特開 2024-132732 ＣＭＰ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024132732

(43)【公開日】2024-10-01

(54)【発明の名称】ＣＭＰ装置

(51)【国際特許分類】

   B24B 37/30 20120101AFI20240920BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240920BHJP

   B24B 37/32 20120101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

B24B37/30 E

H01L21/304 622K

B24B37/32 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023043630

(22)【出願日】2023-03-17

(71)【出願人】

【識別番号】000151494

【氏名又は名称】株式会社東京精密

(74)【代理人】

【識別番号】100169960

【弁理士】

【氏名又は名称】清水 貴光

(72)【発明者】

【氏名】篠崎 颯典

【テーマコード（参考）】

3C158

5F057

【Ｆターム（参考）】

3C158AA07

3C158BB06

3C158BB08

3C158CB01

3C158DA12

3C158DA17

3C158EA13

3C158EA14

3C158EA23

3C158EB01

5F057AA16

5F057AA21

5F057BA11

5F057BB06

5F057BB09

5F057CA11

5F057DA03

5F057EC24

5F057EC25

5F057FA13

5F057FA19

5F057FA20

5F057GA02

5F057GA27

(57)【要約】

【課題】スラリーのワークへの固着を抑制可能なＣＭＰ装置を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ装置１は、ワークＷを収容可能な収容ポケット４０ａが中央に形成され、キャリア３０の下端を囲繞するように設けられた略円環状のリテーナリング４０と、リテーナリング４０に周縁が把持されて、キャリア３０との間に圧力伝搬室Ｃを形成するメンブレンフィルム５０と、収容ポケット４０ａ内でメンブレンフィルム５０に接合され、ワークＷを保持可能なバッキングフィルム６０と、圧力伝搬室Ｃに保湿水を含む加圧流体を供給する流体供給源３２と、を備え、ワークＷが研磨される際に、加圧流体は、圧力伝搬室Ｃと収容ポケット４０ａとを連通するようにメンブレンフィルム５０及びバッキングフィルム６０に形成された連通孔７０を介して収容ポケット４０ａ内に供給される。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ワークを研磨パッドに押し当てて研磨するＣＭＰ装置であって、
前記ワークを収容可能な収容ポケットが中央に形成され、キャリアの下端を囲繞するように設けられた略円環状のリテーナリングと、
前記リテーナリングに周縁が把持されて、前記キャリアとの間に圧力伝搬室を形成するメンブレンフィルムと、
前記収容ポケット内で前記メンブレンフィルムに接合され、前記ワークを保持可能なバッキングフィルムと、
前記圧力伝搬室に保湿水を含む加圧流体を供給する流体供給源と、
を備え、
前記ワークが研磨される際に、前記加圧流体は、前記圧力伝搬室と前記収容ポケットとを連通するように前記メンブレンフィルム及び前記バッキングフィルムに形成された連通孔を介して前記収容ポケット内に供給されることを特徴とするＣＭＰ装置。

【請求項2】

前記加圧流体は、前記ワークが研磨される際に、前記ワークと前記バッキングフィルムとの間に満たされていることを特徴とする請求項１記載のＣＭＰ装置。

【請求項3】

前記加圧流体は、ＤＩＷと圧縮空気とを混合して成るミストエアーであることを特徴とする請求項１記載のＣＭＰ装置。

【請求項4】

前記加圧流体は、ＤＩＷであることを特徴とする請求項１記載のＣＭＰ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ウェハを研磨するＣＭＰ装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ（以下、「ワーク」という）を研磨して平坦化するＣＭＰ装置が知られている。

【0003】

特許文献１記載の研磨装置は、化学的機械的研磨、いわゆるＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術を適用した、エアーフロート方式のＣＭＰ装置が開示されている。このＣＭＰ装置では、研磨時に、研磨ヘッドのキャリアとゴムシートとの間に形成されたエア室にエアが導入されて圧力流体層が形成され、この圧力流体層を介してウェハの表面（被研磨面）を研磨布に押し付ける。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００１－２１２７５４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１記載のＣＭＰ装置を用いて難加工性材料から成るウェハを研磨する場合、高圧・高回転で長時間に亘って研磨を行うため、ウェハ温度が過度に上昇して、ウェハに付着したスラリーが蒸発してウェハに固着するという問題があった。さらに、ゴムシートの穴から噴き出たエアが、ウェハとゴムシートとの間に回り込んだスラリーを乾燥させると、スラリーがウェハにさらに固着し易いという問題があった。

【0006】

そこで、スラリーのワークへの固着を抑制するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するために、本発明に係るＣＭＰ装置は、ワークを研磨パッドに押し当てて研磨するＣＭＰ装置であって、前記ワークを収容可能な収容ポケットが中央に形成され、キャリアの下端を囲繞するように設けられた略円環状のリテーナリングと、前記リテーナリングに周縁が把持されて、前記キャリアとの間に圧力伝搬室を形成するメンブレンフィルムと、前記収容ポケット内で前記メンブレンフィルムに接合され、前記ウェハを保持可能なバッキングフィルムと、前記圧力伝搬室に保湿水を含む加圧流体を供給する流体供給源と、を備え、前記ワークが研磨される際に、前記加圧流体は、前記圧力伝搬室と前記収容ポケットとを連通するように前記リテーナリング及び前記バッキングフィルムに形成された連通孔を介して前記収容ポケット内に供給される。

【発明の効果】

【0008】

本発明は、保湿水を含む加圧流体が連通孔を介して収容ポケット内に供給されることにより、ワークの乾燥及びワークの温度上昇が抑制されるため、スラリーのワークへの固着を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明の一実施例に係るウェハ吸着装置を適用したウェハ研磨装置を模式的に示す斜視図。

【図2】研磨ヘッドを模式的に示す縦断面図。

【図3】研磨ヘッドの要部を模式的に示す縦断面図。

【図4】保湿水を含む加圧流体を生成する流体供給源の構造を示す模式図。

【図5】実験例１の圧力分布を示す画像。

【図6】実験例２の圧力分布を示す画像。

【図7】実験例３のスラリー固着量、プラテン表面温度及び研磨レートを示す表。

【図8】実験例３の研磨プロファイルを示すグラフ。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。なお、以下では、構成要素の数、数値、量、範囲等に言及する場合、特に明示した場合及び原理的に明らかに特定の数に限定される場合を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも構わない。

【0011】

また、構成要素等の形状、位置関係に言及するときは、特に明示した場合及び原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似又は類似するもの等を含む。

【0012】

また、図面は、特徴を分かり易くするために特徴的な部分を拡大する等して誇張する場合があり、構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、構成要素の断面構造を分かり易くするために、一部の構成要素のハッチングを省略することがある。

【0013】

図１は、本発明の一実施形態に係るＣＭＰ装置１を模式的に示す斜視図である。ＣＭＰ装置１は、ワークＷの下面を平坦に研磨するものである。ワークＷは、例えば、炭化ケイ素（シリコンカーバイド：ＳｉＣ）を含む物質から成るウェハ又は窒化ガリウム（ＧａＮ）から成るウェハ等であるがこれに限定されるものではない。ＣＭＰ装置１は、プラテン２と、研磨ヘッド１０と、を備えている。

【0014】

プラテン２は、円盤状に形成されており、プラテン２の下方に配置された回転軸３に連結されている。回転軸３がモータ４の駆動によって回転することにより、プラテン２は図１中の矢印Ｄ１の方向に回転する。プラテン２の上面には、研磨パッド５が貼付されており、研磨パッド５上にノズル６から研磨剤と化学薬品との混合物であるＣＭＰスラリーＳが供給される。

【0015】

研磨ヘッド１０は、プラテン２より小径の円盤状に形成されており、研磨ヘッド１０の上方に配置された回転軸１０ａに連結されている。回転軸１０ａが図示しないモータの駆動によって回転することにより、研磨ヘッド１０は、図１中の矢印Ｄ２の方向に回転する。研磨ヘッド１０は、図示しない昇降装置によって垂直方向Ｖに昇降自在である。研磨ヘッド１０は、ワークＷを研磨する際に下降して研磨パッド５にワークＷを押圧する。研磨ヘッド１０が研磨するワークＷは、図示しないウェハ搬送機構によって受け渡される。

【0016】

ＣＭＰ装置１の動作は、コントローラ７によって制御される。コントローラ７は、ＣＭＰ装置１を構成する構成要素をそれぞれ制御するものである。コントローラ７は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ、メモリ等により構成される。なお、コントローラ７の機能は、ソフトウェアを用いて制御することにより実現されても良く、ハードウェアを用いて動作するものにより実現されても良い。

【0017】

次に、研磨ヘッド１０について、図２及び図３に基づいて説明する。

【0018】

研磨ヘッド１０は、ヘッド本体２０と、キャリア３０と、リテーナリング４０と、メンブレンフィルム５０と、バッキングフィルム６０と、を備えている。

【0019】

ヘッド本体２０は、回転軸１０ａに接続されており、回転軸１０ａが図示しないモータの駆動によって回転することにより、回転軸１０ａと共に回転する。ヘッド本体２０は、連結部２１を介してヘッド本体２０の下方に配置されたキャリア３０に連結されており、ヘッド本体２０及びキャリア３０は連動して回転する。

【0020】

キャリア３０には、キャリア３０の周縁に等間隔に離間して配置された流体供給ライン３１が設けられている。流体供給ライン３１の下端は、キャリア３０の下面３０ａとメンブレンフィルム５０との間に形成された圧力伝搬室Ｃに開口している。

【0021】

流体供給ライン３１は、流体供給源（ＲＳ）３２及び図示しない真空源に接続されている。流体供給源３２及び真空源は、図示しないバルブ等を介して流体供給ライン３１に切替可能に接続されている。流体供給源３２は、流体供給ライン３１を介して少なくとも保湿水を含む加圧流体を圧力伝搬室Ｃに供給可能である。流体供給ライン３１に供給される加圧流体の圧力は、図示しないレギュレータによって調整される。圧力伝搬室Ｃ内に供給された加圧流体は、キャリア３０の外周縁に形成されたリムによってメンブレンフィルム５０の上方に圧力伝搬層を形成し、メンブレンフィルム５０全面を下方に押圧する。また、真空源は、流体供給ライン３１を介して負圧を圧力伝搬室Ｃ内に供給可能である。

【0022】

ヘッド本体２０とキャリア３０との間には、キャリア押圧手段３３が設けられている。キャリア押圧手段３３は、図示しないエア供給源から供給されるエアによって膨張するエアバッグ等である。エア供給源から供給されるエアの圧力は、図示しないレギュレータによって調整される。キャリア押圧手段３３は、供給されるエアの圧力に応じて、キャリア３０を介してワークＷを研磨パッド５に押圧する。

【0023】

リテーナリング４０は、キャリア３０の下端付近を囲むように配置されている。

【0024】

リテーナリング４０は、例えば、ガラスエポキシ、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）又はポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の樹脂から成る。リテーナリング４０は、円環状に形成されており、略中央にワークＷを収容する収容ポケット４０ａを備えている。

【0025】

リテーナホルダ４１は、リング状に形成され、下面４１ａがリテーナリング４０の上面４０ｂにメンブレンフィルム５０を介して接合され、リテーナリング４０を保持する。リテーナホルダ４１は、スナップリング４２を介してリテーナ押圧部材４３に取り付けられている。ヘッド本体２０とリテーナ押圧部材４３との間には、リテーナ押圧手段４４が設けられている。なお、符号４５は、スナップリング４２の上方を覆うカバーである。

【0026】

リテーナ押圧手段４４は、図示しないエア供給源から供給されるエアによって膨張するエアバッグ等である。エア供給源から供給されるエアの圧力は、図示しないレギュレータによって調整される。リテーナ押圧手段４４は、供給されるエアの圧力に応じてリテーナリング４０を研磨パッド５に向けて押圧する。

【0027】

メンブレンフィルム５０は、周縁がリテーナリング４０及びリテーナホルダ４１に挟持されて、圧力伝搬室Ｃと収容ポケット４０ａとを区画している。圧力伝搬室Ｃに圧縮空気が導入されると、メンブレンフィルム５０は、収容ポケット４０ａ内で下方に向かって弾性変形する。

【0028】

メンブレンフィルム５０は、適度な強度と柔軟性を兼ね備えた材料が好ましく、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）又はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂が好ましい。メンブレンフィルム５０には、物性及び入手性の観点からＰＥＥＫが特に好ましいが、ＰＰＳやＰＥＴであってもヤング率がＰＥＥＫに近く、また比較的に容易に入手できるため好ましい。

【0029】

バッキングフィルム６０は、例えば、スウェードフィルムである。バッキングフィルム６０は、その中心が研磨ヘッド１０の回転軸１０ａ上に位置決めされた状態でメンブレンフィルム５０に貼着されている。バッキングフィルム６０は、圧力伝搬室Ｃに圧縮空気が導入されると、メンブレンフィルム５０の弾性変形に伴って弾性変形する。

【0030】

メンブレンフィルム５０及びバッキングフィルム６０には、圧力伝搬室Ｃと収容ポケット４０ａとを連通する連通孔７０が形成されている。連通孔７０の孔径は、例えば約３～５ｍｍに設定される。これにより、圧力伝搬室Ｃ内の加圧流体Ｆは、図３の矢印で示すように、連通孔７０を介して収容ポケット４０ａ内に供給される。これにより、加圧流体Ｆは、キャリア押圧手段３３の押圧力をワークＷに伝播するとともに、ワークＷの上面Ｗａとバッキングフィルム６０との間へのスラリーＳの回り込みを抑制することができる。また、圧力伝搬室Ｃ内の負圧は、連通孔７０を介して収容ポケット４０ａ内に供給され、ワークＷがバッキングフィルム６０に吸着保持される。

【0031】

また、加圧流体Ｆは、ワークＷが研磨される際に、ワークＷの上面Ｗａとメンブレンフィルム５０との間に満たされているのが好ましい。これにより、ワークＷの上面Ｗａとバッキングフィルム６０との間へのスラリーＳの回り込みをさらに抑制することができる。

【0032】

加圧流体Ｆは、ワークＷの上面Ｗａを保湿可能な水量の保湿水を含み、ワークＷを加圧可能な程度に加圧された流体であればよく、例えば、圧力調整されたＤＩＷ（Ｄｅ－Ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）のみから成るもの、又は圧力調整されたＣＤＡ（Ｃｌａｅｎ Ｄｒｙ Ａｉｒ）にＤＩＷの水滴を加水して成るミストエアー等が考えられる。

【0033】

ＤＩＷのみから成る加圧流体Ｆを用いる場合には、ＤＩＷの液膜がワークＷの上面Ｗａを覆って上面Ｗａを保湿可能で、上面Ｗａでのスラリーの固着を抑制することができる。また、水と気体とを混合して成るミストエアーを用いる場合には、ワークＷの上面Ｗａを加湿して上面Ｗａでのスラリーの固着を抑制しつつ、さらに圧力応答性に優れて均一な圧力分布を実現できる。

【0034】

流体供給源３２は、ワークＷの上面Ｗａを保湿可能な水量の保湿水を含む加圧流体Ｆを供給可能であれば如何なる構成であってもよい。例えば、ミストエアーを供給する流体供給源３２は、図４（ａ）に示すように、図示しないＣＤＡ供給源に接続されてＣＤＡが流れるＣＤＡライン３４と、図示しないＤＩＷ供給源に接続されてＤＩＷが流れるＤＩＷライン３５とを分岐して設けて、ＣＤＡにＤＩＷを適量滴下して加水することにより加圧流体Ｆを生成する構成、又は図４（ｂ）に示すように、ＣＤＡライン３４をＤＩＷを貯留したバッファ３６に接続し、ＣＤＡをＤＩＷ内に通過させて加湿した後に、冷却機３７でＣＤＡを露点以下に冷却して水滴を発生させて加圧流体Ｆを生成する構成等が考えられる。

【0035】

このようにして、本実施形態に係るＣＭＰ装置１は、ワークＷを研磨パッド５に押し当てて研磨するＣＭＰ装置１であって、ワークＷを収容可能な収容ポケット４０ａが中央に形成され、キャリア３０の下端を囲繞するように設けられた略円環状のリテーナリング４０と、リテーナリング４０に周縁が把持されて、キャリア３０との間に圧力伝搬室Ｃを形成するメンブレンフィルム５０と、収容ポケット４０ａ内でメンブレンフィルム５０に接合され、ワークＷを保持可能なバッキングフィルム６０と、圧力伝搬室Ｃに保湿水を含む加圧流体Ｆを供給する流体供給源３２と、を備え、ワークＷが研磨される際に、加圧流体は、圧力伝搬室Ｃと収容ポケット４０ａとを連通するようにメンブレンフィルム５０及びバッキングフィルム６０に形成された連通孔７０を介して収容ポケット４０ａ内に供給される構成とした。

【0036】

このような構成により、圧力伝搬室Ｃ内の保湿水を含む加圧流体Ｆが連通孔７０を介して収容ポケット４０ａ内に供給されることにより、ワークＷの上面Ｗａが保湿されるとともにワークＷが冷却されるため、スラリーＳのワークＷへの固着を抑制することができる。

【実施例0037】

次に、上述した実施形態に係るＣＭＰ装置１を用いた実験について説明する。以下では、ＣＭＰ装置１を用いた、保湿水を含む加圧流体でワークＷを押圧して研磨する押圧方式を「ウォーターフロート方式」といい、キャリアの下部に形成されたエア室に導入されたエアでワークＷを研磨する従来の押圧方式である「エアーフロート方式」と区別する。

【0038】

（実験例１）
加圧流体としてＤＩＷのみを用いたウォーターフロート方式（実施例１）について、加圧流体の圧力伝播性及び研磨開始からの応答性をそれぞれ計測した。

【0039】

図５は、ＤＩＷ流量を０．１１５０ｍｌ／ｍｉｎに設定した実施例１及び従来のエアーフロート方式（比較例１）について、加圧開始直後と加圧開始後所定時間経過後の圧力分布を示す測定画像である。なお、本実験例では、キャリア押圧手段３３及びリテーナ押圧手段４４の各押圧力を９ｐｓｉに設定した。図５に示す測定画像は、明るい領域は相対的に高い圧力が作用していることを意味し、図５の画像中に示す大径のリング部分は、リテーナリング４０に対応しており、小径の円部分は、収容ポケット４０ａに対応している。

【0040】

図５（ａ）、（ｂ）によれば、比較例１は、エア供給開始１秒後には、ワークＷに圧力が十分に伝播していることが分かる。これに対し、図５（ｃ）、（ｄ）によれば、実施例１は、バッキングフィルム６０とワークＷとの間にＤＩＷが行き渡るまで圧力伝播が生じないため、ＤＩＷ供給開始直後ではワークＷを十分に押圧できていないものの、ＤＩＷ供給開始から１５秒後には、ワークＷとバッキングフィルム６０との間にＤＩＷが満たされて、ワークＷに圧力が伝播していることが分かる。すなわち、本実験例によれば、比較例１と比べて応答性にラグが生じるものの、圧力伝播性は確保されることが分かる。

【0041】

（実験例２）
次に、加圧流体としてＤＩＷのみを用いたウォーターフロート方式（実施例２～５）において、キャリア押圧手段３３及びリテーナ押圧手段４４による圧力を変化させたときの圧力の伝搬性を計測した。

【0042】

図６は、以下に示す実施例２～５及び従来のエアーフロート方式（比較例２）について、キャリア押圧手段３３及びリテーナ押圧手段４４の押圧力を１ｐｓｉ、３ｐｓｉ、５ｐｓｉ、７ｐｓｉ、９ｐｓｉと変化させたときの圧力分布の測定画像を示す。図６に示す測定画像は、明るい領域は相対的に高い圧力が作用していることを意味し、図６の画像中に示す大径のリング部分は、リテーナリング４０に対応しており、小径の円部分は、収容ポケット４０ａに対応している。また、図６中の「ＷＰ/ＲＰ」は、キャリア押圧手段３３及びリテーナ押圧手段４４の押圧力を意味する。
・実施例２：ＤＩＷ流量１．１５ｌ／ｍｉｎ
・実施例３：ＤＩＷ流量０．５７ｌ／ｍｉｎ
・実施例４：ＤＩＷ流量０．２８５ｌ／ｍｉｎ
・実施例５：ＤＩＷ流量０．１５ｌ／ｍｉｎ

【0043】

図６によれば、実施例２～４は、各押圧力において比較例２と同様に良好な圧力分布を得られることが分かる。一方、実施例５は、比較例２と比較して、十分な圧力を示す圧力分布を得られていないことが分かる。したがって、本実験例においては、ＤＩＷ流量０．２８５ｍｌ／ｍｉｎ以上を確保するのが好ましいことが分かる。

【0044】

（実験例３）
次に、加圧流体としてＤＩＷ及びＣＤＡを用いたウォーターフロート方式（実施例６～７）において、Ｐ－ＴＥＯＳ膜を研磨した際にワークＷに固着したスラリーの固着量（厚み）及び単位時間当たりのワークＷの研磨量（研磨レート）を計測した。

【0045】

図７は、以下に示す実施例６～７及び従来のエアーフロート方式（比較例３）について、３０分研磨後のワークＷの上面Ｗａにおけるスラリー固着量及びプラテン２の表面温度並びに研磨レートを示す表である。なお、本実験例の研磨条件は、キャリア押圧手段３３及びリテーナ押圧手段４４の各押圧力を５ｐｓｉ、プラテン２の回転数を９０ｒｐｍ、研磨ヘッド１０の回転数を８７ｒｐｍ、ＣＤＡの流量を３０Ｌ／ｍｉｎ、研磨時間を３０分にそれぞれ設定した。また、スラリーＳには、シリカスラリーを用いた。
・実施例６：ＤＩＷ流量０．０１５ｍｌ／ｍｉｎ
・実施例７：ＤＩＷ流量０．０３０ｍｌ／ｍｉｎ

【0046】

図７によれば、比較例３では、３０分研磨後のスラリー固着量が２００μｍであるのに対し、実施例６では、スラリー固着量が０．０６μｍ、実施例７では、スラリー固着量が０．０５μｍとそれぞれ十分に低減されていることが分かる。また、図７によれば、実施例６～７及び比較例３では、３０分研磨時のプラテン２の表面温度が同様であって且つ研磨レートに有意な差はないことから、ＤＩＷが注水された分だけスラリーＳが希釈されても、スラリーＳの潤滑効果は保たれていると考えられる。

【0047】

また、図８は、実施例６～７及び比較例３について、縦軸に研磨レート、横軸にワークＷの中心からの径方向距離を設定した研磨プロファイルを示すグラフである。

【0048】

図７及び図８によれば、実験例６～７及び比較例３では、ワークＷ全面に亘って研磨レートに有意な差はないことから、ＤＩＷがスラリーＳを希釈して研磨レートが悪化する等の悪影響は生じず、ＤＩＷが存在することによりワークＷの上面Ｗａへのスラリーの固着が抑制されたと考えられる。

【0049】

また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り、上記以外にも種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。

【符号の説明】

【0050】

１ ：ＣＭＰ装置
２ ：プラテン
３ ：（プラテンの）回転軸
４ ：モータ
５ ：研磨パッド
６ ：ノズル
７ ：コントローラ
１０ ：研磨ヘッド
１０ａ：（研磨ヘッドの）回転軸
２０ ：ヘッド本体
２１ ：連結部
３０ ：キャリア
３０ａ：（キャリアの）下面
３１ ：流体供給ライン
３２ ：流体供給源
３３ ：キャリア押圧手段
４０ ：リテーナリング
４０ａ：収容ポケット
４０ｂ：（リテーナリングの）上面
４１ ：リテーナホルダ
４１ａ：（リテーナホルダの）下面
４２ ：スナップリング
４３ ：リテーナ押圧部材
４４ ：リテーナ押圧手段
４５ ：カバー
５０ ：メンブレンフィルム
６０ ：バッキングフィルム
７０ ：連通孔
Ｃ ：圧力伝搬室
Ｓ ：スラリー
Ｖ ：垂直方向
Ｗ ：ワーク
Ｗａ ：（ワークの）上面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】