特開 2024-123700 基板固定装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024123700

(43)【公開日】2024-09-12

(54)【発明の名称】基板固定装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240905BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023031323

(22)【出願日】2023-03-01

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】春原 昌宏

(72)【発明者】

【氏名】西川 里駆

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼木 駿

(72)【発明者】

【氏名】安藤 さくら

【テーマコード（参考）】

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131AA03

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA19

5F131CA07

5F131CA33

5F131CA42

5F131EB11

5F131EB12

5F131EB14

5F131EB15

5F131EB18

5F131EB54

5F131EB72

5F131EB78

5F131EB79

5F131EB81

5F131EB82

5F131EB84

(57)【要約】      （修正有）

【課題】反りを低減可能な基板固定装置を提供する。
【解決手段】基板固定装置１は、ベースプレート１０と、ベースプレート１０上に設けられた発熱部３０と、発熱部３０上に設けられた金属層４０と、金属層４０上に設けられた静電チャック６０と、を有する。金属層４０は、基板固定装置１の反りを低減するためにベースプレート１０と同じ材料から構成されている。また、発熱部３０は、絶縁層３１及び絶縁層３１に内蔵された発熱体３２を備える。静電チャック６０の載置面６１ａにおける温度の均一性をより向上するために、金属層４０の厚さは、発熱体３２の厚さの５倍以上であることが好ましい。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ベースプレートと、
前記ベースプレート上に設けられた発熱部と、
前記発熱部上に設けられた金属層と、
前記金属層上に設けられた静電チャックと、を有し、
前記金属層は、前記ベースプレートと同じ材料から構成されている、基板固定装置。

【請求項2】

前記発熱部は、絶縁層、及び前記絶縁層に内蔵された発熱体、を備え、
前記金属層の厚さは、前記発熱体の厚さの５倍以上である、請求項１に記載の基板固定装置。

【請求項3】

前記金属層の厚さは、前記発熱体の厚さの１０倍以上である、請求項２に記載の基板固定装置。

【請求項4】

前記金属層の厚さは、１００μｍ以上１０００μｍ以下である、請求項２又は３に記載の基板固定装置。

【請求項5】

前記金属層は、前記絶縁層の前記静電チャック側の面の全体に直接設けられている、請求項２又は３に記載の基板固定装置。

【請求項6】

前記ベースプレートから前記静電チャックまでを貫通する貫通孔が設けられ、
前記金属層は、前記貫通孔に対応する位置に開口部を有する、請求項５に記載の基板固定装置。

【請求項7】

前記金属層の側面は、外部に露出している、請求項６に記載の基板固定装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板固定装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置を製造する際に使用される成膜装置（例えば、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置等）やプラズマエッチング装置は、ウェハを真空の処理室内に精度良く保持するためのステージを有する。

【0003】

このようなステージとして、例えば、ベースプレートに搭載された静電チャックにより、吸着対象物であるウェハを吸着保持する基板固定装置が提案されている。

【0004】

基板固定装置の一例として、ウェハの温度調節をするための発熱体を設けた構造のものが挙げられる。この基板固定装置において、発熱体は、例えば、静電チャックに隣接して設けられた絶縁層に内蔵されている。また、発熱体の発する熱を均一化するために、発熱体よりも静電チャック側に銅等からなる金属層が設けられることがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０２０－０８８３０４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上記のような構造の基板固定装置において、反りが問題となる場合があった。

【0007】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、反りを低減可能な基板固定装置を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本基板固定装置は、ベースプレートと、前記ベースプレート上に設けられた発熱部と、前記発熱部上に設けられた金属層と、前記金属層上に設けられた静電チャックと、を有し、前記金属層は、前記ベースプレートと同じ材料から構成されている。

【発明の効果】

【0009】

開示の技術によれば、反りを低減可能な基板固定装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１実施形態に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面図である。

【図2】第１実施形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図（その１）である。

【図3】第１実施形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図（その２）である。

【図4】第１実施形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図（その３）である。

【図5】温度の均一性のシミュレーション結果を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0012】

〈第１実施形態〉
［基板固定装置の構造］
図１は、第１実施形態に係る基板固定装置を簡略化して例示する断面図であり、図１（ａ）は全体の断面図、図１（ｂ）は部分断面図である。図１を参照するに、基板固定装置１は、主要な構成要素として、ベースプレート１０と、接着層２０と、発熱部３０と、金属層４０と、接着層５０と、静電チャック６０とを有している。

【0013】

ベースプレート１０は、発熱部３０や静電チャック６０を搭載するための部材である。ベースプレート１０の厚さは、例えば、２０ｍｍ以上５０ｍｍ以下程度とすることができる。ベースプレート１０は、例えば、アルミニウム、銅、チタン等の金属から形成することができる。これらの中でも、安価で加工しやすいアルミニウムを用いることが好ましい。

【0014】

ベースプレート１０は、プラズマを制御するための電極等として利用することもできる。ベースプレート１０に所定の高周波電力を給電することで、発生したプラズマ状態にあるイオン等を静電チャック６０上に吸着されたウェハに衝突させるためのエネルギーを制御し、エッチング処理を効果的に行うことができる。

【0015】

ベースプレート１０の内部に、水路１５が設けられてもよい。水路１５は、一端に冷却水導入部１５ａを備え、他端に冷却水排出部１５ｂを備えている。水路１５は、基板固定装置１の外部に設けられた冷却水制御装置（図示せず）に接続される。冷却水制御装置（図示せず）は、冷却水導入部１５ａから水路１５に冷却水を導入し、冷却水排出部１５ｂから冷却水を排出する。水路１５に冷却水を循環させベースプレート１０を冷却することで、静電チャック６０上に吸着されたウェハを冷却することができる。ベースプレート１０には、水路１５の他に、静電チャック６０上に吸着されたウェハを冷却する不活性ガスを導入するガス路等を設けてもよい。

【0016】

発熱部３０は、ベースプレート１０上に設けられている。発熱部３０は、例えば、接着層２０を介して、ベースプレート１０に固着されている。接着層２０としては、例えば、シリコーン系接着剤を用いることができる。接着層２０の厚さは、例えば、２ｍｍ程度とすることができる。接着層２０の熱伝導率は２Ｗ／ｍＫ以上とすることが好ましい。接着層２０は、複数の接着層が積層した積層構造としてもよい。例えば、接着層２０を熱伝導率が高い接着剤と弾性率が低い接着剤とを組み合わせた２層構造とすることで、金属製のベースプレートとの熱膨張差から生じるストレスを低減させる効果が得られる。

【0017】

発熱部３０は、絶縁層３１、及び絶縁層３１に内蔵された発熱体３２を備えている。発熱体３２の周囲は、絶縁層３１に被覆され、外部から保護されている。

【0018】

絶縁層３１としては、例えば、高熱伝導率及び高耐熱性を有するエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等を用いることができる。絶縁層３１の熱伝導率は３Ｗ／ｍＫ以上とすることが好ましい。絶縁層３１にアルミナや窒化アルミニウム等のフィラーを含有させることで、絶縁層３１の熱伝導率を向上させることができる。又、絶縁層３１のガラス転移温度（Ｔｇ）は２５０℃以上とすることが好ましい。又、絶縁層３１の厚さは１００～１５０μｍ程度とすることが好ましく、絶縁層３１の厚さばらつきは±１０％以下とすることが好ましい。

【0019】

発熱体３２は、基板固定装置１の外部から電圧を印加することで発熱し、後述の基体６１の載置面６１ａが所定の温度となるように加熱する。発熱体３２は、例えば、基体６１の載置面６１ａの温度を２５０℃～３００℃程度まで加熱することができる。発熱体３２の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、コンスタンタン（Ｃｕ／Ｎｉ／Ｍｎ／Ｆｅの合金）、ゼラニン（Ｃｕ／Ｍｎ／Ｓｎの合金）、マンガニン（Ｃｕ／Ｍｎ／Ｎｉの合金）等を用いることができる。発熱体３２は、例えば、同心円状のパターンとすることができる。

【0020】

なお、発熱体３２と絶縁層３１との高温下での密着性を向上するため、発熱体３２の少なくとも一つの面（上下面の一方又は双方）が粗化されていることが好ましい。もちろん、発熱体３２の上下面の両方が粗化されていてもよい。この場合、発熱体３２の上面と下面で異なる粗化方法を用いてもよい。粗化の方法は特に限定されないが、エッチングによる方法、カップリング剤系の表面改質技術を用いる方法、波長３５５ｎｍ以下のＵＶ－ＹＡＧレーザによるドット加工を用いる方法等を例示することができる。

【0021】

金属層４０は、発熱部３０上に設けられている。金属層４０は、ベースプレート１０と同じ材料から構成されている。金属層４０は、例えば、アルミニウム、銅、チタン等の金属から形成することができる。金属層４０をベースプレート１０と同じ材料から構成することにより、基板固定装置１の反りを低減することができる。金属層４０の厚さは、ベースプレート１０の厚さよりも薄いが、反りを低減する観点から、金属層４０の厚さはベースプレート１０の厚さの１／２００以上であることが好ましい。

【0022】

金属層４０は、発熱体３２の発する熱を均一化して拡散する（不均一な発熱状態の緩和を行う）層である。金属層４０は、絶縁層３１の静電チャック６０側の面の全体に直接設けることが好ましい。これにより、発熱体３２の厚さ方向のばらつき等により発熱ムラが発生した場合でも、静電チャック６０の載置面６１ａにおける温度の均一性を向上することができる。金属層４０の側面は、基板固定装置１の外部に露出してもよい。

【0023】

金属層４０の厚さは、発熱体３２の厚さの５倍以上であることが好ましい。これにより、静電チャック６０の載置面６１ａにおける温度の均一性をより向上することができる。金属層４０の厚さは、発熱体３２の厚さの１０倍以上であることがより好ましい。これにより、静電チャック６０の載置面６１ａにおける温度の均一性をさらに向上することができる。

【0024】

金属層４０の厚さは、例えば、１００μｍ以上とすることができる。金属層４０の厚さは、２００μｍ以上とすることが好ましい。金属層４０の厚さは、５００μｍ以上とすることがより好ましい。金属層４０が厚いほど、静電チャック６０の載置面６１ａにおける温度の均一性を向上することができる。一方、金属層４０が厚すぎると、基板固定装置１の全体が厚くなり過ぎるため、金属層４０の厚さは、１０００μｍ以下とすることが好ましい。なお、発熱体３２は、配線形成性の観点から、厚く形成することが困難であるため、１００μｍ以下とすることが好ましい。発熱体３２の厚さは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下とすることができる。

【0025】

なお、図１（ｂ）に示すように、基板固定装置１において、ベースプレート１０から静電チャック６０までを貫通する貫通孔１ｘが設けられる場合がある。貫通孔１ｘは、例えば、リフトピン孔やガス孔等である。この場合、金属層４０は、貫通孔１ｘに対応する位置に開口部４０ｘを有する。貫通孔１ｘ及び開口部４０ｘは、例えば、載置面６１ａ側から視て円形である。この場合、開口部４０ｘの開口径は、貫通孔１ｘの孔径より大きくてもよいが、貫通孔１ｘの孔径と同一であることが好ましい。これにより、絶縁層３１の上面と金属層４０の下面との接触面積を拡大し、静電チャック６０の載置面６１ａにおける温度の均一性を向上することができる。

【0026】

静電チャック６０は、金属層４０上に設けられている。静電チャック６０は、例えば、接着層５０を介して、金属層４０に固着されている。接着層５０としては、例えば、シリコーン系接着剤を用いることができる。接着層５０の厚さは、例えば、２ｍｍ程度とすることができる。接着層５０の熱伝導率は２Ｗ／ｍＫ以上とすることが好ましい。接着層５０は、複数の接着層が積層した積層構造としてもよい。例えば、接着層５０を熱伝導率が高い接着剤と弾性率が低い接着剤とを組み合わせた２層構造とすることで、金属製のベースプレートとの熱膨張差から生じるストレスを低減させる効果が得られる。

【0027】

静電チャック６０は、吸着対象物であるウェハを吸着保持する部分である。静電チャック６０の平面形状は、例えば、円形とすることができる。静電チャック６０の吸着対象物であるウェハの直径は、例えば、８、１２、又は１８インチ程度とすることができる。静電チャック６０は、基体６１と、静電電極６２とを有している。静電チャック６０は、例えば、ジョンセン・ラーベック型静電チャックである。但し、静電チャック６０は、クーロン力型静電チャックであってもよい。

【0028】

基体６１は誘電体であり、基体６１としては、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックスを用いることができる。基体６１の厚さは、例えば、１～１０ｍｍ程度、基体６１の比誘電率（１ｋＨｚ）は、例えば、９～１０程度とすることができる。

【0029】

静電電極６２は、薄膜電極であり、基体６１に内蔵されている。静電電極６２は、基板固定装置１の外部に設けられた電源に接続され、電源から所定の電圧が印加されると、ウェハとの間に静電気による吸着力を発生させる。これにより、静電チャック６０の基体６１の載置面６１ａ上にウェハを吸着保持することができる。吸着保持力は、静電電極６２に印加される電圧が高いほど強くなる。静電電極６２は、単極形状でも、双極形状でも構わない。静電電極６２の材料としては、例えば、タングステン、モリブデン等を用いることができる。

【0030】

［基板固定装置の製造方法］
図２～図４は、第１実施形態に係る基板固定装置の製造工程を例示する図である。図２～図４を参照しながら、基板固定装置１の製造工程について説明する。

【0031】

まず、図２（ａ）に示す工程では、予め水路１５等を形成したベースプレート１０を準備し、ベースプレート１０上に接着層２０（未硬化）を形成する。接着層２０の材料や厚さは、前述のとおりである。

【0032】

次に、図２（ｂ）に示す工程では、ベースプレート１０に接着層２０を介して絶縁樹脂フィルム３１１をラミネートして接着層２０を硬化させる。絶縁樹脂フィルム３１１は、真空中でラミネートすると、ボイドの巻き込みを抑制できる点で好適である。絶縁樹脂フィルム３１１は、硬化させずに、半硬化状態（Ｂ－ステージ）としておく。半硬化状態である絶縁樹脂フィルム３１１の粘着力により、絶縁樹脂フィルム３１１は接着層２０上に仮固定される。

【0033】

絶縁樹脂フィルム３１１としては、例えば、高熱伝導率及び高耐熱性を有するエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等を用いることができる。絶縁樹脂フィルム３１１の熱伝導率は３Ｗ／ｍＫ以上とすることが好ましい。絶縁樹脂フィルム３１１にアルミナや窒化アルミニウム等のフィラーを含有させることで、絶縁樹脂フィルム３１１の熱伝導率を向上させることができる。又、絶縁樹脂フィルム３１１のガラス転移温度は２５０℃以上とすることが好ましい。又、熱伝導性能を高める（熱伝導速度を速める）観点から、絶縁樹脂フィルム３１１の厚さは６０μｍ以下とすることが好ましく、絶縁樹脂フィルム３１１の厚さばらつきは±１０％以下とすることが好ましい。

【0034】

次に、図２（ｃ）に示す工程では、絶縁樹脂フィルム３１１上に金属箔３２１を配置する。金属箔３２１は最終的に発熱体３２となる層であるため、金属箔３２１の材料は、既に例示した発熱体３２の材料と同様である。金属箔３２１の厚さは、エッチングによる配線形成性を考慮し、１００μｍ以下とすることが好ましい。金属箔３２１は、半硬化状態である絶縁樹脂フィルム３１１の粘着力により、絶縁樹脂フィルム３１１上に仮固定される。

【0035】

なお、絶縁樹脂フィルム３１１上に配置する前に、金属箔３２１の少なくとも一つの面（上下面の一方又は双方）を粗化しておくことが好ましい。もちろん、金属箔３２１の上下面の両方が粗化されていてもよい。この場合、金属箔３２１の上面と下面で異なる粗化方法を用いてもよい。粗化の方法は特に限定されないが、エッチングによる方法、カップリング剤系の表面改質技術を用いる方法、波長３５５ｎｍ以下のＵＶ－ＹＡＧレーザによるドット加工を用いる方法等を例示することができる。

【0036】

又、ドット加工を用いる方法では、金属箔３２１の必要な領域を選択的に粗化することができる。そこで、ドット加工を用いる方法では、金属箔３２１の全領域に対して粗化を行う必要はなく、最低限、発熱体３２として残す領域に対して粗化を行えば足りる（つまり、エッチングで除去される領域に対してまで粗化を行う必要はない）。

【0037】

次に、図３（ａ）に示す工程では、金属箔３２１をパターニングし、発熱体３２を形成する。発熱体３２は、例えば、同心円状のパターンとすることができる。具体的には、例えば、金属箔３２１上の全面にレジストを形成し、レジストを露光及び現像し、発熱体３２として残す部分のみを被覆するレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンに被覆されていない部分の金属箔３２１をエッチングにより除去する。例えば、金属箔３２１の材料が銅である場合には、金属箔３２１を除去するエッチング液としては、塩化第二銅エッチング液や塩化第二鉄エッチング液等を用いることができる。

【0038】

その後、レジストパターンを剥離液により剥離することにより、絶縁樹脂フィルム３１１の所定位置に発熱体３２が形成される（フォトリソグラフィ法）。フォトリソグラフィ法により発熱体３２を形成することにより、発熱体３２の幅方向の寸法のばらつきを低減することが可能となり、発熱分布を改善することができる。なお、エッチングにより形成された発熱体３２の断面形状は、例えば、略台形状とすることができる。この場合、絶縁樹脂フィルム３１２に接する面と、その反対面との配線幅の差は、例えば、１０～５０μｍ程度とすることができる。発熱体３２の断面形状をシンプルな略台形状とすることにより、発熱分布を改善することができる。

【0039】

次に、図３（ｂ）に示す工程では、絶縁樹脂フィルム３１１に、発熱体３２を被覆する絶縁樹脂フィルム３１２をラミネートする。絶縁樹脂フィルム３１２は、真空中でラミネートすると、ボイドの巻き込みを抑制できる点で好適である。絶縁樹脂フィルム３１２の材料は、例えば、絶縁樹脂フィルム３１１と同様とすることができる。但し、絶縁樹脂フィルム３１２の厚さは、発熱体３２を被覆できる範囲内で適宜決定することができ、必ずしも絶縁樹脂フィルム３１１と同じ厚さにする必要はない。

【0040】

次に、図３（ｃ）に示す工程では、絶縁樹脂フィルム３１１及び３１２をベースプレート１０側に押圧しながら、絶縁樹脂フィルム３１１及び３１２を硬化温度以上に加熱して硬化させる。これにより、絶縁樹脂フィルム３１１及び３１２が一体化して絶縁層３１となり、発熱体３２の周囲が絶縁層３１に被覆された発熱部３０が形成され、発熱部３０の絶縁層３１とベースプレート１０とが接着層２０を介して接合される。常温に戻った時のストレスを考慮し、絶縁樹脂フィルム３１１及び３１２、並びに接着層２０の加熱温度は、２００℃以下とすることが好ましい。

【0041】

なお、絶縁樹脂フィルム３１１及び３１２、並びに接着層２０をベースプレート１０側に押圧しながら加熱硬化させることにより、発熱体３２の有無の影響による絶縁層３１の上面（ベースプレート１０と接しない側の面）の凹凸を低減して平坦化することができる。絶縁層３１の上面の凹凸は、７μｍ以下とすることが好ましい。絶縁層３１の上面の凹凸を７μｍ以下とすることにより、次工程で絶縁層３１と金属層４０との間に気泡を巻き込むことを防止できる。

【0042】

次に、図４（ａ）に示す工程では、絶縁層３１上に金属層４０を形成する。金属層４０の材料や厚さは、前述のとおりである。金属層４０は、例えば、金属板または金属箔を絶縁層３１の上面に貼り付けることで形成できる。金属層４０は、印刷法、めっき法、スパッタ法等により、絶縁層３１の上面に形成してもよい。なお、必要に応じ、金属層４０に開口部４０ｘを設けることができる。

【0043】

次に、図４（ｂ）に示す工程では、金属層４０上に接着層５０（未硬化）を形成する。接着層５０の材料や厚さは、前述のとおりである。その後、接着層５０上に、基体６１に静電電極６２を内蔵する静電チャック６０を配置し、接着層５０を硬化させる。これにより、基板固定装置１が完成する。なお、静電チャック６０は、例えば、グリーンシートにビア加工を行う工程、ビアに導電ペーストを充填する工程、静電電極となるパターンを形成する工程、他のグリーンシートを積層して焼成する工程、表面を平坦化する工程等を含む周知の製造方法により作製することができる。接着層５０との密着性を向上するために、静電チャック６０の下面にブラスト処理等を施し、粗化してもよい。

【0044】

なお、図２～図４に示した基板固定装置１の製造方法は一例であり、基板固定装置１は、他の製造方法により作製してもよい。

【0045】

次に、発明者らによる温度の均一性に関する検討結果について説明する。発明者らは、図１に示す基板固定装置の構造において、発熱体の厚さに対する金属層の厚さの比率を変えた場合の、基体の載置面の温度の均一性について、３条件でシミュレーションを行った。具体的には、発熱体の厚さを５０μｍとし、発熱体の厚さに対する金属層の厚さを０倍（すなわち金属層を設けない）、５倍、及び１０倍としたときの、基体の載置面の温度の均一性についてシミュレーションを行った。なお、ベースプレート及び金属層の材料としては、アルミニウムを想定した。

【0046】

図５は、温度の均一性のシミュレーション結果を示す図である。また、表１は、図５のデータをまとめたものである。

【0047】

【表1】

図５において、横軸は基体の載置面に温度測定点を均一配置したときにおける目標温度との差を示しており、縦軸は密度を示している（すべてを足すと１００になる）。

【0048】

図５及び表１において、０倍と５倍とを比較すると、５倍の方が目標温度に対する温度分布のレンジが狭くなることが確認できる。すなわち、金属層を設けることで基体の載置面の温度の均一性が向上することが確認できる。

【0049】

また、図５及び表１において、５倍と１０倍とを比較すると、１０倍の方が目標温度に対する温度分布のレンジが狭くなることが確認できる。すなわち、発熱体の厚さに対する金属層の厚さを厚くするほど、基体の載置面の温度の均一性が向上することが確認できる。

【0050】

図５及び表１の解析結果から、リファレンスの条件１（金属層なし）の温度分布レンジと比較して、条件２（金属板５倍厚さ）の温度分布のレンジは４４％程度小さくなっていることが分かる。また、リファレンスの条件１の温度分布レンジと比較して、条件３（金属板１０倍厚さ）の温度分布のレンジは５９％程度小さくなっていることが分かる。

【0051】

以上、好ましい実施形態等について詳説したが、上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。

【0052】

例えば、本発明に係る基板固定装置の吸着対象物としては、半導体ウェハ（シリコンウエハ等）以外に、液晶パネル等の製造工程で使用されるガラス基板等を例示することができる。

【符号の説明】

【0053】

１ 基板固定装置
１ｘ 貫通孔
１０ ベースプレート
１５ 水路
１５ａ 冷却水導入部
１５ｂ 冷却水排出部
２０，５０ 接着層
３０ 発熱部
３１ 絶縁層
３２ 発熱体
４０ 金属層
４０ｘ 開口部
６０ 静電チャック
６１ 基体
６１ａ 載置面
６２ 静電電極
３１１，３１２ 絶縁樹脂フィルム
３２１ 金属箔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】