特開 2024-123953 塩素バイパス設備、セメントクリンカの製造装置、セメントクリンカの製造方法、及び塩素バイパス設備の運転方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024123953

(43)【公開日】2024-09-12

(54)【発明の名称】塩素バイパス設備、セメントクリンカの製造装置、セメントクリンカの製造方法、及び塩素バイパス設備の運転方法

(51)【国際特許分類】

   C04B 7/60 20060101AFI20240905BHJP

   C04B 7/43 20060101ALI20240905BHJP

【ＦＩ】

C04B7/60

C04B7/43

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023031802

(22)【出願日】2023-03-02

(71)【出願人】

【識別番号】521297587

【氏名又は名称】ＵＢＥ三菱セメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100145012

【弁理士】

【氏名又は名称】石坂 泰紀

(74)【代理人】

【識別番号】100212026

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 真生

(72)【発明者】

【氏名】末益 猛

(72)【発明者】

【氏名】藤永 祐太

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 祥介

(57)【要約】

【課題】抽気されたガスの冷却に伴うコーチングの発生を抑制する。
【解決手段】本開示の一側面に係る塩素バイパス設備は、セメント原料を焼成するセメントキルンからの排ガスの一部を抽気する抽気口と、抽気口から抽気された抽気ガスに由来する導入ガスを旋回させつつ、導入ガスから粉体を分離するように構成されており、導入ガスを冷却する冷却用サイクロンと、を備える。冷却用サイクロンは、導入ガスの旋回流が形成される本体部に対して導入ガスを導入する第１ガス導入口と、導入ガスよりも温度が低い冷却用ガスを、導入ガスの旋回流の外側において旋回するように本体部に対して導入する第２ガス導入口と、導入ガスと冷却用ガスとが混合されて得られるガスを本体部から排出するガス排出口と、を有する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

セメント原料を焼成するセメントキルンからの排ガスの一部を抽気する抽気口と、
前記抽気口から抽気された抽気ガスに由来する導入ガスを旋回させつつ、前記導入ガスから粉体を分離するように構成されており、前記導入ガスを冷却する冷却用サイクロンと、を備え、
前記冷却用サイクロンは、
前記導入ガスの旋回流が形成される本体部に対して前記導入ガスを導入する第１ガス導入口と、
前記導入ガスよりも温度が低い冷却用ガスを、前記導入ガスの旋回流の外側において旋回するように前記本体部に対して導入する第２ガス導入口と、
前記導入ガスと前記冷却用ガスとが混合されて得られるガスを前記本体部から排出するガス排出口と、を有する、塩素バイパス設備。

【請求項2】

前記抽気ガスの温度を７７０℃以上に維持した状態で、前記抽気ガスに含まれる原料ダストの粗粉を前記抽気ガスから分離して原料ダストの微粉を含む分級後ガスを生成する分級用サイクロンを更に備え、
前記冷却用サイクロンには、前記分級後ガスが前記導入ガスとして導入される、請求項１に記載の塩素バイパス設備。

【請求項3】

前記第１ガス導入口及び前記第２ガス導入口は、互いに一致する角度から、前記本体部に対してガスをそれぞれ導入し、
前記冷却用サイクロンは、前記第１ガス導入口から導入された前記導入ガスをガイドする部分と、前記第２ガス導入口から導入された前記冷却用ガスをガイドする部分との境界部分に配置され、当該境界部分を加熱する加熱部を更に有する、請求項１又は２に記載の塩素バイパス設備。

【請求項4】

前記第１ガス導入口及び前記第２ガス導入口は、互いに異なる角度から、前記本体部に対してガスをそれぞれ導入する、請求項１又は２に記載の塩素バイパス設備。

【請求項5】

前記冷却用サイクロンは、前記第１ガス導入口から導入された前記導入ガスをガイドする部分の外壁のうち、前記第２ガス導入口から導入された前記冷却用ガスをガイドする部分に対向する部分を加熱する加熱部を更に有する、請求項４に記載の塩素バイパス設備。

【請求項6】

前記冷却用サイクロンは、前記本体部の外壁の少なくとも一部を加熱する加熱部を更に有する、請求項１又は２に記載の塩素バイパス設備。

【請求項7】

前記加熱部は、前記冷却用ガスよりも温度が高い加熱用ガスを、前記本体部の外壁に沿って流通させることで、前記本体部の外壁の少なくとも一部を加熱し、
前記加熱部は、前記導入ガス及び前記冷却用ガスとは反対向きに、前記加熱用ガスを流通させる、請求項６に記載の塩素バイパス設備。

【請求項8】

請求項１又は２に記載の塩素バイパス設備と、
前記セメントキルンと、を備える、セメントクリンカの製造装置。

【請求項9】

請求項８に記載の製造装置を用いてセメントクリンカを製造する、セメントクリンカの製造方法。

【請求項10】

セメント原料を焼成するセメントキルンからの排ガスの一部を抽気して抽気ガスを得る抽気工程と、
導入されたガスを旋回させつつ、当該ガスから粉体を分離するように構成された冷却用サイクロンを用いて、前記抽気ガスに由来する導入ガスを冷却する冷却工程と、を含み、
前記冷却工程は、
前記冷却用サイクロンの本体部において前記導入ガスの旋回流が形成されるように、前記本体部に対して前記導入ガスを導入する第１導入工程と、
前記導入ガスよりも温度が低い冷却用ガスを、前記導入ガスの旋回流の外側において旋回するように前記本体部に対して導入する第２導入工程と、
前記導入ガスと前記冷却用ガスとが混合されて得られるガスを前記本体部から排出する排出工程と、を含む、塩素バイパス設備の運転方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、塩素バイパス設備、セメントクリンカの製造装置、セメントクリンカの製造方法、及び塩素バイパス設備の運転方法に関する。

【背景技術】

【0002】

セメントクリンカの製造装置では、各種廃棄物を原料及び燃料として用いることの取り組みが進められている。このような事情から、セメントキルンに持ち込まれる塩素量は増加する傾向にある。多くのセメントクリンカの製造装置にはセメントキルン内の塩素を低減するために塩素バイパス設備が設置されており、この塩素バイパス設備で抽気された抽気ガスから効率的に塩素を除去する技術が検討されている。特許文献１では、キルン排ガス流路から抽気した抽気ガスの温度を７７０℃以上に維持した状態で抽気ガスから粗粉を分離し、その後、６００℃以下に冷却して塩素バイパスダストを分離する技術が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－５５９００号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、抽気されたガスの冷却に伴うコーチングの発生を抑制するのに有用な塩素バイパス設備、セメントクリンカの製造装置、セメントクリンカの製造方法、及び塩素バイパス設備の運転方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

［１］セメント原料を焼成するセメントキルンからの排ガスの一部を抽気する抽気口と、前記抽気口から抽気された抽気ガスに由来する導入ガスを旋回させつつ、前記導入ガスから粉体を分離するように構成されており、前記導入ガスを冷却する冷却用サイクロンと、を備え、前記冷却用サイクロンは、前記導入ガスの旋回流が形成される本体部に対して前記導入ガスを導入する第１ガス導入口と、前記導入ガスよりも温度が低い冷却用ガスを、前記導入ガスの旋回流の外側において旋回するように前記本体部に対して導入する第２ガス導入口と、前記導入ガスと前記冷却用ガスとが混合されて得られるガスを前記本体部から排出するガス排出口と、を有する、塩素バイパス設備。

【0006】

［２］前記抽気ガスの温度を７７０℃以上に維持した状態で、前記抽気ガスに含まれる原料ダストの粗粉を前記抽気ガスから分離して原料ダストの微粉を含む分級後ガスを生成する分級用サイクロンを更に備え、前記冷却用サイクロンには、前記分級後ガスが前記導入ガスとして導入される、上記［１］に記載の塩素バイパス設備。

【0007】

［３］前記第１ガス導入口及び前記第２ガス導入口は、互いに一致する角度から、前記本体部に対してガスをそれぞれ導入し、前記冷却用サイクロンは、前記第１ガス導入口から導入された前記導入ガスをガイドする部分と、前記第２ガス導入口から導入された前記冷却用ガスをガイドする部分との境界部分に配置され、当該境界部分を加熱する加熱部を更に有する、上記［１］又は［２］に記載の塩素バイパス設備。

【0008】

［４］前記第１ガス導入口及び前記第２ガス導入口は、互いに異なる角度から、前記本体部に対してガスをそれぞれ導入する、上記［１］又は［２］に記載の塩素バイパス設備。

【0009】

［５］前記冷却用サイクロンは、前記第１ガス導入口から導入された前記導入ガスをガイドする部分の外壁のうち、前記第２ガス導入口から導入された前記冷却用ガスをガイドする部分に対向する部分を加熱する加熱部を更に有する、上記［４］に記載の塩素バイパス設備。

【0010】

［６］前記冷却用サイクロンは、前記本体部の外壁の少なくとも一部を加熱する加熱部を更に有する、上記［１］～［５］のいずれか１つに記載の塩素バイパス設備。

【0011】

［７］前記加熱部は、前記冷却用ガスよりも温度が高い加熱用ガスを、前記本体部の外壁に沿って流通させることで、前記本体部の外壁の少なくとも一部を加熱し、前記加熱部は、前記導入ガス及び前記冷却用ガスとは反対向きに、前記加熱用ガスを流通させる、上記［６］に記載の塩素バイパス設備。

【0012】

［８］上記［１］～［７］のいずれか１つに記載の塩素バイパス設備と、前記セメントキルンと、を備える、セメントクリンカの製造装置。

【0013】

［９］上記［８］に記載の製造装置を用いてセメントクリンカを製造する、セメントクリンカの製造方法。

【0014】

［１０］セメント原料を焼成するセメントキルンからの排ガスの一部を抽気して抽気ガスを得る抽気工程と、導入されたガスを旋回させつつ、当該ガスから粉体を分離するように構成された冷却用サイクロンを用いて、前記抽気ガスに由来する導入ガスを冷却する冷却工程と、を含み、前記冷却工程は、前記冷却用サイクロンの本体部において前記導入ガスの旋回流が形成されるように、前記本体部に対して前記導入ガスを導入する第１導入工程と、前記導入ガスよりも温度が低い冷却用ガスを、前記導入ガスの旋回流の外側において旋回するように前記本体部に対して導入する第２導入工程と、前記導入ガスと前記冷却用ガスとが混合されて得られるガスを前記本体部から排出する排出工程と、を含む、塩素バイパス設備の運転方法。

【発明の効果】

【0015】

本開示によれば、抽気されたガスの冷却に伴うコーチングの発生を抑制するのに有用な塩素バイパス設備、セメントクリンカの製造装置、セメントクリンカの製造方法、及び塩素バイパス設備の運転方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】図１は、セメントクリンカの製造装置の一例を示す模式図である。

【図2】図２は、塩素バイパス設備のシステム構成の一例を示す模式図である。

【図3】図３は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す側面図である。

【図4】図４は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す上面図である。

【図5】図５は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す上面図である。

【図6】図６は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す側面図である。

【図7】図７は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す上面図である。

【図8】図８は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す上面図である。

【図9】図９は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す側面図である。

【図10】図１０は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す側面図である。

【図11】図１１は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す上面図である。

【図12】図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す側面図である。

【図13】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、冷却用サイクロンの一例を模式的に示す側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、図面を参照して実施形態について説明する。ただし、以下の実施形態は、本開示を説明するための例示であり、本開示を以下の内容に限定する趣旨ではない。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用い、場合により重複する説明は省略する。各要素の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。一部の図面には、ＸＹＺ直交座標系が示される。以下の説明では、Ｚ軸が上下方向に対応し、Ｘ軸及びＹ軸が水平方向に対応する。

【0018】

［セメントクリンカの製造装置］
図１には、一実施形態に係るセメントクリンカの製造装置が模式的に示されている。図１に示される製造装置１（セメントクリンカの製造装置）は、セメント原料を焼成してセメントクリンカを製造する装置である。製造装置１は、プレヒータ１０と、セメントキルン２０と、クリンカクーラ３０と、塩素バイパス設備５０と、を備える。

【0019】

プレヒータ１０は、セメント原料を予熱する装置である。プレヒータ１０は、セメント原料の予熱に加えて、セメント原料を仮焼してもよい。プレヒータ１０は、例えば、サイクロンＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４と、仮焼炉１２と、を有する。プレヒータ１０では、セメントキルン２０からの排ガス（以下、「キルン排ガス」という。）が、仮焼炉１２、サイクロンＣ４、サイクロンＣ３、サイクロンＣ２、及びサイクロンＣ１を流通する。プレヒータ１０では、サイクロンＣ１とサイクロンＣ２との接続部に対して、セメント原料が導入される。

【0020】

プレヒータ１０に導入されたセメント原料は、サイクロンＣ１、サイクロンＣ２、サイクロンＣ３、仮焼炉１２、及びサイクロンＣ４を流通しつつ、キルン排ガス等との熱交換により加熱されて、セメントキルン２０の窯尻２２に導入される。プレヒータ１０は、セメントキルン２０の窯尻２２と仮焼炉１２とを接続するライジングダクト１４を有する。仮焼炉１２には、ライジングダクト１４を介してキルン排ガスが導入される。キルン排ガスには、セメントキルン２０での燃焼排ガスが含まれる。仮焼炉１２には、キルン排ガスに加えて熱エネルギー原料が導入され、仮焼炉１２は、セメント原料を仮焼する。

【0021】

セメントキルン２０は、セメント原料を焼成してセメントクリンカを生成する装置である。セメントキルン２０は、プレヒータ１０で予熱及び仮焼された後のセメント原料を焼成してもよい。セメントキルン２０は、バーナ２４と、本体部２６とを有する。バーナ２４は、本体部２６のうちの窯尻２２とは反対側の端部に設けられている。本体部２６は、円筒状に形成されており、その中心軸まわりに回転可能に設けられている。セメントキルン２０は、ロータリキルンとも称される。

【0022】

本体部２６内において、バーナ２４の燃焼によってセメント原料が焼成される。セメントキルン２０は、セメント原料から得られたセメントクリンカをクリンカクーラ３０に排出する。クリンカクーラ３０は、セメントクリンカを冷却する装置である。クリンカクーラ３０によって冷却された後のセメントクリンカが、製造装置１から排出される。

【0023】

（塩素バイパス設備）
塩素バイパス設備５０は、セメントキルン２０で発生するキルン排ガスの一部を抽気して、製造装置１内の塩素分等の揮発成分をダストとして回収する設備（装置）である。製造装置１において、塩素バイパス設備５０が設置されることで、製造装置１内の塩素分を低減することができる。塩素バイパス設備５０は、例えば、ライジングダクト１４に接続されている。この場合、塩素バイパス設備５０は、ライジングダクト１４からキルン排ガスを抽気する。

【0024】

図２には、塩素バイパス設備５０のシステム構成の一例が模式的に示されている。塩素バイパス設備５０は、例えば、抽気口５２と、ダクト５４と、第１サイクロン６０と、ダクト６２と、第２サイクロン７０と、ダクト９８と、回収部９２と、吸引部９４と、ダスト処理部９６と、を備える。以下の説明では、ガスの流れを基準にして「上流」及び「下流」の用語を用いる。また、塩素バイパス設備５０において抽気された直後のガス（抽気後に何ら処理が施されていないガス）を「ガスＧ１」と称する。

【0025】

抽気口５２は、キルン排ガスの一部を抽気する開口である。抽気口５２は、ライジングダクト１４に設けられてもよい。なお、抽気口５２は、ライジングダクト１４に代えて、又は加えて、窯尻２２に設けられてもよく、窯尻２２とライジングダクト１４との間（境界部分）に設けられてもよい。ダクト５４は、その一端に抽気口５２が形成され、抽気口５２から抽気されて得られるガスＧ１（抽気ガス）を第１サイクロン６０まで流通させる管である。ダクト５４は、抽気プローブとも称される。

【0026】

ガスＧ１は、原料ダスト、並びにＫＣｌ及びＮａＣｌ等の揮発した塩素分を含む。ガスＧ１に含有される原料ダストには、原料ダストの粗粉と、粗粉よりも小さい粒径を有する微粉とが含まれる。ガスＧ１は、７７０℃以上の温度を有する。ガスＧ１の温度は、１０００℃～１１００℃程度であってもよい。ガスＧ１は、ダクト５４を流通して、第１サイクロン６０に導入される。

【0027】

第１サイクロン６０（分級用サイクロン）は、ガスＧ１の温度を７７０℃以上に維持した状態で、ガスＧ１に含まれる原料ダストの粗粉をガスＧ１から分離して、原料ダストの微粉を含むガス（分級後ガス）を生成する装置である。以下、第１サイクロン６０において原料ダストの粗粉が分離された後のガス（第１サイクロン６０が生成するガス）を「ガスＧ２」と称する。

【0028】

原料ダストの粗粉の粒径は、１８μｍ以上であってもよい。原料ダストの粗粉の粒径は、好ましくは１６μｍ以上であってもよく、さらに好ましくは１４μｍ以上であってよい。原料ダストの微粉の粒径は、上述の粗粉の粒径よりも小さい。原料ダスト（クリンカダスト）の塩素濃度は粒径によって異なっており、原料ダストの粗粉では、微粉に比べて塩素濃度が低い。そのため、第１サイクロン６０において、塩素濃度の低い原料ダストの粗粉を分離し、分離した原料ダストの粗粉をセメントキルン２０に戻すことで、セメントキルン２０への塩素の導入量を低減しつつ、塩素バイパス設備５０において処理すべきダストの量の増加を抑制することができる。

【0029】

第１サイクロン６０においてガスＧ１から分離される原料ダストの粗粉の表面にＫＣｌ及びＮａＣｌ等の揮発した塩素分が析出することを抑制する観点から、第１サイクロン６０において原料ダストの粗粉を分離する際のガスＧ１の温度は、好ましくは８２０℃以上、より好ましくは８６０℃以上に維持される。第１サイクロン６０の出口におけるガスＧ２が、上記温度を有することが好ましい。ガスＧ２は十分に高い温度を有しているため、ガスＧ２内において、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等の塩素分は気相状態で含まれている。

【0030】

図１に示されるように、塩素バイパス設備５０は、循環ライン５８を備える。循環ライン５８は、第１サイクロン６０から分離された原料ダストの粗粉をセメントキルン２０の窯尻２２まで運搬して窯尻２２に戻す装置である。抽気口５２から抽気された原料ダストの粗粉を窯尻２２に戻すことによって、ガスＧ１に含まれる原料ダストの粗粉をセメントクリンカの製造に用いることができる。なお、循環ライン５８は、窯尻２２に代えて、又は加えて、原料ダストの粗粉を、ライジングダクト１４、仮焼炉１２、及び、セメントキルン２０の本体部２６のうちの１箇所以上に戻してもよい。

【0031】

図２に戻り、ダクト６２は、第１サイクロン６０で得られるガスＧ２を第２サイクロン７０まで流通させる管である。ガスＧ２は、７７０℃以上の温度を有する。ガスＧ２は、抽気口５２においてキルン排ガスが抽気されて得られる抽気ガス（ガスＧ１）に由来するガスである。ガスＧ２は、ダクト６２を流通して、第２サイクロン７０に導入される。

【0032】

第２サイクロン７０（冷却用サイクロン）は、導入されたガスを旋回させつつ、当該ガスから粉体を分離するように構成された装置である。第２サイクロン７０は、冷却用ガスＧｃを用いてガスＧ２を冷却する機能を有する。第２サイクロン７０には、ガスＧ２と冷却用ガスＧｃとが導入され、第２サイクロン７０は、ガスＧ２と冷却用ガスＧｃとを混合させることで、ガスＧ２よりも温度が低いガスを生成する。以下、第２サイクロン７０において生成される、ガスＧ２よりも温度が低いガスを「ガスＧ３」と称する。第２サイクロン７０において生成されたガスＧ３（第２サイクロン７０において冷却された後のガス）の温度は、例えば、２６０℃未満であり、好ましくは２００℃未満である。第２サイクロン７０の詳細については、後述する。

【0033】

ダクト９８は、ガスＧ３を第２サイクロン７０から回収部９２まで流通させる管である。回収部９２には、ダクト９８からガスＧ３が導入される。回収部９２は、ガスＧ３に含まれるクリンカダスト（塩素バイパスダスト）をガスＧ３から回収する装置である。回収部９２は、バグフィルタであってもよく、湿式スクラバ等の湿式集塵器であってもよい。吸引部９４は、ガスＧ３を吸引する。吸引部９４は、シロッコファン及びターボファンなどの通常の吸引ファンであってもよい。

【0034】

ダスト処理部９６は、回収部９２により回収されて得られるクリンカダストに対して水洗処理を行う装置である。ダスト処理部９６において水洗処理が行われた後のクリンカダストは、セメント組成物に配合されてもよく、セメント原料として用いられてもよい。

【0035】

（冷却用サイクロン）
図３には、第２サイクロン７０の側面図が模式的に示されており、図４には、第２サイクロン７０の上面図が模式的に示されている。図３には、第２サイクロン７０の側方を外から見た図が示されているが、その内部でのガスの流れが矢印によって示されている。図４には、ガスの導入口を通る水平な平面で切断した際の横断面が示されている。第２サイクロン７０は、上方から下方に向かってガスＧ２を旋回させつつ、当該ガスから粉体を分離するように構成されている。

【0036】

第２サイクロン７０には、ガスＧ２に加えて、冷却用ガスＧｃが導入される。第２サイクロン７０は、ガスＧ２及び冷却用ガスＧｃを旋回させつつ、ガスＧ２から原料ダストの微粉を分離する機能と、ガスＧ２及び冷却用ガスＧｃとを混合させることで、ガスＧ２の温度を低下させる機能とを有する。第２サイクロン７０は、ガスＧ２及び冷却用ガスＧｃを混合して得られるガスＧ３をダクト９８に排出する。図３及び図４に示されるように、第２サイクロン７０は、本体部７１と、ガス導入口７２と、ガス導入口７４と、粉体排出口７８と、ガス排出口８２と、を有する。

【0037】

本体部７１は、サイクロンの本体部分であり、その内部の空間にガスの旋回流を形成する部分である。本体部７１は、鉛直な軸線Ａｘ１に沿って延びるように形成されてもよい。軸線Ａｘ１は、上下方向に沿って延びる仮想的なラインである。本体部７１では、例えば、上部及び下部の２つの部分に区画することができる。本体部７１の上部は、ガスの導入部分を除いて、径が略一定の円筒状に形成され、本体部７１の下部は、下方に向かうにつれて径が細くなる切頭円錐状に形成されている。軸線Ａｘ１に直交する面で切断した際の本体部７１の断面では、本体部７１を構成する周壁が、軸線Ａｘ１まわりに延びている。

【0038】

第２サイクロン７０は、本体部７１において、上方から下方に向かってガスＧ２及び冷却用ガスＧｃを流通させる。この際、第２サイクロン７０は、ガスＧ２及び冷却用ガスＧｃを軸線Ａｘ１まわりに旋回させつつ、本体部７１の周壁に沿って流通させる。本体部７１の内部には、ガスＧ２の旋回流と冷却用ガスＧｃの旋回流とが形成される。また、第２サイクロン７０は、本体部７１の下端部（下端部及びその近傍）において、ガスＧ２及び冷却用ガスＧｃを混合させたうえで、その混合ガスを、軸線Ａｘ１が通る中央部を上昇させる。本体部７１の中央部には、ガスＧ２に含まれる塩素分の凝縮に起因したコーチングの形成を抑制する観点から、上記混合ガスをガイドするための筒部材が設けられなくてもよい。

【0039】

ガス導入口７２（第１ガス導入口）は、本体部７１に対してガスＧ２を導入する開口である。ガス導入口７２は、本体部７１の上部に対してガスＧ２が導入され、ガスＧ２の導入方向が水平となるように形成されている。ガス導入口７４（第２ガス導入口）は、本体部７１に対して冷却用ガスＧｃを導入する開口である。冷却用ガスＧｃは、常温の空気であってよく、工場等で発生する排気ガスを含むガスであってもよい。ガス導入口７４は、本体部７１の上部に対して冷却用ガスＧｃが導入され、冷却用ガスＧｃの導入方向が水平となるように形成されている。

【0040】

ガス導入口７４は、冷却用ガスＧｃが、ガスＧ２の旋回流の外側において旋回するように、本体部７１に対して冷却用ガスＧｃを導入する。冷却用ガスＧｃの旋回流は、ガスＧ１の旋回流と本体部７１の周壁の内面（内壁）との間にエアーカーテンを形成し、高温のガスＧ２が本体部７１の内壁に接触して冷却されることに起因して、内壁に塩素分が凝縮するのを抑制する。

【0041】

ガス導入口７２及びガス導入口７４は、互いに一致する角度から、本体部７１に対してガスをそれぞれ導入する。すなわち、ガス導入口７２からのガスＧ２の導入方向と、ガス導入口７４からの冷却用ガスＧｃの導入方向とは、互いに一致してもよい。ガスＧ２が導入される角度（ガス導入口７２のガスＧ２の導入方向）は、ガス導入口７２に対して直交するラインの角度（方向）で規定される。冷却用ガスＧｃが導入される角度（ガス導入口７４の冷却用ガスＧｃの導入方向）は、ガス導入口７４に対して直交するラインの角度（方向）で規定される。なお、角度が一致することには、実質的に角度が一致する場合も含まれる。

【0042】

本体部７１は、その上部において、ガス導入口から導入されたガスを円筒状の部分までガイドするガイド部７１ａを含む。ガイド部７１ａは、例えば断面が四角形の流路を形成し、本体部７１（ガイド部７１ａを除いた部分）においてガスの旋回流が形成させるように、ガスの流れを調節する。ガイド部７１ａ内の流路は、ガイド板７５によって２つの領域に仕切られている。これにより、ガイド部７１ａ内の流路が、ガスＧ２が流通する領域と、冷却用ガスＧｃが流通する領域とに区画されている。

【0043】

ガイド部７１ａの端部にガスを導入するための開口が設けられており、その開口が、ガイド板７５の一端によって、左右に並ぶガス導入口７２とガス導入口７４とに仕切られている。ガイド部７１ａにおいて、ガス導入口７２から導入されたガスＧ２が流通する領域は、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃが流通する領域に比べて、軸線Ａｘ１に近い位置に設けられている。

【0044】

粉体排出口７８は、本体部７１の下端部に設けられており、ガスＧ２から分離された原料ダストの微粉を排出する開口である。粉体排出口７８から排出される原料ダストの微粉には、塩素分が含まれている。粉体排出口７８から排出される原料ダストの微粉は、循環ライン５８を介して、セメントキルン２０の窯尻２２に戻されてもよい。粉体排出口７８から排出される原料ダストの微粉は、窯尻２２に戻すことに代えて、ダスト処理部９６において処理されてもよい。

【0045】

ガス排出口８２は、本体部７１の上端部に設けられており、ガスＧ２と冷却用ガスＧｃとが混合されて得られるガスＧ３を、本体部７１から排出する開口である。ガス排出口８２には、ダクト９８の上流側の端部が接続されており、ガス排出口８２から本体部７１の外に放出されたガスＧ３は、ダクト９８内に導入される。

【0046】

第２サイクロン７０では、上面視において、ガス導入口７４から導入された後の冷却用ガスＧｃは、軸線Ａｘ１まわりを１周旋回した後に、ガイド部７１ａのうちのガスＧ２が流通する部分に重なる（図４の「Ａ」で指す部分を参照）。しかしながら、冷却用ガスＧｃは本体部７１において旋回しつつ下方に流通するので、冷却用ガスＧｃに起因して、ガイド部７１ａのうちのガスＧ２が流通する部分を形成する壁部分の温度が低下するのを抑制できる。また、本体部７１の下端部にガスＧ２が到達した後、ガス排出口８２に向かって上昇する際に、ガスＧ２の全部又は大部分が、冷却用ガスＧｃと混合し得るので、本体部７１の内壁において、冷却用ガスＧｃとの混合に伴う塩素分の凝縮が発生し難い。

【0047】

［セメントクリンカの製造方法］
続いて、セメントクリンカの製造方法の一例として、製造装置１において実行されるセメントクリンカの製造過程について説明する。製造装置１において実行される製造過程は、例えば、予熱仮焼工程と、焼成工程と、クリンカ冷却工程と、回収工程と、を含む。これらの工程は、少なくとも部分的に重複した期間において、それぞれ実行される。予熱仮焼工程は、プレヒータ１０において、セメントキルン２０からのキルン排ガス等を含む高温のガスにより、セメント原料を予熱及び仮焼する工程である。

【0048】

焼成工程は、セメントキルン２０において、バーナ２４からの燃焼ガスにより、セメント原料の焼成を行う工程である。クリンカ冷却工程は、クリンカクーラ３０において、セメントキルン２０で生成されたセメントクリンカを冷却する工程である。回収工程は、塩素バイパス設備５０において、キルン排ガスの一部を抽気して、製造装置１内の塩素分等の揮発成分をダストとして回収する工程である。回収工程では塩素バイパス設備５０が運転されるので、回収工程は、塩素バイパス設備の運転方法でもある。

【0049】

（塩素バイパス設備の運転方法）
塩素バイパス設備５０を運転する方法（塩素バイパス設備の運転方法）は、抽気工程と、分級工程と、ガス冷却工程（冷却工程）と、循環工程と、処理工程と、を含む。抽気工程は、セメントキルン２０からの排ガスの一部を抽気口５２から抽気して、抽気ガスであるガスＧ１を得る工程である。分級工程は、分級用サイクロンである第１サイクロン６０を用いて、ガスＧ１の温度を７７０℃以上に維持した状態で、ガスＧ１に含まれる原料ダストの粗粉をガスＧ１から分離してガスＧ２を生成する工程である。

【0050】

ガス冷却工程は、冷却用サイクロンである第２サイクロン７０を用いて、ガスＧ１に由来するガスＧ２を冷却する工程である。ガス冷却工程は、第１導入工程と、第２導入工程と、排出工程と、を含む。第１導入工程は、ガスＧ２の旋回流が形成されるように本体部７１に対してガス導入口７２からガスＧ２を導入する工程である。第２導入工程は、ガスＧ２よりも温度が低い冷却用ガスＧｃを、ガスＧ２の旋回流の外側において旋回するように本体部７１に対してガス導入口７４から導入する工程である。排出工程は、ガスＧ２と冷却用ガスＧｃとが混合されて得られるガスＧ３を、ガス排出口８２を介して本体部７１から排出する工程である。

【0051】

循環工程は、分級工程で得られた原料ダストの粗粉を、循環ライン５８を介してセメントキルン２０に戻す工程である。循環工程において、ガス冷却工程で得られた原料ダストの微粉が、循環ライン５８を介してセメントキルン２０に戻されてもよい。処理工程は、回収部９２によりガスＧ３からクリンカダストを回収し、そのクリンカダストに対して水洗処理を行う工程である。

【0052】

［変形例）
以上に説明した冷却用サイクロンは、一例であり、適宜変更可能である。塩素バイパス設備５０は、第２サイクロン７０に代えて、図５に示される第２サイクロン７０Ａ（冷却用サイクロン）を備えてもよい。第２サイクロン７０Ａは、ガス導入口７２及びガス導入口７４が、互いに異なる角度から本体部７１に対してガスをそれぞれ導入する点において、第２サイクロン７０と相違する。第２サイクロン７０Ａでは、ガスＧ２が導入される角度（ガス導入口７２のガスＧ２の導入方向）が、冷却用ガスＧｃが導入される角度（ガス導入口７４の冷却用ガスＧｃの導入方向）と異なっている。すなわち、ガス導入口７２に対して直交するラインの角度（方向）が、ガス導入口７４に対して直交するラインの角度（方向）と異なっている。

【0053】

第２サイクロン７０Ａの本体部７１は、その上部において、ガス導入口７２から導入されたガスＧ２を円筒状の部分までガイドするガイド部７１ｂと、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃを円筒状の部分までガイドするガイド部７１ｃと、を含む。ガイド部７１ｂとガイド部７１ｃとの間には、空間Ｓが形成されている。空間Ｓが形成されることで、ガイド部７１ｃの流路を流通している冷却用ガスＧｃに起因して、ガイド部７１ｂの流路を流通しているガスＧ２が冷却され難くなる。

【0054】

塩素バイパス設備５０は、第２サイクロン７０に代えて、図６に示される第２サイクロン７０Ｂ（冷却用サイクロン）を備えてもよい。第２サイクロン７０Ｂは、本体部７１に代えて、本体部７１Ｂを有する点において、第２サイクロン７０と相違する。本体部７１Ｂは、直動部７７ａと、錐部７７ｂとを含む。直動部７７ａは、本体部７１Ｂの上部に対応しており、ガスの導入部分を除いて、径が略一定の円筒状に形成されている。錐部７７ｂは、本体部７１Ｂの下部に対応しており、下方に向かうにつれて径が細くなる切頭円錐状に形成されている。

【0055】

直動部７７ａの天板部８７ａは、ガスの導入口を起点として、軸線Ａｘ１まわりに旋回が進むにつれて下方に傾斜するように（螺旋状に）形成されている。第２サイクロン７０Ｂは、所謂ヘリカルトップ型のサイクロンである。サイクロンの上部において、螺旋状の天板部８７ａが形成されることで、天板部８７ａが形成されない場合に比べて、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃが、より下方に向かってガイドされる。そのため、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃが、１周旋回した後において、旋回部分に導入される直前のガスＧ２（図４のＡで指す部分も参照）に対して影響を与え難い。

【0056】

塩素バイパス設備５０は、第２サイクロン７０に代えて、図７に示される第２サイクロン７０Ｃ（冷却用サイクロン）を備えてもよい。第２サイクロン７０Ｃは、ガイド板７５に代えて、ガイド板７５Ｃが設けられる点において、第２サイクロン７０と相違する。ガイド板７５Ｃには、加熱部８４Ｃが設けられている。加熱部８４Ｃは、例えば、ガイド板７５Ｃの内部に設けられている。ガイド板７５Ｃは、ガス導入口７２から導入されたガスＧ２をガイドする部分と、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃをガイドする部分との境界部分に相当する。加熱部８４Ｃは、上記境界部分を加熱する。

【0057】

加熱部８４Ｃは、複数の棒状のヒータを有してもよい。複数の棒状のヒータが、ガイド板７５Ｃの延在方向に沿って、所定の間隔で並んでいてもよい。ガイド板７５Ｃに加熱部８４Ｃが設けられることで、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃに起因して、ガイド板７５Ｃの温度が低下することが抑制される。この場合、ガイド板７５Ｃの温度低下に起因して、ガス導入口７２から導入されたガスＧ２が冷却されるのが抑制される。

【0058】

塩素バイパス設備５０は、第２サイクロン７０に代えて、図８に示される第２サイクロン７０Ｄ（冷却用サイクロン）を備えてもよい。第２サイクロン７０Ｄは、加熱部８４Ｄを更に有する点において、第２サイクロン７０Ａと相違する。加熱部８４Ｄは、ガイド部７１ｂとガイド部７１ｃとの間の空間Ｓに配置されている。加熱部８４Ｄは、ガイド部７１ｂの外壁のうちの、ガイド部７１ｃに対向する部分を加熱する。

【0059】

加熱部８４Ｄは、ガイド部７１ｂの外壁のうちの、ガイド部７１ｃに対向する部分に設けられてもよい。加熱部８４Ｄは、パネル状のヒータであってもよい。ガイド部７１ｂの外壁のうちの、ガイド部７１ｃに対向する部分が加熱されることで、ガス導入口７４から導入され、ガイド部７１ｃの流路を流通している冷却用ガスＧｃに起因して、ガイド部７１ｂの外壁の温度が低下することが抑制される。この場合、ガイド部７１ｂの温度低下に起因して、ガス導入口７２から導入され、ガイド部７１ｂの流路を流通しているガスＧ２が冷却されるのが抑制される。

【0060】

塩素バイパス設備５０は、第２サイクロン７０に代えて、図９に示される第２サイクロン７０Ｅ（冷却用サイクロン）を備えてもよい。第２サイクロン７０Ｅは、加熱部８４Ｅを更に有する点において第２サイクロン７０Ｂと相違する。加熱部８４Ｅは、本体部７１Ｂの外壁の少なくとも一部を加熱する。加熱部８４Ｅは、例えば、本体部７１Ｂ全体のうち本体部７１Ｂの下端を含む１／３以上の領域、又は１／２以上の領域を加熱する。

【0061】

加熱部８４Ｅは、本体部７１Ｂの下部に相当する錐部７７ｂの外壁を加熱してもよい。加熱部８４Ｅは、パネル状のヒータ（パネルヒータ）であってもよい。本体部７１Ｂの内部において、ガスＧ２の旋回流の外側では、冷却用ガスＧｃの旋回流が形成されているが、本体部７１Ｂの内壁の一部において、ガスＧ２が、本体部７１Ｂの内壁に接触してしまう可能性がある。加熱部８４Ｅが設けられることで、ガスＧ２が本体部７１Ｂの内壁に接触してしまうことに起因して、ガスＧ２が、冷却用ガスＧｃと混合する前に冷却されるのが抑制される。

【0062】

塩素バイパス設備５０は、第２サイクロン７０に代えて、図１０及び図１１に示される第２サイクロン７０Ｆ（冷却用サイクロン）を備えてもよい。第２サイクロン７０Ｆは、加熱部８４Ｅに代えて加熱部８４Ｆを有する点において第２サイクロン７０Ｅと相違する。加熱部８４Ｆは、冷却用ガスＧｃよりも温度が高い加熱用ガスＧｈを、本体部７１Ｂの外壁に沿って流通させることで、本体部７１Ｂの外壁の少なくとも一部を加熱する。

【0063】

加熱部８４Ｆは、本体部７１Ｂの外壁の周囲において、軸線Ａｘ１まわりに旋回しつつ上昇するように、加熱用ガスＧｈを流通させてもよい。この場合、ガスＧ２及び冷却用ガスＧｃは、上方から下方に向かって移動するのに対して、加熱用ガスＧｈは、下方から上方に向かって移動する。このように、加熱部８４Ｆは、ガスＧ２及び冷却用ガスＧｃとは反対向きに、加熱用ガスＧｈを流通させてもよい。この場合、ガスＧ２は、下方に移動するに従って、温度がより低下しているので、冷却用ガスＧｃと混合する前でのガスＧ２の冷却を効率よく抑制できる。

【0064】

塩素バイパス設備５０は、第２サイクロン７０に代えて、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示される第２サイクロン７０Ｇ（冷却用サイクロン）を備えてもよい。第２サイクロン７０Ｇは、ガス導入口７２及びガス導入口７４を介して、下方からガスＧ２及び冷却用ガスＧｃを本体部７１Ｇの内部に導入する。第２サイクロン７０Ｇのガス導入口７２及びガス導入口７４は、下方を向く開口である。

【0065】

第２サイクロン７０Ｇは、その本体部７１Ｇの内部において、水平な軸線Ａｘ２まわりに、ガスＧ２及び冷却用ガスＧｃを旋回させる。軸線Ａｘ２は、水平な方向に延びる仮想的なラインである。本体部７１Ｇの内部では、ガスＧ２の旋回流の外側において、冷却用ガスＧｃが旋回する。第２サイクロン７０Ｇでは、軸線Ａｘ２が通り、水平な向きの開口であるガス排出口８２Ｇから、ガスＧ２及び冷却用ガスＧｃが混合して得られるガスＧ３が排出される。第２サイクロン７０Ｇでは、下方を向く開口である粉体排出口７８から、原料ダストの微粉が排出される。

【0066】

塩素バイパス設備５０は、第２サイクロン７０に代えて、図１３（ａ）に示される第２サイクロン７０Ｈ（冷却用サイクロン）を備えてもよい。第２サイクロン７０Ｈは、ガス導入口７２及びガス導入口７４が互いに異なる角度からガスをそれぞれ導入する点において、第２サイクロン７０Ｇと相違する。第２サイクロン７０Ｈでは、ガスを導入する部分に関して、図５に示される第２サイクロン７０Ａと同様の構成が採用されている。

【0067】

塩素バイパス設備５０は、第２サイクロン７０に代えて、図１３（ｂ）に示される第２サイクロン７０Ｉ（冷却用サイクロン）を備えてもよい。第２サイクロン７０Ｉは、本体部７１Ｇの外壁を加熱する加熱部８４Ｉを更に有する点において、第２サイクロン７０Ｈと相違する。加熱部８４Ｉは、本体部７１Ｇの外壁の少なくとも一部を加熱する。加熱部８４Ｉは、図９に示される加熱部８４Ｅと同様に、パネル状のヒータであってもよく、図１０及び図１１に示される加熱部８４Ｆと同様に、本体部７１Ｇの外壁に沿って加熱用ガスＧｈを流通させてもよい。

【0068】

以上に説明した第２サイクロン７０では、第１サイクロン６０で分級が行われた後の抽気ガスであるガスＧ２が冷却されたが、第２サイクロン７０は、ガスＧ２に代えて、ガスＧ１を冷却してもよい。この場合、第２サイクロン７０には、抽気ガスであるガスＧ１そのものが、抽気ガスに由来する導入ガスとして導入される。また、塩素バイパス設備５０は、第１サイクロン６０を備えていなくてもよい。

【0069】

第２サイクロン７０は、導入されるガス（例えば、ガスＧ２）の旋回流の外側において、冷却用ガスＧｃの旋回流を形成したうえで、導入されるガスを冷却できる限り、どのように構成されてもよい。以上に説明した種々の例のうちの１つの例において、他の例で説明した事項の少なくとも一部が組み合わせられてもよい。

【0070】

［本開示のまとめ］
以上に説明した塩素バイパス設備５０は、セメント原料を焼成するセメントキルン２０からの排ガスの一部を抽気する抽気口５２と、抽気口５２から抽気された抽気ガスに由来する導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）を旋回させつつ、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）から粉体を分離するように構成されており、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）を冷却する冷却用サイクロン（７０，７０Ａ～７０Ｉ）と、を備える。冷却用サイクロン（７０，７０Ａ～７０Ｉ）は、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）の旋回流が形成される本体部７１，７１Ｂ，７１Ｇに対して導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）を導入するガス導入口７２と、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）よりも温度が低い冷却用ガスＧｃを、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）の旋回流の外側において旋回するように本体部７１，７１Ｂ，７１Ｇに対して導入するガス導入口７４と、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）と冷却用ガスＧｃとが混合されて得られるガス（Ｇ３）を本体部７１，７１Ｂ，７１Ｇから排出するガス排出口８２と、を有する。

【0071】

セメントキルン２０からの排ガスを抽気して得られる抽気ガスに由来するガスを冷却するために、当該ガスが流通するダクトの途中に、冷却用ガスを導入する方法が考えられる。この方法が採用される場合、上記ダクトのうちの冷却用ガスの導入部分よりも上流に位置する部分が保温部を構成し、保温部よりも下流に位置する部分が冷却部を構成する。この場合、保温部のうちの下流に位置する端部では、冷却用ガスにより温度が低下する。そして、上記端部の温度が低下すると、上記端部において抽気ガスに由来するガスが冷却されて、塩素分の凝縮によりコーチングが発生し得る。
これに対して、上記塩素バイパス設備５０では、抽気ガスに由来する導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）が、冷却用サイクロンの内部において、冷却用ガスＧｃと混合されることで冷却される。冷却用サイクロンの内部では、上述したように、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）が流通する流路を形成する部分が、冷却用ガスＧｃによって冷却され難い。従って、上記塩素バイパス設備５０は、抽気されたガス（Ｇ１，Ｇ２）の冷却に伴うコーチングの発生を抑制するのに有用である。

【0072】

以上に説明した塩素バイパス設備５０は、抽気ガス（Ｇ１）の温度を７７０℃以上に維持した状態で、抽気ガス（Ｇ１）に含まれる原料ダストの粗粉を抽気ガス（Ｇ１）から分離して原料ダストの微粉を含む分級後ガスを生成する分級用サイクロン（６０）を更に備える。冷却用サイクロン（７０，７０Ａ～７０Ｉ）には、上記分級後ガスが導入ガス（Ｇ２）として導入されてもよい。この場合、塩素濃度が低い原料ダストの粗粉をセメントキルン２０に戻すことで、セメントキルン２０への塩素の導入量を低減しつつ、塩素バイパス設備５０において処理すべきダストの量の増加を抑制することができる。

【0073】

以上に説明した塩素バイパス設備５０において、ガス導入口７２及びガス導入口７４は、互いに一致する角度から、本体部７１に対してガスをそれぞれ導入し、冷却用サイクロン（７０Ｃ）は、ガス導入口７２から導入された導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）をガイドする部分と、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃをガイドする部分との境界部分（７５Ｃ）に配置され、当該境界部分（７５Ｃ）を加熱する加熱部８４Ｃを更に有してもよい。この場合、２種類のガスを導入するための部分の構造を簡素化しつつ、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃに起因して、ガス導入口７２から導入された導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）の温度が、冷却用ガスＧｃと混合される前に低下するのを抑制できる。

【0074】

以上に説明した塩素バイパス設備５０において、ガス導入口７２及びガス導入口７４は、互いに異なる角度から、本体部７１に対してガスをそれぞれ導入してもよい。この場合、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃに起因して、ガス導入口７２から導入された導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）の温度が、冷却用ガスＧｃと混合される前に低下するのを抑制できる。

【0075】

以上に説明した塩素バイパス設備５０において、冷却用サイクロン（７０Ｄ）は、ガス導入口７２から導入された導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）をガイドする部分（７１ｂ）の外壁のうち、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃをガイドする部分（７１ｃ）に対向する部分を加熱する加熱部８４Ｄを更に有してもよい。この場合、ガス導入口７４から導入された冷却用ガスＧｃに起因して、ガス導入口７２から導入された導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）の温度が、冷却用ガスＧｃと混合される前に低下するのを更に抑制できる。

【0076】

以上に説明した塩素バイパス設備５０において、冷却用サイクロン（７０Ｅ，７０Ｆ，７０Ｉ）は、本体部７１Ｂ，７１Ｇの外壁の少なくとも一部を加熱する加熱部８４Ｅ，８４Ｆ，８４Ｉを更に有してもよい。本体部７１Ｂ，７１Ｇの内壁において、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）が、本体部７１Ｂ，７１Ｇの内壁に局所的に接触してしまう可能性がある。上記構成では、加熱部８４Ｅ，８４Ｆ，８４Ｉが設けられることで、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）が本体部７１Ｂ，７１Ｇの内壁に接触してしまうことに起因して、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）が、冷却用ガスＧｃと混合する前に冷却されるのが抑制される。

【0077】

以上に説明した塩素バイパス設備５０において、加熱部８４Ｆは、冷却用ガスＧｃよりも温度が高い加熱用ガスＧｈを、本体部７１Ｂの外壁に沿って流通させることで、本体部７１Ｂの外壁の少なくとも一部を加熱してもよい。加熱部８４Ｆは、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）及び冷却用ガスＧｃとは反対向きに、加熱用ガスＧｈを流通させてもよい。導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）は、冷却用サイクロン内を移動するに従って、温度がより低下しているので、上記構成により、冷却用ガスＧｃと混合する前での導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）の冷却を効率よく抑制できる。

【0078】

以上に説明した製造装置１は、塩素バイパス設備５０と、セメントキルン２０と、を備える。製造装置１は、塩素バイパス設備５０を備えるので、抽気されたガス（Ｇ１，Ｇ２）の冷却に伴うコーチングの発生を抑制するのに有用である。

【0079】

以上に説明したセメントクリンカの製造方法は、製造装置１を用いてセメントクリンカを製造する。この製造方法では、塩素バイパス設備５０を備えた製造装置１が用いられるので、抽気されたガス（Ｇ１，Ｇ２）の冷却に伴うコーチングの発生を抑制するのに有用である。

【0080】

以上に説明した塩素バイパス設備５０の運転方法は、セメント原料を焼成するセメントキルン２０からの排ガスの一部を抽気して抽気ガスを得る抽気工程と、導入されたガスを旋回させつつ、当該ガスから粉体を分離するように構成された冷却用サイクロン（７０，７０Ａ～７０Ｉ）を用いて、抽気ガスに由来する導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）を冷却する冷却工程と、を含み、冷却工程は、冷却用サイクロン（７０，７０Ａ～７０Ｉ）の本体部７１，７１Ｂ，７１Ｇにおいて導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）の旋回流が形成されるように、本体部７１，７１Ｂ，７１Ｇに対して導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）を導入する第１導入工程と、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）よりも温度が低い冷却用ガスＧｃを、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）の旋回流の外側において旋回するように本体部７１，７１Ｂ，７１Ｇに対して導入する第２導入工程と、導入ガス（Ｇ１，Ｇ２）と冷却用ガスＧｃとが混合されて得られるガス（Ｇ３）を本体部７１，７１Ｂ，７１Ｇから排出する排出工程と、を含む。この運転方法は、上記塩素バイパス設備５０と同様に、抽気されたガス（Ｇ１，Ｇ２）の冷却に伴うコーチングの発生を抑制するのに有用である。

【符号の説明】

【0081】

１…セメントクリンカの製造装置、１０…プレヒータ、１２…仮焼炉、１４…ライジングダクト、２０…セメントキルン、５０…塩素バイパス設備、６０…第１サイクロン、７０，７０Ａ～７０Ｉ…第２サイクロン、７１，７１Ｂ，７１Ｇ…本体部、７１ａ，７１ｂ，７１ｃ…ガイド部、７２，７４…ガス導入口、７５，７５Ｃ…ガイド板、８２，８２Ｇ…ガス排出口、８４Ｃ，８４Ｄ，８４Ｅ，８４Ｆ，８４Ｉ…加熱部、Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３…ガス、Ｇｃ…冷却用ガス、Ｇｈ…加熱用ガス。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】