特開 2024-121713 磁気テープカートリッジ、及び磁気テープカートリッジの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024121713

(43)【公開日】2024-09-06

(54)【発明の名称】磁気テープカートリッジ、及び磁気テープカートリッジの製造方法

(51)【国際特許分類】

   G11B 23/107 20060101AFI20240830BHJP

   G11B 23/30 20060101ALI20240830BHJP

【ＦＩ】

G11B23/107

G11B23/30 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023028963

(22)【出願日】2023-02-27

(71)【出願人】

【識別番号】306037311

【氏名又は名称】富士フイルム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西田 謙二

(57)【要約】

【課題】非接触式通信媒体の取付状態の不良が抑制可能な磁気テープカートリッジ、及び磁気テープカートリッジの製造方法を提供する。
【解決手段】ケース内に設けられ、かつ基板の板厚方向に貫通された貫通孔が形成された非接触式通信媒体と、ケースに一端が設けられた棒状部材であって、貫通孔に挿通されることで非接触式通信媒体をケース内で位置決め可能な軸部と、軸部の他端に設けられ、かつ貫通孔の周縁の少なくとも一部と当接することにより非接触式通信媒体が軸部から外れる方向の変位を規制する規制部と、を備える磁気テープカートリッジ。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ケース内に設けられ、かつ基板の板厚方向に貫通された貫通孔が形成された非接触式通信媒体と、
前記ケースに一端が設けられた棒状部材であって、前記貫通孔に挿通されることで前記非接触式通信媒体を前記ケース内で位置決め可能な軸部と、
前記軸部の他端に設けられ、かつ前記貫通孔の周縁の少なくとも一部と当接することにより前記非接触式通信媒体が前記軸部から外れる方向の変位を規制する規制部と、を備える
磁気テープカートリッジ。

【請求項2】

前記規制部は、前記貫通孔の径よりも大きい径を有する拡径部を有し、
前記拡径部は、前記貫通孔の前記周縁と当接する
請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。

【請求項3】

前記規制部は、前記規制部の先端から前記拡径部へ行くほど、径が大きくなる
請求項２に記載の磁気テープカートリッジ。

【請求項4】

前記規制部の前記先端の径は、前記貫通孔の径よりも小さい
請求項３に記載の磁気テープカートリッジ。

【請求項5】

前記規制部は、円錐台形状を有し、
前記円錐台形状において、下底部が前記拡径部とされている
請求項２に記載の磁気テープカートリッジ。

【請求項6】

前記非接触式通信媒体は、前記基板の外周縁に沿って周回する態様で形成されたアンテナコイルを備え、
前記貫通孔は、前記アンテナコイルの内周側に形成されている
請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。

【請求項7】

前記軸部は、前記ケース内で位置決めされた状態の前記基板の法線方向に沿って伸びている
請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。

【請求項8】

前記軸部は、前記ケースの底面の法線方向に沿って伸びている
請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。

【請求項9】

前記軸部の中心軸に沿った方向から前記非接触式通信媒体を見た場合に、前記貫通孔の形状は、前記軸部の横断面形状と相似の形状とされている
請求項８に記載の磁気テープカートリッジ。

【請求項10】

前記規制部は、前記軸部と一体成型されている
請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。

【請求項11】

前記ケースに形成され、かつ前記非接触式通信媒体が前記ケースの基準面に対して予め定められた角度で配置される態様で前記非接触式通信媒体の一方の面を支持する支持部材をさらに備え、
前記非接触式通信媒体は、前記規制部と前記支持部材との間で保持される
請求項１に記載の磁気テープカートリッジ。

【請求項12】

非接触式通信媒体の基板において板厚方向に貫通された貫通孔に対して、ケースに一端が設けられた棒状部材である軸部を挿通させることで、前記非接触式通信媒体を前記ケース内で位置決めすること、及び、
前記軸部の他端において前記貫通孔の周縁の少なくとも一部と当接することにより前記非接触式通信媒体が前記軸部から外れる方向の変位を規制すること、
を含む磁気テープカートリッジの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の技術は、磁気テープカートリッジ、及び磁気テープカートリッジの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、カートリッジケースの内部に、磁気テープを巻装した単一のリールを回転可能に収容するとともに、情報を記憶し得る平板状の非接触式メモリ素子を備えた磁気テープカートリッジにおいて、非接触式メモリ素子は、情報を記憶し得る領域である有効領域の外側に非有効領域を有しており、該非有効領域には貫通孔が形成されているとともに、カートリッジケースに、メモリ素子の貫通孔に一部が嵌入して該メモリ素子をカートリッジケースの底面に対して略４５度の角度で保持する柱状突起が形成されていることを特徴とする磁気テープカートリッジが記載されている。

【0003】

特許文献２には、データの書き込みおよび読み出しが可能な第１の記憶媒体と、データの書き込みおよび読み出しが可能であり、該第１の記憶媒体と異なる種類の第２の記憶媒体とを有する記憶媒体ユニットに対して、データの書き込みおよび読み出しを行なう記録・再生装置であって、記憶媒体ユニットが着脱自在に装填される装填部と、装填部に記憶媒体ユニットが装填された状態で、その第１の記憶媒体に対して、データの書き込みおよび読み出しを行なう第１のＷ／Ｒ手段と、装填部に記憶媒体ユニットが装填された状態で、その第２の記憶媒体に対して、データの書き込みおよび読み出しを行なう第２のＷ／Ｒ手段とを備えることを特徴とする記録・再生装置が記載されている。

【0004】

特許文献３には、記録テープが巻装されたリールを収容し、ドライブ装置に装填されたときにリールの軸方向の基準となる基準面を有するケースと、個体情報が記録され、ケースに収容された板状の非接触式通信媒体と、ケースに形成され、非接触式通信媒体が基準面に対して略４５度の角度で配置されるように非接触式通信媒体の下端部を除く一方の面を支持する支持部と、ケースに形成され、非接触式通信媒体の下端部の一部を収容した溝部と、を備え、非接触式通信媒体の下端部における一方の面がケースに対して非接触とされている記録テープカートリッジが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開平１１－３０６７２０号公報

【特許文献2】特開２００６－３２３９１８号公報

【特許文献3】特開２０２１－１５００００号公報

【発明の概要】

【0006】

本開示の技術に係る一つの実施形態は、非接触式通信媒体の取付状態の不良が抑制可能な磁気テープカートリッジ、及び磁気テープカートリッジの製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の技術に係る第１の態様は、ケース内に設けられ、かつ基板の板厚方向に貫通された貫通孔が形成された非接触式通信媒体と、ケースに一端が設けられた棒状部材であって、貫通孔に挿通されることで非接触式通信媒体をケース内で位置決め可能な軸部と、軸部の他端に設けられ、かつ貫通孔の周縁の少なくとも一部と当接することにより非接触式通信媒体が軸部から外れる方向の変位を規制する規制部と、を備える磁気テープカートリッジである。

【0008】

本開示の技術に係る第２の態様は、規制部は、貫通孔の径よりも大きい径を有する拡径部を有し、拡径部は、貫通孔の周縁と当接する第１の態様に係る磁気テープカートリッジである。

【0009】

本開示の技術に係る第３の態様は、規制部は、規制部の先端から拡径部へ行くほど、径が大きくなる第２の態様に係る磁気テープカートリッジである。

【0010】

本開示の技術に係る第４の態様は、規制部の先端の径は、貫通孔の径よりも小さい第３の態様に係る磁気テープカートリッジである。

【0011】

本開示の技術に係る第５の態様は、規制部は、円錐台形状を有し、円錐台形状において、下底部が拡径部とされている第２の態様に係る磁気テープカートリッジである。

【0012】

本開示の技術に係る第６の態様は、非接触式通信媒体は、基板の外周縁に沿って周回する態様で形成されたアンテナコイルを備え、貫通孔は、アンテナコイルの内周側に形成されている第１の態様に係る磁気テープカートリッジである。

【0013】

本開示の技術に係る第７の態様は、軸部は、ケース内で位置決めされた状態の基板の法線方向に沿って伸びている第１の態様に係る磁気テープカートリッジである。

【0014】

本開示の技術に係る第８の態様は、軸部は、ケースの底面の法線方向に沿って伸びている第１の態様に係る磁気テープカートリッジである。

【0015】

本開示の技術に係る第９の態様は、軸部の中心軸に沿った方向から非接触式通信媒体を見た場合に、貫通孔の形状は、軸部の横断面形状と相似の形状とされている第８の態様に係る磁気テープカートリッジである。

【0016】

本開示の技術に係る第１０の態様は、規制部は、軸部と一体成型されている第１の態様に係る磁気テープカートリッジである。

【0017】

本開示の技術に係る第１１の態様は、ケースに形成され、かつ非接触式通信媒体がケースの基準面に対して予め定められた角度で配置される態様で非接触式通信媒体の一方の面を支持する支持部材をさらに備え、非接触式通信媒体は、規制部と支持部材との間で保持される第１の態様に係る磁気テープカートリッジである。

【0018】

本開示の技術に係る第１２の態様は、非接触式通信媒体の基板において板厚方向に貫通された貫通孔に対して、ケースに一端が設けられた棒状部材である軸部を挿通させることで、非接触式通信媒体をケース内で位置決めすること、及び、軸部の他端において貫通孔の周縁の少なくとも一部と当接することにより非接触式通信媒体が軸部から外れる方向の変位を規制すること、を含む磁気テープカートリッジの製造方法である。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】実施形態に係る磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。

【図2】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下ケースの内側の右後端部の構造の一例を示す概略斜視図である。

【図3】実施形態に係るカートリッジメモリの構造の一例を示す平面図である。

【図4】実施形態に係るカートリッジメモリが軸部に取り付けられる様子の一例を示す概念図である。

【図5】実施形態に係るカートリッジメモリが磁気テープカートリッジに設けられた状態の一例を示す概念図である。

【図6】実施形態に係る磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。

【図7】実施形態に係る磁気テープカートリッジの下側から非接触式読み書き装置によって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。

【図8】実施形態に係るカートリッジメモリの組付け工程の一例を示すフローチャートである。

【図9】変形例に係るカートリッジメモリが軸部に取り付けられる様子の一例を示す概念図である。

【発明を実施するための形態】

【0020】

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

【0021】

ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Non-Volatile Memory”の略称を指す。ＲＯＭとは、“Read Only Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＵＳＢとは、“Universal Serial Bus”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Programmable Logic Device”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＳｏＣとは、“System-on-a-Chip”の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Radio Frequency IDentifier”の略称を指す。

【0022】

以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の磁気テープドライブ３０（図６参照）への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１０の前方向とし、磁気テープカートリッジ１０の前方向の側を磁気テープカートリッジ１０の前側とする。以下の構造上の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１０の前側を指す。

【0023】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１０の右方向の側を磁気テープカートリッジ１０の右側とする。以下の構造上の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１０の右側を指す

【0024】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１０の上方向とし、磁気テープカートリッジ１０の上方向の側を磁気テープカートリッジ１０の上側とする。以下の構造上の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１０の上側を指す。

【0025】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の後方向とし、磁気テープカートリッジ１０の後方向の側を、磁気テープカートリッジ１０の後側とする。以下の構造上の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１０の後側を指す。

【0026】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図１において、磁気テープカートリッジ１０の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１０の下方向とし、磁気テープカートリッジ１０の下方向の側を磁気テープカートリッジ１０の下側とする。以下の構造上の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１０の下側を指す。

【0027】

一例として図１に示すように、磁気テープカートリッジ１０は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１２を備えている。磁気テープカートリッジ１０は、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジ」の一例である。ケース１２は、ポリカーボネート等の樹脂製であり、上ケース１４及び下ケース１６を備えている。上ケース１４及び下ケース１６は、上ケース１４の下周縁面と下ケース１６の上周縁面とを接触させた状態で、溶着（例えば、超音波溶着）及びビス止めによって接合されている。接合方法は、溶着及びビス止めに限らず、他の接合方法であってもよい。ケース１２は、本開示の技術に係る「ケース」の一例である。

【0028】

ケース１２の内部には、カートリッジリール１８が回転可能に収容されている。カートリッジリール１８は、リールハブ１８Ａ、上フランジ１８Ｂ１、及び下フランジ１８Ｂ２を備えている。リールハブ１８Ａは、円筒状に形成されている。リールハブ１８Ａは、カートリッジリール１８の軸心部であり、軸心方向がケース１２の上下方向に沿っており、ケース１２の中央部に配置されている。上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２の各々は円環状に形成されている。リールハブ１８Ａの上端部には上フランジ１８Ｂ１の平面視中央部が固定されており、リールハブ１８Ａの下端部には下フランジ１８Ｂ２の平面視中央部が固定されている。リールハブ１８Ａの外周面には、磁気テープＭＴが巻き回されており、磁気テープＭＴの幅方向の端部は上フランジ１８Ｂ１及び下フランジ１８Ｂ２によって保持されている。なお、リールハブ１８Ａ及び下フランジ１８Ｂ２は一体として成型されていてもよい。

【0029】

ケース１２の右壁１２Ａの前側には、開口１２Ｂが形成されている。磁気テープＭＴは、開口１２Ｂから引き出される。

【0030】

一例として図２に示すように、下ケース１６の右後端部には、カートリッジメモリ１９が収容されている。カートリッジメモリ１９は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ１９として採用されている。

【0031】

カートリッジメモリ１９には、管理情報が記憶されている。管理情報は、磁気テープカートリッジ１０を管理する情報である。管理情報としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０を特定可能な識別情報、磁気テープＭＴの記録容量、磁気テープＭＴに記録されている情報（以下、「記録情報」とも称する）の概要、記録情報の項目、及び記録情報の記録形式等を示す情報が挙げられる。

【0032】

カートリッジメモリ１９は、非接触式で外部装置（図示省略）と通信を行う。外部装置としては、例えば、磁気テープカートリッジ１０の生産工程で使用される読み書き装置、及び、磁気テープドライブ（例えば、図６に示す磁気テープドライブ３０）内で使用される読み書き装置（例えば、図６及び図７に示す非接触式読み書き装置５０）が挙げられる。

【0033】

外部装置は、カートリッジメモリ１９に対して、非接触式で各種情報の読み書きを行う。詳しくは後述するが、カートリッジメモリ１９は、外部装置から与えられた磁界に対して電磁的に作用することで電力を生成する。そして、カートリッジメモリ１９は、生成した電力を用いて作動し、磁界を介して外部装置と通信を行うことで外部装置との間で各種情報の授受を行う。

【0034】

下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、支持部材２０が設けられている。支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を基準面１６Ａ１（図５参照）に対して予め定められた角度で配置される態様で支持する部材である。支持部材２０は、本開示の技術に係る「支持部材」の一例である。図２に示す例では、支持部材２０は、カートリッジメモリ１９を傾斜させた状態で下方から支持する一対の傾斜台である。一対の傾斜台は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂである。第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂは、ケース１２の左右方向に間隔を隔てて配置されており、下ケース１６の後壁１６Ｂの内面及び底板１６Ａの内面にモジュール化されている。第１傾斜台２０Ａは、傾斜面２０Ａ１を有しており、傾斜面２０Ａ１は、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。また、傾斜面２０Ｂ１も、後壁１６Ｂの内面から底板１６Ａの内面に向けて下り傾斜している。

【0035】

支持部材２０の前方側には、一対の位置規制リブ２２が左右方向に間隔を隔てて配置されている。一対の位置規制リブ２２は、底板１６Ａの内面に立設されており、支持部材２０に配置された状態のカートリッジメモリ１９の下端面１９Ｂ（図５参照）の位置を規制する。

【0036】

下ケース１６の右後端部の底板１６Ａの内面には、軸部２４が設けられている。軸部２４は、本開示の技術に係る「軸部」の一例である。軸部２４は、一端が下ケース１６の内面に取り付けられた棒状部材である。具体的には、軸部２４は、第１傾斜台２０Ａ及び第２傾斜台２０Ｂの間に設けられている。軸部２４の一端は、下ケース１６の底板１６Ａと後壁１６Ｂとの間の角に取り付けられている。そして、軸部２４は、下ケース１６の内面からカートリッジメモリ１９へ向かって伸びている。換言すれば、軸部２４は、ケース１２内で位置決めされた後のカートリッジメモリ１９の法線方向（すなわち、板厚方向）に沿って伸びている。また、詳細は後述するが、軸部２４の他端には、カートリッジメモリ１９の貫通孔２６Ｃに挿通可能な規制部２８が設けられている。

【0037】

カートリッジメモリ１９は、基板２６を備えている。基板２６は、本開示の技術に係る「基板」の一例である。基板２６は、フレキシブルタイプの基板である。基板２６は、一例として角部が円弧状に面取りされた、四角形の平板状をしている。基板２６は、板厚方向に２つの面、すなわち、表面２６Ａと裏面２６Ｂとを有する。基板２６は、基板２６の裏面２６Ｂを下側に向けて支持部材２０上に置かれ、支持部材２０は、基板２６の裏面２６Ｂを下方から支持する。基板２６の裏面２６Ｂの一部は、支持部材２０の傾斜面、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に接触しており、基板２６の表面２６Ａは、上ケース１４側に露出している。

【0038】

カートリッジメモリ１９の基板２６には、貫通孔２６Ｃが形成されている。貫通孔２６Ｃは、基板２６の板厚方向に沿って基板２６が貫通されることで形成される。貫通孔２６Ｃは、例えば、基板２６の成形するためのプレス打ち抜き工程において形成される。貫通孔２６Ｃには、規制部２８及び軸部２４が挿通可能とされる。貫通孔２６Ｃは、本開示の技術に係る「貫通孔」の一例である。

【0039】

一例として図３に示すように、カートリッジメモリ１９の表面２６Ａには、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４が搭載されている。ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、表面２６Ａに接着されている。また、カートリッジメモリ１９の表面２６Ａにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は封止材５６によって封止されている。ここでは、封止材５６として、紫外線に反応して硬化する紫外線硬化樹脂が採用されている。なお、紫外線硬化樹脂は、あくまでも一例に過ぎず、紫外線以外の波長域の光に反応して効果する光硬化樹脂を封止材５６として使用してもよいし、熱硬化性樹脂を封止材５６として使用してもよいし、接着剤を封止材５６として使用してもよい。

【0040】

カートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂ（図２参照）には、コイル６０がループ状に形成されている。換言すれば、コイル６０が、基板２６の外周縁に沿って周回する態様で形成されている。ここでは、コイル６０の素材として、銅箔が採用されている。銅箔は、あくまでも一例に過ぎず、例えば、アルミニウム箔等の他種類の導電性素材であってもよい。コイル６０は、非接触式読み書き装置５０から与えられた磁界ＭＦ（図７参照）が作用することで誘導電流を誘起する。なお、コイル６０は、本開示の技術に係る「アンテナコイル」の一例である。

【0041】

カートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂには、第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂが設けられている。第１導通部６２Ａ及び第２導通部６２Ｂは、はんだを有しており、表面２６ＡのＩＣチップ５２及びコンデンサ５４に対してコイル６０の両端部を電気的に接続している。

【0042】

カートリッジメモリ１９の表面２６Ａにおいて、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は、ワイヤ接続方式で互いに電気的に接続されている。具体的には、ＩＣチップ５２の正極端子及び負極端子のうちの一方の端子が配線６４Ａを介して第１導通部６２Ａに接続されており、他方の端子が配線６４Ｂを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。また、コンデンサ５４は、一対の電極を有する。図３に示す例では、一対の電極は、電極５４Ａ及び５４Ｂである。電極５４Ａは、配線６４Ｃを介して第１導通部６２Ａに接続されており、電極５４Ｂは、配線６４Ｄを介して第２導通部６２Ｂに接続されている。これにより、コイル６０に対して、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４は並列に接続される。

【0043】

ループ状に形成されたコイル６０の内周側には、貫通孔２６Ｃが形成されている。すなわち、カートリッジメモリ１９を平面視した場合に、貫通孔２６Ｃは、コイル６０の内周側に位置している。

【0044】

また、貫通孔２６Ｃは、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４を避けて形成されている。すなわち、カートリッジメモリ１９を平面視した場合に、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４の位置とは異なる位置に設けられている。これにより、ＩＣチップ５２及びコンデンサ５４の大きさ又は配置が制限されることが抑制される。

【0045】

さらに、貫通孔２６Ｃは、封止材５６によって封止された領域を避けて形成されている。すなわち、カートリッジメモリ１９を平面視した場合に、貫通孔２６Ｃは、封止材５６によって封止された領域とは異なる位置に設けられている。これにより、封止材５６による封止が貫通孔２６Ｃによって破られることが抑制される。

【0046】

一例として図４の左に示すように、カートリッジメモリ１９のケース１２への組付け作業において、先ず、カートリッジメモリ１９は、軸部２４の中心軸ＣＬに沿って、軸部２４へ向かって移動する。この場合において、基板２６に形成された貫通孔２６Ｃの位置は、軸部２４の先端に設けられた規制部２８と対向する位置とされている。図４に示す例において、規制部２８は、円錐台形状を有している。規制部２８の円錐台形状において、上底部２８Ａは、規制部２８の先端に位置しており、下底部２８Ｂは、規制部２８の軸部２４の側に位置している。規制部２８は、規制部２８の先端から軸部２４へ行くほど径が大きくなる形状となっている。すなわち、規制部２８は、上底部２８Ａから下底部２８Ｂへ行くほど径が大きくなっている。また、規制部２８は、軸部２４と一体成型されている。規制部２８は、本開示の技術に係る「規制部」の一例である。また、下底部２８Ｂは、本開示の技術に係る「拡径部」及び「下底部」の一例である。

【0047】

ここで、上底部２８Ａの径は、貫通孔２６Ｃの径よりも小さい径とされている。また、下底部２８Ｂの径は、貫通孔２６Ｃの径よりも大きい径とされている。また、下底部２８Ｂの径は、規制部２８が貫通孔２６Ｃに挿通される場合に基板２６に塑性変形を生じさせない径とされている。例えば、下底部２８Ｂの径は、貫通孔２６Ｃの径よりも５％程度大きい径とされている。

【0048】

図４の中央に示すように、カートリッジメモリ１９が軸部２４に向かって移動されると、規制部２８の上底部２８Ａが、カートリッジメモリ１９の貫通孔２６Ｃに挿通される。そして、貫通孔２６Ｃが規制部２８にガイドされながら、カートリッジメモリ１９が軸部２４に向かって移動する。すなわち、貫通孔２６Ｃの内周面が、規制部２８の外周面に当接しながら、カートリッジメモリ１９が軸部２４へ向かって移動する。この場合において、貫通孔２６Ｃが規制部２８の外周面によって押圧されることで弾性変形し、貫通孔２６Ｃが拡がる。そして、貫通孔２６Ｃの径が一時的に大きくなった状態で、規制部２８が貫通孔２６Ｃへ挿通される。

【0049】

そして、図４の右に示すように、貫通孔２６Ｃが規制部２８を通過すると、カートリッジメモリ１９が軸部２４の先端に位置する。軸部２４の外径は、貫通孔２６Ｃの径よりも小さいため、貫通孔２６Ｃは、規制部２８が挿通される前の径に戻る。そして、貫通孔２６Ｃの内周面と、軸部２４の外周面が当接することで、カートリッジメモリ１９が、面内方向において、位置がずれることが抑制される。すなわち、軸部２４が貫通孔２６Ｃに挿通されることで、カートリッジメモリ１９が下ケース１６内で位置決めされる。

【0050】

一例として図５示すように、規制部２８を通過したカートリッジメモリ１９が下ケース１６に対して予め定められた位置に保持される。具体的には、カートリッジメモリ１９が規制部２８の下底部２８Ｂと、傾斜台２０Ｂとの間に保持される。基準面１６Ａ１は、底板１６Ａの外面に形成されている。基準面１６Ａ１は、平面である。ここで、平面とは、底板１６Ａを下側にして下ケース１６を水平面に置いた場合において、水平面に対して平行な面を指す。

【0051】

支持部材２０の傾斜角度θ、すなわち、傾斜面２０Ａ１及び傾斜面２０Ｂ１の傾斜角度は、基準面１６Ａ１に対して４５度である。カートリッジメモリ１９は、基準面１６Ａ１に対して４５度となる状態で下ケース１６内に保持される。なお、４５度は、あくまでも一例に過ぎず、“０度＜傾斜角度θ＜４５度”であってもよいし、４５度以上であってもよい。

【0052】

ところで、磁気テープカートリッジ１０の製造段階において、軸部２４からカートリッジメモリ１９が外れる方向の力Ｆ１が、カートリッジメモリ１９に作用することがある。カートリッジメモリ１９が下ケース１６内に位置決めされた状態で、力Ｆ１がカートリッジメモリ１９の作用した場合、規制部２８がないとカートリッジメモリ１９が軸部２４から外れてしまい、カートリッジメモリ１９が下ケース１６内で位置決めされなくなる。この状態で、上ケース１４と下ケース１６とが接合されると、上ケース１４のリブ１４Ａがカートリッジメモリ１９に当接すると、カートリッジメモリ１９が変形した状態（例えば、湾曲した状態）でケース１２に固定されることになる。これは、カートリッジメモリ１９の破損、又はカートリッジメモリ１９に対する読み書き不良を招来する。

【0053】

そこで、軸部２４の先端に規制部２８が設けられている。カートリッジメモリ１９に力Ｆ１が作用した場合に、貫通孔２６Ｃの周縁は、規制部２８の下底部２８Ｂに当接する。この結果、カートリッジメモリ１９が軸部２４から外れることが抑制される。このように、規制部２８は、貫通孔２６Ｃの周縁と当接することにより、カートリッジメモリ１９が軸部２４から外れる方向の変位（例えば、軸部２４の中心軸ＣＬに沿った方向の変位）を規制する。そして、カートリッジメモリ１９が下ケース１６内で予め定められた位置に保持された状態で、上ケース１４と下ケース１６とが接合されて、ケース１２内にカートリッジメモリ１９が収容される。

【0054】

カートリッジメモリ１９が支持部材２０に配置された状態で、上述したように上ケース１４が下ケース１６に接合されると、各リブ１４Ａの先端面１４Ａ１は、基板２６に対して表面２６Ａ側から接触し、基板２６は、各リブ１４Ａの先端面１４Ａ１と支持部材２０の傾斜面とで挟み込まれる。これにより、カートリッジメモリ１９の上下方向の位置がリブ１４Ａによって規制される。

【0055】

また、図５に示されるように、下ケース１６の底板１６Ａの内面には、カートリッジメモリ１９の下端部１９Ａの一部を収容する溝部３９が形成されている。この溝部３９は、例えば、台形状に形成されており、カートリッジメモリ１９の下端面１９Ｂが当接する傾斜面３９Ａと、その傾斜面３９Ａの下縁部３９Ｂから後方へ向かって連続する底面３９Ｃと、底面３９Ｃの後縁部３９Ｄから上方へ向かって連続する縦壁面３９Ｅと、を有している。これにより、例えば側面視で垂直な角部を構成する側面と底面とに、それぞれ下端面１９Ｂの上側のエッジ部及び下側のエッジ部を当接させて（すなわち、下端面１９Ｂと角部との間に空隙が形成されるようにして）カートリッジメモリ１９を配置する構成に比べて、カートリッジメモリ１９の姿勢を安定させることができる。

【0056】

そして、カートリッジメモリ１９の下端部１９Ａにおける下面１９Ａ１が、縦壁面３９Ｅの上縁部３９Ｆに対して非接触とされている。換言すれば、下面１９Ａ１と上縁部３９Ｆとの間に、間隙Ｗ１（例えば、底板１６Ａの内面に沿う方向の長さＷ１で、０．５ｍｍ程度）が形成される。これにより、組付けの際にカートリッジメモリ１９が上縁部３９Ｆに引っかかって歪むおそれがなく、ロボットハンド等によるカートリッジメモリ１９の安定的な組み付けが可能となる。

【0057】

位置規制リブ２２は、カートリッジメモリ１９の上方へ張り出すオーバーラップ部２２Ａを有している。すなわち、この位置規制リブ２２の後端部２２Ｂは、側面視で上端部が下端部よりも予め定められた長さＷ２（例えば、Ｗ２＝０．５ｍｍ程度）後方側へ位置するように、底板１６Ａの鉛直方向に対して後方側へ傾斜している。後端部２２Ｂの上端部がオーバーラップ部２２Ａとなっている。これにより、カートリッジメモリ１９が、配置された下ケース１６を搬送させても、軽量なカートリッジメモリ１９の位置ずれをより抑制することができる。

【0058】

なお、ここでは、ケース１２に溝部３９及びオーバーラップ部２２Ａが形成されている形態例を挙げて説明したが、これはあくまでも一例にすぎない。ケース１２に溝部３９及びオーバーラップ部２２Ａが形成されていなくても、本開示の技術は成立する。

【0059】

一例として図６に示すように、磁気テープドライブ３０は、搬送装置３４、読取ヘッド３６、及び制御装置３８を備えている。磁気テープドライブ３０には、磁気テープカートリッジ１０が装填される。磁気テープドライブ３０は、磁気テープカートリッジ１０から磁気テープＭＴが引き出され、引き出された磁気テープＭＴから読取ヘッド３６を用いて記録情報をリニアサーペンタイン方式で読み取る装置である。なお、本実施形態において、記録情報の読み取りとは、換言すると、記録情報の再生を指す。

【0060】

制御装置３８は、磁気テープドライブ３０の全体を制御する。本実施形態において、制御装置３８は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、制御装置３８は、ＦＰＧＡによって実現されるようにしてもよい。また、制御装置３８は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、制御装置３８は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

【0061】

搬送装置３４は、磁気テープＭＴを順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ４０、巻取リール４２、巻取モータ４４、複数のガイドローラＧＲ、及び制御装置３８を備えている。

【0062】

送出モータ４０は、制御装置３８の制御下で、磁気テープカートリッジ１０内のカートリッジリール１８を回転駆動させる。制御装置３８は、送出モータ４０を制御することで、カートリッジリール１８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

【0063】

巻取モータ４４は、制御装置３８の制御下で、巻取リール４２を回転駆動させる。制御装置３８は、巻取モータ４４を制御することで、巻取リール４２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

【0064】

磁気テープＭＴが巻取リール４２によって巻き取られる場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを順方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

【0065】

磁気テープＭＴがカートリッジリール１８に巻き戻される場合には、制御装置３８によって、磁気テープＭＴを逆方向に走行させるように送出モータ４０及び巻取モータ４４を回転させる。送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール４２によって巻き取られる磁気テープＭＴの速度に応じて調整される。

【0066】

このようにして送出モータ４０及び巻取モータ４４の各々の回転速度及び回転トルク等が調整されることで、磁気テープＭＴに既定範囲内の張力が付与される。ここで、既定範囲内とは、例えば、磁気テープＭＴから読取ヘッド３６によってデータが読取可能な張力の範囲として、コンピュータ・シミュレーション及び／又は実機による試験等により得られた張力の範囲を指す。

【0067】

本実施形態では、送出モータ４０及び巻取モータ４４の回転速度及び回転トルク等が制御されることにより磁気テープＭＴの張力が制御されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープＭＴの張力は、ダンサローラを用いて制御されてもよいし、バキュームチャンバに磁気テープＭＴを引き込むことによって制御されるようにしてもよい。

【0068】

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１０と巻取リール４２との間において読取ヘッド３６を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

【0069】

読取ヘッド３６は、読取素子４６及びホルダ４８を備えている。読取素子４６は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４８によって保持されており、搬送装置３４によって搬送される磁気テープＭＴから記録情報を読み取る。

【0070】

磁気テープドライブ３０は、非接触式読み書き装置５０を備えている。非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態で、磁気テープカートリッジ１０の下側にてカートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂに正対するように配置されている。なお、磁気テープカートリッジ１０が磁気テープドライブ３０に装填された状態とは、例えば、磁気テープカートリッジ１０が読取ヘッド３６による磁気テープＭＴに対する記録情報の読み取りを開始する位置として事前に定められた位置に到達した状態を指す。

【0071】

一例として図７に示すように、非接触式読み書き装置５０は、磁気テープカートリッジ１０の下側からカートリッジメモリ１９に向けて磁界ＭＦを放出する。磁界ＭＦは、カートリッジメモリ１９を貫通する。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８に接続されている。制御装置３８は、カートリッジメモリ１９を制御する制御信号を非接触式読み書き装置５０に出力する。非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８から入力された制御信号に従って、磁界ＭＦをカートリッジメモリ１９に向けて放出する。

【0072】

非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、コマンド信号をカートリッジメモリ１９に空間伝送する。コマンド信号は、カートリッジメモリ１９に対する指令を示す信号である。コマンド信号が非接触式読み書き装置５０からカートリッジメモリ１９に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、制御装置３８からの指示に従って非接触式読み書き装置５０によって空間伝送されたコマンド信号が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、コマンド信号が重畳される。すなわち、非接触式読み書き装置５０は、制御装置３８の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンド信号をカートリッジメモリ１９に送信する。

【0073】

次に、本実施形態によるカートリッジメモリ１９の組付け工程について図８を参照しながら説明する。カートリッジメモリ１９の組付け工程は、磁気テープカートリッジ１０の製造工程の一部である。図８に示すカートリッジメモリ１９の組付け工程の流れは、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジの製造方法」の一例である。

【0074】

一例として図８に示すカートリッジメモリ１９の組付け工程では、先ず、ステップＳＴ１０１で、カートリッジメモリ１９が、軸部２４の中心軸ＣＬ方向に沿って軸部２４へ向かって移動する。この後、組付け工程は、ステップＳＴ１０３に移行する。

【0075】

ステップＳＴ１０３で、軸部２４の先端に設けられた規制部２８が、貫通孔２６Ｃに対して挿通される。この後、組付け工程は、ステップＳＴ１０５に移行する。

【0076】

ステップＳＴ１０５で、ステップＳＴ１０３において規制部２８が貫通孔２６Ｃを通過した後、カートリッジメモリ１９の基板２６に形成された貫通孔２６Ｃに対して軸部２４が挿通されることで、カートリッジメモリ１９がケース１２内で位置決めされる。この後、組付け工程は、ステップＳＴ１０７に移行する。

【0077】

ステップＳＴ１０７で、ステップＳＴ１０５で位置決めされたカートリッジメモリ１９の軸部２４から外れる方向の変位が規制される。これにより、カートリッジメモリ１９の組付け工程が終了する。

【0078】

以上説明したように、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１０では、軸部２４がカートリッジメモリ１９の基板２６に形成された貫通孔２６Ｃに挿通されることで、カートリッジメモリ１９がケース１２内で位置決めされる。そして、軸部２４の先端に設けられた規制部２８が貫通孔２６Ｃの周縁に当接することで、カートリッジメモリ１９が軸部２４から外れる方向の変位が規制される。これにより、カートリッジメモリ１９がケース１２内で位置決めされ、さらに軸部２４からカートリッジメモリ１９が外れることが抑制される。この結果、磁気テープカートリッジ１０におけるカートリッジメモリ１９の取付け状態不良の発生が抑制される。

【0079】

例えば、軸部２４に規制部２８が設けられていない場合を考える。この場合、カートリッジメモリ１９の組付け作業において、軸部２４によって下ケース１６内でカートリッジメモリ１９の位置決めがされた後、上ケース１４が下ケース１６と接合されることで、カートリッジメモリ１９がリブ１４Ａによって上方への変位が規制される。しかし、この場合では、上ケース１４が取り付けられるまでは、カートリッジメモリ１９が軸部２４から外れてしまうことがある。例えば、組付け作業での予期せぬ外的要因（例えば、カートリッジメモリ１９への振動等）により、カートリッジメモリ１９へ力Ｆ１が作用することがある。これにより、下ケース１６内でカートリッジメモリ１９が軸部２４から外れてしまう。このまま、上ケース１４が取り付けられると、カートリッジメモリ１９が位置決めされていないので、カートリッジメモリ１９の取り付け状態の不良が生じる。本構成では、軸部２４の先端に規制部２８が設けられているので、カートリッジメモリ１９が下ケース１６内で位置決めされた後、カートリッジメモリ１９に力Ｆ１が作用してもカートリッジメモリ１９の軸部２４から外れる方向の変位が抑制される。このため、カートリッジメモリ１９の取り付け状態の不良の発生が抑制される。

【0080】

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１０では、規制部２８は、下底部２８Ｂを備えている。下底部２８Ｂは、貫通孔２６Ｃよりも大きい径を有しており、下底部２８Ｂは、貫通孔２６Ｃの周縁と当接する。貫通孔２６Ｃの周縁と下底部２８Ｂが当接するので、例えば、周縁の一か所のみでカートリッジメモリ１９の変位が規制される場合と比較して、より広い範囲に亘ってカートリッジメモリ１９が軸部２４から外れる方向の変位が規制されるので、軸部２４からカートリッジメモリ１９が外れにくくなる。

【0081】

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１０では、規制部２８は、規制部２８の先端から下底部２８Ｂへ行くほど、径が大きくなる形状を有している。これにより、カートリッジメモリ１９を取り付ける場合、規制部２８の外周面に沿って貫通孔２６Ｃがガイドされるので、カートリッジメモリ１９の取り付け作業が容易になる。

【0082】

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１０では、規制部２８の上底部２８Ａの径は、貫通孔２６Ｃの径よりも小さい。これにより、規制部２８の上底部２８Ａを貫通孔２６Ｃへ挿通しやすい。この結果、カートリッジメモリ１９の取り付け作業が容易になる。

【0083】

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１０では、規制部２８は、円錐台形状を有し、円錐台形状において下底部２８Ｂが貫通孔２６Ｃの周縁と当接する。これにより、規制部２８の構造が簡素化されるので、磁気テープカートリッジ１０を製造しやすい。

【0084】

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１０では、カートリッジメモリ１９は、基板２６の外周縁に沿って周回する態様で形成されたコイル６０を備えている。そして、貫通孔２６Ｃは、コイル６０の内周側に形成されている。コイル６０を用いた非接触通信の安定性向上、及び／又は高速化を図るため、コイル６０は、基板２６の外周縁に沿って周回する態様で形成される。コイル６０の外周側に貫通孔２６Ｃを設ける場合、基板２６を貫通孔２６Ｃの分だけ大きくしたり、コイル６０の幅を狭めたりする必要がある。本構成では、コイル６０の内周側に貫通孔２６Ｃを設けているので、コイル６０の幅を確保しながら、カートリッジメモリ１９の小型化が実現される。

【0085】

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１０では、軸部２４は、ケース１２内で位置決めされた状態の基板２６の法線方向に沿って伸びている。貫通孔２６Ｃは、基板２６の法線方向（すなわち、板厚方向）に沿って形成される。これにより、軸部２４の挿通方向が、貫通孔２６Ｃの形成される方向と一致するので、貫通孔２６Ｃを軸部２４に取り付けるのが容易になる。

【0086】

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１０では、規制部２８は、軸部２４と一体成型されている。これにより、例えば、規制部２８が軸部２４とは別部品である場合と比較して、規制部２８と軸部２４との間の結合が強くなるので、規制部２８が軸部２４から分離することが抑制される。

【0087】

また、本実施形態に係る磁気テープカートリッジ１０では、傾斜台２０Ａ及び２０Ｂがケース１２に設けられ、傾斜台２０Ａ及び２０Ｂは、カートリッジメモリ１９の裏面２６Ｂを下方から支持する。傾斜台２０Ａ及び２０Ｂの傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１は、予め定められた角度（例えば、４５度）とされており、カートリッジメモリ１９は、ケース１２内に４５度で配置される。そして、カートリッジメモリ１９は、規制部２８と傾斜台２０Ａ及び２０Ｂとの間で保持される。これにより、カートリッジメモリ１９が予め定められた角度でケース１２内に配置された状態が、規制部２８によっても保持されるので、カートリッジメモリ１９の位置決めの精度が向上する。

【0088】

（変形例）
上記実施形態では、軸部２４がカートリッジメモリ１９の法線方向に沿って伸びている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。本変形例では、軸部２４が、下ケース１６の底板１６Ａの法線方向に沿って伸びている。

【0089】

一例として図９に示すように、下ケース１６の内面には、軸部２４が設けられている。軸部２４は、一端が下ケース１６の底板１６Ａの内面に取り付けられた棒状部材である。そして、軸部２４は、下ケース１６の内面からカートリッジメモリ１９へ向かって伸びている。軸部２４は、下ケース１６の底板１６Ａの内面（すなわち、底面１６Ａ２）の法線方向に沿って伸びている。底面１６Ａ２は、本開示の技術に係る「底面」の一例である。

【0090】

軸部２４の他端には、カートリッジメモリ１９に挿通可能な規制部２８が設けられている。図９に示す例において、規制部２８は、円錐台の下底を斜めに切り取った形状を有している。規制部２８において、上底部２８Ａは、規制部２８の先端に位置しており、下底部２８Ｂは、軸部２４の側に位置している。下底部２８Ｂは、上底部２８Ａに対して傾斜している。

【0091】

ここで、上底部２８Ａの径は、貫通孔２６Ｃの径よりも小さい径とされている。また、下底部２８Ｂの径は、貫通孔２６Ｃの径よりも大きい径とされている。また、下底部２８Ｂの径（ここでは、図９に示すＺ方向から見た場合の径）は、基板２６に塑性変形を生じさせない径とされている。例えば、下底部２８Ｂの径は、貫通孔２６Ｃの径よりも５％程度大きい径とされている。

【0092】

また、軸部２４の中心軸ＣＬに沿った方向（すなわち、図９に示すＺ方向）からカートリッジメモリ１９を見た場合に、貫通孔２６Ｃの形状は、軸部２４の横断面形状と相似の形状とされている。図９に示す中心軸ＣＬ方向から見た図において、貫通孔２６Ｃの形状は、円形とされており、軸部２４の横断面形状は、貫通孔２６Ｃよりも小さい径の円形とされている。

【0093】

カートリッジメモリ１９の組付け作業において、カートリッジメモリ１９が軸部２４からの中心軸ＣＬに沿った方向で軸部２４に向かって（すなわち、下方に向かって）移動される。そして、貫通孔２６Ｃが規制部２８を通過した後、カートリッジメモリ１９が下ケース１６に対して予め定められた位置に保持される。具体的には、カートリッジメモリ１９が規制部２８の下底部２８Ｂと、傾斜台２０Ｂとの間に保持される。

【0094】

以上説明したように、本変形例に係る磁気テープカートリッジ１０では、軸部２４は、ケース１２の底板１６Ａの法線方向に沿って伸びている。一般に、カートリッジメモリ１９をケース１２内に配置する場合、下ケース１６の直上から下方に向かって移動させることが多い。そのため、軸部２４が、下ケース１６の底面１６Ａ２の法線方向に沿って伸びていることで、カートリッジメモリ１９の組付け作業が容易になる。

【0095】

また、本変形例に係る磁気テープカートリッジ１０では、軸部２４の中心軸ＣＬに沿った方向からカートリッジメモリ１９を見た場合に、貫通孔２６Ｃの形状は、軸部２４の横断面形状と相似の形状とされている。軸部２４の中心軸ＣＬに沿った方向とカートリッジメモリ１９の基板２６の法線方向とが、交差する場合であっても、軸部２４を貫通孔２６Ｃに挿通することができる。これにより、カートリッジメモリ１９の組付け作業が容易になる。

【0096】

例えば、貫通孔２６Ｃが基板２６の法線方向に沿って貫通されており、一方、軸部２４が下ケース１６の底板１６Ａの法線方向に沿って伸びている場合を考える。この場合、軸部２４を貫通孔２６Ｃに挿通させようとすると、中心軸ＣＬに沿った方向から見た軸部２４の横断面形状と貫通孔２６Ｃの形状が相似ではないので、軸部２４によって貫通孔２６Ｃが変形される。このため、カートリッジメモリ１９の組付け作業が困難になる。また、カートリッジメモリ１９の基板２６に対して余計な負荷が生じるので、カートリッジメモリ１９の耐久性が低下する。本構成では、上記のように構成したので、軸部２４の中心軸ＣＬに沿った方向とカートリッジメモリ１９の基板２６の法線方向とが、交差する場合であっても、軸部２４を貫通孔２６Ｃに挿通することができる。これにより、カートリッジメモリ１９の組付け作業が容易になる。

【0097】

なお、上記実施形態では、規制部２８が、円錐台形状である形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。規制部２８は、カートリッジメモリ１９が軸部２４から外れる方向の変位を規制可能であればよく、形状は特に限定されない。例えば、規制部２８は、円錐形状、又は球体等であってもよい。

【0098】

また、上記実施形態では、規制部２８の下底部２８Ｂが、貫通孔２６Ｃの周縁と当接する形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、規制部２８が軸部２４の外周面よりも部分的に突出した部位を有し、突出した部位が、貫通孔２６Ｃの周縁の一部と当接する態様であってもよい。

【0099】

また、上記実施形態では、軸部２４の横断面形状及び貫通孔２６Ｃが円形状である形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、軸部２４の横断面形状及び貫通孔２６Ｃの形状は、楕円形状、又は多角形状（例えば、六角形）であってもよい。

【0100】

また、上記実施形態では、カートリッジメモリ１９に貫通孔２６Ｃが一つ設けられる形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、貫通孔２６Ｃは、複数設けられてもよい。また、軸部２４についても同様に複数設けられてもよい。

【0101】

また、上記実施形態では、軸部２４がケース１２の内壁面から伸びている棒状部材である形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、軸部２４の一端は、傾斜台２０Ａ及び２０Ｂの傾斜面２０Ａ１及び２０Ｂ１に取り付けられてもよい。

【0102】

また、上記実施形態では、規制部２８は、軸部２４と一体成型されている形態例を挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、規制部２８は、軸部２４の先端に取り付け可能な別部品であってもよい。この場合において、貫通孔２６Ｃに軸部２４が挿通された後、規制部２８が軸部２４の先端が取り付けられる態様であってもよい。

【0103】

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

【0104】

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

【0105】

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

【0106】

上記実施形態に関し、さらに以下を開示する。
＜付記１＞
ケース内に設けられ、かつ基板の板厚方向に貫通された貫通孔が形成された非接触式通信媒体と、
上記ケースに一端が設けられた棒状部材であって、上記貫通孔に挿通されることで上記非接触式通信媒体を上記ケース内で位置決め可能な軸部と、
上記軸部の他端に設けられ、かつ上記貫通孔の周縁の少なくとも一部と当接することにより上記非接触式通信媒体が上記軸部から外れる方向の変位を規制する規制部と、を備える
磁気テープカートリッジ。
＜付記２＞
上記規制部は、上記貫通孔の径よりも大きい径を有する拡径部を有し、
上記拡径部は、上記貫通孔の上記周縁と当接する
付記１に記載の磁気テープカートリッジ。
＜付記３＞
上記規制部は、上記規制部の先端から上記拡径部へ行くほど、径が大きくなる
付記２に記載の磁気テープカートリッジ。
＜付記４＞
上記規制部の上記先端の径は、上記貫通孔の径よりも小さい
付記３に記載の磁気テープカートリッジ。
＜付記５＞
上記規制部は、円錐台形状を有し、
上記円錐台形状において、下底部が上記拡径部とされている
付記２に記載の磁気テープカートリッジ。
＜付記６＞
上記非接触式通信媒体は、上記基板の外周縁に沿って周回する態様で形成されたアンテナコイルを備え、
上記貫通孔は、上記アンテナコイルの内周側に形成されている
付記１から付記５のうちの何れか一つに記載の磁気テープカートリッジ。
＜付記７＞
上記軸部は、上記ケース内で位置決めされた状態の上記基板の法線方向に沿って伸びている
付記１から付記６のうちの何れか一つに記載の磁気テープカートリッジ。
＜付記８＞
上記軸部は、上記ケースの底面の法線方向に沿って伸びている
付記１から付記６のうちの何れか一つに記載の磁気テープカートリッジ。
＜付記９＞
上記軸部の方向中心軸に沿った方向から上記非接触式通信媒体を見た場合に、上記非接触式通信媒体を上記ケース内に位置決めした上記貫通孔の形状は、上記軸部の横断面形状と相似の形状とされている
付記８に記載の磁気テープカートリッジ。
＜付記１０＞
上記規制部は、上記軸部と一体成型されている
付記１から付記９の何れか一つに記載の磁気テープカートリッジ。
＜付記１１＞
上記ケースに形成され、かつ上記非接触式通信媒体が上記ケースの基準面に対して予め定められた角度で配置される態様で上記非接触式通信媒体の一方の面を支持する支持部材をさらに備え、
上記非接触式通信媒体は、上記規制部と上記支持部材との間で保持される
付記１から付記１０のうちの何れか一つに記載の磁気テープカートリッジ。

【符号の説明】

【0107】

１０ 磁気テープカートリッジ
１２ ケース
１２Ａ 右壁
１２Ｂ 開口
１４ 上ケース
１４Ａ リブ
１４Ａ１ 先端面
１６ 下ケース
１６Ａ 底板
１６Ａ１ 基準面
１６Ａ２ 底面
１６Ｂ 後壁
１８ カートリッジリール
１８Ａ リールハブ
１８Ｂ１ 上フランジ
１８Ｂ２ 下フランジ
１９ カートリッジメモリ
１９Ａ 下端部
１９Ａ１ 下面
１９Ｂ 下端面
２０ 支持部材
２０Ａ 第１傾斜台
２０Ａ１，２０Ｂ１ 傾斜面
２０Ｂ 第２傾斜台
２２ 位置規制リブ
２２Ａ オーバーラップ部
２２Ｂ 後端部
２４ 軸部
２６ 基板
２６Ａ 表面
２６Ｂ 裏面
２８ 規制部
２８Ａ 上底部
２８Ｂ 下底部
３０ 磁気テープドライブ
３４ 搬送装置
３６ 読取ヘッド
３８ 制御装置
３９ 溝部
３９Ａ 傾斜面
３９Ｂ 下縁部
３９Ｃ 底面
３９Ｄ 後縁部
３９Ｅ 縦壁面
３９Ｆ 上縁部
４０ 送出モータ
４２ 巻取リール
４４ 巻取モータ
４６ 読取素子
４８ ホルダ
５０ 非接触式読み書き装置
５２ ＩＣチップ
５４ コンデンサ
５４Ａ，５４Ｂ 電極
５６ 封止材
６０ コイル
６２Ａ 第１導通部
６２Ｂ 第２導通部
６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃ，６４Ｄ 配線
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
ＣＬ 中心軸
Ｆ１ 力
ＧＲ ガイドローラ
ＭＦ 磁界
ＭＴ 磁気テープ
θ 傾斜角度
Ｗ１ 間隙
Ｗ２ 長さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】