特開 2024-132907 基板支持器及び基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024132907

(43)【公開日】2024-10-01

(54)【発明の名称】基板支持器及び基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240920BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240920BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/68 R

H01L21/302 101B

C23C16/458

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024024405

(22)【出願日】2024-02-21

(31)【優先権主張番号】P 2023042831

(32)【優先日】2023-03-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(72)【発明者】

【氏名】工藤 恭久

【テーマコード（参考）】

4K030

5F004

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K030CA04

4K030CA12

4K030EA05

4K030EA06

4K030FA01

4K030GA02

4K030KA17

4K030KA18

4K030KA20

4K030KA41

4K030KA46

4K030KA47

4K030LA15

5F004BA09

5F004BA14

5F004BA20

5F004BB12

5F004BB13

5F004BB14

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB25

5F004BB26

5F004BB29

5F004CA03

5F004CA04

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA32

5F131AA33

5F131BA03

5F131BA04

5F131BA19

5F131BA23

5F131CA17

5F131CA47

5F131EA03

5F131EA04

5F131EA05

5F131EB11

5F131EB31

5F131EB79

5F131EB82

(57)【要約】

【課題】基板支持器の基台にねじ穴を設ける技術を提供する。
【解決手段】開示される基板支持器は、基台、支持プレート、ねじアセンブリ、及び雄ねじを含む。基台は、脆性材料から形成されており、穴を有する。穴は、縦穴部と基台の内部で縦穴部から横方向に延びる少なくとも一つの横穴部とを含む。支持プレートは、その上に配置される基台を支持する。支持プレートには、縦穴部に通じる貫通孔が形成されている。ねじアセンブリは、複数の第１の部材及び第２の部材を含む。複数の第１の部材は、縦穴部の中で第１のねじ穴を形成し、それらの各々が、縦穴部及び横穴部の中に設けられている。第２の部材は、筒形状を有し、第１のねじ穴に螺合され、第１のねじ穴の中で第２のねじ穴を提供する。雄ねじは、貫通孔を通って、第２のねじ穴に螺合されている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

脆性材料から形成された基台であり、該基台の表面において開口し該基台の内部に延びる縦穴部と前記基台の内部で該縦穴部から横方向に延びる少なくとも一つの横穴部とを含む穴を有する、該基台と、
その上に配置される前記基台を支持する支持プレートであり、前記縦穴部に通じる貫通孔が形成された該支持プレートと、
前記基台の前記穴の中に配置されたねじアセンブリと、
前記ねじアセンブリに螺合される雄ねじと、
を備え、
前記ねじアセンブリは、
前記縦穴部の中で第１のねじ穴を形成する複数の第１の部材であり、各々が前記縦穴部及び前記横穴部の中に設けられた、該複数の第１の部材と、
筒形状を有し、前記第１のねじ穴に螺合され、且つ、該第１のねじ穴の中で第２のねじ穴を提供する第２の部材と、
を含み、
前記雄ねじは、前記貫通孔を通って、前記第２のねじ穴に螺合されている、
基板支持器。

【請求項2】

前記複数の第１の部材及び前記第２の部材の各々は、金属から形成されている、請求項１に記載の基板支持器。

【請求項3】

前記複数の第１の部材及び前記第２の部材の各々は、チタン、ステンレス、又はアルミニウムから形成されている、請求項２に記載の基板支持器。

【請求項4】

前記基台は、セラミック又は導電性セラミックから形成されている、請求項１～３の何れか一項に記載の基板支持器。

【請求項5】

前記基台は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、又は金属基複合材を含む材料から形成されている、請求項４に記載の基板支持器。

【請求項6】

前記支持プレートは、絶縁性セラミックから形成されている、請求項１～３の何れか一項に記載の基板支持器。

【請求項7】

前記支持プレートは、酸化アルミニウムから形成されている、請求項６に記載の基板支持器。

【請求項8】

前記基台の前記穴は、前記少なくとも一つの横穴部として、前記縦穴部の周りで周方向に沿って配列された複数の横穴部を含む、請求項１～３の何れか一項に記載の基板支持器。

【請求項9】

前記基台の前記穴は、前記少なくとも一つの横穴部として、前記縦穴部の周りで周方向に延在する単一の環状の横穴部を含む、請求項１～３の何れか一項に記載の基板支持器。

【請求項10】

前記縦穴部の中で前記複数の第１の部材は、周方向に沿って複数の間隙と交互に配列されており、
前記複数の間隙は、接着剤で充填されている、
請求項１～３の何れか一項に記載の基板支持器。

【請求項11】

前記基台上に配置された静電チャックを更に備える、請求項１～３の何れか一項に記載の基板支持器。

【請求項12】

前記静電チャックは、静電電極を含み、
前記基台及び前記支持プレートには、前記静電電極に向けて延びており、且つ、前記静電電極に直流電源を接続するための給電線が通る孔が形成されている、
請求項１１に記載の基板支持器。

【請求項13】

前記静電チャックは、バイアス電極を含み、
前記基台及び前記支持プレートには、前記バイアス電極に向けて延びており、且つ、前記バイアス電極にバイアス電源を接続するための給電線が通る孔が形成されている、
請求項１１に記載の基板支持器。

【請求項14】

前記静電チャックと前記基台とは、金属接合により互いに接合されている、請求項１１に記載の基板支持器。

【請求項15】

前記雄ねじと前記支持プレートとの間に配置されたベアリングを更に備える、請求項１～３の何れか一項に記載の基板支持器。

【請求項16】

チャンバと、
請求項１～３の何れか一項に記載された基板支持器であり、前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
を備える基板処理装置。

【請求項17】

プラズマ処理装置である、請求項１６に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の例示的実施形態は、基板支持器及び基板処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

プラズマ処理装置のような基板処理装置は、チャンバ内に設けられた載置台、即ち基板支持器を有する。基板支持器は、基台を含む。下記の特許文献１は、セラミックから形成された基台を開示している。基台には、ねじ穴が形成されることがあるが、セラミックのような脆性材料から形成された基台のねじ溝は、破損することがある。下記の特許文献２は、セラミック部材の穴の中にねじ穴を有する筒状部材を挿入することにより、セラミック部材にねじ穴を提供する技術を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１６０７９０号公報

【特許文献2】特開平８－２１７５２８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、基板支持器の基台にねじ穴を設ける技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一つの例示的実施形態において、基板支持器が提供される。基板支持器は、基台、支持プレート、ねじアセンブリ、及び雄ねじを含む。基台は、脆性材料から形成されている。基台は、穴を有する。穴は、基台の表面において開口し、基台の内部に延びる縦穴部と基台の内部で縦穴部から横方向に延びる少なくとも一つの横穴部とを含む。支持プレートは、その上に配置される基台を支持する。支持プレートには、縦穴部に通じる貫通孔が形成されている。ねじアセンブリは、複数の第１の部材及び第２の部材を含む。複数の第１の部材は、縦穴部の中で第１のねじ穴を形成する。複数の第１の部材の各々は、縦穴部及び横穴部の中に設けられている。第２の部材は、筒形状を有し、第１のねじ穴に螺合され、且つ、第１のねじ穴の中で第２のねじ穴を提供する。雄ねじは、貫通孔を通って、第２のねじ穴に螺合されている。

【発明の効果】

【0006】

一つの例示的実施形態によれば、基板支持器の基台にねじ穴として、基台から分離し難い第２のねじ穴が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。

【図2】容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【図3】一つの例示的実施形態に係る基板支持器を示す断面図である。

【図4】一つの例示的実施形態に係る基板支持器のねじアセンブリを示す平面図である。

【図5】一つの例示的実施形態に係る基板支持器のねじアセンブリを示す断面図である。

【図6】別の一つの例示的実施形態に係る基板支持器のねじアセンブリを示す平面図である。

【図7】別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す断面図である。

【図8】更に別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

【0009】

図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持器１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持器１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

【0010】

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：ＣａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

【0011】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0012】

以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【0013】

容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持器１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持器１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持器１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持器１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持器１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

【0014】

基板支持器１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

【0015】

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持器１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

【0016】

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

【0017】

また、基板支持器１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持器１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0018】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0019】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

【0020】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0021】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

【0022】

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0023】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

【0024】

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0025】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0026】

以下、図３～図５を参照して、一つの例示的実施形態に係る基板支持器について説明する。図３は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器を示す断面図である。図４は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器のねじアセンブリを示す平面図である。図４は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器の基台を下方から視た状態を示している。図５は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器のねじアセンブリを示す断面図である。

【0027】

図３に示す基板支持器１１は、プラズマ処理装置１の基板支持器１１として利用され得る。図３に示すように、基板支持器１１は、基台１１１０、支持プレート１１１２、少なくとも一つのねじアセンブリ５０、及び少なくとも一つの雄ねじ６０（又はボルト）を備えている。基板支持器１１は、静電チャック１１１１を更に備えていてもよい。また、基板支持器１１は、支持部材１１１３を更に備えていてもよい。

【0028】

基台１１１０は、セラミックのような脆性材料から形成されている。一実施形態において、基台１１１０は、導電性セラミックから形成されている。導電性セラミックとしては、セラミックを母材として金属などの導電性粒子を配合した材料又は金属を母材としてセラミックを配合した金属基複合材（ＭＭＣ：Ｍｅｔａｌ Ｍａｔｒｉｘ Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ）が挙げられる。基台１１１０を構成する金属は、シリコン、アルミニウム、チタン、タングステン、及びモリブデンからなる群から選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。基台１１１０を構成するセラミックは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、及び炭化ケイ素からなる群から選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。

【0029】

図４及び図５に示すように、基台１１１０は、少なくとも一つの穴１１１０ｈを提供している。少なくとも一つの穴１１１０ｈの中には、少なくとも一つのねじアセンブリ５０が配置されている。図３に示す例では、基台１１１０は、複数の穴１１１０ｈを提供している。複数の穴１１１０ｈの中には、複数のねじアセンブリ５０がそれぞれ配置されている。

【0030】

複数の穴１１１０ｈは、基台１１１０の中心軸線に対して周方向に沿って配列されていてもよい。複数の穴１１１０ｈの各々は、縦穴部１１１０ｖ及び少なくとも一つの横穴部１１１０ｔを含んでいる。図４及び図５に示す例では、複数の穴１１１０ｈの各々は、縦穴部１１１０ｖの周りで周方向に沿って配列された複数の横穴部１１１０ｔを含んでいる。複数の穴１１１０ｈの各々の横穴部１１１０ｔの個数は、ねじアセンブリ５０の後述する複数の第１の部材５１の個数と同数である。

【0031】

縦穴部１１１０ｖは、基台１１１０の表面において開口し、基台１１１０の内部に延びている。図示された例では、縦穴部１１１０ｖは、基台１１１０の下面において開口しており、基台１１１０の内部まで上方へ延びている。複数の横穴部１１１０ｔは、基台１１１０の表面よりも内部に形成されている。複数の横穴部１１１０ｔは、基台１１１０の内部で縦穴部１１１０ｖから横方向又は縦穴部１１１０ｖの中心軸線に対して放射方向に延びている。

【0032】

支持プレート１１１２は、その上に配置される基台１１１０を支持している。支持プレート１１１２は、略円盤形状を有している。一実施形態において、支持プレート１１１２は、絶縁性セラミックから形成されている。支持プレート１１１２を構成する絶縁性セラミックは、例えば酸化アルミニウム又は炭化ケイ素である。

【0033】

支持プレート１１１２は、少なくとも一つの貫通孔１１１２ｔを提供している。図３に示す例では、支持プレート１１１２は、複数の貫通孔１１１２ｔを提供している。複数の貫通孔１１１２ｔは、支持プレート１１１２の中心軸線に対して周方向に沿って配列されていてもよい。複数の貫通孔１１１２ｔはそれぞれ、複数の穴１１１０ｈの縦穴部１１１０ｖに整列されている。複数の貫通孔１１１２ｔの各々は、複数の穴１１１０ｈのうち対応する穴１１１０ｈの縦穴部１１１０ｖに通じている。

【0034】

図示された例において、プラズマ処理装置１は、少なくとも一つの雄ねじ６０として、複数の雄ねじ６０を備えている。複数の雄ねじ６０の各々は、複数の貫通孔１１１２ｔのうち対応する貫通孔１１１２ｔを通って、対応するねじアセンブリ５０のねじ穴に螺合されている。複数の雄ねじ６０の各々が、対応するねじアセンブリ５０のねじ穴に螺合されることにより、基台１１１０は、支持プレート１１１２に固定される。なお、ねじアセンブリ５０の詳細については、後述する。

【0035】

支持プレート１１１２は、支持部材１１１３上に配置されており、支持部材１１１３によって支持されている。支持部材１１１３は、チャンバ１０の底部上に配置されており、チャンバ１０の底部から上方に延びている。支持部材１１１３は、略円筒形状を有していてもよい。支持部材１１１３は、絶縁性材料から形成されている。支持部材１１１３は、脆性材料から形成されていてもよい。支持部材１１１３は、酸化アルミニウムのような絶縁性セラック又は石英から形成されていてもよい。

【0036】

基台１１１０及び支持プレート１１１２は、支持部材１１１３に通じる複数の貫通孔を提供していてもよい。これら貫通孔は、基台１１１０の中心軸線の周りで周方向にそって配列されていてもよい。基板支持器１１は、これらの貫通孔を通って支持部材１１１３のねじ穴に螺合される複数のねじ７０（又はボルト）を有していてもよい。複数のねじ７０が支持部材１１１３の複数のねじ穴に螺合されることにより、基台１１１０及び支持プレート１１１２は、支持部材１１１３に固定される。なお、支持部材１１１３は、支持部材１１１３のための複数のねじ穴に代えて、複数の穴を提供していてもよく、これら穴の中にはねじアセンブリ５０と同様のねじアセンブリ７２が設けられていてもよい。この場合には、複数のねじ７０は、ねじアセンブリ７２のねじ穴（後述するねじアセンブリ５０の第２のねじ穴と同様のねじ穴）に螺合される。

【0037】

支持プレート１１１２は、貫通孔１１１２ｈを更に提供している。貫通孔１１１２ｈは、支持プレート１１１２の中心軸線上で延びていてもよい。基台１１１０には、支持プレート１１１２の下方の空間から貫通孔１１１２ｈを通って延びる給電線３０１Ｌが接続されている。基台１１１０には、給電線３０１Ｌを介して高周波電源３０１が接続されている。高周波電源３０１は、プラズマ生成用の高周波電源であり、上述の第１のＲＦ生成部３１ａである。即ち、高周波電源３０１は、プラズマ生成用のソースＲＦ電力を基台１１１０に供給する。高周波電源３０１は、整合器３０１ｍを介して基台１１１０に接続されていてもよい。なお、高周波電源３０１から出力される高周波電流は、表皮効果により基台１１１０の表面を流れる。したがって、基台１１１０の下面、側面および上面に、基台１１１０の材質よりも導電性が高い材質の導電層を形成してもよい。導電層は、基台１１１０に対して、アルミニウムなどの金属を溶射することにより形成することができる。

【0038】

プラズマ処理装置１は、支持プレート１１１２及び支持部材１１１３が絶縁性材料で形成される場合に、基台１１１０を支持プレート１１１２の下方の空間から電気的に分離することができる。

【0039】

図３に示すように、静電チャック１１１１は、基台１１１０上に設けられている。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上面に接合されている。静電チャック１１１１は、ロウ材のような金属を用いた金属接合により基台１１１０に接合されていてもよい。或いは、静電チャック１１１１は、有機接着剤のような接着剤により基台１１１０に接合されていてもよい。

【0040】

静電チャック１１１１は、上述したように、セラミック部材１１１１ａ及び静電電極１１１１ｂを含んでいる。セラミック部材１１１１ａは、略円盤形状を有している。静電電極１１１１ｂは、上述の中央領域１１１ａの下方、且つ、セラミック部材１１１１ａ内に設けられている。静電電極１１１１ｂは、導電性材料から形成された膜であってもよく、略円形状を有していてもよい。

【0041】

静電チャック１１１１、基台１１１０、及び支持プレート１１１２は、支持プレート１１１２の下面から静電電極１１１１ｂまで延びる孔１１ａを提供している。静電電極１１１１ｂには、支持プレート１１１２の下方の空間から孔１１ａを通って延びる給電線３００Ｌが接続されている。静電電極１１１１ｂには、給電線３００Ｌ及びスイッチ３００ｓを介して直流電源３００が接続されている。直流電源３００からの直流電圧が、静電電極１１１１ｂに印加されると、静電チャック１１１１と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは、静電チャック１１１１に引き付けられて、静電チャック１１１１によって保持される。

【0042】

静電チャック１１１１は、バイアス電極１１１１ｃを更に含んでいてもよい。バイアス電極１１１１ｃは、セラミック部材１１１１ａ内に設けられている。バイアス電極１１１１ｃは、静電電極１１１１ｂの下方に設けられ得る。バイアス電極１１１１ｃは、導電性材料から形成された膜であってもよく、略円形状を有していてもよい。

【0043】

静電チャック１１１１、基台１１１０、及び支持プレート１１１２は、支持プレート１１１２の下面からバイアス電極１１１１ｃまで延びる孔１１ｂを更に提供している。バイアス電極１１１１ｃには、支持プレート１１１２の下方の空間から孔１１ｂを通って延びる給電線３０２Ｌが接続されている。バイアス電極１１１１ｃには、給電線３０２Ｌを介してバイアス電源３０２が接続されている。バイアス電源３０２は、上述の第２のＲＦ生成部３１ｂ又は第１のＤＣ生成部３２ａであり得る。即ち、バイアス電極１１１１ｃには、バイアスＲＦ電力が供給されるか、パルス化された第１のＤＣ信号が周期的に供給される。バイアス電源３０２は、それが第２のＲＦ生成部３１ｂである場合には、整合器３０２ｍを介してバイアス電極１１１１ｃに接続されていてもよい。また、高周波電源３０１を基台１１１０に接続せず、バイアス電源３０２と共にバイアス電極１１１１ｃに接続してもよい。

【0044】

以下、図４及び図５を参照して、ねじアセンブリ５０について詳細に説明する。ねじアセンブリ５０は、複数の第１の部材５１及び第２の部材５２を含んでいる。一実施形態において、ねじアセンブリ５０を構成する複数の第１の部材５１の個数は、三つであるが、二つ以上の任意の個数であってもよい。

【0045】

複数の第１の部材５１の各々は、金属から形成され得る。複数の第１の部材５１の各々は、チタン、ステンレス、又はアルミニウムから形成されていてもよい。複数の第１の部材５１は、穴１１１０ｈの中で周方向に沿って配列されている。複数の第１の部材５１の各々は、対応する穴１１１０ｈの縦穴部１１１０ｖ及び横穴部１１１０ｔの中に配置されている。複数の第１の部材５１は、対応する縦穴部１１１０ｖの中で第１のねじ穴５１ｆを形成している。

【0046】

複数の第１の部材５１の各々は、第１の部分５１ａ及び第２の部分５１ｂを含んでいる。複数の第１の部材５１それぞれの第１の部分５１ａは、縦穴部１１１０ｖの中に配置されており、縦穴部１１１０ｖを画成する壁面に沿って延びている。第２の部分５１ｂの横方向の長さは、穴１１１０ｈの縦穴部１１１０ｖの直径および貫通孔１１１２ｔの直径よりも短い。複数の第１の部材５１それぞれの第１の部分５１ａは、縦穴部１１１０ｖの中で周方向に沿って配列されている。即ち、複数の第１の部材５１それぞれの第１の部分５１ａは、縦穴部１１１０ｖに嵌合する筒状体を周方向に分割することにより得られる複数の要素のうち幾つかを構成している。複数の第１の部材５１それぞれの第１の部分５１ａは、縦穴部１１１０ｖの中で第１のねじ穴５１ｆを形成している。ねじアセンブリ５０は複数の第１の部材５１に分割されており、また第１の部材５１の第２の部分５１ｂの横方向の長さが穴１１１０ｈの縦穴部１１１０ｖの直径および貫通孔１１１２ｔの直径よりも短い。よって、第１の部材を縦穴部１１１０ｖおよび貫通孔１１１２ｔに挿入することが可能となり、容易に第１のねじ穴５１ｆを形成することができる。

【0047】

複数の第１の部材５１それぞれの第２の部分５１ｂは、第１の部分５１ａから横方向に突き出しており、対応する穴１１１０ｈの複数の横穴部１１１０ｔの中に配置されている。複数の第１の部材５１それぞれの第２の部分５１ｂが複数の横穴部１１１０ｔの中に配置された状態では、複数の第１の部材５１が穴１１１０ｈから抜け出ることが防止される。

【0048】

第２の部材５２は、金属から形成され得る。第２の部材５２は、チタン、ステンレス、又はアルミニウムから形成されていてもよい。第２の部材５２は、略筒形状を有している。第２の部材５２の外周面には、ねじ溝５２ｍ（雄ねじ溝）が形成されている。第２の部材５２は、第１のねじ穴５１ｆに螺合されている。第２の部材５２が第１のねじ穴５１ｆに螺合されると、複数の第１の部材５１それぞれの第１の部分５１ａは、第２の部材５２により放射方向に押されて、縦穴部１１１０ｖを画成する壁面に当接する。第２の部材５２は、その内周面により第２のねじ穴５２ｆを形成している。上述の雄ねじ６０は、第２のねじ穴５２ｆに螺合される。

【0049】

一実施形態においては、複数の第１の部材５１それぞれの第１の部分５１ａは、縦穴部１１１０ｖの中で周方向に沿って複数の間隙と交互に配置されている。これらの間隙は、第２の部材５２が第１のねじ穴５１ｆに螺合されている状態で、接着剤５３で充填されている。接着剤は、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、又はシリコーン系接着剤のような有機接着剤であってもよい。

【0050】

以上説明したように、基板支持器１１では、そのねじ穴として、第２のねじ穴５２ｆがねじアセンブリ５０によって提供される。基板支持器１１では、ねじアセンブリ５０の第１の部材５１の第２の部分５１ｂが基台１１１０の横穴部１１１０ｔの中に配置されるので、ねじアセンブリ５０が基板支持器１１から分離し難くなっている。したがって、基板支持器１１によれば、基板支持器１１から分離し難い第２のねじ穴が基板支持器１１とは別の部材によって提供される。また、複数の第１の部材５１及び第２の部材５２を金属によって構成することにより、破損し難いねじ穴が基板支持器１１にもたらされる。

【0051】

以下、図６を参照する。図６は、別の一つの例示的実施形態に係る基板支持器のねじアセンブリを示す平面図である。図６は、一つの例示的実施形態に係る基板支持器の基台を下方から視た状態を示している。図６に示すように、穴１１１０ｈは、少なくとも一つの横穴部１１１０ｔとして、単一の横穴部１１１０ｔを有していてもよい。単一の横穴部１１１０ｔは、縦穴部１１１０ｖから放射方向に延びており、縦穴部１１１０ｖの周りで周方向に延在している。単一の横穴部１１１０ｔは、縦穴部１１１０ｖの周りで環状に連なっていてもよい。図６に示す例では、単一の横穴部１１１０ｔの中には、複数の第１の部材５１それぞれの第２の部分５１ｂが配置される。

【0052】

以下、図７を参照する。図７は、別の例示的実施形態に係る基板支持器を示す断面図である。図７に示す基板支持器１１Ａは、プラズマ処理装置１の基板支持器１１として採用される。以下、基板支持器１１Ａについて、基板支持器１１に対する相違点の観点から説明する。

【0053】

基板支持器１１Ａにおいて、基台１１１０及び静電チャック１１１１の直径は、支持プレート１１１２の直径よりも小さい。基板支持器１１Ａは、スペーサ１７０を更に含んでいる。スペーサ１７０は、基台１１１０の外を囲むように、リングアセンブリ１１２と支持プレート１１１２との間に配置されている。基板支持器１１Ａにおいて、複数のねじ７０が通る複数の貫通穴は、支持プレート１１１２だけを貫通している。複数のねじ７０が、支持部材１１１３の複数のねじ穴に螺合されることにより、支持プレート１１１２は、支持部材１１１３に固定される。複数のねじ７０は、ねじアセンブリ７２のねじ穴に螺合されてもよい。

【0054】

以下、図８を参照する。図８は、更に別の例示的実施形態に係る基板支持器の部分拡大断面図である。図８に示す構造は、基板支持器１１又は基板支持器１１Ａにおいて採用され得る。図８に示す構造では、雄ねじ６０の頭部と支持プレート１１１２との間に、ベアリング９０が配置されている。また、図８に示す構造では、貫通孔１１１２ｔを画成する面と雄ねじ６０との間に隙間が生じるように、貫通孔１１１２ｔの幅（又は直径）が設定されている。基台１１１０と支持プレート１１１２が互いに異なる材料から形成されている場合には、基板支持器の温度変化が生じると、基台１１１０と支持プレート１１１２の間の熱膨張係数の差に起因して、基板支持器の反り及び／又は雄ねじ６０のゆるみが生じ得る。図８に示す構造では、基台１１１０の熱膨張と支持プレート１１１２の熱膨張との間で差が生じても、ベアリング９０により雄ねじ６０が貫通孔１１１２ｔを画成する面と雄ねじ６０との間の隙間においてスライドするので、基板支持器の反り及び／又は雄ねじ６０のゆるみが抑制される。なお、基板支持器１１においてはねじ７０の頭部と基台１１１０との間に、基板支持器１１Ａにおいてはねじ７０の頭部と支持プレート１１１２との間に、ベアリングが設けられていてもよい。

【0055】

次に、基板支持器１１または基板支持器１１Ａの組み立て方法について説明する。まず、穴１１１０ｈ（単一または複数の横穴部１１１０ｔおよび縦穴部１１１０ｖ）が設けられた基台１１１０を用意する。次に、基台１１１０の穴１１１０ｈと、支持プレート１１１２の貫通孔１１１２ｔとの位置を合わせる。次に、第１の部材５１を貫通孔１１１２ｔに挿入し、第２の部分５１ｂを横穴部１１１０ｔに配置する。次に、複数の第１の部材５１により第１のねじ穴５１ｆを形成し、第２の部材５２を螺合する。第１の部材の隙間に接着剤を充填させた後に、雄ねじ６０を第２の部材に螺合させることにより、基台１１１０と支持プレート１１１２が固定される。なお、図８に示すように、ベアリング９０を配置してから、雄ねじ６０を第２の部材に螺合させてもよい。その後、静電チャック１１１１を基台１１１０に接合し、支持プレート１１１２を支持部材１１１３に固定する。なお、静電チャック１１１１と基台１１１０の接合および／または支持プレート１１１２と支持部材１１１３の固定は、基台１１１０と支持プレート１１１２の固定の前に行ってもよい。

【0056】

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

【0057】

例えば、他の実施形態において、支持プレート１１１２は、導電性を有していてもよく、アルミニウムのような金属又は導電性材料から形成されていてもよい。

【0058】

ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ１７］に記載する。

【0059】

［Ｅ１］
脆性材料から形成された基台であり、該基台の表面において開口し該基台の内部に延びる縦穴部と前記基台の内部で該縦穴部から横方向に延びる少なくとも一つの横穴部とを含む穴を有する、該基台と、
その上に配置される前記基台を支持する支持プレートであり、前記縦穴部に通じる貫通孔が形成された該支持プレートと、
前記基台の前記穴の中に配置されたねじアセンブリと、
前記ねじアセンブリに螺合される雄ねじと、
を備え、
前記ねじアセンブリは、
前記縦穴部の中で第１のねじ穴を形成する複数の第１の部材であり、各々が前記縦穴部及び前記横穴部の中に設けられた、該複数の第１の部材と、
筒形状を有し、前記第１のねじ穴に螺合され、且つ、該第１のねじ穴の中で第２のねじ穴を提供する第２の部材と、
を含み、
前記雄ねじは、前記貫通孔を通って、前記第２のねじ穴に螺合されている、
基板支持器。

【0060】

［Ｅ２］
前記複数の第１の部材及び前記第２の部材の各々は、金属から形成されている、Ｅ１に記載の基板支持器。

【0061】

［Ｅ３］
前記複数の第１の部材及び前記第２の部材の各々は、チタン、ステンレス、又はアルミニウムから形成されている、Ｅ２に記載の基板支持器。

【0062】

［Ｅ４］
前記基台は、セラミック又は導電性セラミックから形成されている、Ｅ１～Ｅ３の何れか一項に記載の基板支持器。

【0063】

［Ｅ５］
前記基台は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、又は金属基複合材を含む材料から形成されている、Ｅ４に記載の基板支持器。

【0064】

［Ｅ６］
前記支持プレートは、絶縁性セラミックから形成されている、Ｅ１～Ｅ５の何れか一項に記載の基板支持器。

【0065】

［Ｅ７］
前記支持プレートは、酸化アルミニウムから形成されている、Ｅ６に記載の基板支持器。

【0066】

［Ｅ８］
前記基台の前記穴は、前記少なくとも一つの横穴部として、前記縦穴部の周りで周方向に沿って配列された複数の横穴部を含む、Ｅ１～Ｅ７の何れか一項に記載の基板支持器。

【0067】

［Ｅ９］
前記基台の前記穴は、前記少なくとも一つの横穴部として、前記縦穴部の周りで周方向に延在する単一の環状の横穴部を含む、Ｅ１～Ｅ７の何れか一項に記載の基板支持器。

【0068】

［Ｅ１０］
前記縦穴部の中で前記複数の第１の部材は、周方向に沿って複数の間隙と交互に配列されており、
前記複数の間隙は、接着剤で充填されている、
Ｅ１～Ｅ９の何れか一項に記載の基板支持器。

【0069】

［Ｅ１１］
前記基台上に配置された静電チャックを更に備える、Ｅ１～Ｅ１０の何れか一項に記載の基板支持器。

【0070】

［Ｅ１２］
前記静電チャックは、静電電極を含み、
前記基台及び前記支持プレートには、前記静電電極に向けて延びており、且つ、前記静電電極に直流電源を接続するための給電線が通る孔が形成されている、
Ｅ１１に記載の基板支持器。

【0071】

［Ｅ１３］
前記静電チャックは、バイアス電極を含み、
前記基台及び前記支持プレートには、前記バイアス電極に向けて延びており、且つ、前記バイアス電極にバイアス電源を接続するための給電線が通る孔が形成されている、
Ｅ１１又はＥ１２に記載の基板支持器。

【0072】

［Ｅ１４］
前記静電チャックと前記基台とは、金属接合により互いに接合されている、Ｅ１１～Ｅ１３の何れか一項に記載の基板支持器。

【0073】

［Ｅ１５］
前記雄ねじと前記支持プレートとの間に配置されたベアリングを更に備える、Ｅ１～Ｅ１４の何れか一項に記載の基板支持器。

【0074】

［Ｅ１７］
チャンバと、
Ｅ１～Ｅ１５の何れか一項に記載された基板支持器であり、前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
を備える基板処理装置。

【0075】

［Ｅ１７］
プラズマ処理装置である、Ｅ１６に記載の基板処理装置。

【0076】

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

【符号の説明】

【0077】

１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１１…基板支持器、１１１０…基台、１１１０ｈ…穴、１１１０ｖ…縦穴部、１１１０ｔ…横穴部、１１１１…静電チャック、１１１２…支持プレート、１１１２ｔ…貫通孔、５０…ねじアセンブリ、５１…第１の部材、５２…第２の部材、５３…接着剤、６０…雄ねじ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】