特開 2024-127655 非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、及び非接触式通信システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024127655

(43)【公開日】2024-09-20

(54)【発明の名称】非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、及び非接触式通信システム

(51)【国際特許分類】

   H04B 5/48 20240101AFI20240912BHJP

   G11B 23/107 20060101ALI20240912BHJP

   G11B 23/30 20060101ALI20240912BHJP

【ＦＩ】

H04B5/02

G11B23/107

G11B23/30

【審査請求】未請求

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023036996

(22)【出願日】2023-03-09

(71)【出願人】

【識別番号】306037311

【氏名又は名称】富士フイルム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】西田 謙二

【テーマコード（参考）】

5K012

【Ｆターム（参考）】

5K012AB03

5K012AC08

5K012AC10

(57)【要約】

【課題】非接触式通信媒体を作動させる電力の安定化と、交流電圧の波形の歪みの抑制とを両立させることができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、及び非接触式通信システムを提供する。
【解決手段】非接触式通信媒体は、アンテナコイルによって誘起された誘導電流を用いて共振することで交流電圧を生成する共振回路と、制御回路と、を備える。共振回路は、アンテナコイルに対して並列に接続された可変コンデンサと、アンテナコイルに対して並列に接続された可変抵抗と、を有する。制御回路は、可変コンデンサの容量を調整することで共振回路を既定共振周波数で共振させ、かつ、可変抵抗の抵抗値を調整することでＱ値を調整する。非接触通信媒体は、交流電圧が整流化されて得られた直流電圧に基づく電力を用いて作動する。通信は、交流電圧の波形に対応する信号を用いた通信である。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

外部装置から与えられた磁界を介して前記外部装置と非接触で通信を行う非接触通信媒体であって、
前記磁界がアンテナコイルに作用することで前記アンテナコイルによって誘起された誘導電流を用いて共振することで交流電圧を生成する共振回路と、
制御回路と、を備え、
前記共振回路は、
前記アンテナコイルに対して並列に接続された可変コンデンサと、
前記アンテナコイルに対して並列に接続された可変抵抗器と、を有し、
前記制御回路は、前記可変コンデンサの容量を調整することで前記共振回路を既定共振周波数で共振させ、かつ、前記可変抵抗器の抵抗値を調整することでＱ値を調整し、
前記非接触通信媒体は、前記交流電圧が整流化されて得られた直流電圧に基づく電力を用いて作動し、
前記通信は、前記交流電圧の波形に対応する信号を用いた通信である
非接触式通信媒体。

【請求項2】

前記制御回路は、前記交流電圧の電圧値と前記直流電圧の電圧値との比較結果に応じて前記容量を調整することで前記共振回路を前記既定共振周波数で共振させ、かつ、前記比較結果に応じて前記抵抗値を調整することで前記Ｑ値を調整する
請求項１に記載の非接触式通信媒体。

【請求項3】

前記制御回路は、前記交流電圧の電圧値が前記直流電圧の電圧値よりも大きい場合に、前記抵抗値を高めることで前記Ｑ値を低くする
請求項１に記載の非接触式通信媒体。

【請求項4】

前記制御回路は、前記交流電圧の電圧値が前記直流電圧の電圧値よりも大きい場合に、前記容量を調整することで前記直流電圧を最大にする
請求項１に記載の非接触式通信媒体。

【請求項5】

前記交流電圧を整流化することで前記直流電圧を生成する整流回路と、
前記直流電圧に基づいて前記電力を生成するレギュレータと、
前記電力が供給されることで作動する処理回路と、を備える
請求項１に記載の非接触式通信媒体。

【請求項6】

前記電力が供給されることで作動する処理回路を備え、
前記信号は、前記外部装置から送信されたコマンド信号を含み、
前記処理回路は、前記コマンド信号に応じた処理を実行する
請求項１に記載の非接触式通信媒体。

【請求項7】

メモリを備え、
前記処理は、前記コマンド信号に応じて定められた第１情報を前記メモリに書き込む書込処理、及び／又は、前記コマンド信号に応じて定められた第２情報を前記メモリから読み出す読出処理を含む
請求項６に記載の非接触式通信媒体。

【請求項8】

前記既定共振周波数は、前記直流電圧を最大にする共振周波数である
請求項１に記載の非接触式通信媒体。

【請求項9】

前記非接触式通信媒体は、磁気テープカートリッジに搭載されている
請求項１に記載の非接触式通信媒体。

【請求項10】

請求項１から請求項９の何れか一項に記載の非接触式通信媒体と、
磁気テープと、を備える磁気テープカートリッジであって、
前記非接触通信媒体は、メモリを有し、
前記メモリには、前記磁気テープに関する情報が格納されている
磁気テープカートリッジ。

【請求項11】

請求項１から請求項９の何れか一項に記載の非接触式通信媒体と、磁気テープとを有する磁気テープカートリッジと、
前記磁気テープカートリッジが装填されており、前記磁気テープに対して記録処理及び／又は再生処理を行う磁気ヘッドと、を備える
磁気テープドライブ。

【請求項12】

請求項１から請求項９の何れか一項に記載の非接触式通信媒体と、
前記非接触式通信媒体と非接触で通信を行う通信装置と、を備える
非接触式通信システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の技術は、非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、及び非接触式通信システムに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、磁気記録テープカートリッジに備える磁気テープに記録されたデータの関連情報を、磁気記録テープカートリッジに備える非接触メモリＩＣタグに記録する技術が開示されている。

【0003】

特許文献２には、調整用コンデンサと共振用のコンデンサとが並列接続され、共振回路の中に含まれているＲＦＩＤタグが開示されている。

【0004】

特許文献３には、外部ノイズからの影響による通信信号のＳ／Ｎ比の悪化を回避するために、Ｑ値を制御する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００６－３２３９１８号公報

【特許文献2】特許第４４６６６７８号

【特許文献3】特開２０１１－０９７３８９号公報

【発明の概要】

【0006】

本開示の技術に係る一つの実施形態は、非接触式通信媒体を作動させる電力の安定化と、交流電圧の波形の歪みの抑制とを両立させることができる非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、及び非接触式通信システムを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本開示の技術に係る第１の態様は、外部装置から与えられた磁界を介して外部装置と非接触で通信を行う非接触通信媒体であって、磁界がアンテナコイルに作用することでアンテナコイルによって誘起された誘導電流を用いて共振することで交流電圧を生成する共振回路と、制御回路と、を備え、共振回路が、アンテナコイルに対して並列に接続された可変コンデンサと、アンテナコイルに対して並列に接続された可変抵抗器と、を有し、制御回路が、可変コンデンサの容量を調整することで共振回路を既定共振周波数で共振させ、かつ、可変抵抗器の抵抗値を調整することでＱ値を調整し、非接触通信媒体が、交流電圧が整流化されて得られた直流電圧に基づく電力を用いて作動し、通信が、交流電圧の波形に対応する信号を用いた通信である、非接触式通信媒体である。

【0008】

本開示の技術に係る第２の態様は、制御回路が、交流電圧の電圧値と直流電圧の電圧値との比較結果に応じて容量を調整することで共振回路を既定共振周波数で共振させ、かつ、比較結果に応じて抵抗値を調整することでＱ値を調整する、第１の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0009】

本開示の技術に係る第３の態様は、制御回路が、交流電圧の電圧値が直流電圧の電圧値よりも大きい場合に、抵抗値を高めることでＱ値を低くする、第１の態様又は第２の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0010】

本開示の技術に係る第４の態様は、制御回路が、交流電圧の電圧値が直流電圧の電圧値よりも大きい場合に、容量を調整することで直流電圧を最大にする、第１の態様から第３の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

【0011】

本開示の技術に係る第５の態様は、交流電圧を整流化することで直流電圧を生成する整流回路と、直流電圧に基づいて電力を生成するレギュレータと、電力が供給されることで作動する処理回路と、を備える、第１の態様から第４の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

【0012】

本開示の技術に係る第６の態様は、電力が供給されることで作動する処理回路を備え、信号が、外部装置から送信されたコマンド信号を含み、処理回路が、コマンド信号に応じた処理を実行する、第１の態様から第５の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

【0013】

本開示の技術に係る第７の態様は、メモリを備え、処理が、コマンド信号に応じて定められた第１情報をメモリに書き込む書込処理、及び／又は、コマンド信号に応じて定められた第２情報をメモリから読み出す読出処理を含む、第６の態様に係る非接触式通信媒体である。

【0014】

本開示の技術に係る第８の態様は、既定共振周波数が、直流電圧を最大にする共振周波数である、第１の態様から第６の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

【0015】

本開示の技術に係る第９の態様は、非接触式通信媒体が、磁気テープカートリッジに搭載されている、第１の態様から第８の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体である。

【0016】

本開示の技術に係る第１０の態様は、第１の態様から第９の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体と、磁気テープと、を備える磁気テープカートリッジであって、非接触通信媒体が、メモリを有し、メモリには、磁気テープに関する情報が格納されている、磁気テープカートリッジである。

【0017】

本開示の技術に係る第１１の態様は、第１の態様から第９の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体と、磁気テープとを有する磁気テープカートリッジと、磁気テープカートリッジが装填されており、磁気テープに対して記録処理及び／又は再生処理を行う磁気ヘッドと、を備える、磁気テープドライブである。

【0018】

本開示の技術に係る第１２の態様は、第１の態様から第９の態様の何れか１つの態様に係る非接触式通信媒体と、非接触式通信媒体と非接触で通信を行う通信装置と、を備える非接触式通信システムである。

【図面の簡単な説明】

【0019】

【図1】磁気テープシステムの構成の一例を示す概念図である。

【図2】磁気テープカートリッジの外観の一例を示す概略斜視図である。

【図3】磁気テープドライブのハードウェア構成の一例を示す概略構成図である。

【図4】磁気テープカートリッジの下側からリーダライタによって磁界が放出されている態様の一例を示す概略斜視図である。

【図5】磁気テープカートリッジに搭載されているカートリッジメモリの電気系のハードウェア構成の一例を示す概念図である。

【図6】カートリッジメモリに含まれる各種回路の構成例、及び歪みのない波形を有する信号の波形例を示す概念図である。

【図7】歪みのある波形を有する信号の波形例を示す概念図である。

【図8】図５に示すカートリッジメモリの電気系の詳細なハードウェア構成の一例を示す概念図である。

【図9】電力最大化処理の流れの一例を示すフローチャートである。

【図10】歪み抑制処理の流れの一例を示すフローチャートである。

【図11】電力補充処理の流れの一例を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0020】

以下、添付図面に従って本開示の技術に係る非接触式通信媒体、磁気テープカートリッジ、磁気テープドライブ、及び非接触式通信システムの実施形態の一例について説明する。

【0021】

先ず、以下の説明で使用される文言について説明する。

【0022】

ＣＰＵとは、“Central Processing Unit”の略称を指す。ＲＡＭとは、“Random Access Memory”の略称を指す。ＤＲＡＭとは、“Dynamic Random Access Memory”の略称を指す。ＮＶＭとは、“Non-Volatile Memory”の略称を指す。ＥＥＰＲＯＭとは、“Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory”の略称を指す。ＳＳＤとは、“Solid State Drive”の略称を指す。ＨＤＤとは、“Hard Disk Drive”の略称を指す。ＡＳＩＣとは、“Application Specific Integrated Circuit”の略称を指す。ＰＬＤとは、“Programmable Logic Device”の略称を指す。ＦＰＧＡとは、“Field-Programmable Gate Array”の略称を指す。ＳｏＣとは、“System-on-a-Chip”の略称を指す。ＩＣとは、“Integrated Circuit”の略称を指す。ＲＦＩＤとは、“Radio Frequency Identifier”の略称を指す。ＵＩとは、“User Interface”の略称を指す。

【0023】

一例として図１に示すように、磁気テープシステム１０は、磁気テープカートリッジ１２及び磁気テープドライブ１４を備えている。磁気テープドライブ１４には、磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープカートリッジ１２は、磁気テープＭＴを収容している。磁気テープドライブ１４は、装填された磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴを走行させながら、磁気テープＭＴに対してデータを記録したり、磁気テープＭＴからデータを読み取ったりする。

【0024】

本実施形態において、磁気テープドライブ１４は、本開示の技術に係る「磁気テープドライブ」及び「非接触式通信システム」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープＭＴは、本開示の技術に係る「磁気テープ」の一例である。また、本実施形態において、磁気テープカートリッジ１２は、本開示の技術に係る「磁気テープカートリッジ」の一例である。

【0025】

次に、図２～図４を参照しながら、磁気テープカートリッジ１２の構成の一例について説明する。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の磁気テープドライブ１４への装填方向を矢印Ａで示し、矢印Ａ方向を磁気テープカートリッジ１２の前方向とし、磁気テープカートリッジ１２の前方向の側を磁気テープカートリッジ１２の前側とする。以下に示す構造の説明において、「前」とは、磁気テープカートリッジ１２の前側を指す。

【0026】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向と直交する矢印Ｂ方向を右方向とし、磁気テープカートリッジ１２の右方向の側を磁気テープカートリッジ１２の右側とする。以下に示す構造の説明において、「右」とは、磁気テープカートリッジ１２の右側を指す。

【0027】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ｂ方向と逆の方向を左方向とし、磁気テープカートリッジ１２の左方向の側を磁気テープカートリッジ１２の左側とする。以下に示す構造の説明において、「左」とは、磁気テープカートリッジ１２の左側を指す。

【0028】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、矢印Ａ方向及び矢印Ｂ方向と直交する方向を矢印Ｃで示し、矢印Ｃ方向を磁気テープカートリッジ１２の上方向とし、磁気テープカートリッジ１２の上方向の側を磁気テープカートリッジ１２の上側とする。以下に示す構造の説明において、「上」とは、磁気テープカートリッジ１２の上側を指す。

【0029】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の前方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の後方向とし、磁気テープカートリッジ１２の後方向の側を磁気テープカートリッジ１２の後側とする。以下に示す構造の説明において、「後」とは、磁気テープカートリッジ１２の後側を指す。

【0030】

また、以下の説明では、説明の便宜上、図２～図４において、磁気テープカートリッジ１２の上方向と逆の方向を磁気テープカートリッジ１２の下方向とし、磁気テープカートリッジ１２の下方向の側を磁気テープカートリッジ１２の下側とする。以下に示す構造の説明において、「下」とは、磁気テープカートリッジ１２の下側を指す。

【0031】

一例として図２に示すように、磁気テープカートリッジ１２は、平面視略矩形であり、かつ、箱状のケース１６を備えている。ケース１６には、磁気テープＭＴが収容されている。

【0032】

ケース１６の内部には、送出リール２２が回転可能に収容されている。送出リール２２には、磁気テープＭＴが巻き回されている。ケース１６の右壁１６Ａの前側には、開口１６Ａ１が形成されている。磁気テープＭＴは、開口１６Ａ１から引き出される。

【0033】

ケース１６には、磁気テープＭＴ以外の格納媒体として、カートリッジメモリ２４が収容されている。カートリッジメモリ２４には、ＮＶＭを有するＩＣチップが搭載されている。本実施形態では、いわゆるパッシブ型のＲＦＩＤタグがカートリッジメモリ２４として採用されており、カートリッジメモリ２４に対しては非接触で各種情報の読み書き（すなわち、各種情報の取得と格納）が行われる。

【0034】

カートリッジメモリ２４には、磁気テープカートリッジ１２を管理する管理情報１５が格納されている。管理情報１５には、例えば、カートリッジメモリ２４に関する情報、磁気テープＭＴに関する情報、及び磁気テープドライブ１４に関する情報等が含まれている。本実施形態において、カートリッジメモリ２４は、本開示の技術に係る「非接触式通信媒体」の一例である。また、本実施形態において、管理情報１５は、本開示の技術に係る「第１情報」、「第２情報」、及び「磁気テープに関する情報」の一例である。

【0035】

一例として図３に示すように、磁気テープドライブ１４は、コントローラ２５、搬送装置２６、磁気ヘッド２８、及びＵＩ系装置２９を備えている。コントローラ２５は、処理装置３０及びストレージ３２を備えている。

【0036】

磁気テープドライブ１４には、矢印Ａ方向に沿って磁気テープカートリッジ１２が装填される。磁気テープドライブ１４では、磁気テープＭＴが磁気テープカートリッジ１２から引き出されて用いられる。磁気テープドライブ１４は、カートリッジメモリ２４に格納されている管理情報１５等を用いて磁気テープカートリッジ１２及び磁気テープドライブ１４内の各部を制御する。

【0037】

磁気テープドライブ１４は、磁気テープＭＴを走行させた状態で磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いて磁気的処理を行う。表面３１は、データが記録される記録面である。磁気的処理とは、磁気ヘッド２８が磁気テープＭＴの表面３１に対してデータの記録を行う記録処理、及び磁気ヘッド２８が磁気テープＭＴの表面３１からデータの再生を行う再生処理を指す。磁気テープドライブ１４は、磁気ヘッド２８を用いて記録処理と再生処理とを選択的に行う。すなわち、磁気テープドライブ１４は、磁気テープカートリッジ１２から磁気テープＭＴを引き出し、引き出した磁気テープＭＴの表面３１に対して磁気ヘッド２８を用いてデータの記録を行ったり、引き出した磁気テープＭＴの表面３１から磁気ヘッド２８を用いてデータの再生を行ったりする。

【0038】

処理装置３０は、磁気テープドライブ１４の全体を制御する。本実施形態において、処理装置３０は、ＡＳＩＣによって実現されているが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、処理装置３０は、ＦＰＧＡ及び／又はＰＬＤによって実現されるようにしてもよい。また、処理装置３０は、ＣＰＵ、フラッシュメモリ（例えば、ＥＥＰＲＯＭ、及び／又は、ＳＳＤ等）、及びＲＡＭを含むコンピュータによって実現されるようにしてもよい。また、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＰＬＤ、及びコンピュータのうちの２つ以上を組み合わせて実現されるようにしてもよい。すなわち、処理装置３０は、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現されるようにしてもよい。

【0039】

ストレージ３２は、処理装置３０に接続されており、処理装置３０は、ストレージ３２に対する各種情報の書き込み、及びストレージ３２からの各種情報の読み出しを行う。ストレージ３２の一例としては、フラッシュメモリ及び／又はＨＤＤが挙げられる。フラッシュメモリ及びＨＤＤは、あくまでも一例に過ぎず、磁気テープドライブ１４に搭載可能な不揮発性メモリであれば如何なるメモリであってもよい。

【0040】

ＵＩ系装置２９は、ユーザからの指示を示す指示信号を受け付ける受付機能と、ユーザに対して情報を提示する提示機能とを有する装置である。受付機能は、例えば、タッチパネル、ハードキー（例えば、キーボード）、及び／又はマウス等によって実現される。提示機能は、例えば、ディスプレイ、プリンタ、及び／又はスピーカ等によって実現される。ＵＩ系装置２９は、処理装置３０に接続されている。処理装置３０は、ＵＩ系装置２９によって受け付けられた指示信号を取得する。ＵＩ系装置２９は、処理装置３０の制御下で、ユーザに対して各種情報を提示する。

【0041】

搬送装置２６は、磁気テープＭＴを既定経路に沿って順方向及び逆方向に選択的に搬送する装置であり、送出モータ３６、巻取リール３８、巻取モータ４０、及び複数のガイドローラＧＲを備えている。なお、ここで、順方向とは、磁気テープＭＴの送り出し方向を指し、逆方向とは、磁気テープＭＴの巻き戻し方向を指す。

【0042】

送出モータ３６は、処理装置３０の制御下で、磁気テープカートリッジ１２内の送出リール２２を回転させる。処理装置３０は、送出モータ３６を制御することで、送出リール２２の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

【0043】

巻取モータ４０は、処理装置３０の制御下で、巻取リール３８を回転させる。処理装置３０は、巻取モータ４０を制御することで、巻取リール３８の回転方向、回転速度、及び回転トルク等を制御する。

【0044】

磁気テープＭＴが巻取リール３８によって巻き取られる場合には、処理装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って順方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。送出モータ３６及び巻取モータ４０の回転速度及び回転トルク等は、巻取リール３８に対して磁気テープＭＴを巻き取らせる速度に応じて調整される。また、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が処理装置３０によって調整されることで、磁気テープＭＴに対して張力が付与される。また、磁気テープＭＴに付与される張力は、送出モータ３６及び巻取モータ４０の各々の回転速度及び回転トルク等が処理装置３０によって調整されることによって制御される。

【0045】

磁気テープＭＴを送出リール２２に巻き戻す場合には、処理装置３０は、磁気テープＭＴが既定経路に沿って逆方向に走行するように送出モータ３６及び巻取モータ４０を回転させる。

【0046】

複数のガイドローラＧＲの各々は、磁気テープＭＴを案内するローラである。既定経路、すなわち、磁気テープＭＴの走行経路は、複数のガイドローラＧＲが磁気テープカートリッジ１２と巻取リール３８との間において磁気ヘッド２８を跨ぐ位置に分けて配置されることによって定められている。

【0047】

磁気ヘッド２８は、磁気素子ユニット４２及びホルダ４４を備えている。磁気素子ユニット４２は、走行中の磁気テープＭＴに接触するようにホルダ４４によって保持されている。磁気素子ユニット４２は、複数の磁気素子を有する。

【0048】

磁気素子ユニット４２は、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴにデータを記録したり、搬送装置２６によって搬送される磁気テープＭＴからデータを再生したりする。

【0049】

磁気テープドライブ１４は、リーダライタ４６を備えている。リーダライタ４６は、磁気テープカートリッジ１２が装填された状態の磁気テープカートリッジ１２の下側にてカートリッジメモリ２４の裏面に正対するように配置されており、カートリッジメモリ２４と非接触で通信（例えば、カートリッジメモリ２４に対する情報の読み書き）を行う。本実施形態において、リーダライタ４６は、本開示の技術に係る「外部装置」及び「通信装置」の一例である。

【0050】

一例として図４に示すように、リーダライタ４６は、処理装置３０に接続されている。処理装置３０は、コマンド信号４８をリーダライタ４６に出力する。コマンド信号４８は、カートリッジメモリ２４に対する指令を示す信号である。リーダライタ４６は、処理装置３０から入力されたコマンド信号４８に従って磁界ＭＦを生成し、磁気テープカートリッジ１２の下側からカートリッジメモリ２４に向けて磁界ＭＦを放出する。リーダライタ４６から放出された磁界ＭＦは、カートリッジメモリ２４を貫通する。本実施形態において、磁界ＭＦは、本開示の技術に係る「磁界」の一例である。

【0051】

リーダライタ４６は、処理装置３０の制御下で、コマンド信号４８をカートリッジメモリ２４に空間伝送する。コマンド信号がリーダライタ４６からカートリッジメモリ２４に空間伝送される場合、磁界ＭＦには、処理装置３０からの指示に従ってリーダライタ４６によってコマンド信号４８が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには、コマンド信号４８が重畳される。すなわち、リーダライタ４６は、処理装置３０の制御下で、磁界ＭＦを介してコマンド信号４８をカートリッジメモリ２４に送信する。

【0052】

リーダライタ４６は、磁界ＭＦを介してカートリッジメモリ２４と非接触で通信を行うことにより、カートリッジメモリ２４に対して、コマンド信号４８に応じた処理を行わせる。例えば、リーダライタ４６は、カートリッジメモリ２４に対してコマンド信号４８を送信することで、カートリッジメモリ２４に書込処理及び／又は読出処理等を含む処理を行わせる。書込処理とは、例えば、管理情報１５（図２参照）のうちのコマンド信号４８に応じて定められた情報をカートリッジメモリ２４内の格納領域に書き込む処理を指す。読出処理とは、例えば、カートリッジメモリ２４内の格納領域に格納されている管理情報１５のうちのコマンド信号４８に応じて定められた情報を格納領域から読み出す処理を指す。

【0053】

処理装置３０は、リーダライタ４６を介して、カートリッジメモリ２４と非接触で通信を行うことにより、カートリッジメモリ２４に対して管理情報１５を書き込んだり、カートリッジメモリ２４から管理情報１５を読み出したりする。

【0054】

一例として図５に示すように、カートリッジメモリ２４は、電力生成器５０、信号処理回路５２、及びコンピュータ５４を備えている。電力生成器５０は、共振回路５０Ａ、整流回路５０Ｂ、及びレギュレータ５０Ｃを有する。共振回路５０Ａは、アンテナコイル５０Ａ１及び可変コンデンサ５０Ａ２を有する。可変コンデンサ５０Ａ２は、アンテナコイル５０Ａ１に対して並列に接続されている。図５に示す例では、単一の可変コンデンサ５０Ａ２がアンテナコイル５０Ａ１に対して並列に接続されている。また、アンテナコイル５０Ａ１及び可変コンデンサ５０Ａ２は、信号処理回路５２に対して並列に接続されており、整流回路５０Ｂに対しても並列に接続されている。

【0055】

本実施形態において、共振回路５０Ａは、本開示の技術に係る「共振回路」の一例である。また、本実施形態において、アンテナコイル５０Ａ１は、本開示の技術に係る「アンテナコイル」の一例である。また、本実施形態において、可変コンデンサ５０Ａ２は、本開示の技術に係る「可変コンデンサ」の一例である。

【0056】

電力生成器５０は、リーダライタ４６（図３及び図４参照）から与えられた磁界ＭＦがアンテナコイル５０Ａ１に対して作用することで電力６０を生成する。電力６０は、カートリッジメモリ２４の作動用の電力である。

【0057】

電力６０の生成を実現するために、共振回路５０Ａは、磁界ＭＦがアンテナコイル５０Ａ１に作用することでアンテナコイル５０Ａ１によって誘起された誘導電流を用いて共振する（すなわち、共振現象を発生させる）ことで交流電圧５６を生成する。共振回路５０Ａは、交流電圧５６を整流回路５０Ｂに出力する。

【0058】

整流回路５０Ｂは、共振回路５０Ａから入力された交流電圧５６を整流化することにより直流電圧５８を生成する。整流回路５０Ｂは、レギュレータ５０Ｃに接続されており、直流電圧５８をレギュレータ５０Ｃに出力する。

【0059】

レギュレータ５０Ｃは、カートリッジメモリ２４に含まれる各種回路（図５に示す例では、信号処理回路５２及びコンピュータ５４等）に接続されている。レギュレータ５０Ｃは、整流回路５０Ｂから入力された直流電圧５８に基づく電力６０（例えば、直流電圧５８を事前に定められた電圧値に定電圧化することで得た直流電力）を生成して、カートリッジメモリ２４に含まれる各種回路に供給することで、カートリッジメモリ２４に含まれる各種回路を作動させる。

【0060】

信号処理回路５２は、共振回路５０Ａに接続されている。信号処理回路５２は、復号回路（図示省略）及び符号化回路（図示省略）を有する。信号処理回路５２の復号回路は、アンテナコイル５０Ａ１によって受信された磁界ＭＦからコマンド信号４８を抽出して復号し、コンピュータ５４に出力する。コンピュータ５４は、コマンド信号４８に対する応答信号６１を信号処理回路５２に出力する。すなわち、コンピュータ５４は、信号処理回路５２から入力されたコマンド信号４８に応じた処理を実行し、処理結果を示す応答信号６１を信号処理回路５２に出力する。信号処理回路５２では、コンピュータ５４から応答信号６１が入力されると、信号処理回路５２の符号化回路は、応答信号６１を符号化することで変調して共振回路５０Ａに出力する。共振回路５０Ａは、信号処理回路５２の符号化回路から入力された応答信号６１を、磁界ＭＦを介してリーダライタ４６に送信する。すなわち、カートリッジメモリ２４からリーダライタ４６に応答信号６１が送信される場合、磁界ＭＦには、応答信号６１が含まれる。換言すると、磁界ＭＦには応答信号６１が重畳される。

【0061】

信号処理回路５２は、コンピュータ５４との間で通信信号６２の授受を行う。本実施形態において、通信信号６２の概念には、コマンド信号４８が信号処理回路５２によって復号されて得られた信号、及び、応答信号６１が含まれる。本実施形態において、コマンド信号４８は、本開示の技術に係る「コマンド信号」の一例である。

【0062】

コンピュータ５４は、カートリッジメモリ２４の全体を制御する。一例として図６に示すように、コンピュータ５４は、プロセッサ５４Ａ、ＮＶＭ５４Ｂ、及びＲＡＭ５４Ｃを備えている。プロセッサ５４Ａは、例えば、ＣＰＵである。ＮＶＭ５４Ｂは、例えば、ＥＥＰＲＯＭ及び／又は強誘電体メモリ等の不揮発性メモリである。ＲＡＭ５４Ｃは、ＤＲＡＭ等の揮発性メモリである。プロセッサ５４Ａ、ＮＶＭ５４Ｂ、及びＲＡＭ５４Ｃは、バス６４に接続されている。また、バス６４には、信号処理回路５２が接続されており、プロセッサ５４Ａと信号処理回路５２との間で通信信号６２の授受が行われる。本実施形態において、プロセッサ５４Ａは、本開示の技術に係る「処理回路」の一例である。また、本実施形態において、ＮＶＭ５４Ｂは、本開示の技術に係る「メモリ」の一例である。

【0063】

プロセッサ５４Ａは、コマンド信号４８に応じた処理として、書込処理及び読出処理をＮＶＭ５４Ｂに対して選択的に実行する。すなわち、プロセッサ５４Ａによって書込処理が行われることにより、コマンド信号４８に応じて定められた情報がＮＶＭ５４Ｂに書き込まれ、プロセッサ５４Ａによって読出処理が行われることにより、ＮＶＭ５４Ｂに格納されている情報のうちのコマンド信号４８に応じて定められた情報がＮＶＭ５４Ｂから読み出される。図６に示す例では、ＮＶＭ５４Ｂに管理情報１５が格納されている態様例が示されており、プロセッサ５４Ａは、コマンド信号４８に応じて、ＮＶＭ５４Ｂに管理情報１５を書き込んだり、ＮＶＭ５４Ｂから管理情報１５を読み出したりする。

【0064】

コマンド信号４８は、波形信号であり、リーダライタ４６によって磁界ＭＦを介してカートリッジメモリ２４に送信される。共振回路５０Ａは、リーダライタ４６から送信されたコマンド信号４８を受信すると共振し、交流電圧５６の波形に対応する信号６８を生成する。共振回路５０Ａによって生成された信号６８は、信号処理回路５２によって復号されて通信信号６２としてプロセッサ５４Ａに出力される。プロセッサ５４Ａは、信号処理回路５２から入力された通信信号６２に応じた処理を実行する。また、プロセッサ５４Ａは、処理結果を通信信号６２（すなわち、応答信号６１（図５参照）として信号処理回路５２に出力する。信号処理回路５２は、プロセッサ５４Ａから入力された通信信号６２を符号化し、共振回路５０Ａは、信号処理回路５２によって通信信号６２が符号化されて得られた信号に対応する波形の信号６８を、磁界ＭＦを介してリーダライタ４６に送信する。このように、カートリッジメモリ２４とリーダライタ４６との間で行われる非接触の通信は、信号６８が用いられることによって実現される。本実施形態において、信号６８は、本開示の技術に係る「信号」の一例である。

【0065】

ところで、カートリッジメモリ２４とリーダライタ４６との間で非接触の通信を安定化させるためには、信号６８の波形が通信方式（例えば、ＩＳＯ１４４４３若しくはＩＳＯ１８０９２等の公知の規格に準じる方式、又は、ＥＣＭＡ３１９のＬＴＯ仕様に準じる方式）に準じた歪みのない波形であることが望ましい。信号６８の波形が歪みのない波形であれば、プロセッサ５４Ａは、コマンド信号４８の内容を正確に特定することができ、リーダライタ４６は、応答信号６１の内容を正確に特定することができる。

【0066】

しかし、一例として図７に示すように、コマンド信号４８が外部ノイズ等の影響により信号対雑音比が悪化すると、コマンド信号４８の波形が歪み、これに伴って、信号６８の波形がオーバーシュートしてしまったりアンダーシュートしてしまったりするので、信号６８の波形が歪んでしまう。そうすると、プロセッサ５４Ａに対してコマンド信号４８の内容を正確に伝達することが困難になる。また、信号６８に対して外部ノイズ等が直接影響した場合であっても、信号６８の波形は歪んでしまうため、カートリッジメモリ２４とリーダライタ４６との間で通信不良が生じる。すなわち、プロセッサ５４Ａに対してコマンド信号４８の内容を正確に伝達したり、リーダライタ４６に対して応答信号６１の内容を正確に伝達したりすることが困難になる。

【0067】

一方、図７に示すように、信号６８の波形が著しく減衰する期間が生じると、カートリッジメモリ２４に対して安定した電力供給が困難になる。供給電力を高める方法としては、アンテナコイル５０Ａ１単体のＱ値（Quality Factor）を高めに設定する方法がある。Ｑ値とは、共振周波数における信号の鋭さを示す指標を指す。アンテナコイル５０Ａ１単体のＱ値を高めに設定すると、アンテナコイル５０Ａ１によって受信される磁界ＭＦの強度を高くすることができる（すなわち、磁界ＭＦの供給を増やすことができる）ので、大きな電力を供給することができる。しかし、信号６８の波形の歪みが生じるので、カートリッジメモリ２４とリーダライタ４６との間で通信不良が生じる。

【0068】

そのため、現在、信号６８の波形の歪みの解消と、カートリッジメモリ２４に対する安定した電力供給との両立を図ることが望まれている。

【0069】

そこで、このような事情に鑑み、本実施形態では、一例として図８に示すように、カートリッジメモリ２４は、可変抵抗器５０Ａ３、監視回路７０、及び制御回路７２を備えている。可変抵抗器５０Ａ３は、共振回路５０Ａに組み込まれており、アンテナコイル５０Ａ１に対して並列に接続されている。本実施形態において、可変抵抗器５０Ａ３は、本開示の技術に係る「可変抵抗器」の一例である。また、本実施形態において、制御回路７２は、本開示の技術に係る「制御回路」の一例である。

【0070】

監視回路７０及び制御回路７２には、レギュレータ５０Ｃの出力端が接続されており、監視回路７０及び制御回路７２は、レギュレータ５０Ｃから供給される電力６０を用いて作動する。

【0071】

監視回路７０には、整流回路５０Ｂの出力端が接続されており、整流回路５０Ｂから直流電圧５８が入力される。また、監視回路７０には、共振回路５０Ａが接続されており、共振回路５０Ａから交流電圧５６が入力される。

【0072】

監視回路７０は、共振回路５０Ａで生成される交流電圧５６（すなわち、交流電圧５６の波形そのもの）と整流回路５０Ｂから出力される直流電圧５８とを監視する。例えば、監視回路７０は、交流電圧５６の電圧値と直流電圧５８の電圧値（例えば、直流電圧５８の瞬間的な電圧値、又は、一定期間内の電圧値の統計値（例えば、平均値、中央値、最頻値、又は最大値等）とを比較し、比較結果７４（例えば、交流電圧５６の電圧値と直流電圧５８の電圧値との大小関係を示す信号）を制御回路７２に出力する。

【0073】

制御回路７２は、可変コンデンサ５０Ａ２の容量を調整することで共振回路５０Ａを既定共振周波数で共振させ、かつ、可変抵抗器５０Ａ３の抵抗値を調整することでＱ値を調整する。既定共振周波数とは、例えば、直流電圧５８を最大にする共振周波数を指す。直流電圧５８を最大にする共振周波数の一例としては、磁界ＭＦの周波数に相当する周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）が挙げられる。

【0074】

制御回路７２には、監視回路７０から比較結果７４が入力される。制御回路７２は、監視回路７０から入力された比較結果７４に基づいて、可変コンデンサ５０Ａ２の容量を調整し、かつ、監視回路７０から入力された比較結果７４に基づいて、可変抵抗器５０Ａ３の抵抗値を調整することでＱ値を調整する。

【0075】

より詳しく説明すると、制御回路７２は、比較結果７４を参照して、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きい場合に、可変抵抗器５０Ａ３の抵抗値を高めることでＱ値を低くする。また、制御回路７２は、比較結果７４を参照して、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きい場合に、可変コンデンサ５０Ａ２の容量を調整することで直流電圧５８を最大にする。例えば、制御回路７２は、可変コンデンサ５０Ａ２の容量を大きくすると、やがて直流電圧５８の電圧値が最大値となり、可変コンデンサ５０Ａ２の容量を更に大きくすると、直流電圧５８の電圧値が最大値から降下する。このようにして、制御回路７２は、可変コンデンサ５０Ａ２の容量を変化させることにより直流電圧５８の電圧値の最大値を探り当てる。

【0076】

次に、磁気テープシステム１０の本開示の技術に係る部分の作用について、図９及び図１０を参照して説明する。

【0077】

図９には、リーダライタ４６から放出された磁界ＭＦがカートリッジメモリ２４のアンテナコイル５０Ａ１に作用することによって共振回路５０Ａが共振した場合にカートリッジメモリ２４によって行われる電力最大化処理の流れの一例を示すフローチャートが示されている。図１０には、リーダライタ４６から放出された磁界ＭＦがカートリッジメモリ２４のアンテナコイル５０Ａ１に作用することによって共振回路５０Ａが共振した場合にカートリッジメモリ２４によって行われる歪み抑制処理の流れの一例を示すフローチャートが示されている。

【0078】

先ず、電力最大化処理について図９を参照して説明する。

【0079】

図９に示す電力最大化処理では、先ず、ステップＳＴ１０で、共振回路５０Ａが、磁界ＭＦに応じた交流電圧５６の生成を開始する。ステップＳＴ１０の処理が実行された後、電力最大化処理は、ステップＳＴ１２へ移行する。

【0080】

ステップＳＴ１２で、整流回路５０Ｂは、ステップＳＴ１０で生成された交流電圧５６を整流化することにより直流電圧５８の生成を開始する。ステップＳＴ１２の処理が実行された後、電力最大化処理は、ステップＳＴ１４へ移行する。

【0081】

ステップＳＴ１４で、レギュレータ５０Ｃは、ステップＳＴ１２で生成された直流電圧５８を定電圧化することで電力６０の生成を開始する。そして、レギュレータ５０Ｃは、カートリッジメモリ２４に含まれる各種回路に対して電力６０の供給を開始する。ステップＳＴ１４の処理が実行された後、電力最大化処理は、ステップＳＴ１６へ移行する。

【0082】

ステップＳＴ１６で、監視回路７０は、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きいか否かを判定する。ステップＳＴ１６において、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きい場合は、判定が肯定されて、電力最大化処理はステップＳＴ１８へ移行する。ステップＳＴ１６において、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値以下の場合は、判定が否定されて、電力最大化処理はステップＳＴ２２へ移行する。

【0083】

ステップＳＴ１８で、制御回路７２は、比較結果７４（図８参照）を参照して、可変コンデンサ５０Ａ２の容量を調整する。ステップＳＴ１８の処理が実行された後、電力最大化処理はステップＳＴ２０へ移行する。

【0084】

ステップＳＴ２０で、監視回路７０は、直流電圧５８の電圧値が最大になったか否かを判定する。ステップＳＴ２０において、直流電圧５８の電圧値が最大になった場合は、判定が肯定されて、電力最大化処理はステップＳＴ２２へ移行する。ステップＳＴ２０において、直流電圧５８の電圧値が最大になっていない場合は、判定が否定されて、電力最大化処理はステップＳＴ１６へ移行する。

【0085】

ステップＳＴ２２で、監視回路７０は、電力最大化処理が終了する条件を満足したか否かを判定する。電力最大化処理が終了する条件の一例としては、交流電圧５６の電圧値又は直流電圧５８の電圧値が“ゼロ”である時間が一定時間以上継続しているという条件、又は、電力最大化処理を終了させる指令がリーダライタ４６からコマンド信号４８として与えられたという条件が挙げられる。

【0086】

ステップＳＴ２２において、電力最大化処理が終了する条件を満足していない場合は、判定が否定されて、電力最大化処理はステップＳＴ１６へ移行する。ステップＳＴ２２において、電力最大化処理が終了する条件を満足した場合は、判定が肯定されて、電力最大化処理が終了する。

【0087】

次に、歪み抑制処理について図１０を参照して説明する。

【0088】

図１０に示す歪み抑制処理では、ステップＳＴ５０～ステップＳＴ５４で、上述したステップＳＴ１０～ステップＳＴ１４と同様の処理が行われる。

【0089】

ステップＳＴ５８で、監視回路７０は、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きいか否かを判定する。ステップＳＴ５８において、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きい場合は、判定が肯定されて、歪み抑制処理はステップＳＴ６０へ移行する。ステップＳＴ５８において、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値以下の場合は、判定が否定されて、歪み抑制処理はステップＳＴ６４へ移行する。

【0090】

ステップＳＴ６０で、制御回路７２は、可変抵抗器５０Ａ３の抵抗値を大きくすることでＱ値を低くする。ステップＳＴ６０の処理が実行された後、歪み抑制処理はステップＳＴ６２へ移行する。

【0091】

ステップＳＴ６２で、監視回路７０は、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値以下であるか否かを判定する。ステップＳＴ６２において、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値以下である場合は、判定が肯定されて、歪み抑制処理はステップＳＴ６４へ移行する。ステップＳＴ６２において、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きい場合は、判定が否定されて、歪み抑制処理はステップＳＴ６０へ移行する。

【0092】

ステップＳＴ６４で、監視回路７０は、歪み抑制処理が終了する条件を満足したか否かを判定する。歪み抑制処理が終了する条件の一例としては、交流電圧５６の電圧値又は直流電圧５８の電圧値が“ゼロ”である時間が一定時間以上継続しているという条件、又は、歪み抑制処理を終了させる指令がリーダライタ４６からコマンド信号４８として与えられたという条件が挙げられる。

【0093】

ステップＳＴ６４において、歪み抑制処理が終了する条件を満足していない場合は、判定が否定されて、歪み抑制処理はステップＳＴ５８へ移行する。ステップＳＴ６４において、歪み抑制処理が終了する条件を満足した場合は、判定が肯定されて、歪み抑制処理が終了する。

【0094】

以上説明したように、本実施形態では、制御回路７２によって可変コンデンサ５０Ａ２の容量が調整されることで共振回路５０Ａを既定共振周波数で共振させる。既定共振周波数とは、例えば、直流電圧５８を最大にする共振周波数を指す。直流電圧５８が最大になれば、カートリッジメモリ２４の各種回路に対する電力６０の供給の安定化を実現することができる。また、本実施形態では、制御回路７２によって可変抵抗器５０Ａ３の抵抗値が調整されることでＱ値が調整される。Ｑ値が調整されることにより、交流電圧５６の波形の歪みが生じ難くなる。従って、本実施形態によれば、カートリッジメモリ２４を作動させる電力６０の安定化と、交流電圧５６の波形の歪みの抑制とを両立させることができる。

【0095】

また、本実施形態では、交流電圧５６の電圧値と直流電圧５８の電圧値とを比較した結果（例えば、比較結果７４）に応じて、可変コンデンサ５０Ａ２の容量が調整されることで共振回路５０Ａを既定共振周波数で共振させる。また、本実施形態では、交流電圧５６の電圧値と直流電圧５８の電圧値とを比較した結果に応じて、可変抵抗器５０Ａ３の抵抗値が調整されることでＱ値が調整される。従って、本実施形態によれば、カートリッジメモリ２４を作動させる電力６０の安定化と、交流電圧５６の波形の歪みの抑制とを精度良く両立させることができる。

【0096】

また、本実施形態では、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きい場合に、制御回路７２が、可変抵抗器５０Ａ３の抵抗値を高めることでＱ値を低くする。これにより、交流電圧５６の波形の歪みを容易に抑制することができる。

【0097】

また、本実施形態では、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きい場合に、制御回路７２が、可変コンデンサ５０Ａ２の容量を調整することで直流電圧５８を最大にする。これにより、カートリッジメモリ２４を作動させる電力６０の安定化を実現することができる。また、直流電圧５８は整流回路５０Ｂによって生成され、電力６０はレギュレータ５０Ｃによって直流電圧５８に基づいて生成されてプロセッサ５４Ａに供給される。従って、プロセッサ５４Ａの動作を安定させることができる。

【0098】

また、本実施形態では、信号６８に対応する通信信号６２にはコマンド信号４８が復号された信号が含まれており、プロセッサ５４Ａは、コマンド信号４８に応じた処理を実行する。本実施形態では、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きい場合に、可変抵抗器５０Ａ３の抵抗値が高められることによって信号６８の波形の歪みは抑制されるので、プロセッサ５４Ａは、コマンド信号４８に応じた処理の実行の確実性を高めることができる。例えば、コマンド信号４８に応じて定められた情報（例えば、管理情報１５）をＮＶＭ５４Ｂに書き込む処理、及び／又は、コマンド信号４８に応じて定められた情報（例えば、管理情報１５）をＮＶＭ５４Ｂから読み出す処理の確実性を高めることができる。

【0099】

なお、上記実施形態では、電力最大化処理と歪み抑制処理とが並行して実行される形態例を挙げたが、例えば、カートリッジメモリ２４に電力６０を蓄積可能なバッテリが搭載されており、バッテリに電力６０が十分に確保されている場合には、バッテリに蓄積されている電力６０がカートリッジメモリ２４の作動用の電力として用いられ、その間、電力最大化処理が実行されず、歪み抑制処理が実行されるようにしてもよい。そして、バッテリに電力６０が不足した場合に、電力最大化処理と歪み抑制処理とが並行して実行されるようにしてもよい。

【0100】

また、バッテリに電力６０が不足した場合（すなわち、カートリッジメモリ２４の作動用の電力が不足した場合）、及び／又は、信号６８の波形の歪みをある程度許容できる場合に、歪み抑制処理が実行されずに、一例として図１１に示す電力補充処理が一定時間（例えば、バッテリに十分な電力６０が蓄積されるのに要する時間）だけ実行されるようにしてもよい。図１１に示す電力補充処理は、図１０に示す歪み抑制処理に比べ、ステップＳＴ５８の処理に代えてステップＳＴ１００の処理が実行される点、ステップＳＴ６０の処理に代えてステップＳＴ１０２の処理が実行される点、及びステップＳＴ６２の処理に代えてステップＳＴ１０４の処理が実行される点が異なる。

【0101】

図１１に示すステップＳＴ１００で、監視回路７０は、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値以下であるか否かを判定する。ステップＳＴ１００において、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きい場合は、判定が否定されて、電力補充処理はステップＳＴ６４へ移行する。ステップＳＴ１００において、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値以下である場合は、判定が肯定されて、電力補充処理はステップＳＴ１０２へ移行する。

【0102】

ステップＳＴ１０２で、制御回路７２は、可変抵抗器５０Ａ３の抵抗値を小さくすることでＱ値を高くする。

【0103】

ステップＳＴ１０４で、監視回路７０は、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きいか否かを判定する。ステップＳＴ１０４において、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値以下である場合は、判定が否定されて、電力補充処理はステップＳＴ１０２へ移行する。ステップＳＴ１０４において、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値よりも大きい場合は、判定が肯定されて、電力補充処理はステップＳＴ６４へ移行する。

【0104】

このように、交流電圧５６の電圧値が直流電圧５８の電圧値以下の場合に、可変抵抗器５０Ａ３の抵抗値を小さくすることでＱ値が高くなるので、アンテナコイル５０Ａ１によって受信される磁界ＭＦの強度を高くすることができる（すなわち、磁界ＭＦの供給を増やすことができる）。アンテナコイル５０Ａ１によって受信される磁界ＭＦの強度を高くすることができれば、整流回路５０Ｂによって直流電圧５８の電圧値も大きくすることができ、この結果、レギュレータ５０Ｃによって生成されて各種回路に供給される電力６０も大きくすることができる。

【0105】

上記実施形態では、リーダライタ４６と非接触で通信を行うカートリッジメモリ２４を例に挙げて説明したが、本開示の技術はこれに限定されず、カートリッジメモリ２４以外の非接触式通信媒体（例えば、本技術分野とは異なる技術分野で用いられるパッシブ型のＲＦＩＤタグ）に対しても本開示の技術は適用可能である。

【0106】

上記実施形態では、磁気テープドライブ１４に搭載されているリーダライタ４６を例示したが、本開示の技術はこれに限定されず、リーダライタ４６以外のリーダライタ（例えば、本技術分野とは異なる技術分野で用いられるリーダライタ）であってもよい。また、本開示の技術が適用された非接触式通信媒体に対して非接触で通信を行うことにより書き込み又は読み出しを行う外部装置であってもよい。

【0107】

上記実施形態では、リーダライタ４６として、据え置き型のリーダライタ（すなわち、磁気テープドライブ１４に搭載されているリーダライタ）を例示したが、これは、あくまでも一例に過ぎず、可搬型のリーダライタであっても本開示の技術は成立する。また、据え置き型又は可搬型のリーダライタは、本技術分野とは異なる技術分野で用いられるリーダライタであってもよい。

【0108】

上記実施形態では、磁気テープドライブ１４に対して磁気テープカートリッジ１２が挿脱自在な磁気テープシステム１０を例示したが、本開示の技術はこれに限定されない。例えば、磁気テープドライブ１４に対して少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２が事前に装填されている磁気テープシステム（すなわち、少なくとも１つの磁気テープカートリッジ１２と磁気テープドライブ１４、又は、磁気テープＭＴと磁気テープドライブ１４とが事前（例えば、データバンドに対するデータの記録前）に一体化された磁気テープシステム）であっても本開示の技術は成立する。

【0109】

以上に示した記載内容及び図示内容は、本開示の技術に係る部分についての詳細な説明であり、本開示の技術の一例に過ぎない。例えば、上記の構成、機能、作用、及び効果に関する説明は、本開示の技術に係る部分の構成、機能、作用、及び効果の一例に関する説明である。よって、本開示の技術の主旨を逸脱しない範囲内において、以上に示した記載内容及び図示内容に対して、不要な部分を削除したり、新たな要素を追加したり、置き換えたりしてもよいことは言うまでもない。また、錯綜を回避し、本開示の技術に係る部分の理解を容易にするために、以上に示した記載内容及び図示内容では、本開示の技術の実施を可能にする上で特に説明を要しない技術常識等に関する説明は省略されている。

【0110】

本明細書において、「Ａ及び／又はＢ」は、「Ａ及びＢのうちの少なくとも１つ」と同義である。つまり、「Ａ及び／又はＢ」は、Ａだけであってもよいし、Ｂだけであってもよいし、Ａ及びＢの組み合わせであってもよい、という意味である。また、本明細書において、３つ以上の事柄を「及び／又は」で結び付けて表現する場合も、「Ａ及び／又はＢ」と同様の考え方が適用される。

【0111】

本明細書に記載された全ての文献、特許出願及び技術規格は、個々の文献、特許出願及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。

【符号の説明】

【0112】

１０ 磁気テープシステム
１２ 磁気テープカートリッジ
１４ 磁気テープドライブ
１５ 管理情報
１６ ケース
１６Ａ 右壁
１６Ａ１ 開口
２２ 送出リール
２４ カートリッジメモリ
２５ コントローラ
２６ 搬送装置
２８ 磁気ヘッド
２９ ＵＩ系装置
３０ 処理装置
３１ 表面
３２ ストレージ
３６ 送出モータ
３８ 巻取リール
４０ 巻取モータ
４２ 磁気素子ユニット
４４ ホルダ
４６ リーダライタ
４８ コマンド信号
５０ 電力生成器
５０Ａ 共振回路
５０Ａ１ アンテナコイル
５０Ａ２ 可変コンデンサ
５０Ａ３ 可変抵抗器
５０Ｂ 整流回路
５０Ｃ レギュレータ
５２ 信号処理回路
５４ コンピュータ
５４Ａ プロセッサ
５４Ｂ ＮＶＭ
５４Ｃ ＲＡＭ
５６ 交流電圧
５８ 直流電圧
６０ 電力
６１ 応答信号
６２ 通信信号
６４ バス
６８ 信号
７０ 監視回路
７２ 制御回路
７４ 比較結果
Ａ，Ｂ，Ｃ 矢印
ＭＦ 磁界

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】