特開 2024-134515 プラズマ処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024134515

(43)【公開日】2024-10-03

(54)【発明の名称】プラズマ処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20240926BHJP

   C23C 16/52 20060101ALI20240926BHJP

   C23C 16/50 20060101ALI20240926BHJP

   G05D 23/00 20060101ALI20240926BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 101G

H01L21/302 101B

C23C16/52

C23C16/50

G05D23/00 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024002471

(22)【出願日】2024-01-11

(31)【優先権主張番号】P 2023044611

(32)【優先日】2023-03-20

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100208878

【弁理士】

【氏名又は名称】吉田 弘智

(72)【発明者】

【氏名】多賀 敏

【テーマコード（参考）】

4K030

5F004

5H323

【Ｆターム（参考）】

4K030CA12

4K030EA04

4K030FA02

4K030FA03

4K030FA04

4K030GA02

4K030JA05

4K030JA10

4K030KA17

4K030KA18

4K030KA30

4K030KA41

5F004BA09

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB25

5F004BB26

5F004BC03

5F004CA06

5H323AA01

5H323CA08

5H323CB21

5H323DA04

5H323DB15

5H323FF01

5H323GG01

5H323HH02

5H323KK05

(57)【要約】

【課題】伝熱媒体を流路に供給する圧力を低減する技術を提供する。
【解決手段】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、プラズマ生成部、少なくとも一つの温度調整対象物、及び供給器を備える。供給器は、流路に伝熱媒体を供給するように構成される。供給器は、第１のタンク、第２のタンク、ポンプ、及び熱交換器を有する。第１のタンクは、その内部に伝熱媒体を貯留するように構成されている。第１のタンクは、流路に第１の配管を介して接続されている。第２のタンクは、その内部に伝熱媒体を貯留するように構成されている。第２のタンクは、流路に第２の配管を介して接続され、第１のタンクに第３の配管を介して接続されている。第２のタンクは、第１のタンクの位置よりも低い位置に配置されている。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

チャンバと、
前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成部と、
その内部に流路を提供する少なくとも一つの温度調整対象物であって、前記チャンバの一部を構成するか、前記チャンバ内に配置される該少なくとも一つの温度調整対象物と、
前記流路に伝熱媒体を供給するように構成された供給器と、を備え、
前記供給器は、
その内部に前記伝熱媒体を貯留するように構成されており、前記流路に第１の配管を介して接続された第１のタンクと、
その内部に前記伝熱媒体を貯留するように構成されており、前記流路に第２の配管を介して接続され、前記第１のタンクに第３の配管を介して接続された第２のタンクであり、前記第１のタンクの位置よりも低い位置に配置された、該第２のタンクと、
前記第３の配管と前記第２のタンクとの間で接続されており、前記第２のタンクに貯留された前記伝熱媒体を該第１のタンクに前記第３の配管を介して汲み上げるように構成されたポンプと、
前記流路の上流に配置されており、前記伝熱媒体の温度を調整するように構成された熱交換器と、
を有する、
プラズマ処理装置。

【請求項2】

前記伝熱媒体は、伝熱液体である、請求項１に記載のプラズマ処理装置。

【請求項3】

前記第１の配管は、前記流路の位置よりも高い位置で前記第１のタンクに接続されており、
前記第２の配管は、前記流路の位置よりも低い位置で前記第２のタンクに接続されている、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項4】

前記供給器は、
前記第１の配管における前記伝熱媒体の第１の流量を測定するように構成された第１の流量計と、
前記第３の配管における前記伝熱媒体の第２の流量を測定するように構成された第２の流量計と、
前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するよう、前記ポンプを制御するように構成されたコントローラと、
を更に有する、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項5】

前記供給器は、前記第１のタンク及び前記第２のタンクのうち一方における前記伝熱媒体の液面の高さ位置を測定するように構成された液面センサを更に有し、
前記コントローラは、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記ポンプを制御するように構成されている、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。

【請求項6】

前記コントローラは、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲内の場合には、前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するよう、前記ポンプを制御するように構成され、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲外の場合には、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記ポンプを制御するように構成されている、
請求項５に記載のプラズマ処理装置。

【請求項7】

前記供給器は、
前記ポンプと前記第１のタンクとの間で接続された流量調整バルブと、
前記第１の配管における前記伝熱媒体の第１の流量を測定するように構成された第１の流量計と、
前記第３の配管における前記伝熱媒体の第２の流量を測定するように構成された第２の流量計と、
前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するように、前記流量調整バルブを制御するように構成されたコントローラと、
を更に有する、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項8】

前記供給器は、前記第１のタンク及び前記第２のタンクのうち一方における前記伝熱媒体の液面の高さ位置を測定するように構成された液面センサを更に有し、
前記コントローラは、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記流量調整バルブを制御するように構成されている、
を更に有する、請求項７に記載のプラズマ処理装置。

【請求項9】

前記コントローラは、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲内の場合には、前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するよう、前記流量調整バルブを制御するように構成され、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲外の場合には、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記流量調整バルブを制御するように構成されている、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。

【請求項10】

前記チャンバ内に配置された基板支持部を更に備え、
前記少なくとも一つの温度調整対象物は、前記基板支持部を含む、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項11】

前記チャンバ内に配置された基板支持部と、
前記基板支持部の上方に配置された上部電極と、
を更に備え、
前記少なくとも一つの温度調整対象物は、前記基板支持部及び前記上部電極の少なくとも一方を含む、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項12】

前記少なくとも一つの温度調整対象物は、前記チャンバの側壁を含む、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項13】

前記第１のタンク及び前記第２のタンクは、それらの内部の圧力を大気圧に設定するように前記チャンバ外に配置される、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項14】

前記供給器は、前記第２の配管と前記第２のタンクとの間で接続された少なくとも一つのバルブを更に有する、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。

【請求項15】

前記少なくとも一つのバルブは、シャットオフバルブ及び／又は流量調整バルブを含む、請求項１４に記載のプラズマ処理装置。

【請求項16】

前記シャットオフバルブ及び前記流量調整バルブは、前記第２の配管と前記第２のタンクとの間で直列的に接続されている、請求項１５に記載のプラズマ処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

プラズマ処理装置が、基板に対するプラズマ処理において用いられている。プラズマ処理装置は、チャンバ及びチャンバ内に配置される基台を備える。基台は、その内部に流路を提供する。下記の特許文献１では、プラズマ処理装置は、流路に伝熱媒体を供給するための圧縮機を備える。流路には、圧縮機によって加圧された伝熱媒体が供給される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００５－７９５３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、伝熱媒体を流路に供給する圧力を低減する技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、プラズマ生成部、少なくとも一つの温度調整対象物、及び供給器を備える。プラズマ生成部は、チャンバ内でガスからプラズマを生成するように構成されている。少なくとも一つの温度調整対象物は、その内部に流路を提供する。少なくとも一つの温度調整対象物は、チャンバの一部を構成するか、チャンバ内に配置される。供給器は、流路に伝熱媒体を供給するように構成される。供給器は、第１のタンク、第２のタンク、ポンプ、及び熱交換器を有する。第１のタンクは、その内部に伝熱媒体を貯留するように構成されている。第１のタンクは、流路に第１の配管を介して接続されている。第２のタンクは、その内部に伝熱媒体を貯留するように構成されている。第２のタンクは、流路に第２の配管を介して接続され、第１のタンクに第３の配管を介して接続されている。第２のタンクは、第１のタンクの位置よりも低い位置に配置されている。ポンプは、第３の配管と第２のタンクとの間で接続されている。ポンプは、第２のタンクに貯留された伝熱媒体を第１のタンクに第３の配管を介して汲み上げるように構成されている。熱交換器は、流路の上流に設けられている。熱交換器は、伝熱媒体の温度を調整するように構成されている。

【発明の効果】

【0006】

一つの例示的実施形態によれば、伝熱媒体を流路に供給する圧力が低減される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。

【図2】容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【図3】一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の供給部及び温度調整対象物の構成を示す図である。

【図4】別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の供給部及び温度調整対象物の構成を示す図である。

【図5】一つの例示的実施形態に係る伝熱媒体の供給方法の流れ図である。

【図6】図５に示す工程ＳＴｂの例を示す流れ図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

【0009】

図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

【0010】

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；ＣａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：ＨｅｌｉｃｏｎＷａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、 １００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

【0011】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

【0012】

以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【0013】

容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

【0014】

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

【0015】

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

【0016】

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

【0017】

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0018】

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0019】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

【0020】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0021】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。

【0022】

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0023】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。

【0024】

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0025】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0026】

プラズマ処理装置１は、少なくとも一つの温度調整対象物を備える。少なくとも一つの温度調整対象物は、チャンバ１０の一部を構成するか、チャンバ１０内に配置される。一実施形態において、少なくとも一つの温度調整対象物は、チャンバ１０の側壁１０ａを含んでもよい。一実施形態において、少なくとも一つの温度調整対象物は、基板支持部１１及び上部電極１３ｄの少なくとも一方を含んでもよい。一実施形態において、少なくとも一つの温度調整対象物は、基板支持部１１を含んでもよい。少なくとも一つの温度調整対象物は、その内部に流路を提供する。以下、図３を参照して、単一の温度調整対象物１４を備えるプラズマ処理装置１について説明するが、プラズマ処理装置１は、複数の温度調整対象物１４を備えていてもよい。

【0027】

図３は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の供給部及び温度調整対象物の構成を示す図である。図３に示す例では、温度調整対象物１４は、基板支持部１１を含む。温度調整対象物１４は、その内部に流路１１１０ａを提供する。供給器５０は、流路１１１０ａに伝熱媒体Ｍを供給するように構成される。一実施形態において、伝熱媒体Ｍは、伝熱液体Ｌであってもよい。

【0028】

供給器５０は、第１のタンク５１、第２のタンク５２、ポンプ５３、及び熱交換器５４を有する。第１のタンク５１は、その内部に伝熱媒体Ｍを貯留するように構成されている。第１のタンク５１は、流路１１１０ａに第１の配管５ａを介して接続されている。第１のタンク５１の内部に貯留された伝熱媒体Ｍは、第１の配管５ａを介して流路１１１０ａに供給される。

【0029】

第２のタンク５２は、その内部に伝熱媒体Ｍを貯留するように構成されている。第２のタンク５２は、流路１１１０ａに第２の配管５ｂを介して接続され、第１のタンク５１に第３の配管５ｃを介して接続されている。第２のタンク５２は、第１のタンク５１の位置よりも低い位置に配置されている。一例において、第２のタンク５２の位置は、第１のタンク５１の位置に対して０．１ｍ以上、１０ｍ以下の範囲内で低い位置にある。第２のタンク５２の内部には、流路１１１０ａから回収された伝熱媒体Ｍが貯留される。一実施形態において、第１のタンク５１及び第２のタンク５２は、それらの内部の圧力を大気圧に設定するようにチャンバ１０外に配置される。

【0030】

ポンプ５３は、第３の配管５ｃと第２のタンク５２との間で接続されている。ポンプ５３は、第２のタンク５２に貯留された伝熱媒体Ｍを第１のタンク５１に第３の配管５ｃを介して汲み上げるように構成されている。第２のタンク５２に貯留された伝熱媒体Ｍは、ポンプ５３によって第１のタンク５１に回収される。供給器５０において、伝熱媒体Ｍは、第１のタンク５１、流路１１１０ａ、及び第２のタンク５２を循環する。ポンプ５３は、第２のタンク５２の最大高さ位置よりも低い位置に配置されてもよい。

【0031】

熱交換器５４は、供給器５０において伝熱媒体Ｍの温度を調整するように構成されている。熱交換器５４は、流路１１１０ａの上流に配置されている。図３に示す例では、熱交換器５４は、第３の配管５ｃ内の伝熱媒体Ｍの温度を調整するよう、第３の配管５ｃに沿って配置されている。熱交換器５４は、第１の配管５ａに沿って配置されてもよい。

【0032】

プラズマ処理装置１では、第１のタンク５１に対して第２のタンク５２が低い位置にあるので、伝熱媒体Ｍは、第１のタンク５１から第２のタンク５２に向かって重力の作用で移動する。したがって、流路１１１０ａには相当に低い圧力で伝熱媒体Ｍが供給される。故に、温度調整対象物１４（一例では、基板支持部１１の基台１１１０）の変形が抑制される。

【0033】

一実施形態において、図３に示す例のように、第１の配管５ａは、流路１１１０ａの位置よりも高い位置で第１のタンク５１に接続されてもよい。第２の配管５ｂは、流路１１１０ａの位置よりも低い位置で第２のタンク５２に接続されてもよい。

【0034】

一実施形態において、図３に示す例のように、供給器５０は、第１の流量計５５、第２の流量計５６、流量調整バルブ５ｄ、及びコントローラ５７を有してもよい。第１の流量計５５は、第１の配管５ａにおける伝熱媒体Ｍの第１の流量を測定するように構成される。一例において、第１の流量計５５は、第１の配管５ａに接続される。第２の流量計５６は、第３の配管５ｃにおける伝熱媒体Ｍの第２の流量を測定するように構成される。一例において、第２の流量計５６は、第３の配管５ｃとポンプ５３との間で接続される。流量調整バルブ５ｄは、ポンプ５３と第１のタンク５１との間で接続される。流量調整バルブ５ｄは、第３の配管５ｃにおける伝熱媒体Ｍの流量を調整するように構成される。流量調整バルブ５ｄは、例えば、ニードルバルブである。一例において、流量調整バルブ５ｄは、第３の配管５ｃとポンプ５３との間で接続される。コントローラ５７は、第１の流量と第２の流量との間の差を減少させるか解消させるよう流量調整バルブ５ｄを調整するように構成される。コントローラ５７は、自動的に流量調整バルブ５ｄを調整するように構成されていてもよい。コントローラ５７は、流量調整バルブ５ｄを調整するようオペレータに操作されるように構成されていてもよい。

【0035】

例えば、第１の流量が第２の流量よりも大きい場合には、コントローラ５７は、第２の流量を増加させるように流量調整バルブ５ｄを調整する。第１の流量が第２の流量よりも小さい場合には、コントローラ５７は、第２の流量を減少させるように流量調整バルブ５ｄを調整する。結果として、第１の流量と第２の流量との間の差は、減少するか解消する。第２の流量は第１のタンク５１に回収される伝熱媒体Ｍの流量であり、第１の流量は第１のタンク５１から流路１１１０ａに供給される伝熱媒体Ｍの流量であるので、第１のタンク５１に貯留される伝熱媒体Ｍの量は、安定する。

【0036】

一実施形態において、供給器５０は、少なくとも一つのバルブ５ｅを有してもよい。以下、複数のバルブ５ｅを有する供給器５０について説明するが、供給器５０は、一つのバルブ５ｅを有していてもよい。複数のバルブ５ｅは、第２の配管５ｂと第２のタンク５２との間で接続されている。一例において、複数のバルブ５ｅは、第２の配管５ｂに接続されている。一実施形態において、複数のバルブ５ｅは、シャットオフバルブ５ｆ及び／又は流量調整バルブ５ｇを含んでもよい。一実施形態において、シャットオフバルブ５ｆ及び流量調整バルブ５ｇは、第２の配管５ｂと第２のタンク５２との間で直列的に接続されている。図３に示す例のように、シャットオフバルブ５ｆ及び流量調整バルブ５ｇは、第２の配管５ｂに直列的に接続されている。シャットオフバルブ５ｆは、コントローラ５７によって開閉されてもよい。

【0037】

流量調整バルブ５ｇは、第２の配管５ｂにおける伝熱媒体Ｍの流量を調整するように構成される。流量調整バルブ５ｇは、コントローラ５７によって調整されてもよい。第２の配管５ｂにおける伝熱媒体Ｍの流量を増加させるように流量調整バルブ５ｇが調整されると、流路１１１０ａを介して接続されている第１の配管５ａの第１の流量も増加する。第２の配管５ｂにおける伝熱媒体Ｍの流量を減少させるように流量調整バルブ５ｇが調整されると、流路１１１０ａを介して接続されている第１の配管５ａの第１の流量も減少する。流量調整バルブ５ｇは、例えば、ニードルバルブである。

【0038】

一実施形態において、供給器５０は、液面センサ５８を有してもよい。液面センサ５８は、第１のタンク５１及び第２のタンク５２のうち一方における伝熱媒体Ｍの液面の高さ位置を測定するように構成される。図３に示す例では、液面センサ５８は、第１のタンク５１における伝熱媒体Ｍの液面の高さ位置Ｈ１を測定するように構成される。この場合、液面センサ５８は、第１のタンク５１内に配置される。コントローラ５７は、液面センサ５８によって測定される液面の高さ位置Ｈ１を指定された範囲内に維持するよう、流量調整バルブ５ｄを調整するように構成される。

【0039】

例えば、液面センサ５８によって測定された液面の高さ位置Ｈ１が指定された範囲よりも高い場合には、コントローラ５７は、第２の流量を減少させるように流量調整バルブ５ｄを調整する。第２の流量が減少することによって第１のタンク５１に貯留された伝熱媒体Ｍの量が減少するので液面の高さ位置Ｈ１が低くなる。結果として、液面の高さ位置Ｈ１は、指定された範囲内に維持され得る。

【0040】

例えば、液面センサ５８によって測定された液面の高さ位置Ｈ１が指定された範囲よりも低い場合には、コントローラ５７は、第２の流量を増加させるように流量調整バルブ５ｄを調整する。第２の流量が増加することによって第１のタンク５１に貯留された伝熱媒体Ｍの量が増加するので液面の高さ位置Ｈ１が高くなる。結果として、液面の高さ位置Ｈ１は、指定された範囲内に維持され得る。

【0041】

一実施形態において、コントローラ５７は、液面の高さ位置Ｈ１が指定された範囲内の場合には、第１の流量と第２の流量との間の差を減少させるか解消させるよう、流量調整バルブ５ｄを調整するように構成されてもよい。コントローラ５７は、液面の高さ位置Ｈ１が指定された範囲外の場合には、液面の高さ位置Ｈ１を指定された範囲内に維持するように構成されてもよい。第１のタンク５１に貯留された伝熱媒体Ｍの量と、第２のタンク５２に貯留された伝熱媒体Ｍの量との間のバランスが調整される。

【0042】

なお、一例では、プラズマ処理装置１が配置される施設において、第１のタンク５１、熱交換器５４、第１の流量計５５及び第２の流量計５６は、チャンバ１０及び基板支持部１１がその上に配置される第１のフロアに配置されてもよい。一例において、第１のタンク５１、熱交換器５４、第１の流量計５５及び第２の流量計５６は、リザーバーとして単一のユニットを構成していてもよい。また、プラズマ処理装置１が配置される施設において、第２のタンク５２、ポンプ５３、シャットオフバルブ５ｆ及び流量調整バルブ５ｇは、第１のフロアの階下にある第２のフロアに配置されてもよい。一例において、第２のタンク５２、ポンプ５３、シャットオフバルブ５ｆ及び流量調整バルブ５ｇは、レシーバーとして単一のユニットを構成していてもよい。

【0043】

以下、図４を参照して、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の供給部及び温度調整対象物の構成について説明する。図４は、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置１Ａの供給器５０Ａ及び温度調整対象物１４を示している。以下、図４に示すプラズマ処理装置１Ａの供給器５０Ａについて、プラズマ処理装置１の供給器５０に対する相違点の観点から説明する。

【0044】

供給器５０Ａにおいて、第１の配管５ａは、流路１１１０ａの位置よりも低い位置で第１のタンク５１に接続されている。図４に示す例では、流路１１１０ａの位置は、第１のタンク５１の位置よりも高い。一例において、流路１１１０ａの位置は、第１のタンク５１に第１の配管５ａが接続された位置に対して０ｍ以上、２ｍ以下の範囲内で高い位置にある。この場合でも、流路１１１０ａから第２のタンク５２に伝熱媒体Ｍが回収されるときに発生するサイフォン現象によって、第１のタンク５１から流路１１１０ａに伝熱媒体Ｍが供給される。

【0045】

以下、図５及び図６を参照して、伝熱媒体の供給方法について説明する。図５は、一つの例示的実施形態に係る伝熱媒体の供給方法の流れ図である。図６は、図５に示す工程ＳＴｂの例を示す流れ図である。

【0046】

図５に示す伝熱媒体の供給方法（以下、「方法ＭＴ」という）は、上述した種々のプラズマ処理装置の何れかを用いて実行され得る。方法ＭＴは、工程ＳＴａ及び工程ＳＴｂを含む。工程ＳＴａでは、伝熱媒体Ｍが流路１１１０ａに供給される。工程ＳＴｂでは、伝熱媒体Ｍが第１のタンク５１に回収される。一例において、伝熱媒体Ｍは、第１のタンク５１から流路１１１０ａに供給され、第２のタンク５２から第１のタンク５１に回収される。

【0047】

一実施形態において、図６に示すように、工程ＳＴｂは、工程ＳＴｃ，ＳＴｄ，ＳＴｅ，ＳＴｆを含んでもよい。工程ＳＴｃでは、液面の高さ位置が測定される。プラズマ処理装置１，１Ａでは、液面の高さ位置Ｈ１が液面センサ５８によって測定される。

【0048】

続く工程ＳＴｄでは、液面の高さ位置が指定された範囲内か否かが判定される。プラズマ処理装置１，１Ａでは、液面の高さ位置Ｈ１が指定された範囲内か否かが判定される。液面の高さ位置が指定された範囲内であると判定された場合には、処理は、工程ＳＴｅに進む。

【0049】

工程ＳＴｅでは、第１の流量と第２の流量との間の差を減少させるか解消させるように、第１の流量及び／又は第２の流量が制御される。プラズマ処理装置１，１Ａでは、流量調整バルブ５ｄが調整されることによって第２の流量が制御されるので、第１の流量と第２の流量との間の差は、減少するか解消する。

【0050】

液面の高さ位置が指定された範囲外であると判定された場合には、処理は、工程ＳＴｆに進む。工程ＳＴｆでは、液面の高さ位置が指定された範囲内に維持されるように第１の流量及び／又は第２の流量が制御される。プラズマ処理装置１，１Ａでは、流量調整バルブ５ｄが調整されることによって第２の流量が制御されるので、液面の高さ位置Ｈ１は、指定された範囲内に維持される。

【0051】

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

【0052】

別の実施形態に係るプラズマ処理装置において、液面センサ５８は、第２のタンク５２における伝熱媒体Ｍの液面の高さ位置Ｈ２を測定するように構成されてもよい。この場合、液面センサ５８は、第２のタンク５２内に配置される。コントローラ５７は、液面センサ５８によって液面の高さ位置Ｈ２を指定された範囲内に維持するよう、流量調整バルブ５ｄを調整するように構成されている。

【0053】

例えば、液面センサ５８によって測定された液面の高さ位置Ｈ２が指定された範囲よりも高い場合には、コントローラ５７は、第１の流量を増加させるように流量調整バルブ５ｄを調整する。第１の流量が増加することによって第２のタンク５２に貯留された伝熱媒体Ｍの量が減少するので液面の高さ位置Ｈ２が低くなる。結果として、液面の高さ位置Ｈ２は、指定された範囲内に維持され得る。

【0054】

例えば、液面センサ５８によって測定された液面の高さ位置Ｈ２が指定された範囲よりも低い場合には、コントローラ５７は、第１の流量を減少させるように流量調整バルブ５ｄを調整する。第１の流量が減少することによって第２のタンク５２に貯留された伝熱媒体Ｍの量が増加するので液面の高さ位置Ｈ２が高くなる。結果として、液面の高さ位置Ｈ２は、指定された範囲内に維持され得る。

【0055】

更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置において、供給部は、第１の流量計５５及び／又は第２の流量計５６を有さなくてもよい。供給部は、液面センサ５８を有していればよい。この場合、コントローラ５７は、液面の高さ位置を指定された範囲内に維持するように構成される。

【0056】

更に別の実施形態に係るプラズマ処理装置において、供給部は、流量調整バルブ５ｄを有さなくてもよい。この場合、コントローラ５７は、第１の流量と第２の流量との間の差を減少させるか解消させるようポンプ５３を制御するように構成される。例えば、第１の流量が第２の流量よりも大きい場合には、コントローラ５７は、ポンプ５３が汲み上げる伝熱媒体Ｍの流量を増加させるようにポンプ５３を制御する。第１の流量が第２の流量よりも小さい場合には、コントローラ５７は、ポンプ５３が汲み上げる伝熱媒体Ｍの流量を減少させるようにポンプ５３を制御する。

【0057】

一実施形態において、コントローラ５７は、液面の高さ位置Ｈ１が指定された範囲内の場合には、第１の流量と第２の流量との間の差を減少させるか解消させるよう、ポンプ５３を制御するように構成されてもよい。コントローラ５７は、液面の高さ位置Ｈ１が指定された範囲外の場合には、液面の高さ位置Ｈ１を指定された範囲内に維持するよう、ポンプ５３を制御するように構成されてもよい。

【0058】

一実施形態において、少なくとも一つの温度調整対象物が上部電極１３ｄを含む場合には、上部電極１３ｄは、その内部に流路を提供する。一例において、上部電極１３ｄがチャンバ１０の天板を構成する第１の電極と、第１の電極の上に配置される第２の電極とを含む場合には、第２の電極がその内部に流路を提供してもよい。

【0059】

一実施形態において、伝熱媒体Ｍは、伝熱液体Ｌではなくてもよい。伝熱媒体Ｍは、大気よりも重い流体であればよい。

【0060】

一実施形態において、ポンプ５３は、従来の供給器に用いられるポンプよりも低出力のポンプを用いてもよい。

【0061】

ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ１６］に記載する。

【0062】

［Ｅ１］
チャンバと、
前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成部と、
その内部に流路を提供する少なくとも一つの温度調整対象物であって、前記チャンバの一部を構成するか、前記チャンバ内に配置される該少なくとも一つの温度調整対象物と、
前記流路に伝熱媒体を供給するように構成された供給器と、を備え、
前記供給器は、
その内部に前記伝熱媒体を貯留するように構成されており、前記流路に第１の配管を介して接続された第１のタンクと、
その内部に前記伝熱媒体を貯留するように構成されており、前記流路に第２の配管を介して接続され、前記第１のタンクに第３の配管を介して接続された第２のタンクであり、前記第１のタンクの位置よりも低い位置に配置された、該第２のタンクと、
前記第３の配管と前記第２のタンクとの間で接続されており、前記第２のタンクに貯留された前記伝熱媒体を該第１のタンクに前記第３の配管を介して汲み上げるように構成されたポンプと、
前記流路の上流に配置されており、前記伝熱媒体の温度を調整するように構成された熱交換器と、
を有する、
プラズマ処理装置。

【0063】

［Ｅ２］
前記伝熱媒体は、伝熱液体である、Ｅ１に記載のプラズマ処理装置。

【0064】

［Ｅ３］
前記第１の配管は、前記流路の位置よりも高い位置で前記第１のタンクに接続されており、
前記第２の配管は、前記流路の位置よりも低い位置で前記第２のタンクに接続されている、
Ｅ１又はＥ２に記載のプラズマ処理装置。

【0065】

［Ｅ４］
前記供給器は、
前記第１の配管における前記伝熱媒体の第１の流量を測定するように構成された第１の流量計と、
前記第３の配管における前記伝熱媒体の第２の流量を測定するように構成された第２の流量計と、
前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するよう、前記ポンプを制御するように構成されたコントローラと、
を更に有する、Ｅ１～Ｅ３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0066】

［Ｅ５］
前記供給器は、前記第１のタンク及び前記第２のタンクのうち一方における前記伝熱媒体の液面の高さ位置を測定するように構成された液面センサを更に有し、
前記コントローラは、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記ポンプを制御するように構成されている、
Ｅ４に記載のプラズマ処理装置。

【0067】

［Ｅ６］
前記コントローラは、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲内の場合には、前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するよう、前記ポンプを制御するように構成され
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲外の場合には、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記ポンプを制御するように構成されている、
Ｅ５に記載のプラズマ処理装置。

【0068】

［Ｅ７］
前記供給器は、
前記ポンプと前記第１のタンクとの間で接続された流量調整バルブと、
前記第１の配管における前記伝熱媒体の第１の流量を測定するように構成された第１の流量計と、
前記第３の配管における前記伝熱媒体の第２の流量を測定するように構成された第２の流量計と、
前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するように、前記流量調整バルブを制御するように構成されたコントローラと、
を更に有する、Ｅ１～Ｅ３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0069】

［Ｅ８］
前記供給器は、前記第１のタンク及び前記第２のタンクのうち一方における前記伝熱媒体の液面の高さ位置を測定するように構成された液面センサを更に有し、
前記コントローラは、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記流量調整バルブを制御するように構成されている、
を更に有する、Ｅ７に記載のプラズマ処理装置。

【0070】

［Ｅ９］
前記コントローラは、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲内の場合には、前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するよう、前記流量調整バルブを制御するように構成され、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲外の場合には、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記流量調整バルブを制御するように構成されている、
Ｅ８に記載のプラズマ処理装置。

【0071】

［Ｅ１０］
前記チャンバ内に配置された基板支持部を更に備え、
前記少なくとも一つの温度調整対象物は、前記基板支持部を含む、
Ｅ１～Ｅ９の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0072】

［Ｅ１１］
前記チャンバ内に配置された基板支持部と、
前記基板支持部の上方に配置された上部電極と、
を更に備え、
前記少なくとも一つの温度調整対象物は、前記基板支持部及び前記上部電極の少なくとも一方を含む、
Ｅ１～Ｅ９の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0073】

［Ｅ１２］
前記少なくとも一つの温度調整対象物は、前記チャンバの側壁を含む、
Ｅ１～Ｅ１１の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0074】

［Ｅ１３］
前記第１のタンク及び前記第２のタンクは、それらの内部の圧力を大気圧に設定するように前記チャンバ外に配置される、
Ｅ１～Ｅ１２の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0075】

［Ｅ１４］
前記供給器は、前記流路と前記第２のタンクとの間で接続された少なくとも一つのバルブを更に有する、
Ｅ１～Ｅ１３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。

【0076】

［Ｅ１５］
前記少なくとも一つのバルブは、シャットオフバルブ及び／又は流量調整バルブを含む、Ｅ１４に記載のプラズマ処理装置。

【0077】

［Ｅ１６］
前記シャットオフバルブ及び前記流量調整バルブは、前記流路と前記第２のタンクとの間で直列的に接続されている、Ｅ１５に記載のプラズマ処理装置。

【0078】

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。

【符号の説明】

【0079】

１，１Ａ…プラズマ処理装置、５ａ…第１の配管、５ｂ…第２の配管、５ｃ……第３の配管、５ｄ…流量調整バルブ、５ｅ…少なくとも一つのバルブ、５ｆ…シャットオフバルブ、５ｇ…流量調整バルブ、１０…チャンバ、１０ａ…側壁、１１…基板支持部、１２…プラズマ生成部、１３ｄ…上部電極、１４…温度調整対象物、５０，５０Ａ…供給器、５１…第１のタンク、５２…第２のタンク、５３…ポンプ、５４…熱交換器、５５…第１の流量計、５６…第２の流量計、５７…コントローラ、５８…液面センサ、１１１０ａ…流路、Ｈ１，Ｈ２…位置、Ｌ…伝熱液体、Ｍ…伝熱媒体。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】