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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024123672
(43)【公開日】2024-09-12
(54)【発明の名称】分配器およびプラズマ処理装置
(51)【国際特許分類】
H05H 1/46 20060101AFI20240905BHJP
H01L 21/205 20060101ALI20240905BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20240905BHJP
H01P 1/213 20060101ALI20240905BHJP
【ＦＩ】
H05H1/46 B
H05H1/46 R
H01L21/205
C23C16/44 B
H01P1/213 M
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023031281
(22)【出願日】2023-03-01
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】池田 太郎
(72)【発明者】
【氏名】長田 勇輝
(72)【発明者】
【氏名】宮下 大幸
【テーマコード（参考）】
2G084
4K030
5F045
5J006
【Ｆターム（参考）】
2G084AA05
2G084BB05
2G084CC06
2G084CC09
2G084CC14
2G084CC33
2G084DD04
2G084DD19
2G084DD25
2G084DD32
2G084DD38
2G084DD42
2G084DD48
2G084DD51
2G084DD55
2G084DD56
2G084DD65
2G084DD66
2G084EE02
2G084EE03
2G084EE06
2G084FF07
2G084FF13
2G084FF14
2G084HH05
2G084HH11
2G084HH20
2G084HH25
2G084HH28
2G084HH29
2G084HH45
4K030FA01
4K030JA18
4K030KA05
4K030KA30
4K030KA45
5F045AA09
5F045AB07
5F045AC00
5F045AC11
5F045AC15
5F045AC16
5F045AD07
5F045AD08
5F045AD09
5F045AD10
5F045AD11
5F045AD12
5F045AD13
5F045DP03
5F045EB03
5F045EB09
5F045EE04
5F045EE14
5F045EF02
5F045EF05
5F045EG02
5F045EH01
5F045EH02
5F045EH03
5F045EH11
5F045EH18
5F045EH19
5F045EH20
5F045EK07
5F045EM02
5F045EM09
5J006KA04
5J006KA13
(57)【要約】
【課題】電力の分配比率を可変できる分配器およびプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】分配器は、電磁波を複数の出力端子に分配する分配器であって、周波数を可変可能な高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、給電端子に入力された電磁波が分配される複数の出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、を有し、複数のフィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される。
【選択図】図１
【解決手段】分配器は、電磁波を複数の出力端子に分配する分配器であって、周波数を可変可能な高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、給電端子に入力された電磁波が分配される複数の出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、を有し、複数のフィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電磁波を複数の出力端子に分配する分配器であって、
周波数を可変可能な高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、
前記給電端子に入力された前記電磁波が分配される複数の前記出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、
を有し、
複数の前記フィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される、
分配器。
周波数を可変可能な高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、
前記給電端子に入力された前記電磁波が分配される複数の前記出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、
を有し、
複数の前記フィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される、
分配器。
【請求項2】
前記フィルタは、
内軸と外筒とを有する入力ポートおよび出力ポートを備え、前記入力ポートおよび前記出力ポートの前記外筒と同電位となるように構成される筐体と、
前記入力ポートの前記内軸と、前記出力ポートの前記内軸とを接続し、前記筐体内に設けられた給電フィンと、
前記筐体と同電位で接続され、前記給電フィンのフィン間に挿入されるように、前記筐体内に突出するように設けられたグランドフィンと、
を備えるように構成される、
請求項１に記載の分配器。
内軸と外筒とを有する入力ポートおよび出力ポートを備え、前記入力ポートおよび前記出力ポートの前記外筒と同電位となるように構成される筐体と、
前記入力ポートの前記内軸と、前記出力ポートの前記内軸とを接続し、前記筐体内に設けられた給電フィンと、
前記筐体と同電位で接続され、前記給電フィンのフィン間に挿入されるように、前記筐体内に突出するように設けられたグランドフィンと、
を備えるように構成される、
請求項１に記載の分配器。
【請求項3】
前記出力端子および前記フィルタの数は、それぞれ２つである、
請求項１または２に記載の分配器。
請求項１または２に記載の分配器。
【請求項4】
前記出力端子および前記フィルタの数は、それぞれ３つ以上である、
請求項１または２に記載の分配器。
請求項１または２に記載の分配器。
【請求項5】
前記給電端子と前記フィルタそれぞれとの間の経路は、途中で分岐しており、
前記給電端子と前記分岐との間に、さらに、前記電磁波を整合させる整合器を有する、
請求項１または２に記載の分配器。
前記給電端子と前記分岐との間に、さらに、前記電磁波を整合させる整合器を有する、
請求項１または２に記載の分配器。
【請求項6】
複数の前記出力端子それぞれから出力される前記電磁波の電力は、前記周波数特性に応じて分配される、
請求項１または２に記載の分配器。
請求項１または２に記載の分配器。
【請求項7】
プラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置は、
処理容器と、
周波数を可変可能な高周波電源と、
前記高周波電源が出力する電磁波を、複数の出力端子に分配する分配器と、
前記出力端子に接続されたスロットアンテナと、
前記スロットアンテナから放射される電磁波を透過させ、前記処理容器内に前記電磁波を供給するように構成される透過窓と、を含み、
前記分配器は、
前記高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、
前記給電端子に入力された前記電磁波が分配される複数の前記出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、
を有し、
複数の前記フィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される、
プラズマ処理装置。
前記プラズマ処理装置は、
処理容器と、
周波数を可変可能な高周波電源と、
前記高周波電源が出力する電磁波を、複数の出力端子に分配する分配器と、
前記出力端子に接続されたスロットアンテナと、
前記スロットアンテナから放射される電磁波を透過させ、前記処理容器内に前記電磁波を供給するように構成される透過窓と、を含み、
前記分配器は、
前記高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、
前記給電端子に入力された前記電磁波が分配される複数の前記出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、
を有し、
複数の前記フィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される、
プラズマ処理装置。
【請求項8】
前記フィルタ、前記出力端子、前記スロットアンテナおよび前記透過窓の組であるセルは、前記処理容器の上面において、同一の円周上に複数配置される、
請求項７に記載のプラズマ処理装置。
請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項9】
複数の前記セルは、前記円周上に等間隔に２ｎ個配置され、
前記分配器は、前記電磁波を２個の前記セルに分配する分配器であって、それぞれ前記高周波電源に接続されるｎ個の系統を備え、
前記セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。
前記分配器は、前記電磁波を２個の前記セルに分配する分配器であって、それぞれ前記高周波電源に接続されるｎ個の系統を備え、
前記セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項10】
前記スロットアンテナおよび前記透過窓の組であるセルは、
さらに、前記電磁波を整合させる整合器を含み、前記処理容器の上面の中心部に配置される内側セルと、
さらに、前記フィルタおよび前記出力端子を含み、前記処理容器の前記上面であって、前記内側セルの周囲を囲むように複数配置される外側セルと、を含む、
請求項７に記載のプラズマ処理装置。
さらに、前記電磁波を整合させる整合器を含み、前記処理容器の上面の中心部に配置される内側セルと、
さらに、前記フィルタおよび前記出力端子を含み、前記処理容器の前記上面であって、前記内側セルの周囲を囲むように複数配置される外側セルと、を含む、
請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項11】
複数の前記外側セルは、同一の円周上に等間隔に２ｎ個配置され、
前記分配器は、前記電磁波を２個の前記外側セルに分配する分配器であって、それぞれ前記高周波電源に接続されるｎ個の系統を備え、
同一の前記系統に属する前記外側セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
前記分配器は、前記電磁波を２個の前記外側セルに分配する分配器であって、それぞれ前記高周波電源に接続されるｎ個の系統を備え、
同一の前記系統に属する前記外側セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項12】
同一の前記系統内では、前記周波数特性は２種類であり、
異なる前記系統間において、前記２種類の前記周波数を共用する、
請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
異なる前記系統間において、前記２種類の前記周波数を共用する、
請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項13】
複数の前記外側セルは、同一の円周上に等間隔にｎ個配置され、
前記分配器は、前記電磁波をｎ個の前記外側セルに分配する分配器であり、
隣り合う前記外側セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
前記分配器は、前記電磁波をｎ個の前記外側セルに分配する分配器であり、
隣り合う前記外側セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項14】
前記ｎは、３以上であり、
前記周波数特性は、３種類以上であり、
前記高周波電源は、所定の周期で前記周波数を変化させる、
請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
前記周波数特性は、３種類以上であり、
前記高周波電源は、所定の周期で前記周波数を変化させる、
請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項15】
前記ｎは、６であり、
前記周波数特性は、３種類であり、
複数の前記外側セルのうち、前記処理容器の上面の中心点を中心とした点対称の位置にある前記外側セルは、前記フィルタの前記周波数特性が同一である、
請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
前記周波数特性は、３種類であり、
複数の前記外側セルのうち、前記処理容器の上面の中心点を中心とした点対称の位置にある前記外側セルは、前記フィルタの前記周波数特性が同一である、
請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項16】
前記高周波電源は、変化させた複数の前記周波数において、それぞれの前記周波数を維持する時間を変化させる、
請求項１４または１５に記載のプラズマ処理装置。
請求項１４または１５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項17】
前記内側セルは、前記整合器の前記周波数特性が、前記外側セルそれぞれの前記フィルタの前記周波数特性と異なる、
請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、分配器およびプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
誘導結合型プラズマ処理装置においては、誘電体窓の上に設けられるＲＦアンテナが径方向で内側コイル、中間コイルおよび外側コイルに分割されている。高周波電源からＲＦ給電ライン、ＲＦアンテナおよびアースラインを通って接地電位部材まで廻った場合、より端的には第１ノードＮＡから第２ノードＮＢまで各コイルの高周波分岐伝送路を廻った場合に、内側コイルおよび外側コイルでは反時計回りになるのに対して、中間コイルでは時計回りになる。第１および第２ノードＮＡ，ＮＢの間で中間および外側コイルには可変の中間および外側コンデンサがそれぞれ電気的に直列接続される。外側コンデンサの静電容量Ｃを可変することにより、外側コイルと外側コンデンサとの合成リアクタンスＺｏを可変し、ひいては内側電流Ｉｉと外側電流Ｉｏとの間の分配比を調節することが開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－１３０３５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、電力の分配比率を可変できる分配器およびプラズマ処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様による分配器は、高周波を複数の出力端子に分配する分配器であって、周波数を可変可能な高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、給電端子に入力された高周波が分配される複数の出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、を有し、複数のフィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、電力の分配比率を可変できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、開示する分配器およびプラズマ処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。
【0009】
上記の特許文献１では、誘導結合型のプラズマ処理装置において、外側コンデンサの静電容量Ｃを可変することで、外側コイルと外側コンデンサとの合成リアクタンスＺｏを変化させ、内側コイルと外側コイルに流れる電流間の分配比を調整している。一方、マイクロ波プラズマ型のプラズマ処理装置では、高周波電力を分配する場合、電力分配器を用いる。ところが、従来の電力分配器は、電力を等分配することはできるが、特定の比率で分配したり、分配比率を可変することは難しい。そこで、電力の分配比率を可変することが期待されている。
【0010】
（第１実施形態）
［プラズマ処理装置１００の構成］
図１は、本開示の第１実施形態におけるプラズマ処理装置の一例を示す概略断面図である。図１に示すプラズマ処理装置１００は、処理容器１０１と、載置台１０２と、ガス供給機構１０３と、排気装置１０４と、マイクロ波導入装置１０５と、制御部１０６とを有する。処理容器１０１は、基板Ｗを収容する。載置台１０２は、基板Ｗを載置する。ガス供給機構１０３は、処理容器１０１内にガスを供給する。排気装置１０４は、処理容器１０１内を排気する。マイクロ波導入装置１０５は、処理容器１０１内にプラズマを生成させるためのマイクロ波を発生させるとともに、処理容器１０１内にマイクロ波を導入する。制御部１０６は、プラズマ処理装置１００の各部の動作を制御する。
［プラズマ処理装置１００の構成］
図１は、本開示の第１実施形態におけるプラズマ処理装置の一例を示す概略断面図である。図１に示すプラズマ処理装置１００は、処理容器１０１と、載置台１０２と、ガス供給機構１０３と、排気装置１０４と、マイクロ波導入装置１０５と、制御部１０６とを有する。処理容器１０１は、基板Ｗを収容する。載置台１０２は、基板Ｗを載置する。ガス供給機構１０３は、処理容器１０１内にガスを供給する。排気装置１０４は、処理容器１０１内を排気する。マイクロ波導入装置１０５は、処理容器１０１内にプラズマを生成させるためのマイクロ波を発生させるとともに、処理容器１０１内にマイクロ波を導入する。制御部１０６は、プラズマ処理装置１００の各部の動作を制御する。
【0011】
処理容器１０１は、例えばアルミニウムおよびその合金等の金属材料によって形成され、略円筒形状をなしており、板状の天壁部１１１および底壁部１１３と、これらを連結する側壁部１１２とを有している。マイクロ波導入装置１０５は、処理容器１０１の上部に設けられ、処理容器１０１内に電磁波（マイクロ波）を導入してプラズマを生成するプラズマ生成手段として機能する。マイクロ波導入装置１０５については後で詳細に説明する。
【0012】
天壁部１１１には、マイクロ波導入装置１０５の後述するマイクロ波放射機構、フィルタおよびガス導入部が嵌め込まれる複数の開口部を有している。側壁部１１２は、処理容器１０１に隣接する搬送室（図示せず）との間で被処理基板である基板Ｗの搬入出を行うための搬入出口１１４を有している。搬入出口１１４はゲートバルブ１１５により開閉されるようになっている。底壁部１１３には排気装置１０４が設けられている。排気装置１０４は底壁部１１３に接続された排気管１１６に設けられ、真空ポンプと圧力制御バルブを備えている。排気装置１０４の真空ポンプにより排気管１１６を介して処理容器１０１内が排気される。処理容器１０１内の圧力は圧力制御バルブにより制御される。
【0013】
載置台１０２は、円板状をなしており、ＡｌＮ等のセラミックスからなっている。載置台１０２は、処理容器１０１の底部中央から上方に延びる円筒状のＡｌＮ等のセラミックスからなる支持部材１２０および基部部材１２１により支持されている。載置台１０２の外縁部には基板Ｗをガイドするためのガイドリング１８１が設けられている。また、載置台１０２の内部には、基板Ｗを昇降するための昇降ピン（図示せず）が載置台１０２の上面に対して突没可能に設けられている。
【0014】
さらに、載置台１０２の内部には抵抗加熱型のヒータ１８２が埋め込まれており、このヒータ１８２はヒータ電源１８３から給電されることにより載置台１０２を介してその上の基板Ｗを加熱する。また、載置台１０２には、熱電対（図示せず）が挿入されており、熱電対からの信号に基づいて、基板Ｗの加熱温度を、例えば３００～１０００℃の範囲の所定の温度に制御可能となっている。さらに、載置台１０２内のヒータ１８２の上方には、基板Ｗと同程度の大きさの電極１８４が埋設されており、この電極１８４には、高周波バイアス電源１２２が電気的に接続されている。この高周波バイアス電源１２２から載置台１０２に、イオンを引き込むための高周波バイアスが印加される。なお、高周波バイアス電源１２２はプラズマ処理の特性によっては設けなくてもよい。
【0015】
ガス供給機構１０３は、プラズマ生成ガス、および、例えばグラフェン膜（炭素含有膜）を形成するための原料ガスを処理容器１０１内に導入するためのものであり、複数のガス導入ノズル１２３を有している。ガス導入ノズル１２３は、処理容器１０１の天壁部１１１に形成された開口部に嵌め込まれている。ガス導入ノズル１２３には、ガス供給配管１９１が接続されている。このガス供給配管１９１は、分岐管１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃ、１９１ｄ、１９１ｅの５つに分岐している。これら分岐管１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃ、１９１ｄ、１９１ｅには、Ａｒガス供給源１９２、Ｏ２ガス供給源１９３、Ｎ２ガス供給源１９４、Ｈ２ガス供給源１９５、Ｃ２Ｈ２ガス供給源１９６が接続されている。Ａｒガス供給源１９２は、プラズマ生成ガスである貴ガス（希ガス）としてのＡｒガスを供給する。Ｏ２ガス供給源１９３は、クリーニングガスである酸化ガスとしてのＯ２ガスを供給する。Ｎ２ガス供給源１９４は、パージガス等として用いられるＮ２ガスを供給する。Ｈ２ガス供給源１９５は、還元性ガスとしてのＨ２ガスを供給する。Ｃ２Ｈ２ガス供給源１９６は、成膜原料ガスである炭素含有ガスとしてのアセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガスを供給する。なお、Ｃ２Ｈ２ガス供給源１９６は、エチレン（Ｃ２Ｈ４）等の他の炭素含有ガスを供給してもよい。
【0016】
なお、分岐管１９１ａ、１９１ｂ、１９１ｃ、１９１ｄ、１９１ｅには、図示してはいないが、流量制御用のマスフローコントローラおよびその前後のバルブが設けられている。なお、シャワープレートを設けてＣ２Ｈ２ガスおよびＨ２ガスを基板Ｗに近い位置に供給するようにしてガスの解離を調整することもできる。また、これらのガスを供給するノズルを下方に延ばすことにより同様の効果を得ることができる。
【0017】
マイクロ波導入装置１０５は、前述のように、処理容器１０１の上方に設けられ、処理容器１０１内に電磁波（マイクロ波）を導入してプラズマを生成するプラズマ生成手段として機能する。
【0018】
マイクロ波導入装置１０５は、処理容器１０１の天壁部１１１と、マイクロ波出力部１３０と、アンテナユニット１４０とを有する。天壁部１１１は、天板として機能する。マイクロ波出力部１３０は、マイクロ波を生成するとともに、マイクロ波を複数の経路に分配して出力する。アンテナユニット１４０は、マイクロ波出力部１３０から出力されたマイクロ波を処理容器１０１に導入する。
【0019】
マイクロ波出力部１３０は、マイクロ波電源と、マイクロ波発振器と、アンプと、分配器とを有している。マイクロ波発振器はソリッドステートであり、例えば、８６０ＭＨｚでマイクロ波を発振（例えば、ＰＬＬ発振）させる。なお、マイクロ波の周波数は、８６０ＭＨｚに限らず、２．４５ＧＨｚ、８．３５ＧＨｚ、５．８ＧＨｚ、１．９８ＧＨｚ等、７００ＭＨｚから１０ＧＨｚの範囲のものを用いることができる。また、マイクロ波発振器は、例えば、周波数変調等により発振周波数を可変することができる。アンプは、マイクロ波発振器によって発振されたマイクロ波を増幅する。分配器は、アンプによって増幅されたマイクロ波を複数の経路に分配する。分配器は、入力側と出力側のインピーダンスを整合させながらマイクロ波を分配する。
【0020】
アンテナユニット１４０は、天壁部１１１の中心に配置されたマイクロ波放射機構１４３と、マイクロ波放射機構１４３の周囲を囲むように、同一の円周上に複数配置されるフィルタ１４４とを有する。後述する分配器１７０は、例えば２つのフィルタ１４４と、後述するチューナ１５４ａとを含み、マイクロ波放射機構１４３の周囲に、例えば３つ配置される。すなわち、フィルタ１４４は、マイクロ波放射機構１４３の周囲に、例えば６つ配置される。マイクロ波出力部１３０と、マイクロ波放射機構１４３および分配器１７０との間には、それぞれ、アンプ部１４２が設けられる。マイクロ波出力部１３０の分配器によって分配されたマイクロ波は、アンプ部１４２で増幅される。アンプ部１４２から出力されたマイクロ波は、マイクロ波放射機構１４３および各フィルタ１４４を介して、後述するアンテナ部１５６から処理容器１０１内に放射される。
【0021】
アンプ部１４２は、位相器と、可変ゲインアンプと、メインアンプと、アイソレータとを有する。位相器は、マイクロ波の位相を変化させる。可変ゲインアンプは、メインアンプに入力されるマイクロ波の電力レベルを調整する。メインアンプは、ソリッドステートアンプとして構成されている。アイソレータは、後述するアンテナ部１５６で反射されてメインアンプに向かう反射マイクロ波を分離する。
【0022】
後述するアンテナ部１５６の下面側には、天壁部１１１に嵌め込まれているマイクロ波透過板１６３が設けられており、その下面は処理容器１０１の内部空間に露出している。マイクロ波透過板１６３を透過したマイクロ波は、処理容器１０１内の空間にプラズマを生成する。
【0023】
制御部１０６は、典型的にはコンピュータからなり、プラズマ処理装置１００の各部を制御するようになっている。制御部１０６はプラズマ処理装置１００のプロセスシーケンスおよび制御パラメータであるプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたプロセスレシピに従って所定の制御を行うことが可能である。例えば、制御部１０６は、成膜処理を行うように、プラズマ処理装置１００の各部を制御する。
【0024】
［アンテナユニット１４０の構造］
次に、図２から図５を用いてアンテナユニット１４０の詳細について説明する。図２は、第１実施形態におけるアンテナユニットの一例を示す斜視図である。図３は、図２のＡ－Ａ断面における分配器の一例を示す断面図である。図４は、第１実施形態におけるマイクロ波放射機構の一例を模式的に示す図である。図５は、第１実施形態における出力端子近傍の一例を示す断面図である。図２に示すように、アンテナユニット１４０は、天壁部１１１の中心に配置されたマイクロ波放射機構１４３と、３つの分配器１７０とを有する。
次に、図２から図５を用いてアンテナユニット１４０の詳細について説明する。図２は、第１実施形態におけるアンテナユニットの一例を示す斜視図である。図３は、図２のＡ－Ａ断面における分配器の一例を示す断面図である。図４は、第１実施形態におけるマイクロ波放射機構の一例を模式的に示す図である。図５は、第１実施形態における出力端子近傍の一例を示す断面図である。図２に示すように、アンテナユニット１４０は、天壁部１１１の中心に配置されたマイクロ波放射機構１４３と、３つの分配器１７０とを有する。
【0025】
図２および図３に示すように、分配器１７０は、２つのフィルタ１４４と、１つのチューナ１５４ａとを有する。なお、図２では、分配器１７０のチューナ１５４ａと、マイクロ波放射機構１４３のチューナ１５４ｂとを併せて、単にチューナ１５４と表している。チューナ１５４ａの出力側と、フィルタ１４４の入力側との間は、それぞれ同軸導波管１４５により接続されている。同軸導波管１４５の外側導体１４６および内側導体１４７は、それぞれチューナ１５４ａの外側導体１５２および内側導体１５３と接続される。また、外側導体１４６および内側導体１４７は、それぞれフィルタ１４４の後述する入力ポート２０２の外筒２０３および内軸２０４と接続される。分配器１７０のチューナ１５４ａの入力側、つまり分配器１７０の給電端子１７１は、アンプ部１４２に接続される。フィルタ１４４の出力側、つまり出力端子１７２，１７３は、それぞれアンテナ部１５６ａに接続される。なお、同軸導波管１４５の外側導体１４６と内側導体１４７との間には、図３に示すように誘電体１４８を配置してもよいし、誘電体１４８を配置しなくてもよい。
【0026】
図４に示すように、マイクロ波放射機構１４３は、チューナ１５４ｂを有する。マイクロ波放射機構１４３のチューナ１５４ｂの入力側は、アンプ部１４２に接続される。マイクロ波放射機構１４３のチューナ１５４ｂの出力側は、アンテナ部１５６ｂに接続される。なお、以下の説明では、チューナ１５４ａ，１５４ｂを併せて、単にチューナ１５４と表し、アンテナ部１５６ａ，１５６ｂを併せて、単にアンテナ部１５６と表す場合がある。
【0027】
チューナ１５４は、スラグチューナを構成している。チューナ１５４は、図３および図４に示すように、外側導体１５２と内側導体１５３との間にマイクロ波伝送路を有する同軸管１５１と、スラグ１５１ａ，１５１ｂと、アクチュエータと、チューナコントローラとを有している。スラグ１５１ａ，１５１ｂは、同軸管１５１に配置された２つのスラグである。スラグ１５１ａ，１５１ｂは、チューナコントローラによって制御されるアクチュエータによって駆動される。スラグ１５１ａ，１５１ｂは、板状かつ環状をなし、セラミックス等の誘電体材料で構成され、同軸管１５１の外側導体１５２と内側導体１５３の間に配置されている。スラグ１５１ａ，１５１ｂの位置は、終端部のインピーダンスが５０Ωになるように調整される。つまり、チューナ１５４は、整合器の一例である。なお、マイクロ波放射機構１４３のチューナ１５４ｂにおいて整合させる周波数は、分配器１７０の後述するフィルタ１４４の共振周波数と異なる。
【0028】
図４および図５に示すように、アンテナ部１５６ａ，１５６ｂは、それぞれ、出力端子１７２，１７３、および、マイクロ波放射機構１４３の同軸管１５１の下端部に設けられている。アンテナ部１５６ｂは、内側導体１５３の下端部に接続された円板状をなす平面アンテナ１６１と、平面アンテナ１６１の上面側に配置された遅波材１６２と、平面アンテナ１６１の下面側に配置されたマイクロ波透過板１６３とを有している。アンテナ部１５６ａは、平面アンテナ１６１ｂと、遅波材１６２ａと、マイクロ波透過板１６３とを有している。平面アンテナ１６１ｂは、円板状であり、出力端子１７２，１７３の後述する出力ポート２０５の内軸２０７に接続される。遅波材１６２ａは、平面アンテナ１６１ｂの上面側に配置される。マイクロ波透過板１６３は、平面アンテナ１６１ｂの下面側に配置される。マイクロ波透過板１６３は天壁部１１１に嵌め込まれており、その下面は処理容器１０１の内部空間に露出している。なお、アンテナ部１５６ａ，１５６ｂにおけるマイクロ波透過板１６３の直径および厚さは、同じであるとする。平面アンテナ１６１，１６１ｂは、貫通するように形成されたスロット１６１ａ，１６１ｃをそれぞれ有している。スロット１６１ａ，１６１ｃの形状は、マイクロ波が効率良く放射されるように適宜設定される。スロット１６１ａ，１６１ｃには誘電体が挿入されていてもよい。
【0029】
遅波材１６２，１６２ａは、真空よりも大きい誘電率を有する材料によって形成されており、その厚さによりマイクロ波の位相を調整することができ、マイクロ波の放射エネルギーが最大となるようにすることができる。マイクロ波透過板１６３も誘電体で構成されマイクロ波をＴＥモードで効率的に放射することができるような形状をなしている。そして、マイクロ波透過板１６３を透過したマイクロ波は、処理容器１０１内の空間にプラズマを生成する。遅波材１６２，１６２ａおよびマイクロ波透過板１６３を構成する材料としては、例えば、石英やセラミックス、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等のフッ素系樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることができる。
【0030】
なお、第１実施形態では、マイクロ波透過板１６３は、天壁部１１１において、均等に六方最密配置になるように配置されている。この場合、マイクロ波透過板１６３を含むアンテナ部１５６をセルの一例とすると、チューナ１５４ｂを含むマイクロ波放射機構１４３、および、アンテナ部１５６ｂの組であるセル１７４は、天壁部１１１の中心部に配置される内側セルの一例である。さらに、マイクロ波透過板１６３を含むアンテナ部１５６ａ、および、フィルタ１４４の組であるセル１７５は、天壁部１１１において、内側セルの周囲を囲むように複数配置される外側セルの一例である。
【0031】
図５に示すように、フィルタ１４４は、筐体２０１を有する。筐体２０１は、アルミニウムや銅等の導体で形成される。また、筐体２０１は、入力ポート２０２と、出力ポート２０５とを備える。出力ポート２０５は、出力端子１７２，１７３に対応する。本実施形態では、マイクロ波出力部１３０から供給される電磁波の流れ方向を基準として、分配器１７０のチューナ１５４ａの出力側の同軸導波管１４５に接続される側を入力ポート２０２とし、アンテナ部１５６ａに接続される側を出力ポート２０５として説明する。なお、入力ポート２０２と出力ポート２０５とは、接続先を入れ替えても構わない。
【0032】
入力ポート２０２および出力ポート２０５は、それぞれ外筒（外側導体）２０３，２０６、および、内軸（内側導体）２０４，２０７で形成される。つまり、入力ポート２０２および出力ポート２０５は、同軸構造である。筐体２０１は、外筒２０３，２０６と導通しており、入力ポート２０２に接続される同軸導波管１４５やアンテナユニット１４０が設置されるフレーム等を介して、接地された処理容器１０１とともにグランド電位となる。筐体２０１は、円筒形状であり、円筒の側面２１０には入力ポート２０２が形成される。なお、筐体２０１は、断面が四角の筒形状であってもよい。また、筐体２０１は、入力ポート２０２が形成された側の円筒の端部に出力ポート２０５が形成され、他方の端部２０８は円筒を閉じるように円盤状に形成される。さらに、端部２０８には、アルミニウムや銅等の導体で形成され、筐体２０１内に突出するように設けられグランドフィン２０９が接続される。グランドフィン２０９は、例えば円柱形状である。
【0033】
筐体２０１の内部には、グランドフィン２０９を囲むように形成される給電フィン２２４が設けられる。グランドフィン２０９と給電フィン２２４とは、同軸状に配置される。給電フィン２２４は、アルミニウムや銅等の導体で形成され、一方を基部２２１で閉じた円筒形状である。すなわち、給電フィン２２４は、筒形状のモノポールアンテナである。言い換えると、グランドフィン２０９は、図５に示す断面において、給電フィン２２４のフィン間に挿入されるように、筐体２０１内に突出するように設けられる。基部２２１は、円盤状であり、その中心部は、出力ポート２０５側にオフセットするように凸状となっている。基部２２１の側面２２２には、内軸２０４が接続される。基部２２１の凸状部分の底面２２３には、内軸２０７が接続される。すなわち、入力ポート２０２の内軸（入力側導体）２０４と、出力ポート２０５の内軸（出力側導体）２０７と、給電フィン２２４とによって、筐体２０１から絶縁される給電ライン２２０が形成される。つまり、フィルタ１４４では、内軸２０４と、給電フィン２２４と、内軸２０７とによって形成される給電ライン２２０が直角の配置となっている。
【0034】
筐体２０１と給電ライン２２０との間には、誘電体２２５を有する。つまり、グランドフィン２０９と給電フィン２２４との間、給電フィン２２４と円筒の側面２１０との間、および、給電フィン２２４の先端部２２４ａから端部２０８との間は、誘電体２２５が充填された状態である。同様に、入力ポート２０２の外筒２０３と内軸２０４との間、および、出力ポート２０５の外筒２０６と内軸２０７との間にも、誘電体２２５が充填された状態である。誘電体２２５は、例えば、ＰＴＦＥ（Poly Tetra Fluoro Ethylene）等を用いることができる。なお、誘電体２２５は、省略してもよい。
【0035】
また、図５の区間２３０に対応する空間、つまり、給電フィン２２４の基部２２１の外周側の面２２１ａから中心である面２２１ｂまでの、筐体２０１およびグランドフィン２０９と、給電フィン２２４との間の空間は、定在波領域を形成する。すなわち、フィルタ１４４は、特定の共振周波数を有する共振器の一例である。また、フィルタ１４４は、立体回路によるバンドパスフィルタの一例である。なお、給電フィン２２４の先端部２２４ａと端部２０８の内面２０８ａとの間隔である区間２３１、および、グランドフィン２０９の先端部２０９ａと給電フィン２２４の面２２１ｂとの間隔である区間２３２は、例えば、誘電体２２５の絶縁破壊電圧を考慮して決定される。例えば、区間２３１，２３２は、誘電体２２５がＰＴＦＥである場合、ＰＴＦＥの絶縁破壊電圧の１９ｋＶ／ｍｍから２０倍程度の安全率を考慮した１ｋＶ／ｍｍを用いて決定される。なお、フィルタ１４４は、グランドフィン２０９および給電フィン２２４の数を増加させ、高さを低く（上下方向の長さを短く）するようにしてもよい。さらに、フィルタ１４４は、グランドフィン２０９を上下方向（フィルタ１４４の長手方向）に可動可能に構成し、共振周波数を可変可能としてもよい。
【0036】
フィルタ１４４の出力ポート２０５（出力端子１７２，１７３）には、アンテナ部１５６ａが設けられている。なお、出力ポート２０５に設けられているアンテナ部１５６ａは、上述のように、マイクロ波放射機構１４３の同軸管１５１の下端部に設けられているアンテナ部１５６ｂと同様の機能を有する。
【0037】
［電力の分配比率］
続いて、図６を用いて電力の分配比率の制御方法について説明する。図６は、電力の分配比率の制御方法の一例を示す図である。図６に示す分配器１０は、分配器１７０と同様に１つの給電端子１１から入力された高周波電力を、２つの出力端子１２，１３に分配する場合を模式的に表したものである。なお、図６では、給電端子１１側のチューナは省略している。
続いて、図６を用いて電力の分配比率の制御方法について説明する。図６は、電力の分配比率の制御方法の一例を示す図である。図６に示す分配器１０は、分配器１７０と同様に１つの給電端子１１から入力された高周波電力を、２つの出力端子１２，１３に分配する場合を模式的に表したものである。なお、図６では、給電端子１１側のチューナは省略している。
【0038】
分配器１０では、給電端子１１から出力端子１２側への伝送経路と、給電端子１１から出力端子１３側への伝送経路との電力伝送特性が異なる。つまり、分配器１０では、出力端子１２側の伝送経路の周波数特性である電力反射率１２ａおよび共振周波数１４ａと、出力端子１３側の伝送経路の周波数特性である電力反射率１３ａおよび共振周波数１５ａとが異なる。この場合、共振周波数１４ａと同じ周波数の高周波電力１４は、共振周波数１４ａの出力端子１２側における電力反射率１２ａが低く、共振周波数１５ａの出力端子１３側における電力反射率１３ａが高くなる。つまり、高周波電力１４は、出力端子１２側への分配比率が高くなる。一方、共振周波数１５ａと同じ周波数の高周波電力１５は、共振周波数１５ａの出力端子１３側における電力反射率１３ａが低く、共振周波数１４ａの出力端子１２側における電力反射率１２ａが高くなる。つまり、高周波電力１５は、出力端子１３側への分配比率が高くなる。また、共振周波数１４ａと共振周波数１５ａとの中間の周波数１６の高周波電力では、出力端子１２側と出力端子１３側とで電力反射率１２ａ，１３ａが均等となり、出力端子１２側と出力端子１３側とに均等に電力が分配される。すなわち、マイクロ波出力部から出力される高周波電力の周波数を変調することで、機械的な駆動部を設けることなく、電力の分配比率を制御することができる。
【0039】
［シミュレーション結果］
次に、図７および図８を用いて分配器１７０の周波数特性のシミュレーション結果について説明する。図７は、第１実施形態におけるフィルタ単体の周波数特性の一例を示す図である。図７に示すグラフ１７２ａ，１７３ａは、それぞれ、分配器１７０の出力端子１７２，１７３の各フィルタ１４４単体の周波数特性を表している。なお、グラフ１７２ａ，１７３ａの配置は、図３の出力端子１７２，１７３に対応させている。グラフ１７２ａに示すように、出力端子１７２のフィルタ１４４は、共振周波数９００ＭＨｚにおいて電力透過率Ｓ２１ ２が約１．００となっている。また、出力端子１７２のフィルタ１４４は、バンド幅１７２ｂ（８８５ＭＨｚ～９１５ＭＨｚの３０ＭＨｚ幅）のバンドパスフィルタとなる。一方、グラフ１７３ａに示すように、出力端子１７３のフィルタ１４４は、共振周波数８２０ＭＨｚにおいて電力透過率Ｓ３１ ２が約１．００となっている。また、出力端子１７３のフィルタ１４４は、バンド幅１７３ｂ（８０５ＭＨｚ～８３５ＭＨｚの３０ＭＨｚ幅）のバンドパスフィルタとなる。
次に、図７および図８を用いて分配器１７０の周波数特性のシミュレーション結果について説明する。図７は、第１実施形態におけるフィルタ単体の周波数特性の一例を示す図である。図７に示すグラフ１７２ａ，１７３ａは、それぞれ、分配器１７０の出力端子１７２，１７３の各フィルタ１４４単体の周波数特性を表している。なお、グラフ１７２ａ，１７３ａの配置は、図３の出力端子１７２，１７３に対応させている。グラフ１７２ａに示すように、出力端子１７２のフィルタ１４４は、共振周波数９００ＭＨｚにおいて電力透過率Ｓ２１ ２が約１．００となっている。また、出力端子１７２のフィルタ１４４は、バンド幅１７２ｂ（８８５ＭＨｚ～９１５ＭＨｚの３０ＭＨｚ幅）のバンドパスフィルタとなる。一方、グラフ１７３ａに示すように、出力端子１７３のフィルタ１４４は、共振周波数８２０ＭＨｚにおいて電力透過率Ｓ３１ ２が約１．００となっている。また、出力端子１７３のフィルタ１４４は、バンド幅１７３ｂ（８０５ＭＨｚ～８３５ＭＨｚの３０ＭＨｚ幅）のバンドパスフィルタとなる。
【0040】
図８は、第１実施形態における分配器の周波数特性の一例を示す図である。図８に示すグラフ１７１ａは、分配器１７０の給電端子１７１における電力反射率Ｓ１１
２の周波数特性を表している。グラフ１７２ｃは、分配器１７０の出力端子１７２における電力透過率Ｓ２１
２の周波数特性を表している。グラフ１７３ｃは、分配器１７０の出力端子１７３における電力透過率Ｓ３１
２の周波数特性を表している。図８の例では、マイクロ波出力部１３０における周波数変調の範囲を範囲１３０ａとした場合について考える。ここで、高周波電力の中心周波数ｆは、出力端子１７２のフィルタ１４４の共振周波数９００ＭＨｚと、出力端子１７３のフィルタ１４４の共振周波数８２０ＭＨｚとの中間の周波数である８６０ＭＨｚを用いる。なお、後述する第２実施形態と同様に、各セル１７５の各フィルタ１４４の共振周波数を全て異なる周波数としてもよい。
【0041】
まず、インピーダンス整合なしで、マイクロ波出力部１３０から１０００Ｗの高周波電力を投入した場合、中心周波数の８６０ＭＨｚでは、出力端子１７２，１７３から出力される高周波電力は、下記の式（１），（２）で表される。なお、インピーダンス整合なしである場合、グラフ１７１ａに対応する電力反射率Ｓ１１
２分の高周波電力は、マイクロ波出力部１３０側に向けて反射される。
【0042】
出力端子１７２の出力＝１０００×Ｓ２１
２
＝１０００×０．４３＝４３０Ｗ ・・・（１）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２
＝１０００×０．４３＝４３０Ｗ ・・・（２）
＝１０００×０．４３＝４３０Ｗ ・・・（１）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２
＝１０００×０．４３＝４３０Ｗ ・・・（２）
【0043】
周波数変調の範囲１３０ａにおける下限周波数の８５０ＭＨｚでは、出力端子１７２，１７３から出力される高周波電力は、下記の式（３），（４）で表される。
【0044】
出力端子１７２の出力＝１０００×Ｓ２１
２
＝１０００×０．３８＝３８０Ｗ ・・・（３）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２
＝１０００×０．４７＝４７０Ｗ ・・・（４）
＝１０００×０．３８＝３８０Ｗ ・・・（３）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２
＝１０００×０．４７＝４７０Ｗ ・・・（４）
【0045】
周波数変調の範囲１３０ａにおける上限周波数の８７０ＭＨｚでは、出力端子１７２，１７３から出力される高周波電力は、下記の式（５），（６）で表される。
【0046】
出力端子１７２の出力＝１０００×Ｓ２１
２
＝１０００×０．４６＝４６０Ｗ ・・・（５）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２
＝１０００×０．３８＝３８０Ｗ ・・・（６）
＝１０００×０．４６＝４６０Ｗ ・・・（５）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２
＝１０００×０．３８＝３８０Ｗ ・・・（６）
【0047】
次に、インピーダンス整合ありで、マイクロ波出力部１３０から１０００Ｗの高周波電力を投入した場合、出力端子１７２，１７３の電力比は、電力透過率Ｓ２１
２：電力透過率Ｓ３１
２となる。従って、中心周波数の８６０ＭＨｚでは、出力端子１７２，１７３の電力比および出力される高周波電力は、下記の式（７）～（９）で表される。なお、インピーダンス整合ありである場合、グラフ１７１ａに対応する電力反射率Ｓ１１
２分の高周波電力は、マイクロ波出力部１３０側に向けて反射されない。
【0048】
電力比） 出力端子１７２：出力端子１７３＝１：１ ・・・（７）
出力端子１７２の出力＝１０００×Ｓ２１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×１／２＝５００Ｗ ・・・（８）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×１／２＝５００Ｗ ・・・（９）
出力端子１７２の出力＝１０００×Ｓ２１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×１／２＝５００Ｗ ・・・（８）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×１／２＝５００Ｗ ・・・（９）
【0049】
周波数変調の範囲１３０ａにおける下限周波数の８５０ＭＨｚでは、出力端子１７２，１７３の電力比および出力される高周波電力は、下記の式（１０）～（１２）で表される。
【0050】
電力比） 出力端子１７２：出力端子１７３＝３８：４７ ・・・（１０）
出力端子１７２の出力＝１０００×Ｓ２１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×３８／（４７＋３８）＝４４７Ｗ ・・・（１１）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×４７／（４７＋３８）＝５５３Ｗ ・・・（１２）
出力端子１７２の出力＝１０００×Ｓ２１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×３８／（４７＋３８）＝４４７Ｗ ・・・（１１）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×４７／（４７＋３８）＝５５３Ｗ ・・・（１２）
【0051】
周波数変調の範囲１３０ａにおける上限周波数の８７０ＭＨｚでは、出力端子１７２，１７３の電力比および出力される高周波電力は、下記の式（１３）～（１５）で表される。
【0052】
電力比） 出力端子１７２：出力端子１７３＝４６：３８ ・・・（１３）
出力端子１７２の出力＝１０００×Ｓ２１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×４６／（３８＋４６）＝５４８Ｗ ・・・（１４）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×３８／（３８＋４６）＝４５２Ｗ ・・・（１５）
出力端子１７２の出力＝１０００×Ｓ２１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×４６／（３８＋４６）＝５４８Ｗ ・・・（１４）
出力端子１７３の出力＝１０００×Ｓ３１ ２／（Ｓ２１ ２＋Ｓ３１ ２）
＝１０００×３８／（３８＋４６）＝４５２Ｗ ・・・（１５）
【0053】
このように、分配器１７０では、マイクロ波出力部１３０から入力される高周波電力の周波数に応じて、出力端子１７２，１７３の分配比率を制御することができる。すなわち、分配器１７０は、入力された電力の分配比率を可変できる。また、フィルタ１４４を用いることで、従来の分配器よりも小型化できる。
【0054】
（第２実施形態）
上記の第１実施形態では、分配器１７０によって高周波電力を２分配したが、３分配以上に分配してもよく、この場合の実施の形態につき、第２実施形態として説明する。なお、第２実施形態におけるプラズマ処理装置は、アンテナユニット１４０および対応する天壁部１１１の構成を除いて上述の第１実施形態と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。また、アンテナユニット１４０についても第１実施形態と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成および動作の説明については省略する。
上記の第１実施形態では、分配器１７０によって高周波電力を２分配したが、３分配以上に分配してもよく、この場合の実施の形態につき、第２実施形態として説明する。なお、第２実施形態におけるプラズマ処理装置は、アンテナユニット１４０および対応する天壁部１１１の構成を除いて上述の第１実施形態と同様であるので、その重複する構成および動作の説明については省略する。また、アンテナユニット１４０についても第１実施形態と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成および動作の説明については省略する。
【0055】
図９は、第２実施形態におけるアンテナユニットの一例を示す斜視図である。図９に示すように、アンテナユニット３４０は、分配器３７０を有する。分配器３７０は、６つのフィルタ３４４と、１つのチューナ３４３とを有する。チューナ３４３の出力側と、フィルタ３４４の入力側との間は、それぞれ同軸導波管３４５により接続されている。なお、チューナ３４３、同軸導波管３４５およびフィルタ３４４の構成は、第１実施形態のチューナ１５４、同軸導波管１４５およびフィルタ１４４と同様であるので、その説明は省略する。分配器３７０のチューナ３４３の入力側、つまり分配器３７０の給電端子３７１は、アンプ部１４２に接続される。フィルタ３４４の出力側、つまり出力端子３７２ａ～３７２ｆは、それぞれアンテナ部１５６ａに接続される。なお、以下の説明では、出力端子３７２ａ～３７２ｆを区別しない場合、単に出力端子３７２と表す。
【0056】
分配器３７０では、マイクロ波透過板１６３を含むアンテナ部１５６ａ、フィルタ３４４および出力端子３７２の組をセル３７３とすると、６つのセル３７３は、天壁部１１１ａにおいて、同一の円周上に配置される。出力端子３７２ａ～３７２ｆに対応する各フィルタ３４４は、共振周波数がそれぞれ異なる。例えば、出力端子３７２ａ～３７２ｆの順に、８４０ＭＨｚから８６５ＭＨｚまで５ＭＨｚ刻みの共振周波数とする。分配器３７０では、マイクロ波出力部１３０から出力する高周波電力の周波数を、出力端子３７２ａ～３７２ｆに対応する各フィルタ３４４の共振周波数に変調することで、それぞれの出力端子３７２ａ～３７２ｆへの分配比率を制御することができる。また、隣り合うセル３７３の各フィルタ３４４の共振周波数を異なる周波数とすることで、高周波電力の干渉を抑制することができる。すなわち、分配器３７０は、プラズマ密度の分布を６つのセル３７３それぞれで独立に制御することができる。なお、第１実施形態においても、３つの分配器１７０のフィルタ１４４の共振周波数を全て異なる周波数、例えば、８４０ＭＨｚから８６５ＭＨｚまで５ＭＨｚ刻みの共振周波数としてもよい。
【0057】
次に、図１０から図１２を用いて、第２実施形態におけるフィルタの共振周波数の組合せのバリエーションについて説明する。図１０は、第２実施形態におけるフィルタの共振周波数の組合せの一例を模式的に示す図である。図１０に示すアンテナユニット３４０ａでは、天壁部１１１ａの中心を軸として対向する位置のセル３７３ａ～３７３ｃの各組について、出力端子３７２のフィルタ３４４の共振周波数を同じ周波数としている。この場合であっても、隣り合うセル３７３ａ～３７３ｃの各フィルタ３４４の共振周波数は、異なる周波数となる。さらに、第１実施形態と組み合わせて、セル３７３ａ～３７３ｃは、円周上に等間隔に６個配置され、隣り合うセル３７３ａ，３７３ｂ、セル３７３ｃ，３７３ａ、および、セル３７３ｂ，３７３ｃの３組について、それぞれ分配器１７０を設けてもよい。つまり、分配器１７０は、それぞれマイクロ波出力部１３０に接続される３個の系統を備えるようにしてもよい。すなわち、隣り合うセル３７３の組において、フィルタ３４４の共振周波数（周波数特性）は異なる。
【0058】
図１１は、第２実施形態におけるフィルタの共振周波数と、高周波電力の周波数との組合せの一例を示す図である。図１１に示すグラフ３７４ａ～３７４ｃは、図１０に示すセル３７３ａ～３７３ｃに対応する各フィルタ３４４の共振周波数を電力反射率で表している。図１１の例では、マイクロ波出力部１３０から出力する高周波電力の周波数を周波数Ｆ１～Ｆ５に変調することで、セル３７３ａ～３７３ｃにおける高周波電力の分配比率を制御することができる。例えば、マイクロ波出力部１３０から周波数Ｆ１の高周波電力を出力した場合、周波数Ｆ１における電力反射率は、グラフ３７４ａ、グラフ３７４ｂ、グラフ３７４ｃの順に大きくなる。すなわち、高周波電力の分配比率は、大きい順に、セル３７３ａ、セル３７３ｂ、セル３７３ｃとなる。
【0059】
例えば、マイクロ波出力部１３０から周波数Ｆ２の高周波電力を出力した場合、周波数Ｆ２における電力反射率は、グラフ３７４ａとグラフ３７４ｂが同じであり、グラフ３７４ｃはこれらより大きくなる。すなわち、高周波電力の分配比率は、セル３７３ａとセル３７３ｂとが同じ比率、セル３７３ｃは、セル３７３ａおよびセル３７３ｂより小さくなる。
【0060】
例えば、マイクロ波出力部１３０から周波数Ｆ３の高周波電力を出力した場合、周波数Ｆ３における電力反射率は、グラフ３７４ｂ、グラフ３７４ｃ、グラフ３７４ａの順に大きくなる。すなわち、高周波電力の分配比率は、大きい順に、グラフ３７４ｂ、グラフ３７４ｃ、グラフ３７４ａとなる。
【0061】
例えば、マイクロ波出力部１３０から周波数Ｆ４の高周波電力を出力した場合、周波数Ｆ４における電力反射率は、グラフ３７４ｂとグラフ３７４ｃが同じであり、グラフ３７４ａはこれらより大きくなる。すなわち、高周波電力の分配比率は、セル３７３ｂとセル３７３ｃとが同じ比率、セル３７３ａは、セル３７３ｂおよびセル３７３ｃより小さくなる。
【0062】
例えば、マイクロ波出力部１３０から周波数Ｆ５の高周波電力を出力した場合、周波数Ｆ５における電力反射率は、グラフ３７４ｃ、グラフ３７４ｂ、グラフ３７４ａの順に大きくなる。すなわち、高周波電力の分配比率は、大きい順に、セル３７３ｃ、セル３７３ｂ、セル３７３ａとなる。
【0063】
図１２は、第２実施形態における高周波電力の周波数変化の一例を示すタイミングチャートである。図１２に示すグラフ３７５は、図１１に示す周波数Ｆ１～Ｆ５に対応する高周波電力の出力の時刻による変化を１周期分表している。グラフ３７５では、周波数Ｆ１～Ｆ５の高周波電力を同じ値としてるが、周波数Ｆ１～Ｆ５の変化とともに、マイクロ波出力部１３０からの高周波電力の出力を変化させてもよい。また、グラフ３７５では、周波数Ｆ１～Ｆ５の出力時間を同じ時間としているが、例えば、周波数Ｆ１の出力時間を長くして周波数Ｆ２の出力時間を短くする等、周波数Ｆ１～Ｆ５の出力時間を任意に変更してもよい。図１２の例では、マイクロ波出力部１３０から出力する高周波電力の出力および出力時間を変化させることで、セル３７３ａ～３７３ｃにおける高周波電力の分配比率を制御することができる。
【0064】
なお、上記した各実施形態では、セル１７５，３７３の数を６個として説明したが、これに限定されない。例えば、２分配の分配器１７０をｎ個の系統として用いる場合、セル１７５の個数を、２ｎ個（ｎ＝１以上）としてもよい。また、例えば、ｍ（ｍ＝３以上）分配の分配器を用いる場合、セル３７３の個数を、ｍ個としてもよい。
【0065】
また、上記した第１実施形態では、天壁部１１１の中心にセル１７４を配置したが、これに限定されない。例えば、セル１７４を省略し、外側セルであるセル１７５のみとしてもよい。
【0066】
以上、各実施形態によれば、分配器（分配器１７０，３７０）は、電磁波を複数の出力端子（出力端子１７２，１７３，３７２ａ～３７２ｆ）に分配する分配器であって、周波数を可変可能な高周波電源（マイクロ波出力部１３０）に、電気的に接続されるように構成される給電端子（給電端子１７１，３７１）と、給電端子に入力された電磁波が分配される複数の出力端子にそれぞれ設けられたフィルタ（フィルタ１４４，３４４）と、を有する。複数のフィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される。その結果、電力の分配比率を可変できる。
【0067】
また、各実施形態によれば、フィルタは、内軸（内軸２０４，２０７）と外筒（外筒２０３，２０６）とを有する入力ポート２０２および出力ポート２０５を備え、入力ポート２０２および出力ポート２０５の外筒と同電位となるように構成される筐体２０１と、入力ポート２０２の内軸２０４と、出力ポート２０５の内軸２０７とを接続し、筐体２０１内に設けられた給電フィン２２４と、筐体２０１と同電位で接続され、給電フィン２２４のフィン間に挿入されるように、筐体２０１内に突出するように設けられたグランドフィン２０９と、を備えるように構成される。その結果、フィルタを小型化することができる。
【0068】
また、第１実施形態によれば、分配器の出力端子（出力端子１７２，１７３）およびフィルタ１４４の数は、それぞれ２つである。その結果、２分配された出力端子において、電力の分配比率を可変できる。
【0069】
また、第２実施形態によれば、分配器の出力端子（出力端子３７２ａ～３７２ｆ）およびフィルタ３４４の数は、それぞれ３つ以上である。その結果、３つ以上に分配された出力端子において、電力の分配比率を可変できる。
【0070】
また、各実施形態によれば、給電端子（給電端子１７１，３７１）とフィルタ（フィルタ１４４，３４４）それぞれとの間の経路（同軸導波管１４５，３４５）は、途中で分岐しており、給電端子と分岐との間に、さらに、電磁波を整合させる整合器（チューナ１５４，３４３）を有する。その結果、高周波電源（マイクロ波出力部１３０）側への電磁波の反射を抑制することができる。
【0071】
また、各実施形態によれば、複数の出力端子それぞれから出力される電磁波の電力は、周波数特性に応じて分配される。その結果、周波数変調により電力の分配比率を可変できる。
【0072】
また、各実施形態によれば、プラズマ処理装置１００は、処理容器１０１と、周波数を可変可能な高周波電源（マイクロ波出力部１３０）と、高周波電源が出力する電磁波を、複数の出力端子（出力端子１７２，１７３，３７２ａ～３７２ｆ）に分配する分配器（分配器１７０，３７０）と、出力端子に接続されたスロットアンテナ（平面アンテナ１６１，１６１ｂ）と、スロットアンテナから放射される電磁波を透過させ、処理容器１０１内に電磁波を供給するように構成される透過窓（マイクロ波透過板１６３）と、を含む。分配器は、高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子（給電端子１７１，３７１）と、給電端子に入力された電磁波が分配される複数の出力端子（出力端子１７２，１７３，３７２ａ～３７２ｆ）にそれぞれ設けられたフィルタ（フィルタ１４４，３４４）と、を有し、複数のフィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される。その結果、電力の分配比率を可変できる。また、プラズマ密度の分布を制御することができる。
【0073】
また、各実施形態によれば、フィルタ、出力端子、スロットアンテナおよび透過窓の組であるセル（セル１７５，３７３）は、処理容器１０１の上面（天壁部１１１，１１１ａ）において、同一の円周上に複数配置される。その結果、プラズマ密度の分布を制御することができる。
【0074】
また、各実施形態によれば、複数のセル１７５は、円周上に等間隔に２ｎ個配置される。分配器１７０は、電磁波を２個のセル１７５に分配する分配器１７０であって、それぞれ高周波電源に接続されるｎ個の系統を備える。セル１７５それぞれは、フィルタ１４４の周波数特性がそれぞれ異なる。その結果、プラズマ密度の分布を２ｎ個のセル１７５それぞれで独立に制御することができる。
【0075】
また、第１実施形態によれば、スロットアンテナおよび透過窓の組であるセルは、さらに、電磁波を整合させる整合器（チューナ１５４ａ，１５４ｂ）を含み、処理容器１０１の上面の中心部に配置される内側セル（セル１７４）と、さらに、フィルタ１４４および出力端子を含み、処理容器１０１の上面（天壁部１１１）であって、内側セルの周囲を囲むように複数配置される外側セル（セル１７５）と、を含む。その結果、プラズマ密度の分布を内側セルおよび外側セルのそれぞれで独立に制御することができる。
【0076】
また、第１実施形態によれば、複数の外側セルは、同一の円周上に等間隔に２ｎ個配置される。分配器１７０は、電磁波を２個の外側セルに分配する分配器１７０であって、それぞれ高周波電源に接続されるｎ個の系統を備える。同一の系統に属する外側セルそれぞれは、フィルタ１４４の周波数特性がそれぞれ異なる。その結果、プラズマ密度の分布を内側セルおよび外側セルのそれぞれで独立に制御することができる。また、異なる系統間では、周波数特性が同じフィルタ１４４を用いることができる。
【0077】
また、第１実施形態によれば、同一の系統内では、周波数特性は２種類であり、異なる系統間において、２種類の周波数を共用する。その結果、異なる系統間では、周波数特性が同じフィルタ１４４を用いることができる。
【0078】
また、第２実施形態によれば、複数の外側セル（セル３７３）は、同一の円周上に等間隔にｎ個配置される。分配器３７０は、電磁波をｎ個の外側セルに分配する分配器３７０であり、隣り合う外側セルそれぞれは、フィルタ３４４の周波数特性がそれぞれ異なる。その結果、プラズマ密度の分布をｎ個のセル３７３それぞれで独立に制御することができる。
【0079】
また、第２実施形態によれば、ｎは、３以上であり、周波数特性は、３種類以上であり、高周波電源は、所定の周期で周波数を変化させる。その結果、所定の周期に応じて、プラズマ密度の分布を３個以上のセル３７３それぞれで独立に制御することができる。
【0080】
また、第２実施形態によれば、ｎは、６であり、周波数特性は、３種類であり、複数の外側セルのうち、処理容器１０１の上面（天壁部１１１ａ）の中心点を中心とした点対称の位置にある外側セルは、フィルタ３４４の周波数特性が同一である。その結果、所定の周期に応じて、プラズマ密度の分布を３個以上のセル３７３それぞれで独立に制御することができる。また、点対称の位置にあるセル３７３では、周波数特性が同じフィルタ３４４を用いることができる。
【0081】
また、第２実施形態によれば、高周波電源は、変化させた複数の周波数において、それぞれの周波数を維持する時間を変化させる。その結果、周波数を維持する時間に応じて、プラズマ密度の分布を制御することができる。
【0082】
また、第１実施形態によれば、内側セルは、整合器の周波数特性が、外側セルそれぞれのフィルタ１４４の周波数特性と異なる。その結果、プラズマ密度の分布を内側セルおよび外側セルのそれぞれで独立に制御することができる。
【0083】
今回開示された各実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記の各実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【0084】
また、上記した各実施形態では、処理容器１０１内の処理空間で直接プラズマを生成するプラズマ処理装置１００を用いて説明したが、これに限定されない。例えば、チャンバ内に別にプラズマ生成室を有するリモートプラズマ処理装置に適用してもよい。
【0085】
なお、本開示は以下のような構成も取ることができる。
（１）
電磁波を複数の出力端子に分配する分配器であって、
周波数を可変可能な高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、
前記給電端子に入力された前記電磁波が分配される複数の前記出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、
を有し、
複数の前記フィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される、
分配器。
（２）
前記フィルタは、
内軸と外筒とを有する入力ポートおよび出力ポートを備え、前記入力ポートおよび前記出力ポートの前記外筒と同電位となるように構成される筐体と、
前記入力ポートの前記内軸と、前記出力ポートの前記内軸とを接続し、前記筐体内に設けられた給電フィンと、
前記筐体と同電位で接続され、前記給電フィンのフィン間に挿入されるように、前記筐体内に突出するように設けられたグランドフィンと、
を備えるように構成される、
前記（１）に記載の分配器。
（３）
前記出力端子および前記フィルタの数は、それぞれ２つである、
前記（１）または（２）に記載の分配器。
（４）
前記出力端子および前記フィルタの数は、それぞれ３つ以上である、
前記（１）または（２）に記載の分配器。
（５）
前記給電端子と前記フィルタそれぞれとの間の経路は、途中で分岐しており、
前記給電端子と前記分岐との間に、さらに、前記電磁波を整合させる整合器を有する、
前記（１）～（４）のいずれか１つに記載の分配器。
（６）
複数の前記出力端子それぞれから出力される前記電磁波の電力は、前記周波数特性に応じて分配される、
前記（１）～（５）のいずれか１つに記載の分配器。
（７）
プラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置は、
処理容器と、
周波数を可変可能な高周波電源と、
前記高周波電源が出力する電磁波を、複数の出力端子に分配する分配器と、
前記出力端子に接続されたスロットアンテナと、
前記スロットアンテナから放射される電磁波を透過させ、前記処理容器内に前記電磁波を供給するように構成される透過窓と、を含み、
前記分配器は、
前記高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、
前記給電端子に入力された前記電磁波が分配される複数の前記出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、
を有し、
複数の前記フィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される、
プラズマ処理装置。
（８）
前記フィルタ、前記出力端子、前記スロットアンテナおよび前記透過窓の組であるセルは、前記処理容器の上面において、同一の円周上に複数配置される、
前記（７）に記載のプラズマ処理装置。
（９）
複数の前記セルは、前記円周上に等間隔に２ｎ個配置され、
前記分配器は、前記電磁波を２個の前記セルに分配する分配器であって、それぞれ前記高周波電源に接続されるｎ個の系統を備え、
前記セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
前記（８）に記載のプラズマ処理装置。
（１０）
前記スロットアンテナおよび前記透過窓の組であるセルは、
さらに、前記電磁波を整合させる整合器を含み、前記処理容器の上面の中心部に配置される内側セルと、
さらに、前記フィルタおよび前記出力端子を含み、前記処理容器の前記上面であって、前記内側セルの周囲を囲むように複数配置される外側セルと、を含む、
前記（７）に記載のプラズマ処理装置。
（１１）
複数の前記外側セルは、同一の円周上に等間隔に２ｎ個配置され、
前記分配器は、前記電磁波を２個の前記外側セルに分配する分配器であって、それぞれ前記高周波電源に接続されるｎ個の系統を備え、
同一の前記系統に属する前記外側セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
前記（１０）に記載のプラズマ処理装置。
（１２）
同一の前記系統内では、前記周波数特性は２種類であり、
異なる前記系統間において、前記２種類の前記周波数を共用する、
前記（１１）に記載のプラズマ処理装置。
（１３）
複数の前記外側セルは、同一の円周上に等間隔にｎ個配置され、
前記分配器は、前記電磁波をｎ個の前記外側セルに分配する分配器であり、
隣り合う前記外側セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
前記（１０）に記載のプラズマ処理装置。
（１４）
前記ｎは、３以上であり、
前記周波数特性は、３種類以上であり、
前記高周波電源は、所定の周期で前記周波数を変化させる、
前記（１３）に記載のプラズマ処理装置。
（１５）
前記ｎは、６であり、
前記周波数特性は、３種類であり、
複数の前記外側セルのうち、前記処理容器の上面の中心点を中心とした点対称の位置にある前記外側セルは、前記フィルタの前記周波数特性が同一である、
前記（１４）に記載のプラズマ処理装置。
（１６）
前記高周波電源は、変化させた複数の前記周波数において、それぞれの前記周波数を維持する時間を変化させる、
前記（１４）または（１５）に記載のプラズマ処理装置。
（１７）
前記内側セルは、前記整合器の前記周波数特性が、前記外側セルそれぞれの前記フィルタの前記周波数特性と異なる、
前記（１０）～（１６）のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
（１）
電磁波を複数の出力端子に分配する分配器であって、
周波数を可変可能な高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、
前記給電端子に入力された前記電磁波が分配される複数の前記出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、
を有し、
複数の前記フィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される、
分配器。
（２）
前記フィルタは、
内軸と外筒とを有する入力ポートおよび出力ポートを備え、前記入力ポートおよび前記出力ポートの前記外筒と同電位となるように構成される筐体と、
前記入力ポートの前記内軸と、前記出力ポートの前記内軸とを接続し、前記筐体内に設けられた給電フィンと、
前記筐体と同電位で接続され、前記給電フィンのフィン間に挿入されるように、前記筐体内に突出するように設けられたグランドフィンと、
を備えるように構成される、
前記（１）に記載の分配器。
（３）
前記出力端子および前記フィルタの数は、それぞれ２つである、
前記（１）または（２）に記載の分配器。
（４）
前記出力端子および前記フィルタの数は、それぞれ３つ以上である、
前記（１）または（２）に記載の分配器。
（５）
前記給電端子と前記フィルタそれぞれとの間の経路は、途中で分岐しており、
前記給電端子と前記分岐との間に、さらに、前記電磁波を整合させる整合器を有する、
前記（１）～（４）のいずれか１つに記載の分配器。
（６）
複数の前記出力端子それぞれから出力される前記電磁波の電力は、前記周波数特性に応じて分配される、
前記（１）～（５）のいずれか１つに記載の分配器。
（７）
プラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置は、
処理容器と、
周波数を可変可能な高周波電源と、
前記高周波電源が出力する電磁波を、複数の出力端子に分配する分配器と、
前記出力端子に接続されたスロットアンテナと、
前記スロットアンテナから放射される電磁波を透過させ、前記処理容器内に前記電磁波を供給するように構成される透過窓と、を含み、
前記分配器は、
前記高周波電源に、電気的に接続されるように構成される給電端子と、
前記給電端子に入力された前記電磁波が分配される複数の前記出力端子にそれぞれ設けられたフィルタと、
を有し、
複数の前記フィルタは、それぞれ周波数特性が異なるように構成される、
プラズマ処理装置。
（８）
前記フィルタ、前記出力端子、前記スロットアンテナおよび前記透過窓の組であるセルは、前記処理容器の上面において、同一の円周上に複数配置される、
前記（７）に記載のプラズマ処理装置。
（９）
複数の前記セルは、前記円周上に等間隔に２ｎ個配置され、
前記分配器は、前記電磁波を２個の前記セルに分配する分配器であって、それぞれ前記高周波電源に接続されるｎ個の系統を備え、
前記セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
前記（８）に記載のプラズマ処理装置。
（１０）
前記スロットアンテナおよび前記透過窓の組であるセルは、
さらに、前記電磁波を整合させる整合器を含み、前記処理容器の上面の中心部に配置される内側セルと、
さらに、前記フィルタおよび前記出力端子を含み、前記処理容器の前記上面であって、前記内側セルの周囲を囲むように複数配置される外側セルと、を含む、
前記（７）に記載のプラズマ処理装置。
（１１）
複数の前記外側セルは、同一の円周上に等間隔に２ｎ個配置され、
前記分配器は、前記電磁波を２個の前記外側セルに分配する分配器であって、それぞれ前記高周波電源に接続されるｎ個の系統を備え、
同一の前記系統に属する前記外側セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
前記（１０）に記載のプラズマ処理装置。
（１２）
同一の前記系統内では、前記周波数特性は２種類であり、
異なる前記系統間において、前記２種類の前記周波数を共用する、
前記（１１）に記載のプラズマ処理装置。
（１３）
複数の前記外側セルは、同一の円周上に等間隔にｎ個配置され、
前記分配器は、前記電磁波をｎ個の前記外側セルに分配する分配器であり、
隣り合う前記外側セルそれぞれは、前記フィルタの前記周波数特性がそれぞれ異なる、
前記（１０）に記載のプラズマ処理装置。
（１４）
前記ｎは、３以上であり、
前記周波数特性は、３種類以上であり、
前記高周波電源は、所定の周期で前記周波数を変化させる、
前記（１３）に記載のプラズマ処理装置。
（１５）
前記ｎは、６であり、
前記周波数特性は、３種類であり、
複数の前記外側セルのうち、前記処理容器の上面の中心点を中心とした点対称の位置にある前記外側セルは、前記フィルタの前記周波数特性が同一である、
前記（１４）に記載のプラズマ処理装置。
（１６）
前記高周波電源は、変化させた複数の前記周波数において、それぞれの前記周波数を維持する時間を変化させる、
前記（１４）または（１５）に記載のプラズマ処理装置。
（１７）
前記内側セルは、前記整合器の前記周波数特性が、前記外側セルそれぞれの前記フィルタの前記周波数特性と異なる、
前記（１０）～（１６）のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【符号の説明】
【0086】
１００ プラズマ処理装置
１０１ 処理容器
１１１，１１１ａ 天壁部
１３０ マイクロ波出力部
１４０ アンテナユニット
１４４，３４４ フィルタ
１４５，３４５ 同軸導波管
１５４，１５４ａ，１５４ｂ，３４３ チューナ
１５６，１５６ａ，１５６ｂ アンテナ部
１６１，１６１ｂ 平面アンテナ
１６３ マイクロ波透過板
１７０，３７０ 分配器
１７１，３７１ 給電端子
１７２，１７３，３７２ａ～３７２ｆ 出力端子
１７４，１７５，３７３ セル
２０１ 筐体
２０２ 入力ポート
２０３，２０６ 外筒
２０４，２０７ 内軸
２０５ 出力ポート
２０９ グランドフィン
２２４ 給電フィン
２２５ 誘電体
１０１ 処理容器
１１１，１１１ａ 天壁部
１３０ マイクロ波出力部
１４０ アンテナユニット
１４４，３４４ フィルタ
１４５，３４５ 同軸導波管
１５４，１５４ａ，１５４ｂ，３４３ チューナ
１５６，１５６ａ，１５６ｂ アンテナ部
１６１，１６１ｂ 平面アンテナ
１６３ マイクロ波透過板
１７０，３７０ 分配器
１７１，３７１ 給電端子
１７２，１７３，３７２ａ～３７２ｆ 出力端子
１７４，１７５，３７３ セル
２０１ 筐体
２０２ 入力ポート
２０３，２０６ 外筒
２０４，２０７ 内軸
２０５ 出力ポート
２０９ グランドフィン
２２４ 給電フィン
２２５ 誘電体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】