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特開2024-129801エッチング方法、プラズマ処理装置及び基板処理システム
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024129801
(43)【公開日】2024-09-27
(54)【発明の名称】エッチング方法、プラズマ処理装置及び基板処理システム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240919BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 105A
【審査請求】未請求
【請求項の数】27
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024026375
(22)【出願日】2024-02-26
(31)【優先権主張番号】P 2023038460
(32)【優先日】2023-03-13
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126480
【弁理士】
【氏名又は名称】佐藤 睦
(74)【代理人】
【識別番号】100140431
【弁理士】
【氏名又は名称】大石 幸雄
(74)【代理人】
【識別番号】100135677
【弁理士】
【氏名又は名称】澤井 光一
(74)【代理人】
【識別番号】100131598
【弁理士】
【氏名又は名称】高村 和宗
(72)【発明者】
【氏名】瀧野 裕輔
(72)【発明者】
【氏名】齊藤 昴
(72)【発明者】
【氏名】横山 喬大
【テーマコード（参考）】
5F004
【Ｆターム（参考）】
5F004BA09
5F004BB13
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB25
5F004BB26
5F004BB28
5F004BD03
5F004CA04
5F004CA06
5F004DA01
5F004DA12
5F004DA20
5F004DB02
5F004DB03
5F004DB07
5F004EA10
5F004EA30
(57)【要約】
【課題】エッチングの形状異常を抑制する技術を提供する。
【解決手段】エッチング方法が提供される。この方法は、（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と積層膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて積層膜をエッチングして積層膜に凹部を形成する工程と、（ｃ）積層膜の凹部にフッ化水素を供給する工程と、を含む。
【選択図】図３
【解決手段】エッチング方法が提供される。この方法は、（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と積層膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて積層膜をエッチングして積層膜に凹部を形成する工程と、（ｃ）積層膜の凹部にフッ化水素を供給する工程と、を含む。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
エッチング方法であって、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する工程と、
（ｃ）前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給する工程と、
を含むエッチング方法。
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する工程と、
（ｃ）前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給する工程と、
を含むエッチング方法。
【請求項2】
前記積層膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びポリシリコン膜からなる群から選択される少なくとも２つを含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項3】
前記積層膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが交互に複数積層されて構成される、請求項２に記載のエッチング方法。
【請求項4】
前記マスクは、炭素含有膜又は金属含有膜である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のエッチング方法。
【請求項5】
前記第１の処理ガスは、フッ化水素ガスを含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項6】
前記第１の処理ガスは、フッ化水素ガス、ハイドロフルオロカーボンガス、及び、水素含有ガスとフッ素含有ガスとの混合ガスからなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項7】
前記第１の処理ガスは、リン含有ガスをさらに含む、請求項５又は請求項６に記載のエッチング方法。
【請求項8】
前記第１の処理ガスは、炭素含有ガス、酸素含有ガス及び金属含有ガスからなる群から選択される少なくとも１つのガスをさらに含む、請求項５又は請求項６に記載のエッチング方法。
【請求項9】
前記（ｂ）の終了時において、前記凹部は、第１の開口寸法と前記第１の開口寸法と異なる第２の開口寸法とを前記凹部の深さ方向に沿って交互に有する、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項10】
前記第１の開口寸法と前記第２の開口寸法の差が０．２ｎｍ以上である、請求項９に記載のエッチング方法。
【請求項11】
前記（ａ）は、第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記第１チャンバ内にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給することを含む、請求項１に記載のエッチング方法。
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記第１チャンバ内にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給することを含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項12】
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、及び／又は前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも低い、請求項１１に記載のエッチング方法。
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、及び／又は前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも低い、請求項１１に記載のエッチング方法。
【請求項13】
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
横軸を温度、縦軸を圧力としてフッ化水素の吸着平衡圧曲線を示すグラフにおいて、前記吸着平衡圧曲線よりも上側の第１領域に前記第１の温度及び前記第１の圧力が位置し、前記吸着平衡圧曲線よりも下側の第２領域に前記第２の温度及び前記第２の圧力が位置する、請求項１１に記載のエッチング方法。
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
横軸を温度、縦軸を圧力としてフッ化水素の吸着平衡圧曲線を示すグラフにおいて、前記吸着平衡圧曲線よりも上側の第１領域に前記第１の温度及び前記第１の圧力が位置し、前記吸着平衡圧曲線よりも下側の第２領域に前記第２の温度及び前記第２の圧力が位置する、請求項１１に記載のエッチング方法。
【請求項14】
前記（ａ）は、第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記第１チャンバから前記第１チャンバと異なる第２チャンバに搬送することと、前記第２チャンバ内にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給することを含む、請求項１に記載のエッチング方法。
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記第１チャンバから前記第１チャンバと異なる第２チャンバに搬送することと、前記第２チャンバ内にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給することを含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項15】
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、及び／又は前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも低い、請求項１４に記載のエッチング方法。
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、及び／又は前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも低い、請求項１４に記載のエッチング方法。
【請求項16】
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
横軸を温度、縦軸を圧力としてフッ化水素の吸着平衡圧曲線を示すグラフにおいて、前記吸着平衡圧曲線よりも上側の第１領域に前記第１の温度及び前記第１の圧力が位置し、前記吸着平衡圧曲線よりも下側の第２領域に前記第２の温度及び前記第２の圧力が位置する、請求項１４に記載のエッチング方法。
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
横軸を温度、縦軸を圧力としてフッ化水素の吸着平衡圧曲線を示すグラフにおいて、前記吸着平衡圧曲線よりも上側の第１領域に前記第１の温度及び前記第１の圧力が位置し、前記吸着平衡圧曲線よりも下側の第２領域に前記第２の温度及び前記第２の圧力が位置する、請求項１４に記載のエッチング方法。
【請求項17】
前記（ｃ）における前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度は、前記（ｂ）における前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度よりも低い温度に制御される、請求項１１から請求項１６のいずれか１項に記載のエッチング方法。
【請求項18】
前記第２の処理ガスは、リン含有ガスをさらに含む、請求項１１から請求項１６のいずれか１項に記載のエッチング方法。
【請求項19】
前記（ａ）は、第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記第１チャンバの外部に搬送することと、当該外部において前記基板にフッ化水素を含む処理液を供給することと、を含む、請求項１に記載のエッチング方法。
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記第１チャンバの外部に搬送することと、当該外部において前記基板にフッ化水素を含む処理液を供給することと、を含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項20】
前記処理液は、フッ酸（ＤＨＦ）又はバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を含む、請求項１９に記載のエッチング方法。
【請求項21】
前記（ａ）は、プラズマ処理システムの第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記プラズマ処理システムの外部の基板処理装置に搬送することと、前記基板処理装置内で前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給することを含む、請求項１に記載のエッチング方法。
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記プラズマ処理システムの外部の基板処理装置に搬送することと、前記基板処理装置内で前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給することを含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項22】
前記積層膜の前記凹部の形状を示すデータに基づいて、前記（ｃ）の条件を設定する工程をさらに含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項23】
前記条件は、前記基板が収容されるチャンバの圧力、前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度、及び前記フッ化水素ガスの流量からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項２２に記載のエッチング方法。
【請求項24】
前記（ｃ）は、
（ｃ３）前記積層膜の前記凹部に、第１の条件で前記フッ化水素を供給する工程と、
（ｃ４）前記積層膜の前記凹部に、前記第１の条件と異なる第２の条件で前記フッ化水素を供給する工程と、
を含む、請求項１に記載のエッチング方法。
（ｃ３）前記積層膜の前記凹部に、第１の条件で前記フッ化水素を供給する工程と、
（ｃ４）前記積層膜の前記凹部に、前記第１の条件と異なる第２の条件で前記フッ化水素を供給する工程と、
を含む、請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項25】
前記第２の条件は、前記基板が収容されるチャンバの圧力、前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度、及び前記フッ化水素ガスの流量からなる群から選択される少なくとも１種が前記第１の条件と異なる、請求項２４に記載のエッチング方法。
【請求項26】
チャンバ、プラズマ生成部、ガス供給部及び制御部を有するプラズマ処理装置であって、前記制御部は、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を前記チャンバに提供する制御と、
（ｂ）前記チャンバ内で、前記プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記チャンバ内で、前記ガス供給部により前記積層膜の前記凹部にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給する制御と、
を実行するプラズマ処理装置。
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を前記チャンバに提供する制御と、
（ｂ）前記チャンバ内で、前記プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記チャンバ内で、前記ガス供給部により前記積層膜の前記凹部にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給する制御と、
を実行するプラズマ処理装置。
【請求項27】
第１チャンバ、プラズマ生成部、第２チャンバ、ガス供給部及び制御部を有する基板処理システムであって、前記制御部は、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を前記第１チャンバに提供する制御と、
（ｂ）前記第１チャンバ内で、前記プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記基板を前記第１チャンバから前記第２チャンバに搬送し、前記第２チャンバ内で、前記ガス供給部により前記積層膜の前記凹部にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給する制御と、
を実行する基板処理システム。
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を前記第１チャンバに提供する制御と、
（ｂ）前記第１チャンバ内で、前記プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記基板を前記第１チャンバから前記第２チャンバに搬送し、前記第２チャンバ内で、前記ガス供給部により前記積層膜の前記凹部にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給する制御と、
を実行する基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の例示的実施形態は、エッチング方法、プラズマ処理装置及び基板処理システムに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１にはＣＦ系ガスと酸素ガスとを含む処理ガスからプラズマを生成して積層膜をエッチングする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０１４／０６９５５９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、エッチングの形状異常を抑制する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一つの例示的実施形態において、エッチング方法であって、（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する工程と、（ｃ）前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給する工程と、を含むエッチング方法が提供される。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一つの例示的実施形態によれば、エッチングの形状異常を抑制する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】プラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【図2】容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【図3】本方法の一例を示すフローチャートである。
【図4】工程ＳＴ１で提供される基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。
【図5】工程ＳＴ２の処理後の基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。
【図6】工程ＳＴ３の処理後の基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。
【図7】フッ化水素の吸着平衡圧曲線の一例を示すグラフである。
【図8】基板処理システムＰＳ１の構成例を説明するための図である。
【図9】基板処理システムＰＳ２の構成例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の各実施形態について説明する。
【0009】
一つの例示的実施形態において、エッチング方法であって、（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と積層膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて積層膜をエッチングして積層膜に凹部を形成する工程と、（ｃ）積層膜の凹部にフッ化水素を供給する工程と、を含むエッチング方法が提供される。
【0010】
一つの例示的実施形態において、積層膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びポリシリコン膜からなる群から選択される少なくとも２つを含む。
【0011】
一つの例示的実施形態において、積層膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが交互に複数積層されて構成される。
【0012】
一つの例示的実施形態において、マスクは、炭素含有膜又は金属含有膜である。
【0013】
一つの例示的実施形態において、第１の処理ガスは、フッ化水素ガスを含む。
【0014】
一つの例示的実施形態において、第１の処理ガスは、フッ化水素ガス、ハイドロフルオロカーボンガス、及び、水素含有ガスとフッ素含有ガスとの混合ガスからなる群から選択される少なくとも１つを含む。
【0015】
一つの例示的実施形態において、第１の処理ガスは、リン含有ガスをさらに含む。
【0016】
一つの例示的実施形態において、第１の処理ガスは、炭素含有ガス、酸素含有ガス及び金属含有ガスからなる群から選択される少なくとも１つのガスをさらに含む。
【0017】
一つの例示的実施形態において、（ｂ）の終了時において、凹部は、第１の開口寸法と第１の開口寸法と異なる第２の開口寸法とを凹部の深さ方向に沿って交互に有する。
【0018】
一つの例示的実施形態において、第１の開口寸法と第２の開口寸法の差が０．２ｎｍ以上である。
【0019】
一つの例示的実施形態において、（ａ）は、第１チャンバ内に基板を配置することを含み、（ｂ）は、第１チャンバ内に第１の処理ガスを供給してプラズマを生成することを含み、（ｃ）は、第１チャンバ内にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給することを含む。
【0020】
一つの例示的実施形態において、（ｃ）は、（ｃ１）基板又は基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつチャンバ内のフッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、（ｃ２）（ｃ１）の後、基板又は基板支持部の温度を第２の温度に制御し、かつチャンバ内のフッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、を含み、第２の温度は第１の温度よりも高い、及び／又は第２の圧力は第１の圧力よりも低い。
【0021】
一つの例示的実施形態において、（ｃ）は、（ｃ１）基板又は基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつチャンバ内のフッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、（ｃ２）（ｃ１）の後、基板又は基板支持部の温度を第２の温度に制御し、かつチャンバ内のフッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、を含み、横軸を温度、縦軸を圧力としてフッ化水素の吸着平衡圧曲線を示すグラフにおいて、吸着平衡圧曲線よりも上側の第１領域に第１の温度及び第１の圧力が位置し、吸着平衡圧曲線よりも下側の第２領域に第２の温度及び第２の圧力が位置する。
【0022】
一つの例示的実施形態において、（ａ）は、第１チャンバ内に基板を配置することを含み、（ｂ）は、第１チャンバ内に第１の処理ガスを供給してプラズマを生成することを含み、（ｃ）は、基板を第１チャンバから第１チャンバと異なる第２チャンバに搬送することと、第２チャンバ内にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給することを含む。
【0023】
一つの例示的実施形態において、（ｃ）における基板又は基板を支持する基板支持部の温度は、（ｂ）における基板又は基板を支持する基板支持部の温度よりも低い温度に制御される。
【0024】
一つの例示的実施形態において、第２の処理ガスは、リン含有ガスをさらに含む。
【0025】
一つの例示的実施形態において、（ａ）は、第１チャンバ内に基板を配置することを含み、（ｂ）は、第１チャンバ内に第１の処理ガスを供給してプラズマを生成することを含み、（ｃ）は、基板を第１チャンバの外部に搬送することと、外部において基板にフッ化水素を含む処理液を供給することと、を含む。
【0026】
一つの例示的実施形態において、処理液は、フッ酸（ＤＨＦ）又はバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を含む。
【0027】
一つの例示的実施形態において、（ａ）は、プラズマ処理システムの第１チャンバ内に基板を配置することを含み、（ｂ）は、第１チャンバ内に第１の処理ガスを供給してプラズマを生成することを含み、（ｃ）は、基板をプラズマ処理システムの外部の基板処理装置に搬送することと、基板処理装置内で積層膜の凹部にフッ化水素を供給することを含む。
【0028】
一つの例示的実施形態において、積層膜の凹部の形状を示すデータに基づいて、（ｃ）の条件を設定する工程をさらに含む。
【0029】
一つの例示的実施形態において、条件は、基板が収容されるチャンバの圧力、基板又は基板を支持する基板支持部の温度、及びフッ化水素ガスの流量からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
【0030】
一つの例示的実施形態において、（ｃ）は、（ｃ３）積層膜の凹部に、第１の条件でフッ化水素を供給する工程と、（ｃ４）積層膜の凹部に、第１の条件と異なる第２の条件でフッ化水素を供給する工程とを含む。
【0031】
一つの例示的実施形態において、第２の条件は、基板が収容されるチャンバの圧力、基板又は基板を支持する基板支持部の温度、及びフッ化水素ガスの流量からなる群から選択される少なくとも１種が第１の条件と異なる。
【0032】
一つの例示的実施形態において、チャンバ、プラズマ生成部、ガス供給部及び制御部を有するプラズマ処理装置であって、制御部は、（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と積層膜上のマスクとを有する基板をチャンバに提供する制御と、（ｂ）チャンバ内で、プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて積層膜をエッチングして積層膜に凹部を形成する制御と、（ｃ）チャンバ内で、ガス供給部により積層膜の凹部にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給する制御とを実行するプラズマ処理装置が提供される。
【0033】
一つの例示的実施形態において、第１チャンバ、プラズマ生成部、第２チャンバ、ガス供給部及び制御部を有する基板処理システムであって、制御部は、（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と積層膜上のマスクとを有する基板を第１チャンバに提供する制御と、（ｂ）第１チャンバ内で、プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて積層膜をエッチングして積層膜に凹部を形成する制御と、（ｃ）基板を第１チャンバから第２チャンバに搬送し、第２チャンバ内で、ガス供給部により積層膜の凹部にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給する制御とを実行する基板処理システムが提供される。
【0034】
以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。
【0035】
＜プラズマ処理装置の構成例＞
図１は、プラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理装置１は、基板処理システムの一部として構成されるプラズマ処理装置１は、制御部２、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
図１は、プラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理装置１は、基板処理システムの一部として構成されるプラズマ処理装置１は、制御部２、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
【0036】
プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
【0037】
制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１の外部のシステムとして構成されてよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ ＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１の各要素との間で通信してもよい。
【0038】
以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【0039】
容量結合型のプラズマ処理装置１は、制御部２、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
【0040】
基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
【0041】
一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
【0042】
リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
【0043】
また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
【0044】
シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
【0045】
ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
【0046】
電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
【0047】
一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
【0048】
第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
【0049】
また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
【0050】
種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
【0051】
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
【0052】
＜エッチング方法の一例＞
図３は、一つの例示的実施形態に係るエッチング方法（以下「本方法」ともいう。）の一例を示すフローチャートである。図３に示すように、本方法は、基板を提供する工程ＳＴ１と、基板の積層膜をエッチングする工程ＳＴ２と、基板の凹部にフッ化水素を供給する工程ＳＴ３とを含む。一実施形態において、各工程における処理は、プラズマ処理装置１（図１、図２参照）で実行されてよい。以下の例では、制御部２が容量結合型のプラズマ処理装置１（図２参照）の各部を制御して本方法が実行される。
図３は、一つの例示的実施形態に係るエッチング方法（以下「本方法」ともいう。）の一例を示すフローチャートである。図３に示すように、本方法は、基板を提供する工程ＳＴ１と、基板の積層膜をエッチングする工程ＳＴ２と、基板の凹部にフッ化水素を供給する工程ＳＴ３とを含む。一実施形態において、各工程における処理は、プラズマ処理装置１（図１、図２参照）で実行されてよい。以下の例では、制御部２が容量結合型のプラズマ処理装置１（図２参照）の各部を制御して本方法が実行される。
【0053】
（工程ＳＴ１：基板の提供）
工程ＳＴ１において、基板Ｗがプラズマ処理装置１のプラズマ処理空間１０ｓ内に提供される。基板Ｗは、基板支持部１１の中央領域１１１ａに配置され、静電チャック１１１１により基板支持部１１に保持される。
工程ＳＴ１において、基板Ｗがプラズマ処理装置１のプラズマ処理空間１０ｓ内に提供される。基板Ｗは、基板支持部１１の中央領域１１１ａに配置され、静電チャック１１１１により基板支持部１１に保持される。
【0054】
図４は、工程ＳＴ１で供給される基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。図４に示すように、基板Ｗは、積層膜ＦＳ及びマスクＭＫを有する。一実施形態において、積層膜ＦＳ及びマスクＭＫは、下地膜ＵＦ上に形成される。すなわち、基板Ｗは、下地膜ＵＦ、積層膜ＦＳ及びマスクＭＫがこの順で積層されて形成されてよい。一実施形態において、基板Ｗは、半導体デバイスの製造に用いられる。半導体デバイスは、例えば、３Ｄ－ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＤＲＡＭ等の半導体メモリデバイスを含む。
【0055】
一実施形態において、下地膜ＵＦは、シリコンウェハやシリコンウェハ上に形成された有機膜、誘電体膜、金属膜、半導体膜等である。下地膜ＵＦは、複数の膜が積層されて構成されてよい。
【0056】
積層膜ＦＳは、本方法によるエッチングの対象となる膜である。積層膜ＦＳは、少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を有する。一実施形態において、積層膜ＦＳは、組成の異なる少なくとも２つのシリコン含有膜を有する。一実施形態において、積層膜ＦＳは、図４に示すように、シリコン酸化膜ＳＦ１とシリコン窒化膜ＳＦ２とが交互に複数積層されて構成されてよい。一実施形態において、積層膜ＦＳは、シリコン酸化膜と多結晶シリコン膜とが交互に積層されて構成されてよい。一実施形態において、積層膜ＦＳは、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜及び多結晶シリコン膜が所与の順番で積層されて構成されてよい。一実施形態において、積層膜ＦＳは、シリコン酸化膜とシリコン炭窒化膜とが交互に積層されて構成されてよい。一実施形態において、積層膜ＦＳは、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン炭窒化膜が所与の順番で積層されて構成されてよい。なお、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、多結晶シリコン膜等のシリコン含有膜は、リン、ボロン又は窒素等の不純物を含んでもよい。
【0057】
マスクＭＫは、工程ＳＴ２で生成されるプラズマに対するエッチングレートが積層膜ＦＳよりも低い材料から形成されてよい。一実施形態において、マスクＭＫは、炭素含有膜又は金属含有膜である。炭素含有膜は、一例では、アモルファスカーボン（ＡＣＬ）膜、スピンオンカーボン（ＳＯＣ）膜又はフォトレジスト膜である。ＡＣＬ膜はホウ素、ヒ素、タングステン、キセノン等の元素がドープされてもよい。金属含有膜は、一例では、タングステン、モリブデン、チタン、ルテニウム、サマリウム及びイットリムからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む。金属含有膜は、一例では、タングステンカーバイド（ＷＣ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、ＷＳｉＮ及びＷＳｉＣからなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。マスクＭＫは、１つの膜からなる単層マスクでよく、また２つ以上の積層膜からなる多層マスクであってもよい。
【0058】
マスクＭＫは、図４に示すように、積層膜ＦＳ上において少なくとも一つの開口ＯＰを規定する。開口ＯＰは、積層膜ＦＳ上の空間であって、マスクＭＫの側壁に囲まれている。すなわち、積層膜ＦＳの上面は、マスクＭＫによって覆われた領域と、開口ＯＰの底部において露出した領域とを有する。
【0059】
開口ＯＰは、基板Ｗの平面視、すなわち、基板Ｗを図４の上から下に向かう方向に見た場合において、任意の形状を有してよい。当該形状は、例えば、円、楕円、矩形、線やこれらの１種類以上を組み合わせた形状であってよい。マスクＭＫは、複数の側壁を有し、複数の側壁が複数の開口ＯＰを規定してもよい。複数の開口ＯＰは、それぞれ線形状を有し、一定の間隔で並んでライン＆スペースのパターンを構成してもよい。また、複数の開口ＯＰは、それぞれ穴形状を有し、アレイパターンを構成してもよい。
【0060】
基板を構成する各膜（下地膜ＵＦ、積層膜ＦＳ、マスクＭＫ）は、それぞれ、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、ＰＶＤ法、スピンコート法等により形成されてよい。マスクＭＫは、リソグラフィによって形成されてもよい。またマスクＭＫの開口ＯＰは、マスクＭＫをエッチングすることで形成されてよい。各膜は、それぞれ、平坦な膜であってよく、また凹凸を有する膜であってもよい。一実施形態において、基板Ｗは、下地膜ＵＦの下に他の膜をさらに有してよい。この場合、積層膜ＦＳ及び下地膜ＵＦに開口ＯＰに対応する形状の凹部を形成し、当該他の膜をエッチングするためのマスクとして用いてもよい。
【0061】
一実施形態において、基板Ｗの各膜を形成する工程の少なくとも一部は、工程ＳＴ１の一部としてプラズマ処理空間１０ｓ内で行われてよい。例えば、マスクＭＫの開口ＯＰをエッチングにより形成する場合、工程ＳＴ１の当該エッチングと、工程ＳＴ２の積層膜ＦＳのエッチングとは、プラズマ処理空間１０ｓ内で連続して実行されてよい。一実施形態において、基板Ｗの各膜の全部又は一部がプラズマ処理装置１の外部の装置又はチャンバで形成された後、基板Ｗがプラズマ処理空間１０ｓ内に提供されてよい。
【0062】
一実施形態において、基板Ｗが基板支持部１１の中央領域１１１ａに提供された後、基板支持部１１が温調モジュールにより所与の温度に制御される。一例では、基板支持部１１の温度を所与の温度に制御することは、流路１１１０ａを流れる伝熱流体の温度やヒータ温度を所与の温度にすること、又は、所与の温度とは異なる温度にすることを含む。なお、流路１１１０ａに伝熱流体が流れ始めるタイミングは、基板Ｗが基板支持部１１に載置される前でも後でもよく、また同時でもよい。また、基板支持部１１の温度は、工程ＳＴ１の前に所与の温度に制御されてよい。すなわち、基板支持部１１の温度が所与の温度に制御された後に、基板支持部１１に基板Ｗが提供されてよい。一実施形態において、所与の温度は、０℃以下、－１０℃以下、－２０℃以下又は－３０℃以下である。一実施形態において、所与の温度は、－７０℃以上、－６０℃以上、－５０℃又は－４０℃以上である。
【0063】
一実施形態において、基板支持部１１を所与の温度に制御することに代えて、基板Ｗを所与の温度に制御してもよい。基板Ｗの温度を所与の温度に制御することは、基板支持部１１、流路１１１０ａを流れる伝熱流体の温度及び／又はヒータ温度を所与の温度にすること、又は、所与の温度とは異なる温度にすることを含む。
【0064】
（工程ＳＴ２：積層膜ＦＳのエッチング）
工程ＳＴ２において、基板Ｗの積層膜ＦＳがエッチングされる。これにより積層膜ＦＳのうち、マスクＭＫにより覆われていない部分（開口ＯＰにおいて露出した部分）がエッチングされ凹部が形成される。
工程ＳＴ２において、基板Ｗの積層膜ＦＳがエッチングされる。これにより積層膜ＦＳのうち、マスクＭＫにより覆われていない部分（開口ＯＰにおいて露出した部分）がエッチングされ凹部が形成される。
【0065】
（第１の処理ガスの供給）
まず、ガス供給部２０から第１の処理ガスがプラズマ処理空間１０ｓ内に供給される。第１の処理ガスはフッ化水素（ＨＦ）ガスを含む。一実施形態において、ＨＦガスは、不活性ガスを除いて第１の処理ガス中最も流量（分圧）が大きくてよい。一例では、ＨＦガスの流量は、第１の処理ガスの総流量（第１の処理ガスが不活性ガスを含む場合は当該不活性ガスを除く全てのガスの流量）に対して、５０体積％以上、６０体積％以上、７０体積％以上、８０体積％以上、９０体積％以上又は９５体積％以上でよい。ＨＦガスの流量は、第１の処理ガスの総流量に対して、１００体積％未満、９９．５体積％以下、９８体積％以下又は９６体積％以下でよい。一例では、ＨＦガスの流量は、第１の処理ガスの総流量に対して、７０体積％以上９６体積％以下である。
まず、ガス供給部２０から第１の処理ガスがプラズマ処理空間１０ｓ内に供給される。第１の処理ガスはフッ化水素（ＨＦ）ガスを含む。一実施形態において、ＨＦガスは、不活性ガスを除いて第１の処理ガス中最も流量（分圧）が大きくてよい。一例では、ＨＦガスの流量は、第１の処理ガスの総流量（第１の処理ガスが不活性ガスを含む場合は当該不活性ガスを除く全てのガスの流量）に対して、５０体積％以上、６０体積％以上、７０体積％以上、８０体積％以上、９０体積％以上又は９５体積％以上でよい。ＨＦガスの流量は、第１の処理ガスの総流量に対して、１００体積％未満、９９．５体積％以下、９８体積％以下又は９６体積％以下でよい。一例では、ＨＦガスの流量は、第１の処理ガスの総流量に対して、７０体積％以上９６体積％以下である。
【0066】
一実施形態において、第１の処理ガスはリン含有ガスを含んでよい。リン含有ガスは、リン含有分子を含むガスである。リン含有分子は、十酸化四リン（Ｐ4Ｏ10）、八酸化四リン（Ｐ4Ｏ8）、六酸化四リン（Ｐ4Ｏ6）等の酸化物であってもよい。十酸化四リンは、五酸化二リン（Ｐ2Ｏ5）と呼ばれることがある。リン含有分子は、三フッ化リン（ＰＦ3）、五フッ化リン（ＰＦ5）、三塩化リン（ＰＣｌ3）、五塩化リン（ＰＣｌ5）、三臭化リン（ＰＢｒ3）、五臭化リン（ＰＢｒ5）、ヨウ化リン（ＰＩ3）のようなハロゲン化物（ハロゲン化リン）であってもよい。すなわち、リン含有分子は、フッ化リン等、ハロゲン元素としてフッ素を含んでもよい。或いは、リン含有分子は、ハロゲン元素としてフッ素以外のハロゲン元素を含んでもよい。リン含有分子は、フッ化ホスホリル（ＰＯＦ3）、塩化ホスホリル（ＰＯＣｌ3）、臭化ホスホリル（ＰＯＢｒ3）のようなハロゲン化ホスホリルであってよい。リン含有分子は、ホスフィン（ＰＨ3）、リン化カルシウム（Ｃａ3Ｐ2等）、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）、リン酸ナトリウム（Ｎａ3ＰＯ4）、ヘキサフルオロリン酸（ＨＰＦ6）等であってよい。リン含有分子は、フルオロホスフィン類（ＨgＰＦh）であってよい。ここで、ｇとｈの和は、３又は５である。フルオロホスフィン類としては、ＨＰＦ2、Ｈ2ＰＦ3が例示される。第１の処理ガスは、少なくとも一つのリン含有分子として、上記のリン含有分子のうち一つ以上のリン含有分子を含み得る。例えば、第１の処理ガスは、少なくとも一つのリン含有分子として、ＰＦ3、ＰＣｌ3、ＰＦ5、ＰＣｌ5、ＰＯＣｌ3、ＰＨ3、ＰＢｒ3、又はＰＢｒ5の少なくとも一つを含み得る。なお、第１の処理ガスに含まれる各リン含有分子が液体又は固体である場合、各リン含有分子は、加熱等によって気化されてプラズマ処理空間１０ｓ内に供給され得る。
【0067】
一例では、リン含有ガスは、ＰＣｌaＦb（ａは１以上の整数であり、ｂは０以上の整数であり、ａ＋ｂは５以下の整数である）ガス又はＰＣcＨdＦe（ｄ、ｅはそれぞれ１以上５以下の整数であり、ｃは０以上９以下の整数である）ガスであってよい。
【0068】
ＰＣｌaＦbガスは、例えば、ＰＣｌＦ2ガス、ＰＣｌ2Ｆガス及びＰＣｌ2Ｆ3ガスからなる群から選択される少なくとも１種のガスでよい。
【0069】
ＰＣcＨdＦeガスは、例えば、ＰＦ2ＣＨ3ガス、ＰＦ（ＣＨ3）2ガス、ＰＨ2ＣＦ3ガス、ＰＨ（ＣＦ3）2ガス、ＰＣＨ3（ＣＦ3）2ガス、ＰＨ2Ｆガス及びＰＦ3（ＣＨ3）2ガスからなる群から選択される少なくとも１種のガスでよい。
【0070】
一例では、リン含有ガスは、ＰＣｌcＦdＣeＨf（ｃ、ｄ、ｅ及びｆはそれぞれ１以上の整数である）ガスであってよい。またリン含有ガスは、Ｐ（リン）、Ｆ（フッ素）及びＦ（フッ素）以外のハロゲン（例えば、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ）を分子構造に含むガス、Ｐ（リン）、Ｆ（フッ素）、Ｃ（炭素）及びＨ（水素）を分子構造に含むガス、又は、Ｐ（リン）、Ｆ（フッ素）及びＨ（水素）を分子構造に含むガスであってもよい。
【0071】
一例では、リン含有ガスは、ホスフィン系ガスを用いてよい。ホスフィン系ガスとしては、ホスフィン（ＰＨ3）、ホスフィンの少なくとも１つの水素原子を適当な置換基により置換した化合物、及びホスフィン酸誘導体が挙げられる。
【0072】
ホスフィンの水素原子を置換する置換基としては、特に限定されず、例えばフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；並びにヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等のヒドロキシアルキル基等が挙げられ、一例では、塩素原子、メチル基、及びヒドロキシメチル基が挙げられる。
【0073】
ホスフィン酸誘導体としては、ホスフィン酸（Ｈ3Ｏ2Ｐ）、アルキルホスフィン酸（ＰＨＯ（ＯＨ）Ｒ）、及びジアルキルホスフィン酸（ＰＯ（ＯＨ）Ｒ2）が挙げられる。
【0074】
ホスフィン系ガスとしては、例えば、ＰＣＨ3Ｃｌ2（ジクロロ（メチル）ホスフィン）ガス、Ｐ（ＣＨ3）2Ｃｌ（クロロ（ジメチル）ホスフィン）ガス、Ｐ（ＨＯＣＨ2）Ｃｌ2（ジクロロ（ヒドロキシルメチル）ホスフィン）ガス、Ｐ（ＨＯＣＨ2）2Ｃｌ（クロロ（ジヒドロキシルメチル）ホスフィン）ガス、Ｐ（ＨＯＣＨ2）（ＣＨ3）2（ジメチル（ヒドロキシルメチル）ホスフィン）ガス、Ｐ（ＨＯＣＨ2）2（ＣＨ3）（メチル（ジヒドロキシルメチル）ホスフィン）ガス、Ｐ（ＨＯＣＨ2）3（トリス（ヒドロキシルメチル）ホスフィン）ガス、Ｈ3Ｏ2Ｐ（ホスフィン酸）ガス、ＰＨＯ（ＯＨ）（ＣＨ3）(メチルホスフィン酸)ガス及びＰＯ（ＯＨ）（ＣＨ3）2（ジメチルホスフィン酸）ガスからなる群から選択される少なくとも１種のガスを用いてよい。
【0075】
一実施形態において、第１の処理ガスに含まれるリン含有ガスの流量は、第１の処理ガスの総流量のうち、２０体積％以下、１０体積％以下、５体積％以下である。
【0076】
一実施形態において、第１の処理ガスはタングステン含有ガスを含んでよい。タングステン含有ガスは、タングステンとハロゲンとを含有するガスでよく、一例では、ＷＦxＣｌyガスである（ｘ及びｙはそれぞれ０以上６以下の整数であり、ｘとｙとの和は２以上６以下である）。具体的には、タングステン含有ガスとしては、２フッ化タングステン（ＷＦ2）ガス、４フッ化タングステン（ＷＦ4）ガス、５フッ化タングステン（ＷＦ5）ガス、６フッ化タングステン（ＷＦ6）ガス等のタングステンとフッ素とを含有するガス、２塩化タングステン（ＷＣｌ2）ガス、４塩化タングステン（ＷＣｌ4）ガス、５塩化タングステン（ＷＣｌ5）ガス、６塩化タングステン（ＷＣｌ6）ガス等のタングステンと塩素とを含有するガスであってよい。これらの中でも、ＷＦ6ガス及びＷＣｌ6ガスの少なくともいずれかのガスであってよい。タングステン含有ガスの流量は、第１の処理ガスの総流量のうち５体積％以下でよい。一実施形態において、第１の処理ガスは、タングステン含有ガスに代えて又は加えて、チタン含有ガス、モリブデン含有ガス及びルテニウム含有ガスの少なくとも一つを含んでよい。
【0077】
一実施形態において、第１の処理ガスは炭素含有ガスを含んでよい。炭素含有ガスは、例えば、フルオロカーボンガス及びハイドロフルオロカーボンガスのいずれかまたは両方でよい。一例では、フルオロカーボンガスは、ＣＦ4ガス、Ｃ2Ｆ2ガス、Ｃ2Ｆ4ガス、Ｃ3Ｆ6ガス、Ｃ3Ｆ8ガス、Ｃ4Ｆ6ガス、Ｃ4Ｆ8ガス及びＣ5Ｆ8ガスからなる群から選択される少なくとも１種でよい。一例では、ハイドロフルオロカーボンガスは、ＣＨＦ3ガス、ＣＨ2Ｆ2ガス、ＣＨ3Ｆガス、Ｃ2ＨＦ5ガス、Ｃ2Ｈ2Ｆ4ガス、Ｃ2Ｈ3Ｆ3ガス、Ｃ2Ｈ4Ｆ2ガス、Ｃ3ＨＦ7ガス、Ｃ3Ｈ2Ｆ2ガス、Ｃ3Ｈ2Ｆ4ガス、Ｃ3Ｈ2Ｆ6ガス、Ｃ3Ｈ3Ｆ5ガス、Ｃ4Ｈ2Ｆ6ガス、Ｃ4Ｈ5Ｆ5ガス、Ｃ4Ｈ2Ｆ8ガス、Ｃ5Ｈ2Ｆ6ガス、Ｃ5Ｈ2Ｆ10ガス及びＣ5Ｈ3Ｆ7ガスからなる群から選択される少なくとも１種でよい。また、炭素含有ガスは、不飽和結合を有する直鎖状のものであってよい。不飽和結合を有する直鎖状の炭素含有ガスは、例えば、Ｃ3Ｆ6（ヘキサフルオロプロぺン）ガス、Ｃ4Ｆ8（オクタフルオロ－１－ブテン、オクタフルオロ－２－ブテン）ガス、Ｃ3Ｈ2Ｆ4（１，３，３，３－テトラフルオロプロペン）ガス、Ｃ4Ｈ2Ｆ6（トランス－１，１，１，４，４，４－ヘキサフルオロ－２－ブテン）ガス、Ｃ4Ｆ8Ｏ（ペンタフルオロエチルトリフルオロビニルエーテル）ガス、ＣＦ3ＣＯＦガス（１，２，２，２－テトラフルオロエタン－１－オン）、ＣＨＦ2ＣＯＦ（ジフルオロ酢酸フルオライド）ガス及びＣＯＦ2（フッ化カルボニル）ガスからなる群から選択される少なくとも１種でよい。また、炭素含有ガスは、フッ素以外のハロゲンを含んでよく、フッ素とフッ素以外のハロゲンとを含んでよく、フッ素以外のハロゲンを２種以上含んでよい。一例では、炭素含有ガスは、ＣsＨtＢｒuＣｌvＦw（ただし、ｓは１以上の整数、ｔ、ｕ、ｖ及びｗは、それぞれ０以上の整数）であってよく、ＣsＨtＢｒuＣｌvＦw（ただし、ｓは１以上７以下の整数、ｔ、ｕ、ｖ及びｗは、それぞれ０以上１６以下で、４≦ｔ＋ｕ＋ｖ＋ｗ≦１６を満たす整数）であってよい。例えば、炭素含有ガスは、ＣＣｌ4、ＣＨ2Ｃｌ2、ＣＨＣｌ3、ＣＦ2Ｃｌ2、ＣＨ2ＣｌＦ、ＣＨＣｌ2Ｆ、ＣＢｒ2Ｆ2、Ｃ2Ｆ5Ｂｒ、ＣＦ3Ｉ、Ｃ2Ｆ5Ｉ及びＣ3Ｆ7Ｉからなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。
【0078】
一実施形態において、第１の処理ガスは酸素含有ガスを含んでよい。酸素含有ガスは、例えば、Ｏ2、ＣＯ、ＣＯ2、Ｈ2Ｏ及びＨ2Ｏ2からなる群から選択される少なくとも１種のガスでよい。一例では、酸素含有ガスは、Ｈ2Ｏ以外の酸素含有ガス、例えばＯ2、ＣＯ、ＣＯ2及びＨ2Ｏ2からなる群から選択される少なくとも１種のガスでよい。酸素含有ガスの流量は、第１の処理ガスに含まれる他のガス（例えば炭素含有ガス）の流量に応じて調整されてよい。
【0079】
一実施形態において、第１の処理ガスはフッ素以外のハロゲン含有ガスを含んでよい。フッ素以外のハロゲン含有ガスは、塩素含有ガス、臭素含有ガス及び／又はヨウ素含有ガスでよい。塩素含有ガスは、一例では、Ｃｌ2、ＨＣｌ、ＳｉＣｌ2、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2、Ｓｉ2Ｃｌ6、ＣＨＣｌ3、ＳＯ2Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＰＣｌ3、ＰＣｌ5及びＰＯＣｌ3からなる群から選択される少なくとも１種のガスでよい。臭素含有ガスは、一例では、Ｂｒ2、ＨＢｒ、ＣＢｒ2Ｆ2、Ｃ2Ｆ5Ｂｒ、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5、ＰＯＢｒ3及びＢＢｒ3からなる群から選択される少なくとも１種のガスでよい。ヨウ素含有ガスは、一例では、ＨＩ、ＣＦ3Ｉ、Ｃ2Ｆ5Ｉ、Ｃ3Ｆ7Ｉ、ＩＦ5、ＩＦ7、Ｉ2、ＰＩ3からなる群から選択される少なくとも１種のガスでよい。一例では、フッ素以外のハロゲン含有ガスは、Ｃｌ2ガス、Ｂｒ2ガス及びＨＢｒガスからなる群から選択される少なくとも１種でよい。一例では、フッ素以外のハロゲン含有ガスは、Ｃｌ2ガス又はＨＢｒガスである。
【0080】
一実施形態において、第１の処理ガスは不活性ガスをさらに含んでよい。不活性ガスは、一例では、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｋｒガス等の貴ガス又は窒素ガスでよい。
【0081】
一実施形態において、第１の処理ガスは、ＨＦガスの一部又は全部に代えて、プラズマ中にフッ化水素種（ＨＦ種）を生成可能なガスを含んでよい。ＨＦ種は、フッ化水素のガス、ラジカル及びイオンの少なくともいずれかを含む。
【0082】
ＨＦ種を生成可能なガスは、例えば、ハイドロフルオロカーボンガスでよい。ハイドロフルオロカーボンガスは、炭素数が２以上、３以上又は４以上でもよい。ハイドロフルオロカーボンガスは、一例では、ＣＨ2Ｆ2ガス、Ｃ3Ｈ2Ｆ4ガス、Ｃ3Ｈ2Ｆ6ガス、Ｃ3Ｈ3Ｆ5ガス、Ｃ4Ｈ2Ｆ6ガス、Ｃ4Ｈ5Ｆ5ガス、Ｃ4Ｈ2Ｆ8ガス、Ｃ5Ｈ2Ｆ6ガス、Ｃ5Ｈ2Ｆ10ガス及びＣ5Ｈ3Ｆ7ガスからなる群から選択される少なくとも１種である。ハイドロフルオロカーボンガスは、一例では、ＣＨ2Ｆ2ガス、Ｃ3Ｈ2Ｆ4ガス、Ｃ3Ｈ2Ｆ6ガス及びＣ4Ｈ2Ｆ6ガスからなる群から選択される少なくとも１種である。
【0083】
ＨＦ種を生成可能なガスは、例えば、水素源及びフッ素源を含む混合ガスでよい。水素源は、例えば、Ｈ2ガス、ＮＨ3ガス、Ｈ2Ｏガス、Ｈ2Ｏ2ガス及びハイドロカーボンガス（ＣＨ4ガス、Ｃ3Ｈ6ガス等）からなる群から選択される少なくとも一種でよい。フッ素源は、例えば、ＮＦ3ガス、ＳＦ6ガス、ＷＦ6ガス又はＸｅＦ2ガスのように炭素を含まないフッ素含有ガスでよい。またフッ素源は、フルオロカーボンガス及びハイドロフルオロカーボンガスのように炭素を含むフッ素含有ガスでもよい。フルオロカーボンガスは、一例では、ＣＦ4ガス、Ｃ2Ｆ2ガス、Ｃ2Ｆ4ガス、Ｃ3Ｆ6ガス、Ｃ3Ｆ8ガス、Ｃ4Ｆ6ガス、Ｃ4Ｆ8ガス及びＣ5Ｆ8ガスからなる群から選択される少なくとも１種でよい。ハイドロフルオロカーボンガスは、一例では、ＣＨＦ3ガス、ＣＨ2Ｆ2ガス、ＣＨ3Ｆガス、Ｃ2ＨＦ5ガス及びＣを３つ以上含むハイドロフルオロカーボンガス（Ｃ3Ｈ2Ｆ4ガス、Ｃ3Ｈ2Ｆ6ガス、Ｃ4Ｈ2Ｆ6ガス等）からなる群から選択される少なくとも１種でよい。
【0084】
（プラズマの生成）
次に、基板支持部１１の下部電極及び／又はシャワーヘッド１３の上部電極にソースＲＦ信号が供給される。これにより、シャワーヘッド１３と基板支持部１１との間で高周波電界が生成され、プラズマ処理空間１０ｓ内の第１の処理ガスからプラズマが生成される。基板支持部１１の下部電極にバイアス信号が供給されてよい。この場合、プラズマと基板Ｗとの間にバイアス電位が発生する。バイアス電位によって、プラズマ中のイオン、ラジカル等の活性種が基板Ｗに引きよせられる。バイアス信号は、第２のＲＦ生成部３１ｂから供給されるバイアスＲＦ信号であってよい。またバイアス信号は、ＤＣ生成部３２ａから供給されるバイアスＤＣ信号であってもよい。
次に、基板支持部１１の下部電極及び／又はシャワーヘッド１３の上部電極にソースＲＦ信号が供給される。これにより、シャワーヘッド１３と基板支持部１１との間で高周波電界が生成され、プラズマ処理空間１０ｓ内の第１の処理ガスからプラズマが生成される。基板支持部１１の下部電極にバイアス信号が供給されてよい。この場合、プラズマと基板Ｗとの間にバイアス電位が発生する。バイアス電位によって、プラズマ中のイオン、ラジカル等の活性種が基板Ｗに引きよせられる。バイアス信号は、第２のＲＦ生成部３１ｂから供給されるバイアスＲＦ信号であってよい。またバイアス信号は、ＤＣ生成部３２ａから供給されるバイアスＤＣ信号であってもよい。
【0085】
一実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアス信号は、双方が連続波又はパルス波でよく、また一方が連続波で他方がパルス波でもよい。ソースＲＦ信号及びバイアス信号の双方がパルス波である場合、双方のパルス波の周期は同期してよく、また同期しなくてもよい。ソースＲＦ信号及び／又はバイアス信号パルス波のデューティ比は適宜設定してよく、例えば、１～８０％でよく、また５～５０％でよい。またバイアス信号として、バイアスＤＣ信号を用いる場合、パルス波は、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせの波形を有してよい。バイアスＤＣ信号の極性は、プラズマと基板との間に電位差を与えてイオンを引き込むように基板Ｗの電位が設定されれば、負であっても正であってもよい。
【0086】
一実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアス信号の少なくとも一方の供給と停止とが交互に繰り返されてよい。例えば、ソースＲＦ信号が連続して供給される間に、バイアス信号の供給と停止とが交互に繰り返されてよい。また例えば、ソースＲＦ信号の供給と停止とが交互に繰り返される間に、バイアス信号が連続して供給されてもよい。また例えば、ソースＲＦ信号及びバイアス信号の双方の供給と停止とが交互に繰り返されてもよい。
【0087】
一実施形態において、工程ＳＴ２における処理の間、第１の処理ガスの構成及び各ガスの流量（分圧）は一定であってよい。一実施形態において、工程ＳＴ２におけるエッチングの進行に伴って、第１の処理ガスの構成及び／又は各ガスの流量（分圧）が変更されてよい。
【0088】
一実施形態において、工程ＳＴ２における処理の間、基板支持部１１の温度は、工程ＳＴ１で設定した所与の温度に制御されてよい。一実施形態において、基板支持部１１の温度に代えて、基板Ｗの温度が所与の温度に制御されてもよい。
【0089】
一実施形態において、工程ＳＴ２における処理の間、プラズマ処理チャンバ１０内の圧力は、１ｍＴｏｒｒ以上５０ｍＴｏｒｒ以下に制御されてよい。
【0090】
図５は、工程ＳＴ２の処理後の基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。工程ＳＴ２によるエッチングにより、積層膜ＦＳのうち、マスクＭＫにより覆われていない部分（開口ＯＰにおいて露出した部分）がエッチングされ凹部ＲＣが形成される。ここで積層膜ＦＳに形成される凹部ＲＣの開口寸法が深さ方向に沿って不均一になる場合がある。例えば凹部ＲＣの開口寸法は、積層膜ＦＳを構成する膜の種類に応じて異なり得る。この理由は必ずしも明らかではないが、例えば、膜ごとにプラズマ中の活性種に対する反応性や側壁に堆積するバイプロダクトの種類・堆積量が異なることで、膜ごとに水平方向のエッチングレートが異なること等が考えられる。
【0091】
図５に示す例では、積層膜ＦＳに形成される凹部ＲＣの開口寸法は、シリコン酸化膜ＳＦ１とシリコン窒化膜ＳＦ２とで異なっている。一実施形態においてシリコン酸化膜ＳＦ１における開口寸法ＣＤ１は、シリコン窒化膜ＳＦ２の開口寸法ＣＤ２よりも小さい。凹部ＲＣは、深さ方向に沿って開口寸法ＣＤ１と開口寸法ＣＤ２とを交互に有する。これにより凹部ＲＣを規定する積層膜ＦＳの側壁ＳＳは、深さ方向に沿って凹凸を有する。一例では、積層膜ＦＳの側壁ＳＳは深さ方向に沿って貝殼状の凹凸形状を有しうる。このような凹凸はその形状からスキャロップ（Ｓｃａｌｌｏｐ）と呼ばれることもある。スキャロップは、エッチングによる形状異常の１つである。一実施形態において、側壁ＳＳの表面の粗さ（開口寸法ＣＤ１と開口寸法ＣＤ２との差）は０．２ｎｍ以上である。
【0092】
本方法では、以下に示す工程ＳＴ３により積層膜ＦＳの側壁ＳＳの表面の粗さ（凹部ＲＣの開口寸法の深さ方向の均一性）を改善し得る。
【0093】
（工程ＳＴ３：凹部へのフッ化水素の供給）
工程ＳＴ３において、積層膜ＦＳの凹部ＲＣにフッ化水素が供給される。一実施形態において、フッ化水素はＨＦガスとして供給されてよい。一実施形態において、工程ＳＴ３は、工程ＳＴ２と同じチャンバで工程ＳＴ２から連続して実行されてよい。具体的には、ガス供給部２０からＨＦガスを含む第２の処理ガスがプラズマ処理空間１０ｓ内に供給される。一実施形態において、第２の処理ガスは、上述した不活性ガスを含んでよい。基板Ｗの積層膜ＦＳに形成された凹部ＲＣにフッ化水素ガスが供給されることで、積層膜ＦＳの側壁ＳＳが水平方向にエッチングされる。側壁ＳＳを構成する膜ごとにＨＦガスに対するエッチングレートは異なり得る。すなわち工程ＳＴ３においてエッチングされる側壁ＳＳのエッチング量は膜ごとに異なり得る。
工程ＳＴ３において、積層膜ＦＳの凹部ＲＣにフッ化水素が供給される。一実施形態において、フッ化水素はＨＦガスとして供給されてよい。一実施形態において、工程ＳＴ３は、工程ＳＴ２と同じチャンバで工程ＳＴ２から連続して実行されてよい。具体的には、ガス供給部２０からＨＦガスを含む第２の処理ガスがプラズマ処理空間１０ｓ内に供給される。一実施形態において、第２の処理ガスは、上述した不活性ガスを含んでよい。基板Ｗの積層膜ＦＳに形成された凹部ＲＣにフッ化水素ガスが供給されることで、積層膜ＦＳの側壁ＳＳが水平方向にエッチングされる。側壁ＳＳを構成する膜ごとにＨＦガスに対するエッチングレートは異なり得る。すなわち工程ＳＴ３においてエッチングされる側壁ＳＳのエッチング量は膜ごとに異なり得る。
【0094】
一実施形態において、ＨＦガスは、不活性ガスを除いて第２の処理ガス中最も流量（分圧）が大きくてよい。一例では、ＨＦガスの流量は、第２の処理ガスの総流量（第２の処理ガスが不活性ガスを含む場合は当該不活性ガスを除く全てのガスの流量）に対して、５０体積％以上、６０体積％以上、７０体積％以上、８０体積％以上、９０体積％以上又は９５体積％以上でよい。ＨＦガスの流量は、第２の処理ガスの総流量に対して、１００体積％未満、９９．５体積％以下、９８体積％以下又は９６体積％以下でよい。一例では、ＨＦガスの流量は、第２の処理ガスの総流量に対して、７０体積％以上９６体積％以下である。
【0095】
一実施形態において第２の処理ガスは上述したリン含有ガスを含んでよい。一実施形態において、第２の処理ガスに含まれるリン含有ガスの流量は、第２の処理ガスの総流量のうち、２０体積％以下、１０体積％以下、５体積％以下である。
【0096】
一実施形態において、工程ＳＴ３における処理の間、基板支持部１１の温度は、工程ＳＴ１及び／又は工程ＳＴ２で設定した所与の温度よりも低い温度に制御されてよく、また高い温度に制御されてもよい。一例では、基板支持部１１の温度は、０℃以下、－１０℃以下、－２０℃又は－３０℃、－４０℃又は－５０℃以下である。一実施形態において、所与の温度は－７０℃以上又は－６０℃以上である。一実施形態において、基板支持部１１の温度に代えて、基板Ｗの温度が所与の温度よりも低い上記の温度に制御されてもよい。これにより、ＨＦガスによるシリコン酸化膜のエッチングレートが向上し得る。
【0097】
一実施形態において、工程ＳＴ３における処理の間、プラズマ処理チャンバ１０内の圧力は、工程ＳＴ２におけるプラズマ処理チャンバ１０内の圧力よりも高い。
【0098】
図６は、工程ＳＴ３の処理後の基板Ｗの断面構造の一例を示す図である。図６に示すように、工程ＳＴ３により、凹部ＲＣのシリコン酸化膜ＳＦ１の開口寸法ＣＤ１０とシリコン窒化膜ＳＦ２の開口寸法ＣＤ２０とが実質的に同一になり得る。一実施形態において、側壁ＳＳの表面の粗さ（開口寸法ＣＤ１０と開口寸法ＣＤ２０との差）は１ｎｍ未満である。すなわち側壁ＳＳの表面粗さが改善し得る。
【0099】
この理由は積層膜ＦＳの側壁ＳＳのうち、シリコン酸化膜ＳＦ１の水平方向のエッチングが進行する一方で、シリコン窒化膜ＳＦ２のエッチングは抑制されるためと考えられる。一例では、シリコン窒化膜ＳＦ２に対するシリコン酸化膜ＳＦ１のエッチングの選択比（第２の処理ガスによるシリコン酸化膜ＳＦ１のエッチングレート／第２の処理ガスによるシリコン窒化膜ＳＦ２のエッチングレート）は１０以上、１５以上、２０以上又は２５以上である。
【0100】
本方法によれば、エッチングにより積層膜に形成される凹部の例えばＳｃａｌｌｏｐ等の形状異常を抑止し、積層膜の側壁の表面粗さを改善し得る。
【0101】
＜変形例＞
本方法の変形例について説明する。本開示は、以下の変形例によって何ら限定されるものではない。
本方法の変形例について説明する。本開示は、以下の変形例によって何ら限定されるものではない。
【0102】
一実施形態において、工程ＳＴ３は、次の２つの工程ＳＴ３１及び工程ＳＴ３２を含んでよい。工程ＳＴ３１は、基板支持部１１の温度を第１の温度に制御し、かつチャンバ内のフッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程である。工程ＳＴ３２は、工程ＳＴ３１の後に実行され、基板支持部１１の温度を第２の温度に制御し、かつチャンバ内のフッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程である。一実施形態において、工程ＳＴ３１及び工程ＳＴ３２において、基板支持部１１の温度を制御することに代えて、基板Ｗの温度を制御してよい。
【0103】
一実施形態において、第２の温度は、第１の温度よりも高くてよい。一実施形態において、第２の圧力は、第１の圧力よりも低くてよい。
【0104】
図７は、フッ化水素の吸着平衡圧曲線の一例を示すグラフである。横軸は温度（℃）である。縦軸は圧力（ｍＴｏｒｒ）である。Ｃ１はフッ化水素の吸着平衡圧曲線である。Ｃ２はフッ化水素の飽和蒸気圧曲線である。図７のグラフの吸着平衡圧曲線Ｃ１上の温度及び圧力において、フッ化水素の吸着及び脱離は平衡となる。一実施形態において、吸着平衡圧曲線Ｃ１は、ＢＥＴの吸着理論に基づき、測定データを用いて近似された指数関数により描かれてもよい。
【0105】
一実施形態において、第１の温度及び第１の圧力は、図７に示すグラフのフッ化水素の吸着平衡圧曲線Ｃ１よりも上の第１の領域に位置する。これにより、工程ＳＴ３１では、積層膜ＦＳの側壁ＳＳの表面にフッ化水素が吸着し、揮発性の副生物が形成される。第１の領域は、フッ化水素の飽和蒸気圧曲線Ｃ２より下の領域（図７のグラフにおいて「Ｒ１」で示す領域）に位置してよい。この場合、フッ化水素は積層膜ＦＳの側壁ＳＳの表面に気相吸着する。第１の領域は、飽和蒸気圧曲線Ｃ２より上に位置してよい。この場合、フッ化水素は積層膜ＦＳの側壁ＳＳの表面に液相吸着する。一実施形態において、シリコン酸化膜ＳＦ１の側壁ＳＳにおけるフッ化水素の吸着量及び副生成物の形成量は、シリコン窒化膜ＳＦ２の側壁ＳＳよりも多い。
【0106】
一実施形態において、第２の温度及び第２の圧力は、図７に示すグラフのフッ化水素の吸着平衡圧曲線Ｃ１よりも下の第２の領域（図７のグラフにおいて「Ｒ２」で示す領域）に位置する。これにより、工程ＳＴ３２では、積層膜ＦＳの側壁ＳＳの表面において吸着したフッ化水素及び副生成物が脱離する。一実施形態において、シリコン酸化膜ＳＦ１の側壁ＳＳにおけるフッ化水素及び副生成物の脱離量は、シリコン窒化膜ＳＦ２の側壁ＳＳよりも多い。これにより、シリコン酸化膜ＳＦ１の水平方向のエッチングがシリコン窒化膜ＳＦ２に比べて進行する。
【0107】
一実施形態において、工程ＳＴ３において、工程ＳＴ３１と工程ＳＴ３２とを含むサイクルが複数回実行されてよい。
【0108】
一実施形態において、工程ＳＴ３は工程ＳＴ２と異なるチャンバ（以下「第２チャンバ」という。）で実行されてよい。例えば、工程ＳＴ３は、基板Ｗをプラズマ処理チャンバ１０から第２チャンバに搬送する工程と、当該第２のチャンバにおいて基板Ｗに上述した第２の処理ガスを供給する工程とを含んでよい。一実施形態において、第２チャンバは、以下に示す基板処理システムＰＳ１の一部であってよい。一実施形態において、第２チャンバは、プラズマ処理装置１を含むプラズマ処理システムの外部にある、別の基板処理装置の一部であってよい。
【0109】
一実施形態において、工程ＳＴ３の条件は、積層膜ＦＳの凹部ＲＣの形状を示すデータに基づいて設定されてよい。工程ＳＴ２後の側壁ＳＳの表面粗さは、凹部ＲＣの深さによって異なる場合がある。このような場合、積層膜ＦＳの凹部ＲＣの形状を示すデータに基づいて、工程ＳＴ３の条件を設定することで、凹部ＲＣの深さに関わらず、側壁ＳＳの表面粗さを改善することができる。
【0110】
積層膜ＦＳの凹部ＲＣの形状を示すデータは、センサを用いて工程ＳＴ２後の基板Ｗを観察することにより取得してよい。センサは、光学センサであってもよく、他のセンサであってもよい。センサは、プラズマ処理チャンバ１０内の基板支持部１１上に載置された基板Ｗを観察可能に構成されたものであってもよく、プラズマ処理チャンバ１０の外部において基板Ｗを観察可能に構成されたものであってもよい。一例では、センサは、後述する搬送モジュールＴＭ内に設置される。なお、積層膜ＦＳの凹部ＲＣの形状を示すデータは、工程ＳＴ２におけるプラズマの発光状態及び／又は工程ＳＴ２の前後における基板Ｗの質量変化から推定したデータであってもよく、シミュレーション等により推定したデータであってもよい。
【0111】
一実施形態において、積層膜ＦＳの凹部ＲＣの形状を示すデータに基づいて設定される条件は、基板Ｗが収容されるプラズマ処理チャンバ１０の圧力（以下、「圧力」ともいう。）、基板Ｗ又は基板Ｗを支持する基板支持部１１の温度（以下、「温度」ともいう。）、及びフッ化水素ガスの流量（以下、「流量」ともいう。）からなる群から選択される少なくとも１種を含んでよい。
【0112】
一実施形態において、凹部ＲＣの形状を示すデータに基づいて、圧力、温度及び流量は、以下のように設定されてよい。ここで、凹部ＲＣの深さ方向で側壁ＳＳの表面粗さが均一ないしは略均一である場合の圧力、温度及び流量を基準値とする。凹部ＲＣの上側（開口側）から下側（底部側）に向かって側壁ＳＳの表面粗さが小さくなっている場合には、圧力及び流量を基準値よりも低く設定し、温度を基準値よりも高く設定してよい。また、凹部ＲＣの上側から下側に向かって側壁ＳＳの表面粗さが大きくなっている場合には、圧力及び流量を基準値よりも高く設定し、温度を基準値よりも低く設定してよい。また、凹部ＲＣの中間部の表面粗さが最も小さく、凹部ＲＣの上側及び下側の表面粗さが同程度である場合には、圧力及び流量は基準値のまま、温度のみを低く設定してよい。また、凹部ＲＣの中間部の表面粗さが最も小さく、凹部ＲＣの上側よりも下側の表面粗さが大きい場合には、温度を基準値のまま、圧力及び流量を基準値よりも高く設定してよい。また、凹部ＲＣの中間部の表面粗さが最も小さく、凹部ＲＣの下側よりも上側の表面粗さが大きい場合には、温度を基準値のまま、圧力及び流量を基準値よりも低く設定してよい。
【0113】
一実施形態において、工程ＳＴ３の実行中、凹部ＲＣの深さに応じて、工程ＳＴ３の条件を変更してもよい。例えば、工程３は、次の２つの工程ＳＴ３３及び工程ＳＴ３４を含んでよい。工程３３は、積層膜ＦＳの凹部ＲＣに、第１の条件でフッ化水素を供給する工程である。工程３４は、積層膜ＦＳの凹部ＲＣに、第１の条件と異なる第２の条件で前記フッ化水素を供給する工程である。工程３において、工程３３と工程３４とを含むサイクルが複数回実行されてもよい。
【0114】
一実施形態において、第２の条件は、基板Ｗが収容されるプラズマ処理チャンバ１０の圧力、基板Ｗ又は基板Ｗを支持する基板支持部１１の温度、及びフッ化水素ガスの流量からなる群から選択される少なくとも１種が第１の条件と異なってよい。
【0115】
一実施形態において、本方法は複数の基板処理室を含む基板処理システムＰＳ１を用いて実行されてよい。
【0116】
図８は、基板処理システムＰＳ１の構成例を説明するための図である。基板処理システムＰＳ１は、基板処理室ＰＭ１～ＰＭ６（以下、総称して「基板処理モジュールＰＭ」ともいう。）と、搬送モジュールＴＭと、ロードロックモジュールＬＬＭ１及びＬＬＭ２（以下、総称して「ロードロックモジュールＬＬＭ」ともいう。）と、ローダーモジュールＬＭ、ロードポートＬＰ１からＬＰ３（以下、総称して「ロードポートＬＰ」ともいう。）とを有する。制御部ＣＴは、基板処理システムＰＳ１の各構成を制御して、基板Ｗに所与の処理を実行する。
【0117】
基板処理モジュールＰＭは、その内部において、基板Ｗに対して、エッチング処理、トリミング処理、成膜処理、アニール処理、ドーピング処理、リソグラフィ処理、クリーニング処理、アッシング処理等の処理を実行する。基板処理室ＰＭ１～ＰＭ６の少なくとも一つは、図１や図２に示すプラズマ処理装置１であってよい。
【0118】
搬送モジュールＴＭは、基板Ｗを搬送する搬送装置を有し、基板処理モジュールＰＭ間又は基板処理モジュールＰＭとロードロックモジュールＬＬＭとの間で、基板Ｗを搬送する。基板処理モジュールＰＭ及びロードロックモジュールＬＬＭは、搬送モジュールＴＭに隣接して配置されている。搬送モジュールＴＭと基板処理モジュールＰＭ及びロードロックモジュールＬＬＭは、開閉可能なゲートバルブによって空間的に隔離又は連結される。
【0119】
ロードロックモジュールＬＬＭ１及びＬＬＭ２は、搬送モジュールＴＭとローダーモジュールＬＭとの間に設けられている。ロードロックモジュールＬＬＭは、その内部の圧力を、大気圧又は真空に切り替えることができる。「大気圧」は、基板処理システムＰＳ１に含まれる各モジュールの外部の圧力であり得る。また、「真空」は、大気圧よりも低い圧力であって、例えば０．１Ｐａ～１００Ｐａの中真空であり得る。ロードロックモジュールＬＬＭは、大気圧であるローダーモジュールＬＭから真空である搬送モジュールＴＭへ基板Ｗを搬送し、また、真空である搬送モジュールＴＭから大気圧であるローダーモジュールＬＭへ搬送する。
【0120】
ローダーモジュールＬＭは、基板Ｗを搬送する搬送装置を有し、ロードロックモジュールＬＬＭとロードボードＬＰとの間で基板Ｗを搬送する。ロードポートＬＰ内の内部には、例えば２５枚の基板Ｗが収納可能なＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）または空のＦＯＵＰが載置できる。ローダーモジュールＬＭは、ロードポートＬＰ内のＦＯＵＰから基板Ｗを取り出して、ロードロックモジュールＬＬＭに搬送する。また、ローダーモジュールＬＭは、ロードロックモジュールＬＬＭから基板Ｗを取り出して、ロードボードＬＰ内のＦＯＵＰに搬送する。
【0121】
制御部ＣＴは、基板処理システムＰＳ１の各構成を制御して、基板Ｗに所与の処理を実行する。制御部ＣＴは、プロセスの手順、プロセスの条件、搬送条件等が設定されたレシピを格納しており、当該レシピに従って、基板Ｗに所与の処理を実行するように、基板処理システムＰＳ１の各構成を制御する。制御部ＣＴは、図１や図２に示す制御部２の一部又は全部の機能を兼ねてよい。制御部ＣＴの制御により、基板処理システムＰＳ１において本方法が実行され得る。一実施形態において、工程ＳＴ１～工程ＳＴ３は、基板処理室ＰＭ１～ＰＭ６の一つにおいて実行されてよい。また例えば、工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２が基板処理室ＰＭ１～ＰＭ６の一つにおいて実行され、工程ＳＴ３が基板処理室ＰＭ１～ＰＭ６の他の１つにおいて実行されてよい。
【0122】
一実施形態において、工程ＳＴ３において、フッ化水素を含む処理液が基板に供給されてよい。例えば、工程ＳＴ３は、基板Ｗをプラズマ処理チャンバ１０の外部の液処理装置に搬送する工程と、当該液処理装置において基板Ｗにフッ化水素を含む処理液を供給する工程とを含んでよい。処理液は、例えば、フッ酸（ＤＨＦ）又はバッファードフッ酸（ＢＨＦ）でよい。一実施形態において、液処理装置は、以下に示す基板処理システムＰＳ２の一部であってよい。
【0123】
一実施形態において、本方法は液処理装置を含む基板処理システムＰＳ２を用いて実行されてよい。
【0124】
図９は、基板処理システムＰＳ２の構成例を説明するための図である。一実施形態において、基板処理システムＰＳ２は、プラズマ処理装置１（図１、図２参照）と、液処理装置１００と、制御部ＣＴ２とを含む。基板処理システムＰＳ２は、プラズマ処理装置１と液処理装置１００との間で基板Ｗを搬送する搬送装置を備えてよい。
【0125】
一実施形態において、液処理装置１００は、フッ化水素を含む処理液を収容するための容器１１０と、リンス液を収容するための容器１１２と、純水を収容するための容器１１４とを備える。一実施形態において、液処理装置１００は、基板Ｗを乾燥させるための乾燥機を備えてよい。
【0126】
一実施形態において、液処理装置１００は、プラズマ処理装置１から搬出された基板Ｗを受け入れるための搬入口１１６と、基板Ｗをプラズマ処理装置１に搬出するための搬出口１１８とを備える。一実施形態において、液処理装置１００は、基板Ｗを搬送するための搬送装置１２０を備える。搬送装置１２０は、基板Ｗを搬入口１１６から容器１１０に搬送する。搬送装置１２０は、基板Ｗを容器１１０から容器１１２に搬送する。搬送装置１２０は、基板Ｗを容器１１２から容器１１４に搬送する。搬送装置１２０は、基板Ｗを容器１１４から搬出口１１８に搬送する。
【0127】
制御部ＣＴ２は、プラズマ処理装置１及び液処理装置１００の各部を制御するように構成される。制御部ＣＴ２は、図１や図２に示す制御部２の一部又は全部の機能を兼ねてよい。制御部ＣＴ２の制御により、基板処理システムＰＳ２において本方法が実行され得る。
【0128】
一実施形態において、基板処理システムＰＳ２のプラズマ処理装置１において、工程ＳＴ及び工程ＳＴ２が実行される。次に、工程ＳＴ３において、基板Ｗがプラズマ処理装置１から液処理装置１００の搬入口１１６に搬送される。そして基板Ｗは容器１１０に搬送され、容器１１０内でフッ化水素を含む処理液中に浸漬される。フッ化水素が基板Ｗの積層膜ＦＳに形成された凹部ＲＣに供給される。これにより積層膜ＦＳの側壁ＳＳが水平方向にエッチングされる。エッチング中、処理液の温度は１５℃～２５℃に維持されてよい。
【0129】
一実施形態において、基板Ｗは容器１１０から容器１１２に搬送されてリンス液中に浸漬されてよい。基板Ｗはさらに容器１１２から容器１１４に搬送され純水中に浸漬されてよい。一実施形態において、基板Ｗは、液処理装置１００の乾燥機において乾燥されてよい。一実施形態において、基板Ｗは、プラズマ処理装置１に搬送され、プラズマ処理チャンバ１０内の減圧により乾燥されてもよい。
【0130】
本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。
【0131】
（付記１）
エッチング方法であって、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する工程と、
（ｃ）前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給する工程と、
を含むエッチング方法。
エッチング方法であって、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する工程と、
（ｃ）前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給する工程と、
を含むエッチング方法。
【0132】
（付記２）
前記積層膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びポリシリコン膜からなる群から選択される少なくとも２つを含む、付記１に記載のエッチング方法。
前記積層膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びポリシリコン膜からなる群から選択される少なくとも２つを含む、付記１に記載のエッチング方法。
【0133】
（付記３）
前記積層膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが交互に複数積層されて構成される、付記１又は付記２に記載のエッチング方法。
前記積層膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とが交互に複数積層されて構成される、付記１又は付記２に記載のエッチング方法。
【0134】
（付記４）
前記マスクは、炭素含有膜又は金属含有膜である、付記１から付記３のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記マスクは、炭素含有膜又は金属含有膜である、付記１から付記３のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0135】
（付記５）
前記第１の処理ガスは、フッ化水素ガスを含む、付記１から付記４のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記第１の処理ガスは、フッ化水素ガスを含む、付記１から付記４のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0136】
（付記６）
前記第１の処理ガスは、フッ化水素ガス、ハイドロフルオロカーボンガス、及び、水素含有ガスとフッ素含有ガスとの混合ガスからなる群から選択される少なくとも１つのガスを含む、付記１から付記５のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記第１の処理ガスは、フッ化水素ガス、ハイドロフルオロカーボンガス、及び、水素含有ガスとフッ素含有ガスとの混合ガスからなる群から選択される少なくとも１つのガスを含む、付記１から付記５のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0137】
（付記７）
前記第１の処理ガスは、リン含有ガスをさらに含む、付記１から付記６のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記第１の処理ガスは、リン含有ガスをさらに含む、付記１から付記６のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0138】
（付記８）
前記第１の処理ガスは、炭素含有ガス、酸素含有ガス及び金属含有ガスからなる群から選択される少なくとも１つのガスをさらに含む、付記１から付記７のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記第１の処理ガスは、炭素含有ガス、酸素含有ガス及び金属含有ガスからなる群から選択される少なくとも１つのガスをさらに含む、付記１から付記７のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0139】
（付記９）
前記（ｂ）の終了時において、前記凹部は、第１の開口寸法と前記第１の開口寸法と異なる第２の開口寸法とを前記凹部の深さ方向に沿って交互に有する、付記１から付記８のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記（ｂ）の終了時において、前記凹部は、第１の開口寸法と前記第１の開口寸法と異なる第２の開口寸法とを前記凹部の深さ方向に沿って交互に有する、付記１から付記８のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0140】
（付記１０）
前記第１の開口寸法と前記第２の開口寸法の差が０．２ｎｍ以上である、付記９に記載のエッチング方法。
前記第１の開口寸法と前記第２の開口寸法の差が０．２ｎｍ以上である、付記９に記載のエッチング方法。
【0141】
（付記１１）
前記（ａ）は、第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記第１チャンバ内にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給することを含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記（ａ）は、第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記第１チャンバ内にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給することを含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0142】
（付記１２）
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、及び／又は前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも低い、付記１１に記載のエッチング方法。
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、及び／又は前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも低い、付記１１に記載のエッチング方法。
【0143】
（付記１３）
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
横軸を温度、縦軸を圧力としてフッ化水素の吸着平衡圧曲線を示すグラフにおいて、前記吸着平衡圧曲線よりも上側の第１領域に前記第１の温度及び前記第１の圧力が位置し、前記吸着平衡圧曲線よりも下側の第２領域に前記第２の温度及び前記第２の圧力が位置する、付記１１に記載のエッチング方法。
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
横軸を温度、縦軸を圧力としてフッ化水素の吸着平衡圧曲線を示すグラフにおいて、前記吸着平衡圧曲線よりも上側の第１領域に前記第１の温度及び前記第１の圧力が位置し、前記吸着平衡圧曲線よりも下側の第２領域に前記第２の温度及び前記第２の圧力が位置する、付記１１に記載のエッチング方法。
【0144】
（付記１４）
前記（ａ）は、第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記第１チャンバから前記第１チャンバと異なる第２チャンバに搬送することと、前記第２チャンバ内にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給することを含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記（ａ）は、第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記第１チャンバから前記第１チャンバと異なる第２チャンバに搬送することと、前記第２チャンバ内にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給することを含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0145】
（付記１５）
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、及び／又は前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも低い、付記１４に記載のエッチング方法。
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
前記第２の温度は前記第１の温度よりも高い、及び／又は前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも低い、付記１４に記載のエッチング方法。
【0146】
（付記１６）
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
横軸を温度、縦軸を圧力としてフッ化水素の吸着平衡圧曲線を示すグラフにおいて、前記吸着平衡圧曲線よりも上側の第１領域に前記第１の温度及び前記第１の圧力が位置し、前記吸着平衡圧曲線よりも下側の第２領域に前記第２の温度及び前記第２の圧力が位置する、付記１４に記載のエッチング方法。
前記（ｃ）は、
（ｃ１）前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度を第１の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第１の圧力に制御する工程と、
（ｃ２）前記（ｃ１）の後、前記基板又は前記基板支持部の前記温度を第２の温度に制御し、かつ前記チャンバ内の前記フッ化水素ガスの分圧を第２の圧力に制御する工程と、
を含み、
横軸を温度、縦軸を圧力としてフッ化水素の吸着平衡圧曲線を示すグラフにおいて、前記吸着平衡圧曲線よりも上側の第１領域に前記第１の温度及び前記第１の圧力が位置し、前記吸着平衡圧曲線よりも下側の第２領域に前記第２の温度及び前記第２の圧力が位置する、付記１４に記載のエッチング方法。
【0147】
（付記１７）
前記（ｃ）における前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度は、前記（ｂ）における前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度よりも低い温度に制御される、付記１１から付記１６のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記（ｃ）における前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度は、前記（ｂ）における前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度よりも低い温度に制御される、付記１１から付記１６のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0148】
（付記１８）
前記第２の処理ガスは、リン含有ガスをさらに含む、付記１１から付記１７のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記第２の処理ガスは、リン含有ガスをさらに含む、付記１１から付記１７のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0149】
（付記１９）
前記（ａ）は、第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記第１チャンバの外部に搬送することと、当該外部において前記基板にフッ化水素を含む処理液を供給することと、を含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記（ａ）は、第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記第１チャンバの外部に搬送することと、当該外部において前記基板にフッ化水素を含む処理液を供給することと、を含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0150】
（付記２０）
前記処理液は、フッ酸（ＤＨＦ）又はバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を含む、付記１９に記載のエッチング方法。
前記処理液は、フッ酸（ＤＨＦ）又はバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を含む、付記１９に記載のエッチング方法。
【0151】
（付記２１）
前記（ａ）は、プラズマ処理システムの第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記プラズマ処理システムの外部の基板処理装置に搬送することと、前記基板処理装置内で前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給することを含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記（ａ）は、プラズマ処理システムの第１チャンバ内に前記基板を配置することを含み、
前記（ｂ）は、前記第１チャンバ内に前記第１の処理ガスを供給して前記プラズマを生成することを含み、
前記（ｃ）は、前記基板を前記プラズマ処理システムの外部の基板処理装置に搬送することと、前記基板処理装置内で前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給することを含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0152】
（付記２２）
前記積層膜の前記凹部の形状を示すデータに基づいて、前記（ｃ）の条件を設定する工程をさらに含む、付記１から付記１８のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記積層膜の前記凹部の形状を示すデータに基づいて、前記（ｃ）の条件を設定する工程をさらに含む、付記１から付記１８のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0153】
（付記２３）
前記条件は、前記基板が収容されるチャンバの圧力、前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度、及び前記フッ化水素ガスの流量からなる群から選択される少なくとも１種を含む、付記２２に記載のエッチング方法。
前記条件は、前記基板が収容されるチャンバの圧力、前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度、及び前記フッ化水素ガスの流量からなる群から選択される少なくとも１種を含む、付記２２に記載のエッチング方法。
【0154】
（付記２４）
前記（ｃ）は、
（ｃ３）前記積層膜の前記凹部に、第１の条件で前記フッ化水素を供給する工程と、
（ｃ４）前記積層膜の前記凹部に、前記第１の条件と異なる第２の条件で前記フッ化水素を供給する工程と、
を含む、付記１から付記１８のいずれか１つに記載のエッチング方法。
前記（ｃ）は、
（ｃ３）前記積層膜の前記凹部に、第１の条件で前記フッ化水素を供給する工程と、
（ｃ４）前記積層膜の前記凹部に、前記第１の条件と異なる第２の条件で前記フッ化水素を供給する工程と、
を含む、付記１から付記１８のいずれか１つに記載のエッチング方法。
【0155】
（付記２５）
前記第２の条件は、前記基板が収容されるチャンバの圧力、前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度、及び前記フッ化水素ガスの流量からなる群から選択される少なくとも１種が前記第１の条件と異なる、請求項２４に記載のエッチング方法。
前記第２の条件は、前記基板が収容されるチャンバの圧力、前記基板又は前記基板を支持する基板支持部の温度、及び前記フッ化水素ガスの流量からなる群から選択される少なくとも１種が前記第１の条件と異なる、請求項２４に記載のエッチング方法。
【0156】
（付記２６）
チャンバ、プラズマ生成部、ガス供給部及び制御部を有するプラズマ処理装置であって、前記制御部は、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を前記チャンバに提供する制御と、
（ｂ）前記チャンバ内で、前記プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記チャンバ内で、前記ガス供給部により前記積層膜の前記凹部にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給する制御と、
を実行するプラズマ処理装置。
チャンバ、プラズマ生成部、ガス供給部及び制御部を有するプラズマ処理装置であって、前記制御部は、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を前記チャンバに提供する制御と、
（ｂ）前記チャンバ内で、前記プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記チャンバ内で、前記ガス供給部により前記積層膜の前記凹部にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給する制御と、
を実行するプラズマ処理装置。
【0157】
（付記２７）
第１チャンバ、プラズマ生成部、第２チャンバ、ガス供給部及び制御部を有する基板処理システムであって、前記制御部は、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を前記第１チャンバに提供する制御と、
（ｂ）前記第１チャンバ内で、前記プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記基板を前記第１チャンバから前記第２チャンバに搬送し、前記第２チャンバ内で、前記ガス供給部により前記積層膜の前記凹部にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給する制御と、
を実行する基板処理システム。
第１チャンバ、プラズマ生成部、第２チャンバ、ガス供給部及び制御部を有する基板処理システムであって、前記制御部は、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を前記第１チャンバに提供する制御と、
（ｂ）前記第１チャンバ内で、前記プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記基板を前記第１チャンバから前記第２チャンバに搬送し、前記第２チャンバ内で、前記ガス供給部により前記積層膜の前記凹部にフッ化水素ガスを含む第２の処理ガスを供給する制御と、
を実行する基板処理システム。
【0158】
（付記２８）
チャンバ、プラズマ生成部及びガス供給部を有するプラズマ処理装置と、液処理装置と、制御部とを有する基板処理システムであって、前記制御部は、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を前記プラズマ処理装置の前記チャンバに提供する制御と、
（ｂ）前記チャンバ内で、前記プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記基板を前記チャンバから前記液処理装置に搬送し、前記液処理装置において前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を含む処理液を供給する制御と、
を実行する基板処理システム。
チャンバ、プラズマ生成部及びガス供給部を有するプラズマ処理装置と、液処理装置と、制御部とを有する基板処理システムであって、前記制御部は、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を前記プラズマ処理装置の前記チャンバに提供する制御と、
（ｂ）前記チャンバ内で、前記プラズマ生成部により第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記基板を前記チャンバから前記液処理装置に搬送し、前記液処理装置において前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を含む処理液を供給する制御と、
を実行する基板処理システム。
【0159】
（付記２９）
デバイス製造方法であって、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する工程と、
（ｃ）前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給する工程と、
を含むデバイス製造方法。
デバイス製造方法であって、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を提供する工程と、
（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する工程と、
（ｃ）前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給する工程と、
を含むデバイス製造方法。
【0160】
（付記３０）
制御部を備える基板処理システムのコンピュータに、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を提供する制御と、
（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給する制御と、
を実行させるプログラム。
制御部を備える基板処理システムのコンピュータに、
（ａ）少なくとも２つの異なるシリコン含有膜を含む積層膜と前記積層膜上のマスクとを有する基板を提供する制御と、
（ｂ）第１の処理ガスから生成したプラズマを用いて前記積層膜をエッチングして前記積層膜に凹部を形成する制御と、
（ｃ）前記積層膜の前記凹部にフッ化水素を供給する制御と、
を実行させるプログラム。
【0161】
（付記３１）
付記３０に記載のプログラムを格納した、記憶媒体。
付記３０に記載のプログラムを格納した、記憶媒体。
【0162】
以上の各実施形態は、説明の目的で記載されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。以上の各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。
【符号の説明】
【0163】
１……プラズマ処理装置、２……制御部、１０……プラズマ処理チャンバ、１０ｓ……プラズマ処理空間、１１……基板支持部、１３……シャワーヘッド、２０……ガス供給部、３１ａ……第１のＲＦ生成部、３１ｂ……第２のＲＦ生成部、３２ａ……第１のＤＣ生成部、ＦＳ……積層膜、ＭＫ……マスク、ＯＰ……開口、ＰＳ１、ＰＳ２……基板処理装置ＲＣ……凹部、ＳＦ１……シリコン酸化膜、ＳＦ２……シリコン窒化膜、ＳＳ……側壁、ＵＦ……下地膜、Ｗ……基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】