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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024134938
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】プラズマ処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240927BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101B
H01L21/68 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】19
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023045401
(22)【出願日】2023-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126480
【弁理士】
【氏名又は名称】佐藤 睦
(74)【代理人】
【識別番号】100140431
【弁理士】
【氏名又は名称】大石 幸雄
(74)【代理人】
【識別番号】100135677
【弁理士】
【氏名又は名称】澤井 光一
(74)【代理人】
【識別番号】100131598
【弁理士】
【氏名又は名称】高村 和宗
(72)【発明者】
【氏名】槻田 聡史
【テーマコード（参考）】
5F004
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F004BA09
5F004BB12
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB25
5F004BB28
5F004BB29
5F004BD03
5F004CA06
5F004EA30
5F131AA02
5F131AA03
5F131AA32
5F131AA33
5F131BA03
5F131BA04
5F131BA19
5F131CA02
5F131CA17
5F131EB11
5F131EB82
(57)【要約】
【課題】ププラズマ処理装置における整合回路の温度が動作温度範囲から逸脱することを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、基板支持部は、冷媒流路を有する導電性基台と、導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、基板支持部と、第１の温度に維持された冷媒を冷媒流路に供給するように構成されるチラーユニットと、ＲＦ電源と、ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、整合回路と導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性パイプと、流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、を含む。
【選択図】図３
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、基板支持部は、冷媒流路を有する導電性基台と、導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、基板支持部と、第１の温度に維持された冷媒を冷媒流路に供給するように構成されるチラーユニットと、ＲＦ電源と、ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、整合回路と導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性パイプと、流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、を含む。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
冷媒流路を有する導電性基台と、
前記導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、前記基板支持部と、
第１の温度に維持された冷媒を前記冷媒流路に供給するように構成されるチラーユニットと、
ＲＦ電源と、
前記ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、
前記整合回路と前記導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性パイプと、
前記流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、
を含む、プラズマ処理装置。
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
冷媒流路を有する導電性基台と、
前記導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、前記基板支持部と、
第１の温度に維持された冷媒を前記冷媒流路に供給するように構成されるチラーユニットと、
ＲＦ電源と、
前記ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、
前記整合回路と前記導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性パイプと、
前記流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、
を含む、プラズマ処理装置。
【請求項2】
前記流路は、前記導電性パイプの外壁と内壁との間の部分内に形成されている、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】
前記第１の温度は、０℃以下である、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】
前記第１の温度は、－２０℃以下である、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】
前記流路は、前記導電性パイプの軸に対し垂直の断面において環状の形状を有する、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】
前記流路を流れる流体の流量を検知するように構成される流量センサと、
前記流量センサによって検知された流量に基づいて前記流体の流量を制御するように構成される流量制御部と、をさらに含む、
請求項５に記載のプラズマ処理装置。
前記流量センサによって検知された流量に基づいて前記流体の流量を制御するように構成される流量制御部と、をさらに含む、
請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】
前記流体は、ドライエア又は環境エアである、
請求項１から６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
請求項１から６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項8】
前記導電性パイプは、
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
請求項７に記載のプラズマ処理装置。
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項9】
前記導電性パイプは、前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口を有し、
前記整合回路は、前記流路に連通するファンを有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
請求項７に記載のプラズマ処理装置。
前記整合回路は、前記流路に連通するファンを有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項10】
前記流体は、冷却水又は冷媒である、
請求項１から６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
請求項１から６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項11】
前記導電性パイプは、
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口及び前記流体出口に接続され、前記流体を循環するように構成されている、
請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口及び前記流体出口に接続され、前記流体を循環するように構成されている、
請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項12】
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
冷媒流路を有する導電性基台と、
前記導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、前記基板支持部と、
ＲＦ電源と、
前記ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、
前記整合回路と前記導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性接続部材と、
前記流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、
を含む、プラズマ処理装置。
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
冷媒流路を有する導電性基台と、
前記導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、前記基板支持部と、
ＲＦ電源と、
前記ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、
前記整合回路と前記導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性接続部材と、
前記流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、
を含む、プラズマ処理装置。
【請求項13】
前記導電性接続部材は、導電性パイプである、
請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項14】
前記流路は、前記導電性パイプの外壁部分内に形成されている、
請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
請求項１３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項15】
前記流路は、前記導電性パイプの軸に対し垂直の断面において環状の形状を有する、
請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項16】
前記流路を流れる流体の流量を検知するように構成される流量センサと、
前記流量センサによって検知された流量に基づいて前記流体の流量を制御するように構成される流量制御部と、をさらに含む、
請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
前記流量センサによって検知された流量に基づいて前記流体の流量を制御するように構成される流量制御部と、をさらに含む、
請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項17】
前記流体は、ドライエア又は環境エアである、
請求項１２から１６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
請求項１２から１６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項18】
前記導電性接続部材は、
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項19】
前記導電性接続部材は、前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口を有し、
前記整合回路は、前記流路に連通するファンを有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
前記整合回路は、前記流路に連通するファンを有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
プラズマ処理装置において、ステージと整合器が給電棒を介して電気的に接続される技術として、特許文献１に記載された技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１８－１４２６９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、プラズマ処理装置における整合回路の温度が動作温度範囲から逸脱することを抑制することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一つの例示的実施形態におけるプラズマ処理装置は、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、基板支持部は、冷媒流路を有する導電性基台と、導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、基板支持部と、第１の温度に維持された冷媒を冷媒流路に供給するように構成されるチラーユニットと、ＲＦ電源と、ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、整合回路と導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性パイプと、流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、を含む。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一つの例示的実施形態によれば、ププラズマ処理装置における整合回路の温度が動作温度範囲から逸脱することを抑制することができる技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。
【図2】容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【図3】導電性パイプの流路と流体供給ユニットの構成の一例を説明するための図である。
【図7】導電性パイプの流路と流体供給ユニットの構成の一例を説明するための図である。
【図8】導電性パイプの流路と流体供給ユニットの構成の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の各実施形態について説明する。
【0009】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、基板支持部は、冷媒流路を有する導電性基台と、導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、基板支持部と、第１の温度に維持された冷媒を冷媒流路に供給するように構成されるチラーユニットと、ＲＦ電源と、ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、整合回路と導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性パイプと、流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、を含む、プラズマ処理装置が提供される。
【0010】
一つの例示的実施形態において、流路は、導電性パイプの外壁と内壁との間の部分内に形成されている。
【0011】
一つの例示的実施形態において、第１の温度は、０℃以下である。
【0012】
一つの例示的実施形態において、第１の温度は、－２０℃以下である。
【0013】
一つの例示的実施形態において、流路は、導電性パイプの軸に対し垂直の断面において環状の形状を有する。
【0014】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、流路を流れる流体の流量を検知するように構成される流量センサと、流量センサによって検知された流量に基づいて流体の流量を制御するように構成される流量制御部と、をさらに含む。
【0015】
一つの例示的実施形態において、流体は、ドライエア又は環境エアである。
【0016】
一つの例示的実施形態において、導電性パイプは、前導電性基台の近傍に配置され、流路に連通する流体入口と、整合回路の近傍に配置され、流路に連通する流体出口と、を有し、流体供給ユニットは、流体入口に接続されている。
【0017】
一つの例示的実施形態において、導電性パイプは、導電性基台の近傍に配置され、流路に連通する流体入口を有し、整合回路は、流路に連通するファンを有し、流体供給ユニットは、流体入口に接続されている。
【0018】
一つの例示的実施形態において、流体は、冷却水又は冷媒である。
【0019】
一つの例示的実施形態において、導電性パイプは、前導電性基台の近傍に配置され、流路に連通する流体入口と、整合回路の近傍に配置され、流路に連通する流体出口と、を有し、流体供給ユニットは、流体入口及び流体出口に接続され、流体を循環するように構成されている。
【0020】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、基板支持部は、冷媒流路を有する導電性基台と、導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、基板支持部と、ＲＦ電源と、ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、整合回路と導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性接続部材と、流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、を含む、プラズマ処理装置が提供される。
【0021】
一つの例示的実施形態において、導電性接続部材は、導電性パイプである。
【0022】
一つの例示的実施形態において、流路は、導電性パイプの外壁部分内に形成されている。
【0023】
一つの例示的実施形態において、流路は、導電性パイプの軸に対し垂直の断面において環状の形状を有する。
【0024】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、流路を流れる流体の流量を検知するように構成される流量センサと、流量センサによって検知された流量に基づいて流体の流量を制御するように構成される流量制御部と、をさらに含む。
【0025】
一つの例示的実施形態において、流体は、ドライエア又は環境エアである。
【0026】
一つの例示的実施形態において、導電性接続部材は、前導電性基台の近傍に配置され、流路に連通する流体入口と、整合回路の近傍に配置され、流路に連通する流体出口と、を有し、流体供給ユニットは、流体入口に接続されている。
【0027】
一つの例示的実施形態において、導電性接続部材は、導電性基台の近傍に配置され、流路に連通する流体入口を有し、整合回路は、流路に連通するファンを有し、流体供給ユニットは、流体入口に接続されている。
【0028】
以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。
【0029】
＜プラズマ処理装置の一例＞
【0030】
図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ（以下、「チャンバ」ともいう。）１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
【0031】
プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、 １００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
【0032】
制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
【0033】
以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【0034】
容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。基板支持部１１は、チャンバ１０の底壁１０ｂ上に配置された環状絶縁性部材１５０に支持されてよい。環状絶縁性部材１５０は、円筒形状を有してよい。
【0035】
基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
【0036】
一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０は、導電性基台の一例である。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
【0037】
リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
【0038】
また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
【0039】
流路１１１０ａは、冷媒流路であってよい。流路１１１０ａには、循環流路２００を介してチラーユニット２０１が接続されてよい。チラーユニット２０１は、設定温度（第１の温度）に維持された冷媒を流路１１１０ａに供給するように構成されていてよい。チラーユニット２０１は、設定温度に維持された冷媒を流路１１１０ａに供給することで、基板支持部１１又は基板支持部１１上の基板Ｗのターゲット温度に調節してよい。一実施形態において、設定温度は、０℃以下である。一実施形態において、設定温度は、－２０℃以下である。
【0040】
シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
【0041】
ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
【0042】
電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
【0043】
一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
【0044】
第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
【0045】
また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
【0046】
種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
【0047】
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部１０ｂに設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
【0048】
一実施形態において、ＲＦ電源３１は、整合回路２５０に電気的に接続されてよい。整合回路２５０は、ＲＦ電源３１側のインピーダンスと負荷（主に、基板支持部１１、プラズマ、チャンバ１０）側のインピーダンスとを整合させるためにリアクタンスを可変する回路や、自己バイアス生成用のブロッキングコンデンサを含んでいてよい。整合回路２５０は、筐体２５１を有していてよい。筐体２５１は、導電性部材を含んでよい。筐体２５１は、内部空間と外部空間との間で通気可能に構成されてよい。
【0049】
一実施形態において、整合回路２５０は、導電性パイプ２６０を介して基台１１１０に電気的に接続されてよい。導電性パイプ２６０は、導電性接続部材の一例である。導電性パイプ２６０は、アルミなどの導電性部材を含んでよい。導電性パイプ２６０は、円管形状を有してよい。一実施形態において、導電性パイプ２６０は、上下方向に延設され、上端が基台１１１０の下面に接続され、下端が整合回路２５０の上面（筐体２５１の上面）に接続されてよい。導電性パイプ２６０は、平面視における基台１１１０の中央に接続されてよい。
【0050】
導電性パイプ２６０の外周には、整合回路２５０の上面（筐体２５１の上面）とチャンバ１０の底壁１０ｂとを接続する導電性接続部材２７０が配置されていてよい。導電性接続部材２７０は、円筒形状を有してよい。導電性接続部材２７０と導電性パイプ２６０は同心円状に配置されてよい。導電性接続部材２７０と導電性パイプ２６０との間には内側空間が形成されてよい。導電性接続部材２７０は、内側空間と外側空間との間で通気可能に構成されてよい。整合回路２５０は、導電性接続部材２７０を介してチャンバ１０に電気的に接続され、チャンバ１０を介して接地電位に接続されてよい。
【0051】
図３は、導電性パイプ２６０の流路３００と流体供給ユニット３５０の構成の一例を説明するための図である。一実施形態において、導電性パイプ２６０は、流路３００と、流体入口３０１と、流体出口３０２を含んでよい。一実施形態において、流路３００は、導電性パイプ２６０の外壁２６０ｂと内壁２６０ｃとの間の部分（肉厚部分）２６０ａ内を通るように形成されてよい。一実施形態において、流路３００は、導電性パイプ２６０の内壁２６０ｃに形成されてよい。一実施形態において、流路３００は、導電性パイプ２６０の外壁２６０ｂに形成されてよい。図４は、図３に示す導電性パイプ２６０のＡ－Ａ断面の一例を示す。図４に示すように、流路３００は、導電性パイプ２６０が有する軸に対し垂直の断面において環状の形状を有してよい。流路３００は、導電性パイプ２６０の外壁部分２６０ａ内において円筒形状を有していてよい。図３に示すように、流体入口３０１は、基台１１１０の近傍に配置され、流体出口３０２は、整合回路２５０の近傍に配置されてよい。流体入口３０１は、導電性パイプ２６０の上下方向の中央より基台１１１０側に配置されてよい。流体出口３０２は、導電性パイプ２６０の上下方向の中央より整合回路２５０側に配置されてよい。
【0052】
流体入口３０１は、導電性パイプ２６０の周方向に沿った１又複数箇所に配置されてよい。図５は、図３に示す導電性パイプ２６０のＢ－Ｂ断面の一例を示す。図５に示すように、流体入口３０１は、導電性パイプ２６０の周方向に沿った２カ所に配置され、２つの流体入口３０１は、互いに対向するように配置されてよい。
【0053】
図３に示す流体出口３０２は、導電性パイプ２６０の周方向に沿った１又は複数箇所に配置されてよい。図６は、図３に示す導電性パイプ２６０のＣ－Ｃ断面の一例を示す。図６に示すように、流体出口３０２は、導電性パイプ２６０の周方向に沿った３カ所以上、例えば４カ所に配置されてよい。流体出口３０２は、導電性パイプ２６０の周方向に沿って等間隔に配置されてよい。流体出口３０２の数は、流体入口３０１の数より多くてよい。流体出口３０２は、流体入口３０１より大きい断面積（総断面積）を有してよい。図３に示すように、流体出口３０２は、整合回路２５０の筐体２５１よりも上方に配置されてよい。流体出口３０２は、導電性接続部材２７０と導電性パイプ２６０との間に形成される内側空間に開口してよい。
【0054】
プラズマ処理装置１は、流路３００に流体を供給するように構成される流体供給ユニット３５０を含んでよい。流体供給ユニット３５０は、流体入口３０１に接続されてよい。流路３００に供給される流体は、ドライエア又は環境エアであってよい。流体は、０℃以上の温度を有するものであってよい。流体は、常圧における露点温度が－２０℃以下、－５０℃以下、－６０℃以下のものであってよい。一実施形態において、流体供給ユニット３５０は、流体供給部３６０と、流体供給部３６０と流体入口３０１とを接続する第１の流路３６１とを有してよい。流体供給部３６０は、流体を圧送するファンを有してよい。流体供給部３６０は、流体の流量や温度を調整する機能を有してよい。
【0055】
プラズマ処理装置１は、流路３００を流れる流体の流量を検知する流量センサ３７０と、流量センサ３７０によって検知された流量に基づいて流体の流量を制御する流量制御部３７１を有してよい。流量センサ３７０及び流量制御部３７１は、第１の流路３６１に配置されてよい。流量制御部３７１は、流量を変更できるバルブであってよい。流体供給部３６０が流量制御部３７１の機能を有していてよい。流量制御部３７１は、制御部２によって制御されてよい。
【0056】
＜プラズマ処理方法の一例＞
プラズマ処理方法は、プラズマを用いて基板Ｗ上の膜をエッチングするエッチング処理を含む。一実施形態において、プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置１において制御部２により実行される。
プラズマ処理方法は、プラズマを用いて基板Ｗ上の膜をエッチングするエッチング処理を含む。一実施形態において、プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置１において制御部２により実行される。
【0057】
先ず、基板Ｗが、搬送アームによりチャンバ１０内に搬入され、リフターにより基板支持部１１に載置され、図２に示すように基板支持部１１上に吸着保持される。
【0058】
次に、処理ガスが、ガス供給部２０によりシャワーヘッド１３に供給され、シャワーヘッド１３からプラズマ処理空間１０ｓに供給される。このとき供給される処理ガスは、基板Ｗのエッチング処理のために必要な活性種を生成するガスを含む。
【0059】
１又は複数のＲＦ信号がＲＦ電源３１から上部電極及び／又は下部電極に供給される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓの基板支持部１１上にプラズマが生成され、基板Ｗがエッチング処理される。
【0060】
プラズマエッチング処理時には、チラーユニット２０１から基台１１１０の流路１１１０ａに冷媒が供給される。冷媒は、－２０℃以下に維持されている。これにより、基板支持部１１が冷却され、基板支持部１１又は基板支持部１１上の基板Ｗが目標温度に維持される。
【0061】
また、図３に示す流体供給ユニット３５０から導電性パイプ２６０の流路３００に流体が供給される。流体は、流体供給部３６０から第１の流路３６１を流れ、基台１１１０付近の流体入口３０１から流路３００に入り、導電性パイプ２６０の外壁部分２６０ａ内を通って下降し、整合回路２５０付近の流体出口３０２から外に出る。これにより、導電性パイプ２６０と流体との間で熱が授受される。こうして、冷媒によって冷やされた基板支持部１１によって導電性パイプ２６０が冷やされることが抑制される。流体は、流体出口３０２から出て、導電性接続部材２７０の内側空間に溜まり、当該内側空間から導電性接続部材２７０を通過して外に流れる。流体の流量は、流量センサ３７０によって検知され、当該流量に基づいて流量制御部３７１により設定流量に制御されてよい。設定流量は、整合回路２５０や導電性パイプ２６０が所定の温度以上に維持されるように設定されてよい。
【0062】
本例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置１が、整合回路２５０と基台１１１０とを電気的に接続するように構成され、流路３００を含む導電性パイプ２６０と、流路３００に流体を供給するように構成される流体供給ユニット３５０と、を含む。これにより、冷媒によって基台１１１０が冷やされても、導電性パイプ２６０の温度が流体によって保たれ、整合回路２５０が冷やされることが抑制される。よって、プラズマ処理装置１における整合回路２５０の温度が動作温度範囲から逸脱することを抑制することができる。また、導電性パイプ２６０が有する電力の供給経路は、強電界空間であるため、電気ヒータを設置することが難しいが、本例示的実施形態によれば、電気ヒータを用いずに、簡単に整合回路２５０を保温することができる。さらに、導電性パイプ２６０の導電性を確保するため、断熱構造を設置することが難しいが、本例示的実施形態によれば、断熱構造を設置せずに、簡単に整合回路２５０を保温することができる。
【0063】
本例示的実施形態において、流路３００は、導電性パイプ２６０の外壁部分２６０ａ内に形成されているので、流体による導電性パイプ２６０の温度調整を効率的に行うことができる。なお、流路３００は、導電性パイプ２６０の内面や外面に配置されてもよい。
【0064】
本例示的実施形態において、流路３００は、導電性パイプ２６０の軸に対し垂直の断面において環状の形状を有するので、流体による導電性パイプ２６０の温度調整を斑なく効率的に行うことができる。
【0065】
本例示的実施形態において、流体はドライエア又は環境エアであるので、導電性パイプ２６０や整合回路２５０に結露が生じることを抑制することができる。
【0066】
本例示的実施形態において、導電性パイプ２６０の流体入口３０１は、基台１１１０の近傍に配置され、流体出口３０２は、整合回路２５０の近傍に配置され、流体供給ユニット３５０は、流体入口３０１に接続されている。これにより、基台１１１０と整合回路２５０との間に配置された導電性パイプ２６０を効果的に保温することができる。
【0067】
上記実施形態において、図７に示すように、整合回路２５０は、流路３００に連通する冷却ファン４００を有してよい。冷却ファン４００は、整合回路２５０の筐体２５１に設けられてよい。冷却ファン４００は、筐体２５１の側壁に設けられていてよい。冷却ファン４００は、複数個所に設けられてよい。導電性パイプ２６０の流体出口３０２は、整合回路２５０の筐体２５１内に開口してよい。
【0068】
この場合、流体は、流体供給ユニット３５０の第１の流路３６１を流れ、導電性パイプ２６０の流体入口３０１から流路３００に入り、導電性パイプ２６０の外壁部分２６０ａ内を通って下降し、流体出口３０２から筐体２５１内に入る。そして、流体は、筐体２５１内を通って冷却ファン４００から外に出る。
【0069】
上記実施形態において、図８に示すように、流体は、冷却水又は冷媒であってよい。冷却水は、絶縁流体（絶縁液体）であってよい。流体供給ユニット３５０は、流体入口３０１及び流体出口３０２に接続され、流体を循環するように構成されていてよい。流体供給ユニット３５０は、流体出口３０２と流体供給部３６０とを接続する第２の流路４１０を有してよい。
【0070】
この場合、流体は、流体供給部３６０から第１の流路３６１を流れ、導電性パイプ２６０の流体入口３０１から流路３００に入り、導電性パイプ２６０の外壁部分２６０ａ内を通って下降し、流体出口３０２から出る。そして、流体は、第２の流路４１０を流れ、流体供給部３６０に戻され、その後、第１の流路３６１を流れる。こうして、流体は、流体供給部３６０、第１の流路３６１、流体入口３０１、流路３００、流体出口３０２、第２の流路４１０及び流体供給部３６０をこの順に循環する。
【0071】
上記実施形態では、容量結合型のプラズマ装置を例に説明したが、これに限定されるものではなく、他のプラズマ装置が用いられてもよい。例えば、容量結合型のプラズマ装置に代えて、誘導結合型のプラズマ装置が用いられてもよい。
【0072】
本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。
【0073】
（付記１）
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
冷媒流路を有する導電性基台と、
前記導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、前記基板支持部と、
－２０℃以下に維持された冷媒を前記冷媒流路に供給するように構成されるチラーユニットと、
ＲＦ電源と、
前記ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、
前記整合回路と前記導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性パイプと、
前記流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、
を含む、プラズマ処理装置。
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
冷媒流路を有する導電性基台と、
前記導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、前記基板支持部と、
－２０℃以下に維持された冷媒を前記冷媒流路に供給するように構成されるチラーユニットと、
ＲＦ電源と、
前記ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、
前記整合回路と前記導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性パイプと、
前記流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、
を含む、プラズマ処理装置。
【0074】
（付記２）
前記流路は、前記導電性パイプの外壁部分内に形成されている、
付記１に記載のプラズマ処理装置。
前記流路は、前記導電性パイプの外壁部分内に形成されている、
付記１に記載のプラズマ処理装置。
【0075】
（付記３）
前記流路は、前記導電性パイプの軸に対し垂直の断面において環状の形状を有する、
付記２に記載のプラズマ処理装置。
前記流路は、前記導電性パイプの軸に対し垂直の断面において環状の形状を有する、
付記２に記載のプラズマ処理装置。
【0076】
（付記４）
前記流路を流れる流体の流量を検知する流量センサと、
前記流量センサによって検知された流量に基づいて前記流体の流量を制御する流量制御部と、をさらに含む、
付記１から３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記流路を流れる流体の流量を検知する流量センサと、
前記流量センサによって検知された流量に基づいて前記流体の流量を制御する流量制御部と、をさらに含む、
付記１から３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0077】
（付記５）
前記流体は、ドライエア又は環境エアである、
付記１から４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記流体は、ドライエア又は環境エアである、
付記１から４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0078】
（付記６）
前記導電性パイプは、
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
付記５に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性パイプは、
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
付記５に記載のプラズマ処理装置。
【0079】
（付記７）
前記導電性パイプは、前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口を有し、
前記整合回路は、前記流路に連通するファンを有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
付記５に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性パイプは、前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口を有し、
前記整合回路は、前記流路に連通するファンを有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
付記５に記載のプラズマ処理装置。
【0080】
（付記８）
前記流体は、冷却水又は冷媒である、
付記１から４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記流体は、冷却水又は冷媒である、
付記１から４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0081】
（付記９）
前記導電性パイプは、
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口及び前記流体出口に接続され、前記流体を循環するように構成されている、
付記８に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性パイプは、
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口及び前記流体出口に接続され、前記流体を循環するように構成されている、
付記８に記載のプラズマ処理装置。
【0082】
（付記１０）
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
冷媒流路を有する導電性基台と、
前記導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、前記基板支持部と、
ＲＦ電源と、
前記ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、
前記整合回路と前記導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性接続部材と、
前記流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、
を含む、プラズマ処理装置。
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基板支持部であって、前記基板支持部は、
冷媒流路を有する導電性基台と、
前記導電性基台上に配置され、基板支持面を有する静電チャックと、を含む、前記基板支持部と、
ＲＦ電源と、
前記ＲＦ電源に電気的に接続される整合回路と、
前記整合回路と前記導電性基台とを電気的に接続するように構成され、流路を含む導電性接続部材と、
前記流路に流体を供給するように構成される流体供給ユニットと、
を含む、プラズマ処理装置。
【0083】
（付記１１）
前記導電性接続部材は、導電性パイプである、
付記１０に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性接続部材は、導電性パイプである、
付記１０に記載のプラズマ処理装置。
【0084】
（付記１２）
前記流路は、前記導電性パイプの外壁部分内に形成されている、
付記１１に記載のプラズマ処理装置。
前記流路は、前記導電性パイプの外壁部分内に形成されている、
付記１１に記載のプラズマ処理装置。
【0085】
（付記１３）
前記流路は、前記導電性パイプの軸に対し垂直の断面において環状の形状を有する、
付記１２に記載のプラズマ処理装置。
前記流路は、前記導電性パイプの軸に対し垂直の断面において環状の形状を有する、
付記１２に記載のプラズマ処理装置。
【0086】
（付記１４）
前記流路を流れる流体の流量を検知する流量センサと、
前記流量センサによって検知された流量に基づいて前記流体の流量を制御する流量制御部と、をさらに含む、
付記１０から１３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記流路を流れる流体の流量を検知する流量センサと、
前記流量センサによって検知された流量に基づいて前記流体の流量を制御する流量制御部と、をさらに含む、
付記１０から１３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0087】
（付記１５）
前記流体は、ドライエア又は環境エアである、
付記１０から１４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
前記流体は、ドライエア又は環境エアである、
付記１０から１４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【0088】
（付記１６）
前記導電性接続部材は、
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
付記１５に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性接続部材は、
前前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口と、
前記整合回路の近傍に配置され、前記流路に連通する流体出口と、
を有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
付記１５に記載のプラズマ処理装置。
【0089】
（付記１７）
前記導電性接続部材は、前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口を有し、
前記整合回路は、前記流路に連通するファンを有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
付記１５に記載のプラズマ処理装置。
前記導電性接続部材は、前記導電性基台の近傍に配置され、前記流路に連通する流体入口を有し、
前記整合回路は、前記流路に連通するファンを有し、
前記流体供給ユニットは、前記流体入口に接続されている、
付記１５に記載のプラズマ処理装置。
【0090】
以上の各実施形態は、説明の目的で記載されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。以上の各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。
【符号の説明】
【0091】
１……プラズマ処理装置、１０……チャンバ、１１……基板支持部、３１……ＲＦ電源、１１１０……基台、１１１１……静電チャック、２０１……チラーユニット、２５０……整合回路、２５１……筐体、２６０……導電性パイプ、３００……流路、３０１……流体入口、３０２……流体出口、３５０……流体供給ユニット、Ｗ…基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】