特開 2024-132068 基板冷却方法、半導体装置の製造方法、基板冷却システム、基板処理装置およびプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024132068

(43)【公開日】2024-09-30

(54)【発明の名称】基板冷却方法、半導体装置の製造方法、基板冷却システム、基板処理装置およびプログラム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20240920BHJP

   C23C 14/54 20060101ALI20240920BHJP

   C23C 16/52 20060101ALI20240920BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 E

C23C14/54 D

C23C16/52

H01L21/68 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】20

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023042716

(22)【出願日】2023-03-17

(71)【出願人】

【識別番号】318009126

【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ

(74)【代理人】

【識別番号】110000350

【氏名又は名称】ポレール弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】山口 英人

(72)【発明者】

【氏名】杉下 雅士

【テーマコード（参考）】

4K029

4K030

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K029AA06

4K029AA09

4K029AA24

4K029BD01

4K029DA03

4K029DA04

4K029DA08

4K029EA08

4K029KA01

4K029KA09

4K030CA04

4K030CA06

4K030CA12

4K030CA17

4K030GA02

4K030GA12

4K030JA10

4K030KA26

4K030KA39

4K030KA41

4K030LA15

5F045AA06

5F045AA19

5F045AA20

5F045AB32

5F045AB33

5F045BB08

5F045DP19

5F045DP28

5F045DQ05

5F045EC02

5F045EJ02

5F045EJ10

5F045EK06

5F045EK24

5F045EN04

5F045GB05

5F131AA02

5F131BA02

5F131BA04

5F131BA22

5F131BA24

5F131CA01

5F131DA05

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA04

5F131EA23

5F131EA24

5F131EB55

5F131EB81

5F131EB82

5F131EC02

5F131EC05

5F131JA12

5F131JA16

5F131JA22

5F131JA27

5F131KA02

5F131KA03

5F131KA04

5F131KA22

(57)【要約】

【課題】基板の冷却を適正に制御することができる技術を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持具に取り付けられる温度センサにより温度を検出しつつ処理室に配置される前記基板を処理した後、前記基板を前記処理室から搬送室に搬送する工程と、前記基板支持具が所定の位置に配置された状態で、前記温度センサにより検出される温度が設定温度以下になるように、前記基板を冷却する工程と、を有する。
【選択図】図９

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を支持する基板支持具に取り付けられる温度センサにより温度を検出しつつ処理室に配置される前記基板を処理した後、前記基板を前記処理室から搬送室に搬送する工程と、
前記基板支持具が所定の位置に配置された状態で、
前記温度センサにより検出される温度が設定温度以下になるように、前記基板を冷却する工程と、
を有する基板冷却方法。

【請求項2】

前記温度センサは、前記基板支持具と共に動作することが可能なように構成されている請求項１記載の基板冷却方法。

【請求項3】

前記温度センサは複数の測温部を有し、
前記基板を冷却する工程では、各々の前記測温部により検出される温度が前記設定温度になるまで冷却される請求項１記載の基板冷却方法。

【請求項4】

前記複数の測温部のうち、特定の位置に配置されている前記測温部により検出される温度が前記設定温度になるまで冷却される請求項３記載の基板冷却方法。

【請求項5】

前記基板を冷却する工程では、前記温度センサにより検出される温度が前記設定温度以下の温度で所定時間継続したときに、前記基板の冷却を完了していると判定される請求項１記載の基板冷却方法。

【請求項6】

前記基板を冷却する工程では、
前記温度センサの制御対象は、前記基板を冷却する冷却機構である請求項１記載の基板冷却方法。

【請求項7】

更に、基板を処理する工程を有し、
前記基板を冷却する工程と前記基板を処理する工程の各々において、前記請求項１記載の温度センサにより検出される温度に基づき、前記基板の温度が制御される半導体装置の製造方法。

【請求項8】

基板を支持する基板支持具に取り付けられる温度センサと、
前記温度センサにより温度を検出しつつ処理室に配置される前記基板を処理した後、前記基板が前記処理室から搬送される搬送室と、
前記基板支持具が所定の位置に配置された状態で、前記温度センサにより検出される温度が設定温度以下になるように、冷却機構に前記基板を冷却させることが可能に構成されている制御部と、
を備えた基板冷却システム。

【請求項9】

更に、前記冷却機構は、前記搬送室に冷媒を供給するクーリングユニットを有し、
前記制御部は、前記クーリングユニットからの前記冷媒の流量を調整することが可能にように構成されている請求項８記載の基板冷却システム。

【請求項10】

前記クーリングユニットは、前記温度センサに対向する位置に前記冷媒を供給する供給孔を備えられている、請求項９記載の基板冷却システム。

【請求項11】

前記冷却機構は、前記供給孔毎に前記冷媒の流量を変更できるように構成されている請求項１０記載の基板冷却システム。

【請求項12】

更に、前記制御部は、判定部を有し、
前記判定部は、前記基板の冷却が完了しているかを判定し、次の工程へ移行させるように構成されている請求項８記載の基板冷却システム。

【請求項13】

更に、前記温度センサは複数の測温部を有し、
前記判定部は、前記複数の測温部により検出される温度が設定温度以下であれば、前記基板の冷却を完了していると判定する請求項１２記載の基板冷却システム。

【請求項14】

前記判定部は、前記複数の測温部のうち、特定の箇所に配置されている測温部により検出される温度が設定温度以下であれば、前記基板の冷却を完了していると判定する請求項１３記載の基板冷却システム。

【請求項15】

前記判定部は、前記温度センサにより検出される温度が設定温度以下の温度で所定時間継続した時に、前記基板の冷却を完了していると判定する請求項１２記載の基板冷却システム。

【請求項16】

更に、前記処理室と前記搬送室の間で前記基板支持具を移動させることが可能に構成されている搬送機構を有する請求項８記載の基板冷却システム。

【請求項17】

前記搬送室は、前記処理室に隣接するように構成されている請求項１６記載の基板冷却システム。

【請求項18】

前記搬送室は、前記処理室の下方に設けられているように構成されている請求項１６記載の基板冷却システム。

【請求項19】

基板を支持する基板支持具に取り付けられる温度センサと、
前記温度センサにより温度を検出しつつ処理室に配置される基板を処理した後、前記基板が前記処理室から搬送される搬送室と、
前記基板支持具が所定の位置に配置された状態で、前記温度センサにより検出される温度が設定温度以下になるように、冷却機構に前記基板を冷却させることが可能に構成されている制御部と、
を備えた基板処理装置。

【請求項20】

基板を支持する基板支持具に取り付けられる温度センサにより温度を検出しつつ処理室に配置される基板を処理した後、前記基板が前記処理室から搬送室に搬送される手順と、
前記基板支持具が所定の位置に配置された状態で、前記温度センサにより検出される温度が設定温度以下になるように、前記基板を冷却する手順と、
を基板処理装置に実行させるプログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板冷却方法、半導体装置の製造方法、基板冷却システム、基板処理装置およびプログラムに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハ（以後、基板ともいう）上に所定の処理が行われる（例えば特許文献１、２参照）。特に、特許文献１には、ボート（以後、保持具ともいう）に取り付けられる温度センサにより検出される温度を用いて、処理室の温度を制御する技術が記載されている。但し、基板処理後、基板の冷却を適正に制御することができないことがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】国際公開第２０２０／０５９７２２号

【特許文献2】特開２０２２－１４９１２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、基板の冷却を適正に制御することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様によれば、
基板を支持する基板支持具に取り付けられる温度センサにより温度を検出しつつ、処理室に配置される前記基板を処理した後、前記基板を前記処理室から搬送室に搬送する工程と、
前記基板支持具が所定の位置に配置された状態で、前記温度センサにより検出される温度が設定温度以下になるように、前記基板を冷却する工程と、を有する技術が提供される。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、基板の冷却を適正に制御することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は本開示の一実施形態に係る基板処理装置の正面断面図である。

【図2】図２は本開示の一実施形態に係る基板処理装置のボートロード時の状態を示す概略図である。

【図3】図３は本開示の一実施形態に係る移載室の構成を示す縦断面図である。

【図4】図４は本開示の一実施形態に係る移載室の構成を示す横断面図である。

【図5】図５は本開示の一実施形態に係る基板処理装置におけるコントローラのハードウェア構成を示す図である。

【図6】図６は本開示の一実施形態に係る基板処理装置における温度コントローラのハードウェア構成を示す図である。

【図7】図７は本開示の一実施形態に係る基板処理装置における温度コントローラの制御ブロック図である。

【図8】図８（ａ）は本開示の一実施形態に係る基板処理装置で行われる基板処理シーケンスを説明するための図であり、基板処理シーケンスを示すフローチャートである。図８（ｂ）は本開示の一実施形態に係る基板処理装置で行われる基板処理シーケンスを説明するための図であり、基板処理シーケンスの各ステップにおける温度を示すグラフである。

【図9】図９（ａ）はボートおよび基板が処理室に位置する場合の、降温の制御方法を示す制御ブロック図である。図９（ａ）はボートおよび基板が移載室に位置する場合の、降温の制御方法を示す制御ブロック図である。

【図10】図１０は基板処理シーケンスの各ステップにおける温度コントローラ、ガス流量コントローラおよび駆動コントローラの制御内容を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本開示の一実施形態について、主に図１～図１０を参照しつつ説明する。なお、以下の説明において用いられる図面は、いずれも模式的なものであり、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間において、実質的に同一の要素には同一の符号を付し、各要素が最初に登場した図面において当該要素の説明を行い、以降の図面では特に必要がない限りその説明を省略する。明細書中に特段の断りが無い限り、各要素は一つに限定されず、複数存在してもよい。

【0009】

図１に示すように、基板処理装置１０は、支持された縦形の反応管（プロセスチューブ）１１を備えており、反応管１１は互いに同心円に配置された外管（アウタチューブ）１２と内管（インナチューブ）１３とから構成されている。外管１２は石英（ＳｉＯ_２）が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に一体成形されている。内管１３は上下両端が開口した円筒形状に形成されている。内管１３の筒中空部は、基板支持具（基板保持体、保持具）としてのボート３１が搬入される処理室１４を形成しており、内管１３の下端側（開口空間）はボート３１を出し入れするための炉口部１５を構成している。

【0010】

外管１２と内管１３との間の下端部は、略円筒形状に構築された炉口フランジ部としてのマニホールド１６によって気密封止されている。外管１２及び内管１３の交換等のために、マニホールド１６は外管１２及び内管１３にそれぞれ着脱自在に取り付けられている。マニホールド１６が基板処理装置１０の筐体２に支持されることによって、反応管１１は垂直に据え付けられた状態になっている。

【0011】

外管１２と内管１３との隙間によって排気路１７が、横断面形状が一定幅の円形リング形状に構成されている。図１に示されているように、マニホールド１６の側壁の上部には排気管１８の一端が接続されており、排気管１８は排気路１７の最下端部に通じた状態になっている。排気管１８の他端には圧力コントローラ２１によって制御される排気装置１９が接続されており、排気管１８の途中には圧力センサ２０が接続されている。圧力コントローラ２１は圧力センサ２０からの測定結果に基づいて排気装置１９をフィードバック制御するように構成されている。

【0012】

マニホールド１６には下端開口を閉塞する蓋体（シールキャップ）２５が垂直方向下側から接するようになっている。蓋体２５はマニホールド１６の外径と略等しい円盤形状に構築されており、筐体２の移載室（以後、搬送室ともいう）３に設備されたボートカバー３７に保護された昇降機構（ボートエレベータ）２６によって垂直方向に昇降されるように構成されている。これにより、ボート３１は、処理室１４と処理室１４に隣接して下方に設けられる移載室３との間を移動することが可能である。昇降機構２６はモータ駆動の送りねじ軸装置及びベローズ等によって構成されており、昇降機構２６のモータ２７は駆動コントローラ２８によって制御されるように構成されている。蓋体２５の中心線上には回転軸３０が配置されて回転自在に支持されている。回転軸３０は駆動コントローラ２８によって制御されるモータ２９により回転駆動されるように構成されている。回転軸３０の上端にはボート３１が垂直に支持されている。本実施形態では、回転軸３０とモータ２９により回転機構を構成する。

【0013】

マニホールド１６の下方に位置する蓋体２５にはガス導入管２２が内管１３の炉口部１５に通じるように配設されている。ガス導入管２２には原料ガス供給装置、反応ガス供給装置及び不活性ガス供給装置（以下、ガス供給装置２３と総称する。）が接続されている。ガス供給装置２３はガス流量コントローラ２４によって制御されるように構成されている。ガス導入管２２から炉口部１５に導入されたガスは、内管１３の処理室１４内を流通して排気路１７を通って排気管１８によって排気される。

【0014】

ボート３１は上下で一対の端板３２，３３と、これらの間に垂直に架設された三本の保持部材としての支柱(柱)３４とを備えており、三本の支柱３４には多数の保持溝３５が長手方向に等間隔に刻まれている。三本の支柱３４において同一の段に刻まれた保持溝３５同士は、互いに対向して開口するようになっている。ボート３１は三本の支柱３４の同一段の保持溝３５間に基板１を挿入されることにより、複数枚の基板１を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。また、三本の支柱３４の同一段の保持溝３９間に断熱板１２０を挿入されることにより、複数枚の断熱板１２０を水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列させて保持するようになっている。

【0015】

つまり、ボート３１は、複数枚の基板１が保持される端板３２から端板３８間の基板処理領域と、複数枚の断熱板１２０が保持される端板３８から端板３３間の断熱板領域とを区別するように構成され、基板処理領域の下方に断熱板領域が配置されるよう構成されている。端板３８と端板３３の間に保持される断熱板１２０により断熱部３６が構成される。

【0016】

回転軸３０はボート３１を蓋体２５の上面から持ち上げた状態に支持するように構成されている。断熱部３６は、炉口部１５に設けられ、炉口部１５を断熱するよう構成されている。また、蓋体２５の下にはボート３１を回転するモータ２９があり、そのモータ２９は中空モータ構造となっており、回転軸３０がモータ２９を貫通している。

【0017】

反応管１１の外側には、加熱部としてのヒータユニット４０が同心円に配置されて、筐体２に支持された状態で設置されている。ヒータユニット４０の近傍には、温度センサとしてのヒータ熱電対６５が設けられ、温度コントローラ６４はヒータ熱電対６５からの測定結果に基づいてヒータユニット４０をフィードバック制御するように構成されている。これにより、ヒータユニット４０は、ボート３１に保持される基板処理領域内の基板１を加熱するよう構成される。なお、ヒータ熱電対６５に関しての詳細は後述する。また、ヒータユニット４０はケース４１を備えている。ケース４１はステンレス鋼（ＳＵＳ）が使用されて上端閉塞で下端開口の筒形状、好ましくは円筒形状に形成されている。ケース４１の内径及び全長は外管１２の外径及び全長よりも大きく設定されている。

【0018】

ケース４１内には断熱構造体４２が設置されている。断熱構造体４２は、外側に配置された外層と、内側に配置された内層とを備え、円筒形状に形成されており、その円筒体の側壁部４３が複数層構造に形成されている。

【0019】

そして、冷却エア９０は、内層内に設けられたガス供給流路を流れ、該ガス供給流路を介して空間７５に供給されるように構成されている。

【0020】

図１に示されているように、断熱構造体４２の側壁部４３の上端側には天井部としての天井壁部８０が空間７５を閉じるように被せられている。天井壁部８０には空間７５の雰囲気を排気する排気経路の一部としての排気孔８１が環状に形成されており、排気孔８１の上流側端である下端は内側空間７５に通じている。排気孔８１の下流側端は排気ダクト８２に接続されている。そして、空間７５に吹き出した冷却エア９０は排気孔８１及び排気ダクト８２によって排気されるように構成されている。

【0021】

図２に示すように、ヒータユニット４０は縦方向に複数ゾーンに分割制御可能なように、ゾーン毎にヒータが設けられているため、複数のヒータが積み重なって構成されている。図２ではヒータユニット４０は５ゾーンに分割している。そして、それぞれのゾーン毎にヒータの温度を測定するヒータ熱電対６５が設置されている。図２では、処理基板は「１」と表記し、図示を省略している。

【0022】

外管１２の内側には、チューブ内部の温度を測定する、温度センサとしての炉内熱電対６６が設置されている。この炉内熱電対６６は１つの石英管の中にゾーン数に応じた数の熱電対が収められている構造となっている。そしてその測温点はゾーンに対向した位置に設けられている。

【0023】

基板１の温度を測定する、温度センサとしての基板熱電対２１１は、ボート３１に設けられ、ボート３１が回転し基板１が回転する時に、基板１と共に回転するように構成されている。基板熱電対２１１は、基板１の温度を測定する測温部２１１ｂと、測温部を構成する素線を包含するケーブル２１１ｃを含む構成となっている。

【0024】

ヒータ熱電対６５、基板熱電対２１１および炉内熱電対６６は、温度センサの一例である。なお、温度センサは、温度を電気信号として測定できるものであれば良く、熱電対に限らず、測温抵抗体などの他のセンサでも良い。

【0025】

回転軸３０にはケーブル２１１ｃを通す孔が貫通しており、ハーメチックシールなどを使って真空シールをしつつ、ケーブル２１１ｃを処理室１４の外側（例えば、回転軸３０の下部）の送信機２２１まで引き出せる構造となっている。ケーブル２１１ｃは、蓋体２５の下の送信機２２１に接続されている。

【0026】

送信機２２１は回転軸３０に固定されており、回転軸３０と共に動く構造になっている。送信機２２１はケーブル２１１ｃを介して入力された基板熱電対２１１からの電気信号(電圧)をデジタル変換し、電波に乗せて無線伝送で送信する。

【0027】

蓋体２５の下の移載室３の筐体２に固定された受信機２２２がある。受信機２２２は送信機２２１が出した信号を受信し、受信したデジタル信号をシリアル通信出力する端子（出力端子）２２２ａ、又は受信したデジタル信号を例えば４－２０ｍＡなどのアナログ信号に変換し出力する端子（出力端子）２２２ｂを有する。このデジタル信号又はアナログ信号の出力信号端子と温度表示器（不図示）又は温度コントローラ６４との間をケーブル２２３で接続し、温度データを温度コントローラ６４に入力する。なお、受信機２２２は、移載室３に設けられているが、この形態に限定されることはない。移載室３の外に配置されていてもよく、基板処理装置１０から離れた位置に配置されていてもよい。

【0028】

次に、図３、図４、図９（ａ）および図９（ｂ）を用いて、本実施形態における移載室３の構成について説明する。

【0029】

図３および図４に示すように、移載室３は、天井、床、および、四方を囲う側壁によって多面多角形状に構成され、例えば、平面四角形状に構成される。移載室３の一側面には、クリーンユニット６２が設置される。クリーンユニット６２よりクリーンエアとしてのガスが移載室３に供給される。また、移載室３の周囲に位置する空間には、ガスを循環させるための循環路７４が形成される。移載室３に供給されたガスは、排気部７２より排気され、循環路７４を経由してクリーンユニット６２より再び移載室３に供給される。循環路７４の途中には図示しないラジエータが設置され、ガスはラジエータを通過することにより冷却される。

【0030】

クリーンユニット６２は、上部クリーンユニット６２ａと下部クリーンユニット６２ｂとが上下に隣り合うように配置される。上部クリーンユニット６２ａは、移載室３にボート３１がある場合の、特主にボート３１の基板処理領域に向けてガスを供給するように構成される。下部クリーンユニット６２ｂは、移載室３にボート３１がある場合の、主にボート３１の断熱板領域の断熱部３６に向けてガスを供給するように構成される。以下、クリーンユニット６２と称した場合は、上部クリーンユニット６２ａを示す場合、下部クリーンユニット６２ｂを示す場合、または、それらの両方を示す場合を含む。

【0031】

クリーンユニット６２は、上流側から順に、ファン６９と、バッファエリア６７と、フィルタ部６８と、ガス供給口７０を有する。バッファエリア６７は、ガス供給口７０の全面からガスを均等に吹き出すための拡散空間である。フィルタ部６８は、ガスに含まれるパーティクルを取り除くように構成される。

【0032】

クリーンユニット６２の対面側の一側面には、側面排気部７２ａと昇降機構２６が設置されている。上部クリーンユニット６２ａから移載室３に供給されたガスは、主に側面排気部７２ａにより排気され、循環路７４を経由してクリーンユニット６２より移載室３へ再び供給される。これにより、移載室３の上部領域（基板１がある領域）には、おおむね水平方向の、基板１と平行な方向のガス流れが形成される。

【0033】

図４に示すように、移載室３の床面には、ボート３１を挟んで一対の床面排気部７２ｂが設けられる。床面排気部７２ｂは、移載室３の一辺に沿って長方形状に形成される。下部クリーンユニット６２ｂから移載室３に供給されたガスは、主に底面排気部７２ｂより排気され、循環路７４を経由してクリーンユニット６２より移載室３に再び供給される。これにより、移載室３の下部領域（断熱部３６がある領域）にはおおむね垂直下方向のガス流れが形成される。

【0034】

図３および図４に示すように、床面排気部７２ｂの上方であって、上部クリーンユニット６２ａと下部クリーンユニット６２ｂとの境界付近にクーリングユニットとしてのノズル７６が設置される。ノズル７６は、水平方向に延伸し、複数の供給孔７６ａを有し、ボート３１の基板処理領域と断熱板領域の境界付近に冷媒としての冷却ガスを供給する。

【0035】

ノズル７６は、移載室３に冷却ガスを供給する為の冷却ガス供給装置２３１に接続される。冷却ガス供給装置２３１は、ノズル７６に接続される供給管２３１ａ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３１ｂ及びバルブ２３１ｃが設けられている。尚、ノズル７６および冷却ガス供給装置２３１は、冷却機構を構成する。

【0036】

図９（ａ）、図９（ｂ）に示すように、クリーンユニット６２は縦方向に分割されて、ガス供給口７０に設けられた複数の供給孔７０ａからガスを噴き出すように構成される。クリーンユニット６２は、ガス流量コントローラ２４から出力される複数の指示によって、複数の供給孔７０ａがそれぞれ独立にガスの噴き出しのＯＮ／ＯＦＦおよびガスの流量の調整ができるようになっている。図９（ｂ）に示すように、クリーンユニット６２は、ボート３１に設けられる基板熱電対２１１の測温部２１１ｂに対向する各々の位置および断熱部３６の位置に供給孔７０ａを有し、冷媒としての冷却ガスを供給する。クリーンユニット６２はクーリングユニットとも称し、冷却機構を構成する。

【0037】

図９（ｂ）に示すように、移載室３には、基板移載機５６が配置されている。基板移載機５６は、例えば５枚の基板１を取出すことができるアーム（ツイーザ）を有している。基板移載機５６は、図示しない駆動手段によりツイーザを上下回転動作させることにより、ポッド６０とボート３１との間にて、基板１を搬送させることが可能な様に構成される。

【0038】

図５に示すように、制御部としての制御用コンピュータであるコントローラ２００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２０１及びメモリ２０２などを含むコンピュータ本体２０３と、通信部としての通信ＩＦ（Ｉｎｔｅｒ ｆａｃｅ）２０４と、記憶部としての記憶装置２０５と、操作部としての表示・入力装置２０６とを有する。つまり、コントローラ２００は一般的なコンピュータとしての構成部分を含んでいる。

【0039】

ＣＰＵ２０１は、操作部の中枢を構成し、記憶装置２０５に記憶された制御プログラムを実行し、表示・入力装置２０６からの指示に従って、記憶装置２０５に記録されているレシピ（例えば、プロセス用レシピ）を実行する。また、一時記憶部としてのメモリ２０２は、ＣＰＵ２０１のワークエリアとして機能する。

【0040】

また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、記憶装置２０５を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、記憶装置２０５を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、メモリ２０２や記憶装置２０５は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、メモリ２０２単体のみを含む場合、記憶装置２０５単体のみを含む場合、または、それの両方を含む場合がある。

【0041】

通信ＩＦ２０４は、圧力コントローラ２１、ガス流量コントローラ２４、駆動コントローラ２８、温度コントローラ６４（これらをまとめてサブコントローラということもある。）と通信経路によって電気的に接続されている。コントローラ２００は、この通信ＩＦ２０４を介してサブコントローラと各部品の動作に関するデータをやり取りすることができる。

【0042】

図６に示すように、温度コントローラ６４は、制御部６４ａと、通信ＩＦ６４ｂと、熱電対入力部６４ｃと、制御出力部６４ｄとを有する。

【0043】

制御部６４ａは、ＣＰＵ及びメモリ等を含む一般的なコンピュータとしてのハードウェア構成を有する。制御部６４ａは、制御プログラムを実行することによって、通信ＩＦ６４ｂ及び熱電対入力部６４ｃにより取得した情報を用いて、後述する温度制御アルゴリズムに従った制御演算を実行し、制御出力部６４ｄへ演算結果を出力する。

【0044】

通信ＩＦ６４ｂは、上位コントローラであるコントローラ２００等と接続するための有線ＩＦと、ボート３１に固定された送信機２２１と接続するための無線ＩＦである受信機２２２とを有する。

【0045】

通信ＩＦ６４ｂは、コントローラ２００から目標温度及び制御パラメータ等の情報を受信したり、制御演算結果や温度情報を送信したりする。また、通信ＩＦ６４ｂは、昇降機構２６の駆動コントローラ２８から、ボート位置情報を受信する。また、通信ＩＦ６４ｂは、送信機２２１及び受信機２２２を介して基板熱電対２１１の温度を受信する。

【0046】

熱電対入力部６４ｃは、ヒータ熱電対６５及び炉内熱電対６６から温度に相当する電気信号を入力しデジタル信号に変換して、制御部６４ａへ出力する。

【0047】

制御出力部６４ｄは、制御部６４ａから受信した演算結果に基づいて、ヒータユニット４０の温度制御を行うためのヒータ制御信号を出力する。

【0048】

以後の説明では、ヒータ熱電対６５により検出された温度をヒータ温度、ヒータ熱電対６５を使用した温度制御をヒータ温度制御と呼称する。また、基板熱電対２１１により検出された温度を基板温度、基板熱電対２１１を使用した温度制御を基板温度制御と呼称する。また、炉内熱電対６６により検出された温度を炉内温度、炉内熱電対６６を使用した温度制御を炉内温度制御と呼称する。

【0049】

なお、コントローラ２００は基板熱電対２１１の測定温度を、温度コントローラ６４を介して、または、基板熱電対２１１から直接、情報として得ることができる。そして、コントローラ２００は測定温度をコントローラ２００での状況の表示やエラー処理、レシピの運用管理の入力として使用することができる。

【0050】

次に、図７を用いて、本実施形態における温度コントローラ６４の制御ブロックの一例について説明する。

【0051】

制御ブロックは、補正部６４１、ＰＩＤ演算部６４２、切替部６４３、及び、ＰＩＤ演算部６４４の順に接続されるモードと、補正部６４５、切替部６４３、及び、ＰＩＤ演算部６４４の順に接続されるモードを有する。ＰＩＤ演算部６４２、ＰＩＤ演算部６４４、及び、切替部６４３には、ボート位置情報が入力される。なお、制御対象は熱処理炉であり、熱処理炉は反応管１１およびヒータユニット４０で構成され、ヒータ熱電対６５および基板熱電対２１１を含む。

【0052】

温度コントローラ６４は、ボート位置情報に従って、切替部６４３の入力端を選択する。

【0053】

ボート３１が閉塞位置（処理室１４内）に位置する場合、温度コントローラ６４は、切替部６４３の入力端「Ａ」を選択し、基板温度及びヒータ温度を被制御量としてＰＩＤ制御を行う。

【0054】

切替部６４３の入力端を「Ａ」とした場合の制御は、本開示の技術における第２制御モードの一例である。第２制御モードは、ヒータ熱電対６５及び基板熱電対２１１のうち、少なくとも基板熱電対２１１を用いて制御する制御モードである。

【0055】

ボート３１が閉塞位置以外の位置（例えば、移載室３内）に位置する場合、温度コントローラ６４は、切替部６４３の入力端「Ｂ」を選択し、ヒータ温度のみを被制御量としてＰＩＤ制御を行う。

【0056】

切替部６４３の入力端を「Ｂ」とした場合の制御は、本開示の技術における第１制御モードの一例である。第１制御モードは、ヒータ熱電対６５及び基板熱電対２１１のうち、ヒータ熱電対６５のみを用いて制御する制御モードである。

【0057】

補正部６４１及び補正部６４５は、処理室１４内を同等温度に制御する際の目標温度とヒータ温度及び基板温度等との差分に従って、目標温度を補正する。

【0058】

この切替部６４３の切り替えによって、切替部６４３の出力がジャンプし不連続値が発生するため、ボート位置情報をＰＩＤ演算部６４２及びＰＩＤ演算部６４４にも入力して、いわゆるバンプレス処理や積分停止処理等により、切替前後でも平滑に制御できるように構成されている。

【0059】

次に、図８（ａ）、図８（ｂ）、図９（ａ）、図９（ｂ）および図１０を用いて、基板処理装置１０で行われる基板処理シーケンスの一例について説明する。

【0060】

（待機工程（移載工程）：ステップＳ１０１）
待機工程は、処理室１４内（炉内ともいう）の温度を待機温度（準備温度）の目標温度Ｔ０に安定される処理である。基板１はまだ処理室１４内に投入されていない。すなわち、ボート３１は、図９（ｂ）に示すような状態にあり、図示しないシャッターによって処理室１４（図１に示すマニホールド１６）の下端開口は閉塞されている。

【0061】

温度コントローラ６４は、処理室１４を準備温度に設定するため、炉内熱電対６６の検知温度を入力し、または、ヒータ熱電対６５の検知温度を入力し、ヒータユニット４０を制御する。

【0062】

ガス流量コントローラ２４は、図示しないガス供給装置およびノズルによって処理室１４内へ不活性ガスを供給する。これに並行して、ガス流量コントローラ２４は、冷却ガス供給装置２３１によってノズル７６を介して供給孔７６ａから移載室３へ冷却ガスを供給すると共に、クリーンユニット６２を介して各供給孔７０ａから移載室３へ冷却ガスを供給する。

【0063】

駆動コントローラ２８は、基板移載機５６によってポッド６０からボート３１へ基板１を移載（チャージ）する。ステップＳ１０１を移載工程とも称する。

【0064】

（搬入工程：ステップＳ１０２）
搬入工程は、ボート３１に保持された基板１を処理室１４内へ投入（ボートロード）する処理である。処理室１４の下端開口は開放され、駆動コントローラ２８は、昇降機構２６によってボート３１を上昇させて処理室１４に搬入する。ボート３１の搬入が完了すると、処理室１４の下端開口は蓋体２５によって閉塞され、ボート３１は、図９（ａ）に示すように、処理室１４内の所定位置に配置された状態になる。

【0065】

搬入工程では、移載工程に引き続き、ガス流量コントローラ２４は、処理室１４内への不活性ガスの供給および移載室３への冷却ガスの供給を継続する。

【0066】

処理室１４内への搬入前においてボート３１及び基板１の温度は処理室１４内の温度（すなわち、Ｔ０）より低い。また、基板１を処理室１４内へ投入した結果、処理室１４外の雰囲気（室温）が処理室１４内に導入される。これらのため、図８（ｂ）に示すように、処理室１４内の温度は一時的にＴ０より低くなる。その後、温度コントローラ６４による制御により処理室１４内の温度は若干の時間を経て再びＴ０に安定する。図８（ｂ）では処理基板を処理室１４内へ投入した後、及び、次のステップＳ１０３の目標温度をステップＳ１０１と等しく図示されているが、ステップＳ１０３の要求条件（処理温度）に対応して投入後の目標温度が異なる場合もある。

【0067】

（処理工程：ステップＳ１０３）
処理工程は、基板１に所定の処理（例えば、成膜処理）を施すために処理室１４内の温度を処理温度の目標温度Ｔ０で維持して安定させる処理である。温度コントローラ６４は、目標温度のＴ０に基板熱電対２１１の測定温度が近づくようにヒータユニット４０を制御する。本明細書における処理温度とは基板１の温度または処理室１４内の温度のことを意味する。

【0068】

ガス流量コントローラ２４は、ガス供給装置２３によってガス導入管２２を介して処理室１４内に原料ガス、反応ガスまたは不活性ガス（これらを処理ガスと総称する）を供給する。駆動コントローラ２８は、回転機構によってボート３１を回転させる。複数種類の処理ガスが供給される場合は、供給される処理ガスに対応して複数の処理温度が設定される。

【0069】

なお、処理工程では、基板１への所定の処理の終了後、処理室１４の温度を、所定温度になるまで降温（炉内降温）させる処理がある。この処理はステップＳ１０３のサブステップであり、降温工程（ステップＳ１０３ａ）という。その後、搬出工程（ステップＳ１０４）へ遷移する。

【0070】

また、降温時間を制御する監視温度として炉内熱電対６６の検知温度、または、ヒータ熱電対６５の検知温度を使用する場合、基板熱電対２１１の検知温度と比較して基板１の温度との乖離が大きく、不必要に長い時間を降温時間として費やしてしまったり、移載室３を熱により損傷してしまったりすることがある。

【0071】

本実施形態では、基板熱電対２１１が基板１の温度を精度よく測定できるため、この温度を監視しつつ、この温度が所定温度まで降温するまで降温工程を継続し、降温後に搬出工程を開始することにより、最適な降温時間を制御することができる。これにより、基板１の温度にばらつきがあっても、常に最短時間で、かつ、周囲部分の損傷なく、降温時間を制御することができる。ここで、所定温度とは、ボート３１を搬出可能な温度であり、移載室３の耐熱温度以下の温度である。

【0072】

より具体的には、温度コントローラ６４は、基板熱電対２１１の検知温度を入力してフィードバック制御をする。ガス流量コントローラ２４は、待機工程と同様に、処理室１４内に不活性ガスを供給する。駆動コントローラ２８は、回転軸３０によってボート３１および基板熱電対２１１を回転させる。

【0073】

他方、コントローラ２００は、同様に基板熱電対２１１の検知温度を入力して監視する。そして、コントローラ２００は、検知温度のすべてが所定温度以下の温度まで冷却されるタイミングまで降温工程を継続する。言い換えると、コントローラ２００の判定部は、基板の降温が完了しているかを判定し、次の工程（搬出工程）へ移行させる。判定部は、所定温度以下の温度で所定時間継続したときに、基板の降温が完了していると判定してもよい。

【0074】

炉内熱電対６６よりも基板１に近い基板熱電対２１１によって検出される温度で、所定温度（設定温度）と比較し判定することができるので、搬出工程のタイミングを適正に管理することが可能である。

【0075】

（搬出工程：ステップＳ１０４）
搬出工程は、処理が施された基板１、をボート３１および基板熱電対２１１と共に処理室１４内から引き出す（ボートアンロード）処理である。駆動コントローラ２８は、昇降機構２６によってボート３１および基板熱電対２１１を下降させて移載室３に搬出（搬送）する。ボート３１の下降に伴い処理室１４の下端開口は開放される。その後、ボート３１は、図９（ｂ）に示すような所定位置に配置された状態になる。また、処理室１４の下端開口は閉塞される。

【0076】

搬出工程では、降温工程に引き続き、ガス流量コントローラ２４は、処理室１４内への不活性ガスの供給を継続する。これに並行して、ガス流量コントローラ２４は、待機工程と同様に、移載室３への冷却ガスを供給する。

【0077】

温度コントローラ６４は、処理室１４を準備温度に設定するため、基板熱電対２１１から切り替えられた、炉内熱電対６６の検知温度、または、ヒータ熱電対６５の検知温度を入力し、ヒータユニット４０を制御する。後述する冷却工程および移載工程においても、温度コントローラ６４は、炉内熱電対６６の検知温度、または、ヒータ熱電対６５の検知温度に基づき、処理室１４を準備温度に設定する。

【0078】

搬出工程の後に、ボート３１は、図９（ｂ）に示すような移載室３内の所定位置に配置された状態で、基板１を降温（冷却）させる冷却工程（ステップＳ１０５）が実行され、その後、移載工程（ステップＳ１０６）が実行される。

【0079】

（冷却工程：ステップＳ１０５）
冷却工程では、搬出工程に引き続き、ガス流量コントローラ２４は移載室３への冷却ガスの供給を継続し、基板熱電対２１１の検知温度が所定温度になるまで移載室３で基板１を降温（冷却）させる。

【0080】

降温時間として固定の時間を設定する場合、基板１の温度にばらつきが生じるとき、不必要に長い時間を降温時間として費やしてしまうことがある。または、基板１が所定温度まで降温する前に次の工程である移載工程が開始され、基板移載機５６またはポッド６０を熱により損傷してしまうことがある。

【0081】

本実施形態では、移載室３においても、基板１の温度を基板熱電対２１１が精度よく測定するため、この温度を監視しつつ、この温度が所定温度（設定温度以下）まで降温するまで冷却工程を継続し、降温後に移載工程を開始することにより、最適な降温時間を制御することができる。そのため、基板１の温度にばらつきがあっても、常に最短時間で、かつ、周囲部分の損傷なく、降温時間を制御することができる。ここで、所定温度とは、基板１を移載可能な温度であり、ボート３１とポッド６０との間にて基板１を搬送する基板移載機５６またはポッド６０の耐熱温度以下の温度である。

【0082】

また、本実施形態では、処理工程においてヒータユニット４０を制御して処理室１４に配置された基板を処理する際に使用される基板熱電対２１１を、冷却工程においても移載室３に位置する基板１の温度を測定するために使用する。このため、移載室３に基板１の温度を測定する構成要素を新たに設置する必要がない。

【0083】

より具体的には、温度コントローラ６４は、上述した、待機工程、搬入工程および搬出工程と同様に、炉内熱電対６６またはヒータ熱電対６５の検知温度を入力してフィードバック制御する。

【0084】

他方、コントローラ２００は、搬出工程から冷却工程まで、ガス流量コントローラ２４に対しクリーンユニット６２から移載室３へ冷却ガスを供給するように指示する。コントローラ２００は、クリーンユニット６２からの冷却ガスの流量を調整することが可能である。そして、コントローラ２００は、基板熱電対２１１の検知温度を入力し、すべてのゾーンの基板熱電対２１１の検知温度を監視する。そして、コントローラ２００は、検知温度のすべてが所定温度以下の温度まで冷却されたタイミングまで、冷却工程を継続する。言い換えると、コントローラ２００の判定部は、基板の冷却が完了しているかを判定し、次の工程（移載工程）へ移行させる。判定部は、所定の温度以下の温度で所定時間継続したときに、基板の冷却が完了していると判定してもよい。基板熱電対２１１の制御対象は冷却機構としてのクリーンユニット６２である。

【0085】

冷却工程において、コントローラ２００は以下のように制御してもよい。

【0086】

コントローラ２００は、搬出工程から冷却工程まで、ガス流量コントローラ２４に対しクリーンユニット６２へ冷却ガスを供給するように指示する。そして、コントローラ２００は、縦方向に複数配置されている基板熱電対２１１の測温部２１１ｂの検知温度を入力、監視する。そして、コントローラ２００は、ある一つのゾーンに配置されている基板熱電対２１１の測温部２１１ｂの検知温度が所定温度以下の温度まで冷却されたタイミングまで、その基板熱電対２１１が対応する位置のクリーンユニット６２の供給孔７０ａへの冷却ガスの供給を継続する。その後、コントローラ２００は、ある一つのゾーンに配置されている基板熱電対２１１の測温部２１１ｂに対応する位置のクリーンユニット６２の供給孔７０ａへの冷却ガスの供給を停止する。コントローラ２００は、すべてのクリーンユニット６２の供給孔７０ａへの冷却ガスの供給が停止するまで、すなわち基板熱電対２１１の測温部２１１ｂの検知温度のすべてが所定温度以下の温度まで冷却されるまで、冷却工程を継続する。言い換えると、コントローラ２００の判定部は、基板の冷却が完了しているかを判定し、次の工程（移載工程）へ移行させる。判定部は、所定の温度以下の温度で所定時間継続したときに、基板の冷却が完了していると判定してもよい。

【0087】

特定ゾーンが、例えば、最も熱が籠るゾーンである場合、その特定ゾーンの冷却は、他のゾーンの冷却よりも時間は長くなるので、特定ゾーンに配置されている基板熱電対２１１により検出される温度が所定温度以下であれば、基板の冷却が完了していると判定することができる。

【0088】

また、冷却工程において、コントローラ２００およびガス流量コントローラ２４は以下のように制御してもよい。

【0089】

ガス流量コントローラ２４は、基板熱電対２１１の検知温度をコントローラ２００から得ることができ、その基板熱電対２１１の配置位置に対応する、クリーンユニット６２のガスの噴き出し流量を、同じくコントローラ２００から得た所定の冷却温度を目標としてフィードバック制御する。

【0090】

コントローラ２００は、搬出工程から冷却工程まで、ガス流量コントローラ２４に対しクリーンユニット６２の各供給孔７０ａに対応する基板熱電対２１１への所定の冷却温度を指示する。これに並行して、コントローラ２００は、基板熱電対２１１の検知温度もガス流量コントローラ２４に対し出力する。

【0091】

ガス流量コントローラ２４は縦方向に複数配置されている基板熱電対２１１の測温部２１１ｂの検知温度を入力、フィードバック制御する。そして、ガス流量コントローラ２４は、ある一つのゾーンの基板熱電対２１１の測温部２１１ｂの検知温度が予め定められた所定温度以下の温度まで冷却されたタイミングまで、その基板熱電対２１１が対応する位置のクリーンユニット６２の供給孔７０ａへの冷却ガスの供給を継続する。その後、ガス流量コントローラ２４は、ある一つのゾーンに配置されている基板熱電対２１１の測温部２１１ｂに対応する位置のクリーンユニット６２の供給孔７０ａへの冷却ガスの供給を停止する。ガス流量コントローラ２４は、基板熱電対２１１の測温部２１１ｂの検知温度のすべてが所定温度以下の温度まで冷却されるまで、冷却工程を継続する。言い換えると、ガス流量コントローラ２４は、基板の冷却が完了しているかを判定し、次の工程（移載工程）へ移行させる。ガス流量コントローラ２４は、所定の温度以下の温度で所定時間継続したときに、基板の冷却が完了していると判定してもよい。

【0092】

（移載工程：ステップＳ１０６）
ステップＳ１０５後、駆動コントローラ２８は、基板移載機５６によってボート３１からポッド６０へ基板１を移載する（ディスチャージステップ）。

【0093】

処理を施すべき未処理の基板１が残っている場合には、ステップＳ１０１～Ｓ１０６の一連の処理が繰り返される。ステップＳ１０１～Ｓ１０６は、目標温度に対し、処理室１４内の温度が予め定められた微小温度範囲にあり、かつ、予め定められた時間以上その状態が続くといった安定状態を得た後に実施するように構成されている。

【0094】

本態様によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。

【0095】

（ａ）ボート３１に設けられる基板熱電対２１１により検出される温度が設定温度になるまで冷却する。これにより、ボート３１に設けられる基板熱電対２１１により温度が所定温度（設定温度）以下になることを監視するだけで、基板１の冷却を実施することができる。また、ボート３１に支持される基板１間において、基板１の温度にばらつきがあっても、ボート３１に設けられる基板熱電対２１１により温度を検出することができるので、精度よく基板１の温度を所定温度以下（設定温度以下）に冷却することができる。

【0096】

（ｂ）ボート３１に設けられる各々の基板熱電対２１１の測温部２１１ｂにより検出される温度が設定温度になるまで冷却する。これにより、ボート３１に設けられる基板熱電対２１１により温度が所定温度（設定温度）以下になることを監視するだけで、基板１の冷却を実施することができる。

【0097】

（ｃ）ある特定のゾーンに配置されている基板熱電対２１１の測温部２１１ｂにより検出される温度が設定温度になるまで冷却する。これにより、ある特定のゾーンに配置されている基板熱電対２１１の測温部２１１ｂにより検出される温度が設定温度であれば、ボート３１に配置されている基板１の冷却を完了していると判定することができる。

【0098】

（ｄ）ボート３１に設けられる基板熱電対２１１により検出される温度が設定温度以下の温度で所定時間継続したときに、基板１の冷却を完了していると判定する。これにより、ボート３１に設けられる基板熱電対２１１により検出される温度の推移を監視することにより判定することで、基板１の温度が所定温度以下（設定温度以下）になるように、基板を冷却することができる。

【0099】

（ｅ）冷却工程（ステップＳ１０５）における、ボート３１に設けられる基板熱電対２１１の制御対象は、基板１を冷却する冷却機構である。これにより、ボート３１に設けられる基板熱電対２１１により検出される温度に基づいて、冷却機構を駆動して、基板１を冷却することができる。

【0100】

（ｆ）冷却工程（ステップＳ１０５）と処理工程（ステップＳ１０３）の各々において、ボート３１に設けられる基板熱電対２１１により検出される温度に基づき、基板１の処理や基板１の冷却を制御することができるので、温度制御性が格段に向上するため、高精度な温度制御が可能となる。また、移載室３に基板１の温度を測定する構成要素を新たに設置する必要がない。

【0101】

（ｇ）移載室３に冷却ガスを供給するクリーンユニット６２を有する。これにより、移載室３をクリーンユニット６２により冷却することができるので、短時間に基板１の冷却を実施することができる。

【0102】

（ｈ）クリーンユニット６２は、基板熱電対２１１に対向する位置に冷却ガスを供給する供給孔７０ａを備えている。これにより、移載室３をクリーンユニット６２により冷却することができるので、短時間に基板１の冷却を実施することができる。

【0103】

（ｉ）冷却機構としてのクリーンユニット６２は、供給孔７０ａ毎に冷媒の流量を変更できるように構成されている。これにより、移載室３をクリーンユニット６２により冷却することができるので、短時間に基板１の冷却を実施することができる。

【0104】

（ｊ）コントローラ２００は、判定部を有し、判定部は、基板１の冷却が完了しているかを判定し、次の工程（移載工程）へ移行させるように構成されている。これにより、基板１の冷却が完了していると判定されると、次の工程に進める（次のステップに移行させる）ため、基板１を十分に冷却することができ、次の移載工程で基板移載機５６のツイーザやポッド６０の損傷を防止することができる。

【0105】

（ｋ）判定部は、すべての（各ゾーンの）基板熱電対２１１の測温部２１１ｂにより検出される温度が設定温度であれば、基板１の冷却を完了していると判定する。これにより、基板１の冷却が完了していると判定されると、次の工程に進める（次のステップに移行させる）ため、基板１を十分に冷却することができ、次の移載工程で基板移載機５６のツイーザやポッド６０の損傷を防止することができる。

【0106】

（ｌ）判定部は、特定の箇所（例えば、最も熱が籠る）ゾーンに配置されている基板熱電対２１１の測温部２１１ｂにより検出される温度が設定温度であれば、基板１の冷却を完了していると判定する。これにより、基板１の冷却が完了していると判定されると、次の工程に進める（次のステップに移行させる）ため、基板１を十分に冷却することができ、次の移載工程で基板移載機５６のツイーザやポッド６０の損傷を防止することができる。

【0107】

（ｍ）判定部は、基板熱電対２１１により検出される温度が設定温度以下の温度で所定時間継続した時に、基板１の冷却を完了していると判定する。これにより、基板１の冷却が完了していると判定されると、次の工程に進める（次のステップに移行させる）ため、基板１を十分に冷却することができ、次の移載工程で基板移載機５６のツイーザやポッド６０の損傷を防止することができる。

【0108】

（ｎ）処理室１４と移載室３の間でボート３１を移動させることが可能に構成されている搬送機構を有する。これにより、ボート３１と共に移動可能なようにボート３１に基板熱電対２１１が設けられるので、処理室１４と移載室３の両方で基板１の温度を検出することができ、温度制御性が格段に向上するため、高精度な温度制御が可能となる。

【0109】

（ｏ）移載室３は、処理室１４に隣接するように構成されており、例えば、移載室３は、処理室１４の下方に設けられているように構成されている。これにより、ボート３１と共に移動可能なようにボート３１に基板熱電対２１１が設けられるので、処理室１４と移載室３の両方で基板１の温度を検出することができ、温度制御性が格段に向上するため、高精度な温度制御が可能となる。

【0110】

以上、本開示の実施形態について具体的に説明した。しかしながら、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

【0111】

上述の実施形態では１つのゾーンについて記載したが、実際には複数のゾーンがあり、各ゾーンに対して移動平均パラメータを設定できる。また、温度(または温度帯)についても、各温度（または温度帯）に応じて移動平均パラメータを設定できる。

【0112】

基板処理装置として、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。また、プロセスは特に限定されずに何でもよい。成膜処理であれば、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜、またはその両方を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理等、特に膜種に限定されることはない。更に、成膜以外のアニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であっても構わない。

【符号の説明】

【0113】

３・・・移載室（搬送室）
１４・・・処理室
３１・・・ボート（基板支持具）
２１１・・・基板熱電対（温度センサ）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】