ホーム > 特許ランキング > ギガフォトン株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024013662
(43)【公開日】2024-02-01
(54)【発明の名称】ＥＵＶ光生成装置、及び電子デバイスの製造方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240125BHJP
H05G 2/00 20060101ALI20240125BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
G03F7/20 521
H05G2/00 K
【審査請求】未請求
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022115922
(22)【出願日】2022-07-20
(71)【出願人】
【識別番号】300073919
【氏名又は名称】ギガフォトン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110001519
【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】星野 裕大
(72)【発明者】
【氏名】渡辺 幸雄
【テーマコード（参考）】
2H197
4C092
【Ｆターム（参考）】
2H197BA02
2H197CA10
2H197DB23
2H197DC02
2H197DC12
2H197GA01
2H197GA04
2H197GA05
2H197GA10
2H197GA12
2H197GA16
2H197GA24
2H197HA03
2H197JA07
4C092AA06
4C092AA15
4C092AB19
(57)【要約】 （修正有）
【課題】安価、小型のミラー用ステージ機構を採用できるＥＵＶ光生成装置を提供する。
【解決手段】ＥＵＶ光生成装置は、内部が大気圧未満に維持され、ＥＵＶ光を生成可能とするチャンバと、チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態でチャンバの内部に設けられたホルダと、チャンバの外部において第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光に対する光学素子の位置と角度とを変更するステージ機構と、ステージをチャンバに固定する固定部材と、ホルダを介して第１蓋部材に対向する位置に配置され、光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能にホルダに接続され、大気圧とチャンバ内部の圧力との圧力差により第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷をホルダに伝えるキャンセル機構と、を備える。
【選択図】図６
【解決手段】ＥＵＶ光生成装置は、内部が大気圧未満に維持され、ＥＵＶ光を生成可能とするチャンバと、チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態でチャンバの内部に設けられたホルダと、チャンバの外部において第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光に対する光学素子の位置と角度とを変更するステージ機構と、ステージをチャンバに固定する固定部材と、ホルダを介して第１蓋部材に対向する位置に配置され、光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能にホルダに接続され、大気圧とチャンバ内部の圧力との圧力差により第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷をホルダに伝えるキャンセル機構と、を備える。
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部が大気圧未満に維持され、ＥＵＶ光を生成可能とするチャンバと、
一端が前記チャンバに接続され、前記チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、
前記第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、
前記第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態で前記チャンバの内部に設けられたホルダと、
前記チャンバの外部において前記第１蓋部材に接続され、前記ＥＵＶ光に対する前記光学素子の位置と角度とのうちの少なくとも一方を変更するステージ機構と、
前記ステージ機構を前記チャンバに固定する固定部材と、
前記ホルダを介して前記第１蓋部材に対向する位置に配置され、前記光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能に前記ホルダに接続され、大気圧と前記チャンバ内部の圧力との圧力差により前記第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷を前記ホルダに伝えるキャンセル機構と、
を備えるＥＵＶ光生成装置。
一端が前記チャンバに接続され、前記チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、
前記第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、
前記第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態で前記チャンバの内部に設けられたホルダと、
前記チャンバの外部において前記第１蓋部材に接続され、前記ＥＵＶ光に対する前記光学素子の位置と角度とのうちの少なくとも一方を変更するステージ機構と、
前記ステージ機構を前記チャンバに固定する固定部材と、
前記ホルダを介して前記第１蓋部材に対向する位置に配置され、前記光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能に前記ホルダに接続され、大気圧と前記チャンバ内部の圧力との圧力差により前記第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷を前記ホルダに伝えるキャンセル機構と、
を備えるＥＵＶ光生成装置。
【請求項2】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記ステージ機構は、前記第１負荷の方向に直交する方向へ前記第１蓋部材を移動させる。
前記ステージ機構は、前記第１負荷の方向に直交する方向へ前記第１蓋部材を移動させる。
【請求項3】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記ステージ機構は、前記第１蓋部材を傾斜させる。
前記ステージ機構は、前記第１蓋部材を傾斜させる。
【請求項4】
請求項３に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記ステージ機構は、前記光学素子の表面に位置する回転中心を回転軸として前記第１蓋部材を傾斜させる。
前記ステージ機構は、前記光学素子の表面に位置する回転中心を回転軸として前記第１蓋部材を傾斜させる。
【請求項5】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記光学素子は、前記ＥＵＶ光を反射するミラーである。
前記光学素子は、前記ＥＵＶ光を反射するミラーである。
【請求項6】
請求項５に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記ホルダは、第１開口及び第２開口が形成された箱形状の部材であり、
前記ミラーは、前記ホルダの内部に配置されており、
前記ＥＵＶ光が前記第１開口を介して前記ミラーに入射し、前記ミラーで反射された前記ＥＵＶ光が前記第２開口を介して出力される。
前記ホルダは、第１開口及び第２開口が形成された箱形状の部材であり、
前記ミラーは、前記ホルダの内部に配置されており、
前記ＥＵＶ光が前記第１開口を介して前記ミラーに入射し、前記ミラーで反射された前記ＥＵＶ光が前記第２開口を介して出力される。
【請求項7】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記光学素子は、前記ＥＵＶ光を検出する検出器である。
前記光学素子は、前記ＥＵＶ光を検出する検出器である。
【請求項8】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記キャンセル機構は、一端が前記チャンバに接続され、前記チャンバの内部と連通する第２ベローズ配管と、前記第２ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第２蓋部材とを含み、
圧力差により前記第２蓋部材に加わる前記第２負荷を前記ホルダに伝える。
前記キャンセル機構は、一端が前記チャンバに接続され、前記チャンバの内部と連通する第２ベローズ配管と、前記第２ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第２蓋部材とを含み、
圧力差により前記第２蓋部材に加わる前記第２負荷を前記ホルダに伝える。
【請求項9】
請求項８に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記第１蓋部材は、第１支柱を介して前記ホルダに接続されており、
前記第２蓋部材は、第２支柱を介して前記ホルダに接続されている。
前記第１蓋部材は、第１支柱を介して前記ホルダに接続されており、
前記第２蓋部材は、第２支柱を介して前記ホルダに接続されている。
【請求項10】
請求項９に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記第１支柱と前記第２支柱とは、同軸上に配置されている。
前記第１支柱と前記第２支柱とは、同軸上に配置されている。
【請求項11】
請求項８に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記第１蓋部材と前記第２蓋部材とは、前記チャンバの内部側の面積が等しい。
前記第１蓋部材と前記第２蓋部材とは、前記チャンバの内部側の面積が等しい。
【請求項12】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記キャンセル機構は、前記第２負荷を発生するバネを含む。
前記キャンセル機構は、前記第２負荷を発生するバネを含む。
【請求項13】
請求項１に記載のＥＵＶ光生成装置であって、
前記キャンセル機構は、前記第２負荷を発生するシリンダを含む。
前記キャンセル機構は、前記第２負荷を発生するシリンダを含む。
【請求項14】
電子デバイスの製造方法であって、
内部が大気圧未満に維持され、ＥＵＶ光を生成可能とするチャンバと、
一端が前記チャンバに接続され、前記チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、
前記第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、
前記第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態で前記チャンバの内部に設けられたホルダと、
前記チャンバの外部において前記第１蓋部材に接続され、前記ＥＵＶ光に対する前記光学素子の位置と角度とのうちの少なくとも一方を変更するステージ機構と、
前記ステージ機構を前記チャンバに固定する固定部材と、
前記ホルダを介して前記第１蓋部材に対向する位置に配置され、前記光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能に前記ホルダに接続され、大気圧と前記チャンバ内部の圧力との圧力差により前記第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷を前記ホルダに伝えるキャンセル機構と、
を備えるＥＵＶ光生成装置によって前記ＥＵＶ光を生成し、
前記ＥＵＶ光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記ＥＵＶ光を露光すること、
を含む電子デバイスの製造方法。
内部が大気圧未満に維持され、ＥＵＶ光を生成可能とするチャンバと、
一端が前記チャンバに接続され、前記チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、
前記第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、
前記第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態で前記チャンバの内部に設けられたホルダと、
前記チャンバの外部において前記第１蓋部材に接続され、前記ＥＵＶ光に対する前記光学素子の位置と角度とのうちの少なくとも一方を変更するステージ機構と、
前記ステージ機構を前記チャンバに固定する固定部材と、
前記ホルダを介して前記第１蓋部材に対向する位置に配置され、前記光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能に前記ホルダに接続され、大気圧と前記チャンバ内部の圧力との圧力差により前記第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷を前記ホルダに伝えるキャンセル機構と、
を備えるＥＵＶ光生成装置によって前記ＥＵＶ光を生成し、
前記ＥＵＶ光を露光装置に出力し、
電子デバイスを製造するために、前記露光装置内で感光基板上に前記ＥＵＶ光を露光すること、
を含む電子デバイスの製造方法。
【請求項15】
電子デバイスの製造方法であって、
内部が大気圧未満に維持され、ＥＵＶ光を生成可能とするチャンバと、
一端が前記チャンバに接続され、前記チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、
前記第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、
前記第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態で前記チャンバの内部に設けられたホルダと、
前記チャンバの外部において前記第１蓋部材に接続され、前記ＥＵＶ光に対する前記光学素子の位置と角度とのうちの少なくとも一方を変更するステージ機構と、
前記ステージ機構を前記チャンバに固定する固定部材と、
前記ホルダを介して前記第１蓋部材に対向する位置に配置され、前記光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能に前記ホルダに接続され、大気圧と前記チャンバ内部の圧力との圧力差により前記第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷を前記ホルダに伝えるキャンセル機構と、
を備えるＥＵＶ光生成装置によって生成した前記ＥＵＶ光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写すること、
を含む電子デバイスの製造方法。
内部が大気圧未満に維持され、ＥＵＶ光を生成可能とするチャンバと、
一端が前記チャンバに接続され、前記チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、
前記第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、
前記第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態で前記チャンバの内部に設けられたホルダと、
前記チャンバの外部において前記第１蓋部材に接続され、前記ＥＵＶ光に対する前記光学素子の位置と角度とのうちの少なくとも一方を変更するステージ機構と、
前記ステージ機構を前記チャンバに固定する固定部材と、
前記ホルダを介して前記第１蓋部材に対向する位置に配置され、前記光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能に前記ホルダに接続され、大気圧と前記チャンバ内部の圧力との圧力差により前記第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷を前記ホルダに伝えるキャンセル機構と、
を備えるＥＵＶ光生成装置によって生成した前記ＥＵＶ光をマスクに照射して前記マスクの欠陥を検査し、
前記検査の結果を用いてマスクを選定し、
前記選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写すること、
を含む電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、ＥＵＶ光生成装置、及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、１０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長約１３ｎｍの極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた半導体露光装置の開発が期待されている。
【0003】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲットにレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＬＰＰ）式の装置の開発が進んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許第８６６９５４２号明細書
【特許文献2】米国特許第９１７９５３４号明細書
【特許文献3】特開２０１９－１２９２１１号公報
【特許文献4】特開２００４－２１４５２７号公報
【概要】
【0005】
本開示の１つの観点に係るＥＵＶ光生成装置は、内部が大気圧未満に維持され、ＥＵＶ光を生成可能とするチャンバと、一端がチャンバに接続され、チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態でチャンバの内部に設けられたホルダと、チャンバの外部において第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光に対する光学素子の位置と角度とのうちの少なくとも一方を変更するステージ機構と、ステージ機構をチャンバに固定する固定部材と、ホルダを介して第１蓋部材に対向する位置に配置され、光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能にホルダに接続され、大気圧とチャンバ内部の圧力との圧力差により第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷をホルダに伝えるキャンセル機構と、を備える。
【0006】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、内部が大気圧未満に維持され、ＥＵＶ光を生成可能とするチャンバと、一端がチャンバに接続され、チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態でチャンバの内部に設けられたホルダと、チャンバの外部において第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光に対する光学素子の位置と角度とのうちの少なくとも一方を変更するステージ機構と、ステージ機構をチャンバに固定する固定部材と、ホルダを介して第１蓋部材に対向する位置に配置され、光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能にホルダに接続され、大気圧とチャンバ内部の圧力との圧力差により第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷をホルダに伝えるキャンセル機構と、を備えるＥＵＶ光生成装置によってＥＵＶ光を生成し、ＥＵＶ光を露光装置に出力し、電子デバイスを製造するために、露光装置内で感光基板上にＥＵＶ光を露光すること、を含む。
【0007】
本開示の１つの観点に係る電子デバイスの製造方法は、内部が大気圧未満に維持され、ＥＵＶ光を生成可能とするチャンバと、一端がチャンバに接続され、チャンバの内部と連通する第１ベローズ配管と、第１ベローズ配管の他端を大気圧下で密閉する第１蓋部材と、第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光が入射する光学素子を保持した状態でチャンバの内部に設けられたホルダと、チャンバの外部において第１蓋部材に接続され、ＥＵＶ光に対する光学素子の位置と角度とのうちの少なくとも一方を変更するステージ機構と、ステージ機構をチャンバに固定する固定部材と、ホルダを介して第１蓋部材に対向する位置に配置され、光学素子の位置と角度とのうち少なくとも一方の変更に応じて移動可能にホルダに接続され、大気圧とチャンバ内部の圧力との圧力差により第１蓋部材に加わる第１負荷の方向と逆方向の第２負荷をホルダに伝えるキャンセル機構と、を備えるＥＵＶ光生成装置によって生成したＥＵＶ光をマスクに照射してマスクの欠陥を検査し、検査の結果を用いてマスクを選定し、選定したマスクに形成されたパターンを感光基板上に露光転写すること、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0008】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【実施形態】
【0009】
＜内容＞
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例に係るＥＵＶ光生成システム
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ ＥＵＶ光伝送システム
２．３．１ 第１構成例
２．３．２ 課題
２．３．３ 第２構成例
２．３．４ 課題
３．第１実施形態に係るＥＵＶ光生成システム
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 効果
４．第１実施形態の変形例
４．１ 第１変形例
４．１．１ 構成
４．１．２ 動作
４．１．３ 効果
４．２ 第２変形例
４．２．１ 構成
４．２．２ 動作
４．２．３ 効果
４．３ 第３変形例
４．３．１ 構成
４．３．２ 動作
４．３．３ 効果
４．４ 第４変形例
４．４．１ 構成
４．４．２ 動作
４．４．３ 効果
４．５ 第５変形例
４．６ その他の変形例
５．その他
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
１．２ 動作
２．比較例に係るＥＵＶ光生成システム
２．１ 構成
２．２ 動作
２．３ ＥＵＶ光伝送システム
２．３．１ 第１構成例
２．３．２ 課題
２．３．３ 第２構成例
２．３．４ 課題
３．第１実施形態に係るＥＵＶ光生成システム
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ 効果
４．第１実施形態の変形例
４．１ 第１変形例
４．１．１ 構成
４．１．２ 動作
４．１．３ 効果
４．２ 第２変形例
４．２．１ 構成
４．２．２ 動作
４．２．３ 効果
４．３ 第３変形例
４．３．１ 構成
４．３．２ 動作
４．３．３ 効果
４．４ 第４変形例
４．４．１ 構成
４．４．２ 動作
４．４．３ 効果
４．５ 第５変形例
４．６ その他の変形例
５．その他
【0010】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【0011】
１．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
１．１ 構成
図１に、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２５を含む。チャンバ２は、ＥＵＶ光３３を生成可能とする密閉可能な容器である。ターゲット供給装置２５は、ドロップレット状のターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
１．１ 構成
図１に、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システム１１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ装置３と共に用いられる。本開示においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２及びターゲット供給装置２５を含む。チャンバ２は、ＥＵＶ光３３を生成可能とする密閉可能な容器である。ターゲット供給装置２５は、ドロップレット状のターゲット２７をチャンバ２内部に供給する。ターゲット２７の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよい。
【0012】
チャンバ２の壁には、貫通孔が備えられている。その貫通孔は、ウィンドウ２１によって塞がれており、レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３１がウィンドウ２１を透過する。チャンバ２の内部には、回転楕円面形状の反射面を備えたＥＵＶ集光ミラー２３が配置される。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されている。ＥＵＶ集光ミラー２３は、その第１の焦点がプラズマ生成領域Ｒに位置し、その第２の焦点が中間集光点ＩＦに位置するように配置されている。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が形成されており、貫通孔２４をパルスレーザ光３１が通過する。
【0013】
ＥＵＶ光生成装置１は、プロセッサ１２、ターゲットセンサ１３等を含む。ターゲットセンサ１３は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、及び速度のうち少なくとも１つを検出する。ターゲットセンサ１３は、撮像機能を備えていてもよい。
【0014】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と外部装置５の内部とを連通させる接続配管２９を含む。接続配管２９の内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられている。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点に位置するように配置されている。例えば、外部装置５は、露光装置である。
【0015】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光伝送装置１４と、レーザ光集光光学系２２と、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８とを含む。レーザ光伝送装置１４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えている。
【0016】
１．２ 動作
図１を参照して、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置１４を経て、ウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。チャンバ２内に入射したパルスレーザ光３１は、レーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光光学系２２により集光されて、ターゲット２７に照射される。
図１を参照して、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光伝送装置１４を経て、ウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射する。チャンバ２内に入射したパルスレーザ光３１は、レーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光光学系２２により集光されて、ターゲット２７に照射される。
【0017】
ターゲット供給装置２５は、ターゲット２７をチャンバ２内のプラズマ生成領域Ｒに向けて出力する。ターゲット２７には、パルスレーザ光３１が照射される。パルスレーザ光３１が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光３２が放射される。放射光３２に含まれるＥＵＶ光３３は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射される。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光３３は、中間集光点ＩＦで集光され、外部装置５に出力される。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３１に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【0018】
プロセッサ１２は、ＥＵＶ光生成システム１１全体を制御する。プロセッサ１２は、ターゲットセンサ１３の検出結果に基づいて、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御する。さらに、プロセッサ１２は、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３１の進行方向、集光位置等を制御する。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【0019】
２．比較例に係るＥＵＶ光生成システム
２．１ 構成
２．１ 構成
【0020】
図２は、比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す。本比較例では、プロセッサ１２は、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａと、ターゲットプロセッサ１２ｂとを含む。ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａは、レーザ装置３、ターゲットプロセッサ１２ｂ等を制御する。ターゲットプロセッサ１２ｂは、ターゲット供給装置２５を制御する。ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａ及びターゲットプロセッサ１２ｂは、ハードウェアとソフトウェアとを組み合わせたコンピュータで構成されてもよい。
【0021】
比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１には、表示装置１５が設けられている。ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａは、表示装置１５を制御して外部装置５から通知された情報等を表示させる。
【0022】
レーザ光伝送装置１４は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１を反射させてチャンバ２のウィンドウ２１に導くための高反射ミラー１４ａ，１４ｂを含む。
【0023】
チャンバ２は、ＥＵＶ光生成チャンバ２ａと、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂとを含む。ＥＵＶ光生成チャンバ２ａは、ＥＵＶ光３３を生成するためのチャンバである。ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂは、ＥＵＶ光生成チャンバ２ａで生成されたＥＵＶ光３３を外部装置５に向けて伝送させるためのチャンバである。
【0024】
ＥＵＶ光生成チャンバ２ａには、上述のウィンドウ２１、レーザ光集光光学系２２、ＥＵＶ集光ミラー２３、ターゲット供給装置２５、ターゲット回収部２８、及びターゲットセンサ１３が設けられている。ＥＵＶ光生成チャンバ２ａは、ベローズ配管４を介してＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに接続されている。
【0025】
ベローズ配管４は、ＥＵＶ光３３が出力される位置に設けられたＥＵＶ光生成チャンバ２ａの開口２ｃと、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの導入口２ｄとを接続している。また、ベローズ配管４は、ＥＵＶ光３３の光路を囲むように配置されている。
【0026】
ＥＵＶ光生成チャンバ２ａ、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂ、及びベローズ配管４は、内部が大気圧未満の水素雰囲気に維持されている。
【0027】
ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの導出口２ｅには、上述の接続配管２９が接続されている。ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂは、接続配管２９を介して外部装置５に接続されている。
【0028】
ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂには、ＥＵＶ光伝送システム６が設けられている。ＥＵＶ光伝送システム６は、ＥＵＶ光３３を反射するミラー６１と、ミラー６１を移動させるステージ機構６２とを含む。ミラー６１は、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの内部において、ベローズ配管４から導入口２ｄを介してＥＵＶ光３３が入射する位置に配置されている。例えば、ミラー６１は、反射面が平面状の平面ミラーである。
【0029】
ステージ機構６２は、ミラー６１に接続されており、ＥＵＶ光３３に対するミラー６１の位置と角度とのうちの少なくとも一方を変更する。ＥＵＶ光伝送システム６は、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａから送信される制御信号Ｓｃに基づいてＥＵＶ光３３の伝送方向を制御する。
【0030】
外部装置５は、プロセッサ５１を備える。プロセッサ５１は、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂから接続配管２９を介して伝送されてきたＥＵＶ光３３の状態を検出し、検出結果をＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａへ送信する。ＥＵＶ光３３の状態には、中間集光点ＩＦの位置、ＥＵＶ光３３の中間集光点ＩＦへの入射角度等が含まれる。
【0031】
２．２ 動作
比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。まず、ＥＵＶ光生成チャンバ２ａ、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂ、及びベローズ配管４の内部が水素雰囲気にされる。ターゲットプロセッサ１２ｂの制御により、ターゲット供給装置２５からドロップレット状のターゲット２７がＥＵＶ光生成チャンバ２ａ内のプラズマ生成領域Ｒに向けて出力される。
比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の動作を説明する。まず、ＥＵＶ光生成チャンバ２ａ、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂ、及びベローズ配管４の内部が水素雰囲気にされる。ターゲットプロセッサ１２ｂの制御により、ターゲット供給装置２５からドロップレット状のターゲット２７がＥＵＶ光生成チャンバ２ａ内のプラズマ生成領域Ｒに向けて出力される。
【0032】
ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａの制御により、ターゲット２７がプラズマ生成領域Ｒに到達するタイミングで、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１が照射されることにより、ＥＵＶ光３３が生成される。
【0033】
プラズマ生成領域Ｒで生成されたＥＵＶ光３３の一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３で反射され、ベローズ配管４内を通ってＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに入射する。ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに入射したＥＵＶ光３３は、ＥＵＶ光伝送システム６のミラー６１で反射された後、接続配管２９内の中間集光点ＩＦで集光されて外部装置５へ出力される。
【0034】
外部装置５のプロセッサ５１は、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａに、ＥＵＶ光３３の生成開始及び停止に関する指示信号を送信するとともに、ＥＵＶ光３３の状態を検出して、検出結果を送信する。ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａは、検出結果を表示装置１５に表示させるとともに、検出結果に基づいて、ＥＵＶ光３３が所望の状態で中間集光点ＩＦを通過するようにＥＵＶ光伝送システム６を制御する。
【0035】
２．３ ＥＵＶ光伝送システム
２．３．１ 第１構成例
図３は、ＥＵＶ光伝送システム６の第１構成例を示す。ミラー６１は、ミラーホルダ６３により保持されている。ミラーホルダ６３は、支柱６４により保持されている。ミラーホルダ６３は、ミラー６１の反射面がＸ方向及びＹ方向に平行となるようにミラー６１を保持している。支柱６４は、ミラーホルダ６３の中央に接続され、Ｚ方向に延伸している。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向は、互いに直交する方向である。
２．３．１ 第１構成例
図３は、ＥＵＶ光伝送システム６の第１構成例を示す。ミラー６１は、ミラーホルダ６３により保持されている。ミラーホルダ６３は、支柱６４により保持されている。ミラーホルダ６３は、ミラー６１の反射面がＸ方向及びＹ方向に平行となるようにミラー６１を保持している。支柱６４は、ミラーホルダ６３の中央に接続され、Ｚ方向に延伸している。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向は、互いに直交する方向である。
【0036】
ステージ機構６２は、ミラーホルダ６３をＸ方向及びＹ方向に移動可能とする２軸のＸＹステージである。ステージ機構６２は、レールガイド６２１と、レール６２２と、ステージ保持部６２３と、モータ６２４とを含む。
【0037】
レールガイド６２１は、支柱６４に接続され、Ｙ方向に延伸した溝が形成されている。この溝にレール６２２が摺動可能に嵌合されている。また、レールガイド６２１は、レール６２２に固定され、Ｘ方向に延伸した溝が形成された図示しない別のレールガイドを含んでいる。この別のレールガイドの溝に図示しない別のレールが摺動可能に嵌合されている。
【0038】
ステージ保持部６２３は、レール６２２を保持している。モータ６２４は、ステージ保持部６２３に配置され、レールガイド６２１をＸ方向及びＹ方向に駆動させる。モータ６２４には、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外部に配置された電源６５からエネルギが供給される。電源６５がモータ６２４に供給するエネルギは、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａから送信される制御信号Ｓｃにより制御される。
【0039】
ステージ保持部６２３は、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに形成された設置口２ｆに配置され、固定部材６６によりＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに固定されている。固定部材６６はフランジ部を備えており、図示しないボルトを用いてフランジ部がＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに固定されている。ステージ機構６２は、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂ内に配置されている。
【0040】
２．３．２ 課題
第１構成例に係るＥＵＶ光伝送システム６では、ステージ機構６２がＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂ内に配置されていることにより水素雰囲気に晒されている。このため、ステージ機構６２として、汎用のステージを用いることはできず、特注のステージを用いることが必要となる。しかしながら、水素雰囲気内での駆動が保証されるステージは種類が少なく、かつ高価である。したがって、第１構成例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、製造コストに関する課題がある。
第１構成例に係るＥＵＶ光伝送システム６では、ステージ機構６２がＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂ内に配置されていることにより水素雰囲気に晒されている。このため、ステージ機構６２として、汎用のステージを用いることはできず、特注のステージを用いることが必要となる。しかしながら、水素雰囲気内での駆動が保証されるステージは種類が少なく、かつ高価である。したがって、第１構成例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、製造コストに関する課題がある。
【0041】
２．３．３ 第２構成例
図４は、ＥＵＶ光伝送システム６の第２構成例を示す。第２構成例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、ステージ機構６２がＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外部に配置されている点が、第１構成例に係るＥＵＶ光伝送システム６と異なる。第２構成例に係るＥＵＶ光伝送システム６において、ミラーホルダ６３は、支柱６４、及びステージ機構６２に加えて、蓋部材６７及びベローズ配管６８を含む。
図４は、ＥＵＶ光伝送システム６の第２構成例を示す。第２構成例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、ステージ機構６２がＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外部に配置されている点が、第１構成例に係るＥＵＶ光伝送システム６と異なる。第２構成例に係るＥＵＶ光伝送システム６において、ミラーホルダ６３は、支柱６４、及びステージ機構６２に加えて、蓋部材６７及びベローズ配管６８を含む。
【0042】
ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂには、図３で示した設置口２ｆに代えて駆動口２ｇが形成されている。駆動口２ｇには、支柱６４が挿通されている。駆動口２ｇの径は支柱６４の径より大きく、支柱６４はＸ方向及びＹ方向に移動可能である。支柱６４の一端はミラーホルダ６３に接続され、他端は蓋部材６７に接続されている。
【0043】
ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外面において、駆動口２ｇの周囲には、駆動口２ｇを囲むようにリング状のベローズ固定部材６８ａが設けられている。蓋部材６７には、ベローズ固定部材６８ａと対向する位置に、リング状のベローズ固定部材６８ｂが設けられている。
【0044】
ベローズ配管６８は、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外側において、駆動口２ｇを囲むように配置されている。ベローズ配管６８は、一端がベローズ固定部材６８ａを介してＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに接続されており、他端がベローズ固定部材６８ｂを介して蓋部材６７に接続されている。蓋部材６７は、大気圧下でベローズ配管６８の他端の開口を密閉する密閉蓋である。例えば、ベローズ配管６８は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向へ変形可能な円筒形状の配管であり、伸縮性及び可撓性を有する。
【0045】
支柱６４のうちＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外側に位置する部分は、ベローズ配管６８と蓋部材６７とで囲まれた空間Ａ１の内部に配置されている。以下、空間Ａ１をベローズ空間Ａ１という。ベローズ空間Ａ１は、駆動口２ｇを介してＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの内部と連通しており、大気圧未満の水素雰囲気に維持されている。
【0046】
蓋部材６７のベローズ配管６８とは反対側の面には、上述のステージ機構６２が配置されている。レールガイド６２１は蓋部材６７に接続されており、ステージ保持部６２３は固定部材６６に接続されている。固定部材６６は、上面と側面とで、ステージ機構６２、ベローズ配管６８、及び蓋部材６７を囲んでいる。固定部材６６は、フランジ部を介してＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに固定されている。
【0047】
このように、第２構成例では、ステージ機構６２は、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外側であって、固定部材６６、ベローズ配管６８、及び蓋部材６７により囲まれた空間Ａ２の内部に配置されている。以下、空間Ａ２を固定部材空間Ａ２という。固定部材空間Ａ２は、大気圧環境である。
【0048】
２．３．４ 課題
第２構成例では、ステージ機構６２は、大気圧環境の固定部材空間Ａ２内に配置されているため、ステージ機構６２として、第１構成例のように水素雰囲気内での駆動が保証される高価なステージを用いる必要はない。
第２構成例では、ステージ機構６２は、大気圧環境の固定部材空間Ａ２内に配置されているため、ステージ機構６２として、第１構成例のように水素雰囲気内での駆動が保証される高価なステージを用いる必要はない。
【0049】
しかしながら、固定部材空間Ａ２の気圧が大気圧である一方で、ベローズ空間Ａ１の気圧が大気圧未満であるので、その圧力差により蓋部材６７には負荷Ｐａが加わる。この負荷Ｐａは、ステージ機構６２に対して－Ｚ方向に作用する。また、ステージ機構６２には、蓋部材６７を介して固定される支柱６４、ミラーホルダ６３、及びミラー６１の合計重量に相当する負荷が加わる。このような負荷の下でステージ機構６２を駆動すると、ステージ機構６２が損傷したり、駆動制御の精度が低下したりすることがある。
【0050】
このような負荷に対応可能なステージは、高価で、かつ大型であるため、ステージ機構６２として採用することは難しい。
【0051】
３．第１実施形態に係るＥＵＶ光生成システム
第１実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
第１実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１について説明する。なお、上記において説明した構成と同様の構成については同一の符号を付し、特に説明する場合を除き、重複する説明は省略する。
【0052】
３．１ 構成
図５は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す。本実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１は、ＥＵＶ光伝送システム６の構成のみが比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成と異なる。本実施形態では、ＥＵＶ光伝送システム６は、ミラー６１及びステージ機構６２に加えて、蓋部材６７に加わる負荷Ｐａをキャンセルするためのキャンセル機構７０を含む。
図５は、第１実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成を示す。本実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１は、ＥＵＶ光伝送システム６の構成のみが比較例に係るＥＵＶ光生成システム１１の構成と異なる。本実施形態では、ＥＵＶ光伝送システム６は、ミラー６１及びステージ機構６２に加えて、蓋部材６７に加わる負荷Ｐａをキャンセルするためのキャンセル機構７０を含む。
【0053】
図６は、第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成を示す。キャンセル機構７０は、ミラーホルダ６３を介して蓋部材６７と対向する位置に配置されている。具体的には、キャンセル機構７０は、蓋部材６７に加わる負荷Ｐａの方向である－Ｚ方向におけるＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの壁に配置され、ミラー６１の位置の変更に応じて移動可能にミラーホルダ６３に接続されている。
【0054】
キャンセル機構７０は、支柱７１と、蓋部材７２と、ベローズ配管７３とを含む。駆動口２ｈには、支柱７１が挿通されている。駆動口２ｈの径は支柱７１の径より大きく、支柱７１はＸ方向及びＹ方向に移動可能である。支柱７１の一端はミラーホルダ６３に接続され、他端は蓋部材７２に接続されている。支柱７１は、Ｚ方向に延伸している。支柱７１と支柱６４とは、同軸上に配置されている。
【0055】
ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外面において、駆動口２ｈの周囲には、駆動口２ｈを囲むようにリング状のベローズ固定部材７３ａが設けられている。蓋部材７２には、ベローズ固定部材７３ａと対向する位置に、リング状のベローズ固定部材７３ｂが設けられている。
【0056】
ベローズ配管７３は、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外側において、駆動口２ｈを囲むように配置されている。ベローズ配管７３は、一端がベローズ固定部材７３ａを介してＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに接続されており、他端がベローズ固定部材７３ｂを介して蓋部材７２に接続されている。蓋部材７２は、大気圧下でベローズ配管７３の他端の開口を密閉する密閉蓋である。例えば、ベローズ配管７３は、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向へ変形可能な円筒形状の配管であり、伸縮性及び可撓性を有する。
【0057】
ベローズ配管６８とベローズ配管７３とは、ＸＹ平面における面積が等しくなるように形状及び大きさが選択されている。ベローズ配管６８の内径Ｄａとベローズ配管７３の内径Ｄｂとは等しい。すなわち、蓋部材６７と蓋部材７２とは、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの内部側の面積が等しい。
【0058】
支柱７１のうちＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外側に位置する部分は、ベローズ配管７３と蓋部材７２とで囲まれた空間Ｂ１の内部に配置されている。以下、空間Ｂ１をベローズ空間Ｂ１という。ベローズ空間Ｂ１は、駆動口２ｈを介してＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの内部と連通しており、大気圧未満の水素雰囲気に維持されている。
【0059】
本実施形態では、ミラーホルダ６３は、第１開口６３ａ及び第２開口６３ｂが形成された箱形状の部材であり、ミラーホルダ６３の内部にミラー６１が配置されている。ＥＵＶ光３３は第１開口６３ａを介してミラー６１に入射する。ミラー６１で反射されたＥＵＶ光３３は、第２開口６３ｂを介して、中間集光点ＩＦに向けて出力される。
【0060】
ミラーホルダ６３の上部６３ｃには、支柱６４が接続されている。ミラーホルダ６３の下部６３ｄには、支柱７１が接続されている。ミラー６１は、ミラーホルダ６３の上部６３ｃの内面側に配置されている。
【0061】
支柱７１、蓋部材７２、及びベローズ配管７３は、それぞれ、支柱６４、蓋部材６７、及びベローズ配管６８と同様の構成である。
【0062】
支柱６４は、本開示の技術に係る「第１支柱」に対応する。蓋部材６７は、本開示の技術に係る「第１蓋部材」に対応する。ベローズ配管６８は、本開示の技術に係る「第１ベローズ配管」に対応する。支柱７１は、本開示の技術に係る「第２支柱」に対応する。蓋部材７２は、本開示の技術に係る「第２蓋部材」に対応する。ベローズ配管７３は、本開示の技術に係る「第２ベローズ配管」に対応する。
【0063】
３．２ 動作
次に、第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の動作について説明する。ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂ内と、これに連通するベローズ空間Ａ１，Ｂ１とが大気圧未満となると、蓋部材６７は－Ｚ方向に負荷Ｐａを受け、キャンセル機構７０の蓋部材７２は＋Ｚ方向に負荷Ｐｂを受ける。負荷Ｐａは、支柱６４を介してミラーホルダ６３に伝搬し、負荷Ｐｂは、支柱７１を介してミラーホルダ６３に伝搬する。負荷Ｐａは、本開示の技術に係る「第１負荷」に対応する。負荷Ｐｂは、本開示の技術に係る「第２負荷」に対応する。
次に、第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の動作について説明する。ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂ内と、これに連通するベローズ空間Ａ１，Ｂ１とが大気圧未満となると、蓋部材６７は－Ｚ方向に負荷Ｐａを受け、キャンセル機構７０の蓋部材７２は＋Ｚ方向に負荷Ｐｂを受ける。負荷Ｐａは、支柱６４を介してミラーホルダ６３に伝搬し、負荷Ｐｂは、支柱７１を介してミラーホルダ６３に伝搬する。負荷Ｐａは、本開示の技術に係る「第１負荷」に対応する。負荷Ｐｂは、本開示の技術に係る「第２負荷」に対応する。
【0064】
ベローズ空間Ａ１，Ｂ１のＸＹ平面における面積が等しいことから、負荷Ｐａ及び負荷Ｐｂは、大きさが等しくかつ方向が逆方向である。これにより、蓋部材６７に加わる負荷Ｐａは、キャンセル機構７０が発生する負荷Ｐｂによってキャンセルされる。
【0065】
図７は、ステージ機構６２が駆動されることにより蓋部材６７が移動した状態を示す。ステージ機構６２は、負荷Ｐａの方向に直交する方向へ蓋部材６７を移動させる。蓋部材６７が移動すると、ミラーホルダ６３とともにキャンセル機構７０が移動する。このように、蓋部材６７及びキャンセル機構７０が移動した場合においても、負荷Ｐａ及び負荷Ｐｂは、大きさが等しくかつ方向が逆方向であるのでキャンセルされる。
【0066】
３．３ 効果
上記のように負荷Ｐａが負荷Ｐｂによりキャンセルされるので、ベローズ空間Ａ１と固定部材空間Ａ２との圧力差により蓋部材６７に加わる負荷Ｐａが理論上常にゼロとなる。これにより、支柱６４、ミラーホルダ６３、及びミラー６１の合計重量のみを考慮して、ステージ機構６２として用いるステージの種類を選定することができる。この結果、比較例における第２構成例と比べて、安価かつ小型のステージを採用することができる。
上記のように負荷Ｐａが負荷Ｐｂによりキャンセルされるので、ベローズ空間Ａ１と固定部材空間Ａ２との圧力差により蓋部材６７に加わる負荷Ｐａが理論上常にゼロとなる。これにより、支柱６４、ミラーホルダ６３、及びミラー６１の合計重量のみを考慮して、ステージ機構６２として用いるステージの種類を選定することができる。この結果、比較例における第２構成例と比べて、安価かつ小型のステージを採用することができる。
【0067】
４．第１実施形態の変形例
第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６は、各種の変形が可能である。以下、ＥＵＶ光伝送システム６の変形例について説明する。
第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６は、各種の変形が可能である。以下、ＥＵＶ光伝送システム６の変形例について説明する。
【0068】
４．１ 第１変形例
４．１．１ 構成
図８は、第１変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成を示す。本変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、ステージ機構６２の構成のみが第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成と異なる。本変形例では、ステージ機構６２は、蓋部材６７を傾斜させる傾斜ステージである。傾斜ステージは、例えば、２軸のゴニオステージである。
４．１．１ 構成
図８は、第１変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成を示す。本変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、ステージ機構６２の構成のみが第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成と異なる。本変形例では、ステージ機構６２は、蓋部材６７を傾斜させる傾斜ステージである。傾斜ステージは、例えば、２軸のゴニオステージである。
【0069】
本変形例のステージ機構６２は、スイングガイド６２５と、スイング部６２６と、ステージ保持部６２３と、モータ６２４とを含む。スイングガイド６２５は蓋部材６７に固定されており、スイング部６２６はステージ保持部６２３に固定されている。スイング部６２６には、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に湾曲した凸状の曲面が形成されている。スイングガイド６２５には、スイング部６２６の曲面が接した状態で、スイング部６２６を摺動させる凹面が形成されている。モータ６２４は、スイング部６２６に固定されており、スイングガイド６２５を駆動する。
【0070】
４．１．２ 動作
本変形例では、ステージ機構６２は、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａから送信される制御信号Ｓｃに基づいてスイング部６２６をスイングさせることにより、蓋部材６７を傾斜させる。これにより、ミラー６１が傾斜して、ＥＵＶ光３３の状態が変化する。
本変形例では、ステージ機構６２は、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａから送信される制御信号Ｓｃに基づいてスイング部６２６をスイングさせることにより、蓋部材６７を傾斜させる。これにより、ミラー６１が傾斜して、ＥＵＶ光３３の状態が変化する。
【0071】
ステージ機構６２により蓋部材６７が傾斜した場合であっても、負荷Ｐａ及び負荷Ｐｂは、大きさが等しくかつ方向が逆方向であるのでキャンセルされる。
【0072】
４．１．３ 効果
蓋部材６７が傾斜した場合であっても、負荷Ｐａが負荷Ｐｂによりキャンセルされるので、第１実施形態と同様に、ステージ機構６２として、安価かつ小型のステージを採用することができる。
蓋部材６７が傾斜した場合であっても、負荷Ｐａが負荷Ｐｂによりキャンセルされるので、第１実施形態と同様に、ステージ機構６２として、安価かつ小型のステージを採用することができる。
【0073】
４．２ 第２変形例
４．２．１ 構成
図９は、第２変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成を示す。本変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、ステージ機構６２の構成のみが第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成と異なる。本変形例では、ステージ機構６２は、第１変形例と同様に、蓋部材６７を傾斜させる傾斜ステージである。傾斜ステージは、例えば、２軸のゴニオステージである。
４．２．１ 構成
図９は、第２変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成を示す。本変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、ステージ機構６２の構成のみが第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成と異なる。本変形例では、ステージ機構６２は、第１変形例と同様に、蓋部材６７を傾斜させる傾斜ステージである。傾斜ステージは、例えば、２軸のゴニオステージである。
【0074】
ステージ機構６２は、第１変形例と同様に、スイングガイド６２５と、スイング部６２６と、ステージ保持部６２３と、モータ６２４とを含む。本変形例では、スイングガイド６２５はステージ保持部６２３に固定されており、スイング部６２６は蓋部材６７に固定されている。スイングガイド６２５及びスイング部６２６は、第１変形例のスイングガイド６２５及びスイング部６２６と同様の構成である。本変形例のステージ機構６２は、ミラー６１の反射面に位置する回転中心Ｃを回転軸として蓋部材６７を傾斜させる。なお、「ミラー６１の反射面」は、本開示の技術に係る「光学素子の表面」の一例である。
【0075】
４．２．２ 動作
本変形例では、ステージ機構６２は、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａから送信される制御信号Ｓｃに基づいてスイング部６２６をスイングさせることにより、蓋部材６７を傾斜させる。これにより、ミラー６１は、回転中心Ｃを回転軸として傾斜する。
本変形例では、ステージ機構６２は、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａから送信される制御信号Ｓｃに基づいてスイング部６２６をスイングさせることにより、蓋部材６７を傾斜させる。これにより、ミラー６１は、回転中心Ｃを回転軸として傾斜する。
【0076】
第１変形例と同様に、蓋部材６７が傾斜した場合であっても、負荷Ｐａ及び負荷Ｐｂは、大きさが等しくかつ方向が逆方向であるのでキャンセルされる。
【0077】
４．２．３ 効果
ステージ機構６２により蓋部材６７が傾斜した場合であっても、負荷Ｐａが負荷Ｐｂによりキャンセルされるので、第１実施形態と同様に、ステージ機構６２として、安価かつ小型のステージを採用することができる。また、本変形例では、ミラー６１は、回転中心Ｃを中心として傾斜するので、蓋部材６７の傾斜に伴うミラー６１の姿勢の変化量が小さいという利点がある。
ステージ機構６２により蓋部材６７が傾斜した場合であっても、負荷Ｐａが負荷Ｐｂによりキャンセルされるので、第１実施形態と同様に、ステージ機構６２として、安価かつ小型のステージを採用することができる。また、本変形例では、ミラー６１は、回転中心Ｃを中心として傾斜するので、蓋部材６７の傾斜に伴うミラー６１の姿勢の変化量が小さいという利点がある。
【0078】
４．３ 第３変形例
４．３．１ 構成
図１０は、第３変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成を示す。本変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、キャンセル機構７０の構成のみが第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成と異なる。
４．３．１ 構成
図１０は、第３変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成を示す。本変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、キャンセル機構７０の構成のみが第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成と異なる。
【0079】
本変形例では、キャンセル機構７０は、バネ８０により構成されている。バネ８０は、一端がバネ固定部材８１を介してミラーホルダ６３の下部６３ｄに固定されており、他端がバネ固定部材８２を介してＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに固定されている。本変形例では、ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂには駆動口２ｈは形成されていない。
【0080】
バネ８０は、発生する負荷Ｐｓの方向が、蓋部材６７に加わる負荷Ｐａの方向と同軸上となるように配置されている。バネ８０は、ミラーホルダ６３の下部６３ｄに＋Ｚ方向の負荷Ｐｓを与える。負荷Ｐｓは、支柱６４を介して蓋部材６７に伝搬する。バネ８０として、負荷Ｐａをキャンセルする大きさの負荷Ｐｓを発生するバネが選定されている。
４．３．２ 動作
本変形例では、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａから送信される制御信号Ｓｃに基づいてステージ機構６２が駆動されることに伴って、ミラーホルダ６３が移動する。バネ８０は、ミラーホルダ６３の移動とともに弾性変形する。
４．３．２ 動作
本変形例では、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａから送信される制御信号Ｓｃに基づいてステージ機構６２が駆動されることに伴って、ミラーホルダ６３が移動する。バネ８０は、ミラーホルダ６３の移動とともに弾性変形する。
【0081】
第１実施形態と同様に、蓋部材６７が移動した場合であっても、負荷Ｐａ及び負荷Ｐｓは、大きさが等しくかつ方向が逆方向であるのでキャンセルされる。
【0082】
４．３．３ 効果
ステージ機構６２により蓋部材６７が移動した場合であっても、負荷Ｐａが負荷Ｐｓによりキャンセルされるので、第１実施形態と同様に、ステージ機構６２として、安価かつ小型のステージを採用することができる。
ステージ機構６２により蓋部材６７が移動した場合であっても、負荷Ｐａが負荷Ｐｓによりキャンセルされるので、第１実施形態と同様に、ステージ機構６２として、安価かつ小型のステージを採用することができる。
【0083】
なお、本変形例において、ステージ機構６２として、第１変形例又は第２変形例で説明した傾斜ステージを用いてもよい。
【0084】
４．４ 第４変形例
４．４．１ 構成
図１１は、第４変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成を示す。本変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、キャンセル機構７０の構成のみが第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成と異なる。
４．４．１ 構成
図１１は、第４変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成を示す。本変形例に係るＥＵＶ光伝送システム６は、キャンセル機構７０の構成のみが第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成と異なる。
【0085】
本変形例では、キャンセル機構７０は、シリンダ９０を含んで構成されている。シリンダ９０は、蓋部材６７に加わる負荷Ｐａをキャンセルするための負荷Ｐｃを発生する。例えば、シリンダ９０は、エアシリンダである。シリンダ９０は、レギュレータ９１を介してポンプ９２に接続されている。
【0086】
シリンダ９０は、シリンダロッド９３を有する。シリンダロッド９３は、駆動口２ｈに挿通されている。駆動口２ｈの径はシリンダロッド９３の径より大きい。
【0087】
ＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂの外面において、駆動口２ｈの周囲には、駆動口２ｈを囲むように箱形状のシリンダ固定部材９４が設けられている。シリンダ９０は、シリンダ固定部材９４により形成されるシリンダ空間Ａ３内に収容され、かつシリンダ固定部材９４に固定されている。
【0088】
シリンダロッド９３は、ステージ機構９５を介してミラーホルダ６３の下部６３ｄに接続されている。ステージ機構９５は、レールガイド９６及びレール９７を含んで構成されたＸＹステージである。レールガイド９６及びレール９７は、ステージ機構６２に含まれるレールガイド６２１及びレール６２２と同様の構成である。ステージ機構９５は、シリンダ９０に対するミラーホルダ６３のＸＹ平面内での移動を許容するために設けられている。
【0089】
シリンダ９０がシリンダロッド９３を押し出すことにより、ミラーホルダ６３は＋Ｚ方向に負荷Ｐｃを受ける。シリンダロッド９３の押し出し力は、蓋部材６７に加わる負荷Ｐａをキャンセルする大きさの負荷Ｐｃを発生するように、レギュレータ９１によって調整されている。
【0090】
４．４．２ 動作
本変形例では、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａから送信される制御信号Ｓｃに基づいてステージ機構６２が駆動されることに伴って、ミラーホルダ６３が移動する。ステージ機構９５は、ミラーホルダ６３に追従して移動する。
本変形例では、ＥＵＶ光生成プロセッサ１２ａから送信される制御信号Ｓｃに基づいてステージ機構６２が駆動されることに伴って、ミラーホルダ６３が移動する。ステージ機構９５は、ミラーホルダ６３に追従して移動する。
【0091】
第１実施形態と同様に、蓋部材６７が移動した場合であっても、負荷Ｐａ及び負荷Ｐｃは、大きさが等しくかつ方向が逆方向であるのでキャンセルされる。
【0092】
４．４．３ 効果
ステージ機構６２により蓋部材６７が移動した場合であっても、負荷Ｐａが負荷Ｐｃによりキャンセルされるので、第１実施形態と同様に、ステージ機構６２として、安価かつ小型のステージを採用することができる。
ステージ機構６２により蓋部材６７が移動した場合であっても、負荷Ｐａが負荷Ｐｃによりキャンセルされるので、第１実施形態と同様に、ステージ機構６２として、安価かつ小型のステージを採用することができる。
【0093】
なお、本変形例において、ステージ機構６２として、第１変形例又は第２変形例で説明した傾斜ステージを用いてもよい。この場合、ステージ機構９５とミラーホルダ６３の下部６３ｄとの間にフローティングジョイントを配置すればよい。
【0094】
４．５ 第５変形例
第５変形例は、ＥＵＶ光伝送システム６に代えて、ＥＵＶ光３３の状態を検出するためのＥＵＶ光検出システム６ａをＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに配置した例を示す。
第５変形例は、ＥＵＶ光伝送システム６に代えて、ＥＵＶ光３３の状態を検出するためのＥＵＶ光検出システム６ａをＥＵＶ光伝送チャンバ２ｂに配置した例を示す。
【0095】
図１２は、第５変形例に係るＥＵＶ光検出システム６ａの構成を示す。ＥＵＶ光検出システム６ａは、ミラーホルダ６３に代えて検出器ホルダ１００を備える点のみが、第１実施形態に係るＥＵＶ光伝送システム６の構成と異なる。
【0096】
検出器ホルダ１００は、支柱６４と支柱７１との間に固定されている。検出器ホルダ１００は、ＥＵＶ光３３が入射する位置にＥＵＶ光３３を検出する検出器１１０を保持している。検出器１１０は、カメラ又はセンサである。
【0097】
ＥＵＶ光検出システム６ａを用いることにより、ＥＵＶ光３３の状態を高精度に検出することができる。また、第１実施形態と同様に、ステージ機構６２として、安価かつ小型のステージを採用することができる。
【0098】
ＥＵＶ光検出システム６ａのステージ機構６２及びキャンセル機構７０に対して、第１～第４変形例と同様の変形を行うことができる。
【0099】
ミラー６１及び検出器１１０は、本開示の技術に係る「光学素子」の一例である。また、ミラーホルダ６３及び検出器ホルダ１００は、本開示の技術に係る「ホルダ」の一例である。
【0100】
４．６ その他の変形例
第１実施形態では、ステージ機構６２をＸＹステージとしているが、これに代えて、ＸＹステージと、第１変形例又は第２変形例で説明した傾斜ステージとを組み合わせることにより構成されたステージを用いてもよい。この場合、ステージ機構６２は、蓋部材６７をＸ方向及びＹ方向に移動させることに加えて、蓋部材６７をＸ軸及びＹ軸をそれぞれ回転軸として傾斜させることができる。また、ステージ機構６２は、１軸のリニアステージ若しくは１軸の傾斜ステージ、又はそれらを組み合わせたものであってもよい。
第１実施形態では、ステージ機構６２をＸＹステージとしているが、これに代えて、ＸＹステージと、第１変形例又は第２変形例で説明した傾斜ステージとを組み合わせることにより構成されたステージを用いてもよい。この場合、ステージ機構６２は、蓋部材６７をＸ方向及びＹ方向に移動させることに加えて、蓋部材６７をＸ軸及びＹ軸をそれぞれ回転軸として傾斜させることができる。また、ステージ機構６２は、１軸のリニアステージ若しくは１軸の傾斜ステージ、又はそれらを組み合わせたものであってもよい。
【0101】
５．その他
図１３は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された露光装置５ａの構成を概略的に示す。図１３において、外部装置５としての露光装置５ａは、マスク照射部２００とワークピース照射部２０２とを含む。マスク照射部２００は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光３３によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２０２は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光３３を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースは、フォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置５ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光３３をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで、電子デバイスを製造できる。
図１３は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された露光装置５ａの構成を概略的に示す。図１３において、外部装置５としての露光装置５ａは、マスク照射部２００とワークピース照射部２０２とを含む。マスク照射部２００は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光３３によって、反射光学系を介してマスクテーブルＭＴのマスクパターンを照明する。ワークピース照射部２０２は、マスクテーブルＭＴによって反射されたＥＵＶ光３３を、反射光学系を介してワークピーステーブルＷＴ上に配置された図示しないワークピース上に結像させる。ワークピースは、フォトレジストが塗布された半導体ウエハ等の感光基板である。露光装置５ａは、マスクテーブルＭＴとワークピーステーブルＷＴとを同期して平行移動させることにより、マスクパターンを反映したＥＵＶ光３３をワークピースに露光する。以上のような露光工程によって半導体ウエハにデバイスパターンを転写することで、電子デバイスを製造できる。
【0102】
図１４は、ＥＵＶ光生成装置１に接続された検査装置５ｂの構成を概略的に示す。図１４において、外部装置５としての検査装置５ｂは、照明光学系２１０と、検出光学系２１２とを含む。ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光３３を検査用光源として検査装置５ｂに出力する。照明光学系２１０は、ＥＵＶ光生成装置１から入射したＥＵＶ光３３を反射して、マスクステージ２１４に配置されたマスク２１６を照射する。ここでいうマスク２１６は、パターンが形成される前のマスクブランクスを含む。検出光学系２１２は、照明されたマスク２１６からのＥＵＶ光３３を反射して検出器２１８の受光面に結像させる。ＥＵＶ光３３を受光した検出器２１８は、マスク２１６の画像を取得する。検出器２１８は、例えばＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）カメラである。以上のような工程によって取得したマスク２１６の画像により、マスク２１６の欠陥を検査し、検査の結果を用いて、電子デバイスの製造に適するマスクを選定する。そして、選定したマスクに形成されたパターンを、露光装置５ａを用いて感光基板上に露光転写することで、電子デバイスを製造できる。
【0103】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の各実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【0104】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。また、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つ」という用語は、「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」「Ａ＋Ｂ」「Ａ＋Ｃ」「Ｂ＋Ｃ」又は「Ａ＋Ｂ＋Ｃ」と解釈されるべきであり、さらに、それらと「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」以外のものとの組み合わせも含むと解釈されるべきである。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
