(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024125180
(43)【公開日】2024-09-13
(54)【発明の名称】モリブデン研磨用組成物および方法
(51)【国際特許分類】
C09K 3/14 20060101AFI20240906BHJP
B24B 37/00 20120101ALI20240906BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240906BHJP
【ＦＩ】
C09K3/14 550Z
C09K3/14 550D
B24B37/00 H
H01L21/304 621D
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024022598
(22)【出願日】2024-02-19
(31)【優先権主張番号】63/449,831
(32)【優先日】2023-03-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(71)【出願人】
【識別番号】000236702
【氏名又は名称】株式会社フジミインコーポレーテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110000671
【氏名又は名称】ＩＢＣ一番町弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】大西 正悟
【テーマコード（参考）】
3C158
5F057
【Ｆターム（参考）】
3C158AA07
3C158CA04
3C158EB01
3C158ED10
3C158ED22
3C158ED26
5F057AA14
5F057BB31
5F057BB34
5F057BC01
5F057BC05
5F057CA11
5F057EA07
5F057EA22
5F057EA27
5F057EA31
(57)【要約】 （修正有）
【課題】モリブデンについて低い静的エッチング速度（ＳＥＲ）を達成しながら、高い除去速度を有する、モリブデン表面を研磨する組成物および方法を提供する。
【解決手段】研磨剤と、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、第１の酸化剤と、第２の酸化剤と、を含む、ｐＨが４～９である、モリブデン研磨用組成物とする。
【選択図】なし
【解決手段】研磨剤と、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、第１の酸化剤と、第２の酸化剤と、を含む、ｐＨが４～９である、モリブデン研磨用組成物とする。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
研磨剤と、
第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、
第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、
第１の酸化剤と、
第２の酸化剤と、
を含む、ｐＨが４～９である、モリブデン研磨用組成物。
第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、
第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、
第１の酸化剤と、
第２の酸化剤と、
を含む、ｐＨが４～９である、モリブデン研磨用組成物。
【請求項2】
前記研磨剤は、未修飾コロイダルシリカを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項3】
前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、スルホン酸部分（－ＳＯ３）、リン酸部分（－ＯＰＯ３）、またはそれらの塩を有するアニオン性界面活性剤を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項4】
前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、ジフェニルエーテル構造を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項5】
前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、２つ以上のスルホン酸部分（－ＳＯ３）を有する、請求項４に記載の組成物。
【請求項6】
前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、オキシアルキレン構造、かつ、リン酸部分（－ＯＰＯ３）を有する、請求項３に記載の組成物。
【請求項7】
前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、
ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸またはその塩、
ベンゼン，１，１’－オキシビス－，ｓｅｃ－ヘキシル誘導体，スルホン化（酸型）またはその塩、
ベンゼン，１，１’－オキシビス－，テトラプロピレン誘導体，スルホン化（酸型）またはその塩、
ポリオキシエチレン（１０）オレイルエーテルホスフェート、
ポリオキシエチレン（８）フェニルホスフェート、
ポリオキシエチレン（１４）オレイルエーテルホスフェート、
ポリオキシエチレン（１０）アルキルエーテルホスフェート、
ポリオキシエチレン（８）トリデシルエーテルホスフェート、
ポリオキシエチレン（１０）トリデシルエーテルホスフェート、
ポリオキシエチレン（１２）トリデシルエーテルホスフェート、および
その塩
から選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の組成物。
ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸またはその塩、
ベンゼン，１，１’－オキシビス－，ｓｅｃ－ヘキシル誘導体，スルホン化（酸型）またはその塩、
ベンゼン，１，１’－オキシビス－，テトラプロピレン誘導体，スルホン化（酸型）またはその塩、
ポリオキシエチレン（１０）オレイルエーテルホスフェート、
ポリオキシエチレン（８）フェニルホスフェート、
ポリオキシエチレン（１４）オレイルエーテルホスフェート、
ポリオキシエチレン（１０）アルキルエーテルホスフェート、
ポリオキシエチレン（８）トリデシルエーテルホスフェート、
ポリオキシエチレン（１０）トリデシルエーテルホスフェート、
ポリオキシエチレン（１２）トリデシルエーテルホスフェート、および
その塩
から選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項8】
前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、アミノ酸を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項9】
前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、塩基性アミノ酸を含む、請求項８に記載の組成物。
【請求項10】
前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤が、ジフェニルエーテル構造を有し、前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤が、塩基性アミノ酸を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項11】
前記第１の酸化剤は、ハロゲン原子を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項12】
前記第１の酸化剤は、ヨウ素酸カリウムを含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項13】
前記第２の酸化剤は、過酸化水素を含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項14】
前記研磨剤のシラノール基密度が２．０個／ｎｍ２以上である、請求項１に記載の組成物。
【請求項15】
前記研磨剤が、未修飾コロイダルシリカを含み、
前記研磨剤のシラノール基密度が２．０個／ｎｍ２以上であり、
前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤が、一分子に、
ジフェニルエーテル構造、かつ、１つ以上のスルホン酸部分（－ＳＯ３）を有し、あるいは、
オキシアルキレン構造、かつ、リン酸部分（－ＯＰＯ３）を有し、
前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤が、塩基性アミノ酸を含み、
前記第１の酸化剤が、ヨウ素酸カリウムを含み、
前記第２の酸化剤が、過酸化水素を含む、請求項１に記載の組成物。
前記研磨剤のシラノール基密度が２．０個／ｎｍ２以上であり、
前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤が、一分子に、
ジフェニルエーテル構造、かつ、１つ以上のスルホン酸部分（－ＳＯ３）を有し、あるいは、
オキシアルキレン構造、かつ、リン酸部分（－ＯＰＯ３）を有し、
前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤が、塩基性アミノ酸を含み、
前記第１の酸化剤が、ヨウ素酸カリウムを含み、
前記第２の酸化剤が、過酸化水素を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項16】
前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤の合計濃度が、約０．０３重量％～約１．０重量％である、請求項１５に記載の組成物。
【請求項17】
前記組成物は、６．０超のモリブデン除去速度対モリブデン静的エッチング速度の比を有する、請求項１に記載の組成物。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
本技術の背景に関する以下の説明は、単に本技術を理解するための補助として提供されるものであり、本技術の先行技術を説明または構成するために認められるものではない。
【0002】
モリブデン金属は、特にナノスケール寸法（例えば、５０ｎｍ未満の厚さ）を有する低抵抗率相互接続における使用を含む、マイクロ電子デバイスの用途における使用の増加を見られる。
【発明の概要】
【0003】
しかしながら、モリブデン表面を研磨するための現在の組成物および方法は、研磨されたモリブデンについて、低い除去速度、または、高い静的エッチング速度をもたらすことを見出した。したがって、モリブデンについて低い静的エッチング速度（ＳＥＲ）を達成しながら、高い除去速度を有する、モリブデン表面を研磨する組成物および方法を提供することした。
【0004】
一態様において、本開示は、研磨剤と、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、第１の酸化剤と、第２の酸化剤と、を含む、モリブデン研磨用組成物であって、研磨用組成物のｐＨが４～９である、モリブデン研磨用組成物に関する。
【0005】
いくつかの実施形態では、研磨剤は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．１重量％～約３重量％の濃度で存在する。いくつかの実施形態では、研磨剤は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．２重量％～約１．５重量％の濃度で存在する。
【0006】
いくつかの実施形態では、研磨剤は、約１０ｎｍ～約７０ｎｍの平均一次粒子径を有する粒子を含む。いくつかの実施形態では、研磨剤は、約１０ｎｍ～約３０ｎｍの平均一次粒子径を有する粒子を含む。
【0007】
いくつかの実施形態では、研磨剤は、コロイダルシリカを含む。いくつかの実施形態では、研磨剤は、未修飾コロイダルシリカを含む。
【0008】
いくつかの実施形態では、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、組成物の総重量に対して、約０．００１重量％～約１重量％の濃度で存在する。いくつかの実施形態では、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、組成物の総重量に対して、約０．０１重量％～約０．１重量％の濃度で存在する。
【0009】
いくつかの実施形態では、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、スルホン酸部分、リン酸部分、またはそれらの塩を有するアニオン性界面活性剤を含む。いくつかの実施形態では、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸またはその塩（例えば、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸二ナトリウム（ＣＡＳ番号２８５１９－０２－０））、スルホン化ベンゼン、１，１’－オキシビス－、ｓｅｃ－ヘキシル誘導体（ＣＡＳ番号１４７７３２－５９－０）、スルホン化ベンゼン、１，１’－オキシビス－、テトラプロピレン誘導体（ＣＡＳ番号１１９３４５－０３－８）、ポリオキシエチレン（１０）オレイルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（８）フェニルホスフェート、ポリオキシエチレン（１４）オレイルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１０）アルキルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（８）トリデシルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１０）トリデシルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１２）トリデシルエーテルホスフェート、およびその塩から選択される少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態では、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸またはその塩（例えば、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸二ナトリウム（ＣＡＳ番号２８５１９－０２－０））；スルホン化ベンゼン、１，１’－オキシビス－、ｓｅｃ－ヘキシル誘導体（ＣＡＳ番号１４７７３２－５９－０）、スルホン化ベンゼン、１，１’－オキシビス－、テトラプロピレン誘導体（ＣＡＳ番号１１９３４５－０３－８）、およびその塩からなる群から選択される少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態では、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、ドデシル－（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸またはその塩を含む。いくつかの実施形態では、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、ドデシル－（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸二ナトリウム（ＣＡＳ番号２８５１９－０２－０）を含む。
【0010】
いくつかの実施形態では、第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．００５重量％～約１．０重量％の濃度で存在する。いくつかの実施形態では、第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．０１重量％～約０．７重量％の濃度で存在する。
【0011】
いくつかの実施形態では、第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、塩基性アミノ酸を含む。いくつかの実施形態では、第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、アルギニン、ヒスチジン、およびリジンからなる群から選択される少なくとも１つである。いくつかの実施形態では、第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、アルギニンを含む。
【0012】
いくつかの実施形態では、第１の酸化剤は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．０１重量％～約１．０重量％の濃度で存在する。いくつかの実施形態では、第１の酸化剤は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．０５重量％～約０．７重量％の濃度で存在する。
【0013】
いくつかの実施形態では、第１の酸化剤は、ヨウ化カリウムを含む。いくつかの実施形態では、第２の酸化剤は、過酸化水素を含む。
【0014】
いくつかの実施形態では、第２の酸化剤は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．０１重量％～約５．０重量％の濃度で存在する。いくつかの実施形態では、第２の酸化剤は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．５重量％～約１．５重量％の濃度で存在する。
【0015】
いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、ｐＨ調整剤を含む。いくつかの実施形態では、ｐＨ調整剤は、ＫＯＨである。いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、５～７である。
【0016】
いくつかの実施形態では、組成物は、少なくとも約３００Å／分のモリブデン除去速度を得るのに有効である。いくつかの実施形態では、組成物は、少なくとも約５００Å／分のモリブデン除去速度を得るのに有効である。いくつかの実施形態では、組成物は、少なくとも約７００Å／分のモリブデン除去速度を得るのに有効である。
【0017】
いくつかの実施形態では、組成物は、１００Å／分以下のモリブデン静的エッチング速度を得るのに有効である。いくつかの実施形態では、組成物は、７０Å／分以下のモリブデン静的エッチング速度を得るのに有効である。
【0018】
いくつかの実施形態では、組成物は、少なくとも約５のモリブデン除去速度対モリブデン静的エッチング速度の比を得るのに有効である。いくつかの実施形態では、組成物は、少なくとも約８のモリブデン除去速度対モリブデン静的エッチング速度の比を得るのに有効である。いくつかの実施形態では、組成物は、少なくとも約１０のモリブデン除去速度対モリブデン静的エッチング速度の比を得るのに有効である。
【0019】
別の態様において、任意の他の態様または実施形態と組み合わせることができ、本開示は、モリブデン表面を本開示による研磨用組成物と接触させることと、少なくとも約３００Å／分の除去速度でモリブデン表面からモリブデンを除去して、研磨されたモリブデン表面を生成することと、を含む研磨方法に関する。いくつかの実施形態では、除去速度は、少なくとも約５００Å／分である。いくつかの実施形態では、除去速度は、少なくとも約７００Å／分である。
【0020】
本発明はまた、下記態様および形態を包含する。
【0021】
１．研磨剤と、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、第１の酸化剤と、第２の酸化剤と、を含む、ｐＨが４～９である、モリブデン研磨用組成物。
【0022】
２．前記研磨剤は、未修飾コロイダルシリカを含む、１．に記載の組成物。
【0023】
３．前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、スルホン酸部分（－ＳＯ３）、リン酸部分（－ＯＰＯ３）、またはそれらの塩を有するアニオン性界面活性剤を含む、１．または２．に記載の組成物。
【0024】
４．前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、ジフェニルエーテル構造を有する、１．～３．のいずれかに記載の組成物。
【0025】
５．前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、２つ以上のスルホン酸部分（－ＳＯ３）を有する、１．～４．のいずれかに記載の組成物。
【0026】
６．前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、オキシアルキレン構造、かつ、リン酸部分（－ＯＰＯ３）を有する、１．～５．のいずれかに記載の組成物。
【0027】
７．前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸またはその塩、ベンゼン，１，１’－オキシビス－，ｓｅｃ－ヘキシル誘導体，スルホン化（酸型）またはその塩、ベンゼン，１，１’－オキシビス－，テトラプロピレン誘導体，スルホン化（酸型）またはその塩、ポリオキシエチレン（１０）オレイルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（８）フェニルホスフェート、ポリオキシエチレン（１４）オレイルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１０）アルキルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（８）トリデシルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１０）トリデシルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１２）トリデシルエーテルホスフェート、およびその塩から選択される少なくとも１つを含む、１．～６．のいずれかに記載の組成物。
【0028】
８．前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、アミノ酸を含む、１．～７．のいずれかに記載の組成物。
【0029】
９．前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、塩基性アミノ酸を含む、１．～８．のいずれかに記載の組成物。
【0030】
１０．前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤が、ジフェニルエーテル構造を有し、前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤が、塩基性アミノ酸を含む、１．～９．のいずれかに記載の組成物。
【0031】
１１．前記第１の酸化剤は、ハロゲン原子を含む、１．～１０．のいずれかに記載の組成物。
【0032】
１２．前記第１の酸化剤は、ヨウ素酸カリウムを含む、１．～１１．のいずれかに記載の組成物。
【0033】
１３．前記第２の酸化剤は、過酸化水素を含む、１．～１２．のいずれかに記載の組成物。
【0034】
１４．前記研磨剤のシラノール基密度が２．０個／ｎｍ２以上である、１．～１３．のいずれかに記載の組成物。
【0035】
１５．前記研磨剤が、未修飾コロイダルシリカを含み、前記研磨剤のシラノール基密度が２．０個／ｎｍ２以上であり、前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤が、一分子に、ジフェニルエーテル構造、かつ、１つ以上のスルホン酸部分（－ＳＯ３）を有し、あるいは、オキシアルキレン構造、かつ、リン酸部分（－ＯＰＯ３）を有し、前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤が、塩基性アミノ酸を含み、前記第１の酸化剤が、ヨウ素酸カリウムを含み、前記第２の酸化剤が、過酸化水素を含む、１．～１４．のいずれかに記載の組成物。
【0036】
１６．前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と前記第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤の合計濃度が、約０．０３重量％～約１．０重量％である、１．～１５．のいずれかに記載の組成物。
【0037】
１７．前記組成物は、６．０超のモリブデン除去速度対モリブデン静的エッチング速度の比を有する、１．～１６．のいずれかに記載の組成物。
【0038】
ここで、本開示によって企図されるいくつかの特定の実施形態を詳細に参照する。様々な実施形態が本明細書に記載されているが、本技術を記載された実施形態に限定することは意図されていないことが理解されよう。それどころか、添付の特許請求の範囲によって定義される技術の精神および範囲内に含まれ得る代替、修正、および均等物を網羅することが意図されている。
【0039】
本明細書において、「Ｘ～Ｙ」は、その前後に記載される数値（ＸおよびＹ）を下限値および上限値として含む意味で使用し、「Ｘ以上Ｙ以下」を意味する。「Ｘ～Ｙ」が複数記載されている場合、例えば、「Ｘ１～Ｙ１、あるいは、Ｘ２～Ｙ２」と記載されている場合、各数値を上限とする開示、各数値を下限とする開示、および、それらの上限・下限の組み合わせは全て開示されている（つまり、補正の適法な根拠となる）。具体的には、Ｘ１以上との補正、Ｙ２以下との補正、Ｘ１以下との補正、Ｙ２以上との補正、Ｘ１～Ｘ２との補正、Ｘ１～Ｙ２との補正等は全て適法とみなされなければならない。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０～２５℃）／相対湿度４０～５０％ＲＨの条件で測定する。なお、本明細書中に記載の濃度は、ＰＯＵ（ポイントオブユース）における濃度であっても、ＰＯＵの濃度に希釈する前の濃度であってもよい。希釈倍率は、２～１０倍であってよい。
【発明を実施するための形態】
【0040】
本開示は、高いＭｏ除去速度（ＲＲ）、および低いＭｏ静的エッチング速度（ＳＥＲ）を達成する、モリブデン表面を研磨する組成物および方法に関する。一態様において、本開示は、研磨剤と、１つ以上のＭｏ静的エッチング速度抑制剤と、１つ以上の酸化剤と、を含むモリブデン研磨用組成物に関する。
【0041】
研磨剤
研磨剤は、複数の研磨粒子から構成される。
研磨剤は、複数の研磨粒子から構成される。
【0042】
本開示による研磨用組成物は、モリブデン（Ｍｏ）を含む表面を研磨するのに適した研磨粒子を含む。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、１つ以上の金属酸化物粒子、例えば、ジルコニア、ハフニア、アルミナ、チタニア、シリカ、セリア、およびそれらの任意の組み合わせを含む。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、コロイダルシリカを含む。さらに、研磨粒子は、市販品、合成品、またはそれらの任意の組み合わせであってもよい。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、アニオン性である。本出願の文脈内で、「アニオン性」粒子は、研磨用組成物のｐＨにおいて負の表面電荷またはゼータ電位電荷を有する。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、カチオン性である。本出願の文脈内で、「カチオン性」粒子は、研磨用組成物のｐＨにおいて正の表面電荷またはゼータ電位電荷を有する。
【0043】
いくつかの実施形態では、研磨剤は、ジルコニア、ハフニア、アルミナ、チタニア、および、セリアからなる群から選択される少なくとも一種を含まない。
【0044】
いくつかの実施形態では、研磨粒子は、未修飾（すなわち、粒子表面に結合した化学種を有していない）である。研磨対象物たるモリブデンの表面電位は、ｐＨが４～９付近の環境下ではマイナスである。ここで、例えば研磨粒子としてアニオン性修飾（例えばスルホン酸修飾）コロイダルシリカを使用すると、当該シリカの表面電位は当該ｐＨ範囲ではマイナスである。そのため研磨粒子と研磨対象物との電気的反発が大きくなり、研磨粒子は研磨対象物に接触しづらくなり、その結果、研磨速度が落ちる。一方、未修飾の研磨粒子（典型的には未修飾コロイダルシリカ）の表面電位は、ｐＨ７から酸性に変化させるにつれてプラスの方向に変化し、ｐＨが２～３付近で０（等電点）となる。そして、ｐＨ７から９の範囲では未修飾の研磨粒子（典型的には未修飾コロイダルシリカ）の表面電位はマイナスである。つまり、研磨用組成物のｐＨを４～９という適切な範囲に調整し、その上で未修飾の研磨粒子（典型的には未修飾コロイダルシリカ）を使用すると、研磨粒子と研磨対象物との電気的な関係を適切なものとできる。そのため研磨対象物は効率的に研磨される。また、研磨用組成物の安定性が向上するという技術的効果も付随する。いくつかの実施形態では、研磨剤（研磨粒子）は、未修飾コロイダルシリカを含む。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、粒子表面に共有結合し、末端アニオン性基またはカチオン性基を有する化学種によって表面修飾される。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、例えば、コロイド粒子表面上の有機酸の固定化によってアニオン修飾されたコロイド粒子を含む。いくつかの実施形態では、組成物に含まれる研磨剤のうち、８０重量％以上、８５重量％以上、９０重量％以上、９５重量％以上、９８重量％以上、あるいは、９９重量％以上が、コロイダルシリカ（特に、未修飾コロイダルシリカ）である。
【0045】
いくつかの実施形態では、研磨用組成物中の研磨粒子（例えば、コロイダルシリカ）の表面への有機酸の固定は、有機酸の官能基を研磨粒子（例えば、コロイダルシリカ）の表面に化学的に結合させることによって行われ得る。コロイダルシリカに有機酸を固定化するには、単にコロイダルシリカと有機酸を共存させるだけでは達成できない。コロイダルシリカへの有機酸（例えば、スルホン酸）の固定化は、例えば、Ｅ．Ｃａｎｏ－Ｓｅｒｒａｎｏ ｅｔ ａｌ．，Ｓｕｌｆｏｎｉｃ Ａｃｉｄ－Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ Ｓｉｌｉｃａ Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｈｉｏｌ Ｇｒｏｕｐｓ，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２４６－４７（２００３）に記載の方法により行われ得、それは参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。具体的には、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン（「ＭＰＳ」）等のチオール基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後、過酸化水素によりチオール基を酸化して表面固定化スルホン酸（例えば、酸化ＭＰＳ等の表面結合プロパンスルホン酸）を形成することにより、スルホン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。
【0046】
カルボン酸のコロイダルシリカへの固定化は、例えば、Ｙ．Ｋａｚｕｏ ｅｔ ａｌ．，Ｎｏｖｅｌ Ｓｉｌａｎｅ Ｃｏｕｐｌｉｎｇ Ａｇｅｎｔｓ Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ ａ Ｐｈｏｔｏｌａｂｉｌｅ ２－Ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ Ｅｓｔｅｒ ｆｏｒ Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ ｏｆ ａ Ｃａｒｂｏｘｙ Ｇｒｏｕｐ ｏｎ ｔｈｅ Ｓｕｒｆａｃｅ ｏｆ Ｓｉｌｉｃａ Ｇｅｌ，３ Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２２８－２９（２０００）に記載の方法によって行われ得、それは参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。具体的には、光反応性２－ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後、光照射することにより、カルボン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。コロイダルシリカへの有機酸固定化のこれらの例は、例示的であることを意図しており、限定的であることを意図していない。異なる有機酸および異なる研磨粒子材料（例えば、コロイダルシリカ以外）を使用する他の有機固定化技術は、本開示の範囲内に包含されることが意図されている。
【0047】
研磨粒子は、高品質の表面（例えば、スクラッチ等の表面欠陥の減少）を達成しながら効率的な研磨（高い除去速度）を達成するために、任意の適切な平均一次粒子径を有し得る。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、約５ｎｍ以上、約６ｎｍ以上、約７ｎｍ以上、約８ｎｍ以上、約９ｎｍ以上、約１０ｎｍ以上、約１１ｎｍ以上、約１２ｎｍ以上、約１３ｎｍ以上、約１４ｎｍ以上、約１５ｎｍ以上、約１６ｎｍ以上、約１７ｎｍ以上、約１８ｎｍ以上、約１９ｎｍ以上、約２０ｎｍ以上、約２１ｎｍ以上、約２２ｎｍ以上、約２３ｎｍ以上、約２４ｎｍ以上、約２５ｎｍ以上、約３０ｎｍ以上、約３５ｎｍ以上、約４０ｎｍ以上、約４５ｎｍ以上、約５０ｎｍ以上、約５５ｎｍ以上、約６０ｎｍ以上、約６５ｎｍ以上、約７０ｎｍ以上、約７５ｎｍ以上、約８０ｎｍ以上、約８５ｎｍ以上、約９０ｎｍ以上、約９５ｎｍ以上、約１００ｎｍ以上、約１１０ｎｍ以上、約１２０ｎｍ以上、約１３０ｎｍ以上、約１４０ｎｍ以上、約１５０ｎｍ以上、またはこれらの間の任意の範囲もしくは値の平均一次粒子径を有する。平均一次粒子径は、当技術分野で公知の任意の適切な方法（例えば、透過型電子顕微鏡法、走査型電子顕微鏡法、または日立ハイテクＨＤ－２７００走査透過型電子顕微鏡を使用する等のＳＴＥＭによる）を使用して測定することができる。
【0048】
本明細書中、約Ｘ（Ｘは数値）とは、Ｘの±１０％あるいは±５％を更に含むことを意味し、具体的には、Ｘ×０．９～Ｘ×１．１を意味する。また、約Ｘは、Ｘ自体であってもよい。
【0049】
いくつかの実施形態では、研磨粒子は、約１５０ｎｍ以下、約１４０ｎｍ以下、約１３０ｎｍ以下、約１２０ｎｍ以下、約１１０ｎｍ以下、約１００ｎｍ以下、約９５ｎｍ以下、約９０ｎｍ以下、約８５ｎｍ以下、約８０ｎｍ以下、約７５ｎｍ以下、約７０ｎｍ以下、約６５ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５５ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４５ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３５ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、約２４ｎｍ以下、約２３ｎｍ以下、約２２ｎｍ以下、約２１ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、約１９ｎｍ以下、約１８ｎｍ以下、約１７ｎｍ以下、約１６ｎｍ以下、約１５ｎｍ以下、約１４ｎｍ以下、約１３ｎｍ以下、約１２ｎｍ以下、約１１ｎｍ以下、約１０ｎｍ以下、約９ｎｍ以下、約８ｎｍ以下、約７ｎｍ以下、またはこれらの間の任意の範囲もしくは値の平均一次粒子径を有する。
【0050】
いくつかの実施形態では、研磨粒子は、約５ｎｍ～約１５０ｎｍ、約５ｎｍ～約１００ｎｍ、約５ｎｍ～約９０ｎｍ、約５ｎｍ～約８０ｎｍ、約５ｎｍ～約７０ｎｍ、約５ｎｍ～約６０ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約４５ｎｍ、約５ｎｍ～約４０ｎｍ、約５ｎｍ～約３５ｎｍ、約５ｎｍ～約３０ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約１０ｎｍ～約１５０ｎｍ、約１０ｎｍ～約１００ｎｍ、約１０ｎｍ～約９０ｎｍ、約１０ｎｍ～約８０ｎｍ、約１０ｎｍ～約７０ｎｍ、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１０ｎｍ～約４５ｎｍ、約１０ｎｍ～約４０ｎｍ、約１０ｎｍ～約３５ｎｍ、約１０ｎｍ～約３０ｎｍ、約１０ｎｍ～約２５ｎｍ、約１０ｎｍ～約２０ｎｍ、約１０ｎｍ～約１５ｎｍ、約２０ｎｍ～約１５０ｎｍ、約２０ｎｍ～約１００ｎｍ、約２０ｎｍ～約９０ｎｍ、約２０ｎｍ～約８０ｎｍ、約２０ｎｍ～約７０ｎｍ、約２０ｎｍ～約６０ｎｍ、約２０ｎｍ～約５０ｎｍ、約２０ｎｍ～約４５ｎｍ、約２０ｎｍ～約４０ｎｍ、またはこれらの中の任意の範囲もしくは値の平均一次粒子径を有する。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、約１４ｎｍ～約３１ｎｍ、またはこれらの中の任意の範囲もしくは値の平均一次粒子径を有する。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、約２４ｎｍ～約４０ｎｍ、またはこれらの中の任意の範囲もしくは値の平均一次粒子径を有する。
【0051】
いくつかの実施形態では、研磨粒子は、約１０ｎｍ以上、約１５ｎｍ以上、約１６ｎｍ以上、約１７ｎｍ以上、約１８ｎｍ以上、約１９ｎｍ以上、約２０ｎｍ以上、約２１ｎｍ以上、約２２ｎｍ以上、約２３ｎｍ以上、約２４ｎｍ以上、約２５ｎｍ以上、約３０ｎｍ以上、約３５ｎｍ以上、約４０ｎｍ以上、約４５ｎｍ以上、約５０ｎｍ以上、約５５ｎｍ以上、約６０ｎｍ以上、約６５ｎｍ以上、約７０ｎｍ以上、約７５ｎｍ以上、約８０ｎｍ以上、約８５ｎｍ以上、約９０ｎｍ以上、約９５ｎｍ以上、約１００ｎｍ以上、約１１０ｎｍ以上、約１２０ｎｍ以上、約１２５ｎｍ以上、約１３０ｎｍ以上、約１３５ｎｍ以上、約１４０ｎｍ以上、約１５０ｎｍ以上、またはこれらの間の任意の範囲もしくは値の平均粒子径を有する。平均粒子径は、当技術分野で公知の任意の適切な方法（例えば、マルバーンパナリティカルゼータサイザーナノ光散乱システムを使用する等の光散乱による）を使用して測定することができる。
【0052】
いくつかの実施形態では、研磨粒子は、約１５０ｎｍ以下、約１４０ｎｍ以下、約１３５ｎｍ以下、約１３０ｎｍ以下、約１２０ｎｍ以下、約１１０ｎｍ以下、約１００ｎｍ以下、約９５ｎｍ以下、約９０ｎｍ以下、約８５ｎｍ以下、約８０ｎｍ以下、約７５ｎｍ以下、約７０ｎｍ以下、約６５ｎｍ以下、約６０ｎｍ以下、約５５ｎｍ以下、約５０ｎｍ以下、約４５ｎｍ以下、約４０ｎｍ以下、約３５ｎｍ以下、約３０ｎｍ以下、約２５ｎｍ以下、約２４ｎｍ以下、約２３ｎｍ以下、約２２ｎｍ以下、約２１ｎｍ以下、約２０ｎｍ以下、またはこれらの間の任意の範囲もしくは値の平均粒子径を有する。
【0053】
いくつかの実施形態では、研磨粒子は、約１０ｎｍ～約１５０ｎｍ、約１０ｎｍ～約１３５ｎｍ、約１０ｎｍ～約１００ｎｍ、約１０ｎｍ～約９０ｎｍ、約１０ｎｍ～約８０ｎｍ、約１０ｎｍ～約７０ｎｍ、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１０ｎｍ～約４５ｎｍ、約１０ｎｍ～約４０ｎｍ、約１０ｎｍ～約３５ｎｍ、約１０ｎｍ～約３０ｎｍ、約１０ｎｍ～約２５ｎｍ、約１０ｎｍ～約２４ｎｍ、約１０ｎｍ～約２３ｎｍ、約１０ｎｍ～約２２ｎｍ、約１０ｎｍ～約２１ｎｍ、約１０ｎｍ～約２０ｎｍ、約２０ｎｍ～約１５０ｎｍ、約２０ｎｍ～約１３５ｎｍ、約２０ｎｍ～約１００ｎｍ、約２０ｎｍ～約９０ｎｍ、約２０ｎｍ～約８０ｎｍ、約２０ｎｍ～約７０ｎｍ、約２０ｎｍ～約６０ｎｍ、約２０ｎｍ～約５０ｎｍ、約２０ｎｍ～約４５ｎｍ、約２０ｎｍ～約４０ｎｍ、約２０ｎｍ～約３５ｎｍ、約２０ｎｍ～約３０ｎｍ、約２０ｎｍ～約２５ｎｍ、またはこれらの中の任意の範囲もしくは値の平均粒子径を有する。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、約２４ｎｍ～約６４ｎｍ、またはこれらの中の任意の範囲もしくは値の平均粒子径を有する。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、約４５ｎｍ～約１００ｎｍ、またはこれらの中の任意の範囲もしくは値の平均粒子径を有する。
【0054】
いくつかの実施形態では、研磨粒子は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．０１重量％以上、約０．０５重量％以上、約０．１重量％以上、約０．１５重量％以上、約０．２重量％以上、約０．２５重量％以上、約０．３重量％以上、約０．３５重量％以上、約０．４重量％以上、約０．４５重量％以上、約０．５重量％以上、約０．５５重量％以上、約０．６０重量％以上、約０．６５重量％以上、約０．７重量％以上、約０．７５重量％以上、約０．８重量％以上、約０．８５重量％以上、約０．９重量％以上、約０．９５重量％以上、約１．０重量％以上、約１．１重量％以上、約１．２重量％以上、約１．３重量％以上、約１．４重量％以上、約１．５重量％以上、約１．６重量％以上、約１．７重量％以上、約１．８重量％以上、約１．９重量％以上、約２．０重量％以上、約２．５重量％以上、約３．０重量％以上、約３．５重量％以上、約４．０重量％以上、約４．５重量％以上、約５．０重量％以上、約５．５重量％以上、約６．０重量％以上、約６．５重量％以上、約７．０重量％以上、約７．５重量％以上、約８．０重量％以上、約８．５重量％以上、約９．０重量％以上、約９．５重量％以上、約１０．０重量％以上、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値の重量濃度で存在する。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、組成物中に、組成物の総重量に対して、０．２重量％超の値の重量濃度で存在する。
【0055】
いくつかの実施形態では、研磨粒子は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約１０．０重量％以下、約９．５重量％以下、約９．０重量％以下、約８．５重量％以下、約８．０重量％以下、約７．５重量％以下、約７．０重量％以下、約６．５重量％以下、約６．０重量％以下、約５．５重量％以下、約５．０重量％以下、約４．５重量％以下、約４．０重量％以下、約３．５重量％以下、約３．０重量％以下、約２．５重量％以下、約２．０重量％以下、約１．９重量％以下、約１．８重量％以下、約１．７重量％以下、約１．６重量％以下、約１．５重量％以下、約１．４重量％以下、約１．３重量％以下、約１．２重量％以下、約１．１重量％以下、約１．０重量％以下、約０．９５重量％以下、約０．９重量％以下、約０．８５重量％以下、約０．８重量％以下、約０．７５重量％以下、約０．７重量％以下、約０．６５重量％以下、約０．６重量％以下、約０．５５重量％以下、約０．５重量％以下、約０．４５重量％以下、約０．４重量％以下、約０．３５重量％以下、約０．３重量％以下、約０．２５重量％以下、約０．２重量％以下、約０．１５重量％以下、約０．１重量％以下、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値の重量濃度で存在する。
【0056】
いくつかの実施形態では、研磨粒子は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．１重量％～約１０．０重量％、約０．２重量％～約１０．０重量％、約０．３重量％～約１０．０重量％、約０．４重量％～約１０．０重量％、約０．５重量％～約１０．０重量％、約０．６重量％～約１０．０重量％、約０．７重量％～約１０．０重量％、約０．８重量％～約１０．０重量％、約０．９重量％～約１０．０重量％、約１．０重量％～約１０．０重量％、約２重量％～約１０．０重量％、約３重量％～約１０．０重量％、約４重量％～約１０．０重量％、約５重量％～約１０．０重量％、約０．１重量％～約５重量％、約０．２重量％～約５重量％、約０．３重量％～約５重量％、約０．４重量％～約５重量％、約０．５重量％～約５重量％、約０．６重量％～約５重量％、約０．７重量％～約５重量％、約０．８重量％～約５重量％、約０．９重量％～約５重量％、約１．０重量％～約５重量％、約０．１重量％～約３．０重量％、約０．１重量％～約２．５重量％、約０．１重量％～約２．０重量％、約０．１重量％～約１．５重量％、約０．１重量％～約１．０重量％、約０．２重量％～約３．０重量％、約０．２重量％～約２．５重量％、約０．２重量％～約２．０重量％、約０．２重量％～約１．５重量％、約０．２重量％～約１．０重量％、約０．３重量％～約２．０重量％、約０．４重量％～約２．０重量％、約０．５重量％～約２．０重量％、約０．６重量％～約２．０重量％、約０．７重量％～約２．０重量％、約０．８重量％～約２．０重量％、約０．９重量％～約２．０重量％、約１．０重量％～約２．０重量％、約０．１重量％～約１．０重量％、約０．２重量％～約１．０重量％、約０．５重量％～約３．０重量％、約０．５重量％～約２．５重量％、約０．５重量％～約２．０重量％、約０．５重量％～約１．５重量％、約０．５重量％～約１．０重量％、約１．０重量％～約５．０重量％、約１．０重量％～約４．０重量％、約１．０重量％～約３．０重量％、約１．０重量％～約２．５重量％、約１．０重量％～約２．０重量％、または約１．０重量％～約１．５重量％、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値の重量濃度で存在する。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．０１重量％～約１０．０重量％、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値の重量濃度で存在する。いくつかの実施形態では、研磨粒子は、組成物中に、組成物の総重量に対して、約０．２５重量％～約５重量％、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値の重量濃度で存在する。
【0057】
いくつかの実施形態では、研磨粒子は、シリカ（例えば、コロイダルシリカ粒子である）を含む。研磨剤（例えば、シリカ粒子）の単位表面積あたりのシラノール基数（以下、「シラノール基の密度」または「シラノール基密度」ともいう。）は、特に限定されない。いくつかの実施形態では、シリカ粒子は、０個／ｎｍ２以上、１個／ｎｍ２以上、１．１個／ｎｍ２以上、１．２個／ｎｍ２以上、１．３個／ｎｍ２以上、１．４個／ｎｍ２以上、１．５個／ｎｍ２以上、１．６個／ｎｍ２以上、１．７個／ｎｍ２以上、１．８個／ｎｍ２以上、１．９個／ｎｍ２以上、２個／ｎｍ２以上、２．１個／ｎｍ２以上、２．２個／ｎｍ２以上、２．３個／ｎｍ２以上、２．４個／ｎｍ２以上、２．５個／ｎｍ２以上、３．０個／ｎｍ２以上、３．５個／ｎｍ２以上、４．０個／ｎｍ２以上、４．５個／ｎｍ２以上、５．０個／ｎｍ２以上、５．１個／ｎｍ２以上、５．２個／ｎｍ２以上、５．３個／ｎｍ２以上、５．４個／ｎｍ２以上、５．５個／ｎｍ２以上、５．６個／ｎｍ２以上、５．７個／ｎｍ２以上、５．８個／ｎｍ２以上、５．９個／ｎｍ２以上、６．０個／ｎｍ２以上、６．１個／ｎｍ２以上、６．２個／ｎｍ２以上、６．３個／ｎｍ２以上、６．４個／ｎｍ２以上、６．５個／ｎｍ２以上、６．６個／ｎｍ２以上、６．７個／ｎｍ２以上、６．８個／ｎｍ２以上、６．９個／ｎｍ２以上、７．０個／ｎｍ２以上、７．１個／ｎｍ２以上、７．２個／ｎｍ２以上、７．３個／ｎｍ２以上、７．４個／ｎｍ２以上、７．５個／ｎｍ２以上、７．６個／ｎｍ２以上、７．７個／ｎｍ２以上、７．８個／ｎｍ２以上、７．９個／ｎｍ２以上、８．０個／ｎｍ２以上、８．５個／ｎｍ２以上、９．０個／ｎｍ２以上、９．５個／ｎｍ２以上、１０．０個／ｎｍ２以上、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値のシラノール基密度を有する。いくつかの実施形態では、シリカ粒子は、６．２個／ｎｍ２超のシラノール基密度を有する。
【0058】
いくつかの実施形態では、シリカ粒子は、１０．０個／ｎｍ２以下、９．５個／ｎｍ２以下、９．０個／ｎｍ２以下、８．５個／ｎｍ２以下、８．０個／ｎｍ２以下、７．５個／ｎｍ２以下、７．０個／ｎｍ２以下、６．５個／ｎｍ２以下、６．０個／ｎｍ２以下、５．５個／ｎｍ２以下、５．０個／ｎｍ２以下、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値のシラノール基密度を有する。いくつかの実施形態では、シリカ粒子は、４．０個／ｎｍ２以下、３．０個／ｎｍ２以下、２．５個／ｎｍ２以下、２．４個／ｎｍ２以下、２．３個／ｎｍ２以下、２．２個／ｎｍ２以下、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値のシラノール基密度を有する。
【0059】
いくつかの実施形態では、シリカ粒子は、１．０個／ｎｍ２～１０．０個／ｎｍ２、１．５個／ｎｍ２～９．５個／ｎｍ２、２．０個／ｎｍ２～９．０個／ｎｍ２、２．５個／ｎｍ２～８．５個／ｎｍ２、３．０個／ｎｍ２～８．０個／ｎｍ２、４．５個／ｎｍ２～７．５個／ｎｍ２、５．０個／ｎｍ２～７．０個／ｎｍ２、５．５個／ｎｍ２～６．５個／ｎｍ２、またはその中の任意の範囲もしくは値のシラノール基密度を有する。
【0060】
＜シラノール基密度の算出方法＞
研磨剤の単位表面積あたりのシラノール基密度（単位：個／ｎｍ２）は、以下の測定方法または計算方法により、各パラメータを測定または算出した後、下記の方法により算出する。
研磨剤の単位表面積あたりのシラノール基密度（単位：個／ｎｍ２）は、以下の測定方法または計算方法により、各パラメータを測定または算出した後、下記の方法により算出する。
【0061】
より具体的には、下記式中のＣは、研磨剤の合計質量であり、下記式中のＳは、研磨剤のＢＥＴ比表面積である。さらに具体的には、まず、固形分として１．５０ｇの研磨剤を２００ｍｌビーカーに採取し、１００ｍｌの純水を加えてスラリーとした後、３０ｇの塩化ナトリウムを添加して溶解する。次に、１Ｎ 塩酸を添加してスラリーのｐＨを３．０～３．５に調整した後、スラリーが１５０ｍｌになるまで純水を加える。
【0062】
このスラリーに対して、自動滴定装置（平沼産業株式会社製、ＣＯＭ－１７００）使用して、２５℃で０．１Ｎ 水酸化ナトリウムを用いてｐＨが４．０になるよう調整し、さらに、ｐＨ滴定によってｐＨを４．０から９．０に上げるのに要した０．１Ｎ 水酸化ナトリウム溶液の容量Ｖ［Ｌ］を測定する。平均シラノール基密度（シラノール基密度）は、下記式により算出できる。
【0063】
ρ＝（ｃ×Ｖ×ＮＡ）／（Ｃ×Ｓ）
上記式中、
ρは、平均シラノール基密度（シラノール基密度）（個／ｎｍ２）を表わし；
ｃは、滴定に用いた水酸化ナトリウム溶液の濃度（ｍｏｌ／Ｌ）を表わし；
Ｖは、ｐＨを４．０から９．０に上げるのに要した水酸化ナトリウム溶液の容量（Ｌ）
を表わし；
ＮＡは、アボガドロ定数（個／ｍｏｌ）を表わし；
Ｃは、研磨剤の合計質量（固形分）（ｇ）を表わし；
Ｓは、研磨剤のＢＥＴ比表面積の加重平均値（ｎｍ２／ｇ）を表わす。当該ＢＥＴ比表面積は、株式会社マウンテック製の“ＭａｃｓｏｒｂＨＭ ｍｏｄｅｌ－１２１０”を用いて測定されたＢＥＴ法による研磨剤の比表面積の値である。
上記式中、
ρは、平均シラノール基密度（シラノール基密度）（個／ｎｍ２）を表わし；
ｃは、滴定に用いた水酸化ナトリウム溶液の濃度（ｍｏｌ／Ｌ）を表わし；
Ｖは、ｐＨを４．０から９．０に上げるのに要した水酸化ナトリウム溶液の容量（Ｌ）
を表わし；
ＮＡは、アボガドロ定数（個／ｍｏｌ）を表わし；
Ｃは、研磨剤の合計質量（固形分）（ｇ）を表わし；
Ｓは、研磨剤のＢＥＴ比表面積の加重平均値（ｎｍ２／ｇ）を表わす。当該ＢＥＴ比表面積は、株式会社マウンテック製の“ＭａｃｓｏｒｂＨＭ ｍｏｄｅｌ－１２１０”を用いて測定されたＢＥＴ法による研磨剤の比表面積の値である。
【0064】
モリブデン静的エッチング速度抑制剤
本明細書で使用される場合、「静的エッチング速度」（ＳＥＲ）という用語は、組成物（例えば、研磨用組成物）に浸漬した後の膜厚変化を浸漬時間で割ったものを意味する。例えば、「Ｍｏ静的エッチング速度」は、組成物（例えば、本開示の研磨用組成物）に浸漬した後のモリブデン層の厚さの変化を浸漬時間で割ったものである。
本明細書で使用される場合、「静的エッチング速度」（ＳＥＲ）という用語は、組成物（例えば、研磨用組成物）に浸漬した後の膜厚変化を浸漬時間で割ったものを意味する。例えば、「Ｍｏ静的エッチング速度」は、組成物（例えば、本開示の研磨用組成物）に浸漬した後のモリブデン層の厚さの変化を浸漬時間で割ったものである。
【0065】
本開示による研磨用組成物は、１つ以上のモリブデン静的エッチング速度抑制剤（「Ｍｏ ＳＥＲ抑制剤」）を含む。Ｍｏ ＳＥＲ抑制剤は、１つのＭｏ ＳＥＲ抑制剤または２つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤（例えば、２つ、３つ、４つ、５つ、またはそれ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤）を含んでもよい。いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、第１のＭｏ ＳＥＲ抑制剤および第２のＭｏ ＳＥＲ抑制剤を含む。本開示による研磨用組成物は、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤と、第２のモリブデン静的エッチング速度抑制剤とを含むが、その意味は、２つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤を含む、ということである。
【0066】
１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、特に限定されず、研磨用組成物の安定性を低下させることなく、高いモリブデン除去速度を達成しながらモリブデン静的エッチング速度を低下させるのに有効な任意の１つ以上の化合物を含んでもよい。いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、スルホン酸部分、リン酸部分、またはその塩、トリアゾール化合物、アミノ酸、またはそれらの任意の組み合わせを有するアニオン性界面活性剤を含む。スルホン酸部分は、－ＳＯ３で示され、リン酸部分は、－ＯＰＯ３で示される。
【0067】
いくつかの実施形態では、前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、ジフェニルエーテル構造を有する。ここで、ジフェニルエーテル構造の概念は、以下：
【0068】
【化1】
【0069】
で示される構造を含む他、以下：
【0070】
【化2】
【0071】
で示される構造も含む。なお、式２で示される構造は、実際には以下：
【0072】
【化3】
【0073】
のように、ジフェニルエーテル構造における酸素原子をプラスに帯電させる任意の基（Ｘ）（Ｘは、例えば、スルホ基（－ＳＯ３Ｈ）等である）を更に含む。具体例は、以下のような構造：
【0074】
【化4】
【0075】
である。
【0076】
いくつかの実施形態では、前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、下記式：
【0077】
【化5】
【0078】
で示される、ジフェニルエーテル構造を有し、Ｒ１～Ｒ１０の基は、それぞれ独立して、水素原子、スルホ基（－ＳＯ３Ｈ）およびアルキル基から選択され、ただし、Ｒ１～Ｒ１０の基のうち少なくとも１つは、スルホ基（－ＳＯ３Ｈ）である。スルホ基（－ＳＯ３Ｈ）はＮａ等の塩の形態でもよい。いくつかの実施形態では、当該アルキル基の炭素数は２～１５、３～１４、４～１３、５～１２である。いくつかの実施形態では、当該アルキル基は、直鎖状または分岐状であり、好ましくは直鎖状である。いくつかの実施形態では、Ｒ１～Ｒ１０の基のうち、スルホ基（－ＳＯ３Ｈ）の数が、４個以下、３個以下、あるいは、２個以下である。いくつかの実施形態では、Ｒ１～Ｒ１０の基のうち、アルキル基の数が４個以下、３個以下、２個以下、あるいは、１個である。いくつかの実施形態では、Ｒ１～Ｒ１０の基のうち、スルホ基（－ＳＯ３Ｈ）の数が１個または２個であり、アルキル基の数が１～４個、１～３個、あるいは１個または２個であり、残りが水素原子である。
【0079】
いくつかの実施形態では、前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、下記式：
【0080】
【化6】
【0081】
で示される、ジフェニルエーテル構造を有し、Ｒ１１～Ｒ１５の基は、それぞれ独立して、水素原子、スルホ基（－ＳＯ３Ｈ）およびアルキル基から選択される。式６中に含まれる、スルホ基（－ＳＯ３Ｈ）はＮａ等の塩の形態でもよい。いくつかの実施形態では、当該アルキル基の炭素数は１～９、２～７、あるいは、３～５である。いくつかの実施形態では、当該アルキル基は、直鎖状または分岐状であり、好ましくは直鎖状である。いくつかの実施形態では、Ｒ１１～Ｒ１５の基のうち、スルホ基（－ＳＯ３Ｈ）の数が、２個以下であり、好ましくは１個である。このように、第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤がその一分子中に２つのスルホ基（－ＳＯ３Ｈ）を有している場合、そのうちの１つが共鳴酸素に結合していることも好ましい。いくつかの実施形態では、Ｒ１１～Ｒ１５の基のうち、アルキル基の数が１個以上、２個以上、あるいは、３個以上である。いくつかの実施形態では、Ｒ１１～Ｒ１５の基のうち、スルホ基（－ＳＯ３Ｈ）の数が１個または２個であり、アルキル基の数が１～４個であり、残りが水素原子である。
【0082】
いくつかの実施形態では、前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、オキシアルキレン構造、かつ、リン酸部分（－ＯＰＯ３）を有する。いくつかの実施形態では、オキシアルキレン構造の炭素数は、１、２または３である。いくつかの実施形態では、前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、Ｘ－（ＯＹ）ｎ－ＯＰＯ３で示され、ｎは３～２０であり、Ｘはアルキル基、アルケニル基、またはアリール基であり、Ｙはアルキレン基である。リン酸部分（－ＯＰＯ３）はＮａ等の塩の形態でもよい。いくつかの実施形態では、ｎは１７以下、１５以下、１３以下、１１以下、１０以下、あるいは、９以下である。いくつかの実施形態では、ｎは４以上、５以上、６以上、あるいは、７以上である。いくつかの実施形態では、アルキル基の炭素数は３～２０、４～１９、５～１８、６～１７、７～１７、８～１６、９～１５、１０～１４、あるいは、１１～１３である。いくつかの実施形態では、アルケニル基の炭素数は３～２０、４～１９、５～１８、６～１７、７～１７、８～１６、９～１５、１０～１４、あるいは、１１～１３である。いくつかの実施形態では、アリール基はフェニル基またはナフチル基である。いくつかの実施形態では、アルキレン基の炭素数は１、２または３である。
【0083】
いくつかの実施形態では、前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、一分子に２つ以上のスルホン酸部分（－ＳＯ３）を有する。前記第１のモリブデン静的エッチング速度抑制剤は、一分子に５つ以下、４つ以下、あるいは、３つ以下のスルホン酸部分（－ＳＯ３）を有する。
【0084】
いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホネートまたはその塩（例えば、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸二ナトリウム（ＣＡＳ番号２８５１９－０２－０））、スルホン化ベンゼン、１，１’－オキシビス－、ｓｅｃ－ヘキシル誘導体（ＣＡＳ番号１４７７３２－５９－０）、スルホン化ベンゼン、１，１’－オキシビス－、テトラプロピレン誘導体（ＣＡＳ番号１１９３４５－０３－８）、ポリオキシエチレン（１０）オレイルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（８）フェニルホスフェート、ポリオキシエチレン（１４）オレイルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１０）アルキルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（８）トリデシルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１０）トリデシルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１２）トリデシルエーテルホスフェート、およびその塩から選択される少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホネートまたはその塩（例えば、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸二ナトリウム（ＣＡＳ番号２８５１９－０２－０））、スルホン化ベンゼン、１，１’－オキシビス－、ｓｅｃ－ヘキシル誘導体（ＣＡＳ番号１４７７３２－５９－０）、スルホン化ベンゼン、１，１’－オキシビス－、テトラプロピレン誘導体（ＣＡＳ番号１１９３４５－０３－８）、およびその塩からなる群から選択される少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態では、モリブデン静的エッチング速度抑制剤は、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸二ナトリウム（ＣＡＳ番号２８５１９－０２－０）またはその塩である。
【0085】
いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、トリアゾール化合物、アミノ酸、またはそれらの任意の組み合わせを含む。いくつかの実施形態では、トリアゾール化合物は、ベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾール－５－カルボン酸（ＣＡＳ番号６０９３２－５８－３またはＣＡＳ番号２３８１４－１２－２）、または２，２’－［［（メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール－１－イル）メチル］イミノ］ビス－エタノール（ＣＡＳ番号８８４７７－３７－６）を含む。いくつかの実施形態では、トリアゾール化合物はベンゾトリアゾールを含む。いくつかの実施形態では、アミノ酸は、アルギニン（例えば、Ｌ－アルギニン）、ヒスチジン（例えば、ｌ－ヒスチジン）、リジン（例えば、Ｌ－リジン）、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、アラニン、またはそれらの任意の組み合わせから選択される１つ以上である。いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、塩基性アミノ酸を含む。いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、アルギニン、ヒスチジン、およびリジンからなる群から選択される少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤はアルギニンを含む。いくつかの実施形態では、組成物中に含まれるアミノ酸のうち、塩基性アミノ酸が占める割合が、８０重量％以上、８５重量％以上、９０重量％以上、９５重量％以上、９８重量％以上、あるいは、９９重量％以上である（上限：１００重量％）。
【0086】
いくつかの実施形態では、組成物は、スルホン酸部分、リン酸部分またはその塩を有するアニオン性界面活性剤から選択される第１のＭｏ ＳＥＲ抑制剤と、アミノ酸から選択される第２のＭｏ ＳＥＲ抑制剤と、を含む。いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホネートまたはその塩（例えば、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸二ナトリウム（ＣＡＳ番号２８５１９－０２－０））、スルホン化ベンゼン、１，１’－オキシビス－、ｓｅｃ－ヘキシル誘導体（ＣＡＳ番号１４７７３２－５９－０）、スルホン化ベンゼン、１，１’－オキシビス－、テトラプロピレン誘導体（ＣＡＳ番号１１９３４５－０３－８）、ポリオキシエチレン（１０）オレイルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（８）フェニルホスフェート、ポリオキシエチレン（１４）オレイルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１０）アルキルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（８）トリデシルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１０）トリデシルエーテルホスフェート、ポリオキシエチレン（１２）トリデシルエーテルホスフェート、およびその塩から選択される第１のＭｏ ＳＥＲ抑制剤と、アルギニン、ヒスチジン、およびリジンから選択される第２のＭｏ ＳＥＲ抑制剤と、含む。いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、ドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸二ナトリウム（ＣＡＳ番号２８５１９－０２－０）である第１のＭｏ ＳＥＲ抑制剤と、アルギニンである第２のＭｏ ＳＥＲ抑制剤と、を含む。
【0087】
１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、研磨用組成物の安定性を低下させることなく、高いモリブデン除去速度を達成しながらモリブデン静的エッチング速度を低下させるための任意の適切な濃度で研磨用組成物中に存在してもよい。いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、研磨用組成物中に、個々にまたは集合的に、約０．００１重量％以上、約０．００５重量％以上約０．０１重量％以上、約０．０２重量％以上、約０．０３重量％以上、約０．０４重量％以上、約０．０５重量％以上、約０．０６重量％以上、約０．０７重量％以上、約０．０８重量％以上、約０．０９重量％以上、約０．１重量％以上、約０．２重量％以上、約０．３重量％以上、約０．４重量％以上、約０．５重量％以上、約０．６重量％以上、約０．７重量％以上、約０．８重量％以上、約０．９重量％以上、約１．０重量％以上、約１．５重量％以上、約２．０重量％以上、約２．５重量％以上、約３．０重量％以上、約３．５重量％以上、約４．０重量％以上、約４．５重量％以上％、約５重量％以上、約６重量％以上、約７重量％以上、約８重量％以上、約９重量％以上、約１０重量％以上、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値の濃度（組成物の総重量に対する重量による）で存在する。
【0088】
いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、研磨用組成物中に、個々にまたは集合的に、約１０重量％以下、約９重量％以下、約８重量％以下、約７重量％以下、約６重量％以下、約５重量％以下、約４．５重量％以下、約４．０重量％以下、約３．５重量％以下、約３．０重量％以下、約２．５重量％以下、約２．０重量％以下、約１．５重量％以下、約１．０重量％以下、約０．９重量％以下、約０．８重量％以下、約０．７重量％以下、約０．６重量％以下、約０．５重量％以下、約０．４重量％以下、約０．３重量％以下、約０．２重量％以下、約０．１重量％以下、約０．０５重量％以下、約０．０１重量％以下、約０．００５重量％以下、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値の濃度（組成物の総重量に対する重量による）で存在する。Ｍｏ ＳＥＲ抑制剤の濃度を闇雲に高くするのではなく適切な上限を設けることによって、モリブデンについて低い静的エッチング速度（ＳＥＲ）を達成しながら、高い除去速度を有する効果がある。
【0089】
いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、研磨用組成物中に、個々にまたは集合的に、約０．００１重量％～約１０重量％、約０．００１重量％～約５重量％、約０．００１重量％～約１重量％、約０．００１重量％～約０．７重量％、約０．００１重量％～約０．５重量％、約０．００１重量％～約０．１重量％、約０．００１重量％～約０．０５重量％、約０．００１重量％～約０．０１重量％、約０．００５重量％～約１０重量％、約０．００５重量％～約５重量％、約０．００５重量％～約１重量％、約０．００５重量％～約０．７重量％、約０．００５重量％～約０．５重量％、約０．００５重量％～約０．１重量％、約０．００５重量％～約０．０５重量％、約０．００５重量％～約０．０１重量％、約０．０１重量％～約１０重量％、約０．０１重量％～約５重量％、約０．０１重量％～約１重量％、約０．０１重量％～約０．７重量％、約０．０１重量％～約０．５重量％、約０．０１重量％～約０．１重量％、またはその中の任意の範囲もしくは値の濃度（組成物の総重量に対する重量による）で存在する。
【0090】
いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、研磨用組成物中に、個々にまたは集合的に（合計濃度で）、約０．０３重量％～約１．０重量％、またはその中の任意の範囲もしくは値の濃度（組成物の総重量に対する重量による）で存在する。いくつかの実施形態では、１つ以上のＭｏ ＳＥＲ抑制剤は、研磨用組成物中に、個々にまたは集合的に（合計濃度で）、約０．０７重量％～約１．０重量％、またはその中の任意の範囲もしくは値の濃度（組成物の総重量に対する重量による）で存在する。いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、組成物の総重量に対して約０．０２重量％～約０．４重量％の濃度のスルホン酸部分（－ＳＯ３）、リン酸部分（－ＯＰＯ３）、またはそれらの塩を有する第１のＳＥＲ抑制剤と、組成物の総重量に対して約０．０２重量％～約１重量％の濃度のアミノ酸構造を有する第２のＳＥＲ抑制剤と、を含む。Ｍｏ ＳＥＲ抑制剤の濃度を闇雲に高くするのではなく適切な上限を設け、また、適切な下限を設けることによって、モリブデンについて低い静的エッチング速度（ＳＥＲ）を達成しながら、高い除去速度を有する効果がある。この濃度の調整は、本発明者らが、ＳＥＲ抑制剤には低い静的エッチング速度（ＳＥＲ）の達成と、高い除去速度の達成というトレードオフの効果があることを知見したからなせるものである。
【0091】
いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、組成物の総重量に対して約０．００５重量％～約１重量％の濃度のドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸二ナトリウム（ＣＡＳ番号２８５１９－０２－０）である第１のＭｏ ＳＥＲ抑制剤と、組成物の総重量に対して約０．０１重量％～約１．０重量％の濃度のアルギニンである第２のＭｏ ＳＥＲ抑制剤と、を含む。いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、組成物の総重量に対して約０．０１重量％～約０．７重量％の濃度のドデシル（スルホナトフェノキシ）ベンゼンスルホン酸二ナトリウム（ＣＡＳ番号２８５１９－０２－０）である第１のＭｏ ＳＥＲ抑制剤と、組成物の総重量に対して約０．０５重量％～約０．７重量％の濃度のアルギニンである第２のＭｏ ＳＥＲ抑制剤と、を含む。
【0092】
酸化剤
本開示による研磨用組成物は、１つ以上の酸化剤を含む。いくつかの実施形態では、本開示による研磨用組成物は、第１の酸化剤および第２の酸化剤を含む。研磨用組成物は、３つ以上の酸化剤（例えば、３つ、４つ、５つ、またはそれ以上の酸化剤）を含んでいてもよい。本開示による研磨用組成物は、第１の酸化剤と、第２の酸化剤と、を含むが、その意味は、２つ以上の酸化剤を含む、ということである。
本開示による研磨用組成物は、１つ以上の酸化剤を含む。いくつかの実施形態では、本開示による研磨用組成物は、第１の酸化剤および第２の酸化剤を含む。研磨用組成物は、３つ以上の酸化剤（例えば、３つ、４つ、５つ、またはそれ以上の酸化剤）を含んでいてもよい。本開示による研磨用組成物は、第１の酸化剤と、第２の酸化剤と、を含むが、その意味は、２つ以上の酸化剤を含む、ということである。
【0093】
第１および第２の酸化剤は、特に限定されず、研磨用組成物の安定性を低下させることなく、高いモリブデン除去速度を達成しながら、モリブデン静的エッチング速度を低下させるのに有効な任意の１つ以上の化合物を含んでもよい。
【0094】
いくつかの実施形態では、第１の酸化剤は、１つ以上の遷移金属化合物（例えば、遷移金属ハロゲン化物）を含む。いくつかの実施形態では、第１の酸化剤は過酸化物ではない。いくつかの実施形態では、第１の酸化剤は、銀（ＩＩ）塩、鉄（ＩＩＩ）塩、過マンガン酸、クロム酸、二クロム酸、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、亜塩素酸、過塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、ジクロロイソシアヌル酸、ヨウ化カリウム、過マンガン酸カリウム、およびそれらの塩から選択される１つ以上の化合物を含む。
【0095】
いくつかの実施形態では、第２の酸化剤は、１つ以上の過酸化物を含む。いくつかの実施形態では、第２の酸化剤は、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、オゾン水、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、ペルフタル酸、過硫酸、およびそれらの塩から選択される１つ以上の化合物を含む。
【0096】
いくつかの実施形態では、第１の酸化剤はヨウ化カリウムを含み、第２の酸化剤は過酸化水素を含む。いくつかの実施形態では、第１の酸化剤はヨウ素酸カリウムを含み、第２の酸化剤は過酸化水素を含む。
【0097】
第１の酸化剤および第２の酸化剤は、研磨用組成物中に、研磨用組成物の安定性を低下させることなく、高いモリブデン除去速度を達成しながら、モリブデン静的エッチング速度を低下させるための任意の適切な濃度で存在してもよい。いくつかの実施形態では、１つ以上の酸化剤は、研磨用組成物中に、個々にまたは集合的に、約０．００１重量％以上、約０．００５重量％以上約０．０１重量％以上、約０．０２重量％以上、約０．０３重量％以上、約０．０４重量％以上、約０．０５重量％以上、約０．０６重量％以上、約０．０７重量％以上、約０．０８重量％以上、約０．０９重量％以上、約０．１重量％以上、約０．２重量％以上、約０．３重量％以上、約０．４重量％以上、約０．５重量％以上、約０．６重量％以上、約０．７重量％以上、約０．８重量％以上、約０．９重量％以上、約１．０重量％以上、約１．５重量％以上、約２．０重量％以上、約２．５重量％以上、約３．０重量％以上、約３．５重量％以上、約４．０重量％以上、約４．５重量％以上％、約５重量％以上、約６重量％以上、約７重量％以上、約８重量％以上、約９重量％以上、約１０重量％以上、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値の濃度（組成物の総重量に対する重量による）で存在する。
【0098】
いくつかの実施形態では、第１および第２の酸化剤は、研磨用組成物中に、個々にまたは集合的に、約１０重量％以下、約９重量％以下、約８重量％以下、約７重量％以下、約６重量％以下、約５重量％以下、約４．５重量％以下、約４．０重量％以下、約３．５重量％以下、約３．０重量％以下、約２．５重量％以下、約２．０重量％以下、約１．５重量％以下、約１．０重量％以下、約０．９重量％以下、約０．８重量％以下、約０．７重量％以下、約０．６重量％以下、約０．５重量％以下、約０．４重量％以下、約０．３重量％以下、約０．２重量％以下、約０．１重量％以下、約０．０５重量％以下、約０．０１重量％以下、約０．００５重量％以下、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値の濃度（組成物の総重量に対する重量による）で存在する。
【0099】
いくつかの実施形態では、第１および第２の酸化剤は、研磨用組成物中に、個々にまたは集合的に、約０．００１重量％～約１０重量％、約０．００１重量％～約５重量％、約０．００１重量％～約１重量％、約０．００１重量％～約０．７重量％、約０．００１重量％～約０．５重量％、約０．００１重量％～約０．１重量％、約０．００１重量％～約０．０５重量％、約０．００１重量％～約０．０１重量％、約０．００５重量％～約１０重量％、約０．００５重量％～約５重量％、約０．００５重量％～約１重量％、約０．００５重量％～約０．７重量％、約０．００５重量％～約０．５重量％、約０．００５重量％～約０．１重量％、約０．００５重量％～約０．０５重量％、約０．００５重量％～約０．０１重量％、約０．０１重量％～約１０重量％、約０．０１重量％～約５重量％、約０．０１重量％～約１重量％、約０．０１重量％～約０．７重量％、約０．０１重量％～約０．５重量％、約０．０１重量％～約０．１重量％、約０．０５重量％～約１０重量％、約０．０５重量％～約５．０重量％、約０．０５重量％～約１．０重量％、約０．０５重量％～約０．７重量％、約０．０５重量％～約０．５重量％、約０．０５重量％～約０．１重量％、約０．０５重量％～約０．０７重量％、約０．１重量％～約１０重量％、約０．１重量％～約５．０重量％、約０．１重量％～約２．５重量％、約０．１重量％～約２．０重量％、約０．１重量％～約１．５重量％、約０．１重量％～約１．０重量％、約０．１重量％～約０．７重量％、約０．１重量％～約０．５重量％、約０．５重量％～約１０重量％、約０．５重量％～約５．０重量％、約０．５重量％～約２．５重量％、約０．５重量％～約２．０重量％、約０．５重量％～約１．５重量％、約０．５重量％～約１．０重量％、約０．５重量％～約０．７重量％、約１．０重量％～約１０．０重量％、約１．０重量％～約５．０重量％、約１．０重量％～約２．５重量％、約１．０重量％～約２．０重量％、約１．０重量％～約１．５重量％、またはその中の任意の範囲もしくは値の濃度（組成物の総重量に対する重量による）で存在する。
【0100】
いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、組成物の総重量に対して約０．０１重量％～１．０重量％の濃度のヨウ化カリウムである第１の酸化剤と、組成物の総重量に対して約０．０１重量％～５．０重量％の濃度の過酸化水素である第２の酸化剤と、を含む。いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、組成物の総重量に対して約０．０１重量％～１．０重量％の濃度のヨウ素酸またはその塩である第１の酸化剤と、組成物の総重量に対して約０．０１重量％～５．０重量％の濃度の過酸化水素である第２の酸化剤と、を含む。いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、組成物の総重量に対して約０．０５重量％～０．７重量％の濃度のヨウ化カリウムである第１の酸化剤と、組成物の総重量に対して約０．５重量％～１．５重量％の濃度の過酸化水素である第２の酸化剤と、を含む。いくつかの実施形態では、研磨用組成物は、組成物の総重量に対して約０．０５重量％～０．７重量％の濃度のヨウ素酸またはその塩である第１の酸化剤と、組成物の総重量に対して約０．５重量％～１．５重量％の濃度の過酸化水素である第２の酸化剤と、を含む。
【0101】
いくつかの実施形態では、ヨウ素酸またはその塩である第１の酸化剤の濃度に対する、過酸化水素である第２の酸化剤の濃度が、１．２倍以上、１．４倍以上、１．６倍以上、あるいは、１．８倍以上である。いくつかの実施形態では、ヨウ素酸またはその塩である第１の酸化剤の濃度に対する、過酸化水素である第２の酸化剤の濃度が、５．５倍以下、４．５倍以下、３倍以下、あるいは、２．５倍以下である。
【0102】
いくつかの実施形態では、組成物中に含まれる酸化剤のうち、ヨウ素酸カリウムおよび過酸化水素が占める割合が、８０重量％以上、８５重量％以上、９０重量％以上、９５重量％以上、９８重量％以上、あるいは、９９重量％以上である（上限：１００重量％）。
【0103】
ｐＨ調整剤
いくつかの実施形態では、本開示による組成物は、ｐＨを選択されたｐＨ値に調整するための１つ以上のｐＨ調整剤をさらに含み得る。
いくつかの実施形態では、本開示による組成物は、ｐＨを選択されたｐＨ値に調整するための１つ以上のｐＨ調整剤をさらに含み得る。
【0104】
ｐＨ調整剤は特に限定されず、任意の適切なｐＨ調整剤を使用して、上述のように、組成物のｐＨを任意の所望の範囲にすることができる。いくつかの実施形態では、１つ以上のｐＨ調整剤は、無機化合物、有機化合物、またはそれらの組み合わせを含み得るか、それらから本質的になり得るか、またはそれらからなり得る。いくつかの実施形態では、１つ以上のｐＨ調整剤は、無機酸（例えば、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸、次亜リン酸、亜リン酸およびリン酸）、有機酸（例えば、クエン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、安息香酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、乳酸等のカルボン酸）、および／または有機硫酸（例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、イセチオン酸等）を含み得る。いくつかの実施形態では、１つ以上のｐＨ調整剤は、１つ以上のプロトン（Ｈ＋）が放出され得る場合（例えば、炭酸水素アンモニウムまたはリン酸水素アンモニウム）に塩基の形態であり得る上記酸（例えば、硫酸、炭酸、リン酸、シュウ酸等）の二価以上の酸を含み得るが、任意の対イオンが使用され得る（例えば、アンモニウム、トリエタノールアミン等の弱塩基性カチオン）。いくつかの実施形態では、１つ以上のｐＨ調整剤はリン酸を含む。
【0105】
いくつかの実施形態では、１つ以上のｐＨ調整剤は、アルカリ金属の１つ以上の水酸化物（例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ）またはその塩（例えば、炭酸塩、炭酸水素塩、硫酸塩、酢酸塩等）、第４級アンモニウム化合物（例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム等）、第４級アンモニウム水酸化物（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム）またはその塩、アンモニア、アミン、または任意の他の適切なｐＨ調整剤を含み得る。いくつかの実施形態では、１つ以上のｐＨ調整剤はＫＯＨを含む。
【0106】
研磨用組成物のｐＨ
ｐＨ調整剤は、上述のように、第１の材料（例えば、ＳｉＮ）および第２の材料（例えば、ＳｉＯ２）の反対に帯電した表面を得るために所望のｐＨ値を達成するのに適した任意の量で存在してもよい。研磨用組成物のｐＨは、当該分野で公知の任意の適切な方法（例えば、サーモフィッシャーサイエンティフィックＯＲＩＯＮ（商標）ＶＥＲＳＡ ＳＴＡＲ ＰＲＯ（商標）ｐＨ／ＩＳＥ／導電率／溶存酸素マルチパラメータベンチトップメータを使用する）を用いて測定され得る。
ｐＨ調整剤は、上述のように、第１の材料（例えば、ＳｉＮ）および第２の材料（例えば、ＳｉＯ２）の反対に帯電した表面を得るために所望のｐＨ値を達成するのに適した任意の量で存在してもよい。研磨用組成物のｐＨは、当該分野で公知の任意の適切な方法（例えば、サーモフィッシャーサイエンティフィックＯＲＩＯＮ（商標）ＶＥＲＳＡ ＳＴＡＲ ＰＲＯ（商標）ｐＨ／ＩＳＥ／導電率／溶存酸素マルチパラメータベンチトップメータを使用する）を用いて測定され得る。
【0107】
いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、約１０．０以下、約９．９以下、約９．８以下、約９．７以下、約９．６以下、約９．５以下、約９．４以下、約９．３以下、約９．２以下、約９．１以下、約９．０以下、約８．９以下、約８．８以下、約８．７以下、約８．６以下、約８．５以下、約８．４以下、約８．３以下、約８．２以下、約８．１以下、約８．０以下、約７．９以下、約７．８以下、約７．７以下、約７．６以下、約７．５以下、約７．４以下、約７．３以下、約７．２以下、約７．１以下、約７．０以下、約６．９以下、約６．８以下、約６．７以下、約６．６以下、約６．５以下、約６．４以下、約６．３以下、約６．２以下、約６．１以下、約６．０以下、約５．９以下、約５．８以下、約５．７以下、約５．６以下、約５．５以下、約５．４以下、約５．３以下、約５．２以下、約５．１以下、約５．０以下、約４．９以下、約４．８以下、約４．７以下、約４．６以下、約４．５以下、約４．４以下、約４．３以下、約４．２以下、約４．１以下、約４．０以下、約３．９以下、約３．８以下、約３．７以下、約３．６以下、約３．５以下、約３．４以下、約３．３以下、約３．２以下、約３．１以下、約３．０以下、またはそれ以下である。
【0108】
いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、約３．０以上、約３．１以上、約３．２以上、約３．３以上、約３．４以上、約３．５以上、約３．６以上、約３．７以上、約３．８以上、約３．９以上、約４．０以上、約４．１以上、約４．２以上、約４．３以上、約４．４以上、約４．５以上、約４．６以上、約４．７以上、約４．８以上、約４．９以上、約５．０以上、約５．１以上、約５．２以上、約５．３以上、約５．４以上、約５．５以上、約５．６以上、約５．７以上、約５．８以上、約５．９以上、約６．０以上、約６．１以上、約６．２以上、約６．３以上、約６．４以上、約６．５以上、約６．６以上、約６．７以上、約６．８以上、約６．９以上、約７．０以上、約７．１以上、約７．２以上、約７．３以上、約７．４以上、約７．５以上、約７．６以上、約７．７以上、約７．８以上、約７．９以上、約８．０以上、約８．１以上、約８．２以上、約８．３以上、約８．４以上、約８．５以上、約８．６以上、約８．７以上、約８．８以上、約８．９以上、約９．０以上、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値である。
【0109】
いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、約３～約１０、約３．５～約９．５、約４～約９、約４．５～約８．５、約５～約８、約５．５～約７．５、約６～約７である。いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、約４～約９、例えば、約４．０、４．５、５．０、５．５、６．０、６．５、７．０、７．５、８．０、８．５もしくは９．０、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値である。いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、約４．５～約８．１以下である。いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、約５．０～約８．０以下である。いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、約５．０～約７．８以下である。いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、約５．５～約７．５以下である。いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、４超である。いくつかの実施形態では、組成物のｐＨは、９未満である。
【0110】
液体担体
本開示による研磨用組成物は、液体担体を含んでいてもよい。研磨用組成物の液体担体は、特に限定されない。いくつかの実施形態では、液体担体は、脱イオン水等の水である。液体担体は、例えば、適切なｐＨ調整剤を含有する水溶液であってもよい。いくつかの実施形態では、液体担体は、アルコール化合物、例えば脂肪族アルコールのグリコールエーテルおよび２～６個の炭素原子を有する３～１０個の炭素原子等の１つ以上の有機溶媒を含むことができる。炭素数２～６の脂肪族アルコールの例としては、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、グリセリン、１，２，４－ブタントリオール、１，２，６－ヘキサントリオール、エリスリトール、Ｄ－トレイトール、Ｌ－トレイロール、Ｄ－アラビニトール、Ｌ－アラビニトール、リビトール、キシリトール、マンニトールおよびソルビトールが挙げられる。炭素数３～１０のグリコールエーテルの例としては、メチルグリコール、メチルジグリコール、メチルトリグリコール、イソプロピルグリコール、イソプロピルジグリコール、ブチルグリコール、ブチルジグリコール、ブチルトリグリコール、イソブチルグリコール、イソブチルジグリコール、ヘキシルグリコール、ヘキシルジグリコール、２－エチルヘキシルグリコール、２－エチルヘキシルジグリコール、アリールグリコール、フェニルグリコール、フェニルジグリコール、ベンジルグリコール、メチルプロピレングリコール、メチルプロピレンジグリコール、メチルプロピレントリグリコール、プロピルプロピレングリコール、プロピルプロピレンジグリコール、ブチルプロピレングリコール、ブチルプロピレンジグリコール、およびフェニルプロピレングリコールが挙げられる。いくつかの実施形態では、組成物に含まれる液体担体のうち、８０重量％以上、８５重量％以上、９０重量％以上、９５重量％以上、９８重量％以上、あるいは、９９重量％以上が、水である（上限は、１００重量％）。
本開示による研磨用組成物は、液体担体を含んでいてもよい。研磨用組成物の液体担体は、特に限定されない。いくつかの実施形態では、液体担体は、脱イオン水等の水である。液体担体は、例えば、適切なｐＨ調整剤を含有する水溶液であってもよい。いくつかの実施形態では、液体担体は、アルコール化合物、例えば脂肪族アルコールのグリコールエーテルおよび２～６個の炭素原子を有する３～１０個の炭素原子等の１つ以上の有機溶媒を含むことができる。炭素数２～６の脂肪族アルコールの例としては、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３－ブタンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、グリセリン、１，２，４－ブタントリオール、１，２，６－ヘキサントリオール、エリスリトール、Ｄ－トレイトール、Ｌ－トレイロール、Ｄ－アラビニトール、Ｌ－アラビニトール、リビトール、キシリトール、マンニトールおよびソルビトールが挙げられる。炭素数３～１０のグリコールエーテルの例としては、メチルグリコール、メチルジグリコール、メチルトリグリコール、イソプロピルグリコール、イソプロピルジグリコール、ブチルグリコール、ブチルジグリコール、ブチルトリグリコール、イソブチルグリコール、イソブチルジグリコール、ヘキシルグリコール、ヘキシルジグリコール、２－エチルヘキシルグリコール、２－エチルヘキシルジグリコール、アリールグリコール、フェニルグリコール、フェニルジグリコール、ベンジルグリコール、メチルプロピレングリコール、メチルプロピレンジグリコール、メチルプロピレントリグリコール、プロピルプロピレングリコール、プロピルプロピレンジグリコール、ブチルプロピレングリコール、ブチルプロピレンジグリコール、およびフェニルプロピレングリコールが挙げられる。いくつかの実施形態では、組成物に含まれる液体担体のうち、８０重量％以上、８５重量％以上、９０重量％以上、９５重量％以上、９８重量％以上、あるいは、９９重量％以上が、水である（上限は、１００重量％）。
【0111】
追加の成分
いくつかの実施形態では、組成物は、任意の濃度で他の添加剤を含んでもよい。しかしながら、表面欠陥の存在の原因となり得る不要な成分を添加しないことが望ましい。したがって、任意の他の添加剤は、それらが存在する場合、比較的低い濃度（例えば、０．１重量％以下、０．０５重量％以下、０．０１重量％以下、０．００５重量％以下、０．００１重量％以下、０．０００５重量％以下、０．０００１重量％以下、０．０００１重量％～０．１重量％、０．０００１重量％～０．０１重量％、または０．０００１重量％～０．００１重量％等）で存在することが好ましい。他の添加剤の例としては、防腐剤、防カビ剤、殺生物剤（例えば、メチルイソチアゾリノン（「ＭＩＴ」）、ベンゾイソチアゾリノン（「ＢＩＴ」）、２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン等のイソチアゾリノン）、分散剤（一旦沈降した研磨剤の再分散性を向上させる添加剤）、電気伝導度調整剤（研磨用組成物の電気伝導度を調整する添加剤）、上記研磨剤以外の研磨剤、キレート剤、酸化剤、還元剤、および溶存ガスが挙げられる。
いくつかの実施形態では、組成物は、任意の濃度で他の添加剤を含んでもよい。しかしながら、表面欠陥の存在の原因となり得る不要な成分を添加しないことが望ましい。したがって、任意の他の添加剤は、それらが存在する場合、比較的低い濃度（例えば、０．１重量％以下、０．０５重量％以下、０．０１重量％以下、０．００５重量％以下、０．００１重量％以下、０．０００５重量％以下、０．０００１重量％以下、０．０００１重量％～０．１重量％、０．０００１重量％～０．０１重量％、または０．０００１重量％～０．００１重量％等）で存在することが好ましい。他の添加剤の例としては、防腐剤、防カビ剤、殺生物剤（例えば、メチルイソチアゾリノン（「ＭＩＴ」）、ベンゾイソチアゾリノン（「ＢＩＴ」）、２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン等のイソチアゾリノン）、分散剤（一旦沈降した研磨剤の再分散性を向上させる添加剤）、電気伝導度調整剤（研磨用組成物の電気伝導度を調整する添加剤）、上記研磨剤以外の研磨剤、キレート剤、酸化剤、還元剤、および溶存ガスが挙げられる。
【0112】
研磨方法
別の態様において、本開示は、モリブデン表面を本開示による研磨用組成物と接触させることと、モリブデン表面からモリブデンを除去することと、を含む研磨方法に関する。
別の態様において、本開示は、モリブデン表面を本開示による研磨用組成物と接触させることと、モリブデン表面からモリブデンを除去することと、を含む研磨方法に関する。
【0113】
いくつかの実施形態では、モリブデンは、約２００Å／分以上、約２５０Å／分以上、約３００Å／分以上、約３５０Å／分以上、約４００Å／分以上、約４５０Å／分以上、約５００Å／分以上、約５５０Å／分以上、約６００Å／分以上、約６５０Å／分以上、約７００Å／分以上、約７５０Å／分以上、約８００Å／分以上、約８５０Å／分以上、約９００Å／分以上、約９５０Å／分以上、約１０００Å／分以上、約１０５０Å／分以上、約１１００Å／分以上、約１１５０Å／分以上、約１２００Å／分以上、約１２５０Å／分以上、約１３００Å／分以上、約１３５０Å／分以上、約１４００Å／分以上、約１４５０Å／分以上、約１５００Å／分以上、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値の除去速度（ＲＲ）でモリブデン表面から除去される。
【0114】
いくつかの実施形態では、研磨は、低いＭｏ静的エッチング速度（ＳＥＲ）を達成する。いくつかの実施形態では、Ｍｏ ＳＥＲは、約１２００Å／分以下、約１１５０Å／分以下、約１１００Å／分以下、約１０５０Å／分以下、約１０００Å／分以下、約９５０Å／分以下、約９００Å／分以下、約８５０Å／分以下、約８００Å／分以下、約７５０Å／分以下、約７００Å／分以下、約６５０Å／分以下、約６００Å／分以下、約５５０Å／分以下、約５００Å／分以下、約４５０Å／分以下、約４００Å／分以下であり、約３５０Å／分以下、約３００Å／分以下、約２５０Å／分以下、約２００Å／分以下、約１９０Å／分以下、１８０Å／分以下、１７０Å／分以下、１６０Å／分以下、１５０Å／分以下、１４０Å／分以下、１３０Å／分以下、１２０Å／分以下、１１０Å／分以下、１００Å／分以下、９０Å／分以下、８０Å／分以下、７０Å／分以下、６０Å／分以下、５０Å／分以下、４０Å／分以下、３０Å／分以下、またはそれらの間の任意の範囲もしくは値である。
【0115】
いくつかの実施形態では、研磨は、少なくとも約２、少なくとも約２．５、少なくとも約３、少なくとも約３．５、少なくとも約４、少なくとも約４．５、少なくとも約５、少なくとも約５．５、少なくとも約６、少なくとも約６．５、少なくとも約７、少なくとも約７．５、少なくとも約８、少なくとも約８．５、少なくとも約９、少なくとも約９．５、少なくとも約１０、少なくとも約１０．５、少なくとも約１１、少なくとも約１１．５、少なくとも約１２、またはそれを超えるＭｏ ＲＲ対Ｍｏ ＳＥＲの比を達成する。いくつかの実施形態では、研磨は、６．０超、６．２以上、６．４以上、６．６以上、６．８以上、７．０以上、７．２以上、７．４以上、７．６以上、７．８以上、８．０以上、８．２以上、８．４以上、８．６以上、８．８以上、９．０以上、９．２以上、９．４以上、９．６以上、９．８以上、１０．０以上、１０．２以上、１０．４以上、１０．６以上、１０．８以上、あるいは、１１．０以上またはそれを超えるＭｏ ＲＲ対Ｍｏ ＳＥＲの比を達成する。いくつかの実施形態では、研磨は、２０以下、あるいは、１８以下のＭｏ ＲＲ対Ｍｏ ＳＥＲの比を達成する。
【実施例0116】
実施例１．研磨用組成物の調製
Ｍｏ除去速度、Ｍｏ静的エッチング速度の抑制、およびＭｏ ＲＲ－ＳＥＲ選択性に関して本開示による研磨用組成物の研磨性能を試験するために、研磨用組成物を以下のように調製した。
Ｍｏ除去速度、Ｍｏ静的エッチング速度の抑制、およびＭｏ ＲＲ－ＳＥＲ選択性に関して本開示による研磨用組成物の研磨性能を試験するために、研磨用組成物を以下のように調製した。
【0117】
以下の実験で使用される例示的な研磨用組成物について、以下の成分を以下の順序：（１）脱イオン水（全脱イオン水の８０％）、（２）第１のＳＥＲ抑制剤、（３）第２のＳＥＲ抑制剤、（４）第２の酸化剤、（５）研磨剤、（６）脱イオン水（全脱イオン水の２０％）、（７）ｐＨ調整剤、および（８）第１の酸化剤、で混合しながら容器に添加することによって研磨用組成物を調製した。なお、例によっては（３）第２のＳＥＲ抑制剤等の少なくとも１種の成分が含まれないものもある。
【0118】
研磨用組成物は、異なる研磨剤の種類（表１に示す）および異なるＭｏ ＳＥＲ抑制剤（表２に示す）を用いて調製した。
【0119】
Ｍｏ除去速度を試験するために、研磨用組成物（例１～６７）を、Ｓｉ基板上の熱ＳｉＯ２上の５０ｎｍ ＰＥ－ＣＶＤ ＳｉＮ上の２００ｎｍ ＰＶＤ Ｍｏ（上から下）を含むＭｏコーティング基板に、以下の研磨条件を使用して操作される卓上研磨機を使用して塗布した。
【0120】
・●パッド：ＦＵＪＩＢＯ Ｈ８００
・●コンディショナー：３Ｍナイロンブラシ
・●ダウンフォース：２．０ｐｓｉ
・●プラテン回転：１５０ｒｐｍ
・●スラリー流量：３０ｍｌ／分
・●研磨時間：３０秒
Ｍｏ除去速度を決定するために、Ｍｏ層の厚さを研磨前後に測定し、次いで研磨時間で割った。Ｍｏ静的エッチング速度（ＳＥＲ）を決定するために、０．５重量％クエン酸溶液に基板を浸漬し、脱イオン水で２分間すすぎ、その後、基板を３００ｍｌの研磨用組成物に４０℃で２分間浸漬することによって基板を前処理（洗浄）する前後に、Ｍｏ層の厚さを測定した。
・●コンディショナー：３Ｍナイロンブラシ
・●ダウンフォース：２．０ｐｓｉ
・●プラテン回転：１５０ｒｐｍ
・●スラリー流量：３０ｍｌ／分
・●研磨時間：３０秒
Ｍｏ除去速度を決定するために、Ｍｏ層の厚さを研磨前後に測定し、次いで研磨時間で割った。Ｍｏ静的エッチング速度（ＳＥＲ）を決定するために、０．５重量％クエン酸溶液に基板を浸漬し、脱イオン水で２分間すすぎ、その後、基板を３００ｍｌの研磨用組成物に４０℃で２分間浸漬することによって基板を前処理（洗浄）する前後に、Ｍｏ層の厚さを測定した。
【0121】
【表1】
【0122】
研磨剤Ａ～Ｃはいずれもコロイダルシリカであり、いずれも表面未修飾である。
【0123】
【表2-1】
【0124】
【表2-2】
【0125】
実施例２．Ｍｏ除去速度および静的エッチング速度に対する酸化剤の効果
それぞれ１重量％の研磨剤（タイプＢ）を含む研磨用組成物１～１４を用いてＭｏ基板を研磨し、研磨用組成物のｐＨは（ｐＨ調整剤としてＫＯＨを用いて）６．５とした。異なる濃度の第１および第２の酸化剤（それぞれＫＩＯ３およびＨ２Ｏ２）を使用して、Ｍｏ ＲＲ、Ｍｏ ＳＥＲ、およびＲＲ／ＳＥＲ選択性を決定した。研磨性能を表３にまとめた。
それぞれ１重量％の研磨剤（タイプＢ）を含む研磨用組成物１～１４を用いてＭｏ基板を研磨し、研磨用組成物のｐＨは（ｐＨ調整剤としてＫＯＨを用いて）６．５とした。異なる濃度の第１および第２の酸化剤（それぞれＫＩＯ３およびＨ２Ｏ２）を使用して、Ｍｏ ＲＲ、Ｍｏ ＳＥＲ、およびＲＲ／ＳＥＲ選択性を決定した。研磨性能を表３にまとめた。
【0126】
【表3】
【0127】
実施例３．モリブデンＳＥＲ抑制剤の効果
単一のＭｏ ＳＥＲ抑制剤を含む組成物の研磨性能を試験するために、それぞれ１重量％の研磨剤（タイプＢ）、第１の酸化剤としての０．５重量％のＫＩＯ３、第２の酸化剤としての１．０重量％のＨ２Ｏ２を含む研磨用組成物３および１５～４３を使用して、Ｍｏ基板を研磨し、研磨用組成物のｐＨは（ｐＨ調整剤としてＫＯＨを用いて）６．５とした。様々な第１のＭｏ ＳＥＲ抑制剤（Ａ～Ｒ）を異なる濃度で使用して、Ｍｏ ＲＲ、Ｍｏ ＳＥＲ、およびＲＲ／ＳＥＲ選択性を決定した。研磨性能を表４にまとめた。
単一のＭｏ ＳＥＲ抑制剤を含む組成物の研磨性能を試験するために、それぞれ１重量％の研磨剤（タイプＢ）、第１の酸化剤としての０．５重量％のＫＩＯ３、第２の酸化剤としての１．０重量％のＨ２Ｏ２を含む研磨用組成物３および１５～４３を使用して、Ｍｏ基板を研磨し、研磨用組成物のｐＨは（ｐＨ調整剤としてＫＯＨを用いて）６．５とした。様々な第１のＭｏ ＳＥＲ抑制剤（Ａ～Ｒ）を異なる濃度で使用して、Ｍｏ ＲＲ、Ｍｏ ＳＥＲ、およびＲＲ／ＳＥＲ選択性を決定した。研磨性能を表４にまとめた。
【0128】
２つの異なるＭｏ ＳＥＲ抑制剤を含む組成物の研磨性能を試験するために、それぞれ１重量％の研磨剤（タイプＢ）、第１の酸化剤としての０．５重量％のＫＩＯ３、第２の酸化剤としての１．０重量％のＨ２Ｏ２を含む研磨用組成物１５および４４～５７を使用して、Ｍｏ基板を研磨し、研磨用組成物のｐＨは（ｐＨ調整剤としてＫＯＨを用いて）６．５とした。様々な第１のＭｏ ＳＥＲ抑制剤（Ａ－Ｃ、Ｐ）および様々な第２のＭｏ ＳＥＲ抑制剤（Ｓ－Ｗ）を異なる濃度で使用して、Ｍｏ ＲＲ、Ｍｏ ＳＥＲ、およびＲＲ／ＳＥＲの選択性を決定した。研磨性能を表５にまとめた。
【0129】
【表4】
【0130】
【表5】
【0131】
実施例４．Ｍｏ除去速度および静的エッチング速度に対する組成物のｐＨの効果
組成物のｐＨの機能としての研磨性能を試験するために、それぞれ１重量％の研磨剤（タイプＢ）、第１の酸化剤としての０．５重量％のＫＩＯ３、第２の酸化剤としての１．０重量％のＨ２Ｏ２、０．０５重量％の抑制剤Ａ、および０．０５重量％のＬ－アルギニン（抑制剤Ｓ）を含む研磨用組成物５８～６３を使用して、Ｍｏ基板を研磨した。リン酸（例５８～６０）またはＫＯＨ（６１～６３）を使用して組成物のｐＨを調整して、酸性および塩基性研磨用組成物をそれぞれ製造した。研磨性能を表６にまとめた。
組成物のｐＨの機能としての研磨性能を試験するために、それぞれ１重量％の研磨剤（タイプＢ）、第１の酸化剤としての０．５重量％のＫＩＯ３、第２の酸化剤としての１．０重量％のＨ２Ｏ２、０．０５重量％の抑制剤Ａ、および０．０５重量％のＬ－アルギニン（抑制剤Ｓ）を含む研磨用組成物５８～６３を使用して、Ｍｏ基板を研磨した。リン酸（例５８～６０）またはＫＯＨ（６１～６３）を使用して組成物のｐＨを調整して、酸性および塩基性研磨用組成物をそれぞれ製造した。研磨性能を表６にまとめた。
【0132】
【表6】
【0133】
実施例５．Ｍｏ除去速度および静的エッチング速度に対する研磨剤の種類の効果
研磨剤の種類および濃度の機能としての研磨性能を試験するために、それぞれ第１の酸化剤としての０．５重量％のＫＩＯ３、第２の酸化剤としての１．０重量％のＨ２Ｏ２、０．０５重量％の抑制剤Ａ、および０．０５重量％のＬ－アルギニン（抑制剤Ｓ）を含み、組成物のｐＨ６．５（ｐＨ調整剤としてＫＯＨを用いた）を有する研磨用組成物４４および６４～６７を使用して、Ｍｏ基板を研磨した。研磨性能を表７にまとめた。
研磨剤の種類および濃度の機能としての研磨性能を試験するために、それぞれ第１の酸化剤としての０．５重量％のＫＩＯ３、第２の酸化剤としての１．０重量％のＨ２Ｏ２、０．０５重量％の抑制剤Ａ、および０．０５重量％のＬ－アルギニン（抑制剤Ｓ）を含み、組成物のｐＨ６．５（ｐＨ調整剤としてＫＯＨを用いた）を有する研磨用組成物４４および６４～６７を使用して、Ｍｏ基板を研磨した。研磨性能を表７にまとめた。
【0134】
【表7】
【0135】
特定の実施形態を図示および説明したが、以下の特許請求の範囲に定義されるそのより広い態様の技術から逸脱することなく、当業者に従って変更および修正を行うことができることを理解されたい。
【0136】
本明細書に例示的に記載される組成物および方法は、本明細書に具体的に開示されていない任意の１つまたは複数の要素、１つまたは複数の制限がない状態で適切に実施され得る。したがって、例えば、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」などの用語は、広範に、限定することなく読まれるものとする。さらに、本明細書で使用される用語および表現は、限定ではなく説明の用語として使用されており、そのような用語および表現の使用において、示され説明された特徴またはその一部の均等物を除外する意図はない。特許請求される開示の範囲内で様々な修正が可能であることが認識される。したがって、本開示は好ましい実施形態および任意選択の特徴によって具体的に開示されているが、本明細書に開示されている開示の修正および変形は当業者によって行われてもよく、そのような修正および変形は本開示の範囲内にあると見なされることを理解されたい。
【0137】
本開示は、本明細書において広く一般的に説明されている。一般的な開示に含まれるより狭い種および亜属のグループ化のそれぞれも、方法の一部を形成する。これは、切除された材料が本明細書に具体的に列挙されているか否かにかかわらず、属から任意の主題を除去するという条件または否定的限定を伴う方法の一般的な説明を含む。本技術は、本技術の個々の態様の単一の例示として意図される本出願に記載された特定の実施形態に関して限定されるべきではない。当業者には明らかなように、本技術の精神および範囲から逸脱することなく、本技術の多くの修正および変形を行うことができる。本明細書に列挙されたものに加えて、本技術の範囲内の機能的に等価な方法および装置は、前述の説明から当業者には明らかであろう。そのような修正および変形は、本技術の範囲内に含まれることが意図される。この本技術は、特定の方法、試薬、化合物組成物または生物学的系に限定されず、当然のことながら変化し得ることを理解されたい。本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明することのみを目的としており、限定することを意図していないことも理解されたい。
【0138】
当業者は、本開示が目的を実行し、言及された目的および利点、ならびにそれらに固有の目的および利点を得るのによく適合していることを容易に理解する。その中の変更および他の使用が当業者には思い浮かぶであろう。これらの修正は、本開示の精神の範囲内に包含され、本開示の非限定的な実施形態を示す特許請求の範囲によって定義される。
【0139】
さらに、本開示の特徴または態様がマーカッシュ群に関して記載されている場合、当業者は、本開示がそれによってマーカッシュ群の任意の個々のメンバーまたはメンバーのサブグループに関しても記載されていることを認識するであろう。
【0140】
本明細書で引用されるすべての参考文献、論文、刊行物、特許、特許公報、および特許出願は、あらゆる目的のためにその全体が参照により組み込まれる。しかしながら、本明細書で引用される任意の参考文献、論文、出版物、特許、特許出版物、および特許出願の言及は、それらが有効な先行技術を構成するか、または世界の任意の国における共通の一般知識の一部を形成するという承認または任意の形態の提案ではなく、またそのように解釈されるべきではない。
【0141】
他の実施形態は、以下の特許請求の範囲に記載される。
【0142】
本出願は、２０２３年３月３日に出願された米国仮特許出願番号第６３／４４９，８３１号に基づいており、その開示内容は、その全体が参照により本明細書に組みこまれる。