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特開2024-126205温度センサ、センサユニット、擾乱因子測定ユニット、及び計測システム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024126205
(43)【公開日】2024-09-20
(54)【発明の名称】温度センサ、センサユニット、擾乱因子測定ユニット、及び計測システム
(51)【国際特許分類】
G01K 7/16 20060101AFI20240912BHJP
G01N 25/18 20060101ALN20240912BHJP
【ＦＩ】
G01K7/16 B
G01N25/18 D
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023034436
(22)【出願日】2023-03-07
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）令和４年度、太陽光発電技術研究組合「ＢＩＰＶ用日射熱取得率評価装置の設計と、ＢＩＰＶモジュール発電量評価及び解析」委託研究、産業技術力強化法（平成１２年法律第４４号）第１７条の適用を受ける特許出願
(71)【出願人】
【識別番号】301021533
【氏名又は名称】国立研究開発法人産業技術総合研究所
(72)【発明者】
【氏名】猪狩 真一
(72)【発明者】
【氏名】武田 俊輔
【テーマコード（参考）】
2G040
【Ｆターム（参考）】
2G040AB10
2G040AB12
2G040CA02
2G040DA02
(57)【要約】
【課題】簡易な構造により温度測定の高精度化を実現する温度センサ、センサユニット、擾乱因子測定ユニット、及び計測システムを提供すること。
【解決手段】絶縁性を有する平面視で矩形状の基板と、基板の一方の面に形成された膜状の第１素子と、基板の他方の面に形成された膜状の第２素子と、第１素子に接続された一対の第１端子と、第２素子に接続された一対の第２端子と、を有する温度センサ。第１素子及び第２素子は、それぞれ、平面視で矩形状をなしており、一端側と他端側から交互に、所定間隔をあけて平行に延びる設定幅の複数のスリットを有している。センサユニットは、複数の温度センサが連結されたものであり、擾乱因子測定ユニットは、外部の光を遮るように形成された筐体の内部に温度センサ又はセンサユニットが配設されたものである。
【選択図】図１
【解決手段】絶縁性を有する平面視で矩形状の基板と、基板の一方の面に形成された膜状の第１素子と、基板の他方の面に形成された膜状の第２素子と、第１素子に接続された一対の第１端子と、第２素子に接続された一対の第２端子と、を有する温度センサ。第１素子及び第２素子は、それぞれ、平面視で矩形状をなしており、一端側と他端側から交互に、所定間隔をあけて平行に延びる設定幅の複数のスリットを有している。センサユニットは、複数の温度センサが連結されたものであり、擾乱因子測定ユニットは、外部の光を遮るように形成された筐体の内部に温度センサ又はセンサユニットが配設されたものである。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁性を有する平面視で矩形状の基板と、
前記基板の一方の面に形成され、平面視で矩形状をなす膜状の第１素子と、
前記基板の他方の面に形成され、平面視で矩形状をなす膜状の第２素子と、
前記第１素子に接続された一対の第１端子と、
前記第２素子に接続された一対の第２端子と、を有し、
前記第１素子と前記第２素子とは、前記基板を挟んで対向するよう配置されており、
前記第１素子及び前記第２素子は、それぞれ、
一端側と他端側から交互に、所定間隔をあけて平行に延びる設定幅の複数のスリットを有する、温度センサ。
前記基板の一方の面に形成され、平面視で矩形状をなす膜状の第１素子と、
前記基板の他方の面に形成され、平面視で矩形状をなす膜状の第２素子と、
前記第１素子に接続された一対の第１端子と、
前記第２素子に接続された一対の第２端子と、を有し、
前記第１素子と前記第２素子とは、前記基板を挟んで対向するよう配置されており、
前記第１素子及び前記第２素子は、それぞれ、
一端側と他端側から交互に、所定間隔をあけて平行に延びる設定幅の複数のスリットを有する、温度センサ。
【請求項2】
前記一対の第１端子と前記一対の第２端子とは、平面視で重ならないよう配置されている、請求項１に記載の温度センサ。
【請求項3】
前記一対の第１端子は、
前記第１素子における矩形の領域内に配置された第１内端子と、
前記第１素子における矩形の領域外に配置された第１外端子と、により構成され、
前記一対の第２端子は、
前記第２素子における矩形の領域内に配置された第２内端子と、
前記第２素子における矩形の領域外に配置された第２外端子と、により構成されている、請求項１に記載の温度センサ。
前記第１素子における矩形の領域内に配置された第１内端子と、
前記第１素子における矩形の領域外に配置された第１外端子と、により構成され、
前記一対の第２端子は、
前記第２素子における矩形の領域内に配置された第２内端子と、
前記第２素子における矩形の領域外に配置された第２外端子と、により構成されている、請求項１に記載の温度センサ。
【請求項4】
前記第１内端子と前記第２内端子とは、
前記基板におけるある一辺の箇所に、平面視で設定距離を隔てて配置されており、
前記第１外端子と前記第２外端子とは、
前記基板における他の一辺の箇所に、平面視で前記設定距離を隔てて配置されている、請求項３に記載の温度センサ。
前記基板におけるある一辺の箇所に、平面視で設定距離を隔てて配置されており、
前記第１外端子と前記第２外端子とは、
前記基板における他の一辺の箇所に、平面視で前記設定距離を隔てて配置されている、請求項３に記載の温度センサ。
【請求項5】
前記一対の第１端子のうちの一方、及び前記一対の第２端子のうちの一方には、それぞれ、ネジの螺入が可能なネジ穴が形成され、
前記一対の第１端子のうちの他方、及び前記一対の第２端子のうちの他方には、それぞれ、前記ネジ穴よりも径の大きな通し穴が形成されている、請求項１又は２に記載の温度センサ。
前記一対の第１端子のうちの他方、及び前記一対の第２端子のうちの他方には、それぞれ、前記ネジ穴よりも径の大きな通し穴が形成されている、請求項１又は２に記載の温度センサ。
【請求項6】
前記第１内端子及び前記第１外端子のうちの一方、及び前記第２内端子及び前記第２外端子のうちの一方には、それぞれ、ネジの螺入が可能なネジ穴が形成され、
前記第１内端子及び前記第１外端子のうちの他方、及び前記第２内端子及び前記第２外端子のうちの他方には、それぞれ、前記ネジ穴よりも径の大きな通し穴が形成されている、請求項３又は４に記載の温度センサ。
前記第１内端子及び前記第１外端子のうちの他方、及び前記第２内端子及び前記第２外端子のうちの他方には、それぞれ、前記ネジ穴よりも径の大きな通し穴が形成されている、請求項３又は４に記載の温度センサ。
【請求項7】
前記一対の第１端子は、
前記スリットの延伸方向における一端側に配置され、
前記一対の第２端子は、
前記スリットの延伸方向における他端側に配置されている、請求項１又は２に記載の温度センサ。
前記スリットの延伸方向における一端側に配置され、
前記一対の第２端子は、
前記スリットの延伸方向における他端側に配置されている、請求項１又は２に記載の温度センサ。
【請求項8】
前記第１内端子及び前記第２内端子は、
前記スリットの延伸方向に対し直交する方向である直交方向における一端部に設けられ、
前記第１外端子及び前記第２外端子は、
前記直交方向における他端部に設けられている、請求項３又は４に記載の温度センサ。
前記スリットの延伸方向に対し直交する方向である直交方向における一端部に設けられ、
前記第１外端子及び前記第２外端子は、
前記直交方向における他端部に設けられている、請求項３又は４に記載の温度センサ。
【請求項9】
前記第１内端子は、
前記スリットの延伸方向における他端部の、前記延伸方向に対し直交する方向である直交方向における一端側に設けられ、
前記第１外端子は、
前記直交方向における他端部の、前記延伸方向における一端側に設けられ、
前記第２内端子は、
前記延伸方向における他端部の、前記直交方向における他端側に設けられ、
前記第２外端子は、
前記直交方向における他端部の、前記延伸方向における他端側に設けられている、請求項３又は４に記載の温度センサ。
前記スリットの延伸方向における他端部の、前記延伸方向に対し直交する方向である直交方向における一端側に設けられ、
前記第１外端子は、
前記直交方向における他端部の、前記延伸方向における一端側に設けられ、
前記第２内端子は、
前記延伸方向における他端部の、前記直交方向における他端側に設けられ、
前記第２外端子は、
前記直交方向における他端部の、前記延伸方向における他端側に設けられている、請求項３又は４に記載の温度センサ。
【請求項10】
前記第１内端子は、
前記スリットの延伸方向における他端部の、前記スリットの延伸方向に対し直交する方向である直交方向における他端側に設けられ、
前記第１外端子は、
前記直交方向における一端部の、前記延伸方向における他端側に設けられ、
前記第２内端子は、
前記延伸方向における他端部の、前記直交方向における一端側に設けられ、
前記第２外端子は、
前記直交方向における一端部の、前記延伸方向における一端側に設けられている、請求項３又は４に記載の温度センサ。
前記スリットの延伸方向における他端部の、前記スリットの延伸方向に対し直交する方向である直交方向における他端側に設けられ、
前記第１外端子は、
前記直交方向における一端部の、前記延伸方向における他端側に設けられ、
前記第２内端子は、
前記延伸方向における他端部の、前記直交方向における一端側に設けられ、
前記第２外端子は、
前記直交方向における一端部の、前記延伸方向における一端側に設けられている、請求項３又は４に記載の温度センサ。
【請求項11】
前記第１内端子は、
前記スリットの延伸方向における他端部の、前記延伸方向に対し直交する方向である直交方向における一端側に設けられ、
前記第１外端子は、
前記直交方向における一端部の、前記延伸方向における一端側に設けられ、
前記第２内端子は、
前記延伸方向における他端部の、前記直交方向における他端側に設けられ、
前記第２外端子は、
前記直交方向における一端部の、前記延伸方向における他端側に設けられている、請求項３又は４に記載の温度センサ。
前記スリットの延伸方向における他端部の、前記延伸方向に対し直交する方向である直交方向における一端側に設けられ、
前記第１外端子は、
前記直交方向における一端部の、前記延伸方向における一端側に設けられ、
前記第２内端子は、
前記延伸方向における他端部の、前記直交方向における他端側に設けられ、
前記第２外端子は、
前記直交方向における一端部の、前記延伸方向における他端側に設けられている、請求項３又は４に記載の温度センサ。
【請求項12】
請求項１～４の何れか一項に記載の温度センサを複数有する、センサユニット。
【請求項13】
外部の光を遮るように形成された筐体と、
前記筐体の内部に配設された請求項１～４の何れか一項に記載の温度センサと、を有する、擾乱因子測定ユニット。
前記筐体の内部に配設された請求項１～４の何れか一項に記載の温度センサと、を有する、擾乱因子測定ユニット。
【請求項14】
外部の光を遮るように形成された筐体と、
前記筐体の内部に配設された請求項１２に記載のセンサユニットと、を有する、擾乱因子測定ユニット。
前記筐体の内部に配設された請求項１２に記載のセンサユニットと、を有する、擾乱因子測定ユニット。
【請求項15】
測定対象物が疑似太陽光源装置と対向する面に貼り付けられる計測箱の少なくとも１つの面に取り付けられた請求項１２に記載のセンサユニットと、
前記センサユニットからの出力に基づき、前記測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有する計測システム。
前記センサユニットからの出力に基づき、前記測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有する計測システム。
【請求項16】
測定対象物が疑似太陽光源装置と対向する面に貼り付けられる計測箱の少なくとも１つの面に取り付けられた、請求項１～４の何れか一項に記載の温度センサを複数有するセンサユニットと、
外部の光を遮るように形成された筐体、及び前記筐体の内部に配設された、請求項１～４の何れか一項に記載の温度センサを含む擾乱因子測定ユニットと、
前記計測箱に取り付けられた前記センサユニットからの出力と、前記筐体内部の前記温度センサからの出力とに基づき、前記測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有する計測システム。
外部の光を遮るように形成された筐体、及び前記筐体の内部に配設された、請求項１～４の何れか一項に記載の温度センサを含む擾乱因子測定ユニットと、
前記計測箱に取り付けられた前記センサユニットからの出力と、前記筐体内部の前記温度センサからの出力とに基づき、前記測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有する計測システム。
【請求項17】
測定対象物が疑似太陽光源装置と対向する面に貼り付けられる計測箱の少なくとも１つの面に取り付けられた請求項１２のセンサユニットと、
外部の光を遮るように形成された筐体、及び前記筐体内部に配設された請求項１２に記載のセンサユニットを含む擾乱因子測定ユニットと、
前記計測箱に取り付けられた前記センサユニットからの出力と、前記筐体の内部の前記センサユニットからの出力とに基づき、前記測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有する計測システム。
外部の光を遮るように形成された筐体、及び前記筐体内部に配設された請求項１２に記載のセンサユニットを含む擾乱因子測定ユニットと、
前記計測箱に取り付けられた前記センサユニットからの出力と、前記筐体の内部の前記センサユニットからの出力とに基づき、前記測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有する計測システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、測定対象物の表面などに配設されて用いられる温度センサ、センサユニット、擾乱因子測定ユニット、及び計測システムに関する。
【背景技術】
【0002】
従来から、物体の表面に貼り付けられ、該物体の温度に関する情報を取得するための温度センサが知られている（例えば特許文献１及び２参照）。特許文献１には、複数の熱電対を組み合わせてなるサーモパイルにより構成された熱流センサが開示されている。特許文献２には、基材の表面に平面視矩形状の複数の金属層が形成された熱流センサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】実開昭６０－３５２３５号公報
【特許文献2】特開２０１２－４２３０４号広報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１の温度センサは、線状のセンサ素子が用いられていることから、基材の表面全体に占めるセンサ素子の割合、つまり実効面積が小さくなる。実効面積とは、平面視における面積について、温度センサ全体に占めるセンサ素子の割合のことである。温度センサは、実効面積が小さくなると、光の照射に対する感度が低くなるため、温度の測定精度も低下する。
【0005】
これに対し、特許文献２の温度センサは、センサ素子としての複数の金属層が基材の表面に並べて配置されているため、特許文献１の温度センサよりも、測定対象物に対するセンサ素子の実効面積は大きくなる。しかしながら、特許文献２の温度センサは、複数の金属層間に一定の距離を確保する必要があるため、実効面積の確保も十分とはいえず、さらにセンサ全体の構造が複雑化されているため、製造効率の低下を回避することができない。
【0006】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、簡易な構造により、温度測定の高精度化を実現する温度センサ、センサユニット、擾乱因子測定ユニット、及び計測システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の一態様に係る温度センサは、絶縁性を有する平面視で矩形状の基板と、基板の一方の面に形成され、平面視で矩形状をなす膜状の第１素子と、基板の他方の面に形成され、平面視で矩形状をなす膜状の第２素子と、第１素子に接続された一対の第１端子と、第２素子に接続された一対の第２端子と、を有し、第１素子と第２素子とは、基板を挟んで対向するよう配置されており、第１素子及び第２素子は、それぞれ、一端側と他端側から交互に、所定間隔をあけて平行に延びる設定幅の複数のスリットを有するものである。
本発明の一態様に係る擾乱因子測定ユニットは、外部の光を遮るように形成された筐体と、筐体の内部に配設された上記の温度センサと、を有するものである。
本発明の一態様に係る擾乱因子測定ユニットは、外部の光を遮るように形成された筐体と、筐体の内部に配設された上記の温度センサと、を有するものである。
【0008】
本発明の一態様に係るセンサユニットは、上記の温度センサを複数有するものである。
本発明の一態様に係る計測システムは、測定対象物が疑似太陽光源装置と対向する面に貼り付けられる計測箱の少なくとも１つの面に取り付けられた上記のセンサユニットと、センサユニットからの出力に基づき、前記測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有するものである。
本発明の一態様に係る擾乱因子測定ユニットは、外部の光を遮るように形成された筐体と、筐体の内部に配設された上記のセンサユニットと、を有するものである。
本発明の一態様に係る計測システムは、測定対象物が疑似太陽光源装置と対向する面に貼り付けられる計測箱の少なくとも１つの面に取り付けられた上記のセンサユニットと、センサユニットからの出力に基づき、前記測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有するものである。
本発明の一態様に係る擾乱因子測定ユニットは、外部の光を遮るように形成された筐体と、筐体の内部に配設された上記のセンサユニットと、を有するものである。
【0009】
本発明の一態様に係る計測システムは、測定対象物が疑似太陽光源装置と対向する面に貼り付けられる計測箱の少なくとも１つの面に取り付けられた、上記の温度センサを複数有するセンサユニットと、外部の光を遮るように形成された筐体、及び筐体の内部に配設された、上記の温度センサを含む擾乱因子測定ユニットと、計測箱に取り付けられたセンサユニットからの出力と、筐体内部の温度センサからの出力とに基づき、測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有するものである。
本発明の一態様に係る計測システムは、測定対象物が疑似太陽光源装置と対向する面に貼り付けられる計測箱の少なくとも１つの面に取り付けられた上記のセンサユニットと、外部の光を遮るように形成された筐体、及び筐体の内部に配設された上記のセンサユニットを含む擾乱因子測定ユニットと、計測箱に取り付けられたセンサユニットからの出力と、筐体内部のセンサユニットからの出力とに基づき、測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有するものである。
本発明の一態様に係る計測システムは、測定対象物が疑似太陽光源装置と対向する面に貼り付けられる計測箱の少なくとも１つの面に取り付けられた上記のセンサユニットと、外部の光を遮るように形成された筐体、及び筐体の内部に配設された上記のセンサユニットを含む擾乱因子測定ユニットと、計測箱に取り付けられたセンサユニットからの出力と、筐体内部のセンサユニットからの出力とに基づき、測定対象物の熱に関する性質を示す情報を求める管理装置と、を有するものである。
【発明の効果】
【0010】
本発明は、膜状の第１素子と膜状の第２素子とにより基板が挟まれた構造を採っており、第１素子には一対の第１端子が接続され、第２素子には一対の第２端子が接続されている。そして、第１素子及び第２素子は、それぞれ、一端側と他端側から交互に、所定間隔をあけて平行に延びる設定幅の複数のスリットを有している。すなわち、第１素子及び第２素子は、それぞれ、膜状であって、設定幅の間隔をあけて直交方向に蛇行するよう形成されているため、取付対象の物体に対し平行な面の面積につき、温度センサ全体に対するセンサ素子の割合が大きくなっている。したがって、測定対象物との間の熱伝導率の向上を図り、測温抵抗体としての機能を高めることができるため、簡易な構造により、温度測定の高精度化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明の実施の形態１に係るセンサユニット及び計測システムを概略的に例示した構成図である。
【図2】本発明の実施の形態１に係る温度センサ及び計測システムを概略的に例示した構成図である。
【図11】ある温度センサの外端子におけるネジ穴と、他の温度センサの内端子における通し穴との位置合わせをした状態でネジを螺入する様子を例示した説明図である。
【図13】バーリング加工が施された外端子を例示した概略断面図である。
【図14】ナットが溶着された外端子を例示した概略断面図である。
【図15】曲げ加工が施された外端子の一例を示す平面図である。
【図17】曲げ加工が施された外端子の他の例を示す平面図である。
【図20】本発明の実施の形態２に係る計測システムを概略的に例示した構成図である。
【図22】本発明の実施の形態２に係る計測システムにつき、５つの面にセンサユニットが設けられた計測箱及びその周辺を側面側から見た場合の概略的な構成例を示す説明図である。
【図23】本発明の実施の形態２に係る計測システムにつき、６つの面にセンサユニットが設けられた計測箱及びその周辺を側面側から見た場合の概略的な構成例を示す説明図である。
【図27】本発明の実施の形態３に係る計測システムを概略的に例示した構成図である。
【図30】疑似太陽光源装置による疑似太陽光が直接当たるように配置された温度センサ１０に係る抵抗値の経時特性を例示したグラフである。
【図31】擾乱因子測定ユニットの内部の温度センサに係る抵抗値の経時特性を例示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0012】
実施の形態１．
図１～図１９に基づき、本発明の実施の形態１に係るセンサユニット６０及び計測システム１００について説明する。各図では、図面の煩雑さを避ける等の意図で符号の一部を省略することがある。まず、図１～図６を参照し、温度センサ１０及びセンサユニット６０の全体的な構成例について説明する。
図１～図１９に基づき、本発明の実施の形態１に係るセンサユニット６０及び計測システム１００について説明する。各図では、図面の煩雑さを避ける等の意図で符号の一部を省略することがある。まず、図１～図６を参照し、温度センサ１０及びセンサユニット６０の全体的な構成例について説明する。
【0013】
図１に例示する計測システム１００は、複数の温度センサ１０により構成されたセンサユニット６０と、センサユニット６０からの出力又は該出力に基づく情報を用い、測定対象物（被測定試料）Ｍの特性データを求める管理装置８０と、を有している。図２に例示する計測システム１００は、温度センサ１０と、温度センサ１０からの出力又は該出力に基づく情報を用い、測定対象物Ｍ（図２では省略）の特性データを求める管理装置８０と、を有している。
【0014】
特性データは、測定対象物Ｍの熱に関する性質を示す情報である。測定対象物Ｍは、温度センサ１０又はセンサユニット６０を直接的又は間接的に取り付け、特性データの取得対象とする物体である。図１に例示するセンサユニット６０は、複数の温度センサ１０として、１又は複数の温度センサ１１と、１又は複数の温度センサ１２と、１又は複数の温度センサ１３と、１又は複数の温度センサ１４と、を有している。以降においても、温度センサ１１～１４を区別せずに指す場合は、これらを温度センサ１０と総称する。
【0015】
温度センサ１０は、平面視で矩形状となるよう形成されている。図１に例示する温度センサ１０は、横幅Ｗｘと縦幅Ｗｙとが概ね等しくなっている。横幅Ｗｘ及び縦幅Ｗｙは、例えば約３００ｍｍに設定され、使用状況などに合わせて適宜変更するとよい。図１に例示するセンサユニット６０は、６つの温度センサ１１と、４つの温度センサ１２と、１つの温度センサ１３と、１つの温度センサ１４と、を組み合わせた構成となっている。以下では、温度センサ１０の第２素子３０側を測定対象物Ｍに向けて取り付ける場合について説明するが、温度センサ１０は、第１素子２０側を測定対象物Ｍに向けて取り付けても、同様に使用することができる。
【0016】
図２に例示するように、温度センサ１０は、絶縁性を有する平面視で矩形状の基板５０と、基板５０の一方の面に形成され、平面視で矩形状をなす膜状の第１素子２０と、基板５０の他方の面に形成され、平面視で矩形状をなす膜状の第２素子３０と、を有している。基板５０は、ガラスエポキシなど、樹脂を含む材料により構成される。第１素子２０及び第２素子３０は、それぞれ、導電性を有する白金や銅などの金属により形成された薄膜のパターンである。第１素子２０及び第２素子３０は、それぞれ、基板５０上に、蒸着法、スパッタリング法などの種々の手法によって成膜される。以下、第１素子２０と第２素子３０とをセンサ素子と総称することがある。
【0017】
第１素子２０と第２素子３０とは、平面視で同程度の大きさとなるよう形成され、基板５０を挟んで対向するよう配置されている。図２では、説明の便宜上、平面視における基板５０の面積と第１素子２０及び第２素子３０の面積とが大きく異なる構成例を示しているが、実際の温度センサ１０は、平面視における基板５０の面積と第１素子２０及び第２素子３０の面積とが概ね等しくなるよう形成される。もっとも、基板５０は、第１素子２０及び第２素子３０よりも平面視でひとまわり大きくてもよく、すなわち、平面視で第１素子２０及び第２素子３０と同程度のサイズ及び形状であればよい。図２は、各構成部材を明確に区別して示すための便宜的なものであり、基板５０、第１素子２０、及び第２素子３０のサイズ、形状、厚み等は、これに限定されない。なお、図３～図６のような平面視において、基板５０は、スリット４１等の箇所から視認することができる（符号は省略）。
【0018】
温度センサ１０は、第１素子２０に接続された一対の第１端子（２１、２２）と、第２素子３０に接続された一対の第２端子（３１、３２）と、を有している。本実施の形態１において、一対の第１端子と一対の第２端子とは、平面視で重ならないよう配置されている。
【0019】
より具体的に、一対の第１端子は、図１等に示すように、第１素子２０における矩形の領域内に配置された第１内端子２１と、第１素子２０における矩形の領域外に配置された第１外端子２２と、により構成されている。一対の第２端子は、図１等に示すように、第２素子３０における矩形の領域内に配置された第２内端子３１と、第２素子３０における矩形の領域外に配置された第２外端子３２と、により構成されている。第１素子２０又は第２素子３０における矩形の領域とは、第１素子２０又は第２素子３０の外郭における４つの角をつないだ平面視で正方形状又は長方形状の領域のことである。
【0020】
温度センサ１０は、第１内端子２１及び第１外端子２２のうちの一方に、所定のネジ４ｎの螺入が可能なネジ穴４ｈが形成され、他方に、ネジ穴４ｈよりも径の大きな通し穴４ｋが形成されている。また、温度センサ１０は、第２内端子３１及び第２外端子３２のうちの一方にネジ穴４ｈが形成され、他方に通し穴４ｋが形成されている。ネジ穴４ｈには、ねじ切り加工を施すとよい。
【0021】
図３～図６では、第１内端子２１及び第２内端子３１に通し穴４ｋが形成され、第１外端子２２及び第２外端子３２にネジ穴４ｈが形成された例を示している。もっとも、温度センサ１０は、第１内端子２１及び第２内端子３１にネジ穴４ｈが形成され、第１外端子２２及び第２外端子３２に通し穴４ｋが形成されてもよい。温度センサ１０は、第１内端子２１及び第２外端子３２にネジ穴４ｈが形成され、第１外端子２２及び第２内端子３１に通し穴４ｋが形成されてもよい。温度センサ１０は、第１外端子２２及び第２内端子３１にネジ穴４ｈが形成され、第１内端子２１及び第２外端子３２に通し穴４ｋが形成されてもよい。以降、温度センサ１０のうち、第１内端子２１、第１外端子２２、第２内端子３１、及び第２外端子３２を除く部分を「センサ本体」という。また、第１内端子２１及び第２内端子３１については「内端子」と総称することがあり、第１外端子２２及び第２外端子３２については「外端子」と総称することがある。
【0022】
第１素子２０及び第２素子３０は、それぞれ、一端側と他端側から交互に、所定間隔Ｗ０（幅Ｗ０）をあけて平行に延びる設定幅Ｓの複数のスリット４１（図３～図６参照）が形成されている。ここで、スリット４１が延びる方向を「延伸方向」とし、延伸方向に対し直交する方向を「直交方向」とする。第１素子２０及び第２素子３０は、それぞれ、直交方向に沿って蛇行するよう、ひとつながりに形成されている。
【0023】
スリット４１は、エッチング、レーザ加工、機械加工などを用いて形成される。後述する他のスリットについても、スリット４１と同様に形成される。スリット４１を含む各スリットの設定幅Ｓは、狭すぎると短絡の原因になるため、５０μｍ程度を下限とし、広すぎると光吸収のための実効面積の拡大を実現することができないため、１ｍｍ程度を上限にするとよい。実効面積とは、平面視において、温度センサ１０又はセンサユニット６０全体に占める第１素子２０又は第２素子３０の割合のことである。
【0024】
センサユニット６０において、複数の温度センサ１０それぞれの第１素子２０を連結させて組み合わせた部分を第１素子群といい、複数の温度センサ１０それぞれの第２素子３０を連結させて組み合わせた部分を第２素子群という。
【0025】
第１素子２０及び第２素子３０は、同一のパターン形状で各スリットの幅を広くすると（幅Ｗ０等を狭くすると）、抵抗値が大きくなるので検出感度は向上するが、実効面積が減少するので検出効率は低下する。したがって、第１素子２０及び第２素子３０は、実効面積を確保しつつ抵抗値を大きくするために、膜厚を極力薄くするとよい。以降、第１素子２０及び第２素子３０の膜厚のことを「素子膜厚」と称する。素子膜厚は、例えば１０μｍ～５０μｍの範囲内にするとよい。
【0026】
素子膜厚は、形成時に、蒸着時間などを制御することで調整してもよく、形成後に、砥石等で全体を研磨することにより調整してもよい。形成後の研磨により素子膜厚を調整する場合は、基板５０の表面粗さと第１素子２０及び第２素子３０の材質にもよるが、研磨前の第１素子２０又は第２素子３０が薄すぎると欠落部分発生のおそれがあるため、留意を要する。第１素子２０及び第２素子３０は、各スリットの幅の調整、あるいは砥石等による素子膜厚の調整により、抵抗値を微調整することができる。第１素子２０及び第２素子３０は、抵抗値の微調整の後、表面に黒色低反射処理を施すとよい。
【0027】
ここで、図３～図６を参照し、本実施の形態１における各温度センサ１０の具体的な構成について説明する。図３～図６において、左側の（ａ）は、第１素子２０を表側に向けた状態例であり、右側の（ｂ）は、（ａ）の温度センサ１０を裏返した状態例、つまり第２素子３０を表側に向けた状態例である。図３～図６では、第１内端子２１及び第１外端子２２と、第２内端子３１及び第２外端子３２とを、外観上区別できるようにするため、裏側に配置された各端子にドットを付している。基板５０は、第１内端子２１が配置される部分、及び第２内端子３１が配置される部分に、平面視で矩形状の切欠き部５５が形成されている。
【0028】
図３～図６に例示する温度センサ１０は、第１内端子２１と第２内端子３１とが、基板５０におけるある一辺の箇所に、平面視で設定距離Ｔを隔てて配置されており、第１外端子２２と第２外端子３２とが、基板５０における他の一辺の箇所に、平面視で設定距離Ｔを隔てて配置されている。かかる構成により、複数の温度センサ１０を連結して用いる際、ある温度センサ１０の内端子側と、他の温度センサ１０の外端子側とを連結すればよいため、複数の温度センサ１０を容易に組み合わせることができる。
【0029】
もっとも、温度センサ１０は、第１内端子２１と第２外端子３２とが、基板５０における一辺の箇所に、平面視で設定距離Ｔを隔てて配置され、第１外端子２２と第２内端子３１とが、基板５０における他の一辺の箇所に、平面視で設定距離Ｔを隔てて配置されてもよい。かかる構成であっても、図１の例と同様、複数の温度センサ１０を連結して組み合わせることにより、全体として平面視で矩形状のセンサユニット６０を構成することができる。
【0030】
図３に例示するように、温度センサ１１は、第１素子２０として、複数のスリット４１と、少なくとも１本の枝スリット４２と、が形成された第１素子２０Ａを有している。第１素子２０Ａは、複数のスリット４１が形成されている主パターン部２１Ａと、第１内端子２１が接続される内パターン部２２Ａと、第１外端子２２が接続される外パターン部２３Ａと、を含む。温度センサ１１は、第２素子３０として、複数のスリット４１と、少なくとも１本の枝スリット４２と、が形成された第２素子３０Ａを有している。第２素子３０Ａは、複数のスリット４１が形成されている主パターン部３１Ａと、第２内端子３１が接続される内パターン部３２Ａと、第２外端子３２が接続される外パターン部３３Ａと、を含む。
【0031】
図３（ａ）に例示する第１素子２０Ａは、１２本のスリット４１と、１本の枝スリット４２と、を有している。枝スリット４２は、延伸方向における一端側から延びるスリット４１のうちで、第１内端子２１に最も近いものの中途の箇所から枝分かれしている。図３（ｂ）に例示する第２素子３０Ａは、１２本のスリット４１と、１本の枝スリット４２と、１本の端スリット４３と、を有している。第２素子３０Ａの枝スリット４２は、延伸方向における他端側から延びるスリット４１の一端側の端部に接続され、平面視でＬ字状となるよう形成されている。端スリット４３は、直交方向における他端部から延び、平面視でＬ字状となるよう形成されている。
【0032】
温度センサ１１は、第１内端子２１と第１外端子２２とが、延伸方向における一端側に並んで配置されている。温度センサ１１は、第２内端子３１と第１外端子３２とが、延伸方向における他端側に並んで配置されている。さらに、温度センサ１１は、第１内端子２１及び第２内端子３１が、直交方向における一端部に設けられ、第１外端子２２及び第２外端子３２が、直交方向における他端部に設けられている。すなわち、温度センサ１１は、第１内端子２１が、直交方向における一端部の、延伸方向における一端側に設けられ、第１外端子２２は、直交方向における他端部の、延伸方向における一端側に設けられている。また、温度センサ１１は、第２内端子３１が、直交方向における一端部の、延伸方向における他端側に設けられており、第２外端子３２が、直交方向における他端部の、延伸方向における他端側に設けられている。
【0033】
図４に例示するように、温度センサ１２は、第１素子２０として、複数のスリット４１と、少なくとも１本の枝スリット４２と、が形成された第１素子２０Ｂを有している。第１素子２０Ｂは、複数のスリット４１が形成されている主パターン部２１Ｂと、第１内端子２１が接続される内パターン部２２Ｂと、第１外端子２２が接続される外パターン部２３Ｂと、を含む。温度センサ１２は、第２素子３０として、複数のスリット４１が形成された第２素子３０Ｂを有している。第２素子３０Ｂは、複数のスリット４１が形成されている主パターン部３１Ｂと、第２内端子３１が接続される内パターン部３２Ｂと、第２外端子３２が接続される外パターン部３３Ｂと、を含む。
【0034】
図４（ａ）に例示する第１素子２０Ｂは、１３本のスリット４１と、１本の枝スリット４２と、を有している。枝スリット４２は、延伸方向における他端側から延びるスリット４１のうちで、第１内端子２１に最も近いものの中途の箇所から枝分かれしている。図４（ａ）の例において、枝スリット４２が接続されているスリット４１は、第１内端子２１側の端部が平面視で段状に形成されている。図４（ｂ）に例示する第２素子３０Ａは、１３本のスリット４１と、平面視でＵ字状に形成された縁スリット４４と、を有している。縁スリット４４は、直交方向における一端側から、延伸方向における他端側を経て、直交方向における他端側まで延びるよう形成され、数箇所に凹凸（段差）を有している。
【0035】
温度センサ１２において、第１内端子２１及び第２内端子３１は、延伸方向における他端部に設けられ、第１外端子２２及び第２外端子３２は、直交方向における他端部に設けられている。より具体的に、温度センサ１２において、第１内端子２１は、延伸方向における他端部の、直交方向における一端側に設けられており、第１外端子２２は、直交方向における他端部の、延伸方向における一端側に設けられている。また、温度センサ１２において、第２内端子３１は、延伸方向における他端部の、直交方向における他端側に設けられ、第２外端子３２は、直交方向における他端部の、延伸方向における他端側に設けられている。
【0036】
図５に例示するように、温度センサ１３は、第１素子２０として、複数のスリット４１と、少なくとも１本の枝スリット４２と、が形成された第１素子２０Ｃを有している。第１素子２０Ｃは、複数のスリット４１が形成されている主パターン部２１Ｃと、第１内端子２１が接続される内パターン部２２Ｃと、第１外端子２２が接続される外パターン部２３Ｃと、を含む。温度センサ１３は、第２素子３０として、複数のスリット４１が形成された第２素子３０Ｃを有している。第２素子３０Ｃは、複数のスリット４１が形成されている主パターン部３１Ｃと、第２内端子３１が接続される内パターン部３２Ｃと、第２外端子３２が接続される外パターン部３３Ｃと、を含む。
【0037】
図５（ａ）に例示する第１素子２０Ｃは、１３本のスリット４１と、１本の枝スリット４２と、１本の端スリット４３と、を有している。第１素子２０Ｃの枝スリット４２は、延伸方向における他端側から延びるスリット４１のうちで、第１外端子２２に最も近いものの中途の箇所から枝分かれしている。図５（ａ）の例において、枝スリット４２が接続されているスリット４１は、第１内端子２１側の端部が平面視で段状に形成されている。なお、孤立パターン２０ｘは、第１素子２０Ｃの一部ではあるが、抵抗値の調整のため、他の部分とは導通していない。図５（ｂ）に例示する第２素子３０Ｃは、１３本のスリット４１と、平面視でＬ字状に形成された縁スリット４４と、を有している。縁スリット４４は、延伸方向における他端側及び直交方向における他端側に沿って延びるようＬ字状に形成され、数箇所に凹凸（段差）を有している。
【0038】
温度センサ１３において、第１内端子２１及び第２内端子３１は、延伸方向における他端部に設けられ、第１外端子２２及び第２外端子３２は、直交方向における一端部に設けられている。より具体的に、温度センサ１３において、第１内端子２１は、延伸方向における他端部の、直交方向における他端側に設けられ、第１外端子２２は、直交方向における一端部の、延伸方向における他端側に設けられている。また、温度センサ１３において、第２内端子３１は、延伸方向における他端部の、直交方向における一端側に設けられ、第２外端子３２は、直交方向における一端部の、延伸方向における一端側に設けられている。
【0039】
図６に例示するように、温度センサ１４は、第１素子２０として、複数のスリット４１が形成された第１素子２０Ｄを有すると共に、第２素子３０として、複数のスリット４１が形成された第２素子３０Ｄを有している。第１素子２０Ｄは、複数のスリット４１が形成されている主パターン部２１Ｄと、第１内端子２１が接続される内パターン部２２Ｄと、第１外端子２２が接続される外パターン部２３Ｄと、を含む。第２素子３０Ｄは、複数のスリット４１が形成されている主パターン部３１Ｄと、第２内端子３１が接続される内パターン部３２Ｄと、第２外端子３２が接続される外パターン部３３Ｄと、を含む。
【0040】
図６（ａ）に例示する第１素子２０Ｄは、１３本のスリット４１と、１本の縁スリット４４と、を有している。縁スリット４４は、延伸方向における他端側及び直交方向における他端側に沿って延びるようＬ字状に形成され、数箇所に凹凸（段差）を有している。図６（ｂ）に例示する第２素子３０Ｄは、１３本のスリット４１と、平面視でＬ字状に形成された端スリット４３と、を有している。なお、孤立パターン３０ｘは、第２素子３０Ｄの一部ではあるが、抵抗値の調整のため、他の部分とは導通していない。
【0041】
温度センサ１４において、第１内端子２１及び第２内端子３１は、延伸方向における他端部に設けられ、第１外端子２２及び第２外端子３２は、直交方向における一端部に設けられている。より具体的に、温度センサ１４において、第１内端子２１は、延伸方向における他端部の、直交方向における一端側に設けられ、第１外端子２２は、直交方向における一端部の、延伸方向における一端側に設けられている。また、温度センサ１４において、第２内端子２２は、延伸方向における他端部の、直交方向における他端側に設けられ、第２外端子３２は、直交方向における一端部の、延伸方向における他端側に設けられている。
【0042】
主パターン部２１Ａ～２１Ｄ、３１Ａ～３１Ｄは、予め設定された幅Ｗ０をもつ平面視長方形状の薄膜が、延伸方向の一端側と他端側とで交互に繋げられた態様となっている。幅Ｗ０は、例えば約２０ｍｍに設定される。幅Ｗ０は、第１素子２０Ａ～２０Ｄの全域における抵抗値の均質化等を考慮して適宜調整される。内パターン部２２Ａ～２２Ｄ及び外パターン部２３Ａ～２３Ｄの幅及び形状は、それぞれ、第１素子２０Ａ～２０Ｄの全域に抵抗値のばらつきが生じないよう調整するとよい。内パターン部３２Ａ～３２Ｄ及び外パターン部３３Ａ～３３Ｄの幅及び形状は、それぞれ、第２素子３０Ａ～３０Ｄの全域に抵抗値のばらつきが生じないよう調整するとよい。
【0043】
各図の例では、各外端子の先端部にネジ穴４ｈが形成されており、各内端子の先端部には、ネジ穴４ｈよりも径の大きな通し穴４ｋが形成されている。したがって、複数の温度センサ１０の各々について、第１内端子２１及び第２内端子３１を、それぞれ、隣接する温度センサ１０の第１外端子２２及び第２外端子３２に連結し、第１外端子２２及び第２外端子３２を、それぞれ、隣接する他の第１内端子２１及び第２内端子３１に連結することにより（一端に配置される温度センサ１０の各内端子と他端に配置される温度センサ１０の各外端子とを除く）、センサユニット６０における温度センサ１０同士の間隔を狭くすることができる。そして、図１のように、配置及び組み合わせを工夫することにより、全体として平面視矩形状のセンサユニット６０を構築することができる。したがって、複数の温度センサ１０を組み合わせたセンサユニット６０においても、測定対象物Ｍに対するセンサ素子全体の実効面積の拡大を図ることができる。図１のセンサユニット６０は、複数の温度センサ１０が、蛇行するようひとつながりに連結されたものである。
【0044】
温度センサ１１～１４の各端子の配置は、各図の例に限らず、適宜変更することができる。例えば、温度センサ１１は、図３の構成に限らず、第１内端子２１の位置と第２内端子３１の位置とを入れ替えてもよく、第１外端子２２の位置と第２外端子３２の位置とを入れ替えてもよい。かかる構成を採り、図１のように温度センサ１１を連結させるときは、交互に向きを反転させるとよい。かかる構成の温度センサ１１に対し、他の温度センサ１２～１４を組み合わせる場合は、温度センサ１２～１４の各端子の配置も調整する必要がある。
【0045】
次に、図７～図１０を参照し、第１内端子２１、第１外端子２２、第２内端子３１、及び第２外端子３２の具体的な構成、及びこれら各端子と基板５０との関係について説明する。これら各端子とセンサ本体との接続関係は、何れも同様であるため、ここでは第１外端子２２について具体的に説明し、他の各端子についての説明は省略する。
【0046】
図７及び図８は、各端子が基板５０及び第１素子２０又は第２素子３０とは別体として設けられる例である。図７及び図８の例において、第１外端子２２は、リン青銅等を材料とする薄板状の部材に、金めっき又はニッケルめっきが施されたものであり、その端部が第１素子２０の表面に重ねられ、ハンダ付けされている。温度センサ１０は、測温抵抗体であるため、各端子と第１素子２０又は第２素子３０との接合にハンダ４８を用いても、原理的に検出精度への影響はない。もっとも、各端子は、ロウ付けにより第１素子２０又は第２素子３０の表面に取り付けられてもよい。
【0047】
図９及び図１０は、各端子が基板５０及び第１素子２０又は第２素子３０と一体的に形成される場合の構成例である。図１０に例示する第１外端子２２は、基板５０と一体的に形成される基部４５と、第１素子２０と一体的に形成される導電部４６と、を有している。金属製の薄膜からなる導電部４６だけでは、ネジ４ｎの締結時に導電部４６が削れ、導通性が損なわれる可能性がある。そのため、第１外端子２２には、図１０のように、導電部４６の表面に、導電性を有する補強部４７を形成し、導電層の膜厚を実質的に厚くするとよい。第１内端子２１、第２内端子３１、及び第２外端子３２は、第１外端子２２と同様に構成するとよい。
【0048】
次いで、図１１～図１４を参照し、内端子と外端子との連結に関連する構成について説明する。各図では、各内端子に通し穴４ｋが形成され、各外端子にネジ穴４ｈが形成された例を示している。したがって、図１１のように、外端子の上に、ネジ穴４ｈと通し穴４ｋとが重なるように内端子を重ね、ネジ４ｎを螺入する。これにより、図１２のように、内端子と外端子とが、導通性が確保された状態で連結される。内端子がネジ穴４ｈを有する構成を採った場合は、内端子の上にネジ穴４ｈと通し穴４ｋとが合わさるように外端子を重ねてネジ４ｎを螺入する。
【0049】
例えば、図１３のように、外端子のネジ穴４ｈの周縁にバーリング加工を施すことにより補助部４ｂを形成し、ネジ４ｎによる締結強度を高めてもよい。また、図１４のように、外端子のネジ穴４ｈの位置に合わせて真鍮製等のナット４９を溶着し、ネジ４ｎによる締結強度を高めてもよい。内端子がネジ穴４ｈを有する構成を採った場合は、内端子のネジ穴４ｈの周縁にバーリング加工を施してもよく、内端子のネジ穴４ｈの位置に合わせて真鍮製等のナット４９を溶着してもよい。
【0050】
続いて、図１５～図１８を参照し、温度センサ１０同士を締結する際の、センサ本体と各端子との接続箇所などへの機械的ストレスを低減するための構造的工夫について説明する。すなわち、第１内端子２１、第１外端子２２、第２内端子３１、及び第２外端子３２のうちの少なくとも１つには、センサ本体との接続箇所とネジ穴４ｈ又は通し穴４ｋとの間の部分に曲げ加工を施してもよい。各端子の曲げ加工は、何れも同様に施されるため、図１５～図１８では、第１外端子２２についてのみ例示する。
【0051】
図１５及び図１６の第１外端子２２は、断面視半円状あるいは断面視Ｕ字状の湾曲部４ｍを有する例である。図１７及び図１８の第１外端子２２は、断面視波形状の湾曲部４ｍを有する例である。第２外端子３２についても同様、湾曲部４ｍを有するよう構成することができる。各内端子は、図１５～図１８の湾曲部４ｍと同様、湾曲した形状を有していてもよいが、各外端子よりも長さが短いため、加工の程度に制限が加わる。各端子は、曲げ加工を施すことにより、ネジ穴４ｈに螺入するネジ４ｎの軸方向に対する柔軟性を高めることができるため、センサ本体と各端子との接続箇所等への機械的ストレスを低減することができる。
【0052】
ここで改めて、図１及び図２を参照し、管理装置８０の機能的構成など、センサユニット６０を用いた温度計測に係る構成について説明する。図１に例示する計測システム１００は、センサユニット６０と管理装置８０との間に介在する２台の中継装置７０を有している。一方の中継装置７０は、導線８ａを介して第１素子群における第１内端子２１に接続され、導線８ｂを介して第１素子群における第１外端子２２に接続されている。他方の中継装置７０は、導線８ａを介して第２素子群における第２内端子３１に接続され、導線８ｂを介して第２素子群における第２外端子３２に接続されている。各中継装置７０は、例えばソースメータからなり、予め設定された値の電流を第１素子群又は第２素子群に流し、第１素子群又は第２素子群にかかる電圧を測定すると共に、測定した値（測定値）を管理装置８０へ送信するものである。
【0053】
図２に例示する計測システム１００は、温度センサ１０と管理装置８０との間に介在する中継装置７０を有している。図２に例示する中継装置７０は、２ｃｈソースメータからなり、予め設定された値の電流を第１素子２０及び第２素子３０に流し、第１素子２０及び第２素子３０それぞれにかかる電圧を測定すると共に、各測定値を管理装置８０へ送信するものである。もっとも、図１の計測システム１００に、２ｃｈソースメータからなる中継装置７０を採用してもよく、図２の計測システム１００に、２台の中継装置７０を採用してもよい。
【0054】
管理装置８０は、ＰＣ（Personal Computer）などにより構成され、センサユニット６０及びその周辺環境を管理し、温度センサ１０又はセンサユニット６０からの出力に基づく情報を用い、測定対象物Ｍの熱に関する性質を示す特性データを求めるものである。ＰＣには、タブレットＰＣ、ノートＰＣ、デスクトップ型ＰＣなどが含まれる。管理装置８０は、通信部８１と、制御部８２と、記憶部８３と、入力部８４と、表示部８５と、を有している。
【0055】
通信部８１は、制御部８２が外部機器との間で有線又は無線による通信を行うためのインタフェースである。記憶部８３には、計測処理プログラム８３ｐなどの制御部８２の動作プログラムの他、種々の情報が記憶される。記憶部８３は、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory）、フラッシュメモリ等のＰＲＯＭ（Programmable ＲＯＭ）、ＳＳＤ（Solid State Drive）、又はＨＤＤ（Hard Disk Drive）などにより構成することができる。
【0056】
入力部８４は、例えば、キーボードと、マウス又はトラックボールなどのポインティングデバイスと、を含んで構成される。入力部８４は、ユーザによる入力操作を受け付け、受け付けた内容に応じた操作信号を制御部８２へ送信する。表示部８５は、例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）からなり、制御部８２からの指示により種々の情報を表示する。管理装置８０は、入力部８４及び表示部８５の代わりに、文字又は画像等を表示する表示パネルと、該表示パネルに積層されてタッチ操作を検出する検出手段と、を含むタッチパネルを有していてもよい。管理装置８０は、タッチパネルと入力部８４とを併せ持つものであってもよい。
【0057】
制御部８２は、特性データを求めるための演算など、種々の演算処理を行うものである。制御部８２は、入力処理手段８２ａと、出力処理手段８２ｂと、取得処理手段８２ｃと、演算処理手段８２ｄと、を有している。入力処理手段８２ａは、入力部８４から出力される操作信号に応じた処理を実行する。例えば、入力処理手段８２ａは、ユーザによる入力操作に応じて、操作の内容を示す制御信号を出力処理手段８２ｂへ出力する。出力処理手段８２ｂは、ユーザによる入力部８４の操作に応じて、種々の情報を含む画面を表示部８５に表示させる。
【0058】
取得処理手段８２ｃは、中継装置７０から測定値を経時的に取得し、取得した測定値の変動状況などを管理する。図１の構成の場合、取得処理手段８２ｃは、第１素子群からの出力に基づく測定値を中継装置７０から連続的に取得し、安定した測定値を第１測定値として記憶部８３に記録する。同様に、取得処理手段８２ｃは、第２素子群からの出力に基づく測定値を中継装置７０から連続的に取得し、安定した測定値を第２測定値として記憶部８３に記録する。図２の構成の場合、取得処理手段８２ｃは、第１素子２０からの出力に基づく測定値を中継装置７０から連続的に取得し、安定した測定値を第１測定値として記憶部８３に記録する。同様に、取得処理手段８２ｃは、第２素子３０からの出力に基づく測定値を中継装置７０から連続的に取得し、安定した測定値を第２測定値として記憶部８３に記録する。
【0059】
演算処理手段８２ｄは、記憶部８３に記録された第１測定値及び第２測定値を用いて特性データを求めるものである。本実施の形態１において、演算処理手段８２ｄは、特性データとして熱流Ｑを求めるよう構成されている。
【0060】
より具体的に、演算処理手段８２ｄは、電圧の値を示す第１測定値［Ｖ］を下記式（１）のＶに代入し、第１測定値に対応するセンサユニット６０の抵抗値である第１抵抗値Ｒ１［Ω］求める。演算処理手段８２ｄは、式（１）のＩ［Ａ］として、中継装置７０が電圧測定の際にセンサユニット６０に流した電流の値を用いる。
【0061】
【数1】
【0062】
抵抗Ｒと温度ｔとの間には、下記式（２）の関係があり、式（２）を温度ｔについて整理すると、下記式（３）となる。Ｒ０は、０℃の環境下でのセンサユニット６０の抵抗値［Ω］であり、ａはセンサユニット６０の抵抗温度係数である。抵抗温度係数ａは、事前の演算により求められ、記憶部８３に記憶されている。
【0063】
【数2】
【0064】
【数3】
【0065】
演算処理手段８２ｄは、求めた第１抵抗値Ｒ１を式（３）に代入することで、第１条件下でのセンサユニット６０の温度である第１温度ｔ１［℃］を求める。
【0066】
また、演算処理手段８２ｄは、電圧の値を示す第２測定値［Ｖ］を式（１）に適用し、第２測定値に対応するセンサユニット６０の抵抗値である第２抵抗値Ｒ２［Ω］を求める。次いで演算処理手段８２ｄは、求めた第２抵抗値Ｒ２を式（３）に代入することで、第２条件下でのセンサユニット６０の温度である第２温度ｔ２［℃］を求める。
【0067】
そして、演算処理手段８２ｄは、下記式（４）及び（５）に示す関係に基づき、測定対象物Ｍを通過する熱流Ｑを求める。熱流束ｑ（Ｗ／ｍ２）は、単位時間に単位面積を横切る熱量である。式（４）において、λ［Ｗ／ｍ２］はセンサユニット６０の熱伝導率であり、ｄ［ｍ］は、温度センサ１０の厚みである。Δｔは、第１温度ｔ１と第２温度ｔ２との差分である。第１温度ｔ１の方が第２温度ｔ２よりも高い場合、Δｔは「ｔ１－ｔ２」となり、第１温度ｔ１の方が第２温度ｔ２よりも低い場合、Δｔは「ｔ２－ｔ１」となる。
【0068】
【数4】
【0069】
【数5】
【0070】
図１の構成の場合、式（５）における面積Ｓ［ｍ２］は、センサユニット６０に備わる全ての第１素子２０又は第２素子３０の表面の面積の合計（≒センサユニット６０の表面の面積）となる。図２の構成の場合、式（５）における面積Ｓ［ｍ２］は、第１素子２０又は第２素子３０の表面の面積（≒温度センサ１０の表面の面積）となる。演算処理手段８２ｄは、熱流Ｑを直接的に求めてもよく、熱流束ｑと熱流Ｑとの双方を求めてもよい。なお、抵抗温度係数ａ、抵抗値Ｒ０、熱伝導率λ、厚みｄ、及び面積Ｓなどの情報は、予め記憶部８３等に記憶されている。
【0071】
制御部８２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）又はＧＰＵ（Graphics Processing Unit）などの演算装置と、こうした演算装置と協働して上記又は下記の各種機能を実現させる計測処理プログラム８３ｐと、により構成することができる。すなわち、計測処理プログラム８３ｐは、コンピュータとしての制御部８２及び記憶部８３を、入力処理手段８２ａ、出力処理手段８２ｂ、取得処理手段８２ｃ、及び演算処理手段８２ｄとして機能させるためのプログラムである。もっとも、制御部８２の各種機能のうちの一部は、ハードウェアにより構成してもよい。
【0072】
計測システム１００は、複数のセンサユニット６０と、管理装置８０と、各センサユニット６０それぞれと管理装置８０との間に介在する１又は複数の中継装置７０と、を含んで構成してもよい。計測システム１００は、互いに連結されていない複数の温度センサ１０と、管理装置８０と、各温度センサ１０それぞれと管理装置８０との間に介在する１又は複数の中継装置７０と、を含んで構成してもよい。計測システム１００は、互いに連結されていない１又は複数の温度センサ１０と、１又は複数のセンサユニット６０と、管理装置８０と、温度センサ１０及びセンサユニット６０の各々と管理装置８０との間に介在する１又は複数の中継装置７０と、を含んで構成してもよい。
【0073】
続いて、図１９のフローチャートに基づき、本実施の形態１の計測処理方法の一例について説明する。特性データの演算に際して、測定対象物Ｍは、太陽光が直接的又は間接的に当たる場所に配置するとよい。
【0074】
管理装置８０の制御部８２は、入力部８４を介して計測システム１００の起動を指示する操作を受け付けると、システムを起動し、表示部８５に初期画面を表示させる（ステップＳ１０１）。ユーザは、初期画面又はそこから遷移した画面を通じて、温度センサ１０又はセンサユニット６０を用いた計測に係る条件及びパラメータなどを設定することができる。制御部８２は、ユーザによる計測に係る条件などの設定操作を受け付けると、受け付けた数値等を記憶部８３に格納する。例えば制御部８２は、条件及びパラメータなどをユーザに確認させるための確認画面を表示部８５に表示させ、適宜数値変更などを受け付ける。もっとも、条件などの設定が事前に行われている場合、当該工程は省略される（ステップＳ１０２）。
【0075】
制御部８２は、中継装置７０などの計測系のウォームアップのための待ち時間が経過するまで待機する（ステップＳ１０３／Ｎｏ）。制御部８２は、待ち時間が経過すると（ステップＳ１０３／Ｙｅｓ）、第１素子群及び第２素子群のそれぞれから（図１の構成）、もしくは第１素子２０及び第２素子３０のそれぞれから（図２の構成）、中継装置７０を介して測定値を取得する（ステップＳ１０４）。
【0076】
制御部８２は、測定値が安定するまで各測定値を継続的に取得する（ステップＳ１０５／Ｎｏ）。制御部８２は、第１素子群又は第１素子２０に係る測定値が安定したとき（ステップＳ１０５／Ｙｅｓ）、該測定値を第１測定値として記録する（ステップＳ１０６）。同様に制御部８２は、第２素子群又は第２素子３０に係る測定値が安定したとき（ステップＳ１０５／Ｙｅｓ）、該測定値を第２測定値として記録する（ステップＳ１０６）。例えば、制御部８２は、測定値が一定時間に亘って許容範囲内に収まったときに測定値が安定したと判定する。この場合、制御部８２は、測定値が安定したとき、その際の測定値、又は一定時間における複数の測定値の平均値などを第１測定値又は第２測定値として記録する。一定時間は予め設定され、許容範囲は、測定値及び測定値の変動に応じて動的に設定される。
【0077】
制御部８２は、第１測定値の記録が先に終わった場合、第２素子群又は第２素子３０からの測定値の取得を継続し、第２測定値の記録が先に終わった場合、第１素子群又は第１素子２０からの測定値の取得を継続する（ステップＳ１０７／Ｎｏ）。
【0078】
制御部８２は、第１測定値及び第２測定値の記録が完了すると（ステップＳ１０７／Ｙｅｓ）、記録した第１測定値及び第２測定値を用いて測定対象物Ｍを通過する熱流Ｑを求める。すなわち、制御部８２は、式（１）に基づき、第１測定値を用いて第１抵抗値Ｒ１を求めると共に、第２測定値を用いて第２抵抗値Ｒ２を求める。次いで制御部８２は、式（３）に基づき、第１抵抗値Ｒ１から第１温度ｔ１を求め、第２抵抗値Ｒ２から第２温度ｔ２を求める。そして制御部８２は、式（４）及び式（５）に基づき、第１温度ｔ１及び第２温度ｔ２を用いて熱流Ｑを求める（ステップＳ１０８）。
【0079】
次に制御部８２は、求めた熱量Ｑなどを含む演算結果の情報を、記憶部８３に記憶させ、表示部８５に表示させる。制御部８２は、ユーザによる印刷の指示があった場合、演算結果の情報を紙媒体に印字して、あるいはＣＳＶなどにより出力する（ステップＳ１０９）。
【0080】
以上のように、本実施の形態１における温度センサ１０（１１～１４）は、絶縁性を有する平面視で矩形状の基板５０と、平面視で矩形状をなす膜状の第１素子２０（２０Ａ～２０Ｄ）と、平面視で矩形状をなす膜状の第２素子３０（３０Ａ～３０Ｄ）と、を有している。また、温度センサ１０は、第１素子２０に接続された一対の第１端子（２１、２２）と、第２素子３０に接続された一対の第２端子（３１、３２）と、を有しており、第１素子２０と第２素子３０とは、基板５０を挟んで対向するよう配置されている。そして、第１素子２０及び第２素子３０は、それぞれ、一端側と他端側から交互に、所定間隔Ｗ０をあけて平行に延びる設定幅Ｓの複数のスリット４１を有している。すなわち、第１素子２０及び第２素子３０は、膜状であって、設定幅Ｓの間隔をあけて直交方向に蛇行するよう形成されており、取付対象の物体に対し平行な面の面積につき、温度センサ全体に対するセンサ素子の割合が大きくなっている。つまり、温度センサ１０は、従来構成よりも実効面積が大きく、光の照射に対する感度が高いため、温度の測定精度も高まっている。また、第１内端子２１と第１外端子２２との間、及び第２内端子３１と第２外端子３２との間には、設定幅Ｓの間隔をあけて蛇行するパターンが形成されており、端子間の長さが確保されているため、第１素子２０全体、第２素子３０全体としての抵抗値を高めることができる。よって、測定対象物Ｍとの間の熱伝導率の向上を図り、測温抵抗体としての機能を高めることができるため、簡易な構造により、温度測定の高精度化を実現することができる。
【0081】
温度センサ１０において、一対の第１端子（２１、２２）と一対の第２端子（３１、３２）とは、平面視で重ならないよう配置されている。したがって、温度センサ１０の各端子に導線をつなぐ際、他の端子が干渉しないため、作業性の向上を図ることができる。また、複数の温度センサ１０を連結させてセンサユニット６０を構成する場合、各端子が互いに干渉しないため、第１素子２０側の第１端子同士の接続と、第２素子３０側の第２端子同士の接続との双方を、温度センサ１０における一方の面側から容易に行うことができる。
【0082】
ここで、温度センサ１０は、一対の第１端子（２１、２２）のうちの一方、及び一対の第２端子（３１、３２）のうちの一方にネジ穴４ｈを形成し、一対の第１端子（２１、２２）のうちの他方、及び一対の第２端子（３１、３２）のうちの他方に通し穴４ｋを形成してもよい。このようにすれば、所定のネジ４ｎを使用することにより、複数の温度センサ１０を容易に連結することができ、かつ温度センサ１０同士を接続するための配線等が不要となる。さらに、一対の第１端子（２１、２２）と一対の第２端子（３１、３２）とが平面視で重ならないよう配置すれば、温度センサ１０における一方の面側から容易にネジ止めを行うことができる。例えば、センサユニット６０について、温度センサ１０ごとに校正を行う場合、一方向からネジ４ｎを取り外すだけで、温度センサ１０を１個単位で容易に取り外すことができるため、校正の効率化を図ることができる。
【0083】
本実施の形態１において、温度センサ１０は、第１素子２０における矩形の領域内に配置された第１内端子２１と、第１素子２０における矩形の領域外に配置された第１外端子２２と、を有している。また、温度センサ１０は、第２素子３０における矩形の領域内に配置された第２内端子３１と、第２素子３０における矩形の領域外に配置された第２外端子３２と、を有している。したがって、複数の温度センサ１０を連結して用いる場合、温度センサ１０同士の間隔を狭くすることができ、複数の温度センサ１０を連結したセンサユニット６０全体の実効面積の拡大が実現可能となる。ところで、第１内端子２１及び第２内端子３１は、必ずしも全てが矩形の領域内に配置される必要はなく、例えば先端の部分等が矩形の領域外に配置されてもよい。
【0084】
温度センサ１０は、第１内端子２１及び第１外端子２２のうちの一方、及び第２内端子３１及び第２外端子３２のうちの一方に、ネジ穴４ｈが形成され、第１内端子２１及び第１外端子２２のうちの他方、及び第２内端子３１及び第２外端子３２のうちの他方に、通し穴４ｋが形成されてもよい。このようにすれば、所定のネジ４ｎを使用することにより、複数の温度センサ１０を容易に連結することができ、１個単位での温度センサ１０の取り外しも簡単に行うことができる。
【0085】
温度センサ１０は、第１内端子２１と第２内端子２２とが、基板５０におけるある一辺の箇所に、平面視で設定距離Ｔを隔てて配置されており、第１外端子２２と第２外端子３２とが、基板５０における他の一辺の箇所に、平面視で設定距離Ｔを隔てて配置されている。したがって、複数の温度センサ１０を連結させる際、ある温度センサ１０の第１内端子２１及び第２内端子２２と、他の温度センサ１０の第１外端子２２及び第２外端子３２とを対向させ、相互に連結させることができる。つまり、複数の温度センサ１０を、複雑な組み合わせを考えることなく、単純に組み合わせて連結することができるため、ユーザの利便性の向上を図ることができる。
【0086】
温度センサ１０は、一対の第１端子（２１、２２）を延伸方向における一端側に配置し、一対の第２端子（３１、３２）を延伸方向における他端側に配置してもよい。このような端子配置により、温度センサ１０は、複数個を真っ直ぐに連結することができる。かかる端子配置の温度センサ１０には、図３の温度センサ１１について、第１内端子２１と第１外端子２２の配置を入れ替えた構成、又は第２内端子２２と第２外端子３２の配置を入れ替えた構成も含まれる。より好ましくは、図３に示す温度センサ１１のように、第１内端子２１及び第２内端子３１を直交方向における一端部に設け、第１外端子２２及び第２外端子３２を直交方向における他端部に設けるとよい。
【0087】
本実施の形態１のセンサユニット６０は、１又は複数の温度センサ１１と、１又は複数の温度センサ１２と、１又は複数の温度センサ１３と、１又は複数の温度センサ１４と、を有している。そのため、図１にも例示するように、温度センサ１１と温度センサ１２と温度センサ１３と温度センサ１４を組み合わせることで、複数の温度センサ１０がひとつながりとなり、全体として平面視矩形状をなすセンサユニット６０を構築することができる。よって、センサユニット６０全体での実効面積の拡大を図ることができ、検出効率を高めることが可能となる。
【0088】
ところで、温度センサ１０及びセンサユニット６０は、温度変化によって電気抵抗値が変化する第１素子２０及び第２素子３０の特性を利用した測温抵抗体である。そのため、温度誤差が少なく、長期に亘って安定した測定を行うことができる。温度センサ１０及びセンサユニット６０は、振動の少ない良好な環境で用いれば、長期に亘って誤差が±０．１５℃程度という安定性が望める。温度センサ１０は、０℃付近の温度帯では、熱電対に比べて約１／１０の温度誤差での測定を実現することができる。
【0089】
実施の形態２．
図２０～図２６に基づき、本発明の実施の形態２に係る計測システム２００について説明する。各図では、図面の煩雑さを避ける等の意図で符号の一部を省略することがある。計測システム２００は、日射熱取得率（ＳＨＧＣ）を測定するためのシステムとして構築されている。計測システム２００において、計測システム１００と同等の構成部材には同一の符号を用いて説明は省略又は簡略化する。
図２０～図２６に基づき、本発明の実施の形態２に係る計測システム２００について説明する。各図では、図面の煩雑さを避ける等の意図で符号の一部を省略することがある。計測システム２００は、日射熱取得率（ＳＨＧＣ）を測定するためのシステムとして構築されている。計測システム２００において、計測システム１００と同等の構成部材には同一の符号を用いて説明は省略又は簡略化する。
【0090】
図２０に例示するように、計測システム２００は、測定対象物Ｍが疑似太陽光源装置８と対向する面に貼り付けられる計測箱６１と、計測箱６１の少なくとも１つの面に取り付けられたセンサユニット６０と、を有している。疑似太陽光源装置８は、内部に光源（図示せず）を有しており、測定対象物Ｍは、該光源と対向するよう配置される。また、計測システム２００は、１又は複数のセンサユニット６０からの出力を用いて、測定対象物Ｍの熱に関する性質を示す特性データを求める管理装置１８０を有している。
【0091】
図２０及び図２１に例示する計測システム２００は、５つのセンサユニット６０を有しており、各センサユニット６０は、計測箱６１の５つの面それぞれに取り付けられている。計測箱６１は、複数のセンサユニット６０と共に測定室５００に配置されており、測定対象物Ｍは、測定室５００と恒温室６００との境界をなす壁部５５０に設けられた枠部５に取り付けられている。測定対象物Ｍは、疑似太陽光源装置８に対向するよう配置されており、疑似太陽光源装置８とは反対側の面が計測箱６１に貼り付けられている。測定室５００には、空調機などの設備機器７が設けられている。
【0092】
疑似太陽光源装置８は、内部の光源から発せられる光を遮断し又は通過させる開閉装置６を有している。開閉装置６は、例えば可動式のシャッターにより構成され、管理装置１８０により制御される。疑似太陽光源装置８は、光源から発せられる光を開閉装置６により遮断する閉状態と、光源から発せられる光を対象物に照射する開状態と、を有している。
【0093】
計測システム２００は、疑似太陽光源装置８の照度を検出する検出装置６５と、恒温室６００内の温度を計測する温度計測装置６６ａと、測定室５００内の温度を計測する温度計測装置６６ｃと、を有している。検出装置６５は、例えば照度センサからなり、検出した照度を示す検出値を管理装置１８０へ送信する。温度計測装置６６ａ及び温度計測装置６６ｃは、例えばサーミスタからなり、計測した温度を示す計測値を管理装置１８０へ送信する。
【0094】
ここで、計測箱６１の各面について、疑似太陽光が照射される面、つまり測定対象物Ｍが取り付けられる面を「照射面」、照射面に対向する面を「対向面」、疑似太陽光源装置８側から見て右側の側面を「右側面」、左側の側面を「左側面」、上側の面を「天面」、下側の面を「底面」とする。以下、説明の便宜上、照射面、対向面、右側面、左側面、天面、底面に取り付けられるセンサユニット６０を、それぞれ、照射面ユニット６０ｎ、対向面ユニット６０ａ、右側面ユニット６０ｂ、左側面ユニット６０ｃ、天面ユニット６０ｄ、底面ユニット６０ｅともいう（図２０～図２３参照）。
【0095】
図２２及び図２３は、日射熱取得率（ＳＨＧＣ）の測定原理を説明するための模式図であり、計測箱６１及びその周辺を側面側から見た構成を概略的に示している。図２２の構成は、図２０及び図２１の計測システム２００に対応している。図２３の構成は、図２０及び図２１の計測システム２００に、さらに照射面ユニット６０ｎが追加されたものである。つまり、図２３の構成では、計測箱６１の測定対象物Ｍが取り付けられる面側にもセンサユニット６０が取り付けられている。照射面ユニット６０ｎは、測定対象物Ｍの四方を囲う枠部５のうちの、少なくとも一方向の部分に配置される。例えば、照射面ユニット６０ｎは、温度センサ１０が枠状（平面視でロの字状）に連結されたものであってよく、温度センサ１０が平面視でＵ字状（コ字状）に連結されたものであってよい。また、照射面ユニット６０ｎは、例えば枠部５の上側と下側など、別々に配置された複数の温度センサ１０又はセンサユニット６０を組み合わせたものであってよい。
【0096】
図２２及び図２３に示すように、対向面ユニット６０ａと計測箱６１との間には、冷却板６２が設けられている。冷却板６２は、センサユニット６０の感度をあげるために、センサユニット６０の表面と裏面の温度差が一定程度となるよう調整するためのものである。計測システム２００は、計測箱６１内に配置される箱内バッフル６３ａと、疑似太陽光源装置８と測定対象物Ｍとの間に配置される光源側バッフル６３ｂと、を有している。箱内バッフル６３ａと対向面ユニット６０ａとの間には、箱内（計測箱６１内）の温度を制御するためのヒータ６７が設けられており、ヒータ６７には、送風機からなる箱内ファン６７ａが付設されている。光源側バッフル６３ｂと壁部５５０との間には、送風機からなる箱外ファン６８が設けられている。箱内バッフル６３ａ及び光源側バッフル６３ｂは、例えば透光性を有するガラスなどで構成され、光を透過させ、気流を制御するものである。箱内バッフル６３ａは、箱内ファン６７ａにより送り出される空気がヒータ６７を通過し、測定対象物Ｍ側へ逃げないようにするためのものである。光源側バッフル６３ｂは、箱外ファン６８により送り出される空気が箱内に流れ込むような気流をつくるためのものである。もっとも、計測システム２００は、１又は複数のセンサユニット６０と管理装置２８０とにより構成され、計測箱６１などは外部の構成であってもよい。
【0097】
〔日射熱取得率（ＳＨＧＣ）の測定原理〕
次に、図２３を参照して、ＳＨＧＣの測定原理について説明する。まず、ＳＨＧＣは、下記式（６）で表される。式（６）における取得熱量ＱGainは、一般に、照射日射による室内の取得熱量とされており、下記式（７）で表される。式（７）において、熱量Ｓａは、試験体透過後に室内全面で吸収される日射による熱量である。熱量ＳＬ１は、試験体に吸収された後に対流・放射で室内に伝達する熱量である。熱量ＳＬ２は、室内からの反射日射が試験体に吸収された後に対流・放射で室内に伝達する熱量である。
次に、図２３を参照して、ＳＨＧＣの測定原理について説明する。まず、ＳＨＧＣは、下記式（６）で表される。式（６）における取得熱量ＱGainは、一般に、照射日射による室内の取得熱量とされており、下記式（７）で表される。式（７）において、熱量Ｓａは、試験体透過後に室内全面で吸収される日射による熱量である。熱量ＳＬ１は、試験体に吸収された後に対流・放射で室内に伝達する熱量である。熱量ＳＬ２は、室内からの反射日射が試験体に吸収された後に対流・放射で室内に伝達する熱量である。
【0098】
【数6】
【0099】
【数7】
【0100】
本実施の形態２において、取得熱量ＱGainは、疑似太陽光源装置８の照射時における箱内の取得熱量であり、熱量Ｓａは、疑似太陽光が測定対象物Ｍを透過した後に箱内の全面で吸収される熱量である。また、熱量ＳＬ１は、測定対象物Ｍに吸収された後、対流・放射により箱内に伝達する熱量であり、熱量ＳＬ２は、箱内からの反射日射が測定対象物Ｍに吸収された後、対流・放射により箱内に伝達する熱量である。
【0101】
ただし、式（７）は、理論上の演算式であり、実際には下記式（８）の関係から取得熱量ＱGainを求めるようになっている。式（８）において、貫流熱量Ｑｗは、疑似太陽光源装置８の照射時において、測定対象物Ｍを貫いて流れる熱の量である。
【0102】
【数8】
【0103】
熱量ＱＣ、熱量ＱＰ、熱量ＱＢ、及び熱量Ｑ１は、疑似太陽光源装置８の照射時における熱量である。熱量ＱＣは、冷却板６２により除去される熱量であり、対向面ユニット６０ａからの出力に基づく測定値をもとに演算される。熱量ＱＰは、枠部５から計測箱６１に流入する熱量であり、照射面ユニット６０ｎからの出力に基づく測定値をもとに演算される。熱量ＱＢは、計測箱６１の周壁４面から計測箱６１に流入する熱量であり、右側面ユニット６０ｂ、左側面ユニット６０ｃ、天面ユニット６０ｄ、及び底面ユニット６０ｅからの出力に基づく測定値をもとに演算させる。熱量Ｑ１は、ヒータ６７により供給される熱量であり、事前設定に基づくものである。
【0104】
貫流熱量Ｑｗは、下記式（９）により表される。ＡＳｐは、測定対象物Ｍにおいて疑似太陽光が照射される面（疑似太陽光源装置８に対向配置された面）の面積であり、予め記憶部８３等に記憶されている。箱外温度θｎｅは、疑似太陽光源装置８の照射時における計測箱６１周辺の外気の温度であり、温度計測装置６６ｃにより計測される。箱内温度θｎｉは、疑似太陽光源装置８の照射時における箱内の温度であり、温度計測装置６６ｂにより計測される。
【0105】
【数9】
【0106】
熱貫流率Ｕ'Ｎは、疑似太陽光源装置８の非照射時における熱貫流率であり、具体的には、下記式（１０）で表される。式（１０）において、箱外温度θ'ｎｅは、疑似太陽光源装置８の非照射時における計測箱６１周辺の外気の温度である。箱内温度θ'ｎｉは、疑似太陽光源装置８の非照射時における箱内の温度である。貫流熱量Ｑ'Ｗは、疑似太陽光源装置８の非照射時において、測定対象物Ｍを貫いて流れる熱の量であり、下記式（１１）により表される。
【0107】
【数10】
【0108】
【数11】
【0109】
熱量Ｑ'Ｃ、熱量Ｑ'Ｐ、熱量Ｑ'Ｂ、熱量Ｑ'１は、疑似太陽光源装置８の非照射時における熱量である。熱量Ｑ'Ｃは、対向面ユニット６０ａからの出力に基づく測定値をもとに演算される。熱量Ｑ'Ｐは、照射面ユニット６０ｎからの出力に基づく測定値をもとに演算される。熱量Ｑ'Ｂは、右側面ユニット６０ｂ、左側面ユニット６０ｃ、天面ユニット６０ｄ、及び底面ユニット６０ｅからの出力に基づく測定値をもとに演算させる。熱量Ｑ'１は、ヒータ６７により供給される熱量であり、事前設定に基づくものである。
【0110】
式（６）における照射熱量ＱSolorは、疑似太陽光源装置８から照射される疑似太陽光に基づく熱量であり、下記式（１２）により表される。式（１２）において、照射強度ＩSolorは、疑似太陽光源装置８の照射強度であり、事前設定に基づくものである。すなわち、照射熱量ＱSolorは、事前設定により予め記憶部８３等に記憶されている。
【0111】
【数12】
【0112】
すなわち、ＳＨＧＣは、下記式（１３）のように表され、式（１３）に式（９）を適用すると、下記式（１４）のようになる。
【0113】
【数13】
【0114】
【数14】
【0115】
図２２のように、計測システム２００が照射面ユニット６０ｎを有しない構成を採った場合、ＳＨＧＣは、下記式（１５）により求められる。この場合、式（１１）の代わりに式（１６）が適用される。もっとも、式（１３）又は式（１４）のように熱量ＱＰを考慮し、かつ、式（１１）のように熱量Ｑ'Ｐを考慮した方が、ＳＨＧＣの測定精度は向上する。
【0116】
【数15】
【0117】
【数16】
【0118】
次に、図２４を参照し、管理装置１８０の機能的構成について説明する。管理装置１８０は、通信部８１と、制御部１８２と、記憶部８３と、入力部８４と、表示部８５と、を有している。制御部１８２は、入力処理手段８２ａと、出力処理手段８２ｂと、光源処理手段１８２ｎと、取得処理手段８２ｃと、演算処理手段１８２ｄと、を有している。
【0119】
光源処理手段１８２ｎは、疑似太陽光源装置８の光源を点灯又は消灯させる機能と、開閉装置６を開状態又は閉状態にする機能と、を有している。本実施の形態２の光源処理手段１８２ｎは、疑似太陽光源装置８の照度が安定したか否かを判定する機能を有している。光源処理手段１８２ｎは、疑似太陽光源装置８の照度の安定を、光源点灯からの経過時間をもとに判定してもよく、検出装置６５から送信される検出値をもとに判定してもよい。前者の判定に係る経過時間は、疑似太陽光源装置８のウォームアップに要する時間をもとに設定するとよい。後者の判定については、例えば、検出装置６５から送信される検出値が、一定時間の間、予め設定された基準範囲に収まったことを条件としてもよい。
【0120】
光源処理手段１８２ｎは、疑似太陽光源装置８の照度が安定したとき、照度の安定を示す安定データを演算処理手段１８２ｄへ送信するか、あるいは照度の安定を示す安定フラグを立てる。また、光源処理手段１８２ｎは、疑似太陽光源装置８の照度が安定したとき、開閉装置を開状態にする。演算処理手段１８２ｄは、光源処理手段１８２ｎから安定データを受信した後、あるいは安定フラグが立っていることを確認した後に、中継装置７０からの測定値の逐次取得を開始する。
【0121】
演算処理手段１８２ｄは、日射熱取得率（ＳＨＧＣ）の演算に係る処理を実行する。より具体的に、演算処理手段１８２ｄは、疑似太陽光源装置８の非照射時において、熱量Ｑ'Ｃ、熱量Ｑ'Ｂ、及び熱量Ｑ'Ｐ（計測システム２００が照射面ユニット６０ｎを含む場合に限る）を求める。そして、演算処理手段１８２ｄは、求めた熱量Ｑ'Ｃ、熱量Ｑ'Ｂ、熱量Ｑ'Ｐと、記憶部８３等に記憶された熱量Ｑ'１とを式（１１）に適用して、貫流熱量Ｑ'Ｗを求める。さらに、演算処理手段１８２ｄは、箱外温度θ'ｎｅを温度計測装置６６ｃから取得すると共に、箱内温度θ'ｎｉを温度計測装置６６ｂから取得し、記憶部８３等から試料面積ＡＳｐを取得し、これらを貫流熱量Ｑ'Ｗと共に式（１０）に適用して熱貫流率Ｕ'Ｎを求める。
【0122】
また、演算処理手段１８２ｄは、疑似太陽光源装置８の照射時において、箱外温度θｎｅを温度計測装置６６ｃから取得すると共に、箱内温度θｎｉを温度計測装置６６ｂから取得し、記憶部８３等から試料面積ＡＳｐを取得し、これらを熱貫流率Ｕ'Ｎと共に式（９）に適用して貫流熱量Ｑｗを求める。さらに、演算処理手段１８２ｄは、熱量ＱＣ、熱量ＱＢ、及び熱量ＱＰ（計測システム２００が照射面ユニット６０ｎを含む場合に限る）を求める。そして、演算処理手段１８２ｄは、求めた貫流熱量Ｑｗ、熱量ＱＣ、熱量ＱＢ、熱量ＱＰと、記憶部８３等に記憶された熱量Ｑ１及び照射熱量ＱSolorとを式（１３）に適用して、ＳＨＧＣを求める。
【0123】
もっとも、演算処理手段１８２ｄによるＳＨＧＣの演算手順は、上記の例に限定されない。例えば、演算処理手段１８２ｄは、式（１４）あるいは、式（１４）に式（１０）及び式（１１）を適用した演算式に基づく処理により、上記の演算のうちの一部をまとめて行うようにしてもよい。演算処理手段１８２ｄにおける他の構成は、実施の形態１の演算処理手段８２ｄにおける構成と同様である。
【0124】
制御部１８２は、ＣＰＵ又はＧＰＵなどの演算装置と、こうした演算装置と協働して上記又は下記の各種機能を実現させる計測処理プログラム１８３ｐと、により構成することができる。すなわち、計測処理プログラム１８３ｐは、コンピュータとしての制御部１８２及び記憶部８３を、入力処理手段８２ａと、出力処理手段８２ｂと、光源処理手段１８２ｎと、取得処理手段８２ｃと、演算処理手段１８２ｄとして機能させるためのプログラムである。もっとも、制御部１８２の各種機能のうちの一部は、ハードウェアにより構成してもよい。
【0125】
図２０及び図２１では、計測システム２００が、２ｃｈソースメータからなる２台の中継装置７０と、１ｃｈソースメータからなる１台の中継装置７０とを有する例を示しているが、これに限定されない。すなわち、中継装置７０のチャンネル数や台数は、特に限定されず、各図と同様の機能を発揮する組み合わせであればよく、センサユニット６０の数などに併せて調整するとよい。
【0126】
続いて、図２５及び図２６のフローチャートに基づき、図２０～図２４に例示する計測システムによる日射熱取得率（ＳＨＧＣ）の計測処理方法について説明する。ここでは、計測箱６１の各面それぞれに、複数の温度センサ１０からなるセンサユニット６０が取り付けられた構成を前提に説明する。上述した図１９と同等の処理については同一の符号を付し、説明は省略又は簡略化する。まず、図２５を参照し、システムの起動から熱貫流率Ｕ'Ｎを求めるまでの動作の流れを説明する。
【0127】
制御部１８２は、システムを起動し（ステップＳ１０１）、必要に応じてユーザによる設定操作に応じた処理を実行する（ステップＳ１０２）。そして、制御部１８２は、待ち時間が経過すると（ステップＳ１０３／Ｙｅｓ）、恒温室６００の温度が安定しているかどうかを判定する。例えば、制御部１８２は、温度計測装置６６ａから逐次取得する計測値が基準時間の間の安定範囲内に収まっているか否かを判定する。基準時間は予め設定され、安定範囲は動的に設定される。つまり、制御部１８２は、逐次更新される基準時間において、計測値の変動が許容範囲内に収まっているか否かを判定する（ステップＳ３０１）。
【0128】
制御部１８２は、恒温室６００の温度が安定するまで判定処理を繰り返し（ステップＳ３０１／Ｎｏ）、恒温室６００の温度が安定すると（ステップＳ３０１／Ｙｅｓ）、各センサユニット６０から中継装置７０を介して測定値を取得する（ステップＳ３０２）。制御部１８２は、各センサユニット６０それぞれに係る測定値について、ステップＳ１０５と同様、安定性に係る判定を行う（ステップＳ３０３）。
【0129】
すなわち、制御部１８２は、対向面ユニット６０ａについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２測定値として記録する（ステップＳ３０４）。そして、制御部１８２は、記録した第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量Ｑ'Ｃ、を求める（ステップＳ３０５）。また、制御部１８２は、照射面ユニット６０ｎについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２測定値として記録する（ステップＳ３０４）。そして、制御部１８２は、記録した第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量Ｑ'Ｐを求める（ステップＳ３０５）。さらに、制御部１８２は、右側面ユニット６０ｂ、左側面ユニット６０ｃ、天面ユニット６０ｄ、及び底面ユニット６０ｅについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２測定値として記録する（ステップＳ３０４）。そして、制御部１８２は、記録した第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量Ｑ'Ｂを求める（ステップＳ３０５）。
【0130】
つまり、制御部１８２は、全てのセンサユニット６０に係る測定値の記録が終わるまで、ステップＳ３０２～Ｓ３０４の一連の処理を繰り返し実行する。もっとも、制御部１８２は、全てのセンサユニット６０に係る第１測定値及び第２測定値の記録が終わった後、まとめて熱量Ｑ'Ｃ、熱量Ｑ'Ｐ、及び熱量Ｑ'Ｂの演算処理を行ってもよい。次いで、制御部１８２は、熱量Ｑ'Ｃ、熱量Ｑ'Ｂ、熱量Ｑ'Ｐ、及び熱量Ｑ'１を式（１１）に適用して貫流熱量Ｑ'Ｗを求める（ステップＳ３０６）。
【0131】
また、制御部１８２は、箱内温度θ'ｎｉを温度計測装置６６ｂから取得すると共に、箱外温度θ'ｎｅを温度計測装置６６ｃから取得する（ステップＳ３０７）。次いで、制御部１８２は、箱外温度θ'ｎｅから箱内温度θ'ｎｉを減算することにより、非照射時温度差（θ'ｎｅ－θ'ｎｉ）を求める（ステップＳ３０８）。
【0132】
そして、制御部１８２は、貫流熱量Ｑ'Ｗと、試料面積ＡＳｐと、非照射時温度差（θ'ｎｅ－θ'ｎｉ）とを式（１０）に適用して熱貫流率Ｕ'Ｎを求める。もっとも、制御部１８２は、ステップＳ３０８の処理を省略し、箱外温度θ'ｎｅ及び箱内温度θ'ｎｉをそのまま式（１０）に適用してもよい。
【0133】
次に、図２６を参照し、疑似太陽光源装置８の点灯から演算結果の表示までの動作の流れを説明する。制御部１８２は、熱貫流率Ｕ'Ｎの演算が終わると、ステップＳ３０１と同様、恒温室６００の温度が安定しているかどうかを判定する（ステップＳ３１０）。制御部１８２は、恒温室６００の温度が安定するまで判定処理を繰り返し（ステップＳ３１０／Ｎｏ）、恒温室６００の温度が安定すると（ステップＳ３１０／Ｙｅｓ）、疑似太陽光源装置８を点灯させ（ステップＳ３１１）、その照度が安定するまで待機する（ステップＳ３１２／Ｎｏ）。制御部１８２は、疑似太陽光源装置８の照度が安定したか否かの判定を、疑似太陽光源装置８のウォームアップ時間をもとに行ってもよく、検出装置６５から送信される検出値をもとに行ってもよい。制御部１８２は、疑似太陽光源装置８の照度が安定すると（ステップＳ３１２／Ｙｅｓ）、開閉装置６を開状態にする。これにより、疑似太陽光が測定対象物Ｍに照射される（ステップＳ３１３）。
【0134】
次いで制御部１８２は、各センサユニット６０から中継装置７０を介して測定値を取得する（ステップＳ３１４）。制御部１８２は、各センサユニット６０それぞれに係る測定値について、ステップＳ１０５と同様、安定性に係る判定を行う（ステップＳ３１５）。
【0135】
すなわち、制御部１８２は、対向面ユニット６０ａについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２測定値として記録する（ステップＳ３１６）。そして、制御部１８２は、記録した第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量ＱＣ、を求める（ステップＳ３１７）。また、制御部１８２は、照射面ユニット６０ｎについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２測定値として記録する（ステップＳ３１６）。そして、制御部１８２は、記録した第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量ＱＰを求める（ステップＳ３１７）。さらに、制御部１８２は、右側面ユニット６０ｂ、左側面ユニット６０ｃ、天面ユニット６０ｄ、及び底面ユニット６０ｅについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２測定値として記録する（ステップＳ３１６）。そして、制御部１８２は、記録した第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量ＱＢを求める（ステップＳ３１７）。
【0136】
つまり、制御部１８２は、全てのセンサユニット６０に係る測定値の記録が終わるまで、ステップＳ３１４～Ｓ３１６の一連の処理を繰り返し実行する。もっとも、制御部１８２は、全てのセンサユニット６０に係る第１測定値及び第２測定値の記録が終わった後、まとめて熱量ＱＣ、熱量ＱＰ、及び熱量ＱＢの演算処理を行ってもよい。
【0137】
また、制御部１８２は、箱内温度θｎｉを温度計測装置６６ｂから取得すると共に、箱外温度θｎｅを温度計測装置６６ｃから取得する（ステップＳ３１８）。次いで、制御部１８２は、箱外温度θｎｅから箱内温度θｎｉを減算することにより、照射時温度差（θｎｅ－θｎｉ）を求める（ステップＳ３１９）。
【0138】
続いて制御部１８２は、熱貫流率Ｕ'Ｎ、試料面積ＡＳｐ、及び照射時温度差（θｎｅ－θｎｉ）を式（９）に適用して貫流熱量Ｑｗを求める（ステップＳ３２０）。そして、制御部１８２は、貫流熱量Ｑｗ、熱量ＱＣ、熱量ＱＢ、熱量ＱＰ、熱量Ｑ１、及び照射熱量ＱSolorを式（１３）に適用してＳＨＧＣを求める。もっとも、制御部１８２は、ステップＳ３１９の処理を省略し、箱外温度θ'ｎｅ及び箱内温度θ'ｎｉをそのまま式（１３）に適用してもよい。また、式（９）による貫流熱量Ｑｗの演算を省略し、各値を式（１４）にそのまま適用してＳＨＧＣを求めてもよい（ステップＳ３２１）。
【0139】
次に、制御部１８２は、求めたＳＨＧＣなどを含む演算結果の情報を記憶部８３に記憶させ、表示部８５に表示させる。制御部１８２は、ユーザによる印刷の指示があった場合、演算結果の情報を紙媒体に印字して、あるいはＣＳＶなどにより出力する（ステップＳ３２２）。
【0140】
上記の動作説明は、図２５及び図２６に付されたステップ番号の順に説明したが、これに限らず、各工程の順序は、ＳＨＧＣの演算が可能な範囲で適宜変更してもよい。また、制御部１８２は、上記各種の演算の一部をまとめて行うよう構成してもよい。
【0141】
以上のように、本実施の形態２における計測システム２００は、計測箱６１と、計測箱６１の少なくとも１つの面に取り付けられたセンサユニット６０と、センサユニット６０からの出力に基づき、計測箱６１に取り付けられた測定対象物Ｍの熱に関する性質を示す情報を求める管理装置１８０と、を有している。センサユニット６０は、実施の形態１において説明したとおり、実効面積が大きく、光の照射に対する感度が高いため、これを含む計測システム２００によれば、熱流やＳＨＧＣなどのデータを精度よく求めることができる。計測システム２００は、４つ以下のセンサユニット６０を有するものであってよいが、５つのセンサユニット６０を有し、これらがそれぞれ計測箱６１の５つの内面に取り付けられるよう構成するとよい。計測システム２００は、６つのセンサユニット６０を有し、これらがそれぞれ計測箱６１の６つの内面に取り付けられるよう構成すると、より好ましい。計測システム２００は、１又は複数のセンサユニット６０の代わりに、温度センサ１０を有するよう構成してもよい。計測システム２００の他の効果等は、上述した実施の形態１の計測システム１００と同様である。
【0142】
実施の形態３．
図２７～図３６に基づき、本発明の実施の形態３に係る計測システム３００の構成例について説明する。各図では、図面の煩雑さを避ける等の意図で符号の一部を省略することがある。実施の形態３の計測システム３００は、日射熱取得率（ＳＨＧＣ）を測定するためのシステムとして構築されており、測定環境下で起こる擾乱の影響を低減させるための擾乱因子除去演算を採り入れている点に特徴がある。
図２７～図３６に基づき、本発明の実施の形態３に係る計測システム３００の構成例について説明する。各図では、図面の煩雑さを避ける等の意図で符号の一部を省略することがある。実施の形態３の計測システム３００は、日射熱取得率（ＳＨＧＣ）を測定するためのシステムとして構築されており、測定環境下で起こる擾乱の影響を低減させるための擾乱因子除去演算を採り入れている点に特徴がある。
【0143】
すなわち、測定環境下には、擾乱を発生させる様々な要因（設備機器７など）が存在している。そして、発生した擾乱は、温度センサ１０又はセンサユニット６０に係る測定値の精度に影響し、結果としてＳＨＧＣの測定精度を低下させる。そのため、本実施の形態３における計測システム３００は、擾乱に係る成分を補正値として数値化し、これを温度センサ１０又はセンサユニット６０等に係る測定値（仮測定値）に適用することで、熱量演算のための真値を求めるよう構成されている。計測システム１００及び２００と同等の構成部材には同一の符号を用いて説明は省略又は簡略化する。
【0144】
計測システム３００は、測定対象物Ｍが疑似太陽光源装置８と対向する面に貼り付けられる計測箱６１と、計測箱６１の少なくとも１つの面に取り付けられたセンサユニット６０と、を有している。また、計測システム３００は、センサユニット６０と同じ空間に配置された１又は複数の擾乱因子測定ユニット９０を有している。そして、計測システム３００は、１又は複数のセンサユニット６０の出力、及び１又は複数の擾乱因子測定ユニット９０の出力を用いて、測定対象物Ｍの熱に関する性質を示す情報を求める管理装置２８０を有している。もっとも、計測システム３００は、１又は複数のセンサユニット６０と、１又は複数の擾乱因子測定ユニット９０と、管理装置２８０と、により構成され、計測箱６１は外部の構成であってもよい。
【0145】
擾乱因子測定ユニット９０は、６面が閉塞され、内部への光を遮断する筐体９１と、筐体９１の内部に設けられた１又は複数の温度センサ１０と、を有している。擾乱因子測定ユニット９０の内部に配置される複数の温度センサ１０は、ひとつながりに連結され、センサユニット６０として構成されている。
【0146】
図２７及び図２８に例示する計測システム３００は、５つのセンサユニット６０と、３つの擾乱因子測定ユニット９０と、を有している。５つのセンサユニット６０は、それぞれ、計測箱６１の５つの面に取り付けられている。図２７の例において、３つの擾乱因子測定ユニット９０は、それぞれ、計測箱６１の対向面、側面、天面に対応づけられている。計測箱６１の対向面、側面、天面に取り付けられる擾乱因子測定ユニット９０を、それぞれ、正面ユニット９０Ａ、側方ユニット９０Ｂ、上方ユニット９０Ｃともいう（図２７及び図２８参照）。正面ユニット９０Ａは、温度センサ１０又はセンサユニット６０が、計測箱６１の対向面と平行に配置されている。側方ユニット９０Ｂは、温度センサ１０又はセンサユニット６０が、計測箱６１の右側面及び左側面と平行に配置されている。上方ユニット９０Ｃは、温度センサ１０又はセンサユニット６０が、計測箱６１の天面及び底面と平行に配置されている。
【0147】
次に、図２９を参照して、管理装置２８０の機能的構成について説明する。管理装置１８０は、通信部８１と、制御部２８２と、記憶部８３と、入力部８４と、表示部８５と、を有している。制御部２８２は、入力処理手段８２ａと、出力処理手段８２ｂと、光源処理手段１８２ｎと、取得処理手段８２ｃと、演算処理手段２８２ｄと、を有している。
【0148】
演算処理手段２８２ｄは、ＳＨＧＣの演算に係る処理を実行するものである。演算処理手段２８２ｄは、擾乱因子測定ユニット９０から中継装置７０を介して取得する測定値（調整値に相当）を用い、温度センサ１０又はセンサユニット６０から中継装置７０を介して取得する測定値（仮測定値）を最適化するための補正値を求める機能を有している。演算処理手段２８２ｄは、計測システム３００が有する全ての温度センサ１０及びセンサユニット６０に係る測定値に補正を加えるよう構成してもよく、計測システム３００が有する温度センサ１０及びセンサユニット６０のうちの一部に係る測定値に補正を加えるよう構成してもよい。
【0149】
より具体的に、演算処理手段２８２ｄは、下記式（１７）に基づき、擾乱因子測定ユニット９０に係る測定値（調整値）に、予め設定された補正係数と、枚数換算値と、を乗ずることにより、温度センサ１０、センサユニット６０、又はセンサユニット群に対応する補正値を求める。ここで、センサユニット群とは、複数のセンサユニット６０を組み合わせたもの、あるいは１又は複数の温度センサ１０と１又は複数のセンサユニット６０とを組み合わせたものである。
【0150】
【数17】
【0151】
例えば、演算処理手段２８２ｄは、対向面ユニット６０ａに対する擾乱因子除去演算と、照射面ユニット６０ｎに対する擾乱因子除去演算と、右側面ユニット６０ｂと左側面ユニット６０ｃと天面ユニット６０ｄと底面ユニット６０ｅとを組み合わせたセンサユニット群に対する擾乱因子除去演算と、を行うよう構成することができる。式（１７）の枚数換算値は、対向面ユニット６０ａ及び照射面ユニット６０ｎに対する擾乱因子除去演算において下記式（１８）のように表され、センサユニット群に対する擾乱因子除去演算において下記式（１９）のように表される。計測箱６１の１つの面に１つの温度センサ１０が取り付けられる構成の場合、該温度センサ１０に対する擾乱因子除去演算において、式（１７）の枚数換算値は下記式（２０）のように表される。補正係数は、温度センサ１０又はセンサユニット６０の配置や枚数等、センサユニット群の配置、枚数、組み合わせ等に応じて調整され、設定される。具体的には、例えば、実機を運転し、その出力をグラフに描画して分析し、擾乱が最小となるように補正係数を設定する。その際、グラフ上の任意の区間を定め、該区間における擾乱因子の振幅が数値的に最小となるよう演算処理を繰り返しながら補正係数を決めるとよい。補正係数の設定処理は、全て自動で行うようにしてもよく、一部を手動で行うようにしてもよい。
【0152】
【数18】
【0153】
【数19】
【0154】
【数20】
【0155】
そして、演算処理手段２８２ｄは、下記式（２１）に基づき、温度センサ１０又はセンサユニット６０等に係る測定値（仮測定値）から、求めた補正値を減ずることにより、擾乱因子が除去された測定値の真値を求めるよう構成されている。
【0156】
【数21】
【0157】
演算処理手段２８２ｄによる擾乱因子除去演算、つまり補正値及び真値の演算手法については、その一例を、図３３及び図３４のフローチャートを参照しつつ後述する。演算処理手段２８２ｄにおける他の構成は、実施の形態２の演算処理手段１８２ｄにおける構成と同様である。
【0158】
計測システム３００が有する擾乱因子測定ユニット９０の数は、各図の例に限定されない。例えば、計測システム３００は、右側面に対応づけられた擾乱因子測定ユニット９０と、左側面に対応づけられた擾乱因子測定ユニット９０とを、個別に有する構成を採ってもよい。計測システム３００は、１つ又は２つの擾乱因子測定ユニット９０を有するよう構成してもよく、４つ以上の擾乱因子測定ユニット９０を有するよう構成してもよい。計測システム３００は、４つ以下のセンサユニット６０を有するものであってよいが、５つのセンサユニット６０を有し、これらがそれぞれ計測箱６１の５つの内面に取り付けられるよう構成するとよい。計測システム３００は、６つのセンサユニット６０を有し、これらがそれぞれ計測箱６１の６つの内面に取り付けられるよう構成すると、より好ましい。計測システム３００は、１又は複数のセンサユニット６０の代わりに、温度センサ１０を有するよう構成してもよい。
【0159】
制御部２８２は、ＣＰＵ又はＧＰＵなどの演算装置と、こうした演算装置と協働して上記又は下記の各種機能を実現させる計測処理プログラム２８３ｐと、により構成することができる。すなわち、計測処理プログラム２８３ｐは、コンピュータとしての制御部１８２及び記憶部８３を、入力処理手段８２ａと、出力処理手段８２ｂと、光源処理手段１８２ｎと、取得処理手段８２ｃと、演算処理手段２８２ｄとして機能させるためのプログラムである。もっとも、制御部２８２の各種機能のうちの一部は、ハードウェアにより構成してもよい。
【0160】
次に、図３０～図３２を参照し、擾乱因子除去演算の原理について説明する。図３０～図３２は、測温抵抗体としての温度センサ１０に係る測定値から式（１）により求まる抵抗値の変化を例示したものである。図３０～図３２では、横軸に時間をとり、縦軸に抵抗値をとっている。
【0161】
図３０は、温度センサ１０に安定した疑似太陽光を一定時間照射した後、その照射を中止して一定時間が経過するまでの、温度センサ１０の抵抗値の変化、つまり温度変化を例示したグラフである。図３０における抵抗値の変化には、測定環境下で発生している擾乱の影響がノイズとして含まれている。特に、領域Ｚの波形には、擾乱の影響が現れている。
【0162】
図３１は、図３０に係る温度センサ１０と同一環境下（同一空間）に配置した擾乱因子測定ユニット９０の温度センサ１０につき、図３０に係る温度センサ１０と同時に測定した抵抗値（測定環境擾乱因子）の変化を例示したグラフである。そして、図３０の経時特性データに対し、図３１の経時特性データに基づく擾乱因子除去演算を施すと、図３２のように、擾乱の影響として現れるノイズが除去されたデータを得ることができる。なお、図３２に例示するグラフについて、縦軸の値に１０００を足すと、補正後の抵抗値（真値）となる。このように、擾乱因子測定ユニット９０を用いて擾乱因子除去演算を行うことにより、高精度な元データが得られ、ＳＨＧＣを更に精度よく求めることができる。
【0163】
続いて、図３３及び図３４のフローチャートに基づき、図２７～図２９に例示する計測システムによる日射熱取得率（ＳＨＧＣ）の計測処理方法について説明する。ここでは、計測箱６１の各面それぞれに、複数の温度センサ１０からなるセンサユニット６０が取り付けられた構成を前提に説明する。また、センサユニット６０と擾乱因子測定ユニット９０との対応づけとして、対向面ユニット６０ａに関する擾乱因子除去演算に正面ユニット９０Ａを用い、右側面ユニット６０ｂ及び左側面ユニット６０ｃに関する擾乱因子除去演算に側方ユニット９０Ｂを用い、天面ユニット６０ｄに関する擾乱因子除去演算に上方ユニット９０Ｃを用いる例を示す。つまり、ここでは、照射面ユニット６０ｎ及び底面ユニット６０ｅに関しては擾乱因子除去演算を行わない例を示す。なお以下、第１正面補正値、第２正面補正値、第１側面補正値、第２側面補正値、第１天面補正値、及び第２天面補正値は、式（１７）の「補正値」に対応する。また、第１正面係数、第２正面係数、第１側方係数、第２側方係数、第１上方係数、第２上方係数は、式（１７）の「補正係数」に相当する。上述した図２５及び図２６と同等の処理については同一の符号を付し、説明は省略又は簡略化する。
【0164】
まず、図３３を参照し、システムの起動から熱貫流率Ｕ'Ｎを求めるまでの動作の流れを説明する。制御部２８２は、ステップＳ１０１～Ｓ１０３及びＳ３０１の処理を、図２５の場合と同様に実行する。制御部２８２は、恒温室６００の温度が安定すると（ステップＳ３０１／Ｙｅｓ）、各センサユニット６０及び各擾乱因子測定ユニット９０から中継装置７０を介して測定値を取得する（ステップＳ４０１）。制御部２８２は、各センサユニット６０及び各擾乱因子測定ユニット９０のそれぞれに係る測定値について、ステップＳ１０５と同様、安定性に係る判定を行う（ステップＳ４０２）。
【0165】
すなわち、制御部２８２は、対向面ユニット６０ａについて、第１素子群に係る安定した測定値を仮第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を仮第２測定値として記録する。また、制御部２８２は、正面ユニット９０Ａについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１調整値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２調整値として記録する（ステップＳ４０３）。次いで制御部２８２は、式（１７）に基づき、正面ユニット９０Ａに係る第１調整値に対し、第１正面係数と、対向面ユニット６０ａの温度センサ１０の数を正面ユニット９０Ａの温度センサ１０の数で除した値と、を乗じることにより、正面第１補正値を求める。また、制御部２８２は、式（１７）に基づき、正面ユニット９０Ａに係る第２調整値に対し、第２正面係数と、対向面ユニット６０ａの温度センサ１０の数を正面ユニット９０Ａの温度センサ１０の数で除した値と、を乗じることにより、正面第２補正値を求める（ステップＳ４０４）。次に制御部２８２は、式（２１）に基づき、仮第１測定値から正面第１補正値を減算することにより、真値に相当する第１測定値を求める。また、制御部２８２は、式（２１）に基づき、仮第２測定値から正面第２補正値を減算することにより、真値に相当する第２測定値を求める（ステップＳ４０５）。そして、制御部２８２は、求めた第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量Ｑ'Ｃ、を求める（ステップＳ３０５）。
【0166】
同様に、制御部２８２は、右側面ユニット６０ｂ及び左側面ユニット６０ｃについて、第１素子群に係る安定した測定値を仮第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を仮第２測定値として記録する。また、制御部２８２は、側方ユニット９０Ｂについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１調整値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２調整値として記録する（ステップＳ４０３）。次いで制御部２８２は、式（１７）に基づき、側方ユニット９０Ｂに係る第１調整値に対し、第１側方係数と、右側面ユニット６０ｂ及び左側面ユニット６０ｃの温度センサ１０の数を側方ユニット９０Ｂの温度センサ１０の数で除した値と、を乗じることにより、側面第１補正値を求める。また、制御部２８２は、式（１７）に基づき、側方ユニット９０Ｂに係る第２調整値に対し、第２側方係数と、右側面ユニット６０ｂ及び左側面ユニット６０ｃの温度センサ１０の数を側方ユニット９０Ｂの温度センサ１０の数で除した値と、を乗じることにより、側面第２補正値を求める（ステップＳ４０４）。次に制御部２８２は、式（２１）に基づき、仮第１測定値から側面第１補正値を減算することにより、真値に相当する側面第１測定値を求める。また、制御部２８２は、式（２１）に基づき、仮第２測定値から側面第２補正値を減算することにより、真値に相当する側面第２測定値を求める（ステップＳ４０５）。
【0167】
また、制御部２８２は、天面ユニット６０ｄについて、第１素子群に係る安定した測定値を仮第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を仮第２測定値として記録する。また、制御部２８２は、上方ユニット９０Ｃについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１調整値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２調整値として記録する（ステップＳ４０３）。次いで制御部２８２は、式（１７）に基づき、上方ユニット９０Ｃに係る第１調整値に対し、第１上方係数と、天面ユニット６０ｄの温度センサ１０の数を上方ユニット９０Ｃの温度センサ１０の数で除した値と、を乗じることにより、天面第１補正値を求める。また、制御部２８２は、式（１７）に基づき、上方ユニット９０Ｃに係る第２調整値に対し、第２上方係数と、天面ユニット６０ｄの温度センサ１０の数を上方ユニット９０Ｃの温度センサ１０の数で除した値と、を乗じることにより、天面第２補正値を求める（ステップＳ４０４）。次に制御部２８２は、式（２１）に基づき、仮第１測定値から天面第１補正値を減算することにより、真値に相当する天面第１測定値を求める。また、制御部２８２は、式（２１）に基づき、仮第２測定値から天面第２補正値を減算することにより、真値に相当する天面第２測定値を求める（ステップＳ４０５）。
【0168】
そして、制御部２８２は、側面第１測定値と、天面第１測定値と、底面ユニット６０ｅに係る第１測定値とを合算し、４側面に係る第１測定値を求める。また、制御部２８２は、側面第２測定値と、天面第２測定値と、底面ユニット６０ｅに係る第２測定値とを合算し、４側面に係る第２測定値を求める。そして、制御部２８２は、求めた４側面に係る第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量Ｑ'Ｂを求める（ステップＳ３０５）。
【0169】
制御部２８２は、図２０における制御部１８２と同様の演算により熱量Ｑ'Ｐを求める（ステップＳ３０５）。つまり、制御部２８２は、全てのセンサユニット６０に係る測定値の記録が終わるまで、ステップＳ４０１～Ｓ４０５の一連の処理を繰り返し実行する。もっとも、制御部２８２は、全てのセンサユニット６０に係る第１測定値及び第２測定値の記録が終わった後、まとめて熱量ＱＣ、熱量ＱＰ、及び熱量ＱＢの演算処理を行ってもよい。制御部２８２は、ステップＳ３０６の処理、ステップＳ３０７及びＳ３０８の処理、次いでステップＳ３０９の処理を、図２５の場合と同様に実行する。
【0170】
次に、図３４を参照し、疑似太陽光源装置８の点灯から演算結果の表示までの動作の流れを説明する。制御部２８２は、ステップＳ３１０～Ｓ３１３の処理を、図２６の場合と同様に実行する。次いで制御部２８２は、各センサユニット６０及び各擾乱因子測定ユニット９０から中継装置７０を介して測定値を取得する（ステップＳ５０１）。制御部２８２は、各センサユニット６０及び各擾乱因子測定ユニット９０のそれぞれに係る測定値について、ステップＳ１０５と同様、安定性に係る判定を行う（ステップＳ５０２）。
【0171】
すなわち、制御部２８２は、対向面ユニット６０ａについて、第１素子群に係る安定した測定値を仮第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を仮第２測定値として記録する。また、制御部２８２は、正面ユニット９０Ａについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１調整値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２調整値として記録する（ステップＳ５０３）。次いで制御部２８２は、式（１７）に基づき、正面ユニット９０Ａに係る第１調整値に対し、第１正面係数と、対向面ユニット６０ａの温度センサ１０の数を正面ユニット９０Ａの温度センサ１０の数で除した値と、を乗じることにより、正面第１補正値を求める。また、制御部２８２は、式（１７）に基づき、正面ユニット９０Ａに係る第２調整値に対し、第２正面係数と、対向面ユニット６０ａの温度センサ１０の数を正面ユニット９０Ａの温度センサ１０の数で除した値と、を乗じることにより、正面第２補正値を求める（ステップＳ５０４）。次に制御部２８２は、式（２１）に基づき、仮第１測定値から正面第１補正値を減算することにより、真値に相当する第１測定値を求める。また、制御部２８２は、式（２１）に基づき、仮第２測定値から正面第２補正値を減算することにより、真値に相当する第２測定値を求める（ステップＳ５０５）。そして、制御部２８２は、求めた第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量ＱＣを求める（ステップＳ３１７）。
【0172】
同様に、制御部２８２は、右側面ユニット６０ｂ及び左側面ユニット６０ｃについて、第１素子群に係る安定した測定値を仮第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を仮第２測定値として記録する。また、制御部２８２は、側方ユニット９０Ｂについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１調整値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２調整値として記録する（ステップＳ５０３）。次いで制御部２８２は、式（１７）に基づき、ステップＳ４０４と同様に側面第１補正値及び側面第２補正値を求める（ステップＳ５０４）。次に制御部２８２は、式（２１）に基づき、ステップＳ４０５と同様に側面第１測定値及び側面第２測定値を求める（ステップＳ５０５）。また、制御部２８２は、天面ユニット６０ｄについて、第１素子群に係る安定した測定値を仮第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を仮第２測定値として記録する。制御部２８２は、上方ユニット９０Ｃについて、第１素子群に係る安定した測定値を第１調整値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を第２調整値として記録する（ステップＳ５０３）。次いで制御部２８２は、式（１７）に基づき、ステップＳ４０４と同様に天面第１補正値及び天面第２補正値を求める（ステップＳ５０４）。次に制御部２８２は、式（２１）に基づき、ステップＳ４０５と同様に天面第１測定値及び天面第２測定値を求める（ステップＳ５０５）。そして、制御部２８２は、側面第１測定値と、天面第１測定値と、底面ユニット６０ｅに係る第１測定値とを合算し、４側面に係る第１測定値を求める。制御部２８２は、側面第２測定値と、天面第２測定値と、底面ユニット６０ｅに係る第２測定値とを合算し、４側面に係る第２測定値を求める。そして、制御部２８２は、求めた４側面に係る第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量ＱＢを求める（ステップＳ３１７）。
【0173】
制御部２８２は、図２１における制御部１８２と同様の演算により熱量ＱＰを求める（ステップＳ３１７）。つまり、制御部２８２は、全てのセンサユニット６０に係る測定値の記録が終わるまで、ステップＳ５０１～Ｓ５０５の一連の処理を繰り返し実行する。もっとも、制御部２８２は、全てのセンサユニット６０に係る第１測定値及び第２測定値の記録が終わった後、まとめて熱量ＱＣ、熱量ＱＰ、及び熱量ＱＢの演算処理を行ってもよい。そして、制御部２８２は、ステップＳ３１８及びＳ３１９の処理、ステップＳ３２０～Ｓ３２２の処理を図２１の場合と同様に実行する。
【0174】
上記の動作説明は、図３３及び図３４に付されたステップ番号の順に説明したが、これに限らず、各工程の順序は、ＳＨＧＣの演算が可能な範囲で適宜変更してもよい。また、制御部２８２は、上記各種の演算の一部をまとめて行うよう構成してもよい。
【0175】
センサユニット６０と擾乱因子測定ユニット９０との対応づけは、上記の例に限らず、適宜変更してもよい。例えば、制御部２８２は、照射面ユニット６０ｎに関する擾乱因子除去演算を行うよう構成してもよい。その一例として、制御部２８２は、照射面ユニット６０ｎについて、第１素子群に係る安定した測定値を仮第１測定値として記録し、第２素子群に係る安定した測定値を仮第２測定値として記録してもよい（ステップＳ４０３）。次いで制御部２８２は、式（１７）に基づき、正面ユニット９０Ａに係る第１調整値に対し、第１正面係数と、照射面ユニット６０ｎの温度センサ１０の数を正面ユニット９０Ａの温度センサ１０の数で除した値と、を乗じることにより、照射面第１補正値を求めてもよい。また、制御部２８２は、式（１７）に基づき、正面ユニット９０Ａに係る第２調整値に対し、第２正面係数と、照射面ユニット６０ｎの温度センサ１０の数を正面ユニット９０Ａの温度センサ１０の数で除した値と、を乗じることにより、照射面第２補正値を求めてもよい（ステップＳ４０４）。次に制御部２８２は、式（２１）に基づき、仮第１測定値から照射面第１補正値を減算することにより、真値に相当する第１測定値を求めてもよい。また、制御部２８２は、式（２１）に基づき、仮第２測定値から照射面第２補正値を減算することにより、真値に相当する第２測定値を求めてもよい（ステップＳ４０５）。そして、制御部２８２は、記録した第１測定値及び第２測定値を式（１）、式（３）～式（５）に適用し、ステップＳ１０８の処理と同様に熱量Ｑ'Ｐを求めてもよい（ステップＳ３０５）。制御部２８２は、熱量ＱＰについても同様、例えば正面ユニット９０Ａに係る調整値を用いて照射面ユニット６０ｎに関する擾乱因子除去演算を行ってもよい（ステップＳ５０３～Ｓ５０５）。制御部２８２は、正面ユニット９０Ａに係る調整値の代わりに、側方ユニット９０Ｂ又は上方ユニット９０Ｃに係る調整値を用いるよう構成してもよい。もっとも、計測システム３００は、照射面ユニット６０ｎに対応づけて設けられた擾乱因子測定ユニット９０を有していてもよい。制御部２８２は、底面ユニット６０ｅに関しても、正面ユニット９０Ａ、側方ユニット９０Ｂ、又は上方ユニット９０Ｃ等に係る調整値を用いることにより、擾乱因子除去演算を行ってもよい。
【0176】
以上のように、本実施の形態３における計測システム３００は、少なくとも１つのセンサユニット６０と、少なくとも１つの擾乱因子測定ユニット９０と、を有している。そして、計測システム３００は、計測箱６１に取り付けられたセンサユニット６０からの出力と、擾乱因子測定ユニット９０からの出力とに基づき、測定対象物Ｍの熱に関する性質を示す情報を求める管理装置２８０を有している。センサユニット６０は、実施の形態１において説明したとおり、実効面積が大きく、光の照射に対する感度が高いため、これを含む計測システム３００によれば、熱流やＳＨＧＣなどのデータを精度よく求めることができる。擾乱因子測定ユニット９０は、筐体９１の内部に温度センサ１０を有するよう構成してもよく、筐体９１の内部にセンサユニット６０を有するよう構成してもよい。ここで、温度センサ１０は、上述したように、測温抵抗体としての感度が従来構成よりも高い。そのため、温度センサ１０又はセンサユニット６０を含む擾乱因子測定ユニット９０を用いることにより、測定室５００内の擾乱を精度よく数値化し、演算結果の調整のために用いることができる。すなわち、計測システム３００によれば、熱流やＳＨＧＣなどの演算処理の高精度化を実現することができる。計測システム２００の他の効果等は、上述した実施の形態１の計測システム１００と同様である。
【0177】
ここで、上述した実施の形態は、温度センサ、センサユニット、擾乱因子測定ユニット、及び計測システムの具体例であり、本発明の技術的範囲は、これらの態様に限定されるものではない。例えば、センサユニット６０における複数の温度センサ１０の組み合わせや総数、各温度センサそれぞれの数や配置等は、各図の例に限らず、任意に設定し、変更することができる。各温度センサ１１～１４における各スリットの本数・配置等は、各図の例に限らず、任意に設計し、変更することができる。各図では、一対の端子が内端子と外端子とにより構成された例を示したが、これに限定されない。一対の端子は、双方がセンサ素子における矩形の領域外に配置されてもよく、この場合、基板５０には切欠き部５１を設けなくてよい。ただし、複数の温度センサ１０を連結させてセンサユニット６０を構成する場合、実効面積拡大の観点から、各温度センサ１０の間の距離を狭くすべく、一対の端子のうちの一方は、少なくとも一部がセンサ素子における矩形の領域内に配置される構成を採るとよい。計測システム１００、２００、３００は、管理装置８０、１８０、２８０に上述した中継装置７０の機能を持たせ、中継装置７０を設けずに構成してもよい。この場合、管理装置８０、１８０、２８０は、温度センサ１０又はセンサユニット６０からの出力を用い、測定対象物Ｍの熱に関する性質を示す特性データを求めるものとなる。
【符号の説明】
【0178】
４ｂ 補助部、４ｈ ネジ穴、４ｋ 通し穴、４ｍ 湾曲部、４ｎ ネジ、５ 枠部、６ 開閉装置、７ 設備機器、８ａ、８ｂ 導線、１０、１１～１４ 温度センサ、２０、２０Ａ～２０Ｄ 第１素子、２１Ａ～２１Ｄ 主パターン部、２２Ａ～２２Ｄ 内パターン部、２３Ａ～２３Ｄ 外パターン部、２０ｘ 孤立パターン、２１ 第１内端子、２２ 第１外端子、３０、３０Ａ～３０Ｄ 第２素子、３１Ａ～３１Ｄ 主パターン部、３２Ａ～３２Ｄ 内パターン部、３３Ａ～３３Ｄ 外パターン部、３０ｘ 孤立パターン、３１ 第２内端子、３２ 第２外端子、４１ スリット、４２ 枝スリット、４３ 端スリット、４４ 縁スリット、４５ 基部、４６ 導電部、４７ 補強部、４９ ナット、５０ 基板、５１ 切欠き部、６０ センサユニット、６０ａ 対向面ユニット、６０ｂ 右側面ユニット、６０ｃ 左側面ユニット、６０ｄ 天面ユニット、６０ｅ 底面ユニット、６０ｎ 照射面ユニット、６１ 計測箱、６２ 冷却板、６３ａ 箱内バッフル、６３ｂ 光源側バッフル、６５ 検出装置、６６ａ～６６ｃ 温度計測装置、６７ ヒータ、６７ａ 箱内ファン、６８ 箱外ファン、７０ 中継装置、８０、１８０、２８０ 管理装置、８１ 通信部、８２、１８２、２８２ 制御部、８２ａ 入力処理手段、８２ｂ 出力処理手段、８２ｃ 取得処理手段、８２ｄ、１８２ｄ、２８２ｄ 演算処理手段、１８２ｎ 光源処理手段、８３ 記憶部、８３ｐ、１８３ｐ、２８３ｐ 計測処理プログラム、８４ 入力部、８５ 表示部、９０ 擾乱因子測定ユニット、９０Ａ 正面ユニット、９０Ｂ 側方ユニット、９０Ｃ 上方ユニット、９１ 筐体、１００、２００、３００ 計測システム、５００ 測定室、５５０ 壁部、６００ 恒温室。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】