ホーム > 特許ランキング > 東京エレクトロン株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024126784
(43)【公開日】2024-09-20
(54)【発明の名称】接合装置、接合システムおよび接合方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20240912BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】13
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023035417
(22)【出願日】2023-03-08
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】菅川 賢治
(72)【発明者】
【氏名】牧 哲也
(57)【要約】
【課題】基板同士の接合時に発生する接合不良を抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による接合装置は、第１保持部と、第２保持部と、ストライカーと、イオナイザとを備える。第１保持部は、第１基板を上方から吸着保持する。第２保持部は、前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する。ストライカーは、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる。イオナイザは、前記第２保持部よりも上方に配置される。
【選択図】図３
【解決手段】本開示の一態様による接合装置は、第１保持部と、第２保持部と、ストライカーと、イオナイザとを備える。第１保持部は、第１基板を上方から吸着保持する。第２保持部は、前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する。ストライカーは、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる。イオナイザは、前記第２保持部よりも上方に配置される。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
前記第２保持部よりも上方に配置されるイオナイザと
を備える、接合装置。
前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
前記第２保持部よりも上方に配置されるイオナイザと
を備える、接合装置。
【請求項2】
前記第２基板の搬入、および、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板の搬出が行われる搬入出位置と、前記第１保持部と対向する対向位置との間で、前記第２保持部を移動させる移動部
を備え、
前記イオナイザは、
前記搬入出位置にある前記第２保持部よりも上方に配置される、
請求項１に記載の接合装置。
を備え、
前記イオナイザは、
前記搬入出位置にある前記第２保持部よりも上方に配置される、
請求項１に記載の接合装置。
【請求項3】
前記イオナイザは、
前記第２保持部に搬入されて保持される前記第２基板を除電する、
請求項１に記載の接合装置。
前記第２保持部に搬入されて保持される前記第２基板を除電する、
請求項１に記載の接合装置。
【請求項4】
前記イオナイザは、
前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板が保持面から剥離される前記第２保持部を除電する、
請求項１に記載の接合装置。
前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板が保持面から剥離される前記第２保持部を除電する、
請求項１に記載の接合装置。
【請求項5】
前記イオナイザは、
前記第２保持部に搬入されて保持される前記第２基板を除電した後、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板が保持面から剥離される前記第２保持部を除電する、 請求項１に記載の接合装置。
前記第２保持部に搬入されて保持される前記第２基板を除電した後、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板が保持面から剥離される前記第２保持部を除電する、 請求項１に記載の接合装置。
【請求項6】
少なくとも前記第２保持部を収容する筐体、
を備え、
前記イオナイザは、
前記筐体の内部に配置され、イオンを放出するヘッド部と、
前記筐体の外部に配置され、前記ヘッド部に接続される電源部と
を備える、請求項１に記載の接合装置。
を備え、
前記イオナイザは、
前記筐体の内部に配置され、イオンを放出するヘッド部と、
前記筐体の外部に配置され、前記ヘッド部に接続される電源部と
を備える、請求項１に記載の接合装置。
【請求項7】
少なくとも前記第２保持部を収容する筐体と、
前記筐体の内部に対し、ガスを供給するガス供給部と
を備え、
前記イオナイザは、
前記第２保持部の中心位置に対して、前記ガスの流れの上流側に配置される、
請求項１に記載の接合装置。
前記筐体の内部に対し、ガスを供給するガス供給部と
を備え、
前記イオナイザは、
前記第２保持部の中心位置に対して、前記ガスの流れの上流側に配置される、
請求項１に記載の接合装置。
【請求項8】
第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと
を備え、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合装置。
前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと
を備え、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合装置。
【請求項9】
前記第２保持部は、
搬入された前記第２基板を保持面まで下降させる下降動作、および、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板を前記保持面から搬出位置まで上昇させる上昇動作を行う昇降部
を備え、
前記昇降部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
請求項８に記載の接合装置。
搬入された前記第２基板を保持面まで下降させる下降動作、および、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板を前記保持面から搬出位置まで上昇させる上昇動作を行う昇降部
を備え、
前記昇降部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
請求項８に記載の接合装置。
【請求項10】
第１基板および第２基板の表面を改質する表面改質装置と、
改質された前記第１基板および前記第２基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
親水化された前記第１基板と前記第２基板とを分子間力により接合する接合装置と
を備え、
前記接合装置は、
前記第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、前記第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
前記第２保持部よりも上方に配置されるイオナイザと
を備える、接合システム。
改質された前記第１基板および前記第２基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
親水化された前記第１基板と前記第２基板とを分子間力により接合する接合装置と
を備え、
前記接合装置は、
前記第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、前記第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
前記第２保持部よりも上方に配置されるイオナイザと
を備える、接合システム。
【請求項11】
第１基板および第２基板の表面を改質する表面改質装置と、
改質された前記第１基板および前記第２基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
親水化された前記第１基板と前記第２基板とを分子間力により接合する接合装置と
を備え、
前記接合装置は、
前記第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、前記第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
を備え、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合システム。
改質された前記第１基板および前記第２基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
親水化された前記第１基板と前記第２基板とを分子間力により接合する接合装置と
を備え、
前記接合装置は、
前記第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、前記第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
を備え、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合システム。
【請求項12】
イオナイザを用いて、第１保持部よりも下方に配置された第２保持部を除電する工程と、
前記第１保持部を用いて、第１基板を上方から吸着保持する工程と、
前記イオナイザを用いて、前記第２保持部に搬入されて保持された第２基板を除電する工程と、
前記第２保持部を用いて、前記第２基板を下方から吸着保持する工程と、
ストライカーを用いて、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる工程と
を含む、接合方法。
前記第１保持部を用いて、第１基板を上方から吸着保持する工程と、
前記イオナイザを用いて、前記第２保持部に搬入されて保持された第２基板を除電する工程と、
前記第２保持部を用いて、前記第２基板を下方から吸着保持する工程と、
ストライカーを用いて、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる工程と
を含む、接合方法。
【請求項13】
第１保持部を用いて、第１基板を上方から吸着保持する工程と、
第２保持部を用いて、第２基板を下方から吸着保持する工程と、
ストライカーを用いて、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる工程と
を含み、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合方法。
第２保持部を用いて、第２基板を下方から吸着保持する工程と、
ストライカーを用いて、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる工程と
を含み、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、接合装置、接合システムおよび接合方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体ウェハなどの基板同士を接合する接合装置が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－１４７９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、基板同士の接合時に発生する接合不良を抑制することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様による接合装置は、第１保持部と、第２保持部と、ストライカーと、イオナイザとを備える。第１保持部は、第１基板を上方から吸着保持する。第２保持部は、前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する。ストライカーは、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる。イオナイザは、前記第２保持部よりも上方に配置される。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板同士の接合時に発生する接合不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下に、本開示による接合装置、接合システムおよび接合方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
【0009】
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、たとえば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
【0010】
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
【0011】
近年、半導体デバイスの高集積化が進んでいる。高集積化した複数の半導体デバイスを水平面内で配置し、これら半導体デバイスを配線で接続して製品化する場合、配線長が増大し、それにより配線の抵抗が大きくなること、また配線遅延が大きくなることが懸念される。
【0012】
そこで、半導体デバイスを３次元に積層する３次元集積技術を用いることが提案されている。この３次元集積技術においては、たとえば特許文献１に記載の接合システムを用いて、２枚の半導体ウェハ（以下、「基板」という。）の接合が行われる。
【0013】
上記接合装置では、第１保持部を用いて一の基板（以下、「第１基板」という。）を保持すると共に、第１保持部の下方に設けられた第２保持部を用いて他の基板（以下、「第２基板」という。）を保持した状態で、当該第１基板と第２基板とを接合する。
【0014】
ところで、従来技術に係る接合装置にあっては、第１基板と第２基板とを接合する際に、接合不良が発生するおそれがあった。すなわち、たとえば保持部や基板が比較的大きく帯電していると、第１基板と第２基板とを接合するときに、第１基板と第２基板との間で放電が発生し、かかる放電によって接合不良が発生する。具体的には、放電に起因して、第１基板と第２基板との間にボイド（気泡）が生じ、基板同士の接合不良が発生する。
【0015】
そこで、本実施形態に係る接合装置にあっては、基板同士の接合時に発生する接合不良を抑制することができるような構成とした。
【0016】
（第１実施形態）
＜接合システムの構成＞
まず、第１実施形態に係る接合システムの構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る接合システムの構成を示す模式図である。また、図２は、第１実施形態に係る第１基板および第２基板の接合前の状態を示す模式図である。
＜接合システムの構成＞
まず、第１実施形態に係る接合システムの構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る接合システムの構成を示す模式図である。また、図２は、第１実施形態に係る第１基板および第２基板の接合前の状態を示す模式図である。
【0017】
【0018】
第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、単結晶シリコンウェハであり、板面には複数の電子回路が形成される。第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、略同径である。なお、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の一方は、たとえば電子回路が形成されていない基板であってもよい。
【0019】
以下では、図２に示すように、第１基板Ｗ１の板面のうち、第２基板Ｗ２と接合される側の板面を「接合面Ｗ１ｊ」と記載し、接合面Ｗ１ｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗ１ｎ」と記載する。また、第２基板Ｗ２の板面のうち、第１基板Ｗ１と接合される側の板面を「接合面Ｗ２ｊ」と記載し、接合面Ｗ２ｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗ２ｎ」と記載する。
【0020】
図１に示すように、接合システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２は、処理ステーション３のＸ軸負方向側に配置され、処理ステーション３と一体的に接続される。
【0021】
搬入出ステーション２は、載置台１０と、搬送領域２０とを備える。載置台１０は、複数の載置板１１を備える。各載置板１１には、複数枚（たとえば、２５枚）の基板を水平状態で収容するカセットＣ１～Ｃ４がそれぞれ載置される。カセットＣ１は複数枚の第１基板Ｗ１を収容可能であり、カセットＣ２は複数枚の第２基板Ｗ２を収容可能であり、カセットＣ３は複数枚の重合基板Ｔを収容可能である。カセットＣ４は、たとえば、不具合が生じた基板を回収するためのカセットである。なお、載置板１１に載置されるカセットＣ１～Ｃ４の個数は、図示のものに限定されない。
【0022】
搬送領域２０は、載置台１０のＸ軸正方向側に隣接して配置される。搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延在する搬送路２１と、搬送路２１に沿って移動可能な搬送装置２２とが設けられる。搬送装置２２は、Ｙ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向にも移動可能かつＺ軸周りに旋回可能である。搬送装置２２は、載置板１１に載置されたカセットＣ１～Ｃ４と、後述する処理ステーション３の第３処理ブロックＧ３との間で、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔの搬送を行う。
【0023】
処理ステーション３には、たとえば３つの処理ブロックＧ１，Ｇ２，Ｇ３が設けられる。第１処理ブロックＧ１は、処理ステーション３の背面側（図１のＸ軸正方向側）に配置される。また、第２処理ブロックＧ２は、処理ステーション３の正面側（図１のＸ軸負方向側）に配置され、第３処理ブロックＧ３は、処理ステーション３の搬入出ステーション２側（図１のＹ軸負方向側）に配置される。
【0024】
第１処理ブロックＧ１には、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊを改質する表面改質装置３０が配置される。表面改質装置３０は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊにおけるＳｉＯ２の結合を切断して単結合のＳｉＯとすることで、その後親水化され易くするように接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊを改質する。
【0025】
具体的には、表面改質装置３０では、たとえば減圧雰囲気下において処理ガスである酸素ガスまたは窒素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。そして、かかる酸素イオンまたは窒素イオンが、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊに照射されることにより、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊがプラズマ処理されて改質される。
【0026】
また、第１処理ブロックＧ１には、表面親水化装置４０が配置される。表面親水化装置４０は、たとえば純水によって第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊを親水化するとともに、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊを洗浄する。具体的には、表面親水化装置４０は、たとえばスピンチャックに保持された第１基板Ｗ１または第２基板Ｗ２を回転させながら、当該第１基板Ｗ１または第２基板Ｗ２上に純水を供給する。これにより、第１基板Ｗ１または第２基板Ｗ２上に供給された純水が第１基板Ｗ１または第２基板Ｗ２の接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ上を拡散し、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊが親水化される。
【0027】
ここでは、表面改質装置３０と表面親水化装置４０とが横並びで配置される場合の例を示したが、表面親水化装置４０は、表面改質装置３０の上方または下方に積層されてもよい。
【0028】
第２処理ブロックＧ２には、接合装置４１が配置される。接合装置４１は、親水化された第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを分子間力により接合する。接合装置４１の具体的な構成については後述する。
【0029】
第１処理ブロックＧ１、第２処理ブロックＧ２および第３処理ブロックＧ３に囲まれた領域には、搬送領域６０が形成される。搬送領域６０には、搬送装置６１が配置される。搬送装置６１は、たとえば鉛直方向、水平方向および鉛直軸周りに移動自在な搬送アームを有する。かかる搬送装置６１は、搬送領域６０内を移動し、搬送領域６０に隣接する第１処理ブロックＧ１、第２処理ブロックＧ２および第３処理ブロックＧ３内の所定の装置に第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔを搬送する。
【0030】
また、接合システム１は、制御装置７０を備える。制御装置７０は、接合システム１の動作を制御する。かかる制御装置７０は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部および記憶部を備える。制御部は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、後述する制御を実現する。また、記憶部は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）等の半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置によって実現される。
【0031】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置７０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【0032】
＜接合装置の構成＞
ここで、接合装置４１の構成例について図３および図４を参照して説明する。図３は、第１実施形態に係る接合装置４１の模式平面図である。また、図４は、第１実施形態に係る接合装置４１の模式側面図である。
ここで、接合装置４１の構成例について図３および図４を参照して説明する。図３は、第１実施形態に係る接合装置４１の模式平面図である。また、図４は、第１実施形態に係る接合装置４１の模式側面図である。
【0033】
【0034】
筐体１００は、たとえば平面視矩形状の箱体であり、第１保持部１１０、第２保持部１２０、移動部１３０、ガス供給部１４０、排気部１５０およびイオナイザ１６０（正確にはイオナイザ１６０の一部）を収容する。
【0035】
また、筐体１００の内部には、載置台１０１と、載置台１０１の上面に立設された複数の支柱部１０２と、複数の支柱部１０２に支持される天井部１０３とが配置される。
【0036】
第１保持部１１０は、第１基板Ｗ１の上面（非接合面Ｗ１ｎ）を上方から吸着保持する。第１保持部１１０は、天井部１０３に支持される（図４参照）。第２保持部１２０は、第１保持部１１０よりも下方に配置され、第２基板Ｗ２の下面（非接合面Ｗ２ｎ）を下方から吸着保持する。
【0037】
【0038】
図５に示すように、第１保持部１１０は、本体部１１１を有する。本体部１１１は、支持部材１１２によって支持される。支持部材１１２および本体部１１１には、支持部材１１２および本体部１１１を鉛直方向に貫通する貫通孔１１３が形成される。貫通孔１１３の位置は、第１保持部１１０に吸着保持される第１基板Ｗ１の中心部に対応している。貫通孔１１３には、後述するストライカー１８０の押圧ピン１８１が挿通される。
【0039】
ストライカー１８０は、支持部材１１２の上面に配置され、押圧ピン１８１と、アクチュエータ部１８２と、直動機構１８３とを備える。押圧ピン１８１は、鉛直方向に沿って延在する円柱状の部材であり、アクチュエータ部１８２によって支持される。
【0040】
アクチュエータ部１８２は、たとえば電空レギュレータ（図示せず）から供給される空気により一定方向（ここでは鉛直下方）に一定の圧力を発生させる。アクチュエータ部１８２は、電空レギュレータから供給される空気により、第１基板Ｗ１の中心部と当接して当該第１基板Ｗ１の中心部にかかる押圧荷重を制御することができる。また、アクチュエータ部１８２の先端部は、電空レギュレータからの空気によって、貫通孔１１３を挿通して鉛直方向に昇降自在になっている。
【0041】
アクチュエータ部１８２は、直動機構１８３に支持される。直動機構１８３は、たとえばモータを内蔵した駆動部によってアクチュエータ部１８２を鉛直方向に沿って移動させる。
【0042】
ストライカー１８０は、直動機構１８３によってアクチュエータ部１８２の移動を制御し、アクチュエータ部１８２によって押圧ピン１８１による第１基板Ｗ１の押圧荷重を制御する。これにより、ストライカー１８０は、第１保持部１１０に吸着保持された第１基板Ｗ１の中心部を押圧して第２基板Ｗ２に接触させる。
【0043】
本体部１１１の下面には、第１基板Ｗ１の上面（非接合面）に接触する複数のピン１１４が設けられている。複数のピン１１４は、たとえば、径寸法が０．１ｍｍ～１ｍｍであり、高さが数十μｍ～数百μｍである。複数のピン１１４は、たとえば２ｍｍの間隔で均等に配置される。
【0044】
第１保持部１１０は、これら複数のピン１１４が設けられている領域のうちの一部の領域に、第１基板Ｗ１を吸着する複数の吸着部を備える。具体的には、第１保持部１１０における本体部１１１の下面には、第１基板Ｗ１を真空引きして吸着する複数の外側吸着部１１５および複数の内側吸着部１１６が設けられている。複数の外側吸着部１１５および複数の内側吸着部１１６は、平面視において円弧形状の吸着領域を有する。複数の外側吸着部１１５および複数の内側吸着部１１６は、ピン１１４と同じ高さを有する。
【0045】
複数の外側吸着部１１５は、本体部１１１の外周部に配置される。複数の外側吸着部１１５は、真空ポンプ等の図示しない吸引装置に接続され、真空引きによって第１基板Ｗ１の外周部を吸着する。
【0046】
複数の内側吸着部１１６は、複数の外側吸着部１１５よりも本体部１１１の径方向内方において、周方向に沿って並べて配置される。複数の内側吸着部１１６は、真空ポンプ等の図示しない吸引装置に接続され、真空引きによって第１基板Ｗ１の外周部と中心部との間の領域を吸着する。
【0047】
第２保持部１２０について説明する。第２保持部１２０は、第２基板Ｗ２と同径もしくは第２基板Ｗ２より大きい径を有する本体部１２１を有する。ここでは、第２基板Ｗ２よりも大きい径を有する第２保持部１２０を示している。本体部１２１の上面は、第２基板Ｗ２の下面（非接合面Ｗ２ｎ）と対向する対向面である。
【0048】
本体部１２１の上面には、第２基板Ｗ２の下面（非接合面Ｗ２ｎ）に接触する複数のピン１２２が設けられている。複数のピン１２２は、たとえば、径寸法が０．１ｍｍ～１ｍｍであり、高さが数十μｍ～数百μｍである。複数のピン１２２は、たとえば２ｍｍの間隔で均等に配置される。
【0049】
また、本体部１２１の上面には、下側リブ１２３が複数のピン１２２の外側に環状に設けられている。下側リブ１２３は、環状に形成され、第２基板Ｗ２の外周部を全周に亘って支持する。
【0050】
また、本体部１２１は、複数の下側吸引口１２４を有する。複数の下側吸引口１２４は、下側リブ１２３によって囲まれた吸着領域に複数設けられる。複数の下側吸引口１２４は、図示しない吸引管を介して真空ポンプ等の図示しない吸引装置に接続される。
【0051】
第２保持部１２０は、下側リブ１２３によって囲まれた吸着領域を複数の下側吸引口１２４から真空引きすることによって吸着領域を減圧する。これにより、吸着領域に載置された第２基板Ｗ２は、第２保持部１２０に吸着保持される。
【0052】
下側リブ１２３が第２基板Ｗ２の下面の外周部を全周に亘って支持するため、第２基板Ｗ２は外周部まで適切に真空引きされる。これにより、第２基板Ｗ２の全面を吸着保持することができる。また、第２基板Ｗ２の下面は複数のピン１２２に支持されるため、第２基板Ｗ２の真空引きを解除した際に、第２基板Ｗ２が第２保持部１２０から剥がれ易くなる。
【0053】
かかる接合装置４１は、第１保持部１１０に第１基板Ｗ１を吸着保持し、第２保持部１２０に第２基板Ｗ２を吸着保持する。その後、接合装置４１は、複数の内側吸着部１１６による第１基板Ｗ１の吸着保持を解除した後、ストライカー１８０の押圧ピン１８１を下降させることによって、第１基板Ｗ１の中心部を押下する。これにより、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが接合された重合基板Ｔが得られる。重合基板Ｔは、第４搬送装置３７によって接合装置４１から搬出される。
【0054】
なお、第１、第２保持部１１０，１２０は、たとえばアルミナセラミックスや窒化ケイ素などの絶縁性（非導電性）の部材により形成されるが、これに限定されるものではない。
【0055】
なお、第２保持部１２０は、接合装置４１に搬入された第２基板Ｗ２を受け取って保持面（上面）１２５まで下降させる下降動作、および、重合基板Ｔを保持面１２５から搬出位置まで上昇させる上昇動作を行う昇降部１７０を備えるが、これについては後述する。
【0056】
図３および図４に戻り、移動部１３０の構成について説明する。移動部１３０は、第２保持部１２０を水平方向に移動させる。具体的には、移動部１３０は、第２保持部１２０をＹ軸方向に沿って移動させる第１移動部１３１と、第２保持部１２０をＸ軸方向に沿って移動させる第２移動部１３２とを備える。
【0057】
第１移動部１３１は、Ｙ軸方向に沿って延在する一対の第１レール１３１ａに取り付けられており、かかる一対の第１レール１３１ａに沿って移動可能に構成されている。一対の第１レール１３１ａは、載置台１０１の上面に設けられる。
【0058】
第２移動部１３２は、Ｘ軸方向に沿って延在する一対の第２レール１３２ａに取り付けられており、かかる一対の第２レール１３２ａに沿って移動可能に構成されている。一対の第２レール１３２ａは、第１移動部１３１の上面に設けられる。
【0059】
第２保持部１２０は、第２移動部１３２に取り付けられており、第２移動部１３２と一体的に移動する。また、上述したように、第２移動部１３２は、一対の第２レール１３２ａを介して第１移動部１３１に取り付けられている。したがって、移動部１３０は、第１移動部１３１を移動させることにより、第２保持部１２０をＹ軸方向に沿って移動させることができ、第２移動部１３２を移動させることにより、第２保持部１２０をＸ軸方向に沿って移動させることができる。
【0060】
また、第２移動部１３２は、第２保持部１２０を鉛直方向に移動自在、且つ鉛直軸周りに回転可能に構成される。
【0061】
このように、移動部１３０は、第２保持部１２０をＸ軸方向、Ｙ軸方向およびθ方向に移動させることにより、第１保持部１１０に保持されている第１基板Ｗ１と、第２保持部１２０に保持されている第２基板Ｗ２との水平方向における位置合わせを行う。また、移動部１３０は、第２保持部１２０をＺ軸方向に移動させることにより、第１保持部１１０に保持されている第１基板Ｗ１と、第２保持部１２０に保持されている第２基板Ｗ２との鉛直方向における位置合わせを行う。
【0062】
なお、移動部１３０は、第１保持部１１０と第２保持部１２０とを相対的にＸ軸方向、Ｙ軸方向およびθ方向に移動させることができればよい。たとえば、移動部１３０は、第１保持部１１０をＸ軸方向、Ｙ軸方向およびθ方向に移動させてもよい。また、移動部１３０は、第２保持部１２０をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させるとともに、第１保持部１１０をθ方向に移動させてもよい。
【0063】
また、移動部１３０は、第２基板Ｗ２の接合装置４１への搬入や、重合基板Ｔの接合装置４１からの搬出の際にも第２保持部１２０を移動させる。具体的には、移動部１３０は、第１、第２移動部１３１，１３２を移動させることで、第２基板Ｗ２の搬入、および、重合基板Ｔの搬出が行われる搬入出位置と、第１保持部１１０と対向する対向位置との間で、第２保持部１２０を移動させる。なお、図３の例では、搬入出位置にある第２保持部１２０を実線で示し、対向位置にある第２保持部１２０を二点鎖線で示している。また、対向位置にある第２保持部１２０では、保持している第２基板Ｗ２が、第１保持部１１０に保持されている第１基板Ｗ１と接合されることから、上記した対向位置は接合位置であるともいえる。
【0064】
ガス供給部１４０は、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）であり、筐体１００の内部に対し、清浄化されたガスを供給する。ガスは、たとえばドライエアまたは窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガスである。
【0065】
ガス供給部１４０は、温調部１４１およびバルブ１４２を介してガス供給源１４３に接続される。ガス供給部１４０は、バルブ１４２が開弁されると、ガス供給源１４３から供給されたガスであって、温調部１４１によって予め設定された温度に調整されたガスを筐体１００の内部に吐出する。
【0066】
図３および図４の例では、ガス供給部１４０は、筐体１００が有する複数の側面のうち、Ｙ軸方向に直交する側面１００ａに設けられる。そして、ガス供給部１４０は、Ｙ軸方向（具体的には、Ｙ軸正方向）に沿ってガスを吐出する（矢印Ａ参照）。
【0067】
排気部１５０は、筐体１００が有する複数の側面のうち、ガス供給部１４０が取り付けられる側面１００ａと対向する側面１００ｂに設けられる。排気部１５０は、真空ポンプ等の図示しない吸引装置に接続されており、かかる吸引装置の吸引力を利用して筐体１００の内部を排気する。
【0068】
このように、第１実施形態に係る接合装置４１では、筐体１００の一の側面１００ａに設けられたガス供給部１４０と、側面１００ａに対向する他の側面１００ｂに設けられた排気部１５０とにより、筐体１００の内部にサイドフローを形成する。
【0069】
イオナイザ１６０は、帯電している第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を除電する除電装置である。なお、以下では、イオナイザ１６０は、第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を除電する例を示すが、これに限定されるものではなく、第２基板Ｗ２および第２保持部１２０の少なくともいずれかを除電する構成であってもよい。
【0070】
ここで、第２基板Ｗ２および第２保持部１２０の帯電について説明する。たとえば、第２基板Ｗ２は、接合装置４１に搬入される前の処理において帯電し、帯電した状態で接合装置４１に搬入されることがある。帯電した第２基板Ｗ２が搬入されて第２保持部１２０に保持されると、第２保持部１２０も帯電する。また、第２保持部１２０は、接合処理後の重合基板Ｔを保持し、第２保持部１２０によって保持された重合基板Ｔが接合装置４１から搬出される。この搬出の際に、重合基板Ｔが第２保持部１２０から剥離されると、かかる剥離に起因して第２保持部１２０が帯電する。
【0071】
上記のように第２基板Ｗ２および第２保持部１２０が帯電していると、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合するときに、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間で、帯電量の差が大きくなって放電が発生することがある。かかる放電が発生すると、放電に起因して、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間（たとえば第１、第２基板Ｗ１，Ｗ２の中心部付近）にボイドが生じ、基板同士の接合不良が発生してしまう。そのため、本実施形態では、イオナイザ１６０を用いて、帯電している第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を除電するようにした。
【0072】
本実施形態に係るイオナイザ１６０は、第２保持部１２０よりも上方に配置される。詳しくは、イオナイザ１６０は、電源部１６１と、ヘッド部１６２と、ケーブル１６３とを備える。なお、イオナイザ１６０は、電源部１６１がヘッド部１６２から分離した分離型のイオナイザである。
【0073】
電源部１６１は、筐体１００の外部に配置される。電源部１６１は、ケーブル１６３を介してヘッド部１６２に接続される。電源部１６１は、高圧電圧を発生させる。電源部１６１は、発生した高圧電圧をケーブル１６３を介してヘッド部１６２に供給する。
【0074】
ヘッド部１６２は、筐体１００の内部に配置される。ヘッド部１６２には、図示しない放電電極部が設けられる。ヘッド部１６２の放電電極部には、電源部１６１からの高圧電圧が印加されてコロナ放電が起きる。これにより、ヘッド部１６２は、正負のイオンを放出（照射）する。
【0075】
なお、上記では、イオナイザ１６０がコロナ放電方式のイオナイザである例を示したが、これに限定されるものではなく、たとえば軟Ｘ線方式、紫外線方式などその他の方式のイオナイザを用いてもよい。
【0076】
本実施形態に係るイオナイザ１６０においては、このヘッド部１６２が第２保持部１２０よりも上方に位置するように配置される。詳しくは、イオナイザ１６０においては、ヘッド部１６２が搬入出位置にある第２保持部１２０の上方に位置するように配置される。具体的には、ヘッド部１６２は、搬入出位置にある第２保持部１２０の保持面１２５から予め設定された所定距離離間した位置に配置される。なお、所定距離は、数十ｍｍまたは数百ｍｍに設定されるが、これに限られず、任意の値に設定可能である。
【0077】
上記した位置に配置されたヘッド部１６２は、正負のイオンを第２基板Ｗ２や第２保持部１２０へ向けて放出することで、帯電している第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を除電する。
【0078】
ここで、イオナイザ１６０による除電について図６Ａ～図７Ｂを参照して説明する。図６Ａ～図７Ｂは、イオナイザ１６０による除電を説明するための模式図である。なお、図６Ａおよび図６Ｂは、帯電した状態で接合装置４１に搬入された第２基板Ｗ２の除電、および、かかる第２基板Ｗ２を保持する第２保持部１２０の除電を説明する図である。図７Ａおよび図７Ｂは、重合基板Ｔが接合装置４１から搬出される際に、重合基板Ｔが第２保持部１２０から剥離されることに起因して帯電する第２保持部１２０の除電を説明する図である。
【0079】
図６Ａに示すように、第２保持部１２０は、上記した昇降部１７０を備える。昇降部１７０は、複数本（たとえば３本。図６Ａ等では２本のみ示す）のピンである。昇降部１７０は、本体部１２１に形成された挿通穴１７１に挿通されるとともに、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降可能に構成されている。
【0080】
昇降部１７０は、先端が保持面１２５から突出した位置にあるとき、搬入された第２基板Ｗ２を受け取る（図６Ａ参照）。その後、図６Ｂに示すように、昇降部１７０は、先端が保持面１２５より下方となる位置まで下降することで、第２基板Ｗ２を保持面１２５まで下降させ、これにより第２基板Ｗ２は第２保持部１２０によって保持される。
【0081】
イオナイザ１６０は、第２保持部１２０よりも上方に配置されるため、帯電した状態で第２基板Ｗ２が搬入された場合であっても、イオンを放出することで、第２基板Ｗ２を除電することができる。また、第２保持部１２０にあっては、除電された第２基板Ｗ２を保持することとなるため、第２保持部１２０の帯電を抑制することができる。また、イオナイザ１６０は、第２基板Ｗ２を保持した第２保持部１２０に対してイオンを放出することで、第２保持部１２０を除電することができる。
【0082】
また、図７Ａに示すように、接合処理後の重合基板Ｔは、第２保持部１２０の保持面１２５で保持される。その後、図７Ｂに示すように、昇降部１７０は、先端が保持面１２５から突出して重合基板Ｔを保持面１２５から剥離させて搬出位置まで上昇させる。そして、重合基板Ｔが接合装置４１から搬出される。
【0083】
イオナイザ１６０は、第２保持部１２０よりも上方に配置されるため、重合基板Ｔの剥離に起因して第２保持部１２０が帯電する場合であっても、イオンを放出することで、第２保持部１２０を除電することができる。
【0084】
このように、本実施形態にあっては、第２保持部の上方に配置されるイオナイザ１６０が第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を除電するようにした。これにより、今回処理あるいは次回処理において、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合するときに、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間で、帯電量の差が比較的小さくなって放電の発生を抑制することができる。そのため、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間に形成されるボイドであって、放電に起因するボイドの発生を抑制することができ、結果として基板同士の接合時に発生する接合不良を抑制することができる。
【0085】
図３および図４の説明に戻る。イオナイザ１６０の電源部１６１は、高圧電圧の発生に伴って発熱する。上記したように、本実施形態に係るイオナイザ１６０においては、発熱する電源部１６１が筐体１００の外部に配置される。詳しくは、電源部１６１は、筐体１００の内部空間とは異なる外部空間に配置される。一方、イオンを放出するヘッド部１６２は、筐体１００の内部に配置される。
【0086】
これにより、イオナイザ１６０は、ヘッド部１６２からのイオンで筐体１００内の第２保持部１２０等を除電できるとともに、電源部１６１で発生した熱が、温度調整された筐体１００の内部空間に対して影響を及ぼすことを低減させることができる。
【0087】
また、図３に示すように、イオナイザ１６０（正確にはヘッド部１６２）は、第２保持部１２０の中心位置Ｃに対して、ガスの流れの上流側に配置される。詳しくは、イオナイザ１６０（ヘッド部１６２）は、第２保持部１２０の上方の位置であって、第２保持部１２０の中心位置Ｃからガスの流れの上流側にずれた位置に配置される。
【0088】
これにより、イオナイザ１６０は、放出したイオンを、ガスの流れにのって第２基板Ｗ２や第２保持部１２０の全体に亘って広範囲に到達させることが可能となり、第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を効率良く除電することができる。
【0089】
なお、ここでは図示を省略するが、接合装置４１は、トランジション、位置調節機構および反転機構等を備える。トランジションは、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および重合基板Ｔを一時的に載置する。位置調節機構は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の水平方向の向きを調節する。反転機構は、第１基板Ｗ１の表裏を反転させる。
【0090】
＜接合システムの具体的動作＞
次に、第１実施形態に係る接合システム１の具体的な動作について図８を参照して説明する。図８は、第１実施形態に係る接合システム１が実行する処理の手順を示すフローチャートである。図８に示す各種の処理は、制御装置７０による制御に基づいて実行される。
次に、第１実施形態に係る接合システム１の具体的な動作について図８を参照して説明する。図８は、第１実施形態に係る接合システム１が実行する処理の手順を示すフローチャートである。図８に示す各種の処理は、制御装置７０による制御に基づいて実行される。
【0091】
まず、複数枚の第１基板Ｗ１を収容したカセットＣ１、複数枚の第２基板Ｗ２を収容したカセットＣ２、および空のカセットＣ３が、搬入出ステーション２の所定の載置板１１に載置される。その後、搬送装置２２によりカセットＣ１内の第１基板Ｗ１が取り出され、第３処理ブロックＧ３に配置されたトランジション装置に搬送される。
【0092】
次に、第１基板Ｗ１は、搬送装置６１によって第１処理ブロックＧ１の表面改質装置３０に搬送される。表面改質装置３０では、所定の減圧雰囲気下において、処理ガスである酸素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。この酸素イオンが第１基板Ｗ１の接合面に照射されて、当該接合面がプラズマ処理される。これにより、第１基板Ｗ１の接合面が改質される（ステップＳ１０１）。
【0093】
次に、第１基板Ｗ１は、搬送装置６１によって第１処理ブロックＧ１の表面親水化装置４０に搬送される。表面親水化装置４０では、スピンチャックに保持された第１基板Ｗ１を回転させながら、第１基板Ｗ１上に純水を供給する。これにより、第１基板Ｗ１の接合面が親水化される。また、当該純水によって、第１基板Ｗ１の接合面が洗浄される（ステップＳ１０２）。
【0094】
次に、第１基板Ｗ１は、搬送装置６１によって第２処理ブロックＧ２の接合装置４１に搬送される。接合装置４１に搬入された第１基板Ｗ１は、トランジションを介して位置調節機構に搬送され、位置調節機構によって水平方向の向きが調節される（ステップＳ１０３）。
【0095】
その後、位置調節機構から反転機構に第１基板Ｗ１が受け渡され、反転機構によって第１基板Ｗ１の表裏面が反転される（ステップＳ１０４）。具体的には、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊが下方に向けられる。つづいて、反転機構から第１保持部１１０に第１基板Ｗ１が受け渡され、第１保持部１１０によって第１基板Ｗ１が吸着保持される（ステップＳ１０５）。
【0096】
第１基板Ｗ１に対するステップＳ１０１～Ｓ１０５の処理と重複して、第２基板Ｗ２の処理が行われる。まず、搬送装置２２によりカセットＣ２内の第２基板Ｗ２が取り出され、第３処理ブロックＧ３に配置されたトランジション装置に搬送される。
【0097】
次に、第２基板Ｗ２は、搬送装置６１によって表面改質装置３０に搬送され、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊが改質される（ステップＳ１０６）。その後、第２基板Ｗ２は、搬送装置６１によって表面親水化装置４０に搬送され、第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊが親水化されるとともに当該接合面が洗浄される（ステップＳ１０７）。
【0098】
その後、第２基板Ｗ２は、搬送装置６１によって接合装置４１に搬送される。接合装置４１に搬入された第２基板Ｗ２は、トランジションを介して位置調節機構に搬送される。そして、位置調節機構によって、第２基板Ｗ２の水平方向の向きが調節される（ステップＳ１０８）。
【0099】
その後、第２基板Ｗ２は、第２保持部１２０の上方に搬送され、第２保持部１２０の昇降部１７０は第２基板Ｗ２を受け取る。そして、イオナイザ１６０は、第２保持部１２０に搬入されて保持される第２基板Ｗ２を除電する（ステップＳ１０９）。このとき、イオナイザ１６０は第２保持部１２０を除電してもよい。
【0100】
つづいて、第２基板Ｗ２は、第２保持部１２０に搬送され、ノッチ部を予め決められた方向に向けた状態で第２保持部１２０に吸着保持される（ステップＳ１１０）。
【0101】
つづいて、第１保持部１１０に保持された第１基板Ｗ１と第２保持部１２０に保持された第２基板Ｗ２との水平方向の位置調節が行われる（ステップＳ１１１）。具体的には、第２基板Ｗ２の中心位置が、第１基板Ｗ１の中心位置と一致するように、第１移動部１３１および第２移動部１３２を用いて第２基板Ｗ２を移動させる。
【0102】
つづいて、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合する（ステップＳ１１２）。
【0103】
まず、第１保持部１１０に保持された第１基板Ｗ１と第２保持部１２０に保持された第２基板Ｗ２との鉛直方向位置の調節を行う。具体的には、第２移動部１３２が第２保持部１２０を鉛直上方に移動させることによって、第２基板Ｗ２を第１基板Ｗ１に接近させる。
【0104】
次に、複数の内側吸着部１１６による第１基板Ｗ１の吸着保持を解除した後、ストライカー１８０の押圧ピン１８１を下降させることによって、第１基板Ｗ１の中心部を押下する。
【0105】
第１基板Ｗ１の中心部が第２基板Ｗ２の中心部に接触し、第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部とがストライカー１８０によって所定の力で押圧されると、押圧された第１基板Ｗ１の中心部と第２基板Ｗ２の中心部との間で接合が開始される。すなわち、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊは改質されているため、まず、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ間にファンデルワールス力（分子間力）が生じ、当該接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ同士が接合される。さらに、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊは親水化されているため、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ間の親水基が水素結合し、接合面Ｗ１ｊ，Ｗ２ｊ同士が強固に接合される。このようにして、接合領域が形成される。
【0106】
その後、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間では、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の中心部から外周部に向けて接合領域が拡大していくボンディングウェーブが発生する。その後、複数の外側吸着部１１５による第１基板Ｗ１の吸着保持が解除される（ステップＳ１１４）。これにより、外側吸着部１１５によって吸着保持されていた第１基板Ｗ１の外周部が落下する。この結果、第１基板Ｗ１の接合面Ｗ１ｊと第２基板Ｗ２の接合面Ｗ２ｊが全面で当接し、重合基板Ｔが形成される。
【0107】
その後、押圧ピン１８１を第１保持部１１０まで上昇させ、第２保持部１２０による第２基板Ｗ２の吸着保持を解除する。そして、イオナイザ１６０は、重合基板Ｔが保持面１２５から剥離されて搬出される際に、第２保持部１２０を除電する（ステップＳ１１３）。その後、重合基板Ｔは、搬送装置６１によって接合装置４１から搬出される。こうして、一連の接合処理が終了する。
【0108】
なお、イオナイザ１６０は、常時オンとされてイオンを放出するが、これに限定されるものではない。すなわち、イオナイザ１６０は、たとえば第２保持部１２０が搬入出位置にあるときにオンされてイオンを放出する一方、第２保持部１２０が接合位置にあるときにオフされるなど、任意のタイミングでオン／オフの制御が行われてもよい。
【0109】
上述してきたように、第１実施形態に係る接合装置４１は、第１保持部１１０と、第２保持部１２０と、ストライカー１８０と、イオナイザ１６０とを備える。第１保持部１１０は、第１基板Ｗ１を上方から吸着保持する。第２保持部１２０は、第１保持部１１０よりも下方に配置され、第２基板Ｗ２を下方から吸着保持する。ストライカー１８０は、第１基板Ｗ１の中心部を押圧して第２基板Ｗ２に接触させる。イオナイザ１６０は、第２保持部１２０よりも上方に配置される。
【0110】
したがって、第１実施形態に係る接合装置４１によれば、第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を除電することが可能となり、基板同士の接合時に発生する接合不良を抑制することができる。
【0111】
また、接合装置４１は、移動部１３０を備える。移動部１３０は、第２基板Ｗ２の搬入、および、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが接合された重合基板Ｔの搬出が行われる搬入出位置と、第１保持部１１０と対向する対向位置との間で、第２保持部１２０を移動させる。また、イオナイザ１６０は、搬入出位置にある第２保持部１２０よりも上方に配置される。これにより、搬入出位置にある第２保持部１２０、および、第２保持部１２０に保持される第２基板Ｗ２を除電することができる。
【0112】
また、イオナイザ１６０は、第２保持部１２０に搬入されて保持される第２基板Ｗ２を除電する。また、イオナイザ１６０は、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とが接合された重合基板Ｔが保持面１２５から剥離される第２保持部１２０を除電する。詳しくは、イオナイザ１６０は、第２保持部１２０に搬入されて保持される第２基板Ｗ２を除電した後、重合基板Ｔが保持面１２５から剥離される第２保持部１２０を除電する。これにより、第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を効果的に除電することが可能となり、基板同士の接合時に発生する接合不良をより一層抑制することができる。
【0113】
また、接合装置４１は、少なくとも第２保持部１２０を収容する筐体１００を備える。イオナイザ１６０は、筐体１００の内部に配置され、イオンを放出するヘッド部１６２と、筐体１００の外部に配置され、ヘッド部１６２に接続される電源部１６１とを備える。これにより、イオナイザ１６０は、ヘッド部１６２からのイオンで筐体１００内の第２保持部１２０等を除電できる。また、イオナイザ１６０は、電源部１６１で発生した熱が、筐体１００の内部空間に対して影響を及ぼすことを低減させることができる。
【0114】
また、接合装置４１は、筐体１００の内部に対し、ガスを供給するガス供給部１４０を備える。イオナイザ１６０は、第２保持部１２０の中心位置Ｃに対して、ガスの流れの上流側に配置される。これにより、イオナイザ１６０は、放出したイオンを、ガスの流れにのって第２基板Ｗ２や第２保持部１２０の全体に亘って広範囲に到達させることが可能となり、第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を効率良く除電することができる。
【0115】
（第２実施形態）
上述した第１実施形態では、イオナイザ１６０を用いて、帯電した第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を除電する例について説明した。これに限らず、接合装置４１は、第２基板Ｗ２および第２保持部１２０の帯電を抑制しつつ除電するような構成であってもよい。図９は、第２実施形態に係る接合装置４１の第２保持部１２０の構成例を示す模式図である。なお、第２実施形態に係る接合装置４１は、イオナイザ１６０を備えていない。
上述した第１実施形態では、イオナイザ１６０を用いて、帯電した第２基板Ｗ２および第２保持部１２０を除電する例について説明した。これに限らず、接合装置４１は、第２基板Ｗ２および第２保持部１２０の帯電を抑制しつつ除電するような構成であってもよい。図９は、第２実施形態に係る接合装置４１の第２保持部１２０の構成例を示す模式図である。なお、第２実施形態に係る接合装置４１は、イオナイザ１６０を備えていない。
【0116】
図９に示すように、第２実施形態に係る第２保持部１２０は、接地されている。また、第２保持部１２０は、導電性の部材により形成される。導電性の部材としては、金属材（たとえばアルミニウム）や導電性を有するセラミックス（たとえば炭化ケイ素）などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【0117】
このように、第２実施形態に係る第２保持部１２０は、導電性の部材により形成されるとともに、接地されている。これにより、第２保持部１２０は、たとえば帯電した状態で第２基板Ｗ２が搬入されて保持する場合や、図示しない重合基板Ｔが剥離される場合であっても、静電気等を逃がすことができるため、帯電を抑制しつつ除電することが可能となる。
【0118】
従って、たとえば今回処理あるいは次回処理において、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを接合するときに、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間で、帯電量の差が比較的小さくなって放電の発生を抑制することができる。そのため、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２との間に形成されるボイドであって、放電に起因するボイドの発生を抑制することができ、結果として基板同士の接合時に発生する接合不良を抑制することができる。
【0119】
また、第２実施形態に係る第２保持部１２０の昇降部１７０は、接地されている。また、昇降部１７０は、導電性の部材により形成される。導電性の部材としては、金属材（たとえばアルミニウム）や導電性を有するセラミックス（たとえば炭化ケイ素）などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【0120】
このように、第２実施形態に係る昇降部１７０は、導電性の部材により形成されるとともに、接地されている。これにより、昇降部１７０は、たとえば帯電した状態で第２基板Ｗ２が搬入されて受け取る場合や、図示しない重合基板Ｔを持ち上げて剥離する場合であっても、静電気等を逃がすことができるため、帯電を抑制しつつ除電することが可能となる。これにより、上記と同様、基板同士の接合時に発生する接合不良を抑制することができる。
【0121】
＜接合システムの具体的動作＞
次に、第２実施形態に係る接合システム１の具体的な動作について図１０を参照して説明する。図１０は、第２実施形態に係る接合システム１が実行する処理の手順を示すフローチャートである。図１０に示す各種の処理は、制御装置７０による制御に基づいて実行される。
次に、第２実施形態に係る接合システム１の具体的な動作について図１０を参照して説明する。図１０は、第２実施形態に係る接合システム１が実行する処理の手順を示すフローチャートである。図１０に示す各種の処理は、制御装置７０による制御に基づいて実行される。
【0122】
図１０に示すように、第２実施形態に係る接合システム１が実行する処理では、第１実施形態におけるイオナイザ１６０を用いた処理が省略される。詳しくは、イオナイザ１６０で第２基板Ｗ２等を除電する処理（ステップＳ１０９）と、イオナイザ１６０で第２保持部１２０を除電する処理（ステップＳ１１３）とが省略される。
【0123】
ステップＳ１０９およびステップＳ１１３は省略されるが、第２基板Ｗ２および第２保持部１２０は、上記のように構成された第２保持部１２０および昇降部１７０によって帯電が抑制されつつ除電される。
【0124】
なお、上記した第１実施形態および第２実施形態は、適宜に組み合わせることができる。すなわち、例えば、第１実施形態と第２の実施形態とを組み合わせて、イオナイザ１６０を備える接合装置４１において、第２保持部１２０等が導電性の部材により形成されるとともに、接地される構成としてもよい。
【0125】
なお、本開示は以下のような構成もとることができる。
（１）
第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
前記第２保持部よりも上方に配置されるイオナイザと
を備える、接合装置。
（２）
前記第２基板の搬入、および、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板の搬出が行われる搬入出位置と、前記第１保持部と対向する対向位置との間で、前記第２保持部を移動させる移動部
を備え、
前記イオナイザは、
前記搬入出位置にある前記第２保持部よりも上方に配置される、
（１）に記載の接合装置。
（３）
前記イオナイザは、
前記第２保持部に搬入されて保持される前記第２基板を除電する、
（１）または（２）に記載の接合装置。
（４）
前記イオナイザは、
前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板が保持面から剥離される前記第２保持部を除電する、
（１）～（３）のいずれか一つに記載の接合装置。
（５）
前記イオナイザは、
前記第２保持部に搬入されて保持される前記第２基板を除電した後、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板が保持面から剥離される前記第２保持部を除電する、 （１）～（４）のいずれか一つに記載の接合装置。
（６）
少なくとも前記第２保持部を収容する筐体、
を備え、
前記イオナイザは、
前記筐体の内部に配置され、イオンを放出するヘッド部と、
前記筐体の外部に配置され、前記ヘッド部に接続される電源部と
を備える、（１）～（５）のいずれか一つに記載の接合装置。
（７）
少なくとも前記第２保持部を収容する筐体と、
前記筐体の内部に対し、ガスを供給するガス供給部と
を備え、
前記イオナイザは、
前記第２保持部の中心位置に対して、前記ガスの流れの上流側に配置される、
（１）～（６）のいずれか一つに記載の接合装置。
（８）
第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと
を備え、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合装置。
（９）
前記第２保持部は、
搬入された前記第２基板を保持面まで下降させる下降動作、および、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板を前記保持面から搬出位置まで上昇させる上昇動作を行う昇降部
を備え、
前記昇降部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
（８）に記載の接合装置。
（１０）
第１基板および第２基板の表面を改質する表面改質装置と、
改質された前記第１基板および前記第２基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
親水化された前記第１基板と前記第２基板とを分子間力により接合する接合装置と
を備え、
前記接合装置は、
前記第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、前記第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
前記第２保持部よりも上方に配置されるイオナイザと
を備える、接合システム。
（１１）
第１基板および第２基板の表面を改質する表面改質装置と、
改質された前記第１基板および前記第２基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
親水化された前記第１基板と前記第２基板とを分子間力により接合する接合装置と
を備え、
前記接合装置は、
前記第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、前記第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
を備え、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合システム。
（１２）
イオナイザを用いて、第１保持部よりも下方に配置された第２保持部を除電する工程と、
前記第１保持部を用いて、第１基板を上方から吸着保持する工程と、
前記イオナイザを用いて、前記第２保持部に搬入されて保持された第２基板を除電する工程と、
前記第２保持部を用いて、前記第２基板を下方から吸着保持する工程と、
ストライカーを用いて、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる工程と
を含む、接合方法。
（１３）
第１保持部を用いて、第１基板を上方から吸着保持する工程と、
第２保持部を用いて、第２基板を下方から吸着保持する工程と、
ストライカーを用いて、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる工程と
を含み、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合方法。
（１）
第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
前記第２保持部よりも上方に配置されるイオナイザと
を備える、接合装置。
（２）
前記第２基板の搬入、および、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板の搬出が行われる搬入出位置と、前記第１保持部と対向する対向位置との間で、前記第２保持部を移動させる移動部
を備え、
前記イオナイザは、
前記搬入出位置にある前記第２保持部よりも上方に配置される、
（１）に記載の接合装置。
（３）
前記イオナイザは、
前記第２保持部に搬入されて保持される前記第２基板を除電する、
（１）または（２）に記載の接合装置。
（４）
前記イオナイザは、
前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板が保持面から剥離される前記第２保持部を除電する、
（１）～（３）のいずれか一つに記載の接合装置。
（５）
前記イオナイザは、
前記第２保持部に搬入されて保持される前記第２基板を除電した後、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板が保持面から剥離される前記第２保持部を除電する、 （１）～（４）のいずれか一つに記載の接合装置。
（６）
少なくとも前記第２保持部を収容する筐体、
を備え、
前記イオナイザは、
前記筐体の内部に配置され、イオンを放出するヘッド部と、
前記筐体の外部に配置され、前記ヘッド部に接続される電源部と
を備える、（１）～（５）のいずれか一つに記載の接合装置。
（７）
少なくとも前記第２保持部を収容する筐体と、
前記筐体の内部に対し、ガスを供給するガス供給部と
を備え、
前記イオナイザは、
前記第２保持部の中心位置に対して、前記ガスの流れの上流側に配置される、
（１）～（６）のいずれか一つに記載の接合装置。
（８）
第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと
を備え、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合装置。
（９）
前記第２保持部は、
搬入された前記第２基板を保持面まで下降させる下降動作、および、前記第１基板と前記第２基板とが接合された重合基板を前記保持面から搬出位置まで上昇させる上昇動作を行う昇降部
を備え、
前記昇降部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
（８）に記載の接合装置。
（１０）
第１基板および第２基板の表面を改質する表面改質装置と、
改質された前記第１基板および前記第２基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
親水化された前記第１基板と前記第２基板とを分子間力により接合する接合装置と
を備え、
前記接合装置は、
前記第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、前記第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
前記第２保持部よりも上方に配置されるイオナイザと
を備える、接合システム。
（１１）
第１基板および第２基板の表面を改質する表面改質装置と、
改質された前記第１基板および前記第２基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
親水化された前記第１基板と前記第２基板とを分子間力により接合する接合装置と
を備え、
前記接合装置は、
前記第１基板を上方から吸着保持する第１保持部と、
前記第１保持部よりも下方に配置され、前記第２基板を下方から吸着保持する第２保持部と、
前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させるストライカーと、
を備え、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合システム。
（１２）
イオナイザを用いて、第１保持部よりも下方に配置された第２保持部を除電する工程と、
前記第１保持部を用いて、第１基板を上方から吸着保持する工程と、
前記イオナイザを用いて、前記第２保持部に搬入されて保持された第２基板を除電する工程と、
前記第２保持部を用いて、前記第２基板を下方から吸着保持する工程と、
ストライカーを用いて、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる工程と
を含む、接合方法。
（１３）
第１保持部を用いて、第１基板を上方から吸着保持する工程と、
第２保持部を用いて、第２基板を下方から吸着保持する工程と、
ストライカーを用いて、前記第１基板の中心部を押圧して前記第２基板に接触させる工程と
を含み、
前記第２保持部は、
導電性の部材により形成されるとともに、接地されている、
接合方法。
【0126】
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【0127】
１ 接合システム
３０ 表面改質装置
４０ 表面親水化装置
４１ 接合装置
７０ 制御装置
１００ 筐体
１１０ 第１保持部
１２０ 第２保持部
１３０ 移動部
１４０ ガス供給部
１６０ イオナイザ
１６１ 電源部
１６２ ヘッド部
１７０ 昇降部
１８０ ストライカー
Ｔ 重合基板
Ｗ１ 第１基板
Ｗ２ 第２基板
３０ 表面改質装置
４０ 表面親水化装置
４１ 接合装置
７０ 制御装置
１００ 筐体
１１０ 第１保持部
１２０ 第２保持部
１３０ 移動部
１４０ ガス供給部
１６０ イオナイザ
１６１ 電源部
１６２ ヘッド部
１７０ 昇降部
１８０ ストライカー
Ｔ 重合基板
Ｗ１ 第１基板
Ｗ２ 第２基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10】