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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024130337
(43)【公開日】2024-09-30
(54)【発明の名称】基板搬送方法及び基板搬送装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20240920BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20240920BHJP
G03F 7/20 20060101ALN20240920BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 562
H01L21/30 502J
H01L21/68 A
G03F7/20 521
【審査請求】未請求
【請求項の数】18
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023040002
(22)【出願日】2023-03-14
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002756
【氏名又は名称】弁理士法人弥生特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】松山 健一郎
(72)【発明者】
【氏名】只友 浩貴
(72)【発明者】
【氏名】酒田 洋司
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼木 慎介
【テーマコード（参考）】
2H197
5F131
5F146
【Ｆターム（参考）】
2H197CD24
2H197CD25
2H197DA10
2H197HA03
2H197HA04
2H197JA12
5F131AA02
5F131AA03
5F131AA32
5F131AA33
5F131BA11
5F131BA14
5F131BB02
5F131BB03
5F131CA06
5F131CA32
5F131CA42
5F131DA02
5F131DA22
5F131DA42
5F131DB02
5F131DB52
5F131DB62
5F131GB12
5F131HA02
5F131JA05
5F131JA08
5F131JA14
5F131JA15
5F131JA34
5F131JA35
5F131KA22
5F131KA23
5F146CD01
5F146CD05
5F146JA27
(57)【要約】
【課題】基板に形成する金属含有レジスト膜について、変質を抑制する。
【解決手段】本開示の基板搬送方法は、金属含有レジスト膜が形成された基板を、第１載置部から第２載置部に搬送する搬送経路において、前記搬送経路における異常に応じて、前記第２載置部へ前記基板を搬送する代わりに、前記第１載置部の第１雰囲気とは異なる第２雰囲気が形成される待機室に前記基板を搬送して当該第２雰囲気にて待機させる工程を含む。
【選択図】図９
【解決手段】本開示の基板搬送方法は、金属含有レジスト膜が形成された基板を、第１載置部から第２載置部に搬送する搬送経路において、前記搬送経路における異常に応じて、前記第２載置部へ前記基板を搬送する代わりに、前記第１載置部の第１雰囲気とは異なる第２雰囲気が形成される待機室に前記基板を搬送して当該第２雰囲気にて待機させる工程を含む。
【選択図】図９
【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属含有レジスト膜が形成された基板を、第１載置部から第２載置部に搬送する搬送経路において、
前記搬送経路における異常に応じて、前記第２載置部へ前記基板を搬送する代わりに、前記第１載置部の第１雰囲気とは異なる第２雰囲気が形成される待機室に前記基板を搬送して前記第２雰囲気にて待機させる待機工程を含む基板搬送方法。
前記搬送経路における異常に応じて、前記第２載置部へ前記基板を搬送する代わりに、前記第１載置部の第１雰囲気とは異なる第２雰囲気が形成される待機室に前記基板を搬送して前記第２雰囲気にて待機させる待機工程を含む基板搬送方法。
【請求項2】
前記金属含有レジスト膜は金属酸化物レジスト膜であり、前記第２雰囲気は不活性ガス雰囲気である請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項3】
前記第１雰囲気は、前記第２雰囲気に比べて前記金属含有レジスト膜における反応が促進される雰囲気である請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項4】
前記搬送経路に設けられる露光機に前記基板を搬送する工程と、
前記搬送経路において前記第１載置部から搬送されて前記露光機に搬送される直前の前記基板を前記第２載置部に搬送して、当該第２載置部で当該基板の温度を調整する工程と、
を備える請求項１記載の基板搬送方法。
前記搬送経路において前記第１載置部から搬送されて前記露光機に搬送される直前の前記基板を前記第２載置部に搬送して、当該第２載置部で当該基板の温度を調整する工程と、
を備える請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項5】
前記異常の検出として、前記搬送経路における前記第２載置部以降の区間での前記基板の搬送の停滞を検出する工程を含む請求項４記載の基板処理方法。
【請求項6】
検出された異常の種類に応じて、前記搬送経路に設けられる前記第１載置部以外のモジュールにおける前記基板を前記待機室に搬送する工程を含む請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項7】
前記待機室は複数設けられ、一方の待機室における異常の発生時に、他方の待機室に前記基板を搬送する工程を含む請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項8】
前記第１載置部、前記待機室の各々について１つまたは複数設けられ、
前記待機室における前記基板の収容可能数の合計は、前記第１載置部における前記基板の収容可能数の合計以上である請求項１記載の基板搬送方法。
前記待機室における前記基板の収容可能数の合計は、前記第１載置部における前記基板の収容可能数の合計以上である請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項9】
前記搬送経路は、
前記金属含有レジスト膜についての形成及び現像のうちの少なくとも一方を行う処理ブロック、及び前記処理ブロックと前記金属含有レジスト膜を露光する露光機との間に介在するインターフェイスブロックによって形成される経路であり、
前記第１載置部、前記第２載置部及び前記待機室は、前記インターフェイスブロックに設けられる請求項１記載の基板搬送方法。
前記金属含有レジスト膜についての形成及び現像のうちの少なくとも一方を行う処理ブロック、及び前記処理ブロックと前記金属含有レジスト膜を露光する露光機との間に介在するインターフェイスブロックによって形成される経路であり、
前記第１載置部、前記第２載置部及び前記待機室は、前記インターフェイスブロックに設けられる請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項10】
前記異常の検出時に、前記搬送経路における前記金属含有レジスト膜を成膜する成膜モジュールへの前記基板の搬送を停止する工程を含む請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項11】
前記搬送経路にて、露光済みの前記金属含有レジスト膜が形成された基板を、第１露光後加熱モジュール、第１現像モジュール、第２露光後加熱モジュール、第２現像モジュールの順で搬送し、露光後の加熱処理及び現像処理を繰り返す工程を含み、
前記待機室には、前記第１現像モジュールから搬送され、且つ前記第２露光後加熱モジュールに搬送される前の前記基板が搬送される請求項１記載の基板搬送方法。
前記待機室には、前記第１現像モジュールから搬送され、且つ前記第２露光後加熱モジュールに搬送される前の前記基板が搬送される請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項12】
前記搬送経路において前記第１載置部または当該第１載置部よりも後段のモジュールとして、前記基板に金属含有レジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュールが含まれ、
前記異常の検出時に、当該レジスト膜形成モジュールへの前記基板の搬送を停止する工程を含む請求項１記載の基板搬送方法。
前記異常の検出時に、当該レジスト膜形成モジュールへの前記基板の搬送を停止する工程を含む請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項13】
前記搬送経路には、前記第１雰囲気とは異なる雰囲気が形成される雰囲気制御モジュールが設けられ、前記雰囲気形成モジュールは前記待機室を含み、
前記搬送経路において前記雰囲気制御モジュールに滞在していない時間が、複数の前記基板間で揃うように前記基板の搬送制御を行う工程を含む請求項１記載の基板搬送方法。
前記搬送経路において前記雰囲気制御モジュールに滞在していない時間が、複数の前記基板間で揃うように前記基板の搬送制御を行う工程を含む請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項14】
前記第１雰囲気は真空雰囲気であり、前記第２雰囲気は不活性ガス雰囲気である請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項15】
前記待機工程は、
前記第２載置部への前記基板の搬送が行えない異常の検出時に行われる請求項１記載の基板搬送方法。
前記第２載置部への前記基板の搬送が行えない異常の検出時に行われる請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項16】
前記待機工程は、前記第１載置部について予見される異常に応じて実施される請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項17】
前記待機工程は、第２載置部について予見される異常に応じて実施される請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項18】
金属含有レジスト膜が形成された基板を、第１載置部から第２載置部に搬送する搬送経路において搬送する搬送機構と、
前記搬送経路における異常に応じて、前記第１載置部の第１雰囲気とは異なる第２雰囲気が形成される待機室にて前記基板を待機させるために、前記第２載置部へ前記基板を搬送する代わりに前記待機室に前記基板を搬送するように前記搬送機構の動作を制御する制御部と、
を備える基板搬送装置。
前記搬送経路における異常に応じて、前記第１載置部の第１雰囲気とは異なる第２雰囲気が形成される待機室にて前記基板を待機させるために、前記第２載置部へ前記基板を搬送する代わりに前記待機室に前記基板を搬送するように前記搬送機構の動作を制御する制御部と、
を備える基板搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板搬送方法及び基板搬送装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスを製造するにあたり、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に対してフォトリソグラフィが行われる。このフォトリソグラフィに用いられるレジストとしては金属を含有するレジストが用いられる場合が有り、特許文献１には当該レジストによるレジスト膜の形成、及び当該レジスト膜の露光後の現像を行う装置について示されている。この装置は、露光後の加熱処理時の各ウエハ間でレジスト膜に含まれる水分量の差を縮小させるために、レジスト膜形成後で露光前のウエハを内部に複数待機させることが可能であると共に、内部の湿度（水分量）が調整される基板収容ユニットを備えるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０-１１９９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、基板に形成する金属含有レジスト膜について、変質を抑制することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の基板搬送方法は、金属含有レジスト膜が形成された基板を、第１載置部から第２載置部に搬送する搬送経路において、
前記搬送経路における異常に応じて、前記第２載置部へ前記基板を搬送する代わりに、前記第１載置部の第１雰囲気とは異なる第２雰囲気が形成される待機室に前記基板を搬送して当該第２雰囲気にて待機させる工程を含む。
前記搬送経路における異常に応じて、前記第２載置部へ前記基板を搬送する代わりに、前記第１載置部の第１雰囲気とは異なる第２雰囲気が形成される待機室に前記基板を搬送して当該第２雰囲気にて待機させる工程を含む。
【発明の効果】
【0006】
本開示は、基板に形成する金属含有レジスト膜について、変質を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本開示の基板処理装置の第１実施形態に係る塗布、現像装置の平面図である。
【図2】前記塗布、現像装置の縦断正面図である。
【図3】前記塗布、現像装置に設けられるバッファモジュールの斜視図である。
【図4】前記バッファモジュールの斜視図である。
【図5】前記バッファモジュールの斜視図である。
【図6】前記バッファモジュールの概略側面図である。
【図7】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示す説明図である。
【図8】異常発生時の露光前のウエハの搬送例を示す説明図である。
【図9】異常発生時の露光前のウエハの搬送例を示す説明図である。
【図10】異常解消時の露光前のウエハの搬送例を示す説明図である。
【図11】異常発生時の露光前のウエハの搬送例を示す説明図である。
【図12】異常発生時の露光前のウエハの搬送例を示す説明図である。
【図13】異常解消時の露光前のウエハの搬送例を示す説明図である。
【図14】第２実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図15】第３実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
〔塗布、現像装置における搬送の概要〕
本開示の基板搬送方法の一実施形態としての搬送方法を実施する塗布、現像装置１について、図１、図２に夫々平面図、縦断正面図を示している。この塗布、現像装置１は、基板搬送装置を含む基板処理装置の第１実施形態であり、キャリアブロックＤ１と、左側処理ブロックＤ２と、右側処理ブロックＤ３、インターフェイスブロックＤ４と、この順に左側から右側に向けて一列に接続して構成されている。インターフェイスブロックＤ４の右側には、露光機Ｄ５が接続されている。これらのキャリアブロックＤ１、左側処理ブロックＤ２、右側処理ブロックＤ３、インターフェイスブロックＤ４、露光機Ｄ５は各々筐体を備え、当該筐体によって各々の内部は互いに区画されている。
本開示の基板搬送方法の一実施形態としての搬送方法を実施する塗布、現像装置１について、図１、図２に夫々平面図、縦断正面図を示している。この塗布、現像装置１は、基板搬送装置を含む基板処理装置の第１実施形態であり、キャリアブロックＤ１と、左側処理ブロックＤ２と、右側処理ブロックＤ３、インターフェイスブロックＤ４と、この順に左側から右側に向けて一列に接続して構成されている。インターフェイスブロックＤ４の右側には、露光機Ｄ５が接続されている。これらのキャリアブロックＤ１、左側処理ブロックＤ２、右側処理ブロックＤ３、インターフェイスブロックＤ４、露光機Ｄ５は各々筐体を備え、当該筐体によって各々の内部は互いに区画されている。
【0009】
塗布、現像装置１は、大気雰囲気である半導体装置製造工場のクリーンルーム内に設置されており、図示しない搬送機構によって、複数枚の基板であるウエハＷを格納し、各々載置可能なキャリアＣが搬送される。キャリアＣは、例えばＦＯＵＰ(Front Opening Unify Pod）と呼ばれる搬送容器である。そして、当該キャリアＣから取り出されたウエハＷは、塗布、現像装置１内に設けられる各種のモジュールを順番に搬送されて処理されて、キャリアＣに戻される。従って、キャリアＣに至るまでの各所で、ウエハＷは処理を受ける。なお、モジュールとは搬送機構以外でのウエハＷが載置される場所であり、ウエハＷに処理を行うモジュールについては、処理モジュールとして記載する場合が有る。この処理には、ウエハＷの温度調整や、検査のための画像の取得も含まれる。
【0010】
塗布、現像装置１で行われる処理には、金属含有レジストの塗布によるウエハＷへのレジスト膜の形成と、露光機Ｄ５でレジスト膜が所定のパターンに沿って露光された後の加熱（ＰＥＢ［Post Exposure Bake］）と、レジスト膜の現像と、が含まれる。ＰＥＢ及び現像については２回行われ、１回目の処理でレジスト膜に所望の形状に近似するパターンを形成し、２回目の処理でそのパターンを整形して所望の形状にする。
【0011】
上記の金属含有レジスト膜は、より具体的には例えば金属酸化物レジスト（Metal Oxide Resist、ＭＯＲ）である。このＭＯＲは、例えば金属としてスズ（Ｓｎ）を含む、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）向けネガ型レジストである。なお、ここでの金属を含むとは、構成成分として金属を含む意味であり、不純物として金属を含有することを意味するものではない。以降は、特に説明しない限り、レジストと記載した場合にはＭＯＲの意味であるものとする。
【0012】
ところでＭＯＲはウエハＷに塗布された後、大気に含まれる各種の成分と反応することで変質する。この変質によってレジストパターンの形状が所望の形状とはならず、線幅（Critical Dimension、ＣＤ）の所望の値からのずれが大きくなってしまうおそれや、レジストパターンの硬度が低下するおそれが有る。その一方で、搬送経路においてウエハＷを順番に搬送して順次処理する基板処理装置においては、予定された搬送先への搬送が一時的に不可となる異常が発生し、その搬送が不可となった位置の上流側における搬送が停滞することが生じ得る。つまり、基板処理装置内でＭＯＲが塗布されたウエハＷを順番に搬送して当該塗布後の処理を行うにあたり、搬送の停滞が発生することによってレジスト膜の変質が起こり、上記したレジストパターンについてＣＤや硬度の異常が発生するおそれが有る。
【0013】
上記したレジスト膜の変質による異常は、レジスト膜をマスクとして当該レジスト膜の下方に形成された下層膜をエッチングしてパターンを当該下層膜に転写するにあたって、不具合を招くおそれが有る。具体的には、上記のレジストパターンのＣＤのずれに起因して下層膜のパターンのＣＤにも異常が生じたり、レジストパターンの硬度の低下によるエッチング耐性の低下に起因してエッチング中にレジスト膜が消失したりするなどの不具合が生じてしまうおそれが有る。このような事情から、ウエハＷに形成される金属含有レジスト膜について、パターンの形成が完了する前の変質を抑制することが求められている。そして、塗布、現像装置１は、そのような要請に応えられるように構成されている。
【0014】
有機スズ酸化物ベースのＭＯＲについては一般的に大気中の水、酸性ガス（二酸化炭素、硫化水素、二酸化窒素、硝酸ガスなど）、塩化水素、塩素、二酸化硫黄、アンモニア、アミン、有機物等の成分と反応して上記の変質を起こす。そのため変質を防止するにあたっては、ＭＯＲが塗布されたウエハＷはこれらの成分の含有率が低く抑えられるように、不活性ガス雰囲気に置かれることが特に有効である。そこで塗布、現像装置１におけるレジスト膜形成後のウエハＷの搬送経路をなすモジュールのうちのいくつかのモジュールについては、不活性ガスであるＮ２（窒素）ガス雰囲気が形成された空間にウエハＷを滞留させたり、当該空間でウエハＷを処理したりする構成とされる。それらのモジュールは、例えば後述するバッファモジュール４のようにウエハＷを収納する筐体と、筐体の内外を区画するシャッタとが設けられ、筐体内が第２雰囲気であるＮ２ガス雰囲気とされるように構成される。
【0015】
ただしモジュールの中には、そのようなＮ２ガス雰囲気を形成する構成とすることが難しいものがある。例えばウエハＷに対して膜形成のための薬液塗布、洗浄液による洗浄、現像液による現像などの処理を行う液処理モジュールについては、ウエハＷが収容される空間の容積が比較的大きくなる故に、そのようなＮ２ガス雰囲気を形成しにくい。容積が大きくなるのは液処理モジュールが、ウエハＷを液処理するためのノズル、ブラシなどを移動させる移動領域や、供給された液をウエハＷの各所に行き渡らせたり、処理後にウエハＷから振り切ったりするために当該ウエハＷを回転させる回転機構などを備えることによる。
【0016】
そこで塗布、現像装置１においては、多数のウエハＷを内部に収容して退避させることが可能なバッファモジュールが設けられており、このバッファモジュール内はＮ２ガス雰囲気とされている。そして、Ｎ２ガス雰囲気が形成されないモジュールに滞留するレジスト膜形成後のウエハＷについて、予定された搬送先のモジュールへの搬送が不可となる異常が発生した場合には、当該モジュールに搬送される代わりにバッファモジュールに搬送される。それによって、レジストパターンの形成が完了する前（上記した整形が完了する前）の金属含有レジスト膜の変質を防ぐ。なお、予定された搬送先への搬送が可能である場合にはウエハＷはバッファモジュールへは搬送されないが、これは搬送機構の搬送工程数（モジュール間での搬送の回数）を抑えることによって、スループットの低下を防止するためである。
【0017】
バッファモジュールを含めて、Ｎ２ガス雰囲気が形成される各モジュールを雰囲気制御モジュールと呼称する。以上のように塗布、現像装置１では、必要に応じてバッファモジュールへのウエハＷの搬送が行われることで、ウエハＷ間においてレジスト膜の形成後、２回目の現像が完了するまでの雰囲気制御モジュールに滞在していない時間のばらつきを抑える。それによって、ウエハＷ間で形成されるレジストパターンの形状等のばらつきを抑える。
【0018】
〔塗布、現像装置における構成〕
以下、塗布、現像装置１の各ブロック（キャリアブロック、左側処理ブロック、右側処理ブロック、インターフェイスブロック）Ｄ１～Ｄ４について、具体的に説明する。これらのブロックＤ１～Ｄ４は筐体内に搬送機構を備え、左側処理ブロックＤ２、右側処理ブロックＤ３及びインターフェイスブロックＤ４については、筐体内に各種のモジュールを備える。
以下、塗布、現像装置１の各ブロック（キャリアブロック、左側処理ブロック、右側処理ブロック、インターフェイスブロック）Ｄ１～Ｄ４について、具体的に説明する。これらのブロックＤ１～Ｄ４は筐体内に搬送機構を備え、左側処理ブロックＤ２、右側処理ブロックＤ３及びインターフェイスブロックＤ４については、筐体内に各種のモジュールを備える。
【0019】
〔キャリアブロックの構成〕
キャリアブロックＤ１は当該キャリアブロックＤ１を構成する筐体の外部に、キャリアＣを載置する複数のステージ１１を備える。そして、キャリアブロックＤ１は搬送機構１２を備えており、ステージ１１上のキャリアＣに対してアクセスし、塗布、現像装置１に対するウエハＷの搬入出を行う。なおキャリアＣは、その側方にウエハＷの収容空間に連なる開口部と、この開口部を開閉するための蓋と、を備える。キャリアＣに対するウエハＷの搬入出を行うにあたり、キャリアブロックＤ１の筐体の側壁に設けられる基板搬送口を開閉するドア１３が、この側壁に開口部の口縁が密着する状態のキャリアＣの蓋と共に移動する。それによって、キャリアＣへの蓋の着脱が行われる。
キャリアブロックＤ１は当該キャリアブロックＤ１を構成する筐体の外部に、キャリアＣを載置する複数のステージ１１を備える。そして、キャリアブロックＤ１は搬送機構１２を備えており、ステージ１１上のキャリアＣに対してアクセスし、塗布、現像装置１に対するウエハＷの搬入出を行う。なおキャリアＣは、その側方にウエハＷの収容空間に連なる開口部と、この開口部を開閉するための蓋と、を備える。キャリアＣに対するウエハＷの搬入出を行うにあたり、キャリアブロックＤ１の筐体の側壁に設けられる基板搬送口を開閉するドア１３が、この側壁に開口部の口縁が密着する状態のキャリアＣの蓋と共に移動する。それによって、キャリアＣへの蓋の着脱が行われる。
【0020】
また、ステージ１１には、キャリアＣの下面に接続されるコネクタ１１Ａ、１１Ｂが設けられている。キャリアＣの内部におけるウエハＷの収容空間は密閉空間であるが、キャリアＣのステージ１１における載置時には、当該コネクタ１１Ａ、１１Ｂから当該収容空間に対するＮ２ガス供給、排気を夫々行うことができ、それによって当該収容空間をＮ２ガス雰囲気とすることができる。ただし、この図１、図２で説明する装置の構成例ではウエハＷについて、キャリアＣからの搬出時にはレジスト膜は形成されておらず、キャリアＣへの搬入時には現像処理が完了している。従って、キャリアＣ内の雰囲気がレジストに与える影響が少ないので、コネクタ１１Ａ、１１Ｂを介してのＮ２ガス雰囲気の形成は行われなくてもよい。
【0021】
〔処理ブロックの構成〕
続いて、処理ブロックである左側処理ブロックＤ２及び右側処理ブロックＤ３について説明する。左側処理ブロックＤ２については、ウエハＷに液処理及び加熱処理を行う２つの階層Ｅ１、２つの階層Ｅ２が下から順に積層されることで、計４つの階層を備えており、これらの階層において、互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。２つの階層Ｅ１は互いに同様に構成され、２つの階層Ｅ２は互いに同様に構成されている。
続いて、処理ブロックである左側処理ブロックＤ２及び右側処理ブロックＤ３について説明する。左側処理ブロックＤ２については、ウエハＷに液処理及び加熱処理を行う２つの階層Ｅ１、２つの階層Ｅ２が下から順に積層されることで、計４つの階層を備えており、これらの階層において、互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。２つの階層Ｅ１は互いに同様に構成され、２つの階層Ｅ２は互いに同様に構成されている。
【0022】
図１に示す階層Ｅ２について説明する。階層Ｅ２の前後の中央には、左右に伸びるウエハＷの搬送路１４が形成されている。搬送路１４の前方には、液処理モジュールである現像モジュール３５が左右に並んで設けられており、２回目の現像処理を行う。搬送路１４の後方には、ウエハＷを加熱する加熱モジュールが積層され、この加熱モジュールの積層体が左右に多数並べて設けられている。各加熱モジュールは、ウエハＷを載置して加熱する熱板を備える。この加熱モジュールとしては、２回目のＰＥＢを行う加熱モジュール２５、及び２回目の現像後の加熱処理（ポストベーク）を行う現像後加熱モジュール２６が含まれる。上記の搬送路１４には、階層Ｅ２でウエハＷを搬送する搬送機構Ｆ２が設けられている。
【0023】
階層Ｅ１について、液処理モジュール、加熱モジュール、搬送路１４、搬送機構のレイアウトは、階層Ｅ２と同様であり、液処理モジュールとしては、薬液をウエハＷに供給して反射防止膜を形成する反射防止膜形成モジュール３１が設けられる。加熱モジュールとしては、反射防止膜形成後のウエハＷを加熱する加熱モジュール２２、及び加熱中にウエハＷの表面に処理ガスを供給して疎水化処理する疎水化処理モジュール２１が設けられる。階層Ｅ１における搬送機構Ｆ２に対応する搬送機構を搬送機構Ｆ１とする。
【0024】
階層Ｅ１～Ｅ２の搬送路１４の左側には、多数のモジュールが積層されたタワーＴ１が各階層を貫くように設けられている。タワーＴ１の各モジュールには、搬送機構１２と、搬送機構Ｆ１、Ｆ２のうちモジュールと同じ高さに位置する階層の搬送機構と、がアクセス可能である。
【0025】
右側処理ブロックＤ３については搭載されるモジュールの種類が、左側処理ブロックＤ２におけるモジュールと異なることを除いて、当該左側処理ブロックＤ２と同様の構成であり、階層Ｅ１、Ｅ２に各々対応する階層を、Ｅ１１、Ｅ１２として夫々示している。階層Ｅ１２について階層Ｅ２との差異点を述べると、液処理モジュールとしては現像モジュール３４が左右に並んで設けられており、初回の現像処理を行う。加熱モジュールとしては、初回のＰＥＢを行う加熱モジュール２４が設けられている。搬送機構Ｆ２に対応する搬送機構をＦ１２として示している。
【0026】
階層Ｅ１１について階層Ｅ１との差異点を述べると、液処理モジュールでとしては既述したＭＯＲを塗布してレジスト膜を形成するレジスト膜形成モジュール３２が設けられている。加熱モジュールとしては、ＰＡＢ（Pre Applied Bake）と呼ばれるレジスト膜形成後の加熱を行う加熱モジュール２２が設けられている。搬送機構Ｆ１に対応する搬送機構をＦ１１として示している。なお、レジスト膜形成モジュール３２、反射防止膜形成モジュール３１、現像モジュール３４、３５は、ウエハＷに供給する薬液が異なることを除いて概ね同様の構成であり、既述したカップ、ノズル及びウエハＷの回転機構を備える。レジスト膜形成モジュール３２及び反射防止膜形成モジュール３１については、ウエハＷの裏面及び周縁部への溶剤の供給がなされ、これらの部位に形成された不要な膜が除去される。
【0027】
そして、右側処理ブロックＤ３におけるタワーＴ１に対応するタワーをＴ２として示しており、このタワーＴ２の後方には、階層を跨いで昇降可能な搬送機構である搬送機構１６が設けられている。タワーＴ２の各モジュールには、搬送機構１６と、搬送機構Ｆ１、Ｆ２、Ｆ１１、Ｆ１２のうちでモジュールと同じ高さに位置する階層の搬送機構と、がアクセス可能である。このタワーＴ２を構成するモジュールとしては、バッファモジュール４Ｄが含まれる。このバッファモジュール４Ｄ及び後述するバッファモジュール４Ａ～４Ｃについては、既述したようにＮ２ガス雰囲気に複数のウエハＷを格納するモジュールであり、各々搬送経路の異なる段でウエハＷを格納するが、詳しくは後述する。
【0028】
なお、搬送機構Ｆ１、Ｆ２、Ｆ１１、Ｆ１２については、搬送路１４を移動自在な基台と、当該基台に設けられてウエハＷを各々保持すると互いに独立した進退が可能な２つの保持部と、を備える。そしてこれらの搬送機構Ｆ１、Ｆ２、Ｆ１１、Ｆ１２は、モジュールを順番に繰り返し移動し、搬送を担う区間の入口のモジュール及び出口のモジュールを除いた各モジュールに対して、上記のウエハＷの入れ替えを行う。従って、これらの搬送機構Ｆ１、Ｆ２、Ｆ１１、Ｆ１２は、搬送路１４を周回移動すると共に、ウエハＷが１枚ずつ、搬送経路の上流側のモジュールから下流側のモジュールへ順次搬送される、入れ替え搬送がなされる。
【0029】
〔インターフェイスブロックの構成〕
続いて、インターフェイスブロックＤ４について説明する。インターフェイスブロックＤ４には、バッファモジュール４Ａ～４Ｃが含まれている。また、インターフェイスブロックＤ４には、タワーＴ３、搬送機構１７～１９及び裏面洗浄モジュール３３が設けられている。タワーＴ３はタワーＴ１、Ｔ２と同様に、多数のモジュールが積層されることで構成されており、バッファモジュール４Ａ、４Ｂを含み、右側処理ブロックＤ３の搬送路１４の右方に設けられている。
続いて、インターフェイスブロックＤ４について説明する。インターフェイスブロックＤ４には、バッファモジュール４Ａ～４Ｃが含まれている。また、インターフェイスブロックＤ４には、タワーＴ３、搬送機構１７～１９及び裏面洗浄モジュール３３が設けられている。タワーＴ３はタワーＴ１、Ｔ２と同様に、多数のモジュールが積層されることで構成されており、バッファモジュール４Ａ、４Ｂを含み、右側処理ブロックＤ３の搬送路１４の右方に設けられている。
【0030】
タワーＴ３の右方に搬送機構１７が設けられ、タワーＴ３の後方、前方に夫々搬送機構１８、１９が設けられている。搬送機構１８の後方には、液処理モジュールである裏面洗浄モジュール３３が複数、例えば４つ積層されて設けられている。裏面洗浄モジュール３３は、既述したカップ、ブラシ、ノズル及び回転機構を備える。カップ内に収容されたウエハＷの裏面に対して、ノズルからの洗浄液の供給と、ブラシによる摺動とによる洗浄処理がなされる。なお、１つの裏面洗浄モジュール３３に収容可能なウエハＷの枚数は１枚であるため、計４つの裏面洗浄モジュール３３には最大で計４枚のウエハＷが収容される。搬送機構１８の前方には、バッファモジュール４Ｃが設けられている。
【0031】
搬送機構１７～１９は、タワーＴ３に対してウエハＷを受け渡せるように、各々昇降自在である。搬送機構１７は、タワーＴ３と露光機Ｄ５との間でウエハＷを受け渡す。搬送機構１８は、タワーＴ３を構成する各モジュールと裏面洗浄モジュール３３との間でウエハＷを受け渡し、搬送機構１９はタワーＴ３を構成する各モジュールとバッファモジュール４Ｃとの間でウエハＷを受け渡す。
【0032】
タワーＴ１、Ｔ２、Ｔ３においては、モジュール間での受け渡しのためにウエハＷが仮置きされる受け渡しモジュールＴＲＳ、及び温度調整モジュールが含まれる。以降の説明で、受け渡しモジュールＴＲＳについては、単にＴＲＳとして記載する場合が有る。温度調整モジュールはウエハＷが載置されるステージを備え、このステージにはチラーにより冷却水が通流される流路が設けられている。ステージに対する熱交換によってステージに載置されたウエハＷが冷却され、当該ウエハＷの温度が所定の温度になるように調整される。
【0033】
上記の温度調整モジュールについて、レジスト膜形成前にウエハＷが載置されるものをＳ１、露光機Ｄ５に搬送される直前のウエハＷが載置されるものをＳ２、露光機Ｄ５に搬入後のウエハＷが載置されるものをＳ３として互いに区別する。従って、温度調整モジュールＳ２について、当該モジュールから搬送されたウエハＷは他のモジュールを経由することなく露光機Ｄ５に搬送される。この温度調整モジュールＳ２については、露光前温度調整モジュールと記載する場合が有る。なお、露光機Ｄ５に搬送される直前のウエハＷとは、搬送経路において露光機Ｄ５の１つ前のモジュールにおけるウエハＷであって、当該モジュール以外の他のモジュールに搬送されることなく、直接、露光機Ｄ５に搬送されるウエハＷである。
【0034】
露光前温度調整モジュールＳ２はタワーＴ３に設けられ、温度調整モジュールＳ１及びＳ３はタワーＴ１及びＴ２に設けられる。なお、受け渡しモジュールＴＲＳ、温度調整モジュールＳ１、Ｓ３については、ウエハＷが搬送される順番に従って、互いを区別するために異なる番号を付して示す場合が有る。また、搬送経路の同じ段における受け渡しモジュールＴＲＳ、温度調整モジュールＳ１～Ｓ３については夫々多数設けられるが、図２では図示の便宜上１つまたは２つのみ表示している。例えば温度調整モジュールＳ２については例えば３つ設けられ、各々１つずつウエハＷを収容可能であるが、図２では１つのみ表示している。
【0035】
以上に述べたモジュールのうち、バッファモジュール４Ａ～４Ｄ、露光前温度調整モジュールＳ２、Ｓ３及びＰＥＢ用の加熱モジュール２４、２５については、上記した雰囲気制御モジュールであり、モジュール内が第２雰囲気であるＮ２ガス雰囲気とされる。キャリアＣから搬出され、当該キャリアＣに戻されるまでのウエハＷは、これらのモジュールに滞在している時間以外の時間において、第１雰囲気である大気雰囲気に曝される。なお、レジスト膜形成済みで、且つ２回目の現像用の現像モジュール３５に搬送される前のウエハＷが搬送される雰囲気制御モジュール以外のモジュールについては、第１雰囲気である大気雰囲気が形成されるため、雰囲気形成モジュールに比べてレジスト膜の反応が促進される。具体的には裏面洗浄モジュール３３、現像モジュール３４等は、レジスト膜の反応が促進される雰囲気となるモジュールである。
【0036】
〔バッファモジュールについて〕
バッファモジュール４Ａ～４Ｄについて説明すると、バッファモジュール４Ａはレジスト膜形成後で裏面洗浄モジュール３３に搬送前のウエハＷを格納する。バッファモジュール４Ｂは、裏面洗浄モジュール３３で処理後、温度調整モジュールＳ２に搬送前のウエハＷを格納する。バッファモジュール４Ｃは、露光機Ｄ５による露光後で初回のＰＥＢを行う前のウエハＷを格納する。バッファモジュール４Ｄは、初回の現像後で、２回目のＰＥＢを行う前のウエハＷを格納する。以降は、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄについて夫々洗浄前バッファモジュール、露光前バッファモジュール、露光後バッファモジュール、初回現像後バッファモジュールとして、夫々記載する場合がある。これらのうちバッファモジュール４Ｂ～４Ｄへの搬送は、不要な場合には行われない。
バッファモジュール４Ａ～４Ｄについて説明すると、バッファモジュール４Ａはレジスト膜形成後で裏面洗浄モジュール３３に搬送前のウエハＷを格納する。バッファモジュール４Ｂは、裏面洗浄モジュール３３で処理後、温度調整モジュールＳ２に搬送前のウエハＷを格納する。バッファモジュール４Ｃは、露光機Ｄ５による露光後で初回のＰＥＢを行う前のウエハＷを格納する。バッファモジュール４Ｄは、初回の現像後で、２回目のＰＥＢを行う前のウエハＷを格納する。以降は、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄについて夫々洗浄前バッファモジュール、露光前バッファモジュール、露光後バッファモジュール、初回現像後バッファモジュールとして、夫々記載する場合がある。これらのうちバッファモジュール４Ｂ～４Ｄへの搬送は、不要な場合には行われない。
【0037】
バッファモジュール４Ａ～４Ｄの構成は、互いに同じである。代表してバッファモジュール４Ｄの構成について、図３～図５の斜視図を参照して説明する。バッファモジュール４Ｄは方形の筐体４１を備えているが、この筐体４１は四方に向かう側壁のうちの一方に向かう側壁が除去された構成になっている。そのように側壁が除去されて開放される側を、筐体４１の手前側として説明する。
【0038】
筐体４１内は、ウエハＷの格納領域４２として構成されている。筐体４１の側壁には、ウエハＷを支持する支持部４３が多段に設けられており、この支持部４３は平面視で矩形をなす格納領域４２の４つの各角部から、格納領域４２の中央部に向けて突出する。同じ高さに位置する４つの支持部４３が１つの組となって１枚のウエハＷの裏面の周縁部を支持し、ウエハＷを水平な姿勢で待機させることができる。そのように同じ組の支持部４３によって形成されるウエハＷの待機領域をスロットと呼称すると、このスロットは多数、例えば１８個設けられ、下から上に向けてスロット１、スロット２、スロット３・・・として、各スロットに番号を付して呼称する場合が有る。筐体４１内の奥側にはガス供給部４４が設けられ、筐体４１内の手前に向けてＮ２ガスを供給し、スロット１～１８の各ウエハＷが、このＮ２ガスの気流に曝される。
【0039】
筐体４１の手前側に４枚のシャッタ４５が設けられている。この４枚のシャッタ４５の手前側から奥側に向けた各位置は、互いに異なっている。シャッタ４５は各々昇降可能であって、一部のスロットが筐体４１の外部の搬送領域に開放される状態（図３、図４の状態）と、全てのスロットが当該筐体４１の外部から区画される状態（図５の状態）とを切り替えることができる。なお、外部に開放されるスロットについては変更可能である。シャッタ４５の構成について詳しく述べると、４つのシャッタ４５は互いに同様に構成されており、上下に並ぶ横長の４つの貫通口４６を各々備えている。そのように４つの貫通口４６を備えることで、手前から奥に向けて見ると、シャッタ４５については左端部、右端部を左右に接続する橋部４７が、上下に５つ設けられると見ることもできる。図６は、各シャッタ４５の昇降による橋部４７の高さを模式的に示しており、図６（ａ）、図６（ｂ）、図６（ｃ）は、夫々図３、図４、図５の状態における橋部４７の位置を夫々示している。なお、図６（ａ）～図６（ｃ）の矢印は、上記したＮ２ガスの気流を示している。
【0040】
説明の便宜上、４つのシャッタ４５をシャッタ４５Ａ～４５Ｄとする。筐体４１の手前側に昇降機構５１～５４が設けられている。手前から奥に見て昇降機構５１、５２が筐体４１の左方に、昇降機構５３、５４が筐体４１の右方に設けられている。昇降機構５１はシャッタ４５Ａ及び昇降機構５２に接続され、これらを昇降させることができ、昇降機構５２はシャッタ４５Ｂに接続され、当該シャッタ４５Ｂを昇降させることができる。なお、昇降機構５２を介して昇降機構５１に接続されることで、シャッタ４５Ｂは昇降機構５１によっても昇降される。昇降機構５３はシャッタ４５Ｃ及び昇降機構５４に接続され、これらを昇降させることができ、昇降機構５４はシャッタ４５Ｄに接続されている。従って、昇降機構５３によってシャッタ４５Ｃ、４５Ｄが昇降する。なお、昇降機構５４を介して昇降機構５３に接続されることで、シャッタ４５Ｄは昇降機構５３によっても昇降される。以上の構成であるため、シャッタ４５Ａ～４５Ｄについては、互いの相対的な昇降が可能である。
【0041】
昇降機構５１～５４は例えばシリンダにより構成され、接続されるシャッタ４５を上昇位置と下降位置との間で移動させることができる。上記したように昇降機構５１、５３については、シャッタ４５と共に昇降機構５２、５４も移動させるが、シャッタ４５の移動距離と、昇降機構５２、５４の移動距離と、は同じである。また、昇降機構５１～５４間で、接続されるシャッタ４５の上昇位置と下降位置との間の距離は同じである。昇降機構５１～５４について、接続されるシャッタ４５を上昇位置に位置させる状態をＵＰ状態、下降位置に位置させる状態をＤＯＷＮ状態とすると、図３、図６（ａ）に示すバッファモジュール４Ｄについては、昇降機構５１～５４のすべてがＤＯＷＮ状態となっている。この状態では、シャッタ４５Ａ～４５Ｄの４つの貫通口４６が互いに重なっており、スロット１、２、５、６、９、１０、１３、１４、１７、１８が筐体４１の外部のウエハＷの搬送領域に開放され、これらのスロットに対してウエハＷの搬送が可能になる。
【0042】
また、図４、図６（ｂ）に示すバッファモジュール４Ｄについては、昇降機構５１、５３がＵＰ状態、昇降機構５２、５４がＤＯＷＮ状態となっている。この状態では、スロット３、４、７、８、１１、１２、１５、１６が筐体４１の外部のウエハＷの搬送領域に開放され、これらのスロットに対してウエハＷの搬送が可能になる。従ってスロット１～１８の各々に対して、図３、図４のうちのいずれかの状態とされることで、ウエハＷの搬送が可能である。なお、この図４、図６（ｂ）の状態は、図３、図６（ａ）の状態と同じくシャッタ４５Ａ～４５Ｄの４つの貫通口４６が互いに重なるが、筐体４１に対するシャッタ４５Ａ～４５Ｄの高さが異なっている。そして、図５、図６（ｃ）に示すバッファモジュール４Ｄについては、昇降機構５１がＤＯＷＮ状態、昇降機構５２～５４がＵＰ状態となっている。この状態では、各シャッタ４５の橋部４７の高さが互いにずれることで、格納領域４２が筐体４１の外部に対して区画される。つまり、スロット１～１８が、筐体４１の外部に対して閉じられる。
【0043】
このようにバッファモジュール４Ｄについては、ウエハＷの搬送を行うにあたり限られたスロットのみが筐体４１の外部に開放されるように各シャッタ４５が昇降する。そのため筐体４１内におけるＮ２ガスの濃度が比較的高いものとなり、レジスト膜の変質がより確実に抑えられる。
【0044】
また、図１に示すように塗布、現像装置１は、制御部１０を備えている。制御部１０はコンピュータにより構成されており、プログラムを備えている。プログラムには、後述する塗布、現像装置１における一連の搬送及び処理を実施することができるように、ステップ群が組み込まれており、当該プログラムによって制御部１０は、塗布、現像装置１の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。具体的には、各搬送機構による動作、処理モジュールにおけるウエハＷの処理動作が、制御信号によって制御される。また、制御部１０は、後述する搬送が停滞する要因となる異常の発生の有無を検出する。この検出動作には、ウエハＷを搬送元から搬送先へ搬送できるか否かを判定することが含まれる。上記の搬送機構の動作制御としては、この異常の有無の検出結果に基づいて行われる搬送機構１２、１６～１９、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ１１、Ｆ１２の動作制御が含まれ、後に具体例を述べる。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、メモリーカード、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部１０にインストールされる。
【0045】
〔塗布、現像装置における搬送経路〕
塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路について、図７を参照して説明する。この図７ではモジュール間を接続する実線の矢印によってウエハＷの搬送経路を表示し、その矢印の近傍には当該モジュール間の搬送に用いられる搬送機構を示している。また、既述したＮ２ガス雰囲気が形成される雰囲気制御モジュールについては、図７中で多数のドットを付すことで、ウエハＷが大気雰囲気に曝されるモジュールと区別して示している。
塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路について、図７を参照して説明する。この図７ではモジュール間を接続する実線の矢印によってウエハＷの搬送経路を表示し、その矢印の近傍には当該モジュール間の搬送に用いられる搬送機構を示している。また、既述したＮ２ガス雰囲気が形成される雰囲気制御モジュールについては、図７中で多数のドットを付すことで、ウエハＷが大気雰囲気に曝されるモジュールと区別して示している。
【0046】
ステージ１１上のキャリアＣから搬送機構１２によりウエハＷが搬出され、左側処理ブロックＤ２におけるタワーＴ１のＴＲＳ１に搬送される。そして２つの階層Ｅ１のうちウエハＷが搬送されたＴＲＳ１における高さの階層の搬送機構Ｆ１が、当該ウエハＷを受け取る。その後ウエハＷは、疎水化処理モジュール２１→タワーＴ１の温度調整モジュールＳ１-１→反射防止膜形成モジュール３１→加熱モジュール２２→右側処理ブロックＤ３におけるタワーＴ２のＴＲＳ２の順で搬送される。それによってウエハＷに対しては、疎水化処理、反射防止膜の形成、加熱処理が順に行われる。
【0047】
続いてウエハＷは搬送機構１６により、タワーＴ２の温度調整モジュールＳ１-２に搬送される。２つの階層Ｅ１１のうち、ウエハＷが搬送されたＳ１-２に対応する高さの階層の搬送機構Ｆ１１がウエハＷを受け取り、当該ウエハＷは、レジスト膜形成モジュール３２→加熱モジュール２３→インターフェイスブロックＤ４におけるタワーＴ３のＴＲＳ３の順で搬送される。それによりウエハＷについては、レジスト膜の形成、ＰＡＢが順に行われる。
【0048】
その後、ウエハＷは搬送機構１８により、洗浄前バッファモジュール４Ａ→裏面洗浄モジュール３３→露光前温度調整モジュールＳ２の順で搬送され、続いて、搬送機構１７により露光機Ｄ５へ搬送される。それによりウエハＷは、裏面が洗浄され且つ温度調整がなされた状態で、露光される。なお、異常の発生によってウエハＷは、裏面洗浄モジュール３３から露光前温度調整モジュールＳ２に直接搬送される代わりに、裏面洗浄モジュール３３から露光前バッファモジュール４Ｂを経由して露光前温度調整モジュールＳ２に搬送される場合が有る。
【0049】
このように露光されたウエハＷは、搬送機構１７によりタワーＴ３のＴＲＳ４に搬送された後、搬送機構１８によりＴＲＳ５に搬送される。そして、当該ウエハＷは２つの階層Ｅ１２のうち、ウエハＷが搬送されたＴＲＳ５に対応する高さの階層の搬送機構Ｆ１２に受け取られ、右側処理ブロックＤ３に取込まれる。なお、異常の発生によってウエハＷは、ＴＲＳ４からＴＲＳ５に直接搬送される代わりに、ＴＲＳ４から露光後バッファモジュール４Ｃを経由してＴＲＳ５に搬送される場合が有る。そしてウエハＷは、加熱モジュール２４→温度調整モジュールＳ３-１→現像モジュール３４→タワーＴ２のＴＲＳ６の順に搬送され、当該ウエハＷに対して初回のＰＥＢ、温度調整、初回の現像処理が順に行われて、レジスト膜にパターンが形成される。
【0050】
そしてウエハＷは搬送機構１６により、ＴＲＳ６からＴＲＳ７に搬送される。なお、異常の発生によってウエハＷは、ＴＲＳ６からＴＲＳ７に直接搬送される代わりに、ＴＲＳ６から初回現像後バッファモジュール４Ｄを経由してＴＲＳ７に搬送される場合が有る。２つの階層Ｅ２のうち、ウエハＷが搬送されたＴＲＳ７に対応する高さの階層Ｅ２の搬送機構Ｆ２がウエハＷを受け取り、当該ウエハＷは左側処理ブロックＤ２に取込まれる。続いてウエハＷは、加熱モジュール２５→温度調整モジュールＳ３-２→現像モジュール３５→タワーＴ１のＴＲＳ８の順に搬送され、２回目のＰＥＢ、温度調整、２回目の現像処理、現像処理後の加熱処理が順に行われ、レジストパターンの整形が行われる。そして、当該ウエハＷは搬送機構１２により、キャリアＣに戻される。
【0051】
以上に説明した搬送経路を、ウエハＷはキャリアＣから搬出された順番が維持されるように後段のモジュールへと搬送されていく。キャリアＣからの搬出はウエハＷのロット毎に行われる。以下の説明で、任意の一のロットに属するウエハＷについてキャリアＣからの搬出順にＡ１、Ａ２、Ａ３・・・として表記する場合が有る。同じロットのウエハＷは同じ処理モジュールで同じ処理条件で処理を受ける。なお、レジスト膜の形成後における処理モジュールである加熱モジュール２３～２５、裏面洗浄モジュール３３、現像モジュール３４、３５、温度調整モジュールＳ２、Ｓ３は処理部に該当する。そして、加熱モジュール２４、２５は夫々第１露光後加熱モジュール、第２露光後加熱モジュールに該当し、現像モジュール３４、３５は夫々第１現像モジュール、第２現像モジュールに該当する。
【0052】
〔搬送の停滞の異常の要因例〕
既述したように予定された搬送先への搬送が一時的に不可となり、上記した搬送経路での搬送が停滞する場合が有る。この要因としては、露光機Ｄ５へのウエハＷの搬送が一時的に行えなくなること、搬送機構が一時的に動作不良となること、搬送経路で同じ段におけるすべてのモジュールへの搬送が一時的に行えなくなることなどが挙げられる。同じ段におけるすべてのモジュールの搬送が行えないとは、具体的には例えば現像モジュール３５が４つ設けられるとする。そして、その現像モジュール３５の搬送元である温度調整モジュールＳ２-２からウエハＷを搬送する際にその４つのすべてが使用不可であることで、搬送が行えないケースである。
既述したように予定された搬送先への搬送が一時的に不可となり、上記した搬送経路での搬送が停滞する場合が有る。この要因としては、露光機Ｄ５へのウエハＷの搬送が一時的に行えなくなること、搬送機構が一時的に動作不良となること、搬送経路で同じ段におけるすべてのモジュールへの搬送が一時的に行えなくなることなどが挙げられる。同じ段におけるすべてのモジュールの搬送が行えないとは、具体的には例えば現像モジュール３５が４つ設けられるとする。そして、その現像モジュール３５の搬送元である温度調整モジュールＳ２-２からウエハＷを搬送する際にその４つのすべてが使用不可であることで、搬送が行えないケースである。
【0053】
〔インターフェイスブロックにおける露光前のウエハの搬送〕
続いて、インターフェイスブロックＤ４における露光前のウエハＷの搬送制御について説明する。なお、以下の搬送制御に関する説明を行う図８～図１３についても、図７と同様に、Ｎ２ガス雰囲気が形成される雰囲気制御モジュールについてはドットを付して示す。
続いて、インターフェイスブロックＤ４における露光前のウエハＷの搬送制御について説明する。なお、以下の搬送制御に関する説明を行う図８～図１３についても、図７と同様に、Ｎ２ガス雰囲気が形成される雰囲気制御モジュールについてはドットを付して示す。
【0054】
ウエハＷの搬送経路を大気雰囲気である裏面洗浄モジュール３３から下流側に見て直近の雰囲気制御モジュールは露光前温度調整モジュールＳ２（第２載置部）であるが、この露光前温度調整モジュールＳ２へのウエハＷの搬送が行えないとする。この場合に大気雰囲気の裏面洗浄モジュール３３（第１載置部）からバッファモジュール４Ｂ（待機室）へとウエハＷを搬送し、待機させる。そして、第２載置部である露光前温度調整モジュールＳ２への搬送が可能となったら、バッファモジュール４Ｂから露光前温度調整モジュールＳ２へ当該ウエハＷを搬送する。
【0055】
図を参照して、上記の搬送制御をさらに具体的に説明する。図８は、ウエハＷが既述した搬送経路で正常に搬送されていた（即ち、搬送経路の各所での搬送の停滞が起きていない）状態から、露光機Ｄ５へのウエハＷの搬送が不可になった状態を示している。従って、制御部１０によって、搬送経路における露光前温度調整モジュールＳ２以降の区間における搬送が不可となる（停滞する）異常が検出された状態である。そのように露光機Ｄ５への搬送が不可になった時点で、計３つの露光前温度調整モジュールＳ２にはウエハＡ１～Ａ３が、４つの裏面洗浄モジュール３３にはウエハＡ４～Ａ７が、洗浄前バッファモジュール４ＡにはウエハＡ８が、夫々搬入されているとする。なお、異常発生前には正常にウエハＷが搬送されているため、露光前バッファモジュール４ＢにはウエハＷが搬入されていない。
【0056】
このような場合、大気雰囲気である裏面洗浄モジュール３３の各ウエハＷは、搬送先であるＮ２ガス雰囲気の露光前温度調整モジュールＳ２について空いているものが無いため、当該露光前温度調整モジュールＳ２へ搬送することができない。仮に各ウエハＷが裏面洗浄モジュール３３で待機すると、レジスト膜の変質が進行してしまう。そこで、裏面洗浄モジュール３３のウエハＡ４～Ａ７は処理を終えたものから順に、搬送機構１８によって露光前バッファモジュール４Ｂに搬送され、Ｎ２ガス雰囲気で待機する。従ってウエハＡ４から番号順に、露光前バッファモジュール４Ｂに搬送されることになり、図９では裏面洗浄モジュール３３のウエハＡ４～Ａ７のすべてが露光前バッファモジュール４Ｂに搬送された例を示している。その一方で、Ｎ２ガス雰囲気が形成される洗浄前バッファモジュール４ＡにおけるウエハＡ８については、裏面洗浄モジュール３３への搬送が行われず、洗浄前バッファモジュール４Ａにて待機する。
【0057】
図９の状態から露光機Ｄ５への搬送が可能になると、露光前温度調整モジュールＳ２におけるウエハＡ１～Ａ３は、搬送機構１７によって番号順に露光機Ｄ５へ搬送される。それによって、露光前温度調整モジュールＳ２が空いた状態（ウエハＷが搬入されていない状態）となるので、そのように空いた露光前温度調整モジュールＳ２に、搬送機構１８によって露光前バッファモジュール４ＢからウエハＡ４～Ａ７が順番に搬送される。図１０ではウエハＡ４が、露光前温度調整モジュールＳ２に搬送された状態を示している。
【0058】
その一方で、洗浄前バッファモジュール４Ａから裏面洗浄モジュール３３へのウエハＡ８の搬送が可能となり、当該ウエハＡ８は搬送機構１８によって裏面洗浄モジュール３３から露光前バッファモジュール４Ｂを経由せずに露光前温度調整モジュールＳ２に搬送される。なお、バッファモジュール４ＢからのウエハＡ４～Ａ７の搬送が完了してから、バッファモジュール４ＡからのウエハＡ８の搬送を行ってもよいし、当該ウエハＡ４～Ａ７の搬送が完了する前にウエハＡ８の搬送を行ってもよい。ウエハＡ８以降の後続のウエハＷについても当該ウエハＡ８と同様に、露光前バッファモジュール４Ｂを経由せずに露光前温度調整モジュールＳ２に搬送される。露光機Ｄ５には、ウエハＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４・・・Ａ７、Ａ８・・・と、番号順にウエハＷが搬入される。
【0059】
なお図８で示したケースでは、露光前温度調整モジュールＳ２に空きが無いことで当該露光前温度調整モジュールＳ２への搬送が不可であるが、露光前温度調整モジュールＳ２が空いている場合には、裏面洗浄モジュール３３のウエハＷは露光前温度調整モジュールＳ２へと搬送する。従って、露光機Ｄ５への搬入が不可となる異常発生時に、ウエハＡ１が露光機Ｄ５へ搬送済みで、３つの露光前温度調整モジュールＳ２のうち２つにウエハＡ２、Ａ３が搬送され、１つが空いているという点のみ、図８で説明した状態と異なるとする。その場合、裏面洗浄モジュール３３のウエハＡ４については、空いている露光前温度調整モジュールＳ２に搬送される。ウエハＡ５～Ａ７については、露光機Ｄ５への搬送が不可の状態のままで露光前温度調整モジュールＳ２が空いていないとすると、図９に示したように露光前バッファモジュール４Ｂに搬送される。
【0060】
このように露光前温度調整モジュールＳ２への搬送が可能である限り、露光前バッファモジュール４Ｂへの搬送を行わないように制御するのは、当該バッファモジュール４Ｂにアクセスする搬送機構１８の搬送工程数の増加を防ぐためである。つまり、異常が解消されて露光前バッファモジュール４ＢからウエハＷを搬出するにあたり、露光前バッファモジュール４Ｂに溜められたウエハＷの枚数分、搬送機構１８の搬送工程数が増えるが、この工程数の増加が抑制され、スループットの低下が防止されるように搬送制御が行われる。
【0061】
なお図８、図９で示すようにウエハＡ８は、搬送経路の後段である裏面洗浄モジュール３３への搬送が可能であるが、上記したように洗浄前バッファモジュール４Ａに留める。これは、裏面洗浄モジュール３３へ搬送すると、露光前温度調整モジュールＳ２への搬送が可能とならない限り、露光前バッファモジュール４Ｂに搬送されることになり、上記したように搬送機構１８の搬送工程数が増えてしまうためである。
【0062】
ところで露光前バッファモジュール４Ｂについて、設置する数は１つに限られず、複数設けてもよいし、スロットの数も上記した１８個には限られない。また、裏面洗浄モジュール３３の数も既述した４つに限られない。ただし図８で例示したように、異常の発生時に裏面洗浄モジュール３３のすべてにウエハＷが滞在したとして、それらのウエハＷのすべてをバッファモジュール４Ｂに搬送可能であるようにすることが好ましい。そのため、バッファモジュール４ＢにおけるウエハＷの収容可能数の合計は、裏面洗浄モジュール３３における前記基板の収容可能数の合計以上であるようにすることが好ましい。バッファモジュール４Ｂが１つのみ設けられる場合にはその１つのスロットの数、バッファモジュール４Ｂが複数設けられる場合にはその複数のバッファモジュール４Ｂのスロットの数の合計が、バッファモジュール４ＢのウエハＷの収容可能数の合計である。裏面洗浄モジュール３３における前記基板の収容可能数の合計は、裏面洗浄モジュール３３は１枚のウエハＷを収容するので、裏面洗浄モジュール３３の合計数である。
【0063】
〔初回現像後のウエハＷの左右の処理ブロック間でのウエハの搬送〕
続いて初回の現像が終了したウエハＷについて、右側処理ブロックＤ３から左側処理ブロックＤ２への搬送するケースについて説明する。右側処理ブロックＤ３における初回現像用の現像モジュール３４及びタワーＴ２のＴＲＳ６のウエハＷについて、左側処理ブロックＤ２への搬送を行えない場合は、当該ウエハＷを初回現像後バッファモジュール４Ｄへ搬送して退避させる。左側処理ブロックＤ２へのウエハＷの搬送を行えない場合とは、具体的には例えば、搬送経路において左側処理ブロックＤ２の搬送機構Ｆ２が搬送を受け持つ区間のいずれかの箇所で搬送が行えない場合である。即ち、左側処理ブロックＤ２の各搬送機構Ｆ２が一時的に動作不可となることや、搬送経路において搬送機構Ｆ２が搬送を受け持つ区間の同じ段のすべての処理モジュールが一時的に使用不可となって、その処理モジュールよりも後段にウエハＷを搬送できない場合が該当する。
続いて初回の現像が終了したウエハＷについて、右側処理ブロックＤ３から左側処理ブロックＤ２への搬送するケースについて説明する。右側処理ブロックＤ３における初回現像用の現像モジュール３４及びタワーＴ２のＴＲＳ６のウエハＷについて、左側処理ブロックＤ２への搬送を行えない場合は、当該ウエハＷを初回現像後バッファモジュール４Ｄへ搬送して退避させる。左側処理ブロックＤ２へのウエハＷの搬送を行えない場合とは、具体的には例えば、搬送経路において左側処理ブロックＤ２の搬送機構Ｆ２が搬送を受け持つ区間のいずれかの箇所で搬送が行えない場合である。即ち、左側処理ブロックＤ２の各搬送機構Ｆ２が一時的に動作不可となることや、搬送経路において搬送機構Ｆ２が搬送を受け持つ区間の同じ段のすべての処理モジュールが一時的に使用不可となって、その処理モジュールよりも後段にウエハＷを搬送できない場合が該当する。
【0064】
図１１～図１３を参照して具体的に説明する。なお図１、図２で説明したように、右側処理ブロックＤ３、左側処理ブロックＤ２の各々で、初回現像後のウエハＷが通過する搬送経路の各段のモジュールは、上下２つの階層に分かれて設けられているが、図１１～図１３では階層毎に分けずにモジュールを示している。また、右側処理ブロックＤ３のモジュールを左に、左側処理ブロックＤ２のモジュールを右に夫々示している。そして、初回現像前のウエハＷの温度を調整する温度調整モジュールＳ３-１は２つ、初回現像用の現像モジュール３４が４つ、右側処理ブロックＤ３からの出口となるＴＲＳ６が２つ、左側処理ブロックＤ２の入口となるＴＲＳ７が２つ設けられるものとして示している。
【0065】
図１１は、ウエハＷが既述した搬送経路で正常に搬送されていた（即ち、搬送経路の各所での搬送の停滞が起きていない）状態から、左側処理ブロックＤ２へのウエハＷの搬送が不可になった異常が検出された状態を示している。そのように異常が検出された時点で、２つのＴＲＳ６にはウエハＡ１、Ａ２が、４つの現像モジュール３４にはウエハＡ３～Ａ６が、２つの温度調整モジュールＳ３-１にはウエハＡ７、Ａ８が夫々滞留しているとする。なお、異常発生前には正常にウエハＷが搬送されているため、初回現像後バッファモジュール４Ｄには、ウエハＷが搬入されていない。
【0066】
大気雰囲気である現像モジュール３４及びＴＲＳ６でウエハＷが待機するとレジスト膜の変質が進行してしまう。そのため、第１載置部であるこれらの現像モジュール３４及びＴＲＳ６のウエハＡ１～Ａ６は図１２に示すように、ＴＲＳ６から搬送機構１６によって待機室である初回現像後バッファモジュール４Ｄに順番に搬送されて待機する。このように、モジュール間を周回移動する搬送機構Ｆ２が搬送を受け持つ区間で搬送が不可になると、その区間の入口のモジュール（ＴＲＳ７）にはウエハＷを搬送しない。そして、モジュール間を周回移動する右側処理ブロックＤ３の搬送機構Ｆ１２が搬送を受け持つ区間で、その区間の出口のモジュール（ＴＲＳ６）からバッファモジュール４ＤにウエハＷを搬送して退避させる。つまり、周回移動する搬送機構Ｆ２が搬送を受け持つ前段の区間と、周回移動する搬送機構Ｆ１２が搬送を受け持つ後段の区間との間での搬送が行われないようにし、前段の区間からバッファモジュール４ＤへとウエハＷを退避させる。それにより、レジスト膜の変質が防止されるようにしている。その一方で、Ｎ２ガス雰囲気が形成される温度調整モジュールＳ３-１におけるウエハＡ７、Ａ８については、現像モジュール３４への搬送が行われず、温度調整モジュールＳ３-１で待機する。
【0067】
そして図１２の状態から、左側処理ブロックＤ２へのウエハＷの搬送が可能になると、図１３に示すように初回現像後バッファモジュール４ＤにおけるウエハＡ１～Ａ６は、搬送機構１６によって順番に第２載置部であるＴＲＳ７に搬送される。その一方で、温度調整モジュールＳ３-１から現像モジュール３４へ、ウエハＡ７、Ａ８が順番に搬送される。
【0068】
なお、左側処理ブロックＤ２へのウエハＷの搬送が不可の間、温度調整モジュールＳ３-１のウエハＡ７、Ａ８を現像モジュール３４へ搬送しないのは、図８～図１０で説明した、異常が解消されるまで洗浄前バッファモジュール４ＡのウエハＷの搬送を行わない理由と同様の理由による。つまり、ウエハＡ７、Ａ８が現像モジュール３４へ搬送後にＴＲＳ６を介してバッファモジュール４Ｄに搬送されることで、バッファモジュール４ＤにおけるウエハＷの収容枚数が増加することを防止する。それによって、異常の解消後に搬送機構１６がバッファモジュール４Ｄへアクセスする回数が抑えられるので、スループットの低下が防止される。
【0069】
この初回現像後バッファモジュール４Ｄについても露光前バッファモジュール４Ｂと同様に、搬送元となるモジュールのウエハＷの収容可能数の合計以上の数のウエハＷを収容できるように個数及び１個あたりのスロットの数が設定されることが好ましい。つまり、ＴＲＳ６、現像モジュール３４に１枚ずつウエハＷが収容されるので、初回現像後バッファモジュール４Ｄは、これらのモジュールの合計数以上のウエハＷを収容できるようにすることが好ましい。なお、後述のバッファモジュール４Ｃも同様に個数及び１個あたりのスロットの数が設定される。
【0070】
〔露光後、初回現像前のウエハのバッファモジュールへの搬送〕
インターフェイスブロックＤ４における、露光後バッファモジュール４Ｃに対する搬送制御について説明する。図１１～図１３で説明したように、左側処理ブロックＤ２へ初回現像後のウエハＷの搬送が可能であるか否かによって、初回現像後バッファモジュール４ＤにウエハＷを搬送するか否か決定する。これと同様に、右側処理ブロックＤ３へ露光後のウエハＷの可能であるか否かによって、バッファモジュール４ＤにウエハＷを搬送するか否か決定すればよい。具体的には、右側処理ブロックＤ３の搬送機構Ｆ１２がウエハＷの搬送を受け持つ区間の何れかの箇所で搬送が行えない異常が検出された場合には、ＴＲＳ４（第１載置部）からウエハＷを搬送機構１９によって露光後バッファモジュール４Ｃ（待機室）に搬送すればよい。そして異常の解消後に、搬送機構１９によって露光後バッファモジュール４Ｃから、搬送機構Ｆ１２が搬送を受け持つ区間の入口であるＴＲＳ５（第２載置部）へとウエハＷを搬送すればよい。
インターフェイスブロックＤ４における、露光後バッファモジュール４Ｃに対する搬送制御について説明する。図１１～図１３で説明したように、左側処理ブロックＤ２へ初回現像後のウエハＷの搬送が可能であるか否かによって、初回現像後バッファモジュール４ＤにウエハＷを搬送するか否か決定する。これと同様に、右側処理ブロックＤ３へ露光後のウエハＷの可能であるか否かによって、バッファモジュール４ＤにウエハＷを搬送するか否か決定すればよい。具体的には、右側処理ブロックＤ３の搬送機構Ｆ１２がウエハＷの搬送を受け持つ区間の何れかの箇所で搬送が行えない異常が検出された場合には、ＴＲＳ４（第１載置部）からウエハＷを搬送機構１９によって露光後バッファモジュール４Ｃ（待機室）に搬送すればよい。そして異常の解消後に、搬送機構１９によって露光後バッファモジュール４Ｃから、搬送機構Ｆ１２が搬送を受け持つ区間の入口であるＴＲＳ５（第２載置部）へとウエハＷを搬送すればよい。
【0071】
〔バッファモジュールへウエハを格納することの効果〕
以上に述べた塗布、現像装置１によれば、異常の検出時にＮ２ガス雰囲気が形成されたバッファモジュール４Ｂ～４ＤにウエハＷが搬送されて待機することで、大気雰囲気となるモジュールでウエハＷが長時間待機することが防止される。その結果として、レジスト膜の各種の反応の進行による変質が防止されるので、レジストパターンのＣＤが設計値から変動することが抑制される。そのため、レジスト膜を用いて下層膜をエッチングするにあたり、下層膜に形成されるパターンのＣＤについても設計値からずれることが抑制される。また、レジスト膜の硬度の低下も抑制されるので、上記したエッチング中のレジスト膜の消失も防止することができる。なお、バッファモジュール４Ｂ、４Ｃ、４Ｄに対してこのように搬送を行う搬送機構１８、１９、１６は、制御部１０と共に各々基板搬送装置を構成する。
以上に述べた塗布、現像装置１によれば、異常の検出時にＮ２ガス雰囲気が形成されたバッファモジュール４Ｂ～４ＤにウエハＷが搬送されて待機することで、大気雰囲気となるモジュールでウエハＷが長時間待機することが防止される。その結果として、レジスト膜の各種の反応の進行による変質が防止されるので、レジストパターンのＣＤが設計値から変動することが抑制される。そのため、レジスト膜を用いて下層膜をエッチングするにあたり、下層膜に形成されるパターンのＣＤについても設計値からずれることが抑制される。また、レジスト膜の硬度の低下も抑制されるので、上記したエッチング中のレジスト膜の消失も防止することができる。なお、バッファモジュール４Ｂ、４Ｃ、４Ｄに対してこのように搬送を行う搬送機構１８、１９、１６は、制御部１０と共に各々基板搬送装置を構成する。
【0072】
バッファモジュール４Ｃ～４ＤにウエハＷの格納することの効果について、さらに述べておく。仮に大気雰囲気にて図７で示した一連のウエハＷの搬送、処理が行われるとした場合、レジスト膜の形成から露光を行うまでの時間（ＰＣＤ時間）、露光からＰＥＢを行うまでの時間（ＰＥＤ時間）、及び／またはＰＥＢを行ってから現像を行うまでの時間（ＰＰＤ時間）がレジスト膜の変質に影響する。なお、ＰＣＤ、ＰＥＤ、ＰＰＤは夫々、Post Coating Delay、ＰＥＤ:Post Exposure Delay、Post PEB Delayの略称である。
【0073】
そして、上記したようにＮ２ガス雰囲気が形成される露光前バッファモジュール４Ｂに必要に応じてウエハＷが搬送されて待機が行われる。バッファモジュール４Ｂに格納することで、ウエハＷ間で上記したＰＣＤ時間がばらついたとしても、Ｎ２ガス雰囲気でウエハＷが待機するため、レジスト膜に対するＰＣＤ時間のばらつきの影響はキャンセルされる。
【0074】
また、露光後バッファモジュール４Ｃ、初回現像後バッファモジュール４Ｄの各々に必要に応じてウエハＷを待機させることで、搬送機構Ｆ２、Ｆ１２の正常な動作中に、これらの搬送機構が搬送を受け持つ区間の入口となるモジュール（ＴＲＳ５、ＴＲＳ７）にウエハＷを搬送することができる。そのように搬送機構Ｆ２、Ｆ１２の正常な動作中がなされていることで、１回目のＰＥＢ及び現像、２回目のＰＥＢ及び現像の各々について、ＰＥＢを行う加熱モジュールから現像モジュールに搬送するまでの時間（即ち上記のＰＰＤ時間）が異常となることが防止される。また、バッファモジュール４Ｃ、４Ｄに格納することで、ウエハＷ間でＰＥＤ時間のばらつきが生じたとしても、Ｎ２ガス雰囲気で格納されるため、そのＰＥＤ時間のばらつきの影響はキャンセルされる。
【0075】
このように各段のバッファモジュールはＰＣＤ時間の影響を抑えるものと、ＰＥＤ時間及びＰＰＤ時間の影響を抑えるものとに分かれる。そのためＰＣＤ時間と、ＰＥＤ時間及びＰＰＤ時間との間でいずれか一方の影響が小さく他方が大きい場合には、その時間に合わせたバッファモジュールのみを設けてもよい。つまりＰＥＤ時間及びＰＰＤ時間の影響が大きい場合には、バッファモジュール４Ｂは設けずにバッファモジュール４Ｃ、４Ｄのみを設けるようにしてもよいし、ＰＣＤ時間の影響が大きい場合にはバッファモジュール４Ｃ、４Ｄは設けず、バッファモジュール４Ｂのみを設けてもよい。
【0076】
なお、使用するレジストや現像液の種類によっては、大気に曝されることでのレジスト膜の変質性が初回現像後に低くなることが考えられる。その場合、右側処理ブロックＤ３の搬送機構Ｆ１２がウエハＷの搬送を受け持つ区間の何れかの箇所で搬送が行えない異常が検出されたとすると、上記したように露光後バッファモジュール４ＣへのウエハＷの搬送を行い、待機させるとする。その一方、左側処理ブロックＤ２の搬送機構Ｆ２がウエハＷの搬送を受け持つ区間の何れかの箇所で搬送が行えない異常が検出されたとしても、初回現像後バッファモジュール４ＤへウエハＷを退避させず、ＴＲＳ６からＴＲＳ７へとウエハＷを搬送するようにしてもよい。つまり、図１１～図１３で説明した搬送制御を行わず、ウエハＷを搬送経路のより後段側のモジュールへと早く搬送することで、スループットの向上を図ってもよい。
【0077】
〔各バッファモジュールへの搬送制御の補足〕
ところで図８、図９では露光前温度調整モジュールＳ２から露光機Ｄ５への搬送が不可となる異常が検出されたことで、裏面洗浄モジュール３３のウエハＷを露光前バッファモジュール４Ｂへ搬送する例を示した。しかし、バッファモジュール４Ｂへの搬送は、露光機Ｄ５へのウエハＷの搬送が不可となる場合に行われるようにすることには限られない。搬送経路において温度調整モジュールＳ２以降の区間（露光前バッファモジュール４Ｂよりも後段の区間）で搬送が不可となった場合には、各所でのウエハＷの滞留により裏面洗浄モジュール３３のウエハＷを温度調整モジュールＳ２へ搬送できなくなるおそれが有る。そのため、温度調整モジュールＳ２以降の区間で、露光前温度調整モジュールＳ２と露光機Ｄ５との間以外の箇所において搬送の異常が検出される場合においても、裏面洗浄モジュール３３のウエハＷを露光前バッファモジュール４Ｂへ搬送してよい。例えば図１１～図１３で示したように搬送機構Ｆ２によるウエハＷの搬送が行えない異常となった場合においても、露光前バッファモジュール４ＢへウエハＷを搬送するようにしてもよい。
ところで図８、図９では露光前温度調整モジュールＳ２から露光機Ｄ５への搬送が不可となる異常が検出されたことで、裏面洗浄モジュール３３のウエハＷを露光前バッファモジュール４Ｂへ搬送する例を示した。しかし、バッファモジュール４Ｂへの搬送は、露光機Ｄ５へのウエハＷの搬送が不可となる場合に行われるようにすることには限られない。搬送経路において温度調整モジュールＳ２以降の区間（露光前バッファモジュール４Ｂよりも後段の区間）で搬送が不可となった場合には、各所でのウエハＷの滞留により裏面洗浄モジュール３３のウエハＷを温度調整モジュールＳ２へ搬送できなくなるおそれが有る。そのため、温度調整モジュールＳ２以降の区間で、露光前温度調整モジュールＳ２と露光機Ｄ５との間以外の箇所において搬送の異常が検出される場合においても、裏面洗浄モジュール３３のウエハＷを露光前バッファモジュール４Ｂへ搬送してよい。例えば図１１～図１３で示したように搬送機構Ｆ２によるウエハＷの搬送が行えない異常となった場合においても、露光前バッファモジュール４ＢへウエハＷを搬送するようにしてもよい。
【0078】
バッファモジュール４Ｂ～４Ｄへの搬送について補足する。例示したようにバッファモジュール４Ｂ～４Ｄについては、当該バッファモジュール４Ｂ～４Ｄの各々から搬送経路を上流側に見て、直近のＮ２ガス雰囲気が形成されるモジュールよりも下流側であると共に大気雰囲気とされるモジュールに滞在するウエハＷが搬送されることになる。従って、異常の検出時においてこれらのバッファモジュール４Ｂ～４Ｄに搬送されるウエハＷの搬送元となるモジュールの種類としては、図８の例のように１つであったり、図１１の例のように２つであったりする。
【0079】
仮に塗布、現像装置１の右側処理ブロックＤ３に、１回目の現像処理後、右側処理ブロックＤ３の出口となるＴＲＳ６に搬送される前のウエハＷの表面を検査するために撮像する検査モジュールが設けられ、この検査モジュールが大気雰囲気であるとする。即ちウエハＷは、図１１で示したように現像モジュール３４→ＴＲＳ６と搬送される代わりに、現像モジュール３４→検査モジュール→ＴＲＳ６と搬送されるとする。この場合には、異常の検出時に現像モジュール３４、検査モジュール及びＴＲＳ６から（つまり３種類のモジュールから）ウエハＷが、バッファモジュール４Ｄへと搬送されることになる。
【0080】
〔塗布、現像装置のその他の構成及び運用〕
既述した搬送経路における異常が検出された場合に、各バッファモジュール４へのウエハＷの搬送を行うことに並行して、レジスト膜形成モジュール３２へのウエハＷの搬送を停止してもよい。そのようにすることで、異常の発生後にウエハＷにレジスト膜が形成されること、及び当該異常が継続することで搬送の停滞も続いて当該レジスト膜が変質してしまうことを防止することができる。
既述した搬送経路における異常が検出された場合に、各バッファモジュール４へのウエハＷの搬送を行うことに並行して、レジスト膜形成モジュール３２へのウエハＷの搬送を停止してもよい。そのようにすることで、異常の発生後にウエハＷにレジスト膜が形成されること、及び当該異常が継続することで搬送の停滞も続いて当該レジスト膜が変質してしまうことを防止することができる。
【0081】
そのようにレジスト膜形成モジュール３２へのウエハＷの搬送を停止するにあたっては、例えばキャリアＣからウエハＷの払い出しを停止する。そして既に塗布、現像装置１に搬入済みのウエハＷのうち、レジスト膜形成モジュール３２よりも搬送経路の前段のモジュール（ＴＲＳ１～Ｓ１-２）に位置する各ウエハＷについては後段のモジュールへの搬送を行わず、位置しているモジュールに滞留させればよい。異常が解消したら、各モジュールからのウエハＷの搬送を再開する。
【0082】
なお、インターフェイスブロックＤ４のレイアウトを例示したが、このようなレイアウトとすることには限られず、各モジュールの配置や搬送機構の数について、適宜変更可能である。また現像モジュールについては、現像液による現像を行う例を示したが、ガス供給によって１回目及び／または２回目の現像を行うようにしてもよい。また、ＰＥＢ及び現像について２回行う装置構成とすることに限られず、１回のみ行う装置構成であってもよいし、３回以上行う装置構成であってもよい。
【0083】
また、バッファモジュール４Ｄについて１つのみ設けることに限られず、複数設けてもよいことを述べた。図１１～図１３で説明したようにバッファモジュール４ＤにウエハＷを搬送するにあたって、複数のバッファモジュール４Ｄの各々について異常が無い場合には、例えばそれらのバッファモジュール４Ｄの各々にウエハＷを搬送する。そして複数のうちのいずれかのバッファモジュール４Ｄ（一方のバッファモジュール）が異常となった場合には、その異常となったバッファモジュール４Ｄを除外して、他の各バッファモジュール４Ｄ（他方のバッファモジュール）のみにウエハＷを搬送する運用とすることができる。バッファモジュール４Ａ～４Ｃについても各々バッファモジュール４Ｄと同様に、複数設けると共に異常となったバッファモジュールを除外して使用することができる。
【0084】
塗布、現像装置１において予め決められた異常が検出された際に、キャリアＣからのウエハＷの搬出を停止し、既に塗布、現像装置１に搬入済みのウエハＷについては搬送経路の下流側の直近のバッファモジュール４に搬送し、Ｎ２ガス雰囲気で待機させる運用とすることができる。即ち、図７の搬送経路においてＴＲＳ１～ＴＲＳ３に各々位置するウエハＷは、ＴＲＳ３に到達したらバッファモジュール４Ａに搬送される。裏面洗浄モジュール３３におけるウエハＷは、図８、図９で示した例と同様、バッファモジュール４Ｂに搬送される。露光前温度調整モジュールＳ２～ＴＲＳ４に各々位置するウエハＷは、ＴＲＳ４に到達したらバッファモジュール４Ｃに搬送される。ＴＲＳ５～ＴＲＳ６に各々位置するウエハＷは、ＴＲＳ６に到達したらバッファモジュール４Ｄに搬送される。各バッファモジュール４よりも後段のＴＲＳ７～ＴＲＳ８におけるウエハＷは、キャリアＣへと搬送する。
【0085】
つまり、バッファモジュール４Ａ～４Ｄの各々の上流側のウエハＷがすべて、バッファモジュール４Ａ～４Ｄの各々に搬送される。当該搬送を非常用退避搬送と呼称する。なお、この非常用退避搬送の実行によってバッファモジュール４Ｃ、４Ｄについては、図１１等で説明した第１載置部であるモジュール以外のモジュールからもウエハＷが搬送される。即ち、異常の種別に応じてバッファモジュールに対する搬送元が変化する。
【0086】
例えば塗布、現像装置１は主電源からの電力供給を受け、工場の停電などにより主電源からの電力供給が停止した場合には非常用電源からの電力供給を受けるように構成される。
非常用退避搬送が実行されるトリガーとなる予め決められた異常とは、例えばこの主電源からの電力供給の停止であり、主電源からの電力供給の再開後は、各バッファモジュール４からのウエハＷの搬出による当該各ウエハＷへの処理の続行と、キャリアＣからのウエハＷの搬出の再開と、がなされる。制御部１０は、主電源からの電力供給の有無を検出できるように構成され、その検出結果に基づいて上記の非常用退避搬送が実行されるように制御を行う。その他に、予め決められた異常の例としては、既述した搬送経路の複数の箇所でウエハＷの搬送が停滞した場合が挙げられる。より具体的には例えば図で説明した露光機Ｄ５への搬送が不可になるケースと、図で説明した搬送機構Ｆ２による搬送が不可になるケースとが同時に発生した場合、非常用退避搬送を行うようにしてもよい。なお、非常用退避搬送としてバッファモジュール４Ａ～４Ｄの各々にウエハＷを退避させることに限られず、これらのうちのいずれか一つのバッファモジュールにウエハＷを退避させてもよい。
非常用退避搬送が実行されるトリガーとなる予め決められた異常とは、例えばこの主電源からの電力供給の停止であり、主電源からの電力供給の再開後は、各バッファモジュール４からのウエハＷの搬出による当該各ウエハＷへの処理の続行と、キャリアＣからのウエハＷの搬出の再開と、がなされる。制御部１０は、主電源からの電力供給の有無を検出できるように構成され、その検出結果に基づいて上記の非常用退避搬送が実行されるように制御を行う。その他に、予め決められた異常の例としては、既述した搬送経路の複数の箇所でウエハＷの搬送が停滞した場合が挙げられる。より具体的には例えば図で説明した露光機Ｄ５への搬送が不可になるケースと、図で説明した搬送機構Ｆ２による搬送が不可になるケースとが同時に発生した場合、非常用退避搬送を行うようにしてもよい。なお、非常用退避搬送としてバッファモジュール４Ａ～４Ｄの各々にウエハＷを退避させることに限られず、これらのうちのいずれか一つのバッファモジュールにウエハＷを退避させてもよい。
【0087】
［雰囲気制御モジュールに形成される雰囲気］
ところでバッファモジュール４（４Ａ～４Ｄ）を含む雰囲気制御モジュールについて、不活性ガス雰囲気としてＮ２ガス雰囲気を形成することを示したが、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノンなどの希ガスなどのＮ２ガス以外の不活性ガス雰囲気を形成してもよい。また、上記したように大気中の水やＣＯ２などの成分とレジスト膜とが反応する場合がある。レジスト膜と反応するガスの種類は、レジスト膜の組成により異なる。そのため、雰囲気制御モジュールにおいて、レジスト膜の反応を抑制するために形成する雰囲気は、不活性ガス雰囲気に限られない。
ところでバッファモジュール４（４Ａ～４Ｄ）を含む雰囲気制御モジュールについて、不活性ガス雰囲気としてＮ２ガス雰囲気を形成することを示したが、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノンなどの希ガスなどのＮ２ガス以外の不活性ガス雰囲気を形成してもよい。また、上記したように大気中の水やＣＯ２などの成分とレジスト膜とが反応する場合がある。レジスト膜と反応するガスの種類は、レジスト膜の組成により異なる。そのため、雰囲気制御モジュールにおいて、レジスト膜の反応を抑制するために形成する雰囲気は、不活性ガス雰囲気に限られない。
【0088】
具体的には、不活性ガスの代わりに低湿度の空気（ドライエア）をバッファモジュール４等の雰囲気制御モジュールに供給し、当該雰囲気制御モジュールにおいて、この大気による雰囲気が形成されるようにしてもよい。この低湿度の空気は、さらに具体的には例えば塗布、現像装置１が設置されるクリーンルームの湿度よりも低い湿度の空気であり、例えば塗布、現像装置１の稼働中において無作為に互いに異なるタイミングで１０回以上湿度を測定し、その湿度よりもキャリアＣ内に供給する空気の湿度が低いのであれば、当該空気は低湿度の空気に該当する。なお本明細書での湿度は、特に説明が無い限り相対湿度である。水分の代わりにＣＯ２や酸性ガスの濃度がクリーンルームの大気のそれらの濃度よりも低くなるように成分が調整された大気を供給して、その大気による雰囲気を形成してもよい。
【0089】
従って、バッファモジュール４を含む雰囲気形成モジュールに形成する雰囲気としては、雰囲気形成モジュールの外部とは異なる雰囲気である。さらに補足すると、この雰囲気形成モジュールに形成される外部とは異なる雰囲気とは偶然に形成される雰囲気ではなく、金属含有レジストの反応が抑えられるように意図して形成される雰囲気であって、水やＣＯ２などの特定の成分が外部の雰囲気に比べて低下するように制御された雰囲気である。ただし、既述したように様々な成分に対してレジスト膜は反応するため、雰囲気形成モジュールに形成される雰囲気は、不活性ガス雰囲気とすることが、レジスト膜の変質を抑制する上でより好ましい。
【0090】
［塗布、現像装置のバリエーション及びウエハの大気雰囲気に接する時間］
処理ブロックとして、塗布、現像装置１ではレジスト膜の形成及び現像の両方のみを行えるように構成されているが、後述の基板処理装置６、７のようにいずれか一方のみを行う構成としてもよい。即ち、処理ブロックにおいてレジスト膜形成モジュール及び現像モジュールのうち一方のみを備える構成としてもよい。従って、キャリアＣから搬出されたウエハＷは、レジスト膜の形成後に現像が行われずに当該キャリアＣに戻されてもよい。つまり、塗布装置として基板処理装置を構成してもよい。レジスト膜が露光されたウエハＷがキャリアＣから装置に搬送され、現像が行われてキャリアＣに戻されてもよい。つまり、現像装置として基板処理装置を構成してもよい。そのような塗布装置、現像装置において、塗布、現像装置１と同様にインターフェイスブロックＤ４を介して露光機Ｄ５が接続される構成としてもよい。そのようにインターフェイスブロックＤ４を設けた場合には、図８～図１０で説明した搬送制御を行えばよい。
処理ブロックとして、塗布、現像装置１ではレジスト膜の形成及び現像の両方のみを行えるように構成されているが、後述の基板処理装置６、７のようにいずれか一方のみを行う構成としてもよい。即ち、処理ブロックにおいてレジスト膜形成モジュール及び現像モジュールのうち一方のみを備える構成としてもよい。従って、キャリアＣから搬出されたウエハＷは、レジスト膜の形成後に現像が行われずに当該キャリアＣに戻されてもよい。つまり、塗布装置として基板処理装置を構成してもよい。レジスト膜が露光されたウエハＷがキャリアＣから装置に搬送され、現像が行われてキャリアＣに戻されてもよい。つまり、現像装置として基板処理装置を構成してもよい。そのような塗布装置、現像装置において、塗布、現像装置１と同様にインターフェイスブロックＤ４を介して露光機Ｄ５が接続される構成としてもよい。そのようにインターフェイスブロックＤ４を設けた場合には、図８～図１０で説明した搬送制御を行えばよい。
【0091】
ところで、上記したように塗布、現像装置１においてはウエハＷ間で、レジスト膜の形成後、現像が完了するまでの雰囲気制御モジュールに滞在していない時間のばらつきが抑えられるように搬送が行われるが、当該滞在していない時間については互いに揃うことが好ましい。この時間が揃うことについて補足する。例えば同じキャリアＣから搬出されるウエハＷ間で、レジスト膜形成モジュール３２から搬出される時点ｔ１から現像モジュールに搬送される時点ｔ２までの間で、雰囲気制御モジュールに滞在していない時間の差が６０秒以内であるとする。この場合は、当該ウエハＷ間で雰囲気制御モジュールに滞在していない時間が揃うことに該当する。
【0092】
なお、上記した塗布装置の場合、レジスト膜の形成後、現像が行われずにウエハＷが、ステージ１１によってＮ２ガス雰囲気を形成可能なキャリアＣに戻されることになる。例えば同じキャリアＣから搬出されるウエハＷ間で、上記の時点ｔ１からキャリアＣに搬送されるまでの時点までの間で、雰囲気制御モジュールに滞在していない時間の差が６０秒以内であるとすると、当該ウエハＷ間で雰囲気制御モジュールに滞在していない時間が揃うことに該当する。
【0093】
そして上記した現像装置の場合、ステージ１１によってＮ２ガス雰囲気とされたキャリアＣから、ウエハＷが現像モジュールへ向けて搬出することになる。同じキャリアＣから搬出されるウエハＷ間で、キャリアＣから搬送された時点から現像モジュールに搬送される時点ｔ２までの間で、雰囲気制御モジュールに滞在していない時間の差が例えば６０秒以内であるとすると、当該ウエハＷ間で雰囲気制御モジュールに滞在していない時間が揃うことに該当する。
【0094】
なお、上記したように現像については１回のみ行われてもよいし複数回行われてもよい。塗布、現像装置１及び現像装置について、上記した現像モジュールに搬送される時点ｔ２とは、最後に現像を行う現像モジュールに搬送される時点である。つまり、図７の搬送経路で示したように現像モジュール３４、３５に搬送する場合は、２回目の現像を行う現像モジュール３５に搬送される時点、現像モジュール３４のみに搬送する場合は、この現像モジュール３４に搬送する時点が夫々時点ｔ２である。
【0095】
上記の塗布装置について、レジスト膜形成モジュール３２でウエハＷを処理後、ＴＲＳを介してキャリアＣにウエハＷが戻される。このＴＲＳへの搬送が行えない場合に、ＴＲＳへの搬送を行う代わりに、バッファモジュール４へのウエハＷの退避が行われる構成であってもよい。つまり、バッファモジュール４へのウエハＷの搬送元となる第１載置部について、上記の各例ではレジスト膜形成モジュール３２とは別のモジュールとして示してきたが、レジスト膜形成モジュール３２が第１載置部であってもよい。従って、レジスト膜形成モジュールは、第１載置部または第１載置部よりも後段のモジュールである。そして、第１載置部がレジスト膜形成モジュール３２である場合にも、既述したように異常の発生時には、このレジスト膜形成モジュール３２へのウエハＷの搬送を停止するようにしてよい。
【0096】
また、基板処理装置について、レジスト膜の形成及び/または現像を行うものとして述べてきたが、そのような装置構成であることに限られず、レジスト膜のパターニングの各工程のうちのレジスト塗布、現像以外の工程を行う装置として構成されてもよい。つまり、ＰＡＢのみを行ったりする装置や、裏面洗浄のみを行う装置であってもよい。なお、上記したパターニングとは、レジスト膜を形成してから最初にレジスト膜の下層における膜（下層膜）のエッチングを行う前の一連の処理が、上記のパターニングに該当する。従って、そのように最初の下層膜をエッチングする前に行う、ＰＥＢ、現像を繰り返すにあたっての２回目以降のＰＥＢ及び現像や、現像後の加熱（ポストベーク）や、現像後のレジストを改質するための紫外線処理なども、上記したパターニングの工程に該当する。２回目の現像液の供給後もＭＯＲの変質が進行するおそれがある。そのため、上記したポストベークや紫外線処理を行う装置において、既述した実施形態で述べたように搬送経路の異常に応じてウエハＷをバッファモジュール４に退避させるようにして、レジスト膜の変質を抑えるようにもよい。
【0097】
［バッファモジュール以外の待機室］
上記したようにステージ１１のガス供給及び排気により、ステージ１１上のキャリアＣをＮ２ガス雰囲気とすることができる。そのようにＮ２ガス雰囲気が形成されたキャリアＣを待機室としてもよい。つまり、異常の検出時に所定の搬送先にウエハＷを搬送する代わりに、このキャリアＣにウエハＷを搬送して待機させる。具体例を挙げると、上記した現像装置において、キャリアＣから搬送機構１２がレジスト膜形成済みのウエハＷを取り出し、処理ブロックのタワーＴ１のＴＲＳに向けて搬送する。そのＴＲＳに向う途中に異常が検出される。その場合に搬送機構１２はＴＲＳへの搬送を中止し、キャリアＣにウエハＷを戻して待機させる。即ち、キャリアＣが待機室として扱われる。
上記したようにステージ１１のガス供給及び排気により、ステージ１１上のキャリアＣをＮ２ガス雰囲気とすることができる。そのようにＮ２ガス雰囲気が形成されたキャリアＣを待機室としてもよい。つまり、異常の検出時に所定の搬送先にウエハＷを搬送する代わりに、このキャリアＣにウエハＷを搬送して待機させる。具体例を挙げると、上記した現像装置において、キャリアＣから搬送機構１２がレジスト膜形成済みのウエハＷを取り出し、処理ブロックのタワーＴ１のＴＲＳに向けて搬送する。そのＴＲＳに向う途中に異常が検出される。その場合に搬送機構１２はＴＲＳへの搬送を中止し、キャリアＣにウエハＷを戻して待機させる。即ち、キャリアＣが待機室として扱われる。
【0098】
［第２実施形態の装置の構成］
続いて第２実施形態の基板処理装置６について、図１４の平面図を参照しながら塗布、現像装置１との差異点を中心に説明する。基板処理装置６は、レジスト膜の形成からＰＡＢに至るまでの処理を真空雰囲気で行う。基板処理装置６は、その内部雰囲気が例えば乾燥した窒素ガスにより常圧雰囲気とされる横長の常圧搬送室６１を備え、この常圧搬送室６１の手前には、ステージ１１が左右方向に複数並んで設けられている。そして、常圧搬送室６１の側壁は、塗布、現像装置１のキャリアブロックＤ１の側壁と同様にドア１３を備え、ステージ１１上のキャリアＣの蓋を着脱することができる。常圧搬送室６１には、昇降可能な多関節アームで構成された常圧搬送機構６２が設けられている。
続いて第２実施形態の基板処理装置６について、図１４の平面図を参照しながら塗布、現像装置１との差異点を中心に説明する。基板処理装置６は、レジスト膜の形成からＰＡＢに至るまでの処理を真空雰囲気で行う。基板処理装置６は、その内部雰囲気が例えば乾燥した窒素ガスにより常圧雰囲気とされる横長の常圧搬送室６１を備え、この常圧搬送室６１の手前には、ステージ１１が左右方向に複数並んで設けられている。そして、常圧搬送室６１の側壁は、塗布、現像装置１のキャリアブロックＤ１の側壁と同様にドア１３を備え、ステージ１１上のキャリアＣの蓋を着脱することができる。常圧搬送室６１には、昇降可能な多関節アームで構成された常圧搬送機構６２が設けられている。
【0099】
ステージ１１から見て、常圧搬送室６１の左側の壁には、ウエハＷの向きや中心の検出を光学的に行うアライメント室６３が設けられており、アライメント室６３から搬出される際に、常圧搬送機構６２の所定の位置に所定の向きでウエハＷが受け取られる。右側の壁には、上記のバッファモジュール４と同様の構成のバッファモジュール６４が設けられている。上記の常圧搬送機構６２は、ステージ１１上のキャリアＣ、バッファモジュール４、アライメント室６３、後述のロードロック室６６Ａ、６６Ｂ間でのウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【0100】
常圧搬送室６１におけるステージ１１の反対側（後方側）には、２個のロードロック室６６Ａ、６６Ｂが左右に並ぶように配置されており、ロードロック室６６Ａ、６６Ｂの後方側には真空搬送室６７が配置されている。ロードロック室６６Ａ、６６Ｂと常圧搬送室６１との間にはドアバルブ６８が介在し、ロードロック室６６Ａ、６６Ｂと真空搬送室との間にはゲートバルブ６９が介在する。
【0101】
ロードロック室６６Ａ、６６Ｂは、ウエハＷを載置する載置台を備えており、当該載置台は、常圧搬送機構６２、後述の真空搬送機構７５の各々に対してウエハＷを受け渡せるように当該載置台の上面に突没して、当該ウエハＷを昇降させるピンを備える。またロードロック室６６Ａ、６６Ｂについては、ドアバルブ６８及びゲートバルブ６９が共に閉じられた状態でＮ２ガスの供給と、排気とが各々独立して行われることで、真空雰囲気と大気圧雰囲気とを切替え自在である。
【0102】
真空搬送室６７は、所定の圧力の真空雰囲気とされている。この真空搬送室６７に対して、ゲートバルブ７０を各々介して、レジスト膜形成モジュール７１、膜除去モジュール７２、加熱モジュール７３及び真空バッファモジュール７４が接続されている。真空搬送室６７には多関節アームからなる真空搬送機構７５が設けられており、レジスト膜形成モジュール７１、膜除去モジュール７２、加熱モジュール７３、真空バッファモジュール７４、ロードロック室６６Ａ、６６Ｂの各々に対してウエハＷの受け渡しが可能である。なお、上記したドアバルブ６８、ゲートバルブ６９、７０は、ウエハＷの搬送を行うにあたって必要な場合を除いて閉鎖され、各モジュール間を区画する。
【0103】
レジスト膜形成モジュール７１は、ウエハＷを格納するチャンバと、チャンバ内に設けられる載置台と、載置台上のウエハＷを所望の温度に調整するヒーターなどの温度調整部と、載置台上のウエハＷに処理ガスを供給するガスシャワーヘッドなどのガス供給部と、を備える。チャンバ内は所定の圧力の真空雰囲気とされ、成膜ガスである処理ガスを用いたＡＬＤあるいはＣＶＤにより、ウエハＷの表面にレジスト膜が形成される。なお、処理ガスがプラズマ化されて処理が行われるように、プラズマ形成機構が設けられていてもよい。載置台については、ロードロック室６６Ａ、６６Ｂの載置台と同様に昇降するピンを備えており、真空搬送機構７５に対してウエハＷの受け渡しが可能である。
【0104】
膜除去モジュール７２及び加熱モジュール７３について、レジスト膜形成モジュール７１との差異点を中心に述べる。膜除去モジュール７２は、ウエハＷにおける不要部分に成膜されたレジスト膜を限定的に除去するためのモジュールであり、具体的にはウエハＷの表面の周縁部におけるレジスト膜、及び意図せず裏面に形成されたレジスト膜を除去する。そのために膜除去モジュール７２では処理ガスとして、成膜ガスの代わりにエッチングガスが供給される。
【0105】
例えば、ウエハＷの表面の周縁部に対して限定的に処理ガスの吐出口が開口するように、ガス供給部を構成する。そして、例えばその処理ガスの供給中に載置台からウエハＷの裏面側の排気が行われる構成とし、処理ガスの一部がウエハＷの表面の周縁部から下面に回り込むようにする。そのようにモジュールを構成することで、エッチングガスが当該周縁部及びウエハＷの裏面に限定的に供給されて、上記した膜の限定的な除去が行われるようにする。
【0106】
加熱モジュール７３はＰＡＢを行うモジュールであり、例えば処理ガスの代わりにＮ２ガスがチャンバ内に供給される。そしてＮ２ガス雰囲気において、載置台上のウエハＷを所定の温度に加熱され、ＰＡＢが行われる。
【0107】
真空バッファモジュール７４は、Ｎ２ガスが供給されて内部がＮ２ガス雰囲気とされると共に、排気によって真空雰囲気とされるチャンバと、棚と、を備える。この棚は、例えばバッファモジュール４と同様に支持部４３を多段に備え、当該棚には多数のスロットが形成される。そして、例えばこの棚は昇降機構に接続されることでチャンバ内を昇降可能であり、棚の昇降によって任意のスロットと真空搬送機構７５との間で、ウエハＷの受け渡しが行われる。この真空バッファモジュール７４は、バッファモジュール４と同様に、異常の検出時にウエハＷを待機させるために用いられる。
【0108】
［第２実施形態の装置における基板の搬送経路］
基板処理装置６におけるウエハＷの搬送経路について説明する。ステージ１１上のキャリアＣから搬出されたウエハＷは、常圧搬送室６１→アライメント室６３→常圧搬送室６１→ロードロック室６６Ａ→真空搬送室６７に搬送される。その後、ウエハＷは、レジスト膜形成モジュール７１→真空搬送室６７→膜除去モジュール７２→真空搬送室６７→加熱モジュール７３→真空搬送室６７の順で搬送されて、レジスト膜の形成、不要部位におけるレジスト膜の除去、ＰＡＢが順に行われる。続いてウエハＷは、ロードロック室６６Ｂ→バッファモジュール６４→キャリアＣの順で搬送される。キャリアＣに対しては、ウエハＷが戻されてステージ１１上から退避するまで、Ｎ２ガスの供給と排気とが行われ、内部がＮ２ガス雰囲気とされる。
基板処理装置６におけるウエハＷの搬送経路について説明する。ステージ１１上のキャリアＣから搬出されたウエハＷは、常圧搬送室６１→アライメント室６３→常圧搬送室６１→ロードロック室６６Ａ→真空搬送室６７に搬送される。その後、ウエハＷは、レジスト膜形成モジュール７１→真空搬送室６７→膜除去モジュール７２→真空搬送室６７→加熱モジュール７３→真空搬送室６７の順で搬送されて、レジスト膜の形成、不要部位におけるレジスト膜の除去、ＰＡＢが順に行われる。続いてウエハＷは、ロードロック室６６Ｂ→バッファモジュール６４→キャリアＣの順で搬送される。キャリアＣに対しては、ウエハＷが戻されてステージ１１上から退避するまで、Ｎ２ガスの供給と排気とが行われ、内部がＮ２ガス雰囲気とされる。
【0109】
［異常検出時における搬送及び搬送の効果］
レジスト膜形成モジュール７１にてレジスト膜が形成され、且つロードロック室６６Ｂに搬送される前のウエハＷについて、モジュールの一時的なトラブルや、モジュールが空いていないなどの要因により、上記の搬送経路における次の搬送先への搬送が行えない異常が発生したとする。そのような場合ウエハＷは、次の搬送先に搬送される代わりに真空バッファモジュール７４へ搬送され、次の搬送先への搬送が可能になるまで真空バッファモジュール７４にて待機する。具体的には、レジスト膜形成モジュール７１で処理済みのウエハＷ、膜除去モジュール７２で処理済みのウエハＷ、加熱モジュール７３で処理済みのウエハＷについて、膜除去モジュール７２、加熱モジュール７３、ロードロック室６６Ｂが夫々空いていなければ、真空バッファモジュール７４に搬送される。処理済みのウエハＷの搬送元となる各モジュールが第１載置部、処理済みのウエハＷの搬送先となる各モジュール及びロードロック室６６Ｂが第２載置部、バッファモジュール７４が待機室である。このような真空バッファモジュール７４への搬送を行うか否かについては、塗布、現像装置１と同様に制御部１０が、搬送先への搬送が可能であるか否かの判定を行い、その結果に応じて実施される。
レジスト膜形成モジュール７１にてレジスト膜が形成され、且つロードロック室６６Ｂに搬送される前のウエハＷについて、モジュールの一時的なトラブルや、モジュールが空いていないなどの要因により、上記の搬送経路における次の搬送先への搬送が行えない異常が発生したとする。そのような場合ウエハＷは、次の搬送先に搬送される代わりに真空バッファモジュール７４へ搬送され、次の搬送先への搬送が可能になるまで真空バッファモジュール７４にて待機する。具体的には、レジスト膜形成モジュール７１で処理済みのウエハＷ、膜除去モジュール７２で処理済みのウエハＷ、加熱モジュール７３で処理済みのウエハＷについて、膜除去モジュール７２、加熱モジュール７３、ロードロック室６６Ｂが夫々空いていなければ、真空バッファモジュール７４に搬送される。処理済みのウエハＷの搬送元となる各モジュールが第１載置部、処理済みのウエハＷの搬送先となる各モジュール及びロードロック室６６Ｂが第２載置部、バッファモジュール７４が待機室である。このような真空バッファモジュール７４への搬送を行うか否かについては、塗布、現像装置１と同様に制御部１０が、搬送先への搬送が可能であるか否かの判定を行い、その結果に応じて実施される。
【0110】
真空雰囲気ではレジスト膜についての脱水反応が起こり、変質が進行すると考えられる。従って、上記したように真空バッファモジュール７４にてウエハＷが待機されることで、この基板処理装置６においても塗布、現像装置１と同様に、搬送の停滞によるレジスト膜の変質が抑制される。
【0111】
なお、本例では常圧搬送室６１はＮ２ガス雰囲気であるため、キャリアＣの蓋が開放されていてもキャリアＣ内が大気雰囲気となることは抑制されるので、常圧搬送室６１に接続されるバッファモジュール６４は設けない構成としてもよい。しかし、常圧搬送室６１が大気雰囲気である場合にはバッファモジュール６４を設けることが好ましい。詳しく述べると、ステージ１１上のキャリアＣにはＮ２ガス雰囲気を形成できるが、キャリアＣの蓋の開放によって常圧搬送室６１の大気が当該キャリアＣ内に流れ込み、当該キャリアＣ内のＮ２ガス濃度が比較的低くなるおそれが有る。そのためバッファモジュール６４に複数枚のウエハＷを滞留させておき、適切なタイミングで常圧搬送機構６２が当該ウエハＷをキャリアＣに連続的に戻すことで、蓋が開放される時間が長くなることを防止する。それにより、この基板処理装置６において、レジスト膜の変質をより確実に抑えることができる。この場合、第２載置部に該当するキャリアＣ内のＮ２ガス濃度が低くなる異常を予見して搬送経路を変更したと言える。常圧搬送機構６２、真空搬送機構７５の各々は、制御部１０と共に基板搬送装置を構成する。
【0112】
［第３実施形態の装置の構成］
第３実施形態に係る基板処理装置８について、図１５の平面図を参照しながら、第２実施形態の基板処理装置６との差異点を中心に説明する。基板処理装置８にはレジスト膜が露光されたウエハＷが搬送され、１回目のＰＥＢ～２回目の現像までの処理が、真空雰囲気で行われる。基板処理装置８は基板処理装置６と概ね同様の構成であるが、真空搬送室６７に接続されるモジュールが異なり、加熱モジュール８１、現像モジュール８２、加熱モジュール８３、現像モジュール８４及び真空バッファモジュール７４が接続されている。加熱モジュール８１は、ＰＡＢ用の加熱モジュール７３と同様の構成である。現像モジュール８２、８４は、レジスト膜形成モジュール７１と概ね同様の構成であるが、処理ガスとして現像ガスをウエハＷに供給することで、パターンの形成、整形を夫々行う。
第３実施形態に係る基板処理装置８について、図１５の平面図を参照しながら、第２実施形態の基板処理装置６との差異点を中心に説明する。基板処理装置８にはレジスト膜が露光されたウエハＷが搬送され、１回目のＰＥＢ～２回目の現像までの処理が、真空雰囲気で行われる。基板処理装置８は基板処理装置６と概ね同様の構成であるが、真空搬送室６７に接続されるモジュールが異なり、加熱モジュール８１、現像モジュール８２、加熱モジュール８３、現像モジュール８４及び真空バッファモジュール７４が接続されている。加熱モジュール８１は、ＰＡＢ用の加熱モジュール７３と同様の構成である。現像モジュール８２、８４は、レジスト膜形成モジュール７１と概ね同様の構成であるが、処理ガスとして現像ガスをウエハＷに供給することで、パターンの形成、整形を夫々行う。
【0113】
基板処理装置８では、キャリアＣから搬出されたウエハＷは、バッファモジュール６４→アライメント室６３→ロードロック室６６Ａの順で搬送される。そして、ロードロック室６６Ａから真空搬送室６７に搬送されたウエハＷは、当該真空搬送室６７を介して、加熱モジュール８１→現像モジュール８２→加熱モジュール８３→現像モジュール８４の順で搬送される。それによって当該ウエハＷに対して、１回目のＰＥＢ、１回目の現像、２回目のＰＥＢ、２回目の現像が順に行われる。現像モジュール８４から搬出されたウエハＷは、ロードロック室６６Ｂ→キャリアＣの順で搬送される。ロードロック室６６Ａ、加熱モジュール８１、現像モジュール８２、加熱モジュール８３における各ウエハＷについて、次の搬送先へ搬送できない場合には、真空バッファモジュール７４に搬送された後、次の搬送先へと搬送される。
【0114】
常圧搬送室６１は、第２実施形態で述べたように大気雰囲気としてもよい。その場合には、キャリアＣからウエハＷを常圧搬送室６１に接続されるバッファモジュール６４にすべて搬送した後、このバッファモジュール６４から搬送することで、Ｎ２ガス濃度が比較的低くなるキャリアＣ内でのウエハＷの滞在時間が抑えられるようにしてもよい。この場合、第１載置部に該当するキャリアＣ内のＮ２ガス濃度が低くなる異常を予見して搬送経路を変更したと言える。
【0115】
また、常圧搬送室６１を大気雰囲気とするにあたって、バッファモジュール６４については、真空バッファモジュール７４と同様、搬送の異常が検出された際にウエハＷの搬送が行われる運用であってもよい。具体的に述べると、異常が検出されない場合は、キャリアＣから搬出されたウエハＷについてアライメント室６３→ロードロック室６６Ａ→真空搬送室６７の順で搬送し、加熱モジュール８１等の各処理モジュールへ搬送する。上記したようにロードロック室６６Ａ、加熱モジュール８１、現像モジュール８２または加熱モジュール８３のいずれかから次の搬送先へとウエハＷを搬送できない場合には、ウエハＷをアライメント室６３からバッファモジュール６４に搬送して待機させる。そして、異常の解消後にバッファモジュール６４→ロードロック室６６Ａ→真空搬送室６７の順で搬送して処理を行う。従って、この例ではキャリアＣ及びアライメント室６３がバッファモジュール６４の搬送元であって、第１載置部と見ることができる。このようにキャリアＣが第１載置部に該当する装置構成であってもよい。なお、このバッファモジュール６４を第１実施形態の現像装置のキャリアブロックＤ１に設けて、同様の運用が行われるようにしてもよい。
【0116】
搬送対象の基板としてはウエハに限られず、フラットパネルディスプレイ製造用の基板等の他の基板であってもよい。また、ＭＯＲによるレジスト膜が形成されたウエハＷの搬送制御を述べたが、ＭＯＲ以外の金属含有レジストによって膜を形成した場合にも、既述した搬送制御をもってウエハＷを搬送することができる。そして、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。
【符号の説明】
【0117】
Ｃ キャリア
Ｗ ウエハ
４Ｂ バッファモジュール
３３ 裏面洗浄モジュール
３４ 露光前温度調整モジュール
Ｗ ウエハ
４Ｂ バッファモジュール
３３ 裏面洗浄モジュール
３４ 露光前温度調整モジュール
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】