特開 2024-133317 基板の下面に対するガス整流部材

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024133317

(43)【公開日】2024-10-01

(54)【発明の名称】基板の下面に対するガス整流部材

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/306 20060101AFI20240920BHJP

【ＦＩ】

H01L21/306 R

【審査請求】有

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024115415

(22)【出願日】2024-07-19

(62)【分割の表示】P 2021025510の分割

【原出願日】2021-02-19

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(74)【代理人】

【識別番号】100153969

【弁理士】

【氏名又は名称】松澤 寿昭

(72)【発明者】

【氏名】橋本 佑介

(72)【発明者】

【氏名】東島 治郎

(72)【発明者】

【氏名】緒方 信博

(72)【発明者】

【氏名】後藤 大輔

(72)【発明者】

【氏名】二俣 雄亮

(72)【発明者】

【氏名】中澤 貴士

(57)【要約】

【課題】本開示は、エッチング処理の面内均一性を高めることが可能な基板処理装置を説明する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を支持する支持部と、基板の下面と離間しつつ対向するベース部材と、ベース部材及び支持部を回転させる回転部と、ガス供給部と、ガス供給部から供給されたガスを整流するガス整流部とを備える。ガス整流部は、基板の下面と対向する先端部を含む棒状部材と、先端部を取り囲むように配置された整流部材とを含む。先端部は、先端部の外周面から外方に突出した後に下方に向けて延びるように外周面に設けられた折り返し部を含む。整流部材は、内周縁が先端部の外周面と離間するように配置された底壁部と、先端部が折り返し部と先端部の外周面との間に位置するように底壁部の内周部から上方に延びる突出部と、底壁部と離間した状態で水平方向に沿って延びる水平整流部と、水平整流部と底壁部とを接続する複数の柱部とを含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

上面に膜が形成されている基板を支持するように構成された支持部と、
前記支持部に支持されている前記基板の下面と離間しつつ対向するように構成され、貫通孔が設けられたベース部材と、
前記ベース部材及び前記支持部を回転させるように構成された回転部と、
前記支持部に支持されている前記基板の上面にエッチング液を供給するように構成された薬液供給部と、
ガス供給部と、
前記ガス供給部から供給されたガスを整流して、前記支持部に支持されている前記基板の下面と前記ベース部材との間の空間に整流後のガスを排出するように構成されたガス整流部とを備え、
前記ガス整流部は、
前記支持部に支持されている前記基板の下面と対向し且つ前記貫通孔内に配置された先端部を含み、上下方向に沿って延びる棒状部材と、
前記先端部を取り囲むように配置された環状の整流部材とを含み、
前記先端部は、前記先端部の外周面から外方に突出した後に下方に向けて延びるように前記外周面に設けられた、環状の折り返し部を含み、
前記整流部材は、
内周縁が前記先端部の外周面と離間するように配置された、環状の底壁部と、
先端部が前記折り返し部と前記先端部の外周面との間に位置するように前記底壁部の内周部から上方に延びる、環状の突出部と、
前記折り返し部よりも外方で且つ前記底壁部の上方において、前記底壁部と離間した状態で水平方向に沿って延びる、環状の水平整流部と、
前記水平整流部と前記底壁部とを接続し、前記先端部の周方向に沿って並ぶ複数の柱部とを含む、基板処理装置。

【請求項2】

水平方向における前記折り返し部と前記水平整流部との離間距離は２ｍｍ～１０ｍｍである、請求項１に記載の装置。

【請求項3】

前記整流部材は、前記折り返し部と前記水平整流部との間に位置するようにこれらの一方に設けられた、環状のカバー部をさらに含む、請求項１又は２に記載の装置。

【請求項4】

前記貫通孔は前記ベース部材の中央部に設けられており、
前記底壁部の外周縁が前記貫通孔に接続されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の装置。

【請求項5】

前記複数の柱部は、前記整流部材の回転軸方向から見て、当該回転軸の周方向及び径方向の双方に対して斜めに延びている、請求項４に記載の装置。

【請求項6】

制御部をさらに備え、
前記薬液供給部は、
前記エッチング液を吐出するように構成されたノズルと、
前記支持部に支持されている前記基板の上方において前記ノズルを水平方向に沿って移動させるように構成された駆動部とを含み、
前記制御部は、前記駆動部及び前記ガス供給部を制御して、前記ノズルから前記基板の中央部に前記エッチング液を吐出する際の前記ガス整流部へのガスの供給量が、前記ノズルから前記基板の外周部に前記エッチング液を吐出する際の前記ガス整流部へのガスの供給量よりも少なくなるように、前記エッチング液の前記基板への吐出位置に応じて前記ガス供給部からのガスの供給量を調節する処理を実行するように構成されている、請求項１～５のいずれか一項に記載の装置。

【請求項7】

前記中央部は、前記基板の中心からの半径が６０ｍｍ～９０ｍｍまでの範囲である、請求項６記載の装置。

【請求項8】

前記制御部は、前記駆動部を制御して、前記ノズルを往復移動させることにより前記基板の中心近傍と前記基板の周縁部との間に対して前記エッチング液を供給させる処理を実行するように構成されている、請求項６又は７に記載の装置。

【請求項9】

前記制御部は、前記駆動部を制御して、前記ノズルから前記基板の中央部に前記エッチング液を吐出する際の前記ノズルの移動速度を１５０ｍｍ／ｓｅｃ以下とする処理を実行するように構成されている、請求項６～８のいずれか一項に記載の装置。

【請求項10】

前記制御部は、前記ガス供給部を制御して、前記ガス整流部へのガスの供給量を前記基板の回転数に応じて調節する処理を実行するように構成されている、請求項６～９のいずれか一項に記載の装置。

【請求項11】

上面に膜が形成されている基板の下面とベース部材とが離間しつつ対向するように、支持部で前記基板を支持する第１の工程と、
前記ベース部材及び前記支持部を回転させることにより、前記基板を回転させる第２の工程と、
回転中の前記基板の上面にエッチング液を供給しつつ、ガス整流部にガスを供給することにより、上面にエッチング液が供給されている基板の下面と前記ベース部材との間の空間に、前記ガス整流部による整流後のガスを排出させる第３の工程とを含み、
前記ガス整流部は、
前記支持部に支持されている前記基板の下面と対向し且つ前記ベース部材に設けられている貫通孔内に配置された先端部を含み、上下方向に沿って延びる棒状部材と、
前記先端部を取り囲むように配置された環状の整流部材とを含み、
前記先端部は、前記先端部の外周面から外方に突出した後に下方に向けて延びるように前記外周面に設けられた、環状の折り返し部を含み、
前記整流部材は、
内周縁が前記先端部の外周面と離間するように配置された、環状の底壁部と、
先端部が前記折り返し部と前記先端部の外周面との間に位置するように前記底壁部の内周部から上方に延びる、環状の突出部と、
前記折り返し部よりも外方で且つ前記底壁部の上方において、前記底壁部と離間した状態で水平方向に沿って延びる、環状の水平整流部と、
前記水平整流部と前記底壁部とを接続し、前記先端部の周方向に沿って並ぶ複数の柱部とを含む、基板処理方法。

【請求項12】

水平方向における前記折り返し部と前記水平整流部との離間距離は２ｍｍ～１０ｍｍである、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

前記整流部材は、前記折り返し部と前記水平整流部との間に位置するようにこれらの一方に設けられた、環状のカバー部をさらに含む、請求項１１又は１２に記載の方法。

【請求項14】

前記貫通孔は前記ベース部材の中央部に設けられており、
前記底壁部の外周縁が前記貫通孔に接続されている、請求項１１～１３のいずれか一項に記載の方法。

【請求項15】

前記複数の柱部は、前記整流部材の回転軸方向から見て、当該回転軸の周方向及び径方向の双方に対して斜めに延びている、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記第３の工程は、ノズルから前記基板の中央部に前記エッチング液を吐出する際の前記ガス整流部へのガスの供給量を、前記ノズルから前記基板の外周部に前記エッチング液を吐出する際の前記ガス整流部へのガスの供給量よりも少なくすることを含む、請求項１１～１５のいずれか一項に記載の方法。

【請求項17】

前記中央部は、前記基板の中心からの半径が６０ｍｍ～９０ｍｍまでの範囲である、請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

前記第３の工程は、前記ノズルを往復移動させることにより前記基板の中心近傍と前記基板の周縁部との間に対して前記エッチング液を供給することを含む、請求項１６又は１７に記載の方法。

【請求項19】

前記第３の工程は、前記ノズルから前記基板の中央部に前記エッチング液を吐出する際の前記ノズルの移動速度を１５０ｍｍ／ｓｅｃ以下とすることを含む、請求項１６～１８のいずれか一項に記載の方法。

【請求項20】

前記第３の工程は、前記ガス整流部へのガスの供給量を前記基板の回転数に応じて調節することを含む、請求項１６～１９のいずれか一項に記載の方法。

【請求項21】

請求項１１～２０のいずれか一項に記載の方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、基板保持手段に保持された基板を鉛直軸回りに回転させつつ、基板の下面に対して洗浄・乾燥処理を施す基板処理装置を開示している。当該装置は、基板保持手段に保持された基板の下面に対向配置されるベース部材と、ベース部材と基板の下面との間の空間に気体を噴出する気体噴出口と、気体噴出口の上方を覆うように設けられた遮断部材とを含む。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開平１０－１３５１７８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、エッチング処理の面内均一性を高めることが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

基板処理装置の一例は、基板を支持するように構成された支持部と、支持部に支持されている基板の下面と離間しつつ対向するように構成され、貫通孔が設けられたベース部材と、ベース部材及び支持部を回転させるように構成された回転部と、支持部に支持されている基板の上面にエッチング液を供給するように構成された薬液供給部と、ガス供給部と、ガス供給部から供給されたガスを整流して、支持部に支持されている基板の下面とベース部材との間の空間に整流後のガスを排出するように構成されたガス整流部とを備える。ガス整流部は、支持部に支持されている基板の下面と対向し且つ貫通孔内に配置された先端部を含み、上下方向に沿って延びる棒状部材と、先端部を取り囲むように配置された環状の整流部材とを含む。先端部は、先端部の外周面から外方に突出した後に下方に向けて延びるように外周面に設けられた、環状の折り返し部を含む。整流部材は、内周縁が先端部の外周面と離間するように配置された、環状の底壁部と、先端部が折り返し部と先端部の外周面との間に位置するように底壁部の内周部から上方に延びる、環状の突出部と、折り返し部よりも外方で且つ底壁部の上方において、底壁部と離間した状態で水平方向に沿って延びる、環状の水平整流部と、水平整流部と底壁部とを接続し、先端部の周方向に沿って並ぶ複数の柱部とを含む。

【発明の効果】

【0006】

本開示に係る基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、エッチング処理の面内均一性を高めることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、基板処理装置の一例を模式的に示す図である。

【図2】図２は、ガス整流部の一例の近傍を拡大して示す断面図である。

【図3】図３は、整流部材の一例を、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿って切断して示す断面図である。

【図4】図４は、基板処理装置の主要部の一例を示すブロック図である。

【図5】図５は、コントローラのハードウェア構成の一例を示す概略図である。

【図6】図６は、基板処理の一例を説明するためのフローチャートである。

【図7】図７は、整流部材の他の例を水平面に沿って切断して示す断面図である。

【図8】図８は、ガス整流部の他の例の近傍を拡大して示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。なお、本明細書において、図の上、下、右、左というときは、図中の符号の向きを基準とすることとする。

【0009】

［基板処理装置］
まず、図１～図３を参照して、基板処理装置１の一例の構成について説明する。基板処理装置１は、例えば、基板Ｗの上面Ｗａに処理液Ｌを供給することで、基板Ｗの上面Ｗａに形成される膜Ｆをエッチング処理するように構成されている。膜Ｆは、例えば、窒化チタン、酸化チタン、チタン、タングステン、タンタル、窒化タンタル、アルミニウム、酸化アルミニウム、銅、ルテニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムなどの金属膜で構成されていてもよい。

【0010】

基板Ｗは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。基板Ｗは、一部が切り欠かれた切欠部を有していてもよい。切欠部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。基板Ｗは、例えば、半導体基板（シリコンウエハ）、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。基板Ｗの直径は、例えば２００ｍｍ～４５０ｍｍ程度であってもよい。

【0011】

基板処理装置１は、図１に示されるように、回転保持部１０と、ガス整流部２０と、薬液供給部３０と、リンス液供給部４０と、ガス供給部５０と、コントローラＣｔｒ（制御部）とを含む。

【0012】

回転保持部１０は、回転軸１１（回転部）と、駆動機構１２（回転部）と、ベース部材１３と、複数の支持ピン１４（支持部）と、複数の把持機構１５（支持部）とを含む。回転軸１１は、鉛直方向に沿って延びる中空の管状部材である。回転軸１１は、中心軸Ａｘ周りにおいて回転可能に構成されている。駆動機構１２は、回転軸１１に接続されている。駆動機構１２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、回転軸１１を回転させるように構成されている。駆動機構１２は、例えば電動モータ等の動力源であってもよい。

【0013】

ベース部材１３は、例えば円環状を呈する平板であり、水平に沿って延びている。すなわち、ベース部材１３の中央部には、貫通孔１３ａが形成されている。ベース部材１３の内周部は、回転軸１１の先端部に接続されている。そのため、ベース部材１３は、回転軸１１の中心軸Ａｘ周りに、回転軸１１の回転に伴って回転するように構成されている。

【0014】

複数の支持ピン１４は、ベース部材１３の上面から上方に向けて突出するようにベース部材１３に設けられている。複数の支持ピン１４の数は、例えば３～６個程度であってもよい。複数の支持ピン１４は、これらの先端と基板Ｗの下面Ｗｂとが当接することで、基板Ｗを略水平に支持するように構成されている。複数の支持ピン１４は、例えば、円柱形状を呈していてもよいし、錐台状を呈していてもよい。複数の支持ピン１４は、ベース部材１３の外周部の近傍において、上方から見て全体として円形状をなすように略等間隔に配置されていてもよい。

【0015】

複数の把持機構１５は、ベース部材１３から上方に向けて突出するようにベース部材１３に設けられている。複数の把持機構１５の数は、例えば３個程度であってもよい。複数の把持機構１５は、いわゆるメカニカルチャックであり、基板Ｗの周縁部を把持可能に構成されている。複数の把持機構１５は、ベース部材１３の外周部の近傍において、上方から見て全体として円形状をなすように略等間隔に配置されていてもよい。

【0016】

基板Ｗが、支持ピン１４及び把持機構１５に支持されている状態において、基板Ｗは、ベース部材１３から離間しつつベース部材１３の上方において保持される。すなわち、基板Ｗが、支持ピン１４及び把持機構１５に支持されている状態において、基板Ｗの下面Ｗｂは、ベース部材１３と対向する。

【0017】

また、上記のように、複数の支持ピン１４及び複数の把持機構１５はベース部材１３に設けられており、ベース部材１３は回転軸１１に接続されている。そのため、駆動機構１２が回転軸１１を回転駆動させると、ベース部材１３、複数の支持ピン１４及び複数の把持機構１５が回転する。したがって、基板Ｗが、複数の支持ピン１４に支持され且つ複数の把持機構１５に把持されている状態で、駆動機構１２が回転軸１１を回転駆動させると、ベース部材１３等と共に、基板Ｗも回転する。

【0018】

ガス整流部２０は、ガス供給部５０から供給されたガスを整流して、支持ピン１４及び把持機構１５に支持されている基板Ｗの下面Ｗｂとベース部材１３との間の空間Ｖに整流後のガスを排出するように構成されている。ガス整流部２０は、図１及び図２に示されるように、棒状部材１００と、整流部材２００とを含む。

【0019】

棒状部材１００は、回転軸１１及び貫通孔１３ａと離間した状態で、回転軸１１内及び貫通孔１３ａ内を上下方向（鉛直方向）に沿って延びている。そのため、図２に詳しく例示されるように、棒状部材１００の外周面と、回転軸１１の内周面との間には、隙間Ｄが形成されている。棒状部材１００は、例えば、円柱状を呈していてもよいし、円筒状を呈していてもよい。棒状部材１００が円筒状を呈している場合、棒状部材１００から基板Ｗの下面Ｗｂに向けて、リンス液、ガスなどが供給されてもよい。

【0020】

棒状部材１００は、支持ピン１４及び把持機構１５に支持されている基板Ｗの下面Ｗｂと対向し且つ貫通孔１３ａ内に配置された先端部１０１を含む。先端部１０１の上端は、ベース部材１３よりも上方に位置していてもよい。先端部１０１の外周面には、環状（例えば円環状）を呈する折り返し部１０２が設けられている。

【0021】

折り返し部１０２は、先端部１０１の外周面から外方に突出した後に下方に向けて延びている。そのため、折り返し部１０２の断面は、略Ｊ字状を呈している。先端部１０１と折り返し部１０２との組み合わせにより、上方が閉鎖され且つ下方に向けて開放された、環状の有底凹部が構成されている。

【0022】

整流部材２００は、全体として環状（例えば円環状）を呈しており、先端部１０１を取り囲むように配置されている。整流部材２００は、図２の例において、棒状部材１００（先端部１０１）とは別体とされている。整流部材２００は、図２及び図３に例示されるように、底壁部２０１と、突出部２０２と、水平整流部２０３と、複数の柱部２０４とを含む。

【0023】

底壁部２０１は、水平方向に沿って延びる板状体であり、中央部に貫通孔が設けられた環状（例えば円環状）を呈している。底壁部２０１の内周縁は、先端部１０１の外周面から離間している。底壁部２０１は、の外周縁は、ベース部材１３の貫通孔１３ａに取り付けられている。そのため、底壁部２０１は、先端部１０１とベース部材１３との間に配置されている。

【0024】

突出部２０２は、底壁部２０１の内周部（内周縁の近傍）から上方に延びる筒状体である。そのため、突出部２０２は、環状（例えば円筒状）を呈している。突出部２０２の先端部（上端部）は、先端部１０１の外周面と折り返し部１０２の内周面との間の空間（有底凹部）内に位置している。そのため、先端部１０１、折り返し部１０２、底壁部２０１及び突出部２０２によって、隙間Ｄと連通する流路ＦＬが形成されている。流路ＦＬは、隙間Ｄから上方に向けて延びた後（図２の矢印Ａｒ１参照）、略１８０°反転して下方に向かい（図２の矢印Ａｒ２参照）、底壁部２０１と折り返し部１０２との間の隙間に向けて略９０°進路を変えている（図２の矢印Ａｒ３参照）。

【0025】

水平整流部２０３は、底壁部２０１の上方において底壁部２０１と離間した状態で水平方向に沿って延びる板状体であり、中央部に貫通孔が設けられた環状（例えば円環状）を呈している。水平整流部２０３は、水平方向において、折り返し部１０２よりも外方に位置している。そのため、水平整流部２０３と折り返し部１０２との間において、上方に向けて開放された環状の開口部ＯＰが形成されている。したがって、流路ＦＬから排出されたガス（図２の矢印Ａｒ３参照）の一部は、この開口部ＯＰにおいて渦流を形成する（図２の矢印Ａｒ４参照）。水平整流部２０３と折り返し部１０２との離間距離は、例えば、２ｍｍ～１０ｍｍ程度であってもよいし、４ｍｍ～８ｍｍ程度であってもよい。

【0026】

複数の柱部２０４は、底壁部２０１と水平整流部２０３とを接続するように、上下方向（鉛直方向）に沿って延びている。複数の柱部２０４の数は、例えば３～１２個程度であってもよい。複数の柱部２０４は、先端部１０１の周方向に沿って並んでいてもよい。この場合、底壁部２０１、水平整流部２０３及び複数の柱部２０４によって、これらで囲まれる複数の貫通孔２０４ａが形成される。流路ＦＬから排出されたガス（図２の矢印Ａｒ３参照）のうち他の一部（渦流を形成していない部分）は、複数の貫通孔２０４ａを通じて、基板Ｗの下面Ｗｂとベース部材１３との間の空間Ｖに、水平方向に沿って排出される（図２の矢印Ａｒ５参照）。

【0027】

複数の柱部２０４は、例えば、角柱形状を呈していてもよいし、円柱形状を呈していてもよいし、錐台状を呈していてもよいし、上下方向における中央部が窪んだ形状を呈していてもよい。複数の柱部２０４は、ベース部材１３の外周部の近傍において、上方から見て全体として円形状をなすように略等間隔に配置されていてもよい。

【0028】

薬液供給部３０は、基板Ｗにエッチング液Ｌ１を供給するように構成されている。エッチング液Ｌ１は、例えば、基板Ｗの上面Ｗａの膜Ｆを除去するためのアルカリ性又は酸性の薬液を含んでいてもよい。アルカリ性の薬液は、例えば、ＳＣ－１液（アンモニア、過酸化水素及び純水の混合液）などを含んでいてもよい。酸性の薬液は、例えば、ＳＣ―２液（塩酸、過酸化水素水及び純水の混合液）、ＳＰＭ（硫酸及び過酸化水素水の混合液）、ＨＦ／ＨＮＯ_３液（フッ酸及び硝酸の混合液）などを含んでいてもよい。

【0029】

薬液供給部３０は、液源３１と、ポンプ３２と、バルブ３３と、ノズル３４と、配管３５と、駆動源３６（駆動部）とを含む。液源３１は、エッチング液Ｌ１の供給源である。ポンプ３２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源３１から吸引したエッチング液Ｌ１を、配管３５及びバルブ３３を介してノズル３４に送り出すように構成されている。

【0030】

バルブ３３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管３５における流体の流通を許容する開状態と、配管３５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル３４は、吐出口が基板Ｗの上面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル３４は、ポンプ３２から送り出されたエッチング液Ｌ１を、吐出口から基板Ｗの上面Ｗａに向けて吐出するように構成されている。

【0031】

配管３５は、上流側から順に、液源３１、ポンプ３２、バルブ３３及びノズル３４を接続している。駆動源３６は、ノズル３４に対して直接的又は間接的に接続されている。駆動源３６は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、基板Ｗの上方において、水平方向又は鉛直方向に沿ってノズル３４を移動させるように構成されている。

【0032】

リンス液供給部４０は、基板Ｗにリンス液Ｌ２を供給するように構成されている。リンス液Ｌ２は、例えば、基板Ｗの上面Ｗａに供給されたエッチング液Ｌ１や、エッチング液Ｌ１による膜Ｆの溶解成分などを、基板Ｗから除去する（洗い流す）ための液である。リンス液Ｌ２は、例えば、純水（ＤＩＷ：deionized water）、オゾン水、炭酸水（ＣＯ_２水）、アンモニア水などを含んでいてもよい。

【0033】

リンス液供給部４０は、液源４１と、ポンプ４２と、バルブ４３と、ノズル４４と、配管４５と、駆動源４６とを含む。液源４１は、リンス液Ｌ２の供給源である。ポンプ４２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、液源４１から吸引したリンス液Ｌ２を、配管４５及びバルブ４３を介してノズル４４に送り出すように構成されている。

【0034】

バルブ４３は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、配管４５における流体の流通を許容する開状態と、配管４５における流体の流通を妨げる閉状態との間で遷移するように構成されている。ノズル４４は、吐出口が基板Ｗの上面Ｗａに向かうように基板Ｗの上方に配置されている。ノズル４４は、ノズル３４と同様に、ポンプ４２から送り出されたリンス液Ｌ２を、吐出口から基板Ｗの上面Ｗａに向けて吐出するように構成されている。

【0035】

配管４５は、上流側から順に、液源４１、ポンプ４２、バルブ４３及びノズル４４を接続している。駆動源４６は、ノズル４４に対して直接的又は間接的に接続されている。駆動源４６は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、基板Ｗの上方において、水平方向又は鉛直方向に沿ってノズル４４を移動させるように構成されている。

【0036】

ガス供給部５０は、ガス源５１と、流量調節部５２と、配管５３とを含む。ガス源５１は、不活性ガス（例えば窒素ガス）、乾燥空気などを貯留しており、ガスの供給源として機能する。流量調節部５２は、ガス源５１から隙間Ｄまで延びる配管５３に設けられている。流量調節部５２は、コントローラＣｔｒからの動作信号に基づいて動作し、当該配管５３の開閉及び開度調節を行うように構成されている。

【0037】

コントローラＣｔｒは、図４に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラＣｔｒの機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｔｒを構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

【0038】

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取るように構成されている。記録媒体ＲＭは、基板処理装置１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。なお、以下では、基板処理装置１の各部は、回転保持部１０、薬液供給部３０、リンス液供給部４０、ガス供給部５０等を含みうる。

【0039】

記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶するように構成されている。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データなどを記憶してもよい。

【0040】

処理部Ｍ３は、各種データを処理するように構成されている。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、基板処理装置１の各部を動作させるための動作信号を生成するように構成されていてもよい。

【0041】

指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を基板処理装置１の各部に送信するように構成されている。

【0042】

コントローラＣｔｒのハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成されていてもよい。コントローラＣｔｒは、図５に示されるように、ハードウェア上の構成として回路Ｃ１を含んでいてもよい。回路Ｃ１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路Ｃ１は、例えば、プロセッサＣ２と、メモリＣ３と、ストレージＣ４と、ドライバＣ５と、入出力ポートＣ６とを含んでいてもよい。

【0043】

プロセッサＣ２は、メモリＣ３及びストレージＣ４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポートＣ６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを実現するように構成されていてもよい。メモリＣ３及びストレージＣ４は、記憶部Ｍ２として機能してもよい。ドライバＣ５は、基板処理装置１の各部をそれぞれ駆動するように構成された回路であってもよい。入出力ポートＣ６は、ドライバＣ５と基板処理装置１の各部との間で、信号の入出力を仲介するように構成されていてもよい。

【0044】

基板処理装置１は、一つのコントローラＣｔｒを備えていてもよいし、複数のコントローラＣｔｒで構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理装置１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラＣｔｒによって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラＣｔｒの組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒが複数のコンピュータ（回路Ｃ１）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路Ｃ１）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路Ｃ１）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｔｒは、複数のプロセッサＣ２を有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサＣ２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサＣ２の組み合わせによって実現されていてもよい。

【0045】

［基板処理方法］
続いて、図６を参照して、基板Ｗの上面Ｗａに形成されている膜Ｆを基板処理装置１によってエッチング処理する方法（基板処理方法）について説明する。

【0046】

まず、図示しない搬送機構により、基板Ｗを支持ピン１４上に載置する。この状態で、コントローラＣｔｒが把持機構１５を制御して、把持機構１５が基板Ｗの周縁部を把持する。これにより、基板Ｗが、支持ピン１４及び把持機構１５に支持される（図６のステップＳ１１参照）。

【0047】

次に、コントローラＣｔｒは、駆動機構１２を制御して、所定の回転数で回転軸１１を回転させる。このとき、回転軸１１、ベース部材１３、支持ピン１４及び把持機構１５と共に、基板Ｗも回転する（図６のステップＳ１２参照）。

【0048】

次に、コントローラＣｔｒは、薬液供給部３０を制御して、回転中の基板Ｗの上面Ｗａに向けてエッチング液Ｌ１を供給させる（図６のステップＳ１３参照）。これにより、エッチング液Ｌ１は、遠心力によって基板Ｗの外周縁に向けて上面Ｗａに沿って流れた後、基板Ｗの外周縁から外方に振り切られる。その結果、基板Ｗの上面Ｗａに形成されている膜Ｆのエッチング処理が進行する。

【0049】

エッチング液Ｌ１の供給時に、コントローラＣｔｒは、ガス供給部５０も制御して、隙間Ｄ及び流路ＦＬを通じて、ガス整流部２０（整流部材２００）から、基板Ｗの下面Ｗｂとベース部材１３との間の空間Ｖに対してガスを供給させる。このとき、ガスは、図２に例示されるように、隙間Ｄから流路ＦＬに流入すると（図２の矢印Ａｒ１参照）、略１８０°反転して（図２の矢印Ａｒ２参照）、さらに略９０°向きを変えて流れる（図２の矢印Ａｒ３参照）。その後、ガスの一部は、開口部ＯＰにおいて渦流を形成する（図２の矢印Ａｒ４参照）。一方、ガスの他の一部は、複数の貫通孔２０４ａを通じて、基板Ｗの下面Ｗｂとベース部材１３との間の空間Ｖに向けて、水平方向に沿って排出され（図２の矢印Ａｒ５参照）、基板Ｗの外周縁に至るまで流れる。

【0050】

次に、コントローラＣｔｒは、リンス液供給部４０を制御して、回転中の基板Ｗの上面Ｗａに向けてリンス液Ｌ２を供給させる（図６のステップＳ１４参照）。これにより、リンス液Ｌ２は、遠心力によって基板Ｗの外周縁に向けて上面Ｗａに沿って流れた後、基板Ｗの外周縁から外方に振り切られる。その結果、基板Ｗの上面Ｗａからエッチング液Ｌ１や膜Ｆの溶解物が洗い流される。このとき、コントローラＣｔｒは、ガス供給部５０も制御して、ガス整流部２０（整流部材２００）から空間Ｖに対してガスを供給させてもよい。

【0051】

次に、コントローラＣｔｒは、駆動機構１２を制御して、基板Ｗの回転を維持させる。これにより、基板Ｗからリンス液Ｌ２が振り切られ、基板Ｗの乾燥が行われる（図６のステップＳ１５参照）。以上により、基板Ｗの処理が完了する。なお、ウォータマーク等の発生を抑制するために、基板Ｗへのリンス液Ｌ２の供給後、有機溶剤（例えば、イソプロピルアルコールなど）を基板Ｗの上面Ｗａに供給し、その後に基板Ｗの乾燥が行われてもよい。

【0052】

［作用］
以上の例によれば、ガスのうち上記他の一部は、複数の貫通孔２０４ａを通じて、基板Ｗの下面Ｗｂとベース部材１３との間の空間Ｖに向けて、水平方向に沿って排出される（図２の矢印Ａｒ５参照）。すなわち、ガスのうち上記他の一部は、複数回向きを変えることにより、主として水平方向に沿って流れやすくなる。これにより、ガスが基板Ｗの下面Ｗｂに向かい難くなるので、基板Ｗがガスによって局所的に冷却され難くなる。その結果、エッチング処理の面内均一性を高めることが可能となる。

【0053】

以上の例によれば、ガスの上記一部は、開口部ＯＰにおいて渦流を形成する。これにより、基板Ｗの下面Ｗｂとベース部材１３との間の空間Ｖのうち整流部材２００の上方の部分においてもガスが流動するので、空間Ｖの広域にガスが供給される。したがって、基板Ｗの下面Ｗｂに対する異物の付着や、エッチング液の基板Ｗの下面Ｗｂへの回り込みを抑制しつつ、エッチング処理の面内均一性を高めることが可能となる。

【0054】

以上の例によれば、水平方向における折り返し部１０２と水平整流部２０３との離間距離が２ｍｍ～１０ｍｍ程度に設定されうる。当該離間距離が２ｍｍ以上である場合、開口部ＯＰからガスが上方に噴出され難くなり、開口部ＯＰにおいてガスの渦流が形成されやすくなる傾向にある。当該離間距離が１０ｍｍ以下である場合、開口部ＯＰにおいて形成されるガスの渦流が拡径され難くなり、渦流による基板Ｗの部分的な冷却を抑制できる傾向にある。

【0055】

以上の例によれば、貫通孔１３ａがベース部材１３の中央部に設けられており、底壁部２０１の外周縁が貫通孔１３ａに接続されている。そのため、整流部材２００が、ベース部材１３、支持ピン１４、把持機構１５及び基板Ｗと共に回転する。すなわち、整流部材２００は、基板Ｗに対して相対的に静止した状態となる。そのため、基板Ｗの下面Ｗｂとベース部材１３との間の空間Ｖに対してガス整流部２０から吹き出されたガスは、基板Ｗの下面Ｗｂにおいて放射状に流れやすくなる。したがって、基板Ｗの下面Ｗｂに対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0056】

［変形例］
本明細書における開示はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。請求の範囲及びその要旨を逸脱しない範囲において、以上の例に対して種々の省略、置換、変更などが行われてもよい。

【0057】

（１）貫通孔１３ａはベース部材１３の中央部から偏心した位置に設けられていてもよい。

【0058】

（２）底壁部２０１の外周部が貫通孔１３ａに接続されておらず、底壁部２０１の内周部が棒状部材１００に接続されていてもよい。すなわち、整流部材２００が回転しなくてもよい。

【0059】

（３）図７に例示されるように、複数の柱部２０４は、整流部材２００の回転軸方向から見て、当該回転軸の周方向及び径方向の双方に対して斜めに延びていてもよい。この場合、複数の柱部２０４によってガスが整流され、基板Ｗの下面Ｗｂとベース部材１３との間の空間Ｖに対して、ガスが排出されやすくなる。そのため、基板Ｗの下面Ｗｂに対する異物の付着をより抑制することが可能となる。なお、柱部２０４は、図７に示される例のように翼型を呈していてもよいし、平板状を呈していてもよい。換言すれば、整流部材２００は、シロッコファンに類する構造であってもよいし、ターボファンに類する構造であってもよい。

【0060】

（４）図８に例示されるように、整流部材２００は、折り返し部１０２と水平整流部２０３との間に位置するようにこれらの一方に設けられた、環状のカバー部２０５をさらに含んでいてもよい。この場合、開口部ＯＰの大きさをカバー部２０５によって調節することが可能となる。すなわち、開口部ＯＰにおいて形成される渦流の径を調節することが可能となる。なお、カバー部２０５は、折り返し部１０２及び水平整流部２０３の一方に対して着脱可能に構成されていてもよいし、固着されていてもよい。

【0061】

（５）図６のステップＳ１３において、コントローラＣｔｒがガス供給部５０を制御することにより、エッチング液Ｌ１の基板Ｗへの吐出位置に応じてガス供給部５０からのガスの供給量が調節されてもよい。具体的には、ノズル３４から基板Ｗの中央部にエッチング液Ｌ１が吐出される際のガス供給部５０からのガスの供給量が、ノズル３４から基板Ｗの外周部にエッチング液Ｌ１が吐出される際のガス供給部５０からのガスの供給量よりも少なくなるように、駆動源３６及びガス供給部５０が制御されてもよい。この場合、基板Ｗの中央部がエッチングされているときのガスの供給量が相対的に少なくなるので、エッチング処理の進行度合いが、基板Ｗの中央近傍と外周部とで近づく。そのため、エッチング処理の面内均一性をより高めることが可能となる。なお、基板Ｗの「中央部」は、例えば、基板Ｗの中心からの半径が６０ｍｍ～９０ｍｍまでの範囲であってもよい。

【0062】

（６）図６のステップＳ１３において、コントローラＣｔｒが薬液供給部３０を制御することにより、ノズル３４を往復移動させながら基板Ｗの中心近傍と基板の周縁部との間に対してエッチング液Ｌ１を供給させてもよい。この場合、エッチング液Ｌ１が基板全体に均一に供給されやすくなる。そのため、エッチング処理の面内均一性を高めることが可能となる。

【0063】

（７）図６のステップＳ１３において、コントローラＣｔｒが薬液供給部３０を制御することにより、ノズル３４から基板Ｗの中央部にエッチング液Ｌ１を吐出する際のノズル３４の移動速度が１５０ｍｍ／ｓｅｃ以下に設定されてもよい。この場合、一般的な処理レシピと比較して、基板Ｗの中央部がエッチングされているときのノズル３４の移動速度が相対的に小さいので、基板Ｗの中央部が比較的長時間エッチング処理される。そのため、エッチング処理の進行度合いが、基板Ｗの中央近傍と外周部とで近づく。したがって、エッチング処理の面内均一性をより高めることが可能となる。

【0064】

（８）図６のステップＳ１３において、コントローラＣｔｒがガス供給部５０を制御することにより、ガス整流部２０へのガスの供給量が基板Ｗの回転数に応じて調節されてもよい。この場合、例えば、基板Ｗの回転数が小さいほど、ガス整流部２０へのガスの供給量が小さくなるように設定される。基板Ｗの回転数が小さい場合には、基板Ｗの下面Ｗｂとベース部材１３との間の空間Ｖに生ずる負圧が小さくなり、空間Ｖ内に異物が吸引され難くなっているので、ガス整流部２０へのガスの供給量が小さくても、基板Ｗの下面Ｗｂに対する異物の付着が抑制される傾向にある。しかも、ガス整流部２０へのガスの供給量が小さい場合には、基板Ｗがガスによって冷却され難くなる。したがって、エッチング処理の面内均一性も高まる傾向にある。例えば、基板Ｗの回転数が２５０ｒｐｍ程度の場合には、ガス整流部２０へのガスの供給量が２０ｍ／ｍｉｎ程度であってもよい。基板Ｗの回転数が１０００ｒｐｍ程度の場合には、ガス整流部２０へのガスの供給量が４０ｍ／ｍｉｎ程度であってもよい。すなわち、基板Ｗの回転数と、ガスの供給量とは、指数関数的な対応関係にあってもよい。

【0065】

［他の例］
例１．基板処理装置の一例は、上面に膜が形成されている基板を支持するように構成された支持部と、支持部に支持されている基板の下面と離間しつつ対向するように構成され、貫通孔が設けられたベース部材と、ベース部材及び支持部を回転させるように構成された回転部と、支持部に支持されている基板の上面にエッチング液を供給するように構成された薬液供給部と、ガス供給部と、ガス供給部から供給されたガスを整流して、支持部に支持されている基板の下面とベース部材との間の空間に整流後のガスを排出するように構成されたガス整流部とを備える。ガス整流部は、支持部に支持されている基板の下面と対向し且つ貫通孔内に配置された先端部を含み、上下方向に沿って延びる棒状部材と、先端部を取り囲むように配置された環状の整流部材とを含む。先端部は、先端部の外周面から外方に突出した後に下方に向けて延びるように外周面に設けられた、環状の折り返し部を含む。整流部材は、内周縁が先端部の外周面と離間するように配置された、環状の底壁部と、先端部が折り返し部と先端部の外周面との間に位置するように底壁部の内周部から上方に延びる、環状の突出部と、折り返し部よりも外方で且つ底壁部の上方において、底壁部と離間した状態で水平方向に沿って延びる、環状の水平整流部と、水平整流部と底壁部とを接続し、先端部の周方向に沿って並ぶ複数の柱部とを含む。

【0066】

ところで、エッチング処理に際して、基板の下面への異物の付着を抑制することや、エッチング液が基板の周縁から回り込んで下面に付着するのを抑制することなどを目的として、基板の下面とベース部材との間の空間にガスを供給することがある。このとき、上記の整流部材がない状態で、基板の下面とベース部材との間の空間にガスが供給されると、例えば装置の機械加工の精度などの要因により、基板の下面において気流の偏りが生ずることがある。この状態で基板の上面にエッチング液を供給して、基板の上面の膜をエッチングすると、エッチング液の化学反応の進行にも偏りが生じ、基板の面内におけるエッチング後の膜厚の均一性に影響を与えることも考えられる。

【0067】

しかしながら、例１の場合、ガス供給部からガス整流部に供給されたガスは、先端部の外周面と突出部との間の隙間を通った後にその向きを変えて、突出部と折り返し部との間の隙間を通り、さらにその向きを水平方向に変える。そのため、水平方向に向きを変えたガスの一部が、水平整流部と底壁部との間の隙間を通った後に、基板の下面とベース部材との間の空間に排出される。したがって、ガス整流部から排出されたガスは、複数回向きを変えることにより、主として水平方向に沿って流れやすくなる。これにより、ガスが基板の下面に向かい難くなるので、基板がガスによって局所的に冷却され難くなる。その結果、エッチング処理の面内均一性を高めることが可能となる。

【0068】

また、例１の場合、水平整流部が折り返し部よりも外方に位置している。そのため、ガス整流部は、水平整流部と折り返し部との間において、上方に向けて開放された環状の開口部を有している。したがって、水平方向に向きを変えたガスの他の一部は、この開口部において渦流を形成する。これにより、基板の下面とベース部材との間の空間のうち整流部材の上方の部分においてもガスが流動するので、当該空間の広域にガスが供給される。したがって、基板の下面に対する異物の付着や、エッチング液の基板の下面への回り込みを抑制しつつ、エッチング処理の面内均一性を高めることが可能となる。

【0069】

例２．例１の装置において、水平方向における折り返し部と水平整流部との離間距離は２ｍｍ～１０ｍｍであってもよい。当該離間距離が２ｍｍ以上である場合、ガス整流部の開口部からガスが上方に噴出され難くなり、ガス整流部の開口部においてガスの渦流が形成されやすくなる傾向にある。当該離間距離が１０ｍｍ以下である場合、ガス整流部の開口部において形成されるガスの渦流が拡径され難くなり、渦流による基板の部分的な冷却を抑制できる傾向にある。

【0070】

例３．例１又は例２の装置において、整流部材は、折り返し部と水平整流部との間に位置するようにこれらの一方に設けられた、環状のカバー部をさらに含んでいてもよい。この場合、ガス整流部の開口部の大きさをカバー部によって調節することが可能となる。

【0071】

例４．例１～例３のいずれかの装置において、貫通孔はベース部材の中央部に設けられており、底壁部の外周縁が貫通孔に接続されていてもよい。この場合、整流部材が、ベース部材、支持部及び基板と共に回転する。すなわち、整流部材は、基板に対して相対的に静止した状態となる。そのため、基板の下面とベース部材との間の空間に対してガス整流部から吹き出されたガスは、基板の下面において放射状に流れやすくなる。したがって、基板の下面に対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0072】

例５．例４の装置において、複数の柱部は、整流部材の回転軸方向から見て、当該回転軸の周方向及び径方向の双方に対して斜めに延びていてもよい。この場合、複数の柱部によってガスが整流され、基板の下面とベース部材との間の空間に対して、ガスが排出されやすくなる。そのため、基板の下面に対する異物の付着をより抑制することが可能となる。

【0073】

例６．例１～例５のいずれかの装置は、制御部をさらに備え、薬液供給部は、エッチング液を吐出するように構成されたノズルと、支持部に支持されている基板の上方においてノズルを水平方向に沿って移動させるように構成された駆動部とを含み、制御部は、駆動部及びガス供給部を制御して、ノズルから基板の中央部にエッチング液を吐出する際のガス整流部へのガスの供給量が、ノズルから基板の外周部にエッチング液を吐出する際のガス整流部へのガスの供給量よりも少なくなるように、エッチング液の基板への吐出位置に応じてガス供給部からのガスの供給量を調節する処理を実行するように構成されていてもよい。ところで、ガス整流部の開口部において生ずる渦流によって基板の中央近傍が冷却される程度と、水平整流部と底壁部との間の隙間から吹き出されたガスによって基板の外周部が冷却される程度とに、差が存在することがありうる。しかしながら、例７によれば、基板の中央部がエッチングされているときのガスの供給量が相対的に少なくなるので、エッチング処理の進行度合いが、基板の中央近傍と外周部とで近づく。そのため、エッチング処理の面内均一性をより高めることが可能となる。

【0074】

例７．例６の装置において、中央部は、基板の中心からの半径が６０ｍｍ～９０ｍｍまでの範囲であってもよい。

【0075】

例８．例６又は例７の装置において、制御部は、駆動部を制御して、ノズルを往復移動させることにより基板の中心近傍と基板の周縁部との間に対してエッチング液を供給させる処理を実行するように構成されていてもよい。この場合、エッチング液が基板全体に均一に供給されやすくなる。そのため、エッチング処理の面内均一性を高めることが可能となる。

【0076】

例９．例６～例８のいずれかの装置において、制御部は、駆動部を制御して、ノズルから基板の中央部にエッチング液を吐出する際のノズルの移動速度を１５０ｍｍ／ｓｅｃ以下とする処理を実行するように構成されていてもよい。ところで、例６で述べたように、基板の中央近傍が冷却される程度と、基板の外周部が冷却される程度とに、差が存在することがありうる。しかしながら、例９によれば、基板の中央部がエッチングされているときのノズルの移動速度が相対的に小さいので、基板の中央部が比較的長時間エッチング処理される。そのため、エッチング処理の進行度合いが、基板の中央近傍と外周部とで近づく。したがって、エッチング処理の面内均一性をより高めることが可能となる。

【0077】

例１０．例６～例９のいずれかの装置において、制御部は、ガス供給部を制御して、ガス整流部へのガスの供給量を基板の回転数に応じて調節する処理を実行するように構成されていてもよい。この場合、例えば、基板の回転数が小さいほど、ガス整流部へのガスの供給量が小さくなる。基板の回転数が小さい場合には、基板の下面とベース部材との間の空間に生ずる負圧が小さくなり、当該空間内に異物が吸引され難くなっているので、ガス整流部へのガスの供給量が小さくても、基板の下面に対する異物の付着が抑制される傾向にある。しかも、ガス整流部へのガスの供給量が小さい場合には、基板がガスによって冷却され難くなる。したがって、エッチング処理の面内均一性も高まる傾向にある。

【0078】

例１１．基板処理方法の一例は、上面に膜が形成されている基板の下面とベース部材とが離間しつつ対向するように、支持部で基板を支持する第１の工程と、ベース部材及び支持部を回転させることにより、基板を回転させる第２の工程と、回転中の基板の上面にエッチング液を供給しつつ、ガス整流部にガスを供給することにより、上面にエッチング液が供給されている基板の下面とベース部材との間の空間に、ガス整流部による整流後のガスを排出させる第３の工程とを含む。ガス整流部は、支持部に支持されている基板の下面と対向し且つベース部材に設けられている貫通孔内に配置された先端部を含み、上下方向に沿って延びる棒状部材と、先端部を取り囲むように配置された環状の整流部材とを含む。先端部は、先端部の外周面から外方に突出した後に下方に向けて延びるように外周面に設けられた、環状の折り返し部を含む。整流部材は、内周縁が先端部の外周面と離間するように配置された、環状の底壁部と、先端部が折り返し部と先端部の外周面との間に位置するように底壁部の内周部から上方に延びる、環状の突出部と、折り返し部よりも外方で且つ底壁部の上方において、底壁部と離間した状態で水平方向に沿って延びる、環状の水平整流部と、水平整流部と底壁部とを接続し、先端部の周方向に沿って並ぶ複数の柱部とを含む。この場合、例１の装置と同様の作用効果が得られる。

【0079】

例１２．例１１の方法において、水平方向における折り返し部と水平整流部との離間距離は２ｍｍ～１０ｍｍであってもよい。この場合、例２の装置と同様の作用効果が得られる。

【0080】

例１３．例１１又は例１２の方法において、整流部材は、折り返し部と水平整流部との間に位置するようにこれらの一方に設けられた、環状のカバー部をさらに含んでいてもよい。この場合、例３の装置と同様の作用効果が得られる。

【0081】

例１４．例１１～例１３のいずれかの方法において、貫通孔はベース部材の中央部に設けられており、底壁部の外周縁が貫通孔に接続されていてもよい。この場合、例４の装置と同様の作用効果が得られる。

【0082】

例１５．例１４の方法において、複数の柱部は、整流部材の回転軸方向から見て、当該回転軸の周方向及び径方向の双方に対して斜めに延びていてもよい。この場合、例５の装置と同様の作用効果が得られる。

【0083】

例１６．例１１～例１５のいずれかの方法において、第３の工程は、ノズルから基板の中央部にエッチング液を吐出する際のガス整流部へのガスの供給量を、ノズルから基板の外周部にエッチング液を吐出する際のガス整流部へのガスの供給量よりも少なくすることを含んでいてもよい。この場合、例６の装置と同様の作用効果が得られる。

【0084】

例１７．例１６の方法において、中央部は、基板の中心からの半径が６０ｍｍ～９０ｍｍまでの範囲であってもよい。

【0085】

例１８．例１６又は例１７の方法において、第３の工程は、ノズルを往復移動させることにより基板の中心近傍と基板の周縁部との間に対してエッチング液を供給することを含んでいてもよい。この場合、例８の装置と同様の作用効果が得られる。

【0086】

例１９．例１６～例１８のいずれかの方法において、第３の工程は、ノズルから基板の中央部にエッチング液を吐出する際のノズルの移動速度を１５０ｍｍ／ｓｅｃ以下とすることを含んでいてもよい。この場合、例９の装置と同様の作用効果が得られる。

【0087】

例２０．例１６～例１９のいずれかの方法において、第３の工程は、ガス整流部へのガスの供給量を基板の回転数に応じて調節することを含んでいてもよい。この場合、例１０の装置と同様の作用効果が得られる。

【0088】

例２１．コンピュータ読み取り可能な記録媒体の一例は、例１１～例２０のいずれかの方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録していてもよい。この場合、例１の装置と同様の作用効果が得られる。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recording medium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）又は伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）を含んでいてもよい。

【符号の説明】

【0089】

１…基板処理装置、１０…回転保持部、１１…回転軸（回転部）、１２…駆動機構（回転部）、１３…ベース部材、１３ａ…貫通孔、１４…支持ピン（支持部）、１５…把持機構（支持部）、２０…ガス整流部、３０…薬液供給部、３４…ノズル、３６…駆動源（駆動部）、５０…ガス供給部、１００…棒状部材、１０１…先端部、１０２…折り返し部、２００…整流部材、２０１…底壁部、２０２…突出部、２０３…水平整流部、２０４…柱部、２０５…カバー部、Ｃｔｒ…コントローラ（制御部）、Ｄ…隙間、Ｆ…膜、ＦＬ…流路、Ｌ１…エッチング液、ＯＰ…開口部、ＲＭ…記録媒体、Ｖ…空間、Ｗ…基板、Ｗａ…上面、Ｗｂ…下面。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【手続補正書】

【提出日】2024-07-19

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の下面に対して供給されるガスを整流するための、環状を呈するガス整流部材であって、
環状の底壁部と、
前記底壁部の内周部から上方に延びる、環状の突出部と、
前記底壁部の上方において、前記底壁部と離間した状態で水平方向に沿って前記底壁部の外方に向けて延びる、環状の水平整流部と、
前記水平整流部の内周部と前記底壁部の外周部とを接続し、前記ガス整流部材の中心軸の周方向に沿って並ぶ複数の柱部とを備える、ガス整流部材。

【請求項2】

前記複数の柱部は、前記中心軸の延在方向から見て、前記中心軸の周方向及び径方向の双方に対して斜めに延びている、請求項１に記載のガス整流部材。

【請求項3】

前記水平整流部の内周部は、水平方向において前記突出部の先端部と離隔しており、それにより、前記水平整流部の内周部と前記突出部の先端部との間において開口部が形成されている、請求項１又は２に記載のガス整流部材。

【請求項4】

前記基板の下面の下方に配置された状態において、前記底壁部は、前記中心軸の延在方向から見たときに、前記底壁部の内周縁が前記基板の中心を囲むように位置する、請求項１～３のいずれか一項に記載のガス整流部材。

【請求項5】

複数の柱部は、前記中心軸の延在方向から見たときに全体として円形状をなすように、前記中心軸の周方向において略等間隔に配置されている、請求項１～４のいずれか一項に記載のガス整流部材。

【請求項6】

前記水平整流部の内周部から径方向内方に向けて延びるように前記水平整流部の内周部に設けられたカバー部材をさらに備える、請求項１～５のいずれか一項に記載のガス整流部材。