特開 2024-134228 基板処理装置、及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024134228

(43)【公開日】2024-10-03

(54)【発明の名称】基板処理装置、及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240926BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 643C

H01L21/304 643A

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023044427

(22)【出願日】2023-03-20

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】樋口 倫太郎

【テーマコード（参考）】

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F157AA09

5F157AA14

5F157AA73

5F157AB02

5F157AB03

5F157AB13

5F157AB14

5F157AB16

5F157AB33

5F157AB34

5F157AB90

5F157BB12

5F157BB32

5F157BB75

5F157BB79

5F157BE33

5F157BE34

5F157BE43

5F157BE44

5F157BE45

5F157BE46

5F157BE48

5F157CE89

(57)【要約】

【課題】基板に付着するパーティクルを除去する、技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理液で処理する。基板処理装置は、前記基板を保持する保持部と、前記保持部で保持されている前記基板の表面に前記処理液を供給する液供給部と、前記基板を一の電極として前記処理液に電圧を印可し、前記処理液の電気分解を生じさせることで、前記基板の表面で気泡を発生させる電圧印加部と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理液で処理する、基板処理装置であって、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部で保持されている前記基板の表面に前記処理液を供給する液供給部と、
前記基板を一の電極として前記処理液に電圧を印可し、前記処理液の電気分解を生じさせることで、前記基板の表面で気泡を発生させる電圧印加部と、
を備える、基板処理装置。

【請求項2】

前記電圧印加部は、前記基板を陰極として前記処理液に電圧を印可し、前記処理液の電気分解を生じさせることで、前記基板の表面で気泡を発生させる、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記保持部を回転させる回転部を備える、請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記電圧印加部は、前記基板に所望の電位を与える導電部を有する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記基板は、前記処理液が供給される第１主面と、前記第１主面とは反対向きの第２主面と、を有し、
前記導電部は、前記基板の前記第２主面に接触する導電板を含む、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記基板は、前記処理液が供給される第１主面と、前記第１主面とは反対向きの第２主面と、を有し、
前記導電部は、前記基板の周縁を把持する把持部を含む、請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記処理液は、電解質を含む水溶液である、請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記電解質は、フッ酸（ＨＦ）、塩酸（ＨＣｌ）、水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｃ_４Ｈ_１３ＮＯ）、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、リン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）、硝酸（ＨＮＯ_３）、炭酸（Ｈ_２ＣＯ_３）、酢酸（ＣＨ_３ＣＯＯＨ）、クエン酸（Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_７）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）から選ばれる少なくとも１つを含む、請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記基板に対して光を照射する光源を備える、請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記基板は、前記処理液が供給される第１主面と、前記第１主面とは反対向きの第２主面と、を有し、
前記光源は、前記基板の前記第１主面に対して垂直に前記光を照射する第１光源を含む、請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記基板は、前記処理液が供給される第１主面と、前記第１主面とは反対向きの第２主面と、を有し、
前記光源は、前記基板の前記第１主面に対して斜めに前記光を照射する第２光源を含む、請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記基板は、前記処理液が供給される第１主面と、前記第１主面とは反対向きの第２主面と、を有し、
前記光源は、前記基板の前記第２主面に対して斜めに前記光を照射する第３光源を含む、請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記液供給部は、前記処理液を吐出するノズルと、前記ノズルに前記処理液を供給する供給ラインと、を有し、
前記電圧印加部は、前記ノズル又は前記供給ラインに、前記基板とは異なる電位である電極を有する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項14】

基板を処理液で処理することを有する、基板処理方法であって、
前記基板に前記処理液を供給することと、
前記基板を一の電極として前記処理液に電圧を印可し、前記処理液の電気分解を生じさせることで、前記基板の表面で気泡を発生させることと、
を有する、基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に記載の基板処理装置は、基板上の貴金属膜を処理液でエッチングする。基板処理装置は、処理液に電圧を印可する陽極と陰極を備える。陽極に接触する処理液と、陰極に接触する処理液とは、基板上の離隔された位置に供給される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－１５８３００号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示の一態様は、基板に付着するパーティクルを除去する、技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様に係る基板処理装置は、基板を処理液で処理する。基板処理装置は、前記基板を保持する保持部と、前記保持部で保持されている前記基板の表面に前記処理液を供給する液供給部と、前記基板を一の電極として前記処理液に電圧を印可し、前記処理液の電気分解を生じさせることで、前記基板の表面で気泡を発生させる電圧印加部と、を備える。

【発明の効果】

【0006】

本開示の一態様によれば、基板に付着するパーティクルを除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、一実施形態に係る基板処理装置を示す図である。

【図2】図２は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。

【図3】図３は、処理液の電気分解の一例を示す図である。

【図4】図４は、導電部の一例を示す図である。

【図5】図５は、導電部の変形例を示す図である。

【図6】図６は、光照射の有無と、電解質の含有量と、電流が２ｍＡになる電圧との関係の一例を示す図である。

【図7】図７は、図２に示す処理を施す前と後の基板表面の一例を示すＳＥＭ写真である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。

【0009】

先ず、図１を参照して、実施形態の基板処理装置１について説明する。図１に示すように、基板処理装置１は、基板Ｗを処理液Ｌで処理する。基板処理装置１は、本実施形態では基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式であるが、複数枚の基板Ｗを一括で処理するバッチ式であってもよい。枚葉式は、基板を水平に保持すると共に基板Ｗを回転させながら、基板Ｗに対して処理液を供給する。バッチ式は、一列に並ぶ複数枚の基板のそれぞれを鉛直に保持すると共に処理槽に貯留した処理液に浸漬することで、基板Ｗに対して処理液を供給する。

【0010】

基板処理装置１は、処理容器１０と、処理容器１０の内部で基板Ｗを保持する保持部２０と、保持部２０で保持されている基板Ｗの表面に処理液Ｌを供給する液供給部３０と、基板Ｗを一の電極として処理液Ｌに電圧を印可し、処理液Ｌの電気分解を生じさせることで、基板Ｗの表面で気泡を発生させる電圧印加部４０と、を備える。また、基板処理装置１は、保持部２０を回転させる回転部５０と、回転させている基板Ｗから振り切られる処理液Ｌを回収するカップ６０と、を備える。基板処理装置１は、制御部９０を備える。

【0011】

処理容器１０は、保持部２０とカップ６０を内部に収容する。処理容器１０は、処理容器１０の側壁に設けられるゲート１１と、ゲート１１を開閉するゲートバルブ１２と、を有する。基板Ｗは、搬送装置２によってゲート１１を介して処理容器１０の内部に搬入され、保持部２０で保持される。次に、基板Ｗは、処理容器１０の内部において処理液Ｌで処理される。その後、基板Ｗは、搬送装置２によってゲート１１を介して処理容器１０の外部に搬出される。

【0012】

保持部２０は、処理容器１０の内部に設けられる。保持部２０は、基板Ｗを水平に保持するチャックを含む。チャックは、例えばメカニカルチャックである。メカニカルチャックは、基板Ｗの周縁を把持する把持部２１を含む。把持部２１は、基板Ｗの周方向に等間隔で複数設けられる。チャックは、本実施形態ではメカニカルチャックであるが、真空チャック又は静電チャックであってもよい。保持部２０は、チャックと搬送装置２との間で基板Ｗを中継する図示しない複数本のリフトピンを有してもよい。

【0013】

液供給部３０は、保持部２０に保持されている基板Ｗの表面に処理液Ｌを供給する。処理液Ｌの種類は複数であってもよく、液供給部３０は複数の処理液Ｌを順番に基板Ｗの表面に供給してもよい。処理液Ｌは、例えば、薬液と、薬液の残渣を除去するリンス液とを含む。処理液Ｌは、リンス液と置換される有機溶剤をさらに含んでもよい。有機溶剤は、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。

【0014】

液供給部３０は、例えば処理液Ｌを吐出するノズル３１と、ノズル３１を移動させるノズル移動部３２と、を有する。処理液Ｌ毎にノズル３１が設けられてもよいし、一のノズル３１が複数の処理液Ｌを順番に吐出してもよい。ノズル３１は、本実施形態では基板Ｗの上面に処理液Ｌを供給するが、基板Ｗの下面、又は基板Ｗのベベル面に処理液Ｌを供給してもよい。ノズル移動部３２は、ノズル３１を水平方向と鉛直方向に移動させる。ノズル移動部３２は、ノズル３１を基板Ｗの径方向に移動可能である。

【0015】

液供給部３０は、ノズル３１に処理液Ｌを供給する供給ライン３３を有する。供給ライン３３の途中には、開閉バルブ３４と流量計３５と流量制御器３６とが設けられる。開閉バルブ３４と流量計３５と流量制御器３６の組み合わせは、処理液Ｌの種類ごとに設けられる。開閉バルブ３４は、処理液Ｌの流路を開閉する。流量計３５は、処理液Ｌの流量を計測する。流量制御器３６は、処理液Ｌの流量を調整する。供給ライン３３の途中には、図示しないヒータが設けられてもよい。

【0016】

電圧印加部４０は、詳しくは後述するが、図３に示すように、基板Ｗを一の電極として処理液Ｌに電圧を印可し、処理液Ｌの電気分解を生じさせることで、基板Ｗの表面で気泡Ｂを発生させる。発生させた気泡Ｂは、基板Ｗの表面に付着したパーティクルＰを基板Ｗの表面から引き剥がす。

【0017】

基板Ｗの表面は、凹凸パターンを有してもよい。近年、半導体の配線パターンの微細化が進んでおり、凹凸パターンの微細化が進んでいる。本実施形態によれば、気泡Ｂの発生を利用してパーティクルＰを除去するので、微細な凹部に入り込んだ微細なパーティクルＰをも除去できる。また、本実施形態によれば、基板表面のエッチングによってパーティクルＰを除去する場合に比べて、基板表面のダメージを低減できる。さらに、本実施形態によれば、室温での処理が可能である。

【0018】

なお、パーティクルＰの除去対象は、本実施形態では基板Ｗの上面であるが、基板Ｗの下面又はベベル面であってもよい。

【0019】

回転部５０は、図１に示すように、保持部２０を回転させることで、保持部２０と共に基板Ｗを回転させる。回転部５０は、保持部２０が上端に設けられる鉛直な回転軸５１と、回転軸５１を回転させる回転駆動部５２と、を有する。回転駆動部５２は、図示しないモータを含む。回転駆動部５２は、モータの回転駆動力を回転軸５１に伝達させる図示しない伝達機構を有してもよい。

【0020】

カップ６０は、保持部２０に保持されている基板Ｗの周縁を囲み、基板Ｗの周縁から飛散する処理液Ｌを受ける。カップ６０は、本実施形態では固定されており、回転軸５１と共に回転させられないが、回転軸５１と共に回転させられてもよい。カップ６０の底壁には、カップ６０の内部に溜まった液体を排出する排液管６１と、カップ６０の内部に溜まった気体を排出する排気管６２とが設けられる。

【0021】

制御部９０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部９１と、メモリなどの記憶部９２と、を備える。記憶部９２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９０は、記憶部９２に記憶されたプログラムを演算部９１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。

【0022】

次に、図２を参照して、実施形態の基板処理方法について説明する。基板処理方法は、例えばステップＳ１０１～Ｓ１０５を有する。ステップＳ１０１～Ｓ１０５は、制御部９０による制御下で実施される。

【0023】

先ず、搬送装置２が基板Ｗを処理容器１０の内部に搬入する（ステップＳ１０１）。搬送装置２は、保持部２０に基板Ｗを載置した後、処理容器１０の内部から退出する。保持部２０は、基板Ｗを保持する。回転部５０は、保持部２０を回転させることで、保持部２０と共に基板Ｗを回転させる。

【0024】

次に、液供給部３０が基板Ｗの表面に対して処理液Ｌを供給する（ステップＳ１０２）。例えば、ノズル３１が、回転している基板Ｗの上面中心に処理液Ｌを供給する。処理液Ｌは、遠心力によって基板Ｗの上面全体に濡れ広がり、液膜を形成する。ノズル３１は、複数の処理液Ｌを順番に供給してもよい。

【0025】

次に、電圧印加部４０が基板Ｗを一の電極として処理液Ｌに電圧を印可する（ステップＳ１０３）。電圧の印可は、処理液Ｌの電気分解を生じさせることで、基板Ｗの表面で気泡Ｂを発生させる。気泡Ｂの発生によって、パーティクルＰを除去できる。電圧の印可時間は、予め設定される。

【0026】

電圧の印可（ステップＳ１０３）は、少なくとも１つの処理液Ｌに対して行われればよく、全ての処理液Ｌに対して行われなくてよい。例えば、電圧の印可は、薬液に対して行われずに、薬液の残渣を除去するリンス液に対して行われる。あるいは、電圧の印可は、専用の液に対して行われてもよい。専用の液は、薬液よりも後、リンス液よりも前に、基板Ｗに対して供給される。

【0027】

次に、回転部５０が、保持部２０と共に基板Ｗを回転させ、基板Ｗに付着した処理液Ｌを振り切ることで、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ１０４）。その後、回転部５０が基板Ｗの回転を停止する。基板Ｗの乾燥は、本実施形態ではスピン乾燥であるが、スピン乾燥には限定されない。

【0028】

最後に、搬送装置２が基板Ｗを処理容器１０の外部に搬出する（ステップＳ１０５）。なお、ステップＳ１０１～Ｓ１０５の順番は、特に限定されない。例えば、有機溶剤の液膜が基板Ｗの上面に形成された状態で、基板Ｗの搬出（ステップＳ１０５）が行われ、その後に超臨界乾燥（ステップＳ１０４）が行われてもよい。

【0029】

次に、図３を参照して、処理液Ｌの電気分解の一例について説明する。図３に示すように、電圧印加部４０は、基板Ｗを一の電極として処理液Ｌに電圧を印可し、処理液Ｌの電気分解を生じさせることで、基板Ｗの表面で気泡を発生させる。処理液Ｌが水を含む場合、陰極では下記式（１）の反応が進み、陽極では下記式（２）の反応が進む。
（１）２Ｈ_２Ｏ＋２ｅ^－→Ｈ_２＋２ＯＨ^－
（２）２Ｈ_２Ｏ→Ｏ_２＋４Ｈ^＋＋４ｅ^－
上記式（１）に示すように、陰極では、水素ガスが生じる。また、上記式（２）に示すように、陽極では、酸素ガスが生じる。従って、陰極と陽極のそれぞれにおいて気泡が生じる。気泡の発生量と、電流の強さとには相関関係がある。電流の強さが大きいほど、気泡の発生量が多い。

【0030】

制御部９０は、電流計４１で電流を計測し、その計測値が設定値になるように処理液Ｌに印可する電圧を制御してもよい。設定値は、気泡の発生量が閾値以上になるように、つまり、処理後の基板Ｗの表面におけるパーティクル数が閾値以下になるように、予め実験で決められる。制御部９０は、電圧計４２で電圧値を計測してもよい。

【0031】

電圧印加部４０は、基板Ｗを陰極として処理液Ｌに電圧を印可することが好ましい。基板Ｗを陽極として処理液Ｌに電圧を印可する場合に比べて、基板Ｗの表面の酸化を抑制でき、陽極と陰極の間の電気抵抗の増大を抑制できる。よって、設定値の電流を流すのに必要な電圧の増大を抑制できる。

【0032】

また、基板Ｗを陰極として処理液Ｌに電圧を印可すれば、上記式（１）から明らかなように基板Ｗの表面においてＯＨ^－が生成する。その結果、基板Ｗの表面近傍において局所的に処理液ＬのｐＨが大きくなる。処理液ＬのｐＨが大きいほど、基板Ｗの表面とパーティクルＰとの間に作用する斥力が大きく、パーティクルＰの再付着を抑制できる。この効果は、処理液Ｌが酸性水溶液である場合に顕著である。

【0033】

電圧印加部４０は、ノズル３１又は供給ライン３３（図３ではノズル３１）に、基板Ｗとは異なる電位である電極４３を有してもよい。基板Ｗが陰極である場合、電極４３は陽極である。陽極をノズル３１又は供給ライン３３に設けることで、陽極を基板Ｗから離隔でき、基板Ｗの表面の酸化をより抑制でき、設定値の電流を流すのに必要な電圧の増大をより抑制できる。

【0034】

電極４３の材質は、処理液Ｌに対して耐性を有する材質であれば特に限定されないが、例えば貴金属、又はカーボンである。貴金属は、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）又はルテニウム（Ｒｕ）である。なお、電極４３は、母材と、母材の処理液Ｌに接する面を保護する保護膜とで構成されてもよい。この場合、保護膜の材質が貴金属又はカーボンであればよく、母材の材質は特に限定されない。

【0035】

電圧印加部４０によって電圧を印可する処理液Ｌは、電解質を含む水溶液であることが好ましい。電解質は、無機塩と有機塩のいずれでもよい。電解質は、例えば、フッ酸（ＨＦ）、塩酸（ＨＣｌ）、水酸化アンモニウム（ＮＨ_４ＯＨ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｃ_４Ｈ_１３ＮＯ）、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）、硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）、リン酸（Ｈ_３ＰＯ_４）、硝酸（ＨＮＯ_３）、炭酸（Ｈ_２ＣＯ_３）、酢酸（ＣＨ_３ＣＯＯＨ）、クエン酸（Ｃ_６Ｈ_８Ｏ_７）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）から選ばれる少なくとも１つを含む。電解質は、基板Ｗの表面を酸化しないものが好ましい。なお、処理液Ｌの溶媒は、水ではなくてもよく、ＩＰＡ又はシンナー類でもよい。

【0036】

電圧印加部４０によって電圧を印可する処理液Ｌにおける電解質の含有量は、例えば１．０ｐｐｍｗ～３．０×１０^５ｐｐｍｗ（３０ｗｔ％）であり、好ましくは１．０ｐｐｍｗ～１．０×１０^４ｐｐｍｗ（１ｗｔ％）であり、より好ましくは２．０ｐｐｍｗ～１．０×１０^４ｐｐｍｗであり、特に好ましくは５．０ｐｐｍｗ～５．０×１０^３ｐｐｍｗである。電解質の含有量が１ｐｐｍｗ以上であれば、十分な電流を流すことができる。電解質の含有量が５．０×１０^３ｐｐｍｗ以下であれば、基板Ｗの表面のダメージを抑制できる。

【0037】

図４及び図５に示すように、電圧印加部４０は、基板Ｗに所望の電位を与える導電部４５を有する。基板Ｗは、例えば、処理液Ｌが供給される第１主面Ｗａと、第１主面Ｗａとは反対向きの第２主面Ｗｂと、を有する。第１主面Ｗａが上面であり、第２主面Ｗｂが下面である。

【0038】

図４に示すように、導電部４５は、基板Ｗの第２主面Ｗｂに接触する導電板４５Ａを含む。導電板４５Ａは、基板Ｗの第２主面Ｗｂの少なくとも一部に接触していればよいが、基板Ｗの電位の均一性を向上すべく、基板Ｗの第２主面Ｗｂの全体に接触していることが好ましい。後述するように第３光源７３が基板Ｗの第２主面Ｗｂに光を照射する場合、導電板４５Ａとして透明電極が用いられる。透明電極の材質は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）である。

【0039】

導電板４５Ａは、基板Ｗと共に搬送可能である。導電板４５Ａは、処理容器１０の外部において基板Ｗと積層され、基板Ｗと共に処理容器１０の内部に搬入される。その後、導電板４５Ａは、基板Ｗと共に回転しながら、基板Ｗに所望の電位を与える。導電板４５Ａは、基板Ｗと共に処理容器１０の外部に搬出された後、処理容器１０の外部において基板Ｗから分離される。導電板４５Ａは、再利用可能であり、別の基板Ｗと積層されてもよい。

【0040】

図５に示すように、導電部４５は、基板Ｗの周縁に接触する把持部４５Ｂを含んでもよい。把持部４５Ｂは、保持部２０の把持部２１を兼ねる。把持部４５Ｂは、基板Ｗの周縁に沿って間隔をおいて複数設けられてもよい。なお、導電部４５は導電板４５Ａと把持部４５Ｂの両方を含んでもよい。

【0041】

図４及び図５に示すように、基板Ｗの表面は、処理液Ｌに接触する第１領域と、導電部４５に接触する第２領域と、を有する。例えば、図４では第１領域は上面であって第２領域は下面であり、図５では第１領域は上面であって第２領域は外周面である。第１領域の少なくとも一部と、第２領域の少なくとも一部とは、電流を通すべく、金属又は半導体で形成されている。

【0042】

第１領域の少なくとも一部と第２領域の少なくとも一部の少なくとも一方が半導体で形成される場合、基板処理装置１は光源７０を備えることが好ましい。光源７０は、基板Ｗに対して光を照射することで、半導体の表面において電子を励起する。これにより、設定値の電流を流すのに必要な電圧を低下できる。

【0043】

半導体がシリコン（Ｓｉ）である場合、光の波長は１１２７ｎｍ以下であればよく、赤外光、可視光、及び紫外光のいずれも使用可能である。光の波長は短いほど好ましい。光源７０による基板Ｗに対する光の照射と、電圧印加部４０による処理液Ｌに対する電圧の印可とは、同時に行われる。

【0044】

光源７０は、例えば第１光源７１と第２光源７２と第３光源７３の少なくとも１つを含む。第１光源７１は、基板Ｗの第１主面Ｗａに対して垂直に光を照射する。第１光源７１は、基板Ｗの第１主面Ｗａに平行な面光源であることが好ましい。第１光源７１の発光面の面積は、基板Ｗの第１主面Ｗａの面積以上であってよい。基板Ｗの第１主面Ｗａの全体に光を照射できる。

【0045】

第１光源７１は、面光源ではなくてもよく、線光源であってもよい。線光源は、基板Ｗの半径以上の長さを有し、基板Ｗの第１主面Ｗａの中心から、基板Ｗの第１主面Ｗａの周縁まで光を照射する。この状態で、回転部５０が保持部２０と共に基板Ｗを回転させれば、基板Ｗの第１主面Ｗａの全体に光を照射することが可能である。

【0046】

第２光源７２は、基板Ｗの第１主面Ｗａに対して斜めに光を照射する。ノズル３１を避けて光を照射できる。

【0047】

第３光源７３は、基板Ｗの第２主面Ｗｂに対して斜めに光を照射する。回転軸５１を避けて光を照射できる。

【0048】

図６に、光照射の有無と、電解質の含有量と、電流が２ｍＡになる電圧との関係の一例を示す。図６では、シリコンウェハを水平に保持した状態で、シリコンウェハの上面に対してアンモニア水の供給と紫外光の照射を行うと共に、シリコンウェハを一の電極としてアンモニア水に電圧を印可した。アンモニア水の電解質はＮＨ_４ＯＨである。アンモニア水の電気分解では、電流が２ｍＡ以上になると、気泡が十分に発生することを目視で確認した。

【0049】

図６から、シリコンウェハに対して光を照射することで、電流が２ｍＡになる電圧を大幅に低減できることが分かる。また、図６から、電解質の含有量を増やすことで、電流が２ｍＡになる電圧を低減できることが分かる。さらに、図６から、シリコンウェハに対して光を照射する効果は、電解質の含有量を増やす効果よりも大きいことが分かる。

【0050】

図７に、図２に示す処理を施す前と後の基板表面のＳＥＭ写真を示す。図７では、ラインアンドスペース状の凹凸パターンを形成したシリコンウェハの上面に対してアンモニア水の供給と紫外光の照射を行うと共に、シリコンウェハを一の電極としてアンモニア水に電圧を印可した。印加した電圧は３００Ｖであった。また、印加した電流は６ｍＡであった。図７から、図２に示す処理によってパーティクルＰを低減できたことが分かる。

【0051】

以上、本開示に係る基板処理装置、及び基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

【符号の説明】

【0052】

１ 基板処理装置
２０ 保持部
３０ 液供給部
４０ 電圧印加部
Ｌ 処理液
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】