特開 2024-129178 半導体ウェーハ研削砥石装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024129178

(43)【公開日】2024-09-27

(54)【発明の名称】半導体ウェーハ研削砥石装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240919BHJP

   B24B 1/04 20060101ALI20240919BHJP

   B24B 9/00 20060101ALN20240919BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 601B

B24B1/04 B

B24B9/00 601H

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023038203

(22)【出願日】2023-03-13

(71)【出願人】

【識別番号】000151494

【氏名又は名称】株式会社東京精密

(74)【代理人】

【識別番号】110003535

【氏名又は名称】スプリング弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】津留 太良

【テーマコード（参考）】

3C049

5F057

【Ｆターム（参考）】

3C049AA04

3C049AA09

3C049AA12

3C049AA16

3C049AA17

3C049AA18

3C049AB04

3C049BB02

3C049BC02

3C049CB01

5F057AA37

5F057CA09

5F057CA16

5F057DA17

5F057EB20

(57)【要約】

【課題】
研削加工位置における研削屑の滞留を低減した構造の半導体ウェーハの外周面取り加工用の研削砥石を備える半導体ウェーハ研削砥石装置の提供
【解決手段】
半導体ウェーハの研削装置に設けられ、半導体ウェーハの周縁部を研削する砥石を有する半導体ウェーハ研削砥石装置において、一端側に前記砥石が設けられ前記砥石を回転駆動する回転駆動手段と、前記砥石の回転と切り込み量を制御する加工手段とを備え、前記回転駆動手段は前記砥石を前記半導体ウェーハの厚さ方向に対向する軸回り回転可能なように配置されていることを特徴とする半導体ウェーハ研削砥石装置。
【選択図】 図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体ウェーハの研削装置に設けられ、半導体ウェーハの周縁部を研削する砥石を有する半導体ウェーハ研削砥石装置において、
一端側に前記砥石が設けられ前記砥石を回転駆動する回転駆動手段と、前記砥石の回転と切り込み量を制御する加工手段とを備え、前記回転駆動手段は前記砥石を前記半導体ウェーハの厚さ方向に対向する軸回り回転可能なように配置されていることを特徴とする半導体ウェーハ研削砥石装置。

【請求項2】

前記回転駆動手段は一対設けられており、各前記回転駆動手段は一端部に前記砥石を有し、前記砥石を前記半導体ウェーハの厚さ方向に直交する軸回り回転可能であり、各前記砥石の形状は前記半導体ウェーハの周縁部の上半部または下半部を研削するベルマウス状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。

【請求項3】

前記一対の砥石は、半導体ウェーハに対して周方向位置を互いに変えて配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。

【請求項4】

前記一対の砥石は、半導体ウェーハの上下方向に互いにオーバーラップして研削可能なように配置されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。

【請求項5】

前記回転駆動手段は前記砥石を前記半導体ウェーハの厚さ方向に直交する軸回りに回転可能なように配置されており、前記砥石の軸方向端面は、平坦面かもしくは研削対象の半導体ウェーハの外径曲率よりも小さい曲率の凹面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。

【請求項6】

前記砥石に、超音波を印加する超音波印加手段と、前記砥石の回転と切り込み量を制御する加工手段と、前記超音波印加手段が印加する超音波の少なくとも方向と周波数のいずれかを制御する超音波制御手段とを設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。

【請求項7】

各前記砥石に、超音波を印加する超音波印加手段と、前記砥石の回転と切り込み量を制御する加工手段と、前記超音波印加手段が印加する超音波の少なくとも方向と周波数のいずれかを制御する超音波制御手段とを設けたことを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。

【請求項8】

前記砥石に、超音波を印加する超音波印加手段と、前記砥石の回転と切り込み量を制御する加工手段と、前記超音波印加手段が印加する超音波の少なくとも方向と周波数のいずれかを制御する超音波制御手段とを設けたことを特徴とする請求項５に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体ウェーハを研削する研削砥石装置に係り、特に半導体ウェーハの周縁部を面取り加工するのに好適な半導体ウェーハ研削砥石装置に関する。

【背景技術】

【0002】

原始ウェーハを効率よく加工することが特許文献１に記載されている。この公報に記載の加工装置は、被加工物を保持する保持面を備え、原始ウェーハの直径より小さい直径であって回転可能なチャックテーブルの外周から、原始ウェーハの外周をはみ出させて原始ウェーハを保持する。次いで、保持面に対向して研削砥石を環状に配設した研削ホイールを回転可能に備えた研削手段を、チャックテーブルに接近させる。原始ウェーハの一方の面を研削する（第一の研削工程）。原始ウェーハを反転して、原始ウェーハの他方の面を研削する（第二の研削工程）。その後、研削ホイールで原始ウェーハの外周に面取り加工を施す（面取り加工工程）。面取り加工工程では、研削ホイールの外周に配設されリング状の溝が形成された面取り砥石により原始ウェーハの外周を研削して、面取り部を形成する。

【0003】

特許文献２には、劈開面を有する半導体用ウェーハの面取り加工において、面取り加工に起因するウェーハ不良の発生を低減し、加工の歩留まりを向上させることが開示されている。ウェーハの面取り加工では、インゴットからスライスされて形成された薄板状の半導体ウェーハをウェーハ送り装置に載置して、ウェーハの外周部を回転する砥石を用いて面取りする。ウェーハが砥石に当接する際に、ウェーハの劈開面が砥石の接線方向に直角な方向となるように、ウェーハを回転させて周方向位置を定めたらその回転を停止させ、その後ウェーハを砥石の接線方向から砥石へ接近させる。

【0004】

特許文献３には、板状物の面取り装置に用いられる面取り砥石の溝形状を、所望の形状にツルーイングすることが開示されている。そのため、面取り装置には、同軸上に外周粗研削砥石とマスター砥石からなる外周加工砥石を設ける。それとともに、板状物を載置して回転する載置台の回転軸と同軸上にツルーイング砥石を設け、マスター砥石の溝形状をツルーイング砥石の外周に転写し、ツルーイング砥石の外周形状を面取り砥石に転写して面取り砥石に溝を形成し、面取り砥石に所望の形状の溝をオンマシンで、精度よく容易に形成する。

【0005】

特許文献４には、ウェーハの面取り砥石の成形であるツルーイングにおいて、あらゆる形状の面取り用溝を研削砥石に効率的に形成することが記載されている。具体的には、外周研削砥石へのツルーイングの際、ツルアーの端部をＹテーブルとＺテーブルとによりウェーハ外周部の面取り形状に相当する軌道上を移動させて、ツルーイングする。これにより、ツルアーを交換しなくて済むので、成形時間が短縮される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開２０２２-４８７５９号公報

【特許文献2】特開２０１７－１８３５０３号公報

【特許文献3】特開２００５-１５３０８５号公報

【特許文献4】特開２００７－６１９７８号公報

【非特許文献】

【0007】

【非特許文献1】山田他、「ＳＩＣの精密レーザスライシング 第２報:操作方向とへき開伸展・連結の関係性」、砥粒加工学会誌、第６５巻、第１０号、第５４９頁～第５５５頁、２０２１年１０月

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

特許文献１には、インゴットから切り出されたばかりの原始ウェーハに研削加工を施して所定の大きさのウェーハを作成することが開示されている。そこでは、ウェーハの表裏面には通常の平面研削を、ウェーハの外周は総型砥石を用いて外周面取り加工（研削）を施している。砥石は総型砥石であるので研削部はキャビティ（凹）状になっており、平面研削の場合に比べて研削屑が加工部付近に滞留しやすい。滞留した研削屑は砥石に目詰まりを生じさせる。目詰まりが許容限度を超えると、砥石交換または砥石の形状再生（ツルーイング）が必要になり、実効研削時間の低減を招くので、砥石形状の更なる改善が求められている。

【0009】

特許文献２では、ウェーハの劈開面が砥石の接線方向に直角な方向となるように、ウェーハの回転位置を定めた後砥石を接近させて研削し、面取り時の不良発生を防止しているが、切削に用いる砥石には通常のいわゆる総型砥石が想定されている。その場合、砥石とウェーハにより形成される窪み（キャビティ）に砥粒や切削屑がたまりやすく、砥石交換や砥石の形状再生の頻度は従来のままとなる。

【0010】

特許文献３および４にはウェーハを研削する砥石の形状再生のためのツルーイングが記載されている。そして特許文献４にはあらゆる形状の溝を砥石に成形することが可能であることも記載されている。しかしながら、これら何れの公報においても、ウェーハの研削時に砥石とウェーハ間にキャビティが構成されて切削屑がたまりやすくなるのを解消するために、砥石形状を変更することについては考慮されていない。

【0011】

本発明は上記従来技術の不具合に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体ウェーハの外周面取り加工用の研削砥石が、研削加工位置における研削屑の滞留を低減した構造を備えることにある。本発明の他の目的は、上記目的に加え、研削砥石に超音波加振を付与したときであっても、高いスループットで外周面取り加工を可能にする研削砥石を実現することにある。

【課題を解決するための手段】

【0012】

上記目的を達成する本発明の特徴は、以下のとおりである。
［１］ 半導体ウェーハの研削装置に設けられ、半導体ウェーハの周縁部を研削する砥石を有する半導体ウェーハ研削砥石装置において、一端側に上記砥石が設けられ上記砥石を回転駆動する回転駆動手段と、上記砥石の回転と切り込み量を制御する加工手段とを備え、上記回転駆動手段は上記砥石を上記半導体ウェーハの厚さ方向に対向する軸回り回転可能なように配置されていることを特徴とする半導体ウェーハ研削砥石装置。
［２］ 上記回転駆動手段は一対設けられており、各上記回転駆動手段は一端部に上記砥石を有し、上記砥石を上記半導体ウェーハの厚さ方向に直交する軸回り回転可能であり、各上記砥石の形状は上記半導体ウェーハの周縁部の上半部または下半部を研削するベルマウス状に形成されていることを特徴とする［１］に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。
［３］ 上記一対の砥石は、半導体ウェーハに対して周方向位置を互いに変えて配置されていることを特徴とする［２］に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。
［４］ 上記一対の砥石は、半導体ウェーハの上下方向に互いにオーバーラップして研削可能なように配置されていることを特徴とする［３］に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。
［５］ 上記回転駆動手段は上記砥石を上記半導体ウェーハの厚さ方向に直交する軸回りに回転可能なように配置されており、上記砥石の軸方向端面は、平坦面かもしくは研削対象の半導体ウェーハの外径曲率よりも小さい曲率の凹面であることを特徴とする［１］に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。
［６］ 上記砥石に、超音波を印加する超音波印加手段と、上記砥石の回転と切り込み量を制御する加工手段と、上記超音波印加手段が印加する超音波の少なくとも方向と周波数のいずれかを制御する超音波制御手段とを設けたことを特徴とする［１］に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。
［７］ 各上記砥石に、超音波を印加する超音波印加手段と、上記砥石の回転と切り込み量を制御する加工手段と、上記超音波印加手段が印加する超音波の少なくとも方向と周波数のいずれかを制御する超音波制御手段とを設けたことを特徴とする［２］に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。
［８］ 上記砥石に、超音波を印加する超音波印加手段と、上記砥石の回転と切り込み量を制御する加工手段と、上記超音波印加手段が印加する超音波の少なくとも方向と周波数のいずれかを制御する超音波制御手段とを設けたことを特徴とする［５］に記載の半導体ウェーハ研削砥石装置。

【発明の効果】

【0013】

本発明によれば、ウェーハの外周面取り加工装置に用いる研削砥石を、ウェーハの外周縁部の断面形状を上下に２分割した断面形状を有する複数個の研削砥石素片で構成したので、研削加工位置におけるキャビティ形状の生成を極力低減できるとともに、各砥石素片を独立して回転駆動できるので、加工位置での研削屑の滞留を低減できる。これにより、砥石の目詰まり程度が低下し砥石交換頻度やツルーイング頻度を低減できる。また、研削砥石に超音波を加振すると砥石の目詰まり程度がさらに低下し砥石交換頻度がさらに低減して、ウェーハの外周面取り加工の高いスループットが得られる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本発明に係る研削砥石装置を備える、研削装置の一実施例の正面図である。

【図2】本発明に係る研削砥石装置の一実施例の模式側面図であり、図２(ａ)は帽子型砥石の２軸が平行な例であり、図２（ｂ）は帽子型砥石の２軸がウェーハの周方向に離れている例である。

【図3】本発明に係る研削砥石装置の他の実施例の模式側面図である。

【図4】本発明に係る研削砥石装置のさらに他の実施例の模式側面図である。

【図5】本発明に係る研削砥石装置のさらに他の実施例の模式側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下本発明に係る研削砥石装置１８０の一実施例を、図面を用いて説明する。図１は、本実施例に示す研削砥石装置１８０が備えられたウェーハ研削装置１０の概略正面図である。ウェーハ研削装置１０は、ウェーハ保持部２０、研削砥石部５０、図示しないウェーハ供給／収納部、ウェーハ洗浄／乾燥部、ウェーハ搬送手段、及びウェーハ研削装置１０の各部の動作を制御する制御部を備える。

【0016】

ウェーハ保持部２０は、本体ベース１１上に載置されたＸ軸ベース２１、２本のＸ軸ガイドレール２２、４個のＸ軸リニアガイド２３、ボールねじ及びステッピングモータを備えるＸ軸駆動機構２５によって、図のＸ方向に移動されるＸテーブル２４を有する。

【0017】

Ｘテーブル２４には、２本のＹ軸ガイドレール（図示せず）、４個のＹ軸リニアガイド２７、図示しないボールねじ及びステッピングモータを有するＹ軸駆動機構３２により図のＹ方向に移動される、Ｙテーブル２８が組み込まれている。
Ｙテーブル２８には、２本のＺ軸ガイドレール２９と図示しない４個のＺ軸リニアガイドによって案内され、ボールねじ及びステッピングモータを備えるＺ軸駆動機構３０によって図のＺ方向に移動されるＺテーブル３１が組み込まれている。

【0018】

Ｚテーブル３１には、回転スピンドル３３が組み込まれ、回転スピンドル３３にはウェーハＷを吸着載置するウェーハテーブル３４が取り付けられている。ウェーハテーブル３４は回転軸心を中心として回転される。ウェーハ保持部２０では、ウェーハＷを回転θおよびＸ、Ｙ、Ｚ方向に併進移動することで、ウェーハＷに設定された加工位置を後述する研削砥石部５０に位置決めする。

【0019】

研削砥石部５０では、上方にターンテーブル５３が、下方に砥石ベース１５８が配置されている。ターンテーブル５３には、（半導体）ウェーハＷの外周部を研削する研削砥石１５５ａ（１５６ａＵ）、１５５ａ（１５６ａＬ）と研削スピンドル（スピンドルモータ１５６）を含む、一対の研削砥石装置１８０が取り付けられている。研削砥石１５６ａＵはウェーハＷの外周上部を、研削砥石１５６ａＬはウェーハＷの外周下部を研削する。図１では、ターンテーブル５３は、水平面に沿って回転する。ウェーハＷの外周上部を研削する場合には、研削砥石１５６ａＵをウェーハＷの方に（図１のように）近づけ、ウェーハＷの外周下部を研削する場合には、ターンテーブル５３を半回転させ、研削砥石１５６ａＬをウェーハＷに近づければよい。

【0020】

なお、研削砥石装置１８０は、ターンテーブル５３上に２つの研削スピンドルを有し、それぞれに研削砥石１５５ａ（１５６ａＵ）、１５５ａ（１５６ａＬ）が配置されているが、研削砥石１５５ａの配置は上記に限定されない。また、研削砥石装置１８０は、ターンテーブル５３を有していなくてもよい。
例えば、研削砥石装置は、所定のクリアランスを介して上下に並べられた研削砥石１５５ａ（１５６ａＵ）、１５５ａ（１５６ａＬ）、及び、個々のスピンドルモータ１５６を備える１個の研削スピンドルを有していてもよい。

【0021】

ターンテーブル５３に配置した研削砥石装置１８０が有する研削砥石１５５ａは、ウェーハの周縁部を楕円球面に研削可能なベルマウス状に形成された帽子型の研削砥石１５５ａ（１５５ａＵ、１５５ａＬ）である。

【0022】

研削砥石部５０の下方に配置される砥石ベース１５８の上部に、水平方向にその回転軸を配置して、研削砥石装置１８０をウェーハＷに対向して取り付ける。砥石ベース１５８に取り付けた研削砥石装置１８０には、ウェーハＷの周縁をほぼ垂直な面（円筒面）に研削する平坦部用砥石としての皿型の研削砥石１５５ｂが取り付けられている。もちろん、砥石ベース１５８やターンテーブル５３に取り付ける研削砥石装置１８０の砥石として、その加工の目的や加工時間等を考慮して帽子型の研削砥石１５５ａと皿型の研削砥石１５５ｂを選択的に使用できる。

【0023】

図２に、帽子型の研削砥石１５５ａの詳細を示す。図２（ａ）は、２個の平行な水平軸のそれぞれの先端に帽子型の研削砥石１５５ａを配置した例であり、帽子型の研削砥石１５５ａの側面図である。各研削砥石１５５ａは、被加工物であるウェーハＷの断面形状に合致する帽子型の形状であり、ウェーハＷの断面形状において、厚さ方向中心から滑らかな弧状にウェーハＷの厚さが変化するような曲面が形成される形状となっている。すなわち、研削砥石１５５ａはウェーハＷ側端部径が小さく、スピンドルモータ１５６側に行くに従い裾広がりのベルマウス状に形成されている。言い換えれば、円錐もしくは円錐台の斜面に曲率を持った形状、金管楽器の先端部の徐々に広がる「ベル」部分のような形状とされている。

【0024】

研削砥石１５５ａの大きさは特に限定されないが、装置のレイアウトの自由度が上がること、特に、限られた狭いスペースでも設置が可能な点で、研削対象となるウェーハＷの直径に対して、研削砥石１５５ａの直径（回転方向の最大径）が、０．１以上が好ましく、０．２以上がより好ましく、１．０以下好ましく、０．５以下がより好ましく、０．３以下が更に好ましい。

【0025】

上下に配置した２個の研削砥石１５５ａＵ、１５５ａＬは、その外形形状が実質的に同一である。したがって、ウェーハＷの厚さ方向中心から等しい距離にそれぞれの回転軸心を配置することで、ウェーハＷの外周面は上下対称に研削加工される。しかしながら図２（ａ）においては、上下に配置した研削砥石１５５ａＵ、１５５ａＬの動作が干渉するのを回避するため、両研削砥石１５５ａＵ、１５５ａＬの間にわずかな隙間を形成する必要がある。その結果ウェーハＷの厚さ方向中心部には加工されない領域が形成される。

【0026】

この不具合を解消するもっとも簡単な方法は、図２（ｂ）に示すように、２個の研削砥石１５５ａＵ、１５５ａＬの互いの研削位置がオーバーラップするようにする。より具体的には、２個の研削砥石１５５ａＵ、１５５ａＬをウェーハＷの周方向に異なる位置に配置して研削砥石１５５ａＵ、１５５ａＬ間の干渉を避けるようにすることである（互い違いに配置することである）。図２（ｂ）においては、上下の研削砥石１５５ａＵ、１５５ａＬについて、ウェーハＷの周方向にその軸間距離をδ_１とし、ウェーハの厚さ方向に軸間距離をδ_２として、それぞれウェーハＷの厚さより大きくし、かつ研削個所が互いにオーバーラップするようにしている。これにより研削漏れ箇所の出現を回避できる。

【0027】

図３に、ウェーハの外周面を研削する研削砥石１５５ｂの他の例を、側面断面図で示す。ウェーハＷの外周面を平面にする必要が生じた場合に用いる。ウェーハＷの外周面研削において平面研削する場合には、上面との境目である上辺部と下面との境目である下辺部が角部を形成すると、ウェーハ処理工程間の搬送中や処理行程中のハンドリングなどで、上下辺部から亀裂等が発生する確率が高まる。

【0028】

これらを考慮して、平面研削する研削砥石１５５ｂの断面形状を決定する。具体的には、ウェーハＷの厚さ方向の大部分を加工する部分（研削砥石１５５ｂの中心部分）を平坦、すなわち直線形状または曲率Ｒ_Ｇの曲線とし、上下辺部を加工する部分（研削砥石１５５ｂの外径端部）を滑らかな円弧等の曲線形状とする。そして曲線形状部分の曲率は、ウェーハＷの外径曲率１／Ｒｗ）より小さくする。これにより平面研削する研削砥石１５５ｂがウェーハＷに意図せずに干渉して、所望形状から逸脱するのを防止できる。なお、研削砥石１５５ｂは、前述の図２（ａ）における、上下に配置した研削砥石１５５ａＵ、１５５ａＬの間にわずかな隙間によるウェーハＷの厚さ方向中心部の加工されない領域を後から加工することにも使用できる。

【0029】

図４および図５に、図２、図３で示した研削砥石１５５ａ、１５５ｂと超音波印加手段１７０とを組み合わせた研削砥石装置１８０ｂ、１８０ｃの例を示す。図４は帽子型砥石の例であり、図５は皿型砥石の例である。ウェーハＷが単結晶ウェーハであれば特に顕著であるが、ウェーハＷは周方向に結晶方位を変化させる。非特許文献１に記載のように、ウェーハＷの加工位置における結晶方位が異なると、同じ研削条件で研削しても、へき開の進展が異なり、予期した研削量よりも多大になったり、逆に過小になったりする。そこで、研削砥石に連結するスピンドルモータ１５６の回転速度等の研削条件を変えずに、実質的に研削条件を変化させるために、スピンドルモータ１５６に軸方向加振用の圧電アクチュエータ１７２と鉛直方向加振用の圧電アクチュエータ１７４を付設して研削砥石装置１８０ｂ、１８０ｃを構成する。圧電アクチュエータ１７２、１７４を制御して、超音波印加する方向と周波数を変え、研削砥石１５５ａ、１５５ｂの研削条件を変化させる。これにより、へき開の遅速を制御でき、ウェーハの周方向に一様な研削結果を得ることができる。

【0030】

図３、４の研削砥石１５５ａ、１５５ｂ、及び、ワークＷの配置から理解されるように、研削砥石１５５ａ、１５５ｂと、ワークＷの回転方向は異なっている。
従来、研削砥石によるワークＷの研削においては、研削砥石とワークＷとの回転方向は同一だった（同一平面で回転していた）。この従来の構成では、研削後のワークＷの表面に「条痕」と呼ばれる、すじ状の凹凸が生ずることがあった。
これに対し、研削砥石の回転方向を相対的に少し傾けて、条痕の発生を抑制する「ヘリカル研削」と呼ばれる手法が採用されることがあった。

【0031】

本発明の半導体ウェーハ研削砥石装置は、「ヘリカル研削」とは異なるアプローチにて、条痕の発生を抑制し得る技術である。従来と異なる形状の研削砥石１５５ａ、及び、１５５ｂを使うことで、ワークＷの回転方向と、研削砥石１５５ａ、及び、１５５ｂの回転方向とが異なる状態が作り出される。これにより、「ヘリカル研削」と同様に、条痕の発生が抑制される。
超音波加振することより表面のすじ状の凹凸の発生を更に抑制することができる。これにより得られる表面は、より均一な状態（例えば、梨地状）となる。

【0032】

また、ウェーハＷのエッジ形状・表面状態には、製品の種類、及び、後工程の種類等により、様々な要求がある。単にフラットな表面とするだけでなく、所定の表面粗さを有する表面が、研削後の目標とされることもある。超音波加振を併用すると、条痕の発生をより抑制できるだけでなく、研削後の目標の表面状態に沿った制御もより容易となる点で好ましい。

【0033】

上記説明では、被研削対象のウェーハＷとしてシリコンの単結晶ウェーハＷを想定して説明しているが、ウェーハはシリコン単結晶ウェーハに限らず、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の他の材質のウェーハであってもよく、また多結晶ウェーハであってもよいことは言うまでもない。

【符号の説明】

【0034】

１０…ウェーハ研削装置、１１…本体ベース、２０…ウェーハ保持部、２１…Ｘ軸ベース、２２…Ｘ軸ガイドレール、２３…Ｘ軸リニアガイド、２４…Ｘテーブル、２５…Ｘ軸駆動機構、２７…Ｙ軸リニアガイド、２８…Ｙテーブル、２９…Ｚ軸ガイドレール、３０…Ｚ軸駆動機構、３１…Ｚテーブル、３２…Ｙ軸駆動機構、３３…回転スピンドル、３４…ウェーハテーブル、５０…研削砥石部、５３…ターンテーブル、１５５ａ、１５５ａＵ、１５５ａＬ…（帽子型、ベルマウス状）研削砥石、１５５ｂ…(皿型)研削砥石、１５６…スピンドルモータ、１５８…砥石ベース、１７０…超音波印加手段、１７２…圧電アクチュエータ（水平方向または軸方向加振用）、１７４…圧電アクチュエータ（鉛直方向加振用）、１８０、１８０ｂ、１８０ｃ…研削砥石装置、Ｗ…ウェーハ、δ_１…周方向偏差、δ_２…上下方向偏差

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】