特開2024-136170圧電積層体、圧電積層ウエハ、及び圧電積層体の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024136170
(43)【公開日】2024-10-04
(54)【発明の名称】圧電積層体、圧電積層ウエハ、及び圧電積層体の製造方法
(51)【国際特許分類】
H10N 30/853 20230101AFI20240927BHJP
H10N 30/076 20230101ALI20240927BHJP
H10N 30/20 20230101ALI20240927BHJP
H10N 30/082 20230101ALI20240927BHJP
C23C 14/08 20060101ALI20240927BHJP
C23C 14/58 20060101ALI20240927BHJP
【ＦＩ】
H10N30/853
H10N30/076
H10N30/20
H10N30/082
C23C14/08 K
C23C14/58 A
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023047182
(22)【出願日】2023-03-23
(71)【出願人】
【識別番号】000002093
【氏名又は名称】住友化学株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100145872
【弁理士】
【氏名又は名称】福岡 昌浩
(74)【代理人】
【識別番号】100187632
【弁理士】
【氏名又は名称】橘高 英郎
(72)【発明者】
【氏名】黒田 稔顕
(72)【発明者】
【氏名】柴田 憲治
(72)【発明者】
【氏名】渡辺 和俊
【テーマコード（参考）】
4K029
【Ｆターム（参考）】
4K029AA06
4K029AA24
4K029BA02
4K029BA50
4K029BB02
4K029CA05
4K029CA06
4K029DC03
4K029DC05
4K029DC09
4K029DC16
4K029EA08
4K029GA01
(57)【要約】
【課題】圧電膜と上部電極との間の界面における部分剥離の発生を抑制する。
【解決手段】基板と、基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を圧電積層体に対して行った後に、圧電積層体を観察した際、圧電膜と上部電極との間の界面に、３０μｍ以上の円相当径を有する剥離部が観察されない。
【選択図】図１
【解決手段】基板と、基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を圧電積層体に対して行った後に、圧電積層体を観察した際、圧電膜と上部電極との間の界面に、３０μｍ以上の円相当径を有する剥離部が観察されない。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記圧電積層体を観察した際、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層体。
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記圧電積層体を観察した際、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層体。
【請求項2】
前記加熱処理を行った後に、前記上部電極の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が前記視野内に２０個以下である、請求項１に記載の圧電積層体。
【請求項3】
基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記上部電極の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が前記視野内に２０個以下である、
圧電積層体。
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記上部電極の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が前記視野内に２０個以下である、
圧電積層体。
【請求項4】
直径が１００ｍｍ以上の基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層ウエハであって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層ウエハに対して行った後に、前記圧電積層ウエハを観察した際、前記基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域では、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層ウエハ。
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層ウエハであって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層ウエハに対して行った後に、前記圧電積層ウエハを観察した際、前記基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域では、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層ウエハ。
【請求項5】
カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含むアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜を製膜した基板を用意する工程と、
前記圧電膜の表面にフォトレジストを塗布する工程と、
前記圧電膜の表面から前記フォトレジストを除去する工程と、
前記フォトレジストを除去した後の前記圧電膜の表面上に上部電極を製膜する工程と、
を備える、
圧電積層体の製造方法。
前記圧電膜の表面にフォトレジストを塗布する工程と、
前記圧電膜の表面から前記フォトレジストを除去する工程と、
前記フォトレジストを除去した後の前記圧電膜の表面上に上部電極を製膜する工程と、
を備える、
圧電積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、圧電積層体、圧電積層ウエハ、及び圧電積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
圧電体は、センサ、アクチュエータ等の機能性電子部品に広く利用されている。圧電体の材料の一つとして、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含むＫＮＮ系の強誘電体が用いられており、このような圧電体を用いて製膜された圧電膜（ＫＮＮ膜）と、ＫＮＮ膜上に製膜された上部電極と、を有する積層体が提案されている（例えば特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－０７６７３０号公報
【特許文献2】特開２００８－１５９８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、圧電膜（ＫＮＮ膜）と上部電極とを有する従来の積層体を、所定条件（例えば所定温度）で加熱すると、ＫＮＮ膜と上部電極との間の界面に部分剥離が生じることがある。
【0005】
本開示の目的は、所定条件で加熱した場合であっても、圧電膜と上部電極との間の界面における部分剥離の発生が抑制される、圧電膜を有する積層体等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一態様によれば、
基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記圧電積層体を観察した際、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層体が提供される。
基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記圧電積層体を観察した際、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層体が提供される。
【0007】
本開示の他の態様によれば、
基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記上部電極の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が前記視野内に２０個以下である、
圧電積層体が提供される。
基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記上部電極の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が前記視野内に２０個以下である、
圧電積層体が提供される。
【0008】
本開示のさらに他の態様によれば、
直径が１００ｍｍ以上の基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層ウエハであって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層ウエハに対して行った後に、前記圧電積層ウエハを観察した際、前記基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域では、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層ウエハが提供される。
直径が１００ｍｍ以上の基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層ウエハであって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層ウエハに対して行った後に、前記圧電積層ウエハを観察した際、前記基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域では、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層ウエハが提供される。
【0009】
本開示のさらに他の態様によれば、
カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含むアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜を製膜した基板を用意する工程と、
前記圧電膜の表面にフォトレジストを塗布する工程と、
前記圧電膜の表面から前記フォトレジストを除去する工程と、
前記フォトレジストを除去した後の前記圧電膜の表面上に上部電極を製膜する工程と、
を備える、
圧電積層体の製造方法が提供される。
カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含むアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜を製膜した基板を用意する工程と、
前記圧電膜の表面にフォトレジストを塗布する工程と、
前記圧電膜の表面から前記フォトレジストを除去する工程と、
前記フォトレジストを除去した後の前記圧電膜の表面上に上部電極を製膜する工程と、
を備える、
圧電積層体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【0010】
本開示によれば、圧電膜を有する積層体を所定条件で加熱した場合であっても、圧電膜と上部電極との間の界面における部分剥離の発生を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本開示の一態様にかかる積層ウエハ及び圧電積層体の断面構造の一例を示す図である。
【図2】本開示の一態様にかかる圧電素子（ＭＥＭＳデバイス）の概略構成の一例を示す図である。
【図3】本開示の一態様にかかる圧電デバイスモジュールの概略構成の一例を示す図である。
【図4】サンプル１の基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域の任意の視野の上部電極（膜）の上面を、微分干渉顕微鏡により観察した際の微分干渉観察像である。
【図5】（ａ）は、サンプル２の基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域の任意の視野の上部電極（膜）の上面を、微分干渉顕微鏡により観察した際の微分干渉観察像であり、（ｂ）は、サンプル２の剥離部発生箇所のＦＩＢ－ＳＥＭ画像であり、（ｃ）は、図５（ｂ）のＡ－Ａ線のＦＩＢ－ＳＥＭ縦断面画像である。
【図6】サンプル３の基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域の任意の視野の上部電極（膜）の上面を、微分干渉顕微鏡により観察した際の微分干渉観察像である。
【図7】サンプル４の基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域の任意の視野の上部電極（膜）の上面を、微分干渉顕微鏡により観察した際の微分干渉観察像である。
【図8】サンプル１から得た圧電積層体の任意の視野の上部電極（膜）の上面を、微分干渉顕微鏡により観察した際の微分干渉観察像である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
＜本開示の一態様＞
以下、本開示の一態様について図面を参照しながら説明する。
以下、本開示の一態様について図面を参照しながら説明する。
【0013】
（１）圧電積層ウエハ及び圧電積層体の構成
図１に示すように、本態様にかかる圧電膜を有するウエハ１０（圧電積層ウエハ１０、以下、単に「積層ウエハ１０」とも称する）は、基板１と、基板１上に製膜された下部電極膜２と、下部電極膜２上に製膜された圧電膜（圧電薄膜）３と、圧電膜３上に密着層７を介して製膜された上部電極膜４と、を備えている。
図１に示すように、本態様にかかる圧電膜を有するウエハ１０（圧電積層ウエハ１０、以下、単に「積層ウエハ１０」とも称する）は、基板１と、基板１上に製膜された下部電極膜２と、下部電極膜２上に製膜された圧電膜（圧電薄膜）３と、圧電膜３上に密着層７を介して製膜された上部電極膜４と、を備えている。
【0014】
基板１としては、熱酸化膜又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）酸化膜等の表面酸化膜（ＳｉＯ２膜）１ｂが形成された単結晶シリコン（Ｓｉ）基板１ａ、すなわち、表面酸化膜を有するＳｉ基板を好適に用いることができる。また、基板１としては、表面酸化膜１ｂの代わりに、ＳｉＯ２以外の絶縁性材料により形成された絶縁膜を有するＳｉ基板１ａを用いることもできる。また、基板１としては、表面にＳｉ（１００）面又はＳｉ（１１１）面等が露出したＳｉ基板１ａ、すなわち、表面酸化膜１ｂ又は絶縁膜を有さないＳｉ基板を用いることもできる。また、基板１としては、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、石英ガラス（ＳｉＯ２）基板、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料により形成された金属基板を用いることもできる。基板１の直径は１００ｍｍ以上である。単結晶Ｓｉ基板１ａの厚さは例えば３００μｍ以上１０００μｍ以下、表面酸化膜１ｂの厚さは例えば１ｎｍ以上４０００ｎｍ以下とすることができる。
【0015】
下部電極膜２は、例えば白金（Ｐｔ）を用いて形成することができる。下部電極膜２は、多結晶膜である。以下、Ｐｔを用いて製膜した多結晶膜をＰｔ膜とも称する。Ｐｔ膜は、その（１１１）面が基板１の主面に対して平行である（（１１１）面が基板１の主面に対して±５°以内の角度で傾斜している場合を含む）こと、すなわち、Ｐｔ膜は（１１１）面方位に配向していることが好ましい。Ｐｔ膜が（１１１）面方位に配向しているとは、圧電膜３の表面で測定したＸ線回折（ＸＲＤ）により得られたＸ線回折パターンにおいて（１１１）面に起因するピーク以外のピークが観測されないことを意味する。このように、下部電極膜２の主面（圧電膜３の下地となる面）は、Ｐｔ（１１１）面により構成されていることが好ましい。下部電極膜２は、スパッタリング法、蒸着法等の手法により製膜することができる。下部電極膜２は、Ｐｔ以外に、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、又はイリジウム（Ｉｒ）等の各種金属、これらを主成分とする合金、ルテニウム酸ストロンチウム（ＳｒＲｕＯ３、略称：ＳＲＯ）又はニッケル酸ランタン（ＬａＮｉＯ３、略称：ＬＮＯ）等の金属酸化物等を用いて形成することもできる。なお、これらの金属酸化物を用いて下部電極膜２を製膜する場合、下部電極膜２を構成する結晶は、基板１の表面に対して（００１）面方位に優先配向していることが好ましい。下部電極膜２は、上記各種金属、上記各種金属を主成分とする合金、又は金属酸化物等を用いて形成された単層膜とすることができる。下部電極膜２は、Ｐｔ膜とＰｔ膜上に設けられたＳＲＯを主成分とする膜との積層体や、Ｐｔ膜とＰｔ膜上に設けられたＬＮＯを主成分とする膜との積層体等であってもよい。下部電極膜２の厚さ（下部電極膜２が積層体である場合は、各層の合計厚さ）は例えば１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。
【0016】
基板１と下部電極膜２との間には、これらの密着性を高めるため、密着層６が設けられていてもよい。密着層６は、例えば、亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）を主成分として含む層（以下、「ＺｎＯ層」とも称する）とすることができる。ＺｎＯ層は、例えば酸化亜鉛を用いて形成することができる。ＺｎＯ層を構成するＺｎ及びＯの組成比はＺｎ：Ｏ＝１：１の関係を満たすことが好ましいが、これに限定されるものではなく、多少のばらつきがあってもよい。ＺｎＯ層は、多結晶層である。ＺｎＯ層は、その（０００１）面が基板１の主面に対して平行である（（０００１）面が基板１の主面に対して±５°以内の角度で傾斜している場合を含む）こと、すなわち、ＺｎＯ層は（０００１）面方位に配向していることが好ましい。ＺｎＯ層が（０００１）面方位に配向しているとは、圧電膜３の表面で測定したＸＲＤにより得られたＸ線回折パターンにおいて、（０００２）面に起因するピークの強度が高いことを意味する。このように、ＺｎＯ層の主面（下部電極膜２の下地となる面）は、ＺｎＯ（０００１）面により構成されていることが好ましい。ＺｎＯ層は、スパッタリング法、蒸着法等の手法により製膜することができる。ＺｎＯ層の厚さは例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることができる。密着層６は、ＺｎＯ以外に、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ニッケル（Ｎｉ）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯ２）、イリジウム酸化物（ＩｒＯ２）等を主成分とする層であってもよい。このような密着層６も、スパッタリング法、蒸着法等の手法により製膜することができ、密着層６の厚さは例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることができる。本明細書では、基板１と下部電極膜２との間に設けられる密着層６を、下部密着層６とも称する。
【0017】
圧電膜３は、例えば、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、ニオブ（Ｎｂ）、及び酸素（Ｏ）を含有するアルカリニオブ酸化物から形成される膜である。すなわち、圧電膜３は、Ｋ、Ｎａ、Ｎｂ、及びＯを含有するアルカリニオブ酸化物を主成分とする膜である。圧電膜３は、組成式（Ｋ１－ｘＮａｘ）ＮｂＯ３で表されるアルカリニオブ酸化物、すなわち、ニオブ酸カリウムナトリウム（ＫＮＮ）を用いて形成することができる。上述の組成式中の係数ｘ［＝Ｎａ／（Ｋ＋Ｎａ）］は、０＜ｘ＜１、好ましくは０．４≦ｘ≦０．８の範囲内とすることができる。圧電膜３は、ＫＮＮの多結晶膜（以下、ＫＮＮ膜３とも称する）となる。また、ＫＮＮの結晶構造はペロブスカイト構造となる。すなわち、ＫＮＮ膜３はペロブスカイト構造を有している。また、ＫＮＮ膜３を構成する結晶群のうち半数以上の結晶が柱状構造を有していることが好ましい。なお、本明細書では、ＫＮＮの結晶系を正方晶系とみなすこととする。ＫＮＮ膜３は、スパッタリング法、ＰＬＤ（Pulsed Laser Deposition）法、ゾルゲル法等の手法により製膜することができる。ＫＮＮ膜３の厚さは、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下、好ましくは１μｍ以上３μｍ以下とすることができる。
【0018】
ＫＮＮ膜３を構成する結晶は、基板１（基板１が例えば表面酸化膜１ｂ又は絶縁膜等を有するＳｉ基板１ａである場合はＳｉ基板１ａ）の主面に対して（００１）面方位に優先配向している。すなわち、ＫＮＮ膜３の主面（上部電極膜４の下地となる面）は、主にＫＮＮ（００１）面により構成されている。例えば、主面が主にＰｔ（１１１）面により構成されているＰｔ膜（下部電極膜２）上にＫＮＮ膜３を直接製膜することにより、主面が主にＫＮＮ（００１）面により構成されたＫＮＮ膜３を得ることができる。
【0019】
本明細書において、ＫＮＮ膜３を構成する結晶が（００１）面方位に配向しているとは、ＫＮＮ膜３を構成する結晶の（００１）面が基板１の主面に対して平行又は略平行であることを意味する。また、ＫＮＮ膜３を構成する結晶が（００１）面方位に優先配向しているとは、（００１）面が基板１の主面に対して平行又は略平行である結晶が多いことを意味する。例えば、ＫＮＮ膜３を構成する結晶群のうち８０％以上の結晶が基板１の主面に対して（００１）面方位に配向していることが好ましい。すなわち、ＫＮＮ膜３を構成する結晶の（００１）面方位への配向率（本明細書では「（００１）配向率」とも称する）は例えば８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。なお、本明細書における「（００１）配向率」とは、ＫＮＮ膜３に対してＸＲＤ測定を行うことにより得られたＸ線回折パターン（２θ／θ）のピーク強度に基づいて、下記式（１）により算出した値である。
【0020】
（００１）配向率（％）＝｛（００１）ピーク強度／（（００１）ピーク強度＋（１１０）ピーク強度）｝×１００・・・（１）
【0021】
なお、上記式（１）における「（００１）ピーク強度」とは、ＫＮＮ膜３に対してＸＲＤ測定を行うことにより得られるＸ線回折パターンにおいて、ＫＮＮ膜３を構成する結晶のうち（００１）面方位に配向する結晶（すなわち、（００１）面が基板１の主面に対して平行である結晶）に起因する回折ピークの強度であり、２θが２０°～２３°の範囲内に現れるピークの強度である。なお、２θが２０°～２３°の範囲内に複数のピークが現れる場合は、最も高いピークの強度である。また、上記式（１）における「（１１０）ピーク強度」とは、ＫＮＮ膜３に対してＸＲＤ測定を行うことにより得られるＸ線回折パターンにおいて、ＫＮＮ膜３を構成する結晶のうち（１１０）面方位に配向する結晶（すなわち、（１１０）面が基板１の主面に対して平行である結晶）に起因する回折ピークの強度であり、２θが３０°～３３°の範囲内に現れるピークの強度である。なお、２θが３０°～３３°の範囲内に複数のピークが現れる場合は、最も高いピークの強度である。
【0022】
また、ＫＮＮ膜３を構成するアルカリニオブ酸化物は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、ビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、バナジウム（Ｖ）、インジウム（Ｉｎ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、Ｔｉ、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、Ｎｉ、アルミニウム（Ａｌ）、Ｓｉ、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、及びガリウム（Ｇａ）からなる群より選択される少なくとも一種の元素（ドーパント）をさらに含有してもよい。アルカリニオブ酸化物中におけるこれらの元素の濃度は、例えば５ａｔ％以下（上述の元素を複数含有している場合は合計濃度が５ａｔ％以下）とすることができる。
【0023】
上部電極膜４は、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等の各種金属又はこれらの合金を主成分としている。上部電極膜４は、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、金属ペースト法等の手法により製膜することができる。上部電極膜４は、下部電極膜２のようにＫＮＮ膜３の結晶構造に大きな影響を与えるものではない。そのため、上部電極膜４の材料、結晶構造、製膜手法は特に限定されない。上部電極膜４の厚さは例えば５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることができる。
【0024】
ＫＮＮ膜３と上部電極膜４との間には、これらの密着性を高めるため、例えば、Ｔｉ、Ｔａ、ＴｉＯ２、Ｎｉ、ＲｕＯ２、ＩｒＯ２等を主成分とする密着層７が設けられている。密着層７も、上部電極膜４と同様に、ＫＮＮ膜３の結晶構造に大きな影響を与えるものではない。そのため、密着層７の材料、結晶構造、製膜手法は特に限定されない。密着層７は、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、金属ペースト法等の手法により製膜することができる。密着層７の厚さは例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることができる。本明細書では、ＫＮＮ膜３と上部電極膜４との間に設けられる密着層７を、上部密着層７とも称する。
【0025】
なお、本態様では、上部密着層７と上部電極膜４との積層体を上部電極と考えることとする。
【0026】
詳しくは後述するが、本態様における積層ウエハ１０は、ＫＮＮ膜３を製膜し、ＫＮＮ膜３の表面にフォトレジストを塗布し、（フォトレジストに対してパターン加工を行うことなく）ＫＮＮ膜３の表面からフォトレジストを除去し、フォトレジストを除去した後のＫＮＮ膜３の表面上に上部密着層７、上部電極膜４を製膜するという新規手法を経て作製されている。これにより、積層ウエハ１０が所定条件で加熱された場合であっても、基板１の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域（基板１の縁から５ｍｍの領域よりも内側の領域）で、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面に部分剥離が生じにくくなる。結果、本態様における積層ウエハ１０は、後述する特徴１を備えることとなる。また、積層ウエハ１０の基板１の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域から得た所定形状（例えば２０ｍｍ×２０ｍｍのチップ状）の圧電積層体１０Ａは、後述する特徴２及び特徴３のうち少なくともいずれかの特徴を備えることとなる。
【0027】
以下に、本態様の積層ウエハ１０が備える新規特徴、圧電積層体１０Ａが備え得る新規特徴について説明する。
【0028】
（特徴１）
積層ウエハ１０が備える特徴として、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を行った後の積層ウエハ１０を観察した際、基板１の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域では、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
ことが挙げられる。
積層ウエハ１０が備える特徴として、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を行った後の積層ウエハ１０を観察した際、基板１の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域では、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
ことが挙げられる。
【0029】
なお、円相当径とは、剥離部の断面積に等しい面積を有する円の直径である。また、剥離部の観察は、加熱処理後の積層ウエハ１０の上部電極膜４の上面を微分干渉顕微鏡により観察することで行った。また、ここでいう「上部電極膜４の上面」とは、上部電極膜４が有する２つの主面のうち、ＫＮＮ膜３側の面とは反対側の面である。これらは、以下の説明においても同様である。
【0030】
円相当径が３０μｍ以上の剥離部（例えば気泡発生による浮き上がり箇所）の存在は、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の密着性を低下させる要因となる。本態様では、上述の新規手法を採用することにより、積層ウエハ１０を所定条件で加熱した場合であっても、積層ウエハ１０の基板１の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域で、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面における、円相当径が３０μｍ以上の剥離部（部分剥離）の出現を抑制し、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の密着性の低下を回避することに成功している。これにより、積層ウエハ１０、ひいては、圧電積層体１０Ａを加工することで得られる後述の圧電素子２０及び圧電デバイスモジュール３０の寿命を長くすることができる。また、圧電素子２０及び圧電デバイスモジュール３０の製造歩留まり及び信頼性を向上させることもできる。
【0031】
（特徴２）
圧電積層体１０Ａが備え得る特徴の一つとして、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を行った後の圧電積層体１０Ａを観察した際、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
ことが挙げられる。
圧電積層体１０Ａが備え得る特徴の一つとして、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を行った後の圧電積層体１０Ａを観察した際、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
ことが挙げられる。
【0032】
本態様では、圧電積層体１０Ａを所定条件で加熱した場合であっても、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面における、円相当径が３０μｍ以上の剥離部（部分剥離）の出現を抑制し、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の密着性の低下を回避することに成功している。これにより、圧電積層体１０Ａを加工することで得られる後述の圧電素子２０及び圧電デバイスモジュール３０の寿命を長くすることができる。また、圧電素子２０及び圧電デバイスモジュール３０の製造歩留まり及び信頼性を向上させることもできる。
【0033】
（特徴３）
圧電積層体１０Ａが備え得る特徴の一つとして、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を行った後の圧電積層体１０Ａの上部電極膜４の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの任意の視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が視野内に２０個以下である、
ことが挙げられる。
圧電積層体１０Ａが備え得る特徴の一つとして、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を行った後の圧電積層体１０Ａの上部電極膜４の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの任意の視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が視野内に２０個以下である、
ことが挙げられる。
【0034】
所定条件の加熱処理を行った後の圧電積層体１０Ａでは、円相当径が１０μｍ以上の剥離部（部分剥離）が観察される場合もあり得るが、その数は、１６００００μｍ２の任意の視野内において、２０個以下と非常に少なくなっている。このように、本態様では、圧電積層体１０Ａを所定条件で加熱した場合であっても、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面における、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の出現を抑制し、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の密着性の低下を回避することに成功している。これにより、圧電積層体１０Ａを加工することで得られる後述の圧電素子２０及び圧電デバイスモジュール３０の寿命を長くすることができる。また、圧電素子２０及び圧電デバイスモジュール３０の製造歩留まり及び信頼性を向上させることもできる。
【0035】
（２）積層ウエハ、圧電積層体、圧電素子、圧電デバイスモジュールの製造方法
続いて、本態様にかかる積層ウエハ１０、圧電積層体１０Ａ、圧電素子２０、及び圧電デバイスモジュール３０の製造方法について説明する。
続いて、本態様にかかる積層ウエハ１０、圧電積層体１０Ａ、圧電素子２０、及び圧電デバイスモジュール３０の製造方法について説明する。
【0036】
（下部密着層及び下部電極膜の製膜）
まず、直径が１００ｍｍ以上の基板１を用意し、基板１のいずれかの主面上に、例えばスパッタリング法により下部密着層６（例えばＺｎＯ層）及び下部電極膜２（例えばＰｔ膜）をこの順に製膜する。なお、いずれかの主面上に、下部密着層６や下部電極膜２が予め製膜された基板１を用意してもよい。
まず、直径が１００ｍｍ以上の基板１を用意し、基板１のいずれかの主面上に、例えばスパッタリング法により下部密着層６（例えばＺｎＯ層）及び下部電極膜２（例えばＰｔ膜）をこの順に製膜する。なお、いずれかの主面上に、下部密着層６や下部電極膜２が予め製膜された基板１を用意してもよい。
【0037】
下部密着層６としてのＺｎＯ層を製膜する際の条件としては、下記条件が例示される。下部密着層６の製膜時間は、目標とする下部密着層６の厚さに応じて適宜調整される。
ターゲット：ＺｎＯ焼結体
温度（基板温度）：２００℃以上７００℃以下、好ましくは３００℃以上７００℃以下、より好ましくは５００℃以上７００℃以下
放電パワー密度：２Ｗ／ｃｍ２以上６Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは３Ｗ／ｃｍ２以上５Ｗ／ｃｍ２以下
雰囲気：アルゴン（Ａｒ）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとの混合ガスの雰囲気（以下、「Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気」とも称する）
Ｏ２ガスに対するＡｒガスの分圧の比（Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧）：５／１～３０／１、好ましくは７／１～２０／１、より好ましくは１０／１～１５／１
雰囲気圧力：０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、好ましくは０．２Ｐａ以上０．４Ｐａ以下
厚さ：１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下
ターゲット：ＺｎＯ焼結体
温度（基板温度）：２００℃以上７００℃以下、好ましくは３００℃以上７００℃以下、より好ましくは５００℃以上７００℃以下
放電パワー密度：２Ｗ／ｃｍ２以上６Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは３Ｗ／ｃｍ２以上５Ｗ／ｃｍ２以下
雰囲気：アルゴン（Ａｒ）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとの混合ガスの雰囲気（以下、「Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気」とも称する）
Ｏ２ガスに対するＡｒガスの分圧の比（Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧）：５／１～３０／１、好ましくは７／１～２０／１、より好ましくは１０／１～１５／１
雰囲気圧力：０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、好ましくは０．２Ｐａ以上０．４Ｐａ以下
厚さ：１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下
【0038】
本明細書における「５／１～３０／１」のような数値範囲の表記は、下限値及び上限値がその範囲に含まれることを意味する。他の数値範囲についても同様である。
【0039】
なお、下部密着層６としてのＴｉ層等を製膜する際の条件としては、下記条件が例示される。
ターゲット：Ｔｉ板等
温度（基板温度）：１００℃以上５００℃以下、好ましくは２００℃以上４００℃以下
雰囲気：Ａｒガス雰囲気
雰囲気圧力：０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、好ましくは０．２Ｐａ以上０．４Ｐａ以下
その他の条件は、ＺｎＯ層を製膜する際の条件と同様の条件とすることができる。
ターゲット：Ｔｉ板等
温度（基板温度）：１００℃以上５００℃以下、好ましくは２００℃以上４００℃以下
雰囲気：Ａｒガス雰囲気
雰囲気圧力：０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、好ましくは０．２Ｐａ以上０．４Ｐａ以下
その他の条件は、ＺｎＯ層を製膜する際の条件と同様の条件とすることができる。
【0040】
下部電極膜２としてのＰｔ膜を製膜する際の条件としては、下記条件が例示される。下部電極膜２の製膜時間は、目標とする下部電極膜２の厚さに応じて適宜調整される。
ターゲット：Ｐｔ板
温度（基板温度）：２００℃以上６００℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下
放電パワー密度：１Ｗ／ｃｍ２以上５Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは２Ｗ／ｃｍ２以上４Ｗ／ｃｍ２以下
雰囲気：Ａｒガス雰囲気
雰囲気圧力：０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、好ましくは０．２Ｐａ以上０．４Ｐａ以下
厚さ：１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下
ターゲット：Ｐｔ板
温度（基板温度）：２００℃以上６００℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下
放電パワー密度：１Ｗ／ｃｍ２以上５Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは２Ｗ／ｃｍ２以上４Ｗ／ｃｍ２以下
雰囲気：Ａｒガス雰囲気
雰囲気圧力：０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、好ましくは０．２Ｐａ以上０．４Ｐａ以下
厚さ：１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下
【0041】
（ＫＮＮ膜の製膜）
下部密着層６及び下部電極膜２の製膜が終了したら、続いて、下部電極膜２上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法等のスパッタリング法によりＫＮＮ膜３を製膜する。ＫＮＮ膜３の組成は、例えばスパッタ製膜時に用いるターゲットの組成を制御することで調整可能である。ターゲットは、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末等を混合させて焼成すること等により作製することができる。ターゲットの組成は、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末等の混合比率を調整することで制御することができる。ＣｕやＭｎ等の上述の元素を含むＫＮＮ膜３を製膜する場合は、上述の各粉末に加えてＣｕ粉末（又はＣｕＯ粉末）や、Ｍｎ粉末（又はＭｎＯ粉末）等を所定の比率で混合したターゲットを用いればよい。
下部密着層６及び下部電極膜２の製膜が終了したら、続いて、下部電極膜２上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法等のスパッタリング法によりＫＮＮ膜３を製膜する。ＫＮＮ膜３の組成は、例えばスパッタ製膜時に用いるターゲットの組成を制御することで調整可能である。ターゲットは、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末等を混合させて焼成すること等により作製することができる。ターゲットの組成は、Ｋ２ＣＯ３粉末、Ｎａ２ＣＯ３粉末、Ｎｂ２Ｏ５粉末等の混合比率を調整することで制御することができる。ＣｕやＭｎ等の上述の元素を含むＫＮＮ膜３を製膜する場合は、上述の各粉末に加えてＣｕ粉末（又はＣｕＯ粉末）や、Ｍｎ粉末（又はＭｎＯ粉末）等を所定の比率で混合したターゲットを用いればよい。
【0042】
ＫＮＮ膜３を製膜する際の条件としては、下記条件が例示される。ＫＮＮ膜３の製膜時間は、目標とするＫＮＮ膜３の厚さに応じて適宜調整される。
放電パワー密度：２．７Ｗ／ｃｍ２以上４．１Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは２．８Ｗ／ｃｍ２以上３．８Ｗ／ｃｍ２以下
温度（基板温度）：３５０℃以上８００℃以下、好ましくは４００℃以上７８０℃以下
雰囲気：少なくともＡｒガスを含有する雰囲気、好ましくは、Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気
雰囲気圧力：０．０３Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、好ましくは０．０４Ｐａ以上０．４Ｐａ以下
Ａｒガスに対するＯ２ガスの分圧の比（Ｏ２ガス分圧／Ａｒガス分圧）：０～１／２０、好ましくは０～１／３０
製膜速度：０．５μｍ／ｈｒ以上４μｍ／ｈｒ以下、好ましくは０．５μｍ／ｈｒ以上２μｍ／ｈｒ以下
ＫＮＮ膜の厚さ：０．５μｍ以上５μｍ以下、好ましくは１μｍ以上３μｍ以下
放電パワー密度：２．７Ｗ／ｃｍ２以上４．１Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは２．８Ｗ／ｃｍ２以上３．８Ｗ／ｃｍ２以下
温度（基板温度）：３５０℃以上８００℃以下、好ましくは４００℃以上７８０℃以下
雰囲気：少なくともＡｒガスを含有する雰囲気、好ましくは、Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気
雰囲気圧力：０．０３Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、好ましくは０．０４Ｐａ以上０．４Ｐａ以下
Ａｒガスに対するＯ２ガスの分圧の比（Ｏ２ガス分圧／Ａｒガス分圧）：０～１／２０、好ましくは０～１／３０
製膜速度：０．５μｍ／ｈｒ以上４μｍ／ｈｒ以下、好ましくは０．５μｍ／ｈｒ以上２μｍ／ｈｒ以下
ＫＮＮ膜の厚さ：０．５μｍ以上５μｍ以下、好ましくは１μｍ以上３μｍ以下
【0043】
「Ｏ２ガス分圧／Ａｒガス分圧が０（ゼロ）である」とは、Ｏ２ガス分圧が０の状態、すなわち、Ａｒガスのみの雰囲気であるケースを意味する。
【0044】
（フォトレジストの塗布）
ＫＮＮ膜３の製膜が終了したら、ＫＮＮ膜３の表面にフォトレジストを塗布する。ここでいう「ＫＮＮ膜３の表面」とは、ＫＮＮ膜３の上面（すなわち、ＫＮＮ膜３が有する２つの主面のうち、下部電極膜２側の面とは反対側の面）である。フォトレジストは、ＫＮＮ膜３の表面全面に塗布する、すなわち、ＫＮＮ膜３の表面が露出しないように塗布することが好ましい。フォトレジストは、ネガ型レジスト又はポジ型レジストのいずれであってもよい。フォトレジストとして、ノボラック系フェノール樹脂が例示される。フォトレジストは、スピンコート等の手法によりＫＮＮ膜３の表面に塗布することができる。
ＫＮＮ膜３の製膜が終了したら、ＫＮＮ膜３の表面にフォトレジストを塗布する。ここでいう「ＫＮＮ膜３の表面」とは、ＫＮＮ膜３の上面（すなわち、ＫＮＮ膜３が有する２つの主面のうち、下部電極膜２側の面とは反対側の面）である。フォトレジストは、ＫＮＮ膜３の表面全面に塗布する、すなわち、ＫＮＮ膜３の表面が露出しないように塗布することが好ましい。フォトレジストは、ネガ型レジスト又はポジ型レジストのいずれであってもよい。フォトレジストとして、ノボラック系フェノール樹脂が例示される。フォトレジストは、スピンコート等の手法によりＫＮＮ膜３の表面に塗布することができる。
【0045】
フォトレジストを塗布する際の条件としては、下記条件が例示される。
フォトレジスト：ノボラック系フェノール樹脂（日本ゼオン株式会社製、型番：ＺＰＮ１１５０）
温度（基板温度）：室温（２５℃）以上１００℃以下
塗布速度：１０００ｒｐｍ以上５０００ｒｐｍ以下、好ましくは２０００ｒｐｍ以上４０００ｒｐｍ以下
雰囲気：少なくともＯ２を含有する雰囲気、例えば大気中
フォトレジスト：ノボラック系フェノール樹脂（日本ゼオン株式会社製、型番：ＺＰＮ１１５０）
温度（基板温度）：室温（２５℃）以上１００℃以下
塗布速度：１０００ｒｐｍ以上５０００ｒｐｍ以下、好ましくは２０００ｒｐｍ以上４０００ｒｐｍ以下
雰囲気：少なくともＯ２を含有する雰囲気、例えば大気中
【0046】
（フォトレジストの除去）
ＫＮＮ膜３の表面にフォトレジストを塗布した後、ＫＮＮ膜３の表面からフォトレジストを除去する（剥離する）。具体的には、ＫＮＮ膜３の表面にフォトレジストを塗布した後、フォトレジストに対してパターン加工を行うことなく、ＫＮＮ膜３の表面からフォトレジストを除去する。フォトレジストの除去方法（剥離方法）としては、プラズマを用いた手法、所定の剥離液を用いた手法等、公知の種々の手法を用いることができる。なお、フォトレジストの除去は、フォトレジストを硬化（紫外線硬化、加熱硬化）させることなく行ってもよく、フォトレジストを硬化させた後に行ってもよい。
ＫＮＮ膜３の表面にフォトレジストを塗布した後、ＫＮＮ膜３の表面からフォトレジストを除去する（剥離する）。具体的には、ＫＮＮ膜３の表面にフォトレジストを塗布した後、フォトレジストに対してパターン加工を行うことなく、ＫＮＮ膜３の表面からフォトレジストを除去する。フォトレジストの除去方法（剥離方法）としては、プラズマを用いた手法、所定の剥離液を用いた手法等、公知の種々の手法を用いることができる。なお、フォトレジストの除去は、フォトレジストを硬化（紫外線硬化、加熱硬化）させることなく行ってもよく、フォトレジストを硬化させた後に行ってもよい。
【0047】
（上部密着層及び上部電極膜の製膜）
フォトレジストの除去が終了したら、フォトレジストを除去した後のＫＮＮ膜３上に、例えばスパッタリング法により、上部密着層７（例えばＲｕＯ２層）及び上部電極膜４（例えばＰｔ膜）をこの順に製膜する。
フォトレジストの除去が終了したら、フォトレジストを除去した後のＫＮＮ膜３上に、例えばスパッタリング法により、上部密着層７（例えばＲｕＯ２層）及び上部電極膜４（例えばＰｔ膜）をこの順に製膜する。
【0048】
上部密着層７としてのＲｕＯ２層等を製膜する際の条件としては、下記条件が例示される。上部密着層７の製膜時間は、目標とする上部密着層７の厚さに応じて適宜調整される。
ターゲット：Ｒｕ板等
温度（基板温度）：室温（２５℃）以上５００℃以下
放電パワー密度：０．３Ｗ／ｃｍ２以上２Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは０．５Ｗ／ｃｍ２以上１Ｗ／ｃｍ２以下
雰囲気：Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気
Ｏ２ガスに対するＡｒガスの分圧の比（Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧）：３／５～１／１、好ましくは３／４～１／１
雰囲気圧力：０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下、好ましくは０．２Ｐａ以上０．７Ｐａ以下
厚さ：１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下
ターゲット：Ｒｕ板等
温度（基板温度）：室温（２５℃）以上５００℃以下
放電パワー密度：０．３Ｗ／ｃｍ２以上２Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは０．５Ｗ／ｃｍ２以上１Ｗ／ｃｍ２以下
雰囲気：Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気
Ｏ２ガスに対するＡｒガスの分圧の比（Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧）：３／５～１／１、好ましくは３／４～１／１
雰囲気圧力：０．１Ｐａ以上１．０Ｐａ以下、好ましくは０．２Ｐａ以上０．７Ｐａ以下
厚さ：１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下
【0049】
上部電極膜４としてのＰｔ膜等を製膜する際の条件としては、下記条件が例示される。上部電極膜４の製膜時間は、目標とする上部電極膜４の厚さに応じて適宜調整される。
ターゲット：Ｐｔ板等
温度（基板温度）：室温（２５℃）以上５００℃以下
放電パワー密度：１Ｗ／ｃｍ２以上５Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは２Ｗ／ｃｍ２以上４Ｗ／ｃｍ２以下
雰囲気：Ａｒガス雰囲気
雰囲気圧力：０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、好ましくは０．２Ｐａ以上０．４Ｐａ以下
厚さ：５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下
ターゲット：Ｐｔ板等
温度（基板温度）：室温（２５℃）以上５００℃以下
放電パワー密度：１Ｗ／ｃｍ２以上５Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは２Ｗ／ｃｍ２以上４Ｗ／ｃｍ２以下
雰囲気：Ａｒガス雰囲気
雰囲気圧力：０．１Ｐａ以上０．５Ｐａ以下、好ましくは０．２Ｐａ以上０．４Ｐａ以下
厚さ：５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下
【0050】
このように、基板１上に、下部密着層６、下部電極膜２、ＫＮＮ膜３、上部密着層７、上部電極膜４を順に製膜することにより、図１に示すような積層ウエハ１０が得られる。
【0051】
本態様では、フォトレジストの塗布及び除去を行った後のＫＮＮ膜３上に、上部密着層７、上部電極膜４をこの順に製膜している。これにより、その後の工程において、積層ウエハ１０が所定条件で加熱された場合であっても、基板１の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域で、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面に、部分剥離が生じにくくなる。このメカニズムは未だ明らかになってはいないが、本発明者等が鋭意検討を行う過程で初めて得られた新規知見である。
【0052】
（圧電積層体の作製）
図１に示すような積層ウエハ１０を作製した後、積層ウエハ１０を加工して、所定形状（例えばチップ状）の圧電積層体１０Ａを作製する。具体的には、積層ウエハ１０に対して切断加工等を行い、例えば１枚の積層ウエハ１０から複数の圧電積層体１０Ａを作製する。
図１に示すような積層ウエハ１０を作製した後、積層ウエハ１０を加工して、所定形状（例えばチップ状）の圧電積層体１０Ａを作製する。具体的には、積層ウエハ１０に対して切断加工等を行い、例えば１枚の積層ウエハ１０から複数の圧電積層体１０Ａを作製する。
【0053】
本態様では、フォトレジストの塗布及び除去を行った後のＫＮＮ膜３上に、上部密着層７、上部電極膜４をこの順に製膜している。これにより、その後の工程において、圧電積層体１０Ａが所定条件で加熱された場合であっても、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面に、部分剥離が生じにくくなる。このことは、上述のように、本発明者等が鋭意検討を行う過程で初めて得られた新規知見である。
【0054】
（圧電素子の作製）
圧電積層体１０Ａを作製した後、圧電積層体１０Ａを加工して、圧電素子２０（ＫＮＮ膜３を有する素子２０）を作製する。
圧電積層体１０Ａを作製した後、圧電積層体１０Ａを加工して、圧電素子２０（ＫＮＮ膜３を有する素子２０）を作製する。
【0055】
具体的には、まず、例えばＡｒガス、又はＣＦ４ガス等の反応性ガスを用いたドライエッチングにより、上部電極膜４、上部密着層７、ＫＮＮ膜３、下部密着層６、及び下部電極膜２に対して、それぞれ個別にパターン加工を行う。パターン加工では、上部電極膜４、上部密着層７、及びＫＮＮ膜３をそれぞれエッチングして所定形状に成形するとともに下部電極膜２の一部を露出させ、その後、下部電極膜２及び下部密着層６をそれぞれエッチングして所定形状に成形する。パターン加工では、エッチングマスクとしてフォトレジストを用いることができる。
【0056】
続いて、絶縁膜８（図２参照）を設ける。具体的には、ＫＮＮ膜３の側面の一部を覆うように、上部電極膜４から下部電極膜２にかけて絶縁膜８を製膜する。絶縁膜８は、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等を用いて形成することができる。絶縁膜８は、単層膜であってもよく、複数の層を積層した積層体（積層膜）であってもよい。絶縁膜８は、スパッタリング法、蒸着法等の手法により製膜することができる。絶縁膜８としてＳｉＯ２膜を形成する場合、例えば、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により製膜することができる。
【0057】
絶縁膜８としてのＳｉＯ２膜をプラズマＣＶＤ法により製膜する際の条件としては、下記条件が例示される。なお、絶縁膜８の製膜時間は、目標とする絶縁膜８の厚さに応じて適宜調整される。
温度（基板温度）：３００℃以上６５０℃以下、好ましくは４００℃以上６００℃以下
供給ガス：ＴＥＯＳガス及びＯ２ガス
ＴＥＯＳガスの供給流量：３ｓｃｃｍ以上１０ｓｃｃｍ以下、好ましくは４ｓｃｃｍ以上８ｓｃｃｍ以下
Ｏ２ガスの供給流量：３００ｓｃｃｍ以上６００ｓｃｃｍ以下、好ましくは４００ｓｃｃｍ以上５００ｓｃｃｍ以下
放電パワー密度：０．３Ｗ／ｃｍ２以上１０Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは０．５Ｗ／ｃｍ２以上３Ｗ／ｃｍ２以下
雰囲気圧力：０．３Ｐａ以上１．０Ｐａ以下、好ましくは０．５Ｐａ以上０．８Ｐａ以下
温度（基板温度）：３００℃以上６５０℃以下、好ましくは４００℃以上６００℃以下
供給ガス：ＴＥＯＳガス及びＯ２ガス
ＴＥＯＳガスの供給流量：３ｓｃｃｍ以上１０ｓｃｃｍ以下、好ましくは４ｓｃｃｍ以上８ｓｃｃｍ以下
Ｏ２ガスの供給流量：３００ｓｃｃｍ以上６００ｓｃｃｍ以下、好ましくは４００ｓｃｃｍ以上５００ｓｃｃｍ以下
放電パワー密度：０．３Ｗ／ｃｍ２以上１０Ｗ／ｃｍ２以下、好ましくは０．５Ｗ／ｃｍ２以上３Ｗ／ｃｍ２以下
雰囲気圧力：０．３Ｐａ以上１．０Ｐａ以下、好ましくは０．５Ｐａ以上０．８Ｐａ以下
【0058】
上述のように、本態様では、積層ウエハ１０の作製過程において、フォトレジストの塗布及び除去を行った後のＫＮＮ膜３上に、上部密着層７、上部電極膜４をこの順に製膜している。これにより、絶縁膜８を製膜する際に圧電積層体１０Ａ（が有する基板１）が上述の条件で加熱された場合であっても、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面に、部分剥離が生じにくくなる。すなわち、圧電積層体１０Ａを例えば４００℃以上の温度で加熱しながら、圧電積層体１０Ａに対して所定の処理を行ったとしても、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面における部分剥離の出現を抑制できる。
【0059】
絶縁膜８を製膜したら、Ａｒガス、又はＣＦ４ガス等の反応性ガスを用いたドライエッチングや、ウエットエッチングにより、絶縁膜８に対してパターン加工を行う。
【0060】
絶縁膜８に対してパターン加工を行った後、金属を含む材料からなる層（メタル配線膜）を設ける。メタル配線膜は、それぞれ、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ等の各種金属、これらの各種金属を主成分とする合金を用いて形成することができる。メタル配線膜は、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、金属ペースト法等の手法により設けることができる。メタル配線膜は、単層膜であってもよく、複数の層を積層した積層体（積層膜）であってもよい。そして、Ａｒガス、又はＣＦ４ガス等の反応性ガスを用いたドライエッチングや、ウエットエッチングにより、メタル配線膜に対してパターン加工を行い、メタル配線９ａ，９ｂ（図２参照）を形成する。メタル配線９ａは、下部電極膜２に接続され（接触し）、上部電極膜４に接続されない（接触しない）ように形成（パターニング）されており、メタル配線９ｂは、上部電極膜４に接続され、下部電極膜２に接続されないように形成されている。
【0061】
また、Ｄｅｅｐ－ＲＩＥ又はウエットエッチングにより、基板１の裏面側（基板１が有する２つの主面のうち、下部電極膜２等が製膜された面とは反対側の面）から、基板１の一部を除去し、圧電積層体１０Ａに、例えば、メンブレン構造、カンチレバー構造等のＭＥＭＳデバイス構造を形成する。これにより、図２に示すような圧電素子（メンブレン型ＭＥＭＳ圧電素子）２０が得られる。
【0062】
なお、絶縁膜８及びメタル配線９ａ，９ｂの形成時のパターン加工におけるエッチング条件、及び圧電積層体１０ＡにＭＥＭＳデバイス構造等を形成する際の基板１のエッチング条件は、ＫＮＮ膜３の絶縁性を劣化させない条件であれば、半導体デバイス製造プロセスで利用されている一般的なエッチング条件とすることができる。
【0063】
（圧電デバイスモジュールの作製）
得られた圧電素子２０に電圧検出手段１１ａ又は電圧印加手段１１ｂを接続することで、ＫＮＮ膜３を有するデバイスモジュール３０（以下、圧電デバイスモジュール３０とも称する）が得られる。図３に、本態様にかかる圧電デバイスモジュール３０の概略構成図を示す。圧電デバイスモジュール３０は、圧電素子２０と、圧電素子２０に接続される電圧検出手段１１ａ又は電圧印加手段１１ｂと、を少なくとも備えている。電圧検出手段１１ａは、下部電極膜２と上部電極膜４との間（電極間）に発生した電圧を検出する手段である。電圧印加手段１１ｂは、下部電極膜２と上部電極膜４との間（電極間）に電圧を印加する手段である。電圧検出手段１１ａ、電圧印加手段１１ｂとしては、公知の種々の手段を用いることができる。
得られた圧電素子２０に電圧検出手段１１ａ又は電圧印加手段１１ｂを接続することで、ＫＮＮ膜３を有するデバイスモジュール３０（以下、圧電デバイスモジュール３０とも称する）が得られる。図３に、本態様にかかる圧電デバイスモジュール３０の概略構成図を示す。圧電デバイスモジュール３０は、圧電素子２０と、圧電素子２０に接続される電圧検出手段１１ａ又は電圧印加手段１１ｂと、を少なくとも備えている。電圧検出手段１１ａは、下部電極膜２と上部電極膜４との間（電極間）に発生した電圧を検出する手段である。電圧印加手段１１ｂは、下部電極膜２と上部電極膜４との間（電極間）に電圧を印加する手段である。電圧検出手段１１ａ、電圧印加手段１１ｂとしては、公知の種々の手段を用いることができる。
【0064】
電圧検出手段１１ａを、圧電素子２０の下部電極膜２と上部電極膜４との間に接続することで、圧電デバイスモジュール３０をセンサとして機能させることができる。ＫＮＮ膜３が何らかの物理量の変化に伴って変形すると、その変形によって下部電極膜２と上部電極膜４との間に電圧が発生する。この電圧を電圧検出手段１１ａによって検出することで、ＫＮＮ膜３に印加された物理量の大きさを測定することができる。この場合、圧電デバイスモジュール３０の用途としては、例えば、角速度センサ、超音波センサ、圧カセンサ、加速度センサ等が挙げられる。
【0065】
電圧印加手段１１ｂを、圧電素子２０の下部電極膜２と上部電極膜４との間に接続することで、圧電デバイスモジュール３０をアクチュエータとして機能させることができる。電圧印加手段１１ｂにより下部電極膜２と上部電極膜４との間に電圧を印加することで、ＫＮＮ膜３を変形させることができる。この変形動作により、圧電デバイスモジュール３０に接続された各種部材を作動させることができる。この場合、圧電デバイスモジュール３０の用途としては、例えば、インクジェットプリンタ用のヘッド、スキャナー用のＭＥＭＳミラー、超音波発生装置用の振動子等が挙げられる。
【0066】
（３）効果
本態様によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
本態様によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
【0067】
（ａ）本態様にかかる積層ウエハ１０は、ＫＮＮ膜３を製膜した後、ＫＮＮ膜３の上面にフォトレジストを塗布してから（パターン加工を行うことなく）フォトレジストを除去し、フォトレジストを除去した後のＫＮＮ膜３上に、上部密着層７、上部電極膜４をこの順に製膜するという新規手法を経て作製されている。
【0068】
これにより、積層ウエハ１０を所定条件（例えば４００℃以上の温度）で加熱した場合であっても、積層ウエハ１０の基板１の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域で、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面における部分剥離の出現を抑制でき、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の密着性の低下を回避できる。結果、本態様における積層ウエハ１０は、上述の特徴１を備えることとなる。
【0069】
また、本態様にかかる積層ウエハ１０の基板１の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域から得た所定形状の圧電積層体１０Ａを所定条件（例えば４００℃以上の温度）で加熱した場合であっても、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面における部分剥離の出現を抑制でき、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の密着性の低下を回避できる。結果、本態様における圧電積層体１０Ａは、上述の特徴２及び特徴３のうち少なくともいずれかの特徴を備えることとなる。
【0070】
積層ウエハ１０が上述の特徴１を備えることで、又は、圧電積層体１０Ａが上述の特徴２及び特徴３のうち少なくともいずれかの特徴を備えることで、積層ウエハ１０に対して、例えば、上述の絶縁膜８を製膜する処理を行う場合、必要に応じてアニール処理等を行う場合、圧電積層体１０Ａを実装する際のはんだリフローといった加熱処理を行う場合であっても、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面における部分剥離の出現を抑制できる。これにより、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の密着性の低下を回避できる。その結果、積層ウエハ１０、ひいては、圧電積層体１０Ａを加工することで得られる圧電素子２０及び圧電デバイスモジュール３０の寿命を長くすることができる。また、圧電素子２０及び圧電デバイスモジュール３０の製造歩留まり及び信頼性を向上させることもできる。
【0071】
（ｂ）フォトレジストは、ＫＮＮ膜３の表面全面に塗布することが好ましく、これにより、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面における部分剥離の発生を確実に抑制できる。
【0072】
（ｃ）フォトレジストは、ネガ型レジスト又はポジ型レジストのいずれであってもよく、また、フォトレジストの除去は、フォトレジストを硬化させることなく行ってもよく、フォトレジストを硬化させた後に行ってもよい。いずれの場合であっても、ＫＮＮ膜３と上部密着層７との間の界面における部分剥離の発生を抑制できる。
【0073】
（４）変形例
本態様は、以下の変形例のように変形することができる。なお、以下の変形例の説明において、上述の態様と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。また、上述の態様及び以下の変形例は任意に組み合わせることができる。
本態様は、以下の変形例のように変形することができる。なお、以下の変形例の説明において、上述の態様と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。また、上述の態様及び以下の変形例は任意に組み合わせることができる。
【0074】
（変形例１）
上述の態様では、積層ウエハ１０（圧電積層体１０Ａ）が上部密着層７を備える例について説明したが、これに限定されない。積層ウエハ１０は、上部密着層７を備えていなくてもよい。すなわち、上部電極膜４が、ＫＮＮ膜３上に直接製膜されていてもよい。本変形例では、上部電極膜４のみにより上部電極が構成されることとなる。
上述の態様では、積層ウエハ１０（圧電積層体１０Ａ）が上部密着層７を備える例について説明したが、これに限定されない。積層ウエハ１０は、上部密着層７を備えていなくてもよい。すなわち、上部電極膜４が、ＫＮＮ膜３上に直接製膜されていてもよい。本変形例では、上部電極膜４のみにより上部電極が構成されることとなる。
【0075】
本変形例においても、ＫＮＮ膜３を製膜した後、ＫＮＮ膜３の上面にフォトレジストを塗布してから（パターン加工を行うことなく）フォトレジストを除去し、フォトレジストを除去した後のＫＮＮ膜３上に上部電極膜４を製膜するという新規手法を採用することにより、上述の態様と同様の効果が得られる。すなわち、上述の特徴１を備える積層ウエハ１０、及び、特徴２及び特徴３のうち少なくともいずれかの特徴を備える圧電積層体１０Ａが得られる。
【0076】
（変形例２）
上述の態様では、積層ウエハ１０（圧電積層体１０Ａ）が下部電極膜２を備える例について説明したが、これに限定されない。積層ウエハ１０は、下部電極膜２を備えていなくてもよい。すなわち、積層ウエハ１０（圧電積層体１０Ａ）は、基板１と、基板１上に製膜されたＫＮＮ膜（圧電膜）３と、ＫＮＮ膜３上に製膜された上部電極膜４（電極膜４）と、を備えて構成されていてもよい。この場合、基板１とＫＮＮ膜３との間に下部密着層６を設けてもよく、また、ＫＮＮ膜３と上部電極膜４との間に上部密着層７を設けてもよい。このような積層ウエハ１０、ひいては、圧電積層体１０Ａを加工することで得られる圧電素子２０（圧電デバイスモジュール３０）は、例えば、表面弾性波（Surface Acoustic Wave、略称：ＳＡＷ）フィルタ等のフィルタデバイスとして機能させることができる。
上述の態様では、積層ウエハ１０（圧電積層体１０Ａ）が下部電極膜２を備える例について説明したが、これに限定されない。積層ウエハ１０は、下部電極膜２を備えていなくてもよい。すなわち、積層ウエハ１０（圧電積層体１０Ａ）は、基板１と、基板１上に製膜されたＫＮＮ膜（圧電膜）３と、ＫＮＮ膜３上に製膜された上部電極膜４（電極膜４）と、を備えて構成されていてもよい。この場合、基板１とＫＮＮ膜３との間に下部密着層６を設けてもよく、また、ＫＮＮ膜３と上部電極膜４との間に上部密着層７を設けてもよい。このような積層ウエハ１０、ひいては、圧電積層体１０Ａを加工することで得られる圧電素子２０（圧電デバイスモジュール３０）は、例えば、表面弾性波（Surface Acoustic Wave、略称：ＳＡＷ）フィルタ等のフィルタデバイスとして機能させることができる。
【0077】
本変形例においても、ＫＮＮ膜３を製膜した後、ＫＮＮ膜３の上面にフォトレジストを塗布してから（パターン加工を行うことなく）除去し、フォトレジストを除去した後のＫＮＮ膜３上に、上部密着層７、上部電極膜４をこの順に製膜するという新規手法を採用することにより、上述の態様と同様の効果が得られる。すなわち、上述の特徴１を備える積層ウエハ１０、及び、特徴２及び特徴３のうち少なくともいずれかの特徴を備える圧電積層体１０Ａが得られる。
【0078】
（変形例３）
上述の圧電積層体１０Ａを圧電素子２０に成形する際、圧電積層体１０Ａ（圧電素子２０）を用いて作製した圧電デバイスモジュール３０をセンサ等の所望の用途に適用することができる限り、積層ウエハ１０（圧電積層体１０Ａ）から基板１を他の基板に貼り替えてもよい。
上述の圧電積層体１０Ａを圧電素子２０に成形する際、圧電積層体１０Ａ（圧電素子２０）を用いて作製した圧電デバイスモジュール３０をセンサ等の所望の用途に適用することができる限り、積層ウエハ１０（圧電積層体１０Ａ）から基板１を他の基板に貼り替えてもよい。
【0079】
＜他の実施形態＞
以上、本開示の一態様を具体的に説明した。但し、本開示は上述の態様や変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。また、これらの態様は任意に組み合わせることができる。
以上、本開示の一態様を具体的に説明した。但し、本開示は上述の態様や変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。また、これらの態様は任意に組み合わせることができる。
【0080】
上述の実施形態や変形例では、圧電膜３がＫＮＮ膜である場合について説明したが、これに限定されない。圧電膜３は、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）を含有する膜（すなわち、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を用いて形成された膜）、ビスマス（Ｂｉ）、Ｎａ、Ｔｉを含有する膜（すなわち、チタン酸ビスマスナトリウム（ＢＮＴ）を用いて形成された膜）、ビスマス（Ｂｉ）、Ｆｅ及びＯを含有する膜（すなわち、ビスマスフェライト（ＢＦＯ）を用いて形成された膜、Ａｌ及び窒素（Ｎ）を含有する膜（すなわち、ＡｌＮを用いて形成された膜）等であってもよい。
【実施例0081】
以下、上述の実施形態の効果を裏付ける実験結果について説明する。
【0082】
（サンプル１）
基板として、表面が（１００）面方位、厚さ６１０μｍ、直径６インチ（「φ６インチ」とも称する）、表面に熱酸化膜（厚さ２００ｎｍ）が形成されたＳｉ基板を用意した。そして、このＳｉ基板の熱酸化膜上に、下部密着層としてのＺｎＯ層（厚さ２５ｎｍ）、下部電極膜としてのＰｔ膜（基板の表面に対して（１１１）面方位に優先配向、厚さ２００ｎｍ）、圧電膜としてのＫＮＮ膜（厚さ２μｍ）を製膜した。その後、ＫＮＮ膜の表面にネガ型のフォトレジスト（日本ゼオン株式会社製、型番：ＺＰＮ１１５０）をスピンコートにより塗布した。そして、フォトレジストを硬化させることなく、またフォトレジストに対してパターン加工を行うことなく、フォトレジストをＫＮＮ膜の表面から除去した。フォトレジストの除去は、現像液（東京応化工業株式会社製、型番：ＮＭＤ－Ｗ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２．３８％溶液））に基板を５分間浸漬することで行い、その後、純水で基板を洗浄した。そして、フォトレジストを除去したＫＮＮ膜の表面上に、上部密着層としてのＲｕＯ２層（厚さ１０ｎｍ）、上部電極膜としてのＰｔ膜（厚さ１００ｎｍ）を、この順に製膜した。これにより、積層ウエハであるサンプル１を作製した。サンプル１では、下部密着層、下部電極膜、ＫＮＮ膜、上部密着層、上部電極膜は、いずれも、ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いて製膜した。
基板として、表面が（１００）面方位、厚さ６１０μｍ、直径６インチ（「φ６インチ」とも称する）、表面に熱酸化膜（厚さ２００ｎｍ）が形成されたＳｉ基板を用意した。そして、このＳｉ基板の熱酸化膜上に、下部密着層としてのＺｎＯ層（厚さ２５ｎｍ）、下部電極膜としてのＰｔ膜（基板の表面に対して（１１１）面方位に優先配向、厚さ２００ｎｍ）、圧電膜としてのＫＮＮ膜（厚さ２μｍ）を製膜した。その後、ＫＮＮ膜の表面にネガ型のフォトレジスト（日本ゼオン株式会社製、型番：ＺＰＮ１１５０）をスピンコートにより塗布した。そして、フォトレジストを硬化させることなく、またフォトレジストに対してパターン加工を行うことなく、フォトレジストをＫＮＮ膜の表面から除去した。フォトレジストの除去は、現像液（東京応化工業株式会社製、型番：ＮＭＤ－Ｗ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）２．３８％溶液））に基板を５分間浸漬することで行い、その後、純水で基板を洗浄した。そして、フォトレジストを除去したＫＮＮ膜の表面上に、上部密着層としてのＲｕＯ２層（厚さ１０ｎｍ）、上部電極膜としてのＰｔ膜（厚さ１００ｎｍ）を、この順に製膜した。これにより、積層ウエハであるサンプル１を作製した。サンプル１では、下部密着層、下部電極膜、ＫＮＮ膜、上部密着層、上部電極膜は、いずれも、ＲＦマグネトロンスパッタリング法を用いて製膜した。
【0083】
下部密着層としてのＺｎＯ層を製膜する際の条件は、以下の通りとした。
ターゲット：ＺｎＯ焼結体
基板温度：５００℃
放電パワー密度：４Ｗ／ｃｍ２
雰囲気：Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気
雰囲気圧力：０．３Ｐａ
Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧：１０／１
製膜時間：３分（厚さ２５ｎｍ）
ターゲット：ＺｎＯ焼結体
基板温度：５００℃
放電パワー密度：４Ｗ／ｃｍ２
雰囲気：Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気
雰囲気圧力：０．３Ｐａ
Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧：１０／１
製膜時間：３分（厚さ２５ｎｍ）
【0084】
下部電極膜としてのＰｔ膜を製膜する際の条件は、以下の通りとした。
ターゲット：Ｐｔ板
基板温度：５００℃
放電パワー密度：２Ｗ／ｃｍ２
雰囲気：Ａｒガス雰囲気
雰囲気圧力：０．３Ｐａ
製膜時間：１４分（厚さ２００ｎｍ）
ターゲット：Ｐｔ板
基板温度：５００℃
放電パワー密度：２Ｗ／ｃｍ２
雰囲気：Ａｒガス雰囲気
雰囲気圧力：０．３Ｐａ
製膜時間：１４分（厚さ２００ｎｍ）
【0085】
ＫＮＮ膜を製膜する際の条件は、以下の通りとした。
ターゲット：ＫＮＮ焼結体
放電パワー密度：３Ｗ／ｃｍ２
雰囲気：Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気
雰囲気圧力：０．１Ｐａ
Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧：２０／１
製膜温度：６００℃
製膜時間：６０分（厚さ２μｍ）
ターゲット：ＫＮＮ焼結体
放電パワー密度：３Ｗ／ｃｍ２
雰囲気：Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気
雰囲気圧力：０．１Ｐａ
Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧：２０／１
製膜温度：６００℃
製膜時間：６０分（厚さ２μｍ）
【0086】
ＫＮＮ膜上にフォトレジストを塗布する際の条件は、以下の通りとした。
フォトレジスト：ノボラック系フェノール樹脂（日本ゼオン株式会社製、型番：ＺＰＮ１１５０）
温度（基板温度）：室温
塗布速度：３０００ｒｐｍ
雰囲気：大気
フォトレジスト：ノボラック系フェノール樹脂（日本ゼオン株式会社製、型番：ＺＰＮ１１５０）
温度（基板温度）：室温
塗布速度：３０００ｒｐｍ
雰囲気：大気
【0087】
上部密着層としてのＲｕＯ２層を製膜する際の条件は、以下の通りとした。
ターゲット：Ｒｕ板
基板温度：室温（２５℃）
放電パワー密度：０．５Ｗ／ｃｍ２
雰囲気：Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気
雰囲気圧力：０．３Ｐａ
Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧：１／１
製膜時間：６分（厚さ１０ｎｍ）
ターゲット：Ｒｕ板
基板温度：室温（２５℃）
放電パワー密度：０．５Ｗ／ｃｍ２
雰囲気：Ａｒ／Ｏ２混合ガス雰囲気
雰囲気圧力：０．３Ｐａ
Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧：１／１
製膜時間：６分（厚さ１０ｎｍ）
【0088】
上部電極膜としてのＰｔ膜を製膜する際の条件は、以下の通りとした。
ターゲット：Ｐｔ板
基板温度：室温（２５℃）
放電パワー密度：２Ｗ／ｃｍ２
雰囲気：Ａｒガス雰囲気
雰囲気圧力：０．３Ｐａ
製膜時間：７分（厚さ１００ｎｍ）
ターゲット：Ｐｔ板
基板温度：室温（２５℃）
放電パワー密度：２Ｗ／ｃｍ２
雰囲気：Ａｒガス雰囲気
雰囲気圧力：０．３Ｐａ
製膜時間：７分（厚さ１００ｎｍ）
【0089】
（サンプル２）
基板として、表面が（１００）面方位、厚さ６１０μｍ、φ６インチ、表面に熱酸化膜（厚さ２００ｎｍ）が形成されたＳｉ基板を用意した。そして、このＳｉ基板の熱酸化膜上に、下部密着層としてのＺｎＯ層（厚さ２５ｎｍ）、下部電極膜としてのＰｔ膜（基板の表面に対して（１１１）面方位に優先配向、厚さ２００ｎｍ）、圧電膜としてのＫＮＮ膜（厚さ２μｍ）、上部密着層としてのＲｕＯ２層（厚さ１０ｎｍ）、上部電極膜としてのＰｔ膜（厚さ１００ｎｍ）を、この順に製膜した。これにより、積層ウエハであるサンプル２を作製した。サンプル２では、サンプル１におけるフォトレジストの塗布及び除去を行うことなく、ＫＮＮ膜上に上部密着層を製膜した。その他の手順、条件は、サンプル１における手順、条件と同様とした。
基板として、表面が（１００）面方位、厚さ６１０μｍ、φ６インチ、表面に熱酸化膜（厚さ２００ｎｍ）が形成されたＳｉ基板を用意した。そして、このＳｉ基板の熱酸化膜上に、下部密着層としてのＺｎＯ層（厚さ２５ｎｍ）、下部電極膜としてのＰｔ膜（基板の表面に対して（１１１）面方位に優先配向、厚さ２００ｎｍ）、圧電膜としてのＫＮＮ膜（厚さ２μｍ）、上部密着層としてのＲｕＯ２層（厚さ１０ｎｍ）、上部電極膜としてのＰｔ膜（厚さ１００ｎｍ）を、この順に製膜した。これにより、積層ウエハであるサンプル２を作製した。サンプル２では、サンプル１におけるフォトレジストの塗布及び除去を行うことなく、ＫＮＮ膜上に上部密着層を製膜した。その他の手順、条件は、サンプル１における手順、条件と同様とした。
【0090】
（サンプル３）
サンプル３では、フォトレジストとして、ポジ型レジスト（東京応化工業株式会社製、型番：ＯＦＰＲ８００ＬＢ）を用いた。その他の手順、条件は、サンプル１と同様として、積層ウエハであるサンプル３を作製した。
サンプル３では、フォトレジストとして、ポジ型レジスト（東京応化工業株式会社製、型番：ＯＦＰＲ８００ＬＢ）を用いた。その他の手順、条件は、サンプル１と同様として、積層ウエハであるサンプル３を作製した。
【0091】
（サンプル４）
サンプル４では、基板として、サンプル１と同様のＳｉ基板を用意した。このＳｉ基板の熱酸化膜上に、下部密着層としてのＺｎＯ層、下部電極膜としてのＰｔ膜、圧電膜としてのＫＮＮ膜を製膜した。その後、ＫＮＮ膜の表面にネガ型のフォトレジスト（日本ゼオン株式会社製、型番：ＺＰＮ１１５０）をスピンコートにより塗布した。そして、１１０℃に加熱したホットプレートに基板を置いて３分加熱することでフォトレジストを硬化させた。その後、パターン加工を行うことなくフォトレジストをＫＮＮ膜の表面から除去した。そして、フォトレジストを除去したＫＮＮ膜の表面上に、上部密着層としてのＲｕＯ２層、上部電極膜としてのＰｔ膜を、この順に製膜した。フォトレジストの除去方法、その他の手順及び条件は、サンプル１と同様として、積層ウエハであるサンプル４を作製した。
サンプル４では、基板として、サンプル１と同様のＳｉ基板を用意した。このＳｉ基板の熱酸化膜上に、下部密着層としてのＺｎＯ層、下部電極膜としてのＰｔ膜、圧電膜としてのＫＮＮ膜を製膜した。その後、ＫＮＮ膜の表面にネガ型のフォトレジスト（日本ゼオン株式会社製、型番：ＺＰＮ１１５０）をスピンコートにより塗布した。そして、１１０℃に加熱したホットプレートに基板を置いて３分加熱することでフォトレジストを硬化させた。その後、パターン加工を行うことなくフォトレジストをＫＮＮ膜の表面から除去した。そして、フォトレジストを除去したＫＮＮ膜の表面上に、上部密着層としてのＲｕＯ２層、上部電極膜としてのＰｔ膜を、この順に製膜した。フォトレジストの除去方法、その他の手順及び条件は、サンプル１と同様として、積層ウエハであるサンプル４を作製した。
【0092】
＜評価＞
サンプル１～４を、それぞれ、大気雰囲気中で、４００℃、１５分間加熱した。そして、加熱後のサンプル１～４のＫＮＮ膜と上部密着層との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部（例えば気泡発生による浮き上がり箇所）が発生していないか否かの評価を行なった。剥離部の発生の有無の評価は、サンプル１～４の各上部電極膜の上面を微分干渉顕微鏡（オリンパス株式会社製、デジタルマイクロスコープＤＳＸ－５１０）により観察することで行った。
サンプル１～４を、それぞれ、大気雰囲気中で、４００℃、１５分間加熱した。そして、加熱後のサンプル１～４のＫＮＮ膜と上部密着層との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部（例えば気泡発生による浮き上がり箇所）が発生していないか否かの評価を行なった。剥離部の発生の有無の評価は、サンプル１～４の各上部電極膜の上面を微分干渉顕微鏡（オリンパス株式会社製、デジタルマイクロスコープＤＳＸ－５１０）により観察することで行った。
【0093】
また、図４に、サンプル１の基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域の任意の視野の微分干渉観察像を示す。図５（ａ）に、サンプル２の基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域の任意の視野の微分干渉観察像を示し、図５（ｂ）に、サンプル２の剥離部発生箇所のＦＩＢ－ＳＥＭ画像を示し、図５（ｃ）に、図５（ｂ）のＡ－Ａ線のＦＩＢ－ＳＥＭ縦断面画像を示す。図６に、サンプル３の基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域の任意の視野の微分干渉観察像を示し、図７に、サンプル４の基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域の任意の視野の微分干渉観察像を示す。なお、ここでいう「微分干渉観察像」とは、微分干渉顕微鏡により得られた画像を意味する。
【0094】
図４から、サンプル１の積層ウエハでは、基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域で、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されないことが確認できる。図６及び図７からそれぞれ、サンプル３、４の積層ウエハにおいても、基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域で、円相当径が３０μｍ以上の剥離部は観察されないことが確認できる。また、サンプル１、３、４の積層ウエハでは、円相当径が１０μｍ以上の剥離部が観察される場合もあるものの、その数は、略１６００００μｍ２の任意の視野内において、２０個以下と非常に少なかった。
【0095】
一方、図５（ａ）から、サンプル２の積層ウエハでは、基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域で、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されることが確認できる。図５（ｂ）及び図５（ｃ）から、気泡発生による浮き上がり箇所は、上部密着層がＫＮＮ膜から剥離していることが確認できる。
【0096】
＜圧電積層体における剥離部の発生の評価＞
（加熱前の）サンプル１～４に対して切削加工等を行い、サンプル１～４の積層ウエハの基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域から、それぞれ、２０ｍｍ×２０ｍｍの圧電積層体を作製した。そして、圧電積層体を、それぞれ、大気雰囲気中で、４００℃、１５分間加熱した。加熱後の各圧電積層体のＫＮＮ膜と上部密着層との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が発生していないか否かの評価を行った。剥離部の発生の有無の評価は、サンプル１～４から得た各圧電積層体の上部電極膜の上面を微分干渉顕微鏡（オリンパス株式会社製、デジタルマイクロスコープＤＳＸ－５１０）により観察することで行った。また、加熱後の各圧電積層体の上部電極膜の上面を、微分干渉顕微鏡（オリンパス株式会社製、デジタルマイクロスコープＤＳＸ－５１０）により４００μｍ×４００μｍの任意の視野で観察し、任意の視野内における円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数を計測する評価を行った。
（加熱前の）サンプル１～４に対して切削加工等を行い、サンプル１～４の積層ウエハの基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域から、それぞれ、２０ｍｍ×２０ｍｍの圧電積層体を作製した。そして、圧電積層体を、それぞれ、大気雰囲気中で、４００℃、１５分間加熱した。加熱後の各圧電積層体のＫＮＮ膜と上部密着層との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が発生していないか否かの評価を行った。剥離部の発生の有無の評価は、サンプル１～４から得た各圧電積層体の上部電極膜の上面を微分干渉顕微鏡（オリンパス株式会社製、デジタルマイクロスコープＤＳＸ－５１０）により観察することで行った。また、加熱後の各圧電積層体の上部電極膜の上面を、微分干渉顕微鏡（オリンパス株式会社製、デジタルマイクロスコープＤＳＸ－５１０）により４００μｍ×４００μｍの任意の視野で観察し、任意の視野内における円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数を計測する評価を行った。
【0097】
サンプル１、３、４から得た圧電積層体では、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されなかった。また、サンプル１、３、４から得た圧電積層体では、円相当径が１０μｍ以上の剥離部が観察される場合もあるものの、その数は、略１６００００μｍ２の任意の視野内において、２０個以下と非常に少なかった。図８に、サンプル１から得た圧電積層体の任意の視野の微分干渉観察像を示す。例えば、図８においては、略１６００００μｍ２の視野内において、円相当径が１０μｍ以上の大きさの剥離部の数は１個のみとなっている。
【0098】
また、サンプル２の圧電積層体では、図５（ａ）に示すような円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察され、さらに、円相当径が１０μｍ以上の剥離部も２０個超観察された。
【0099】
このように、ＫＮＮ膜を製膜した後、ＫＮＮ膜の上面にフォトレジストを塗布し、そして、（パターン加工を行うことなく）フォトレジストを除去し、フォトレジストを除去した後のＫＮＮ膜上に、上部密着層、上部電極膜を製膜して積層ウエハを作製することで、積層ウエハ、ひいては積層ウエハから得た圧電積層体のＫＮＮ膜と上部密着層（上部電極）との間の界面における部分剥離の発生を抑制できることが分かる。
【0100】
＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
【0101】
（付記１）
本開示の一態様によれば、
基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記圧電積層体を観察した際、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層体が提供される。
本開示の一態様によれば、
基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記圧電積層体を観察した際、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層体が提供される。
【0102】
（付記２）
付記１に記載の圧電積層体であって、好ましくは、
前記加熱処理を行った後に、前記上部電極の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が前記視野内に２０個以下である。
付記１に記載の圧電積層体であって、好ましくは、
前記加熱処理を行った後に、前記上部電極の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が前記視野内に２０個以下である。
【0103】
（付記３）
本開示の他の態様によれば、
基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記上部電極の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が前記視野内に２０個以下である、
圧電積層体が提供される。
本開示の他の態様によれば、
基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層体であって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層体に対して行った後に、前記上部電極の上面を、微分干渉顕微鏡により４００μｍ×４００μｍの視野で観察した際、円相当径が１０μｍ以上の剥離部の数が前記視野内に２０個以下である、
圧電積層体が提供される。
【0104】
（付記４）
本開示のさらに他の態様によれば、
直径が１００ｍｍ以上の基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層ウエハであって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層ウエハに対して行った後に、前記圧電積層ウエハを観察した際、前記基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域では、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層ウエハが提供される。
本開示のさらに他の態様によれば、
直径が１００ｍｍ以上の基板と、
前記基板上に製膜され、カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含み、ペロブスカイト構造を有するアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜と、
前記圧電膜上に製膜される上部電極と、を備える圧電積層ウエハであって、
大気雰囲気中で、４００℃、１５分間の加熱処理を前記圧電積層ウエハに対して行った後に、前記圧電積層ウエハを観察した際、前記基板の外周辺から５ｍｍの領域を除く領域では、前記圧電膜と前記上部電極との間の界面に、円相当径が３０μｍ以上の剥離部が観察されない、
圧電積層ウエハが提供される。
【0105】
（付記５）
本開示のさらに他の態様によれば、
カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含むアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜を製膜した基板を用意する工程と、
前記圧電膜の表面（全面）にフォトレジストを塗布する工程と、
（前記フォトレジストに対してパターン加工を行うことなく）前記圧電膜の表面から前記フォトレジストを除去する工程と、
前記フォトレジストを除去した後の前記圧電膜の表面上に上部電極を製膜する工程と、
を備える、
圧電積層体の製造方法が提供される。
本開示のさらに他の態様によれば、
カリウム、ナトリウム、ニオブ、及び酸素を含むアルカリニオブ酸化物で構成される圧電膜を製膜した基板を用意する工程と、
前記圧電膜の表面（全面）にフォトレジストを塗布する工程と、
（前記フォトレジストに対してパターン加工を行うことなく）前記圧電膜の表面から前記フォトレジストを除去する工程と、
前記フォトレジストを除去した後の前記圧電膜の表面上に上部電極を製膜する工程と、
を備える、
圧電積層体の製造方法が提供される。
【0106】
（付記６）
付記５に記載の方法であって、好ましくは、
前記上部電極を製膜する工程の後、前記基板を４００℃以上の温度で加熱しながら、前記圧電積層体に対して所定の処理を行う工程（前記上部電極上の少なくとも一部に所定の膜を形成する工程）をさらに備える。
付記５に記載の方法であって、好ましくは、
前記上部電極を製膜する工程の後、前記基板を４００℃以上の温度で加熱しながら、前記圧電積層体に対して所定の処理を行う工程（前記上部電極上の少なくとも一部に所定の膜を形成する工程）をさらに備える。
【符号の説明】
【0107】
１ 基板
２ 下部電極膜
３ 圧電膜
４ 上部電極膜
６ 下部密着層
７ 上部密着層
８ 絶縁膜
９ａ，９ｂ メタル配線
１０ 圧電積層ウエハ
１０Ａ 圧電積層体
２ 下部電極膜
３ 圧電膜
４ 上部電極膜
６ 下部密着層
７ 上部密着層
８ 絶縁膜
９ａ，９ｂ メタル配線
１０ 圧電積層ウエハ
１０Ａ 圧電積層体
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
