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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024134695
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】プラズマ処理装置
(51)【国際特許分類】
H05H 1/46 20060101AFI20240927BHJP
H01L 21/31 20060101ALI20240927BHJP
C23C 16/509 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H05H1/46 B
H01L21/31 C
C23C16/509
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023045025
(22)【出願日】2023-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100113435
【弁理士】
【氏名又は名称】黒木 義樹
(74)【代理人】
【識別番号】100122507
【弁理士】
【氏名又は名称】柏岡 潤二
(72)【発明者】
【氏名】平山 昌樹
【テーマコード（参考）】
2G084
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
2G084AA05
2G084CC14
2G084CC33
2G084DD04
2G084DD11
2G084DD23
2G084FF04
2G084FF15
2G084FF32
2G084FF38
2G084HH20
4K030GA02
4K030KA17
4K030KA26
4K030KA30
4K030KA32
4K030KA34
4K030KA46
5F045AA08
5F045BB02
5F045DP03
5F045EC05
5F045EF05
5F045EF11
5F045EH05
5F045EH08
5F045EH14
5F045EJ05
5F045EJ10
5F045EK07
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理装置の励起電極に対する温度調整のための熱媒体の流れの周方向における均一性を高める技術を提供する。
【解決手段】開示されるプラズマ処理装置では、励起電極の下のプラズマ生成空間に放出部から電磁波を供給するように構成されている。プラズマ処理装置は、温調器を備える。温調器は、複数のファンを含み、流路を提供する。複数のファンは、励起電極の上方で中心軸線の周りで等間隔に配列されている。流路は、中心軸線に対して軸対称又は回転対称である。温調器の流路は、第１の部分流路及び第２の部分流路を含む。第１の部分流路は、励起電極の上面に沿って延びている。第２の部分流路は、複数のファンと第１の部分流路との間で反対方向に交互に延びている。
【選択図】図１
【解決手段】開示されるプラズマ処理装置では、励起電極の下のプラズマ生成空間に放出部から電磁波を供給するように構成されている。プラズマ処理装置は、温調器を備える。温調器は、複数のファンを含み、流路を提供する。複数のファンは、励起電極の上方で中心軸線の周りで等間隔に配列されている。流路は、中心軸線に対して軸対称又は回転対称である。温調器の流路は、第１の部分流路及び第２の部分流路を含む。第１の部分流路は、励起電極の上面に沿って延びている。第２の部分流路は、複数のファンと第１の部分流路との間で反対方向に交互に延びている。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
その内部において処理空間を提供するチャンバと、
前記処理空間内に設けられた基板支持部と、
前記基板支持部の上方に設けられた励起電極と、
前記励起電極の下のプラズマ生成空間に電磁波を放出するように設けられており、前記チャンバ及び前記励起電極の中心軸線の周りで延在する放出部と、
前記励起電極の上面に沿って熱媒体を供給するように構成された温調器と、
を含み、
前記温調器は、前記熱媒体の流れを形成するように構成された複数のファンを含み、前記複数のファンの各々と前記励起電極との間に前記熱媒体のための流路を提供し、
前記複数のファンは、前記励起電極の上方で前記中心軸線の周りで等間隔に配列されており、
前記流路は、前記中心軸線に対して軸対称又は回転対称であり、
前記励起電極の前記上面に沿って延びる第１の部分流路と、
前記複数のファンと前記第１の部分流路との間で反対方向に交互に延びる第２の部分流路と、
を含む、
プラズマ処理装置。
前記処理空間内に設けられた基板支持部と、
前記基板支持部の上方に設けられた励起電極と、
前記励起電極の下のプラズマ生成空間に電磁波を放出するように設けられており、前記チャンバ及び前記励起電極の中心軸線の周りで延在する放出部と、
前記励起電極の上面に沿って熱媒体を供給するように構成された温調器と、
を含み、
前記温調器は、前記熱媒体の流れを形成するように構成された複数のファンを含み、前記複数のファンの各々と前記励起電極との間に前記熱媒体のための流路を提供し、
前記複数のファンは、前記励起電極の上方で前記中心軸線の周りで等間隔に配列されており、
前記流路は、前記中心軸線に対して軸対称又は回転対称であり、
前記励起電極の前記上面に沿って延びる第１の部分流路と、
前記複数のファンと前記第１の部分流路との間で反対方向に交互に延びる第２の部分流路と、
を含む、
プラズマ処理装置。
【請求項2】
第１端及び第２端を含み、該第１端から該第２端まで延びる空洞を提供し、該空洞を伝搬する電磁波を該第１端と該第２端とで反射させて共振させるように構成されており、前記励起電極の上方に設けられた共振器を備え、
前記第１端は、前記第２端に対して上方に設けられており、且つ、前記中心軸線を囲むように周方向に延在しており、
前記放出部は、前記第２端からの電磁波を受けるように配置されており、
前記第２の部分流路は、前記空洞から形成されている、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記第１端は、前記第２端に対して上方に設けられており、且つ、前記中心軸線を囲むように周方向に延在しており、
前記放出部は、前記第２端からの電磁波を受けるように配置されており、
前記第２の部分流路は、前記空洞から形成されている、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】
前記共振器と前記励起電極との間に間隙を形成するように前記共振器と前記励起電極との間に設けられており、且つ、前記共振器と前記励起電極とを互いに導通させる導電性部材を更に備える、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】
前記空洞及び前記温調器の前記流路は、複数の層を有するように、前記中心軸線に近付く方向及び前記中心軸線から離れる方向に交互に延びている、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】
前記共振器は、外周部を含み、
前記外周部は、鉛直方向に沿って配列された複数の段を含み、
前記外周部は、前記複数の段のうち、最上段及び最下段を除く、一つの段において絶縁性材料から形成されている、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
前記外周部は、鉛直方向に沿って配列された複数の段を含み、
前記外周部は、前記複数の段のうち、最上段及び最下段を除く、一つの段において絶縁性材料から形成されている、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】
前記一つの段は、前記共振器内で前記電磁波の定在波の腹が形成される箇所に位置している、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】
前記一つの段は、前記周方向に沿って配列された複数の柱状体から構成されている、
請求項５に記載のプラズマ処理装置。
請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項8】
前記複数の段のうち前記一つの段を除く他の段の各々は、前記周方向に沿って配列された金属製の複数の柱状体から構成されている、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項9】
前記共振器は、前記外周部を囲む筒状且つ金属製のシールド薄板を更に備える、請求項７又は８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項10】
前記複数の層を形成し、該複数の層と交互に配列された複数の板を更に含み、
前記複数の板のうち少なくとも一つには、前記中心軸線に対して放射方向に延び、且つ、前記周方向に沿って配列された複数のスリットが形成されている、
請求項４～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記複数の板のうち少なくとも一つには、前記中心軸線に対して放射方向に延び、且つ、前記周方向に沿って配列された複数のスリットが形成されている、
請求項４～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項11】
前記複数のファンは、前記複数の層のうち最上層に接続されており、
前記最上層の鉛直方向における長さは、前記複数の層のうち他の全ての層の各々の該鉛直方向における長さよりも長い、
請求項４～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記最上層の鉛直方向における長さは、前記複数の層のうち他の全ての層の各々の該鉛直方向における長さよりも長い、
請求項４～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項12】
前記共振器は、前記中心軸線を囲む内周部を含み、
前記共振器は、前記内周部の内側に前記流路の一部として、第３の部分流路を形成し、
前記第３の部分流路は、前記第１の部分流路に繋がっており、
該プラズマ処理装置は、前記内周部の内側に設けられたヒータを更に備え、
前記複数のファンは、前記第３の部分流路から前記第１の部分流路を介して前記第２の部分流路に流れる前記熱媒体の流れを形成する、
請求項２～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記共振器は、前記内周部の内側に前記流路の一部として、第３の部分流路を形成し、
前記第３の部分流路は、前記第１の部分流路に繋がっており、
該プラズマ処理装置は、前記内周部の内側に設けられたヒータを更に備え、
前記複数のファンは、前記第３の部分流路から前記第１の部分流路を介して前記第２の部分流路に流れる前記熱媒体の流れを形成する、
請求項２～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項13】
前記励起電極は、
前記基板支持部の上方に設けられたシャワープレートと、
該シャワープレート上に設けられた上部電極であり、前記シャワープレートと該シャワープレートとの間にガス拡散室を形成する、該上部電極と、
を含み、
該プラズマ処理装置は、前記内周部の内側で鉛直方向に延びるガス管と、
を更に備え、
前記ガス管は、前記ガス拡散室に接続されており、
前記ヒータは、前記内周部の内側に配置されており、前記ガス管を囲んでいる、
請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
前記基板支持部の上方に設けられたシャワープレートと、
該シャワープレート上に設けられた上部電極であり、前記シャワープレートと該シャワープレートとの間にガス拡散室を形成する、該上部電極と、
を含み、
該プラズマ処理装置は、前記内周部の内側で鉛直方向に延びるガス管と、
を更に備え、
前記ガス管は、前記ガス拡散室に接続されており、
前記ヒータは、前記内周部の内側に配置されており、前記ガス管を囲んでいる、
請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項14】
前記第１の部分流路は、前記共振器と前記励起電極との間に提供されており、
前記励起電極は、前記第１の部分流路を形成する複数のフィンを含み、
前記複数のフィンは、前記中心軸線に対して放射方向に延び、且つ、周方向に沿って配列されている、
請求項２～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記励起電極は、前記第１の部分流路を形成する複数のフィンを含み、
前記複数のフィンは、前記中心軸線に対して放射方向に延び、且つ、周方向に沿って配列されている、
請求項２～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項15】
前記励起電極は、ヒータを内蔵している、請求項１～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項16】
前記温調器は、その中に冷媒が供給される冷却部を含み、
前記冷却部は、前記第２の部分流路の一部を形成している、
請求項１～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記冷却部は、前記第２の部分流路の一部を形成している、
請求項１～８の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【0002】
基板の処理に用いられる基板処理装置は、その部材を冷却する機構を有することがある。下記の特許文献１は、基板処理装置として、シャワーヘッドを冷却する機構を備える成膜装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００８－００１９２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、プラズマ処理装置の励起電極に対する温度調整のための熱媒体の流れの周方向における均一性を高める技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
一つの例示的実施形態においてプラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持部、励起電極、放出部、及び温調器を備える。チャンバは、その内部において処理空間を提供する。基板支持部は、処理空間内に設けられている。励起電極は、基板支持部の上方に設けられている。放出部は、励起電極の下のプラズマ生成空間に電磁波を放出するように設けられており、チャンバ及び励起電極の中心軸線の周りで延在する。温調器は、励起電極の上面に沿って熱媒体を供給するように構成されている。温調器は、熱媒体の流れを形成するように構成された複数のファンを含み、複数のファンの各々と励起電極との間に熱媒体のための流路を提供する。複数のファンは、励起電極の上方で中心軸線の周りで等間隔に配列されている。温調器の流路は、中心軸線に対して軸対称又は回転対称である。温調器の流路は、第１の部分流路及び第２の部分流路を含む。第１の部分流路は、励起電極の上面に沿って延びている。第２の部分流路は、複数のファンと第１の部分流路との間で反対方向に交互に延びている。
【発明の効果】
【0006】
一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置の励起電極に対する温度調整のための熱媒体の流れの周方向における均一性が高められる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。
【図2】別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。
【図4】更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。
【図5】更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。
【図10】更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【0009】
図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。図１に示すプラズマ処理装置１は、チャンバ１０、基板支持部１２、励起電極１４、放出部１６、及び温調器１８を備える。プラズマ処理装置１は、制御部２を更に備えていてもよい。
【0010】
チャンバ１０は、その内部において処理空間１０ｓを提供している。プラズマ処理装置１では、基板Ｗは、処理空間１０ｓの中で処理される。チャンバ１０は、アルミニウムのような金属から形成されており、接地されている。チャンバ１０は、側壁１０ａを有しており、その上端において開口されている。チャンバ１０及び側壁１０ａは、略円筒形状を有し得る。処理空間１０ｓは、側壁１０ａの内側に提供されている。チャンバ１０、側壁１０ａ、及び処理空間１０ｓの各々の中心軸線は、軸線ＡＸである。チャンバ１０は、その表面に耐腐食性を有する膜を有していてもよい。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウム膜、酸化フッ化イットリウム膜、フッ化イットリウム膜、酸化イットリウム、又はフッ化イットリウム等を含むセラミック膜であり得る。
【0011】
チャンバ１０の底部は、排気口１０ｅを提供している。排気口１０ｅには、排気装置が接続される。排気装置は、ドライポンプ及び／又はターボ分子ポンプのような真空ポンプと自動圧力制御弁を含み得る。
【0012】
基板支持部１２は、処理空間１０ｓの中に設けられている。基板支持部１２は、その上面の上に載置された基板Ｗを略水平に支持するように構成されている。基板支持部１２は、略円盤形状を有している。基板支持部１２の中心軸線は、軸線ＡＸである。
【0013】
励起電極１４は、基板支持部１２の上方に処理空間１０ｓを介して設けられている。励起電極１４は、金属（例えばアルミニウム）のような導電性材料から形成されており、略円盤形状を有している。励起電極１４の中心軸線は、軸線ＡＸである。
【0014】
放出部１６は、そこからプラズマ生成空間に電磁波を放出するために設けられている。プラズマ処理装置１において、プラズマ生成空間は、処理空間１０ｓの中、且つ、励起電極１４の下の空間である。放出部１６からプラズマ生成空間に放出される電磁波は、ＶＨＦ波又はＵＨＦ波のような高周波であり得る。放出部１６は、石英、窒化アルミニウム、又は酸化アルミニウムのような誘電体から形成されている。放出部１６は、軸線ＡＸの周りで周方向に延在している。放出部１６は、環形状を有していてもよい。放出部１６は、プラズマ生成空間又は後述するシャワープレート１４１を囲むように延在していてもよい。プラズマ処理装置１では、チャンバ１０内のガスは、放出部１６からプラズマ生成空間に放出される電磁波により励起される。その結果、プラズマ生成空間において、プラズマが生成される。
【0015】
一実施形態において、励起電極１４は、シャワープレート１４１及び上部電極１４２を含んでいてもよい。シャワープレート１４１は、基板支持部１２の上方に設けられている。シャワープレート１４１は、放出部１６と共にチャンバ１０の上端の開口を閉じている。シャワープレート１４１は、複数のガス孔１４ｈを提供している。複数のガス孔１４ｈは、シャワープレート１４１の厚さ方向（鉛直方向）に延びており、シャワープレート１４１を貫通している。
【0016】
上部電極１４２は、シャワープレート１４１上に設けられている。上部電極１４２は、シャワープレート１４１と上部電極１４２との間にガス拡散室１４ｄを形成している。ガス拡散室１４ｄには、ガス供給部２０が接続されている。ガス供給部２０からのガスは、ガス拡散室１４ｄを介して複数のガス孔１４ｈから処理空間１０ｓに吐出される。
【0017】
一実施形態において、励起電極１４は、ヒータ１４３を内蔵していてもよい。ヒータ１４３は、上部電極１４２の中に設けられていてもよい。ヒータ１４３は、ヒータ電源２２に接続されている。ヒータ１４３は、ヒータ電源２２から与えられる電力により発熱する。また、プラズマ処理装置１は、温度センサ１４４を更に備えていてもよい。温度センサ１４４は、励起電極１４又は上部電極１４２に中に設けられていてもよい。温度センサ１４４は、例えば熱電対を含む。温度センサ１４４は、励起電極１４の温度を測定する。プラズマ処理装置１では、温度センサ１４４によって測定された温度測定値と励起電極１４の目標温度値との差を減少させるように、ヒータ電源２２及び後述する複数のファンが、制御部２によって制御される。
【0018】
制御部２は、プロセッサ、メモリのような記憶部、及び通信インタフェイスを含むコンピュータ装置である。制御部２は、制御プログラムを実行して、レシピデータに従ってプラズマ処理装置１の各部を制御するように構成されている。
【0019】
プラズマ処理装置１は、共振器３０を更に備えていてもよい。共振器３０は、励起電極１４の上方に設けられている。共振器３０は、空洞３２を提供している。空洞３２は、金属のような導電性材料から形成された壁によって形成されている。共振器３０は、第１端３０１及び第２端３０２を含む。第１端３０１は、第２端３０２に対して上方に設けられている。第１端３０１は、軸線ＡＸを囲むように周方向に延在している。第１端３０１は、共振器３０の外周部３０ｏによって提供されている。第２端３０２は、励起電極１４に対して外側で、放出部１６に結合されている。共振器３０は、空洞３２内で伝搬する電磁波を、第１端３０１と第２端３０２とで反射させて共振させるように構成されている。共振器３０内で共振した電磁波は、第２端３０２から放出部１６に供給されて、プラズマ生成空間に放出される。
【0020】
共振器３０の空洞３２は、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称に構成されている。空洞３２は、上部３２１及び曲折部３２２を含んでいてもよい。上部３２１は、第１端３０１から、軸線ＡＸに近付く方向に、共振器３０の内周部３０ｉまで延びている。曲折部３２２は、上部３２１の内側端部から第２端３０２まで延びている。曲折部３２２は、反対方向に交互に折れ曲がっている。プラズマ処理装置１において、反対方向は、上方及び下方である。即ち、曲折部３２２は、上下方向に交互に延びるよう蛇行している。
【0021】
プラズマ処理装置１は、高周波電源３４を更に備えていてもよい。高周波電源３４は、高周波電力を発生するように構成されている。チャンバ１０内に導入される電磁波は、高周波電源３４によって発生される高周波電力に基づいて発生する。高周波電源３４は、同軸線路を用いて共振器３０に直結されていてもよい。即ち、高周波電源３４は、インピーダンス整合用の整合器を介さずに、共振器３０の導波路に結合されていてもよい。同軸線路は、共振器３０への接続部として、コネクタ３６を含んでいてもよい。コネクタ３６は、上部３２１から共振器３０内に電磁波を導入するよう、共振器３０に接続されていてもよい。この場合に、コネクタ３６の内導体は、上部３２１を下方から画成する壁に接続され、コネクタ３６の外導体は、上部３２１を上方から画成する壁（上壁３０ｕ）に接続される。
【0022】
上述したように、プラズマ処理装置１は、温調器１８を備えている。温調器１８は、励起電極１４の上面に沿って熱媒体を供給するように構成されている。熱媒体は、プラズマ処理装置１の外部の空気である。しかしながら、熱媒体は、他の気体であってもよい。
【0023】
温調器１８は、複数のファン４０を含んでおり、流路４２を提供している。複数のファン４０は、励起電極１４の上方で軸線ＡＸの周りで略等間隔に配列されている。複数のファン４０は、流路４２内の熱媒体の流れを形成するように構成されている。プラズマ処理装置１では、複数のファン４０の各々は、流路４２から熱媒体を吸引して排出し得る。
【0024】
流路４２は、開口４２ａから複数の開口４２ｂまで延びている。開口４２ａは、流路４２への熱媒体の入口である。複数の開口４２ｂは、流路４２からの熱媒体の出口である。複数の開口４２ｂの各々は、複数のファン４０のうち対応のファンの直下で開口している。
【0025】
流路４２は、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称である。流路４２は、部分流路４２１（第１の部分流路）及び部分流路４２２（第２の部分流路）を含んでいる。流路４２は、部分流路４２３（第３の部分流路）を更に含んでいてもよい。
【0026】
部分流路４２１は、励起電極１４の上面に沿って延びている。部分流路４２１は、軸線ＡＸから放射方向に延びている。部分流路４２１は、部分流路４２２と部分流路４２３との間で接続されている。
【0027】
部分流路４２２は、複数のファン４０と部分流路４２１との間で反対方向に交互に延びている。反対方向は、上方及び下方である。部分流路４２２は、部分流路４２１と複数の複数の連通孔４２ｃを介して接続している。複数の連通孔４２ｃは、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って略等間隔に配列されている。
【0028】
部分流路４２３は、開口４２ａから部分流路４２１まで延びて、部分流路４２１に繋がっている。部分流路４２３は、共振器３０の内周部３０ｉの内側に提供されている。部分流路４２３は、軸線ＡＸをその中心軸線として有していてもよい。即ち、部分流路４２３は、軸線ＡＸに沿って部分流路４２１まで、鉛直方向に延びていてもよい。
【0029】
プラズマ処理装置１では、開口４２ａから取り込まれた熱媒体は、部分流路４２３から部分流路４２１に供給されて、部分流路４２１内で励起電極１４の上面に沿って流れる。その結果、励起電極１４と熱媒体との間の熱交換が行われる。そして、熱媒体は、部分流路４２１から部分流路４２２に流れて、複数の開口４２ｂから複数のファン４０によってプラズマ処理装置１の外部に排出される。
【0030】
温調器１８は、冷却部５０を更に含んでいてもよい。冷却部５０は、部分流路４２２の一部を形成している。具体的に、冷却部５０は、部分流路４２２を形成する壁５０ｗを含んでおり、壁５０ｗの中に冷媒流路５０ｆを提供している。冷媒流路５０ｆには、チラーユニットから冷媒が供給される。温調器１８によれば、部分流路４２２において冷却部５０により冷却された熱媒体が、複数のファン４０から外部に排出される。
【0031】
プラズマ処理装置１において、励起電極１４の温度は、チャンバ１０内でプラズマが生成されている状態及びプラズマが生成されていない状態の双方において、一定に保たれてもよい。この場合には、温度センサ１４４の温度測定値を一定の目標温度値に近づけるよう、複数のファン４０及びヒータ電源２２が制御部２によって制御される。具体的には、チャンバ１０内でプラズマが生成されていない状態では、複数のファン４０は、停止するか低速で回転されてもよく、ヒータ１４３によって励起電極１４を加熱するよう、ヒータ電源２２からヒータ１４３に電力が供給されてもよい。また、チャンバ１０内でプラズマが生成されている状態では、励起電極１４はプラズマからの入熱を受けるので、励起電極１４を冷却するために、複数のファン４０が比較的高速に回転される。また、チャンバ１０内でプラズマが生成されている状態では、ヒータ電源２２からヒータ１４３への電力供給は、停止されてもよい。
【0032】
一実施形態において、温調器１８の部分流路４２２は、共振器３０の空洞３２から形成されていてもよい。即ち、部分流路４２２は、上部３２１及び曲折部３２２から形成されていてもよい。この場合には、共振器３０は、励起電極１４のための熱交換器を構成する。なお、プラズマ処理装置１では、部分流路４２１は、共振器３０と励起電極１４との間に形成されている。部分流路４２３は、共振器３０の内周部３０ｉによってその内側に形成されている。上述の冷却部５０の壁５０ｗは、共振器３０の空洞３２の上部３２１を画成する上壁３０ｕであってもよい。上壁３０ｕは、開口４２ａ及び複数の開口４２ｂも提供し得る。
【0033】
また、共振器３０は、内側断熱部３１１及び外側断熱部３１２を更に含んでいてもよい。内側断熱部３１１及び外側断熱部３１２は、共振器３０の空洞３２を部分的に形成しており、且つ、部分流路４２２を部分的に形成している。内側断熱部３１１及び外側断熱部３１２は、共振器３０と励起電極１４との間の熱伝達を抑制する。内側断熱部３１１及び外側断熱部３１２の各々は、共振器３０の空洞３２を画成する他の壁の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する。内側断熱部３１１及び外側断熱部３１２の各々は、ステンレスのような、小さい熱伝導率を有する金属から形成され得る。また、内側断熱部３１１及び外側断熱部３１２の各々は、その表面抵抗を下げるため、銀、金、銅、ロジウムから形成された被膜を含んでいてもよい。
【0034】
内側断熱部３１１は、略円筒形状を有している。内側断熱部３１１は、部分流路４２１と部分流路４２２との間に介在している。内側断熱部３１１は、上述の複数の連通孔４２ｃを提供している。外側断熱部３１２は、内側断熱部３１１及び励起電極１４を囲むように延在している。曲折部３２２及び部分流路４２２の各々の一部は、外側断熱部３１２と内側断熱部３１１との間、外側断熱部３１２と励起電極１４との間に形成されている。
【0035】
以上説明したプラズマ処理装置１では、温調器１８の流路４２は、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称の流路である。したがって、流路４２は、周方向に略均等に形成されている。また、流路４２では、その複数の方向転換箇所において、熱媒体の圧損が生じる。したがって、流路４２内での熱媒体の流れの周方向における均一性が更に高められる。故に、プラズマ処理装置１によれば、励起電極１４に対する温度調整のための熱媒体の流れの周方向における均一性が高められる。
【0036】
以下、図２及び図３を参照して、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図２は、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。図３は、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿ってとった断面図である。以下、図２及び図３に示すプラズマ処理装置１Ａについて、プラズマ処理装置１に対する相違点の観点から説明する。
【0037】
プラズマ処理装置１Ａは、共振器３０に代えて、共振器３０Ａを含んでいる。共振器３０Ａは、励起電極１４の上方に設けられている。共振器３０Ａは、空洞３２Ａを提供している。空洞３２Ａは、金属のような導電性材料から形成された壁によって形成されている。共振器３０Ａは、第１端３０１及び第２端３０２を含む。第１端３０１は、第２端３０２に対して上方に設けられている。第１端３０１は、軸線ＡＸを囲むように周方向に延在している。第１端３０１は、共振器３０Ａの外周部３０ｏによって提供されている。第２端３０２は、励起電極１４に対して外側で、放出部１６に結合されている。共振器３０Ａは、空洞３２Ａ内で伝搬する電磁波を、第１端３０１と第２端３０２とで反射させて共振させるように構成されている。共振器３０Ａ内で共振した電磁波は、第２端３０２から放出部１６に供給されて、プラズマ生成空間に放出される。
【0038】
空洞３２Ａは、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称に構成されている。空洞３２Ａは、上部３２１Ａ及び曲折部３２２Ａを含んでいてもよい。上部３２１Ａは、第１端３０１から、軸線ＡＸに近付く方向に、共振器３０Ａの内周部３０ｉまで延びている。曲折部３２２Ａは、上部３２１Ａを含む。曲折部３２２Ａは、第１端３０１から第２端３０２まで延びている。
【0039】
曲折部３２２Ａ及び空洞３２Ａは、複数の層を有するように、反対方向に交互に折れ曲がっている。プラズマ処理装置１Ａにおいて、反対方向は、軸線ＡＸに近付く方向と軸線ＡＸに対して放射方向である。即ち、曲折部３２２Ａは、軸線ＡＸに近付く方向と放射方向に交互に延びるよう蛇行している。共振器３０Ａは、空洞３２Ａの複数の層と交互に配列された複数の板３０ｒを有している。複数の板３０ｒは、空洞３２Ａの複数の層を形成している。複数の板３０ｒの平面形状は、環形状又は円形状である。
【0040】
プラズマ処理装置１Ａにおいて、コネクタ３６の内導体は、上部３２１Ａを下方から画成する壁に接続され、コネクタ３６の外導体は、上部３２１Ａを上方から画成する壁（上壁３０ｕ）に接続される。
【0041】
プラズマ処理装置１Ａは、温調器１８に代えて、温調器１８Ａを備えている。温調器１８Ａは、温調器１８と同様に、励起電極１４の上面に沿って熱媒体を供給するように構成されている。
【0042】
温調器１８Ａは、温調器１８と同様に、複数のファン４０を含んでいる。温調器１８Ａは、流路４２Ａを提供している。複数のファン４０は、励起電極１４の上方で軸線ＡＸの周りで略等間隔に配列されている。複数のファン４０は、流路４２Ａ内の熱媒体の流れを形成するように構成されている。プラズマ処理装置１Ａでは、複数のファン４０の各々は、流路４２Ａから熱媒体を吸引して排出し得る。
【0043】
流路４２Ａは、複数の開口４２ａから複数の開口４２ｂまで延びている。複数の開口４２ａは、流路４２Ａへの熱媒体の入口である。複数の開口４２ｂは、流路４２Ａからの熱媒体の出口である。複数の開口４２ｂの各々は、複数のファン４０のうち対応のファンの直下で開口している。
【0044】
流路４２Ａは、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称である。流路４２Ａは、部分流路４２１Ａ（第１の部分流路）及び部分流路４２２Ａ（第２の部分流路）を含んでいる。
【0045】
部分流路４２１Ａは、励起電極１４の上面に沿って延びている。部分流路４２１Ａは、複数の開口４２ａから軸線ＡＸに近付く方向に延びている。
【0046】
部分流路４２２Ａは、部分流路４２１Ａに繋がっており、複数のファン４０と部分流路４２１Ａとの間で反対方向に交互に延びている。反対方向は、軸線ＡＸに近付く方向と軸線ＡＸに対して放射方向である。反対方向は、何れも、軸線ＡＸに直交している。部分流路４２２Ａは、部分流路４２１Ａの内側端部に接続している。
【0047】
プラズマ処理装置１Ａでは、複数の開口４２ａから取り込まれた熱媒体は、部分流路４２１Ａ内で励起電極１４の上面に沿って流れる。その結果、励起電極１４と熱媒体との間の熱交換が行われる。そして、熱媒体は、部分流路４２１Ａから部分流路４２２Ａに流れて、複数の開口４２ｂから複数のファン４０によってプラズマ処理装置１Ａの外部に排出される。
【0048】
温調器１８Ａは、冷却部５０Ａを更に含んでいてもよい。冷却部５０Ａは、部分流路４２２Ａの一部及び部分流路４２１Ａを形成していてもよい。具体的に、冷却部５０Ａは、壁５０ｗを含んでおり、壁５０ｗの中に冷媒流路５０ｆを提供している。冷媒流路５０ｆには、チラーユニットから冷媒が供給される。冷却部５０Ａにおいて、壁５０ｗは、環状の板である。壁５０ｗは、壁５０ｗと励起電極１４との間に部分流路４２１Ａを形成している。また、壁５０ｗは、壁５０ｗとその直上の板との間に、部分流路４２２Ａの一部を形成している。温調器１８Ａによれば、部分流路４２１Ａ及び部分流路４２２Ａにおいて冷却部５０Ａにより冷却された熱媒体が、複数のファン４０から外部に排出される。
【0049】
一実施形態において、温調器１８Ａの流路４２Ａ、即ち部分流路４２１Ａ及び部分流路４２２Ａは、共振器３０Ａの空洞３２Ａから形成されていてもよい。この場合には、共振器３０Ａは、励起電極１４のための熱交換器を構成する。なお、プラズマ処理装置１Ａでは、部分流路４２１Ａは、複数の板３０ｒのうち最下部の板３０ｂと励起電極１４との間に形成されている。板３０ｂは、上述の壁５０ｗを構成している。なお、他の板３０ｒが、冷却部５０Ａを構成していてもよい。
【0050】
一実施形態において、空洞３２Ａにおける複数の層のうち最上層の鉛直方向における空洞の長さ（高さ）は、当該複数の層にのうち他の層の鉛直方向における空洞の長さ（高さ）よりも長くてもよい。この場合には、最上層は、複数のファン４０の近くに設けられている。したがって、最上層における熱媒体の流速は大きい。この実施形態によれば、そこでの流速が大きい最上層における熱媒体の圧損を抑制することができる。
【0051】
また、共振器３０Ａは、内側断熱部３１１Ａ及び外側断熱部３１２Ａを更に含んでいてもよい。内側断熱部３１１Ａ及び外側断熱部３１２Ａは、共振器３０Ａと励起電極１４との間の熱伝達を抑制する。内側断熱部３１１Ａ及び外側断熱部３１２Ａは、共振器３０Ａの空洞３２Ａを部分的に形成しており、且つ、部分流路４２１Ａを形成している。部分流路４２１Ａは、内側断熱部３１１Ａと外側断熱部３１２Ａとの間で延びている。
【0052】
内側断熱部３１１Ａは、外側断熱部３１２Ａの内側に設けられている。内側断熱部３１１Ａは、共振器３０Ａの内周部３０ｉの一部を構成しており、励起電極１４から上方に延びている。外側断熱部３１２Ａは、共振器３０Ａの外周部３０ｏの一部を構成しており、チャンバ１０の側壁１０ａの頂部から板３０ｂまで延びている。
【0053】
内側断熱部３１１Ａと外側断熱部３１２Ａの各々は、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列された複数の柱状体から構成されている。複数の柱状体の各々は、軸線ＡＸに略平行に延びている。内側断熱部３１１Ａ及び外側断熱部３１２Ａの各々における各柱状体は、共振器３０Ａの空洞３２Ａを画成する他の壁の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する。内側断熱部３１１Ａ及び外側断熱部３１２Ａの各々における各柱状体は、ステンレスのような、小さい熱伝導率を有する金属から形成され得る。また、内側断熱部３１１Ａ及び外側断熱部３１２Ａの各々における各柱状体は、その表面抵抗を下げるため、銀、金、銅、ロジウムから形成された被膜を含んでいてもよい。
【0054】
内側断熱部３１１Ａと外側断熱部３１２Ａの各々において、複数の柱状体は、それら柱状体と複数の間隙が周方向に沿って交互に配列されるように、配置されている。外側断熱部３１２Ａにおいて、当該複数の間隙は、複数の開口４２ａを構成している。したがって、プラズマ処理装置１Ａでは、共振器３０Ａの外周部３０ｏから部分流路４２１Ａに熱媒体が取り込まれる。熱媒体は、部分流路４２１Ａ及び部分流路４２２Ａを介して流れて、複数のファン４０によってプラズマ処理装置１Ａの外部に排出される。
【0055】
以下、図４を参照して、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図４は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。以下、図４に示すプラズマ処理装置１Ｂについて、プラズマ処理装置１Ａに対する相違点の観点から説明する。
【0056】
プラズマ処理装置１Ｂは、別の励起電極６０を更に備えている。励起電極６０は、略円盤形状を有しており、チャンバ１０の上端の開口を閉じるように配置されている。励起電極６０は、複数の孔６０ｈを提供している。複数の孔６０ｈは、励起電極６０を厚さ方向に貫通している。励起電極１４は、励起電極６０の上方に配置されている。励起電極１４と励起電極６０は、それらの間にプラズマ生成空間６０ｐを形成している。放出部１６は、プラズマ生成空間６０ｐを囲んでおり、励起電極１４と励起電極６０との間で挟持されている。プラズマ処理装置１Ｂにおいて、プラズマ生成空間６０ｐは、処理空間１０ｓから離れて、処理空間１０ｓの上方に設けられている。
【0057】
プラズマ処理装置１Ｂでは、ガス供給部２０からのガスは、ガス拡散室１４ｄ及び複数のガス孔１４ｈを介して、プラズマ生成空間６０ｐに供給される。プラズマ生成空間６０ｐ内では、放出部１６からプラズマ生成空間６０ｐ内に導入される電磁波によりガスからプラズマが生成される。プラズマ生成空間６０ｐ内で生成されたプラズマ中の活性種は、複数の孔６０ｈから処理空間１０ｓに供給される。
【0058】
また、プラズマ処理装置１Ｂは、共振器３０Ａに代えて、共振器３０Ｂを含んでいる。共振器３０Ｂは、励起電極１４の上方に設けられている。共振器３０Ｂは、空洞３２Ｂを提供している。空洞３２Ｂは、空洞３２Ａと同様に、金属のような導電性材料から形成された壁によって形成されている。共振器３０Ｂは、第１端３０１及び第２端３０２を含む。第１端３０１は、第２端３０２に対して上方に設けられている。第１端３０１は、軸線ＡＸを囲むように周方向に延在している。第１端３０１は、共振器３０Ｂの外周部３０ｏによって提供されている。第２端３０２は、放出部１６に結合されている。共振器３０Ｂは、空洞３２Ｂ内で伝搬する電磁波を、第１端３０１と第２端３０２とで反射させて共振させるように構成されている。共振器３０Ｂ内で共振した電磁波は、第２端３０２から放出部１６に供給されて、プラズマ生成空間６０ｐに放出される。
【0059】
空洞３２Ｂは、空洞３２Ａと同様に、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称に構成されている。空洞３２Ｂは、上部３２１Ａと同様の上部３２１Ｂ及び曲折部３２２Ａと同様の曲折部３２２Ｂを含んでいる。プラズマ処理装置１Ｂにおいて、コネクタ３６の内導体は、上部３２１Ｂを下方から画成する壁に接続され、コネクタ３６の外導体は、上部３２１Ｂを上方から画成する壁（上壁３０ｕ）に接続される。
【0060】
プラズマ処理装置１Ｂは、温調器１８Ａに代えて、温調器１８Ｂを備えている。温調器１８Ｂは、温調器１８Ａと同様に、励起電極１４の上面に沿って熱媒体を供給するように構成されている。温調器１８Ｂは、冷却部５０Ａのような、熱媒体を冷却する構造を含んでいなくてもよい。
【0061】
温調器１８Ｂは、温調器１８Ａと同様に、複数のファン４０を含んでいる。温調器１８Ｂは、流路４２Ｂを提供している。複数のファン４０は、励起電極１４の上方で軸線ＡＸの周りで略等間隔に配列されている。複数のファン４０は、流路４２Ｂ内の熱媒体の流れを形成するように構成されている。プラズマ処理装置１Ｂでは、複数のファン４０の各々は、プラズマ処理装置１Ｂの外部から流路４２Ｂに熱媒体を供給する。即ち、プラズマ処理装置１Ｂでは、複数のファン４０の各々は、送風ファンである。
【0062】
流路４２Ｂは、流路４２Ａと同様に、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称である。流路４２Ｂは、部分流路４２１Ａと同様の部分流路４２１Ｂ（第１の部分流路）及び部分流路４２２Ａと同様の部分流路４２２Ｂ（第２の部分流路）を含んでいる。
【0063】
一実施形態において、流路４２Ｂ、即ち部分流路４２１Ｂ及び部分流路４２２Ｂは、共振器３０Ｂの空洞３２Ｂから形成されていてもよい。この場合には、共振器３０Ｂは、励起電極１４のための熱交換器を構成する。
【0064】
流路４２Ｂは、複数の開口４２ｂから複数の開口４２ａまで延びている。複数の開口４２ｂは、流路４２Ｂへの熱媒体の入口であり、部分流路４２２Ｂに接続している。複数の開口４２ｂの各々は、複数のファン４０のうち対応のファンの直下で開口している。複数の開口４２ａは、流路４２Ｂからの熱媒体の出口であり、部分流路４２１Ｂに接続している。複数の開口４２ａは、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列されている。一実施形態においては、複数の開口４２ａは、共振器３０Ｂの外周部３０ｏに形成されている。
【0065】
一実施形態において、空洞３２Ａと同様に、空洞３２Ｂにおける複数の層のうち最上層の鉛直方向における空洞の長さ（高さ）は、当該複数の層にのうち他の層の鉛直方向における空洞の長さ（高さ）よりも長くてもよい。
【0066】
プラズマ処理装置１Ｂでは、熱媒体は、複数のファン４０から複数の開口４２ｂ及び部分流路４２２Ｂを介して部分流路４２１Ｂに供給され、部分流路４２１Ｂ内で励起電極１４の上面に沿って流れる。その結果、励起電極１４と熱媒体との間の熱交換が行われる。そして、熱媒体は、部分流路４２１Ｂから複数の開口４２ａを介してプラズマ処理装置１Ｂの外部に排出される。
【0067】
以下、図５～図９を参照して、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図５は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。図６は、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿ってとった断面図である。図７は、図５のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿ってとった断面図である。図８は、図５のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿ってとった断面図である。図９は、図５のＩＸ－ＩＸ線に沿ってとった断面図である。以下、図５～図９に示すプラズマ処理装置１Ｃについて、プラズマ処理装置１Ａに対する相違点の観点から説明する。
【0068】
プラズマ処理装置１Ｃは、共振器３０Ａに代えて、共振器３０Ｃを含んでいる。共振器３０Ｃは、励起電極１４の上方に設けられている。共振器３０Ｃは、空洞３２Ｃを提供している。空洞３２Ｃは、金属のような導電性材料から形成された壁によって形成されている。共振器３０Ｃは、第１端３０１及び第２端３０２を含む。第１端３０１は、第２端３０２に対して上方に設けられている。第１端３０１は、軸線ＡＸを囲むように周方向に延在している。第１端３０１は、共振器３０Ｃの外周部３０ｏによって提供されている。第２端３０２は、励起電極１４に対して外側で、放出部１６に結合されている。共振器３０Ｃは、空洞３２Ｃ内で伝搬する電磁波を、第１端３０１と第２端３０２とで反射させて共振させるように構成されている。共振器３０Ｃ内で共振した電磁波は、第２端３０２から放出部１６に供給されて、プラズマ生成空間に放出される。
【0069】
空洞３２Ｃは、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称に構成されている。空洞３２Ｃは、上部３２１Ａと同様の上部３２１Ｃ及び曲折部３２２Ａと同様の曲折部３２２Ｃを含んでいる。上部３２１Ｃは、第１端３０１から、軸線ＡＸに近付く方向に、共振器３０Ｃの内周部３０ｉまで延びている。曲折部３２２Ｃは、上部３２１Ｃを含む。曲折部３２２Ｃ及び空洞３２Ｃは、複数の層を有するように、反対方向に交互に折れ曲がっている。プラズマ処理装置１Ｃにおいて、反対方向は、軸線ＡＸに近付く方向と軸線ＡＸに対して放射方向である。即ち、曲折部３２２Ｃは、軸線ＡＸに近付く方向と放射方向に交互に延びるよう蛇行している。反対方向は、軸線ＡＸに直交している。空洞３２Ｃも、複数の層を有しており、当該複数の層は、複数の板３０ｒと交互に配列されている。複数の板３０ｒの平面形状は、環形状である。
【0070】
プラズマ処理装置１Ｃにおいて、コネクタ３６の内導体は、上部３２１Ｃを下方から画成する壁に接続され、コネクタ３６の外導体は、上部３２１Ｃを上方から画成する壁（上壁３０ｕ）に接続される。
【0071】
一実施形態において、プラズマ処理装置１Ｃは、少なくとも一つの導電性部材６８を更に備えていてもよい。導電性部材６８は、共振器３０Ｃと励起電極１４との間に間隙を形成するように共振器３０Ｃと励起電極１４との間に設けられている。導電性部材６８は、ステンレスのような金属から形成されている。導電性部材６８は、弾性を有し得る。導電性部材６８は、例えば、金属から形成されたシールドスパイラルである。導電性部材６８によれば、共振器３０Ｃと励起電極１４との間の熱伝達が抑制される。
【0072】
導電性部材６８は、共振器３０Ｃの複数の板３０ｒのうち最下部の板３０ｂと励起電極１４との間で挟持されている。これにより、導電性部材６８は、共振器３０Ｃを励起電極１４と導通させている。導電性部材６８は、軸線ＡＸの周りでリングを形成するように配置されていてもよい。図示された例では、少なくとも一つの導電性部材６８として、二つの導電性部材６８が、軸線ＡＸの周りでリング状に配置されている。導電性部材６８は、共振器３０Ｃにおいて高周波電流が流れる箇所に沿って配置されていてもよい。図示された例では、二つの導電性部材６８は、板３０ｂに形成されたスロットの一対の縁部に沿って配置されている。
【0073】
一実施形態において、共振器３０Ｃと励起電極１４との間の熱伝達を更に抑制するために、板３０ｂは、部分的に絶縁性材料から形成されていてもよい。絶縁性材料は、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）であってもよい。
【0074】
一実施形態において、複数の板３０ｒのうち少なくとも一つの板３０ｒには、複数のスリットＳＬが形成されていてもよい。複数のスリットＳＬは、少なくとも一つの板３０ｒを厚さ方向に貫通している。複数のスリットＳＬは、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列されており、且つ、軸線ＡＸに対して放射方向に延びている。複数のスリットＳＬによれば、周方向における電磁波の高調波の伝搬が抑制される。また、空洞３２Ｃ内での熱媒体の圧損が抑制される。なお、図示された例では、複数のスリットＳＬは、最下部の板３０ｂに形成されている。
【0075】
一実施形態において、共振器３０Ｃの外周部３０ｏは、鉛直方向に沿って配列された複数の段を含んでいてもよい。外周部３０ｏの複数の段のうち最上段３０３及び最下段３０５を除く一つの段は、絶縁性材料から形成されていてもよい。絶縁性材料は、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）であってもよい。かかる外周部３０ｏによれば、共振器３０Ｃと励起電極１４との間の熱伝達が更に抑制される。
【0076】
絶縁性材料から形成された外周部３０ｏの一つの段は、共振器３０Ｃの電磁波の定在波の腹が形成される箇所に位置している。この場合には、共振器３０Ｃにおいて空洞３２Ｃを画成する壁の一部分が絶縁性材料から形成されていても、当該一部分での高周波電流は小さい。したがって、共振器３０Ｃの空洞３２Ｃを画成する壁の一部分が絶縁性材料から形成されていても、電気的な影響は小さい。なお、図示された例では、外周部３０ｏは、外周部３０ｏは、最上段３０３、中段３０４、及び最下段３０５を含んでおり、中段３０４が、絶縁性材料から形成されている。
【0077】
一実施形態において、絶縁性材料から形成された外周部３０ｏの一つの段（例えば、中段３０４）は、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列された複数の柱状体から形成されていてもよい。また、外周部３０ｏの複数の段のうち当該一つの段を除く他の段（例えば、最上段３０３及び最下段３０５）の各々は、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列された金属（例えば、アルミニウム合金）製の複数の柱状体から形成されていてもよい。外周部３０ｏの複数の段の各々の複数の柱状体は、他の段の対応の柱状体と鉛直方向に沿って整列されている。外周部３０ｏの複数の段の各々の複数の柱状体は、筒状をなしていてもよい。この場合において、鉛直方向に沿って整列された複数の柱状体の内孔にボルト７０が通されてもよい。ボルト７０の下端は、板３０ｂに螺合されてもよい。また、ボルト７０の上端には、ワッシャー７１及びナット７２が取り付けられ、ワッシャー７１と上壁３０ｕとの間にコイルばね７３が設けられてもよい。
【0078】
一実施形態において、プラズマ処理装置１は、シールド薄板３０ｓを更に備えていてもよい。シールド薄板３０ｓは、ステンレスのような金属から形成されている。シールド薄板３０ｓは、筒形状を有しており、共振器３０Ｃの外周部３０ｏを囲んでいる。シールド薄板３０ｓによれば、共振器３０Ｃからの電磁波の漏洩が抑制される。
【0079】
プラズマ処理装置１Ｃは、温調器１８Ａに代えて、温調器１８Ｃを備えている。温調器１８Ｃは、温調器１８Ａと同様に、励起電極１４の上面に沿って熱媒体を供給するように構成されている。
【0080】
温調器１８Ｃは、温調器１８Ａと同様に、複数のファン４０を含んでいる。温調器１８Ｃは、流路４２Ｃを提供している。複数のファン４０は、励起電極１４の上方で軸線ＡＸの周りで略等間隔に配列されている。複数のファン４０は、流路４２Ｃ内の熱媒体の流れを形成するように構成されている。プラズマ処理装置１Ｃでは、複数のファン４０の各々は、流路４２Ｃから熱媒体を吸引して排出し得る。
【0081】
流路４２Ｃは、開口４２ａから複数の開口４２ｂまで延びている。開口４２ａは、流路４２Ｃへの熱媒体の入口である。複数の開口４２ｂは、流路４２Ｃからの熱媒体の出口である。複数の開口４２ｂの各々は、複数のファン４０のうち対応のファンの直下で開口している。
【0082】
流路４２Ｃは、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称である。流路４２Ｃは、部分流路４２１Ａと同様の部分流路４２１Ｃ（第１の部分流路）及び部分流路４２２Ａと同様の部分流路４２２Ｃ（第２の部分流路）を含んでいる。流路４２Ｃは、部分流路４２３Ｃ（第３の部分流路）を更に含んでいてもよい。
【0083】
部分流路４２１Ｃは、励起電極１４の上面に沿って延びている。部分流路４２１Ｃは、共振器３０Ｃの板３０ｂと励起電極１４との間に提供されている。部分流路４２１Ｃは、軸線ＡＸから放射方向に延びている。部分流路４２２Ｃは、上部電極１４２に形成された複数の連通孔１４ｃを介して部分流路４２１Ｃに繋がっている。部分流路４２２Ｃは、複数のファン４０と部分流路４２１Ｃとの間で反対方向に交互に延びている。反対方向は、軸線ＡＸに近付く方向と軸線ＡＸに対して放射方向である。反対方向は、軸線ＡＸに直交している。
【0084】
部分流路４２３Ｃは、開口４２ａから部分流路４２１Ｃまで延びている。部分流路４２３Ｃは、共振器３０Ｃの内周部３０ｉの内側に提供されている。部分流路４２３Ｃは、軸線ＡＸをその中心軸線として有していてもよい。即ち、部分流路４２３Ｃは、軸線ＡＸに沿って部分流路４２１Ｃまで、鉛直方向に延びていてもよい。
【0085】
プラズマ処理装置１Ｃでは、開口４２ａから取り込まれた熱媒体は、部分流路４２３Ｃから部分流路４２１Ｃに供給されて、部分流路４２１Ｃ内で励起電極１４の上面に沿って流れる。その結果、励起電極１４と熱媒体との間の熱交換が行われる。そして、熱媒体は、部分流路４２１Ｃから部分流路４２２Ｃに流れて、複数の開口４２ｂから複数のファン４０によってプラズマ処理装置１の外部に排出される。
【0086】
一実施形態において、共振器３０Ｃの内周部３０ｉの内側には、ヒータ６６が設けられていてもよい。この実施形態では、部分流路４２１Ｃには、ヒータ６６により予熱された熱媒体が供給される。ヒータ６６は、例えば、熱媒体を、励起電極１４の温度と同様の温度（例えば、１８０℃）に予熱し得る。これにより、励起電極１４の温度制御性が向上される。
【0087】
一実施形態において、プラズマ処理装置１Ｃは、ガス管６４を更に備えていてもよい。ガス管６４は、内周部３０ｉの内側で鉛直方向に延びている。ガス管６４の中心軸線は、軸線ＡＸ上に位置していてもよい。ガス管６４は、ガス拡散室１４ｄとガス供給部２０との間で接続されている。上述のヒータ６６は、ガス管６４を囲んでいてもよい。また、ヒータ６６は、ガス管６４の外周に取り付けられていてもよい。
【0088】
温調器１８Ｃは、冷却部５０Ｃを更に含んでいてもよい。冷却部５０Ｃは、部分流路４２２Ｃの一部を形成していてもよい。具体的に、冷却部５０Ｃは、壁５０ｗを含んでおり、壁５０ｗの中に冷媒流路５０ｆを提供している。冷媒流路５０ｆには、チラーユニットから冷媒が供給される。冷却部５０Ｃにおいて、壁５０ｗは、環状の板である。温調器１８Ｃによれば、部分流路４２２Ｃにおいて冷却部５０Ｃにより冷却された熱媒体が、複数のファン４０から外部に排出される。
【0089】
一実施形態において、温調器１８Ｃの部分流路４２２Ｃは、共振器３０Ｃの空洞３２Ｃから形成されていてもよい。この場合には、共振器３０Ｃは、励起電極１４のための熱交換器を構成する。なお、プラズマ処理装置１Ｃでは、上述の壁５０ｗは、上壁３０ｕである。なお、壁５０ｗは、上壁３０ｕではなく、共振器３０Ｃの複数の板３０ｒの何れかであってもよい。
【0090】
一実施形態において、空洞３２Ａと同様に、空洞３２Ｃにおける複数の層のうち最上層の鉛直方向における空洞の長さ（高さ）は、当該複数の層にのうち他の層の鉛直方向における空洞の長さ（高さ）よりも長くてもよい。
【0091】
また、一実施形態において、励起電極１４は、複数のフィン４０ｆを有していてもよい。複数のフィン４０ｆは、上部電極１４２によって提供されている。複数のフィン４０ｆは、上方に突き出しており、軸線ＡＸに対して放射方向に延びており、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列されている。上述の複数の連通孔１４ｃの各々は、複数のフィン４０ｆのうち二つの隣り合うフィンの間の間隙に繋がっている。複数のフィン４０ｆによれば、励起電極１４と熱媒体との間での熱交換が促進される。
【0092】
以下、図１０～図１４を参照して、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置について説明する。図１０は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を示す図である。図１１は、図１０のＸＩ－ＸＩ線に沿ってとった断面図である。図１２は、図１０のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿ってとった断面図である。図１３は、図１０のＸＩＩＩ－ＸＩＩＩ線に沿ってとった断面図である。図１４は、図１０のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿ってとった断面図である。以下、図１０～図１４に示すプラズマ処理装置１Ｄについて、プラズマ処理装置１Ｃに対する相違点の観点から説明する。
【0093】
プラズマ処理装置１Ｄは、共振器３０Ｃに代えて、共振器３０Ｄを含んでいる。共振器３０Ｄは、励起電極１４の上方に設けられている。共振器３０Ｄは、空洞３２Ｄを提供している。空洞３２Ｄは、金属のような導電性材料から形成された壁によって形成されている。共振器３０Ｄは、第１端３０１及び第２端３０２を含む。第１端３０１は、第２端３０２に対して上方に設けられている。第１端３０１は、軸線ＡＸを囲むように周方向に延在している。第１端３０１は、共振器３０Ｄの外周部３０ｏによって提供されている。第２端３０２は、励起電極１４に対して外側で、放出部１６に結合されている。共振器３０Ｄは、空洞３２Ｄ内で伝搬する電磁波を、第１端３０１と第２端３０２とで反射させて共振させるように構成されている。共振器３０Ｄ内で共振した電磁波は、第２端３０２から放出部１６に供給されて、プラズマ生成空間に放出される。
【0094】
空洞３２Ｄは、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称に構成されている。空洞３２Ｄは、上部３２１Ｃと同様の上部３２１Ｄ及び曲折部３２２Ｃと同様の曲折部３２２Ｄを含んでいる。上部３２１Ｄは、第１端３０１から、軸線ＡＸに近付く方向に、共振器３０Ｄの内周部３０ｉまで延びている。曲折部３２２Ｄは、上部３２１Ｄを含む。曲折部３２２Ｄ及び空洞３２Ｄは、複数の層を有するように、反対方向に交互に折れ曲がっている。プラズマ処理装置１Ｄにおいて、反対方向は、軸線ＡＸに近付く方向と軸線ＡＸに対して放射方向である。即ち、曲折部３２２Ｄは、軸線ＡＸに近付く方向と放射方向に交互に延びるよう蛇行している。反対方向は、軸線ＡＸに直交している。空洞３２Ｄも、複数の層を有しており、当該複数の層は、複数の板３０ｒと交互に配列されている。複数の板３０ｒの平面形状は、環形状である。
【0095】
一実施形態において、複数の板３０ｒのうち少なくとも一つの板３０ｒには、複数のスリットＳＬが形成されていてもよい。複数のスリットＳＬは、少なくとも一つの板３０ｒを厚さ方向に貫通している。複数のスリットＳＬは、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列されており、且つ、軸線ＡＸから放射方向に延びている。複数のスリットＳＬによれば、周方向における電磁波の高調波の伝搬が抑制される。また、空洞３２Ｄ内での熱媒体の圧損が抑制される。
【0096】
プラズマ処理装置１Ｄは、温調器１８Ｃに代えて、温調器１８Ｄを備えている。温調器１８Ｄは、温調器１８Ｃと同様に、励起電極１４の上面に沿って熱媒体を供給するように構成されている。
【0097】
温調器１８Ｄは、温調器１８Ｃと同様に、複数のファン４０を含んでいる。温調器１８Ｄは、流路４２Ｄを提供している。複数のファン４０は、励起電極１４の上方で軸線ＡＸの周りで略等間隔に配列されている。複数のファン４０は、流路４２Ｄ内の熱媒体の流れを形成するように構成されている。プラズマ処理装置１Ｄでは、複数のファン４０の各々は、プラズマ処理装置１Ｄの外部から流路４２Ｄに熱媒体を供給する。即ち、プラズマ処理装置１Ｄでは、複数のファン４０の各々は、送風ファンである。
【0098】
流路４２Ｄは、流路４２Ｃと同様に、軸線ＡＸに対して軸対称又は回転対称である。流路４２Ｄは、部分流路４２１Ｃと同様の部分流路４２１Ｄ（第１の部分流路）及び部分流路４２２Ｃと同様の部分流路４２２Ｄ（第２の部分流路）を含んでいる。流路４２Ｄは、部分流路４２３Ｄ（第３の部分流路）を更に含んでいてもよい。
【0099】
流路４２Ｄは、複数の開口４２ｂから開口４２ａまで延びている。複数の開口４２ｂは、流路４２Ｄへの熱媒体の入口であり、部分流路４２２Ｄに接続している。複数の開口４２ｂの各々は、複数のファン４０のうち対応のファンの直下で開口している。開口４２ａは、流路４２Ｄからの熱媒体の出口であり、部分流路４２３Ｄに接続している。
【0100】
部分流路４２１Ｄは、励起電極１４の上面に沿って延びている。部分流路４２１Ｄは、共振器３０Ｄの板３０ｂと励起電極１４との間に提供されている。部分流路４２１Ｄは、軸線ＡＸから放射方向に延びている。部分流路４２２Ｄは、板３０ｂに形成された複数の複数の連通孔４２ｃを介して部分流路４２１Ｄに繋がっている。複数の連通孔４２ｃは、板３０ｂを貫通しており、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列されている。部分流路４２２Ｄは、複数のファン４０と部分流路４２１Ｄとの間で反対方向に交互に延びている。反対方向は、軸線ＡＸに近付く方向と軸線ＡＸに対して放射方向である。反対方向は、軸線ＡＸに直交している。
【0101】
部分流路４２３Ｄは、共振器３０Ｄの内周部３０ｉの内側に提供されている。部分流路４２３Ｄは、軸線ＡＸをその中心軸線として有していてもよい。即ち、部分流路４２３Ｄは、軸線ＡＸに沿って部分流路４２１Ｄまで、鉛直方向に延びていてもよい。
【0102】
プラズマ処理装置１Ｄでは、熱媒体は、複数のファン４０から複数の開口４２ｂ及び部分流路４２２Ｄを介して部分流路４２１Ｄに供給され、部分流路４２１Ｄ内で励起電極１４の上面に沿って流れる。その結果、励起電極１４と熱媒体との間の熱交換が行われる。そして、熱媒体は、部分流路４２１Ｄから部分流路４２３Ｄに流れる。熱媒体は、部分流路４２３Ｄから開口４２ａを介してプラズマ処理装置１の外部に排出される。
【0103】
一実施形態において、温調器１８Ｄの部分流路４２２Ｄは、共振器３０Ｄの空洞３２Ｄから形成されていてもよい。この場合には、共振器３０Ｄは、励起電極１４のための熱交換器を構成する。
【0104】
一実施形態において、空洞３２Ｄにおける複数の層のうち最上層の鉛直方向における空洞の長さ（高さ）は、当該複数の層にのうち他の層の鉛直方向における空洞の長さ（高さ）よりも長くてもよい。
【0105】
一実施形態において、共振器３０Ｄの上壁３０ｕは、複数のフィン３０ｆを有していてもよい。複数のフィン３０ｆは、上方に突き出している。複数のフィン３０ｆは、軸線ＡＸに対して放射方向に延びており、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列されている。複数のフィン３０ｆ上には、断熱板８０が配置されていてもよい。断熱板８０は、例えばポリイミドから形成されている。
【0106】
複数のフィン３０ｆは、それらの間において複数の流路を提供している。複数のフィン３０ｆによって提供される複数の流路は、軸線ＡＸに対して放射方向に延びており、軸線ＡＸの周りで周方向に沿って配列されている。部分流路４２３Ｄと開口４２ａは、複数のフィン３０ｆによって提供される複数の流路を介して、互いに接続されている。この実施形態によれば、熱媒体は、複数のフィン３０ｆによって冷却された後に、開口４２ａからプラズマ処理装置１Ｄの外部に排出される。
【0107】
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
【0108】
ここで、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ１６］に記載する。
【0109】
［Ｅ１］
その内部において処理空間を提供するチャンバと、
前記処理空間内に設けられた基板支持部と、
前記基板支持部の上方に設けられた励起電極と、
前記励起電極の下のプラズマ生成空間に電磁波を放出するように設けられており、前記チャンバ及び前記励起電極の中心軸線の周りで延在する放出部と、
前記励起電極の上面に沿って熱媒体を供給するように構成された温調器と、
を含み、
前記温調器は、前記熱媒体の流れを形成するように構成された複数のファンを含み、前記複数のファンの各々と前記励起電極との間に前記熱媒体のための流路を提供し、
前記複数のファンは、前記励起電極の上方で前記中心軸線の周りで等間隔に配列されており、
前記流路は、前記中心軸線に対して軸対称又は回転対称であり、
前記励起電極の前記上面に沿って延びる第１の部分流路と、
前記複数のファンと前記第１の部分流路との間で反対方向に交互に延びる第２の部分流路と、
を含む、
プラズマ処理装置。
その内部において処理空間を提供するチャンバと、
前記処理空間内に設けられた基板支持部と、
前記基板支持部の上方に設けられた励起電極と、
前記励起電極の下のプラズマ生成空間に電磁波を放出するように設けられており、前記チャンバ及び前記励起電極の中心軸線の周りで延在する放出部と、
前記励起電極の上面に沿って熱媒体を供給するように構成された温調器と、
を含み、
前記温調器は、前記熱媒体の流れを形成するように構成された複数のファンを含み、前記複数のファンの各々と前記励起電極との間に前記熱媒体のための流路を提供し、
前記複数のファンは、前記励起電極の上方で前記中心軸線の周りで等間隔に配列されており、
前記流路は、前記中心軸線に対して軸対称又は回転対称であり、
前記励起電極の前記上面に沿って延びる第１の部分流路と、
前記複数のファンと前記第１の部分流路との間で反対方向に交互に延びる第２の部分流路と、
を含む、
プラズマ処理装置。
【0110】
［Ｅ２］
第１端及び第２端を含み、該第１端から該第２端まで延びる空洞を提供し、該空洞を伝搬する電磁波を該第１端と該第２端とで反射させて共振させるように構成されており、前記励起電極の上方に設けられた共振器を備え、
前記第１端は、前記第２端に対して上方に設けられており、且つ、前記中心軸線を囲むように周方向に延在しており、
前記放出部は、前記第２端からの電磁波を受けるように配置されており、
前記第２の部分流路は、前記空洞から形成されている、
Ｅ１に記載のプラズマ処理装置。
第１端及び第２端を含み、該第１端から該第２端まで延びる空洞を提供し、該空洞を伝搬する電磁波を該第１端と該第２端とで反射させて共振させるように構成されており、前記励起電極の上方に設けられた共振器を備え、
前記第１端は、前記第２端に対して上方に設けられており、且つ、前記中心軸線を囲むように周方向に延在しており、
前記放出部は、前記第２端からの電磁波を受けるように配置されており、
前記第２の部分流路は、前記空洞から形成されている、
Ｅ１に記載のプラズマ処理装置。
【0111】
［Ｅ３］
前記共振器と前記励起電極との間に間隙を形成するように前記共振器と前記励起電極との間に設けられており、且つ、前記共振器と前記励起電極とを互いに導通させる導電性部材を更に備える、Ｅ２に記載のプラズマ処理装置。
前記共振器と前記励起電極との間に間隙を形成するように前記共振器と前記励起電極との間に設けられており、且つ、前記共振器と前記励起電極とを互いに導通させる導電性部材を更に備える、Ｅ２に記載のプラズマ処理装置。
【0112】
［Ｅ４］
前記空洞及び前記温調器の前記流路は、複数の層を有するように、前記中心軸線に近付く方向及び前記中心軸線から離れる方向に交互に延びている、Ｅ２又はＥ３に記載のプラズマ処理装置。
前記空洞及び前記温調器の前記流路は、複数の層を有するように、前記中心軸線に近付く方向及び前記中心軸線から離れる方向に交互に延びている、Ｅ２又はＥ３に記載のプラズマ処理装置。
【0113】
［Ｅ５］
前記共振器は、外周部を含み、
前記外周部は、鉛直方向に沿って配列された複数の段を含み、
前記外周部は、前記複数の段のうち、最上段及び最下段を除く、一つの段において絶縁性材料から形成されている、
Ｅ４に記載のプラズマ処理装置。
前記共振器は、外周部を含み、
前記外周部は、鉛直方向に沿って配列された複数の段を含み、
前記外周部は、前記複数の段のうち、最上段及び最下段を除く、一つの段において絶縁性材料から形成されている、
Ｅ４に記載のプラズマ処理装置。
【0114】
［Ｅ６］
前記一つの段は、前記共振器内で前記電磁波の定在波の腹が形成される箇所に位置している、Ｅ５に記載のプラズマ処理装置。
前記一つの段は、前記共振器内で前記電磁波の定在波の腹が形成される箇所に位置している、Ｅ５に記載のプラズマ処理装置。
【0115】
［Ｅ７］
前記一つの段は、前記周方向に沿って配列された複数の柱状体から構成されている、
Ｅ５又はＥ６に記載のプラズマ処理装置。
前記一つの段は、前記周方向に沿って配列された複数の柱状体から構成されている、
Ｅ５又はＥ６に記載のプラズマ処理装置。
【0116】
［Ｅ８］
前記複数の段のうち前記一つの段を除く他の段の各々は、前記周方向に沿って配列された金属製の複数の柱状体から構成されている、Ｅ７に記載のプラズマ処理装置。
前記複数の段のうち前記一つの段を除く他の段の各々は、前記周方向に沿って配列された金属製の複数の柱状体から構成されている、Ｅ７に記載のプラズマ処理装置。
【0117】
［Ｅ９］
前記共振器は、前記外周部を囲む筒状且つ金属製のシールド薄板を更に備える、Ｅ７又はＥ８に記載のプラズマ処理装置。
前記共振器は、前記外周部を囲む筒状且つ金属製のシールド薄板を更に備える、Ｅ７又はＥ８に記載のプラズマ処理装置。
【0118】
［Ｅ１０］
前記複数の層を形成し、該複数の層と交互に配列された複数の板を更に含み、
前記複数の板のうち少なくとも一つには、前記中心軸線に対して放射方向に延び、且つ、前記周方向に沿って配列された複数のスリットが形成されている、
Ｅ４～Ｅ９の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記複数の層を形成し、該複数の層と交互に配列された複数の板を更に含み、
前記複数の板のうち少なくとも一つには、前記中心軸線に対して放射方向に延び、且つ、前記周方向に沿って配列された複数のスリットが形成されている、
Ｅ４～Ｅ９の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0119】
［Ｅ１１］
前記複数のファンは、前記複数の層のうち最上層に接続されており、
前記最上層の鉛直方向における長さは、前記複数の層のうち他の全ての層の各々の該鉛直方向における長さよりも長い、
Ｅ４～Ｅ１０の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記複数のファンは、前記複数の層のうち最上層に接続されており、
前記最上層の鉛直方向における長さは、前記複数の層のうち他の全ての層の各々の該鉛直方向における長さよりも長い、
Ｅ４～Ｅ１０の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0120】
［Ｅ１２］
前記共振器は、前記中心軸線を囲む内周部を含み、
前記共振器は、前記内周部の内側に前記流路の一部として、第３の部分流路を形成し、
前記第３の部分流路は、前記第１の部分流路に繋がっており、
該プラズマ処理装置は、前記内周部の内側に設けられたヒータを更に備え、
前記複数のファンは、前記第３の部分流路から前記第１の部分流路を介して前記第２の部分流路に流れる前記熱媒体の流れを形成する、
Ｅ２～Ｅ１１の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記共振器は、前記中心軸線を囲む内周部を含み、
前記共振器は、前記内周部の内側に前記流路の一部として、第３の部分流路を形成し、
前記第３の部分流路は、前記第１の部分流路に繋がっており、
該プラズマ処理装置は、前記内周部の内側に設けられたヒータを更に備え、
前記複数のファンは、前記第３の部分流路から前記第１の部分流路を介して前記第２の部分流路に流れる前記熱媒体の流れを形成する、
Ｅ２～Ｅ１１の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0121】
［Ｅ１３］
前記励起電極は、
前記基板支持部の上方に設けられたシャワープレートと、
該シャワープレート上に設けられた上部電極であり、前記シャワープレートと該シャワープレートとの間にガス拡散室を形成する、該上部電極と、
を含み、
該プラズマ処理装置は、前記内周部の内側で鉛直方向に延びるガス管と、
を更に備え、
前記ガス管は、前記ガス拡散室に接続されており、
前記ヒータは、前記内周部の内側に配置されており、前記ガス管を囲んでいる、
Ｅ１２に記載のプラズマ処理装置。
前記励起電極は、
前記基板支持部の上方に設けられたシャワープレートと、
該シャワープレート上に設けられた上部電極であり、前記シャワープレートと該シャワープレートとの間にガス拡散室を形成する、該上部電極と、
を含み、
該プラズマ処理装置は、前記内周部の内側で鉛直方向に延びるガス管と、
を更に備え、
前記ガス管は、前記ガス拡散室に接続されており、
前記ヒータは、前記内周部の内側に配置されており、前記ガス管を囲んでいる、
Ｅ１２に記載のプラズマ処理装置。
【0122】
［Ｅ１４］
前記第１の部分流路は、前記共振器と前記励起電極との間に提供されており、
前記励起電極は、前記第１の部分流路を形成する複数のフィンを含み、
前記複数のフィンは、前記中心軸線に対して放射方向に延び、且つ、周方向に沿って配列されている、
Ｅ２～Ｅ１３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記第１の部分流路は、前記共振器と前記励起電極との間に提供されており、
前記励起電極は、前記第１の部分流路を形成する複数のフィンを含み、
前記複数のフィンは、前記中心軸線に対して放射方向に延び、且つ、周方向に沿って配列されている、
Ｅ２～Ｅ１３の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0123】
［Ｅ１５］
前記励起電極は、ヒータを内蔵している、Ｅ１～Ｅ１４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記励起電極は、ヒータを内蔵している、Ｅ１～Ｅ１４の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0124】
［Ｅ１６］
前記温調器は、その中に冷媒が供給される冷却部を含み、
前記冷却部は、前記第２の部分流路の一部を形成している、
Ｅ１～Ｅ１５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記温調器は、その中に冷媒が供給される冷却部を含み、
前記冷却部は、前記第２の部分流路の一部を形成している、
Ｅ１～Ｅ１５の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0125】
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
【符号の説明】
【0126】
１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１２…基板支持部、１４…励起電極、１６…放出部、１８…温調器、３０…共振器、４０…ファン、４２…流路、４２１，４２２…部分流路。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】