特開 2024-123743 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024123743

(43)【公開日】2024-09-12

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20240905BHJP

   H01L 21/324 20060101ALI20240905BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20240905BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 B

H01L21/324 Q

C23C16/458

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023031385

(22)【出願日】2023-03-01

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】永田 朋幸

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030EA04

4K030EA06

4K030GA06

4K030KA45

4K030KA46

5F045AA06

5F045AB31

5F045AB32

5F045AB33

5F045BB20

5F045DP19

5F045DP28

5F045DQ05

5F045EK06

5F045EM08

5F045EM10

5F045EN05

(57)【要約】

【課題】耐震性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、回転軸に固定される回転テーブルと、前記回転テーブル上に載置され、基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具と、前記回転テーブル上に前記基板保持具を固定する第１締結部材と、を備え、前記基板保持具は、前記回転テーブル上に載置される底板を有し、前記第１締結部材は、前記回転テーブル及び前記底板を上下方向から挟み込んで前記回転テーブル上に前記基板保持具を固定する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

回転軸に固定される回転テーブルと、
前記回転テーブル上に載置され、基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具と、
前記回転テーブル上に前記基板保持具を固定する第１締結部材と、
を備え、
前記基板保持具は、前記回転テーブル上に載置される底板を有し、
前記第１締結部材は、前記回転テーブル及び前記底板を上下方向から挟み込んで前記回転テーブル上に前記基板保持具を固定する、
基板処理装置。

【請求項2】

前記第１締結部材は、互いに螺合するボルトとナットとを有し、
前記ボルトが前記回転テーブル及び前記底板を貫通して前記ナットと螺合することで前記回転テーブル上に前記基板保持具が固定される、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記回転テーブルは、板厚方向に貫通する第１挿通孔を有し、
前記底板は、板厚方向に貫通する第２挿通孔を有し、
前記第１挿通孔と前記第２挿通孔とは、上方からの平面視において重なる位置に設けられ、
前記ボルトは、前記第１挿通孔及び前記第２挿通孔に挿通される、
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記ボルトは、前記第１挿通孔の内壁面及び前記第２挿通孔の内壁面に対して隙間をあけて挿通される、
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記ボルトの座面は、前記底板の上面と接触する、
請求項２乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記底板上に設けられる座金を有し、
前記ボルトの座面は、前記座金の上面と接触する、
請求項２乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記回転テーブルと前記底板とは、外周部で互いに接触し、前記外周部よりも内側の中心部で離隔する、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記底板の上面には、前記ボルトが収容される凹部が設けられ、
前記底板上に設けられ、前記凹部を覆うカバー部材を有する、
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記回転軸に対して前記回転テーブルを固定する第２締結部材を備え、
前記第２締結部材は、前記凹部にパージガスを導入する貫通孔を内部に有する、
請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記回転テーブル及び前記底板は、石英により形成される、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記ボルト及び前記ナットは、セラミックにより形成される、
請求項２に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

バッチ式の基板処理装置において、基板を保持する基板保持具の底板を、石英製の押え板と金属製の基板保持具受台とによって挟持することで、基板保持具の転倒を防止する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００９－９９６０８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、耐震性を向上できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、回転軸に固定される回転テーブルと、前記回転テーブル上に載置され、基板を水平姿勢で多段に保持する基板保持具と、前記回転テーブル上に前記基板保持具を固定する第１締結部材と、を備え、前記基板保持具は、前記回転テーブル上に載置される底板を有し、前記第１締結部材は、前記回転テーブル及び前記底板を上下方向から挟み込んで前記回転テーブル上に前記基板保持具を固定する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、耐震性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。

【図2】基板保持具を示す側面図である。

【図3】基板保持具の固定構造を示す断面図である。

【図4】変形例に係る基板保持具を示す側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0009】

〔基板処理装置〕
図１を参照し、実施形態に係る基板処理装置１について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１を示す断面図である。

【0010】

基板処理装置１は、複数の基板Ｗに対して一度に処理を行うバッチ式の装置である。基板Ｗは、例えば半導体ウエハである。基板処理装置１は、処理容器１０と、ガス供給部３０と、排気部４０と、加熱部５０と、制御部８０とを備える。

【0011】

処理容器１０は、内部を減圧可能である。処理容器１０は、基板Ｗを収容する。処理容器１０は、内管１１と、外管１２とを有する。内管１１は、下端が開放された有天井の円筒形状を有する。外管１２は、内管１１の外側を覆う。外管１２は、下端が開放された有天井の円筒形状を有する。内管１１及び外管１２は、例えば石英により形成される。内管１１及び外管１２は、同軸状に配置された二重管構造を有する。

【0012】

内管１１の側壁には、長手方向（上下方向）に沿って収容部１３が形成される。収容部１３は、ガス供給管を収容する。例えば、内管１１の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部１４を形成し、凸部１４内を収容部１３として形成する。

【0013】

内管１１の側壁には、長手方向に沿って矩形状の開口１５が形成される。開口１５は、収容部１３と対向する位置に形成されてよい。

【0014】

開口１５は、内管１１内のガスを排気する。開口１５の長さは、基板保持具１００の長さと同じであるか、又は、基板保持具１００の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成される。

【0015】

外管１２の下部の内壁には、円環状の支持部２０が設けられる。支持部２０は、内管１１の下端を支持する。外管１２の下端の開口には、蓋体２１がＯリング等のシール部材２２を介して気密に取り付けられる。これにより、外管１２の下端の開口が気密に塞がれる。蓋体２１は、例えば石英により形成される。

【0016】

蓋体２１の中心部には、磁性流体シール２３を介して回転軸２４が貫通させて設けられる。回転軸２４の下部は、ボートエレベータよりなる昇降機構２５のアーム２５Ａに回転自在に支持される。

【0017】

回転軸２４の上端には、回転テーブル２６が固定される。回転テーブル２６上には、基板保持具１００が載置された状態で固定される。基板保持具１００は、回転軸２４と共に回転する。基板保持具１００は、昇降機構２５の昇降により、蓋体２１と一体で上下動する。これにより、基板保持具１００は処理容器１０内に対して挿脱される。基板保持具１００は、処理容器１０内に収容可能である。基板保持具１００は、基板Ｗを水平姿勢で鉛直方向に多段に整列させた状態で保持する。基板Ｗの枚数は、特に限定されないが、例えば２５枚から２００枚であってよい。基板保持具１００は、例えば石英により形成される。

【0018】

ガス供給部３０は、各種の処理ガスを内管１１内に導入可能に構成される。ガス供給部３０は、原料ガス供給部３１と、反応ガス供給部３２とを含む。

【0019】

原料ガス供給部３１は、処理容器１０内に原料ガス供給管３１ａを備えると共に、処理容器１０の外部に原料ガス供給流路３１ｂを備える。原料ガス供給流路３１ｂには、ガスの流通方向の上流側から下流側に向かって順に、原料ガス源３１ｃ、マスフローコントローラ３１ｄ、バルブ３１ｅが設けられる。これにより、原料ガス源３１ｃの原料ガスは、バルブ３１ｅにより供給タイミングが制御されると共に、マスフローコントローラ３１ｄにより所定の流量に調整される。原料ガスは、原料ガス供給流路３１ｂから原料ガス供給管３１ａに流入して、原料ガス供給管３１ａから処理容器１０内に吐出される。原料ガスは、例えばシリコン含有ガス、金属含有ガスであってよい。

【0020】

反応ガス供給部３２は、処理容器１０内に反応ガス供給管３２ａを備えると共に、処理容器１０の外部に反応ガス供給流路３２ｂを備える。反応ガス供給流路３２ｂには、ガスの流通方向の上流側から下流側に向かって順に、反応ガス源３２ｃ、マスフローコントローラ３２ｄ、バルブ３２ｅが設けられる。これにより、反応ガス源３２ｃの反応ガスは、バルブ３２ｅにより供給タイミングが制御されると共に、マスフローコントローラ３２ｄにより所定の流量に調整される。反応ガスは、反応ガス供給流路３２ｂから反応ガス供給管３２ａに流入して、反応ガス供給管３２ａから処理容器１０内に吐出される。反応ガスは、原料ガスと反応して反応生成物を生成するガスである。反応ガスは、例えば酸化ガス、窒化ガスであってよい。

【0021】

各ガス供給管（原料ガス供給管３１ａ、反応ガス供給管３２ａ）は、外管１２に固定される。各ガス供給管は、例えば石英により形成される。各ガス供給管は、内管１１の近傍位置を鉛直方向に沿って直線状に延びると共に、外管１２内においてＬ字状に屈曲して水平方向に延びることで、外管１２を貫通する。ガス供給管同士は、内管１１の周方向に沿って並んで設けられ、互いに同じ高さに形成される。

【0022】

原料ガス供給管３１ａ及び反応ガス供給管３２ａの内管１１内に位置する部位には、それぞれ複数の吐出口３１ｆ、３２ｆが設けられる。各吐出口３１ｆ、３２ｆは、それぞれの各ガス供給管の延在方向に沿って所定の間隔ごとに形成される。各吐出口３１ｆ、３２ｆは、基板Ｗの半径方向の外側から基板Ｗに向けて水平にガスを吐出する。各吐出口３１ｆ、３２ｆは、基板Ｗの主面に平行にガスを吐出する。吐出口同士の間隔は、例えば基板保持具１００に保持される基板Ｗの間隔と同じに設定される。各吐出口の高さ方向の位置は、例えば上下方向に隣り合う基板Ｗ間の中間位置に設定される。この場合、各吐出口は隣り合う基板Ｗ間の対向面にガスを効率的に供給できる。

【0023】

ガス供給部３０は、複数種類のガスを混合して１つのガス供給管から混合したガスを吐出してもよい。各ガス供給管（原料ガス供給管３１ａ、反応ガス供給管３２ａ）は、互いに異なる形状や配置であってもよい。ガス供給部３０は、別のガスを供給するガス供給部をさらに含んでもよい。

【0024】

排気部４０は、処理容器１０内のガスを排出する。処理容器１０内のガスは、内管１１内から開口１５を通過し、内管１１と外管１２との間の空間Ｐ１を経由してガス出口４１から排出される。ガス出口４１は、外管１２の下部の側壁であって、支持部２０の上方に形成される。ガス出口４１には、排気流路４２が接続される。排気流路４２には、圧力調整弁４３及び真空ポンプ４４がこの順に設けられる。圧力調整弁４３は、処理容器１０内の圧力を調整する。真空ポンプ４４は、処理容器１０内を排気する。

【0025】

加熱部５０は、外管１２の周囲に設けられ、外管１２の周囲を覆う。加熱部５０は、円筒形状を有する。加熱部５０は、ヒータと、断熱材とを有する。ヒータは、処理容器１０内の各基板Ｗを加熱する。断熱材は、外側から外管１２及びヒータを覆うように設けられる。断熱材は、ヒータの熱が外部に漏れることを防止する。

【0026】

制御部８０は、基板処理装置１の各部の動作を制御する。制御部８０は、例えばコンピュータであってよい。基板処理装置１の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体９０に記憶される。記憶媒体９０は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。

【0027】

〔基板保持具〕
図２を参照し、基板保持具１００について説明する。図２は、基板保持具１００を示す側面図である。

【0028】

基板保持具１００は、底板１０１と、天板１０２と、中板１０３と、フィン１０４と、支柱１０５とを有する。底板１０１、天板１０２、中板１０３、フィン１０４及び支柱１０５は、例えば石英により形成される。

【0029】

底板１０１は、回転テーブル２６上に固定される。底板１０１は、基板Ｗの外径よりも大きい外径の円板形状を有する。

【0030】

天板１０２は、底板１０１の上方に、底板１０１と対向して設けられる。天板１０２は、基板Ｗの外径よりも大きい外径の円板形状を有する。天板１０２は、略円環板状を有してもよい。

【0031】

中板１０３は、鉛直方向において、底板１０１と天板１０２との間に設けられる。中板１０３は、基板Ｗが保持される処理領域Ａ１と、フィン１０４が保持される断熱領域Ａ２とを区画する。断熱領域Ａ２は、処理領域Ａ１の下方に位置する。中板１０３は、基板Ｗの外径よりも大きい外径の略円環板状を有する。中板１０３は、円板形状を有してもよい。

【0032】

フィン１０４は、基板Ｗの外径よりも大きい外径の円板形状を有する。フィン１０４は、外管１２の下端の開口への放熱を抑制し、処理領域Ａ１の温度低下を抑制する。

【0033】

支柱１０５は、鉛直方向に延びる棒状を有し、底板１０１と天板１０２とを接続する。支柱１０５は、例えば底板１０１及び天板１０２の周方向に沿って間隔をあけて複数設けられる。支柱１０５の数は、特に限定されないが、例えば４個であってよい。各支柱１０５の下端には、底板１０１の外周部が溶接等により固定される。各支柱１０５の上端には、天板１０２の外周部が溶接等により固定される。各支柱１０５の鉛直方向における途中の部分には、中板１０３の外周部が溶接等により固定される。

【0034】

複数の支柱１０５は、処理領域Ａ１において、基板Ｗを水平姿勢で鉛直方向に多段に整列させた状態で保持するよう構成される。各支柱１０５は、例えば鉛直方向に沿って等間隔に配置される複数の溝を有する。各溝は、基板Ｗの外周部を保持可能に構成される。各支柱１０５は、鉛直方向に沿って等間隔に配置される複数の爪を有してもよい。各爪は、基板Ｗの外周部を保持可能に構成される。

【0035】

複数の支柱１０５は、断熱領域Ａ２において、フィン１０４を水平姿勢で鉛直方向に多段に整列させた状態で保持するよう構成される。各支柱１０５は、例えば鉛直方向に沿って等間隔に配置され、フィン１０４の外周部を保持可能な複数の溝を有する。各支柱１０５は、鉛直方向に沿って等間隔に配置され、フィン１０４の外周部を保持可能な複数の爪を有してもよい。

【0036】

〔基板保持具の固定構造〕
図３を参照し、基板保持具１００の固定構造について説明する。図３は、基板保持具１００の固定構造を示す断面図である。

【0037】

基板保持具１００は、回転軸２４の上端に回転テーブル２６を挟んで固定され、回転軸２４及び回転テーブル２６と一体で回転可能に構成される。

【0038】

回転軸２４は、蓋体２１の中心部に、蓋体２１に対して回転可能に設けられる。回転軸２４は、シャフト１１１と、下ハブ１１２と、上ハブ１１３とを有する。シャフト１１１、下ハブ１１２及び上ハブ１１３は、例えば金属により形成される。

【0039】

シャフト１１１は、磁性流体シール２３により固定部２７に対して気密に回転可能に設けられる。固定部２７上には、蓋体２１が固定される。固定部２７には、パージガス導入口２７ａが設けられる。パージガス導入口２７ａは、固定部２７とシャフト１１１との隙間にパージガスを導入する。パージガスは、回転軸２４、回転テーブル２６、基板保持具１００、締結部材１２０、１３０等を腐食しないガスである。パージガスは、例えば窒素ガスである。パージガスは、アルゴンガスであってもよい。

【0040】

下ハブ１１２は、シャフト１１１の上部の外周部に固定される。下ハブ１１２は、円筒形状を有する。下ハブ１１２は、蓋体２１の内壁面に対して隙間をあけて設けられる。下ハブ１１２は、シャフト１１１と一体で回転する。

【0041】

上ハブ１１３は、下ハブ１１２上に固定される。上ハブ１１３は、上端及び下端にフランジを有する円柱形状を有する。上ハブ１１３は、蓋体２１の内壁面に対して隙間をあけて設けられる。上ハブ１１３には、鉛直孔１１３ｖ及び水平孔１１３ｈが設けられる。鉛直孔１１３ｖは、上ハブ１１３内を鉛直方向に貫通する。鉛直孔１１３ｖの上部には、雌ねじが形成される。水平孔１１３ｈは、上ハブ１１３内を半径方向に沿って水平に延び、鉛直孔１１３ｖと連通する。水平孔１１３ｈは、蓋体２１と上ハブ１１３との隙間と、鉛直孔１１３ｖとを連通させる。水平孔１１３ｈは、上ハブ１１３の周方向において複数設けられてもよい。

【0042】

回転テーブル２６は、蓋体２１の外径よりも小さい外径の円板形状を有する。回転テーブル２６は、蓋体２１の上面に対して隙間をあけて設けられる。回転テーブル２６は、締結部材１２０により回転軸２４の上端に固定される。回転テーブル２６は、例えば石英により形成される。締結部材１２０は、第２締結部材の一例である。締結部材１２０は、ボルト１２１を有する。ボルト１２１は、例えばニッケル合金等の金属により形成される。この場合、上ハブ１１３と回転テーブル２６との接続部分の強度が高まる。

【0043】

回転テーブル２６には、板厚方向に貫通し、ボルト１２１が挿通可能な挿通孔２６ａが設けられる。挿通孔２６ａは、回転テーブル２６の中心に設けられる。回転テーブル２６の上方から挿通孔２６ａにボルト１２１が挿通され、ボルト１２１のねじ部が上ハブ１１３の鉛直孔１１３ｖに形成された雌ねじと螺合することで、上ハブ１１３上に回転テーブル２６が固定される。ボルト１２１には、頭部及びねじ部を鉛直方向に貫通する貫通孔１２１ａが設けられる。貫通孔１２１ａは、鉛直孔１１３ｖと凹部１０１ａ内とを連通させる。

【0044】

回転テーブル２６には、板厚方向に貫通し、ボルト１３１が挿通可能な挿通孔２６ｂが設けられる。挿通孔２６ｂは、第１挿通孔の一例である。挿通孔２６ｂは、挿通孔２６ａの周囲に、回転テーブル２６の周方向に沿って例えば等間隔に３個以上設けられる。挿通孔２６ｂの下部には、ナット１３２を収容可能な収容部２６ｃが設けられる。

【0045】

基板保持具１００の底板１０１は、回転テーブル２６の外径と略同じ外径の円板形状を有する。底板１０１は、締結部材１３０により回転テーブル２６上に固定される。締結部材１３０は、第１締結部材の一例である。回転テーブル２６と底板１０１とは、外周部で互いに接触し、外周部よりも内側の中心部で離隔してよい。この場合、基板保持具１００に水平方向に力が働いた場合の基板保持具１００の回転支点が基板保持具１００の外周部となる。これにより、基板保持具１００の重心が基板保持具１００の回転支点よりも回転中心寄りになるため、基板保持具１００が倒れにくい。締結部材１３０は、ボルト１３１と、ナット１３２と、座金１３３とを有する。ボルト１３１、ナット１３２及び座金１３３は、例えばアルミナ等のセラミックにより形成される。この場合、処理ガスによる腐食を抑制できる。

【0046】

底板１０１の上面の中心部には、凹部１０１ａが設けられる。凹部１０１ａは、例えば上方からの平面視において円形である。底板１０１の凹部１０１ａが設けられる位置には、底板１０１を板厚方向に貫通し、ボルト１３１が挿通可能な挿通孔１０１ｂが設けられる。挿通孔１０１ｂは、第２挿通孔の一例である。挿通孔１０１ｂは、上方からの平面視において挿通孔２６ｂと重なる位置に設けられる。なお、底板１０１に凹部１０１ａが設けられることなく、挿通孔１０１ｂが設けられてもよい。

【0047】

底板１０１の上方から挿通孔１０１ｂ及び挿通孔２６ｂにボルト１３１が挿通され、ボルト１３１のねじ部が収容部２６ｃに収容されるナット１３２と螺合することで、回転テーブル２６上に基板保持具１００が固定される。このように、締結部材１３０は、ボルト１３１とナット１３２との螺合により、回転テーブル２６及び底板１０１を上下方向から挟み込んで回転テーブル２６上に基板保持具１００を固定する。この場合、耐震性が向上する。例えば、地震等により外力が発生した場合に、基板保持具１００の上部の変位を最小化できる。これにより、基板保持具１００が原料ガス供給管３１ａ、反応ガス供給管３２ａ、内管１１等と接触することが抑制される。このため、基板保持具１００、原料ガス供給管３１ａ、反応ガス供給管３２ａ、内管１１、基板Ｗ等の破損を抑制できる。

【0048】

これに対し、回転テーブル２６上に基板保持具１００が完全に固定されない場合、例えばボルト１３１の座面と凹部１０１ａの底面との間に隙間がある場合、外力により基板保持具１００が隙間分動いた際の衝撃力が底板１０１に加わる。このため、基板保持具１００が破損する場合がある。

【0049】

ボルト１３１の座面と凹部１０１ａの底面との間には、座金１３３が挟まれる。この場合、底板１０１に加わる面圧が低くなるので、底板１０１の破損を抑制できる。上述したように、ボルト１３１の座面は座金１３３の上面と接触してもよいが、座金１３３を設けずにボルト１３１の座面が凹部１０１ａの底面と接触してもよい。

【0050】

各挿通孔２６ａ及び各挿通孔１０１ｂは、ボルト１３１のねじ部の外径よりも大きい内径を有する。すなわち、ボルト１３１は、挿通孔２６ａの内壁面及び挿通孔１０１ｂの内壁面に対して隙間をあけて挿通される。この場合、各挿通孔２６ａ及び各挿通孔１０１ｂにボルト１３１が挿通されたときに、ボルト１３１のねじ部が各挿通孔２６ａ及び各挿通孔１０１ｂと接触しない。これにより、各挿通孔２６ａ及び各挿通孔１０１ｂとボルト１３１との接触に起因するパーティクルの発生が抑制されると共に、回転テーブル２６及び基板保持具１００の破損が防止される。

【0051】

底板１０１上には、カバー部材１４１が設けられる。カバー部材１４１は、凹部１０１ａの内径よりも大きい外径の円板形状を有する。カバー部材１４１は、凹部１０１ａの全体を覆う。この場合、処理容器１０内に導入される処理ガスが凹部１０１ａ内に侵入することを抑制できる。これにより、処理ガスによるボルト１３１、ナット１３２、座金１３３等の腐食を抑制できる。カバー部材１４１は、例えば石英により形成される。

【0052】

〔パージガスの流れ〕
図３を参照し、基板保持具１００の固定構造におけるパージガスの流れについて説明する。図３において、パージガスの流れる方向を矢印で示す。

【0053】

パージガスは、パージガス導入口２７ａから固定部２７とシャフト１１１との隙間に導入される。この場合、回転軸２４の近傍がパージガスで満たされる。これにより、回転軸２４の近傍への処理ガスの侵入が抑制され、処理ガスによる回転軸２４の腐食が防止される。

【0054】

固定部２７とシャフト１１１との隙間に導入されたパージガスは、固定部２７と下ハブ１１２との隙間、及び蓋体２１と下ハブ１１２との隙間を通り、蓋体２１と上ハブ１１３との隙間に流れ込む。

【0055】

蓋体２１と上ハブ１１３との隙間に流れ込んだパージガスは、一部が蓋体２１と回転テーブル２６との隙間を通り、処理容器１０内に流れ込む。蓋体２１と上ハブ１１３との隙間に流れ込んだパージガスは、別の一部が水平孔１１３ｈ、鉛直孔１１３ｖ及び貫通孔１２１ａを通り、凹部１０１ａに流れ込む。凹部１０１ａ内に流れ込んだパージガスは、挿通孔１０１ｂ及び挿通孔２６ａを通過して収容部２６ｃにも流れ込む。この場合、凹部１０１ａ内及び収容部２６ｃがパージガスで満たされる。これにより、凹部１０１ａ内及び収容部２６ｃへの処理ガスの侵入が抑制され、処理ガスによる締結部材１２０、１３０の腐食が防止される。

【0056】

〔基板保持具の変形例〕
図４を参照し、変形例に係る基板保持具２００について説明する。図４は、変形例に係る基板保持具２００を示す側面図である。図４に示されるように、基板保持具２００は、断熱領域Ａ２が上部断熱領域Ａ２１と下部断熱領域Ａ２２とに区画されている点で、基板保持具１００と異なる。以下、基板保持具１００と異なる点を中心に説明する。

【0057】

基板保持具２００は、底板２０１と、天板２０２と、第１中板２０３と、第２中板２０４と、第１フィン２０５と、第２フィン２０６と、第１支柱２０７と、第２支柱２０８と、第３支柱２０９とを有する。底板２０１、天板２０２、第１中板２０３、第２中板２０４、第１フィン２０５、第２フィン２０６、第１支柱２０７、第２支柱２０８及び第３支柱２０９は、例えば石英により形成される。

【0058】

底板２０１、天板２０２及び第１中板２０３は、それぞれ底板１０１、天板１０２及び中板１０３と同じ構成を有してよい。

【0059】

第２中板２０４は、鉛直方向において、底板２０１と第１中板２０３との間に設けられる。第２中板２０４は、断熱領域Ａ２を、上部断熱領域Ａ２１と下部断熱領域Ａ２２とに区画する。上部断熱領域Ａ２１は、第１中板２０３と第２中板２０４との間に位置する。下部断熱領域Ａ２２は、底板２０１と第２中板２０４との間に位置する。第２中板２０４は、例えば第１中板２０３と同じ外径の略円環板状を有する。第２中板２０４は、円板形状を有してもよい。

【0060】

第１フィン２０５及び第２フィン２０６は、それぞれ上部断熱領域Ａ２１及び下部断熱領域Ａ２２に設けられる。第１フィン２０５は、例えば基板Ｗの外径よりも小さい外径の円板形状を有する。第２フィン２０６は、例えば第１フィン２０５の外径よりも大きい外径の円板形状を有する。第２フィン２０６は、基板Ｗの外径よりも大きい外径の円板形状を有してもよい。第１フィン２０５及び第２フィン２０６は、外管１２の下端の開口への放熱を抑制し、処理領域Ａ１の温度低下を抑制する。

【0061】

第１支柱２０７は、鉛直方向に延びる棒状を有し、天板２０２と第１中板２０３とを接続する。第１支柱２０７は、例えば天板２０２及び第１中板２０３の周方向に沿って間隔をあけて複数設けられる。第１支柱２０７の数は、特に限定されないが、例えば４個であってよい。各第１支柱２０７の上端には、天板２０２の外周部が溶接等により固定される。各第１支柱２０７の下端には、第１中板２０３の外周部が溶接等により固定される。

【0062】

複数の第１支柱２０７は、処理領域Ａ１において、基板Ｗを水平姿勢で鉛直方向に多段に整列させた状態で保持するよう構成される。各第１支柱２０７は、例えば鉛直方向に沿って等間隔に配置される複数の溝を有する。各溝は、基板Ｗの外周部を保持可能に構成される。各第１支柱２０７は、鉛直方向に沿って等間隔に配置される複数の爪を有してもよい。各爪は、基板Ｗの外周部を保持可能に構成される。

【0063】

第２支柱２０８は、鉛直方向に延びる棒状を有し、第１中板２０３と第２中板２０４とを接続する。第２支柱２０８は、例えば第１中板２０３及び第２中板２０４の周方向に沿って間隔をあけて複数設けられる。第２支柱２０８の数は、特に限定されないが、例えば４個であってよい。各第２支柱２０８の上端には、第１中板２０３の外周部が溶接等により固定される。各第２支柱２０８の下端には、第２中板２０４の外周部が溶接等により固定される。

【0064】

複数の第２支柱２０８は、上部断熱領域Ａ２１において、第１フィン２０５を水平姿勢で鉛直方向に多段に整列させた状態で保持するよう構成される。各第２支柱２０８は、例えば鉛直方向に沿って等間隔に配置される複数の溝を有する。各溝は、第１フィン２０５の外周部を保持可能に構成される。各第２支柱２０８は、鉛直方向に沿って等間隔に配置される複数の爪を有してもよい。各爪は、第１フィン２０５の外周部を保持可能に構成される。

【0065】

第３支柱２０９は、鉛直方向に延びる棒状を有し、底板２０１と第２中板２０４とを接続する。第３支柱２０９は、例えば底板２０１及び第２中板２０４の周方向に沿って間隔をあけて複数設けられる。第３支柱２０９の数は、特に限定されないが、例えば４個であってよい。各第３支柱２０９の下端には、底板２０１の外周部が溶接等により固定される。各第３支柱２０９の上端には、第２中板２０４の外周部が溶接等により固定される。

【0066】

複数の第３支柱２０９は、下部断熱領域Ａ２２において、第２フィン２０６を水平姿勢で鉛直方向に多段に整列させた状態で保持するよう構成される。各第３支柱２０９は、例えば鉛直方向に沿って等間隔に配置される複数の溝を有する。各溝は、第２フィン２０６の外周部を保持可能に構成される。各第３支柱２０９は、鉛直方向に沿って等間隔に配置される複数の爪を有してもよい。各爪は、第２フィン２０６の外周部を保持可能に構成される。

【0067】

変形例に係る基板保持具２００についても、基板保持具１００の固定構造と同様の固定構造を有してよい。すなわち、締結部材１３０は、ボルト１３１とナット１３２との螺合により、回転テーブル２６及び底板２０１を上下方向から挟み込んで回転テーブル２６上に基板保持具２００を固定する。この場合、耐震性が向上する。例えば、地震等により外力が発生した場合に、基板保持具２００の上部の変位を最小化できる。これにより、基板保持具２００が原料ガス供給管３１ａ、反応ガス供給管３２ａ、内管１１等と接触することが抑制される。このため、基板保持具２００、原料ガス供給管３１ａ、反応ガス供給管３２ａ、内管１１、基板Ｗ等の破損を抑制できる。

【0068】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0069】

１ 基板処理装置
２４ 回転軸
２６ 回転テーブル
１００ 基板保持具
１０１ 底板
１３０ 締結部材
２００ 基板保持具
２０１ 底板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】