特開 2024-140058 リードフレーム及びその製造方法、半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024140058

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】リードフレーム及びその製造方法、半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20241003BHJP

【ＦＩ】

H01L23/50 U

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023051045

(22)【出願日】2023-03-28

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】曽根原 袈裟幸

【テーマコード（参考）】

5F067

【Ｆターム（参考）】

5F067AA03

5F067AA09

5F067AB03

5F067BA02

5F067BE02

5F067CA07

5F067DA11

5F067DA16

(57)【要約】

【課題】ダイパッドの外縁に接続する屈曲部を有するリードフレームにおいて、ダイパッドの平坦性を向上する。
【解決手段】本リードフレームは、上面及び下面を備えたダイパッドと、下面視で、前記ダイパッドの外側に配置され、一端が前記ダイパッドの外縁に接続する屈曲部と、を有し、前記屈曲部には、前記ダイパッドの下面側に開口する溝が設けられ、前記屈曲部は、前記溝で前記ダイパッドの上面側に向かって屈曲している。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

上面及び下面を備えたダイパッドと、
下面視で、前記ダイパッドの外側に配置され、一端が前記ダイパッドの外縁に接続する屈曲部と、を有し、
前記屈曲部には、前記ダイパッドの下面側に開口する溝が設けられ、
前記屈曲部は、前記溝で前記ダイパッドの上面側に向かって屈曲している、リードフレーム。

【請求項2】

前記屈曲部は、前記溝の前記ダイパッド側の端部で前記ダイパッドの上面側に向かって屈曲している、請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項3】

下面視で、前記溝の前記ダイパッド側の端部は、前記屈曲部が接続する前記ダイパッドの辺上に位置する、請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項4】

下面視で、前記溝の前記ダイパッド側の端部は、前記屈曲部が接続する前記ダイパッドの辺とは離隔した位置にある、請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項5】

前記屈曲部の下面において前記溝よりも前記ダイパッド側に位置する領域は、前記ダイパッドの下面と面一である、請求項４に記載のリードフレーム。

【請求項6】

下面視で、前記ダイパッドの辺において、前記屈曲部と接続する領域の両側に、前記ダイパッドの中央側に向かって窪む凹部が設けられている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリードフレーム。

【請求項7】

複数の前記屈曲部を有し、
すべての前記屈曲部に前記溝が設けられている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のリードフレーム。

【請求項8】

上面及び下面を備えたダイパッドと、
下面視で、前記ダイパッドの外側に配置され、一端が前記ダイパッドの外縁に接続する屈曲部と、
前記ダイパッドの前記上面に実装された半導体チップと、
前記半導体チップを封止する樹脂部と、を有し、
前記屈曲部には、前記ダイパッドの下面側に開口する溝が設けられ、前記屈曲部は、前記溝で前記ダイパッドの上面側に向かって屈曲し、
前記ダイパッドの下面は、前記樹脂部から露出する、半導体装置。

【請求項9】

前記溝は、前記樹脂部に被覆される、請求項８に記載の半導体装置。

【請求項10】

金属板を加工して、枠部と、上面及び下面を備え、前記枠部の内側に配置されたダイパッドと、下面視で、前記ダイパッドの外側に配置され、一端が前記ダイパッドの外縁に接続する屈曲部と、を有するパターン状金属板を形成する工程と、
前記屈曲部に、前記ダイパッドの下面側に開口する溝を形成する工程と、
前記パターン状金属板を曲げ加工する工程と、を有し、
前記曲げ加工する工程では、前記屈曲部は、前記溝で前記ダイパッドの上面側に向かって屈曲するように曲げられる、リードフレームの製造方法。

【請求項11】

前記溝は、前記パターン状金属板を形成する工程で形成される、請求項１０に記載のリードフレームの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、リードフレーム及びその製造方法、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

リードフレームに半導体チップを搭載し、樹脂で封止した半導体装置が知られている。このような半導体装置には、半導体チップを搭載するダイパッドの下面を樹脂から露出させて、半導体チップの動作時に生じる熱の放熱性を高める構造を備えたものがある。この半導体装置の組み立てに用いられるリードフレームは、樹脂で封止されたときにダイパッドの下面が樹脂から露出するように、ダイパッドが最下部に配置されるように曲げ加工される（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－１６５７７７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかし、ダイパッドとダイパッドの外縁に接続される部分とを曲げる際に、曲げに伴う応力によりダイパッドの平坦性が低下する場合がある。ダイパッドの平坦性が低下すると、例えば、リードフレームを樹脂で封止して半導体装置を作製する際に、樹脂がダイパッドの下面側に漏れ出すおそれがある。

【0005】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、ダイパッドの外縁に接続する屈曲部を有するリードフレームにおいて、ダイパッドの平坦性を向上することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本リードフレームは、上面及び下面を備えたダイパッドと、下面視で、前記ダイパッドの外側に配置され、一端が前記ダイパッドの外縁に接続する屈曲部と、を有し、前記屈曲部には、前記ダイパッドの下面側に開口する溝が設けられ、前記屈曲部は、前記溝で前記ダイパッドの上面側に向かって屈曲している。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、ダイパッドの外縁に接続する屈曲部を有するリードフレームにおいて、ダイパッドの平坦性を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係るリードフレームの全体を例示する上面図である。

【図2】第１実施形態に係るリードフレームの１つの個片化領域近傍を例示する上面図である。

【図3】第１実施形態に係るリードフレームの１つの個片化領域近傍を例示する下面図である。

【図4】図２に示す個片化領域近傍を例示する断面図である。

【図5】図３のＲ部の拡大図である。

【図6】第１実施形態に係るリードフレームの製造工程を例示する図である。

【図7】図６に示す個片化領域近傍を例示する断面図である。

【図8】第１実施形態に係る半導体装置を例示する断面図である。

【図9】第１実施形態に係る半導体装置を例示する下面図である。

【図10】第１実施形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。

【図11】第１実施形態の変形例１に係るリードフレームを例示する部分下面図である。

【図12】第１実施形態の変形例１に係る半導体装置を例示する下面図である。

【図13】第１実施形態の変形例２に係る半導体装置を例示する図である。

【図14】第１実施形態の変形例３に係る半導体装置を例示する下面図である。

【図15】第１実施形態の変形例４に係る半導体装置を例示する下面図である。

【図16】第１実施形態の変形例５に係る半導体装置を例示する図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

〈第１実施形態〉
本開示に係るリードフレームは、枠部と、上面及び下面を備え、前枠部の内側に配置されたダイパッドと、下面視で、ダイパッドの外側に配置され、一端がダイパッドの外縁の一部に接続する屈曲部と、を有している。なお、屈曲部とは、下面視でダイパッドの外縁の一部に接続し、ダイパッドの上面側に向かって屈曲する部分を指す。例えば、後述の図３の連結部１２、図１３のサポートバー１３、図１６の曲げ部１７等は、屈曲部の一例である。以下、本開示に係るリードフレームの一例であるリードフレーム１について説明する。

【0011】

［リードフレームの構造］
図１は、第１実施形態に係るリードフレームの全体を例示する上面図である。図１を参照すると、リードフレーム１は、個片化領域７と、枠部８とを有している。リードフレーム１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金、４２アロイ等を用いることができる。リードフレーム１の厚さは、例えば、１２４μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。

【0012】

個片化領域７は、破線で示す領域であり、最終的に切断されて枠部８と分離され、半導体装置の一部となる。なお、図１では、個片化領域７を簡略化して矩形状に図示しているが、個片化領域７は矩形状である必要はなく、半導体装置の形状に合わせたより複雑な形状であってもよい。

【0013】

枠部８は、リードフレーム１の外縁部に額縁状に設けられた領域と、額縁状の領域の内側に直交して連結し、各個片化領域７の間に格子状に配置された領域とを含む。なお、図１において、個片化領域７は２次元に配置されているが、１次元に配置されてもよい。

【0014】

図２は、第１実施形態に係るリードフレームの１つの個片化領域近傍を例示する上面図である。図３は、第１実施形態に係るリードフレームの１つの個片化領域近傍を例示する下面図である。

【0015】

図２及び図３に示すように、個片化領域７の中央部には矩形状のダイパッド１０が配置されている。ダイパッド１０は、上面１０ａ及び下面１０ｂを備えている。ダイパッド１０の周囲には、所定間隔を空けて略矩形枠状のグラウンドリング１１が配置されている。ダイパッド１０とグラウンドリング１１とは、所定間隔で配置された複数の連結部１２により繋がっている。上面視及び下面視で、連結部１２の一端はダイパッド１０の外縁を構成する辺の一部に接続し、他端は、グラウンドリング１１のダイパッド１０側の辺と接続する。なお、上面視とは、ダイパッド１０の上面１０ａの法線方向に沿ってダイパッド１０側を視ることを指し、下面視とは、ダイパッド１０の下面１０ｂの法線方向に沿ってダイパッド１０側を視ることを指す。

【0016】

グラウンドリング１１の四隅には外側に向かってサポートバー１３が延在している。サポートバー１３は枠部８に繋がっている。このようにして、ダイパッド１０及びグラウンドリング１１は、連結部１２及びサポートバー１３によって枠部８に繋がって支持されている。

【0017】

グラウンドリング１１の外側には、グラウンドリング１１から分離した状態で、複数のインナーリード１４が外側に延在して設けられている。複数のインナーリード１４は、上面視で、例えば、グラウンドリング１１の外側の辺と直交する方向に延びる。

【0018】

各インナーリード１４はダムバー１５に連結されている。ダムバー１５にはインナーリード１４に対応して繋がる複数のアウターリード１６が外側に延在して設けられている。ダムバー１５は、上面視で、例えば、グラウンドリング１１の外側の辺と平行な方向に延びる。

【0019】

複数のインナーリード１４及び複数のアウターリード１６は、上面視で、例えば、グラウンドリング１１の外側の辺と直交する方向に延びる。ダムバー１５及びアウターリード１６は、枠部８に繋がって支持されている。インナーリード１４は、ダムバー１５及びアウターリード１６を介して、枠部８に支持されている。

【0020】

なお、グラウンドリング１１とインナーリード１４の上面及び側面は、ワイヤボンディング用の領域として用いられる場合がある。そのため、グラウンドリング１１とインナーリード１４の上面及び側面に、銀（Ａｇ）、又はニッケル（Ｎｉ）／パラジウム（Ｐｄ）などのワイヤボンディング用の金属めっき層が部分的に形成されていてもよい。

【0021】

図４は、図２に示す個片化領域近傍を例示する断面図であり、図４（ａ）は図２のＡ－Ａ線に沿う断面を示し、図４（ｂ）は図２のＢ－Ｂ線に沿う断面を示している。

【0022】

図４に示すように、ダイパッド１０とグラウンドリング１１とを連結する連結部１２は、ダイパッド１０及びグラウンドリング１１との接続部で屈曲されて傾斜している。グラウンドリング１１はダイパッド１０より上側の位置に配置されている。また、グラウンドリング１１と枠部８を連結するサポートバー１３も屈曲されて傾斜している。インナーリード１４、ダムバー１５、及びアウターリード１６は、グラウンドリング１１よりも上側の位置に配置されている。

【0023】

図５は、図３のＲ部の拡大図である。図３～図５に示すように、各々の連結部１２には、ダイパッド１０の下面１０ｂ側に開口する溝１２ｘが設けられている。溝１２ｘは、連結部１２のダイパッド１０と接続される側の端部に、下面視でダイパッド１０の外縁を構成する各辺に沿って伸びるように設けられている。すなわち、下面視で、溝１２ｘのダイパッド１０側の端部は、連結部１２が接続するダイパッド１０の外縁を構成する辺上に位置する。溝１２ｘは、下面視でダイパッド１０の各辺に平行な方向において、連結部１２の幅方向の全体に設けることが好ましい。なお、図５では、便宜上、溝１２ｘをドットパターンで示している。

【0024】

連結部１２の下面の法線方向から視て、溝１２ｘの短手方向の幅は、１０μｍ以上リードフレーム１の厚さ以下とすることができる。溝１２ｘの短手方向の幅は、例えば、２０μｍである。連結部１２の下面を基準とする溝１２ｘの最深部の深さは、５μｍ以上リードフレーム１の厚さの半分以下とすることができる。溝１２ｘの最深部の深さは、例えば、１０μｍである。溝１２ｘの断面形状は任意であるが、例えば、プレス加工により形成する場合はＶ字に近い形状となり、エッチングにより形成する場合はＵ字に近い形状となる。

【0025】

各々の連結部１２は、例えば、溝１２ｘのダイパッド１０側の端部でダイパッド１０の上面１０ａ側に向かって屈曲している。ダイパッド１０の下面１０ｂを基準とする連結部１２の屈曲角度は、例えば、３０度から６０度程度とすることができる。連結部１２に溝１２ｘを設けることにより、ダイパッド１０に対する連結部１２の屈曲性を向上できる。これについて、以下に説明する。なお、屈曲性を向上する観点から、リードフレーム１が複数の連結部１２を有する場合には、すべての連結部１２に溝１２ｘが設けられていることが好ましい。

【0026】

一般に、曲げ加工の際に、内曲げ側は圧縮され、外曲げ側は引張り応力が生じる。そのため、曲げ加工部の外曲げ側は、引張り応力によってＲ形状となり、かつダレ込み（へこみ）易い。例えば、ダイパッドにダレ込みが生じると、リードフレームを樹脂で封止して半導体装置を作製する際に、樹脂がダイパッドの下面側に漏れ出し、半導体装置は外観不良等となる。また、ダイパッドの下面の樹脂から露出する面積が減るため、半導体装置の放熱性が低下する。

【0027】

例えば、リードフレーム１のダイパッド１０と連結部１２との屈曲部分において、何の対策もしない場合、このような問題が発生しやすい。そこで、リードフレーム１では、連結部１２に溝１２ｘを設けることにより、このような問題が生じるおそれを低減している。

【0028】

すなわち、リードフレーム１では、曲げ加工時に連結部１２の外曲げ側となる部分に、予め溝１２ｘを設けている。これにより、曲げ加工時に連結部１２に生じる引張り応力に対して、溝１２ｘが起点となり、連結部１２は、溝１２ｘのダイパッド１０側の端部でダイパッド１０の下面１０ｂに対して鋭く屈曲する。その結果、連結部１２の外曲げ側は、Ｒ形状になり難い。また、ダレ込みも生じ難い。よって、ダイパッド１０の下面１０ｂは、連結部１２側の端部を含めた全体の平坦性を維持できる。ダイパッド１０の下面１０ｂの平坦性が向上したことにより、リードフレーム１を樹脂で封止して半導体装置を作製する際に、樹脂がダイパッド１０の下面１０ｂ側に漏れ出すおそれを低減できる。

【0029】

図５に示すように、下面視で、ダイパッド１０の外縁を構成する辺において、連結部１２と接続する領域の両側に、ダイパッド１０の中央側に向かって窪む凹部１０ｘが設けられてもよい。凹部１０ｘが設けられることにより、曲げ加工を容易に行うことができる。凹部１０ｘは、例えば、曲げ加工に使用する金型の逃げとして使用することができる。

【0030】

なお、連結部１２とグラウンドリング１１との間も曲げられるため、連結部１２のグラウンドリング１１側の端部にも、ダイパッド１０の下面側に開口する溝が設けられてよい。その際に、グラウンドリング１１に凹部１０ｘに相当する窪みが設けられてもよい。

【0031】

［リードフレームの製造方法］
次に、第１実施形態に係るリードフレームの製造方法について説明する。図６は、第１実施形態に係るリードフレームの製造工程を例示する図であり、リードフレームの１つの個片化領域近傍を例示する上面図である。図７は、図６に示す個片化領域近傍を例示する断面図であり、図７（ａ）は図６のＡ－Ａ線に沿う断面を示し、図７（ｂ）は図６のＢ－Ｂ線に沿う断面を示している。なお、図６のＡ－Ａ線及びＢ－Ｂ線の位置は、図４のＡ－Ａ線及びＢ－Ｂ線の位置に対応している。

【0032】

図６及び図７に示す工程では、金属板を加工してパターン状金属板１Ｐを形成する。図６及び図７では、加工された後のパターン状金属板１Ｐを示している。具体的には、まず、所定形状の金属板を準備する。金属板の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金、４２アロイ等を用いることができる。金属板の厚さは、例えば、１２４μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。そして、金属板にプレス加工を施すことにより、パターン状金属板１Ｐを形成する。あるいは、金属板をエッチングすることにより、パターン状金属板１Ｐを形成してもよい。

【0033】

図６及び図７に示すパターン状金属板１Ｐは、枠部８、上面１０ａ及び下面１０ｂを備え枠部８の内側に配置されたダイパッド１０、下面視でダイパッド１０の外側に配置され一端がダイパッド１０の外縁の一部に接続する連結部１２、等を有する。詳細には、パターン状金属板１Ｐにおいて、中央部には矩形状のダイパッド１０が配置され、ダイパッド１０の周囲に所定間隔を空けて略矩形枠状のグラウンドリング１１が配置されている。ダイパッド１０とグラウンドリング１１とは、所定間隔で配置された複数の連結部１２により繋がっている。グラウンドリング１１の四隅には外側に向かってサポートバー１３が延在しており、サポートバー１３は枠部８に繋がっている。さらに、グラウンドリング１１の外側には、グラウンドリング１１から分離した状態で複数のインナーリード１４が外側に延在して設けられている。各インナーリード１４はダムバー１５に連結されており、ダムバー１５にはインナーリード１４に対応して繋がる複数のアウターリード１６が外側に延在して設けられている。ダムバー１５は枠部８に繋がって支持されており、アウターリード１６は枠部８に繋がって支持されている。

【0034】

各々の連結部１２には、ダイパッド１０の下面１０ｂ側に開口する溝１２ｘが設けられている。溝１２ｘは、パターン状金属板１Ｐを形成するプレス加工やエッチングにより、他の部分と同時に形成することができる。なお、溝１２ｘを有していないパターン状金属板１Ｐを形成した後、曲げ加工する前までに、別の工程でプレス加工やエッチング加工を施し、パターン状金属板１Ｐに溝１２ｘを形成してもよい。

【0035】

図６及び図７に示す工程の後、パターン状金属板１Ｐを曲げ加工する。すなわち、パターン状金属板１Ｐが図４に示す段形状になるように、ダイパッド１０とグラウンドリング１１とを連結する連結部１２を屈曲させ、さらにグラウンドリング１１と枠部８とを連結するサポートバー１３を屈曲させる。なお、連結部１２とサポートバー１３を一回の曲げ加工で同時に屈曲させることも可能である。この工程では、連結部１２は、例えば、溝１２ｘのダイパッド１０側の端部でダイパッド１０の上面側に向かって屈曲するように曲げられる。

【0036】

［半導体装置］
図８は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図８（ａ）は図４（ａ）に対応する断面を示し、図８（ｂ）は図４（ｂ）に対応する断面を示している。図９は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する下面図である。

【0037】

図８及び図９に示すように、半導体装置３は、ダイパッド１０と、グラウンドリング１１と、連結部１２と、インナーリード１４と、アウターリード１６と、半導体チップ３１と、金属線３２と、樹脂部３３とを有している。なお、図９では、便宜上、樹脂部３３をドットパターンで示している。

【0038】

金属線３２は、例えば、ワイヤボンディングに用いる金線や銅線等である。樹脂部３３は、例えば、モールド樹脂である。モールド樹脂とは、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法、インジェクションモールド法等に使用可能な非感光性の熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂である。モールド樹脂は、例えば、非感光性で熱硬化性のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂であり、フィラーを含有する。

【0039】

半導体装置３は、第１実施形態に係るリードフレームを用いて作製されている。すなわち、半導体装置３において、ダイパッド１０、グラウンドリング１１、連結部１２、インナーリード１４、及びアウターリード１６は、リードフレーム１の１つの個片化領域７から作製されたものである。

【0040】

半導体チップ３１は、ダイパッド１０の上面１０ａに実装されている。樹脂部３３は、半導体チップ３１、金属線３２、グラウンドリング１１及びインナーリード１４を封止している。アウターリード１６は、樹脂部３３から露出している。また、ダイパッド１０の下面１０ｂは、樹脂部３３から露出している。溝１２ｘは、樹脂部３３に被覆されている。

【0041】

半導体装置３を製造するには、図１０（ａ）に示すように、まず、リードフレーム１を用意する。次いで、接続電極を上側にして、半導体チップ３１を接着剤によってダイパッド１０の上面１０ａに固着する。その後に、図１０（ｂ）に示すように、半導体チップ３１の接続電極とグラウンドリング１１及びインナーリード１４とを金属線３２によってそれぞれ接続する。

【0042】

次に、図１０（ｃ）に示すように、半導体チップ３１、金属線３２、グラウンドリング１１及びインナーリード１４を封止する樹脂部３３を形成する。このとき、ダイパッド１０の下面１０ｂ及びアウターリード１６が露出するように樹脂部３３が形成される。

【0043】

さらに、リードフレーム１から枠部８を切り離すと共に、ダムバー１５を切断することにより、複数の分離されたインナーリード１４及びアウターリード１６を得る。その後に、図１０（ｄ）に示すように、樹脂部３３から露出するアウターリード１６を下側に曲げ加工することにより、アウターリード１６の先端部を外部接続端子とする。

【0044】

半導体装置３では、ダイパッド１０の下面１０ｂが樹脂部３３から露出しているため、放熱性を向上することができる。

【0045】

また、半導体装置３のダイパッド１０は、リードフレーム１の１つの個片化領域７から形成されたものであるから、前述のようにダイパッド１０の下面１０ｂの平坦性が良好である。これにより、半導体チップ３１等を樹脂部３３で封止する際に、樹脂部３３がダイパッド１０の下面１０ｂ側に漏れ出すおそれが低い。

【0046】

〈第１実施形態の変形例〉
第１実施形態の変形例では、リードフレームの形状が異なる半導体装置の例を示す。なお、第１実施形態の変形例において、既に説明した実施形態と同一構成部品についての説明は省略する場合がある。

【0047】

図１１は、第１実施形態の変形例１に係るリードフレームを例示する部分下面図であり、図５に対応する部分を示している。図１１に示すリードフレーム１Ａでは、溝１２ｘの位置が図５に示すリードフレーム１と異なる。なお、図１１では、便宜上、溝１２ｘをドットパターンで示している。

【0048】

リードフレーム１Ａでは、下面視で、溝１２ｘのダイパッド１０側の端部は、連結部１２が接続するダイパッド１０の外縁を構成する辺とは離隔した位置にある。すなわち、溝１２ｘのダイパッド１０側の端部は、ダイパッド１０の外縁を構成する辺とは接していなく、図５に示す溝１２ｘの位置よりもグラウンドリング１１に近い側にある。

【0049】

このように、溝１２ｘは、曲げ加工を行う位置に合わせて配置することができる。リードフレーム１Ａの場合も、連結部１２は、例えば、溝１２ｘのダイパッド１０側の端部でダイパッド１０の上面側に向かって屈曲している。そのため、連結部１２の下面において溝１２ｘよりもダイパッド１０側に位置する領域１２ｂは、ダイパッド１０の下面１０ｂと面一である。

【0050】

図１２は、第１実施形態の変形例１に係る半導体装置を例示する下面図である。半導体装置３Ａは、第１実施形態の変形例１に係るリードフレーム１Ａを用いて作製されている。半導体装置３Ａでは、ダイパッド１０の下面１０ｂに加え、連結部１２の下面の領域１２ｂも樹脂部３３から露出している。そのため、放熱性をより向上することができる。なお、図１２では、便宜上、樹脂部３３をドットパターンで示している。

【0051】

図１３は、第１実施形態の変形例２に係る半導体装置を例示する図であり、図１３（ａ）は下面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＣ－Ｃ線に沿う断面図である。なお、図１３（ａ）では、便宜上、樹脂部３３を透視してリードフレームの形状が視認できるように図示しているが、半導体装置３Ｂの下面において、樹脂部３３から露出するのはダイパッド１０の下面１０ｂのみである。

【0052】

図１３に示す半導体装置３Ｂでは、ダイパッド１０の四隅にサポートバー１３が接続されている。各々のサポートバー１３には、ダイパッド１０の下面１０ｂ側に開口する溝１３ｘが設けられている。サポートバー１３は、例えば、溝１３ｘのダイパッド１０側の端部でダイパッド１０の上面１０ａ側に向かって屈曲している。溝１３ｘは、樹脂部３３に被覆されている。

【0053】

図１３のような構造の場合も、ダイパッド１０の下面１０ｂ側の平坦性が向上したことにより、樹脂部３３がダイパッド１０の下面１０ｂ側に漏れ出すおそれを低減できる。

【0054】

図１４は、第１実施形態の変形例３に係る半導体装置を例示する下面図である。なお、図１４では、便宜上、樹脂部３３を透視してリードフレームの形状が視認できるように図示しているが、半導体装置３Ｃの下面において、樹脂部３３から露出するのはダイパッド１０の下面１０ｂのみである。また、図１４のＤ－Ｄ線に沿う断面は、図８（ｂ）と同様の構造になるため、図示を省略する。

【0055】

図１４に示す半導体装置３Ｃでは、下面視で、ダイパッド１０は長方形状である。下面視で、ダイパッド１０の各長辺の外側には、所定間隔を空けて略矩形状のグラウンドバー１１ｐが配置されている。ダイパッド１０とグラウンドバー１１ｐとは、所定間隔で配置された複数の連結部１２により繋がっている。下面視で、連結部１２の一端はダイパッド１０の外縁を構成する長辺の一部に接続し、他端は、グラウンドバー１１ｐのダイパッド１０側の辺と接続する。グラウンドバー１１ｐの両端の角部近傍には外側に向かってサポートバー１３が延在している。

【0056】

各々の連結部１２には、ダイパッド１０の下面１０ｂ側に開口する溝１２ｘが設けられている。連結部１２は、例えば、溝１２ｘのダイパッド１０側の端部でダイパッド１０の上面１０ａ側に向かって屈曲している。溝１２ｘは、樹脂部３３に被覆されている。

【0057】

図１４のような構造の場合も、ダイパッド１０の下面１０ｂ側の平坦性が向上したことにより、樹脂部３３がダイパッド１０の下面１０ｂ側に漏れ出すおそれを低減できる。

【0058】

図１５は、第１実施形態の変形例４に係る半導体装置を例示する下面図である。なお、図１５では、便宜上、樹脂部３３を透視してリードフレームの形状が視認できるように図示しているが、半導体装置３Ｄの下面において、樹脂部３３から露出するのはダイパッド１０の下面１０ｂのみである。また、図１５のＥ－Ｅ線に沿う断面は、図８（ｂ）と同様の構造になるため、図示を省略する。また、図１５のＦ－Ｆ線に沿う断面は、図１３（ｂ）と同様の構造になるため、図示を省略する。

【0059】

図１５に示す半導体装置３Ｄでは、下面視で、ダイパッド１０の外縁を構成する各辺の外側には、所定間隔を空けて略矩形状のグラウンドバー１１ｐが配置されている。ダイパッド１０とグラウンドバー１１ｐとは、所定間隔で配置された複数の連結部１２により繋がっている。下面視で、連結部１２の一端はダイパッド１０の外縁を構成する各辺の一部に接続し、他端は、グラウンドバー１１ｐのダイパッド１０側の辺と接続する。

【0060】

各々の連結部１２には、ダイパッド１０の下面１０ｂ側に開口する溝１２ｘが設けられている。連結部１２は、例えば、溝１２ｘのダイパッド１０側の端部でダイパッド１０の上面１０ａ側に向かって屈曲している。溝１２ｘは、樹脂部３３に被覆されている。

【0061】

ダイパッド１０の四隅にサポートバー１３が接続されている。各々のサポートバー１３には、ダイパッド１０の下面１０ｂ側に開口する溝１３ｘが設けられている。サポートバー１３は、例えば、溝１３ｘのダイパッド１０側の端部でダイパッド１０の上面１０ａ側に向かって屈曲している。溝１３ｘは、樹脂部３３に被覆されている。

【0062】

図１５のような構造の場合も、ダイパッド１０の下面１０ｂ側の平坦性が向上したことにより、樹脂部３３がダイパッド１０の下面１０ｂ側に漏れ出すおそれを低減できる。

【0063】

図１６は、第１実施形態の変形例５に係る半導体装置を例示する図であり、図１６（ａ）は下面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）のＧ－Ｇ線に沿う断面図である。なお、図１６では、便宜上、樹脂部３３を透視してリードフレームの形状が視認できるように図示しているが、半導体装置３Ｅの下面において、樹脂部３３から露出するのはダイパッド１０の下面１０ｂのみである。また、図１６のＨ－Ｈ線に沿う断面は、図１３（ｂ）と同様の構造になるため、図示を省略する。

【0064】

図１６に示す半導体装置３Ｅでは、下面視で、ダイパッド１０の外縁を構成する各辺に曲げ部１７が繋がっている。下面視で、曲げ部１７の一端はダイパッド１０の外縁を構成する各辺の一部に接続する。曲げ部１７を設けることにより、樹脂部３３とダイパッド１０との密着性を向上することができる。

【0065】

各々の曲げ部１７には、ダイパッド１０の下面１０ｂ側に開口する溝１７ｘが設けられている。曲げ部１７は、例えば、溝１７ｘのダイパッド１０側の端部でダイパッド１０の上面１０ａ側に向かって屈曲している。溝１７ｘは、樹脂部３３に被覆されている。

【0066】

ダイパッド１０の四隅にサポートバー１３が接続されている。各々のサポートバー１３には、ダイパッド１０の下面１０ｂ側に開口する溝１３ｘが設けられている。サポートバー１３は、例えば、溝１３ｘのダイパッド１０側の端部でダイパッド１０の上面１０ａ側に向かって屈曲している。溝１３ｘは、樹脂部３３に被覆されている。

【0067】

図１６のような構造の場合も、ダイパッド１０の下面１０ｂ側の平坦性が向上したことにより、樹脂部３３がダイパッド１０の下面１０ｂ側に漏れ出すおそれを低減できる。

【0068】

以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0069】

１，１Ａ リードフレーム
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ 半導体装置
７ 個片化領域
８ 枠部
１０ ダイパッド
１０ａ 上面
１０ｂ 下面
１０ｘ 凹部
１１ グラウンドリング
１１ｐ グラウンドバー
１２ 連結部
１２ｂ 領域
１２ｘ，１３ｘ，１７ｘ 溝
１３ サポートバー
１４ インナーリード
１５ ダムバー
１６ アウターリード
１７ 曲げ部
３１ 半導体チップ
３２ 金属線
３３ 樹脂部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】