特開 2024-124987 基板処理装置、および制御位置設定方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024124987

(43)【公開日】2024-09-13

(54)【発明の名称】基板処理装置、および制御位置設定方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240906BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20240906BHJP

   C23C 16/52 20060101ALI20240906BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

C23C16/44 F

C23C16/52

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023033019

(22)【出願日】2023-03-03

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】富永 凌也

(72)【発明者】

【氏名】藤尾 丹

(72)【発明者】

【氏名】百々 正已

(72)【発明者】

【氏名】渡邉 学

(72)【発明者】

【氏名】和田 博之

【テーマコード（参考）】

4K030

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K030EA06

4K030GA06

4K030GA12

4K030HA12

4K030KA39

4K030KA41

5F131AA02

5F131BA04

5F131CA32

5F131DB02

5F131EA04

5F131EB67

5F131EB72

5F131EB78

5F131EB81

5F131EB82

5F131EB85

(57)【要約】

【課題】リフタ部の制御位置を精度よく設定でき、かつ作業の効率化を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、真空容器と、回転テーブルと、載置台と、リフタ部と、リフタ部の動作を制御する制御部と、を備える。制御部は、リフタ部の動作における制御位置を自動的に設定する。制御部は、（Ａ）の工程において、第１ピッチだけリフタ部を上昇させた後に、基板にリフタ部が接触したか否かを判定する処理を繰り返して、基板にリフタ部を接触させて次回位置を設定する。制御部は、（Ｂ）の工程において、次回位置から、第１ピッチよりも短い第２ピッチだけリフタ部を上昇させた後、基板にリフタ部が接触したか否かを判定する処理を繰り返してタッチ位置を検出し、タッチ位置に基づき制御位置を算出する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

真空容器と、
前記真空容器の内部に回転可能に設けられる回転テーブルと、
前記回転テーブルの回転中心から離れた位置で基板を載置する載置台と、
前記載置台と相対的に変位して前記基板を昇降させるリフタ部と、
前記リフタ部の動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記リフタ部の動作における制御位置を自動的に設定する構成であり、当該制御位置の設定では、
（Ａ）第１ピッチだけ前記リフタ部を上昇させた後に、前記載置台に載置された前記基板に前記リフタ部が接触したか否かを判定する処理を繰り返すことで、前記基板に前記リフタ部が接触する位置を検出し、検出した位置に基づき次回位置を設定する工程と、
（Ｂ）前記次回位置から、前記第１ピッチよりも短い第２ピッチだけ前記リフタ部を上昇させた後、前記載置台に載置された前記基板に前記リフタ部が接触したか否かを判定する処理を繰り返すことで、前記基板に前記リフタ部が接触するタッチ位置を検出し、前記タッチ位置に基づき前記制御位置を算出する工程と、を制御する、
基板処理装置。

【請求項2】

前記制御位置は、前記リフタ部が支持した前記基板を前記載置台に載置する時または前記載置台から前記リフタ部が前記基板を浮上させる時に、前記リフタ部の速度を切り替える位置である、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記制御位置は、前記載置台に載置される前記基板よりも鉛直方向下側に設定されるロード位置と、前記載置台に載置される前記基板よりも鉛直方向上側に設定されるアンロード位置と、を含む、
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記制御部は、
前記（Ｂ）の工程で検出した前記タッチ位置にアンロード位置用調整値を加算することで前記アンロード位置を算出し、さらに算出した前記アンロード位置にロード位置用調整値を加算することで前記ロード位置を算出する、
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記次回位置は、前記（Ａ）の工程で前記基板に前記リフタ部が接触した位置に対して、下降する方向のオフセット値を加算した位置である、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記リフタ部の鉛直方向上側から前記載置台に載置された前記基板を撮像する撮像部を備え、
前記制御部は、
前記（Ａ）の工程において、前記リフタ部が前記第１ピッチ上昇する毎に前記撮像部により前記基板を撮像し、この撮像情報に基づき前記基板に前記リフタ部が接触したか否かを判定し、
前記（Ｂ）の工程において、前記リフタ部が前記第２ピッチ上昇する毎に前記撮像部により前記基板を撮像し、この撮像情報に基づき前記基板に前記リフタ部が接触したか否かを判定する、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記制御部は、前記載置台から前記基板が浮上した際に、前記撮像情報における前記基板の外縁の影の変化に基づき、前記基板に前記リフタ部が接触したか否かを判定する、
請求項６に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記制御部は、
前記（Ａ）の工程および前記（Ｂ）の工程において、前記リフタ部をピッチ毎に上昇させる動作の実行回数をカウントし、前記実行回数が回数閾値未満の場合に、上昇を続ける一方で、前記実行回数が前記回数閾値以上の場合に、異常を報知する、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記回転テーブルは、前記載置台を複数備え、複数の前記基板を回転させる構成であり、
前記制御部は、
複数の前記載置台について前記（Ａ）の工程および前記（Ｂ）の工程を行うことで、前記タッチ位置および前記制御位置を設定し、
かつ設定した複数の前記載置台の前記タッチ位置の差分を算出し、算出した前記差分に基づき複数の前記載置台の正常または異常を判定し、複数の前記載置台の異常を判定した場合にユーザに報知する、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。

【請求項10】

真空容器と、
前記真空容器の内部に回転可能に設けられる回転テーブルと、
前記回転テーブルの回転中心から離れた位置で基板を載置する載置台と、
前記載置台と相対的に変位して前記基板を昇降させるリフタ部と、を備える基板処理装置において、前記リフタ部の動作における制御位置を設定する制御位置設定方法であって、
（Ａ）第１ピッチだけ前記リフタ部を上昇させた後に、前記載置台に載置された前記基板に前記リフタ部が接触したか否かを判定する処理を繰り返すことで、前記基板に前記リフタ部が接触する位置を検出し、検出した位置に基づき次回位置を設定する工程と、
（Ｂ）前記次回位置から、前記第１ピッチよりも短い第２ピッチだけ前記リフタ部を上昇させた後、前記載置台に載置された前記基板に前記リフタ部が接触したか否かを判定する処理を繰り返すことで、前記基板に前記リフタ部が接触するタッチ位置を検出し、前記タッチ位置に基づき前記制御位置を算出する工程と、を有する、
制御位置設定方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、および制御位置設定方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、真空容器と、真空容器内で複数の基板を載置して回転する回転テーブルと、を備えた基板処理装置が開示されている。例えば、基板処理装置は、回転テーブルを回転させつつ、真空容器内に処理ガスを供給することで、載置された各基板に対して基板処理を行う。

【0003】

この種の基板処理装置は、回転テーブルの複数の載置台に基板を載置するために、真空容器の搬送口付近に上下に昇降可能なリフタ部を備える。基板処理装置のユーザは、リフタ部が昇降する際に使用する制御位置を、装置の立ち上げ時やメンテナンス時等に設定する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１５－０６０９３６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、リフタ部の制御位置を精度よく設定でき、かつ作業の効率化を図ることができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様によれば、真空容器と、前記真空容器の内部に回転可能に設けられる回転テーブルと、前記回転テーブルの回転中心から離れた位置で基板を載置する載置台と、前記載置台と相対的に変位して前記基板を昇降させるリフタ部と、前記リフタ部の動作を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記リフタ部の動作における制御位置を自動的に設定する構成であり、当該制御位置の設定では、（Ａ）第１ピッチだけ前記リフタ部を上昇させた後に、前記載置台に載置された前記基板に前記リフタ部が接触したか否かを判定する処理を繰り返すことで、前記基板に前記リフタ部が接触する位置を検出し、検出した位置に基づき次回位置を設定する工程と、（Ｂ）前記次回位置から、前記第１ピッチよりも短い第２ピッチだけ前記リフタ部を上昇させた後、前記載置台に載置された前記基板に前記リフタ部が接触したか否かを判定する処理を繰り返すことで、前記基板に前記リフタ部が接触するタッチ位置を検出し、前記タッチ位置に基づき前記制御位置を算出する工程と、を制御する、基板処理装置が提供される。

【発明の効果】

【0007】

一態様によれば、リフタ部の制御位置を精度よく設定でき、かつ作業の効率化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施形態に係る基板処理装置の構成例を示す縦断面図である。

【図2】図１の基板処理装置の真空容器内の構成を示す平面図である。

【図3】図１の基板処理装置の回転テーブルおよび載置台の構成を示す斜視図である。

【図4】図１のリフタ部の各上側構造部の周辺を拡大して示す部分断面図である。

【図5】リフタ部の制御位置設定方法の処理フローを示すフローチャートである。

【図6】ユーザインタフェースに表示される画面情報の一例を示す説明図である。

【図7】第１調整工程の処理フローを示すフローチャートである。

【図8】第２調整工程の処理フローを示すフローチャートである。

【図9】制御位置設定方法により設定したタッチ位置と、変位計により載置面を計測した実測値とを示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

［基板処理装置の構成］
図１～図３を参照して、基板処理装置１について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置１の構成例を示す縦断面図である。図２は、図１の基板処理装置１の真空容器１１内の構成を示す平面図である。なお、図２においては、説明の便宜上、天板の図示を省略している。図３は、図１の基板処理装置１の回転テーブル２１および載置台２１１の構成を示す斜視図である。

【0011】

基板処理装置１は、処理部１０、回転駆動装置２０、リフタ部３０および制御部９０を備える。

【0012】

処理部１０は、基板Ｗに膜を形成する成膜処理を実行する。処理部１０は、真空容器１１、ガス導入部１２、ガス排気部１３、搬送口１４、加熱部１５および冷却部１６を有する。

【0013】

真空容器１１は、内部の空間を減圧可能な処理容器である。真空容器１１は、略円形の平面形状を有する扁平な筐体に形成され、複数の基板Ｗを内部の空間に収容することができる。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハであってよい。真空容器１１は、本体１１１、天板１１２、側壁体１１３および底板１１４を含む（図１）。本体１１１は、円筒形状を有する。天板１１２は、本体１１１の上面に離脱可能に装着される。本体１１１と天板１１２とは、シール部１１５によって気密に密着する。側壁体１１３は、円筒形状を有し、本体１１１の下面に気密に連結される。底板１１４は、側壁体１１３の底面に気密に連結される。

【0014】

ガス導入部１２は、原料ガスノズル１２１、反応ガスノズル１２２および分離ガスノズル１２３、１２４を含む（図２）。原料ガスノズル１２１、反応ガスノズル１２２および分離ガスノズル１２３、１２４は、後述する回転テーブル２１の上方において、真空容器１１の周方向（図２の矢印Ａで示される方向）に沿って互いに間隔をあけて配置される。図示例では、搬送口１４から時計回り（回転テーブル２１の回転方向）に、分離ガスノズル１２３、原料ガスノズル１２１、分離ガスノズル１２４および反応ガスノズル１２２が、この順に配置される。原料ガスノズル１２１、反応ガスノズル１２２および分離ガスノズル１２３、１２４の各々は、各種のガスを導入するためのガス導入ポート１２１ｐ、１２２ｐ、１２３ｐ、１２４ｐ（図２）を基端部に有する。ガス導入ポート１２１ｐ、１２２ｐ、１２３ｐ、１２４ｐは、本体１１１の側壁に固定され、本体１１１の外部に突出している。原料ガスノズル１２１、反応ガスノズル１２２および分離ガスノズル１２３、１２４は、本体１１１の側壁から真空容器１１内に挿入され、本体１１１の半径方向内側に延出している。原料ガスノズル１２１、反応ガスノズル１２２および分離ガスノズル１２３、１２４は、例えば石英により形成されて、回転テーブル２１に対して平行に配置されている。

【0015】

原料ガスノズル１２１は、配管および流量制御器等（不図示）を介して、原料ガスの供給源（不図示）に接続される。原料ガスとしては、例えば、シリコン含有ガス、金属含有ガスを利用できる。原料ガスノズル１２１には、回転テーブル２１に向かって開口する複数の吐出孔（不図示）が、原料ガスノズル１２１の軸方向に沿って間隔を開けて配列される。原料ガスノズル１２１の下方領域は、原料ガスを基板Ｗに吸着させるための原料ガス吸着領域Ｐ１となる。

【0016】

反応ガスノズル１２２は、配管および流量制御器等（不図示）を介して、反応ガスの供給源（不図示）に接続される。反応ガスとしては、例えば、酸化ガス、窒化ガスを利用できる。反応ガスノズル１２２には、回転テーブル２１に向かって開口する複数の吐出孔（不図示）が、反応ガスノズル１２２の軸方向に沿って間隔を開けて配列される。反応ガスノズル１２２の下方領域は、原料ガス吸着領域Ｐ１において基板Ｗに吸着された原料ガスを酸化または窒化させる反応ガス供給領域Ｐ２となる。本実施形態において、基板Ｗを処理する処理ガスは、以上の原料ガスおよび反応ガスが該当する。

【0017】

分離ガスノズル１２３、１２４は、いずれも配管および流量制御バルブ等（不図示）を介して、分離ガスの供給源（不図示）に接続される。分離ガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガス、窒素（Ｎ_２）ガス等の不活性ガスを利用できる。分離ガスノズル１２３、１２４には、回転テーブル２１に向かって開口する複数の吐出孔（不図示）が、分離ガスノズル１２３、１２４の軸方向に沿って間隔を開けて配列される。

【0018】

また、図２に示すように、真空容器１１内には２つの凸状部１７が設けられる。凸状部１７は、分離ガスノズル１２３、１２４と共に分離領域Ｄを構成するため、回転テーブル２１に向かって突出するように天板１１２の裏面に取り付けられる。各凸状部１７は、頂部が円弧形状に切断された扇型の平面形状を有し、内円弧が突出部１８に連結し、外円弧が真空容器１１の側壁に沿うように配置される。

【0019】

ガス排気部１３は、第１の排気口１３１および第２の排気口１３２を含む（図２）。第１の排気口１３１は、原料ガス吸着領域Ｐ１に連通する第１の排気領域Ｅ１の底部に形成される。第２の排気口１３２は、反応ガス供給領域Ｐ２に連通する第２の排気領域Ｅ２の底部に形成される。第１の排気口１３１および第２の排気口１３２は、図示しない排気配管を介して排気装置（不図示）に接続される。

【0020】

搬送口１４は、本体１１１の側壁に設けられる（図２）。搬送口１４では、真空容器１１内の回転テーブル２１と、真空容器１１の外部の搬送装置１４ａとの間で基板Ｗの受け渡しが行われる。搬送口１４は、図示しないゲートバルブにより開閉される。

【0021】

加熱部１５は、固定軸１５１、ヒータ支持部１５２およびヒータ１５３を含む（図１）。

【0022】

固定軸１５１は、真空容器１１の中心を中心軸とする円柱形状を有する。固定軸１５１は、後述する回転駆動装置２０の回転軸２３の内側で、真空容器１１の底板１１４を貫通している。

【0023】

ヒータ支持部１５２は、固定軸１５１の上部に固定され、円板形状を有する。ヒータ支持部１５２は、ヒータ１５３を支持する。

【0024】

ヒータ１５３は、ヒータ支持部１５２の上面に設けられる。ヒータ１５３は、ヒータ支持部１５２の上面に加えて、本体１１１に設けられてもよい。ヒータ１５３は、電源（不図示）から電力が供給されることにより発熱し、基板Ｗを加熱する。また、ヒータ１５３は、処理ガスに対してヒータ１５３が晒されること防止する遮断プレートを、上面（回転テーブル２１に対向する面）に備えてもよい。

【0025】

冷却部１６は、流体流路１６１ａ～１６４ａ、チラーユニット１６１ｂ～１６４ｂ、入口配管１６１ｃ～１６４ｃおよび出口配管１６１ｄ～１６４ｄを含む（図１）。流体流路１６１ａ～１６４ａは、それぞれ本体１１１、天板１１２、底板１１４およびヒータ支持部１５２の内部に形成される。チラーユニット１６１ｂ～１６４ｂは、温調流体を出力する。チラーユニット１６１ｂ～１６４ｂから出力された温調流体は、入口配管１６１ｃ～１６４ｃ、流体流路１６１ａ～１６４ａおよび出口配管１６１ｄ～１６４ｄを、この順に流れて循環する。これにより、本体１１１、天板１１２、底板１１４およびヒータ支持部１５２の温度が調整される。温調流体としては、例えば、ガルデン（登録商標）等のフッ素系流体または水を利用できる。

【0026】

回転駆動装置２０は、回転テーブル２１、収容ボックス２２、回転軸２３、公転用モータ２４および外筒２５を有する。

【0027】

回転テーブル２１は、真空容器１１内に設けられ、真空容器１１の中心に回転中心を有する。回転テーブル２１は、例えば円板形状を有し、石英により形成される。回転テーブル２１の上面には、回転方向（周方向）に沿って複数（例えば６つ）の載置台２１１が設けられる。回転テーブル２１は、接続部２１４を介して収容ボックス２２に接続される（図３）。

【0028】

各載置台２１１は、基板Ｗよりも僅かに大きい円板形状を有し、例えば石英により形成される。各載置台２１１の上面には、基板Ｗを載置する載置面２１１ｓが形成される。各載置台２１１は、自転軸２１２を介して自転用モータ２１３に接続され、回転テーブル２１に対して回転可能に構成される（図１）。

【0029】

自転軸２１２は、載置台２１１の下面と、収容ボックス２２内に収容される自転用モータ２１３とを接続し、自転用モータ２１３の動力を載置台２１１に伝達する。自転軸２１２は、載置台２１１の中心を回転中心として回転可能に構成される。自転軸２１２は、収容ボックス２２の天井部２２２および回転テーブル２１を貫通して設けられる。収容ボックス２２の天井部２２２の貫通部近傍には、シール部２６３が設けられ、収容ボックス２２内の気密状態が維持される。シール部２６３は、例えば磁性流体シールを含む。

【0030】

自転用モータ２１３は、自転軸２１２を介して、載置台２１１を回転テーブル２１に対して回転させることで、基板Ｗの中心回りに基板Ｗを自転させる。自転用モータ２１３は、例えばサーボモータを適用することが好ましい。

【0031】

接続部２１４は、回転テーブル２１の下面と収容ボックス２２の上面とを接続する（図３）。接続部２１４は、回転テーブル２１の周方向に沿って複数設けられる。

【0032】

収容ボックス２２は、真空容器１１内における回転テーブル２１の下方に設けられる。収容ボックス２２は、接続部２１４を介して回転テーブル２１に接続され、回転テーブル２１と一体に回転する。収容ボックス２２は、昇降機構（不図示）により真空容器１１内で昇降可能に構成されてもよい。収容ボックス２２は、本体部２２１および天井部２２２を有する。

【0033】

本体部２２１は、縦断面視凹状に形成され、回転テーブル２１の回転方向に沿ってリング状に形成される（図１）。

【0034】

天井部２２２は、本体部２２１の開口を覆うように、本体部２２１の上面に設けられる。これにより、本体部２２１および天井部２２２は、真空容器１１内から隔離された回転収容部２２３を形成する。

【0035】

回転収容部２２３は、縦断面視矩形状に形成され、回転テーブル２１の回転方向に沿ってリング状を呈している。回転収容部２２３は、自転用モータ２１３（回転源）を収容する。本体部２２１には、回転収容部２２３と基板処理装置１の外部とを連通させる連通路２２４が形成される。これにより、回転収容部２２３に基板処理装置１の外部から大気が導入され、回転収容部２２３内が冷却されると共に、大気圧に維持される。この回転収容部２２３を回転可能に配置するために、真空容器１１は、側壁体１１３、底板１１４および加熱部１５により囲った回転源収容空間１９を有する。

【0036】

回転軸２３は、収容ボックス２２の下部に固定される。回転軸２３は、真空容器１１の底板１１４を貫通して設けられる。回転軸２３は、公転用モータ２４の動力を回転テーブル２１および収容ボックス２２に伝達し、回転テーブル２１および収容ボックス２２を一体に回転させる。固定軸１５１の外壁と回転駆動装置２０の回転軸２３の内壁との間には、シール部１５４が設けられる。これにより、回転軸２３は、真空容器１１内の気密状態を維持しながら、固定軸１５１に対して回転する。シール部１５４は、例えば、磁性流体シールを適用することができる。

【0037】

真空容器１１の底板１１４の中心側下面部には、回転駆動装置２０の外筒２５が連結されている。外筒２５は、真空容器１１の固定軸１５１と共に、真空容器１１を支持する。回転軸２３と外筒２５との間には、シール部１１６が設けられ、真空容器１１内の気密状態が維持される。シール部１１６は、例えば、磁性流体シールを適用することができる。

【0038】

回転軸２３の内部には、通路２３１が形成される。通路２３１は、収容ボックス２２の連通路２２４に接続され、収容ボックス２２内に大気を導入するための流体流路として機能する。また、通路２３１は、収容ボックス２２内に自転用モータ２１３を駆動させるための電力線および信号線を導入するための配線ダクトとしても機能する。通路２３１は、例えば、自転用モータ２１３と同じ数だけ設けられる。

【0039】

また図１に示すように、リフタ部３０は、搬送装置１４ａ（図２）が載置台２１１に基板Ｗを搬入および搬出する際に、複数（本実施形態では３つ）のリフトピン３１を昇降させ、搬送装置１４ａとの間で基板Ｗの受け取りおよび受け渡しを行う。基板処理装置１は、搬送口１４に隣接する載置台対向位置の鉛直方向下側にリフタ部３０を設置している。リフタ部３０は、複数のリフトピン３１をそれぞれ有する複数（３つ）の上側構造部４０と、複数のリフトピン３１を同時に昇降させる１つの下側動作部５０と、を真空容器１１に備える。また、基板処理装置１は、載置台対向位置の鉛直方向上側に、載置台２１１に搬送される基板Ｗを撮像するカメラ（撮像部）６０を備える（図２）。

【0040】

各上側構造部４０は、ヒータ支持部１５２およびヒータ１５３を貫通するように設置されると共に、リフトピン３１を変位可能に収容する。下側動作部５０は、真空容器１１の底板１１４の下面に取り付けられている。下側動作部５０は、鉛直方向に沿って変位して各リフトピン３１の下端３２をそれぞれ押圧する複数（３つ）のプランジャ５１を有している。すなわち、リフタ部３０は、稼動する部材として、基板Ｗに直接接触する複数のリフトピン３１と、リフトピン３１を介して基板Ｗを間接的に昇降させる複数のプランジャ５１と、を鉛直方向に分離して備えた２段構造を呈している。

【0041】

下側動作部５０は、各プランジャ５１の他に、筐体５２と、プランジャ駆動部５３と、を備える。また、プランジャ駆動部５３は、駆動源５４と、駆動源５４の動作力を伝達する駆動伝達部５５と、各プランジャ５１を支持すると共に駆動伝達部５５により筐体５２内を変位する可動体５６と、を含む。

【0042】

筐体５２は、外筒２５の側方において底板１１４に固定され、下側動作部５０の各構成を収容可能な適宜の形状に形成されている。駆動源５４は、筐体５２の下部に設けられ、制御部９０の制御に基づき動作して、その動作力を駆動伝達部５５に伝達する。駆動伝達部５５は、駆動源５４の動作力を適宜減速または変換することで、可動体５６を鉛直方向に昇降させる。可動体５６は、駆動伝達部５５から半径方向外側（水平）に延出しており、各プランジャ５１の下端部分を支持している。可動体５６は、駆動伝達部５５により鉛直方向に沿って昇降し、これに伴って各プランジャ５１を一体に変位させる。

【0043】

また、駆動伝達部５５は、駆動源５４の回転量（あるいはプランジャ５１の位置）を計測する図示しないエンコーダを備え、プランジャ５１の高さ位置、言い換えればリフトピン３１の高さ位置を検出している。これにより、制御部９０は、リフトピン３１の高さ位置を認識することができる。さらに、駆動伝達部５５は、各プランジャ５１の最小制御単位を、例えば０．０５ｍｍとしており、リフトピン３１を０．０５ｍｍ毎に上昇または下降させることができる。なお、リフトピン３１の昇降時の最小制御単位は、０．０５ｍｍに限定されず、任意に設計してよい。

【0044】

各プランジャ５１は、細長い中実の棒状に形成され、可動体５６に固定されることで、鉛直方向に平行に延びている。底板１１４において各プランジャ５１に対向する箇所には、各プランジャ５１を通過させる底板側貫通孔１１４ａが形成されている。また、収容ボックス２２の回転軸２３寄りおいて各プランジャ５１に対向する箇所は、当該収容ボックス２２を貫通して各プランジャ５１を通過させるボックス側貫通孔２２５が形成されている。

【0045】

各プランジャ５１は、リフトピン３１の非作動状態で、底板側貫通孔１１４ａから上端部分を若干突出させた形態で待機している。そして、各プランジャ５１は、基板Ｗの受け取りまたは受け渡し時に、可動体５６と共に上昇して、回転源収容空間１９内を移動する。各プランジャ５１は、収容ボックス２２の脇またはボックス側貫通孔２２５を通過して、各上側構造部４０のリフトピン３１に接触することで、当該リフトピン３１を押し上げる。

【0046】

図４は、図１のリフタ部３０の各上側構造部４０の周辺を拡大して示す部分断面図である。なお、図４では、代表的に２つのリフトピン３１および２つの上側構造部４０を図示している。各上側構造部４０は、リフトピン３１と、リフトピン３１を昇降可能に収容する収容部４１と、収容部４１の上部に配置されてリフトピン３１と同時に変位可能な筒部材４５と、を備える。

【0047】

複数（３つ）の上側構造部４０は、自転軸２１２から半径方向に間隔をあけた位置で、かつ載置台２１１の周方向に並ぶように設けられる。載置台２１１は、各上側構造部４０の配置位置に対応して、各リフトピン３１が通過可能な貫通孔２１１ａを複数（３つ）備えている（図２も参照）。

【0048】

リフトピン３１は、直線状に延在する円柱形状の部材であり、下端３２および上端３３を有する。リフトピン３１の下端３２は、プランジャ５１が下方に離れた位置にある場合に、ヒータ支持部１５２の下面よりも下方に位置している。リフトピン３１の上端３３は、プランジャに押圧されることで、ヒータ１５３よりも鉛直方向上側を移動する。

【0049】

上側構造部４０は、収容部４１に収容されたリフトピン３１を、鉛直方向下側に脱落不能に支持するように構成される。例えば、リフトピン３１は、下側から上側に向かって順に、下側棒部３４、フランジ形成部３５および上側棒部３６を有する。下側棒部３４、フランジ形成部３５および上側棒部３６は、相互に一体成形されている。

【0050】

下側棒部３４は、上側棒部３６よりも太く形成されており、下端３２の面積を広くしている。下側動作部５０により上昇してきたプランジャ５１が下端３２に接触して当該下端３２を押し上げることで、リフトピン３１全体を上昇させることができる。フランジ形成部３５は、収容部４１を構成する内壁に設けられた内側凸部４２に引っ掛かることで、後述する待機位置ＰＳからのリフトピン３１の抜けを規制する。上側棒部３６は、フランジ形成部３５から上端３３までの範囲を直線状に延在している。上端３３は、略半球状に形成されており、基板Ｗに対して点接触することが可能である。

【0051】

リフトピン３１を収容する収容部４１は、加熱部１５を鉛直方向に貫通しており、上記した内側凸部４２を鉛直方向下側に有する。収容部４１は、加熱部１５と別に形成された筒状ブランケット（不図示）を孔に装着して構成されてもよい。

【0052】

筒部材４５は、収容部４１の上部かつ内側に配置可能な円筒形状に形成され、リフトピン３１の上側棒部３６が内部に配置される。筒部材４５は、フランジ形成部３５の上面に支持されたコイルバネ４６を介して支持されている。筒部材４５は、収容部４１に対して相対移動可能であり、リフトピン３１の上昇時にコイルバネ４６を介して上側に押し出されることで、リフトピン３１と共に上昇する。筒部材４５は、上昇に伴い載置台２１１の裏面に接触することで、載置台２１１の貫通孔２１１ａと収容部４１との間を連通させる。筒部材４５が載置台２１１に接触すると、筒部材４５の上昇が停止する一方で、リフトピン３１は筒部材４５と相対的に上昇を続ける。これにより、リフトピン３１は、貫通孔２１１ａを通って載置台２１１よりも上方に進出して、基板Ｗを支持することができる。

【0053】

なお、図４では、各リフトピン３１を鉛直方向に沿うように支持した形態を例示しているが、各上側構造部４０は、回転テーブル２１の回転軸２３（公転軸）側に上端側が寄るように傾斜した姿勢で、各リフトピン３１を支持してもよい。これにより、各上側構造部４０は、各リフトピン３１の上昇時に回転軸２３に向かう方向に傾斜させて上昇させることができる。すなわち、各リフトピン３１は、回転テーブル２１の回転時の遠心力により半径方向外側に移動した基板Ｗを回転軸２３の中心側に寄せるように上昇するため、回転テーブル２１と基板Ｗとの擦れを回避して、パーティクルの発生を抑制できる。

【0054】

一方、カメラ６０は、搬送口隣接位置の天板１１２に設置されて、真空容器１１内において公転（回転）する載置台２１１を撮像する。なお、カメラ６０の撮像方向は、鉛直方向下側に沿うことに限定されずに、鉛直方向に対して傾斜した方向でもよい。カメラ６０は、制御部９０の制御下に、載置台２１１の内縁の一部（または全部）および載置台２１１に載置された基板Ｗの外縁の一部（または全部）を撮像して、その撮像情報を制御部９０に送信する。

【0055】

図１に戻り、制御部９０は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部９０は、制御本体９１と、ユーザインタフェース９５と、を有する。制御本体９１は、１以上のプロセッサ９２、メモリ９３、図示しない入出力インタフェースおよび通信インタフェースを有するコンピュータである。１以上のプロセッサ９２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）、複数のディスクリート半導体からなる回路等のうち１つまたは複数を組み合わせたものであり、メモリ９３に記憶されたプログラムを実行処理する。メモリ９３は、不揮発性メモリおよび揮発性メモリ（例えば、コンパクトディスク、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ハードディスク、フラッシュメモリ等）を含む。

【0056】

また、ユーザインタフェース９５は、制御本体９１の入出力インタフェースに接続される。このユーザインタフェース９５は、特に限定されるものでないが、例えば、タッチパネル、モニタ、キーボード、マウス等があげられる。

【0057】

制御部９０は、基板処理装置１の各構成を制御することで、搬送装置１４ａ（図２）から各載置台２１１への基板Ｗの受け取り、各基板Ｗに対する基板処理、および各載置台２１１から搬送装置１４ａへの基板Ｗの受け渡し等を制御する。例えば、制御部９０は、基板Ｗの受け取りにおいて、基板Ｗを載置する予定の載置台２１１を真空容器１１の搬送口１４の隣接位置に配置する。そして、制御部９０は、搬送口１４から搬送装置１４ａを進出させた後、リフタ部３０を動作させて各リフトピン３１を載置台２１１から上昇させ、搬送装置１４ａから基板Ｗを受け取る。制御部９０は、搬送装置１４ａを退避させた後、各リフトピン３１を下降させて載置台２１１に基板Ｗを載置する。また、制御部９０は、回転テーブル２１の回転により搬送口１４に隣接する載置台２１１を順次代えて、上記の動作を繰り返すことで、各載置台２１１に基板Ｗを配置していく。

【0058】

基板処理の実施時には、制御部９０は、真空容器１１を所定の内圧まで減圧すると共に、加熱部１５により各基板Ｗを加熱する。さらに、制御部９０は、回転テーブル２１を回転軸２３回りに回転させながら、各載置台２１１を自転軸２１２回りに回転させる。この状態で、ガス導入部１２の原料ガスノズル１２１により原料ガスを供給し、反応ガスノズル１２２により反応ガスを供給し、かつ分離ガスノズル１２３、１２４により分離ガスを供給することで、各基板Ｗの表面に所望の膜を成膜する。

【0059】

基板処理後の基板Ｗの受け渡しにおいて、制御部９０は、基板Ｗを受け渡す載置台２１１を真空容器１１の搬送口１４の隣接位置に配置して、リフタ部３０の各リフトピン３１を上昇させて、載置台２１１から基板Ｗを浮上させる。そして、制御部９０は、搬送装置１４ａの進入後に、各リフトピン３１を下降させることで、基板Ｗを搬送装置１４ａに受け渡す。これにより、搬送装置１４ａは、真空容器１１から基板Ｗを搬出する。また、制御部９０は、回転テーブル２１の回転により搬送口１４に隣接する載置台２１１を順次代えて、上記の動作を繰り返すことで、各載置台２１１から各基板Ｗを搬出していく。

【0060】

また、制御部９０は、リフタ部３０による各リフトピン３１の昇降時に、予め認識している各リフトピン３１の制御位置に基づき、各リフトピン３１の動作を制御する。図４に示すように、各リフトピン３１の制御位置としては、待機位置ＰＳ、タッチ位置ＰＴ、ロード位置ＰＬ、アンロード位置ＰＵ、搬送装置支持位置ＰＰ１、および浮上上限位置ＰＰ２があげられる。

【0061】

待機位置ＰＳは、基板処理装置１の基板処理時に、各リフトピン３１が待機する位置である。例えば、待機位置ＰＳにおいて、各リフトピン３１の上端３３は、ヒータ１５３の上面よりも若干突出した位置に設定される。これにより、リフタ部３０は、基板処理前や基板処理後に、各リフトピン３１を上昇させて基板Ｗの受け取りまたは受け取りを行う際の距離を短くでき、処理の効率化を図ることが可能となる。この待機位置ＰＳは、リフトピン３１および収容部４１の構成によって機械的に規定されてもよく、制御部９０のリフタ部３０の制御に伴って配置されてもよい。

【0062】

タッチ位置ＰＴは、載置台２１１に載置された基板Ｗに対して、上昇してきた各リフトピン３１の上端３３が接触する位置である。したがって、タッチ位置ＰＴは、載置台２１１の載置面２１１ｓの高さ位置と言い換えることができる。ここで、複数の載置面２１１ｓ（載置台２１１）の高さ位置は、回転テーブル２１の微量な傾きや機械的な寸法公差等によって、相互の間で若干変動している。制御部９０は、各載置台２１１におけるタッチ位置ＰＴをそれぞれ認識し、このタッチ位置ＰＴに応じて他の制御位置（ロード位置ＰＬ、アンロード位置ＰＵ等）を設定して、リフタ部３０を動作させることが要求される。このため、制御部９０は、リフタ部３０の制御位置設定方法において、リフタ部３０の上昇に伴い基板Ｗに接触するタッチ位置ＰＴを検出し、このタッチ位置ＰＴに基づき他の制御位置を算出する。このリフタ部３０の制御位置設定方法については後述する。

【0063】

一方、ロード位置ＰＬは、載置台２１１の載置面２１１ｓ（すなわち、タッチ位置ＰＴ）よりも低い位置に設定される。例えば、ロード位置ＰＬは、タッチ位置ＰＴから鉛直方向下側に向かって、０．３ｍｍ～０．９ｍｍの範囲のうち適宜の間隔だけ低い位置に設定される。このロード位置ＰＬは、アンロード位置ＰＵに基づいて設定されてもよい。

【0064】

制御部９０は、リフタ部３０の制御時に、エンコーダの検出に基づきプランジャ５１の高さ位置を認識し、各リフトピン３１の上端３３がロード位置ＰＬに達したか否かを判定することで、このロード位置ＰＬにて各リフトピン３１の速度を切り替える。つまり、ロード位置ＰＬは、各リフトピン３１の速度を切り替えるための制御位置として利用される。例えば、各リフトピン３１を上昇させる場合に、制御部９０は、上端３３がロード位置ＰＬまで上昇したことに基づき、各リフトピン３１の上昇の速度を低下させる。逆に、各リフトピン３１を下降させる場合に、制御部９０は、上端３３がロード位置ＰＬまで下降したことに基づき、各リフトピン３１の下降の速度を増加させる。

【0065】

アンロード位置ＰＵは、載置台２１１の載置面２１１ｓ（すなわち、タッチ位置ＰＴ）よりも高い位置に設定される。例えば、アンロード位置ＰＵは、タッチ位置ＰＴから鉛直方向上側に向かって、０．４ｍｍ～１．０ｍｍの範囲のうち適宜の間隔だけ高い位置に設定される。このアンロード位置ＰＵは、載置台２１１よりも上方の位置であり、各リフトピン３１によって支持する基板Ｗが存在する。各リフトピン３１により支持した基板Ｗの反り等の影響を抑制するため、タッチ位置ＰＴとアンロード位置ＰＵとの間隔は、タッチ位置ＰＴとロード位置ＰＬとの間隔よりも長く設定されるとよい。

【0066】

制御部９０は、リフタ部３０の制御時に、各リフトピン３１の上端３３がアンロード位置ＰＵに達したか否かを判定し、このアンロード位置ＰＵにおいて各リフトピン３１の速度を切り替える。つまり、アンロード位置ＰＵも、各リフトピン３１の速度を切り替えるための制御位置として利用される。例えば、各リフトピン３１を上昇させる場合に、制御部９０は、上端３３がアンロード位置ＰＵまで上昇したことに基づき、各リフトピン３１の上昇の速度を増加させる。逆に、各リフトピン３１を下降させる場合に、制御部９０は、上端３３がアンロード位置ＰＵまで下降したことに基づき、各リフトピン３１の下降の速度を低下させる。

【0067】

また、搬送装置支持位置ＰＰ１は、搬送装置１４ａが真空容器１１内に進入した際に、搬送装置１４ａが基板Ｗを支持する位置である。言い換えれば、搬送装置支持位置ＰＰ１は、搬送装置１４ａのエンドエフェクタの支持面に相当する。この搬送装置支持位置ＰＰ１は、タッチ位置ＰＴに基づき設定される相対的な位置ではなく、搬送装置１４ａを制御するために予め設定される固定値である。搬送装置１４ａが基板Ｗを支持している状態で、各リフトピン３１の上端３３が搬送装置支持位置ＰＰ１まで上昇すると、各リフトピン３１にて基板Ｗを受け取ることができる。搬送装置１４ａが空の状態で、基板Ｗを支持した各リフトピン３１の上端３３が搬送装置支持位置ＰＰ１まで下降すると、搬送装置１４ａに基板Ｗを受け渡すことができる。

【0068】

浮上上限位置ＰＰ２は、各リフトピン３１（上端３３）が上昇する際の限界位置であり、リフタ部３０の機械的な要素または制御部９０の制御位置により規定される。浮上上限位置ＰＰ２は、搬送装置支持位置ＰＰ１の鉛直方向上側に一定以上離れた位置に設定される固定値である。制御部９０は、搬送装置１４ａが支持している基板Ｗを受け取った後に、上端３３が浮上上限位置ＰＰ２に達するまで上昇させることで、搬送装置１４ａをスムーズに退避可能とする。また、制御部９０は、各リフトピン３１により基板Ｗを支持して浮上上限位置ＰＰ２に達するまで上昇させることで、搬送装置１４ａを基板Ｗの鉛直方向下側にスムーズに進入可能とする。

【0069】

制御部９０は、上記したリフタ部３０の制御において利用する制御位置（タッチ位置ＰＴ、ロード位置ＰＬ、アンロード位置ＰＵ）について、リフタ部３０の制御位置設定方法を実行することで設定する。リフタ部３０の制御位置設定方法は、基板処理装置１の設置後やメンテナンス後（装置の部品の交換、修理等）に実行する。次に、このリフタ部３０の制御位置設定方法について説明する。

【0070】

［制御位置設定方法］
図５は、リフタ部３０の制御位置設定方法の処理フローを示すフローチャートである。図５に示すように、制御部９０は、リフタ部３０の制御位置設定方法において、開始判定工程Ｓ１、基板搬送工程Ｓ２、第１調整工程Ｓ３、第２調整工程Ｓ４、スロット判定工程Ｓ５および誤差チェック工程Ｓ６を、この順に制御する。

【0071】

開始判定工程Ｓ１において、制御部９０は、制御位置設定方法を開始するトリガ条件が成立したか否かを判定し、トリガ条件が成立した場合に、第１調整工程Ｓ３以降の制御に移行する。このトリガ条件としては、制御部９０に接続されたユーザインタフェース９５を介して、ユーザが制御位置設定方法の実行を操作することがあげられる。

【0072】

図６は、ユーザインタフェース９５に表示される画面情報１００の一例を示す説明図である。開始判定工程Ｓ１において、制御部９０は、ユーザによるユーザインタフェース９５の操作下に、例えば、図６に示すような画面情報１００を表示する。画面情報１００は、現在位置表示部１０１、ロード位置表示部１０２、タッチ位置表示部１０３、アンロード位置表示部１０４、詳細調整開始位置表示部１０５および操作ボタン群１０６等を有する。

【0073】

現在位置表示部１０１は、リフトピン３１の上端３３の現在位置を示す表示領域である。例えば、現在位置表示部１０１は、上端３３の現在位置をｍｍ単位で表示すると共に、現在位置に対応する位置の名称等を表示する。

【0074】

ロード位置表示部１０２は、複数のスロット（載置台２１１）毎のロード位置ＰＬを示す表示領域である。例えば、ロード位置表示部１０２は、前回設定したロード位置ＰＬをスロット毎に表示する前回値表示欄１０２ａと、前回値表示欄１０２ａの隣接位置において今回設定したロード位置ＰＬをスロット毎に表示する今回値表示欄１０２ｂと、を有する。前回値表示欄１０２ａと今回値表示欄１０２ｂとを並べて表示することで、今回の制御位置設定方法で設定した値の変化をユーザに認識させ易くすることができる。

【0075】

タッチ位置表示部１０３は、複数のスロット（載置台２１１）毎のタッチ位置ＰＴを示す表示領域である。例えば、タッチ位置表示部１０３は、今回設定したタッチ位置を表示する今回値表示欄１０３ａと、今回値表示欄１０３ａの隣接位置においてスロット同士のタッチ位置に関わる情報を示すタッチ位置ステータス欄１０３ｂと、を有する。

【0076】

例えば、タッチ位置ステータス欄１０３ｂでは、各スロットのタッチ位置ＰＴうち最大値と最小値の差分を表示すると共に、算出した差分に基づき各載置台２１１の異常の有無を表示する。すなわち、各スロットのタッチ位置ＰＴの差分が大きい場合、載置台２１１の設置状態にそもそも異常が生じている可能性がある。そのため、制御部９０は、各スロットのタッチ位置ＰＴの差分と予め保有する閾値とを比較して、差分が閾値未満の場合には正常を判定する一方で、差分が閾値以上の場合には異常を判定してその結果を表示（報知）する。

【0077】

アンロード位置表示部１０４は、ロード位置表示部１０２と同様に表示され、複数のスロット（載置台２１１）毎のアンロード位置ＰＵを示す表示領域である。例えば、アンロード位置表示部１０４は、前回設定したアンロード位置ＰＵをスロット毎に表示する前回値表示欄１０４ａと、前回値表示欄１０４ａの隣接位置において今回設定したアンロード位置ＰＵをスロット毎に表示する今回値表示欄１０４ｂと、を有する。前回値表示欄１０４ａと今回値表示欄１０４ｂとを並べて表示することで、今回の制御位置設定方法に設定した値の変化をユーザに認識させ易くすることができる。

【0078】

詳細調整開始位置表示部１０５は、上記したリフタ部３０の制御位置設定方法の第１調整工程Ｓ３によって設定される詳細調整開始位置（次回位置）を表示する表示領域である。この詳細調整開始位置については、後に詳述する。

【0079】

一方、操作ボタン群１０６は、ユーザにより操作可能なボタンを並べて表示した領域である。操作ボタン群１０６のボタンとしては、例えば、実行ボタン１０６ａ、実行中断ボタン１０６ｂ、保存ボタン１０６ｃ、中止ボタン１０６ｄ、終了ボタン１０６ｅ等があげられる。

【0080】

実行ボタン１０６ａは、リフタ部３０の制御位置設定方法の実行を操作するためのボタンである。ユーザが実行ボタン１０６ａを押下すると、図６に示すように、制御部９０は、複数のスロット（載置台２１１）のうち１以上を選択する選択欄、および全てのスロットを選択する選択欄を示す別ウインドウ１０７を表示させる。この別ウインドウ１０７においてユーザが適宜の選択欄を選択することで、制御位置設定方法を行うスロットを決定する。この決定後に、制御部９０は、ユーザの設定内容に基づいて制御位置設定方法を開始する。

【0081】

また、実行中断ボタン１０６ｂは、実行している制御位置設定方法を途中で中断するためのボタンである。保存ボタン１０６ｃは、今回設定したタッチ位置ＰＴ、ロード位置ＰＬ、アンロード位置ＰＵを保存して、この位置に基づきリフタ部３０を動作させるためのボタンである。中止ボタン１０６ｄは、今回設定したタッチ位置ＰＴ、ロード位置ＰＬ、アンロード位置ＰＵを保存せずに制御位置設定方法を終了するためのボタンである。終了ボタン１０６ｅは、画面情報１００の表示（つまり、制御位置設定方法）を終了するためのボタンである。

【0082】

すなわち図５に示す開始判定工程Ｓ１において、制御部９０は、ユーザにより画面情報１００の実行ボタン１０６ａが押されることに基づき、基板搬送工程Ｓ２以降の各工程を順に制御していく。なお、制御部９０は、ユーザの操作に依らず、例えば、基板処理装置１の設置後やメンテナンス後に行う各種の設定のフローの中で、制御位置設定方法を自動的に実行してもよい。

【0083】

次の基板搬送工程Ｓ２において、制御部９０は、制御位置設定方法を行う各載置台２１１に基板Ｗを搬送する。制御位置設定方法に使用する基板Ｗは、ダミー基板であってもよい。例えば、全てのスロット（載置台２１１）に対して制御位置設定方法を実行する場合に、制御部９０は、回転テーブル２１の各載置台２１１の位置を変えながら、搬送装置１４ａにより基板Ｗを搬送して全ての載置台２１１に基板Ｗを載置する。この際のリフタ部３０の動作は、制御位置の前回値またはデフォルトの制御位置を利用してよい。一方、ユーザにより指定されたスロットのみに制御位置設定方法を実行する場合には、制御部９０は、回転テーブル２１を回転して目標の載置台２１１に基板Ｗを載置すればよい。

【0084】

そして、制御部９０は、第１調整工程Ｓ３において、リフタ部３０の各リフトピン３１が基板Ｗに接触するタッチ位置ＰＴについて粗く設定する。さらに、制御部９０は、第２調整工程Ｓ４において、第１調整工程Ｓ３で設定したタッチ位置ＰＴよりも詳細化したタッチ位置ＰＴを設定する。以下、第１調整工程Ｓ３および第２調整工程Ｓ４について、図７および図８を参照しながら説明する。図７は、第１調整工程Ｓ３の処理フローを示すフローチャートである。図８は、第２調整工程Ｓ４の処理フローを示すフローチャートである。

【0085】

第１調整工程Ｓ３において、制御部９０は、図７に示すステップＳ１０１～Ｓ１１１の動作を制御する。まず制御部９０は、リフタ部３０が対向する載置台２１１（制御位置を設定する予定のスロット）に基板Ｗが載置されているか否かを判定する（ステップＳ１０１）。例えば、制御部９０は、カメラ６０により載置台２１１を撮像して、その撮像情報に基板Ｗが含まれるか否かを判定することで、載置台２１１の基板Ｗの有無を判定する。そして、載置台２１１に基板Ｗが無い場合（ステップＳ１０１：ＮＯ）、制御部９０は、基板Ｗが無い旨のエラーを報知して今回の制御位置設定方法を終了する。一方、載置台２１１に基板Ｗが有る場合（ステップＳ１０１：ＹＥＳ）はステップＳ１０２に進む。

【0086】

ステップＳ１０２において、制御部９０は、下側動作部５０を動作させて各プランジャ５１を上昇させ、各プランジャ５１の上端が各リフトピン３１の下端３２に接触する位置に移動させる。これにより、各リフトピン３１は、収容部４１に収容された待機位置ＰＳから直ちに上昇可能な状態となる。

【0087】

次に、制御部９０は、下側動作部５０を動作させて各リフトピン３１の上端３３を、粗調整開始位置まで上昇させる（ステップＳ１０３）。この粗調整開始位置は、各リフトピン３１を第１ピッチ毎で上昇させる第１調整動作の開始位置であり、制御部９０内において予め設定される。例えば、粗調整開始位置は、前回のアンロード位置ＰＵに対して予め定められた離間距離（例えば、１ｍｍ）だけ低い位置に設定されるとよい。なお、粗調整開始位置は、ユーザインタフェース９５を介してユーザが設定する構成でもよい。あるいは、離間距離のほうをユーザが設定する構成でもよい。

【0088】

粗調整開始位置に上端３３が達すると、制御部９０は、第１調整動作およびカメラ６０の撮像情報に基づく基板Ｗの接触の判定を開始する。具体的には、制御部９０は、予め設定された第１ピッチだけ各リフトピン３１を上昇させる（ステップＳ１０４）。第１ピッチは、特に限定されるものではないが、例えば、各リフトピン３１を昇降させる最小制御単位の２倍以上に設定されることが好ましい。一例として、リフタ部３０が各リフトピン３１を０．０５ｍｍ単位で昇降させる機構の場合には、第１ピッチとして０．１ｍｍに設定することがあげられる。

【0089】

各リフトピン３１を第１ピッチだけ上昇させると、制御部９０は、一定期間にわたって動作を待機する（ステップＳ１０５）。これにより、各リフトピン３１の上昇時のぶれがなくなる。その後、制御部９０は、カメラ６０により基板Ｗおよび載置台２１１を撮像し、撮像情報について適宜の画像処理を施すことで、撮像情報から基板Ｗの情報および載置台２１１の情報を抽出可能とする（ステップＳ１０６）。

【0090】

そして、制御部９０は、撮像情報から取得した基板Ｗの情報および載置台２１１の情報に基づき、各リフトピン３１の上端３３が基板Ｗに接触したか否かを判定する（ステップＳ１０７）。各リフトピン３１と基板Ｗの接触の判定方法としては、例えば、撮像情報における基板Ｗの外縁の影を監視することがあげられる。すなわち、基板Ｗが載置面２１１ｓに載置されている状態では、基板Ｗの外縁の周囲に影が殆ど生じない。これに対して基板Ｗが載置面２１１ｓから僅かでも浮上すると、基板Ｗの外縁の周囲の影が大きくなる。したがって、制御部９０は、基板Ｗの外縁の周囲の影（画像処理により白黒の二値化したピクセル）の変化に基づき、各リフトピン３１によって基板Ｗが浮上したことを判定できる。

【0091】

制御部９０は、各リフトピン３１の上端３３が基板Ｗに接触していないと判定すると（ステップＳ１０７：ＮＯ）、ステップＳ１０８に進む。ステップＳ１０８において、制御部９０は、各リフトピン３１を上昇させる第１調整動作の実行回数をカウント（インクリメント）し、予め設定された回数閾値以上に実行回数が到達したか否かを判定する。実行回数が回数閾値以上に到達した場合とは、各リフトピン３１が基板Ｗに確実に接触する筈の位置に達しても、基板Ｗに接触していない状況であり、この場合、リフタ部３０に異常が生じている可能性がある。このため、制御部９０は、実行回数が回数閾値以上に到達した場合（ステップＳ１０８：ＹＥＳ）に、リフタ部３０のエラーを報知して今回の制御位置設定方法を終了する。

【0092】

一方、制御部９０は、実行回数が回数閾値以上に到達していない場合（ステップＳ１０８：ＮＯ）に、ステップＳ１０４に戻り、リフトピン３１を再び第１ピッチだけ上昇させる。制御部９０は、各リフトピン３１が基板Ｗに接触するまで、以上のステップＳ１０４～Ｓ１０８の処理フローを繰り返すことで、各リフトピン３１と基板Ｗの接触を安定的に判定できる。そして、制御部９０は、各リフトピン３１の上端３３が基板Ｗに接触したことを判定すると（ステップＳ１０７：ＹＥＳ）、ステップＳ１０９に進む。

【0093】

ステップＳ１０９において、制御部９０は、各リフトピン３１の現在位置を、第１調整工程Ｓ３における各リフトピン３１のタッチ位置ＰＴとして設定する。

【0094】

そして、制御部９０は、この各リフトピンの現在位置を用いて、第２調整工程Ｓ４における詳細調整開始位置（次回位置）を算出する（ステップＳ１１０）。詳細調整開始位置は、例えば、第１調整工程Ｓ３における各リフトピン３１の現在位置（タッチ位置ＰＴ）に対して、予め設定されたオフセット値を加算することで算出される。このオフセット値は、詳細調整開始位置を現在位置よりも鉛直方向下側に低くする数値（マイナスの値）に設定される。一例として、第１ピッチを０．１ｍｍとしていた場合には、－０．１ｍｍ～－０．３ｍｍ程度の範囲内にオフセット値を設定することがあげられる。これにより、詳細調整開始位置を現在位置よりも僅かに低くなる程度に設定でき、次の第２調整工程Ｓ４の処理効率を高めることができる。なお、オフセット値は、ユーザにより任意に設定されてもよい。

【0095】

制御部９０は、ステップＳ１１０の後、算出した詳細調整開始位置を次の第２調整工程Ｓ４を行うパラメータにセットすると共に、各リフトピン３１を待機位置ＰＳまで後退させる（Ｓ１１１）。これにより、第１調整工程Ｓ３が終了する。また、制御部９０は、詳細調整開始位置をセットした際に、図６に示すように画面情報１００の詳細調整開始位置表示部１０５に、セットした詳細調整開始位置を表示する。なお、制御部９０は、ユーザにより詳細調整開始位置表示部１０５に詳細調整開始位置を入力（書き換え）可能とし、ユーザがセットした詳細調整開始位置に基づき、第２調整工程Ｓ４を実施する構成でもよい。例えば、ユーザは、タッチ位置ＰＴの前回値を参考に詳細調整開始位置を入力すればよい。

【0096】

以上の第１調整工程Ｓ３の実施後に、制御部９０は、第２調整工程Ｓ４に移行して図８に示すステップＳ２０１～Ｓ２１２の動作を制御する。ステップＳ２０１、Ｓ２０２は、第１調整工程Ｓ３のステップＳ１０１、Ｓ１０２と同じ処理である。なお、第１調整工程Ｓ３を経た後は載置台２１１に基板Ｗが確実に載置されているので、制御部９０は、ステップＳ２０１を省略してもよい。

【0097】

ステップＳ２０３において、制御部９０は、下側動作部５０を動作させて各リフトピン３１の上端３３を、第１調整工程Ｓ３でセットした詳細調整開始位置まで上昇させる。詳細調整開始位置に上端３３が達すると、制御部９０は、第２調整動作およびカメラ６０の撮像情報に基づく基板Ｗの接触の判定を開始する。

【0098】

具体的には、制御部９０は、予め設定された第２ピッチだけ各リフトピン３１を上昇させる（ステップＳ２０４）。第２ピッチは、例えば、各リフトピン３１を昇降させる最小制御単位に設定するとよい。一例として、リフタ部３０が各リフトピン３１を０．０５ｍｍ単位で昇降させる機構の場合には、第２ピッチとして０．０５ｍｍに設定する。

【0099】

各リフトピン３１を第２ピッチだけ上昇させると、制御部９０は、一定期間にわたって動作を待機する（ステップＳ２０５）。これにより、各リフトピン３１の上昇時のぶれがなくなる。その後、制御部９０は、カメラ６０により基板Ｗおよび載置台２１１を撮像し、撮像情報について適宜の画像処理を施すことで、撮像情報から基板Ｗの情報および載置台２１１の情報を抽出可能とする（ステップＳ２０６）。

【0100】

そして、制御部９０は、撮像情報から取得した基板Ｗの情報および載置台２１１の情報に基づき、各リフトピン３１の上端３３が基板Ｗに接触したか否かを判定する（ステップＳ２０７）。

【0101】

制御部９０は、各リフトピン３１の上端３３が基板Ｗに接触していないと判定すると（ステップＳ２０７：ＮＯ）、ステップＳ２０８に進む。ステップＳ２０８において、制御部９０は、各リフトピン３１を上昇させる第２調整動作の実行回数をカウント（インクリメント）し、予め設定された回数閾値以上に実行回数が到達したか否かを判定する。制御部９０は、実行回数が回数閾値以上に到達した場合（ステップＳ２０８：ＹＥＳ）に、リフタ部３０のエラーを報知して今回の制御位置設定方法を終了する。

【0102】

一方、制御部９０は、実行回数が回数閾値未満の場合（ステップＳ２０８：ＮＯ）に、ステップＳ２０４に戻り、リフトピン３１を再び第２ピッチだけ上昇させる。制御部９０は、各リフトピン３１が基板Ｗに接触するまで、以上のステップＳ２０４～Ｓ２０８の処理フローを繰り返す。そして、制御部９０は、各リフトピン３１の上端３３が基板Ｗに接触したことを判定すると（ステップＳ２０７：ＹＥＳ）、ステップＳ２０９に進む。

【0103】

ステップＳ２０９において、制御部９０は、各リフトピン３１の現在位置を、各リフトピン３１のタッチ位置ＰＴとして設定する。

【0104】

そして、制御部９０は、この各リフトピン３１の現在位置（タッチ位置ＰＴ）を用いて、制御位置であるアンロード位置ＰＵを算出する（ステップＳ２１０）。アンロード位置ＰＵは、例えば、各リフトピン３１の現在位置に対して予め設定されたアンロード位置用調整値を加算することで算出される。このアンロード位置用調整値は、現在位置から鉛直方向上側に向かう値（プラスの値）であり、上記した０．４ｍｍ～１．０ｍｍ程度の範囲のうち適宜の間隔（例えば、０．６ｍｍ）に設定される。なお、アンロード位置用調整値は、ユーザにより任意に設定されてもよい。

【0105】

その後、制御部９０は、算出したアンロード位置ＰＵを用いて、制御位置であるロード位置ＰＬを算出する（ステップＳ２１１）。ロード位置ＰＬは、例えば、アンロード位置ＰＵに対して予め設定されたロード位置用調整値を加算することで算出される。このロード位置用調整値は、アンロード位置ＰＵから鉛直方向下側に向かう値（マイナスの値）であり、－０．８ｍｍ～－１．３ｍｍ程度の範囲かつタッチ位置ＰＴよりも低い値（例えば、－１．０ｍｍ）に設定される。なお、ロード位置用調整値も、ユーザにより任意に設定されてよい。

【0106】

制御部９０は、ステップＳ１１１の後、算出したタッチ位置ＰＴ、ロード位置ＰＬ、アンロード位置ＰＵを、そのスロットの基板Ｗの搬送時に使用するパラメータとしてセットし、各リフトピン３１を待機位置ＰＳまで後退させる（Ｓ２１２）。これにより、第２調整工程Ｓ４が終了する。制御部９０は、タッチ位置ＰＴのセットに伴い、図６に示すように、画面情報１００のタッチ位置表示部１０３にタッチ位置ＰＴを表示する。同様に、制御部９０は、ロード位置ＰＬのセットに伴い、ロード位置表示部１０２の今回値表示欄１０２ｂにロード位置ＰＬを表示する。さらに、制御部９０は、アンロード位置ＰＵのセットに伴い、アンロード位置表示部１０４の今回値表示欄１０４ｂにアンロード位置ＰＵを表示する。

【0107】

図５に戻り、制御部９０は、第２調整工程Ｓ４の後、スロット判定工程Ｓ５を実施し、別のスロットにおいて調整すべき制御位置があるか否かを判定する。制御位置の調整を行うスロットが有る場合には、第１調整工程Ｓ３に戻り、以下同様の処理を繰り返す。そして例えば、６つのスロット全てについて制御位置を調整する場合には、全てのスロットに対して第１調整工程Ｓ３、第２調整工程Ｓ４を行う。スロット判定工程Ｓ５において制御位置の調整を行うスロットが無い場合には、次の誤差チェック工程Ｓ６に移行する。

【0108】

誤差チェック工程Ｓ６において、制御部９０は、各スロットのタッチ位置ＰＴについて最大値と最小値の差分を算出し、算出した差分が予め設定された許容範囲内に入っているか否かを判定する。算出した差分および判定結果は、タッチ位置ステータス欄１０３ｂに表示する。また、差分が許容範囲内に入っていない場合は、画面情報１００等を介して、各載置台２１１に異常が生じている旨の情報をユーザに報知する。これにより、ユーザは、基板処理装置１の回転テーブル２１に対して必要なメンテナンス等を早期に行うことが可能となる。なお、誤差チェック工程Ｓ６は、各スロット全ての制御位置を設定した後に実行することに限らず、２つ以上のスロット（例えば、第１のスロットと第２のスロット）の制御位置の設定後に実行してもよい。これにより、第１のスロットと第２のスロットのタッチ位置ＰＴの違いを早期に認識することが可能となる。

【0109】

以上のように、基板処理装置１は、各スロット（載置台２１１）の制御位置を自動的に設定することができる。ここで、従来の基板処理装置では、各スロットの制御位置を設定する場合に、カメラで撮像した画像について、ユーザの目視によって基板Ｗとリフタ部３０とが接触した否かを確認し、この確認をスロット毎に繰り返していた。そのため、各スロットの制御位置の設定に多大な時間を要していた。これに対し、実施形態に係る基板処理装置１は、上記の制御位置設定方法により、リフタ部３０の第１調整動作および第２調整動作、リフタ部３０と基板Ｗの接触の判定を行うことで、作業の効率化を図ることができる。特に、基板処理装置１は、複数（６つ）のスロット全ての制御位置を設定する場合には、大幅な時間短縮を促すことができる。

【0110】

図９は、制御位置設定方法により設定したタッチ位置と、変位計により載置面２１１ｓを計測した実測値とを示すグラフである。図９において棒グラフは、制御位置設定方法により設定した各スロットのタッチ位置であり、折れ線グラフは、変位計により計測した各スロットの実測値である。なお、変位計の実測値は、真空容器１１の天板１１２を取り外した状態で、治具を介して変位計を本体１１１に固定して、この変位計により各載置台２１１の載置面２１１ｓの高さ位置を計測したものである。

【0111】

図９に示すように、基板処理装置１において各載置台２１１の載置面２１１ｓの高さ位置は相互に変動している。しかしながら、制御位置設定方法により設定したタッチ位置と、変位計により計測した実測値とは、概ね同じように変化している。そして、各スロットについて設置したタッチ位置と変位計の実測値との差を算出すると、０．０３ｍｍの範囲内の誤差に収まっていた。言い換えれば、制御位置設定方法の実行により得た制御位置は、変位計の実測値とほぼ変わらないと見なすことができる。したがって、本実施形態に係る制御位置設定方法を実施することで、各スロットの制御位置を高精度に設定できることが分かる。

【0112】

なお、本開示に係る基板処理装置１および制御位置設定方法は、上記の実施形態に限定されず、種々の変形例をとり得ることは勿論である。例えば、上記の実施形態では、各載置台２１１が回転テーブル２１の回転軸２３回りに公転し、かつ各載置台２１１自体が自転する基板処理装置１を例示した。この構成に限らず、基板処理装置１は、各載置台２１１が自転せず回転テーブル２１のみが回転する構成（自転機構を備えず公転機構のみを有する構成）としてもよい。

【0113】

また、基板処理装置１は、制御位置設定方法で取得したタッチ位置ＰＴを用いて、回転テーブル２１のメンテナンスを行ってもよい。すなわち、タッチ位置ＰＴは、回転テーブル２１の各載置面２１１ｓのポジション（高さ位置）と同等である。このため例えば、回転テーブル２１の交換作業において回転テーブル２１の高さ調整作業を行う際に、ユーザは、回転テーブル２１の交換前後における画面情報１００のタッチ位置ＰＴを比較する。これにより、ユーザは、回転テーブル２１の高さを容易且つ精度よく調整でき、交換後の各載置面２１１ｓのポジションを交換前のポジションと概ね一致させることが可能となる。

【0114】

［まとめ］
以上の実施形態で説明した本開示の技術的思想および効果について以下に記載する。

【0115】

本開示の第１の態様に係る基板処理装置１は、真空容器１１と、真空容器１１の内部に回転可能に設けられる回転テーブル２１と、回転テーブル２１の回転中心から離れた位置で基板Ｗを載置する載置台２１１と、載置台２１１と相対的に変位して基板Ｗを昇降させるリフタ部３０と、リフタ部３０の動作を制御する制御部９０と、を備え、制御部９０は、リフタ部３０の動作における制御位置を自動的に設定する構成であり、当該制御位置の設定では、（Ａ）第１ピッチだけリフタ部３０を上昇させた後に、載置台２１１に載置された基板Ｗにリフタ部３０が接触したか否かを判定する処理を繰り返すことで、基板Ｗにリフタ部３０が接触する位置を検出し、検出した位置に基づき次回位置（詳細調整開始位置）を設定する工程と、（Ｂ）次回位置から、第１ピッチよりも短い第２ピッチだけリフタ部３０を上昇させた後、載置台２１１に載置された基板Ｗにリフタ部３０が接触したか否かを判定する処理を繰り返すことで、基板Ｗにリフタ部３０が接触するタッチ位置ＰＴを検出し、タッチ位置ＰＴに基づき制御位置を算出する工程と、を制御する。

【0116】

上記によれば、基板処理装置１は、制御位置の設定を自動的に行うことにより、ユーザの負担を軽減して、リフタ部３０の制御位置を設定できる。特に、基板処理装置１は、（Ｂ）の工程で短いピッチで載置台２１１のタッチ位置ＰＴを検出するため、リフタ部３０の制御位置を精度よく設定できる。また、基板処理装置１は、（Ａ）の工程により第１ピッチで駆動して詳細調整開始位置を得ることで、（Ｂ）の工程の実行回数を良好に削減でき、作業の効率化を図ることができる。そのため、メンテナンス等で載置台２１１を交換した場合でも、リフタ部３０の制御位置を効率的に設定して基板処理を開始することが可能となる。例えば、カメラ６０の撮像情報をユーザの目視により確認してタッチ位置を決める作業と比較して、作業時間を半分以下に短縮することができ、さらにユーザの負担を大幅に軽減できる。

【0117】

また、制御位置は、リフタ部３０が支持した基板Ｗを載置台２１１に載置する時または載置台２１１からリフタ部３０が基板を浮上させる時に、リフタ部３０の速度を切り替える位置である。これにより、基板処理装置１は、リフタ部３０の昇降時の速度制御に必要な制御位置をスムーズに取得することができる。

【0118】

また、制御位置は、載置台２１１に載置される基板Ｗよりも鉛直方向下側に設定されるロード位置ＰＬと、載置台２１１に載置される基板Ｗよりも鉛直方向上側に設定されるアンロード位置ＰＵと、を含む。これにより、基板処理装置１は、設定されたロード位置ＰＬおよびアンロード位置ＰＵに基づいて、基板Ｗを安定的に昇降させることができる。

【0119】

また、制御部９０は、（Ｂ）の工程で検出したタッチ位置ＰＴにアンロード位置用調整値を加算することでアンロード位置ＰＵを算出し、さらに算出したアンロード位置ＰＵにロード位置用調整値を加算することでロード位置ＰＬを算出する。これにより、制御部９０は、タッチ位置ＰＴと相対的な位置であるロード位置ＰＬおよびアンロード位置ＰＵを容易に算出できる。

【0120】

また、次回位置（詳細調整開始位置）は、（Ａ）の工程で基板Ｗにリフタ部３０が接触した位置に対して、下降する方向のオフセット値を加算した位置である。これにより、基板処理装置１は、（Ｂ）の工程の次回位置をスムーズに得て、（Ｂ）の工程を開始することができる。

【0121】

また、リフタ部３０の鉛直方向上側から載置台２１１に載置された基板Ｗを撮像する撮像部（カメラ６０）を備え、制御部９０は、（Ａ）の工程において、リフタ部３０が第１ピッチ上昇する毎に撮像部により基板Ｗを撮像し、この撮像情報に基づき基板Ｗにリフタ部３０が接触したか否かを判定し、（Ｂ）の工程において、リフタ部が第２ピッチ上昇する毎に撮像部により基板を撮像し、この撮像情報に基づき基板にリフタ部３０が接触したか否かを判定する。これにより、基板処理装置１は、基板Ｗとリフタ部３０の接触を良好に判定できる。

【0122】

また、制御部９０は、載置台２１１から基板Ｗが浮上した際に、撮像情報における基板Ｗの外縁の影の変化に基づき、基板Ｗにリフタ部３０が接触したか否かを判定する。このように基板Ｗの外縁の影を利用することで、制御部９０は、基板Ｗとリフタ部３０の接触を充分に高い精度で判定することができる。

【0123】

また、制御部９０は、（Ａ）の工程および（Ｂ）の工程において、リフタ部３０をピッチ毎に上昇させる動作の実行回数をカウントし、実行回数が回数閾値未満の場合に、上昇を続ける一方で、実行回数が回数閾値以上の場合に、異常を報知する。これにより、例えば、載置台２１１に異常が生じていることでリフトピン３１が基板Ｗに接触しなくなるようなエラーを、ユーザに知らせることができるので、ユーザは必要な対処を早期に採ることが可能となる。

【0124】

また、回転テーブル２１は、載置台２１１を複数備え、複数の基板Ｗを回転させる構成であり、制御部９０は、複数の載置台２１１について（Ａ）の工程および（Ｂ）の工程を行うことで、タッチ位置ＰＴおよび制御位置を設定し、かつ設定した複数の載置台２１１のタッチ位置ＰＴの差分を算出し、算出した差分に基づき複数の載置台２１１の正常または異常を判定し、複数の載置台の異常を判定した場合にユーザに報知する。これにより、基板処理装置１は、複数の載置台２１１の高さ位置の比較を容易に行うことができる。

【0125】

本開示の第２の態様は、真空容器１１と、真空容器１１の内部に回転可能に設けられる回転テーブル２１と、回転テーブル２１の回転中心から離れた位置で基板Ｗを載置する載置台２１１と、載置台２１１と相対的に変位して基板を昇降させるリフタ部３０と、を備える基板処理装置１において、リフタ部３０の動作における制御位置を設定する制御位置設定方法であって、（Ａ）第１ピッチだけリフタ部３０を上昇させた後に、載置台２１１に載置された基板Ｗにリフタ部３０が接触したか否かを判定する処理を繰り返すことで、基板Ｗにリフタ部３０が接触する位置を検出し、検出した位置に基づき次回位置（詳細調整開始位置）を設定する工程と、（Ｂ）次回位置から、第１ピッチよりも短い第２ピッチだけリフタ部３０を上昇させた後、載置台２１１に載置された基板Ｗにリフタ部３０が接触したか否かを判定する処理を繰り返すことで、前基板にリフタ部３０が接触するタッチ位置ＰＴを検出し、タッチ位置ＰＴに基づき制御位置を算出する工程と、を有する。この場合でも、制御位置設定方法は、リフタ部３０の制御位置を精度よく設定でき、かつ作業の効率化を図ることができる。

【0126】

今回開示された実施形態に係る基板処理装置１および制御位置設定方法は、すべての点において例示であって制限的なものではない。実施形態は、添付の請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形および改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。

【符号の説明】

【0127】

１ 基板処理装置
１１ 真空容器
２１ 回転テーブル
３０ リフタ部
９０ 制御部
２１１ 載置台
ＰＴ タッチ位置
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】