるにつれてメンテナンス空間が狭くなる問題があった。
【0057】
また、従来の基板処理装置は、処理モジュール１００の上側に位置する反応管構成の高さが２８００ｍｍを越える高さであるため、反応管及び周辺構成に対するメンテナンス時の作業者の落下による怪我のリスクが存在し、その他のメンテナンスのためのジグ、梯子などのツールを利用する場合、作業が制限され、作業効率が低い問題があった。
【0058】
このような問題点を改善するために、本発明による基板処理装置は、図４～図７に示すように、複数の基板１に対する基板処理が行われる第１処理モジュール１００と、前記第１処理モジュール１００に隣接して配置され、複数の基板１に対する基板処理が行われる第２処理モジュール２００と、前記第１処理モジュール１００の背面に隣接配置される第１ユーティリティ部３００と、前記第２処理モジュール２００の背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部３００との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部４００と、前記第１ユーティリティ部３００及び前記第２ユーティリティ部４００の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域Ｓ１及び下部領域Ｓ２に区分する上部支持部５００を含む。
【0059】
前記第１処理モジュール１００は、複数の基板１に対する基板処理が行われる構成であり、様々な構成が可能である。
【0060】
例えば、前記第１処理モジュール１００は、上側に配置され、基板１を処理する第１基板処理部１１０と、第１基板処理部１１０の下側に配置され、基板１のロード及びアンロードが行われる第１基板ロード部１２０とを含むことができる。
【0061】
このとき、前記第１基板処理部１１０は、複数の基板１が積載されるボート４０が内部に収容され、基板処理を行う第１反応管１１１と、第１反応管１１１の下部に設けられ、後記する第１ガス供給部３１０及び第１ガス排気部３２０と連結される第１マニホールド１１２と、第１反応管１１１を取り囲んで設けられる第１ヒータ部１１３を含むことができる。
【0062】
前記第１基板ロード部１２０は、第１基板処理部１１０の下側に配置され、基板のロード及びアンロードが行われる構成であり、様々な構成が可能である。
【0063】
例えば、前記第１基板ロード部１２０は、第１基板処理部１１０の下部に配置され、第１基板処理部１１０に昇降して処理される基板１をロードするか、第１基板処理部１１０から基板処理が完了し、下降した基板１のアンロードを行うことができる。
【0064】
このために、前記第１基板ロード部１２０は、複数の基板１が積層される形態でロードされるボート４０と、ボート４０を上側に位置する第１基板処理部１１０に上昇させるためのボートエレベーター（図示せず）などを備えることができる。
【0065】
また、前記第１基板ロード部１２０は、背面に設けられて第１処理モジュール１００内部に接近可能なように第１メンテナンスドア１２１が設けられ、開閉を介して第１基板ロード部１２０の空間に接近することができ、第１基板ロード部１２０を介して上側に位置する第１基板処理部１１０に接近することができる。
【0066】
このとき、前記第１メンテナンスドア１２１は、ヒンジ回転によって開閉することができ、第１ユーティリティ部３００側に向かって回転して開放されるか、第２ユーティリティ部４００側に向かって回転して開放することができる。
【0067】
前記第２処理モジュール２００は、基板を処理する第２基板処理部２１０を含み、第１処理モジュール１００と隣接して配置される構成であり、様々な構成が可能である。
【0068】
すなわち、前記第２処理モジュール２００は、一側面が第１処理モジュール１００の一側面と接触して第１処理モジュール１００と隣接して配置され、このとき、第１処理モジュール１００と同一方向に並んで配置することができる。
【0069】
すなわち、前記第２処理モジュール２００は、第１処理モジュール１００と正面及び背面が同一方向に向かった状態で互いに対向する側面が接触するように配置することができる。
【0070】
一方、前記第２処理モジュール２００は、前述した第１処理モジュール１００と同様に、上側に配置され、基板を処理するための第２処理空間を内部に形成し、搬入される複数の基板１を処理する第２基板処理部２１０と、第２基板処理部２１０の下側に配置され、基板のロード及びアンロードが行われる第２基板ロード部２２０を含むことができる。
【0071】
このとき、前記第２基板処理部２１０は、複数の基板１が積載されるボート４０が内部に収容されて基板処理を行う第２反応管と、第２反応管の下部に設けられ、後記する第２ガス供給部４１０及び第２ガス排気部４２０と連結される第２マニホールドと、第２反応管を囲んで設けられる第２ヒータ部とを含むことができる。
【0072】
前記第２基板ロード部２２０は、第２基板処理部２１０の下側に配置され、基板のロード及びアンロードが行われる構成であり、様々な構成が可能である。
【0073】
例えば、前記第２基板ロード部２２０は、第２基板処理部２１０の下部に配置され、第２基板処理部２１０に昇降して処理される基板１をロードするか、第２基板処理部２１０から基板処理が完了して下降した基板１のアンロードを行うことができる。
【0074】
そのために、前記第２基板ロード部２２０は、複数の基板１が積層される形態でロードされるボート４０と、ボート４０を上側に位置する第２基板処理部２１０に上昇させるためのボートエレベーター（図示せず）等を備えることができる。
【0075】
前記第２基板ロード部２２０は、背面に設けられ、第２処理モジュール２００の内部に接近可能に設けられる第２メンテナンスドア２２１を含み、開閉を介して第２基板ロード部２２０の空間に接近することができ、第２基板ロード部２２０を介して上側に位置する第２基板処理部２１０に接近することができる。
【0076】
このとき、前記第２メンテナンスドア２２１は、ヒンジ回転によって開閉することができ、第２ユーティリティ部４００側に向かって回転して開放するか、第１ユーティリティ部３００側に向かって回転して開放することができる。
【0077】
前記第１ユーティリティ部３００は、第１処理モジュール１００の背面に隣接して配置される構成であり、様々な構成が可能である。
【0078】
例えば、前記第１ユーティリティ部３００は、第１処理モジュール１００にガスを供給する第１ガス供給部３１０と、第１処理モジュール１００からガスを排気する第１ガス排気部３２０と、第１ガス供給部３１０及び第１ガス排気部３２０の上側に配置され、第１処理モジュール１００を制御する第１制御部３３０とを含むことができる。
【0079】
前記第１ガス供給部３１０は、第１処理モジュール１００にガスを供給する構成であり、様々な構成が可能である。
【0080】
例えば、前記第１ガス供給部３１０は、第１基板処理部１１０のうち第１マニホールド１１２に連結され、基板処理のためのガスを供給することができ、そのために供給配管及び供給制御バルブなどが内部に設けられ、第１処理モジュール１００の背面に接して配置することができる。
【0081】
前記第１ガス排気部３２０は、第１処理モジュール１００内を排気する構成であり、より具体的には、第１基板処理部１１０のうち第１反応管１１１の内部を排気する構成であってもよい。
【0082】
例えば、前記第１ガス排気部３２０は、第１処理モジュール１００の背面に接して配置される第１ガス供給部３１０に背面方向に隣接して垂直に立てられて設けられ、外部の排気ポンプ（図示せず）と第１基板処理部１１０の第１マニホールド１１２との間を連結して、第１基板処理部１１０内を排気する排気ライン及び排気制御バルブを含むことができる。
【0083】
また、前記第１ガス排気部３２０は、内部に排気ラインを介して排出される排気ガスの圧力を調節するための圧力調節部及び各種センサーをさらに含むことができる。
【0084】
一方、前記第１ガス排気部３２０は、第１ガス供給部３１０と同様に直方体の形状で設けられ、一側面が第１ガス供給部３１０の背面に接触するように配置されてもよく、他側面が第１処理モジュール１００の背面方向に向くように配置されてもよい。
【0085】
前記第１制御部３３０は、第１ガス供給部３１０及び第１ガス排気部３２０の上側に配置される構成であり、様々な構成が可能である。
【0086】
このとき、前記第１制御部３３０は、第１基板処理部１１０を含む第１処理モジュール１００の各種構成を制御するための装置を備えることができ、例えば、第１基板処理部１１０内の温度及び圧力を調節する温度制御部、圧力制御部などを含むことができる。
【0087】
一方、前記第１制御部３３０は、第１ガス供給部３１０及び第１ガス排気部３２０の上側に配置されてもよく、第１処理モジュール１００の背面に接触するように配置されてもよい。
【0088】
一方、前記第１ユーティリティ部３００は、後記する第２ユーティリティ部４００との間にメンテナンス空間が形成されるように、外側の側面が第１処理モジュール１００の第２処理モジュール２００の反対側の側面と同一平面上に位置するように配置することができる。
【0089】
すなわち、第１ユーティリティ部３００は、後記する第２ユーティリティ部４００の反対側の側面が、第１処理モジュール１００の外側の側面と同一平面上に位置するように外側端に配置することができる。
【0090】
前記第２ユーティリティ部４００は、第２処理モジュール２００の背面に隣接して配置され、第１ユーティリティ部３００との間にメンテナンス空間を形成する構成であり、様々な構成が可能である。
【0091】
例えば、前記第２ユーティリティ部４００は、第２処理モジュール２００にガスを供給する第２ガス供給部４１０と、第２処理モジュール２００からガスを排気する第２ガス排気部４２０と、第２ガス供給部４１０及び第２ガス排気部４２０の上側に配置され、第２処理モジュール２００を制御する第２制御部４３０とを含むことができる。
【0092】
前記第２ガス供給部４１０は、第２処理モジュール２００にガスを供給する構成であり、様々な構成が可能である。
【0093】
例えば、前記第２ガス供給部４１０は、第２基板処理部２１０のうち第２マニホールドに連結され、基板処理のためのガスを供給することができ、そのために供給配管及び供給制御バルブなどが内部に設けられ、第２処理モジュール２００の背面に接して配置することができる。
【0094】
前記第２ガス排気部４２０は、第２処理モジュール２００内を排気する構成であり、より具体的には第２基板処理部２１０のうち第２反応管内部を排気する構成であってもよい。
【0095】
例えば、前記第２ガス排気部４２０は、第２処理モジュール２００の背面に接して配置される第２ガス供給部４１０に背面方向に隣接して垂直に立てられて設けられ、外部の排気ポンプ（図示せず）と第２基板処理部２１０の第２マニホールドとの間を連結して第２基板処理部２１０内を排気する排気ライン及び排気制御バルブを含むことができる。
【0096】
また、前記第２ガス排気部４２０は、内部に排気ラインを介して排出される排気ガスの圧力を調節するための圧力調節部及び各種センサーをさらに含むことができる。
【0097】
一方、前記第２ガス排気部４２０は、第２ガス供給部４１０と同様に直方体の形状で設けられ、一側面が第２ガス供給部４１０の背面に接触するように配置されてもよく、他側面が第２処理モジュール２００の背面方向に向くように配置されてもよい。
【0098】
前記第２制御部４３０は、第２ガス供給部４１０及び第２ガス排気部４２０の上側に配置される構成であり、様々な構成が可能である。
【0099】
このとき、前記第２制御部４３０は、第２基板処理部２１０を含む第２処理モジュール２００の各種構成を制御するための装置を備えることができ、例えば、第２基板処理部２１０内の温度及び圧力を調節する温度制御部、圧力制御部などを含むことができる。
【0100】
一方、前記第２制御部４３０は、第２ガス供給部４１０及び第２ガス排気部４２０の上側に配置されてもよく、第２処理モジュール２００の背面に接触するように配置されてもよい。
【0101】
一方、前記第２ユーティリティ部４００は、後記する第１ユーティリティ部３００との間にメンテナンス空間が形成されるように、外側の側面が第２処理モジュール２００の第１処理モジュール１００の反対側の側面と同一平面上に位置するように配置されてもよい。
【0102】
すなわち、第２ユーティリティ部４００は、後記する第１ユーティリティ部３００の反対側の側面が第２処理モジュール２００の外側の側面と同一平面上に位置するように外側端に配置されてもよい。
【0103】
前記上部支持部５００は、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００の間に設けられ、メンテナンス空間を上部領域Ｓ１及び下部領域Ｓ２に区分する構成であり、様々な構成が可能である。
【0104】
すなわち、前記上部支持部５００は、比較的高い位置に配置される第１基板処理部１１０及び第２基板処理部２１０に対するメンテナンス接近性を強化して安全かつ容易な作業環境確保のために第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００を設け、業者の足場として適用することができる。
【0105】
そのために、前記上部支持部５００は、上側に位置した構成に対する接近を容易にするように、第１基板処理部１１０及び第２基板処理部２１０の下側に対応する高さに配置することができる。
【0106】
すなわち、前記上部支持部５００は、第１マニホールド１１２に対応する高さに配置され、第１制御部３３０、第２制御部４３０、第１基板処理部１１０及び第２基板処理部２１０に対する接近及びメンテナンスが可能となる。
【0107】
また、他の例として、前記上部支持部５００は、一端が第１ガス供給部３１０及び第１ガス排気部３２０と第１制御部３３０境界に対応する高さに配置され、他端が第２ガス供給部４１０及び第２ガス排気部４２０と第２制御部４３０境界に対応する高さに配置することができる。
【0108】
すなわち、第１ガス供給部３１０及び第１ガス排気部３２０と第１制御部３３０境界に対応する高さに配置され、メンテナンス空間を第１制御部３３０及び第２制御部４３０で囲まれた上部領域Ｓ１と第１ガス供給部３１０、第１ガス排気部３２０、第２ガス供給部４１０及び第２ガス排気部４２０で囲まれた下部領域Ｓ２に区分することができる。
【0109】
このとき、前記上部支持部５００は、第１制御部３３０及び第２制御部４３０が第１ガス供給部３１０、第１ガス排気部３２０、第２ガス供給部４１０及び第２ガス排気部４２０よりも厚さが薄く形成され、一端が第１ガス供給部３１０及び第１ガス排気部３２０の上面に支持され、他端が第２ガス供給部４１０及び第２ガス排気部４２０の上面に支持されて設けられてもよい。
【0110】
また、前記上部支持部５００は、第１ガス供給部３１０及び第１ガス排気部３２０と第１制御部３３０境界に対応する高さと第２ガス供給部４１０及び第２ガス排気部４２０と第２制御部４３０境界に対応する高さのそれぞれに別途別々のブラケット５２０を設け、上部支持台５１０を支持して設けることができることは勿論である。
【0111】
一方、基板処理装置が設けられるＦａｂ内部は、通常天井側から底側への気流を形成してパーティクルを排気するところ、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００は、それぞれ排気関連ユーティリティを提供する第１ガス排気部３２０及び第２ガス排気部４２０が底側に隣接する位置に配置することができる。
【0112】
さらに、ガス供給及びガス排気のための各種配管も、安定的で屋外暴露を最小化するために、Ｆａｂ内の底に設けられるので、各種配管設置が必要な第１ガス供給部３１０、第１ガス排気部３２０、第２ガス供給部４１０及び第２ガス排気部４２０は底側である下部領域Ｓ２に配置され、相対的に設置位置に対する自由度が高い第１制御部３３０及び第２制御部４３０の構成は、残りの空間としてフットプリントを最小限に抑えることができる上部領域Ｓ１側に配置することができる。
【0113】
これにより、上下垂直に配置される第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００の構成上、第１ガス供給部３１０及び第１ガス排気部３２０と第１制御部３３０との間の境界に上部支持部５００が配置されることにより、第１制御部３３０と残りの構成である第１ガス供給部３１０及び第１ガス排気部３２０を区分して、各モジュール別にメンテナンスが可能に誘導することができる。
【0114】
一方、他の例として、前記上部支持部５００は、図８に示すように、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００に互いに対向する方向に突出して設けられる支持ブラケット５２０と、支持ブラケット５２０に支持される上部支持台５１０とを含むことができる。
【0115】
すなわち、前記上部支持部５００は、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００に互いに対向する方向に突出して設けられる支持ブラケット５２０を含み、支持ブラケット５２０を介して上部支持台５１０を支持する形態で設けることができる。
【0116】
このとき、前記支持ブラケット５２０は、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００に水平方向に長さを有して設けられ、上部支持台５１０を支持する構成であり、ボルト結合を介して結合することができる。
【0117】
一方、他の例として、前記上部支持部５００は、第１処理モジュール１００の背面、第２処理モジュール２００の背面、第１ユーティリティ部３００内側面及び第２ユーティリティ部４００内側面に囲まれた領域に対応して設けられた支持フレームに上部支持台５１０が支持されて設けられる構成であってもよい。
【0118】
このとき、前記支持フレームは、上部支持台５１０の背面方向側に第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００を横切る支持フレームが設けられ、上部支持台５１０をより安定的に支持することができる。
【0119】
一方、前記上部支持台５１０は、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００との間に設けられ、作業者を支持する構成であり、十分な剛性を有する材質であってもよい。
【0120】
特に、前記上部支持台５１０は、基板処理装置が設けられるクリーンルーム内部の上部から下側に向かって気流を形成して噴射されるクリーニングガスがメンテナンス空間のうち下部領域Ｓ２に投入されるように、上下方向に貫通形成される複数の貫通口５０１を含むことができる。
【0121】
すなわち、上部から下側に向けて噴射されるクリーニングガスが貫通口５０１を通過して下部領域Ｓ２に到達して排気するように誘導することができ、これにより下部領域Ｓ２に対するクリーニングもスムーズに行うことができる。
【0122】
したがって、前記上部支持台５１０は、複数の貫通口５０１が形成される構成であるところ、複数の貫通口５０１が形成された状態でも、作業者の荷重に耐えるのに十分な剛性を有する材質で形成することができる。
【0123】
また、他の例として、前記上部支持部５００は、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００の間に設けられるフレーム部と、フレーム部を覆い、着脱自在に設けられるカバー部を含むことができる。
【0124】
すなわち、前記上部支持部５００は、内部が貫通して支持のために第１ユーティリティ部３００と第２ユーティリティ部４００との間に設けられるフレーム部と、フレーム部の平面を覆い、着脱自在に設けられるカバー部を含むことにより、作業者がカバー部を着脱して除去することにより、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００それぞれの上側及び後記する補助ユーティリティ部８００の構成を作業者に露出することができる。
【0125】
これにより、作業者は、上部支持部５００に上がった状態でフレーム部の平面の少なくとも一部を覆うカバー部を除去し、第１ガス供給部３１０、第１ガス排気部３２０、第２ガス供給部４１０、第２ガス排気部４２０、バルブモジュール７００を含む補助ユーティリティ部８００を露出させ、これに対するメンテナンス作業を行うことができる。
【0126】
前記上部支持部５００は、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００の背面に接して配置されてもよく、他の例として、背面方向に一部離隔されて配置されてもよい。
【0127】
このとき、本発明による基板処理装置は、図７に示すように、上部支持部５００内部、下側、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００と上部支持部５００との間のうち少なくともいずれかに設けられた補助ユーティリティ部８００をさらに含むことができる。
【0128】
すなわち、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００とは別々に離隔して配置可能であり、空間容積が大きくない構成であり、前記補助ユーティリティ部８００を上部支持部５００の内部、下側及び上部支持部５００と第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００の間の少なくとも一方に設け、フットプリントを低減することができる。
【0129】
さらに、メンテナンス時に作業者が作業する空間として、上部支持部５００に隣接する位置に補助ユーティリティ部８００を配置することにより、メンテナンスが容易になる利点がある。
【0130】
このとき、前記補助ユーティリティ部８００は、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００の機能の実行に補助的に関与し、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００に補助的なユーティリティを提供する構成であってもよい。
【0131】
このとき、前記補助ユーティリティ部８００は、従来の第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００の構成を変更することなく設置可能な第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００から離隔して配置可能な構成であるか、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００とは別個の構成であってもよい。
【0132】
また、前記補助ユーティリティ部８００は、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００と隣接して配置される構成であるところ、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００と連結して設置可能な構成であってもよい。
【0133】
例えば、前記補助ユーティリティ部８００は、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００にそれぞれ供給されるガスを断続するバルブモジュール７００、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００にパージガスを供給するパージガス供給部８１０及び第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００一部を制御する補助制御部８２０の少なくとも一つを含むことができる。
【0134】
より好ましくは、前記補助ユーティリティ部８００は、第１処理モジュール１００、第２処理モジュール２００、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００のすべてに隣接して配置する必要性があるバルブモジュール７００、なかでも第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００に隣接してそれぞれに供給されるガスを最終的に断続するファイナルバルブとしてバルブモジュール７００を含むことができる。
【0135】
前記バルブモジュール７００は、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００から第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００にそれぞれ供給されるガスを断続する構成であり、様々な構成が可能である。
【0136】
例えば、前記バルブモジュール７００は、上部支持部５００が第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００に接して配置された場合、上部支持部５００の内部又は下側に設けられてもよく、より好ましくは、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００に隣接する位置に設けられてもよい。
【0137】
また、前記バルブモジュール７００は、上部支持部５００が第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００と離隔して設けられる場合、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００と上部支持部５００との間に設けることができる。
【0138】
この場合、前記バルブモジュール７００はまた、上部支持部５００と共に同作業者に足場として作用し、作業環境を提供する構成の一部として機能することができ、十分な剛性を有するハウジングが備えられてもよく、さらにハウジングの上面が上部支持部５００の上面と同一平面をなすように備えられてもよい。
【0139】
すなわち、前記バルブモジュール７００を第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００と上部支持部５００との間に設け、これらの上面が同一平面をなすように２塁徒労することによって、バルブモジュール７００が、作業者が作業をするための支持部、すなわち上部支持部５００の延長として機能して、作業者の作業便宜性を向上させ、別途のバルブモジュール７００の設置空間を確保する必要なく、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００と隣接した最適な位置に設置可能な利点がある。
【0140】
一方、他の例として、バルブモジュール７００の上面と上部支持部５００の上面が高いか低い段差をなすことによって、適切な作業環境を提供することもできることは勿論である。
【0141】
このとき、前記バルブモジュール７００は、第１ガス供給部３１０と連結されて開閉を介して前記第１処理モジュール１００にガスを供給又は遮断する第１バルブモジュールと、前記第２ガス供給部４１０と連結されて開閉を介して前記第２処理モジュール２００にガスを供給又は遮断する第２バルブモジュールを含むことができる。
【0142】
前記補助ユーティリティ部８００は、上部支持部５００の内部又は下側に設けられ、基板処理装置の一部構成に対するユーティリティを提供する構成であってもよい。
【0143】
例えば、前記補助ユーティリティ部８００は、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００にパージガスを供給するパージガス供給部８１０と、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００の一部を制御する補助制御部８２０とを含むことができる。
【0144】
すなわち、前記補助ユーティリティ部８００は、図１による従来基板処理装置のユーティリティ８０に対応される構成であり、全体のフットプリントを増加させる要因であるため、上部支持部５００内部又は下側に設けられることにより、全体フットプリントを低減することができる。
【0145】
このとき、前記補助ユーティリティ部８００は、図４及び図７に示すように、上部支持部５００の下側に配置することができ、バルブモジュール７００が設けられる場合、バルブモジュール７００から背面方向に配置することができる。
【0146】
一方、前記補助ユーティリティ部８００が設けられるとき、上部支持台５１０に形成される複数の貫通口５０１は、補助ユーティリティ部８００が設けられる位置を回避して形成することができる。
【0147】
また、前記補助ユーティリティ部８００は、前述した例と違って、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００の構成の一部が上部支持部５００の内部又は下側に設けられ、これにより第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００の幅を狭くして、メンテナンス空間をさらに確保するか、高さを減少させることができることはいうまでもない。
【0148】
さらに、前記補助ユーティリティ部８００及びバルブモジュール７００が上部支持部５００の内部又は下側に配置されることにより、下部領域Ｓ２において簡単な足場などのメンテナンスツールを利用して接近可能であるので、容易なメンテナンスが可能な利点がある。
【0149】
前記下部支持部６００は、第１ユーティリティ部３００及び第２ユーティリティ部４００の間のメンテナンス空間下部領域Ｓ２の底面に配置される構成であり、様々な構成が可能である。
【0150】
前記下部支持部６００は、十分な剛性を有して設けられる下部支持台６１０と、下部支持台６１０内部又は下側に設けられ、第１処理モジュール１００及び第２処理モジュール２００のそれぞれにガスを供給するガスボックス６２０及び補助制御部６３０を含むことができる。
【0151】
前記安全バー９００は、上部支持部５００の上側高さで一端が第１ユーティリティ部３００の背面に着脱自在に結合し、他端が第２ユーティリティ部４００の背面に着脱自在に結合して設けられる構成であり、上下方向に複数個設けることができる。
【0152】
これにより、前記安全バー９００は、着脱自在に設けられ、作業時に第１ユーティリティ部３００と第２ユーティリティ部４００を横切って設けられることにより、作業者の墜落及び落下を防止することができる。
【0153】
また、第１制御部３３０及び第２制御部４３０に安全リングが複数個設けられ、作業者の作業服に備えられた落下防止ロープと連結することにより、作業者の墜落及び落下を防止することができる。
【0154】
以上は、本発明によって実現することができる好ましい実施例の一部について説明したものに過ぎず、周知のように本発明の範囲は、前記実施例に限定されて解釈されるべきではなく、前述した発明の技術的思想とその思想を合わせた技術的思想は、すべて本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【0155】
１００ 第１処理モジュール
２００ 第２処理モジュール
３００ 第１ユーティリティ部
４００ 第２ユーティリティ部
５００ 上部支持部
２００ 第２処理モジュール
３００ 第１ユーティリティ部
４００ 第２ユーティリティ部
５００ 上部支持部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【手続補正書】
【提出日】2023-10-03
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの上側に対するメンテナンス及び接近のための上部領域と前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの下側に対するメンテナンス及び接近のための下部領域とに区分する上部支持部と、
含むことを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの上側に対するメンテナンス及び接近のための上部領域と前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの下側に対するメンテナンス及び接近のための下部領域とに区分する上部支持部と、
含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項2】
前記第１処理モジュールは、
上側に配置され、前記基板を処理する第１基板処理部と、前記第１基板処理部の下側に配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第１基板ロード部とを含み、
前記第２処理モジュールは、
上側に配置され、前記基板を処理する第２基板処理部と、前記第２基板処理部の下側に前記第１基板ロード部に隣接して配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第２基板ロード部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
上側に配置され、前記基板を処理する第１基板処理部と、前記第１基板処理部の下側に配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第１基板ロード部とを含み、
前記第２処理モジュールは、
上側に配置され、前記基板を処理する第２基板処理部と、前記第２基板処理部の下側に前記第１基板ロード部に隣接して配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第２基板ロード部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記第１処理モジュールは、
上側に配置され、前記基板を処理する第１基板処理部と、前記第１基板処理部の下側に配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第１基板ロード部とを含み、
前記第２処理モジュールは、
上側に配置され、前記基板を処理する第２基板処理部と、前記第２基板処理部の下側に前記第１基板ロード部に隣接して配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第２基板ロード部とを含み、
前記上部支持部は、
前記第１基板処理部及び前記第２基板処理部の下側に対応する高さに配置されることを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記第１処理モジュールは、
上側に配置され、前記基板を処理する第１基板処理部と、前記第１基板処理部の下側に配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第１基板ロード部とを含み、
前記第２処理モジュールは、
上側に配置され、前記基板を処理する第２基板処理部と、前記第２基板処理部の下側に前記第１基板ロード部に隣接して配置され、前記基板のロード及びアンロードが行われる第２基板ロード部とを含み、
前記上部支持部は、
前記第１基板処理部及び前記第２基板処理部の下側に対応する高さに配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項4】
前記上部支持部は、
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの背面に接して配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの背面に接して配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項5】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部は、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部に互いに対向する方向に突出して設けられる支持ブラケットと、前記支持ブラケットに支持される上部支持台とを含むことを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部は、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部に互いに対向する方向に突出して設けられる支持ブラケットと、前記支持ブラケットに支持される上部支持台とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項6】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部は、
前記第１処理モジュールの背面、前記第２処理モジュールの背面、前記第１ユーティリティ部の内側面及び前記第２ユーティリティ部の内側面で囲まれた領域に対応して設けられる支持フレームと、前記支持フレームに支持されて設けられる上部支持台とを含むことを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部は、
前記第１処理モジュールの背面、前記第２処理モジュールの背面、前記第１ユーティリティ部の内側面及び前記第２ユーティリティ部の内側面で囲まれた領域に対応して設けられる支持フレームと、前記支持フレームに支持されて設けられる上部支持台とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項7】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部は、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられるフレーム部と、前記フレーム部を覆い、着脱自在に設けられるカバー部とを含むことを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部は、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられるフレーム部と、前記フレーム部を覆い、着脱自在に設けられるカバー部とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項8】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部は、
上下方向に貫通形成される複数の貫通口を含むことを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部は、
上下方向に貫通形成される複数の貫通口を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項9】
前記第１ユーティリティ部は、
前記第２ユーティリティ部が位置する方向の反対側の外側面が、前記第１処理モジュールの前記第２処理モジュールが位置した方向の反対側の側面と同じ平面上に位置するように配置され、
前記第２ユーティリティ部は、
前記第１ユーティリティ部が位置する方向の反対側の外側面が、前記第２処理モジュールの前記第１処理モジュールが位置した方向の反対側の側面と同じ平面上に位置するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第２ユーティリティ部が位置する方向の反対側の外側面が、前記第１処理モジュールの前記第２処理モジュールが位置した方向の反対側の側面と同じ平面上に位置するように配置され、
前記第２ユーティリティ部は、
前記第１ユーティリティ部が位置する方向の反対側の外側面が、前記第２処理モジュールの前記第１処理モジュールが位置した方向の反対側の側面と同じ平面上に位置するように配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記第１ユーティリティ部は、
前記第１処理モジュールにガスを供給する第１ガス供給部と、前記第１処理モジュールからガスを排気する第１ガス排気部と、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の上側に配置され、前記第１処理モジュールを制御する第１制御部と、を含み、
前記第２ユーティリティ部は、
前記第２処理モジュールにガスを供給する第２ガス供給部と、前記第２処理モジュールからガスを排気する第２ガス排気部と、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の上側に配置され、前記第２処理モジュールを制御する第２制御部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
前記第１処理モジュールにガスを供給する第１ガス供給部と、前記第１処理モジュールからガスを排気する第１ガス排気部と、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の上側に配置され、前記第１処理モジュールを制御する第１制御部と、を含み、
前記第２ユーティリティ部は、
前記第２処理モジュールにガスを供給する第２ガス供給部と、前記第２処理モジュールからガスを排気する第２ガス排気部と、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の上側に配置され、前記第２処理モジュールを制御する第２制御部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項11】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記第１ユーティリティ部は、
前記第１処理モジュールにガスを供給する第１ガス供給部と、前記第１処理モジュールからガスを排気する第１ガス排気部と、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の上側に配置され、前記第１処理モジュールを制御する第１制御部と、を含み、
前記第２ユーティリティ部は、
前記第２処理モジュールにガスを供給する第２ガス供給部と、前記第２処理モジュールからガスを排気する第２ガス排気部と、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の上側に配置され、前記第２処理モジュールを制御する第２制御部とを含み、
前記上部支持部は、
一端が、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の少なくとも一つと前記第１制御部との間の境界に対応する高さに配置され、他端が、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の少なくとも一つと前記第２制御部との間の境界に対応する高さに配置されることを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記第１ユーティリティ部は、
前記第１処理モジュールにガスを供給する第１ガス供給部と、前記第１処理モジュールからガスを排気する第１ガス排気部と、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の上側に配置され、前記第１処理モジュールを制御する第１制御部と、を含み、
前記第２ユーティリティ部は、
前記第２処理モジュールにガスを供給する第２ガス供給部と、前記第２処理モジュールからガスを排気する第２ガス排気部と、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の上側に配置され、前記第２処理モジュールを制御する第２制御部とを含み、
前記上部支持部は、
一端が、前記第１ガス供給部及び前記第１ガス排気部の少なくとも一つと前記第１制御部との間の境界に対応する高さに配置され、他端が、前記第２ガス供給部及び前記第２ガス排気部の少なくとも一つと前記第２制御部との間の境界に対応する高さに配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項12】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間のうち、前記メンテナンス空間の下部領域の底面に配置される下部支持部をさらに含むことを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間のうち、前記メンテナンス空間の下部領域の底面に配置される下部支持部をさらに含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項13】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部の内部、下側、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールと前記上部支持部との間の少なくともいずれか一つに設けられる補助ユーティリティ部をさらに含むことを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部の内部、下側、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールと前記上部支持部との間の少なくともいずれか一つに設けられる補助ユーティリティ部をさらに含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項14】
前記補助ユーティリティ部は、
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールと前記上部支持部との間で、上面が前記上部支持部の上面と同一平面をなすように設けられることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールと前記上部支持部との間で、上面が前記上部支持部の上面と同一平面をなすように設けられることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記補助ユーティリティ部は、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部から前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールにそれぞれ供給されるガスを断続するバルブモジュールを含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部から前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールにそれぞれ供給されるガスを断続するバルブモジュールを含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記バルブモジュールは、
前記第１ユーティリティ部と連結され、開閉を介して前記第１処理モジュールにガスを供給又は遮断する第１バルブモジュールと、前記第２ユーティリティ部と連結され、開閉を介して前記第２処理モジュールにガスを供給又は遮断する第２バルブモジュールとを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
前記第１ユーティリティ部と連結され、開閉を介して前記第１処理モジュールにガスを供給又は遮断する第１バルブモジュールと、前記第２ユーティリティ部と連結され、開閉を介して前記第２処理モジュールにガスを供給又は遮断する第２バルブモジュールとを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記補助ユーティリティ部は、
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールにパージガスを供給するパージガス供給部及び前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの一部を制御する補助制御部の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールにパージガスを供給するパージガス供給部及び前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールの一部を制御する補助制御部の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項18】
複数の基板に対する基板処理が行われる第１処理モジュールと、
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部の上側高さで一端が前記第１ユーティリティ部の背面に着脱自在に結合し、他端が前記第２ユーティリティ部の背面に着脱自在に結合して設けられる複数の安全バーをさらに含むことを特徴とする基板処理装置。
前記第１処理モジュールに隣接して配置され、複数の基板に対する基板処理が行われる第２処理モジュールと、
前記第１処理モジュールの背面に隣接配置される第１ユーティリティ部と、
前記第２処理モジュールの背面に隣接配置され、前記第１ユーティリティ部との間にメンテナンス空間を形成する第２ユーティリティ部と、
前記第１ユーティリティ部及び前記第２ユーティリティ部の間に設けられ、前記メンテナンス空間を上部領域と下部領域とに区分する上部支持部と、を含み、
前記上部支持部の上側高さで一端が前記第１ユーティリティ部の背面に着脱自在に結合し、他端が前記第２ユーティリティ部の背面に着脱自在に結合して設けられる複数の安全バーをさらに含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項19】
基板が搬入され、保管される基板保管モジュールと、
前記基板を処理して、上下に垂直構造を有する請求項１～１８のいずれか１項に記載の基板処理装置と、
前記基板保管モジュールと前記基板処理装置との間で前記基板を搬送する基板搬送モジュールと、
を含むことを特徴とする基板処理システム。
前記基板を処理して、上下に垂直構造を有する請求項１～１８のいずれか１項に記載の基板処理装置と、
前記基板保管モジュールと前記基板処理装置との間で前記基板を搬送する基板搬送モジュールと、
を含むことを特徴とする基板処理システム。
【請求項20】
前記基板搬送モジュールは、
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールのそれぞれ正面に隣接配置され、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールに対して共通に使用されることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理システム。
前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールのそれぞれ正面に隣接配置され、前記第１処理モジュール及び前記第２処理モジュールに対して共通に使用されることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理システム。