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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024135093
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】プラズマ処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20240927BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101B
H05H1/46 R
H05H1/46 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023045612
(22)【出願日】2023-03-22
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126480
【弁理士】
【氏名又は名称】佐藤 睦
(74)【代理人】
【識別番号】100140431
【弁理士】
【氏名又は名称】大石 幸雄
(74)【代理人】
【識別番号】100135677
【弁理士】
【氏名又は名称】澤井 光一
(74)【代理人】
【識別番号】100131598
【弁理士】
【氏名又は名称】高村 和宗
(72)【発明者】
【氏名】小岩 幸介
【テーマコード（参考）】
2G084
5F004
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084CC02
2G084CC03
2G084CC05
2G084CC06
2G084CC08
2G084CC12
2G084CC13
2G084CC15
2G084CC16
2G084CC17
2G084CC33
2G084DD02
2G084DD15
2G084DD23
2G084DD24
2G084DD37
2G084DD38
2G084DD55
2G084FF13
2G084FF15
2G084HH09
2G084HH22
2G084HH32
2G084HH35
5F004BA09
5F004BB13
5F004BB18
5F004BB22
5F004BB23
5F004BB28
5F004CA02
5F004CA03
5F004CA06
5F004DA00
5F004DA23
5F004DA25
5F004EA28
(57)【要約】
【課題】ＲＦ信号のＶｐｐ値を制御する技術を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバと、チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部内に配置される下部電極と、基板支持部の上方に配置される上部電極と、ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、第１の高Ｖｐｐモードと、第２の高Ｖｐｐモードと、低Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部とを含む。
【選択図】図５
【解決手段】プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバと、チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部内に配置される下部電極と、基板支持部の上方に配置される上部電極と、ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、第１の高Ｖｐｐモードと、第２の高Ｖｐｐモードと、低Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部とを含む。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
プラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、前記複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
第１の高Ｖｐｐモードと、第２の高Ｖｐｐモードと、低Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、
前記第１の高Ｖｐｐモードは、
（１ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（１ｂ）前記チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、
（１ｃ）前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも小さいことと、
（１ｄ）前記チャンバ内の圧力を前記第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、前記第３の圧力は、前記第２の圧力より大きくかつ前記第１の圧力より小さいことと、
（１ｅ）前記第３の圧力を維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記第２の高Ｖｐｐモードは、
（２ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（２ｂ）前記（２ａ）の後に、前記上部電極への前記ＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、
（２ｃ）前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記低Ｖｐｐモードは、
（３ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（３ｂ）前記貴ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、
（３ｃ）前記チャンバ内への前記貴ガスの供給を停止することと、
（３ｄ）Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（３ｅ）前記Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
チャンバと、
前記チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、前記複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
第１の高Ｖｐｐモードと、第２の高Ｖｐｐモードと、低Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、
前記第１の高Ｖｐｐモードは、
（１ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（１ｂ）前記チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、
（１ｃ）前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも小さいことと、
（１ｄ）前記チャンバ内の圧力を前記第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、前記第３の圧力は、前記第２の圧力より大きくかつ前記第１の圧力より小さいことと、
（１ｅ）前記第３の圧力を維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記第２の高Ｖｐｐモードは、
（２ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（２ｂ）前記（２ａ）の後に、前記上部電極への前記ＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、
（２ｃ）前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記低Ｖｐｐモードは、
（３ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（３ｂ）前記貴ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、
（３ｃ）前記チャンバ内への前記貴ガスの供給を停止することと、
（３ｄ）Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（３ｅ）前記Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
【請求項2】
前記（１ｂ）～前記（１ｅ）、前記（２ｂ）～前記（２ｃ）及び前記（３ｃ）～前記（３ｅ）の間に、前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給がオンに維持される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】
前記ＲＦ信号は連続波である、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】
前記少なくとも１つの処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】
前記少なくとも１つの処理ガスは、酸素（Ｏ）含有ガスを含まない、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】
前記（３ａ）において、前記貴ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きく、前記（３ｄ）において、前記Ｎ2ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きい、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】
前記（２ｂ）において、前記ＤＣ信号は、当該ＤＣ信号の供給がオンの間、１００Ｖ～１５００Ｖに維持される、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項8】
前記第１の圧力は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒであり、
前記第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒであり、
前記第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
前記第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒであり、
前記第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項9】
プラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
第１の高Ｖｐｐモードと第２の高Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、
前記第１の高Ｖｐｐモードは、
（１ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（１ｂ）前記チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、
（１ｃ）前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも小さいことと、
（１ｄ）前記チャンバ内の圧力を前記第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、前記第３の圧力は、前記第２の圧力より大きくかつ前記第１の圧力より小さいことと、
（１ｅ）前記第３の圧力を維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記第２の高Ｖｐｐモードは、
（２ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（２ｂ）前記（２ａ）の後に、前記上部電極への前記ＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、
（２ｃ）前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
第１の高Ｖｐｐモードと第２の高Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、
前記第１の高Ｖｐｐモードは、
（１ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（１ｂ）前記チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、
（１ｃ）前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも小さいことと、
（１ｄ）前記チャンバ内の圧力を前記第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、前記第３の圧力は、前記第２の圧力より大きくかつ前記第１の圧力より小さいことと、
（１ｅ）前記第３の圧力を維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記第２の高Ｖｐｐモードは、
（２ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（２ｂ）前記（２ａ）の後に、前記上部電極への前記ＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、
（２ｃ）前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
【請求項10】
前記（１ｂ）～前記（１ｅ）及び前記（２ｂ）～前記（２ｃ）の間に、前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給がオンに維持される、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項11】
前記ＲＦ信号は連続波である、請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項12】
前記（２ｂ）において、前記ＤＣ信号は、当該ＤＣ信号の供給がオンの間、１００Ｖ～１５００Ｖに維持される、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項13】
前記第１の圧力は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒであり、
前記第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒであり、
前記第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
前記第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒであり、
前記第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項14】
プラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、前記複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
低Ｖｐｐモードを実行するように構成される制御部と、を含み、
前記低Ｖｐｐモードは、
（ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（ｂ）前記貴ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、
（ｃ）前記チャンバ内への前記貴ガスの供給を停止することと、
（ｄ）Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（ｅ）前記Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
チャンバと、
前記チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、前記複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
低Ｖｐｐモードを実行するように構成される制御部と、を含み、
前記低Ｖｐｐモードは、
（ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（ｂ）前記貴ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、
（ｃ）前記チャンバ内への前記貴ガスの供給を停止することと、
（ｄ）Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（ｅ）前記Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
【請求項15】
前記（ｃ）～前記（ｅ）の間に、前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給がオンに維持される、請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項16】
前記ＲＦ信号は連続波である、請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項17】
前記少なくとも１つの処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む、請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項18】
前記少なくとも１つの処理ガスは、酸素（Ｏ）含有ガスを含まない、請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項19】
前記（ａ）において、前記貴ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きく、前記（ｄ）において、前記Ｎ2ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きい、請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項20】
前記貴ガスはＡｒガスである、請求項１４に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、プラズマの着火期間において、基板支持器の電極に高周波電力を供給するとともに、各々が負電圧である複数のバイアスパルスを順に印加することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】国際公開第２０２２／１６８６４２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、ＲＦ信号のＶｐｐ値を制御する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置であって、チャンバと、チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部内に配置される下部電極と、基板支持部の上方に配置される上部電極と、ＲＦ信号を生成するように構成され、下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、ＤＣ信号を生成するように構成され、上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、第１の高Ｖｐｐモードと、第２の高Ｖｐｐモードと、低Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、第１の高Ｖｐｐモードは、（１ａ）下部電極へのＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、（１ｂ）チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、（１ｃ）チャンバ内の圧力を第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、第２の圧力は第１の圧力よりも小さいことと、（１ｄ）チャンバ内の圧力を第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、第３の圧力は、第２の圧力より大きくかつ第１の圧力より小さいことと、（１ｅ）第３の圧力を維持しながらチャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、第２の高Ｖｐｐモードは、（２ａ）下部電極へのＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、（２ｂ）（２ａ）の後に、上部電極へのＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、（２ｃ）チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、低Ｖｐｐモードは、（３ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスをチャンバ内に供給することと、（３ｂ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、（３ｃ）チャンバ内への貴ガスの供給を停止することと、（３ｄ）Ｎ2ガス及び少なくとも１つの処理ガスをチャンバ内に供給することと、（３ｅ）Ｎ2ガス及び少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながらチャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含むプラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一つの例示的実施形態によれば、ＲＦ信号のＶｐｐ値を制御する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。
【図2】容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【図3】容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【図4】方法ＭＴを示すフローチャートである。
【図5】第１の高Ｖｐｐモードが実行される場合のタイミングチャートの一例である。
【図6】第２の高Ｖｐｐモードが実行される場合のタイミングチャートの一例である。
【図7】低Ｖｐｐモードが実行される場合のタイミングチャートの一例である。
【図8】実験１の結果を示す図である。
【図9】実験２の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の各実施形態について説明する。
【0009】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置であって、チャンバと、チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部内に配置される下部電極と、基板支持部の上方に配置される上部電極と、ＲＦ信号を生成するように構成され、下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、ＤＣ信号を生成するように構成され、上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、第１の高Ｖｐｐモードと、第２の高Ｖｐｐモードと、低Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、第１の高Ｖｐｐモードは、（１ａ）下部電極へのＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、（１ｂ）チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、（１ｃ）チャンバ内の圧力を第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、第２の圧力は第１の圧力よりも小さいことと、（１ｄ）チャンバ内の圧力を第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、第３の圧力は、第２の圧力より大きくかつ第１の圧力より小さいことと、（１ｅ）第３の圧力を維持しながらチャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、第２の高Ｖｐｐモードは、（２ａ）下部電極へのＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、（２ｂ）（２ａ）の後に、上部電極へのＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、（２ｃ）チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、低Ｖｐｐモードは、（３ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスをチャンバ内に供給することと、（３ｂ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、（３ｃ）チャンバ内への貴ガスの供給を停止することと、（３ｄ）Ｎ2ガス及び少なくとも１つの処理ガスをチャンバ内に供給することと、（３ｅ）Ｎ2ガス及び少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながらチャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含むプラズマ処理装置が提供される。
【0010】
一つの例示的実施形態において、（１ｂ）～（１ｅ）、（２ｂ）～（２ｃ）及び（３ｃ）～（３ｅ）の間に、下部電極へのＲＦ信号の供給がオンに維持される。
【0011】
一つの例示的実施形態において、ＲＦ信号は連続波である。
【0012】
一つの例示的実施形態において、少なくとも１つの処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む。
【0013】
一つの例示的実施形態において、少なくとも１つの処理ガスは、酸素（Ｏ）含有ガスを含まない。
【0014】
一つの例示的実施形態において、（３ａ）において、貴ガスの流量は、少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きく、（３ｄ）において、Ｎ2ガスの流量は、少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きい。
【0015】
一つの例示的実施形態において、（２ｂ）において、ＤＣ信号は、ＤＣ信号の供給がオンの間、１００Ｖ～１５００Ｖに維持される。
【0016】
一つの例示的実施形態において、第１の圧力は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒであり、第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒであり、第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである。
【0017】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置であって、チャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部内に配置される下部電極と、基板支持部の上方に配置される上部電極と、ＲＦ信号を生成するように構成され、下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、ＤＣ信号を生成するように構成され、上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、第１の高Ｖｐｐモードと第２の高Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、第１の高Ｖｐｐモードは、（１ａ）下部電極へのＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、（１ｂ）チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、（１ｃ）チャンバ内の圧力を第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、第２の圧力は第１の圧力よりも小さいことと、（１ｄ）チャンバ内の圧力を第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、第３の圧力は、第２の圧力より大きくかつ第１の圧力より小さいことと、（１ｅ）第３の圧力を維持しながらチャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、第２の高Ｖｐｐモードは、（２ａ）下部電極へのＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、（２ｂ）（２ａ）の後に、上部電極へのＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、（２ｃ）チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含むプラズマ処理装置が提供される。
【0018】
一つの例示的実施形態において、（１ｂ）～（１ｅ）及び（２ｂ）～（２ｃ）の間に、下部電極へのＲＦ信号の供給がオンに維持される。
【0019】
一つの例示的実施形態において、ＲＦ信号は連続波である。
【0020】
一つの例示的実施形態において、（２ｂ）において、ＤＣ信号は、ＤＣ信号の供給がオンの間、１００Ｖ～１５００Ｖに維持される。
【0021】
一つの例示的実施形態において、第１の圧力は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒであり、第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒであり、第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである。
【0022】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置であって、チャンバと、チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部内に配置される下部電極と、基板支持部の上方に配置される上部電極と、ＲＦ信号を生成するように構成され、下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、ＤＣ信号を生成するように構成され、上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、低Ｖｐｐモードを実行するように構成される制御部と、を含み、低Ｖｐｐモードは、（ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスをチャンバ内に供給することと、（ｂ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、（ｃ）チャンバ内への貴ガスの供給を停止することと、（ｄ）Ｎ2ガス及び少なくとも１つの処理ガスをチャンバ内に供給することと、（ｅ）Ｎ2ガス及び少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながらチャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含むプラズマ処理装置が提供される。
【0023】
一つの例示的実施形態において、（ｃ）～（ｅ）の間に、下部電極へのＲＦ信号の供給がオンに維持される。
【0024】
一つの例示的実施形態において、ＲＦ信号は連続波である。
【0025】
一つの例示的実施形態において、少なくとも１つの処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む。
【0026】
一つの例示的実施形態において、少なくとも１つの処理ガスは、酸素（Ｏ）含有ガスを含まない。
【0027】
一つの例示的実施形態において、（ａ）において、貴ガスの流量は、少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きく、（ｄ）において、Ｎ2ガスの流量は、少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きい。
【0028】
一つの例示的実施形態において、貴ガスはＡｒガスである。
【0029】
以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。
【0030】
＜プラズマ処理システムの一例＞
図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
【0031】
プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、 １００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
【0032】
制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
【0033】
以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【0034】
容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
【0035】
基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
【0036】
一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
【0037】
リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
【0038】
また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
【0039】
シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
【0040】
ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
【0041】
電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
【0042】
一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
【0043】
第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
【0044】
また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
【0045】
種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ、３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
【0046】
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
【0047】
図３は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理装置１は、図３に示すように構成されてよい。この例では、電源３０は、下部電極に電気的に接続されるＲＦ電源３１と、上部電極に電気的に接続されるＤＣ電源３２とを含んで構成される。ＲＦ電源３１の第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路３３ａを介して下部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。ＲＦ電源３１の第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路３３ｂを介して下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。またＤＣ電源３２の第２のＤＣ生成部３２ｂは、上部電極に接続され、ＤＣ信号を生成するように構成される。なお、図３に示す構成において、ＤＣ電源３２は、上述した第１のＤＣ生成部３１ａ（図２参照）を含んでも含まなくてもよい。
【0048】
＜Ｖｐｐの制御＞
従来、ソースＲＦ信号のＶｐｐ値（インピーダンス整合回路から出力されるソースＲＦ信号の最大電圧と最小電圧の差であり、以下単に「Ｖｐｐ」ともいう。）は、プロセス条件に固有の値であって、ソースＲＦ信号のパワーとチャンバ内の圧力に応じて決まるので、意図的にコントロールすることはできないと考えられていた。そのため、プラズマ処理のノブ（調整手段）としてＶｐｐを用いることはされていなかった。またＶｐｐが高すぎると基板に絶縁破壊が生じるおそれがあり、このような場合は、ソースＲＦ信号のパワーを下げてＶｐｐを低くせざるを得ず、スループットの低下につながっていた。
従来、ソースＲＦ信号のＶｐｐ値（インピーダンス整合回路から出力されるソースＲＦ信号の最大電圧と最小電圧の差であり、以下単に「Ｖｐｐ」ともいう。）は、プロセス条件に固有の値であって、ソースＲＦ信号のパワーとチャンバ内の圧力に応じて決まるので、意図的にコントロールすることはできないと考えられていた。そのため、プラズマ処理のノブ（調整手段）としてＶｐｐを用いることはされていなかった。またＶｐｐが高すぎると基板に絶縁破壊が生じるおそれがあり、このような場合は、ソースＲＦ信号のパワーを下げてＶｐｐを低くせざるを得ず、スループットの低下につながっていた。
【0049】
この点、本発明者らは、プラズマの着火条件を工夫することで、同じプロセス条件下でも（すなわちソースＲＦ信号のパワーやチャンバ内の圧力をかえずに）、Ｖｐｐをコントロールし得ることを見出した。ある着火条件によれば、続くプラズマ処理におけるＶｐｐが高くなり得る（以下、このような着火条件を「高Ｖｐｐモード」ともいう）。また別のある着火条件によれば、続くプラズマ処理におけるＶｐｐが低くなり得る（以下、このような着火条件を「低Ｖｐｐモード」ともいう）。すなわち、本発明者らは、プロセス条件を変化させなくともプラズマ処理におけるＶｐｐを変化させ得るプラズマの着火条件を見出した。
【0050】
一実施形態において、高Ｖｐｐモードは、プラズマ着火時のチャンバ内の圧力を制御することを含む（以下、このモードを「第１の高Ｖｐｐモード」ともいう）。一実施形態において、第１の高Ｖｐｐモードは、下部電極へのＲＦ信号の供給をオフからオンにすること、チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持すること、チャンバ内の圧力を第１の圧力から第２の圧力に変更すること、チャンバ内の圧力を前記第２の圧力から第３の圧力に変更すること、及び、第３の圧力を維持しながらチャンバ内でプラズマ処理を行うことを含む。ここで、第２の圧力は第３の圧力よりも小さく、第３の圧力は第１の圧力よりも小さい。すなわち、第２の圧力＜第３の圧力＜第１の圧力の関係が成り立つ。
【0051】
一実施形態において、高Ｖｐｐモードは、プラズマ着火時に、上部電極にＤＣ信号を供給することを含む（以下、このモードを「第２の高Ｖｐｐモード」ともいう）。一実施形態において、第２の高Ｖｐｐモードは、下部電極へのソースＲＦ信号の供給をオフからオンにすること、その後、上部電極へのＤＣ信号の供給をオフからオンにし、さらにオンからオフにすること、及び、チャンバ内でプラズマ処理を行うことを含む。一実施形態において、高Ｖｐｐモードは、第１の高Ｖｐｐモード及び第２の高Ｖｐｐモードの双方を実行することを含む。すなわち、高Ｖｐｐモードは、プラズマ着火時において、チャンバ内の圧力を上述のように制御するとともに、上述のように上部電極にＤＣ信号を供給することを含む。
【0052】
一実施形態において、低Ｖｐｐモードは、プラズマ着火時に処理ガスと貴ガスとを用い、プラズマ処理時に処理ガスとＮ2ガスとを用いることを含む。一実施形態において、低Ｖｐｐモードは、貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスをチャンバ内に供給すること、貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火すること、チャンバ内への貴ガスの供給を停止すること、Ｎ2ガス及び少なくとも１つの処理ガスをチャンバ内に供給すること、及び、Ｎ2ガス及び少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながらチャンバ内でプラズマ処理を行うことを含む。
【0053】
【0054】
＜プラズマ処理方法の一例＞
図４は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理方法（以下「方法ＭＴ」ともいう。）の一例を示すフローチャートである。図４に示すように、方法ＭＴは、チャンバに基板を提供する工程ＳＴ１と、チャンバ内でプラズマを着火する工程ＳＴ２と、チャンバ内でプラズマ処理を行う工程ＳＴ３とを含む。各工程における処理は、図２や図３に示すプラズマ処理装置１で実行されてよい。以下では、制御部２が図３に示すプラズマ処理装置１の各部を制御して、方法ＭＴを実行する場合を例に説明する。
図４は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理方法（以下「方法ＭＴ」ともいう。）の一例を示すフローチャートである。図４に示すように、方法ＭＴは、チャンバに基板を提供する工程ＳＴ１と、チャンバ内でプラズマを着火する工程ＳＴ２と、チャンバ内でプラズマ処理を行う工程ＳＴ３とを含む。各工程における処理は、図２や図３に示すプラズマ処理装置１で実行されてよい。以下では、制御部２が図３に示すプラズマ処理装置１の各部を制御して、方法ＭＴを実行する場合を例に説明する。
【0055】
工程ＳＴ１において、基板Ｗがプラズマ処理チャンバ１０（以下「チャンバ１０」ともいう。）に提供される。一実施形態において、基板Ｗは、搬送アームによりチャンバ１０内に搬入され、リフターにより基板支持部１１に載置され、図３に示すように基板支持部１１上に吸着保持される。
【0056】
工程ＳＴ２において、チャンバ１０内でプラズマが着火される。一実施形態において、高Ｖｐｐモード及び低Ｖｐｐモードのいずれかが制御部２により選択的に実行される。一実施形態において、高Ｖｐｐモードを実行することは、プラズマ着火時に第１の高Ｖｐｐモード及び第２の高Ｖｐｐモードのいずれかを実行することを含む。一実施形態において、高Ｖｐｐモードを実行することは、プラズマ着火時に第１の高Ｖｐｐモード及び第２の高Ｖｐｐモードの双方を実行することを含む。一実施形態において、第１の高Ｖｐｐモード及び第２の高Ｖｐｐモードの双方が制御部２により実行されてよい。
【0057】
工程ＳＴ３において、チャンバ１０内で生成されたプラズマを用いて、基板Ｗに対してプラズマ処理がされる。プラズマ処理は、一例では、基板Ｗのエッチング処理を含む。
【0058】
図５は、第１の高Ｖｐｐモードが実行される場合のタイミングチャートの一例である。上述したとおり、第１の高Ｖｐｐモードは、プラズマ着火時のチャンバ内の圧力を制御することを含む。
【0059】
（ガスの供給）
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、Ｎ2ガス及び処理ガスがガス供給部２０からシャワーヘッド１３を介してチャンバ１０内に供給される（供給がオフからオンになる）。Ｎ2ガス及び処理ガスは、工程ＳＴ２（プラズマ着火期間）及び工程ＳＴ３（プラズマ処理期間）において継続して供給されてよい。
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、Ｎ2ガス及び処理ガスがガス供給部２０からシャワーヘッド１３を介してチャンバ１０内に供給される（供給がオフからオンになる）。Ｎ2ガス及び処理ガスは、工程ＳＴ２（プラズマ着火期間）及び工程ＳＴ３（プラズマ処理期間）において継続して供給されてよい。
【0060】
一実施形態において、処理ガスは、基板Ｗのプラズマ処理のために必要な活性種を生成するガスを含む。このようなガスに特に限定はないが、一例では、処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む。一例では、処理ガスは、酸素含有ガス（Ｏ2ガス、ＣＯガス、ＣＯ2ガス等）を含まない。
【0061】
図５に示す例では、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において、貴ガスは供給されない（供給がオフのままである）。しかし、一実施形態において、工程ＳＴ２及び／又は工程ＳＴ３において、貴ガスが供給されてもよい。
【0062】
（ソースＲＦ信号／バイアス信号／ＤＣ信号の供給）
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、第１のＲＦ生成部３１ａで生成されたソースＲＦ信号が、インピーダンス整合回路３３ａを介して、下部電極に供給される（供給がオフからオンになる）。ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において継続して供給されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において一定のパワーＰＷ１で維持されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は連続波であってよく、またパルス波であってもよい。なお、一実施形態において、ソースＲＦ信号の供給をオフからオンにするタイミングは、Ｎ2ガス及び処理ガスの供給をオフからオンにするタイミングと前後してよい。
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、第１のＲＦ生成部３１ａで生成されたソースＲＦ信号が、インピーダンス整合回路３３ａを介して、下部電極に供給される（供給がオフからオンになる）。ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において継続して供給されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において一定のパワーＰＷ１で維持されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は連続波であってよく、またパルス波であってもよい。なお、一実施形態において、ソースＲＦ信号の供給をオフからオンにするタイミングは、Ｎ2ガス及び処理ガスの供給をオフからオンにするタイミングと前後してよい。
【0063】
一実施形態において、工程ＳＴ２及び／又は工程ＳＴ３において、第２のＲＦ生成部３１ｂで生成されたバイアスＲＦ信号が下部電極に供給されてもよい。バイアス信号は、連続波又はパルス波でよい。ソースＲＦ信号及びバイアス信号の双方がパルス波である場合、双方のパルス波の周期は同期してよく、また同期しなくてもよい。
【0064】
図５に示す例では、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において、ＤＣ信号は上部電極に供給されない（供給がオフのままである）。しかし、一実施形態において、工程ＳＴ２及び／又は工程ＳＴ３において、ＤＣ信号が上部電極に供給されてもよい。
【0065】
（チャンバ内の圧力）
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、排気システム４０の圧力調整弁により、チャンバ１０内の圧力は初期圧力Ｐ０に減圧される。一例では、初期圧力Ｐ０は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒである。次に時間ｔ１において、チャンバ１０内の圧力が第１の圧力Ｐ１に昇圧される。一例では、第１の圧力Ｐ１は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒである。一実施形態において、チャンバ１０内の昇圧により、プラズマが着火（窒素ガス及び処理ガスからプラズマが生成）される。チャンバ内の圧力は第１の圧力Ｐ１に所与の期間維持される。時間ｔ２において、チャンバ１０内の圧力が第２の圧力Ｐ２まで減圧される。そして時間ｔ３において、チャンバ１０内の圧力が第３の圧力Ｐ３まで昇圧される。
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、排気システム４０の圧力調整弁により、チャンバ１０内の圧力は初期圧力Ｐ０に減圧される。一例では、初期圧力Ｐ０は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒである。次に時間ｔ１において、チャンバ１０内の圧力が第１の圧力Ｐ１に昇圧される。一例では、第１の圧力Ｐ１は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒである。一実施形態において、チャンバ１０内の昇圧により、プラズマが着火（窒素ガス及び処理ガスからプラズマが生成）される。チャンバ内の圧力は第１の圧力Ｐ１に所与の期間維持される。時間ｔ２において、チャンバ１０内の圧力が第２の圧力Ｐ２まで減圧される。そして時間ｔ３において、チャンバ１０内の圧力が第３の圧力Ｐ３まで昇圧される。
【0066】
第２の圧力は、第１の圧力Ｐ１及び第３の圧力Ｐ３よりも低い圧力である。一例では、第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒである。第２の圧力は、初期圧力Ｐ１と同一であっても異なっていてもよい。
【0067】
第３の圧力は、第１の圧力Ｐ１よりも低く、かつ、第２の圧力よりも高い圧力である。一実施形態において、第３の圧力は、工程ＳＴ３のプラズマ処理を最適化し得るプロセス圧力であってよい。一例では、第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである。
【0068】
（Ｖｐｐ）
以上の処理により、図５に示すように、工程ＳＴ３におけるソースＲＦ信号のＶｐｐ値（ＶｐｐＨ１）は、後述する低ＶｐｐモードにおけるＶｐｐ値（ＶｐｐＬ）よりも高くなる。
以上の処理により、図５に示すように、工程ＳＴ３におけるソースＲＦ信号のＶｐｐ値（ＶｐｐＨ１）は、後述する低ＶｐｐモードにおけるＶｐｐ値（ＶｐｐＬ）よりも高くなる。
【0069】
図６は、第２の高Ｖｐｐモードが実行される場合のタイミングチャートの一例である。上述したとおり、第２の高Ｖｐｐモードは、プラズマ着火時に、上部電極にＤＣ信号を供給することを含む。
【0070】
（ガスの供給）
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、Ｎ2ガス及び処理ガスがガス供給部２０からシャワーヘッド１３を介してチャンバ１０内に供給される（供給がオフからオンになる）。Ｎ2ガス及び処理ガスは、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において継続して供給されてよい。
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、Ｎ2ガス及び処理ガスがガス供給部２０からシャワーヘッド１３を介してチャンバ１０内に供給される（供給がオフからオンになる）。Ｎ2ガス及び処理ガスは、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において継続して供給されてよい。
【0071】
一実施形態において、処理ガスは、基板Ｗのプラズマ処理のために必要な活性種を生成するガスを含む。このようなガスに特に限定はないが、一例では、処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む。一例では、処理ガスは、酸素含有ガス（Ｏ2ガス、ＣＯガス、ＣＯ2ガス等）を含まない。
【0072】
図６に示す例では、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において、貴ガスは供給されない（供給がオフのままである）。しかし、一実施形態において、工程ＳＴ２及び／又は工程ＳＴ３において、貴ガスが供給されてもよい。
【0073】
（ソースＲＦ信号／バイアス信号／ＤＣ信号の供給）
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、第１のＲＦ生成部３１ａで生成されたソースＲＦ信号が、インピーダンス整合回路３３ａを介して、下部電極に供給される（供給がオフからオンになる）。ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において継続して供給されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において上述したパワーＰＷ１で維持されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は連続波であってよく、またパルス波であってもよい。なお、一実施形態において、ソースＲＦ信号の供給をオフからオンにするタイミングは、Ｎ2ガス及び処理ガスの供給をオフからオンにするタイミングと前後してよい。
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、第１のＲＦ生成部３１ａで生成されたソースＲＦ信号が、インピーダンス整合回路３３ａを介して、下部電極に供給される（供給がオフからオンになる）。ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において継続して供給されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において上述したパワーＰＷ１で維持されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は連続波であってよく、またパルス波であってもよい。なお、一実施形態において、ソースＲＦ信号の供給をオフからオンにするタイミングは、Ｎ2ガス及び処理ガスの供給をオフからオンにするタイミングと前後してよい。
【0074】
一実施形態において、工程ＳＴ２及び／又は工程ＳＴ３において、第２のＲＦ生成部３１ｂで生成されたバイアスＲＦ信号が下部電極に供給されてもよい。バイアス信号は、連続波又はパルス波でよい。ソースＲＦ信号及びバイアス信号の双方がパルス波である場合、双方のパルス波の周期は同期してよく、また同期しなくてもよい。
【0075】
一実施形態において、工程ＳＴ２において、プラズマ着火後（時間ｔ４後）に、第２のＤＣ生成部で生成されたＤＣ信号が、上部電極に所与の期間供給される。図６に示すとおり、時間ｔ５においてＤＣ信号が上部電極に供給され（供給がオフからオンになり）、所与の期間を経過した時間ｔ６において、ＤＣ信号の供給が停止される（供給がオンからオフになる）。一実施形態において、上部電極に供給されるＤＣ信号の電圧は、１００Ｖ～１５００Ｖでよい。
【0076】
（チャンバ内の圧力）
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、排気システム４０の圧力調整弁により、チャンバ１０内の圧力は初期圧力Ｐ０に減圧される。一例では、初期圧力Ｐ０は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒである。次に時間ｔ４において、チャンバ１０内の圧力が第１の圧力Ｐ１に昇圧される。一例では、第１の圧力Ｐ１は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒである。一実施形態において、チャンバ１０内の昇圧により、プラズマが着火（窒素ガス及び処理ガスからプラズマが生成）される。チャンバ内の圧力は第１の圧力Ｐ１に所与の期間維持される。そして時間ｔ６において、チャンバ１０内の圧力が第３の圧力Ｐ３まで減圧される。
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、排気システム４０の圧力調整弁により、チャンバ１０内の圧力は初期圧力Ｐ０に減圧される。一例では、初期圧力Ｐ０は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒである。次に時間ｔ４において、チャンバ１０内の圧力が第１の圧力Ｐ１に昇圧される。一例では、第１の圧力Ｐ１は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒである。一実施形態において、チャンバ１０内の昇圧により、プラズマが着火（窒素ガス及び処理ガスからプラズマが生成）される。チャンバ内の圧力は第１の圧力Ｐ１に所与の期間維持される。そして時間ｔ６において、チャンバ１０内の圧力が第３の圧力Ｐ３まで減圧される。
【0077】
第３の圧力は、第１の圧力Ｐ１よりも低い圧力である。一実施形態において、第３の圧力は、工程ＳＴ３のプラズマ処理を最適化するためのプロセス圧力であってよい。一例では、第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである。一実施形態において、第３の圧力は、初期圧力Ｐ０よりも高くてよい。
【0078】
（Ｖｐｐ）
以上の処理により、図６に示すように、工程ＳＴ３におけるソースＲＦ信号のＶｐｐ値（ＶｐｐＨ２）は、後述する低ＶｐｐモードにおけるＶｐｐ値（ＶｐｐＬ）よりも高くなる。
以上の処理により、図６に示すように、工程ＳＴ３におけるソースＲＦ信号のＶｐｐ値（ＶｐｐＨ２）は、後述する低ＶｐｐモードにおけるＶｐｐ値（ＶｐｐＬ）よりも高くなる。
【0079】
図７は、低Ｖｐｐモードが実行される場合のタイミングチャートの一例である。上述したとおり、低Ｖｐｐモードは、プラズマ着火時に処理ガスとともに貴ガスを用い、プラズマ処理時に処理ガスとともにＮ2ガスを用いることを含む。
【0080】
（ガスの供給）
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、貴ガス及び処理ガスがガス供給部２０からシャワーヘッド１３を介してチャンバ１０内に供給される（供給がオフからオンになる）。貴ガスの供給は、プラズマの着火（時間ｔ７）から所与の時間経過した時間ｔ８において停止される（供給がオンからオフになる）。処理ガスは、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において継続して供給されてよい。
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、貴ガス及び処理ガスがガス供給部２０からシャワーヘッド１３を介してチャンバ１０内に供給される（供給がオフからオンになる）。貴ガスの供給は、プラズマの着火（時間ｔ７）から所与の時間経過した時間ｔ８において停止される（供給がオンからオフになる）。処理ガスは、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において継続して供給されてよい。
【0081】
一実施形態において、処理ガスは、基板Ｗのプラズマ処理のために必要な活性種を生成するガスを含む。このようなガスに特に限定はないが、一例では、処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む。一例では、処理ガスは、酸素含有ガス（Ｏ2ガス、ＣＯガス、ＣＯ2ガス等）を含まない。一実施形態において、貴ガスは、Ａｒガス、Ｈｅガス及びＫｒガス等である。一例では、貴ガスはＡｒガスである。一実施形態において、貴ガスの流量は、処理ガスの流量の１０倍より大きくてよい。
【0082】
一実施形態において、貴ガスの供給が停止されるタイミング（時間ｔ８）において、Ｎ2ガスが供給される（供給がオフからオンになる）。一実施形態において、Ｎ2ガスの流量は、処理ガスの流量の１０倍より大きくてよい。
【0083】
（ソースＲＦ信号／バイアス信号／ＤＣ信号の供給）
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、第１のＲＦ生成部３１ａで生成されたソースＲＦ信号が、インピーダンス整合回路３３ａを介して、下部電極に供給される（供給がオフからオンになる）。ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において継続して供給されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において上述したパワーＰＷ１で維持されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は連続波であってよく、またパルス波であってもよい。なお、一実施形態において、ソースＲＦ信号の供給をオフからオンにするタイミングは、Ｎ2ガス及び処理ガスの供給をオフからオンにするタイミングと前後してよい。
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、第１のＲＦ生成部３１ａで生成されたソースＲＦ信号が、インピーダンス整合回路３３ａを介して、下部電極に供給される（供給がオフからオンになる）。ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において継続して供給されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において上述したパワーＰＷ１で維持されてよい。一実施形態において、ソースＲＦ信号は連続波であってよく、またパルス波であってもよい。なお、一実施形態において、ソースＲＦ信号の供給をオフからオンにするタイミングは、Ｎ2ガス及び処理ガスの供給をオフからオンにするタイミングと前後してよい。
【0084】
一実施形態において、工程ＳＴ２及び／又は工程ＳＴ３において、第２のＲＦ生成部３１ｂで生成されたバイアスＲＦ信号が下部電極に供給されてもよい。バイアス信号は、連続波又はパルス波でよい。ソースＲＦ信号及びバイアス信号の双方がパルス波である場合、双方のパルス波の周期は同期してよく、また同期しなくてもよい。
【0085】
図７に示す例では、工程ＳＴ２及び工程ＳＴ３において、ＤＣ信号は上部電極に供給されない（供給がオフのままである）。
【0086】
（チャンバ内の圧力）
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、排気システム４０の圧力調整弁により、チャンバ１０内の圧力は初期圧力Ｐ０に減圧される。一例では、初期圧力Ｐ０は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒである。次に時間ｔ７において、チャンバ１０内の圧力が第１の圧力Ｐ１に昇圧される。一例では、第１の圧力Ｐ１は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒである。一実施形態において、チャンバ１０内の昇圧により、プラズマが着火（貴ガス及び処理ガスからプラズマが生成）される。チャンバ内の圧力は第１の圧力Ｐ１に所与の期間維持される。そして時間ｔ８において、チャンバ１０内の圧力が第３の圧力Ｐ３まで減圧される。
一実施形態において、工程ＳＴ２の時間ｔ０において、排気システム４０の圧力調整弁により、チャンバ１０内の圧力は初期圧力Ｐ０に減圧される。一例では、初期圧力Ｐ０は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒである。次に時間ｔ７において、チャンバ１０内の圧力が第１の圧力Ｐ１に昇圧される。一例では、第１の圧力Ｐ１は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒである。一実施形態において、チャンバ１０内の昇圧により、プラズマが着火（貴ガス及び処理ガスからプラズマが生成）される。チャンバ内の圧力は第１の圧力Ｐ１に所与の期間維持される。そして時間ｔ８において、チャンバ１０内の圧力が第３の圧力Ｐ３まで減圧される。
【0087】
第３の圧力は、第１の圧力Ｐ１よりも低い圧力である。一実施形態において、第３の圧力は、工程ＳＴ３のプラズマ処理を最適化するためのプロセス圧力であってよい。一例では、第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである。一実施形態において、第３の圧力は、初期圧力Ｐ０よりも高くてよい。
【0088】
（Ｖｐｐ）
以上の処理により、図７に示すように、工程ＳＴ３におけるソースＲＦ信号のＶｐｐ値（ＶｐｐＬ）は、上述した第１及び第２の高ＶｐｐモードにおけるＶｐｐ値（ＶｐｐＨ１、ＶｐｐＨ２）よりも低くなる。
以上の処理により、図７に示すように、工程ＳＴ３におけるソースＲＦ信号のＶｐｐ値（ＶｐｐＬ）は、上述した第１及び第２の高ＶｐｐモードにおけるＶｐｐ値（ＶｐｐＨ１、ＶｐｐＨ２）よりも低くなる。
【0089】
方法ＭＴによれば、工程ＳＴ２のプラズマ着火処理において、第１の高Ｖｐｐモード、第２の高Ｖｐｐモード及び低Ｖｐｐモードのいずれか１つが選択的に実行される。これにより、工程ＳＴ３のプラズマ処理において、同じプロセス条件（例えばソースＲＦ信号のパワーが同じＰＷ１であり、チャンバ１０内の圧力が同じＰ３）を維持しつつ、ソースＲＦ信号のＶｐｐ値を変更することができる。
【0090】
＜実験＞
次に、実験１及び実験２について説明する。実験１及び実験２は、Ｖｐｐの変更がプラズマ処理に与える影響を検証するために行った実験である。本開示は、以下の実験１及び実験２によって何ら限定されるものではない。
次に、実験１及び実験２について説明する。実験１及び実験２は、Ｖｐｐの変更がプラズマ処理に与える影響を検証するために行った実験である。本開示は、以下の実験１及び実験２によって何ら限定されるものではない。
【0091】
（実験１）
実験１では、図３に示すプラズマ処理装置１を用いて、図４で説明したフローチャートに沿って基板Ｗに対してプラズマ処理を行った。基板Ｗとしては、３種類の基板を準備した。下地膜上に酸化ケイ素膜が形成された第１の基板Ｗ１と、下地膜上に窒化ケイ素膜が形成された第２の基板Ｗ２と、下地膜上にフォトレジスト膜が形成された第３の基板Ｗ３を準備した。そして、基板Ｗ１について、高Ｖｐｐモードによるエッチング及び低Ｖｐｐモードによるエッチングを同一のプロセス条件でそれぞれ実行し、その結果を比較した。同様に、基板Ｗ２及び基板Ｗ３についてもそれぞれ高Ｖｐｐモードによるエッチング及び低Ｖｐｐモードによるエッチングを同一のプロセス条件でそれぞれ実行し、その結果を比較した。
実験１では、図３に示すプラズマ処理装置１を用いて、図４で説明したフローチャートに沿って基板Ｗに対してプラズマ処理を行った。基板Ｗとしては、３種類の基板を準備した。下地膜上に酸化ケイ素膜が形成された第１の基板Ｗ１と、下地膜上に窒化ケイ素膜が形成された第２の基板Ｗ２と、下地膜上にフォトレジスト膜が形成された第３の基板Ｗ３を準備した。そして、基板Ｗ１について、高Ｖｐｐモードによるエッチング及び低Ｖｐｐモードによるエッチングを同一のプロセス条件でそれぞれ実行し、その結果を比較した。同様に、基板Ｗ２及び基板Ｗ３についてもそれぞれ高Ｖｐｐモードによるエッチング及び低Ｖｐｐモードによるエッチングを同一のプロセス条件でそれぞれ実行し、その結果を比較した。
【0092】
図８は、実験１の結果を示す図である。図８において、「ＥＲ」は、各基板Ｗ１～Ｗ３のそれぞれのエッチングレートを示す。「Ｏｘ／ＰＲ」は、酸化ケイ素膜（Ｏｘ）に対するフォトレジスト膜（ＰＲ）の選択比である。「Ｏｘ／ＰＲ」は、基板Ｗ１及び基板Ｗ３のエッチングレートから算出した値である。「ＳｉＮ／ＰＲ」は、窒化ケイ素膜（ＳｉＮ）に対するフォトレジスト膜（ＰＲ）の選択比である。「ＳｉＮ／ＰＲ」は、基板Ｗ２及び基板Ｗ３のエッチングレートから算出した値である。
【0093】
図８に示すように、基板Ｗ１～基板Ｗ３いずれにおいても、高Ｖｐｐモードと低Ｖｐｐモードとでエッチングレートが異なっていた。また「Ｏｘ／ＰＲ」及び「ＳｉＮ／ＰＲ」はいずれも、高Ｖｐｐモードと低Ｖｐｐモードとで異なっていた。すなわち、高Ｖｐｐモードと低Ｖｐｐモードとを選択することで、同一プロセス条件下において選択比を調整し得ることが確認された。
【0094】
（実験２）
実験２では、図３に示すプラズマ処理装置１を用いて、図４で説明したフローチャートに沿って、基板Ｗに対してプラズマ処理を行った。基板Ｗとしては、下地膜、酸化ケイ素膜、ホールパターンを有する有機膜マスクがこの順で形成されたものを準備した。そして、有機膜マスクを介した酸化ケイ素膜のエッチングを高Ｖｐｐモード及び低Ｖｐｐモードにより同一のプロセス条件でそれぞれ実行し、その結果を比較した。
実験２では、図３に示すプラズマ処理装置１を用いて、図４で説明したフローチャートに沿って、基板Ｗに対してプラズマ処理を行った。基板Ｗとしては、下地膜、酸化ケイ素膜、ホールパターンを有する有機膜マスクがこの順で形成されたものを準備した。そして、有機膜マスクを介した酸化ケイ素膜のエッチングを高Ｖｐｐモード及び低Ｖｐｐモードにより同一のプロセス条件でそれぞれ実行し、その結果を比較した。
【0095】
図９は、実験２の結果を示す図である。図９において「選択比」は、酸化ケイ素膜に対する有機膜マスクの選択比である。「Ｂｏｗ ＣＤ」は酸化ケイ素膜にエッチングにより形成される凹部の最大開口寸法である。「Ｂｔｍ ＣＤ」は、当該凹部の底部の開口寸法である。図９に示すとおり、高Ｖｐｐモードでは、低Ｖｐｐモードに比べて選択比が低かった。また高Ｖｐｐモードでは、低Ｖｐｐモードに比べて「Ｂｏｗ ＣＤ」が大きく、かつ「Ｂｔｍ ＣＤ」が小さかった。すなわち高Ｖｐｐモードではエッチングにより形成される凹部の形状が先細りになる傾向が認められた。他方、低Ｖｐｐモードではエッチングにより形成される凹部の形状がより矩形に近づく（垂直性が高まる）傾向が見られた。すなわち、高Ｖｐｐモードと低Ｖｐｐモードとを選択することで、同一プロセス条件下においてエッチングの選択比や凹部の形状を調整し得ることが確認された。
【0096】
本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。
【0097】
（付記１）
プラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、前記複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
第１の高Ｖｐｐモードと、第２の高Ｖｐｐモードと、低Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、
前記第１の高Ｖｐｐモードは、
（１ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（１ｂ）前記チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、
（１ｃ）前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも小さいことと、
（１ｄ）前記チャンバ内の圧力を前記第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、前記第３の圧力は、前記第２の圧力より大きくかつ前記第１の圧力より小さいことと、
（１ｅ）前記第３の圧力を維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記第２の高Ｖｐｐモードは、
（２ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（２ｂ）前記（２ａ）の後に、前記上部電極への前記ＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、
（２ｃ）前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記低Ｖｐｐモードは、
（３ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（３ｂ）前記貴ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、
（３ｃ）前記チャンバ内への前記貴ガスの供給を停止することと、
（３ｄ）Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（３ｅ）前記Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
プラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、前記複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
第１の高Ｖｐｐモードと、第２の高Ｖｐｐモードと、低Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、
前記第１の高Ｖｐｐモードは、
（１ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（１ｂ）前記チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、
（１ｃ）前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも小さいことと、
（１ｄ）前記チャンバ内の圧力を前記第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、前記第３の圧力は、前記第２の圧力より大きくかつ前記第１の圧力より小さいことと、
（１ｅ）前記第３の圧力を維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記第２の高Ｖｐｐモードは、
（２ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（２ｂ）前記（２ａ）の後に、前記上部電極への前記ＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、
（２ｃ）前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記低Ｖｐｐモードは、
（３ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（３ｂ）前記貴ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、
（３ｃ）前記チャンバ内への前記貴ガスの供給を停止することと、
（３ｄ）Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（３ｅ）前記Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
【0098】
（付記２）
前記（１ｂ）～前記（１ｅ）、前記（２ｂ）～前記（２ｃ）及び前記（３ｃ）～前記（３ｅ）の間に、前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給がオンに維持される、付記１に記載のプラズマ処理装置。
前記（１ｂ）～前記（１ｅ）、前記（２ｂ）～前記（２ｃ）及び前記（３ｃ）～前記（３ｅ）の間に、前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給がオンに維持される、付記１に記載のプラズマ処理装置。
【0099】
（付記３）
前記ＲＦ信号は連続波である、付記１又は付記２に記載のプラズマ処理装置。
前記ＲＦ信号は連続波である、付記１又は付記２に記載のプラズマ処理装置。
【0100】
（付記４）
前記少なくとも１つの処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む、付記１から付記３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つの処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む、付記１から付記３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0101】
（付記５）
前記少なくとも１つの処理ガスは、酸素（Ｏ）含有ガスを含まない、付記１から付記４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つの処理ガスは、酸素（Ｏ）含有ガスを含まない、付記１から付記４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0102】
（付記６）
前記（３ａ）において、前記貴ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きく、前記（３ｄ）において、前記Ｎ2ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きい、付記１から付記５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記（３ａ）において、前記貴ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きく、前記（３ｄ）において、前記Ｎ2ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きい、付記１から付記５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0103】
（付記７）
前記（２ｂ）において、前記ＤＣ信号は、当該ＤＣ信号の供給がオンの間、１００Ｖ～１５００Ｖに維持される、付記１から付記６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記（２ｂ）において、前記ＤＣ信号は、当該ＤＣ信号の供給がオンの間、１００Ｖ～１５００Ｖに維持される、付記１から付記６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0104】
（付記８）
前記第１の圧力は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒであり、
前記第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒであり、
前記第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである、付記１から付記７のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記第１の圧力は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒであり、
前記第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒであり、
前記第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである、付記１から付記７のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0105】
（付記９）
プラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
第１の高Ｖｐｐモードと第２の高Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、
前記第１の高Ｖｐｐモードは、
（１ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（１ｂ）前記チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、
（１ｃ）前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも小さいことと、
（１ｄ）前記チャンバ内の圧力を前記第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、前記第３の圧力は、前記第２の圧力より大きくかつ前記第１の圧力より小さいことと、
（１ｅ）前記第３の圧力を維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記第２の高Ｖｐｐモードは、
（２ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（２ｂ）前記（２ａ）の後に、前記上部電極への前記ＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、
（２ｃ）前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
プラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
第１の高Ｖｐｐモードと第２の高Ｖｐｐモードとを選択的に実行するように構成される制御部と、を含み、
前記第１の高Ｖｐｐモードは、
（１ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（１ｂ）前記チャンバ内の圧力を第１の圧力に維持することと、
（１ｃ）前記チャンバ内の圧力を前記第１の圧力から第２の圧力に変更することであって、前記第２の圧力は前記第１の圧力よりも小さいことと、
（１ｄ）前記チャンバ内の圧力を前記第２の圧力から第３の圧力に変更することであって、前記第３の圧力は、前記第２の圧力より大きくかつ前記第１の圧力より小さいことと、
（１ｅ）前記第３の圧力を維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含み、
前記第２の高Ｖｐｐモードは、
（２ａ）前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給をオフからオンにすることと、
（２ｂ）前記（２ａ）の後に、前記上部電極への前記ＤＣ信号の供給を、オフからオンにし、さらにオンからオフにすることと、
（２ｃ）前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
【0106】
（付記１０）
前記（１ｂ）～前記（１ｅ）及び前記（２ｂ）～前記（２ｃ）の間に、前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給がオンに維持される、付記９に記載のプラズマ処理装置。
前記（１ｂ）～前記（１ｅ）及び前記（２ｂ）～前記（２ｃ）の間に、前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給がオンに維持される、付記９に記載のプラズマ処理装置。
【0107】
（付記１１）
前記ＲＦ信号は連続波である、付記９又は付記１０に記載のプラズマ処理装置。
前記ＲＦ信号は連続波である、付記９又は付記１０に記載のプラズマ処理装置。
【0108】
（付記１２）
前記（２ｂ）において、前記ＤＣ信号は、当該ＤＣ信号の供給がオンの間、１００Ｖ～１５００Ｖに維持される、付記９から付記１１のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記（２ｂ）において、前記ＤＣ信号は、当該ＤＣ信号の供給がオンの間、１００Ｖ～１５００Ｖに維持される、付記９から付記１１のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0109】
（付記１３）
前記第１の圧力は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒであり、
前記第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒであり、
前記第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである、付記９から付記１２のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記第１の圧力は、３０ｍＴｏｒｒ～１０００ｍＴｏｒｒであり、
前記第２の圧力は、０ｍＴｏｒｒ～２０ｍＴｏｒｒであり、
前記第３の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ～３０ｍＴｏｒｒである、付記９から付記１２のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0110】
（付記１４）
プラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、前記複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
低Ｖｐｐモードを実行するように構成される制御部と、を含み、
前記低Ｖｐｐモードは、
（ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（ｂ）前記貴ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、
（ｃ）前記チャンバ内への前記貴ガスの供給を停止することと、
（ｄ）Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（ｅ）前記Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
プラズマ処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバと複数のガスソースとの間に接続されるガス制御ユニットであって、前記複数のガスソースは、貴ガスソース及びＮ2ガスソースを含む、ガス制御ユニットと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部内に配置される下部電極と、
前記基板支持部の上方に配置される上部電極と、
ＲＦ信号を生成するように構成され、前記下部電極に電気的に接続されるＲＦ生成部と、
ＤＣ信号を生成するように構成され、前記上部電極に電気的に接続されるＤＣ生成部と、
低Ｖｐｐモードを実行するように構成される制御部と、を含み、
前記低Ｖｐｐモードは、
（ａ）貴ガス及び少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（ｂ）前記貴ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスからプラズマを着火することと、
（ｃ）前記チャンバ内への前記貴ガスの供給を停止することと、
（ｄ）Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスを前記チャンバ内に供給することと、
（ｅ）前記Ｎ2ガス及び前記少なくとも１つの処理ガスから生成されるプラズマを維持しながら前記チャンバ内でプラズマ処理を行うことと、を含む、
プラズマ処理装置。
【0111】
（付記１５）
前記（ｃ）～前記（ｅ）の間に、前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給がオンに維持される、付記１４に記載のプラズマ処理装置。
前記（ｃ）～前記（ｅ）の間に、前記下部電極への前記ＲＦ信号の供給がオンに維持される、付記１４に記載のプラズマ処理装置。
【0112】
（付記１６）
前記ＲＦ信号は連続波である、付記１４又は付記１５に記載のプラズマ処理装置。
前記ＲＦ信号は連続波である、付記１４又は付記１５に記載のプラズマ処理装置。
【0113】
（付記１７）
前記少なくとも１つの処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む、付記１４から付記１６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つの処理ガスは、ＣＦ含有ガス及びＣＨＦ含有ガスを含む、付記１４から付記１６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0114】
（付記１８）
前記少なくとも１つの処理ガスは、酸素（Ｏ）含有ガスを含まない、付記１４から付記１７のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記少なくとも１つの処理ガスは、酸素（Ｏ）含有ガスを含まない、付記１４から付記１７のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0115】
（付記１９）
前記（ａ）において、前記貴ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きく、前記（ｄ）において、前記Ｎ2ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きい、付記１４から付記１８のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記（ａ）において、前記貴ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きく、前記（ｄ）において、前記Ｎ2ガスの流量は、前記少なくとも１つの処理ガスの流量の１０倍より大きい、付記１４から付記１８のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0116】
（付記２０）
前記貴ガスはＡｒガスである、付記１４から付記１９のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
前記貴ガスはＡｒガスである、付記１４から付記１９のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【0117】
以上の各実施形態は、説明の目的で記載されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。以上の各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。
【符号の説明】
【0118】
１……プラズマ処理装置、２……制御部、１０……プラズマ処理チャンバ、１０ｓ……プラズマ処理空間、１１……基板支持部、１３……シャワーヘッド、２０……ガス供給部、３１ａ……第１のＲＦ生成部、３１ｂ……第２のＲＦ生成部、３２ａ……第１のＤＣ生成部、３２ｂ……第２のＤＣ生成部、Ｗ……基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】