特開 2024-134690 絶縁被覆電線及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024134690

(43)【公開日】2024-10-04

(54)【発明の名称】絶縁被覆電線及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01B 7/02 20060101AFI20240927BHJP

   H01B 13/16 20060101ALI20240927BHJP

【ＦＩ】

H01B7/02 A

H01B13/16 B

H01B13/16 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023045018

(22)【出願日】2023-03-22

(71)【出願人】

【識別番号】000005083

【氏名又は名称】株式会社プロテリアル

(74)【代理人】

【識別番号】110002583

【氏名又は名称】弁理士法人平田国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 秀幸

(72)【発明者】

【氏名】寺木 直人

(72)【発明者】

【氏名】岸 雅通

(72)【発明者】

【氏名】樫村 誠一

(72)【発明者】

【氏名】末永 和史

(72)【発明者】

【氏名】菅沼 かなこ

【テーマコード（参考）】

5G309

5G325

【Ｆターム（参考）】

5G309MA02

5G309MA18

5G325KA01

5G325KB01

5G325KC02

(57)【要約】

【課題】滑り性が高く、かつ絶縁被覆層の強度が高い絶縁被覆電線、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属導体２の外周を絶縁被覆層３で被覆してなる絶縁被覆電線１において、絶縁被覆層３は、フッ素系微粒子を滑剤として有する滑剤層３２を最外層に有し、滑剤層３２の内層にフッ素系微粒子を含むエナメル絶縁層３１を有する。これにより、エナメル絶縁層３１のフッ素系微粒子と滑剤層３２のフッ素系微粒子とが接合し、エナメル絶縁層３１への滑剤層３２の高い密着性が得られる。絶縁被覆電線１の製造方法は、滑剤層３２を形成する工程として、フッ素系微粒子を液状の分散媒に分散させた分散液５０２をエナメル絶縁層３１の外周に付着させて乾燥及び焼成させる工程を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属導体の外周を絶縁被覆層で被覆してなる絶縁被覆電線であって、
前記絶縁被覆層は、フッ素系微粒子を滑剤として有する滑剤層を最外層に有し、前記滑剤層の内層にフッ素系微粒子を含むエナメル絶縁層を有する、
絶縁被覆電線。

【請求項2】

前記滑剤層の前記フッ素系微粒子と前記エナメル絶縁層の前記フッ素系微粒子とが同種のものである、
請求項１に記載の絶縁被覆電線。

【請求項3】

前記滑剤層及び前記エナメル絶縁層の前記フッ素系微粒子は、ポリテトラフルオロエチレンの微粒子、又はパーフルオロアルコキシアルカンの微粒子である、
請求項２に記載の絶縁被覆電線。

【請求項4】

前記エナメル絶縁層における前記フッ素系微粒子の割合が０．５ｗｔ％以上６０．０ｗｔ％以下である、
請求項３に記載の絶縁被覆電線。

【請求項5】

前記エナメル絶縁層の前記フッ素系微粒子がポリテトラフルオロエチレンの微粒子であり、
前記滑剤層は、前記フッ素系微粒子としてのポリテトラフルオロエチレンの微粒子に加え、パーフルオロアルコキシアルカンの微粒子を含む、
請求項１乃至４の何れか１項に記載の絶縁被覆電線。

【請求項6】

前記滑剤層におけるパーフルオロアルコキシアルカンの微粒子の割合が０．５ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下である、
請求項５に記載の絶縁被覆電線。

【請求項7】

前記金属導体の外径が１０μｍ以上５０μｍ以下であり、
前記絶縁被覆層の厚さが３μｍ以上１０μｍ以下であり、
前記滑剤層の厚さが１μｍ以上８μｍ以下であり、
前記エナメル絶縁層の厚さが１μｍ以上８μｍ以下である、
請求項１に記載の絶縁被覆電線。

【請求項8】

糸状の絶縁線を備え、
前記絶縁線の外周に前記金属導体が被覆されている、
請求項１に記載の絶縁被覆電線。

【請求項9】

前記金属導体は、銅、銀、及びアルミニウムの少なくとも何れかを含む合金又は単一金属からなる、
請求項１又は８に記載の絶縁被覆電線。

【請求項10】

前記金属導体は、銅、銀、及びアルミニウムの少なくとも何れかを含む合金又は単一金属の表面にめっきが施されている、
請求項１又は８に記載の絶縁被覆電線。

【請求項11】

請求項１に記載の絶縁被覆電線の製造方法であって、
前記滑剤層を形成する工程として、前記フッ素系微粒子を液状の分散媒に分散させた分散液をエナメル絶縁層の外周に付着させて乾燥及び焼成させる工程を有する、
絶縁被覆電線の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、金属導体の外周を絶縁被覆層で被覆してなる絶縁被覆電線、及び絶縁被覆電線の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、導線上にエナメル被覆層を形成してなるエナメル線には、自己潤滑性が高められたものがある。本出願人は、このような自己潤滑性エナメル線として、特許文献１、２に記載のものを提案している。

【0003】

特許文献１に記載の自己潤滑性エナメル線は、導線上に設けられたエナメル皮膜層の外層に、ポリアミド樹脂にワックスとシランカップリングとを配合して成る潤滑層が設けられている。特許文献２に記載の自己潤滑性エナメル線は、導線上に設けられたポリエステルイミドエナメル皮膜層の外層に、３～４μｍの厚さとなるようにポリアミドイミド樹脂塗料が塗布及び焼き付けされている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００２－３５８８３５号公報

【特許文献2】特開平１０－７７４４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

エナメル線の用途によっては、より高い滑り性が求められる場合がある。例えば、複数のエナメル線が細径のチューブ内に収容されて繰り返し屈曲される場合である。また、滑り性を高めるために、エナメル線の最外層に固体潤滑性の高い層を形成する場合には、この層が容易に剥離してしまわないように、層の密着強度が高いことも必要である。なお、ここで滑り性とは、線材が他の物体とが接触しているとき、他の物体に対して滑りやすい性質をいう。

【0006】

本発明は、滑り性が高く、かつ絶縁被覆層の強度が高い絶縁被覆電線、及びその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明は、上記課題を解決することを目的として、金属導体の外周を絶縁被覆層で被覆してなる絶縁被覆電線であって、前記絶縁被覆層は、フッ素系微粒子を滑剤として有する滑剤層を最外層に有し、前記滑剤層の内層にフッ素系微粒子を含むエナメル絶縁層を有する、絶縁被覆電線を提供する。

【0008】

また、本発明は、上記の絶縁被覆電線の製造方法であって、前記滑剤層を形成する工程として、前記フッ素系微粒子を液状の分散媒に分散させた分散液をエナメル絶縁層の外周に付着させて乾燥及び焼成させる工程を有する、絶縁被覆電線の製造方法。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、滑り性が高く、かつ絶縁被覆層の強度が高い絶縁被覆電線、及びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１の実施の形態に係る絶縁被覆電線の断面図である。

【図2】エナメル絶縁層と滑剤層との密着性を説明するために示す説明図である。

【図3】絶縁被覆電線を製造するための製造装置の構成例を示す模式図である。

【図4】エナメル絶縁層形成工程を銅板に対して施してエナメル絶縁層を形成した絶縁被覆銅板の表面の画像である。

【図5】第１の実施の形態に係る複数の絶縁被覆電線を有するカテーテルチューブの断面図である。

【図6】第２の実施の形態に係る絶縁被覆電線の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る絶縁被覆電線の断面図である。この絶縁被覆電線１は、線状の金属導体２と、金属導体２の外周を被覆する絶縁被覆層３とを有している。絶縁被覆層３は、電気絶縁性を有している。

【0012】

金属導体２は、導電性が高い金属元素である銅、銀、及びアルミニウムの少なくとも何れかを含む合金、又は銅、銀、及びアルミニウムの何れかの単一金属からなる。また、これらの合金又は単一金属からなる芯材の表面に、例えば錫などの金属のめっきを施しためっき線、あるいは芯材の表面に異種金属を圧延して接合したクラッド線を、金属導体２としてもよい。本実施の形態では、金属導体２の断面が円形であり、その導体径である外径Ｄ_２が１０μｍ以上５０μｍ以下である。

【0013】

絶縁被覆層３は、エナメル絶縁層３１及び滑剤層３２からなる二層構造であり、エナメル絶縁層３１が金属導体２の直上に形成され、エナメル絶縁層３１の直上に滑剤層３２が形成されている。滑剤層３２は、絶縁被覆層３の最外層であり、エナメル絶縁層３１が滑剤層３２の内層にあたる。絶縁被覆層３の全体の厚さＴ_３は、３μｍ以上１０μｍ以下である。エナメル絶縁層３１の厚さＴ_３１及び滑剤層３２の厚さＴ_３２は、それぞれ１μｍ以上８μｍ以下である。なお、これらの厚さＴ_３，Ｔ_３１，Ｔ_３２は、各層の厚さを複数箇所（例えば、４か所）で測定して平均した平均厚さである。各層の厚さは、例えば絶縁被覆電線１の長手方向に垂直な断面のＳＥＭ画像（例えば、倍率１０００倍）により測定することができる。

【0014】

滑剤層３２は、フッ素系微粒子を滑剤として有しており、この滑剤により絶縁被覆電線１の外表面１ａが低摩擦係数化されて絶縁被覆電線１の滑り性が高められている。また、エナメル絶縁層３１にも、滑剤層３２と同種のフッ素系微粒子が含まれている。滑剤層３２は、主成分がフッ素系樹脂であり、体積当たりのフッ素系樹脂の含有量がエナメル絶縁層３１よりも多い。なお、滑剤層３２がフッ素系樹脂のみからなるものあってもよい。

【0015】

エナメル絶縁層３１及び滑剤層３２のフッ素系微粒子は、例えば乳化重合法や粉砕法によって製造することができる。フッ素系微粒子の平均粒径は、例えば１．０μｍ以下である。フッ素系微粒子の平均粒径は、０．２μｍ以上０．５μｍ以下であることが特に好ましい。フッ素系微粒子の平均粒径は、マイクロトラック社製の粒子径分布測定装置（ＭＴ３０００II）を用いてレーザ回折法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径である。なお、フッ素系微粒子は、架橋されていてもよく架橋されていなくてもよい。

【0016】

エナメル絶縁層３１及び滑剤層３２のフッ素系微粒子としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の微粒子、又はパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の微粒子を好適に用いることができる。滑剤層３２のフッ素系微粒子がポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の微粒子である場合、エナメル絶縁層３１にもポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の微粒子が含まれる。また、滑剤層３２のフッ素系微粒子がパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の微粒子である場合、エナメル絶縁層３１にもパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の微粒子が含まれる。

【0017】

この構成により、エナメル絶縁層３１のフッ素系微粒子と滑剤層３２のフッ素系微粒子が強固に接合して滑剤層３２のエナメル絶縁層３１への密着強度が強くなる。そして、絶縁被覆電線１が周辺の部材と擦れあっても、滑剤層３２がエナメル絶縁層３１から剥離してしまうことが抑止される。

【0018】

エナメル絶縁層３１におけるフッ素系微粒子の割合は、０．５ｗｔ％以上６０．０ｗｔ％以下である。この割合が０．５ｗｔ％未満であると、滑剤層３２との密着強度を高める効果が必ずしも十分ではなく、６０．０ｗｔ％を超えると、エナメル絶縁層３１のフッ素系微粒子が脱落しやすくなるためである。また、エナメル絶縁層３１の接着力を向上させつつ耐電圧の低下を防ぎ、十分な耐電圧を確保する観点からは、エナメル絶縁層３１におけるフッ素の含有量が、１．０ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることが好ましい。なお、エナメル絶縁層３１におけるフッ素系微粒子の割合は、例えばエネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）により測定することができる。ＥＤＸで検出されるフッ素の含有量は、例えば０．５ｗｔ％以上４５．６ｗｔ％以下である。

【0019】

図２は、エナメル絶縁層３１と滑剤層３２との密着性を説明するために、エナメル絶縁層３１と滑剤層３２との境界部を拡大して示す説明図である。ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の微粒子やパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の微粒子は、実際には大きさや形状が様々な不定形状であるが、図２では、エナメル絶縁層３１のフッ素系微粒子３１０、及び滑剤層３２のフッ素系微粒子３２０を、それぞれ円形として模式的に示している。

【0020】

エナメル絶縁層３１は、例えばポリイミド等のベースポリマー材料からなるベース部３１１に多数のフッ素系微粒子３１０が分散混合されており、このうち一部のフッ素系微粒子３１０がエナメル絶縁層３１の外表面３１ａに露出している。外表面３１ａに露出したフッ素系微粒子３１０は、その一部分がベース部３１１に埋まった状態である。ベース部３１１は、イミド系樹脂からなるワニスを焼付処理して形成されている。

【0021】

滑剤層３２は、フッ素系微粒子３２０がエナメル絶縁層３１の外表面３１ａに露出したフッ素系微粒子３１０に結合して形成されている。エナメル絶縁層３１は、金属導体２と滑剤層３２との間に介在し、絶縁被覆層３の強度を高めるプライマとして機能する。

【0022】

図３は、金属導体２の外周に絶縁被覆層３を形成して絶縁被覆電線１を製造するための製造装置４の構成例を示す模式図である。製造装置４は、送り出しリール４０１から送り出される金属導体２にエナメル絶縁層３１及び滑剤層３２を順次形成し、巻き取りリール４０２に絶縁被覆電線１を巻き取るように構成されている。図４では、送り出しリール４０１から巻き取りリール４０２に至る金属導体２の移動方向を複数の矢印で示している。図４の上下は、鉛直方向の上下に対応している。

【0023】

製造装置４は、第１乃至第８のガイドローラ４１１～４１８と、第１及び第２のタンク４２１，４２２と、第１及び第２の電気炉４３１，４３２とを有している。第１のタンク４２１には、液状のワニスにフッ素系微粒子が混合された混合ワニス５０１が貯留されている。第２のガイドローラ４１２及び第３のガイドローラ４１３は、第１のタンク４２１内に配置されている。

【0024】

第２のタンク４２２には、分散質としてのフッ素系微粒子を液状の分散媒に分散させた分散液５０２が貯留されている。分散液５０２の分散媒としては、水系のものを好適に用いることができる。第６のガイドローラ４１６及び第７のガイドローラ４１７は、第２のタンク４２２内に配置されている。

【0025】

第１のガイドローラ４１１は、第２のガイドローラ４１２の上方に配置されており、送り出しリール４０１から送り出された金属導体２が第１のガイドローラ４１１を経て第１のタンク４２１内に進入し、混合ワニス５０１に浸漬される。この際、金属導体２の外周に混合ワニス５０１が付着する。第４のガイドローラ４１４は、第３のガイドローラ４１３の上方に配置されており、第３のガイドローラ４１３と第４のガイドローラ４１４との間に第１の電気炉４３１が配置されている。

【0026】

第５のガイドローラ４１５は、第６のガイドローラ４１６の上方で第４のガイドローラ４１４の側方に配置されている。第８のガイドローラ４１８は、第７のガイドローラ４１７の上方に配置され、第７のガイドローラ４１７と第８のガイドローラ４１８との間に第２の電気炉４３２が配置されている。

【0027】

金属導体２に付着した混合ワニス５０１は、第１の電気炉４３１によって加熱されて焼成され、エナメル絶縁層３１が形成される。エナメル絶縁層３１の焼成温度は、ベース部３１１が架橋される温度であり、例えば３２０℃である。以下、エナメル絶縁層３１が形成された状態の金属導体２を、エナメル金属導体線１０という。

【0028】

エナメル金属導体線１０は、第４のガイドローラ４１４及び第５のガイドローラ４１５にガイドされて第２のタンク４２２に向かい、第６のガイドローラ４１６及び第７のガイドローラ４１７にガイドされて分散液５０２に浸漬される。エナメル金属導体線１０に付着した分散液５０２は、第２の電気炉４３２によって乾燥及び焼成される。この際、エナメル絶縁層３１の表面に露出したフッ素系微粒子に分散液５０２のフッ素系微粒子が溶融接合して滑剤層３２が形成される。滑剤層３２の焼成温度は、第１の電気炉４３１によるエナメル絶縁層３１の焼成温度よりも高く、例えば４８０℃である。滑剤層３２が形成された絶縁被覆電線１は、第８のガイドローラ４１８にガイドされて巻き取りリール４０２に巻き取られる。

【0029】

このように、絶縁被覆電線１の製造方法は、金属導体２に混合ワニス５０１を付着させて焼成し、エナメル絶縁層３１を形成するエナメル絶縁層形成工程と、分散液５０２をエナメル絶縁層３１の外周に付着させて乾燥及び焼成させ、滑剤層３２を形成する滑剤層形成工程とを有している。なお、１回のエナメル絶縁層形成工程で形成されるエナメル絶縁層３１の厚さが十分でない場合には、エナメル絶縁層形成工程を複数回行ってエナメル金属導体線１０を製造してもよい。また、１回の滑剤層形成工程で形成される滑剤層３２の厚さが十分でない場合には、滑剤層形成工程を複数回行って絶縁被覆電線１を製造してもよい。

【0030】

図４は、上記と同様のエナメル絶縁層形成工程を銅板に対して施してエナメル絶縁層３１を形成したエナメル被覆銅板の表面のＳＥＭ－ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析）画像である。ここでは、エナメル絶縁層３１におけるフッ素系微粒子（ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の微粒子）の割合を概ね４０ｗｔ％としている。図４では、エナメル絶縁層３１の表面においてフッ素が分布している部分が淡色で示されている。

【0031】

このようにして形成されたエナメル絶縁層３１の上に、上記と同様の方法により滑剤層３２を形成し、指で軽くこすってみたところ、滑剤層３２がより剥がれ難いことを確認した。

【0032】

図５は、本実施の形態に係る複数の絶縁被覆電線１を用いたカテーテルチューブ１００の断面図である。カテーテルチューブ１００は、複数の絶縁被覆電線１をシース１０１によって被覆して構成されており、その先端部を含む長手方向の一部分が人体内に挿入される。複数の絶縁被覆電線１のそれぞれは、電気信号を伝送し、あるいは人体内に挿入される電子部品に動作電源を供給する。

【0033】

このようなカテーテルチューブ１００は、低侵襲性を高めて被検者の負担を軽減するために、細径であることが望ましい。また、カテーテルチューブ１００は、複数箇所で屈曲されながら人体内に挿入されるため、カテーテルチューブ１００内で絶縁被覆電線１同士が擦れ合っても絶縁被覆層３が摩擦によって摩耗等しないことが重要である。

【0034】

本実施の形態に係る絶縁被覆電線１を用いたカテーテルチューブ１００は、このような要請に応えることが可能である。また、絶縁被覆電線１では、例えば長期の使用によって仮に滑剤層３２の一部が剥がれた場合であっても、その内層にエナメル絶縁層３１が存在しているので、絶縁被覆電線１同士の短絡を防ぐことができる。

【0035】

また、カテーテルチューブ１００の端末処理の作業性を向上するためには、複数の絶縁被覆電線１を色分けすることが望ましい。この色分けは、エナメル絶縁層３１及び滑剤層３２の少なくとも何れかに顔料を含有させることにより実現可能である。この顔料としては、滑剤層３２の焼結時の熱の影響を受けて劣化しないように、有機顔料よりも無機顔料とすることが好ましい。滑剤層３２は半透明であるため、エナメル絶縁層３１のみに無機顔料を含有させた場合でも、作業時に滑剤層３２の外部からエナメル絶縁層３１の色を認識することが可能である。また、エナメル絶縁層３１のみに無機顔料を含有させることにより、滑剤層３２の滑り性を維持しながらも絶縁被覆電線１を色分けすることが可能となる。無機顔料としては、例えば酸化チタン、酸化鉄、酸化亜鉛を好適に用いることができる。

【0036】

（第１の実施の形態の作用及び効果）
以上説明した第１の実施の形態によれば、最外層である滑剤層３２が滑剤としてフッ素系微粒子を有しているため、高い滑り性が得られる。また、図２を参照して説明したように、エナメル絶縁層３１のフッ素系微粒子３１０と滑剤層３２のフッ素系微粒子３２０が接合することにより、エナメル絶縁層３１への滑剤層３２の高い密着性が得られる。つまり、本実施の形態によれば、滑り性が高く、かつ絶縁被覆層３の強度が高い絶縁被覆電線１が得られる。

【0037】

ここで、一般に、導体径が例えば５０μｍ以下の極細の金属導体線に対しては、その外周にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂を溶融押出にすることが困難であり、また、このような極細の金属導体線の外周に厚いエナメル層を形成した上で、その外周にフッ素樹脂を溶融押出にする場合には、電線径が太くなってしまうが、本実施の形態によれば、エナメル絶縁層３１と滑剤層３２との組み合わせによって絶縁被覆層３を形成することにより、細径で高い固体潤滑性を有し、かつ絶縁被覆層３の強度が高い絶縁被覆電線１を得ることができる。

【0038】

［第１の実施の形態の変形例］
エナメル絶縁層３１に含まれるフッ素系微粒子をポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の微粒子とする場合、上記のように滑剤層３２のフッ素系微粒子をポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の微粒子とすることにより滑剤層３２の密着強度を高めることができるが、この滑剤層３２に、少量（ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の微粒子よりも少ない量）のパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の微粒子を含ませてもよい。

【0039】

パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）は、熱による融着性が高く、パーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の微粒子を滑剤層３２に含有させることにより、滑剤層３２のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の微粒子同士が強固に結び付けられ、滑剤層３２の一部が例えば摩擦によって剥がれて薄くなってしまうことや、滑剤層３２に微細なピンホールができてしまうことを抑制できる。

【0040】

滑剤層３２におけるパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の微粒子の割合は、具体的には０．５ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下であるとよい。０．５ｗｔ％未満ではパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の微粒子を含有させることによる効果が得られにくくなるためである。滑剤層３２におけるパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の微粒子の割合の上限値は、特に制限は無いが、例えば５．０ｗｔ％以下としてもよい。

【0041】

この変形例によれば、高い滑り性を保ちながら、絶縁被覆層３の強度をさらに高めることが可能となる。なお、このような滑剤層３２は、滑剤層形成工程で用いる分散液５０２の分散質として、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の微粒子に加えてパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）の微粒子を含めることにより形成することができる。

【0042】

［第２の実施の形態］
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る絶縁被覆電線１Ａの断面図である。この絶縁被覆電線１Ａは、中心部に絶縁体からなる糸状の絶縁線２０を備え、この絶縁線２０の外周に金属導体２が被覆された構成が、第１の実施の形態に係る絶縁被覆電線１と異なる。絶縁被覆電線１Ａのその他の構成や材質、金属導体２の外径Ｄ_２、ならびに絶縁被覆層３の厚さＴ_３、エナメル絶縁層３１の厚さＴ_３１、及び滑剤層３２の厚さＴ_３２は、第１の実施の形態と同様である。金属導体２の外径Ｄ_２は、例えば、１０μｍ～５０μｍとすることが好ましい。

【0043】

絶縁線２０としては、例えばポリエステル系合成繊維や、ナイロン糸を含むポリアミド系合成繊維等のフッ素樹脂の焼結温度に耐えられる樹脂繊維を用いることができる。金属導体２は、絶縁線２０へのめっきによって形成されている。この場合、めっき厚さＴ_２０は、例えば０．２μｍ以上５．０μｍ以下とすることができる。めっき厚さＴ_２０が０．２μｍよりも小さいと、十分な導電率が確保できず、まためっき層の強度が小さく罅割れしやすく、導通不良の原因となる。また、めっき厚さＴ_２０が５．０μｍよりも大きいめっきの形成は困難であると共に、仮にめっき厚さを５．０μｍよりも大きくした場合にはめっき層が硬くなって罅割れしやすく、導通不良の原因となる。

【0044】

この第２の実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様に、滑り性が高く、かつ絶縁被覆層３の強度が高い絶縁被覆電線１Ａが得られる。また、外径Ｄ_２が５０μｍ以下の金属導体２を伸線加工によって形成する場合に比較して、製造コストを低減することが可能となる。

【0045】

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

【0046】

［１］金属導体（２）の外周を絶縁被覆層（３）で被覆してなる絶縁被覆電線（１，１Ａ）であって、前記絶縁被覆層（３）は、フッ素系微粒子（３２０）を滑剤として有する滑剤層（３２）を最外層に有し、前記滑剤層（３２）の内層にフッ素系微粒子（３１０）を含むエナメル絶縁層（３１）を有する、絶縁被覆電線（１，１Ａ）。

【0047】

［２］前記滑剤層（３２）の前記フッ素系微粒子（３２０）と前記エナメル絶縁層（３１）の前記フッ素系微粒子（３１０）とが同種のものである、上記［１］に記載の絶縁被覆電線（１，１Ａ）。

【0048】

［３］前記滑剤層（３２）及び前記エナメル絶縁層（３１）の前記フッ素系微粒子（３２０，３１０）は、ポリテトラフルオロエチレンの微粒子、又はパーフルオロアルコキシアルカンの微粒子である、上記［２］に記載の絶縁被覆電線（１，１Ａ）。

【0049】

［４］前記エナメル絶縁層（３１）における前記フッ素系微粒子（３１０）の割合が０．５ｗｔ％以上６０．０ｗｔ％以下である、上記［３］に記載の絶縁被覆電線（１，１Ａ）。

【0050】

［５］前記エナメル絶縁層（３１）の前記フッ素系微粒子（３１０）がポリテトラフルオロエチレンの微粒子であり、前記滑剤層（３２）は、前記フッ素系微粒子（３２０）としてのポリテトラフルオロエチレンの微粒子に加え、パーフルオロアルコキシアルカンの微粒子を含む、上記［１］乃至［４］の何れかに記載の絶縁被覆電線（１，１Ａ）。

【0051】

［６］前記滑剤層（３２）におけるパーフルオロアルコキシアルカンの微粒子（３２０）の割合が０．５ｗｔ％以上５．０ｗｔ％以下である、上記［５］に記載の絶縁被覆電線（１，１Ａ）。

【0052】

［７］前記金属導体（２）の外径（Ｄ_２）が１０μｍ以上５０μｍ以下であり、前記絶縁被覆層（３）の厚さ（Ｔ_３）が３μｍ以上１０μｍ以下であり、前記滑剤層（３２）の厚さ（Ｔ_３２）が１μｍ以上８μｍ以下であり、前記エナメル絶縁層（３１）の厚さ（Ｔ_３１）が１μｍ以上８μｍ以下である、上記［１］に記載の絶縁被覆電線（１，１Ａ）。

【0053】

［８］糸状の絶縁線（２０）を備え、前記絶縁線（２０）の外周に前記金属導体（２）が被覆されている、上記［１］に記載の絶縁被覆電線（１Ａ）。

【0054】

［９］前記金属導体（２）は、銅、銀、及びアルミニウムの少なくとも何れかを含む合金又は単一金属からなる、上記［１］又は［８］に記載の絶縁被覆電線（１，１Ａ）。

【0055】

［１０］前記金属導体（２）は、銅、銀、及びアルミニウムの少なくとも何れかを含む合金又は単一金属の表面にめっきが施されている、上記［１］又は［８］に記載の絶縁被覆電線（１，１Ａ）。

【0056】

［１１］上記［１］に記載の絶縁被覆電線（１，１Ａ）の製造方法であって、前記滑剤層（３２）を形成する工程として、前記フッ素系微粒子（３２０）を液状の分散媒に分散させた分散液（５０２）をエナメル絶縁層（３１）の外周に付着させて乾燥及び焼成させる工程を有する、絶縁被覆電線（１，１Ａ）の製造方法。

【0057】

以上、本発明の第１及び第２の実施の形態ならびに変形例を説明したが、これらの記載は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、第１及び第２の実施の形態ならびに変形例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。例えば、第１の実施の形態では、複数の絶縁被覆電線１をカテーテルチューブ１００に用いた場合について説明したが、絶縁被覆電線１や絶縁被覆電線１Ａの用途はこれに限らない。

【符号の説明】

【0058】

１，１Ａ…絶縁被覆電線 ２…金属導体
３…絶縁被覆層 ３１…エナメル絶縁層
３２…滑剤層 ３１０，３２０…フッ素系微粒子
５０１…混合ワニス ５０２…分散液

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】