特開 2024-129271 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024129271

(43)【公開日】2024-09-27

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20240919BHJP

   C23C 16/455 20060101ALI20240919BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 B

C23C16/455

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023038364

(22)【出願日】2023-03-13

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】永田 朋幸

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030EA05

4K030EA06

5F045AA06

5F045AD01

5F045AE01

5F045BB20

5F045DP19

5F045DQ05

5F045EC02

5F045EF01

5F045EF03

5F045EF09

5F045EK06

(57)【要約】

【課題】ガスインジェクタの倒れを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、縦型の反応管と、前記反応管内にガスを供給するガスインジェクタと、を備え、前記ガスインジェクタは、前記反応管の側壁を貫通して水平に延びる第１管状部を有し、前記反応管は、前記第１管状部よりも下方において前記反応管の中心に向けて張り出した支持部を有し、前記支持部は、前記ガスインジェクタと接触して前記ガスインジェクタを支持する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

縦型の反応管と、
前記反応管内にガスを供給するガスインジェクタと、
を備え、
前記ガスインジェクタは、前記反応管の側壁を貫通して水平に延びる第１管状部を有し、
前記反応管は、前記第１管状部よりも下方において前記反応管の中心に向けて張り出した支持部を有し、
前記支持部は、前記ガスインジェクタと接触して前記ガスインジェクタを支持する、
基板処理装置。

【請求項2】

前記ガスインジェクタは、前記反応管内で前記反応管の内壁面に沿って鉛直に延びる第２管状部を有し、
前記支持部は、上方からの平面視で前記第２管状部と重なる位置で前記ガスインジェクタと接触する、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記支持部は、前記ガスインジェクタと面接触する、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記第１管状部は、外壁面から径方向の外側に向かって突出する突起部を有し、
前記反応管は、前記突起部と接触して前記第１管状部の管軸回りの回転を制限する制限部を有する、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記反応管の周囲に設けられる第２反応管を備え、
前記第２反応管は、前記第１管状部よりも下方において前記反応管を支持する、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

バッチ式の基板処理装置において、処理容器を貫通して設けられるガスインジェクタによって処理容器内にガスを供給する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１６－１７６５８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、ガスインジェクタの倒れを抑制できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、縦型の反応管と、前記反応管内にガスを供給するガスインジェクタと、を備え、前記ガスインジェクタは、前記反応管の側壁を貫通して水平に延びる第１管状部を有し、前記反応管は、前記第１管状部よりも下方において前記反応管の中心に向けて張り出した支持部を有し、前記支持部は、前記ガスインジェクタと接触して前記ガスインジェクタを支持する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、ガスインジェクタの倒れを抑制できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。

【図2】図１の基板処理装置の一部を拡大して示す図である。

【図3】図２のIII－III矢視断面図である。

【図4】第１構成例に係るガスインジェクタを示す図である。

【図5】第２構成例に係るガスインジェクタを示す図である。

【図6】第３構成例に係るガスインジェクタを示す図である。

【図7】第２実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。

【図8】図７の基板処理装置の一部を拡大して示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0009】

〔第１実施形態〕
図１を参照し、第１実施形態に係る基板処理装置１について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１を示す断面図である。

【0010】

基板処理装置１は、処理容器１０と、ガス供給部２０と、排気部３０と、加熱部４０と、制御部９０とを備える。

【0011】

処理容器１０は、二重管構造を有し、鉛直方向に沿って延びる縦型の反応管である。処理容器１０は、基板保持具（図示せず）を収容する。基板保持具は、基板を水平姿勢で鉛直方向に多段に整列させた状態で保持する。基板保持具は、例えば石英により形成される。基板は、例えば半導体ウエハである。処理容器１０は、内管１１と、外管１２とを有する。内管１１は、下端が開放された有天井の略円筒形状を有する。外管１２は、内管１１の外側を覆う。外管１２は、下端が開放された有天井の略円筒形状を有する。内管１１及び外管１２は、同軸状に配置される。内管１１及び外管１２は、例えば石英により形成される。

【0012】

内管１１の一側には、鉛直方向に沿ってガスインジェクタを収容する収容部１３が形成される。収容部１３は、内管１１の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部１４を形成し、凸部１４内を収容部１３として形成している。収容部１３に対向させて内管１１の反対側の側壁には、鉛直方向に沿って矩形状の開口部（図示せず）が形成される。

【0013】

外管１２の側壁には、排気ポート１５が形成される。外管１２の下端の開口部１６には、Ｏリング等のシール部材を介して蓋体（図示せず）が取り付けられる。蓋体は、開口部１６を開閉可能であり、開口部１６を気密に塞ぎ密閉する。

【0014】

ガス供給部２０は、複数のガスインジェクタ２１～２７を有する。複数のガスインジェクタ２１～２７は、収容部１３において処理容器１０の周方向に沿って一列になるように相互に間隔をおいて配置される。各ガスインジェクタ２１～２７は、ガス導入配管５１（図２）を介してガス供給源（図示せず）に接続される。各ガスインジェクタ２１～２７には、ガス供給源からガス導入配管５１を介して各種のガスが導入される。各ガスインジェクタ２１～２７は、各種のガスを処理容器１０内に供給する。各種のガスは、処理容器１０内で行われる処理に応じて選択される。各ガスインジェクタ２１～２７は、例えば石英により形成される。

【0015】

各ガスインジェクタ２１～２７は、折り返し構造を有するガスインジェクタとして構成される。ただし、各ガスインジェクタ２１～２７の形状は、図１に示される例に限定されない。各ガスインジェクタ２１～２７は、折り返し構造を有していなくてもよい。各ガスインジェクタ２１～２７は、内管１１内において、内壁面に沿って鉛直に延在する。各ガスインジェクタ２１～２７は、下部においてＬ字状に屈曲されて外管１２の側壁を貫通する。各ガスインジェクタ２１～２７は、上部においてＵ字状に折り返された後に下方に延在する。ガスインジェクタ２１～２３、２６、２７は、鉛直方向に沿って延びる部分の長さが同じである。ガスインジェクタ２５は、鉛直方向に沿って延びる部分の長さが、ガスインジェクタ２１～２３、２６、２７よりも短い。ガスインジェクタ２４は、鉛直方向に沿って延びる部分の長さが、ガスインジェクタ２５よりも短い。ただし、各ガスインジェクタ２１～２７の鉛直方向に沿って延びる部分の長さは、図１に示される例に限定されない。

【0016】

各ガスインジェクタ２１～２７には、鉛直方向に沿って延びる部分にガス吐出孔（図示せず）が設けられる。ガス吐出孔は、鉛直方向に沿って間隔をあけて複数設けられる。各ガスインジェクタ２１～２７は、複数のガス吐出孔から処理容器１０内に各種のガスを吐出する。

【0017】

排気部３０は、排気配管３１と、圧力調整弁３２と、真空ポンプ３３とを有する。排気配管３１は、排気ポート１５に接続される。圧力調整弁３２及び真空ポンプ３３は、排気配管３１に介設される。圧力調整弁３２は、処理容器１０内の圧力を調整する。真空ポンプ３３は、処理容器１０内のガスを排気する。

【0018】

加熱部４０は、外管１２の周囲に設けられる。加熱部４０は、外管１２の周囲を覆う。加熱部４０は、略円筒形状を有する。加熱部４０は、ヒータと、断熱材とを有する。ヒータは、処理容器１０内の各基板を加熱する。断熱材は、外側から外管１２及びヒータを覆うように設けられる。断熱材は、ヒータの熱が外部に漏れることを防止する。

【0019】

制御部９０は、基板処理装置１の各部の動作を制御する。制御部９０は、例えばコンピュータであってよい。基板処理装置１の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。

【0020】

図２及び図３を参照し、ガスインジェクタ２１の取り付け構造について説明する。ガスインジェクタ２２～２７の取り付け構造についても、ガスインジェクタ２１の取り付け構造と同じであってよい。図２は、図１の基板処理装置１の一部を拡大して示す図である。図２は、ガスインジェクタ２１が処理容器１０に取り付けられ、ガス導入配管５１がボトムフランジ５５に接続された状態を示す。図３は、図２のIII－III矢視断面図である。

【0021】

内管１１は、筒状部１１ａと、フランジ部１１ｂと、支持部１１ｃとを有する。筒状部１１ａは、有天井の略円筒形状を有する。筒状部１１ａの下部には、貫通孔１１ｈが設けられる。貫通孔１１ｈには、ガスインジェクタ２１が挿通される。貫通孔１１ｈの内径は、ガスインジェクタ２１の外径よりも僅かに大きくてよい。この場合、ガスインジェクタ２１の取り付け公差を吸収できる。フランジ部１１ｂは、貫通孔１１ｈよりも下方において筒状部１１ａの外壁面から外方に向けて張り出し、外管１２のフランジ部１２ｂに固定される。これにより、内管１１は、貫通孔１１ｈよりも下方において外管１２に支持される。フランジ部１１ｂは、例えば筒状部１１ａと一体で形成される。フランジ部１１ｂは、筒状部１１ａと別体で形成されてもよい。支持部１１ｃは、貫通孔１１ｈよりも下方において筒状部１１ａの内壁面から内方に向けて張り出し、ガスインジェクタ２１と接触して支持する。支持部１１ｃは、例えば上方からの平面視でガスインジェクタ２１の第２管状部２１ｂと重なる位置でガスインジェクタ２１と接触する。支持部１１ｃは、例えば筒状部１１ａと一体で形成される。支持部１１ｃは、筒状部１１ａと別体で形成されてもよい。

【0022】

外管１２は、筒状部１２ａと、フランジ部１２ｂとを有する。筒状部１２ａは、有天井の略円筒形状を有する。フランジ部１２ｂは、筒状部１２ａの下部に設けられる。フランジ部１２ｂは、例えば筒状部１２ａと一体で形成される。フランジ部１２ｂは、筒状部１２ａと別体で形成されてもよい。フランジ部１２ｂには、貫通孔１２ｈが設けられる。貫通孔１２ｈは、水平に延びる。貫通孔１２ｈは、鉛直方向及び処理容器１０の周方向において、貫通孔１１ｈと同じ位置に設けられる。貫通孔１２ｈには、内壁面に対して隙間をあけてガスインジェクタ２１が挿通される。貫通孔１２ｈの内径は、ガスインジェクタ２１の外径よりも僅かに大きくてよい。この場合、ガスインジェクタ２１の取り付け公差を吸収できる。貫通孔１２ｈの内壁面の例えば上部には、切り欠き１２ｒが設けられる。切り欠き１２ｒは、処理容器１０の中心側の貫通孔１２ｈの端部から貫通孔１２ｈの長手方向に沿って延びる。切り欠き１２ｒは、ガスインジェクタ２１に対して第１管状部２１ａの管軸回りに回転する力（図３の矢印Ｆを参照）が作用したときに、第２突起部２１ｄと接触して第１管状部２１ａの管軸回りの回転を制限する制限部として機能する。

【0023】

ガスインジェクタ２１は、第１管状部２１ａと、第２管状部２１ｂと、第１突起部２１ｃと、第２突起部２１ｄとを有する。

【0024】

第１管状部２１ａは、貫通孔１１ｈ及び貫通孔１２ｈに挿通される。第１管状部２１ａは、筒状部１１ａ及びフランジ部１２ｂを貫通して水平に延びる。第１管状部２１ａは、ガスを通流させるガス流路を内部に形成する。

【0025】

第２管状部２１ｂは、内管１１内で筒状部１１ａの内壁面に沿って鉛直に延びる。第２管状部２１ｂは、ガスを通流させるガス流路を内部に形成する。第２管状部２１ｂのガス流路は、第１管状部２１ａのガス流路と連通する。第２管状部２１ｂは、例えば第１管状部２１ａと一体で形成される。ただし、第２管状部２１ｂは、第１管状部２１ａと別体で形成され、溶接等で接合されてもよい。

【0026】

第１突起部２１ｃは、第２管状部２１ｂの下端から下方に張り出し、支持部１１ｃに支持される。この場合、ガスインジェクタ２１の重心Ｇから処理容器１０の中心までの水平距離が、ガスインジェクタ２１の支点Ｐから処理容器１０の中心までの水平距離よりも長くなる。これにより、自重によりガスインジェクタ２１が処理容器１０の中心側に傾く力が発生しない。このため、処理容器１０の中心側へのガスインジェクタ２１の倒れを抑制できる。第１突起部２１ｃは、下面が支持部１１ｃの上面と対向する平坦面を有し、支持部１１ｃと面接触するよう構成される。ただし、第１突起部２１ｃは、支持部１１ｃの少なくとも一部と接触可能であればよく、例えば支持部１１ｃと点接触するよう構成されてもよい。第１突起部２１ｃは、例えば第１管状部２１ａ及び第２管状部２１ｂと一体で形成される。ただし、第１突起部２１ｃは、第１管状部２１ａ及び第２管状部２１ｂと別体で形成され、溶接等で接合されてもよい。

【0027】

第２突起部２１ｄは、第１管状部２１ａの外壁面から径方向外側に向かって突出する。第２突起部２１ｄは、ガスインジェクタ２１が取り付けられた状態において、フランジ部１２ｂの切り欠き１２ｒと対応する位置に設けられる。第２突起部２１ｄは、ガスインジェクタ２１に対して第１管状部２１ａの管軸回りに回転する力が作用したときに切り欠き１２ｒと接触することで、ガスインジェクタ２１が第１管状部２１ａの管軸回りに回転することを制限する。第２突起部２１ｄは、例えば第１管状部２１ａと別体で形成され、溶接等で接合される。ただし、第２突起部２１ｄは、第１管状部２１ａと一体で形成されてもよい。

【0028】

ガス導入配管５１は、ガス供給源（図示せず）から処理容器１０内にガスを導入するために設けられる配管である。ガス導入配管５１は、一端がガス供給源に接続され、他端が処理容器１０に接続される。ガス導入配管５１の他端（先端）には、リテーナ５２が接続される。リテーナ５２の細い部分の周囲には、ナット５３が設けられる。リテーナ５２の先端部は、ナット５３と略同径であり、リテーナ５２の先端部がナット５３から抜けるのを制限する。ナット５３の先端部には、雄ねじ形成部５４が設けられる。

【0029】

フランジ部１２ｂを上下及び側面から覆うようにボトムフランジ５５が設けられる。ボトムフランジ５５は、ガスを処理容器１０内に導入するガス導入部であり、処理容器１０の所定箇所に設けられてよい。ボトムフランジ５５には、ポートブロック５６が設けられる。

【0030】

ポートブロック５６は、ガス導入配管５１がボトムフランジ５５に接続される際の中継接続部材として機能する。ポートブロック５６は、ガス導入配管５１が接続可能な接続機構を有する。例えば、ポートブロック５６は、ガス導入配管５１の先端を挿入可能な開口を有して構成され、挿入したガス導入配管５１の先端が固定接続可能なように、嵌合構造や、ねじ等の螺合締結構造を備えてよい。ポートブロック５６の開口の内壁面には、ねじ山が形成された雌ねじ形成部５７が設けられる。ポートブロック５６の雌ねじ形成部５７とナット５３の雄ねじ形成部５４とが螺合することで、ポートブロック５６にガス導入配管５１が接続される。その際、ナット５３が回転することにより、リテーナ５２に前進力が加えられ、Ｏリング５８が押圧される。

【0031】

図４から図６を参照し、ガスインジェクタ２１の具体的な構成例について説明する。ガスインジェクタ２２～２７についても、ガスインジェクタ２１と同じ構成を有してよい。

【0032】

図４は、第１構成例に係るガスインジェクタ２１を示す図である。図４に示されるように、第１構成例に係るガスインジェクタ２１は、第１管状部２１ａと、第２管状部２１ｂと、ブロック部材２１ｅとを有する。

【0033】

第１管状部２１ａ、第２管状部２１ｂ及びブロック部材２１ｅは、別体で形成される。第１管状部２１ａ及び第２管状部２１ｂは、それぞれブロック部材２１ｅに溶接される。これにより、第１管状部２１ａと第２管状部２１ｂとがブロック部材２１ｅを介して連結される。ブロック部材２１ｅは、下面が平坦である。ガスインジェクタ２１は、ブロック部材２１ｅの下面が支持部１１ｃの上面と接触して支持される。ブロック部材２１ｅは、前述した第１突起部２１ｃとして機能する。第２管状部２１ｂには、複数のガス吐出孔２１ｈが鉛直方向に沿って間隔をあけて設けられる。

【0034】

第１構成例に係るガスインジェクタ２１は、ガス導入配管５１から第１管状部２１ａに導入されるガスを、ブロック部材２１ｅを介して第２管状部２１ｂに輸送し、複数のガス吐出孔２１ｈから処理容器１０内に吐出する。

【0035】

図５は、第２構成例に係るガスインジェクタ２１を示す図である。図５に示されるように、第２構成例に係るガスインジェクタ２１は、図４に示されるブロック部材２１ｅに代えて、ベンド管２１ｆを有する。

【0036】

ベンド管２１ｆは、直角曲げ形状を有する。ベンド管２１ｆの一端は水平に延び、第１管状部２１ａと接続される。ベンド管２１ｆの他端は鉛直に延び、第２管状部２１ｂと接続される。第２構成例に係るガスインジェクタ２１は、ベンド管２１ｆが支持部１１ｃと接触して支持される。ベンド管２１ｆは、前述した第１突起部２１ｃとして機能する。

【0037】

第２構成例に係るガスインジェクタ２１は、ガス導入配管５１から第１管状部２１ａに導入されるガスを、ベンド管２１ｆを介して第２管状部２１ｂに輸送し、複数のガス吐出孔２１ｈから処理容器１０内に吐出する。

【0038】

図６は、第３構成例に係るガスインジェクタ２１を示す図である。図６に示されるように、第３構成例に係るガスインジェクタ２１は、図４に示されるブロック部材２１ｅに代えて、ベンド管２１ｇ及び支持板２１ｉを有する。

【0039】

ベンド管２１ｇは、Ｒ曲げ形状を有する。ベンド管２１ｇの一端は水平に延び、溶接等により第１管状部２１ａに接続される。ベンド管２１ｇの他端は鉛直に延び、溶接等により第２管状部２１ｂに接続される。

【0040】

支持板２１ｉは、溶接等によりベンド管２１ｇの下部に固定される。支持板２１ｉは、支持部１１ｃの上面と対向する下面を有し、下面が支持部１１ｃの上面と接触して支持される。支持板２１ｉは、前述した第１突起部２１ｃとして機能する。

【0041】

第３構成例に係るガスインジェクタ２１は、ガス導入配管５１から第１管状部２１ａに導入されるガスを、ベンド管２１ｇを介して第２管状部２１ｂに輸送し、複数のガス吐出孔２１ｈから処理容器１０内に吐出する。

【0042】

以上に説明したように、第１実施形態に係る基板処理装置１によれば、ガスインジェクタ２１が、貫通孔１１ｈよりも下方において筒状部１１ａの内壁面から内方に向けて張り出す支持部１１ｃによって支持される。この場合、ガスインジェクタ２１の重心Ｇから処理容器１０の中心までの水平距離が、ガスインジェクタ２１の支点Ｐから処理容器１０の中心までの水平距離よりも長くなる。これにより、自重によりガスインジェクタ２１が処理容器１０の中心側に傾く力が発生しない。このため、処理容器１０の中心側へのガスインジェクタ２１の倒れを抑制できる。

【0043】

これに対し、ガスインジェクタ２１が支持部１１ｃによって支持されない場合、ガスインジェクタ２１の支点Ｐがフランジ部１２ｂの内部に位置する。この場合、ガスインジェクタ２１の重心Ｇから処理容器１０の中心までの水平距離が、ガスインジェクタ２１の支点Ｐから処理容器１０の中心までの水平距離よりも短くなる。これにより、自重によりガスインジェクタ２１が処理容器１０の中心側に傾く力が働き、ガスインジェクタ２１が倒れる場合がある。

【0044】

〔第２実施形態〕
図７を参照し、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａについて説明する。図７は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａを示す断面図である。図７に示されるように、基板処理装置１Ａは、単管構造を有する点で、基板処理装置１と異なる。以下、基板処理装置１と異なる点を中心に説明する。

【0045】

基板処理装置１Ａは、処理容器１１０と、ガス供給部１２０と、排気部１３０と、加熱部１４０と、制御部１９０とを備える。

【0046】

処理容器１１０は、単管構造を有し、鉛直方向に沿って延びる縦型の反応管である。処理容器１１０は、例えば石英により形成される。処理容器１１０は、基板保持具１１１を収容する。基板保持具１１１は、基板Ｗを水平姿勢で鉛直方向に多段に整列した状態で保持する。基板保持具１１１は、例えば石英により形成される。基板Ｗは、例えば半導体ウエハである。処理容器１１０の下方には、排気ポート１１２が形成される。処理容器１１０は、下端が開口する。基板Ｗを載置した基板保持具１１１の搬入及び搬出は、処理容器１１０の下端の開口を介して行われる。処理容器１１０の下端は、ボトムフランジ１５５により支持される。ボトムフランジ１５５は、ガスインジェクタ１２１が取り付けられる箇所である。

【0047】

処理容器１１０の下方には、蓋体１１４が設けられる。蓋体１１４は、Ｏリング等のシール部材１１５を介して処理容器１１０の下端の開口を気密に塞ぐ。蓋体１１４の中央部には、磁性流体シール（図示せず）を介して回転軸１１６が貫通させて設けられる。回転軸１１６の下部は、ボートエレベータよりなる昇降機構１１７のアーム１１７ａに回転自在に支持される。回転軸１１６の上端には、回転プレート１１８が設けられる。回転プレート１１８は、載置台１１９を支持する。載置台１１９は、基板保持具１１１を支持する。回転プレート１１８及び載置台１１９は、例えば石英により形成される。昇降機構１１７は、基板保持具１１１及び蓋体１１４を一体で昇降させると共に、基板保持具１１１、回転プレート１１８及び載置台１１９を一体で回転させる。

【0048】

よって、蓋体１１４は、基板Ｗが載置された基板保持具１１１を支持した状態で昇降可能に構成され、基板保持具１１１を支持した状態で処理容器１１０の下端の開口を密閉可能に構成される。よって、基板保持具１１１の処理容器１１０内への搬入及び処理容器１１０内からの搬出は、蓋体１１４の上方に基板保持具１１１が支持された状態で蓋体１１４を昇降させることにより行われる。

【0049】

ガス供給部１２０は、ガスインジェクタ１２１を有する。ガスインジェクタ１２１は、処理容器１１０の内部に各種のガスを供給する。ガスインジェクタ１２１は、処理容器１１０の下端に設けられる貫通孔及びボトムフランジ１５５に設けられるガス導入ポートに処理容器１１０の内側から挿入される。ガスインジェクタ１２１は、処理容器１１０の内壁面に沿って鉛直に延びると共に、下部においてＬ字状に屈曲して水平に延びる。ガスインジェクタ１２１の水平に延びる部分の先端には、ガス導入配管１５１が接続される。ガス導入配管１５１には、上流側から順にガス供給源Ｇ１及びバルブＶ１が設けられる。ガスインジェクタ１２１には、ガス供給源Ｇ１からのガスがガス導入配管１５１を介して導入される。ガスインジェクタ１２１は、鉛直に延びる部分に設けられる複数のガス吐出孔から処理容器１１０内に各種のガスを供給する。ガスインジェクタ１２１は、例えば石英により形成される。ガス供給部１２０は、ガスインジェクタ１２１とは別に１又は２以上のガスインジェクタを更に有してもよい。

【0050】

排気部１３０は、排気配管１３１と、圧力調整弁１３２と、真空ポンプ１３３とを有する。排気部１３０は、排気ポート１１２に接続される。圧力調整弁１３２及び真空ポンプ１３３は、排気配管１３１に介設される。圧力調整弁１３２は、処理容器１１０内の圧力を調整する。真空ポンプ１３３は、処理容器１１０内のガスを排気する。

【0051】

加熱部１４０は、処理容器１１０の周囲に設けられる。加熱部１４０は、処理容器１１０を覆う。加熱部１４０は、略円筒形状を有する。加熱部１４０は、ヒータ１４１と、断熱材１４２と、筐体１４３とを有する。ヒータ１４１は、処理容器１１０内の各基板Ｗを加熱する。断熱材１４２は、外側から処理容器１１０及びヒータ１４１を覆うように設けられる。断熱材１４２は、ヒータ１４１の熱が外部に漏れることを防止する。筐体１４３は、断熱材１４２を覆う。筐体１４３の内部に断熱材１４２が充填され、外部に放出される熱を抑制する。

【0052】

制御部１９０は、基板処理装置１Ａの各部の動作を制御する。制御部１９０は、例えばコンピュータであってよい。基板処理装置１Ａの各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。

【0053】

図８を参照し、ガスインジェクタ１２１の取り付け構造について説明する。図８は、図７の基板処理装置１Ａの一部を拡大して示す図である。図８は、ガスインジェクタ１２１が処理容器１１０に取り付けられ、ガス導入配管１５１がボトムフランジ１５５に接続された状態を示す。

【0054】

処理容器１１０は、筒状部１１０ａと、フランジ部１１０ｂと、支持部１１０ｃとを有する。筒状部１１０ａは、有天井の略円筒形状を有する。フランジ部１１０ｂは、筒状部１１０ａの下部に設けられる。フランジ部１１０ｂは、例えば筒状部１１０ａと一体で形成される。フランジ部１１０ｂは、筒状部１１０ａと別体で形成されてもよい。フランジ部１１０ｂには、貫通孔１１０ｈが設けられる。貫通孔１１０ｈには、内壁面に対して隙間をあけてガスインジェクタ１２１が挿通される。貫通孔１１０ｈの内径は、ガスインジェクタ１２１の外径よりも僅かに大きくてよい。この場合、ガスインジェクタ１２１の取り付け公差を吸収できる。貫通孔１１０ｈの内壁面の例えば上部には、切り欠き１１０ｒが設けられる。切り欠き１１０ｒは、処理容器１１０の中心側の貫通孔１１０ｈの端部から貫通孔１１０ｈの長手方向に沿って延びる。切り欠き１１０ｒは、ガスインジェクタ１２１に対して第１管状部１２１ａの管軸回りに回転する力が作用したときに、第２突起部１２１ｄと接触して第１管状部１２１ａの管軸回りの回転を制限する制限部として機能する。

【0055】

支持部１１０ｃは、貫通孔１１０ｈよりも下方においてフランジ部１１０ｂの内壁面から内方に向けて張り出し、ガスインジェクタ１２１と接触して支持する。支持部１１０ｃは、例えば上方からの平面視でガスインジェクタ１２１の第２管状部１２１ｂと重なる位置でガスインジェクタ１２１と接触する。支持部１１０ｃは、例えば筒状部１１０ａと一体で形成される。支持部１１０ｃは、筒状部１１０ａと別体で形成されてもよい。

【0056】

ガスインジェクタ１２１は、第１管状部１２１ａと、第２管状部１２１ｂと、第１突起部１２１ｃと、第２突起部１２１ｄとを有する。

【0057】

第１管状部１２１ａは、貫通孔１１０ｈに挿通される。第１管状部１２１ａは、フランジ部１１０ｂを貫通して水平に延びる。第１管状部１２１ａは、ガスを通流させるガス流路を内部に形成する。

【0058】

第２管状部１２１ｂは、処理容器１１０内で筒状部１１０ａの内壁面に沿って鉛直に延びる。第２管状部１２１ｂは、ガスを通流させるガス流路を内部に形成する。第２管状部１２１ｂのガス流路は、第１管状部１２１ａのガス流路と連通する。第２管状部１２１ｂは、例えば第１管状部１２１ａと一体で形成される。ただし、第２管状部１２１ｂは、第１管状部１２１ａと別体で形成され、溶接等で接合されてもよい。

【0059】

第１突起部１２１ｃは、第２管状部１２１ｂの下端から下方に張り出し、支持部１１０ｃに支持される。この場合、ガスインジェクタ１２１の重心Ｇから処理容器１１０の中心までの水平距離が、ガスインジェクタ１２１の支点Ｐから処理容器１１０の中心までの水平距離よりも長くなる。これにより、自重によりガスインジェクタ１２１が処理容器１１０の中心側に傾く力が発生しない。このため、処理容器１１０の中心側へのガスインジェクタ１２１の倒れを抑制できる。第１突起部１２１ｃは、下面が支持部１１０ｃの上面と対向する平坦面を有し、支持部１１０ｃと面接触するよう構成される。ただし、第１突起部１２１ｃは、支持部１１０ｃの少なくとも一部と接触可能であればよく、例えば支持部１１０ｃと点接触するよう構成されてもよい。

【0060】

第２突起部１２１ｄは、第１管状部１２１ａの外壁面から径方向外側に向かって突出する。第２突起部１２１ｄは、ガスインジェクタ１２１が取り付けられた状態において、フランジ部１１０ｂの切り欠き１１０ｒと対応する位置に設けられる。第２突起部１２１ｄは、ガスインジェクタ１２１に対して第１管状部１２１ａの管軸回りに回転する力が作用したときに切り欠き１１０ｒと接触することで、ガスインジェクタ１２１が第１管状部１２１ａの管軸回りに回転することを制限する。

【0061】

ガス導入配管１５１、リテーナ１５２、ナット１５３、雄ねじ形成部１５４、ボトムフランジ１５５、ポートブロック１５６、雌ねじ形成部１５７及びＯリング１５８は、それぞれガス導入配管５１、リテーナ５２、ナット５３、雄ねじ形成部５４、ボトムフランジ５５、ポートブロック５６、雌ねじ形成部５７及びＯリング５８と同じ構成であってよい。

【0062】

ガスインジェクタ１２１の具体的な構成は、例えば図４から図６に示されるガスインジェクタ２１と同様であってよい。

【0063】

以上に説明したように、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａによれば、ガスインジェクタ１２１が、貫通孔１１０ｈよりも下方においてフランジ部１１０ｂの内壁面から内方に向けて張り出す支持部１１０ｃによって支持される。この場合、ガスインジェクタ１２１の重心Ｇから処理容器１１０の中心までの水平距離が、ガスインジェクタ１２１の支点Ｐから処理容器１１０の中心までの水平距離よりも長くなる。これにより、自重によりガスインジェクタ１２１が処理容器１１０の中心側に傾く力が発生しない。このため、処理容器１１０の中心側へのガスインジェクタ１２１の倒れを抑制できる。

【0064】

これに対し、ガスインジェクタ１２１が支持部１１０ｃによって支持されない場合、ガスインジェクタ１２１の支点Ｐがフランジ部１１０ｂの内部に位置する。この場合、ガスインジェクタ１２１の重心Ｇから処理容器１１０の中心までの水平距離が、ガスインジェクタ１２１の支点Ｐから処理容器１１０の中心までの水平距離よりも短くなる。これにより、自重によりガスインジェクタ１２１が処理容器１１０の中心側に傾く力が働き、ガスインジェクタ１２１が倒れる場合がある。

【0065】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0066】

１ 基板処理装置
１１ 内管
１１ｃ 支持部
２１～２７ ガスインジェクタ
２１ａ 第１管状部
１Ａ 基板処理装置
１１０ 処理容器
１１０ｃ 支持部
１２１ ガスインジェクタ
１２１ａ 第１管状部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】