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特開2024-129751半導体製造装置、突上げユニットおよび半導体装置の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024129751
(43)【公開日】2024-09-27
(54)【発明の名称】半導体製造装置、突上げユニットおよび半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/67 20060101AFI20240919BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20240919BHJP
H01L 21/52 20060101ALI20240919BHJP
【ＦＩ】
H01L21/68 E
H01L21/68 A
H01L21/52 F
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023039157
(22)【出願日】2023-03-13
(71)【出願人】
【識別番号】515085901
【氏名又は名称】ファスフォードテクノロジ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000350
【氏名又は名称】ポレール弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】齊藤 明
(72)【発明者】
【氏名】佐々 匠
(72)【発明者】
【氏名】小野 悠太
【テーマコード（参考）】
5F047
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F047FA04
5F047FA07
5F131AA04
5F131BA39
5F131BA53
5F131BA54
5F131CA09
5F131DA03
5F131DA13
5F131DA32
5F131DA33
5F131DA36
5F131DA42
5F131DB12
5F131DB22
5F131DB62
5F131DB72
5F131DC26
5F131EA02
5F131EA05
5F131EA07
5F131EA14
5F131EA15
5F131EA22
5F131EB01
5F131EB31
5F131EC33
5F131EC35
5F131EC72
5F131EC74
5F131EC75
5F131FA17
5F131FA32
5F131FA33
5F131KA14
5F131KA72
5F131KB09
5F131KB32
5F131KB53
5F131KB54
5F131KB55
(57)【要約】
【課題】ダイの損傷を低減することが可能な技術を提供することにある。
【解決手段】半導体製造装置は、ダイが貼付されるダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープを突上げるブロック部を有する突上げユニットと、を備える。前記ブロック部は、平面視において第一方向の長さが第二方向の長さより長く、複数の開口を有する外側ブロックと、前記開口の内側に配置される内側ブロックと、を備える。前記内側ブロックは前記第一方向に沿って並んで複数配置される。
【選択図】図７
【解決手段】半導体製造装置は、ダイが貼付されるダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープを突上げるブロック部を有する突上げユニットと、を備える。前記ブロック部は、平面視において第一方向の長さが第二方向の長さより長く、複数の開口を有する外側ブロックと、前記開口の内側に配置される内側ブロックと、を備える。前記内側ブロックは前記第一方向に沿って並んで複数配置される。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ダイが貼付されるダイシングテープを保持するウエハ保持台と、
前記ダイシングテープを突上げるブロック部を有する突上げユニットと、
を備え、
前記ブロック部は、
平面視において第一方向の長さが第二方向の長さより長く、複数の開口を有する外側ブロックと、
前記開口の内側に配置される内側ブロックと、
を備え、
前記内側ブロックは前記第一方向に沿って並んで複数配置される半導体製造装置。
前記ダイシングテープを突上げるブロック部を有する突上げユニットと、
を備え、
前記ブロック部は、
平面視において第一方向の長さが第二方向の長さより長く、複数の開口を有する外側ブロックと、
前記開口の内側に配置される内側ブロックと、
を備え、
前記内側ブロックは前記第一方向に沿って並んで複数配置される半導体製造装置。
【請求項2】
請求項１の半導体製造装置において、
前記外側ブロックに代えて、平面視において前記第一方向の長さが前記第二方向の長さより長く、一つの開口を有する外側ブロックを備え、
前記外側ブロックは前記ダイシングテープと接触する位置は断続的または間欠的である半導体製造装置。
前記外側ブロックに代えて、平面視において前記第一方向の長さが前記第二方向の長さより長く、一つの開口を有する外側ブロックを備え、
前記外側ブロックは前記ダイシングテープと接触する位置は断続的または間欠的である半導体製造装置。
【請求項3】
請求項１の半導体製造装置において、
前記外側ブロックに代えて、一つの開口を有する複数の外側ブロックを備え、
前記複数の外側ブロックは前記第一方向に沿って並んで配置され、
前記複数の外側ブロックのそれぞれには、同じ突上げ動作を行う前記内側ブロックが少なくとも一つ配置される半導体製造装置。
前記外側ブロックに代えて、一つの開口を有する複数の外側ブロックを備え、
前記複数の外側ブロックは前記第一方向に沿って並んで配置され、
前記複数の外側ブロックのそれぞれには、同じ突上げ動作を行う前記内側ブロックが少なくとも一つ配置される半導体製造装置。
【請求項4】
請求項１から３の何れか１項の半導体製造装置において、
前記内側ブロックは、平面視で円形である半導体製造装置。
前記内側ブロックは、平面視で円形である半導体製造装置。
【請求項5】
請求項１から３の何れか１項の半導体製造装置において、
前記内側ブロックの前記第二方向のサイズは０．１ｍｍ以上、１．５ｍｍ以下である半導体製造装置。
前記内側ブロックの前記第二方向のサイズは０．１ｍｍ以上、１．５ｍｍ以下である半導体製造装置。
【請求項6】
請求項１から３の何れか１項の半導体製造装置において、
前記内側ブロックは、平面視で多角形または楕円である半導体製造装置。
前記内側ブロックは、平面視で多角形または楕円である半導体製造装置。
【請求項7】
請求項６の半導体製造装置において、
平面視で多角形である前記内側ブロックの角部は円弧形状である半導体製造装置。
平面視で多角形である前記内側ブロックの角部は円弧形状である半導体製造装置。
【請求項8】
請求項１の半導体製造装置において、
前記内側ブロックは、複数の部材が同心状に配置されている半導体製造装置。
前記内側ブロックは、複数の部材が同心状に配置されている半導体製造装置。
【請求項9】
請求項１の半導体製造装置において、
前記内側ブロックは配置位置により平面視におけるサイズが異なる半導体製造装置。
前記内側ブロックは配置位置により平面視におけるサイズが異なる半導体製造装置。
【請求項10】
請求項１の半導体製造装置において、
前記外側ブロックの外周面は、突上げの中心軸に対して勾配を有し、前記外側ブロックの外周側の幅は下方に向かうに連れて広くなる半導体製造装置。
前記外側ブロックの外周面は、突上げの中心軸に対して勾配を有し、前記外側ブロックの外周側の幅は下方に向かうに連れて広くなる半導体製造装置。
【請求項11】
請求項１の半導体製造装置において、
さらに、前記外側ブロックおよび前記内側ブロックのそれぞれを独立して上昇および下降させる制御部を備える半導体製造装置。
さらに、前記外側ブロックおよび前記内側ブロックのそれぞれを独立して上昇および下降させる制御部を備える半導体製造装置。
【請求項12】
請求項１１の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記内側ブロックを両外側から中央に向けた順に下降させるよう構成される半導体製造装置。
前記制御部は、前記内側ブロックを両外側から中央に向けた順に下降させるよう構成される半導体製造装置。
【請求項13】
請求項１１の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記内側ブロックを一端から他端へ向けた順に下降させるよう構成される半導体製造装置。
前記制御部は、前記内側ブロックを一端から他端へ向けた順に下降させるよう構成される半導体製造装置。
【請求項14】
請求項１１の半導体製造装置において、
前記突上げユニットは、さらに、前記ブロック部の周辺に配置されるドームを有し、
前記制御部は、前記ドームによって前記ダイシングテープの吸着を行いながら前記内側ブロックの全体を上昇させた後、前記内側ブロックを両外側から順に下降させるよう構成される半導体製造装置。
前記突上げユニットは、さらに、前記ブロック部の周辺に配置されるドームを有し、
前記制御部は、前記ドームによって前記ダイシングテープの吸着を行いながら前記内側ブロックの全体を上昇させた後、前記内側ブロックを両外側から順に下降させるよう構成される半導体製造装置。
【請求項15】
請求項１１の半導体製造装置において、
前記制御部は、前記外側ブロックおよびすべての前記内側ブロックを上昇させた後、前記外側ブロックを下げながら前記内側ブロックをすべて上昇させるよう構成される半導体製造装置。
前記制御部は、前記外側ブロックおよびすべての前記内側ブロックを上昇させた後、前記外側ブロックを下げながら前記内側ブロックをすべて上昇させるよう構成される半導体製造装置。
【請求項16】
ダイシングテープを突上げるブロック部を備え、
前記ブロック部は、
平面視において第一方向の長さが第二方向の長さより長く、複数の開口を有する外側ブロックと、
前記開口の内側に配置される内側ブロックと、
を備え、
前記内側ブロックは前記第一方向に沿って並んで複数配置される突上げユニット。
前記ブロック部は、
平面視において第一方向の長さが第二方向の長さより長く、複数の開口を有する外側ブロックと、
前記開口の内側に配置される内側ブロックと、
を備え、
前記内側ブロックは前記第一方向に沿って並んで複数配置される突上げユニット。
【請求項17】
ダイが貼付されるダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープを突上げるブロック部を有する突上げユニットと、を備え、前記ブロック部は、平面視において第一方向の長さが第二方向の長さより長く、複数の開口を有する外側ブロックと、前記開口の内側に配置される内側ブロックと、を備え、前記内側ブロックは前記第一方向に沿って並んで複数配置される半導体製造装置に前記ダイシングテープを保持するウエハリングを搬入する工程と、
前記ダイシングテープから前記ダイを剥離する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
前記ダイシングテープから前記ダイを剥離する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は半導体製造装置に関し、例えば突き上げユニットを有するダイボンダに適用可能である。
【背景技術】
【0002】
半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハから分割されたダイをダイシングテープから剥離する剥離工程がある。剥離工程では、例えば、ダイシングテープ裏面から突上げユニットによってダイを突き上げて、ウエハ供給部に保持されたダイシングテープから、１個ずつ剥離し、ピックアップヘッドまたはボンドヘッドに設けられたコレット等の吸着ノズルを使ってダイがピックアップされる。
【0003】
例えば、突上げユニットは、複数のブロックを上下動させることでダイの周辺からダイシングテープを剥離している（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０２２－１１４３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
突上げユニットによってダイをダイシングテープから剥離する際に、ダイを損傷することがある。
【0006】
本開示の課題は、ダイの損傷を低減することが可能な技術を提供することにある。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、半導体製造装置は、ダイが貼付されるダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープを突上げるブロック部を有する突上げユニットと、を備える。前記ブロック部は、平面視において第一方向の長さが第二方向の長さより長く、複数の開口を有する外側ブロックと、前記開口の内側に配置される内側ブロックと、を備える。前記内側ブロックは前記第一方向に沿って並んで複数配置される。
すなわち、半導体製造装置は、ダイが貼付されるダイシングテープを保持するウエハ保持台と、前記ダイシングテープを突上げるブロック部を有する突上げユニットと、を備える。前記ブロック部は、平面視において第一方向の長さが第二方向の長さより長く、複数の開口を有する外側ブロックと、前記開口の内側に配置される内側ブロックと、を備える。前記内側ブロックは前記第一方向に沿って並んで複数配置される。
【発明の効果】
【0008】
本開示によれば、ダイの損傷を低減することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下、実施形態および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。
【0011】
半導体製造装置の一実施形態であるダイボンダの構成について図１から図３を用いて説明する。図１は実施形態におけるダイボンダの構成例を示す概略上面図である。図２は図１において矢印Ａ方向から見たときの概略構成を説明する図である。図３は図１に示すウエハ供給部の主要部を示す概略断面図である。
【0012】
ダイボンダ１は、大別して、ウエハ供給部１０と、ピックアップ部２０、中間ステージ部３０と、ボンディング部４０と、搬送部５０、基板供給部６０と、基板搬出部７０と、制御部（制御装置）８０と、を有する。Ｙ２－Ｙ１方向がダイボンダ１の前後方向であり、Ｘ２－Ｘ１方向が左右方向であり、Ｚ１－Ｚ２方向が上下方向である。ウエハ供給部１０がダイボンダ１の前側に配置され、ボンディング部４０が後側に配置される。
【0013】
ウエハ供給部１０は、ウエハカセットリフタ１１と、ウエハ保持台１２と、突上げユニット１３と、ウエハ認識カメラ１４とを有する。
【0014】
ウエハカセットリフタ１１は複数のウエハリングＷＲが格納されるウエハカセット（不図示）をウエハ搬送高さまで上下動させる。ウエハ修正シュート（不図示）はウエハカセットリフタ１１から供給されるウエハリングＷＲのアライメントを行う。ウエハエキストラクタ（不図示）はウエハリングＷＲをウエハカセットから取出してウエハ保持台１２に供給したり、ウエハ保持台１２から取り出してウエハカセットに収納したりする。
【0015】
ウエハ保持台１２は、ウエハリングＷＲを保持するエキスパンドリング１２１と、ウエハリングＷＲに保持されダイシングテープＤＴを水平に位置決めする支持リング１２２と、を有する。突上げユニット１３は支持リング１２２の内側に配置される。
【0016】
ダイシングテープＤＴ上にウエハＷが接着（貼付）されており、そのウエハＷは複数のダイＤに分割されている。ダイシングテープＤＴは可視光に対して透明である。ウエハＷとダイシングテープＤＴとの間にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）と呼ばれるフィルム状の接着材料ＤＦを貼り付けている。接着材料ＤＦは加熱することで硬化する。
【0017】
ウエハ保持台１２は図示しない駆動部によってＸ１－Ｘ２方向およびＹ１－Ｙ２方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置に移動させる。また、ウエハ保持台１２は図示しない駆動部によってＸＹ平面内においてウエハリングＷＲを回転させる。突上げユニット１３は図示しない駆動部によって上下方向に移動する。突上げユニット１３はダイシングテープＤＴからダイＤを剥離する。ウエハ保持台１２および突上げユニット１３はピックアップ装置を構成する。ピックアップ装置にピックアップ部２０を含めてもよい。
【0018】
ウエハ認識カメラ１４はウエハＷからピックアップするダイＤのピックアップ位置を把握したり、ダイＤの表面検査をしたりする。
【0019】
ピックアップ部２０は、ピックアップヘッド２１と、Ｙ駆動部２３と、を有する。ピックアップヘッド２１には、剥離されたダイＤを先端に吸着保持するコレット２２が設けられる。ピックアップヘッド２１はウエハ供給部１０からダイＤをピックアップし、中間ステージ３１に載置する。Ｙ駆動部２３はピックアップヘッド２１をＹ１－Ｙ２方向に移動させる。ピックアップ部２０は、ピックアップヘッド２１を昇降、回転及びＸ方向移動させる各駆動部（不図示）を有する。
【0020】
中間ステージ部３０は、ダイＤが載置される中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識するためのステージ認識カメラ３４と、を有する。中間ステージ３１は載置されたダイＤを吸着する吸引孔を備える。載置されたダイＤは中間ステージ３１に一時的に保持される。中間ステージ３１はダイＤが載置される載置ステージであると共に、ダイＤがピックアップされるピックアップステージでもある。
【0021】
ボンディング部４０は、ボンドヘッド４１と、Ｙ駆動部４３と、基板認識カメラ４４と、ボンドステージ４６と、を有する。ボンドヘッド４１にはダイＤを先端に吸着保持するコレット４２が設けられる。Ｙ駆動部４３はボンドヘッド４１をＹ１－Ｙ２方向に移動させる。基板認識カメラ４４は基板Ｓの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンド位置を認識する。ここで、基板Ｓには、最終的に一つのパッケージとなる、複数の製品エリア（以下、パッケージエリアＰという。）が形成されている。位置認識マークはパッケージエリアＰごとに設けられる。ボンドステージ４６は、基板ＳにダイＤが載置される際、上昇させられ、基板Ｓを下方から支える。ボンドステージ４６は基板Ｓを真空吸着するための吸引口（不図示）を有し、基板Ｓを固定することが可能である。ボンドステージ４６は基板Ｓを加熱する加熱部（不図示）を有する。ボンディング部４０は、ボンドヘッド４１を昇降、回転及びＸ方向移動させる各駆動部（不図示）を有する。
【0022】
このような構成によって、ボンドヘッド４１は、ステージ認識カメラ３４の撮像データに基づいてピックアップ位置や姿勢を補正し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップする。そして、ボンドヘッド４１は、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板ＳのパッケージエリアＰ上にボンドし、または既に基板ＳのパッケージエリアＰの上にボンドされたダイの上に積層する形でボンドする。
【0023】
搬送部５０は、基板Ｓを掴み搬送する搬送爪５１と、基板Ｓが移動する搬送レーン５２と、を有する。基板Ｓは、搬送レーン５２に設けられた搬送爪５１の図示しないナットを搬送レーン５２に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによってＸ方向に移動する。このような構成によって、基板Ｓは、基板供給部６０から搬送レーン５２に沿ってボンド位置まで移動し、ボンド後、基板搬出部７０まで移動して、基板搬出部７０に基板Ｓを渡す。
【0024】
基板供給部６０は、搬送治具に格納されて搬入された基板Ｓを搬送治具から取り出して搬送部５０に供給する。基板搬出部７０は、搬送部５０により搬送された基板Ｓを搬送治具に格納する。
【0025】
【0026】
制御系８は、制御部（制御装置）８０、駆動部８６、信号部８７、光学系８８等を備える。制御部８０は、大別して、主としてＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成される制御・演算装置８１と、記憶装置８２と、入出力装置８３と、バスライン８４と、電源部８５とを有する。記憶装置８２は、主記憶装置８２ａと補助記憶装置８２ｂとを有する。主記憶装置８２ａは、処理プログラムなどを記憶しているＲＡＭ（Random Access Memory）で構成されている。補助記憶装置８２ｂは、制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているＨＤＤ（Hard Disk Drive）やＳＳＤ（Solid State Drive）等で構成されている。
【0027】
入出力装置８３は、装置状態や情報等を表示するモニタ８３ａと、オペレータの指示を入力するタッチパネル８３ｂと、モニタ８３ａを操作するマウス８３ｃと、光学系８８からの画像データを取り込む画像取込装置８３ｄと、を有する。入出力装置８３は、さらに、モータ制御装置８３ｅと、Ｉ／Ｏ信号制御装置８３ｆと、を有する。モータ制御装置８３ｅは、ウエハ供給部１０のＸＹテーブル（図示せず）やボンドヘッドテーブルのＺＹ駆動軸、突上げユニット１３の駆動部等を制御する。Ｉ／Ｏ信号制御装置８３ｆは、種々のセンサや照明装置などの明るさを制御するスイッチやボリューム等を含む信号部８７から信号を取り込み又は制御する。光学系８８には、ウエハ認識カメラ１４、ステージ認識カメラ３４、基板認識カメラ４４が含まれる。制御・演算装置８１はバスライン８４を介して必要なデータを取込み、演算し、ピックアップヘッド２１等の制御や、モニタ８３ａ等に情報を送る。
【0028】
ダイボンダ１を用いた半導体装置の製造工程の一部（半導体装置の製造方法）について図５を用いて説明する。図５は図１に示すダイボンダを用いた半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。以下の説明において、ダイボンダ１を構成する各部の動作は制御部８０により制御される。
【0029】
（ウエハ搬入工程：工程Ｓ１）
ウエハリングＷＲがウエハカセットリフタ１１のウエハカセットに供給される。供給されたウエハリングＷＲがウエハ保持台１２に供給される。なお、ウエハＷは、予めプローバ等の検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイの良、不良を示すウエハマップデータが生成されている。このウエハマップデータは制御部８０の記憶装置に記憶される。
ウエハリングＷＲがウエハカセットリフタ１１のウエハカセットに供給される。供給されたウエハリングＷＲがウエハ保持台１２に供給される。なお、ウエハＷは、予めプローバ等の検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイの良、不良を示すウエハマップデータが生成されている。このウエハマップデータは制御部８０の記憶装置に記憶される。
【0030】
（基板搬入工程：工程Ｓ２）
基板Ｓが格納された搬送治具が基板供給部６０に供給される。基板供給部６０で搬送治具から基板Ｓが取り出され、基板Ｓが搬送爪５１に固定される。
基板Ｓが格納された搬送治具が基板供給部６０に供給される。基板供給部６０で搬送治具から基板Ｓが取り出され、基板Ｓが搬送爪５１に固定される。
【0031】
（ピックアップ工程：工程Ｓ３）
工程Ｓ１後、所望するダイＤをダイシングテープＤＴからピックアップできるようにウエハ保持台１２が動かされる。ウエハ認識カメラ１４によりダイＤが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイＤの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データを画像処理することによって、ダイボンダのダイ位置基準点からのウエハ保持台１２上のダイＤのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、ウエハ保持台１２の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データを画像処理することによって、ダイＤの表面検査が行われる。
工程Ｓ１後、所望するダイＤをダイシングテープＤＴからピックアップできるようにウエハ保持台１２が動かされる。ウエハ認識カメラ１４によりダイＤが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイＤの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データを画像処理することによって、ダイボンダのダイ位置基準点からのウエハ保持台１２上のダイＤのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、ウエハ保持台１２の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データを画像処理することによって、ダイＤの表面検査が行われる。
【0032】
位置決めされたダイＤは突上げユニット１３およびピックアップヘッド２１によりダイシングテープＤＴから剥離される。ダイシングテープＤＴから剥離されたダイＤは、ピックアップヘッド２１に設けられたコレット２２に吸着、保持されて、中間ステージ３１に搬送されて載置される。
【0033】
ステージ認識カメラ３４により中間ステージ３１の上のダイＤが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイＤの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データを画像処理することによって、ダイボンダのダイ位置基準点からの中間ステージ３１上のダイＤのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出されて位置決めが行われる。なお、ダイ位置基準点は、予め、中間ステージ３１の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データを画像処理することによって、ダイＤの表面検査が行われる。
【0034】
ダイＤを中間ステージ３１に搬送したピックアップヘッド２１はウエハ供給部１０に戻される。上述した手順に従って、次のダイＤがダイシングテープＤＴから剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープＤＴから１個ずつダイＤが剥離される。
【0035】
（ボンド工程：工程Ｓ４）
搬送部５０により基板Ｓがボンドステージ４６に搬送される。ボンドステージ４６上に載置された基板Ｓが基板認識カメラ４４により撮像され、撮影によって取得された画像データに基づいて基板Ｓの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダ１の基板位置基準点からの基板Ｓのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出される。なお、基板位置基準点は、予め、ボンディング部４０の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データが画像処理されることによって、基板Ｓの表面検査が行われる。
搬送部５０により基板Ｓがボンドステージ４６に搬送される。ボンドステージ４６上に載置された基板Ｓが基板認識カメラ４４により撮像され、撮影によって取得された画像データに基づいて基板Ｓの位置決めおよび表面検査が行われる。画像データが画像処理されることによって、ダイボンダ１の基板位置基準点からの基板Ｓのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）が算出される。なお、基板位置基準点は、予め、ボンディング部４０の所定の位置を装置の初期設定として保持されている。画像データが画像処理されることによって、基板Ｓの表面検査が行われる。
【0036】
工程Ｓ３において算出された中間ステージ３１上のダイＤのずれ量からボンドヘッド４１の吸着位置が補正されてダイＤがコレット４２により吸着される。中間ステージ３１からダイＤを吸着したボンドヘッド４１によりボンドステージ４６に支持された基板Ｓの所定箇所にダイＤがボンドされる。ここで、基板Ｓの所定箇所は、基板ＳのパッケージエリアＰ、または、すでに素子が載置されており、それに加える形で素子をボンドする際の領域、または、積層ボンドする素子のボンド領域である。基板認識カメラ４４により基板ＳにボンドされたダイＤが撮影され、撮影により取得された画像データに基づいてダイＤが所望の位置にボンドされたかどうか等の検査が行われる。
【0037】
ダイＤを基板Ｓにボンドしたボンドヘッド４１は中間ステージ３１に戻される。上述した手順に従って、次のダイＤが中間ステージ３１からピックアップされ、基板Ｓにボンドされる。これが繰り返されて基板ＳのすべてのパッケージエリアＰにダイＤがボンドされる。
【0038】
（基板搬出工程：工程Ｓ５）
ダイＤがボンドされた基板Ｓが基板搬出部７０に搬送される。基板搬出部７０で搬送爪５１から基板Ｓが取り出されて搬送治具に格納される。ダイボンダ１から基板Ｓが格納されている搬送治具が搬出される。
ダイＤがボンドされた基板Ｓが基板搬出部７０に搬送される。基板搬出部７０で搬送爪５１から基板Ｓが取り出されて搬送治具に格納される。ダイボンダ１から基板Ｓが格納されている搬送治具が搬出される。
【0039】
上述したように、ダイＤは、基板Ｓ上に実装され、ダイボンダ１から搬出される。その後、例えば、ダイＤが実装された基板Ｓが格納された搬送治具がワイヤボンディング工程に搬送され、ダイＤの電極はＡｕワイヤ等を介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。そして、基板Ｓがモールド工程に搬送され、ダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、半導体パッケージが完成する。
【0040】
積層ボンドする場合は、ワイヤボンディング工程に続いて、ダイＤが実装された基板Ｓが載置格納された搬送治具がダイボンダに搬入されて基板Ｓ上に実装されたダイＤの上にダイＤが積層される。そして、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。第二段目より上のダイＤは、上述した方法でダイシングテープＤＴから剥離された後、ボンディング部に搬送されてダイＤの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Ｓがモールド工程に搬送され、複数個のダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、積層パッケージが完成する。
【0041】
【0042】
突上げユニット１３は、円筒状のドーム１３２にブロック部１３１が設けられている。ドーム１３２の上面の周辺部には、複数の吸引口１３２１と、複数の吸引口１３２１を連結する複数の溝１３２２と、が設けられている。吸引口１３２１の内部は、突上げユニット１３を上昇させてその上面をダイシングテープＤＴの裏面に接触させる際、図示しない吸引機構によって減圧される。このとき、ダイシングテープＤＴの裏面が下方に吸引され、ドーム１３２の上面と密着する。
【0043】
ドーム１３２の中心部には、ダイシングテープＤＴを上方に突き上げるブロックＢ０～Ｂ４を有するブロック部１３１が組み込まれている。ブロックＢ０は四角柱状であり、Ｚ１－Ｚ２方向に貫通する複数の四角状の開口を有する。ブロックＢ１～Ｂ４は四角柱状であり、ブロックＢ０の開口の中に配置される。ブロックＢ１～Ｂ４は平面視において四角状である。
【0044】
ブロックＢ０の外周は、ダイＤの外周と同程度か僅かに大きいサイズである。言い換えると、ブロックＢ０のＹ１－Ｙ２方向の長さ（短辺方向の長さ、幅）はダイＤのＹ１－Ｙ２方向の長さ（短辺方向の長さ、幅）と略同じであり、ブロックＢ０のＸ１－Ｘ２方向の長さ（長辺方向の長さ）はダイＤのＸ１－Ｘ２方向の長さ（長辺方向の長さ）と略同じである。
【0045】
図６に示すように、ブロックＢ０～Ｂ４は駆動部１３３の駆動軸ＮＤ０～ＮＤ４により独立に上下運動が可能である。駆動部１３３は、図示しないモータとモータの回転をカムまたはリンクによって上下動に変換するプランジャ機構とを四組備え、駆動軸ＮＤ０～ＮＤ４に上下動を与える。
【0046】
次に、突上げユニット１３の動作の設定方法および制御について説明する。
【0047】
タイムチャートレシピに基づいて制御部８０はブロックＢ０～Ｂ４をそれぞれ駆動する駆動軸ＮＤ０～ＮＤ４を制御するよう構成される。タイムチャートレシピは、突上げユニット１３のブロックＢ０～Ｂ４の動作を、ブロック毎およびステップ毎にステップの時間、ブロックの上昇または下降の速度、ブロックの高さ（位置）が設定される。
【0048】
設定項目の異なる複数のタイムチャートレシピを用意しておき、ユーザは、ＧＵＩ（Graphical User Interface）によって複数のタイムチャートレシピから一つのタイムチャートレシピを選択し、選択したタイムチャートレシピの項目に設定値を入力する。または、ユーザは、予め設定値が入力されたタイムチャートレシピを外部機器からダイボンダ等の半導体製造装置にデータ通信するか、または、外部記憶装置から半導体製造装置にインストールする。外部記憶装置は、例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリである。
【0049】
上述したように、タイムチャートレシピの設定により、突上げユニット１３の各ブロックＢ０～Ｂ７の動作を突上げ動作ステップの中で自由に設定することが可能であり、突上げユニット１３は種々の動作が可能である。
【0050】
【0051】
（第零ステップ：ＳＴＥＰ０）
ピックアップ動作はダイシングテープＤＴ上の目的とするダイＤが突上げユニット１３とコレット２２に位置決めされるところから開始する。制御部８０は、位置決めが完了すると突上げユニット１３の吸引口１３２１およびブロックＢ０～Ｂ４の間隙を介して真空引きすることによって、ダイシングテープＤＴを突上げユニット１３の上面に吸着する。このとき、ブロックＢ０～Ｂ４の上面はドーム１３２の上面と同一の高さ（初期位置）にある。制御部８０は、その状態で図示しない真空供給源から真空を供給し、コレット２２をダイＤのデバイス面に向けて真空引きしながら降下させ、着地させる。
ピックアップ動作はダイシングテープＤＴ上の目的とするダイＤが突上げユニット１３とコレット２２に位置決めされるところから開始する。制御部８０は、位置決めが完了すると突上げユニット１３の吸引口１３２１およびブロックＢ０～Ｂ４の間隙を介して真空引きすることによって、ダイシングテープＤＴを突上げユニット１３の上面に吸着する。このとき、ブロックＢ０～Ｂ４の上面はドーム１３２の上面と同一の高さ（初期位置）にある。制御部８０は、その状態で図示しない真空供給源から真空を供給し、コレット２２をダイＤのデバイス面に向けて真空引きしながら降下させ、着地させる。
【0052】
（第一ステップ：ＳＴＥＰ１）
その後、制御部８０は、ブロックＢ０～Ｂ４を同時に所定の速度（ｓ１）で所定の高さ（Ｈ２）まで上昇させる。ここで、ダイＤはコレット２２とブロックＢ０～Ｂ４に挟まれたまま上昇するが、ダイシングテープＤＴの周辺部は突上げユニット１３の周辺であるドーム１３２の吸引口１３２１に真空吸着されたままなので、ダイＤの周辺で張力が生じる。その結果、ダイＤ周辺でダイシングテープＤＴの剥離が開始されることになる。
その後、制御部８０は、ブロックＢ０～Ｂ４を同時に所定の速度（ｓ１）で所定の高さ（Ｈ２）まで上昇させる。ここで、ダイＤはコレット２２とブロックＢ０～Ｂ４に挟まれたまま上昇するが、ダイシングテープＤＴの周辺部は突上げユニット１３の周辺であるドーム１３２の吸引口１３２１に真空吸着されたままなので、ダイＤの周辺で張力が生じる。その結果、ダイＤ周辺でダイシングテープＤＴの剥離が開始されることになる。
【0053】
（第二ステップ：ＳＴＥＰ２）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ０をドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ０をドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。
【0054】
（第三ステップ：ＳＴＥＰ３）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0055】
（第四ステップ：ＳＴＥＰ４）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ２がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ２がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ２がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ２がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0056】
（第五ステップ：ＳＴＥＰ５）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ３がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ３がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ３がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ３がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0057】
その後、制御部８０はコレット２２を上方に引き上げると共に、ブロックＢ４を所定の速度（ｓ３）で下降させ初期位置に戻す。これにより、ダイＤをダイシングテープＤＴから剥がす作業が完了する。
【0058】
上述の突上げシーケンス（動作）を本明細書ではＲＭＳ（Reverse Multi Step）という。
【0059】
突上げユニット１３は、高アスペクト比、例えば、アスペクト比が５：１以上のダイに適用可能である。例えば、ＬＣＤ（liquid crystal display）ドライバ用のダイに適用可能である。また、アスペクト比が５：１未満であっても、短辺側の長さ（幅）が狭いダイに適用可能である。
【0060】
例えば、ブロックＢ０がダイシングテープＤＴと接触する箇所である外枠の幅（オーバハング量）を０．２ｍｍ程度とし、ブロックＢ１～Ｂ４のＹ１－Ｙ２方向の長さ（幅）を０．１ｍｍ以上とし、ブロック間の隙間を考慮すると、最小幅が０．６ｍｍ程度のダイに対応することが可能である。Ｙ１－Ｙ２方向における突上げブロックは二段であるので、ブロックＢ１～Ｂ４の幅は大きくし過ぎないのが好ましく、例えば、１．５ｍｍ以下が好ましい。この場合、ダイの最大幅は２ｍｍ程度である。
【0061】
実施形態によれば、短辺（幅）の狭い突上げブロックに対しても二段以上での突き上げることが可能であるので、幅が小さいダイにおける突上げにおいてダイの損傷を低減することが可能になる。長辺に対しては更に多くの段数での突上げが可能になり、外側のブロックを下げたときのオーバハングを小さくできるのでダイの割れや欠けなどの損傷（不良）の低減が可能になる。ここで、オーバハングとは、ダイシングテープＤＴと接触している最も外側のブロックの端部よりダイＤの外周が外側に突き出ていることをいう。
【0062】
＜変形例＞
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施例の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
【0063】
【0064】
第一変形例における突上げシーケンスは、第一ステップ（ＳＴＥＰ１）以外は実施形態と同様である。
【0065】
第一変形例における突上げシーケンスでは、実施形態の第一ステップにおいて、制御部８０はブロックＢ０を所定の高さ（Ｈ１）で止めて（ＳＴＥＰ１ａ）、ブロックＢ１～Ｂ４を所定の高さ（Ｈ２）までさらに上げる（ＳＴＥＰ１ｂ）。これにより、ブロックＢ０を剥離起点として機能させるとき、そのあとのブロックＢ１～Ｂ４の上昇時に段差が大きくならず、周辺のダイＤの変形と剥離対象のダイＤの変形を低減できる。これにより、剥離対象のダイＤおよび周辺のダイＤのストレスを小さくし、ダイＤの割れや欠け等の損傷を防止できる。
【0066】
また、ブロックＢ１～Ｂ４のＨ１からＨ２への上昇に並行してブロックＢ０を下げるのが好ましい。これにより、ダイＤの剥離速度を高めることが可能である。
【0067】
（第二変形例）
図１０は第二変形例における突上げユニットのブロック部の上面図である。
図１０は第二変形例における突上げユニットのブロック部の上面図である。
【0068】
実施形態では、内側のブロックＢ１～Ｂ４は平面視で見た場合、四角状である。他方、第二変形例では、内側のブロックブロックＢ１～Ｂ４は平面視で見た場合、円形である。内側のブロックＢ１～Ｂ４は円柱状のブロックである。
【0069】
内側のブロックＢ１～Ｂ４を円柱状にすることにより、径を０．６ｍｍ程度にすることが可能であり、実施形態におけるブロックＢ１～Ｂ４の幅よりも小さくすることが可能である。
【0070】
（第三変形例）
図１１は第三変形例における内側のブロックの上面図である。
図１１は第三変形例における内側のブロックの上面図である。
【0071】
内側のブロックＢ１～Ｂ４の平面視の形状は、図１１に示すように、六角形や八角形等の多角形であってもよいし、楕円形であってもよい。また、多角形（実施形態の四角形も含む）の場合、角部に曲面を設けるのが好ましい。これにより、角部のバリ等に起因するブロックの損傷を防止できる。
【0072】
（第四変形例）
図１２は第四変形例における突上げユニットのブロック部の上面図である。
図１２は第四変形例における突上げユニットのブロック部の上面図である。
【0073】
第二変形例では、外側のブロックＢ０は複数の開口を有し、外側のブロックＢ０は内側のブロックＢ１～Ｂ４のすべての側面を囲っている。他方、第四変形例では、外側のブロックＢ０は一つの開口を有し、外側のブロックＢ０のダイシングテープＤＴとの接触面は、断続的や間欠的に構成される。ブロックＢ１の側面には、ダイＤの長辺と短辺とで構成される四つの角部付近にブロックＢ０がある。ブロックＢ２～Ｂ４のダイＤの長辺側の側面のみにブロックＢ０がある。ブロックＢ０を引き下げたとき、ブロックＢ１～Ｂ４の近傍などの選択的な剥離起点形成が可能となる。
【0074】
（第五変形例）
第五変形例における突上げユニット１３の構成にについて図１３および図１４を用いて説明する。図１３は第五変形例における突上げユニットの要部断面を模式的に示す図である。図１４は図１３に示す突上げユニットのブロック部の上面図である。
第五変形例における突上げユニット１３の構成にについて図１３および図１４を用いて説明する。図１３は第五変形例における突上げユニットの要部断面を模式的に示す図である。図１４は図１３に示す突上げユニットのブロック部の上面図である。
【0075】
実施形態では、内側の七個のブロックは動作が異なる四種類のブロックＢ１～Ｂ４で構成される例を説明した。他方、第五変形例では、内側の七個のブロックは動作が異なる七種類のブロックＢ１～Ｂ７で構成される。Ｘ２側からＸ１側にブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ７の順に配置される。第五変形例では、駆動軸ＮＤ０～ＮＤ７を用いてブロックＢ０～Ｂ７を上下動させる。駆動部１３３は、図示しないモータとモータの回転をカムまたはリンクによって上下動に変換するプランジャ機構とを八組備え、駆動軸ＮＤ０～ＮＤ４に上下動を与える。
【0076】
【0077】
第零ステップ（ＳＴＥＰ０）から第二ステップ（ＳＴＥＰ２）は実施形態の図８に示す突上げシーケンスと同様の動作を行う。
【0078】
（第三ステップ：ＳＴＥＰ３）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0079】
（第四ステップ：ＳＴＥＰ４）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ２がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ２がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ２がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ２がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0080】
（第五ステップ：ＳＴＥＰ５）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ３がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ３がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ３がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ３がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0081】
（第六ステップ：ＳＴＥＰ６）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ４がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ４がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ４がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ４がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0082】
（第七ステップ：ＳＴＥＰ７）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ５がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ５がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ５がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ５がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0083】
（第八ステップ：ＳＴＥＰ８）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ６がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ６がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ６がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ６がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0084】
その後、制御部８０はコレット２２を上方に引き上げると共に、ブロックＢ７を所定の速度（ｓ３）で下降させ初期位置に戻す。これにより、ダイＤをダイシングテープＤＴから剥がす作業が完了する。
【0085】
第五変形例によれば、内側のブロックが一端から他端に向け順に作動するスライド動作によるダイの剥離が可能となる。なお、第五変形例では、実施形態におけるＲＭＳ動作も可能である。
【0086】
【0087】
第五変形例では、内側の七個のブロックは動作が異なる七種類のブロックＢ１～Ｂ７で構成される例を説明した。他方、第六変形例では、内側の七個のブロックは動作が異なる三種類のブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３で構成される。Ｘ２側からＸ１側にブロックＢ１，Ｂ１，Ｂ２，Ｂ２，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ３の順に配置される。第六変形例では、駆動軸ＮＤ０～ＮＤ３を用いてブロックＢ０～Ｂ３を上下動させる。
【0088】
第六変形例における突上げユニット１３の動作について説明する。突上げユニット１３は実施形態の図８に示す突上げシーケンスの第零ステップ（ＳＴＥＰ０）から第二ステップ（ＳＴＥＰ２）と同様の動作を行う。
【0089】
（第三ステップ：ＳＴＥＰ３）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0090】
（第四ステップ：ＳＴＥＰ４）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ２がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ２がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ２がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ２がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0091】
その後、制御部８０はコレット２２を上方に引き上げると共に、ブロックＢ３を所定の速度（ｓ３）で下降させ初期位置に戻す。これにより、ダイＤをダイシングテープＤＴから剥がす作業が完了する。
【0092】
第六変形例では、内側のブロックが隣り合うブロックをグループに構成されるので、駆動軸の数を削減することができる。
【0093】
【0094】
第三変形例では、内側のブロックＢ１～Ｂ４は円柱状のブロックである。他方、第七変形例では、内側のブロックＢ１～Ｂ４は円筒形のブロック（パイプ）であり、その中にブロックＢ５～Ｂ８が設けれる。ブロックＢ５～Ｂ８は円柱状のブロック（ピン）である。例えば、細パイプのブロックＢ１～Ｂ４に極細ピンのブロックＢ５～Ｂ８を同心状に挿入して構成される。第七変形例では、駆動軸ＮＤ０～ＮＤ８を用いてブロックＢ０～Ｂ８を上下動させる。
【0095】
第七変形例における突上げユニット１３はＲＭＳ動作を行う。第七変形例における第零ステップ（ＳＴＥＰ０）から第二ステップ（ＳＴＥＰ２）は実施形態の図８に示す突上げシーケンスの第零ステップ（ＳＴＥＰ０）から第二ステップ（ＳＴＥＰ２）と同様の動作を行う。ただし、ブロックＢ５～Ｂ７はブロックＢ１～Ｂ４と同様の動作を行う。
【0096】
第七変形例における第三ステップ（ＳＴＥＰ３）から第五ステップ（ＳＴＥＰ５）は実施形態の図８に示す突上げシーケンスの第三ステップ（ＳＴＥＰ３）から第五ステップ（ＳＴＥＰ５）と同様の動作を行う。
【0097】
（第六ステップ：ＳＴＥＰ６）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ５がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ５がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ５がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ５がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0098】
（第七ステップ：ＳＴＥＰ７）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ６がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ６がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ６がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ６がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0099】
（第八ステップ：ＳＴＥＰ８）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ７がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ７がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ７がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ７がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0100】
その後、制御部８０はコレット２２を上方に引き上げると共に、ブロックＢ８を所定の速度（ｓ３）で下降させ初期位置に戻す。これにより、ダイＤをダイシングテープＤＴから剥がす作業が完了する。
【0101】
ブロック部１３１のＹ１－Ｙ２方向のブロック段数が実施形態よりも多いので、オーバハングを低減することができる。
【0102】
【0103】
第七変形例では、内側の十四個のブロックは動作が異なる八種類のブロックＢ１～Ｂ８で構成される例を説明した。他方、第八変形例では、内側の十四個のブロックは動作が異なる十四種類のブロックＢ１～Ｂ１４で構成される。Ｘ２側からＸ１側にブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ７の順に配置される。ブロックＢ１～Ｂ７のそれぞれの中にブロックＢ８～Ｂ１４が設けれる。第八変形例では、駆動軸ＮＤ０～ＮＤ１４を用いてブロックＢ０～Ｂ１４を上下動させる。
【0104】
第八変形例における突上げユニット１３の動作は第七変形例とは異なり、第五変形例と同様のスライド動作を行う。第八変形例における突上げユニット１３の動作について説明する。
【0105】
第八変形例における第零ステップ（ＳＴＥＰ０）から第二ステップ（ＳＴＥＰ２）は第四変形例の図１３に示す突上げシーケンスの第零ステップ（ＳＴＥＰ０）から第二ステップ（ＳＴＥＰ２）と同様の動作を行う。ただし、ブロックＢ５～Ｂ１４はブロックＢ１～Ｂ７と同様の動作を行う。
【0106】
第八変形例における第三ステップ（ＳＴＥＰ３）から第八ステップ（ＳＴＥＰ８）は第五変形例の図１５に示す突上げシーケンスの第三ステップ（ＳＴＥＰ３）から第八ステップ（ＳＴＥＰ８）と同様の動作を行う。
【0107】
（第九ステップ：ＳＴＥＰ９）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ８がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ８がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ８がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ８がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0108】
（第十ステップ：ＳＴＥＰ１０）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ９がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ９がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ９がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ９がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0109】
（第十一ステップ：ＳＴＥＰ１１）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１０がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１０がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１０がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１０がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0110】
（第十二ステップ：ＳＴＥＰ１２）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１１がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１１がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１１がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１１がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0111】
（第十三ステップ：ＳＴＥＰ１３）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１２がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１２がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１２がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１２がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0112】
（第十四ステップ：ＳＴＥＰ１４）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１３がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１３がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１３がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ１３がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0113】
その後、制御部８０はコレット２２を上方に引き上げると共に、ブロックＢ１４を所定の速度（ｓ３）で下降させ初期位置に戻す。これにより、ダイＤをダイシングテープＤＴから剥がす作業が完了する。
【0114】
ブロック部１３１のＹ１－Ｙ２方向のブロック段数が実施形態よりも多いので、にオーバハングを低減することができる。
【0115】
（第九変形例）
図２２は第九変形例における突上げユニットのブロック部の上面図である。
図２２は第九変形例における突上げユニットのブロック部の上面図である。
【0116】
第二変形例では、内側のブロックＢ１～Ｂ４は同一の径の円柱状のブロックである。他方、第七変形例では、内側のブロックＢ１～Ｂ４の径（サイズ）をブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４の順に小さくする。第七変形例では、突上げユニット１３はＲＭＳ動作を行うので、ダイＤのダイシングテープＤＴからの剥離が進むにしたがって、オーバハング量を変えられる（大きくすることができる）。
【0117】
（第十変形例）
図２３は第十変形例における突上げユニットのブロック部の上面図である。
図２３は第十変形例における突上げユニットのブロック部の上面図である。
【0118】
第九変形例では、ＲＭＳ動作を行う。他方、第十変形例では、スライド動作を行う。第十変形例では、内側のブロックＢ１～Ｂ７はＸ２側からＸ１側にブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ７の順に配置される。第十変形例では、内側のブロックＢ１～Ｂ７の径（サイズ）をブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５，Ｂ６，Ｂ７の順に小さくする。これにより、ダイＤのダイシングテープＤＴからの剥離が進むにしたがって、オーバハング量を変えられる（大きくすることができる）。
【0119】
【0120】
第六変形例では、一つの外側のブロックＢ０の内側にブロックＢ１～Ｂ３が配置される。他方、第十一変形例では、外側のブロックＢ０は、内側のブロックＢ３～Ｂ５毎に三つに分割して、ブロックＢ０，Ｂ１，Ｂ２で構成される。ブロックＢ０，Ｂ１，Ｂ２はそれぞれ一つの開口を有し、Ｘ１－Ｘ２方向に沿って並んで配置される。外側のブロックＢ０は二つのブロックＢ５の周りを取り囲み、外側のブロックＢ１は三つのブロックＢ４の周りを取り囲み、外側のブロックＢ２は二つのブロックＢ３の周りを取り囲む。第十一変形例では、駆動軸ＮＤ０～ＮＤ５を用いてブロックＢ０～Ｂ５を上下動させる。
【0121】
第十一変形例における突上げユニット１３の動作について説明する。第十一変形例における第零ステップ（ＳＴＥＰ０）および第一ステップ（ＳＴＥＰ１）は第六変形例の第零ステップ（ＳＴＥＰ０）および第一ステップ（ＳＴＥＰ１）と同様の動作を行う。ただし、第十一変形例のブロックＢ０～Ｂ２は第六変形例のブロックＢ０と同様の動作を行う。第十一変形例のブロックＢ３～Ｂ５は第六変形例のブロックＢ１～Ｂ３と同様の動作を行う。
【0122】
（第二ステップ：ＳＴＥＰ２）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ０をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ０をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
【0123】
（第三ステップ：ＳＴＥＰ３）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
【0124】
（第四ステップ：ＳＴＥＰ４）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ２をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ２をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
【0125】
（第五ステップ：ＳＴＥＰ５）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ３がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ３がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ３がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ３がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0126】
（第六ステップ：ＳＴＥＰ６）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ４がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ４がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ４がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ４がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0127】
その後、制御部８０はコレット２２を上方に引き上げると共に、ブロックＢ５を所定の速度（ｓ３）で下降させ初期位置に戻す。これにより、ダイＤをダイシングテープＤＴから剥がす作業が完了する。
【0128】
これにより、剥離の進行に伴い、複数のタイミングで外周剥離起点を作ることができる。
【0129】
【0130】
第十一変形例では、外側のブロックＢ０は二つのブロックＢ５の周りを取り囲み、外側のブロックＢ１は三つのブロックＢ４の周りを取り囲み、外側のブロックＢ２は二つのブロックＢ３の周りを取り囲む。他方、第十二変形例では、外側のブロックＢ０は一つのブロックＢ５の周りを取り囲み、外側のブロックＢ１は一つのブロックＢ６の周りを取り囲む。外側のブロックＢ２は一つのブロックＢ７の周りを取り囲み、外側のブロックＢ３は一つのブロックＢ８の周りを取り囲み、外側のブロックＢ４は一つのブロックＢ９の周りを取り囲む。第十二変形例では、駆動軸ＮＤ０～ＮＤ９を用いてブロックＢ０～Ｂ９を上下動させる。
【0131】
第十二変形例における突上げユニット１３の動作について説明する。第十二変形例における第零ステップ（ＳＴＥＰ０）および第一ステップ（ＳＴＥＰ１）は第五変形例の第零ステップ（ＳＴＥＰ０）および第一ステップ（ＳＴＥＰ１）と同様の動作を行う。ただし、第十二変形例のブロックＢ０～Ｂ４は第五変形例のブロックＢ０と同様の動作を行う。第十二変形例のブロックＢ５～Ｂ９は第五変形例のブロックＢ１～Ｂ３と同様の動作を行う。
【0132】
（第二ステップ：ＳＴＥＰ２）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ０をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ０をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
【0133】
（第三ステップ：ＳＴＥＰ３）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ１をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
【0134】
（第四ステップ：ＳＴＥＰ４）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ２をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ２をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
【0135】
（第五ステップ：ＳＴＥＰ５）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ３をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ３をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
【0136】
（第六ステップ：ＳＴＥＰ６）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ４をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ４をドーム１３２の上面と同じ高さまで一定の速度（ｓ２）で下降させる。
【0137】
（第七ステップ：ＳＴＥＰ７）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ５がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ５がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ５がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ５がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0138】
（第八ステップ：ＳＴＥＰ８）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ６がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ６がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ６がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ６がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0139】
（第九ステップ：ＳＴＥＰ９）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ７がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ７がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ７がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ７がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0140】
（第十ステップ：ＳＴＥＰ１０）
続いて、制御部８０は、ブロックＢ８がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ８がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
続いて、制御部８０は、ブロックＢ８がドーム１３２の上面と同じ高さまで所定の速度（ｓ２）で下降させる。ここで、ブロックＢ８がドーム１３２の上面の高さまで下がることにより、ダイシングテープＤＴの支えがなくなり、ダイシングテープＤＴの張力によりダイシングテープＤＴの剥離がさらに進行する。
【0141】
その後、制御部８０はコレット２２を上方に引き上げると共に、ブロックＢ９を所定の速度（ｓ３）で下降させ初期位置に戻す。これにより、ダイＤをダイシングテープＤＴから剥がす作業が完了する。
【0142】
これにより、剥離の進行に伴い、複数のタイミングで外周剥離起点を作ることができる。
【0143】
（第十三変形例）
図２８は第十三変形例における突上げユニットの要部断面図である。
図２８は第十三変形例における突上げユニットの要部断面図である。
【0144】
実施形態では、外側のブロックＢ０の外周部の断面は長方形である。他方、第十三変形例では、外側のブロックＢ０の外周部の断面は台形形状である。これにより、ブロックＢ０の強度を高めることができる。
【0145】
（第十四変形例）
図２９は第十四変形例における突上げユニットの要部断面図である。
図２９は第十四変形例における突上げユニットの要部断面図である。
【0146】
第十三変形例では、外側のブロックＢ０の外周部の断面は台形形状である。他方、第十四変形例では、ブロックＢ０の外周部の上部Ｂ０ａの断面は実施形態と同様に長方形とし、それよりも下部Ｂ０ｂの断面は下に向かうにつれて幅を広くする。
【0147】
以上、本開示者らによってなされた開示を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
【0148】
例えば、実施形態では、内側のブロック数は七個の例を説明したが、ダイサイズ等に応じてブロック数は七個よりも少なくても多くてもよい。
【0149】
また、実施形態では、ダイアタッチフィルムを用いる例を説明したが、基板に接着剤を塗布するプリフォーム部を設けてダイアタッチフィルムを用いなくてもよい。
【0150】
また、実施形態では、ウエハ供給部からダイをピックアップヘッドでピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダについて説明した。しかし、これに限定されるものではなく、ダイ供給部からダイをピックアップするダイボンディング装置に適用可能である。
【0151】
例えば、中間ステージとピックアップヘッドがなく、ウエハ供給部のダイをボンディングヘッドで基板にボンディングするダイボンダにも適用可能である。
【0152】
また、中間ステージがなく、ウエハ供給部からダイをピックアップしダイピックアップヘッドを上に回転してダイをボンディングヘッドに受け渡しボンディングヘッドで基板にボンディングするフリップチップボンダに適用可能である。
【0153】
実施形態では、ダイボンダを例に説明したが、ピックアップしたダイをトレイに載置する半導体製造装置にも適用できる。
【符号の説明】
【0154】
１・・・ダイボンダ（半導体製造装置）
１２・・・ウエハ保持台
１３・・・突上げユニット
１３１・・・ブロック部
Ｂ０・・・ブロック（外側ブロック）
Ｂ１～Ｂ４・・・ブロック（内側ブロック）
１３２・・・ドーム
１２・・・ウエハ保持台
１３・・・突上げユニット
１３１・・・ブロック部
Ｂ０・・・ブロック（外側ブロック）
Ｂ１～Ｂ４・・・ブロック（内側ブロック）
１３２・・・ドーム
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】