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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024123706
(43)【公開日】2024-09-12
(54)【発明の名称】半導体装置及び半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/308 20060101AFI20240905BHJP
【ＦＩ】
H01L21/308 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023031333
(22)【出願日】2023-03-01
(71)【出願人】
【識別番号】308033711
【氏名又は名称】ラピスセミコンダクタ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】近藤 清文
(72)【発明者】
【氏名】東平 真人
(72)【発明者】
【氏名】石切山 衛
(72)【発明者】
【氏名】井上 巧
(72)【発明者】
【氏名】児玉 一隆
(72)【発明者】
【氏名】神戸 敏文
(72)【発明者】
【氏名】山本 友三
(72)【発明者】
【氏名】折田 敏幸
【テーマコード（参考）】
5F043
【Ｆターム（参考）】
5F043AA40
5F043BB30
5F043CC12
(57)【要約】
【課題】電極への接着剤の残存を抑制することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、前記傾斜面は、２以上の段差部を有する。
【選択図】図１
【解決手段】半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、前記傾斜面は、２以上の段差部を有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体素子が形成されるウエハと、
前記ウエハ上に配置される電極と、
前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、
を備え、
前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、
前記傾斜面は、２以上の段差部を有する半導体装置。
前記ウエハ上に配置される電極と、
前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、
を備え、
前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、
前記傾斜面は、２以上の段差部を有する半導体装置。
【請求項2】
前記突出部は、前記先端面に形成される凹部を有し、
前記凹部は、前記先端面から前記電極側の面に向かって窪む形状である請求項１に記載の半導体装置。
前記凹部は、前記先端面から前記電極側の面に向かって窪む形状である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
半導体素子が形成されるウエハと、
前記ウエハ上に配置される電極と、
前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、
を備え、
前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、
前記先端面は、前記保護膜の内側から前記保護膜の外側に向かって凸の形状を有し、
前記傾斜面は、前記外側から前記内側に向かって凸の形状を有する半導体装置。
前記ウエハ上に配置される電極と、
前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、
を備え、
前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、
前記先端面は、前記保護膜の内側から前記保護膜の外側に向かって凸の形状を有し、
前記傾斜面は、前記外側から前記内側に向かって凸の形状を有する半導体装置。
【請求項4】
半導体素子が形成されるウエハと、
前記ウエハ上に配置されるバリアメタルと、
前記バリアメタルを介して前記ウエハ上に配置される電極と、
前記ウエハと前記バリアメタルの一部領域とを覆う保護膜と、
を備え、
前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記バリアメタル側に向かって下る傾斜面を有し、
前記傾斜面は、前記電極を覆わずに、前記バリアメタルの表面の内、前記電極と重ならない面を覆う、半導体装置。
前記ウエハ上に配置されるバリアメタルと、
前記バリアメタルを介して前記ウエハ上に配置される電極と、
前記ウエハと前記バリアメタルの一部領域とを覆う保護膜と、
を備え、
前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記バリアメタル側に向かって下る傾斜面を有し、
前記傾斜面は、前記電極を覆わずに、前記バリアメタルの表面の内、前記電極と重ならない面を覆う、半導体装置。
【請求項5】
半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、
前記電極及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を含み、
前記保護膜形成工程は、第１幅の第１レジストを用いて、前記保護膜をエッチングする第１エッチング工程と、前記第１幅よりも広い第２幅の第２レジストを用いて、前記保護膜をエッチングする第２エッチング工程と、を含み、
前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、
前記傾斜面は、２以上の段差部を有する、半導体装置の製造方法。
前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、
前記電極及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を含み、
前記保護膜形成工程は、第１幅の第１レジストを用いて、前記保護膜をエッチングする第１エッチング工程と、前記第１幅よりも広い第２幅の第２レジストを用いて、前記保護膜をエッチングする第２エッチング工程と、を含み、
前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、
前記傾斜面は、２以上の段差部を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記第１エッチング工程は、空洞が形成された前記第１レジストを用いて、前記先端面に凹部を形成する工程を含み、
前記凹部は、前記保護膜の前記先端面から前記電極側の面に向かって窪む形状である、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
前記凹部は、前記保護膜の前記先端面から前記電極側の面に向かって窪む形状である、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、
前記電極及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を含み、
前記保護膜形成工程は、特定幅のレジストを用いて、前記保護膜をエッチングするエッチング工程と、前記レジストを除去した後に前記保護膜を現像する現像工程と、を含み、
前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、
前記先端面は、前記保護膜の内側から前記保護膜の外側に向かって凸の形状を有し、
前記傾斜面は、前記外側から前記内側に向かって凸の形状を有する、半導体装置の製造方法。
前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、
前記電極及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を含み、
前記保護膜形成工程は、特定幅のレジストを用いて、前記保護膜をエッチングするエッチング工程と、前記レジストを除去した後に前記保護膜を現像する現像工程と、を含み、
前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、
前記先端面は、前記保護膜の内側から前記保護膜の外側に向かって凸の形状を有し、
前記傾斜面は、前記外側から前記内側に向かって凸の形状を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項8】
半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置されるバリアメタルと、前記バリアメタルを介して前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハと前記バリアメタルの一部領域とを覆う保護膜と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、
前記電極及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を含み、
前記保護膜形成工程は、レジストをパターニングするパターニング工程と、前記パターニングしたレジストを硬化させる硬化工程と、前記硬化したレジストを用いて前記保護膜を現像する現像工程と、を含み、
前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、
前記傾斜面は、２以上の段差部を有する、半導体装置の製造方法。
前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、
前記電極及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を含み、
前記保護膜形成工程は、レジストをパターニングするパターニング工程と、前記パターニングしたレジストを硬化させる硬化工程と、前記硬化したレジストを用いて前記保護膜を現像する現像工程と、を含み、
前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、
前記傾斜面は、２以上の段差部を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項9】
半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置されるバリアメタルと、前記バリアメタルを介して前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハと前記バリアメタルの一部領域とを覆う保護膜と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、
前記バリアメタル及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を含み、
前記保護膜形成工程は、
前記電極のパターンにレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜を形成した後に、前記電極をエッチングする電極エッチング工程と、
前記エッチングされた電極の端部に位置する前記バリアメタルを、前記レジスト膜を用いてエッチングするバリアメタルエッチング工程と、
前記ウエハ、前記バリアメタル及び前記電極の上部に、前記保護膜を成膜する成膜工程と、
特定幅のレジストを用いて、前記保護膜をエッチングする工程と、を含み、
前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記バリアメタル側に向かって下る傾斜面を有し、
前記傾斜面は、前記電極を覆わずに、前記バリアメタルの表面の内、前記電極と重ならない面を覆う、半導体装置の製造方法。
前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、
前記バリアメタル及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を含み、
前記保護膜形成工程は、
前記電極のパターンにレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜を形成した後に、前記電極をエッチングする電極エッチング工程と、
前記エッチングされた電極の端部に位置する前記バリアメタルを、前記レジスト膜を用いてエッチングするバリアメタルエッチング工程と、
前記ウエハ、前記バリアメタル及び前記電極の上部に、前記保護膜を成膜する成膜工程と、
特定幅のレジストを用いて、前記保護膜をエッチングする工程と、を含み、
前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、
前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記バリアメタル側に向かって下る傾斜面を有し、
前記傾斜面は、前記電極を覆わずに、前記バリアメタルの表面の内、前記電極と重ならない面を覆う、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来の半導体装置として、半導体素子が形成された基板であるウエハと、ウエハ上に配置される電極と、ウエハと電極を覆う保護膜とを備えた半導体装置が開示されている（例えば特許文献１）。半導体装置の製造工程には、保護膜が形成されたウエハの表の面に塗布された接着剤を介して、ガラス基板などの支持基板にウエハを固定する工程と、支持基板に固定されたウエハの裏の面を加工する工程と、支持基板からウエハを切り離す工程とが含まれ得る。
【0003】
支持基板からウエハを切り離す工程では、接着剤にレーザを照射することで接着剤が切断される。このときウエハには、接着剤の一部が残存するため、残存した接着剤を除去する除去工程が必要になる。除去工程では、残存した接着剤に粘着物を貼りつけて、当該粘着物をローラなどで巻き取ることで、接着剤を粘着物に転写することができる。
【0004】
ここで、従来の半導体装置では、保護膜が電極のパターンを覆わないようにして、電極の上面からウエハの上面に渡って設けられる場合がある。このため保護膜には、ウエハと電極との段差部分において電極側とは反対側に突出する突出部が形成され得る。突出部は、ウエハと電極の積層方向において、ウエハから電極に向かって先細りの形状を有する。このような形状を有する突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から電極側に向かって下る傾斜面を有する。傾斜面は、保護膜の先端面から電極に至る面、いわゆるテーパ面である。このように保護膜を形成することで、電極へのワイヤの接続が保護膜で妨げられることなく、保護膜によって、電極とウエハとの隙間からウエハへの水などの浸入を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開２００７－０３５８７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、従来の半導体装置では、電極とウエハとの間に存在する段差部分が大きくなるほど突出部の高さが大きくなるため、突出部の傾斜面の傾斜角度が大きくなり得る。傾斜面の傾斜角度が大きくなると、接着剤を剥がす際、接着剤を剥がす力が特定箇所に集中するため、接着剤が切れる可能性が大きくなる。特定箇所は、先端面と傾斜面との交点、つまり突出部の先端の角部及びその周囲である。このように接着剤が切れた場合、電極上に接着剤が残存するため、残存した接着剤が電極へのワイヤの接続の妨げになり、半導体装置の歩留まりが低下し得る。
【0007】
本発明は、上記の事情を踏まえ、電極への接着剤の残存を抑制することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、前記傾斜面は、２以上の段差部を有する。
【0009】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、前記先端面は、前記保護膜の内側から前記保護膜の外側に向かって凸の形状を有し、前記傾斜面は、前記外側から前記内側に向かって凸の形状を有する。
【0010】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置されるバリアメタルと、前記バリアメタルを介して前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハと前記バリアメタルの一部領域とを覆う保護膜と、を備え、前記保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記バリアメタル側に向かって下る傾斜面を有し、前記傾斜面は、前記電極を覆わずに、前記バリアメタルの表面の内、前記電極と重ならない面を覆う。
【0011】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、を備える半導体装置の製造方法であって、前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、前記電極及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含み、前記保護膜形成工程は、第１幅の第１レジストを用いて、前記保護膜をエッチングする第１エッチング工程と、前記第１幅よりも広い第２幅の第２レジストを用いて、前記保護膜をエッチングする第２エッチング工程と、を含み、前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、前記傾斜面は、２以上の段差部を有する。
【0012】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハ及び前記電極を覆う保護膜と、を備える半導体装置の製造方法であって、前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、前記電極及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含み、前記保護膜形成工程は、特定幅のレジストを用いて、前記保護膜をエッチングするエッチング工程と、前記レジストを除去した後に前記保護膜を現像する現像工程と、を含み、前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、前記先端面は、前記保護膜の内側から前記保護膜の外側に向かって凸の形状を有し、前記傾斜面は、前記外側から前記内側に向かって凸の形状を有する。
【0013】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置されるバリアメタルと、前記バリアメタルを介して前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハと前記バリアメタルの一部領域とを覆う保護膜と、を備える半導体装置の製造方法であって、前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、前記電極及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含み、前記保護膜形成工程は、レジストをパターニングするパターニング工程と、前記パターニングしたレジストを硬化させる硬化工程と、前記硬化したレジストを用いて前記保護膜を現像する現像工程と、を含み、前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記電極側に向かって下る傾斜面を有し、前記傾斜面は、２以上の段差部を有する。
【0014】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成されるウエハと、前記ウエハ上に配置されるバリアメタルと、前記バリアメタルを介して前記ウエハ上に配置される電極と、前記ウエハと前記バリアメタルの一部領域とを覆う保護膜と、を備える半導体装置の製造方法であって、前記電極にパターンを形成するパターン形成工程と、前記バリアメタル及び前記ウエハに特定形状の保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含み、前記保護膜形成工程は、前記電極のパターンにレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、前記レジスト膜を形成した後に、前記電極をエッチングする電極エッチング工程と、前記エッチングされた電極の端部に位置する前記バリアメタルを、前記レジスト膜を用いてエッチングするバリアメタルエッチング工程と、前記ウエハ、前記バリアメタル及び前記電極の上部に、前記保護膜を成膜する成膜工程と、特定幅のレジストを用いて、前記保護膜をエッチングする工程と、を含み、前記特定形状の保護膜には、前記ウエハと前記電極との段差部分において前記電極側とは反対側に突出する突出部が形成され、前記突出部は、突出方向の先端に位置する先端面から前記バリアメタル側に向かって下る傾斜面を有し、前記傾斜面は、前記電極を覆わずに、前記バリアメタルの表面の内、前記電極と重ならない面を覆う。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、電極への接着剤の残存を抑制することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することが可能となる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、実施形態を図面に基づいて説明する。なお、同一の機能や構成には、同一または類似の符号を付して、その説明を適宜省略する。
【0018】
【0019】
半導体装置１００は、半導体素子が形成されるウエハ１と、ウエハ１上に配置される電極２と、ウエハ１と電極２とを覆う保護膜３と、絶縁膜４とを備える。
【0020】
ウエハ１は、半導体素子が形成される基板である。具体的には、ウエハ１は、Ｓｉ（シリコン）を含むＳｉ基板である。なお、ウエハ１は、Ｓｉ基板に限定されず、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）を含む基板、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）を含む基板などでもよい。
【0021】
電極２は、ウエハ１上に配置される導電部材である。具体的には、電極２は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極などである。電極２の材料は、用途、目的などに応じて適宜選択可能であり、一例としてＡｌ（アルミニウム）が挙げられる。
【0022】
絶縁膜４は、電極２とウエハ１を絶縁する膜である。絶縁膜４の材料は、用途、目的などに応じて適宜選択可能であり、一例としてシリコン酸化膜が挙げられる。なお第１実施形態では、保護膜３が絶縁膜４を介してウエハ１上に形成されているが、保護膜３はウエハ１上に直接形成されてもよい。
【0023】
保護膜３は、ウエハ１と電極２の間の隙間からウエハ１への異物（水、埃など）の浸入を防止する機能を有する。保護膜３は、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)絶縁膜、樹脂系絶縁膜などである。樹脂系絶縁膜の材料は、用途、目的などに応じて適宜選択可能であり、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂が挙げられる。
【0024】
保護膜３は、電極２とウエハ１との間に存在する段差部分２０を覆うように設けられている。具体的には、保護膜３は、ウエハ１の上部に設けられている絶縁膜４の一部領域と、電極２の一部領域とを覆うように、段差部分２０を介して、電極２の上面からウエハ１の上面に渡って設けられている。
【0025】
段差部分２０が存在することにより、保護膜３には、段差部分２０において電極２側とは反対側に突出する突出部３０が形成される。突出部３０の断面形状は、電極２の上方に向かって突き出たテーパ形状を有する。具体的には、突出部３０は、ウエハ１から電極２に向かう方向に、断面形状が先細りの形状を有する。
【0026】
このように形成される保護膜３は、保護膜３の電極２側の面とは反対側の面である先端面３１と、傾斜面３２とを有する。先端面３１は、突出部３０の表面の内、突出部３０の突出方向の先端に位置する面と解釈してよい。傾斜面３２は、突出部３０の表面の内、先端面３１から電極２側に向かって下る面（テーパ面）と解釈してよい。
【0027】
傾斜面３２は、隣接する２つの曲面３２ａ、３２ｂを有する。２つの曲面３２ａ、３２ｂは、それぞれが保護膜３の外側から保護膜３の内側に向かって凸の形状を有する。２つの曲面３２ａ、３２ｂは、それぞれが保護膜３の外側から内側に向かって窪む凹形状の曲面と解釈してよい。また２つの曲面３２ａ、３２ｂは、それぞれが曲率半径の中心が保護膜３の外側に位置し、かつ、曲率半径の中心が電極２の上面に位置する円弧面と解釈してもよい。
【0028】
２つの曲面３２ａ、３２ｂが形成されることにより、傾斜面３２には、２つの曲面３２ａ、３２ｂが交わる箇所に位置する１つの頂部と、当該頂部の両側に形成される２つの谷部とが形成される。そして傾斜面３２には、頂部から電極２の上面に下る領域と、頂部から突出部３０の先端面３１の上る領域とに段差部３３が形成される。このように突出部３０の傾斜面３２には、電極２の上部に位置する領域において、２つの段差部３３が形成されている。
【0029】
なお、傾斜面３２に形成される段差部３３の数は２つに限定されず、段差部３３の数は２以上であればよい。
【0030】
【0031】
（１）素子形成工程
素子形成工程ではウエハ１に半導体素子が形成される。具体的には、素子形成工程では、ウエハ１の半導体層の活性領域内にトランジスタなどの半導体素子が形成される。
素子形成工程ではウエハ１に半導体素子が形成される。具体的には、素子形成工程では、ウエハ１の半導体層の活性領域内にトランジスタなどの半導体素子が形成される。
【0032】
（２）電極形成工程
電極形成工程では、ウエハ１の表の面に電極膜が成膜された後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、電極パターンが形成される。具体的には、電極膜にレジストが塗布され、ウェットエッチングにより特定形状のレジスト５Ａが形成される（図２）。さらにドライエッチングにより電極パターンが形成され、レジスト５Ａが除去される（パターン形成工程：図３）。
電極形成工程では、ウエハ１の表の面に電極膜が成膜された後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、電極パターンが形成される。具体的には、電極膜にレジストが塗布され、ウェットエッチングにより特定形状のレジスト５Ａが形成される（図２）。さらにドライエッチングにより電極パターンが形成され、レジスト５Ａが除去される（パターン形成工程：図３）。
【0033】
次に、ポリイミドコーティングにより保護膜３が成膜される。具体的には、電極２及びウエハ１に特定形状の保護膜３が形成される（保護膜形成工程：図４）。
【0034】
成膜された保護膜３は、フォトリソグラフィにより、第１幅の第１レジスト（レジスト５Ｂ）を用いてエッチングされる。具体的には、電極２の開口パターンよりも大きいパターンで、保護膜３の厚みが５μｍ程度になるまでエッチングされる（第１エッチング工程：図５から図８）。
【0035】
より具体的には、保護膜３の上面にポジコーティング、すなわちポジ型のレジスト５Ｂが塗布され（図５）、レジスト５Ｂの位置合わせ及び現像が行われる（図６）。図６の上側には半導体装置１００の断面が示され、図６の下側には、上方から見た半導体装置１００が示されている。さらにポリイミド現像により保護膜３にテーパ形状の領域が形成される（図７）。具体的には、ポリイミド現像により、保護膜３の一部が溶解されることにより、レジスト５Ｂと絶縁膜４との間の領域に存在する保護膜３、つまりレジスト５Ｂに覆われている保護膜３がテーパ状に形成される。その後レジスト５Ｂが除去される（図８）。この工程により、傾斜面３２に１つ目の段差部３３が形成される。
【0036】
次に、ポジコーティング及びキュアなどを含むフォトリソグラフィにより、再び保護膜３をエッチングする。具体的には、第１幅よりも広い第２幅の第２レジスト（レジスト５Ｃ）を用いて、保護膜３をエッチングする（第２エッチング工程：図９から図１１）。
【0037】
より具体的には、テーパ状に形成された保護膜３の突出部３０を含むように、保護膜３の上面にポジコーティング、つまりポジ型のレジスト５Ｃが塗布される（図９）。このとき、突出部３０を中心にして、突出部３０の周囲を覆うように、レジスト５Ｃの位置合わせ及び現像が行われる。図９の上側には半導体装置１００の断面が示され、図９の下側には上方から見た半導体装置１００が示されている。
【0038】
ウエハ１と電極２の積層方向Ｄ１と直交する方向Ｄ２におけるレジスト５Ｃの幅は、図７に示されるレジスト５Ｂの方向Ｄ２における幅よりも広くなるように設定される。
【0039】
次に、２回目のポリイミド現像により、レジスト５Ｃと電極２との間の領域に存在する保護膜３（突出部３０）の一部が現像液に溶解するため、突出部３０の傾斜面３２に２つ目の段差部３３が形成される（図１０）。その後、レジスト５Ｃが除去され、保護膜３をキュアするための熱処理が行われる（図１１）。
【0040】
このように第１実施形態にかかる半導体装置１００の製造工程では、保護膜３の形成に２つのフォトレジストマスク（レジスト５Ｂ及びレジスト５Ｃ）が利用されることで、２以上の段差部３３を有する特定形状の保護膜３が形成される。
【0041】
（３）薄膜化工程
薄膜化工程では、まずウエハ１の表の面（素子形成面）に接着剤２００が塗布され、接着剤２００を介してウエハ１が支持基板３００に張り合わされる（図１２）。次に、ウエハ１の裏の面（素子未形成面）が、砥石、エッチング液などにより、薄膜化される。
薄膜化工程では、まずウエハ１の表の面（素子形成面）に接着剤２００が塗布され、接着剤２００を介してウエハ１が支持基板３００に張り合わされる（図１２）。次に、ウエハ１の裏の面（素子未形成面）が、砥石、エッチング液などにより、薄膜化される。
【0042】
（４）支持基板剥離工程
支持基板剥離工程では、接着剤２００にレーザを照射することで接着剤２００が切断される。このとき切断された接着剤２００の一部がウエハ１に残存する（図１３）。残存する接着剤２００は、突出部３０の先端面３１から接着剤２００の表の面２００ａまでの第１領域に存在する第１接着剤２０１と、第１領域以外の第２領域に存在する第２接着剤２０２とを含む。第２領域は、突出部３０の傾斜面３２から接着剤２００の表の面２００ａまでの領域と、電極２の上面から接着剤２００の表の面２００ａまでの領域とを含む。
支持基板剥離工程では、接着剤２００にレーザを照射することで接着剤２００が切断される。このとき切断された接着剤２００の一部がウエハ１に残存する（図１３）。残存する接着剤２００は、突出部３０の先端面３１から接着剤２００の表の面２００ａまでの第１領域に存在する第１接着剤２０１と、第１領域以外の第２領域に存在する第２接着剤２０２とを含む。第２領域は、突出部３０の傾斜面３２から接着剤２００の表の面２００ａまでの領域と、電極２の上面から接着剤２００の表の面２００ａまでの領域とを含む。
【0043】
（５）接着剤除去工程
接着剤除去工程では、残存した接着剤２００に粘着物４００を貼り、粘着物４００がローラで巻き上げられることで、粘着物４００に接着剤２００が転写される（図１４及び図１５）。これにより第１領域及び第２領域に残存した接着剤２００が除去される。
接着剤除去工程では、残存した接着剤２００に粘着物４００を貼り、粘着物４００がローラで巻き上げられることで、粘着物４００に接着剤２００が転写される（図１４及び図１５）。これにより第１領域及び第２領域に残存した接着剤２００が除去される。
【0044】
（比較例）
ここで、第１実施形態にかかる半導体装置１００の比較例について説明する。図１６は、比較例にかかる半導体装置の断面図である。図１６に示すように、比較例にかかる半導体装置１００Ａは、突出部３０の傾斜面３２に１つの段差部３３のみ形成されている。これは半導体装置１００Ａの製造工程には、図５から図８に示す工程が含まれるが、図９及び図１０に示す工程が含まれないためである。
ここで、第１実施形態にかかる半導体装置１００の比較例について説明する。図１６は、比較例にかかる半導体装置の断面図である。図１６に示すように、比較例にかかる半導体装置１００Ａは、突出部３０の傾斜面３２に１つの段差部３３のみ形成されている。これは半導体装置１００Ａの製造工程には、図５から図８に示す工程が含まれるが、図９及び図１０に示す工程が含まれないためである。
【0045】
ここで、電極２とウエハ１との間の段差部分２０が大きくなるほど突出部３０の高さが大きくなるため、突出部３０の段差部３３も大きくなる。特にディスクリート製品では、保護膜３が１０ｕｍ程度に厚く形成されるため、突出部３０の段差部３３が大きくなる傾向がある。このため、電極２の上面に対する突出部３０の傾斜面３２の傾斜角度が大きくなり得る。
【0046】
図１７は、比較例にかかる半導体装置１００Ａに残存した接着剤を示す図である。図１７に示すように、残存した接着剤２００の内、積層方向Ｄ１における第１接着剤２０１の幅Ｗ１は、積層方向Ｄ１における第２接着剤２０２の幅Ｗ２よりも小さい。つまり第１接着剤２０１の厚みは第２接着剤２０２の厚みよりも薄くなる。
【0047】
また、半導体装置１００Ａの突出部３０の傾斜面３２は傾斜角度が大きいため、残存した接着剤２００を剥がす力が特定箇所に集中してしまい、特定位置で接着剤２００が切れる可能性が大きくなる。特定箇所は、突出部３０の先端面３１と傾斜面３２との交点、つまり突出部３０の先端の角部及びその周囲である。特定位置は、第１接着剤２０１と第２接着剤２０２との境界部である。
【0048】
また、傾斜面３２は傾斜角度が大きいため、方向Ｄ２における突出部３０の先端面３１の幅Ｗ３が、第１実施形態１にかかる突出部３０の先端面３１の幅よりも広くなる。このため、方向Ｄ２における第１接着剤２０１の幅も広くなり、引っ張り強度が低い第１接着剤２０１の割合が大きくなる。従って、接着剤２００を剥がす際、第１接着剤２０１が切れて、電極２上に第２接着剤２０２が残存すると、第２接着剤２０２が電極２へのワイヤの接続の妨げになり、半導体装置１００Ａの歩留まりが低下し得る。
【0049】
（作用・効果）
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００及び半導体装置１００の製造方法によれば、傾斜面３２に２つ以上の段差部３３が形成されるため、突出部３０の傾斜面３２の傾斜角度が緩やかになる。このため、接着剤２００を剥がす力が傾斜面３２の全体に分散されて、特定位置で接着剤２００が切れることを低減できる。
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００及び半導体装置１００の製造方法によれば、傾斜面３２に２つ以上の段差部３３が形成されるため、突出部３０の傾斜面３２の傾斜角度が緩やかになる。このため、接着剤２００を剥がす力が傾斜面３２の全体に分散されて、特定位置で接着剤２００が切れることを低減できる。
【0050】
また、突出部３０の先端面３１の幅Ｗ３（図１７参照）が狭くなるため、引っ張り強度が低い第１接着剤２０１の割合が小さくなる。このため、第１接着剤２０１が切れる可能性を低減できる。この結果、電極２に第２接着剤２０２が残存することを抑制でき、半導体装置１００の歩留りが向上し得る。
【0051】
［第２実施形態］
第２実施形態に係る半導体装置１００の構成及び製造方法について説明する。図１８は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
第２実施形態に係る半導体装置１００の構成及び製造方法について説明する。図１８は、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【0052】
第２実施形態にかかる半導体装置１００は、第１実施形態１にかかる構成に加え、突出部３０が先端面３１に形成される凹部３４を有している。凹部３４は、突出部３０の先端面３１から突出部３０の電極２側の面に向かって窪む形状である。
【0053】
【0054】
（１）素子形成工程
第１実施形態と同様に、素子形成工程ではウエハ１に半導体素子が形成される。
第１実施形態と同様に、素子形成工程ではウエハ１に半導体素子が形成される。
【0055】
（２）電極形成工程
第１実施形態と同様に、ウエハ１の表の面に電極膜が成膜された後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、電極パターンが形成され（パターン形成工程：図３）、ポリイミドコーティングにより保護膜３が成膜される（保護膜形成工程：図４）。
第１実施形態と同様に、ウエハ１の表の面に電極膜が成膜された後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、電極パターンが形成され（パターン形成工程：図３）、ポリイミドコーティングにより保護膜３が成膜される（保護膜形成工程：図４）。
【0056】
成膜された保護膜３は、フォトリソグラフィにより、第１幅の第１レジスト（レジスト５Ｂ）を用いてエッチングされる。具体的には、電極２の開口パターンよりも大きいパターンで、保護膜３の厚みが５μｍ程度になるまでエッチングされる（第１エッチング工程：図５、図１９～図２１）。
【0057】
より具体的には、保護膜３の上面にポジコーティング、つまりポジ型のレジスト５Ｂが塗布され（図５）、レジスト５Ｂの位置合わせ及び現像が行われる（図１９）。図１９の上側には半導体装置１００の断面が示され、図１９の下側には上方から見た半導体装置１００が示されている。
【0058】
エッチングにより空洞Ａが形成されたレジスト５Ｂを用いてポリイミド現像することで、テーパ形状の保護膜３（突出部３０）が形成される（図２０）。具体的には、ポリイミド現像により、レジスト５Ｂと絶縁膜４との間の領域に存在する保護膜３の一部が溶解して、突出部３０が形成される。またポリイミド現像により、突出部３０の先端面３１には凹部３４が形成される。その後、レジスト５Ｂが除去される（図２１）。この工程により、突出部３０の傾斜面３２に１つ目の段差部３３が形成される。
【0059】
【0060】
このように第２実施形態にかかる半導体装置１００の製造工程では、２以上の段差部３３を有する突出部３０が形成され、さらに突出部３０の先端面３１に凹部３４が形成される。
【0061】
なお、第２実施形態にかかる半導体装置１００の薄膜化工程、支持基板剥離工程、及び接着剤除去工程は、第１実施形態の各工程と同様のため、以下説明を省略する。
【0062】
（作用・効果）
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００では、突出部３０の先端面３１に凹部３４が形成されるため、凹部３４の内部に第１接着剤２０１（図１３参照）が充填される。このため、第１接着剤２０１の幅Ｗ１（図１７参照）が大きくなり、第１接着剤２０１の引っ張り強度が高くなる。従って、第１接着剤２０１が切れる可能性が低減し、半導体装置１００の歩留りがより一層向上し得る。
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００では、突出部３０の先端面３１に凹部３４が形成されるため、凹部３４の内部に第１接着剤２０１（図１３参照）が充填される。このため、第１接着剤２０１の幅Ｗ１（図１７参照）が大きくなり、第１接着剤２０１の引っ張り強度が高くなる。従って、第１接着剤２０１が切れる可能性が低減し、半導体装置１００の歩留りがより一層向上し得る。
【0063】
［第３実施形態］
第３実施形態に係る半導体装置１００の構成及び製造方法について説明する。図２５は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
第３実施形態に係る半導体装置１００の構成及び製造方法について説明する。図２５は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【0064】
第３実施形態にかかる半導体装置１００では、突出部３０の先端面３１が保護膜３の内側から保護膜３の外側に向かって凸の形状を有する。また突出部３０の傾斜面３２は、保護膜３の外側から内側に向かって凸の形状を有する。
【0065】
具体的には、突出部３０の先端面３１は、曲率半径の中心が保護膜３の内側に位置する円弧面である。突出部３０の傾斜面３２は、曲率半径の中心が保護膜３の外側に位置し、かつ、曲率半径の中心が電極２の上面に位置する円弧面である。
【0066】
２つの円弧面が形成されることで、突出部３０の先端面３１及び傾斜面３２との交点に角部が形成されずに、突出部３０の表面になだらかな曲面が形成される。
【0067】
次に、第３実施形態にかかる半導体装置１００の製造方法について説明する。図２６は、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【0068】
（１）素子形成工程
第１実施形態と同様に、素子形成工程ではウエハ１に半導体素子が形成される。
第１実施形態と同様に、素子形成工程ではウエハ１に半導体素子が形成される。
【0069】
（２）電極形成工程
第１実施形態と同様に、ウエハ１の表の面に電極膜が成膜された後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、電極パターンが形成され（パターン形成工程：図３）、ポリイミドコーティングにより保護膜３が成膜される（保護膜形成工程：図４）。
第１実施形態と同様に、ウエハ１の表の面に電極膜が成膜された後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、電極パターンが形成され（パターン形成工程：図３）、ポリイミドコーティングにより保護膜３が成膜される（保護膜形成工程：図４）。
【0070】
成膜された保護膜３は、第１実施形態の第１エッチング工程と同様に、保護膜３の厚みが５μｍ程度になるまでエッチングされる（エッチング工程：図５～図８）。なお、当該工程で利用するレジストの幅は、図９に示されるレジスト５Ｃの幅と同様でもよい。次に、レジストを除去した後に保護膜３を現像する（現像工程：図２６）。図２６の上側には現像前の保護膜３の形状が示されており、図２６の下側には現像後の保護膜３の形状が示されている。
【0071】
このように第３実施形態によれば、保護膜３を現像することにより、突出部３０の表面が溶解されるため、突出部３０に２つの円弧面が形成される。
【0072】
なお、第３実施形態にかかる半導体装置１００の薄膜化工程、支持基板剥離工程、及び接着剤除去工程は、第１実施形態の各工程と同様のため、以下説明を省略する。
【0073】
（作用・効果）
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００によれば、突出部３０の傾斜面３２になだらかな曲面が形成されるため、突出部３０の傾斜面３２の傾斜角度が緩やかになる。このため、第１実施形態と同様に、接着剤２００を剥がす力が傾斜面３２の全体に分散されるため、特定位置で接着剤２００が切れることを低減できる。
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００によれば、突出部３０の傾斜面３２になだらかな曲面が形成されるため、突出部３０の傾斜面３２の傾斜角度が緩やかになる。このため、第１実施形態と同様に、接着剤２００を剥がす力が傾斜面３２の全体に分散されるため、特定位置で接着剤２００が切れることを低減できる。
【0074】
【0075】
［第４実施形態］
第４実施形態に係る半導体装置１００の構成及び製造方法について説明する。図２７は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
第４実施形態に係る半導体装置１００の構成及び製造方法について説明する。図２７は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【0076】
第４実施形態にかかる半導体装置１００の突出部３０は、第１実施形態と異なる工程により形成されている。以下に第４実施形態にかかる半導体装置１００の製造方法について説明する。図２８から図３１は、本開示の第４実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【0077】
（１）素子形成工程
第１実施形態と同様に、素子形成工程ではウエハ１に半導体素子が形成される。
第１実施形態と同様に、素子形成工程ではウエハ１に半導体素子が形成される。
【0078】
（２）電極形成工程
第１実施形態と同様に、ウエハ１の表の面に電極膜が成膜された後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、電極パターンが形成され（パターン形成工程：図３）、ポリイミドコーティングにより保護膜３が成膜される（保護膜形成工程：図４）。
第１実施形態と同様に、ウエハ１の表の面に電極膜が成膜された後、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、電極パターンが形成され（パターン形成工程：図３）、ポリイミドコーティングにより保護膜３が成膜される（保護膜形成工程：図４）。
【0079】
保護膜３が成膜された後、フォトリソグラフィにより、レジスト５をパターニングする（パターニング工程：図２８及び図２９）。図２８の上側には半導体装置１００の断面が示され、図２８の下側には上方から見た半導体装置１００が示されている。
【0080】
次にパターニングしたレジスト５をＵＶキュアリングにより硬化させる（硬化工程）。これにより、レジスト５の保護膜３への密着性が低下し、レジスト５と保護膜３との間に隙間Ｇが形成される（図２９）。
【0081】
その後、硬化したレジスト５を用いて保護膜３が現像される。このとき、レジスト５と保護膜３との間の隙間Ｇに薬液が入り込むため、突出部３０の角部の表面が曲面となり、なだらかな傾斜面３２を有する突出部３０が形成される（現像工程：図３０）。また第１実施形態と同様に、電極２上部の保護膜３が除去されて、電極２が開口する。最後にレジスト５が除去される（図３１）。
【0082】
このように第４実施形態にかかる半導体装置１００の製造工程では、なだらかな傾斜面３２を有する保護膜の突出部３０が形成される。
【0083】
なお、第４実施形態にかかる半導体装置１００の薄膜化工程、支持基板剥離工程、及び接着剤除去工程は、第１実施形態の各工程と同様のため、以下説明を省略する。
【0084】
（作用・効果）
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法によれば、従来の製造工程に使用されるレジストマスクと同様の形状のレジスト５を使用して、突出部３０を形成することができる。また硬化したレジスト５を用いて保護膜３が現像されるため、突出部３０になだらかな傾斜面３２が形成される。つまり、従来から利用されているレジストマスクを利用して、ＵＶキュアリングによる硬化工程を付加することで、なだらかな傾斜面３２を有する突出部３０を形成することができる。
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法によれば、従来の製造工程に使用されるレジストマスクと同様の形状のレジスト５を使用して、突出部３０を形成することができる。また硬化したレジスト５を用いて保護膜３が現像されるため、突出部３０になだらかな傾斜面３２が形成される。つまり、従来から利用されているレジストマスクを利用して、ＵＶキュアリングによる硬化工程を付加することで、なだらかな傾斜面３２を有する突出部３０を形成することができる。
【0085】
従って、第１実施形態の効果に加え、現像工程を１つ削減することができるため、半導体装置１００の製造時間が短縮され、半導体装置１００の低コスト化を図ることが可能となる。
【0086】
［第５実施形態］
第５実施形態に係る半導体装置１００の構成及び製造方法について説明する。図３２は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
第５実施形態に係る半導体装置１００の構成及び製造方法について説明する。図３２は、本開示の第５実施形態にかかる半導体装置の断面図である。
【0087】
第５実施形態にかかる半導体装置１００は、ウエハ１と、ウエハ１上に配置されるバリアメタル６と、バリアメタル６を介してウエハ１上に配置される電極２と、ウエハ１とバリアメタル６の一部領域とを覆う保護膜３と、絶縁膜４とを備える。
【0088】
保護膜３の突出部３０は、突出方向の先端に位置する先端面３１からバリアメタル６側に向かって下る傾斜面３２を有する。傾斜面３２は、電極２を覆わずに、バリアメタル６の表面の内、電極２と重ならない面６１を覆うように形成されている。
【0089】
【0090】
（１）素子形成工程
第１実施形態と同様に、素子形成工程ではウエハ１に半導体素子が形成される。
第１実施形態と同様に、素子形成工程ではウエハ１に半導体素子が形成される。
【0091】
（２）電極形成工程
第１実施形態と同様に、ウエハ１の表の面に電極膜が成膜された後、電極パターンのレジスト膜（レジスト５Ａ）が形成される（レジスト膜形成工程：図３３）。このレジスト膜を用いて電極２をエッチングすることで、電極パターンが形成される（電極エッチング工程：図３３）。このとき電極膜を抜くために必要な時間よりも長い特定時間、ウェットエッチングを行うことで、電極２の幅をレジスト膜の幅よりも小さくする。このとき、バリアメタル６はエッチングされないためバリアメタル６が露出する。つまり、電極２の端部にバリアメタル６の端部が露出する。特定時間は、例えば数十秒であり、電極２の端部にバリアメタル６の端部を露出させるために必要なエッチング処理時間と解釈してよい。
第１実施形態と同様に、ウエハ１の表の面に電極膜が成膜された後、電極パターンのレジスト膜（レジスト５Ａ）が形成される（レジスト膜形成工程：図３３）。このレジスト膜を用いて電極２をエッチングすることで、電極パターンが形成される（電極エッチング工程：図３３）。このとき電極膜を抜くために必要な時間よりも長い特定時間、ウェットエッチングを行うことで、電極２の幅をレジスト膜の幅よりも小さくする。このとき、バリアメタル６はエッチングされないためバリアメタル６が露出する。つまり、電極２の端部にバリアメタル６の端部が露出する。特定時間は、例えば数十秒であり、電極２の端部にバリアメタル６の端部を露出させるために必要なエッチング処理時間と解釈してよい。
【0092】
次に、残ったレジスト膜をマスクとして、ドライエッチングによりバリアメタル６をパターンニングする。すなわちエッチングされた電極２の端部に位置するバリアメタル６を、レジスト膜を用いてエッチングする（バリアメタルエッチング工程）。
【0093】
次に、レジスト膜が除去され（図３４）、ポリイミドコーティングにより、バリアメタル６の端部と電極２の上部に保護膜３が成膜される（保護膜形成工程：図３５）。バリアメタル６の端部は、バリアメタル６の表面の内、電極２と重ならない面６１を含む。
【0094】
成膜された保護膜３は、フォトリソグラフィにより、特定幅のレジスト５Ｂを用いてエッチングされる。具体的には、電極２の開口パターンよりも大きいパターンで、保護膜３がエッチングされる（エッチング工程：図３６及び図３７）。これにより第１実施形態と同様に、電極２上部の保護膜３が除去されて電極２が開口する共に突出部３０が形成される。当該突出部３０の傾斜面３２は、電極２を覆わずに、バリアメタル６の表面の内、電極２と重ならない面６１を覆うように形成される。最後にレジスト５Ｂが除去される（図３８）。
【0095】
（作用・効果）
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００では、突出部３０の傾斜面３２は、電極２を覆わずに、バリアメタル６の表面の内、電極２と重ならない面６１を覆うように形成される。つまり、電極２とウエハ１との間に存在する段差部分２０から離れた位置に突出部３０が形成される。このため、突出部３０の段差部３３が小さくなり、接着剤２００の使用量を減らすことができる。従って、第１実施形態の効果に加え、接着剤の使用量が低下する分、半導体装置１００の製造時間が短縮され、半導体装置１００の製造コストをより低減することが可能となる。
以上に説明したように、本実施形態に係る半導体装置１００では、突出部３０の傾斜面３２は、電極２を覆わずに、バリアメタル６の表面の内、電極２と重ならない面６１を覆うように形成される。つまり、電極２とウエハ１との間に存在する段差部分２０から離れた位置に突出部３０が形成される。このため、突出部３０の段差部３３が小さくなり、接着剤２００の使用量を減らすことができる。従って、第１実施形態の効果に加え、接着剤の使用量が低下する分、半導体装置１００の製造時間が短縮され、半導体装置１００の製造コストをより低減することが可能となる。
【符号の説明】
【0096】
１ ウエハ
２ 電極
３ 保護膜
４ 絶縁膜
５ レジスト
５Ａ レジスト
５Ｂ レジスト
５Ｃ レジスト
６ バリアメタル
２０ 段差部分
３０ 突出部
３１ 先端面
３２ 傾斜面
３２ａ 曲面
３２ｂ 曲面
３３ 段差部
３４ 凹部
６１ 面
１００ 半導体装置
１００Ａ 半導体装置
２００ 接着剤
２００ａ 面
２０１ 接着剤
２０２ 接着剤
３００ 支持基板
４００ 粘着物
２ 電極
３ 保護膜
４ 絶縁膜
５ レジスト
５Ａ レジスト
５Ｂ レジスト
５Ｃ レジスト
６ バリアメタル
２０ 段差部分
３０ 突出部
３１ 先端面
３２ 傾斜面
３２ａ 曲面
３２ｂ 曲面
３３ 段差部
３４ 凹部
６１ 面
１００ 半導体装置
１００Ａ 半導体装置
２００ 接着剤
２００ａ 面
２０１ 接着剤
２０２ 接着剤
３００ 支持基板
４００ 粘着物
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
