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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024139953
(43)【公開日】2024-10-10
(54)【発明の名称】プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20241003BHJP
H05H 1/46 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101C
H01L21/302 101G
H05H1/46 L
【審査請求】未請求
【請求項の数】4
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023050912
(22)【出願日】2023-03-28
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】鈴木 泰信
【テーマコード（参考）】
2G084
5F004
【Ｆターム（参考）】
2G084AA02
2G084BB02
2G084BB05
2G084BB14
2G084CC13
2G084CC33
2G084DD03
2G084DD13
2G084DD38
2G084FF07
2G084FF20
5F004AA01
5F004AA11
5F004AA14
5F004BA20
5F004BB13
5F004BB22
5F004BB24
5F004BB25
5F004BB26
5F004CA04
5F004CA06
(57)【要約】
【課題】プラズマによるエッチング結果の基板面内における均一性を向上させる。
【解決手段】チャンバと、前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、制御部と、を備え、前記支持体は、基板が載置される載置面を有し、前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、前記載置面が水平面に対し傾斜していない状態でのみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、前記制御部は、プラズマエッチング時に、前記載置面が水平面に対し傾斜すると共に前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板が回転するよう、制御を行い、プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、制御を行う、プラズマエッチング装置である。
【選択図】図５
【解決手段】チャンバと、前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、制御部と、を備え、前記支持体は、基板が載置される載置面を有し、前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、前記載置面が水平面に対し傾斜していない状態でのみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、前記制御部は、プラズマエッチング時に、前記載置面が水平面に対し傾斜すると共に前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板が回転するよう、制御を行い、プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、制御を行う、プラズマエッチング装置である。
【選択図】図５
【特許請求の範囲】
【請求項1】
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、
プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、
制御部と、を備え、
前記支持体は、
基板が載置される載置面を有し、
前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、
前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、
前記載置面が水平面に対し傾斜していない状態でのみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、
前記制御部は、
プラズマエッチング時に、前記載置面が水平面に対し傾斜すると共に前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板が回転するよう、制御を行い、
プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、制御を行う、プラズマエッチング装置。
前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、
プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、
制御部と、を備え、
前記支持体は、
基板が載置される載置面を有し、
前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、
前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、
前記載置面が水平面に対し傾斜していない状態でのみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、
前記制御部は、
プラズマエッチング時に、前記載置面が水平面に対し傾斜すると共に前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板が回転するよう、制御を行い、
プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、制御を行う、プラズマエッチング装置。
【請求項2】
前記予め定められた値は自然数である、請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項3】
前記制御部は、前記総回転数が前記予め定められた値となるようにプラズマエッチングに要する時間に基づいて所定の範囲から決定された回転速度で、前記載置面に載置された基板がプラズマエッチング中に回転するよう、制御を行う、請求項１または２に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項4】
プラズマエッチング装置を用いてプラズマにより基板をエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記プラズマエッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、
プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、を備え、
前記支持体は、
基板が載置される載置面を有し、
前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、
前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、
前記載置面が水平面に対し傾斜していない場合のみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、
前記載置面を水平面に対し傾斜させた状態で前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板を回転させながらプラズマエッチングを行う工程を含み、
前記プラズマエッチングを行う工程において、プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、前記載置面に載置された基板を回転させる、プラズマエッチング方法。
前記プラズマエッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、
プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、を備え、
前記支持体は、
基板が載置される載置面を有し、
前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、
前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、
前記載置面が水平面に対し傾斜していない場合のみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、
前記載置面を水平面に対し傾斜させた状態で前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板を回転させながらプラズマエッチングを行う工程を含み、
前記プラズマエッチングを行う工程において、プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、前記載置面に載置された基板を回転させる、プラズマエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、基板に対してプラズマ処理装置として、処理容器内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、処理容器内にて傾斜させた載置面に基板を載置し、回転可能に基板を支持する支持体と、を有するものが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２１－５２１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、プラズマによるエッチング結果の基板面内における均一性を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、チャンバと、前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、制御部と、を備え、前記支持体は、基板が載置される載置面を有し、前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、前記載置面が水平面に対し傾斜していない状態でのみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、前記制御部は、プラズマエッチング時に、前記載置面が水平面に対し傾斜すると共に前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板が回転するよう、制御を行い、プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、制御を行う、プラズマエッチング装置である。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、プラズマによるエッチング結果の基板面内における均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本実施形態にかかるプラズマエッチング装置としてのチルトプリクリーン装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図2】支持体の一例を説明するための図である。
【図3】容器部の内部構造の一例を示す図である。
【図4】載置面に載置された半導体ウェハの上面でのプラズマ密度分布の一例を示す図である。
【図5】プラズマエッチングの開始時の半導体ウェハの向きの例を示す図である。
【図6】プラズマエッチングの開始時の半導体ウェハの向きの例を示す図である。
【図7】プラズマエッチング中のウェハＷの総回転数の他の例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板に対して、プラズマによるエッチングすなわちプラズマエッチングが行われることがある。プラズマエッチングは、減圧された処理容器内の基板支持体に基板が支持された状態で行われる。
【0009】
基板支持体が傾斜可能に構成され、プラズマエッチング時に、基板支持体により支持された基板の上面すなわち処理対象面を水平面に対して傾斜させる場合（すなわち処理対象面が水平面と非平行になるようにする場合）がある。このように構成されている場合、処理対象面が傾斜していない状態では、処理対象面の中心を通る垂線がプラズマ源の中心を通るが、処理対象面が傾斜している状態では、処理対象面の中心を通る垂線はプラズマ源の中心を通らない。
【0010】
さらに、プラズマエッチング時に処理対象面を上述のように傾斜させる場合、エッチング結果の面内均一性を向上させるために、プラズマエッチング中に、基板支持体に支持された基板を処理対象面の中心を通る垂線を軸として回転させることがある。
【0011】
ところで、プラズマエッチングは例えば開始から所定の処理時間経過後に終了する。この場合、上述のようにプラズマエッチング時に処理対象面を傾斜させると共に基板を回転させると、基板支持体上の基板の向きが、プラズマエッチング開始時と終了時で異なることがある。このようにプラズマエッチング開始時と終了時で基板支持体上の基板の向きが異なると、プラズマによるエッチング結果の面内均一性が不十分となる場合がある。この点は、要求されるエッチング量が数ｎｍオーダーの条件すなわち５ｎｍ以下の条件で顕著である。なぜならば、プラズマエッチングの処理時間が短くプラズマエッチング中の基板の総回転数も少ないため、である。
【0012】
そこで、本開示にかかる技術は、プラズマによるエッチング結果の基板面内における均一性を向上させる。
【0013】
以下、本実施形態にかかるプラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0014】
＜チルトプリクリーン装置＞
図１は、本実施形態にかかるプラズマエッチング装置としてのチルトプリクリーン装置１０の一例を模式的に示す断面図である。図２は、後述の支持体の一例を説明するための図である。図１及び図２は、鉛直方向に延びる軸線ＰＸを含む一平面において後述の処理容器１１を破断して、チルトプリクリーン装置１０を示している。
図１は、本実施形態にかかるプラズマエッチング装置としてのチルトプリクリーン装置１０の一例を模式的に示す断面図である。図２は、後述の支持体の一例を説明するための図である。図１及び図２は、鉛直方向に延びる軸線ＰＸを含む一平面において後述の処理容器１１を破断して、チルトプリクリーン装置１０を示している。
【0015】
チルトプリクリーン装置１０は、基板としてのウェハＷに対してプラズマによるエッチングすなわちプラズマエッチングを行うプラズマエッチング装置の一例である。また、チルトプリクリーン装置１０は、ある膜の成膜と次の膜の成膜の間にウェハＷ上の酸化物を除去したり、生成した膜を薄く平坦化したりするときに使用することができる。
【0016】
このチルトプリクリーン装置１０は、図１及び図２に示すように、処理容器１１、支持体１２、ガス供給部１４、プラズマ源としてのＩＣＰソースユニット１６、排気系２０、バイアス電力供給部６２及び制御部Ｍを有する。
【0017】
処理容器１１は略円筒形状を有し、アルミニウムで形成されている。一実施形態では、処理容器１１の中心軸線は、軸線ＰＸと一致している。この処理容器１１は、ウェハＷに対してプラズマエッチングを行うための処理空間Ｓを提供している。
【0018】
処理容器１１は、例えば、その高さ方向の中間部分１１ａ、すなわち支持体１２を収容する部分において略一定の幅を有している。また、処理容器１１は、中間部分１１ａの下端から底部に向かうにつれて徐々に幅が狭くなるテーパー状をなしている。また、処理容器１１の底部は、排気口１１ｂが形成されている。排気口１１ｂは軸線ＰＸに対して軸対称に形成されている。
【0019】
処理容器１１内には、支持体１２が設けられている。支持体１２は、ウェハＷが載置される上面１２ａ（以下、載置面１２ａ）を有する。支持体１２は、静電チャック３１によりウェハＷを載置面１２ａに吸着保持する。
【0020】
また、支持体１２は傾斜可能に構成されている。具体的には、支持体１２は、載置面１２ａを水平面に対し傾斜可能に構成されている。より具体的には、支持体１２は、軸線ＰＸに直交する第１軸線ＡＸ１を中心に回動可能に構成されている。支持体１２は、第１軸線ＡＸ１を中心とした傾斜軸部５０の回動により、軸線ＰＸに対して傾斜することが可能である。一実施形態において、第１軸線ＡＸ１の高さは、支持体１２が傾斜していない状態における載置面１２ａ上のウェハＷの高さ（具体的にはウェハＷの上面の高さ）と一致している。
支持体１２を傾斜させるために、チルトプリクリーン装置１０は、駆動部２４を有している。駆動部２４は、処理容器１１の外部に設けられており、第１軸線ＡＸ１を中心とした支持体１２の回動のための駆動力を発生する。なお、図１は支持体１２が傾斜していない状態のチルトプリクリーン装置１０を示し、図２は支持体１２が傾斜している状態のチルトプリクリーン装置１０を示す。
支持体１２を傾斜させるために、チルトプリクリーン装置１０は、駆動部２４を有している。駆動部２４は、処理容器１１の外部に設けられており、第１軸線ＡＸ１を中心とした支持体１２の回動のための駆動力を発生する。なお、図１は支持体１２が傾斜していない状態のチルトプリクリーン装置１０を示し、図２は支持体１２が傾斜している状態のチルトプリクリーン装置１０を示す。
【0021】
さらに、支持体１２は、ウェハＷを回転可能に支持する。具体的に、支持体１２は、載置面１２ａに載置されたウェハＷの中心（具体的には載置面１２ａの中心）を通る垂線を中心として、当該ウェハＷを回転可能に構成されている。より具体的には、支持体１２は、第１軸線ＡＸ１に直交する上記垂線である第２軸線ＡＸ２を中心に、載置面１２ａに載置されたウェハＷを回転可能に構成されている。
なお、支持体１２が傾斜していない状態では、図１に示すように、第２軸線ＡＸ２は軸線ＰＸに一致し、プラズマ源としてのＩＣＰソースユニット１６の中心軸線と一致する。一方、支持体１２が傾斜している状態では、図２に示すように、第２軸線ＡＸ２は軸線ＰＸに対して傾斜し、プラズマ源としてのＩＣＰソースユニット１６の中心軸線と一致しない。すなわち、支持体１２は、載置面１２ａが水平面に対し傾斜していない状態でのみ、載置面１２ａに載置されたウェハＷの中心（具体的には載置面１２ａの中心）を通る垂線が、プラズマ源としてのＩＣＰソースユニット１６の中心を通る。
支持体１２の詳細については後述する。
なお、支持体１２が傾斜していない状態では、図１に示すように、第２軸線ＡＸ２は軸線ＰＸに一致し、プラズマ源としてのＩＣＰソースユニット１６の中心軸線と一致する。一方、支持体１２が傾斜している状態では、図２に示すように、第２軸線ＡＸ２は軸線ＰＸに対して傾斜し、プラズマ源としてのＩＣＰソースユニット１６の中心軸線と一致しない。すなわち、支持体１２は、載置面１２ａが水平面に対し傾斜していない状態でのみ、載置面１２ａに載置されたウェハＷの中心（具体的には載置面１２ａの中心）を通る垂線が、プラズマ源としてのＩＣＰソースユニット１６の中心を通る。
支持体１２の詳細については後述する。
【0022】
排気系２０は、処理容器１１内の空間を例えば、高真空に減圧可能に構成されている。排気系２０は、例えば、自動圧力制御器２０ａ、ターボ分子ポンプ２０ｂ、及びドライポンプ２０ｃを有している。ターボ分子ポンプ２０ｂは、自動圧力制御器２０ａの下流に設けられている。ターボ分子ポンプ２０ｂに代えてクライオポンプが用いられてもよい。ドライポンプ２０ｃは、バルブ２０ｄを介して処理容器１１内の空間に直結されている。また、ドライポンプ２０ｃは、バルブ２０ｅを介してターボ分子ポンプ２０ｂの下流に設けられている。
【0023】
自動圧力制御器２０ａ及びターボ分子ポンプ２０ｂを含む排気系２０は、処理容器１１の底部に取り付けられ、排気口１１ｂを介して処理容器１１内を排気するように構成されている。また、自動圧力制御器２０ａ及びターボ分子ポンプ２０ｂを含む排気系２０は、支持体１２の直下に設けられている。したがって、このチルトプリクリーン装置１０では、支持体１２の周囲から排気系２０までの均一な排気の流れを形成することができる。これにより、効率の良い排気が達成され得る。また、処理容器１１内で生成されるプラズマを均一に拡散させることが可能である。
【0024】
一実施形態において、処理容器１１の内壁面のうち、処理空間Ｓを画成する上部のものには、シールド１７が着脱自在に設けられ、下部のものには、シールド２６が着脱自在に設けられている。また、支持体１２の載置面１２ａ以外の壁面、傾斜軸部５０の外周面には、シールド２１が着脱自在に設けられている。シールド１７、２１、２６は、処理容器１１内にエッチングにより生成された副生成物（以下、「デポ」ともいう。）が付着することを防止する。シールド１７、２１、２６は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面をブラスト処理、または追加でアルミ溶射膜を形成することにより構成される。シールド２６は、例えば、ラビリンス構造を形成可能に複数に分割され、ラビリンス構造が有する隙間からガスを排気系２０へ導く。シールド１７、２１、２６は適宜交換される。
【0025】
処理容器１１の天井部には開口が設けられており、開口は誘電体窓１９によって閉じられている。誘電体窓１９は板状体であり、石英ガラス又はセラミックスから構成されている。
【0026】
ガス供給部１４は、流路１４ａ、１４ｂから処理容器１１内に処理ガスを供給する。具体的には、流路１４ａ、１４ｂが、後述の石英部材１８に周方向に沿って等間隔で複数（例えば８つ）設けられたガス孔２２に連通しており、ガス供給部１４は、等間隔に配置された複数のガス孔２２から処理空間Ｓに処理ガスを導入する。これにより処理ガスを複数のガス孔２２から等配に処理容器１１内に導入することができるため、処理空間Ｓ内で偏りの少ない処理ガスのプラズマを生成することができる。
【0027】
ガス供給部１４は、少なくとも１つのガスソース及び少なくとも１つの流量制御器を含んでもよい。ガス供給部１４のガスソースからの処理ガスの流量は流量制御器により調整可能できる。
【0028】
ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）ソースユニット１６は、処理容器１１内に供給された処理ガスを励起させる。ＩＣＰソースユニット１６は、例えば処理容器１１の天井部の誘電体窓１９上に設けられている。また、一実施形態では、ＩＣＰソースユニット１６の中心軸線は、軸線ＰＸと一致している。誘電体窓１９の上のＩＣＰソースユニット１６が設けられた空間は大気圧雰囲気であり、誘電体窓１９の下の処理容器１１内の空間は減圧雰囲気（真空雰囲気）である。
【0029】
ＩＣＰソースユニット１６は、高周波アンテナ５３及びシールド部材５２を有している。高周波アンテナ５３は、シールド部材５２によって覆われている。高周波アンテナ５３は、例えば銅、アルミニウム、ステンレス等の導体から構成されており、軸線ＰＸを中心に螺旋状に延在している。高周波アンテナ５３には、高周波電源５１が接続されている。高周波電源５１は、プラズマ生成用の高周波を高周波アンテナ５３に供給する。
【0030】
高周波アンテナ５３に高周波電源５１から所定の周波数の高周波を所定のパワーで供給すると、高周波は誘電体窓１９を透過し、処理容器１１内に誘導磁界を形成し、誘導磁界によって処理容器１１内に導入された処理ガスがプラズマ化される。高周波電源５１から供給される高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、４０ＭＨｚ、６０ＭＨｚといった周波数であってもよい。
【0031】
処理容器１１内の誘電体窓１９の下方であって、且つ流路１４ａ、１４ｂの位置よりも上にシールド板１３が配置されている。シールド板１３は、石英の薄板であり、誘電体窓１９の近傍に設けられ、エッチングにより生成された副生成物がウェハＷ側から飛来し、誘電体窓１９に付着することを防止する。
【0032】
バイアス電力供給部６２は、ウェハＷにイオンを引き込むための高周波バイアス電力を支持体１２に供給するよう構成されている。高周波電源５１、高周波アンテナ５３、誘電体窓１９及びガス供給部１４は、プラズマを生成するためのプラズマ生成空間Ｕにてプラズマを生成するプラズマ生成部として機能する。
【0033】
誘電体窓１９と支持体１２との間であって、且つシールド板１３の下方には、スリット板１５が設けられている。スリット板１５は、複数のスリット１５ａ１が形成された石英のスリット板１５ａと、スリット板１５ａの下に配置され、複数のスリット１５ｂ１が形成された石英のスリット板１５ｂとを有する。
【0034】
スリット板１５の外縁部は、処理容器１１の内壁に把持され、プラズマ生成空間Ｕと処理空間Ｓとを仕切るようになっている。スリット１５ａ１は、スリット１５ｂ１を基準として、支持体１２の載置面１２ａの傾斜方向と逆の方向にずれ、平面視でスリット１５ａ１とスリット１５ｂ１とは重ならない。「支持体１２の載置面１２ａの傾斜方向」とは、載置面１２ａが傾斜したときの載置面１２ａに対する垂線が鉛直方向に対して傾斜する方向である。
【0035】
本実施形態のようにスリット板１５ａ、１５ｂ及びシールド板１３を設け、スリット１５ａ１、１５ｂ１の幅及び位置等を適正化することにより、誘電体窓１９への防着機能の維持と高エッチングレートとを両立することができる。
【0036】
スリット板１５ａより上方の、処理容器１１のプラズマ生成空間Ｕを画成する内壁面は、円筒状の石英部材１８で覆われている。石英部材１８の絶縁性により、プラズマ生成空間Ｕに生成されたプラズマが接地された処理容器１１に引き込まれ消失することを防止することができる。
【0037】
制御部Ｍは、例えば、例えばＣＰＵ等のプロセッサやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、チルトプリクリーン装置１０の各部を制御して後述のウェハ処理を実現するための指令を含むプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な非一時的な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部Ｍにインストールされたものであってもよい。記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても、非一時的なものであってもよい。
【0038】
【0039】
支持体１２は、ウェハＷを載置面１２ａで支持した状態で、載置面１２ａを水平面に対し傾斜可能に構成されている。また、支持体１２は前述のようにウェハＷを回転可能に支持する。
この支持体１２は、図１及び図２に示すように、保持部３０、容器部４０を有し、傾斜軸部５０が接続されている。
この支持体１２は、図１及び図２に示すように、保持部３０、容器部４０を有し、傾斜軸部５０が接続されている。
【0040】
保持部３０は、ウェハＷを保持し、第２軸線ＡＸ２を中心に回転することによって、第２軸線ＡＸ２を中心にウェハＷを回転させる機構である。保持部３０は、図３に示すように、静電チャック３１、下部電極３２及び回転軸部３３を有している。
【0041】
静電チャック３１は、その上面である載置面１２ａにウェハＷを保持する。静電チャック３１は、第２軸線ＡＸ２をその中心軸線とする略円盤形状を有しており、電極３１ａを有している。静電チャック３１は、電極３１ａに電圧が印加されることにより生じる静電力によって、載置面１２ａに載置されたウェハＷを静電吸着する。この静電チャック３１とウェハＷとの間には、Ｈｅガス等の伝熱ガスが供給されてもよい。また、静電チャック３１内には、ウェハＷを加熱するためのヒータ３１ｂが内蔵されていてもよい。さらに、静電チャック３１内には、ウェハＷを温調するための温調流体（具体的には例えばウェハＷを冷却するための低温の冷媒）の流路３２ｃが形成されてもよい。この静電チャック３１は、下部電極３２上に設けられている。
【0042】
下部電極３２は、第２軸線ＡＸ２をその中心軸線とする略円盤形状を有している。下部電極３２は、アルミニウム等の導体から構成されている。下部電極３２は、バイアス電力供給部６２と電気的に接続される。温調流体の流路３２ｃは、静電チャック３１に代えて又は加えて、下部電極３２に設けられていてもよい。
【0043】
回転軸部３３は、略円柱形状を有しており、下部電極３２の下面中央に接続されている。回転軸部３３の中心軸線は、第２軸線ＡＸ２と一致している。回転軸部３３に対して回転力が与えられることにより、保持部３０が回転するようになっている。
【0044】
かかる構成の保持部３０は、容器部４０と共に支持体１２を構成している。容器部４０の天壁の中央には、回転軸部３３が通る貫通孔が形成されている。容器部４０と回転軸部３３との間には、磁性流体シール部１０４が設けられている。磁性流体シール部１０４は、容器部４０の内部空間すなわち支持体１２の内部空間を気密に封止する。磁性流体シール部１０４により、容器部４０の内部空間すなわち支持体１２の内部空間は大気圧に維持され、真空状態の処理空間Ｓから分離される。
【0045】
容器部４０の内部において、回転軸部３３の外周に、流体流路１０１に温調流体を供給するためのロータリージョイント（回転冷媒継手）１０２が配置されている。流体流路１０１に供給された温調流体は、静電チャック３１内の流路３１ｃに供給される。ロータリージョイント１０２の外周には、中空円筒状の下部電極保持部１０３が配置される。下部電極保持部１０３の外周には前述の磁性流体シール部１０４が配置される。
【0046】
容器部４０の内部におけるロータリージョイント１０２の下部には、静電チャック３１の電極３１ａやヒータ３１ｂへの電力供給、及び、下部電極３２へのバイアス電力供給のためのスリップリング１０５が配置されている。磁性流体シール部１０４の外周と容器部４０の内側内壁との間のスペースには、回転軸部３３の回転用モータ１０６と、ウェハＷを保持部３０に対し昇降させるリフタピン１０７ａを昇降させるためのリフト機構１０７と、が配置される。また、静電チャック３１とウェハＷとの間に伝熱ガスを供給するためのガスライン１０８を回転軸部３３や下部電極保持部１０３に設けてもよい。
【0047】
回転用モータ１０６は、回転軸部３３を回転させるための駆動力を発生する。回転用モータ１０６によって回転軸部３３が第２軸線ＡＸ２を中心に回転することにより、保持部３０及び保持部３０に保持されたウェハＷが第２軸線ＡＸ２を中心に回転する。保持部３０の回転速度は、例えば、１０ｒｐｍ～６０ｒｐｍの範囲内にある。
【0048】
さらに、容器部４０には、図１に示すように、第１軸線ＡＸ１と平行且つ第１軸線ＡＸ１からオフセットされた線に沿って開口が形成されている。この開口には傾斜軸部５０の内側端部が嵌め込まれている。傾斜軸部５０の外側部は、処理容器１１に達しており、端部が処理容器１１の外側まで延在している。また、傾斜軸部５０の外側部は、第１軸線ＡＸ１に沿って延びている。
【0049】
駆動部２４は、傾斜軸部５０の一方の外側端部を軸支している。駆動部２４によって傾斜軸部５０が第１軸線ＡＸ１を中心に回動することにより、容器部４０及び支持体１２が第１軸線ＡＸ１を中心に回動し、その結果、支持体１２が傾斜し、具体的には、載置面１２ａが水平面に対して傾斜するようになっている。例えば、載置面１２ａは、軸線ＰＸに対して第２軸線ＡＸ２が０度～９０度内の角度をなすように傾斜され得る。
前述のように、一実施形態において、第１軸線ＡＸ１の高さは、支持体１２が傾斜していない状態における載置面１２ａ上のウェハＷの高さ（具体的にはウェハＷの上面の高さ）と一致している。この場合、支持体１２の傾斜角度によらず載置面１２ａ上のウェハＷの中心が軸線ＰＸ上に位置する。これにより、プロセス制御性のマージンを持たせることができる。
前述のように、一実施形態において、第１軸線ＡＸ１の高さは、支持体１２が傾斜していない状態における載置面１２ａ上のウェハＷの高さ（具体的にはウェハＷの上面の高さ）と一致している。この場合、支持体１２の傾斜角度によらず載置面１２ａ上のウェハＷの中心が軸線ＰＸ上に位置する。これにより、プロセス制御性のマージンを持たせることができる。
【0050】
傾斜軸部５０の内孔には、種々の電気系統用の配線、伝熱ガス用の配管及び冷媒用の配管が通されていてもよい。これらの配線及び配管は、回転軸部３３に連結されている。なお、回転用モータ１０６に電力を供給するための配線も、傾斜軸部５０の内孔に通されていてもよい。回転用モータ１０６に対する上記配線は例えば傾斜軸部５０の内孔を通って処理容器１１の外部まで引き出され、処理容器１１の外部に設けられたモータ用電源に接続される。
【0051】
＜エッチング処理＞
次に、チルトプリクリーン装置１０を用いたエッチング処理の一例について図４～図６を用いて説明する。図４は、載置面１２ａに載置されたウェハＷの上面でのプラズマ密度分布の一例を示す図であり、プラズマ密度が高いほど濃い色で示している。図５及び図６はそれぞれ、プラズマエッチングの開始時及び終了時のウェハＷの向きの例を示す図である。なお、以下の処理は制御部Ｍの制御の下で行われる。
次に、チルトプリクリーン装置１０を用いたエッチング処理の一例について図４～図６を用いて説明する。図４は、載置面１２ａに載置されたウェハＷの上面でのプラズマ密度分布の一例を示す図であり、プラズマ密度が高いほど濃い色で示している。図５及び図６はそれぞれ、プラズマエッチングの開始時及び終了時のウェハＷの向きの例を示す図である。なお、以下の処理は制御部Ｍの制御の下で行われる。
【0052】
（ステップＳ１：搬入）
まず、処理容器１１内にウェハＷが搬入される。
具体的には、処理容器１１に設けられた搬入出口（図示せず）に対するゲートバルブが開かれ、処理容器１１に隣接する減圧雰囲気の搬送室（図示せず）から、上記搬入出口を介して、ウェハＷを保持した搬送機構（図示せず）が処理容器１１内に挿入される。次に、リフタピン１０７ａが上昇され、ウェハＷが、上記搬送機構からリフタピン１０７ａに受け渡される。その後、上記搬送機構が処理容器１１から抜き出され、また、ゲートバルブが閉じられる。それと共に、リフタピン１０７ａが下降され、ウェハＷが支持体１２の水平な載置面１２ａに載置される。その後、静電チャック３１の電極３１ａに電圧が印加され、これにより生じる静電吸着力により、ウェハＷが載置面１２ａに保持される。
まず、処理容器１１内にウェハＷが搬入される。
具体的には、処理容器１１に設けられた搬入出口（図示せず）に対するゲートバルブが開かれ、処理容器１１に隣接する減圧雰囲気の搬送室（図示せず）から、上記搬入出口を介して、ウェハＷを保持した搬送機構（図示せず）が処理容器１１内に挿入される。次に、リフタピン１０７ａが上昇され、ウェハＷが、上記搬送機構からリフタピン１０７ａに受け渡される。その後、上記搬送機構が処理容器１１から抜き出され、また、ゲートバルブが閉じられる。それと共に、リフタピン１０７ａが下降され、ウェハＷが支持体１２の水平な載置面１２ａに載置される。その後、静電チャック３１の電極３１ａに電圧が印加され、これにより生じる静電吸着力により、ウェハＷが載置面１２ａに保持される。
【0053】
（ステップＳ２：傾斜及び回転）
次に、支持体１２が傾斜されウェハＷが傾斜されると共に、ウェハＷが回転される。
具体的には、ウェハＷが載置された載置面１２ａが水平面に対し傾斜されると共に、載置面１２ａに載置されたウェハＷの中心を通る垂線すなわち第２軸線ＡＸ２を中心としてウェハＷが回転される。
より具体的には、第１軸線ＡＸ１を中心として支持体１２が回動され、ウェハＷが載置された載置面１２ａが所定の傾斜角度となるよう水平面に対し傾斜される。それと共に、第２軸線ＡＸ２を中心として支持体１２が回転され、載置面１２ａに載置されたウェハＷが所定の回転速度で回転される。
次に、支持体１２が傾斜されウェハＷが傾斜されると共に、ウェハＷが回転される。
具体的には、ウェハＷが載置された載置面１２ａが水平面に対し傾斜されると共に、載置面１２ａに載置されたウェハＷの中心を通る垂線すなわち第２軸線ＡＸ２を中心としてウェハＷが回転される。
より具体的には、第１軸線ＡＸ１を中心として支持体１２が回動され、ウェハＷが載置された載置面１２ａが所定の傾斜角度となるよう水平面に対し傾斜される。それと共に、第２軸線ＡＸ２を中心として支持体１２が回転され、載置面１２ａに載置されたウェハＷが所定の回転速度で回転される。
【0054】
（ステップＳ３：プラズマエッチング）
その後、傾斜されたウェハＷが回転されている状態で、ウェハＷに対しプラズマエッチングが行われる。
具体的には、ガス供給部１４から処理空間Ｓに処理ガスが供給される。また、プラズマ生成が開始される。より具体的には、高周波電源５１からＩＣＰソースユニット１６の高周波アンテナ５３へのプラズマ生成用の高周波の供給が開始される。これにより、処理容器１１内に処理ガスのプラズマが生成され、プラズマエッチングが開始される。
プラズマ生成用の高周波の供給が開始されてから、すなわち、プラズマエッチングが開始されてから、所定のエッチング時間が経過すると、上記高周波の供給が停止され、すなわち、プラズマエッチングが停止される。プラズマエッチング中、バイアス電力供給部６２から高周波バイアス電力が支持体１２に供給されてもよい。
その後、傾斜されたウェハＷが回転されている状態で、ウェハＷに対しプラズマエッチングが行われる。
具体的には、ガス供給部１４から処理空間Ｓに処理ガスが供給される。また、プラズマ生成が開始される。より具体的には、高周波電源５１からＩＣＰソースユニット１６の高周波アンテナ５３へのプラズマ生成用の高周波の供給が開始される。これにより、処理容器１１内に処理ガスのプラズマが生成され、プラズマエッチングが開始される。
プラズマ生成用の高周波の供給が開始されてから、すなわち、プラズマエッチングが開始されてから、所定のエッチング時間が経過すると、上記高周波の供給が停止され、すなわち、プラズマエッチングが停止される。プラズマエッチング中、バイアス電力供給部６２から高周波バイアス電力が支持体１２に供給されてもよい。
【0055】
このプラズマエッチング中、ウェハＷの総回転数（具体的には載置面１２ａに載置されたウェハＷの第２軸線ＡＸ２を中心とした総回転数）が予め定められた値となるよう制御が行われる。一実施形態では、上記総回転数が自然数となるように制御が行われる。具体的には、上記総回転数が自然数となるように所定のエッチング時間に基づいて所定の範囲から決定された回転速度で、ウェハＷがプラズマエッチング中に回転するよう、制御が行われる。言い換えると、所定のエッジング時間に基づいて以下の（Ａ）、（Ｂ）を満たすよう決定された回転速度で、ウェハＷがプラズマエッチング中に回転するよう、制御が行われる。
（Ａ）ウェハＷの総回転数が自然数。
（Ｂ）ウェハＷの回転速度が所定の範囲（例えば１０ｒｐｍ～６０ｒｐｍ）にある。
（Ａ）ウェハＷの総回転数が自然数。
（Ｂ）ウェハＷの回転速度が所定の範囲（例えば１０ｒｐｍ～６０ｒｐｍ）にある。
【0056】
すなわち、図５に示すようにエッチング開始時と終了時とでウェハＷの向きが同じとなるよう、制御が行われる。
なお、エッチング中のウェハＷの回転速度Ｖは一定であり例えば予め決定される。エッチング時間Ｔは記憶部（図示せず）に記憶された処理レシピ等により予め定められている。
なお、エッチング中のウェハＷの回転速度Ｖは一定であり例えば予め決定される。エッチング時間Ｔは記憶部（図示せず）に記憶された処理レシピ等により予め定められている。
【0057】
上述のように制御が行われる理由について説明する。
まず、傾斜されたウェハＷが回転されている状態で、ウェハＷに対しプラズマエッチングが行われる理由の一例を説明する。ウェハＷが傾斜されていない状態でのみ載置面１２ａに載置されたウェハＷの中心を通る垂線がＩＣＰソースユニット１６の中心を通る形態では、ウェハＷが傾斜されていないと、図４に示すように、ウェハＷの上面でのプラズマ密度分布が、ウェハＷの周方向ではばらつかないがウェハＷの径方向ではばらつくことがある。この場合に、第２軸線ＡＸ２を中心としてウェハＷを回転させても、ウェハＷの上面でのプラズマ密度分布のばらつきに起因するプラズマエッチチング結果のウェハ面内でのばらつきを抑制することができない。それに対し、上述の場合において、ウェハＷが傾斜されると、ウェハＷの上面でのプラズマ密度分布が、ウェハＷの周方向でもばらつくようになるため、第２軸線ＡＸ２を中心としてウェハＷを回転させることで、プラズマエッチング結果のウェハ面内でのばらつきを抑制することができる。
まず、傾斜されたウェハＷが回転されている状態で、ウェハＷに対しプラズマエッチングが行われる理由の一例を説明する。ウェハＷが傾斜されていない状態でのみ載置面１２ａに載置されたウェハＷの中心を通る垂線がＩＣＰソースユニット１６の中心を通る形態では、ウェハＷが傾斜されていないと、図４に示すように、ウェハＷの上面でのプラズマ密度分布が、ウェハＷの周方向ではばらつかないがウェハＷの径方向ではばらつくことがある。この場合に、第２軸線ＡＸ２を中心としてウェハＷを回転させても、ウェハＷの上面でのプラズマ密度分布のばらつきに起因するプラズマエッチチング結果のウェハ面内でのばらつきを抑制することができない。それに対し、上述の場合において、ウェハＷが傾斜されると、ウェハＷの上面でのプラズマ密度分布が、ウェハＷの周方向でもばらつくようになるため、第２軸線ＡＸ２を中心としてウェハＷを回転させることで、プラズマエッチング結果のウェハ面内でのばらつきを抑制することができる。
【0058】
ただし、傾斜されたウェハＷが回転されている状態でウェハＷに対しプラズマエッチングが行われる場合において、エッチング時間を考慮せずに決定された回転速度でプラズマエッチング中にウェハＷが回転されると、図６に示すように、エッチング開始時と終了時とでウェハＷの向きが異なることがある。この場合、ウェハＷの表面の各領域が処理空間Ｓ内におけるエッチング強度が高い部分を通過する時間及び弱い部分を通過する時間が領域間で異なることから、プラズマエッチング結果がウェハＷの面内でばらついてしまう。
【0059】
それに対し、エッチング開始時と終了時とでウェハＷの向きが同じとなるよう、制御が行われる。そのため、ウェハＷの表面の各領域が処理空間Ｓ内におけるエッチング強度が高い部分を通過する時間及び弱い部分を通過する時間を、領域間で略等しくすることができる。したがって、プラズマエッチング結果がウェハＷの面内でばらつくのを抑制することができる。
【0060】
（ステップＳ４：水平戻し及びび回転停止）
ステップＳ３後、支持体１２が水平に戻されると共に、ウェハＷの回転が停止される。
具体的には、第１軸線ＡＸ１を中心として支持体１２が回動され、ウェハＷが載置された載置面１２ａが水平に戻されると共に、第２軸線ＡＸ２を中心としたウェハＷの回転が停止される。
ステップＳ３後、支持体１２が水平に戻されると共に、ウェハＷの回転が停止される。
具体的には、第１軸線ＡＸ１を中心として支持体１２が回動され、ウェハＷが載置された載置面１２ａが水平に戻されると共に、第２軸線ＡＸ２を中心としたウェハＷの回転が停止される。
【0061】
（ステップＳ５：搬出）
そして、処理容器１１からウェハＷが搬出される。
具体的には、ステップＳ１と逆の手順で、処理容器１１からウェハＷが搬出される。これにより、一連のエッチング処理が終了する。
そして、処理容器１１からウェハＷが搬出される。
具体的には、ステップＳ１と逆の手順で、処理容器１１からウェハＷが搬出される。これにより、一連のエッチング処理が終了する。
【0062】
＜本実施形態の主な効果＞
本実施形態では、上述のように、載置面１２ａが水平面に対して傾斜していない状態でのみ、載置面１２ａに載置されたウェハＷの中心を通る垂線すなわち第２軸線ＡＸ２がＩＣＰソースユニット１６の中心を通る。また、プラズマエッチング時に、載置面１２ａが水平面に対し傾斜すると共に、第２軸線ＡＸ２を中心として載置面１２ａに載置されたウェハＷが回転するよう制御が行われる。そして、プラズマエッチング中の、載置面１２ａに載置されたウェハＷの第２軸線ＡＸ２を中心とした総回転数が自然数となるように制御が行われる。すなわち、プラズマエッチング開始時と終了時とでウェハＷの向きが同じとなるよう、制御が行われる。したがって、プラズマエッチング結果がウェハＷの面内でばらつくのを抑制することができる。
また、本実施形態ではプラズマエッチング中のウェハＷの総回転数が自然数となるように制御が行われる。すなわち、上記総回転数が自然数となるように算出され決定された回転速度でプラズマエッチング中にウェハＷが回転される。したがって、上記総回転数が整数でない場合に比べて、プラズマエッチング中のウェハＷの回転速度を簡易な計算で決定することができる。
本実施形態では、上述のように、載置面１２ａが水平面に対して傾斜していない状態でのみ、載置面１２ａに載置されたウェハＷの中心を通る垂線すなわち第２軸線ＡＸ２がＩＣＰソースユニット１６の中心を通る。また、プラズマエッチング時に、載置面１２ａが水平面に対し傾斜すると共に、第２軸線ＡＸ２を中心として載置面１２ａに載置されたウェハＷが回転するよう制御が行われる。そして、プラズマエッチング中の、載置面１２ａに載置されたウェハＷの第２軸線ＡＸ２を中心とした総回転数が自然数となるように制御が行われる。すなわち、プラズマエッチング開始時と終了時とでウェハＷの向きが同じとなるよう、制御が行われる。したがって、プラズマエッチング結果がウェハＷの面内でばらつくのを抑制することができる。
また、本実施形態ではプラズマエッチング中のウェハＷの総回転数が自然数となるように制御が行われる。すなわち、上記総回転数が自然数となるように算出され決定された回転速度でプラズマエッチング中にウェハＷが回転される。したがって、上記総回転数が整数でない場合に比べて、プラズマエッチング中のウェハＷの回転速度を簡易な計算で決定することができる。
【0063】
＜変形例＞
図７は、プラズマエッチング中のウェハＷの総回転数の他の例を説明するための図であり、プラズマエッチング中のエッチング総量の面内分布を示している。また、図７では、エッチング総量が多いほど濃い色で示している。
図７は、プラズマエッチング中のウェハＷの総回転数の他の例を説明するための図であり、プラズマエッチング中のエッチング総量の面内分布を示している。また、図７では、エッチング総量が多いほど濃い色で示している。
【0064】
以上の例のようにプラズマエッチング中のウェハＷの総回転数が自然数となるよう制御が行われても、すなわち、プラズマエッチング開始時と終了時とでウェハＷの向きが同じとなるよう制御が行われても、プラズマエッチング結果のウェハＷの面内でのばらつきを十分に低減できていない、とされる場合がある。具体的には、例えば、プラズマエッチング開始時及び終了時におけるウェハＷのＩＣＰソースユニット１６に近い側（図２の右側及び図７の上側）のエッチング総量が多く、ＩＣＰソースユニット１６から遠い側（図２の左側及び図７の下側）のエッチング総量が少ない部分ことがある。
この場合には、プラズマエッチング中のウェハＷの総回転数が自然数と所定の小数との和となるように制御が行われ、これにより例えば以下のようになるようにしてもよい。すなわち、プラズマエッチング中のウェハＷの総回転数が自然数となるよう制御が行われたときにエッチング総量が少ない部分が、プラズマエッチング終了時に、同総量が多い部分に位置するようにしてもよい。具体的には、図７の例の場合、プラズマエッチング中のウェハＷの総回転数が自然数となるよう制御が行われたときにエッチング総量が少ない、エッチング開始時においてウェハＷのＩＣＰソースユニット１６から遠い側の部分が、エッチング終了時において、同総量が多い、ＩＣＰソースユニット１６から遠い側に位置するようにしてもよい。
なお、記所定の小数は、例えば０．５であり、事前の試験等を通じて予め定められる。このように制御が行われることにより、プラズマエッチング結果がウェハＷの面内でばらつくのをさらに抑制することができる。
この場合には、プラズマエッチング中のウェハＷの総回転数が自然数と所定の小数との和となるように制御が行われ、これにより例えば以下のようになるようにしてもよい。すなわち、プラズマエッチング中のウェハＷの総回転数が自然数となるよう制御が行われたときにエッチング総量が少ない部分が、プラズマエッチング終了時に、同総量が多い部分に位置するようにしてもよい。具体的には、図７の例の場合、プラズマエッチング中のウェハＷの総回転数が自然数となるよう制御が行われたときにエッチング総量が少ない、エッチング開始時においてウェハＷのＩＣＰソースユニット１６から遠い側の部分が、エッチング終了時において、同総量が多い、ＩＣＰソースユニット１６から遠い側に位置するようにしてもよい。
なお、記所定の小数は、例えば０．５であり、事前の試験等を通じて予め定められる。このように制御が行われることにより、プラズマエッチング結果がウェハＷの面内でばらつくのをさらに抑制することができる。
【0065】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。
【0066】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
【0067】
なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、
プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、
制御部と、を備え、
前記支持体は、
基板が載置される載置面を有し、
前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、
前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、
前記載置面が水平面に対し傾斜していない状態でのみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、
前記制御部は、
プラズマエッチング時に、前記載置面が水平面に対し傾斜すると共に前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板が回転するよう、制御を行い、
プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、制御を行う、プラズマエッチング装置。
（２）前記予め定められた値は自然数である、前記（１）に記載のプラズマエッチング装置。
（３）前記制御部は、前記総回転数が前記予め定められた値となるようにプラズマエッチングに要する時間に基づいて所定の範囲から決定された回転速度で、前記載置面に載置された基板がプラズマエッチング中に回転するよう、制御を行う、前記（１）または（２）に記載のプラズマエッチング装置。
（４）プラズマエッチング装置を用いてプラズマにより基板をエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記プラズマエッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、
プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、を備え、
前記支持体は、
基板が載置される載置面を有し、
前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、
前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、
前記載置面が水平面に対し傾斜していない場合のみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、
前記載置面を水平面に対し傾斜させた状態で前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板を回転させながらプラズマエッチングを行う工程を含み、
前記プラズマエッチングを行う工程において、プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、前記載置面に載置された基板を回転させる、プラズマエッチング方法。
（１）チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、
プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、
制御部と、を備え、
前記支持体は、
基板が載置される載置面を有し、
前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、
前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、
前記載置面が水平面に対し傾斜していない状態でのみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、
前記制御部は、
プラズマエッチング時に、前記載置面が水平面に対し傾斜すると共に前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板が回転するよう、制御を行い、
プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、制御を行う、プラズマエッチング装置。
（２）前記予め定められた値は自然数である、前記（１）に記載のプラズマエッチング装置。
（３）前記制御部は、前記総回転数が前記予め定められた値となるようにプラズマエッチングに要する時間に基づいて所定の範囲から決定された回転速度で、前記載置面に載置された基板がプラズマエッチング中に回転するよう、制御を行う、前記（１）または（２）に記載のプラズマエッチング装置。
（４）プラズマエッチング装置を用いてプラズマにより基板をエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記プラズマエッチング装置は、
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、基板を保持する支持体と、
プラズマ源を有し、前記チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、を備え、
前記支持体は、
基板が載置される載置面を有し、
前記載置面に載置された基板の上面の中心を通る垂線を中心として基板を回転可能に構成され、
前記載置面を水平面に対し傾斜可能に構成され、
前記載置面が水平面に対し傾斜していない場合のみ、前記垂線が前記プラズマ源の中心を通り、
前記載置面を水平面に対し傾斜させた状態で前記垂線を中心として前記載置面に載置された基板を回転させながらプラズマエッチングを行う工程を含み、
前記プラズマエッチングを行う工程において、プラズマエッチング中の、前記載置面に載置された基板の前記垂線を中心とした総回転数が予め定められた値となるよう、前記載置面に載置された基板を回転させる、プラズマエッチング方法。
【符号の説明】
【0068】
１０ チルトプリクリーン装置
１１ 処理容器
１２ 支持体
１２ａ 支持体の上面（載置面）
１４ ガス供給部
１６ ＩＣＰソースユニット
１９ 誘電体窓
５１ 高周波電源
５３ 高周波アンテナ
ＡＸ２ 第２軸線
Ｍ 制御部
Ｗ ウェハ
１１ 処理容器
１２ 支持体
１２ａ 支持体の上面（載置面）
１４ ガス供給部
１６ ＩＣＰソースユニット
１９ 誘電体窓
５１ 高周波電源
５３ 高周波アンテナ
ＡＸ２ 第２軸線
Ｍ 制御部
Ｗ ウェハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
