特開 2024-134941 成膜装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024134941

(43)【公開日】2024-10-04

(54)【発明の名称】成膜装置

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/12 20060101AFI20240927BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240927BHJP

   C08G 18/08 20060101ALI20240927BHJP

【ＦＩ】

C23C14/12

H01L21/31 B

C08G18/08

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023045407

(22)【出願日】2023-03-22

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】山口 達也

(72)【発明者】

【氏名】野沢 秀二

【テーマコード（参考）】

4J034

4K029

5F045

【Ｆターム（参考）】

4J034BA00

4J034BA02

4J034CA01

4J034CA12

4J034CC08

4J034PA03

4K029AA24

4K029BA62

4K029CA11

4K029DA05

4K029DA06

4K029DA08

4K029DB06

4K029EA01

4K029EA03

4K029EA04

4K029EA08

4K029JA01

5F045AA06

5F045AB39

5F045AC00

5F045AC15

5F045AD04

5F045AD05

5F045AE21

5F045BB02

5F045BB09

5F045DP03

5F045DQ10

5F045EE02

5F045EE20

5F045EF05

5F045EG02

5F045EK07

(57)【要約】

【課題】膜厚の均一性を保ちつつ、成膜効率を向上させる。
【解決手段】成膜装置は、第１の気化器と、第２の気化器と、第１の配管と、第２の配管と、チャンバとを備える。第１の気化器は、イソシアネートを含む第１のモノマーを気化させる。第２の気化器は、第１のモノマーと反応して重合体を形成する第２のモノマーを気化させる。チャンバは、基板が収容される内部空間を有し、第１の配管および第２の配管に接続されている。また、チャンバは、第１の配管を介して内部空間に供給された第１のモノマーと、第２の配管を介して内部空間に供給された第２のモノマーとを用いた蒸着重合により、基板に重合体の膜を形成する。第１の気化器は、第１のモノマーを１２０℃以下の温度に加熱する。第１の気化器の内部の圧力はチャンバ内の圧力以上であり、第１の気化器の内部記チャンバ内との差圧は、１Ｔｏｒｒ以下である。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

イソシアネートを含む第１のモノマーを気化させる第１の気化器と、
前記第１のモノマーと反応して重合体を形成する第２のモノマーを気化させる第２の気化器と、
前記第１の気化器に接続された第１の配管と、
前記第２の気化器に接続された第２の配管と、
基板が収容される内部空間を有し、前記第１の配管および前記第２の配管に接続され、前記第１の配管を介して前記内部空間に供給された第１のモノマーと、前記第２の配管を介して前記内部空間に供給された第２のモノマーとを用いた蒸着重合により、前記基板に重合体の膜を形成するチャンバと
を備え、
前記第１の気化器は、前記第１のモノマーを１２０℃以下の温度に加熱し、
前記第１の気化器の内部の圧力は前記チャンバ内の圧力以上であり、
前記第１の気化器の内部と前記チャンバ内との差圧は、１Ｔｏｒｒ以下である成膜装置。

【請求項2】

前記チャンバの圧力は、１Ｔｏｒｒ以上２Ｔｏｒｒ以下の範囲内の圧力である請求項１に記載の成膜装置。

【請求項3】

前記第１の気化器の内部の圧力は、２Ｔｏｒｒ以下である請求項１または２に記載の成膜装置。

【請求項4】

前記第１の気化器は、バブリング方式により前記第１のモノマーを気化させる請求項１に記載の成膜装置。

【請求項5】

前記第１の気化器の気化速度は、１０ｓｃｃｍ以上である請求項１に記載の成膜装置。

【請求項6】

前記チャンバ内での前記基板への成膜レートは、１０ｎｍ／ｍｉｎ以上である請求項１に記載の成膜装置。

【請求項7】

前記チャンバ内で前記基板に成膜される重合体の膜の厚さの均一性は、３５％未満である請求項１に記載の成膜装置。

【請求項8】

前記第１の配管には、前記第１の配管のコンダクタンスを調整するバルブが設けられている請求項１に記載の成膜装置。

【請求項9】

前記第２のモノマーは、アミンを含み、
前記重合体の膜には、尿素結合が含まれる請求項１に記載の成膜装置。

【請求項10】

前記第２のモノマーは、アルコールであり、
前記重合体の膜には、ウレタン結合が含まれる請求項１に記載の成膜装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の種々の側面および実施形態は、成膜装置に関する。

【背景技術】

【0002】

下記の特許文献１には、「被処理体Ｗに膜を生成するために用いられる複数種類の原料が、二種類の原料、例えば、第１の原料としての原料Ａおよび第２の原料としての原料Ｂ、である場合を説明する。例えば、被処理体Ｗにポリ尿素の膜を生成する場合には、原料Ａおよび原料Ｂは、例えば、ジイソシアナートおよびジアミンである。成膜装置１において、被処理体Ｗの表面においてジイソシアナートおよびジアミンを蒸着重合させることによって、被処理体Ｗの表面にポリ尿素の膜を生成する。」ことが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１９－２１８６１６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、膜厚の均一性を保ちつつ、成膜効率を向上させることができる成膜装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一側面における成膜装置は、第１の気化器と、第２の気化器と、第１の配管と、第２の配管と、チャンバとを備える。第１の気化器は、イソシアネートを含む第１のモノマーを気化させる。第２の気化器は、第１のモノマーと反応して重合体を形成する第２のモノマーを気化させる。第１の配管は、第１の気化器に接続されている。第２の配管は、第２の気化器に接続されている。チャンバは、基板が収容される内部空間を有し、第１の配管および第２の配管に接続されている。また、チャンバは、第１の配管を介して内部空間に供給された第１のモノマーと、第２の配管を介して内部空間に供給された第２のモノマーとを用いた蒸着重合により、基板に重合体の膜を形成する。第１の気化器は、第１のモノマーを１２０℃以下の温度に加熱する。第１の気化器の内部の圧力はチャンバ内の圧力以上であり、第１の気化器の内部記チャンバ内との差圧は、１Ｔｏｒｒ以下である。

【発明の効果】

【0006】

本開示の種々の側面および実施形態によれば、膜厚の均一性を保ちつつ、成膜効率を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、本開示の一実施形態における成膜装置の一例を示す概略図である。

【図2】図２は、イソシアネートの質量変化の一例を示す図である。

【図3】図３は、チャンバ内の圧力と成膜レートとの関係の一例を示す図である。

【図4】図４は、チャンバ内の圧力と膜厚の均一性との関係の一例を示す図である。

【図5】図５は、イソシアネートおよびアミンの供給量を一定に制御した場合のチャンバ内の圧力、成膜レート、および膜厚の均一性の関係の一例を示す図である。

【図6】図６は、気化器内の圧力と気化速度との関係の一例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、成膜装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される成膜装置が限定されるものではない。

【0009】

蒸着重合により基板に重合体の膜を形成する場合、チャンバ内へのモノマーのガスの供給量を増やすことにより、成膜レートを高めることができる。気化器においてモノマーの温度を上昇させると、モノマーの蒸気圧が上昇し、チャンバ内へのモノマーのガスの供給量を増やすことができる。しかし、モノマーの温度を上げ過ぎると、モノマーによっては、熱により変質してしまい、揮発性が低下してしまう場合がある。モノマーの揮発性が低下すると、チャンバ内へのモノマーのガスの供給量が逆に減少してしまう。

【0010】

また、チャンバ内へのモノマーのガスの供給量を増やすために、気化器において、キャリアガスの流量を増加させることが考えられる。この場合、チャンバ内へのモノマーの供給量は増えるが、モノマーと共にキャリアガスの供給量も増えるため、チャンバ内においてモノマーの濃度がそれほど高まらない。チャンバ内のモノマーの量を増やすためにチャンバの圧力を高めることも考えられるが、チャンバの圧力が高まると、膜厚の均一性が低下する。

【0011】

そこで、本開示は、膜厚の均一性を保ちつつ、成膜効率を向上させることができる技術を提供する。

【0012】

［成膜装置１０の構成］
図１は、本開示の一実施形態における成膜装置１０の一例を示す概略図である。成膜装置１０は、チャンバ１１、排気機構１２、シャワーヘッド１６、およびステージ１７を有する。本実施形態において、成膜装置１０は、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置である。

【0013】

排気機構１２は、チャンバ１１内のガスを排気する真空ポンプと、チャンバ１１内の圧力を調整する圧力調整バルブとを有する。チャンバ１１内は、排気機構１２によって予め定められた圧力の真空雰囲気に制御される。

【0014】

チャンバ１１には、シャワーヘッド１６を介して、複数種類の原料モノマーが供給される。本実施形態において、複数種類の原料モノマーは、例えばイソシアネートおよびアミンである。シャワーヘッド１６には、イソシアネートを液体で収容する原料供給源１３ａが、配管１４ａを介して接続されている。また、シャワーヘッド１６には、アミンを液体で収容する原料供給源１３ｂが、配管１４ｂを介して接続されている。イソシアネートは第１のモノマーの一例であり、アミンは第２のモノマーの一例である。配管１４ａは第１の配管の一例であり、配管１４ｂは第２の配管の一例である。

【0015】

原料供給源１３ａから供給されたイソシアネートの液体は、配管１４ａに介在する気化器１５ａにより気化される。気化器１５ａによって気化されたイソシアネートの蒸気は、配管１４ａを介してシャワーヘッド１６に導入される。また、原料供給源１３ｂから供給されたアミンの液体は、配管１４ｂに介在する気化器１５ｂにより気化される。気化器１５ｂによって気化されたアミンの蒸気は、配管１４ｂを介してシャワーヘッド１６に導入される。気化器１５ａおよび気化器１５ｂは、例えばバブリング方式により原料モノマーを気化させる。気化器１５ａは第１の気化器の一例であり、気化器１５ｂは第２の気化器の一例である。

【0016】

シャワーヘッド１６は、例えばチャンバ１１の上部に設けられ、下面に多数の吐出孔が形成されている。シャワーヘッド１６は、配管１４ａ介して導入されたイソシアネートの蒸気および配管１４ｂ介して導入されたアミンの蒸気を、別々の吐出孔からチャンバ１１内にシャワー状に吐出する。

【0017】

チャンバ１１内には、ステージ１７が設けられている。ステージ１７は、図示しない温度調節機構を有する。ステージ１７には、成膜対象の基板Ｗが載せられる。ステージ１７は、原料供給源１３ａおよび原料供給源１３ｂからそれぞれ供給された原料モノマーの蒸着重合に適した温度となるように、温度調節機構により基板Ｗの温度を制御する。蒸着重合に適した温度は、原料モノマーの種類に応じて定めることができる。蒸着重合に適した温度は、例えば６０℃～１００℃の範囲内の温度である。

【0018】

このような成膜装置１０を用いて、基板Ｗの表面において２種類の原料モノマーの蒸着重合反応を起こすことにより、基板Ｗの表面に有機膜が積層される。２種類の原料モノマーがイソシアネートおよびアミンである場合、基板Ｗの表面には、ポリ尿素の重合体の膜が積層される。

【0019】

本実施形態における成膜条件は、例えば以下の通りである。
基板Ｗの温度：８０℃
気化器１５ａ内のイソシアネートの温度：１２０℃
気化器１５ａ内の圧力：１Ｔｏｒｒ（１３３Ｐａ）
気化器１５ａ内のキャリアガスの流量：５０ｓｃｃｍ（８．３３×１０^-7ｍ³／ｓ）
イソシアネートの蒸気の流量：１０ｓｃｃｍ
気化器１５ｂ内のアミンの温度：１２０℃
気化器１５ｂ内の圧力：１Ｔｏｒｒ
気化器１５ｂ内のキャリアガスの流量：５０ｓｃｃｍ
アミンの蒸気の流量：２０ｓｃｃｍ
チャンバ１１内の圧力：１Ｔｏｒｒ
チャンバ１１内の添加ガスの流量：１００ｓｃｃｍ
なお、キャリアガスおよび添加ガスは窒素ガスである。

【0020】

［イソシアネートの熱変化］
蒸着重合により基板Ｗに重合体の膜を形成する場合、チャンバ１１内へのモノマーのガスの供給量を増やすことにより、成膜レートを高めることができる。気化器１５ａおよび気化器１５ｂ内においてモノマーの温度を上昇させると、モノマーの蒸気圧が上昇し、チャンバ１１内へのモノマーのガスの供給量を増やすことができる。しかし、例えばイソシアネートのように、温度を上げ過ぎると熱により変質してしまい、揮発性が低下してしまうモノマーが存在する。揮発性が低下すると、チャンバ１１へのモノマーのガスの供給量が逆に減少してしまう。

【0021】

図２は、イソシアネートの質量変化の一例を示す図である。図２は、イソシアネートの質量変化を示している。図２において、試料１は室温で保存したイソシアネートの質量変化を示しており、試料２は１５０℃で１週間放置した後のイソシアネートの質量変化を示しており、試料３は１５０℃で２週間放置した後のイソシアネートの質量変化を示している。また、図２において、試料３は１５０℃で４週間放置した後のイソシアネートの質量変化を示しており、試料４は１５０℃で８週間放置した後のイソシアネートの質量変化を示している。試料４は、見た目にも着色があり、変質していることが分かった。

【0022】

図２に例示されるように、イソシアネートは、１５０℃以上に加熱されると、熱により自己重合し、揮発性が低い別の物質に変化する。そのため、イソシアネートを加熱することにより、蒸気圧を上昇させ、イソシアネートの供給量を増やすことは難しい。

【0023】

そのため、イソシアネートを含む第１のモノマーは、例えば１２０℃以下の温度範囲内で取り扱うことが好ましい。

【0024】

［チャンバ１１内の圧力と成膜レートとの関係］
図３は、チャンバ１１内の圧力と成膜レートとの関係の一例を示す図である。図３の実験では、排気機構１２内の圧力調整バルブを制御することにより、チャンバ１１内の圧力が制御された。

【0025】

図３に例示されるように、チャンバ１１内の圧力が高くなるに従い、成膜レートが高くなり、チャンバ１１内の圧力が低くなるに従い、成膜レートが低くなっている。図３の例では、チャンバ１１内の圧力が１Ｔｏｒｒの場合、成膜レートは１０ｎｍ／ｍｉｎであった。

【0026】

スループットの観点では、成膜レートは１０ｎｍ／ｍｉｎ以上であることが好ましい。そのため、図３を参照すると、チャンバ１１内の圧力は１Ｔｏｒｒ以上であることが好ましい。

【0027】

［チャンバ１１内の圧力と膜厚の均一性との関係］
図４は、チャンバ１１内の圧力と膜厚の均一性との関係の一例を示す図である。図４の実験では、排気機構１２内の圧力調整バルブを制御することにより、チャンバ１１内の圧力が制御された。

【0028】

図４に例示されるように、チャンバ１１内の圧力が高くなるに従い、膜厚の均一性が悪化し、チャンバ１１内の圧力が低くなるに従い、膜厚の均一性が良くなっている。図４に例示されるように、チャンバ１１内の圧力が１．５Ｔｏｒｒの場合、膜厚の均一性は３０．９％であり、チャンバ１１内の圧力が３．０Ｔｏｒｒの場合、膜厚の均一性は３８．５％であった。

【0029】

基板Ｗに形成される半導体装置の品質のばらつきを抑える観点では、膜厚の均一性は３５％未満であることが好ましい。そのため、図４を参照すると、チャンバ１１内の圧力は１．５Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。

【0030】

図５は、イソシアネートおよびアミンの供給量を一定に制御した場合のチャンバ１１内の圧力、成膜レート、および膜厚の均一性の関係の一例を示す図である。図５の実験では、排気機構１２内の圧力調整バルブの開度を一定に保った状態で、添加ガスの流量を変えることにより、チャンバ１１内の圧力が調整された。添加ガスは、窒素ガスである。

【0031】

図５に例示されるように、イソシアネートおよびアミンの供給量を一定に保った場合であっても、チャンバ１１内の圧力が高くなるに従い、成膜レートが増加するが、膜厚の均一性が悪化する。一方、イソシアネートおよびアミンの供給量を一定に保った場合であっても、チャンバ１１内の圧力が低くなるに従い、成膜レートが減少するが、膜厚の均一性が良くなる。なお、図５の例では、成膜レートの値が図３の値よりも大きいが、これは、チャンバ環境により成膜速度と均一性を最適化させたためである。

【0032】

［気化器１５ａ内の圧力と気化速度との関係］
図６は、気化器１５ａ内の圧力と気化速度との関係の一例を示す図である。イソシアネートを気化させる気化器１５ａにおいて、気化器１５ａ内の圧力を変えて、気化器１５ａから出力されるイソシアネートの気化速度（流量）を調べた。

【0033】

図６に例示されるように、気化器１５ａ内の圧力が高くなるに従い、イソシアネートの気化速度が低下し、気化器１５ａ内の圧力が低くなるに従い、イソシアネートの気化速度が増加している。図６を参照すると、気化器１５ａ内の圧力が２Ｔｏｒｒの場合、気化速度は１０ｓｃｃｍである。

【0034】

イソシアネートの供給量（気化速度）は、成膜レートの観点で、１０ｓｃｃｍ以上であることが好ましい。図６を参照すると、気化器１５ａ内の圧力が２Ｔｏｒｒ以下であれば、イソシアネートの気化速度は１０ｓｃｃｍ以上となっている。成膜レートの観点では、気化器１５ａ内の圧力は２Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。

【0035】

ここで、図３および図４に例示された結果から、チャンバ１１内の圧力は１Ｔｏｒｒ以上２Ｔｏｒｒ以下の範囲内の圧力であることが好ましく、図６に例示された結果から気化器１５ａ内の圧力は２Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。これらの結果から、気化器１５ａの内部の圧力とチャンバ１１の内部の圧力との差圧は、１Ｔｏｒｒ以下であることが好ましい。気化器１５ａとチャンバ１１とを接続する配管１４ａは、気化器１５ａの内部の圧力とチャンバ１１の内部の圧力との差圧が１Ｔｏｒｒ以下となるコンダクタンスとなるように構成される。なお、気化器１５ａの内部の圧力は、チャンバ１１の内部の圧力よりも高い。

【0036】

以上、実施形態について説明した。上記したように、本実施形態における成膜装置（成膜装置１０）は、第１の気化器（気化器１５ａ）と、第２の気化器（気化器１５ｂ）と、第１の配管（配管１４ａ）と、第２の配管（配管１４ｂ）と、チャンバ（チャンバ１１）とを備える。第１の気化器は、イソシアネートを含む第１のモノマーを気化させる。第２の気化器は、第１のモノマーと反応して重合体を形成する第２のモノマーを気化させる。第１の配管は、第１の気化器に接続されている。第２の配管は、第２の気化器に接続されている。チャンバは、基板が収容される内部空間を有し、第１の配管および第２の配管に接続されている。また、チャンバは、第１の配管を介して内部空間に供給された第１のモノマーと、第２の配管を介して内部空間に供給された第２のモノマーとを用いた蒸着重合により、基板に重合体の膜を形成する。第１の気化器は、第１のモノマーを１２０℃以下の温度に加熱する。第１の気化器の内部の圧力はチャンバ内の圧力以上であり、第１の気化器の内部記チャンバ内との差圧は、１Ｔｏｒｒ以下である。これにより、膜厚の均一性を保ちつつ、成膜効率を向上させることができる。

【0037】

また、上記した実施形態において、チャンバの圧力は、１Ｔｏｒｒ以上２Ｔｏｒｒ以下の範囲内の圧力である。これにより、膜厚の均一性を保ちつつ、成膜効率を向上させることができる。

【0038】

また、上記した実施形態において、第１の気化器の内部の圧力は、２Ｔｏｒｒ以下である。これにより、膜厚の均一性を保ちつつ、成膜効率を向上させることができる。

【0039】

また、上記した実施形態において、第１の気化器は、バブリング方式により第１のモノマーを気化させる。これにより、第１のモノマーを効率的に気化させることができる。

【0040】

また、上記した実施形態において、第１の気化器の気化速度は、１０ｓｃｃｍ以上である。これにより、チャンバ内に十分な量の第１のモノマーを供給することができる。

【0041】

また、上記した実施形態において、チャンバ内での基板への成膜レートは、１０ｎｍ／ｍｉｎ以上である。これにより、スループットを向上させることができる。

【0042】

また、上記した実施形態において、チャンバ内で基板に成膜される重合体の膜の厚さの均一性は、３５％未満である。これにより、基板Ｗに形成される半導体装置の品質のばらつきを抑えることができる。

【0043】

また、上記した実施形態において、第２のモノマーは、アミンを含み、基板に形成される重合体の膜には、尿素結合が含まれる。これにより、基板Ｗにポリ尿素の膜を容易に形成することができる。

【0044】

［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。

【0045】

また、上記した実施形態において、気化器１５ａとチャンバ１１とを接続する配管１４ａは、気化器１５ａの内部の圧力とチャンバ１１の内部の圧力との差圧が１Ｔｏｒｒ以下となるコンダクタンスとなるように構成される。しかし、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、気化器１５ａとチャンバ１１とを接続する配管１４ａには、配管１４ａのコンダクタンスを調整するバルブが設けられてもよい。これにより、気化器１５ａの内部の圧力とチャンバ１１の内部の圧力との差圧が１Ｔｏｒｒ以下となるように、気化器１５ａとチャンバ１１との間のコンダクタンスを容易に調整することができる。

【0046】

また、上記した実施形態における成膜装置１０は、イソシアネートを含む第１のモノマーと、アミンを含む第２のモノマーとを用いた蒸着重合により、尿素結合を含む重合体の膜を基板に形成するが、開示の技術はこれに限られない。他の形態として、成膜装置１０は、イソシアネートを含む第１のモノマーと、アルコールを含む第２のモノマーとを用いた蒸着重合により、ウレタン結合を含む重合体の膜を基板に形成してもよい。

【0047】

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0048】

また、上記の実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。

【0049】

（付記１）
イソシアネートを含む第１のモノマーを気化させる第１の気化器と、
前記第１のモノマーと反応して重合体を形成する第２のモノマーを気化させる第２の気化器と、
前記第１の気化器に接続された第１の配管と、
前記第２の気化器に接続された第２の配管と、
基板が収容される内部空間を有し、前記第１の配管および前記第２の配管に接続され、前記第１の配管を介して前記内部空間に供給された第１のモノマーと、前記第２の配管を介して前記内部空間に供給された第２のモノマーとを用いた蒸着重合により、前記基板に重合体の膜を形成するチャンバと
を備え、
前記第１の気化器は、前記第１のモノマーを１２０℃以下の温度に加熱し、
前記第１の気化器の内部の圧力は前記チャンバ内の圧力以上であり、
前記第１の気化器の内部と前記チャンバ内との差圧は、１Ｔｏｒｒ以下である成膜装置。
（付記２）
前記チャンバの圧力は、１Ｔｏｒｒ以上２Ｔｏｒｒ以下の範囲内の圧力である付記１に記載の成膜装置。
（付記３）
前記第１の気化器の内部の圧力は、２Ｔｏｒｒ以下である付記１または２に記載の成膜装置。
（付記４）
前記第１の気化器は、バブリング方式により前記第１のモノマーを気化させる付記１から３のいずれか一つに記載の成膜装置。
（付記５）
前記第１の気化器の気化速度は、１０ｓｃｃｍ以上である付記１から４のいずれか一つに記載の成膜装置。
（付記６）
前記チャンバ内での前記基板への成膜レートは、１０ｎｍ／ｍｉｎ以上である付記１から５のいずれか一つに記載の成膜装置。
（付記７）
前記チャンバ内で前記基板に成膜される重合体の膜の厚さの均一性は、３５％未満である付記１から６のいずれか一つに記載の成膜装置。
（付記８）
前記第１の配管には、前記第１の配管のコンダクタンスを調整するバルブが設けられている付記１から７のいずれか一つに記載の成膜装置。
（付記９）
前記第２のモノマーは、アミンを含み、
前記重合体の膜には、尿素結合が含まれる付記１から８のいずれか一つに記載の成膜装置。
（付記１０）
前記第２のモノマーは、アルコールであり、
前記重合体の膜には、ウレタン結合が含まれる付記１から８のいずれか一つに記載の成膜装置。

【符号の説明】

【0050】

Ｗ 基板
１０ 成膜装置
１１ チャンバ
１２ 排気機構
１３ 原料供給源
１４ 配管
１５ 気化器
１６ シャワーヘッド
１７ ステージ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】