ホーム > 特許ランキング > ギガフォトン株式会社
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024120652
(43)【公開日】2024-09-05
(54)【発明の名称】ＥＵＶ光生成装置、及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240829BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20240829BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
G03F7/20 521
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023027604
(22)【出願日】2023-02-24
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】筧田 知慶
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197GA05
2H197GA12
2H197GA24
2H197HA03
4C092AA06
4C092AB12
4C092AC09
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させる。
【解決手段】ＥＵＶ光生成装置は、チャンバと、第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、第１ターゲットに第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、第２ターゲットに第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、プラズマから放射されるＥＵＶ光を中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、プラズマから放射されるＥＵＶ光を撮像してプラズマの像を含む画像を生成するカメラと、プラズマの形状と制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と画像とを用いて中間集光点におけるＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求めてレーザ装置に出力するプロセッサと、を備える。
【選択図】図６
【解決手段】ＥＵＶ光生成装置は、チャンバと、第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、第１ターゲットに第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、第２ターゲットに第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、プラズマから放射されるＥＵＶ光を中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、プラズマから放射されるＥＵＶ光を撮像してプラズマの像を含む画像を生成するカメラと、プラズマの形状と制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と画像とを用いて中間集光点におけるＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求めてレーザ装置に出力するプロセッサと、を備える。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
チャンバと、
前記チャンバ内に第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、
前記第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、前記第１ターゲットに前記第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、プラズマ生成領域において前記第２ターゲットに前記第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、
前記プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
前記プラズマから放射される前記ＥＵＶ光を撮像して前記プラズマの像を含む画像を生成するカメラと、
前記プラズマの形状と前記制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と前記画像とを用いて前記中間集光点における前記ＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する前記制御パラメータの値を求めて前記レーザ装置に出力するプロセッサと、
を備えるＥＵＶ光生成装置。
前記チャンバ内に第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、
前記第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、前記第１ターゲットに前記第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、プラズマ生成領域において前記第２ターゲットに前記第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、
前記プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
前記プラズマから放射される前記ＥＵＶ光を撮像して前記プラズマの像を含む画像を生成するカメラと、
前記プラズマの形状と前記制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と前記画像とを用いて前記中間集光点における前記ＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する前記制御パラメータの値を求めて前記レーザ装置に出力するプロセッサと、
を備えるＥＵＶ光生成装置。
【請求項2】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記相関情報は、前記プラズマの形状と、前記プロファイルの形状と、前記制御パラメータとの相関関係を表す。
前記相関情報は、前記プラズマの形状と、前記プロファイルの形状と、前記制御パラメータとの相関関係を表す。
【請求項3】
請求項２に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記相関情報は、前記プラズマの形状と前記プロファイルの形状との相関関係を表す第１相関情報と、前記プラズマの形状と前記制御パラメータとの相関関係を表す第２相関情報とを含む。
前記相関情報は、前記プラズマの形状と前記プロファイルの形状との相関関係を表す第１相関情報と、前記プラズマの形状と前記制御パラメータとの相関関係を表す第２相関情報とを含む。
【請求項4】
請求項３に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記プロセッサは、
前記画像に基づいて前記プラズマの形状を計測し、
計測した前記プラズマの形状と前記第１相関情報とを用いて前記プロファイルの形状を推定し、
推定した前記プロファイルの形状と前記第１相関情報及び前記第２相関情報とを用いて前記制御パラメータの値を求める。
前記プロセッサは、
前記画像に基づいて前記プラズマの形状を計測し、
計測した前記プラズマの形状と前記第１相関情報とを用いて前記プロファイルの形状を推定し、
推定した前記プロファイルの形状と前記第１相関情報及び前記第２相関情報とを用いて前記制御パラメータの値を求める。
【請求項5】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記制御パラメータは、前記第１パルスレーザ光と前記第２パルスレーザ光との間の遅延時間、前記第１パルスレーザ光のパルスエネルギ、前記第２パルスレーザ光のパルスエネルギ、前記第１パルスレーザ光のパルス幅、及び前記第２パルスレーザ光のパルス幅のうちのいずれか１つ又は複数である。
前記制御パラメータは、前記第１パルスレーザ光と前記第２パルスレーザ光との間の遅延時間、前記第１パルスレーザ光のパルスエネルギ、前記第２パルスレーザ光のパルスエネルギ、前記第１パルスレーザ光のパルス幅、及び前記第２パルスレーザ光のパルス幅のうちのいずれか１つ又は複数である。
【請求項6】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記カメラは、前記第１パルスレーザ光及び前記第２パルスレーザ光のレーザ光軸に対して９０°の角度をなす方向から前記プラズマ生成領域を撮像する。
前記カメラは、前記第１パルスレーザ光及び前記第２パルスレーザ光のレーザ光軸に対して９０°の角度をなす方向から前記プラズマ生成領域を撮像する。
【請求項7】
請求項６に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記画像に基づいて、前記プラズマの直径と前記レーザ光軸方向の長さとを、前記プラズマの形状として計測し、計測した前記直径及び前記長さに基づいて前記プロファイルの形状を推定する。
前記画像に基づいて、前記プラズマの直径と前記レーザ光軸方向の長さとを、前記プラズマの形状として計測し、計測した前記直径及び前記長さに基づいて前記プロファイルの形状を推定する。
【請求項8】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記カメラは、前記第１パルスレーザ光及び前記第２パルスレーザ光のレーザ光軸に対して前記ＥＵＶ集光ミラーと軸対称となる方向から前記プラズマ生成領域を撮像する。
前記カメラは、前記第１パルスレーザ光及び前記第２パルスレーザ光のレーザ光軸に対して前記ＥＵＶ集光ミラーと軸対称となる方向から前記プラズマ生成領域を撮像する。
【請求項9】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、第１焦点が前記プラズマ生成領域に位置し、第２焦点が前記中間集光点に位置する回転楕円面の一部を反射面とする。
前記ＥＵＶ集光ミラーは、第１焦点が前記プラズマ生成領域に位置し、第２焦点が前記中間集光点に位置する回転楕円面の一部を反射面とする。
【請求項10】
請求項９に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記回転楕円面の回転対称軸を外した部分を前記反射面とし、かつ前記回転対称軸に対して非対称な軸外しミラーである。
前記ＥＵＶ集光ミラーは、前記回転楕円面の回転対称軸を外した部分を前記反射面とし、かつ前記回転対称軸に対して非対称な軸外しミラーである。
【請求項11】
電子デバイスの製造方法であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、
前記第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、前記第１ターゲットに前記第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、プラズマ生成領域において前記第２ターゲットに前記第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、
前記プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
前記プラズマから放射される前記ＥＵＶ光を撮像して前記プラズマの像を含む画像を生成するカメラと、
前記プラズマの形状と前記制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と前記画像とを用いて前記中間集光点における前記ＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する前記制御パラメータの値を求めて前記レーザ装置に出力するプロセッサと、
を備えるＥＵＶ光生成装置によって生成した前記ＥＵＶ光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記ＥＵＶ光を露光すること、
を含む電子デバイスの製造方法。
チャンバと、
前記チャンバ内に第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、
前記第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、前記第１ターゲットに前記第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、プラズマ生成領域において前記第２ターゲットに前記第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、
前記プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
前記プラズマから放射される前記ＥＵＶ光を撮像して前記プラズマの像を含む画像を生成するカメラと、
前記プラズマの形状と前記制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と前記画像とを用いて前記中間集光点における前記ＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する前記制御パラメータの値を求めて前記レーザ装置に出力するプロセッサと、
を備えるＥＵＶ光生成装置によって生成した前記ＥＵＶ光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記ＥＵＶ光を露光すること、
を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項12】
電子デバイスの製造方法であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、
前記第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、前記第１ターゲットに前記第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、プラズマ生成領域において前記第２ターゲットに前記第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、
前記プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
前記プラズマから放射される前記ＥＵＶ光を撮像して前記プラズマの像を含む画像を生成するカメラと、
前記プラズマの形状と前記制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と前記画像とを用いて前記中間集光点における前記ＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する前記制御パラメータの値を求めて前記レーザ装置に出力するプロセッサと、
を備えるＥＵＶ光生成装置によって生成した前記ＥＵＶ光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写すること、
を含む電子デバイスの製造方法。
チャンバと、
前記チャンバ内に第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、
前記第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、前記第１ターゲットに前記第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、プラズマ生成領域において前記第２ターゲットに前記第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、
前記プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、
前記プラズマから放射される前記ＥＵＶ光を撮像して前記プラズマの像を含む画像を生成するカメラと、
前記プラズマの形状と前記制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と前記画像とを用いて前記中間集光点における前記ＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する前記制御パラメータの値を求めて前記レーザ装置に出力するプロセッサと、
を備えるＥＵＶ光生成装置によって生成した前記ＥＵＶ光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写すること、
を含む電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、ＥＵＶ光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許第８６６９５４２号明細書
【特許文献2】米国特許第１０５８８２１１号明細書
【特許文献3】米国特許第８６６３８８１号明細書
【概要】
【0005】
本開示の１つの観点に係るＥＵＶ光生成装置は、チャンバと、チャンバ内に第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、第１ターゲットに第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、プラズマ生成領域において第２ターゲットに第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、プラズマから放射されるＥＵＶ光を撮像してプラズマの像を含む画像を生成するカメラと、プラズマの形状と制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と画像とを用いて中間集光点におけるＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求めてレーザ装置に出力するプロセッサと、を備える。
【0006】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバ内に第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、第１ターゲットに第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、プラズマ生成領域において第２ターゲットに第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、プラズマから放射されるＥＵＶ光を撮像してプラズマの像を含む画像を生成するカメラと、プラズマの形状と制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と画像とを用いて中間集光点におけるＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求めてレーザ装置に出力するプロセッサと、を備えるＥＵＶ光生成装置によって生成したＥＵＶ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にＥＵＶ光を露光すること、を含む。
【0007】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、チャンバと、チャンバ内に第１ターゲットを供給するターゲット供給装置と、第１ターゲットに入射させる第１パルスレーザ光を出力し、第１ターゲットに第１パルスレーザ光が入射することで生成される第２ターゲットに入射させる第２パルスレーザ光を出力し、プラズマ生成領域において第２ターゲットに第２パルスレーザ光が入射することで生成されるプラズマの形状と相関がある制御パラメータを調整可能に構成されたレーザ装置と、プラズマから放射されるＥＵＶ光を反射して中間集光点に集光するＥＵＶ集光ミラーと、プラズマから放射されるＥＵＶ光を撮像してプラズマの像を含む画像を生成するカメラと、プラズマの形状と制御パラメータとの相関関係を含む相関情報と画像とを用いて中間集光点におけるＥＵＶ光のプロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求めてレーザ装置に出力するプロセッサと、を備えるＥＵＶ光生成装置によって生成したＥＵＶ光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写すること、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0009】
＜内容＞
１．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
１．１ 構成
１．２ 動作
２．第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
２．１ 構成
２．１．１ 全体構成
２．１．２ 第１相関情報
２．１．３ 第２相関情報
２．２ 動作
２．３ 効果
３．第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
４．第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
５．第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
６．第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
７．変形例
８．その他
１．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
１．１ 構成
１．２ 動作
２．第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
２．１ 構成
２．１．１ 全体構成
２．１．２ 第１相関情報
２．１．３ 第２相関情報
２．２ 動作
２．３ 効果
３．第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
４．第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
５．第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
６．第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
７．変形例
８．その他
【0010】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0011】
１．比較例に係るＥＵＶ光生成装置
１．１ 構成
図１及び図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置２の構成を概略的に示す。図１は、ＥＵＶ光生成装置２を鉛直方向に切断した概略縦断面図である。図２は、ＥＵＶ光生成装置２を水平方向に切断した概略横断面図である。
１．１ 構成
図１及び図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置２の構成を概略的に示す。図１は、ＥＵＶ光生成装置２を鉛直方向に切断した概略縦断面図である。図２は、ＥＵＶ光生成装置２を水平方向に切断した概略横断面図である。
【0012】
ＥＵＶ光生成装置２は、チャンバ３、ターゲット供給装置４、レーザ装置５、及びプロセッサ６を含む。チャンバ３は、密閉可能な容器である。ターゲット供給装置４は、ドロップレット状のターゲットＴＧをチャンバ３の内部に供給する。ターゲットＴＧの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらのうちのいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。ターゲット供給装置４は、ノズル４ａの鉛直下方向に位置するプラズマ生成領域Ｒに向けて、ノズル４ａから一定の周期でターゲットＴＧを吐出する。ターゲットＴＧの直径は、１０μｍ～３０μｍである。
【0013】
チャンバ３の壁には、貫通孔が形成されている。その貫通孔は、ウィンドウ３１によって塞がれており、レーザ装置５から出力されるパルスレーザ光ＰＬがウィンドウ３１を透過する。チャンバ３の内部には、第１焦点及び第２焦点を有する回転楕円面の一部を反射面３２ａとするＥＵＶ集光ミラー３２が配置される。ＥＵＶ集光ミラー３２の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ集光ミラー３２は、第１焦点がプラズマ生成領域Ｒに位置し、第２焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されている。
【0014】
図２に示すように、ＥＵＶ集光ミラー３２は、回転楕円面の回転対称軸を外した部分を反射面３２ａとし、かつ回転対称軸に対して非対称な軸外しミラーである。回転対称軸は、第１の焦点と第２の焦点とを通る直線である。
【0015】
ＥＵＶ集光ミラー３２は、プラズマ生成領域Ｒで発生したプラズマＰから放射されるＥＵＶ光３３を反射して中間集光点ＩＦに集光し、外部装置７に出力する。外部装置７は、ＥＵＶ光３３を用いて所定の処理を行う。例えば、外部装置７は、検査装置又は露光装置である。
【0016】
レーザ装置５は、出力したパルスレーザ光ＰＬがウィンドウ３１を介してチャンバ３内に入射して、ターゲット供給装置４からプラズマ生成領域Ｒに供給されたターゲットＴＧに入射するように構成されている。具体的には、レーザ装置５は、パルスレーザ光ＰＬを伝送する不図示のレーザ光伝送装置と、レーザ光伝送装置により伝送されたパルスレーザ光ＰＬをプラズマ生成領域Ｒに集光する不図示のレーザ光集光光学系と、を含む。以下、レーザ光集光光学系の光軸を、レーザ光軸ＬＡという。レーザ光軸ＬＡは、回転対称軸と非平行であってもよい。
【0017】
また、レーザ装置５は、パルスレーザ光ＰＬとして、プリパルスレーザ光ＰＰＬとメインパルスレーザ光ＭＰＬとを出力する。具体的には、レーザ装置５は、プリパルスレーザ光ＰＰＬを出力する不図示のプリパルスレーザ装置と、メインパルスレーザ光ＭＰＬを出力する不図示のメインパルスレーザ装置と、を含む。例えば、プリパルスレーザ装置は、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶を用いたレーザ装置であり、メインパルスレーザ装置は、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶を用いたレーザ装置あるいはＣＯ２レーザ装置である。
【0018】
プリパルスレーザ光ＰＰＬのパルスエネルギは、メインパルスレーザ光ＭＰＬのパルスエネルギよりも小さい。レーザ装置５は、プリパルスレーザ光ＰＰＬと、メインパルスレーザ光ＭＰＬとをこの順に出力する。以下、プリパルスレーザ光ＰＰＬとメインパルスレーザ光ＭＰＬとを区別する必要がない場合には、単にパルスレーザ光ＰＬという。なお、プリパルスレーザ光ＰＰＬは、本開示の技術に係る「第１パルスレーザ光」の一例である。メインパルスレーザ光ＭＰＬは、本開示の技術に係る「第２パルスレーザ光」の一例である。
【0019】
また、チャンバ３には、ターゲットセンサ３４及びターゲット回収部３５が設けられている。ターゲットセンサ３４は、ターゲットＴＧの存在、軌跡、位置、及び速度のうち少なくとも１つを検出する。例えば、ターゲットセンサ３４は、ターゲット供給装置４から吐出されたターゲットＴＧの軌道上における所定の位置を通過する通過タイミングを検出する。なお、ターゲットセンサ３４は、ターゲットＴＧを撮像する撮像機能を備えていてもよい。ターゲット回収部３５は、ターゲット供給装置４の鉛直下方向に配置されており、プラズマ生成領域Ｒを通過したターゲットＴＧを回収する。
【0020】
また、ＥＵＶ光生成装置２は、チャンバ３の内部と外部装置７の内部とを連通させる接続部３６を含む。接続部３６の内部には、アパーチャ３６ａが形成された壁３６ｂが設けられている。壁３６ｂは、そのアパーチャ３６ａが中間集光点ＩＦに位置するように配置されている。
【0021】
プロセッサ６は、ハードウェア、又は、ハードウェアとソフトウェアとを組み合わせて構成された情報処理装置である。例えば、プロセッサ６は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）により構成されている。プロセッサ６は、プログラムを記憶した記憶装置を内蔵しており、プログラムに基づいて処理を実行する。なお、記憶装置は、プロセッサ６の外部に設けられてプロセッサ６に接続されていてもよい。
【0022】
プロセッサ６は、レーザ装置５、ターゲット供給装置４、ターゲットセンサ３４等を制御する。プロセッサ６は、ターゲット供給装置４によるターゲットＴＧの吐出動作と、レーザ装置５によるパルスレーザ光ＰＬの出力動作とを制御する。
【0023】
本開示において、ＥＵＶ集光ミラー３２で反射されたＥＵＶ光３３が外部装置７に出力される方向をＺ方向とする。また、鉛直方向をＹ方向とし、Ｚ方向とＹ方向とに直交する方向をＸ方向とする。中間集光点ＩＦを通るＥＵＶ光３３の光路軸３３ａは、Ｚ方向に平行である。光路軸３３ａは、ＥＵＶ集光ミラー３２により中間集光点ＩＦに集光されるＥＵＶ光３３の光束の中心軸である。
【0024】
１．２ 動作
比較例に係るＥＵＶ光生成装置２の動作を説明する。まず、プロセッサ６は、ターゲット供給装置４を制御して、ターゲットＴＧを所定の周期で吐出させる。プロセッサ６は、外部装置７から入力される発光タイミング信号ＴＳに基づいて、ターゲット供給装置４によるターゲットＴＧの吐出タイミングを制御してもよい。ターゲット供給装置４から吐出されたターゲットＴＧの各々は、プラズマ生成領域Ｒに供給される。
比較例に係るＥＵＶ光生成装置２の動作を説明する。まず、プロセッサ６は、ターゲット供給装置４を制御して、ターゲットＴＧを所定の周期で吐出させる。プロセッサ６は、外部装置７から入力される発光タイミング信号ＴＳに基づいて、ターゲット供給装置４によるターゲットＴＧの吐出タイミングを制御してもよい。ターゲット供給装置４から吐出されたターゲットＴＧの各々は、プラズマ生成領域Ｒに供給される。
【0025】
プロセッサ６は、プラズマ生成領域Ｒに供給されるターゲットＴＧの各々にパルスレーザ光ＰＬが入射するように、レーザ装置５を制御してパルスレーザ光ＰＬを所定の周期で出力させる。プロセッサ６は、ターゲットセンサ３４により検出されるターゲットＴＧの通過タイミングに基づいて、レーザ装置５によるパルスレーザ光ＰＬの出力タイミングを制御してもよい。
【0026】
より具体的には、プロセッサ６は、ターゲットＴＧの各々にプリパルスレーザ光ＰＰＬとメインパルスレーザ光ＭＰＬとが入射するように、レーザ装置５にプリパルスレーザ光ＰＰＬとメインパルスレーザ光ＭＰＬとを出力させる。図３に示すように、プロセッサ６は、プリパルスレーザ光ＰＰＬを出力した後、メインパルスレーザ光ＭＰＬを出力するまでの時間である遅延時間Δｔをレーザ装置５に設定する。
【0027】
また、プロセッサ６は、レーザ装置５によるパルスレーザ光ＰＬの出力動作に先立って、プリパルスレーザ光ＰＰＬのパルスエネルギＥｐとメインパルスレーザ光ＭＰＬのパルスエネルギＥｍとを設定してもよい。さらに、プロセッサ６は、レーザ装置５によるパルスレーザ光ＰＬの出力動作に先立って、プリパルスレーザ光ＰＰＬのパルス幅Ｗｐとメインパルスレーザ光ＭＰＬのパルス幅Ｗｍとを設定してもよい。以下、プリパルスレーザ光ＰＰＬのパルスエネルギＥｐを「ＰＰＬパルスエネルギＥｐ」という。メインパルスレーザ光ＭＰＬのパルスエネルギＥｍを「ＭＰＬパルスエネルギＥｍ」という。プリパルスレーザ光ＰＰＬのパルス幅Ｗｐを「ＰＰＬパルス幅Ｗｐ」という。メインパルスレーザ光ＭＰＬのパルス幅Ｗｍを「ＭＰＬパルス幅Ｗｍ」という。
【0028】
図４に示すように、ターゲットＴＧにはプリパルスレーザ光ＰＰＬが入射する。ターゲットＴＧは、プリパルスレーザ光ＰＰＬが入射することによって拡散し、微粒子によるミスト状の拡散ターゲットＤＴＧとなる。拡散ターゲットＤＴＧには、メインパルスレーザ光ＭＰＬが入射する。拡散ターゲットＤＴＧにメインパルスレーザ光ＭＰＬが入射することによってプラズマＰが生成され、プラズマＰからＥＵＶ光３３を含む光が放射される。
【0029】
このようにプラズマ生成領域Ｒで生成されたＥＵＶ光３３は、ＥＵＶ集光ミラー３２で反射され、ＥＵＶ集光ミラー３２の集光点である中間集光点ＩＦを経由して外部装置７に出力される。なお、ターゲットＴＧは、本開示の技術に係る「第１ターゲット」の一例である。拡散ターゲットＤＴＧは、本開示の技術に係る「第２ターゲット」の一例である。
【0030】
１．３ 課題
比較例に係るＥＵＶ光生成装置２の課題を説明する。ＥＵＶ集光ミラー３２は軸外しミラーであるため、図２に示すように、ＥＵＶ集光ミラー３２は、プラズマ生成領域Ｒで生成されたプラズマＰからレーザ光軸ＬＡに対して斜め方向に放出されたＥＵＶ光３３を捕集して中間集光点ＩＦに集光する。プラズマＰは、レーザ光軸ＬＡに沿って伸びた形状となるため、ＥＵＶ集光ミラー３２から見たプラズマＰの形状は円形ではない。このため、図５に示すように、中間集光点ＩＦにおけるＥＵＶ光３３のプロファイルの形状は、円形ではなく、例えば楕円形となる。なお、中間集光点ＩＦにおけるＥＵＶ光３３のプロファイルとは、光路軸３３ａに直交する平面におけるＥＵＶ光３３の強度分布をいう。以下、中間集光点ＩＦにおけるＥＵＶ光３３のプロファイルを「ＩＦ点プロファイル」という。
比較例に係るＥＵＶ光生成装置２の課題を説明する。ＥＵＶ集光ミラー３２は軸外しミラーであるため、図２に示すように、ＥＵＶ集光ミラー３２は、プラズマ生成領域Ｒで生成されたプラズマＰからレーザ光軸ＬＡに対して斜め方向に放出されたＥＵＶ光３３を捕集して中間集光点ＩＦに集光する。プラズマＰは、レーザ光軸ＬＡに沿って伸びた形状となるため、ＥＵＶ集光ミラー３２から見たプラズマＰの形状は円形ではない。このため、図５に示すように、中間集光点ＩＦにおけるＥＵＶ光３３のプロファイルの形状は、円形ではなく、例えば楕円形となる。なお、中間集光点ＩＦにおけるＥＵＶ光３３のプロファイルとは、光路軸３３ａに直交する平面におけるＥＵＶ光３３の強度分布をいう。以下、中間集光点ＩＦにおけるＥＵＶ光３３のプロファイルを「ＩＦ点プロファイル」という。
【0031】
このように、ＩＦ点プロファイルの円形度が低い場合には、外部装置７においてＥＵＶ光３３を整形することが難しいことなどの問題がある。したがって、ＥＵＶ集光ミラー３２がプラズマＰからレーザ光軸ＬＡに対して斜め方向に放出されたＥＵＶ光３３を捕集する場合においても、円形度が高いＩＦ点プロファイルを有するＥＵＶ光３３を出力することが求められている。
【0032】
２．第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａについて説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａについて説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0033】
【0034】
ＥＵＶ光生成装置２ａは、ＥＵＶ光３３の波長に対して感度を有するカメラ８を備える。本実施形態では、チャンバ３の壁にウィンドウ３１で塞がれた貫通孔とは異なる貫通孔が形成されており、その貫通孔は、ウィンドウ３７で塞がれている。カメラ８は、プラズマ生成領域ＲにおいてプラズマＰから放射されるＥＵＶ光３３を撮像してプラズマＰの像を含む画像ＰＤを生成してプロセッサ６に出力する。プラズマ生成領域ＲにおけるＥＵＶ光３３の放射分布の形状は、プラズマＰの形状に対応する。
【0035】
例えば、カメラ８は、ＥＵＶ光３３に反応して可視光を発生する蛍光板と、蛍光板が発生した可視光を二次元的に撮像するイメージセンサと、で構成されている。例えば、蛍光板は、ＹＡＧ：Ｃｅ結晶板である。
【0036】
本実施形態では、カメラ８は、レーザ光軸ＬＡに対して９０°の角度をなす方向からプラズマ生成領域Ｒを撮像するように配置されている。例えば、カメラ８の撮像方向は、レーザ光軸ＬＡとＹ方向とに直交する方向である。
【0037】
ＥＵＶ光生成装置２ａは、プラズマＰの形状と制御パラメータとの相関関係を含む相関情報を記憶した記憶装置６ａを有する。例えば、相関情報は、プラズマＰの形状と、ＩＦ点プロファイルの形状と、制御パラメータとの相関関係を表す。本実施形態では、相関情報は、第１相関情報Ｄ１と第２相関情報Ｄ２とを含む。第１相関情報Ｄ１は、プラズマＰの形状とＩＦ点プロファイルとの相関関係を表す情報である。第２相関情報Ｄ２は、プラズマＰの形状と制御パラメータとの相関関係を表す情報である。
【0038】
制御パラメータは、プラズマＰの形状と相関があるレーザ装置５のパラメータであって、プラズマＰの形状を変更することを可能とする。制御パラメータには、遅延時間Δｔ、ＰＰＬパルスエネルギＥｐ、ＭＰＬパルスエネルギＥｍ、ＰＰＬパルス幅Ｗｐ、及びＭＰＬパルス幅Ｗｍのうちのいずれか１つ又は複数が含まれる。
【0039】
本実施形態では、レーザ装置５は、上述の制御パラメータを調整するための制御パラメータ調整部５ａを有する。制御パラメータ調整部５ａは、プリパルスレーザ装置とメインパルスレーザ装置とのうちの少なくとも１つを制御することにより制御パラメータを調整するコントローラである。
【0040】
プロセッサ６は、カメラ８から出力された画像ＰＤに基づいてＩＦ点プロファイルの形状を推定し、推定したＩＦ点プロファイルの形状に基づいてＩＦ点プロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求めてレーザ装置５に出力する。詳しくは後述するが、プロセッサ６は、第１相関情報Ｄ１及び第２相関情報Ｄ２を用いてＩＦ点プロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求める。
【0041】
本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａのその他の構成は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置２の構成と同様である。
【0042】
２．１．２ 第１相関情報
第１相関情報Ｄ１について説明する。図７に示すように、第１相関情報Ｄ１は、画像ＰＤに含まれるプラズマＰの像からＩＦ点プロファイルの形状を推定するための情報である。プラズマＰを、レーザ光軸ＬＡを回転対称軸とする回転楕円体と仮定することにより、画像ＰＤに基づいてプラズマＰの長さＰｘ及び直径Ｐｙを計測することができる。長さＰｘは、レーザ光軸ＬＡ方向のプラズマＰの長さである。直径Ｐｙは、レーザ光軸ＬＡに直交する平面におけるプラズマＰの直径である。本実施形態では、カメラ８は、レーザ光軸ＬＡに対して９０°の角度をなす方向からプラズマ生成領域Ｒを撮像するので、楕円形のプラズマＰの像の長径及び短径が、プラズマＰの長さＰｘ及び直径Ｐｙに対応する。
第１相関情報Ｄ１について説明する。図７に示すように、第１相関情報Ｄ１は、画像ＰＤに含まれるプラズマＰの像からＩＦ点プロファイルの形状を推定するための情報である。プラズマＰを、レーザ光軸ＬＡを回転対称軸とする回転楕円体と仮定することにより、画像ＰＤに基づいてプラズマＰの長さＰｘ及び直径Ｐｙを計測することができる。長さＰｘは、レーザ光軸ＬＡ方向のプラズマＰの長さである。直径Ｐｙは、レーザ光軸ＬＡに直交する平面におけるプラズマＰの直径である。本実施形態では、カメラ８は、レーザ光軸ＬＡに対して９０°の角度をなす方向からプラズマ生成領域Ｒを撮像するので、楕円形のプラズマＰの像の長径及び短径が、プラズマＰの長さＰｘ及び直径Ｐｙに対応する。
【0043】
プラズマＰの長さＰｘは、ＩＦ点プロファイルのＸ方向のサイズＳｘに対応する。プラズマＰの直径Ｐｙは、ＩＦ点プロファイルのＹ方向のサイズＳｙに対応する。以下、Ｘ方向のサイズＳｘを「Ｘ方向サイズＳｘ」といい、Ｙ方向のサイズＳｙを「Ｙ方向サイズＳｙ」という。Ｘ方向サイズＳｘ及びＹ方向サイズＳｙは、ＩＦ点プロファイルの形状を表す。
【0044】
第１相関情報Ｄ１は、プラズマＰの長さＰｘ及び直径Ｐｙと、ＩＦ点プロファイルのＸ方向サイズＳｘ及びＹ方向サイズＳｙとの関係を規定している。
【0045】
図８は、第１相関情報Ｄ１の一例を示す。図８に示す例では、第１相関情報Ｄ１は、下式（１）及び下式（２）の関数により表される。ここで、長さＰｘ及び直径Ｐｙの単位を、任意単位としている。
Ｓｘ＝９．４Ｐｘ＋８１．９ ・・・（１）
Ｓｙ＝１３．７Ｐｙ＋３７．４ ・・・（２）
Ｓｘ＝９．４Ｐｘ＋８１．９ ・・・（１）
Ｓｙ＝１３．７Ｐｙ＋３７．４ ・・・（２）
【0046】
上式（１）は、Ｐｙ＝７とした場合における長さＰｘとＸ方向サイズＳｘとの関係を表している。上式（２）は、Ｐｘ＝５とした場合における長さＰｙとＹ方向サイズＳｙとの関係を表している。
【0047】
プロセッサ６は、画像ＰＤに基づいて計測したプラズマＰの長さＰｘ及び直径Ｐｙをそれぞれ上式（１）及び上式（２）に代入することにより、ＩＦ点プロファイルのＸ方向サイズＳｘ及びＹ方向サイズＳｙを推定する。
【0048】
第１相関情報Ｄ１は、実測とシミュレーションとのいずれによって求めたものであってもよい。上式（１）及び上式（２）は、シミュレーションによって求めた第１相関情報Ｄ１の一例である。
【0049】
第１相関情報Ｄ１をシミュレーションによって作成する手順の一例を説明する。まず、プラズマＰの形状を回転楕円体形状と仮定し、画像ＰＤにアーベル変換を行うことにより、仮想的な三次元プラズマを作成する。次に、作成した三次元プラズマから放射される光がＥＵＶ集光ミラー３２に反射されて中間集光点ＩＦに結ぶ像を、光線追跡計算によって求める。そして、中間集光点ＩＦに結ぶ像の形状と、画像ＰＤに含まれるプラズマＰの像の形状との相関関係を求め、求めた相関関係を表す情報を第１相関情報Ｄ１とする。
【0050】
図９は、第１相関情報Ｄ１の他の例を示す。図９に示す第１相関情報Ｄ１は、上式（１）及び上式（２）をテーブル化したデータテーブルである。プロセッサ６は、データテーブルを用いてＩＦ点プロファイルの形状を推定してもよい。なお、データテーブルに存在しない数値については、補完処理等を行って取得すればよい。
【0051】
なお、第１相関情報Ｄ１は、プラズマＰの形状とＩＦ点プロファイルの形状との相関関係を規定するものであればよく、上記の例に限定されるものではない。
【0052】
２．１．３ 第２相関情報
第２相関情報Ｄ２について説明する。本実施形態では、第２相関情報Ｄ２は、プラズマＰの形状と遅延時間Δｔとの相関関係を規定する。遅延時間Δｔは、レーザ装置５の制御パラメータの一例である。
第２相関情報Ｄ２について説明する。本実施形態では、第２相関情報Ｄ２は、プラズマＰの形状と遅延時間Δｔとの相関関係を規定する。遅延時間Δｔは、レーザ装置５の制御パラメータの一例である。
【0053】
図１０は、第２相関情報Ｄ２の一例を示す。図１０において縦軸は寸法を表し、横軸は遅延時間Δｔを表す。図１０に示すように、プラズマＰの長さＰｘは、遅延時間Δｔに対する依存性が高く、遅延時間Δｔが長くなるほど長くなる。これに対して、プラズマＰの直径Ｐｙは、遅延時間Δｔに対する依存性が低く、遅延時間Δｔを変更しても殆ど変化しない。これは、遅延時間Δｔを調整することにより、プラズマＰの形状を変化させてＩＦ点プロファイルの形状を変更することが可能であることを意味する。このため、本実施形態では、プラズマＰの長さＰｘと遅延時間Δｔとの相関関係を表す情報を第２相関情報Ｄ２とする。
【0054】
図１０に示す例では、第２相関情報Ｄ２は、下式（３）の関数により表される。ここで、長さＰｘ及び遅延時間Δｔの単位を、任意単位としている。
Ｐｘ＝０．１７Δｔ＋４．２ ・・・（３）
Ｐｘ＝０．１７Δｔ＋４．２ ・・・（３）
【0055】
プロセッサ６は、第１相関情報Ｄ１を用いて推定したＩＦ点プロファイルの円形度が小さい場合に、第１相関情報Ｄ１及び第２相関情報Ｄ２を用いてＩＦ点プロファイルの円形度が向上する遅延時間Δｔの値を求める。例えば、円形度は、Ｘ方向サイズＳｘとＹ方向サイズＳｙとの差分値で規定される。差分値が小さいほど円形度が高い。したがって、プロセッサ６は、差分値が大きい場合、第１相関情報Ｄ１を用いて当該差分値をゼロにするためのプラズマＰの長さＰｘを求め、求めたプラズマＰの長さＰｘを第２相関情報Ｄ２としての上式（３）に代入することにより遅延時間Δｔの値を求める。なお、Ｙ方向サイズＳｙをＸ方向サイズＳｘの目標値として遅延時間Δｔの値を求めてもよい。
【0056】
第２相関情報Ｄ２は、第１相関情報Ｄ１と同様に、実測とシミュレーションとのいずれによって求めたものであってもよい。上式（３）は、実験によって求めた第２相関情報Ｄ２の一例である。
【0057】
図１１は、第２相関情報Ｄ２の他の例を示す。図１１に示す第２相関情報Ｄ２は、上式（３）をテーブル化したデータテーブルである。プロセッサ６は、データテーブルを用いてＩＦ点プロファイルの円形度が向上する遅延時間Δｔの値を求めてもよい。なお、データテーブルに存在しない数値については、補完処理等を行って取得すればよい。
【0058】
なお、プロセッサ６は、プラズマＰの長さＰｘの遅延時間Δｔに対する依存性の他に、プラズマＰの直径Ｐｙの遅延時間Δｔに対する依存性を考慮して、ＩＦ点プロファイルの円形度が向上する遅延時間Δｔの値を求めてもよい。
【0059】
第２相関情報Ｄ２は、プラズマＰの形状と制御パラメータとの相関関係を規定するものであればよく、上記の例に限定されるものではない。
【0060】
２．２ 動作
第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの動作を説明する。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの動作は、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるためのプロファイル調整制御を付加的に行うこと以外は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置２の動作と同様である。
第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの動作を説明する。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの動作は、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるためのプロファイル調整制御を付加的に行うこと以外は、比較例に係るＥＵＶ光生成装置２の動作と同様である。
【0061】
図１２は、プロファイル調整制御の流れを示す。まず、プロセッサ６は、カメラ８から画像ＰＤを取得する（ステップＳ１０）。なお、カメラ８は、撮像を常時行っていてもよい。また、カメラ８は、断続的又は不定期に撮像を行ってもよい。不定期に撮像を行う場合、例えば、プロセッサ６は、ターゲットセンサ３４により検出されるターゲットＴＧの通過タイミングに基づいて、撮像タイミングをカメラ８に指示することにより、カメラ８に撮像を行わせ、カメラ８が出力した画像ＰＤを取得する。
【0062】
次に、プロセッサ６は、画像ＰＤに基づいてＩＦ点プロファイルの形状を推定する（ステップＳ１１）。プロセッサ６は、推定したＩＦ点プロファイルの円形度が外部装置７の要求を満たすか否かを判定する（ステップＳ１２）。なお、外部装置７の種類によって要求される円形度が異なる場合がある。
【0063】
プロセッサ６は、推定したＩＦ点プロファイルの円形度が外部装置７の要求を満たさないと判定した場合には（ステップＳ１２：ＮＯ）、ＩＦ点プロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求める（ステップＳ１３）。そして、プロセッサ６は、求めた制御パラメータの値をレーザ装置５に出力する（ステップＳ１４）。レーザ装置５の制御パラメータ調整部５ａは、プロセッサ６から出力された値となるように制御パラメータを調整する。
【0064】
この後、プロセッサ６は、処理をステップＳ１０に戻す。プロセッサ６は、推定したＩＦ点プロファイルの円形度が外部装置７の要求を満たすと判定するまでの間、ステップＳ１０～Ｓ１４を繰り返し実行する。プロセッサ６は、推定したＩＦ点プロファイルの円形度が外部装置７の要求を満たすと判定した場合には（ステップＳ１２：ＹＥＳ）、処理を終了する。
【0065】
図１３は、図１２のステップＳ１１の処理を具体的に説明する。ステップＳ１１において、プロセッサ６は、画像ＰＤに基づいてプラズマＰの長さＰｘ及び直径Ｐｙを計測する（ステップＳ１１１）。次に、プロセッサ６は、第１相関情報Ｄ１を用いて、ＩＦ点プロファイルのＸ方向サイズＳｘ及びＹ方向サイズＳｙを推定する（ステップＳ１１２）。例えば、プロセッサ６は、ステップＳ１１１で計測した長さＰｘ及び直径Ｐｙをそれぞれ上式（１）及び上式（２）に代入することにより、Ｘ方向サイズＳｘ及びＹ方向サイズＳｙを推定する。
【0066】
図１４は、図１２のステップＳ１３の処理を具体的に説明する。ステップＳ１３において、プロセッサ６は、第１相関情報Ｄ１を用いて、Ｘ方向サイズＳｘとＹ方向サイズＳｙとの差分値をゼロに近づけるためのプラズマＰの長さＰｘを求める（ステップＳ１３１）。次に、プロセッサ６は、第２相関情報Ｄ２を用いて、求めたプラズマＰの長さＰｘに対応する制御パラメータの値を求める（ステップＳ１３２）。例えば、プロセッサ６は、求めたプラズマＰの長さＰｘを上式（３）に代入することにより遅延時間Δｔの値を求める。
【0067】
２．３ 効果
本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、プラズマ生成領域Ｒを撮像することにより得られた画像ＰＤに基づき、ＩＦ点プロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求めてレーザ装置５に出力する。このため、プラズマＰからレーザ光軸ＬＡに対して斜め方向に放出されたＥＵＶ光３３をＥＵＶ集光ミラー３２が捕集して中間集光点ＩＦに集光する場合であっても、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させることができる。
本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、プラズマ生成領域Ｒを撮像することにより得られた画像ＰＤに基づき、ＩＦ点プロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求めてレーザ装置５に出力する。このため、プラズマＰからレーザ光軸ＬＡに対して斜め方向に放出されたＥＵＶ光３３をＥＵＶ集光ミラー３２が捕集して中間集光点ＩＦに集光する場合であっても、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させることができる。
【0068】
また、本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、ＥＵＶ光３３を生成する動作中に、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるプロファイル調整制御を行うことができる。
【0069】
３．第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
次に、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａについて説明する。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるための制御パラメータをＭＰＬパルスエネルギＥｍとし、第２相関情報Ｄ２を、プラズマＰの形状とＭＰＬパルスエネルギＥｍとの相関関係を表す情報とする。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａのその他の構成は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの構成と同様である。
次に、第２実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａについて説明する。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるための制御パラメータをＭＰＬパルスエネルギＥｍとし、第２相関情報Ｄ２を、プラズマＰの形状とＭＰＬパルスエネルギＥｍとの相関関係を表す情報とする。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａのその他の構成は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの構成と同様である。
【0070】
図１５は、ＭＰＬパルスエネルギＥｍを変化させた場合におけるプラズマＰの形状変化を示す。本願の発明者は、実験によってＭＰＬパルスエネルギＥｍを変化させた場合に、プラズマＰの直径Ｐｙよりも長さＰｘが顕著に変化することを確認している。したがって、ＭＰＬパルスエネルギＥｍは、プラズマＰの形状を変更することを可能とする制御パラメータである。
【0071】
図１６は、第２実施形態に係る第２相関情報Ｄ２の一例を示す。図１６において縦軸は寸法を表し、横軸はＭＰＬパルスエネルギＥｍを表す。図１６に示す例では、第２相関情報Ｄ２は、下式（４）の関数により表される。ここで、ＭＰＬパルスエネルギＥｍの単位を、任意単位としている。
Ｐｘ＝２．８Ｅｍ＋４．０ ・・・（４）
Ｐｘ＝２．８Ｅｍ＋４．０ ・・・（４）
【0072】
【0073】
本実施形態では、プロセッサ６は、第２相関情報Ｄ２を用いてＩＦ点プロファイルの円形度が向上するＭＰＬパルスエネルギＥｍの値を求める。なお、プロセッサ６は、プラズマＰの長さＰｘのＭＰＬパルスエネルギＥｍに対する依存性の他に、プラズマＰの直径ＰｙのＭＰＬパルスエネルギＥｍに対する依存性を考慮して、ＭＰＬパルスエネルギＥｍの値を求めてもよい。第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【0074】
４．第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
次に、第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａについて説明する。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるための制御パラメータをＭＰＬパルス幅Ｗｍとし、第２相関情報Ｄ２を、プラズマＰの形状とＭＰＬパルス幅Ｗｍとの相関関係を表す情報とする。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａのその他の構成は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの構成と同様である。
次に、第３実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａについて説明する。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるための制御パラメータをＭＰＬパルス幅Ｗｍとし、第２相関情報Ｄ２を、プラズマＰの形状とＭＰＬパルス幅Ｗｍとの相関関係を表す情報とする。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａのその他の構成は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの構成と同様である。
【0075】
図１８及び図１９は、ＭＰＬパルス幅Ｗｍを変化させた場合におけるプラズマＰの形状変化を模式的に示す。図１８は。ＭＰＬパルス幅Ｗｍが短い場合に発生するプラズマＰの形状を模式的に示す。図１９は。ＭＰＬパルス幅Ｗｍが長い場合に発生するプラズマＰの形状を模式的に示す。ＭＰＬパルス幅Ｗｍを変化させた場合に、プラズマＰの直径Ｐｙよりも長さＰｘが顕著に変化すると考えられる。これは、メインパルスレーザ光ＭＰＬを拡散ターゲットＤＴＧに照射することにより生成されるプラズマＰの直径Ｐｙは、メインパルスレーザ光ＭＰＬの照射径とほぼ等しく、プラズマＰの長さＰｘは、ＭＰＬパルス幅Ｗｍと正の相関があると考えられるためである。その理由は、以下の通りである。
【0076】
メインパルスレーザ光ＭＰＬの照射時に、拡散ターゲットＤＴＧはその表面から加熱されるとする。ＭＰＬパルス幅Ｗｍが短い場合には、メインパルスレーザ光ＭＰＬの照射開始から終了までの間に拡散ターゲットＤＴＧは殆ど変化しないと考えられる。そのため、メインパルスレーザ光ＭＰＬは、拡散ターゲットＤＴＧの内部まで深く侵入せず、拡散ターゲットＤＴＧの表面にプラズマＰが形成されるので、プラズマＰの長さＰｘは短くなる。
【0077】
一方、ＭＰＬパルス幅Ｗｍが長い場合には、メインパルスレーザ光ＭＰＬの照射中に拡散ターゲットＤＴＧの密度分布が変化する。具体的には、拡散ターゲットＤＴＧは、加熱膨張により表面から希薄化する。この拡散ターゲットＤＴＧの密度低下に伴い、メインパルスレーザ光ＭＰＬはパルス幅Ｗｍにおける時間的後方部分ほど、拡散ターゲットＤＴＧの内部までより深く侵入して加熱する。これにより生成されるプラズマＰの長さＰｘは長くなる。
【0078】
したがって、図２０に模式的に示すように、ＭＰＬパルス幅Ｗｍを変化させた場合に、プラズマＰの直径Ｐｙよりも長さＰｘが顕著に変化すると考えられる。なお、図２０において縦軸は寸法を表し、横軸はパルス幅Ｗｍを表す。
【0079】
本実施形態では、プロセッサ６は、第２相関情報Ｄ２を用いてＩＦ点プロファイルの円形度が向上するＭＰＬパルス幅Ｗｍの値を求める。第２相関情報Ｄ２は、第１実施形態と同様に、関数又はデータテーブルである。第３実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【0080】
５．第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
次に、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａについて説明する。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるための制御パラメータをＰＰＬパルスエネルギＥｐとし、第２相関情報Ｄ２を、プラズマＰの形状とＰＰＬパルスエネルギＥｐとの相関関係を表す情報とする。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａのその他の構成は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの構成と同様である。
次に、第４実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａについて説明する。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるための制御パラメータをＰＰＬパルスエネルギＥｐとし、第２相関情報Ｄ２を、プラズマＰの形状とＰＰＬパルスエネルギＥｐとの相関関係を表す情報とする。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａのその他の構成は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの構成と同様である。
【0081】
図２１は、ＰＰＬパルスエネルギＥｐを変化させた場合における拡散ターゲットＤＴＧの形状変化を模式的に示す。図２１に示すＰＰＬパルスエネルギＥｐの単位は、任意単位である。本願の発明者は、実験によってＰＰＬパルスエネルギＥｐを変化させた場合に、拡散ターゲットＤＴＧは直径よりもレーザ光軸ＬＡ方向の長さが顕著に変化することを確認している。
【0082】
拡散ターゲットＤＴＧは、遅延時間Δｔを変化させた場合においても図２１と同様の形状変化を示す。このため、ＰＰＬパルスエネルギＥｐを変化させた場合も遅延時間Δｔを変化させた場合と同様の効果が得られると考えられる。すなわち、ＰＰＬパルスエネルギＥｐを変化させた場合に、プラズマＰの直径Ｐｙよりも長さＰｘが顕著に変化すると考えられる。
【0083】
本実施形態では、プロセッサ６は、第２相関情報Ｄ２を用いてＩＦ点プロファイルの円形度が向上するＰＰＬパルスエネルギＥｐの値を求める。第２相関情報Ｄ２は、第１実施形態と同様に、関数又はデータテーブルである。第４実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【0084】
６．第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置
次に、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａについて説明する。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるための制御パラメータをＰＰＬパルス幅Ｗｐとし、第２相関情報Ｄ２を、プラズマＰの形状とＰＰＬパルス幅Ｗｐとの相関関係を表す情報とする。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のその他の構成は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの構成と同様である。
次に、第５実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａについて説明する。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａは、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるための制御パラメータをＰＰＬパルス幅Ｗｐとし、第２相関情報Ｄ２を、プラズマＰの形状とＰＰＬパルス幅Ｗｐとの相関関係を表す情報とする。本実施形態に係るＥＵＶ光生成装置のその他の構成は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成装置２ａの構成と同様である。
【0085】
図２２は、ＰＰＬパルス幅Ｗｐを変化させた場合における拡散ターゲットＤＴＧの形状変化を模式的に示す。図２２に示すＰＰＬパルス幅Ｗｐの単位は、任意単位である。本願の発明者は、実験によってＰＰＬパルス幅Ｗｐを変化させた場合に、拡散ターゲットＤＴＧは直径よりもレーザ光軸ＬＡ方向の長さが顕著に変化することを確認している。
【0086】
拡散ターゲットＤＴＧは、遅延時間Δｔを変化させた場合においても図２２と同様の形状変化を示す。このため、ＰＰＬパルス幅Ｗｐを変化させた場合も遅延時間Δｔを変化させた場合と同様の効果が得られると考えられる。すなわち、ＰＰＬパルス幅Ｗｐを変化させた場合に、プラズマＰの直径Ｐｙよりも長さＰｘが顕著に変化すると考えられる。
【0087】
本実施形態では、プロセッサ６は、第２相関情報Ｄ２を用いてＩＦ点プロファイルの円形度が向上するＰＰＬパルス幅Ｗｐの値を求める。第２相関情報Ｄ２は、第１実施形態と同様に、関数又はデータテーブルである。第５実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【0088】
７．変形例
次に、第１～第５実施形態の変形例について説明する。第１～第５実施形態では、カメラ８を、レーザ光軸ＬＡに対して９０°方向からプラズマ生成領域Ｒを撮像するように配置しているが、カメラ８の配置はこれに限定されない。カメラ８は、プラズマＰの形状とＩＦ点プロファイルの形状との相関関係を求めることを可能とする画像ＰＤを取得可能であればよい。カメラ８は、レーザ光軸ＬＡに対して９０°以外の方向からプラズマ生成領域Ｒを撮像するように配置されていてもよい。
次に、第１～第５実施形態の変形例について説明する。第１～第５実施形態では、カメラ８を、レーザ光軸ＬＡに対して９０°方向からプラズマ生成領域Ｒを撮像するように配置しているが、カメラ８の配置はこれに限定されない。カメラ８は、プラズマＰの形状とＩＦ点プロファイルの形状との相関関係を求めることを可能とする画像ＰＤを取得可能であればよい。カメラ８は、レーザ光軸ＬＡに対して９０°以外の方向からプラズマ生成領域Ｒを撮像するように配置されていてもよい。
【0089】
図２３は、カメラ８の配置に関する変形例を示す。図２３に示すように、カメラ８の撮像方向のレーザ光軸ＬＡに対する角度θ１が、レーザ光軸ＬＡに対するＥＵＶ集光ミラー３２の角度θ２と等しくなるようにカメラ８を配置してもよい。より詳細には、角度θ２は、ＥＵＶ集光ミラー３２の中心とプラズマ生成領域Ｒとを結ぶ直線とレーザ光軸ＬＡとがなす角度である。すなわち、カメラ８は、レーザ光軸ＬＡに対してＥＵＶ集光ミラー３２と軸対称となる方向からプラズマ生成領域Ｒを撮像してもよい。
【0090】
図２３に示すようにカメラ８を配置した場合、カメラ８により撮像されるプラズマＰの像は、ＥＵＶ集光ミラー３２から見たプラズマＰの像と一致するので、第１相関情報Ｄ１を作成する際に、仮想的な三次元プラズマを作成する必要はなく、三次元プラズマを用いた光線追跡計算は不要となる。したがって、カメラ８から出力される画像ＰＤとＩＦ点プロファイルの形状との相関関係を容易に求めることができる。
【0091】
また、カメラ８は一台に限られない。複数のカメラ８を設け、複数の方向からプラズマ生成領域Ｒを撮像してもよい。このように視点が異なる複数の画像を取得することにより、精度よく三次元プラズマを作成することができる。これにより、第１相関情報Ｄ１をより精度よく作成することができる。
【0092】
また、第１～第５実施形態では、遅延時間Δｔ、ＰＰＬパルスエネルギＥｐ、ＭＰＬパルスエネルギＥｍ、ＰＰＬパルス幅Ｗｐ、及びＭＰＬパルス幅Ｗｍのうちの１つを、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるための制御パラメータとしている。これに代えて、遅延時間Δｔ、ＰＰＬパルスエネルギＥｐ、ＭＰＬパルスエネルギＥｍ、ＰＰＬパルス幅Ｗｐ、及びＭＰＬパルス幅Ｗｍのうちの複数を、ＩＦ点プロファイルの円形度を向上させるための制御パラメータとしてもよい。
【0093】
また、第１～第５実施形態では、第１相関情報Ｄ１及び第２相関情報Ｄ２を用いて画像ＰＤからＩＦ点プロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求めているが、第１相関情報Ｄ１及び第２相関情報Ｄ２は、１つの相関情報として統合されていてもよい。画像ＰＤからＩＦ点プロファイルの円形度が向上する制御パラメータの値を求めるための相関情報は、プラズマＰの形状と制御パラメータとの相関関係を含む情報であればよい。
【0094】
８．その他
図２４は、ＥＵＶ光生成装置２ａに接続された露光装置７ａの構成を概略的に示す。図２４において、外部装置７としての露光装置７ａは、マスク照射部１００とワークピース照射部１０２とを含む。マスク照射部１００は、ＥＵＶ光生成装置２ａから入射したＥＵＶ光３３によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部１０２は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光３３を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースは、フォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置７ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光３３をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで、電子デバイスを製造できる。
図２４は、ＥＵＶ光生成装置２ａに接続された露光装置７ａの構成を概略的に示す。図２４において、外部装置７としての露光装置７ａは、マスク照射部１００とワークピース照射部１０２とを含む。マスク照射部１００は、ＥＵＶ光生成装置２ａから入射したＥＵＶ光３３によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部１０２は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光３３を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースは、フォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置７ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光３３をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで、電子デバイスを製造できる。
【0095】
図２５は、ＥＵＶ光生成装置２ａに接続された検査装置７ｂの構成を概略的に示す。図２５において、外部装置７としての検査装置７ｂは、照明光学系１１０と、検出光学系１１２とを含む。ＥＵＶ光生成装置２ａは、ＥＵＶ光３３を検査用光源として検査装置７ｂに出力する。照明光学系１１０は、ＥＵＶ光生成装置２ａから入射したＥＵＶ光３３を反射して、マスクステージ１１４に配置されたマスク１１６を照射する。ここでいうマスク１１６は、パターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系１１２は、照明されたマスク１１６からのＥＵＶ光３３を反射して検出器１１８の受光面に結像させる。ＥＵＶ光３３を受光した検出器１１８は、マスク１１６の画像を取得する。検出器１１８は、例えばＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク１１６の画像により、マスク１１６の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置７ａを用いて感光基板上に露光転写することで、電子デバイスを製造できる。
【0096】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の各実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【0097】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
