特開 2024-124025 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024124025

(43)【公開日】2024-09-12

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20240905BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20240905BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20240905BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 B

H01L21/68 N

C23C16/458

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023031907

(22)【出願日】2023-03-02

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】田口 純之介

(72)【発明者】

【氏名】竹内 靖

(72)【発明者】

【氏名】本間 学

(72)【発明者】

【氏名】林 伊吹

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K030EA04

4K030GA06

4K030GA09

4K030KA23

5F045AC15

5F045AC16

5F045BB15

5F045DP15

5F045DP27

5F045DP28

5F045DQ12

5F045EB06

5F045EB10

5F045EF03

5F045EF09

5F045EF11

5F045EK07

5F045EM02

5F045EM09

5F045EM10

5F131AA02

5F131BA19

5F131CA06

5F131CA12

5F131EA24

5F131EB52

5F131EB67

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】パーティクルの発生を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、前記回転テーブルと共に回転する載置台と、を備え、前記回転テーブルは、回転中心から離隔した位置に設けられる開口を有し、前記開口は、内側面が前記回転テーブルの上面及び下面と連なり、前記載置台は、前記開口の前記内側面に対して隙間をあけて設けられる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

真空容器と、
前記真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、
前記回転テーブルと共に回転する載置台と、
を備え、
前記回転テーブルは、回転中心から離隔した位置に設けられる開口を有し、
前記開口は、内側面が前記回転テーブルの上面及び下面と連なり、
前記載置台は、前記開口の前記内側面に対して隙間をあけて設けられる、
基板処理装置。

【請求項2】

前記載置台は、
前記載置台の中心部に設けられ、基板が載置される載置面と、
前記載置面よりも該載置台の外方に設けられ、前記載置面よりも下方に窪んだ窪み面と、
前記窪み面と連なり、前記開口の前記内側面に対して隙間をあけて対向する対向面と、
を有する、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記載置台は、前記窪み面の少なくとも一部に設けられ、前記載置面より上方まで突出する突起を有する、
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記載置台は、前記載置面と前記窪み面との間に設けられ、前記載置面から前記窪み面に向けて傾斜する傾斜面を有する、
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記載置面の外径は、前記基板の外径よりも小さい、
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記載置台は、前記回転テーブルに対して回転可能である、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

複数のウエハを載置した回転テーブルを回転させることで各ウエハを公転させ、回転テーブルの半径方向に沿うように配置される処理ガスの供給領域を繰り返し通過させることで、ウエハに各種の膜を成膜する装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この装置においては、回転テーブルによりウエハが公転する間、ウエハが自転するようにウエハの載置台を回転させて、当該ウエハの周方向における膜の均一性を高めている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－１１１７５８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、パーティクルの発生を抑制できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、前記回転テーブルと共に回転する載置台と、を備え、前記回転テーブルは、回転中心から離隔した位置に設けられる開口を有し、前記開口は、内側面が前記回転テーブルの上面及び下面と連なり、前記載置台は、前記開口の前記内側面に対して隙間をあけて設けられる。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、パーティクルの発生を抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態に係る成膜装置の構成例を示す断面図である。

【図2】図１の成膜装置の真空容器内の構成を示す平面図である。

【図3】図１の成膜装置の回転テーブル及び載置台の構成を示す斜視図である。

【図4】図１の成膜装置の収容ボックス内の構成を示す断面図である。

【図5】載置台を示す平面図である。

【図6】図５のVI－VI線矢視断面図である。

【図7】図５のVII－VII線矢視断面図である。

【図8】図５のVIII－VIII線矢視断面図である。

【図9】従来の回転テーブルを示す断面図である。

【図10】実施例におけるガスの流速分布を示す図である。

【図11】比較例におけるガスの流速分布を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0009】

〔基板処理装置〕
図１から図４を参照し、実施形態に係る基板処理装置の一例として、基板Ｗに膜を形成する成膜装置３００を例示して説明する。

【0010】

図１は、実施形態に係る成膜装置３００の構成例を示す断面図である。図２は、図１の成膜装置３００の真空容器３１１内の構成を示す平面図である。図２においては、説明の便宜上、天板３１１ｂの図示を省略している。図３は、図１の成膜装置３００の回転テーブル３２１及び載置台３２１ａの構成を示す斜視図である。図４は、図１の成膜装置３００の収容ボックス３２２内の構成を示す断面図である。

【0011】

成膜装置３００は、処理部３１０と、回転駆動装置３２０と、制御部３９０とを備える。

【0012】

処理部３１０は、真空容器３１１と、ガス導入部３１２と、ガス排気口３１３と、搬送口３１４と、加熱部３１５とを有する。

【0013】

真空容器３１１は、内部を減圧可能な処理容器である。真空容器３１１は、ほぼ円形の平面形状を有する扁平な形状を有する。真空容器３１１は、内部に複数の基板Ｗを収容する。基板Ｗは、例えば半導体ウエハであってよい。

【0014】

真空容器３１１は、本体３１１ａと、天板３１１ｂと、側壁体３１１ｃと、底板３１１ｄとを含む。本体３１１ａは、円筒形状を有する。天板３１１ｂは、本体３１１ａの上面に対してシール部３１１ｅを介して気密に着脱可能に配置される。側壁体３１１ｃは、本体３１１ａの下面に接続され、円筒形状を有する。底板３１１ｄは、側壁体３１１ｃの底面に対して気密に配置される。

【0015】

ガス導入部３１２は、原料ガスノズル３１２ａと、反応ガスノズル３１２ｂと、分離ガスノズル３１２ｃ，３１２ｄとを含む。原料ガスノズル３１２ａ、反応ガスノズル３１２ｂ及び分離ガスノズル３１２ｃ，３１２ｄは、回転テーブル３２１の上方に、真空容器３１１の周方向（図２の矢印Ａで示される方向）に互いに間隔をおいて配置される。図示の例では、搬送口３１４から時計回り（回転テーブル３２１の回転方向）に、分離ガスノズル３１２ｃ、原料ガスノズル３１２ａ、分離ガスノズル３１２ｄ及び反応ガスノズル３１２ｂがこの順に配列される。原料ガスノズル３１２ａ、反応ガスノズル３１２ｂ及び分離ガスノズル３１２ｃ，３１２ｄの基端部であるガス導入ポート３１２ａ１，３１２ｂ１，３１２ｃ１，３１２ｄ１は、本体３１１ａの外壁に固定される。原料ガスノズル３１２ａ、反応ガスノズル３１２ｂ及び分離ガスノズル３１２ｃ，３１２ｄは、真空容器３１１の外壁から真空容器３１１内に導入され、本体３１１ａの半径方向に沿って回転テーブル３２１に対して水平に伸びるように取り付けられる。原料ガスノズル３１２ａ、反応ガスノズル３１２ｂ及び分離ガスノズル３１２ｃ，３１２ｄは、例えば石英により形成される。

【0016】

原料ガスノズル３１２ａは、配管及び流量制御器等（図示せず）を介して、原料ガスの供給源（図示せず）に接続される。原料ガスとしては、例えばシリコン含有ガス、金属含有ガスを利用できる。原料ガスノズル３１２ａには、回転テーブル３２１に向かって開口する複数の吐出孔（図示せず）が、原料ガスノズル３１２ａの長さ方向に沿って間隔を有して配列される。原料ガスノズル３１２ａは、複数の吐出孔から原料ガスを吐出する。原料ガスノズル３１２ａの下方領域は、原料ガスを基板Ｗに吸着させるための原料ガス吸着領域Ｐ１となる。

【0017】

反応ガスノズル３１２ｂは、配管及び流量制御器等（図示せず）を介して、反応ガスの供給源（図示せず）に接続される。反応ガスとしては、例えば酸化ガス、窒化ガスを利用できる。反応ガスノズル３１２ｂには、回転テーブル３２１に向かって開口する複数の吐出孔（図示せず）が、反応ガスノズル３１２ｂの長さ方向に沿って間隔を有して配列される。反応ガスノズル３１２ｂは、複数の吐出孔から反応ガスを吐出する。反応ガスノズル３１２ｂの下方領域は、原料ガス吸着領域Ｐ１において基板Ｗに吸着された原料ガスを酸化又は窒化させる反応ガス供給領域Ｐ２となる。

【0018】

分離ガスノズル３１２ｃ，３１２ｄは、いずれも配管及び流量制御バルブ等（図示せず）を介して、分離ガスの供給源（図示せず）に接続される。分離ガスとしては、例えばアルゴン（Ａｒ）ガス、窒素（Ｎ_２）ガス等の不活性ガスを利用できる。分離ガスノズル３１２ｃ，３１２ｄには、回転テーブル３２１に向かって開口する複数の吐出孔（図示せず）が、分離ガスノズル３１２ｃ，３１２ｄの長さ方向に沿って間隔を有して配列される。分離ガスノズル３１２ｃ，３１２ｄは、複数の吐出孔から分離ガスを吐出する。

【0019】

ガス導入部３１２は、回転テーブル３２１の下方にパージガスを供給するパージガス導入部（図示せず）を含んでもよい。パージガスとしては、例えば分離ガスと同じガスを利用できる。

【0020】

真空容器３１１内には２つの凸状部３１７が設けられる。凸状部３１７は、回転テーブル３２１に向かって突出するように天板３１１ｂの裏面に取り付けられる。凸状部３１７は、分離ガスノズル３１２ｃ，３１２ｄと共に分離領域Ｄを構成する。凸状部３１７は、頂部が円弧状に切断された扇型の平面形状を有する。凸状部３１７は、内円弧が突出部３１８に連結される。凸状部３１７は、外円弧が本体３１１ａの内壁に沿って配置される。

【0021】

ガス排気口３１３は、第１排気口３１３ａと、第２排気口３１３ｂとを含む。第１排気口３１３ａは、第１排気領域Ｅ１の底部に形成される。第１排気領域Ｅ１は、原料ガス吸着領域Ｐ１に連通する。第２排気口３１３ｂは、第２排気領域Ｅ２の底部に形成される。第２排気領域Ｅ２は、反応ガス供給領域Ｐ２に連通する。第１排気口３１３ａ及び第２排気口３１３ｂは、排気配管（図示せず）を介して、真空ポンプ等を含む排気装置（図示せず）に接続される。

【0022】

搬送口３１４は、真空容器３１１の側壁に設けられる。搬送口３１４は、回転テーブル３２１と搬送アーム３１４ａとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための開口である。搬送口３１４は、ゲートバルブ（図示せず）により開閉される。

【0023】

加熱部３１５は、固定軸３１５ａと、ヒータ支持部３１５ｂと、ヒータ３１５ｃとを含む。

【0024】

固定軸３１５ａは、真空容器３１１の中心を中心軸とする円筒形状を有する。固定軸３１５ａは、回転軸３２３の内側に、底板３１１ｄを貫通して設けられる。固定軸３１５ａの外壁と回転軸３２３の内壁との間には、シール部３１５ｄが設けられる。これにより、回転軸３２３は、真空容器３１１内の気密状態を維持しながら、固定軸３１５ａに対して回転する。シール部３１５ｄは、例えば磁性流体シールを含む。

【0025】

ヒータ支持部３１５ｂは、固定軸３１５ａの上部に固定され、円板形状を有する。ヒータ支持部３１５ｂは、ヒータ３１５ｃを支持する。

【0026】

ヒータ３１５ｃは、ヒータ支持部３１５ｂの上面に設けられる。ヒータ３１５ｃは、ヒータ支持部３１５ｂの上面に加え、本体３１１ａに設けられてもよい。ヒータ３１５ｃは、基板Ｗを加熱する。

【0027】

回転駆動装置３２０は、回転テーブル３２１と、収容ボックス３２２と、回転軸３２３と、公転用モータ３２４とを有する。

【0028】

回転テーブル３２１は、真空容器３１１内に設けられる。回転テーブル３２１は、真空容器３１１の中心に回転中心を有する。回転テーブル３２１は、例えば円板形状を有する。回転テーブル３２１は、例えば石英により形成される。回転テーブル３２１は、複数の接続部３２１ｄを介して収容ボックス３２２に接続される。回転テーブル３２１は、複数（例えば５つ）の開口３２１ｈを有する。複数の開口３２１ｈは、回転テーブル３２１の回転方向に沿って互いに間隔をあけて設けられる。各開口３２１ｈは、回転テーブル３２１の回転中心から離隔した位置に設けられる。

【0029】

載置台３２１ａは、平面視において開口３２１ｈと重なる位置に設けられる。載置台３２１ａは、回転テーブル３２１の回転方向に沿って複数設けられる。載置台３２１ａの数は、開口３２１ｈの数と同じである。各載置台３２１ａは、回転テーブル３２１の回転中心から離隔した位置に設けられる。各載置台３２１ａは、基板Ｗよりも僅かに大きい円板形状を有する。各載置台３２１ａは、例えば石英により形成される。各載置台３２１ａは、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＳｉＣ等の熱伝導率が高い材料により形成されてもよい。各載置台３２１ａには、基板Ｗが載置される。各載置台３２１ａは、回転テーブル３２１と共に回転可能に構成される。各載置台３２１ａは、自転軸３２１ｂを介して自転用モータ３２１ｃに接続され、回転テーブル３２１に対して回転可能に構成される。回転テーブル３２１及び載置台３２１ａの詳細な構造については後述する。

【0030】

自転軸３２１ｂは、載置台３２１ａの下面と自転用モータ３２１ｃとを接続する。自転軸３２１ｂは、自転用モータ３２１ｃの動力を載置台３２１ａに伝達する。自転軸３２１ｂは、載置台３２１ａの中心を回転中心として回転可能に構成される。自転軸３２１ｂは、回転テーブル３２１の回転方向に沿って複数設けられる。自転軸３２１ｂの数は、載置台３２１ａの数と同じである。自転軸３２１ｂは、収容ボックス３２２の天井部３２２ｂを貫通する。天井部３２２ｂの貫通孔には、シール部３２６ｃが設けられ、収容ボックス３２２内の気密状態が維持される。シール部３２６ｃは、例えば磁性流体シールを含む。

【0031】

自転用モータ３２１ｃは、収容ボックス３２２内に収容される。自転用モータ３２１ｃは、自転軸３２１ｂを介して載置台３２１ａを回転テーブル３２１に対して回転させる。これにより、基板Ｗが自転する。自転用モータ３２１ｃは、例えばサーボモータである。

【0032】

接続部３２１ｄは、回転テーブル３２１の下面と収容ボックス３２２の上面とを接続する。接続部３２１ｄは、例えば回転テーブル３２１の周方向に沿って複数設けられる。複数の接続部３２１ｄと複数の自転軸３２１ｂとは、同一円周上に設けられてよい。接続部３２１ｄと自転軸３２１ｂとは、回転テーブル３２１の周方向に沿って交互に設けられてよい。

【0033】

収容ボックス３２２は、真空容器３１１内における回転テーブル３２１の下方に設けられる。収容ボックス３２２は、複数の接続部３２１ｄを介して回転テーブル３２１に接続され、回転テーブル３２１と一体で回転可能に構成される。収容ボックス３２２は、昇降機構（図示せず）により真空容器３１１内で昇降可能に構成されてもよい。収容ボックス３２２は、本体部３２２ａと、天井部３２２ｂとを有する。

【0034】

本体部３２２ａは、断面視凹状に形成され、回転テーブル３２１の回転方向に沿ってリング状に形成される。

【0035】

天井部３２２ｂは、本体部３２２ａの上部に設けられる。天井部３２２ｂは、断面視凹状に形成された本体部３２２ａの開口を塞ぐことで、真空容器３１１内から隔離された収容部３２２ｃを本体部３２２ａと共に形成する。

【0036】

収容部３２２ｃは、断面視矩形状に形成され、回転テーブル３２１の回転方向に沿ってリング状に形成される。収容部３２２ｃは、自転用モータ３２１ｃを収容する。本体部３２２ａには、連通路３２２ｄが形成される。連通路３２２ｄは、収容部３２２ｃと成膜装置３００の外部とを連通させる。これにより、成膜装置３００の外部から連通路３２２ｄを介して収容部３２２ｃに大気が導入される。その結果、収容部３２２ｃ内が冷却されると共に、収容部３２２ｃ内が大気圧に維持される。

【0037】

回転軸３２３は、収容ボックス３２２の下部に固定される。回転軸３２３は、底板３１１ｄを貫通して設けられる。回転軸３２３は、公転用モータ３２４の動力を回転テーブル３２１及び収容ボックス３２２に伝達し、回転テーブル３２１及び収容ボックス３２２を一体で回転させる。底板３１１ｄの貫通孔には、シール部３１１ｆが設けられ、真空容器３１１内の気密状態が維持される。シール部３１１ｆは、例えば磁性流体シールを含む。

【0038】

回転軸３２３の内部には、貫通孔３２３ａが設けられる。貫通孔３２３ａは、連通路３２２ｄと接続され、収容ボックス３２２内に大気を導入するための流体流路として機能する。貫通孔３２３ａは、自転用モータ３２１ｃを駆動させるための電力線及び信号線を導入するための配線ダクトとしても機能する。貫通孔３２３ａは、例えば自転用モータ３２１ｃと同じ数だけ設けられる。

【0039】

制御部３９０は、成膜装置３００の各部を制御する。制御部３９０は、例えばコンピュータであってよい。成膜装置３００の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。

【0040】

〔載置台〕
図５から図８を参照し、前述の成膜装置３００が備える載置台３２１ａの一例について説明する。以下では、回転テーブル３２１及び載置台３２１ａを、それぞれ回転テーブル４００及び載置台４１０として説明する。図５は、載置台４１０を示す平面図である。図６は、図５のVI－VI線矢視断面図である。図７は、図５のVII－VII線矢視断面図である。図８は、図５のVIII－VIII線矢視断面図である。図６において、原料ガス及び反応ガスの流れを実線の矢印で示し、パージガスの流れを破線で示す。以下では、原料ガスと反応ガスとを総称して処理ガスともいう。

【0041】

回転テーブル４００は、複数（例えば５つ）の開口４０１を有する。複数の開口４０１は、回転テーブル４００の回転方向に沿って互いに間隔をあけて設けられる。各開口４０１は、回転中心から離隔した位置に設けられる。各開口４０１の内側面４０２は、回転テーブル４００の上面４０３及び下面４０４と連なる。

【0042】

載置台４１０は、平面視で開口４０１と重なる位置に、内側面４０２に対して隙間Ｓ１をあけて設けられる。隙間Ｓ１は、鉛直方向に沿って回転テーブル４００の上方から下方まで延在する。隙間Ｓ１を設けることで、載置台４１０の外周部において載置台４１０の下方に向かうガスの流れが形成される。隙間Ｓ１は、例えば０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であってよく、好ましくは２ｍｍである。載置台４１０には、基板Ｗが載置される。載置台４１０は、自転軸３２１ｂに接続される。載置台４１０は、自転軸３２１ｂが回転することで、自転軸３２１ｂと一体で回転テーブル４００に対して回転する。

【0043】

載置台４１０は、載置面４１１と、窪み面４１２と、突起４１３と、対向面４１４と、傾斜面４１５と、下面４１６とを有する。

【0044】

載置面４１１は、載置台４１０の上面を形成する。載置面４１１は、載置台４１０の中心部に設けられる。載置面４１１には、基板Ｗが載置される。載置面４１１は、例えば平坦である。載置面４１１の高さ位置は、回転テーブル４００の上面４０３の高さ位置よりも低くてよい。載置面４１１は、平面視において、基板Ｗの外径よりも小さい外径を有する円形状を有してよい。

【0045】

窪み面４１２は、載置台４１０の上面を形成する。窪み面４１２は、載置面４１１よりも載置台４１０の外方に設けられる。窪み面４１２は、載置面４１１よりも下方に窪んでいる。窪み面４１２は、例えば平坦である。窪み面４１２は、平面視において、基板Ｗの外径よりも小さい内径と、基板Ｗの外径よりも大きい内径とを有する円環形状を有してよい。

【0046】

突起４１３は、窪み面４１２の少なくとも一部に設けられる。突起４１３は、窪み面４１２から上方に突出する。突起４１３は、例えば載置面４１１よりも上方まで突出する。突起４１３の高さ位置は、回転テーブル４００の上面４０３の高さ位置と同じであってよい。突起４１３を設けることで、載置面４１１上での基板Ｗの位置ずれを抑制できる。突起４１３は、例えば円柱状を有する。突起４１３は、例えば載置台４１０の周方向に沿って等間隔に６つ設けられる。ただし、突起４１３の形状、個数及び配置はこれに限定されない。

【0047】

対向面４１４は、載置台４１０の外側面を形成する。対向面４１４は、窪み面４１２の外周部及び下面４１６の外周部と連なる。対向面４１４は、内側面４０２に対して隙間Ｓ１をあけて対向する。

【0048】

傾斜面４１５は、載置台４１０の上面を形成する。傾斜面４１５は、載置面４１１と窪み面４１２との間に設けられる。傾斜面４１５は、載置面４１１及び窪み面４１２と連なる。傾斜面４１５は、載置面４１１から窪み面４１２に向けて下方に傾斜する。傾斜面４１５は、平面視において、基板Ｗの外径よりも小さい内径及び外径を有する円環形状を有してよい。傾斜面４１５を設けることで、基板Ｗの裏面と載置台４１０との擦れを防止できる。これにより、基板Ｗと載置台４１０との擦れに起因するパーティクルの発生を抑制できる。傾斜面４１５は、例えば曲面状である。

【0049】

下面４１６は、例えば平坦面である。下面４１６は、平面視において、円形状を有する。下面４１６には、自転軸３２１ｂが接続される。

【0050】

以上に説明したように、実施形態に係る成膜装置３００によれば、真空容器３１１と、回転テーブル４００と、載置台４１０とを備える。回転テーブル４００は、真空容器３１１内に回転可能に設けられ、回転中心から離隔した位置に設けられる開口４０１を有する。開口４０１は、内側面４０２が上面４０３及び下面４０４と連なる。載置台４１０は、開口４０１の内側面４０２に対して隙間Ｓ１をあけて設けられる。この場合、載置台４１０の外周部において載置台４１０の下方に向かうガスの流れが形成される。

【0051】

載置台４１０の外周部において載置台４１０の下方に向かうガスの流れが形成されると、載置台４１０の外周部でのガスの滞留が抑制される。これにより、原料ガス吸着領域Ｐ１において載置台４１０の外周部への原料ガスの吸着を抑制できる。このため、回転テーブル４００の回転により載置台４１０が反応ガス供給領域Ｐ２に移動する際の、反応ガス供給領域Ｐ２への原料ガスの持ち込みが抑制される。このため、反応ガス供給領域Ｐ２において載置台４１０の外周部に反応ガスが供給されたとしても、載置台４１０の外周部に膜がほとんど堆積しない。その結果、膜の累積に起因するパーティクルの発生を抑制できる。

【0052】

また、載置台４１０の外周部において載置台４１０の下方に向かうガスの流れが形成されると、基板Ｗの搬送等により持ち込まれるパーティクルを載置台４１０の下方に流して除去できる。このため、載置台４１０に載置された基板Ｗへのパーティクルの付着を抑制できる。

【0053】

これに対し、図９に示されるように、開口４０１を有しない回転テーブル９００の場合、回転テーブル９００の凹部９０１の内側面９０２と基板Ｗの外端との隙間Ｓ２に処理ガスが滞留しやすい。このため、原料ガス吸着領域Ｐ１において凹部９０１の外周部に原料ガスが吸着し、回転テーブル９００の回転により凹部９０１が反応ガス供給領域Ｐ２に移動する際に、反応ガス供給領域Ｐ２に原料ガスが持ち込まれる。このため、反応ガス供給領域Ｐ２において供給される反応ガスと、凹部９０１の外周部に吸着した原料ガスとが反応し、凹部９０１の外周部に膜Ｆが堆積する。真空容器３１１内に堆積した膜は、クリーニングガスを用いたドライクリーニングによって除去されるが、凹部９０１の外周部は回転テーブル９００の上面と比べてクリーニングガスが回り込みにくい。このため、凹部９０１の外周部に堆積した膜Ｆは除去されずに残存し、パーティクルＭの発生源となりうる。

【0054】

〔シミュレーション結果〕
図５から図８に示される回転テーブル４００を備える成膜装置３００において、原料ガスノズル３１２ａから供給されるガスの回転テーブル４００上における流速分布について、シミュレーションを実施した（実施例）。比較のために、図９に示される回転テーブル９００を備える成膜装置においても、原料ガスノズル３１２ａから供給されるガスの回転テーブル９００上における流速分布について、同じ条件でシミュレーションを実施した（比較例）。

【0055】

図１０は、実施例におけるガスの流速分布を示す図である。図１２は、比較例におけるガスの流速分布を示す図である。

【0056】

図１１に示されるように、比較例では、回転テーブル９００の凹部９０１の内側面９０２と基板Ｗの外端との隙間Ｓ２でガスが滞留していることが分かる。これに対し、図１０に示されるように、実施例では、基板Ｗの外端近傍においてガスがほとんど滞留していないことが分かる。これらの結果から、回転テーブル４００の開口４０１の内側面４０２に対して隙間Ｓ１をあけて載置台４１０を設けることで、基板Ｗの外端近傍におけるガスの滞留を抑制できることが示された。

【0057】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0058】

３００ 成膜装置
３１１ 真空容器
３２１、４００ 回転テーブル
３２１ｈ、４０１ 開口
４０２ 内側面
４０３ 上面
４０４ 下面
３２１ａ、４１０ 載置台
Ｓ１ 隙間

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】