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特開2024-124523基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024124523
(43)【公開日】2024-09-12
(54)【発明の名称】基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20240905BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 648G
H01L21/304 651B
H01L21/304 647A
【審査請求】有
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024109428
(22)【出願日】2024-07-08
(62)【分割の表示】P 2022561840の分割
【原出願日】2021-11-02
(31)【優先権主張番号】P 2020190303
(32)【優先日】2020-11-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100122507
【弁理士】
【氏名又は名称】柏岡 潤二
(74)【代理人】
【識別番号】100171099
【弁理士】
【氏名又は名称】松尾 茂樹
(74)【代理人】
【識別番号】100153969
【弁理士】
【氏名又は名称】松澤 寿昭
(72)【発明者】
【氏名】緒方 庸元
(57)【要約】
【課題】本開示は、基板処理のコストを抑制しつつ、ウォーターマークの発生を抑制することが可能な基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
【解決手段】
基板処理方法の一例は、基板を回転させつつ基板に洗浄液を供給して、基板に洗浄液の液膜を形成する第１の工程と、第１の工程の後に、基板を回転させつつ基板にリンス液を供給して、基板にリンス液の液膜を形成する第２の工程と、第２の工程の後に、基板を回転させつつ基板に第１の有機溶剤を供給して、基板に第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、第３の工程の後に、基板を回転させつつ基板に第２の有機溶剤を供給して、基板に第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、第４の工程の後に、基板を乾燥させる第５の工程とを含む。第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が第１の有機溶剤よりも低く、且つ、第１の有機溶剤よりも沸点が高い。
【選択図】図５
【解決手段】
基板処理方法の一例は、基板を回転させつつ基板に洗浄液を供給して、基板に洗浄液の液膜を形成する第１の工程と、第１の工程の後に、基板を回転させつつ基板にリンス液を供給して、基板にリンス液の液膜を形成する第２の工程と、第２の工程の後に、基板を回転させつつ基板に第１の有機溶剤を供給して、基板に第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、第３の工程の後に、基板を回転させつつ基板に第２の有機溶剤を供給して、基板に第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、第４の工程の後に、基板を乾燥させる第５の工程とを含む。第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が第１の有機溶剤よりも低く、且つ、第１の有機溶剤よりも沸点が高い。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を回転させつつ前記基板に洗浄液を供給して、前記基板に前記洗浄液の液膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板にリンス液を供給して、前記基板から前記洗浄液を排出すると共に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第１の有機溶剤を供給して、前記基板から前記リンス液を排出すると共に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第２の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記基板を乾燥させる第５の工程とを含み、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第４の工程は、
前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記基板に第２の有機溶剤を供給することと、
前記基板の低速回転時において、前記基板への前記第２の有機溶剤の供給量を増加させることとを含む、基板処理方法。
前記第１の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板にリンス液を供給して、前記基板から前記洗浄液を排出すると共に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第１の有機溶剤を供給して、前記基板から前記リンス液を排出すると共に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第２の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記基板を乾燥させる第５の工程とを含み、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第４の工程は、
前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記基板に第２の有機溶剤を供給することと、
前記基板の低速回転時において、前記基板への前記第２の有機溶剤の供給量を増加させることとを含む、基板処理方法。
【請求項2】
前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記リンス液の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さく、
前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さい、請求項１に記載の方法。
前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さい、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記第２の有機溶剤は、複数種類の有機溶剤が混合された混合液である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項4】
前記第４の工程の後で且つ前記第５の工程の前に、前記基板を回転させつつ前記基板に第３の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成する第６の工程をさらに含み、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高い、請求項１～３のいずれか一項に記載の方法。
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高い、請求項１～３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項5】
前記第６の工程は、前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記基板に第３の有機溶剤を供給することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項6】
前記第６の工程は、前記基板の低速回転時において、前記基板への前記第３の有機溶剤の供給量を増加させることを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項7】
基板を回転させつつ前記基板に洗浄液を供給して、前記基板に前記洗浄液の液膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板にリンス液を供給して、前記基板から前記洗浄液を排出すると共に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第１の有機溶剤を供給して、前記基板から前記リンス液を排出すると共に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第２の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記基板を乾燥させる第５の工程と、
前記第４の工程の後で且つ前記第５の工程の前に、前記基板を回転させつつ前記基板に第３の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成する第６の工程とを含み、
前記第６の工程は、
前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記基板に第３の有機溶剤を供給することと、
前記基板の低速回転時において、前記基板への前記第３の有機溶剤の供給量を増加させることとを含み、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高い、基板処理方法。
前記第１の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板にリンス液を供給して、前記基板から前記洗浄液を排出すると共に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第１の有機溶剤を供給して、前記基板から前記リンス液を排出すると共に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第２の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記基板を乾燥させる第５の工程と、
前記第４の工程の後で且つ前記第５の工程の前に、前記基板を回転させつつ前記基板に第３の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成する第６の工程とを含み、
前記第６の工程は、
前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記基板に第３の有機溶剤を供給することと、
前記基板の低速回転時において、前記基板への前記第３の有機溶剤の供給量を増加させることとを含み、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高い、基板処理方法。
【請求項8】
前記第６の工程における前記基板の最高回転数は、前記第４の工程における前記基板の最高回転数よりも大きい、請求項５～７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項9】
前記第３の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さい、請求項４～８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項10】
前記第３の有機溶剤は、複数種類の有機溶剤が混合された混合液である、請求項４～９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項11】
基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、
前記基板に洗浄液を供給するように構成された洗浄液供給部と、
前記基板にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、
前記基板に第１の有機溶剤を供給するように構成された第１の溶剤供給部と、
前記基板に第２の有機溶剤を供給するように構成された第２の溶剤供給部と、
制御部とを備え、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記制御部は、
前記回転保持部及び前記洗浄液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記洗浄液の液膜を形成する第１の処理と、
前記第１の処理の後に、前記回転保持部及び前記リンス液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成しつつ、前記基板から前記洗浄液を排出する第２の処理と、
前記第２の処理の後に、前記回転保持部及び前記第１の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記リンス液を排出する第３の処理と、
前記第３の処理の後に、前記回転保持部及び前記第２の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出する第４の処理と、
前記第４の処理の後に、前記回転保持部を制御して、前記基板を乾燥させる第５の処理とを実行するように構成されており、
前記第４の処理は、
前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記基板に第２の有機溶剤を供給することと、
前記基板の低速回転時において、前記基板への前記第２の有機溶剤の供給量を増加させることとを含む、基板処理装置。
前記基板に洗浄液を供給するように構成された洗浄液供給部と、
前記基板にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、
前記基板に第１の有機溶剤を供給するように構成された第１の溶剤供給部と、
前記基板に第２の有機溶剤を供給するように構成された第２の溶剤供給部と、
制御部とを備え、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記制御部は、
前記回転保持部及び前記洗浄液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記洗浄液の液膜を形成する第１の処理と、
前記第１の処理の後に、前記回転保持部及び前記リンス液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成しつつ、前記基板から前記洗浄液を排出する第２の処理と、
前記第２の処理の後に、前記回転保持部及び前記第１の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記リンス液を排出する第３の処理と、
前記第３の処理の後に、前記回転保持部及び前記第２の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出する第４の処理と、
前記第４の処理の後に、前記回転保持部を制御して、前記基板を乾燥させる第５の処理とを実行するように構成されており、
前記第４の処理は、
前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記基板に第２の有機溶剤を供給することと、
前記基板の低速回転時において、前記基板への前記第２の有機溶剤の供給量を増加させることとを含む、基板処理装置。
【請求項12】
前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記リンス液の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さく、
前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さい、請求項１１に記載の装置。
前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さい、請求項１１に記載の装置。
【請求項13】
前記第２の有機溶剤は、複数種類の有機溶剤が混合された混合液である、請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項14】
前記基板に第３の有機溶剤を供給するように構成された第３の溶剤供給部をさらに備え、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記制御部は、前記第４の処理の後で且つ前記第５の処理の前に、前記回転保持部及び前記第３の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出する第６の処理をさらに実行するように構成されている、請求項１１～１３のいずれか一項に記載の装置。
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記制御部は、前記第４の処理の後で且つ前記第５の処理の前に、前記回転保持部及び前記第３の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出する第６の処理をさらに実行するように構成されている、請求項１１～１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項15】
前記第６の処理は、前記回転保持部が前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記第３の溶剤供給部が前記基板に第３の有機溶剤を供給することを含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項16】
前記第６の処理は、前記基板の低速回転時に、前記第３の溶剤供給部が前記第３の有機溶剤の供給量を増加させることを含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項17】
基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、
前記基板に洗浄液を供給するように構成された洗浄液供給部と、
前記基板にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、
前記基板に第１の有機溶剤を供給するように構成された第１の溶剤供給部と、
前記基板に第２の有機溶剤を供給するように構成された第２の溶剤供給部と、
前記基板に第３の有機溶剤を供給するように構成された第３の溶剤供給部と、
制御部とを備え、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記制御部は、
前記回転保持部及び前記洗浄液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記洗浄液の液膜を形成する第１の処理と、
前記第１の処理の後に、前記回転保持部及び前記リンス液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成しつつ、前記基板から前記洗浄液を排出する第２の処理と、
前記第２の処理の後に、前記回転保持部及び前記第１の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記リンス液を排出する第３の処理と、
前記第３の処理の後に、前記回転保持部及び前記第２の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出する第４の処理と、
前記第４の処理の後に、前記回転保持部を制御して、前記基板を乾燥させる第５の処理と、
前記第４の処理の後で且つ前記第５の処理の前に、前記回転保持部及び前記第３の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出する第６の処理とを実行するように構成されており、
前記第６の処理は、
前記回転保持部が前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記第３の溶剤供給部が前記基板に第３の有機溶剤を供給することと、
前記基板の低速回転時に、前記第３の溶剤供給部が前記第３の有機溶剤の供給量を増加させることを含む、基板処理装置。
前記基板に洗浄液を供給するように構成された洗浄液供給部と、
前記基板にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、
前記基板に第１の有機溶剤を供給するように構成された第１の溶剤供給部と、
前記基板に第２の有機溶剤を供給するように構成された第２の溶剤供給部と、
前記基板に第３の有機溶剤を供給するように構成された第３の溶剤供給部と、
制御部とを備え、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記制御部は、
前記回転保持部及び前記洗浄液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記洗浄液の液膜を形成する第１の処理と、
前記第１の処理の後に、前記回転保持部及び前記リンス液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成しつつ、前記基板から前記洗浄液を排出する第２の処理と、
前記第２の処理の後に、前記回転保持部及び前記第１の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記リンス液を排出する第３の処理と、
前記第３の処理の後に、前記回転保持部及び前記第２の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出する第４の処理と、
前記第４の処理の後に、前記回転保持部を制御して、前記基板を乾燥させる第５の処理と、
前記第４の処理の後で且つ前記第５の処理の前に、前記回転保持部及び前記第３の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出する第６の処理とを実行するように構成されており、
前記第６の処理は、
前記回転保持部が前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記第３の溶剤供給部が前記基板に第３の有機溶剤を供給することと、
前記基板の低速回転時に、前記第３の溶剤供給部が前記第３の有機溶剤の供給量を増加させることを含む、基板処理装置。
【請求項18】
前記第６の処理における前記基板の最高回転数は、前記第４の処理における前記基板の最高回転数よりも大きい、請求項１５～１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項19】
前記第３の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さい、請求項１４～１８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項20】
前記第３の有機溶剤は、複数種類の有機溶剤が混合された混合液である、請求項１４～１９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項21】
請求項１～１０のいずれか一項に記載の方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項22】
基板を回転させつつ前記基板に洗浄液を供給して、前記基板に前記洗浄液の液膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板にリンス液を供給して、前記基板から前記洗浄液を排出すると共に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第１の有機溶剤を供給して、前記基板から前記リンス液を排出すると共に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第２の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記基板を乾燥させる第５の工程と、
前記第４の工程の後で且つ前記第５の工程の前に、前記基板を回転させつつ前記基板に第３の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成する第６の工程とを含み、
前記リンス液は、純水であり、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記リンス液の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さく、
前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さい、基板処理方法。
前記第１の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板にリンス液を供給して、前記基板から前記洗浄液を排出すると共に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第１の有機溶剤を供給して、前記基板から前記リンス液を排出すると共に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第２の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記基板を乾燥させる第５の工程と、
前記第４の工程の後で且つ前記第５の工程の前に、前記基板を回転させつつ前記基板に第３の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成する第６の工程とを含み、
前記リンス液は、純水であり、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記リンス液の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さく、
前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さい、基板処理方法。
【請求項23】
前記第１の有機溶剤は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）であり、
前記第２の有機溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）である、請求項２２に記載の方法。
前記第２の有機溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）である、請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、基板に処理液を供給する工程と、処理液の液膜が形成されている基板を加熱する工程と、基板に揮発性処理液を供給する工程と、揮発性処理液を除去して基板を乾燥する工程とを含む基板処理方法を開示している。加熱する工程は、基板の表面が揮発性処理液から露出するよりも前に基板の表面温度が露点温度よりも高くなるように、基板を加熱することを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１２－１４６９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、基板処理のコストを抑制しつつ、ウォーターマークの発生を抑制することが可能な基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
基板処理方法の一例は、基板を回転させつつ基板に洗浄液を供給して、基板に洗浄液の液膜を形成する第１の工程と、第１の工程の後に、基板を回転させつつ基板にリンス液を供給して、基板から洗浄液を排出すると共に、基板にリンス液の液膜を形成する第２の工程と、第２の工程の後に、基板を回転させつつ基板に第１の有機溶剤を供給して、基板からリンス液を排出すると共に、基板に第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、第３の工程の後に、基板を回転させつつ基板に第２の有機溶剤を供給して、基板から第１の有機溶剤を排出すると共に、基板に第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、基板を乾燥させる第５の工程とを含んでいてもよい。第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が第１の有機溶剤よりも低く、且つ、第１の有機溶剤よりも沸点が高くてもよい。
【発明の効果】
【0006】
本開示に係る基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、基板処理のコストを抑制しつつ、ウォーターマークの発生を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。なお、本明細書において、図の上、下、右、左というときは、符号の向きを基準とすることとする。
【0009】
［基板処理システム］
まず、図１を参照して、基板Ｗを処理するように構成された基板処理システム１（基板処理装置）について説明する。基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３と、コントローラＣｔｒ（制御部）とを備える。搬入出ステーション２及び処理ステーション３は、例えば水平方向に一列に並んでいてもよい。
まず、図１を参照して、基板Ｗを処理するように構成された基板処理システム１（基板処理装置）について説明する。基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３と、コントローラＣｔｒ（制御部）とを備える。搬入出ステーション２及び処理ステーション３は、例えば水平方向に一列に並んでいてもよい。
【0010】
基板Ｗは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。基板Ｗは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。基板Ｗは、例えば、半導体基板（シリコンウエハ）、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。基板Ｗの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。後述する図２に示されるように、基板Ｗの表面Ｗａに所定のパターンＰが形成されていてもよい。
【0011】
搬入出ステーション２は、載置部４と、搬入搬出部５と、棚ユニット６とを含む。載置部４は、幅方向（図１の上下方向）において並ぶ複数の載置台（図示せず）を含んでいる。各載置台は、キャリア７（収容容器）を載置可能に構成されている。キャリア７は、少なくとも一つの基板Ｗを密封状態で収容するように構成されている。キャリア７は、基板Ｗを出し入れするための開閉扉（図示せず）を含む。
【0012】
搬入搬出部５は、搬入出ステーション２及び処理ステーション３が並ぶ方向（図１の左右方向）において、載置部４に隣接して配置されている。搬入搬出部５は、載置部４に対応して設けられた開閉扉（図示せず）を含む。載置部４上にキャリア７が載置された状態で、キャリア７の開閉扉と搬入搬出部５の開閉扉とが共に開放されることで、搬入搬出部５内とキャリア７内とが連通する。
【0013】
搬入搬出部５は、搬送アームＡ１及び棚ユニット６を内蔵している。搬送アームＡ１は、搬入搬出部５の幅方向（図１の上下方向）における水平移動と、鉛直方向における上下動と、鉛直軸周りにおける旋回動作とが可能に構成されている。搬送アームＡ１は、キャリア７から基板Ｗを取り出して棚ユニット６に渡し、また、棚ユニット６から基板Ｗを受け取ってキャリア７内に戻すように構成されている。棚ユニット６は、処理ステーション３の近傍に位置しており、搬入搬出部５と処理ステーション３との間での基板Ｗの受け渡しを仲介するように構成されている。
【0014】
処理ステーション３は、搬送部８と、複数の処理ユニット１０とを含む。搬送部８は、例えば、搬入出ステーション２及び処理ステーション３が並ぶ方向（図１の左右方向）において水平に延びている。搬送部８は、搬送アームＡ２を内蔵している。搬送アームＡ２は、搬送部８の長手方向（図１の左右方向）における水平移動と、鉛直方向における上下動と、鉛直軸周りにおける旋回動作とが可能に構成されている。搬送アームＡ２は、棚ユニット６から基板Ｗを取り出して各処理ユニット１０に渡し、また、各処理ユニット１０から基板Ｗを受け取って棚ユニット６内に戻すように構成されている。
【0015】
複数の処理ユニット１０は、搬送部８の両側のそれぞれにおいて、搬送部８の長手方向（図１の左右方向）に沿って一列に並ぶように配置されている。処理ユニット１０は、基板Ｗに所定の処理（例えば、洗浄処理）を行うように構成されている。処理ユニット１０の詳細については、後述する。
【0016】
コントローラＣｔｒは、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御するように構成されている。コントローラＣｔｒの詳細については後述する。
【0017】
［処理ユニット］
続いて、図２を参照して、処理ユニット１０について詳しく説明する。処理ユニット１０は、回転保持部２０と、洗浄液供給部３０と、リンス液供給部４０と、溶剤供給部５０（第１の溶剤供給部）と、溶剤供給部６０（第２の溶剤供給部）と、溶剤供給部７０（第３の溶剤供給部）とを備える。
続いて、図２を参照して、処理ユニット１０について詳しく説明する。処理ユニット１０は、回転保持部２０と、洗浄液供給部３０と、リンス液供給部４０と、溶剤供給部５０（第１の溶剤供給部）と、溶剤供給部６０（第２の溶剤供給部）と、溶剤供給部７０（第３の溶剤供給部）とを備える。
【0018】
回転保持部２０は、回転部２１と、シャフト２２と、保持部２３とを含む。回転部２１は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、シャフト２２を回転させるように構成されている。回転部２１は、例えば電動モータ等の動力源であってもよい。
【0019】
保持部２３は、シャフト２２の先端部に設けられている。保持部２３は、例えば吸着等により、基板Ｗの裏面全体を吸着保持するように構成されていてもよい。この場合、基板Ｗに反りなどがあっても、保持部２３の表面に沿って基板Ｗが略水平となるように矯正される。すなわち、回転保持部２０は、基板Ｗの姿勢が略水平の状態で、基板Ｗの表面に対して垂直な中心軸（回転軸）周りで基板Ｗを回転させるように構成されていてもよい。図２に例示されるように、回転保持部２０は、上方から見て反時計回りに基板Ｗを回転させてもよい。
【0020】
洗浄液供給部３０は、基板Ｗに洗浄液Ｌ１を供給するように構成されている。洗浄液Ｌ１は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａの薄膜（例えば、シリコン酸化膜などの自然酸化膜）を除去するための酸性の薬液や、基板Ｗの表面Ｗａに付着した異物（例えば、パーティクル、有機物など）を除去するためのアルカリ性の薬液を含む。酸性の薬液は、例えば、ＳＣ－２液（塩酸、過酸化水素及び純水の混合液）、ＨＦ液（フッ酸）、ＤＨＦ液（希フッ酸）、ＨＮＯ３＋ＨＦ液（硝酸及びフッ酸の混合液）などを含む。アルカリ性の薬液は、例えば、ＳＣ－１液（アンモニア、過酸化水素及び純水の混合液）、過酸化水素水などを含む。
【0021】
洗浄液供給部３０は、液源３１と、ポンプ３２と、バルブ３３と、ノズル３４と、配管３５とを含む。液源３１は、洗浄液Ｌ１の供給源である。ポンプ３２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源３１から吸引した洗浄液Ｌ１を、配管３５及びバルブ３３を介してノズル３４に送り出すように構成されている。
【0022】
バルブ３３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管３５における流体の流通を許容する開状態と、配管３５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル３４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル３４は、ポンプ３２から送り出された洗浄液Ｌ１を吐出口から吐出するように構成されている。
【0023】
ノズル３４は、図示しない駆動源に対して直接的又は間接的に接続されていてもよい。当該駆動源は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、基板Ｗの上方において、水平方向又は鉛直方向に沿ってノズル３４を移動させるように構成されていてもよい。配管３５は、上流側から順に、液源３１、ポンプ３２、バルブ３３及びノズル３４を接続している。
【0024】
リンス液供給部４０は、基板Ｗにリンス液Ｌ２を供給するように構成されている。リンス液Ｌ２は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａに供給された洗浄液Ｌ１及び洗浄液Ｌ１による膜の溶解成分を表面Ｗａから除去する（洗い流す）ための液である。リンス液Ｌ２は、例えば、純水（ＤＩＷ：deionized water）、オゾン水、炭酸水（ＣＯ２水）、アンモニア水などを含む。
【0025】
リンス液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズル４４と、配管４５とを含む。液源４１は、リンス液Ｌ２の供給源である。ポンプ４２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源４１から吸引したリンス液Ｌ２を、配管４５及びバルブ４３を介してノズル４４に送り出すように構成されている。
【0026】
バルブ４３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管４５における流体の流通を許容する開状態と、配管４５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル４４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル４４は、ポンプ４２から送り出されたリンス液Ｌ２を吐出口から吐出するように構成されている。
【0027】
ノズル４４は、図示しない駆動源に対して直接的又は間接的に接続されていてもよい。当該駆動源は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、基板Ｗの上方において、水平方向又は鉛直方向に沿ってノズル４４を移動させるように構成されていてもよい。配管４５は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３及びノズル４４を接続している。
【0028】
溶剤供給部５０は、基板Ｗに有機溶剤Ｌ３（第１の有機溶剤）を供給するように構成されている。有機溶剤Ｌ３は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａに供給されたリンス液Ｌ２を表面Ｗａから除去する（洗い流す）ための液である。有機溶剤Ｌ３は、例えば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などを含む。
【0029】
溶剤供給部５０は、液源５１と、ポンプ５２と、バルブ５３と、ノズル５４と、配管５５とを含む。液源５１は、有機溶剤Ｌ３の供給源である。ポンプ５２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源５１から吸引した有機溶剤Ｌ３を、配管５５及びバルブ５３を介してノズル５４に送り出すように構成されている。
【0030】
バルブ５３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管５５における流体の流通を許容する開状態と、配管５５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル５４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル５４は、ポンプ５２から送り出された有機溶剤Ｌ３を吐出口から吐出するように構成されている。
【0031】
ノズル５４は、図示しない駆動源に対して直接的又は間接的に接続されていてもよい。当該駆動源は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、基板Ｗの上方において、水平方向又は鉛直方向に沿ってノズル５４を移動させるように構成されていてもよい。配管５５は、上流側から順に、液源５１、ポンプ５２、バルブ５３及びノズル５４を接続している。
【0032】
溶剤供給部６０は、基板Ｗに有機溶剤Ｌ４（第２の有機溶剤）を供給するように構成されている。有機溶剤Ｌ４は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａに供給された有機溶剤Ｌ３を表面Ｗａから除去する（洗い流す）ための液である。有機溶剤Ｌ４の詳細については、後述する。
【0033】
溶剤供給部６０は、液源６１と、ポンプ６２と、バルブ６３と、ノズル６４と、配管６５とを含む。液源６１は、有機溶剤Ｌ４の供給源である。ポンプ６２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源６１から吸引した有機溶剤Ｌ４を、配管６５及びバルブ６３を介してノズル６４に送り出すように構成されている。
【0034】
バルブ６３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管６５における流体の流通を許容する開状態と、配管６５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル６４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル６４は、ポンプ６２から送り出された有機溶剤Ｌ４を吐出口から吐出するように構成されている。
【0035】
ノズル６４は、図示しない駆動源に対して直接的又は間接的に接続されていてもよい。当該駆動源は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、基板Ｗの上方において、水平方向又は鉛直方向に沿ってノズル６４を移動させるように構成されていてもよい。配管６５は、上流側から順に、液源６１、ポンプ６２、バルブ６３及びノズル６４を接続している。
【0036】
溶剤供給部７０は、基板Ｗに有機溶剤Ｌ５（第３の有機溶剤）を供給するように構成されている。有機溶剤Ｌ５は、例えば、基板Ｗの表面Ｗａに供給された有機溶剤Ｌ４を表面Ｗａから除去する（洗い流す）ための液である。有機溶剤Ｌ５の詳細については、後述する。
【0037】
溶剤供給部７０は、液源７１と、ポンプ７２と、バルブ７３と、ノズル７４と、配管７５とを含む。液源７１は、有機溶剤Ｌ５の供給源である。ポンプ７２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源７１から吸引した有機溶剤Ｌ５を、配管７５及びバルブ７３を介してノズル７４に送り出すように構成されている。
【0038】
バルブ７３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管７５における流体の流通を許容する開状態と、配管７５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル７４は、吐出口が基板Ｗの表面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル７４は、ポンプ７２から送り出された有機溶剤Ｌ５を吐出口から吐出するように構成されている。
【0039】
ノズル７４は、図示しない駆動源に対して直接的又は間接的に接続されていてもよい。当該駆動源は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、基板Ｗの上方において、水平方向又は鉛直方向に沿ってノズル７４を移動させるように構成されていてもよい。配管７５は、上流側から順に、液源７１、ポンプ７２、バルブ７３及びノズル７４を接続している。
【0040】
［基板処理用の液体］
ここで、本明細書において基板処理に用いられる液体について、より詳しく説明する。
ここで、本明細書において基板処理に用いられる液体について、より詳しく説明する。
【0041】
有機溶剤Ｌ４は、水に対する溶解性が有機溶剤Ｌ３よりも低く、且つ、有機溶剤Ｌ３よりも沸点が高い溶剤である。有機溶剤Ｌ５は、水に対する溶解性が有機溶剤Ｌ３よりも低く、且つ、有機溶剤Ｌ４よりも沸点が高い溶剤である。有機溶剤Ｌ４，Ｌ５は、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、酢酸ブチル（ｎＢＡ）又は乳酸エチルを主としたエステル類、シクロヘキサノン、高級アルコール（例えば、１－ペンタノール）、フロン系溶剤（例えば、３Ｍ社製「ＮＯＶＥＣ（登録商標）７３００」）、塩素系溶剤、長鎖アルカン（例えば、オクタン）および芳香族炭化水素（例えば、トルエン）からなる群から選択される少なくとも一つの溶剤であってもよい。
【0042】
有機溶剤Ｌ４，Ｌ５は、複数の有機溶剤が混合された混合液であってもよい。有機溶剤Ｌ４，Ｌ５は、上記の群から選択される２つ以上の溶剤が混合された混合液であってもよい。この場合、例えば、水への溶解性が異なる複数の有機溶剤を混合することにより、沸点等のパラメータを容易に調節することが可能となる。有機溶剤Ｌ４，Ｌ５は、例えば、１０質量％～９０質量％のＰＧＭＥと９０質量％～１０質量％のＰＧＭＥＡとが混合された混合液であってもよいし、１０質量％～９０質量％のＰＧＭＥと９０質量％～１０質量％の酢酸ブチルとが混合された混合液であってもよい。有機溶剤Ｌ４，Ｌ５は、例えば、７０質量％のＰＧＭＥと及び３０質量％のＰＧＭＥＡとが混合された混合液（ＯＫ７３シンナー：東京応化工業株式会社製）であってもよい。
【0043】
有機溶剤Ｌ３の溶解度パラメータ（以下、「ＳＰ値」ともいう。）は、リンス液Ｌ２のＳＰ値よりも小さくてもよい。有機溶剤Ｌ４のＳＰ値は、有機溶剤Ｌ３のＳＰ値よりも小さくてもよい。有機溶剤Ｌ５のＳＰ値は、有機溶剤Ｌ４のＳＰ値よりも小さくてもよい。ＳＰ値は物質間の親和性の尺度を示すパラメータであり、２つの成分のＳＰ値の差が小さいほど溶解度が大きくなることが経験的に知られている。ＳＰ値を推定する方法としては、例えば、Ｈａｎｓｅｎ法［C. M. Hansen: J. Paint Tech., 39 [505], 104-117 (1967)］、Ｈｏｙ法［H. L. Hoy:J.Paint Tech., 42 [540], 76-118 (1970)］、Ｆｅｄｏｒｓ法［R. F. Fedors: Polym. Eng. Sci., 14 [2], 147-154 (1974)］などが知られている。
【0044】
表１に、本明細書に例示された液体のうちのいくつかについて、沸点、水溶解性及びＳＰ値のデータを示す（出典：小林敏勝、外２０名、「溶解性パラメーター適用事例集」、株式会社情報機構、２００７年３月）。なお、表１のＳＰ値は、Ｆｅｄｏｒｓ法によって計算されたものである。
【表1】
【0045】
［コントローラの詳細］
コントローラＣｔｒは、図３に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラＣｔｒの機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｔｒを構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。
コントローラＣｔｒは、図３に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラＣｔｒの機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｔｒを構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。
【0046】
読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取るように構成されている。記録媒体ＲＭは、処理ユニット１０を含む基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭは、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。なお、以下では、基板処理システム１の各部は、回転部２１、保持部２３、ポンプ３２，４２，５２，６２，７２、バルブ３３，４３，５３，６３，７３を含みうる。
【0047】
記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶するように構成されている。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データなどを記憶してもよい。記憶部Ｍ２は、例えば、基板Ｗの処理のための処理条件などを記憶していてもよい。
【0048】
処理部Ｍ３は、各種データを処理するように構成されている。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、基板処理システム１の各部を動作させるための信号を生成してもよい。
【0049】
指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を、基板処理システム１の各部に送信するように構成されている。
【0050】
コントローラＣｔｒのハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成されていてもよい。コントローラＣｔｒは、図４に示されるように、ハードウェア上の構成として回路Ｃ１を含んでいてもよい。回路Ｃ１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路Ｃ１は、例えば、プロセッサＣ２と、メモリＣ３と、ストレージＣ４と、ドライバＣ５と、入出力ポートＣ６とを含んでいてもよい。
【0051】
プロセッサＣ２は、メモリＣ３及びストレージＣ４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポートＣ６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを実現するように構成されていてもよい。メモリＣ３及びストレージＣ４は、記憶部Ｍ２として機能してもよい。ドライバＣ５は、基板処理システム１の各部をそれぞれ駆動するように構成された回路であってもよい。入出力ポートＣ６は、ドライバＣ５と基板処理システム１の各部との間で、信号の入出力を仲介するように構成されていてもよい。
【0052】
基板処理システム１は、一つのコントローラＣｔｒを備えていてもよいし、複数のコントローラＣｔｒで構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラＣｔｒによって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラＣｔｒの組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒが複数のコンピュータ（回路Ｃ１）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路Ｃ１）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路Ｃ１）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒは、複数のプロセッサＣ２を有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサＣ２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサＣ２の組み合わせによって実現されていてもよい。
【0053】
［基板処理方法］
続いて、図５～図７を参照して、基板Ｗの処理方法について説明する。なお、当該方法の開始前に、載置部４の載置台にキャリア７が予め載置される。当該キャリア７内には、表面ＷａにパターンＰが形成された少なくとも一枚の基板Ｗが収容されている。
続いて、図５～図７を参照して、基板Ｗの処理方法について説明する。なお、当該方法の開始前に、載置部４の載置台にキャリア７が予め載置される。当該キャリア７内には、表面ＷａにパターンＰが形成された少なくとも一枚の基板Ｗが収容されている。
【0054】
まず、コントローラＣｔｒが搬送アームＡ１，Ａ２を制御して、キャリア７から基板Ｗを１枚取り出し、いずれかの処理ユニット１０内に搬送する。処理ユニット１０内に搬送された基板Ｗは、保持部２３に載置される。
【0055】
次に、コントローラＣｔｒが回転部２１及び保持部２３（回転保持部２０）を制御して、基板Ｗの裏面を保持部２３で吸着保持し、且つ、基板Ｗを回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒがポンプ３２及びバルブ３３（洗浄液供給部３０）を制御して、ノズル３４から基板Ｗの表面Ｗａの中央近傍に洗浄液Ｌ１を供給させる（図５のステップＳ１０及び図６（ａ）参照）。基板Ｗの表面Ｗａに供給された洗浄液Ｌ１は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの中央部から外周縁に向けて表面Ｗａの全体を流れた後、基板Ｗの外周縁から外方に振り切られる。そのため、ノズル３４からの洗浄液Ｌ１の供給が継続されている間、基板Ｗの表面Ｗａに洗浄液Ｌ１の液膜が形成される。このとき、基板Ｗが洗浄液Ｌ１によって洗浄される。
【0056】
ステップＳ１０において、例えば、以下の処理条件１で基板Ｗに洗浄液Ｌ１が供給されてもよい。
＜処理条件１＞
基板Ｗの回転数： １０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
洗浄液Ｌ１の供給時間： ３０秒程度
洗浄液Ｌ１の吐出流量： １０００ｍｌ／ｍｉｎ程度
＜処理条件１＞
基板Ｗの回転数： １０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
洗浄液Ｌ１の供給時間： ３０秒程度
洗浄液Ｌ１の吐出流量： １０００ｍｌ／ｍｉｎ程度
【0057】
次に、コントローラＣｔｒが回転部２１及び保持部２３（回転保持部２０）を制御して、基板Ｗの裏面を保持部２３で吸着保持し、且つ、基板Ｗを回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒがポンプ４２及びバルブ４３（リンス液供給部４０）を制御して、ノズル４４から基板Ｗの表面Ｗａの中央近傍にリンス液Ｌ２を供給させる（図５のステップＳ１１及び図６（ｂ）参照）。基板Ｗの表面Ｗａに供給されたリンス液Ｌ２は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの中央部から外周縁に向けて洗浄液Ｌ１と置き換わりながら表面Ｗａの全体を流れた後、基板Ｗの外周縁から外方に振り切られる。そのため、基板Ｗの表面Ｗａから洗浄液Ｌ１が排出されると共に、ノズル４４からのリンス液Ｌ２の供給が継続されている間、基板Ｗの表面Ｗａにリンス液Ｌ２の液膜が形成される。
【0058】
ステップＳ１１において、例えば、以下の処理条件２で基板Ｗにリンス液Ｌ２が供給されてもよい。
＜処理条件２＞
基板Ｗの回転数： １０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
リンス液Ｌ２の供給時間： ３０秒程度
リンス液Ｌ２の吐出流量： １０００ｍｌ／ｍｉｎ程度
＜処理条件２＞
基板Ｗの回転数： １０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
リンス液Ｌ２の供給時間： ３０秒程度
リンス液Ｌ２の吐出流量： １０００ｍｌ／ｍｉｎ程度
【0059】
次に、コントローラＣｔｒが回転部２１及び保持部２３（回転保持部２０）を制御して、基板Ｗの裏面を保持部２３で吸着保持し、且つ、基板Ｗを回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒがポンプ５２及びバルブ５３（溶剤供給部５０）を制御して、ノズル５４から基板Ｗの表面Ｗａの中央近傍に有機溶剤Ｌ３を供給させる（図５のステップＳ１２及び図６（ｃ）参照）。基板Ｗの表面Ｗａに供給された有機溶剤Ｌ３は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの中央部から外周縁に向けてリンス液Ｌ２と置き換わりながら表面Ｗａの全体を流れた後、基板Ｗの外周縁から外方に振り切られる。そのため、基板Ｗの表面Ｗａからリンス液Ｌ２が排出されると共に、ノズル５４からの有機溶剤Ｌ３の供給が継続されている間、基板Ｗの表面Ｗａに有機溶剤Ｌ３の液膜が形成される。
【0060】
ステップＳ１２において、例えば、以下の処理条件３で基板Ｗに有機溶剤Ｌ３が供給されてもよい。
＜処理条件３＞
基板Ｗの回転数： １０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
有機溶剤Ｌ３の供給時間： ３０秒程度
有機溶剤Ｌ３の吐出流量： １００ｍｌ／ｍｉｎ程度
＜処理条件３＞
基板Ｗの回転数： １０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
有機溶剤Ｌ３の供給時間： ３０秒程度
有機溶剤Ｌ３の吐出流量： １００ｍｌ／ｍｉｎ程度
【0061】
次に、コントローラＣｔｒが回転部２１及び保持部２３（回転保持部２０）を制御して、基板Ｗの裏面を保持部２３で吸着保持し、且つ、基板Ｗを回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒがポンプ６２及びバルブ６３（溶剤供給部６０）を制御して、ノズル６４から基板Ｗの表面Ｗａの中央近傍に有機溶剤Ｌ４を供給させる（図５のステップＳ１３及び図７（ａ）参照）。基板Ｗの表面Ｗａに供給された有機溶剤Ｌ４は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの中央部から外周縁に向けて有機溶剤Ｌ３と置き換わりながら表面Ｗａの全体を流れた後、基板Ｗの外周縁から外方に振り切られる。そのため、基板Ｗの表面Ｗａから有機溶剤Ｌ３が排出されると共に、ノズル６４からの有機溶剤Ｌ４の供給が継続されている間、基板Ｗの表面Ｗａに有機溶剤Ｌ４の液膜が形成される。
【0062】
ステップＳ１３において、例えば、以下の処理条件４で基板Ｗに有機溶剤Ｌ４が供給されてもよい。
＜処理条件４＞
基板Ｗの回転数： １０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
有機溶剤Ｌ４の供給時間： １０秒程度
有機溶剤Ｌ４の吐出流量： １００ｍｌ／ｍｉｎ程度
＜処理条件４＞
基板Ｗの回転数： １０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
有機溶剤Ｌ４の供給時間： １０秒程度
有機溶剤Ｌ４の吐出流量： １００ｍｌ／ｍｉｎ程度
【0063】
次に、コントローラＣｔｒが回転部２１及び保持部２３（回転保持部２０）を制御して、基板Ｗの裏面を保持部２３で吸着保持し、且つ、基板Ｗを回転させる。この状態で、コントローラＣｔｒがポンプ７２及びバルブ７３（溶剤供給部７０）を制御して、ノズル７４から基板Ｗの表面Ｗａの中央近傍に有機溶剤Ｌ５を供給させる（図５のステップＳ１４及び図７（ｂ）参照）。基板Ｗの表面Ｗａに供給された有機溶剤Ｌ５は、基板Ｗの回転によって、基板Ｗの中央部から外周縁に向けて有機溶剤Ｌ４と置き換わりながら表面Ｗａの全体を流れた後、基板Ｗの外周縁から外方に振り切られる。そのため、基板Ｗの表面Ｗａから有機溶剤Ｌ４が排出されると共に、ノズル７４からの有機溶剤Ｌ５の供給が継続されている間、基板Ｗの表面Ｗａに有機溶剤Ｌ５の液膜が形成される。
【0064】
ステップＳ１４において、例えば、以下の処理条件５で基板Ｗに有機溶剤Ｌ５が供給されてもよい。
＜処理条件５＞
基板Ｗの回転数： １０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
有機溶剤Ｌ５の供給時間： １０秒程度
有機溶剤Ｌ５の吐出流量： １００ｍｌ／ｍｉｎ程度
＜処理条件５＞
基板Ｗの回転数： １０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
有機溶剤Ｌ５の供給時間： １０秒程度
有機溶剤Ｌ５の吐出流量： １００ｍｌ／ｍｉｎ程度
【0065】
次に、コントローラＣｔｒが回転部２１及び保持部２３（回転保持部２０）を制御して、基板Ｗの裏面を保持部２３で吸着保持し、且つ、基板Ｗを回転させる。これにより、基板Ｗの表面Ｗａの有機溶剤Ｌ５が基板Ｗの外周縁から外方に振り切られ、基板Ｗの乾燥が行われる（図５のステップＳ１５及び図７（ｃ）参照）。以上により、基板Ｗの処理が完了する。
【0066】
ステップＳ１５において、例えば、以下の処理条件６で基板Ｗが乾燥されてもよい。
＜処理条件６＞
基板Ｗの回転数： １５００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
基板Ｗの乾燥時間： ３０秒程度
＜処理条件６＞
基板Ｗの回転数： １５００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
基板Ｗの乾燥時間： ３０秒程度
【0067】
［作用］
以上の例によれば、基板Ｗに対して、有機溶剤Ｌ３、有機溶剤Ｌ４、有機溶剤Ｌ５がこの順に供給される。有機溶剤Ｌ４，Ｌ５は、水に対する溶解性が有機溶剤Ｌ３よりも低いので、大気中の水分を比較的取り込み難い。そのため、有機溶剤Ｌ３を有機溶剤Ｌ４で置換し、その後さらに有機溶剤Ｌ４を有機溶剤Ｌ５で置換した後に基板Ｗの乾燥が行われると、基板Ｗに水分が極めて残存し難くなる。また、有機溶剤Ｌ４は、有機溶剤Ｌ３よりも沸点が高いので、比較的気化し難い。加えて、有機溶剤Ｌ５は、有機溶剤Ｌ４よりも沸点が高いので、いっそう気化し難い。そのため、基板Ｗの温度低下が極めて生じ難い。したがって、加熱源や吸湿装置を追加することなく、雰囲気中の水分の結露や吸湿が抑制される。その結果、基板処理のコストを抑制しつつ、ウォーターマークの発生を抑制することが可能となる。
以上の例によれば、基板Ｗに対して、有機溶剤Ｌ３、有機溶剤Ｌ４、有機溶剤Ｌ５がこの順に供給される。有機溶剤Ｌ４，Ｌ５は、水に対する溶解性が有機溶剤Ｌ３よりも低いので、大気中の水分を比較的取り込み難い。そのため、有機溶剤Ｌ３を有機溶剤Ｌ４で置換し、その後さらに有機溶剤Ｌ４を有機溶剤Ｌ５で置換した後に基板Ｗの乾燥が行われると、基板Ｗに水分が極めて残存し難くなる。また、有機溶剤Ｌ４は、有機溶剤Ｌ３よりも沸点が高いので、比較的気化し難い。加えて、有機溶剤Ｌ５は、有機溶剤Ｌ４よりも沸点が高いので、いっそう気化し難い。そのため、基板Ｗの温度低下が極めて生じ難い。したがって、加熱源や吸湿装置を追加することなく、雰囲気中の水分の結露や吸湿が抑制される。その結果、基板処理のコストを抑制しつつ、ウォーターマークの発生を抑制することが可能となる。
【0068】
以上の例によれば、リンス液Ｌ２、有機溶剤Ｌ３、有機溶剤Ｌ４、有機溶剤Ｌ５の順に、ＳＰ値が小さくなるように設定されうる。この場合、有機溶剤Ｌ３はリンス液Ｌ２と溶解しやすく、有機溶剤Ｌ４は有機溶剤Ｌ３と溶解しやすく、有機溶剤Ｌ５は有機溶剤Ｌ４と溶解しやすくなる。したがって、有機溶剤Ｌ３が基板Ｗに供給されると、リンス液Ｌ２が有機溶剤Ｌ３に混ざり合って基板Ｗから排出され、リンス液Ｌ２が基板Ｗに残存し難くなる。同様に、有機溶剤Ｌ４が基板Ｗに供給されると、有機溶剤Ｌ３が有機溶剤Ｌ４に混ざり合って基板Ｗから排出され、有機溶剤Ｌ３が基板Ｗに残存し難くなる。さらに同様に、有機溶剤Ｌ５が基板Ｗに供給されると、有機溶剤Ｌ４が有機溶剤Ｌ５に混ざり合って基板Ｗから排出され、有機溶剤Ｌ４が基板Ｗに残存し難くなる。その結果、リンス液Ｌ２、有機溶剤Ｌ３及び有機溶剤Ｌ４が次々と後続の液に置換されるので、特にリンス液としてＤＩＷ（純水）が用いられている場合には、ウォーターマークの発生をより抑制することが可能となる。
【0069】
［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。特許請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。
【0070】
（１）ステップＳ１３において、基板Ｗの回転の加速及び減速を繰り返しつつ、基板Ｗに有機溶剤Ｌ４を供給してもよい。例えば、ステップＳ１３において、上記の処理条件４で基板Ｗに有機溶剤Ｌ４を供給した後に、下記の処理条件４Ａにて有機溶剤Ｌ４の供給を継続してもよい。すなわち、処理条件４Ａでは、基板Ｗの回転数を１００ｒｐｍ程度と１０００ｒｐｍ程度との間で変動させながら、基板Ｗの回転を加減速させてもよい。
＜処理条件４Ａ＞
基板Ｗの回転数： １００ｒｐｍ程度～１０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
有機溶剤Ｌ４の供給時間： ３０秒程度
有機溶剤Ｌ４の吐出流量： １００ｍｌ／ｍｉｎ程度
＜処理条件４Ａ＞
基板Ｗの回転数： １００ｒｐｍ程度～１０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
有機溶剤Ｌ４の供給時間： ３０秒程度
有機溶剤Ｌ４の吐出流量： １００ｍｌ／ｍｉｎ程度
【0071】
同様に、ステップＳ１４において、基板Ｗの回転の加速及び減速を繰り返しつつ、基板Ｗに有機溶剤Ｌ５を供給してもよい。例えば、ステップＳ１４において、上記の処理条件５で基板Ｗに有機溶剤Ｌ５を供給した後に、下記の処理条件５Ａにて有機溶剤Ｌ５の供給を継続してもよい。すなわち、処理条件５Ａでは、基板Ｗの回転数を１００ｒｐｍ程度と２０００ｒｐｍ程度との間で変動させながら、基板Ｗの回転を加減速させてもよい。
＜処理条件５Ａ＞
基板Ｗの回転数： １００ｒｐｍ程度～２０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
有機溶剤Ｌ４の供給時間： ３０秒程度
有機溶剤Ｌ４の吐出流量： １００ｍｌ／ｍｉｎ程度
＜処理条件５Ａ＞
基板Ｗの回転数： １００ｒｐｍ程度～２０００ｒｐｍ程度
基板Ｗの回転の加速度： ５００ｒｐｍ／ｓ程度
有機溶剤Ｌ４の供給時間： ３０秒程度
有機溶剤Ｌ４の吐出流量： １００ｍｌ／ｍｉｎ程度
【0072】
上記の場合、基板Ｗの回転の加速時には、基板Ｗ上の液が、基板Ｗの径方向において、基板Ｗの外周縁側に向かう（図８（ａ）参照）。そのため、基板ＷにパターンＰが形成されている場合には、パターンＰ間の隙間内において、上から下に向かった後に基板Ｗの回転中心側に向かう回転流が生ずる（同参照）。一方、基板Ｗの回転の減速時には、基板Ｗ上の液が、基板Ｗの径方向において、基板Ｗの回転中心側に向かう（図８（ｂ）参照）。そのため、基板ＷにパターンＰが形成されている場合には、パターンＰ間の隙間内において、基板Ｗの回転中心側で且つ斜め下方に向かう流れが生ずる（同参照）。したがって、基板Ｗの回転の加減速が繰り返されると、基板Ｗ上の液は、基板Ｗの径方向において揺動する。そのため、ステップＳ１３においては、有機溶剤Ｌ４が有機溶剤Ｌ３に対して置換されやすくなり、ステップＳ１４においては、有機溶剤Ｌ５が有機溶剤Ｌ４に対して置換されやすくなる。特に、基板ＷにパターンＰが形成されている場合には、図８（ｃ）に例示されるように、パターンＰ間の隙間に入り込んだ有機溶剤が、当該隙間内において後続の有機溶剤と混合され、前のステップで供給された有機溶剤が当該隙間から排出されやすくなる。したがって、前のステップで供給された有機溶剤を基板Ｗから効果的に排出することが可能となる。
【0073】
処理条件４Ａ，５Ａに例示されるように、ステップＳ１４における基板Ｗの最高回転数（例えば２０００ｒｐｍ程度）は、ステップＳ１３における基板Ｗの最高回転数（例えば１０００ｒｐｍ程度）よりも大きくてもよい。この場合、有機溶剤Ｌ５により大きな遠心力が作用するので、有機溶剤Ｌ４に対する有機溶剤Ｌ５への置換を促進させることが可能となる。
【0074】
（２）上記のように、ステップＳ１３，Ｓ１４において基板Ｗの回転の加速及び減速を繰り返す場合、基板Ｗの低速回転時（例えば、１００ｒｐｍ程度～３００ｒｐｍ程度の時）に、基板Ｗへの有機溶剤Ｌ４，Ｌ５の供給量を一時的に増加させてもよい。この場合、基板Ｗの低速回転時において、有機溶剤Ｌ４，Ｌ５の液溜まりＰＵが基板Ｗの表面Ｗａに形成される（図９（ａ）参照）。そのため、その後に基板Ｗの回転数が加速すると、比較的質量の大きな液溜まりＰＵが塊状態のまま基板Ｗの外周縁に向けて移動する（図９（ｂ）参照）。このとき、基板Ｗ上の液も、塊状の液溜まりＰＵの移動に引き寄せられて、基板Ｗの外周縁に移動する。特に、基板ＷにパターンＰが形成されている場合には、パターンＰ間の隙間に入り込んだ液（前のステップで供給された有機溶剤）が、塊状の液溜まりＰＵの移動によって当該隙間から外方に引き出される。したがって、前のステップで供給された有機溶剤を基板Ｗから効果的に排出することが可能となる。
【0075】
（３）以上の例では、有機溶剤Ｌ４の供給後に有機溶剤Ｌ５が基板Ｗに供給されていたが、有機溶剤Ｌ５の供給が行われなくてもよい。すなわち、図５のステップＳ１４が省略されてもよい。あるいは、有機溶剤Ｌ５の供給後に、さらに別の有機溶剤が基板Ｗに供給されてもよい。
【0076】
有機溶剤Ｌ３の後に複数の有機溶剤が供給される形態において、これらの複数の有機溶剤を、第２の有機溶剤、第３の有機溶剤、・・・、第Ｎの有機溶剤（Ｎは２以上の自然数）と呼ぶこととする。この場合、第ｎの有機溶剤（ｎは、３～Ｎのいずれかの自然数）は、水に対する溶解性が第１の有機溶剤よりも低く、且つ、第ｎ－１の有機溶剤よりも沸点が高くてもよい。また、第ｎの有機溶剤のＳＰ値は、第ｎ－１の有機溶剤のＳＰ値よりも小さく設定されてもよい。
【0077】
（４）以上の例では、各種液が基板Ｗの表面Ｗａに供給されていたが、基板Ｗの裏面に当該各種液が供給されてもよい。この場合も、基板処理のコストを抑制しつつ、ウォーターマークの発生を抑制することが可能となる。
【0078】
（５）パターンＰが形成されていない基板Ｗに本明細書の技術を適用してもよい。この場合も、基板処理のコストを抑制しつつ、ウォーターマークの発生を抑制することが可能となる。
【0079】
［他の例］
例１．基板処理方法の一例は、基板を回転させつつ基板に洗浄液を供給して、基板に洗浄液の液膜を形成する第１の工程と、第１の工程の後に、基板を回転させつつ基板にリンス液を供給して、基板から洗浄液を排出すると共に、基板にリンス液の液膜を形成する第２の工程と、第２の工程の後に、基板を回転させつつ基板に第１の有機溶剤を供給して、基板からリンス液を排出すると共に、基板に第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、第３の工程の後に、基板を回転させつつ基板に第２の有機溶剤を供給して、基板から第１の有機溶剤を排出すると共に、基板に第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、第４の工程の後に、基板を乾燥させる第５の工程とを含んでいてもよい。第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が第１の有機溶剤よりも低く、且つ、第１の有機溶剤よりも沸点が高くてもよい。
例１．基板処理方法の一例は、基板を回転させつつ基板に洗浄液を供給して、基板に洗浄液の液膜を形成する第１の工程と、第１の工程の後に、基板を回転させつつ基板にリンス液を供給して、基板から洗浄液を排出すると共に、基板にリンス液の液膜を形成する第２の工程と、第２の工程の後に、基板を回転させつつ基板に第１の有機溶剤を供給して、基板からリンス液を排出すると共に、基板に第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、第３の工程の後に、基板を回転させつつ基板に第２の有機溶剤を供給して、基板から第１の有機溶剤を排出すると共に、基板に第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、第４の工程の後に、基板を乾燥させる第５の工程とを含んでいてもよい。第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が第１の有機溶剤よりも低く、且つ、第１の有機溶剤よりも沸点が高くてもよい。
【0080】
ところで、基板へのリンス液の供給後に基板の乾燥が行われると、基板にパターンが形成されている場合には、リンス液の表面張力によってパターンの破損や倒壊の懸念がある。また、特に基板の表面が疎水化されている場合に顕著であるが、基板の外周部近傍において、液に作用する遠心力が大きくなり、液膜が途切れた状態が出現しやすくなる。この場合、基板のうち液膜が途切れた領域において、ウォーターマークが発生し、微小なパーティクルが付着する懸念がある。そのため、リンス液の後に、揮発性を有する有機溶剤（例えば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）など）を基板に供給し、リンス液を有機溶剤で置換した後に基板の乾燥を行う手法が知られている。
【0081】
しかしながら、この場合、有機溶剤の気化熱により基板が冷却され、雰囲気中の水分が基板上で結露して、基板にウォーターマークが発生する懸念がある。また、特にＩＰＡを用いた場合、ＩＰＡの吸湿性が高いため、基板にウォーターマークが発生する懸念が高まる。そのため、基板を加熱しながら基板処理する手法（特許文献１参照）や、基板の処理環境を乾燥雰囲気とする手法が知られている。これらの場合、加熱源や吸湿装置の追加が必要となり、装置のコストやランニングコストが増加しうる。
【0082】
一方、例１の場合、第１の有機溶剤の供給後に、第２の有機溶剤が供給される。第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が第１の有機溶剤よりも低いので、大気中の水分を比較的取り込み難い。そのため、第１の有機溶剤を第２の有機溶剤で置換した後に基板の乾燥が行われると、基板に水分が残存し難くなる。また、第２の有機溶剤は、第１の有機溶剤よりも沸点が高いので、比較的気化し難い。そのため、基板の温度低下が生じ難い。したがって、加熱源や吸湿装置を追加することなく、雰囲気中の水分の結露や吸湿が抑制される。その結果、基板処理のコストを抑制しつつ、ウォーターマークの発生を抑制することが可能となる。
【0083】
例２．例１の方法において、第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、リンス液の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さくてもよく、第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さくてもよい。溶解度パラメータ（ＳＰ値）が近い溶液同士ほど溶け合う傾向が強いことが知られている。そのため、例２によれば、第１の有機溶剤はリンス液と溶解しやすく、第２の有機溶剤は第１の有機溶剤と溶解しやすい。したがって、第１の有機溶剤が基板に供給されると、リンス液が第１の有機溶剤に混ざり合って基板から排出され、リンス液が基板に残存し難くなる。同様に、第２の有機溶剤が基板に供給されると、第１の有機溶剤が第２の有機溶剤に混ざり合って基板から排出され、第１の有機溶剤が基板に残存し難くなる。その結果、特にリンス液として純水が用いられている場合には、ウォーターマークの発生をより抑制することが可能となる。
【0084】
例３．例１又は例２の方法において、第２の有機溶剤は、複数種類の有機溶剤が混合された混合液であってもよい。この場合、例えば、水への溶解性が異なる複数の有機溶剤を混合することにより、沸点等のパラメータを容易に調節することが可能となる。
【0085】
例４．例１～例３のいずれかの方法において、第４の工程は、基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、基板に第２の有機溶剤を供給することを含んでいてもよい。この場合、基板上の液は、基板の径方向において、基板の外周縁側に向かったり、基板の中心側に向かったりする。すなわち、基板上の液は、基板の径方向において揺動する。そのため、第２の有機溶剤が第１の有機溶剤に対して置換されやすくなる。特に、基板にパターンが形成されている場合には、パターン間の隙間に入り込んだ第１の有機溶剤が、当該隙間内において第２の有機溶剤と混合され、当該隙間から第１の有機溶剤が排出されやすくなる。したがって、第１の有機溶剤を基板から効果的に排出することが可能となる。
【0086】
例５．例４の方法において、第４の工程は、基板の低速回転時において、基板への第２の有機溶剤の供給量を増加させることを含んでいてもよい。この場合、基板の低速回転時において、第２の有機溶剤の液溜まりが基板の表面に形成される。そのため、その後に基板の回転数が加速すると、比較的質量の大きな液溜まりが塊状態のまま基板の外周縁に向けて移動する。このとき、基板上の液も、塊状の液溜まりの移動に引き寄せられて、基板の外周縁に移動する。特に、基板にパターンが形成されている場合には、パターン間の隙間に入り込んだ第１の有機溶剤が、塊状の液溜まりの移動によって当該隙間から外方に引き出される。したがって、第１の有機溶剤を基板から効果的に排出することが可能となる。
【0087】
例６．例１～例５の方法は、第４の工程の後で且つ第５の工程の前に、基板を回転させつつ基板に第３の有機溶剤を供給して、基板から第２の有機溶剤を排出すると共に、基板に第３の有機溶剤の液膜を形成する第６の工程をさらに含んでいてもよい。第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が第１の有機溶剤よりも低く、且つ、第２の有機溶剤よりも沸点が高くてもよい。この場合、第２の有機溶剤の供給後に、第３の有機溶剤が供給される。第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が第２の有機溶剤よりも低いので、大気中の水分をいっそう取り込み難い。そのため、第２の有機溶剤を第３の有機溶剤で置換した後に基板の乾燥が行われると、基板に水分が極めて残存し難くなる。また、第３の有機溶剤は、第２の有機溶剤よりも沸点が高いので、いっそう気化し難い。そのため、基板の温度低下が極めて生じ難い。したがって、加熱源や吸湿装置を追加することなく、雰囲気中の水分の結露や吸湿が抑制される。その結果、基板処理のコストを抑制しつつ、ウォーターマークの発生をさらに抑制することが可能となる。
【0088】
例７．例６の方法において、第３の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さくてもよい。この場合、第３の有機溶剤は第２の有機溶剤と溶解しやすい。そのため、第３の有機溶剤が基板に供給されると、第２の有機溶剤が第３の有機溶剤に混ざり合って基板から排出され、第２の有機溶剤が基板に残存し難くなる。その結果、特にリンス液として純水が用いられている場合には、ウォーターマークの発生をより抑制することが可能となる。
【0089】
例８．例６又は例７の方法において、第３の有機溶剤は、複数種類の有機溶剤が混合された混合液であってもよい。この場合、例えば、水への溶解性が異なる複数の有機溶剤を混合することにより、沸点等のパラメータを容易に調節することが可能となる。
【0090】
例９．例６～例８のいずれかの方法において、第６の工程は、基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、基板に第３の有機溶剤を供給することを含んでいてもよい。この場合、例４と同様に、基板上の液は、基板の径方向において揺動する。そのため、第３の有機溶剤が第２の有機溶剤に対して置換されやすくなる。特に、基板にパターンが形成されている場合には、パターン間の隙間に入り込んだ第２の有機溶剤が、当該隙間内において第３の有機溶剤と混合され、当該隙間から第２の有機溶剤が排出されやすくなる。したがって、第２の有機溶剤を基板から効果的に排出することが可能となる。
【0091】
例１０．例９の方法において、第６の工程における基板の最高回転数は、第４の工程における基板の最高回転数よりも大きくてもよい。この場合、第３の有機溶剤により大きな遠心力が作用するので、第２の有機溶剤に対する第３の有機溶剤への置換を促進させることが可能となる。
【0092】
例１１．例９又は例１０の方法において、第６の工程は、基板の低速回転時において、基板への第３の有機溶剤の供給量を増加させることを含んでいてもよい。この場合、例５と同様に、基板上の液が、塊状の液溜まりの移動に引き寄せられて、基板の外周縁に移動する。特に、基板にパターンが形成されている場合には、パターン間の隙間に入り込んだ第２の有機溶剤が、塊状の液溜まりの移動によって当該隙間から外方に引き出される。したがって、第２の有機溶剤を基板から効果的に排出することが可能となる。
【0093】
例１２．基板処理装置の一例は、基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、基板に洗浄液を供給するように構成された洗浄液供給部と、基板にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、基板に第１の有機溶剤を供給するように構成された第１の溶剤供給部と、基板に第２の有機溶剤を供給するように構成された第２の溶剤供給部と、制御部とを備えていてもよい。第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が第１の有機溶剤よりも低く、且つ、第１の有機溶剤よりも沸点が高くてもよい。制御部は、回転保持部及び洗浄液供給部を制御して、回転保持部による基板の回転中に、基板に洗浄液の液膜を形成する第１の処理と、第１の処理の後に、回転保持部及びリンス液供給部を制御して、回転保持部による基板の回転中に、基板にリンス液の液膜を形成しつつ、基板から洗浄液を排出する第２の処理と、第２の処理の後に、回転保持部及び第１の溶剤供給部を制御して、回転保持部による基板の回転中に、基板に第１の有機溶剤の液膜を形成しつつ、基板からリンス液を排出する第３の処理と、第３の処理の後に、回転保持部及び第２の溶剤供給部を制御して、回転保持部による基板の回転中に、基板に第２の有機溶剤の液膜を形成しつつ、基板から第１の有機溶剤を排出する第４の処理と、第４の処理の後に、回転保持部を制御して、基板を乾燥させる第５の処理とを実行するように構成されていてもよい。この場合、例１の方法と同様の作用効果が得られる。
【0094】
例１３．例１２の装置において、第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、リンス液の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さくてもよく、第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さくてもよい。この場合、例２の方法と同様の作用効果が得られる。
【0095】
例１４．例１２又は例１３の装置において、第２の有機溶剤は、複数種類の有機溶剤が混合された混合液であってもよい。この場合、例３の方法と同様の作用効果が得られる。
【0096】
例１５．例１２～例１４のいずれかの装置において、第４の処理は、回転保持部が基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、第２の溶剤供給部が基板に第２の有機溶剤を供給することを含んでいてもよい。この場合、例４の方法と同様の作用効果が得られる。
【0097】
例１６．例１５の装置において、第４の処理は、基板の低速回転時に、第２の溶剤供給部が第２の有機溶剤の供給量を増加させることを含んでいてもよい。この場合、例５の方法と同様の作用効果が得られる。
【0098】
例１７．例１２～例１６のいずれかの装置は、基板に第３の有機溶剤を供給するように構成された第３の溶剤供給部をさらに備えていてもよい。第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が第１の有機溶剤よりも低く、且つ、第２の有機溶剤よりも沸点が高くてもよい。制御部は、第４の処理の後で且つ第５の処理の前に、回転保持部及び第３の溶剤供給部を制御して、回転保持部による基板の回転中に、基板に第３の有機溶剤の液膜を形成しつつ、基板から第２の有機溶剤を排出する第６の処理をさらに実行するように構成されていてもよい。この場合、例６の方法と同様の作用効果が得られる。
【0099】
例１８．例１７の装置において、第３の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さくてもよい。この場合、例７の方法と同様の作用効果が得られる。
【0100】
例１９．例１７又は例１８の装置において、第３の有機溶剤は、複数種類の有機溶剤が混合された混合液であってもよい。この場合、例８の方法と同様の作用効果が得られる。
【0101】
例２０．例１７～例１９のいずれかの装置において、第６の処理は、回転保持部が基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、第３の溶剤供給部が基板に第３の有機溶剤を供給することを含んでいてもよい。この場合、例９の方法と同様の作用効果が得られる。
【0102】
例２１．例２０の装置において、第６の処理における基板の最高回転数は、第４の処理における基板の最高回転数よりも大きくてもよい。この場合、例１０の方法と同様の作用効果が得られる。
【0103】
例２２．例２０又は例２１の装置において、第６の処理は、基板の低速回転時に、第３の溶剤供給部が第３の有機溶剤の供給量を増加させることを含んでいてもよい。この場合、例１１の方法と同様の作用効果が得られる。
【0104】
例２３．コンピュータ読み取り可能な記録媒体の一例は、例１～例１１のいずれかの方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録していてもよい。この場合、例１の方法と同様の作用効果が得られる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）又は伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）を含んでいてもよい。
【符号の説明】
【0105】
１…基板処理システム（基板処理装置）、１０…処理ユニット、２０…回転保持部、３０…洗浄液供給部、４０…リンス液供給部、５０…溶剤供給部（第１の溶剤供給部）、６０…溶剤供給部（第２の溶剤供給部）、７０…溶剤供給部（第３の溶剤供給部）、Ｃｔｒ…コントローラ（制御部）、Ｌ１…洗浄液、Ｌ２…リンス液、Ｌ３…有機溶剤（第１の有機溶剤）、Ｌ４…有機溶剤（第２の有機溶剤）、Ｌ５…有機溶剤（第３の有機溶剤）、Ｐ…パターン、ＲＭ…記録媒体、Ｗ…基板、Ｗａ…表面。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【手続補正書】
【提出日】2024-07-08
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を保持して回転させるように構成された回転保持部と、
前記基板に洗浄液を供給するように構成された洗浄液供給部と、
前記基板にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、
前記基板に第１の有機溶剤を供給するように構成された第１の溶剤供給部と、
前記基板に第２の有機溶剤を供給するように構成された第２の溶剤供給部と、
前記基板に第３の有機溶剤を供給するように構成された第３の溶剤供給部と、
制御部とを備え、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記リンス液の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さく、
前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さく、
前記制御部は、
前記回転保持部及び前記洗浄液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記洗浄液の液膜を形成する第１の処理と、
前記第１の処理の後に、前記回転保持部及び前記リンス液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成しつつ、前記基板から前記洗浄液を排出する第２の処理と、
前記第２の処理の後に、前記回転保持部及び前記第１の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記リンス液を排出する第３の処理と、
前記第３の処理の後に、前記回転保持部及び前記第２の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出する第４の処理と、
前記第４の処理の後に、前記回転保持部を制御して、前記基板を乾燥させる第５の処理と、
前記第４の処理の後で且つ前記第５の処理の前に、前記回転保持部及び前記第３の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出する第６の処理とを実行するように構成されている、基板処理装置。
前記基板に洗浄液を供給するように構成された洗浄液供給部と、
前記基板にリンス液を供給するように構成されたリンス液供給部と、
前記基板に第１の有機溶剤を供給するように構成された第１の溶剤供給部と、
前記基板に第２の有機溶剤を供給するように構成された第２の溶剤供給部と、
前記基板に第３の有機溶剤を供給するように構成された第３の溶剤供給部と、
制御部とを備え、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記リンス液の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さく、
前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さく、
前記制御部は、
前記回転保持部及び前記洗浄液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記洗浄液の液膜を形成する第１の処理と、
前記第１の処理の後に、前記回転保持部及び前記リンス液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成しつつ、前記基板から前記洗浄液を排出する第２の処理と、
前記第２の処理の後に、前記回転保持部及び前記第１の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記リンス液を排出する第３の処理と、
前記第３の処理の後に、前記回転保持部及び前記第２の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出する第４の処理と、
前記第４の処理の後に、前記回転保持部を制御して、前記基板を乾燥させる第５の処理と、
前記第４の処理の後で且つ前記第５の処理の前に、前記回転保持部及び前記第３の溶剤供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転中に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成しつつ、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出する第６の処理とを実行するように構成されている、基板処理装置。
【請求項2】
前記リンス液は、純水である、請求項１に記載の装置。
【請求項3】
前記第１の有機溶剤は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）であり、
前記第２の有機溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）である、請求項１又は２に記載の装置。
前記第２の有機溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）である、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項4】
前記第２の有機溶剤は、複数種類の有機溶剤が混合された混合液である、請求項１～３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項5】
前記第４の処理は、前記回転保持部が前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記第２の溶剤供給部が前記基板に第２の有機溶剤を供給することを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項6】
前記第４の処理は、前記基板の低速回転時に、前記第２の溶剤供給部が前記第２の有機溶剤の供給量を増加させることを含む、請求項５に記載の装置。
【請求項7】
前記第６の処理は、前記回転保持部が前記基板の回転の加速及び減速を繰り返しつつ、前記第３の溶剤供給部が前記基板に第３の有機溶剤を供給することを含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項8】
前記第６の処理は、前記基板の低速回転時に、前記第３の溶剤供給部が前記第３の有機溶剤の供給量を増加させることを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項9】
前記第６の処理における前記基板の最高回転数は、前記第４の処理における前記基板の最高回転数よりも大きい、請求項１～８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項10】
前記第３の有機溶剤は、複数種類の有機溶剤が混合された混合液である、請求項１～９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項11】
基板を回転させつつ前記基板に洗浄液を供給して、前記基板に前記洗浄液の液膜を形成する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板にリンス液を供給して、前記基板から前記洗浄液を排出すると共に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第１の有機溶剤を供給して、前記基板から前記リンス液を排出すると共に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第２の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記基板を乾燥させる第５の工程と、
前記第４の工程の後で且つ前記第５の工程の前に、前記基板を回転させつつ前記基板に第３の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成する第６の工程とを含み、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記リンス液の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さく、
前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さい、基板処理方法。
前記第１の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板にリンス液を供給して、前記基板から前記洗浄液を排出すると共に、前記基板に前記リンス液の液膜を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第１の有機溶剤を供給して、前記基板から前記リンス液を排出すると共に、前記基板に前記第１の有機溶剤の液膜を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記基板を回転させつつ前記基板に第２の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第１の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第２の有機溶剤の液膜を形成する第４の工程と、
前記第４の工程の後に、前記基板を乾燥させる第５の工程と、
前記第４の工程の後で且つ前記第５の工程の前に、前記基板を回転させつつ前記基板に第３の有機溶剤を供給して、前記基板から前記第２の有機溶剤を排出すると共に、前記基板に前記第３の有機溶剤の液膜を形成する第６の工程とを含み、
前記第２の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第１の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第３の有機溶剤は、水に対する溶解性が前記第１の有機溶剤よりも低く、且つ、前記第２の有機溶剤よりも沸点が高く、
前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記リンス液の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さく、
前記第２の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）は、前記第１の有機溶剤の溶解度パラメータ（ＳＰ値）よりも小さい、基板処理方法。
【請求項12】
請求項１１に記載の方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項13】
前記リンス液は純水である、請求項１２に記載の記録媒体。