特開 2024-139334 圧電デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024139334

(43)【公開日】2024-10-09

(54)【発明の名称】圧電デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H10N 30/20 20230101AFI20241002BHJP

   H10N 30/30 20230101ALI20241002BHJP

   H10N 30/06 20230101ALI20241002BHJP

   H10N 30/87 20230101ALI20241002BHJP

   H03H 3/02 20060101ALI20241002BHJP

   H03B 5/32 20060101ALI20241002BHJP

【ＦＩ】

H10N30/20

H10N30/30

H10N30/06

H10N30/87

H03H3/02 B

H03B5/32 H

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023050224

(22)【出願日】2023-03-27

(71)【出願人】

【識別番号】000191238

【氏名又は名称】日清紡マイクロデバイス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001896

【氏名又は名称】弁理士法人朝日奈特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】桝本 尚己

(72)【発明者】

【氏名】口地 博行

(72)【発明者】

【氏名】菊池 利克

(72)【発明者】

【氏名】竹内 治

【テーマコード（参考）】

5J079

5J108

【Ｆターム（参考）】

5J079AA03

5J079HA04

5J079HA13

5J108MM04

(57)【要約】

【課題】高出力の圧電デバイスを簡便に形成することができる製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス１００の製造方法は、第１支持基板１と第１圧電膜３ａを含む第１積層体と、第２支持基板と第２圧電膜３ｂを含む第２積層体とを、少なくとも振動領域形成予定領域において相互に離間して形成される連結部９ａにより、連結部９ａ間に空隙を有して積層される第３積層体を形成する。第２支持基板を除去し、振動領域形成予定領域の第１支持基板１を除去し、振動領域７を形成する。振動領域７は、第１圧電膜３ａと第２圧電圧３ｂが、連結部９ａを介して接合され、連結部９ａ間に空隙１０が形成される。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１支持基板上に第１電極、第１圧電膜および第２電極が順に積層される第１積層体を形成する工程と、
第２支持基板上に第３電極、第２圧電膜および第４電極が順に積層される第２積層体を形成する工程と、
前記第１積層体の前記第２電極上の少なくとも振動領域形成予定領域に、前記第２積層体と接合する連結部を相互に離間して形成する工程と、
前記連結部を前記第２積層体の前記第４電極に接合し、前記連結部により前記第１積層体と前記第２積層体が、前記連結部間に空隙を有して積層される第３積層体を形成する工程と、
前記第３積層体の前記第２支持基板を除去する工程と、
前記第３積層体の前記振動領域形成予定領域に対応する領域の前記第１支持基板を除去し、振動領域を形成する工程と
を含む圧電デバイスの製造方法。

【請求項2】

前記第１積層体上に、前記連結部の代わりに前記連結部の一部を構成する第１連結部を形成する工程と、
前記第２積層体上に、前記第１連結部とともに前記連結部を構成する第２連結部を形成する工程とを含み、
前記第３積層体を形成する工程が、
前記第１連結部と前記第２連結部を接合し、前記第１連結部および前記第２連結部とで構成される前記連結部により前記第１積層体と前記第２積層体が積層される工程を含む、
請求項１記載の圧電デバイスの製造方法。

【請求項3】

前記連結部により前記第１積層体と前記第２積層体が積層されて形成される前記第３積層体は複数の圧電デバイス形成領域を含み、複数の圧電デバイス集合体を形成した後、各圧電デバイスに個片化する工程を含む、
請求項１または２記載の圧電デバイスの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、圧電デバイスの製造方法に関し、特に高出力の圧電デバイスの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

圧電体材料の薄膜（圧電膜）を備える圧電デバイスは、振動領域を構成する圧電膜が変位することで生じる電圧変化を検出することができ、または圧電膜に電圧を印加して変位させることができ、圧電センサや圧電アクチュエータ等として利用することができる。

【0003】

従来の圧電デバイスは、一例として振動領域の一端が支持基板に接合して支持されるカンチレバー構造が採用されている。この種の圧電デバイスは、例えば特許文献１に開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特許第５９３６１５４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

図１２は従来の圧電デバイスを説明するための断面模式図を示している。図１２に示すように従来の圧電デバイス３００は、支持基板１上に絶縁膜２を介して第１圧電膜３ａおよび第２圧電膜３ｂが積層され、第１圧電膜３ａを挟んで第１電極４ａおよび第２電極４ｂが配置され、第２圧電膜３ｂを挟んで第２電極４ｂおよび第３電極４ｃが配置される。支持基板１にはキャビティ５が形成され、キャビティ５上の第１圧電膜３ａ、第２圧電膜３ｂおよび第１～第３電極４ａ～４ｃがスリット６により区画される（図１３）ことで、支持基板１に一端が接合して支持される振動領域７が形成される。８ａおよび８ｂは引出電極で、引出電極８ａは第１電極４ａおよび第３電極４ｃに接続され、引出電極８ｂは第２電極４ｂに接続される。

【0006】

図１３は、図１２の圧電デバイス３００のスリット６の配置の一例を説明する平面模式図である。図１３に示すようにスリット６を配置すると、カンチレバー構造の２枚の振動領域７を備える圧電デバイス３００が構成される。なお図１３のＢ－Ｂ線における断面図が図１２に相当し、図１３には図１２に示す第３電極４ｃ、引出電極８ａおよび８ｂ等は図示されておらず、キャビティ５を覆う第１圧電膜３ａおよび第２圧電膜３ｂ等を貫通するスリット６の配置のみが示されている。

【0007】

図１２および１３に示す圧電デバイス３００において、振動領域７の共振周波数は振動領域７の剛性と長さにより調整することができる。具体的には、振動領域７の剛性を大きくすると共振周波数が高くなり、また振動領域７の長さＬを短くすると共振周波数が高くなる。なお振動領域７の長さＬとは、図１３に示すように支持基板１との接合端から開放端までの長さである。

【0008】

ここで良好な膜質の圧電膜を形成するため、スパッタ法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成される圧電膜の厚さは、通常０．５～１．０μｍに設定され、圧電膜の厚さを大きく変更することは難しい。圧電膜を構成する圧電材料の種類と厚さが決まれば振動領域７の剛性が決まることから、振動領域７の共振周波数を調整するために振動領域７の剛性を大きく変更することは難しい。そこで、振動領域７の共振周波数は、振動領域７の長さを変更することにより調整するのが一般的である。

【0009】

例えば、図１２および１３に示す圧電デバイス３００が障害物検知や超音波診断のための超音波送受信機として使用される場合、振動領域７の長さを短く調整して振動領域７の共振周波数を高くする必要がある。このように振動領域７の長さが短くなると、振動領域７を構成する圧電膜の変位は小さくなり、出力信号が低下するという問題があった。

【0010】

そこで本出願人は、高出力の圧電デバイスを提案している。図１は本出願人が提案している高出力の圧電デバイスを説明する断面模式図である。図１に示す圧電デバイス１００は、支持基板１上に、絶縁膜２を介して第１電極４ａ、第１圧電膜３ａおよび第２電極４ｂが積層され、さらに連結部９および９ａを介して第４電極４ｄ、第２圧電膜３ｂおよび第３電極４ｃが積層される。支持基板１に形成されるキャビティ５上の第１圧電膜３ａ、第２圧電膜３ｂおよび第１～第４電極４ａ～４ｄはスリット６により区画され、支持基板１に一端が接合して支持される振動領域７が形成される。８ａおよび８ｂは引出電極である。

【0011】

図２は、図１の圧電デバイス１００のスリット６と連結部９ａの配置の一例を説明する平面模式図である。図２に示すようにスリット６および連結部９ａを配置することで、カンチレバー構造の２枚の振動領域７を備える圧電デバイス１００を構成することができる。なお図２のＡ－Ａ線における断面図が、図１に相当し、図２には図１に示す第３電極４ｃ、引出電極８ａおよび８ｂ等が図示されておらず、キャビティ５を覆う第１圧電膜３ａおよび第２圧電膜３ｂ等を貫通するスリット６および柱状の連結部９ａの配置のみを模式的に示している。

【0012】

このように構成される圧電デバイス１００は、連結部９ａを備えることで厚い振動領域７を備える構成とされる。さらに柱状の連結部９ａが相互に離間し空隙１０が配置されることで、振動領域７の剛性は、同じ厚さの振動領域を単一の圧電膜で構成した場合と比較して小さく、図１２に示すように連結部を挟まずに第１圧電膜３ａと第２圧電膜３ｂが積層されている構造の剛性と比較して大きく変化しない。その結果、第１圧電膜３ａおよび第２圧電膜３ｂの変位は大きく、高出力の圧電デバイスを構成することが可能となる。

【0013】

このように連結部９ａおよび空隙１０を備える構成の圧電デバイス１００において、連結部９ａおよび空隙１０の製造工程としては、次のような工程が考えられる。まず、支持基板１上に絶縁膜２を介して全面に第１電極４ａ、第１圧電膜３ａおよび第２電極４ｂを順に積層形成する。第２電極４ｂ上に連結部９ａを形成して、隣接する連結部９ａ間の空隙部１０となる領域に犠牲層を充填して平坦化する。さらに全面に第４電極４ｄ、第２圧電膜３ｂおよび第３電極４ｃを順に積層形成する。その後、第１圧電膜３ａ、第２圧電膜３ｂ、第１～第４電極４ａ～４ｄおよび犠牲層等を貫通するスリット６を形成して犠牲層の一部を露出させる。犠牲層はこのスリット６から除去され、空隙１０が形成される。

【0014】

以上のような製造工程において、振動領域７の変位が大きい領域となる支持基板１との接合部近傍の犠牲層は確実に除去する必要がある。しかし、接合部近傍はスリット６から離れているため犠牲層の除去に長時間を要し、または除去が難しくなるという問題があった。このような問題は、カンチレバー構造の圧電デバイスに限らず、支持基板に振動領域の対向する二辺が接合されて支持されるブリッジ構造の圧電デバイスにおいても生じる問題であった。

【0015】

そこで本発明は、高出力の圧電デバイスを簡便に形成することができる製造方法を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0016】

本発明の圧電デバイスの製造方法は、第１支持基板上に第１電極、第１圧電膜および第２電極が順に積層される第１積層体を形成する工程と、第２支持基板上に第３電極、第２圧電膜および第４電極が順に積層される第２積層体を形成する工程と、前記第１積層体の前記第２電極上の少なくとも振動領域形成予定領域に、前記第２積層体と接合する連結部を相互に離間して形成する工程と、前記連結部を前記第２積層体の前記第４電極に接合し、前記連結部により前記第１積層体と前記第２積層体が、前記連結部間に空隙を有して積層される第３積層体を形成する工程と、前記第３積層体の前記第２支持基板を除去する工程と、前記第３積層体の前記振動領域形成予定領域に対応する領域の前記第１支持基板を除去し、振動領域を形成する工程とを含む構成とされている。

【発明の効果】

【0017】

本発明の圧電デバイスの製造方法によれば、第１圧電膜を含む第１積層体と、第２圧電膜を含む第２積層体をそれぞれ形成し、少なくとも振動領域形成予定領域は相互に離間して配置される複数の連結部を介して積層する工程を備える構成とすることで、除去が難しい犠牲層を形成することなく空隙を有する連結部を形成することが可能となる。その結果、振動領域の厚さが厚く、振動領域の剛性の上昇が抑えられて高出力となる圧電デバイスを簡便に形成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】本出願人が提案している高出力の圧電デバイスを説明する断面模式図である。

【図2】図１に示す圧電デバイスにおけるスリットと連結部の配置の一例を説明する図である。

【図3】本発明の圧電デバイスの製造方法における製造工程の一態様を説明する図である。

【図4】本発明の圧電デバイスの製造方法における製造工程の一態様を説明する図である。

【図5】本発明の圧電デバイスの製造方法における製造工程の一態様を説明する図である。

【図6】本発明の圧電デバイスの製造方法における製造工程の一態様を説明する図である。

【図7】本発明の圧電デバイスの製造方法における製造工程の一態様を説明する図である。

【図8】本発明の別の圧電デバイスの製造方法における製造工程の一態様を説明する図である。

【図9】本発明の別の圧電デバイスの製造方法における製造工程の一態様を説明する図である。

【図10】本発明の別の圧電デバイスの製造方法における製造工程の一形態を説明する図である。

【図11】本発明の別の圧電デバイスの製造方法における製造工程の一形態を説明する図である。

【図12】従来の圧電デバイスの断面模式図である。

【図13】従来の圧電デバイスにおけるスリットの配置の一例を説明する平面模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

本発明の圧電デバイスの製造方法について、図面を参照しながら説明するが、本発明はこれらの実施態様に限定されるものではなく、以下に説明する部材、材料等は、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができるものである。また図面において同一符号は同等あるいは同一のものを示し、各構成要素間の大きさや位置関係等は便宜上のものであり、実態を厳密に反映したものではない。

【0020】

以下、本発明の圧電デバイスの製造方法の実施態様について、複数の圧電デバイスの集合体を形成し、個片化することで複数の圧電デバイスを同時に形成する製造方法について説明する。

【0021】

（圧電デバイスの製造方法１）
図３～７は本発明の圧電デバイスの製造方法の一実施態様の説明図である。まず、例えばシリコン基板等により構成される第１支持基板１ａ上に、例えば熱酸化膜等により構成される第１絶縁膜２ａを介して、第１電極４ａ、第１圧電膜３ａおよび第２電極４ｂが積層されている第１積層体１０Ａを形成する（図３）。また同様に、例えばシリコン基板等により構成される第２支持基板１ｂ上に、例えば熱酸化膜等により構成される第２絶縁膜２ｂを介して、第３電極４ｃ、第２圧電膜３ｂおよび第４電極４ｄが積層されている第２積層体１０Ｂを形成する。なおこの第２積層体１０Ｂは、図３に示す第１積層体１０Ａと同一形状となるため、図示を省略し、図３において対応する符号を括弧内に記載している。第１～第４電極４ａ～４ｄは、例えばモリブデン等により構成され、第１圧電膜３ａおよび第２圧電膜３ｂは、例えば窒化アルミニウム、酸化亜鉛、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）等により構成される。第１電極４ａおよび第３電極４ｃは、絶縁膜２ａが形成されている第１支持基板１ａおよび絶縁膜２ｂが形成されている第２支持基板１ｂを、例えばスパッタ法により使用される反応装置内に収容し、同時に形成することができる。さらに第１圧電膜３ａおよび第２圧電膜３ｂは、スパッタ法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により使用される反応装置内で同時に形成することができる。このように同時に形成される圧電膜は配向性や圧電特性が揃った圧電膜となり好ましい。第１積層体１０Ａおよび第２積層体１０Ｂは、複数の圧電体デバイス形成予定領域を含む構成とすることができるが、以下の説明は一つの圧電デバイス形成予定領域を図示して説明する。

【0022】

次に、図４に示すように第１積層体１０Ａの第２電極４ｂ上に、例えばポリシリコン等により構成される連結部９を形成し、少なくとも振動領域形成予定領域の連結部９の一部を除去し、連結部９ａを形成する。連結部９ａは円柱構造とすることができる。連結部９ａは図２に示すように相互に離間して配置する。なお、９ｂは連結部９の一部を除去することにより連結部９ａとともに形成される連結部であるが、連結部９ｂは後述するスリットが形成される領域に配置され、スリットの形成によって除去される（図４）。また、図４に示す第２積層体１０Ｂは、第２積層体１０Ｂの表面を第１積層体１０Ａの表面に形成される連結部９等の表面側に向けて配置した状態を示している。

【0023】

図４に示すように第１積層体１０Ａおよび第２積層体１０Ｂを配置し、第１積層体１０Ａに形成される連結部９、９ａおよび９ｂの表面を、第２積層体１０Ｂの第４電極４ｄの表面に接合し、第３積層体１０Ｃを形成する（図５）。この接合により、複数の連結部９ａ間に空隙１０が形成される。連結部９、９ａおよび９ｂの表面と第２積層体１０Ｂの第４電極４ｄの表面との接合は、例えば接着剤としてポリイミド、エポキシ樹脂等の樹脂を用いた間接接合、あるいは金属接合等の直接接合により行うことができる。

【0024】

その後、第３積層体１０Ｃから第２支持基板１ｂおよび第２絶縁膜２ｂを除去し、第３電極４ｃを露出する。露出する第３電極４ｃをパターニングし、第２圧電膜３ｂ、第４電極４ｄ、連結部９、第２電極４ｂおよび第１圧電膜３ａの一部を適宜除去し、第１電極４ａおよび第３電極４ｃに接続する引出電極８ａと第２電極４ｂおよび第４電極４ｄに接続する引出電極８ｂを形成する。図６において１１は、引出電極８ａと第２電極４ｂおよび第４電極４ｄを絶縁する絶縁膜である。なお、予め第２電極４ｂおよび第４電極４ｄを引出電極８ａと接触しないようにパターニングすれば、絶縁膜１１は不要となる。

【0025】

スリット６を形成するため、第３電極４ｃ、第２圧電膜３ｂ、第４電極４ｄ、連結部９ｂ、第２電極４ｂ、第１圧電膜３ａおよび第１電極４ａの一部を除去し、第１絶縁膜２ａの表面を露出する。その後、第１支持基板１ａおよび第１絶縁膜２ａの一部を除去し、キャビティ５を形成する。このキャビティ５が形成されることで、振動領域７が形成される。このように形成される複数の圧電デバイスの集合体を個片化するため格子状に切削溝１２を形成する（図７）ことで、図１に示す圧電デバイス１００を複数同時に形成することが可能となる。

【0026】

連結部９ａは、振動領域７が所望の振動特性となるように配置される。一例として図１および２に示すように、振動領域７を支持する支持基板１との接合部から振動領域７の端部まで、少なくとも長方形の振動領域７の短辺と平行方向に列状に連結部９ａを配置することで、第１圧電膜３ａと第２圧電膜３ｂが一体で振動するように構成することができる。またこのように連結部９ａを配置すると、空隙１０も振動領域７の短辺と平行方向に配置され、振動領域７の剛性は、同じ厚さの振動領域を単一の圧電膜で構成する場合と比較して小さく、第１圧電膜３ａと第２圧電膜３ｂとが連結部９ａを挟まずに積層されている構造の剛性と比較して大きくならない構成とすることができる。なお所望の振動特性とするため、連結部９ａの配置のほか、形状や配置される数、連結部９ａを構成する材料等を適宜変更するのが好ましい。

【0027】

以上説明したように本実施態様の製造方法により形成される圧電デバイス１００は、振動領域７を構成する第１圧電膜３ａおよび第２圧電膜３ｂを同時に形成することができるため、配向性や圧電特性のばらつきを抑えることが可能となる。また第１圧電膜３ａと第２圧電膜３ｂが連結部９ａを介して接合する構成とされ、振動領域７を厚く構成することができる。さらに連結部９ａ間に空隙１０を有する構成とされることで振動領域７の剛性の上昇が抑えられ、特に振動領域７の変位が大きい支持基板１との接合部近傍に空隙１０が配置される構成とすることができ、第１圧電膜３ａおよび第２圧電膜３ｂの変位が大きく、高出力の圧電デバイスを簡便に形成することができる。

【0028】

（圧電デバイスの製造方法２）
次に本発明の別の圧電デバイスの製造方法の実施態様について説明する。上述の圧電デバイスの製造方法１では、図４および５で説明したように第１積層体１０Ａ上に形成される連結部９ａ等が、第２積層体１０Ｂの第４電極４ｄに接合する構成について説明したが、連結部９ａ等の形状は種々変更することが可能である。例えば、図８に示すように第１積層体１０Ａの第２電極４ｂ上に、例えばポリシリコン等により構成され、先に説明した連結部９、９ａおよび９ｂのそれぞれ半分の高さの連結部９－１、９ａ－１および９ｂ－１（第１連結部に相当）を形成し、同様に第２積層体１０Ｂの第４電極４ｄ上に、例えばポリシリコン等により構成され、先に説明した連結部９、９ａおよび９ｂのそれぞれ半分の高さで、連結部９－１、９ａ－１および９ｂ－１とともに連結部を構成する連結部９―２、９ａ－２および９ｂ－２（第２連結部に相当）を形成する。

【0029】

第３積層体１０Ｃを形成する場合、連結部９－１と連結部９－２とを、連結部９ａ－１と連結部９ａ－２とを、連結部９ｂ－１と連結部９ｂ－２とをそれぞれ接合する（図９）。接合後の連結部は、それぞれ連結部９、９ａおよび９ｂと同じ形状となるため、第３積層体１０Ｃの形状は、図５に示す第３積層体１０Ｃの形状と同一となる。

【0030】

その後、上述の圧電デバイスの製造方法１同様、第３積層体１０Ｃから第２支持基板１ｂおよび第２絶縁膜２ｂを除去し、第３電極４ｃを露出する。第３電極４ｃをパターニングし、第２圧電膜３ｂ、第４電極４ｄ、連結部９－２および９－１、第２電極４ｂおよび第１圧電膜３ａの一部を適宜除去し、第１電極４ａおよび第３電極４ｃに接続する引出電極８ａと第２電極４ｂおよび第４電極４ｄに接続する引出電極８ｂを形成する。

【0031】

スリット６を形成するため、第３電極４ｃ、第２圧電膜３ｂ、第４電極４ｄ、連結部９ｂ－１および９ｂ－２、第２電極４ｂ、第１圧電膜３ａおよび第１電極４ａの一部を除去し、第１絶縁膜２ａの表面を露出する。その後、第１支持基板１ａおよび第１絶縁膜２ａの一部を除去し、キャビティ５を形成する。このキャビティ５が形成されることで、振動領域７が形成される。複数の圧電デバイスの集合体を個片化するため格子状に切削溝１２を形成する（図１０）。このように圧電デバイスの製造方法２においても、図１１に示す圧電デバイス２００を複数同時に形成することが可能となる。

【0032】

以上本発明の圧電デバイスの製造方法の実施態様について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、連結部９ａおよび９ｂの形状は、それぞれ円柱形状が接合した形状に限定されない。例えば、円錐台が接合した形状、壁形状や壁状構造が接合した形状等とすることも可能であり、これらの形状を組み合わせることも可能である。また連結部９ａ等の配置や大きさは、振動領域７が所望の振動となるように配置され、さらに連結部９ａ等を構成する材料も適宜選択すればよい。

【0033】

また、第１～第４電極４ａ～４ｄは、必ずしも振動領域７の全面に形成される必要はなく、少なくとも第１圧電膜３ａおよび第２圧電膜３ｂの変位が生じる領域を挟んで配置する構成とすればよい。スリット６の配置も変更可能であり、カンチレバー構造のほか、ブリッジ構造やメンブレン構造とすることも可能である。

【0034】

（まとめ）
（１）本発明の圧電デバイスの製造方法の一実施態様では、第１支持基板上に第１電極、第１圧電膜および第２電極が順に積層される第１積層体を形成する工程と、第２支持基板上に第３電極、第２圧電膜および第４電極が順に積層される第２積層体を形成する工程と、前記第１積層体の前記第２電極上の少なくとも振動領域形成予定領域に、前記第２積層体と接合する連結部を相互に離間して形成する工程と、前記連結部を前記第２積層体の前記第４電極に接合し、前記連結部により前記第１積層体と前記第２積層体が、前記連結部間に空隙を有して積層される第３積層体を形成する工程と、前記第３積層体の前記第２支持基板を除去する工程と、前記第３積層体の前記振動領域形成予定領域に対応する領域の前記第１支持基板を除去し、振動領域を形成する工程とを含む構成とすることができる。

【0035】

（２）前記第１積層体上に、前記連結部の代わりに前記連結部の一部を構成する第１連結部を形成する工程と、前記第２積層体上に、前記第１連結部とともに前記連結部を構成する第２連結部を形成する工程とを含み、前記第３積層体を形成する工程が、前記第１連結部と前記第２連結部を接合し、前記第１連結部および前記第２連結部とで構成される前記連結部により前記第１積層体と前記第２積層体が積層される工程を含む構成とすることで、形状の異なる連結部を簡便に形成することができる。

【0036】

（３）前記連結部により前記第１積層体と前記第２積層体が積層されて形成される前記第３積層体は複数の圧電デバイス形成領域を含み、複数の圧電デバイス集合体を形成した後、各圧電デバイスに個片化する工程を含む構成とすることで、容易に複数の圧電デバイスを形成することができる。

【符号の説明】

【0037】

１００～３００ 圧電デバイス
１ａ 第１支持基板
１ｂ 第２支持基板
２ 絶縁膜
３ａ 第１圧電膜
３ｂ 第２圧電膜
４ａ～４ｄ 第１～第４電極
５ キャビティ
６ スリット
７ 振動領域
８ａ、８ｂ 引出電極
９、９ａ、９ａ－１、９ａ－２、９ｂ、９ｂ－１、９ｂ－２ 連結部
１０ 空隙
１０Ａ～１０Ｃ 第１～第３積層体
１１ 絶縁膜
１２ 切削溝

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】